CN1223411C - 附着膜回收装置和附着膜的回收方法 - Google Patents
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- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 80
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 137
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 168
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 claims description 162
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 156
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 40
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 22
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 16
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 239000011378 shotcrete Substances 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 4
- 238000007670 refining Methods 0.000 claims description 4
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007514 turning Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 claims description 2
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 claims description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 75
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 abstract 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 344
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 23
- 239000000306 component Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 10
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000021110 pickles Nutrition 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N Calcium cation Chemical compound [Ca+2] BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000013556 antirust agent Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 2
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 241000370738 Chlorion Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000035126 Facies Diseases 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003657 drainage water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000012492 regenerant Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HYERJXDYFLQTGF-UHFFFAOYSA-N rhenium Chemical compound [Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re][Re] HYERJXDYFLQTGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- -1 tantalum Chemical class 0.000 description 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 1
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-
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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Abstract
本发明的附着膜回收装置具有对在操作室(22)内的台(26)上放置的、具有附着膜的成膜用机架(25),对上述附着膜产生水压为30MPa~200MPa的喷水的洗涤枪(51),用于将操作室(22)内设定成负压的排气扇(62),以能够密封的形式设置操作室(22),以抑制喷水产生的飞沫向外部飞散。在上述装置中,从具有金属或者金属化合物的附着膜的成膜用机架上,可经济地再利用上述附着膜,并且,成膜用机架的磨削量小,可以抑制废弃物的产生量。在上述装置中,由于通过喷水可增大得到的附着膜,能够简化并保证上述附着膜片的回收,因此,可以低成本化并促进上述附着膜的再利用。
Description
技术领域
本发明涉及从成膜用机架上回收附着膜的附着膜回收装置和附着膜的回收方法,该附着膜是采用溅射法、真空蒸镀法、离子喷镀法、CVD法等为在电子设备上形成金属或者金属化合物的薄膜的真空成膜装置中使用的防护板、掩模、基板支架等成膜用机架上附着的、由上述金属或者金属化合物形成的附着膜。
背景技术
近年来,有向大量产出和大量废弃的社会转变中、电子设备,特别是与信息相关设备的增加是显著的。作为上述电子设备的核心部件,可举出半导体,包括液晶板的平板显示板、太阳能电池、半导体装置和存储器等。
上述电子设备可通过使用溅射法、真空蒸镀法、离子喷镀法等真空成膜法的真空成膜装置制备,成膜材料中使用稀有金属的情况也很多。
采用稀有金属,特别是铟或钽等稀有金属作为成膜材料使用存在其资源枯竭的问题。为了缓解上述问题,正在寻找能够控制在现有的生产阶段和使用阶段的废弃量的、回收并循环上述稀有金属的处理技术的确定和具体的对策。
这里所说的稀有金属,按照推测埋藏量的大小顺序为铟(In)<铼(Re)<钽(Ta)<金(Au)<铂(Pt)<硒(Se)<铯(Cs)<镓(Ga)<铋(Bi)<汞(Hg)<银(Ag)。
通常,采用上述真空成膜法,在形成薄膜的基板之外的地方,例如基板之外的真空容器内厚厚地附着着附着膜,为防止发生剥离的防护板、用于仅在基板(晶片)的给定位置成膜的掩模、用于运送基板的基板支架等(将其统称为成膜用机架(成膜用部件))上使用,在其上也附着着与薄膜同组成或者基本同组成的附着膜。
由于这些成膜用机架被反复使用,因此,附着在成膜用机架上的附着膜与基板上成膜的薄膜相比变厚。该附着膜如果形成一定的厚度,就会因附着膜的内部应力和反复的受热过程产生的应力而从成膜用机架上形成小的膜片剥离,成为附着在基板上造成局部膜缺陷的原因。 (通常将其称为颗粒污染)。
因此,要对成膜用机架定期施以被称之为在不引起颗粒污染的附着膜的膜厚范围内,从真空成膜装置中取出,进行成膜用机架洗涤的附着膜除去和用于再使用的表面精加工。
下面对成膜用机架进一步详细说明。在真空成膜装置内使用的成膜用机架,为了维持真空状态,作为材料,必须是气体吸附少并且容易放出气体的金属材料,可使用不锈钢(SUS)、被称为Ni42Fe58(42合金)的镍铁合金、铝、钛、铜等。
因此,在成膜用机架中,为了增强附着力并延长成膜用机架的洗涤间隔,通常施以表面粗度加工。例如,对铁系材料,施以数微米的表面粗度加工,对于铝,通过铝喷镀膜的表面处理,施以数十微米的表面粗度加工,而对于铜,通过在以铜为主要成分的片状物上的压纹加工施以表面粗度加工。
目前,这种成膜用机架的洗涤通过下面被称为喷砂的处理方法进行,即利用空气压力将被称为砂的例如数百微米直径左右的铝颗粒或碳化硅颗粒冲击到成膜用机架的附着膜上,用这时的冲击力剥离除去附着的附着膜,另外也可进行采用酸的湿蚀刻法进行。例如,在特开平11-198344号公报(公开日1999年7月27日)中公开了通过喷射研磨材料除去附着在屏幕框架上的粘接剂和胶带的方法。
采用这些现有的处理方法,会排出大量的喷砂屑和废酸液,这些喷砂屑和废酸液中所含的来自附着膜的附着片的含有率或者浓度,例如,在喷砂屑中为0.1~5重量%左右,在蚀刻废酸液中低至0.2~1.1g/升(103cm3)。
因此,采用这些现有的处理方法,由于附着膜片的含量低或者浓度低,因此经济上(成本上)无法回收,所以,不从附着膜回收附着膜片,而作为废弃物处理。
由此,需要一种代替这些现有处理方法的、废弃物排出量少的、低成本的处理方法。而且,希望将除去的附着膜片再利用。特别是,在含有稀有金属铟或钽时,有效利用上述稀有金属是重要的。
ITO(铟锡氧化物)由于可见光的透过率高(透明性高),电阻(比电阻)小,通过光蚀刻法形成图案容易,因此,作为透明导电膜,可广泛用于液晶板的象素电极或对向电极、PDP或有机·无机EL电极、PDP用电磁波滤波器、触摸屏、太阳能电池等。
但是,ITO中所含的铟是被称为稀有金属的埋藏量少的金属,而且,仅国内生产的液晶板,就使用了全世界使用量的4成以上,除此之外,正以年率16%左右的高增长率不断增加使用量。因此,铟的回收和再利用极为重要。
作为ITO薄膜成形方法,大多采用溅射法、真空蒸镀法、离子喷镀法等真空成膜法。例如,通常液晶显示器等的由ITO形成的透明电极大多采用溅射法进行薄膜形成。
在溅射法中,例如,如图6所示,靶的可使用量约为30%,成膜用机架上附着的量估计为其约一半,即15%左右。在再利用方面,重量比约70%的未使用的靶返回制造商,进行再利用,但是,除此之外的,存在无法再利用的现状。由图6可见,如果从成膜用机架洗涤回收ITO进行再利用,实际上,每个ITO可将铟的用量消减到大约一半的程度。
另一方面,已经有人提出几个例如通过将喷砂屑中所含的ITO用盐酸或硝酸溶解,进行化学提取处理,回收铟,进行再利用的处理方法,但是,实际上无法进行再利用。这是因为,喷砂屑或蚀刻废酸液的ITO含有率,例如,在喷砂屑中为0.1~5重量%左右,在蚀刻废酸液中低至0.2~1.1克/升,在经济上无法将其回收。
如果能够开发代替这些的,可获得高ITO含有率的回收物的廉价成膜用机架洗涤处理技术,就可以使经济的再利用成为可能,并促进再利用。
而且,在喷砂法中,加工时,一部分砂发生破碎,加工能力减小,因此,通常,可采用旋风分离器分离除去破碎变小的砂粒和膜片等。这时,大量喷砂屑以废弃物的形式产生,该废弃处理耗费时间和劳力。因此,需要废弃物量少的处理方法。
目前,已知的有,采用使用湿式的喷水装置或使用研磨颗粒的磨料方式的喷水装置,除去灰尘(尘埃)、涂膜、包壳的标签等方法。
但是,这些是以除去与铁板或壳等底材相比硬度小的表面的灰尘、涂膜、包壳的标签等异物并得到干净的铁板或壳等底材为目的使用的,没有用于成膜用机架洗涤的先例。
成膜用机架上附着的附着膜的膜材料通常硬度高,是采用水压比较低的现有湿式喷水法难剥离的材料,而且,由于所谓喷砂法的比较简单的方法已经是可利用的方法,因此,可以认为没有适用于成膜用机架的洗涤的研究。
实际上,采用喷水法,不对自来水进行充分的前处理就使用,自来水中所含的钙离子以碳酸钙的形式在高压水发生装置内或洗涤枪中析出,成为装置故障的原因,并且还发生由氯引起腐蚀这样的问题,不适合于成膜用机架的洗涤。
而且,采用除去包壳的标签等方法,其中所采用的装置也是设置了简单的护挡以使高压水不直接对着人体的装置,附着膜与水一起飞散,无法有效回收附着膜片。
对于来自悬浮液的固液分离的方法,已知的有沉淀、过滤、离心分离法、膜分离法等各种方法,可根据悬浮粒子的大小或处理量等使用目的来使用。
但是,在现有技术的喷砂法或采用酸的蚀刻法的成膜用机架的洗涤中,存在产生大量的喷砂屑或废酸液,而且,喷砂屑和废酸液中所含的附着膜片的含有率小,难以经济地再利用这样的问题。特别是,在机架洗涤具有含稀有金属铟或钽的附着膜的成膜用机架时,虽然回收并有效利用(再利用)这些稀有金属是重要的,但由于上述理由是困难的。
发明内容
本发明的目的在于提供能够抑制喷砂屑或酸废液的产生,简化附着膜的回收并可促进上述附着膜的再利用的附着膜回收装置,以及附着膜的回收方法。
为了达到上述目的,本发明的附着膜回收装置的特征在于:在从放置在保持台上的具有附着膜的成膜用机架上回收上述附着膜的附着膜回收装置中,为了回收上述附着膜,具有对上述成膜用机架喷水(液体)的喷水(液体)部件。
根据上述构成,由于具有喷射高压喷水的喷水部件,因此可提高上述附着膜片的回收率,并且还可改善对操作者的安全性。
而且,采用上述构成,与现有的喷砂法相比,可减小成膜用机架洗涤时成膜用机架的磨削量,能够延长成膜用机架的使用次数,即提高寿命。
采用上述构成,可通过喷水,将成膜用机架的附着膜以附着膜片的形式除去,并且,可使上述附着膜片比现有的喷砂法的大,因此,可简化并确保上述附着膜片的回收,并可低成本化。而且,上述构成可促进附着膜的再利用。
为了达到上述目的,本发明附着膜回收方法的特征在于:在将采用溅射法、真空蒸镀法、离子喷镀法、CVD法等真空成膜法的真空成膜装置中所使用的防护板、掩模、基板支架等成膜用机架上附着的附着膜剥离并回收的附着膜的回收方法中,成膜用机架上附着的附着膜的剥离方法是使用水或液体的喷水(液体)法。
根据上述方法,由于成膜用机架上附着的附着膜的剥离方法中采用了使用水或者液体的喷水法,因此,与现有的喷砂法相比,可减少被洗涤物即成膜用机架的磨削量(磨耗量),延长成膜用机架的使用次数,即提高寿命。
而且,在上述方法中,可以通过喷水法将成膜用机架的附着膜以附着膜片的形式除去,并且,可使上述附着膜片比现有的喷水法的大,因此,可简化并确保上述附着膜片的回收,并可低成本化。而且,上述方法可促进附着膜的再利用。
本发明的其他目的、特征和优点通过以下的记载充分显现。而且,本发明的优点可通过参照附图的如下说明更加明朗。
附图说明
图1是表示一例作为本发明第一实施方案的附着膜回收装置的喷水装置关键部分的示意图。
图2是表示一例作为本发明第二实施方案的附着膜回收装置的喷水装置关键部分的示意图。
图3是作为一例上述附着膜回收装置中用于洗涤的、成膜用机架上形成附着膜时的真空成膜装置的溅射装置的关键部分截面图。
图4是表示一例现有例的用于除去附着膜的喷砂装置的关键部分截面图。
图5是表示一例上述真空成膜装置中形成薄膜的液晶板的关键部分截面图。
图6是表示上述溅射装置的材料排出细目例的图。
图7是本发明第一实施方案的附着膜回收方法的说明图,是用于说明图1所示的喷水装置的操作框图。
图8是表示一例作为本发明第三实施方案的附着膜回收装置的喷水装置的关键部分示意图。
图9是本发明第三实施方案的附着膜回收方法的说明图,是用于说明图8所示的喷水装置的操作框图。
图10是本发明各实施方案的喷水装置的洗涤枪的关键部分截面的侧面图。
图11是表示采用上述喷水装置回收的、附着膜片的SEM的大小和纯度的说明图。
具体实施方式
对于本发明的附着膜回收装置和附着膜回收方法有关的各方案根据图1到图11进行如下说明。首先,由于相对附着膜回收装置和附着膜回收方法中所采用的成膜用机架,附着膜在真空成膜装置内形成,因此,对作为一例上述真空成膜装置的溅射装置,基于图3进行说明。
如图3所示,在溅射装置11的成膜室12中,设置供给放电气体的配管A和与真空排气装置相连、真空排空成膜室12的配管B。在成膜室12内,在与成膜室12电分离的靶保持板13上设置靶14,在其周围设置阳极板15。在成膜室12的外侧以夹持靶保持板13并接近靶14方式配置磁铁16。
进行薄膜成膜的基板17以与靶14相对的方式,可自由装卸地安装在与成膜室12电分离的基板支架18上。上述基板支架18设置在成膜室12内,并以可拆卸的方式设置。
基板17的前面(与靶14相对的一侧)上可自由装卸地配置覆盖基板17没有成膜的地方的掩模19。而且,在成膜室12的内面侧和阳极板15的靶14侧上可自由装卸地安装防护板20。
下面对上述溅射装置11的操作进行说明,首先,通过配管A将氩等惰性气体或者根据需要将氧和氮等反应性气体混合的放电气体导入成膜室12,以靶14作为阴极,在其与阳极板15之间施加高电压,使放电气体离子化。离子化的放电气体撞击到靶14上,打出靶材料,打出的靶材料以薄膜状堆积在基板17上,进行成膜。
这时,在基板17以外的成膜室12内的各部件上,也附着靶材料并形成附着膜,如果该附着膜变得过厚,附着膜的内部应力或反复的热应力造成剥离,形成碎屑(膜片),成为基板17上形成的薄膜缺陷的原因,因此必须定期除去附着膜。
为了简化该操作,可设置防护板20。基板支架18、掩模19和防护板20等成膜用机架必须定期进行除去附着的附着膜的成膜用机架的洗涤,通常,采用ITO,附着膜的膜厚为100~300微米左右,采用钽等金属,形成膜厚比其更厚之后,将上述成膜用机架从溅射装置11上卸下,进行成膜用机架的洗涤。
成膜用机架的洗涤可采用现有的被称为喷砂法的方法进行。图4中表示一例喷砂法中采用的喷砂装置的关键部分截面图。
下面对上述喷砂装置的构成和操作进行说明,首先,在保护壁形成的操作室22内设置机器手21,在机器手21的顶端安装喷嘴23。上述喷嘴23与用于将砂与空气混合并从喷嘴23喷射的压缩混合机24相连。
成膜用机架25以在操作室22内膜附着面变成喷嘴23侧的形式配置,通过机器手21依次移动喷嘴23,将砂与压缩空气一起喷射到成膜用机架25的膜附着面上,靠其冲击力将附着的附着膜剥离除去。砂通常可采用硬度高的铝或碳化硅颗粒,其大小考虑处理速度和加工可选择适当的大小,但通常采用100微米~800微米左右大小的颗粒。
一部分撞击到成膜用机架25的膜附着面上的砂破碎变小,剥离附着膜的力减小,因此,从开孔的台26的下方导入市售的旋风分离器27中,采用旋风分离器27,分离与原有砂相同大小的砂和变小的砂与附着膜片的混合物,前者再返回到压缩混合机24使用,后者作为喷砂屑按箭头C排出。
因此,采用上述现有的处理方法,产生大量的喷砂屑,并且,附着膜片的含有率相对于喷砂屑也小至0.1~5重量%的程度,难以经济地分离上述两者。
作为一例上述真空成膜装置中采用形成薄膜的基板17的液晶板在图5中表示。图示的液晶板具有TFT(薄膜晶体管)等有源元件。本发明当然还可适用于TN(扭型向列)液晶板、STN(超扭型向列)液晶板等负载液晶板。并且,还可适用于液晶板之外的无机EL板、有机EL板、PDP等平板显示板、PDP用电磁波滤波器、触摸屏等。
上述液晶板如图5所示,通过沿着该玻璃基板3la、31b的周边以框状配置的密封部件32贴合例如厚度为0.7mm或者1.1mm的透明玻璃基板31a.31b,在其之间填充液晶,变成形成液晶层33的构造。图3所示的基板17与图5中的玻璃基板31a、31b相当。
在玻璃基板31a31b中与液晶层33相对侧的面上,通过粘接剂分别贴合厚度为0.2~0.4mm的偏光板34、34。液晶层33的厚度(玻璃基板31a、31b之间的距离)通常为4~6微米。玻璃基板31a、31b,偏光板34、34,液晶层33的厚度并不限于上述值。
在玻璃基板31a的液晶层33侧的面上,将依次排列以有机物为主体的R、G、B各种颜色形成的彩色膜35、含铟的透明ITO膜形成的对向电极37、有机物形成的取向膜38面向液晶层33一侧顺序层压。
另一方面,在玻璃基板31b的液晶层33侧的面上,顺序形成门通路电极39、门绝缘膜40、硅烷半导体膜41、电源通路电极42、漏极43、含铟的透明ITO膜形成的像素电极44、有机物构成的取向膜38。
门通路电极39、电源通路电极42、漏极43由钽、铝、钛等之中的至少一种金属或者金属化合物的薄膜构成,其和含铟的透明ITO薄膜形成的对向电极37和像素电极44可采用真空薄膜形成法形成薄膜。上述真空薄膜形成法主要采用溅射法。
下面,分别表示本发明各实施方案的成膜用机架洗涤用附着膜回收装置各例的关键部分示意图在图1和图2中表示。下面,根据图1和图2进行说明。
在作为本发明第一实施方案的附着膜回收装置的喷水装置中,如图1所示,以从上方覆盖用于洗涤操作的操作台即台26的形成箱状的操作室22,以在侧面设置用于将被洗涤物即成膜用机架25运送到和运送出上述台26上的门。
在洗涤操作中,为了防止喷水(液体)形成的飞沫漏到外部,上述操作室22以能够密封地用保护壁(优选具有亲水性)形成内壁。
在操作室22内,多关节杆状机器手(移动部)21以从操作室22上部(顶板部分)悬垂到下方的方式,并且,在上述机器手21的多关节部分具有多个作为高压水配管的一部分的回转管接头被设置。
由此,机器手21是多关节杆状,由于具有多个回转管接头,因此,在输送高压水的同时,可将机器手21的顶端部分沿着作为被洗涤物(洗涤对象)的成膜用机架25的附着膜形成面的形状三维地移动。
在机器手21的杆顶部,呈大致圆柱状的洗涤枪(喷水部分)51以上述杆顶端同轴,并且以洗涤枪51的中心轴为中心,以旋转自由的方式安装。
用于产生高压水的高压水产生装置(高压液体产生部分)52以通过机器手21向洗涤枪51供给高压水的方式连接并接近操作室22的外部设置。高压水产生装置52中通常可采用进口侧油压装置产生的压力并采用输出侧的增压机得到高压水的增压机型装置。
高压水产生装置52上连接用于向高压水产生装置52供给水的纯水制造装置(液体精制部分)61。在纯水制造装置61中,通过离子交换从自来水中除去钙离子或氯离子等离子,并输出上述水。
多关节杆状机器手21如下设定,即通过重现控制方式(テイ-テイングブレイバツク)的控制器(未图示,控制部分),反复进行符合洗涤成膜用机架25的形状预先进行控制的动作来进行成膜用机架的洗涤。
在图10中,表示一例洗涤枪51的关键部分截面的侧面图。只显示喷嘴部分69的截面。喷嘴部分69以接近顶端内径逐渐减小的形式形成大致的圆筒状,通过洗涤枪51与高压水产生装置52连接。
上述喷嘴部分69多个例如7个安装在洗涤枪51的顶端面上(与洗涤枪51的旋转轴垂直相交的平面上),各喷嘴部分69的中心轴以相互平行的方式设置。上述各喷嘴部分69中的一个与洗涤枪51同轴(旋转轴)设置。
其他上述各喷嘴部分69,例如其他6个,在洗涤枪51的顶端面上,在以洗涤枪51的旋转轴为中心的假想圆的圆周上,以彼此相邻的等间隔设置。上述假想圆的直径相对于喷嘴部分69的喷嘴顶端开口的孔径D在200~2500倍的范围内,更优选在400~1500倍的范围内。
该假想圆上的各喷嘴部分69以洗涤枪51的旋转轴为中心,与洗涤枪51-起以从喷嘴部分69的顶端侧看时为顺时针的方向(图中E方向)旋转。上述旋转的驱动使用空压机、油压机或水压机,转数为500rpm~2000rpm,更优选在1000rpm~2000rpm。
上述各喷嘴部分69具有适合通常的喷射高压水的构造,例如,各喷嘴部分69的内壁面进行了镜面加工,并且其顶端部分的喷嘴孔的开口部分从耐磨耗性和加工性方面考虑,埋入了刚玉屑或金刚石屑(未图示)。
调整洗涤枪51的喷嘴部分69与成膜用机架25的距离在被称为撞击区域内的范围,即L/D=50~300。这里,L是洗涤枪51的喷嘴部分69的顶端部分与成膜用机架25表面的距离,D是上述喷嘴部分69的喷嘴顶端开口的孔径。
这些各喷嘴部分69优选通过机器手21以各喷嘴部分69的中心轴相对于成膜用机架25的被洗涤表面大约垂直地设定。
另外,根据需要,各喷嘴部分69的中心轴可相对于成膜用机架25的被洗涤表面的法线方向倾斜,例如可以倾斜到10°左右。由此,来自沿上述假想圆旋转的各喷嘴部分69的各高压水通过相对于附着膜的倾斜,变成在给定的范围内依次反复改变冲击力的模拟脉动水,可有效地从附着膜上剥离附着膜片。
在成膜用机架25是大致长方形的比较单纯的形状时,多关节杆状的机器手21可以是希望廉价的XY机器手,也可以是控制为数控方式的。例如,采用XY级,代替移动各喷嘴部分69的方法,也可以移动成膜用机架25。
操作室22的内面壁由亲水性材料构成,操作室22的顶板上安装用于润湿操作室22内面壁的喷雾器或者喷头(加湿部分)59。
在该附着膜回收装置中,在操作室22内的台(保持台)26上放置成膜用机架25,使其上附着膜面成为洗涤枪51的一侧,通过机器手21依次移动洗涤枪51,将高压水喷射到上述膜附着面上,由其冲击力剥离除去附着的附着膜。成膜用机架25如后所述,可以以放置在放样的洗涤机架放置台(支撑部件)53上的状态进行成膜用机架的洗涤。
成膜用机架25或者洗涤机架放置台53在图中均省略,但通过转向架和导轨在操作室22内的台26上移动,通过停止器放置在给定的位置。
在图1中,在以网状开了多个孔的台26的下方,配置离心分离机(固液分离部分)57。离心分离机57具有有底圆筒状固定容器54和在固定容器54中同轴高速旋转的有底圆筒状旋转容器56。旋转容器56中,在其周面上开了多个孔,在旋转容器56的内侧面上设置过滤材料55以覆盖上述多个孔。
喷射到成膜用机架25上的高压水变成含有来自成膜用机架25的附着膜的附着膜片的悬浮液。上述悬浮液直接或者沿着操作室22的内壁面与来自喷雾器或者喷头59的水一起,从开有多个孔的台26流到下面进入旋转容器56中,通过离心分离机57进行离心分离,将附着膜片和排水分离。
上述悬浮液和排水可以以水为主要成分(50重量%以上),也可以含有其它物质例如防锈剂或用于增加磨削力的液态聚合物。而且,离心分离机57可以是采用离心沉降法的离心沉降装置。
在固定容器54的底面设置排水口58。上述排水口58通过配管77,经用于调整流量的槽(未图示)与高压水产生装置52相连,通过离心分离产生的排水返回到高压水产生装置52。由此,由于可以再利用排水,因此,至少可降低废弃物量,能够全面避免废弃物的产生。
在本发明的第二实施方案中,如图2所示,代替离心分离机57,在开孔台26的下方设置有底圆筒状的沉淀槽(固液分离部分)60,以接收从台26的孔落下的悬浮液。在沉淀槽60的侧部,将排水口58设置在给定的高度。来自排水口58的排水通过配管77经用于流量调整的槽(未图示)返回到高压水发生装置52。
来自图1和图2所示的排水口58的配管77通过用于流量调整的槽(未图示),代替高压水发生装置52与纯水制造装置61相连。
图7是用于说明采用图1表示的附着膜回收装置的附着膜回收方法的框图。首先,在转向架处于操作室22外转向架原点位置状态下,位置与成膜用机架25相合地进行固定,将控制器的开关打开(步骤1,下面将步骤简写为S)。
接着,打开操作室22的门(S2),转向架沿着导轨移动(S3),一到达操作位置就停止(S4),通过停止器固定,关闭操作室22的门(S6)。转向架的停止位置可通过限位开关得知,也可以采用其它方法。另外,离心分离机57的旋转容器56在关闭操作室22的门之前开始运行,以在进行离心分离操作之前具有一定的旋转速度(S5)。
在操作室22的顶板上安装排气扇62,至少在成膜用机架洗涤操作中使其运行,仅使操作室22内为减压状态(相对于操作室22的外部为负压状态),通过喷射高压水,防止含有水和附着膜片的飞沫从操作室22泄漏到周边。
接着,打开喷头59的阀,开始喷水(S7),开始运行高压水发生装置52的高压泵和洗涤枪空压机,开始供给高压水(S8)。在机器手21的操作开始之前开始喷水是为了预先润湿操作室22的内壁面。而预先开始供给高压水,是为了通过使从洗涤枪51喷射的高压水的流速一定之后进行操作来获得稳定的成膜用机架洗涤条件。图中虽然省略,但直至成膜用机架洗涤开始的时间预先用定时器设定。
接着,一旦操作室22的内壁面变湿并且高压水的流速达到一定,按照机器手21预先符合各成膜用机架25的形状进行的控制进行动作,进行成膜用机架的洗涤(S9)。成膜用机架的洗涤一旦结束,停止高压泵和洗涤枪空压机的运行,停止供给高压水(S10)。接着,机器手21返回机器手原点(S11),停止喷头59喷水(S12)。
然后,打开操作室22的门(S13),移动转向架以使其从操作室22中搬出(S14),在转向架原点位置停止(S15),关闭门(S16),停止离心分离机57的旋转容器56(S17),结束一连串的成膜用机架的洗涤(S18)。
以上按照图7的框图进行了说明,但是,例如离心分离机57的旋转容器56的动作开始可以在打开门之前,也可以根据高压水产生装置52的性能将喷水开始和高压水供给开始与其开始的顺序颠倒,在一连串的操作中,在无问题发生的范围内,可进行几种改变,本发明并不限于图7。
表示本发明第三实施方案的附着膜回收装置的关键部分的示意图在图8中表示。在上述附着膜回收装置中,在由自动门68和保护壁形成的操作室22内设置多关节杆状机器手21,机器手21的顶端上安装洗涤枪51。洗涤枪51与由三连柱塞泵形成的高压水产生装置52相连,再与纯水制造装置61相连。
机器手21通过可重复控制方式的控制器(未图示)重复预先控制的动作进行成膜用机架的洗涤。
在操作室22的顶板上,安装上述排气扇62。在操作室22的底板65上,设置用于移动转向架63并符合给定位置的导轨64和各限位开关LS1、LS2。
在转向架63上,将在其上装载并保持的旋转台70以将其以转向架63装载面的法线方向作为旋转轴旋转90°或180°的方式设置。通过设置该旋转台70,可将机器手21的移动范围狭窄设定,能够实现低成本化。当然,机器手21也可以是落地式的。
在操作室22内的底板65上设置排水口66。排水口66直接或者通过配管与沉淀槽60连接。对流入沉淀槽60的悬浮液,在沉淀槽60中,附着膜片发生沉淀,形成沉淀层67,上层清液从排水口58排出。
图9是用于说明采用图8表示的附着膜回收装置的附着膜回收方法的框图。打开控制箱的启动开关(S21),启动排气扇62(S22),打开自动门68(S23),开始高压泵的运行(S24),同时,转向架63从操作室22内移动到操作室22之外(S25),移动到限位开关LS1打开的位置停止并固定,处于待机状态(S26)。
接着,将成膜用机架25安装在转向架63的给定位置,例如安装在旋转台70上(S27),一打开洗涤开始开关(未图示)(S28),转向架63就向操作室22内移动(S29),移动到操作室22内的成膜用机架的洗涤位置、即打开限位开关LS2的位置停止并固定(S30),关闭自动门68(S31)。
然后,在机器手21位于机器手原点位置的状态下打开高压水产生装置52的阀,高压泵负荷,即,从高压泵向洗涤枪51供给高压水,开始从洗涤枪51喷射高压水(S32),几乎与此同时,打开洗涤枪的空压机,设置在洗涤枪51上的多个喷嘴部分69分别连动并开始运行(S33)。
接着,一旦高压泵开始负荷,只在第一计时器预先设定的时间运行,发出时间已到的信号(S34)。这样,高压水的喷射一稳定,机器手21可进行根据预先控制的动作,进行成膜用机架的洗涤(S35)。
接着,排空高压泵,停止高压水的喷射(S36),关闭洗涤枪空压机(S37),将机器手21移动到离开转向架63的机器手原点(S38)。
考虑成膜用机架25的大小情况和操作者的安全,在高压水的喷射不朝向自动门68一侧时,从成膜用机架25的中心侧向操作室22的里侧(与自动门68相对的一侧)进行半面或者1/4面的成膜用机架的洗涤之后,采用转向架63上附设的旋转台70,将成膜用机架25旋转180°或者90°(S39),顺序反复直至成膜用机架的洗涤结束(S32~S40)。
图中进行了简略化和记载,但是,这时是当然的情况,成膜用机架洗涤的机器手21的动作也有旋转90°的情况或根据成膜用机架25的形状(特别是非对称形时)而与前面操作不同的情况。
成膜用机架的洗涤一结束,第二计时器运行(S41),如果经过预先设定的、操作室22内的飞沫造成的水蒸气消失的时间,自动门68打开(S42),转向架63移动(S43),移动到操作室22外的限位开关LS1打开的位置停止并固定,处于待机状态(S44)。这是直至全部成膜用机架洗涤的操作结束,进行将成膜用机架25取出(S45)和安装(S46),反复进行S27~S45各工序。
如果所有成膜用机架洗涤的操作一结束,打开控制箱的结束开关,指示操作结束(S46),高压泵停止(S47),转向架63移动到操作室22内(S48),移动到操作室22内的限位开关LS2打开的位置停止并固定(S49),自动门68关闭(S50),排气扇62关闭并停止(S51),成膜用机架的洗涤操作结束(S52)。
操作结束后,将转向架63保存在操作室22内是为了防止转向架干燥和转向架63上附着的附着膜片飞散到操作室22外的周边。
上面举出了回收真空成膜装置的成膜用机架上附着的附着膜的例子,但是本发明并不限于此,例如,还可用于回收废弃的液晶板等电子设备中所含的铟或钽等金属或者金属化合物的薄膜。
[实施例1]
将液晶板的像素电极和对向电极用ITO的薄膜形成用溅射装置(图3)中使用的SUS430制的约20微米的粗化加工的、5毫米厚的基板支架18作为成膜用机架25,采用湿式喷水装置,即本发明的附着膜回收装置,进行成膜用机架的洗涤。
对基板支架18的表面进行3微米~5微米的粗化加工,是为了提高附着膜的密着力,真空成膜装置内难以发生剥离,直至附着更厚的附着膜,抑制来自上述附着膜的灰尘的产生,可作为基板支架18使用,降低附着膜的成膜用机架的洗涤频率。
采用具有喷嘴孔径为1毫米以下的多个喷嘴部件69的洗涤枪51,洗涤枪51和成膜用机架25的距离调整到撞击区域内,例如100毫米,在30MPa~200MPa范围内改变高压水的水压,除去基板支架18上附着的ITO附着膜,对ITO附着膜除去后的基板支架18表面进行观察并进行挠度评价。
喷嘴孔径在0.1毫米~1.0毫米的范围内,水压低至30MPa时,附着膜的除去操作时间延长,而水压在30MPa~200MPa的范围内,附着膜的剥离除去状态、基板支架18的表面状态特别良好,基板支架18的挠度也不到测定限度。如果考虑操作性,更优选水压在60MPa~200MPa的范围内。
之后,为了取下基板支架18表面的锈,采用喷砂法进行表面加工处理,之后,进行超声波洗涤和水洗加工,在短时间内干燥。通过本发明洗涤的基板支架18的磨削量约为2微米,与通过喷砂法进行成膜用机架洗涤时的磨削量约为20微米相比量少。
使喷嘴部分69为多个,是因为由于成膜用机架25的附着膜中附着面通常宽至数厘米,因此为了使机器手21的操作简单化,优选符合所采用的成膜用机架25的形状选择喷嘴部分69和数量和配置。
通过高压水中所用的水采用例如加入了肼、聚磷酸等防锈剂的液体,可省略喷砂法中用于去掉表面的锈的表面加工处理。对此,在后述的各实施例2和3中可同样适用。
在溅射装置中使用这样得到的洗涤后的成膜用机架25,研究成膜用机架25的变形、灰尘发生量和基板17上成膜的膜缺陷的发生情况。结果,与采用喷砂法洗涤的机架相同,判断没有实际使用上的问题。
还对在喷水装置的下方配置沉淀槽60(图2)回收沉淀的附着膜片的情况进行了研究。结果,由于飞散到沉淀槽60之外或沉淀时间不足,因此,剥离除去的附着膜片的约64%的ITO形成的附着膜片可以以沉淀物的形式回收。
ITO的比重约为7那么大,因此,通过喷雾装置或者喷头59,可将飞散到沉淀槽60之外的ITO的附着膜片用流水导入沉淀槽60中,通过对沉淀槽60进行研究延长沉淀时间或者采用离心分离法可将回收率提高到几乎100%。
在图11中,表示测定与回收的ITO附着膜片有关的SEM(扫描型电子显微镜)测定结果。回收的ITO附着膜片如图11所示,大致为数微米到数十微米的膜片比例高,并且,是高纯度的ITO附着膜片,几乎测不到作为成膜用机架25的基板支架18的SUS430中所含的铁和铬之外的杂质。由此,回收的ITO附着膜片,后序工序中的铟回收和再利用处理可简单进行,在经济性方面是优秀的。
[实施例2]
对液晶板的像素电极和对向电极用ITO的薄膜形成用溅射装置(图3的11)中使用的2毫米厚的薄SUS430制防护板(图3的20)采用湿式喷水装置,以与实施例1同样的方法进行成膜用机架的洗涤。水压可在30MPa~120MPa的范围内改变,除去附着面。
与喷砂法相比,可以认为由水压产生的压力大,但如果水压高至90MPa~120MPa,在所采用的防护板中,接触高压水的部分发生变形,可见具有挠度。
因此,为了在该防护板上形成附着膜面,置于支架状的金属容器内(图1、图2)内,为了使仿形用硅烷树脂不流回防护板的附着膜面上,采用聚亚胺带和铝带作堤,将仿形用硅烷树脂SH-85A和SH-850B以1比1的比例混合脱泡,生成的产物流入金属容器内,沿着与防护板的附着膜面相对的面(内面)成形,在室温下固化,制成洗涤机架放置台(图1、图2的53)。为了提高硬度,可以在150℃以下的给定温度的烘箱中固化。
将这样成形的硅树脂体剥离带,作为洗涤机架放置台使用,但是,由上述硅树脂制成的洗涤机架放置台富于弹性,对湿式喷射的高压水的耐久性比较高。进而,粘合上述洗涤机架放置台通过内部保持的金属容器具有提高上述洗涤机架放置台的强度的效果。
在该洗涤机架放置台上放置上述防护板,其内面通过上述洗涤机架放置台的上面沿上述上面被弹性地支持,在水压30MPa~120MPa的范围内,在与实施例1同样的条件下,对上述防护板进行成膜用机架的洗涤。
结果,防护板的附着膜的剥离除去状态、除去后防护板的表面状态都良好,作为课题的成膜用机架25的防护板也没有变形,是良好的。之后,对上述防护板,采用喷砂法进行表面加工处理后,进行超声波洗涤和水洗加工,在短时间内干燥。
使用溅射装置(图3),使用上述防护板,研究灰尘的发生量和基板17上成膜的薄膜的缺陷产生情况等。结果,与在溅射法中机架的洗涤同样,在实际使用中可获得良好的结果。
而且,在喷水装置的下方配置沉淀槽60并回收沉淀的附着膜片。结果,具有与实施例1同样良好的结果。
[实施例3]
将在液晶板的gate bus line(图5的39)用钽或钽化合物(氮化钽)的薄膜形成用溅射装置(图3)中使用的铝喷镀加工的铝制掩模,采用与上述实施例1同样的湿式喷水装置,进行成膜用机架的洗涤。
采用具有旋转的多个喷嘴部件69的洗涤枪51,将洗涤枪51和成膜用机架25的距离调整为数厘米,在喷嘴部分69的喷嘴孔径为0.1毫米~1.0毫米的范围内改变水压,除去附着面,调查附着面的剥离除去情况和掩模母材的磨削量。
首先,将水压降至50MPa,使洗涤枪51的移动速度为2m/分以上时,在掩模的铝喷镀膜上附着膜有一部分未剥离而残存下来。而将水压升高至接近200MPa时,铝制掩模也被削下。在水压60MPa~150MPa的范围内,从铝喷镀膜剥离下附着膜,几乎没有铝制的掩模的磨削量,可获得良好的结果。
对上述得到的铝制掩模进行水洗加工、干燥、铝喷镀加工后,调查使用溅射装置灰尘的产生和基板17上成膜的薄膜的缺陷发生情况等。结果,与采用喷水法进行机架洗涤同样,而且,薄膜无氯污染,在实际使用时没有问题。
另外,在喷水装置的下方配置沉淀槽60并回收附着膜片。结果,由于钽的比重大至16.6,因此,沉淀槽60中的回收是容易的,沉淀物可以以钽约70%、铝约30%的混合物的形式、以钽的附着膜片接近100%的高回收率回收。回收的钽的附着膜片几乎测不到铝之外的杂质,后序工序中钽金属的回收和再利用处理可简单进行,在经济性方面也是优秀的。
本发明通过采用纯水的湿式喷水法,通常在水压10MPa到30MPa,水压30MPa以上,200MPa以下,更优选水压60MPa以上,200MPa以下的范围内进行成膜用机架的洗涤,由此可以判断:(1)可以进行良好的成膜用机架的洗涤,(2)洗涤后的成膜用机架的磨削量与喷砂法相比少,(3)剥离分离的金属或者金属化合物的附着膜片与喷砂法相比,粒子大小为数微米到数十微米的比例大(即回收容易)。
而且,本发明还发现,通常,金属和金属化合物的比重在2以上,比水大,通过过滤法、沉淀法和离心分离法的这样的固液分离法可容易地以低成本、高纯度地回收。
而且,还发现,将湿式喷水法和固液分离法组合的处理方法,水之外的杂质的混入量可以极少,因此,后续工序中的金属回收和再利用处理可容易地以低成本进行。
为了达到上述目的,本发明的附着膜回收装置的特征在于:从在保持台上放置的具有附着膜的成膜用机架上回收上述附着膜的附着膜回收装置中,为了回收上述附着膜,具有相对于上述成膜用机架喷水的喷水部件。
根据上述构成,成膜用机架洗涤时的成膜用机架的磨削量与目前的喷砂法相比可以减小,因此,可以延长成膜用机架的使用次数,即提高寿命。
采用上述构成,可以通过从喷水部件喷水将成膜用机架的附着膜以附着膜片的形式从成膜用机架上除去,并且,与现有的喷砂法相比,可增大上述附着膜片,因此,可简化并确保上述附着膜片的回收,使低成本化成为可能。因此,在上述构成中,可促进上述附着膜的再利用。
在上述附着膜回收装置中,优选设置用于上述喷水部件的产生高压水的高压水产生部件,以产生3MPa~200MPa范围内的水压。
根据上述构成,由于高压水的水压高至30MPa~20MPa,优选60MPa~20MPa,因此,可提高上述附着膜片的回收率。
在上述附着膜回收装置中,容纳上述保持台的操作室应该以能够密封的形式设置,以抑制由喷水引起的飞沫向外部飞散。
在上述附着膜回收装置中,优选设置用于将操作室内设定为负压的排气扇。根据上述构成,通过设置用于将操作室内设定为负压的排气扇,可抑制易于飞散的附着膜片泄漏到操作室的外部,因此,可进一步提高上述附着膜片的回收率,并且还能够改善对操作者的安全性。
在上述附着膜回收装置中,优选设置在向高压水产生部件供给用于喷水的水的同时,精制上述水的纯水制造部分。
根据上述构成,通过纯水制造部分精制对高压水产生部件的水,因此,在上述高压水产生部件中,可以抑制由水中所含的杂质,例如钙离子以碳酸钙的形式析出引起的故障发生。
在上述附着膜回收装置中,可以在保持台上配置从下方弹性支撑成膜用机架的支撑部件。
根据上述构成,通过设置支撑部件,即使在采用例如厚度薄的叫做防护板的成膜用机架时,也可抑制上述成膜用机架的变形。即,通过用上述支撑部件弹性地支撑上述成膜用机架,即使在上述成膜用机架上施加由喷水产生的除去附着膜时的高压水的压力,上述压力也可被弹性支撑成膜用机架的支撑部件分散。因此,在上述成膜用机架上施加的压力也可被支撑部件分散,并可减轻由上述压力引起的成膜用机架的变形。
在上述附着膜回收装置中,优选保持台具有使含有通过喷水从成膜用机架上剥离的附着膜片的悬浮液向下方下落的穴部分,并且设置用于从由保持台落下的悬浮液中分离附着膜片的固液分离部分。
根据上述构成,由于在保持台上设置了使含有通过喷水从成膜用机架上剥离的附着膜片的悬浮液向下方下落的穴部分,可以可很容易地从操作室内将悬浮液运出。而且,在上述构成中,通过设置固液分离部分,可很容易地从悬浮液中分离附着膜片,因此,可提高附着膜片的回收。
在上述附着膜回收装置中,优选设置用于将在固液分离部分分离的附着膜片剩余的排水返回到高压水产生部分的配管。而且,为了更完全地进行附着膜片的除去,在进行精过滤、超滤和反渗透等膜分离之后,可将固液分离后的排水返回到高压水产生部件。
根据上述构成,由于通过喷水剥离除去的附着膜片比较大,因此,沉淀处理或者离心分离这样的固液分离后的排水,通过基本上完全除去附着膜片,可在喷水中采用的,例如洗涤枪的喷嘴部分的穴磨耗达到实际使用上没有问题的程度。
而且,在上述构成中,即使将排水返回原处用于喷水也没有问题,可将排水反复返回原处循环使用,使基本上没有废弃物的成膜用机架的洗涤成为可能。因此,上述构成通过将排水再利用到喷水,可进一步低成本化,并且在环境方面也是优秀的,可以提高环境安全性。
在上述附着膜回收装置中,除了喷水之外,优选配置用于润湿操作室内壁面的加湿部分。
根据上述构成,通过配设喷雾装置或者喷头这样的加湿部分,即使在现有的喷水法中成为问题的高压水卷入附着膜片并飞散,并附着在操作室的内壁面等上,也可通过冲洗该附着膜片,将小附着膜片干燥,并防止通过空气流飞散到操作室外,提高附着膜片的回收率。
在上述附着膜回收装置中,优选设置用于吐出喷水的洗涤枪,在操作室内设置用于改变从洗涤枪出来的喷水的方向的移动部分,设置用于控制移动部分的控制部分,以通过重现控制方式或者数值控制方式移动移动部分。
根据上述构成,将洗涤枪从移动部分(机器手臂的顶端)卸下,只在给定的位置(成膜用机架的附着膜面),通过控制部分(控制),采用上述洗涤枪自动进行附着膜的剥离除去的成膜用机架洗涤,由此,可安全有效地进行操作,很容易从附着膜上回收附着膜片。
为了达到上述目的,本发明的附着膜回收方法的特征在于:在剥离回收采用溅射法、真空蒸镀法、离子喷镀法、CVD法等真空成膜法的真空成膜装置中使用的防护板、掩模、基板支架等成膜用机架上附着的附着膜的附着膜回收方法中,成膜用机架上附着的附着膜的剥离方法是使用水或者液体的喷水法。
根据上述方法,由于附着在成膜用机架上的附着膜的剥离方法采用了使用水或者液体的喷水法,因此,与现有的喷砂法相比,可以减少作为被洗涤物的成膜用机架的磨削量(磨耗量),并可延长成膜用机架的使用次数,即提高寿命。
另外,采用上述方法,可以将成膜用机架的附着膜通过喷水法以附着膜片的形式除去,并且,上述附着膜片比现有的喷砂法的大,因此,可以将上述附着膜片的回收简便化、实际化和低成本化。因此,在上述方法中,可促进上述附着膜的再利用。
除此之外,上述方法通过采用使用水或者液体的喷水法,可低成本地回收由附着膜产生的附着膜片,并可经济地再利用,排水也可以再次利用,因此,几乎没有废弃物,可进行对环境有利的成膜用机架的洗涤。
在上述回收方法中,优选将喷水法中采用的自来水精制,以至少减少自来水中所含的碳酸钙。
根据上述方法,由于从喷水法中使用的水或者液体中至少减少了碳酸钙,因此,在喷水法中,可减少由上述碳酸钙的析出引起的故障,因此,可确保上述回收。
在上述回收方法中,优选通过固液分离法从喷水法产生的悬浮液中分离回收附着膜片。在上述回收方法中,固液分离法优选是离心分离法或者沉淀法。
根据上述方法,通过将所谓离心分离法或者沉淀法固液分离法用于附着膜片的回收,可简化并确保上述回收。
在上述回收方法中,回收的附着膜片优选是金属或者是金属化合物。根据上述方法,如果附着膜片是金属或者金属化合物,可设定增大喷水法所采用的水或者液体与上述附着膜片的比重差,简化从含有上述附着膜片的悬浮液分离回收上述附着膜片。
在上述回收方法中,成膜用机架上附着的附着膜可以至少含有铟、钽等稀有金属或者其化合物。在上述回收方法中,成膜用机架是溅射装置用成膜用机架,成膜用机架上附着的附着膜是氧化铟。
根据上述方法,由于可以以低成本回收铟或钽等稀有金属,因此可促进上述稀有金属的再利用。因此,采用上述方法,可减轻所谓稀有金属的资源枯竭的问题。
在上述回收方法中,通过采用固液分离后的水或者液体的喷水法,可以剥离分离成膜用机架上附着的附着膜。根据上述方法,由于可以再利用喷水法中使用的水或者液体,可减少成膜用机架的洗涤中的废弃物量,使零废弃物成为可能。
在上述回收方法中,成膜用机架是由不锈钢、钛、铜或者铁镍合金制成的,优选至少附着附着膜的成膜用机架的表面被加工成3微米到50微米的粗度。
在上述回收方法中,成膜用机架由铝制成,至少附着附着膜的成膜用机架的表面可进行铝喷镀加工。
根据上述方法,不锈钢、钛、铜或者铁镍合金和铝,气体吸附量小,而且,容易释放气体,因此,适合于用作真空成膜装置的成膜用机架。
另外,在上述方法中,不锈钢、钛、铜或者铁镍合金和铝的表面被加工为3微米到50微米的粗度,而且,通过施以铝喷镀加工,可提高上述表面上形成的附着膜的附着力。
由此可见,上述方法可以抑制在真空成膜装置中从上述附着膜上产生灰尘(膜片),可适用于真空成膜装置的成膜用机架。
另外,在上述方法中,由于可减少成膜用机架洗涤时对成膜用机架的磨削量,因此适合于除去在真空成膜装置所采用的成膜用机架上形成的附着膜。
在本发明详细说明的各项中完成的具体实施方案或者实施例是为了说明本发明的技术内容的,不仅不应该仅限于这些具体例进行狭义地解释,而且,在本发明的精神和下面记载的权利要求书的范围内,可以进行各种变化来实施。
Claims (20)
1.一种附着膜回收装置,其是在从放置在保持台上的具有附着膜的成膜用机架上回收上述附着膜的附着膜回收装置,其特征在于具有为了回收上述附着膜,对上述成膜用机架喷射液体的可自由转动的液体喷射部分,将上述液体喷射部分的高压液体,设计为可产生30MPa~200MPa范围内液压的高压液体产生部分,设置于上述液体喷射部分的顶端侧的喷射上述高压液体的多个喷嘴,转动驱动上述液体喷射部分的驱动部分。
2.权利要求1记载的附着膜回收装置,其中上述多个喷嘴,在以上述液体喷射部分的旋转轴为中心的假想圆上彼此相邻的设置。
3.权利要求1或2记载的附着膜回收装置,其中容纳上述保持台的操作室以能够密封的形式设置,以抑制由液体射流产生的飞沫向外部飞散。
4.权利要求3记载的附着膜回收装置,其中设置用于将操作室内设定为负压的排气扇。
5.权利要求3记载的附着膜回收装置,其中设置在对高压液体产生部分供给用于液体射流的液体的同时,精制上述液体的液体精制部分。
6.权利要求3记载的附着膜回收装置,其中将从下方弹性支撑成膜用机架的支撑部件配置在保持台上。
7.权利要求3记载的附着膜回收装置,其中保持台具有使含有从成膜用机架上通过液体射流剥离的附着膜片的悬浮液向下方下落的穴部分,并设置用于从由保持台上落下的悬浮液中分离附着膜片的固液分离部分。
8.权利要求7记载的附着膜回收装置,其中设置用于将通过固液分离部分分离了附着膜片的残留的排液返回到高压液体产生部分的配管。
9.权利要求3记载的附着膜回收装置,其中除液体射流之外,设置用于润湿操作室内壁面的加湿部分。
10.权利要求3记载的附着膜回收装置,其中设置用于吐出液体射流的洗涤枪,在操作室内设置用于改变来自洗涤枪的液体射流的方向的移动部分,设置用于控制移动部分的控制部分,以通过重现控制方式和数值控制方式移动移动部分。
11.一种附着膜的回收方法,其特征在于:在剥离回收采用溅射法、真空蒸镀法、离子喷镀法、CVD法的真空成膜法的真空成膜装置中使用的防护板、掩模、基板支架的成膜用机架上附着的附着膜的附着膜回收方法中,成膜用机架上附着的附着膜的剥离方法是使用水或者液体的液体喷射法,将上述水或者液体的压力设定为30MPa~200MPa范围内,上述水或者液体对上述附着膜以模拟脉动进行喷射。
12.权利要求11记载的附着膜的回收方法,其中精制用于液体喷射法中使用的自来水,以至少减少自来水中所含的碳酸钙。
13.权利要求11或12记载的附着膜的回收方法,其中通过固液分离法从液体喷射法产生的悬浮液中分离回收附着膜片。
14.权利要求13记载的附着膜的回收方法,其中固液分离法是离心分离法或者沉淀法。
15.权利要求11记载的附着膜的回收方法,其中回收的附着膜片是金属或者金属化合物。
16.权利要求11记载的附着膜的回收方法,其中成膜用机架上附着的附着膜至少含有铟、钽稀有金属或者其化合物。
17.权利要求11记载的附着膜的回收方法,其中成膜用机架是溅射装置用成膜用机架,成膜用机架上附着的附着膜是氧化铟。
18.权利要求11记载的附着膜的回收方法,其中采用固液分离后的水或者液体,通过液体喷射法,剥离分离成膜用机架上附着的附着膜。
19.权利要求11记载的附着膜的回收方法,其中成膜用机架是由不锈钢、钛、铜或者铁镍合金制成,至少附着有附着膜的成膜用机架的表面被加工成3微米到5微米的粗度。
20.权利要求11记载的附着膜的回收方法,其中成膜用机架是由铝制成的,至少附着有附着膜的成膜用机架的表面进行了铝喷镀加工。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001097306A JP2002292346A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 付着膜回収装置および付着膜の回収方法 |
JP97306/01 | 2001-03-29 | ||
JP97306/2001 | 2001-03-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1396042A CN1396042A (zh) | 2003-02-12 |
CN1223411C true CN1223411C (zh) | 2005-10-19 |
Family
ID=18951109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB021198357A Expired - Fee Related CN1223411C (zh) | 2001-03-29 | 2002-03-29 | 附着膜回收装置和附着膜的回收方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002292346A (zh) |
KR (1) | KR100447369B1 (zh) |
CN (1) | CN1223411C (zh) |
SG (1) | SG97232A1 (zh) |
TW (1) | TW531452B (zh) |
Families Citing this family (26)
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---|---|---|---|---|
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- 2002-03-28 KR KR10-2002-0016910A patent/KR100447369B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-29 CN CNB021198357A patent/CN1223411C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-29 TW TW091106325A patent/TW531452B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-30 SG SG200201807A patent/SG97232A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW531452B (en) | 2003-05-11 |
SG97232A1 (en) | 2003-07-18 |
CN1396042A (zh) | 2003-02-12 |
KR20020077165A (ko) | 2002-10-11 |
KR100447369B1 (ko) | 2004-09-08 |
JP2002292346A (ja) | 2002-10-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20051019 Termination date: 20150329 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |