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CN1197069C - 数据再现设备和方法 - Google Patents

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CN1197069C CNB001069519A CN00106951A CN1197069C CN 1197069 C CN1197069 C CN 1197069C CN B001069519 A CNB001069519 A CN B001069519A CN 00106951 A CN00106951 A CN 00106951A CN 1197069 C CN1197069 C CN 1197069C
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Abstract

一种操纵磁-光记录媒体的DWDD型数据再现设备，该媒体具有至少由位移层、切换层和存储层构成的磁性三层膜。首先，相对于再现信号的波形对该信号进行均衡，利用再现信号的微分信号或二次微分信号来产生代表磁壁位移发生的检测信号，而不受到再现信号中引起的任何突然的DC电平变化的不利影响。接着，利用这些检测信号来检测数据，并输出再现数据。无论再现信号中引起的任何突然的DC电平变化的发生，可以足够低的位差错率来再现数据。

Description

数据再现设备和方法
技术领域
本发明涉及操纵磁-光记录媒体的数据再现设备和方法，该记录媒体具有至少由位移(displacement)层、切换(switching)层和存储层构成的磁性三层膜，该膜如此形成，从而在磁性膜的温度超过切换层的居里温度的区域中，在位移层中发生磁壁(magnetic wall)位移，以在尺寸上增大有效记录的磁畴。尤其是，本发明涉及这样一种数据再现设备和方法，它能从再现信号的微分信号或该再现信号沿时间基准方向的差分信号来检测磁壁位移的发生，并能利用此检测输出来检测数据，因而，即使在再现信号中引起DWDD模式所特有的任何突然的DC电平变化时，也能以足够低的误比特率来进行适当的数据再现。
背景技术
众所周知，把磁-光记录媒体用作可重写的高密度记录媒体。在这些磁-光记录媒体中，近来有一种类型引起人们的注意。它具有至少由位移层、切换层和存储层构成的磁性三层膜，其中在磁性膜的温度超过切换层的居里温度的区域中发生位移层的磁壁的位移，从而增大了有效记录的磁畴的尺寸。操纵这种磁-光记录媒体的再现方法叫做DWDD(磁壁位移检测)模式。依据此DWDD模式，从具有的周期低于光束的光学分辨率界限以下的微小记录磁畴中也可再现非常大的信号，从而可获得高密度而无需改变光的波长、物镜的数值孔径N等。
现在，将对此DWDD模式进行进一步的详细说明。
如图9A所示，磁-光记录媒体10具有依次形成的位移层11、切换层12和存储层13构成的切换连接的三层膜。存储层13由表现出大的磁壁磁阻的垂直磁化膜构成。位移层11由表现出小的磁壁磁阻并具有高的磁壁位移性的另一垂直磁化膜构成。切换层12由其居里温度Ts低于位移层11和存储层13的居里温度的磁性层组成。各层中的每个箭头14代表原子自旋方向。在原子自旋方向相反的区域之间的边界中形成磁壁15。
如果利用再现光束(激光束)16对记录膜的表面进行局部加热，则形成如图9B所示的温度T分布，相应地形成如图9C所示的磁壁能量密度σ分布。由于磁壁能量密度σ一般随温度的升高而降低，所以该分布为磁壁能量密度σ在温度最高的位置处变为最小。结果，产生如图9D所示的磁壁驱动力F(x)，该驱动力驱动朝向磁壁能量密度σ低的高温一侧的位移。图9E示出光束16的光点16P与其温度高于切换层12的居里温度Ts的区域17之间的位置关系。
在媒体10中温度低于切换层12的居里温度Ts的任何区域中，磁性层相互切换连接，从而即使在加上由上述温度梯度而产生的磁壁驱动力F(x)时，受到存储层13的大的磁壁磁阻阻挡，磁壁15最终不产生位移。然而，在媒体10中温度高于居里温度Ts的任何区域中，位移层11与存储层13之间的切换连接被切断，从而由温度梯度所引起的磁壁驱动力F(x)给具有小的磁壁磁阻的位移层11的磁壁15提供了可位移性。结果，以光束16扫描媒体10，当磁壁15进入超过居里位置Ts的位置的连接切断区域时，位移层12开始向磁壁15的高温一侧位移。
以光束16扫描媒体，每当以相应于媒体10上所记录的信号的间隔形成的任何磁壁15经过居里温度Ts的位置时，位移层11的磁壁15发生位移。由于这种位移从尺寸上增大了有效记录的磁畴，所以即使从具有低于光束16的光学分辨率界限以下的周期的微弱记录畴也可再现非常大的信号。
当光束16以固定速度扫描媒体10时，在以相应于所记录的磁壁15的空间间隔的暂时间隔上产生了上述磁壁位移。随着光束(激光束)16的反射光的偏振平面的变化，可检测这种磁壁位移的产生。
如9A的虚线所示，也可从区域17的后面产生磁壁位移，从而由这种磁壁位移所产生的信号作为幻影信号叠加在从前面的磁壁位移所产生的再现信号上。虽然这里省略了对此幻影信号的说明，但可通过适当地设计再现磁场或记录膜的应用来解决由此引起的问题。
以上描述的DWDD型磁-光盘设备的结构基本上类似于任何普通的磁-光盘记录/再现设备。图10示出这种设备中的常规再现部件的局部结构。把从光头(未示出)获得的的再现信号SMO提供给均衡器电路21，在这里补偿其频率特性。把经过此频率特性补偿后获得的再现信号SMO′提供给二进制编码电路22，然后电路22把此输入信号转换成二进制信号S2。
把从二进制编码电路22输出的二进制信号S2提供给数据检测电路23和PLL(锁相回路)电路24。在PLL电路24中，产生与二进制信号S2的前沿和后沿同步的时钟信号CLK，然后把此时钟信号CLK提供给数据检测电路23。接着，在数据检测电路23中，利用时钟信号CLK从二进制信号S2中检测数据，然后作为再现数据PD输出。
在DWD型磁-光盘上，以这样的方式记录信号，从而数据位串首先被转换成例如RLL调制位，然后以NRZI(不归零翻转)模式进行处理，其中把数据翻转的部分表示为1，而把没有数据翻转的部分表示为0。在此情况下，数据检测电路23把例如NRZI数据转换成NRZ数据，从而获得RLL调制数据作为再现数据PD。
二进制编码电路22由图11A所示具有固定阈值的比较器22a或图11B所示的比较器22b(用于通过积分器23对二进制信号S2进行积分并把该信号反馈到阈值)或图11C所示其输入一侧设有DC控制器24的比较器22c(用于利用峰值保持电路或谷值(bottom)保持电路来计算包络线中心值然后反馈该中心值)构成。
然而，在上述DWDD型中，仍旧存在许多待解决的问题。例如，再现信号SMO的DC电平突然发生某些变化。推测这一现象是由于磁化方向不确定及磁化方向在不同于对检测信号有贡献的任何区域中可能因光束光点中磁壁的位移而翻转所引起的。
图12以图表示出代表以上现象的实际再现波形。在DWDD型磁-光盘上，以所述的NRZI模式来记录信号，在图中可看出，再现信号的DC电平在如箭头P所示的部分中突然向上变化。在发生这一现象时，不可能在图11A所示的二进制编码电路中以固定的阈值把输入信号转换成二进制信号而获得适当的二进制信号。即使使用图11B或11C所示的二进制编码电路，有关DC电平的变化比编码电路的响应速度快得多，且可能在编码电路跟踪前的周期内变为连续的位差错。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种数据再现设备和方法，无论再现信号中产生任何突然的DC电平变化，该设备和方法也能以足够低的位差错率来再现数据。
依据本发明的一个方面，提供了一种DWDD型数据再现设备，该设备包括：信号再现装置，用于把光束从位移层一侧照射到磁-光记录媒体上同时相对于媒体移动光束，使磁壁(在磁记录媒体上具有沿光束光点运动方向的梯度且在具有高于至少切换层的居里温度的温度区域的温度分布的位移层中形成)发生位移，从而获得相应于光束的反射光的偏振平面上的变化的再现信号；磁壁位移检测装置，用于利用从信号再现装置获得的再现信号的微分信号或利用该再现信号沿时间基准方向的差分信号来检测磁壁位移的产生；以及数据检测装置，用于利用从磁壁位移检测装置获得的检测信号来检测数据。
依据本发明的另一个方面，提供了一种DWDD型数据再现方法，该方法包括：第一步骤，把光束从位移层一侧照射到磁-光记录媒体上同时相对于媒体移动光束，使磁壁(在磁记录媒体上具有沿光束光点运动方向的梯度且在具有高于至少切换层的居里温度的温度区域的温度分布的位移层中形成)发生位移，从而获得相应于光束的反射光的偏振平面上的变化的再现信号；第二步骤，利用在第一步骤处获得的再现信号的微分信号或利用该再现信号沿时间基准方向的差分信号来检测磁壁位移的产生；以及第三步骤，利用在第二步骤处检测到的代表产生磁壁位移的检测信号来检测数据。
在本发明中，依据光束对媒体的扫描，每当以相应于所记录的信号的间隔在磁-光记录媒体中形成的任何磁壁经过居里温度位置时，位移层的磁壁就发生位移，从而再现信号的电平依照此磁壁位移而发生急剧而突然的变化。因此，在磁壁位移发生时，提高了再现信号的微分信号的电平或沿时间基准方向的差分信号的电平。因而，可利用此微分信号或差分信号来检测磁壁位移的产生。
当光束以固定速度扫描媒体时，以相应于所记录的磁壁的空间间隔的暂时间隔产生上述磁壁位移。因此，可利用代表产生这种磁壁位移的检测信号来进行数据检测。在此情况下，使用再现信号的微分信号或该再现信号沿时间基准方向的差分信号来检测磁壁位移的产生，从而可执行位移检测而不受再现信号的DC电平中所产生的任何变化的不利影响。因而，无论DWDD型所特有的再现信号的DC电平的任何突然变化，也可以足够低的位差错率来进行再现。
从以下参考所示附图给出的描述将使本发明的以上和其它特征和优点变得明显起来。
附图说明
图1是示出为本发明的一个较佳实施例的磁-光盘的示例结构的方框图；
图2是示出磁壁位移检测电路的结构例子的方框图；
图3是示出差分电路的结构例子的方框图；
图4A到4J是用于说明磁壁位移检测电路的操作的信号的时序图；
图5是示出数据检测电路的结构例子的方框图；
图6A到6G是用于说明数据检测电路的操作的信号的时序图；
图7是示出磁壁位移检测电路的另一个结构例子的方框图；
图8以图表示出具有回差(hysteresis)的比较器的输入-输出特性；
图9A到9E是DWDD模式的示意图；
图10是局部示出常规磁-光盘设备的再现部件的方框图；
图11A到11C示出二进制编码电路的某些结构例子；以及
图12以图表示出DWDD型所特有的DC电平变化发生时的示例再现波形。
具体实施方式
以下，将参考附图详细地描述本发明的一些较佳实施例。图1示出作为一个实施例的DWDD型磁-光盘设备100。
此盘片设备100中所操纵的磁-光盘111如此构成，把已结合图9A描述过的磁-光记录媒体10淀积在玻璃或塑料材料制成的衬底上，在其上形成保护膜。
盘片设备100具有用于驱动磁-光盘111旋转的主轴电动机113。在记录和再现模式下磁-光盘111被驱动以恒定角速度旋转。频率发生器114附着于主轴电动机113的旋转轴，用以检测其旋转速度。
盘片设备100还具有用于产生外部磁场的磁头115；用于控制从磁头115产生磁场的磁头驱动器116；由半导体激光器、物镜、光学检测器等构成的光头117；以及用于控制从光头117中的半导体检测器发射光的激光器驱动器118。磁头115和光头117以磁-光盘111插入其间的方式相对放置。
把激光功率控制信号SPC从下述的伺服控制器141提供给激光器驱动器118，从光头117的半导体激光器发射的激光束的功率在记录模式下用作记录功率PW，而在再现模式下用作再现功率PR，再现功率PR低于记录功率PW。
在数据写模式(记录模式)中，把记录数据Dr作为NRZI数据提供给如下所述的磁头驱动器116，从磁头115产生相应于此记录数据Dr的磁场，从而协同从光头117获得的光束(激光束)把记录数据Dr记录在磁-光盘111上。
盘片设备100还具有设有CPU(中央处理单元)的伺服控制器141。把在光头117中产生的聚焦差错信号SFE和跟踪差错信号STE及从上述频率发生器114中输出的频率信号SFG提供给此伺服控制器141。
由下述系统控制器151来控制伺服控制器141的操作。伺服控制器141控制用于沿径向移动光头117的致动器145(它包括跟踪线圈、聚焦线圈和线性电动机)，从而执行跟踪和聚焦伺服控制动作，还控制光头117的径向运动。伺服控制器141还控制主轴电动机113，从而在记录和再现模式下以恒定角速度旋转磁-光盘111的方式来控制磁-光盘111。
盘片设备100还具有设有CPU的系统控制器151；数据缓冲器152；以及来往于主机计算机传送数据和命令的SCSI(小型计算机系统接口)153。系统控制器151用于控制整个系统。
盘片设备100还具有ECC(纠错码)电路154，用于把一纠错码附加到从主机计算机经由SCSI 153所提供的写数据上并纠正下述数据解调器159的输出数据中的任何差错；以及数据调制器155，用于把其中已由ECC电路154附加纠错码的写数据的位串转换成RLL调制位并把它转换成NRZI数据从而获得记录数据Dr。
盘片设备100还具有均衡器电路156，用于补偿从光头117获得的再现信号SMO的频率特性；磁壁位移检测电路157，用于从其频率特性已被均衡器电路156补偿的再现信号SMO检测磁壁位移的产生PLL电路158，用于获得与从磁壁位移检测电路157输出的表示产生磁壁位移的检测信号(脉冲信号)的前沿同步的时钟信号CLK；数据检测电路159，利用时钟信号CLK从检测信号PDS中获得再现数据(NRZ数据)；以及数据解调器160，用于通过对再现数据Dp(例如，RLL调制数据)的解调来获得读数据。
现在，将描述磁壁位移检测电路157的结构。图2示出磁壁位移检测电路157的结构例子。此检测电路157包括通过对频率补偿再现信号SMO的微分来获得微分信号S11的微分器171；通过对微分信号S11的微分来获得二次微分信号S12的微分器172；以及使微分信号S11延迟从而获得与二次微分信号S12的输出时序同步的微分信号S11′。实际上，微分器171和172的任一个都不必给出数学上严格的微分特性，而可以图3所示由延迟电路166和减法器167构成的差分电路165来替换。
检测电路157包括用于把微分信号S11′与正阈值+V相比较并检测再现信号SMO的前沿的周边的比较器174；用于把微分信号S11′与负阈值-V相比较并检测再现信号SMO的后沿的周边的比较器175；以及用于把二次微分信号S12与零电平相比较并检测SMO的前沿和后沿的比较器176。
检测电路157还包括用于取比较器174的输出信号S13与比较器176的输出信号S15的逻辑积的AND电路177；用于取比较器175的输出信号S14与比较器176的输出信号S15的逻辑积的AND电路178；以及用于取AND电路177、178的输出信号S16、S17的逻辑和以获得代表产生磁壁位移的检测信号PDS的OR电路179。
现在，参考图4A到4J的时序图来描述图2所示磁壁位移检测电路157的操作。图4A示出从光头115输出再现信号SMO，其中假设在箭头P所示的部分中产生DWDD型所特有的突然的DC电平变化。在均衡器电路156中对再现信号SMO进行处理以补偿其频率特性，从而获得图4B的波形均衡的再现信号SMO′。
在微分器171中对此再现信号SMO′进行微分，从而从延迟电路173获得如图4C所示的信号S11′。信号S11′转为相应于再现信号SMO′的前沿(产生一个磁壁位移的部分)的正电平，或者把它转为相应于再现信号SMO′的后沿(产生另一磁壁位移的部分)的负电平。
在微分器172中对从微分器171输出的微分信号S11进行进一步的微分，从而获得图4D的二次微分信号S12。在二次微分信号S12中，与再现信号SMO的前沿和后沿同步地引起过零。为了简述，这里假设在每个微分器171和172中执行微分处理而没有任何延迟，因此微分器173中所需的延迟量为零。
把从延迟电路173输出的微分信号S11′提供给比较器174，然后把该信号与阈值+V相比较，从而从比较器174输出图4E所示转为再现信号SMO的前沿周边中的高电平的信号S13。类似地，也把从延迟电路173输出的微分信号S11′提供给比较器175，然后把该信号与阈值-V相比较，从而从比较器175输出图4F所示转为再现信号SMO的后沿周边中的高电平的信号S13。如下所述，把信号S13和S14用作选通信号，因为如上所述，这些信号转为再现信号SMO的边沿周边中的高电平。
把从微分器172输出的二次微分信号S12提供给比较器176，然后把它与零电平相比较，从而从比较器176输出图4G所示的信号S15。此输出信号S15与再现信号SMO的前沿同步地下降，并与再现信号SMO的后沿同步地上升。在图4G中由“×”所代表的每一部分为比较器176的阈值(零电平)和二次微分信号S12的电平近似相等的不确定区。
翻转比较器176的输出信号S15，并把它提供给AND电路177，也把比较器174的输出信号S13作为选通信号提供给AND电路177。因此，从AND电路177中获得图4H所示与再现信号SMO的前沿同步地上升的脉冲信号S16。类似地，把比较器176的输出信号S15提供给AND电路178，还把比较器175的输出信号S14作为选通信号提供给AND电路178。因此，从AND电路178获得图4I所示与再现信号SMO的后沿同步地上升的脉冲信号S17。
接着，把这两个信号S16和S17提供给OR电路179，然后输出图4J所示与再现信号SMO的前沿和后沿同步地上升的脉冲检测信号PDS。在此阶段，在以光头117发出的光束扫描磁-光盘111时，以相应于所记录的磁壁15的空间间隔的暂时间隔产生磁壁位移。再现信号SMO响应于磁壁15位移的产生(其中原子自旋方向14(见图9A)从一个变到另一个)而上升，或者自旋信号SMO响应于磁壁15位移的产生(其中，与以上相反，原子自旋方向14从另一个变到一个)而下降。结果，上述检测信号PDS代表从再现信号SMO检测磁壁位移的结果。
从每个信号的波形中可明显看出，如果在图4A中由箭头P所示的部分中产生DWDD型所特有的任何突然的DC电平变化，则这种变化基本上不会对微分器171、172的输出信号S11、S12产生不利影响。结果，无论再现信号SMO中所产生的任何突然DC电平变化如何，检测信号PDS都适当地代表检测再现信号SMO的边沿的结果，即产生磁壁位移。
接着，以下将描述数据检测电路159的结构。图5示出数据检测电路159的结构例子。此数据检测电路159包括四个D触发器181-184及一个异或电路185。把从磁壁位移检测电路157输出的检测信号PDS提供给触发器181的时钟端，把触发器181的翻转输出端 Q连到数据端D。因而触发器181构成一T触发器。
触发器181的输出端Q连到触发器182的数据端D，而触发器182的输出端Q连到触发器183的数据端D。触发器182和183的输出端Q分别连到异或电路185的输入一侧。触发器184的输出端Q用作再现数据输出端。把PLL电路158中产生的时钟信号CLK提供给触发器182-184的各时钟端。
以下，将参考图6A到6G的时序图来描述数据检测电路159的操作。图6A示出从磁壁位移检测电路157示出的检测信号PDS的一个例子，图6C示出从PLL电路158输出的并与检测信号PDS的前沿同步的时钟信号CLK。
当把检测信号PDS提供给触发器181的时钟端时，从其输出端Q获得信号S21，如图6B所示，该信号的状态在检测信号PDS的每个前沿处翻转。然后，把信号S21提供给触发器182的数据端D，从触发器182的输出端Q获得如图6D所示由时钟信号CLK同步的信号S22。继而，把获得的信号S22提供给触发器183的数据端D，从触发器183的输出端Q获得如图6E所示相应延迟一个时钟脉冲的持续时间的信号S23。
把分别从触发器182和183的输出端Q获得的信号S22和S23提供给异或电路185，然后异或电路185取输入信号的互斥逻辑和。结果，从OR电路185获得信号S24，如图6F所示，信号S24在边沿位置处变为1同时与时钟信号CLK保持同步，并在不同于边沿的任何其它位置处变为0，从而把NRZI波形转换成NRZ波形。然后，把获得的信号S24提供给触发器184的数据端D，从触发器184的输出端Q获得如图6G所示由时钟信号CLK同步的再现数据(NRZ数据)Dp。
接着，以下将描述如图1所示的磁-光盘设备的操作。在把数据写命令从主机计算机提供给系统控制器151的情况下，执行数据写(记录)模式。在此情况下，在ECC电路154中把纠错码添加到从主机计算机经由SCSI 153接收到的写数据，并存储在数据缓冲器152中，然后在数据调制器155中把该数据转换成RLL调制的位或NRZI数据。接着，把以NRZI数据形式的记录数据Dr从数据调制器155提供给磁头驱动器116，把数据Dr记录在磁-光盘11上目标位置处的数据区中。
在把数据读命令从主机计算机提供给系统控制器151的情况下，执行数据读(再现)模式。在此情况下，从磁-光盘111上目标位置处的数据区中获得再现信号SMO。在均衡器电路156中处理该再现信号SMO以补偿其频率特性，然后把此补偿后的再现信号SMO′提供给磁壁位移检测电路157。接着，把从检测电路157获得的代表产生磁壁位移的检测信号PDS提供给PLL电路158和数据检测电路159。
在PLL电路158中，再现与检测信号PDS的前沿同步的时钟信号CLK。同时，在数据检测电路159中，利用在PLL电路158中再现的时钟信号CLK，从检测信号PDS中获得再现数据(NRZ数据)Dp。在数据解调器160中对再现数据Dp进行解调，然后在ECC电路154中进行纠正，从而获得读数据。接着，把读数据再次存储在数据缓冲器152，其后在预定的定时经由SCSI 153把数据传输到主机计算机。
在如上所述的本实施例中，由磁壁位移检测电路157从再现信号SMO中检测磁壁位移的产生，并利用检测信号PDS在数据检测电路159中进行数据检测来获得再现数据Dp。在此情况下，利用再现信号SMO的微分信号或该再现信号沿时间基准方向的差分信号，在磁壁位移检测电路157中检测磁壁位移的产生。结果，即使在再现信号SMO中产生DWDD型特有的任何突然的DC电平变化，也基本上不会对检测处理带来不利影响，从而检测到信号PDS适当地代表检测产生磁壁位移的结果，因而实现了以足够低的位差错率来再现数据。
可理解，本发明不仅限于以上实施例。例如，可把均衡器电路156的均衡目标波形设定为微分波形，还可把均衡器电路156用作磁壁位移检测电路157的微分器171(见图2)。
为了避免在来自磁壁位移检测电路157的比较器176的输出信号变得不稳定的任何区域中不必要的功耗或产生噪声，可以两个比较器(每个都有回差)来替换比较器176。图7示出利用这种修改的结构的磁壁位移检测电路157′。在图7中，以相同的标号或符号来表示与图2相应的任何零部件，在这里省略其详细说明。
在均衡器电路156′，把其均衡目标设定为微分波形，从而排除了对图2所示微分器171的需要。每个比较器176a和176b都有回差。把从微分器172输出的二次微分信号S12提供给比较器176a的非倒相输入端，然后把它与提供给非倒相输入端的零电平相比较。当输入比较器176a的为IN+时，则其输入-输出特性诸如图8所示。把从比较器176a获得的输出信号S15a提供给AND电路178。
每个比较器176a和176b都具有回差。把来自微分器172的二次微分信号S12提供给比较器176b的非倒相输入端，然后把它与提供给非倒相输入端的零电平相比较。当比较器176b的输入为IN时，其输出特性诸如图8所示。把来自比较器176b的输出信号S15b提供给AND电路177′。此AND电路177′为不同于图2所示AND电路177(一个输入为负逻辑)的普通电路，因为不需要翻转从比较器176b获得的信号S15b。
如图1所示的磁-光盘设备100设有与主机计算机进行传送数据的SCSI 153。然而，本发明还可应用于设有例如MPEG编码器/解码器来进行视频和音频信号数据的记录和再现的设备。
因而，依据本发明，从一再现信号的微分信号或差分信号来检测磁壁位移的产生，根据位移检测结果来检测数据。因此，即使在再现信号中引起DWDD型所特有的任何突然的DC电平变化，这些DC电平变化基本上不会对检测产生磁壁位移的处理造成不利影响，因此实现了以高精度对磁壁位移进行精确检测。结果，可以足够低的位差错率来再现数据，同时保证具有系统余量的优良操作。此外，就本设备中所使用的DWDD型磁-光盘记录媒体而言，允许在一定程度上发生某些突然的DC电平变化，从而对提高媒体成品率及减少制造成本有贡献。

Claims (4)

1.一种操纵磁-光记录媒体的数据再现设备，其特征在于所述媒体至少由依次形成的位移层、切换层和存储层构成，所述存储层由垂直磁化膜构成，所述位移层由其磁壁磁阻相对小于所述存储层的磁壁磁阻且其磁壁可位移性相对大于所述存储层的可位移性的另一磁化膜构成，所述切换层由其居里温度低于所述位移层和所述存储层的居里温度的磁性层构成；所述数据再现设备包括：
信号再现装置，用于把光束从所述位移层的一侧照射到所述磁-光记录媒体上同时相对于所述媒体移动光束，并使磁壁发生位移，所述磁壁在磁记录媒体上具有沿光束光点运动方向的梯度且在具有高于至少所述切换层的居里温度的温度区域的温度分布的所述位移层中形成，从而获得相应于所述光束的反射光的偏振平面上的变化的再现信号；
磁壁位移检测装置，用于利用从所述信号再现装置获得的再现信号的微分信号或利用所述再现信号沿时间基准方向的差分信号来检测磁壁位移的产生；以及
数据检测装置，用于利用从磁壁位移检测装置获得的检测信号来检测数据。
2.如权利要求1所述的数据再现设备，其特征在于所述磁壁位移检测装置利用所述再现信号的微分信号或所述再现信号沿时间基准方向的差分信号及还利用这些信号的微分信号或所述这些信号沿时间基准方向的差分信号，在产生磁壁位移时获得脉冲信号作为所述检测信号。
3.一种操纵磁-光记录媒体的数据再现方法，其特征在于所述媒体至少由依次形成的位移层、切换层和存储层构成，所述存储层由垂直磁化膜构成，所述位移层由其磁壁磁阻相对小于所述存储层的磁壁磁阻且其磁壁可位移性相对大于所述存储层的可位移性的另一磁化膜构成，所述切换层由其居里温度低于所述位移层和所述存储层的居里温度的磁性层构成；所述数据再现方法包括：
第一步骤，把光束从所述位移层的一侧照射到所述磁-光记录媒体上同时相对于所述媒体移动光束，使磁壁发生位移，所述磁壁在磁记录媒体上具有沿光束光点运动方向的梯度且在具有高于至少所述切换层的居里温度的温度区域的温度分布的所述位移层中形成，从而获得相应于所述光束的反射光的偏振平面上的变化的再现信号；
第二步骤，利用在所述第一步骤处获得的再现信号的微分信号或利用所述再现信号沿时间基准方向的差分信号来检测磁壁位移的产生；以及
第三步骤，利用在所述第二步骤处检测到的代表产生磁壁位移产生的检测信号来检测数据。
4.如权利要求3所述的数据再现方法，其特征在于在所述第二步骤，利用所述再现信号的微分信号或所述再现信号沿时间基准方向的差分信号及还利用这些信号的微分信号或所述这些信号沿时间基准方向的差分信号，在产生磁壁位移时获得脉冲信号作为所述检测信号。
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