CN115051664A - 一种石英谐振器晶片的制作方法及石英谐振器晶片 - Google Patents
一种石英谐振器晶片的制作方法及石英谐振器晶片 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及谐振器技术领域，尤其涉及一种石英谐振器晶片的制作方法及石英谐振器晶片，该方法包括：在石英晶片的正面刻蚀形成N个第一凹槽，背面刻蚀形成N个第二凹槽，每个第一凹槽和第二凹槽均为上宽下窄结构，每个第二凹槽的第二底端宽度与相对的所第一凹槽的第一底端宽度相等，且第二底端长度大于或等于第一底端长度；从第一底端一端正对第二底端一端的位置刻蚀形成第一通孔，第一通孔长度等于第一底端宽度；从第二底端另一端正对第一底端刻蚀形成第二通孔，第二通孔长度小于第二底端宽度；在第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，沿着浅槽折取石英谐振器晶片时，无缺损和多余凸出，提高了器件性能。
Description
技术领域
本发明涉及谐振器技术领域，尤其涉及一种石英谐振器晶片的制作方法及石英谐振器晶片。
背景技术
石英谐振器作为一种产生振荡信号的器件，已经广泛应用于通信、雷达、精密计算、精密天平、手机、航空、电子表、汽车等领域，传统的石英谐振器晶片采用晶圆研磨、抛光、晶片尺寸线切割、滚筒磨削外形等机械加工方式形成，但是，随着石英谐振器尺寸小型化、高频化发展，加工工艺逐渐由机械加工方式升级为半导体微加工工艺。
但是，在半导体微加工工艺中在对石英谐振器晶片的封装使用过程中，需要使用折片机自动或人工手动将晶片从晶圆上取下，折片取片过程容易在产生缺损或者晶片连带多余凸出，如图1所示，由于该缺失或凸出产生的端部为晶片点胶固定的位置，因此对晶片的性能产生影响。
因此，如何将晶片折取后得到整齐的端部是目前亟待解决的技术问题。
发明内容
鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的石英谐振器晶片的制作方法及石英谐振器晶片。
第一方面，本发明提供了一种石英谐振器晶片的制作方法，其特征在于，包括：
提供一石英晶片；
在所述石英晶片的正面刻蚀形成N个第一凹槽，对所述石英晶片的背面刻蚀形成N个第二凹槽，所述N个第一凹槽和所述N个第二凹槽分别相对，且每个第一凹槽和每个第二凹槽均为上宽下窄的结构，每个第二凹槽的第二底端宽度与相对的所述第一凹槽的第一底端宽度相等，且第二底端长度大于或等于第一底端长度，第二底端一端与第一底端一端相对，第二底端另一端超出第一底端另一端或者第二底端另一端与第一底端另一端相对，N为正整数；
对每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，从第一底端一端且正对第二底端一端的位置刻蚀至所述背面，形成第一通孔，所述第一通孔长度等于所述第一底端宽度；
从第二底端另一端正对第一底端刻蚀至所述背面，形成第二通孔，所述第二通孔长度小于所述第二底端宽度；
在所述正面的所述第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，所述目标边缘为朝向第一底端内部的边缘；
将每个石英谐振器晶片分别沿各自的所述浅槽进行折片，形成N个石英谐振器晶片。
进一步地，在所述正面的所述第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽之后，还包括：
在第二底端长度大于第一底端长度时，在所述第一凹槽的第一底端、第二凹槽的第二底端以及由第一底端延伸至第一底端另一端以及第一凹槽外侧形成第一金属电极；或者
在第二底端长度等于第一底端长度时，在所述第一凹槽的第一底端、第二凹槽的第二底端形成第二金属电极。
进一步地，所述在所述石英晶片的正面刻蚀形成N个第一凹槽，对所述石英晶片的背面刻蚀形成N个第二凹槽，包括：
在所述石英晶片的正面由下至上依次形成第一铬膜层和第一金膜层；
在所述第一金膜层上形成第一光刻胶层，并对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，以形成N个第一刻蚀区域；
对所述N个第一刻蚀区域进行刻蚀，形成N个第一凹槽；
在所述石英晶片的背面由下至上依次形成第二铬膜层和第二金膜层；
在所述第二金膜层上形成第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行曝光、显影，以形成N个第二刻蚀区域；
对所述N个第二刻蚀区域进行刻蚀，形成N个第二凹槽。
进一步地，在所述正面的所述第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，所述目标边缘为朝向第一底端内部的边缘，形成N个石英谐振器晶片之前，还包括：
对于每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，在第二底端长度大于第一底端长度时，在所述第一底端另一端位置，位于所述第一底端宽度方向上的两端形成第三通孔和第四通孔，所述第三通孔和所述第四通孔均由第一底端连通至相对的第二底端；或者
在第二底端长度等于第一底端长度时，位于所述第一底端距离所述第二通孔预设距离处的第一底端宽度方向上的两端形成第六通孔和第七通孔，所述第六通孔和第七通孔均由第一底端连通至相对的第二底端。
进一步地，在所述正面的所述第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，所述目标边缘为靠近第一底端另一端的边缘，形成N个石英谐振器晶片之前，还包括：
对于每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，在第二底端长度大于第一底端长度时，在所述第一底端另一端位置，位于所述第一底端宽度方向上的中部形成第五通孔，所述第五通孔由所述第一底端连通至相对的第二底端；或者
在第二底端长度等于第一底端长度时，位于所述第一底端距离所述第二通孔预设距离处的第一底端宽度方向的中部形成第八通孔，所述第八通孔由第一底端连通至相对的第二底端。
第二方面，本发明还提供了一种石英谐振器晶片，包括：
沿石英晶片长度方向顺次排布的振荡区域、电极区域以及框架区域；
其中，所述电极区域的厚度小于或等于所述框架区域的厚度；
在电极区域的厚度小于框架区域的厚度时，所述电极区域的背面与所述框架区域的背面的衔接处通过第一斜坡过渡，所述电极区域的正面与所述框架区域的正面共面，且所述电极区域的正面包括第二斜坡以及与所述框架区域的正面共面的顶部，所述电极区域的背面与所述振荡区域的的背面共面；或者
在电极区域的厚度等于框架区域的厚度时，所述电极区域的厚度等于所述振荡区域的厚度；
还包括：在所述框架区域的正面与所述电极区域的正面的衔接处具有浅槽，以及在所述框架区域上以所述浅槽为边缘的第二通孔。
进一步地，在电极区域的厚度小于框架区域的厚度时，还包括：
位于所述第一斜坡底端的第三通孔和第四通孔，所述第三通孔和所述第四通孔位于所述振荡区域与所述第二斜坡的交界处，且位于所述第一斜坡坡脚两侧，用于削弱振荡区域传递至电极区域的振荡频率。
进一步地，在电极区域的厚度小于框架区域的厚度时，还包括：
位于所述第二斜坡底端的第五通孔，所述第五通孔位于所述振荡区域与所述第一斜坡的交界处，且正对所述第一斜坡的中部，用于削弱振荡区域传递至电极区域的振荡频率。
进一步地，在电极区域的厚度等于框架区域的厚度时，还包括：
距离所述第二通孔预设距离处且沿所述石英晶片宽度方向上的两端的第六通孔和第七通孔，所述预设距离为所述电极区域的长度；或者
距离所述第二通孔预设距离处且沿所述石英晶片宽度方向上的中部的第八通孔。
进一步地，所述浅槽具体为如下任意一种：
连续的条状结构、不连续的点状结构；
其中，所述不连续的点状结构中的点状具体为如下任意一种：
圆形、矩形以及菱形。
本发明实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本发明提供了一种石英谐振器晶片的制作方法，包括：提供一石英晶片；在石英晶片的正面刻蚀形成N个第一凹槽，对石英晶片的背面刻蚀形成N个第二凹槽，N个第一凹槽和N个第二凹槽分别相对，且每个第一凹槽和每个第二凹槽均为上宽下窄的结构，每个第二凹槽的第二底端宽度与相对的所述第一凹槽的第一底端宽度相等，且第二底端长度大于或等于第一底端长度，第二底端一端与第一底端一端相对，第二底端另一端超出第二底端另一端或者第二底端长度另一端与第一底端另一端相对，N为正整数；对每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，从第一底端一端且正对第二底端一端的位置刻蚀至所述背面，形成第一通孔，所述第一通孔长度大于或等于所述第一底端宽度；从第一底端另一端外且正对第二底端另一端的位置刻蚀至所述背面，形成第二通孔，所述第二通孔长度小于所述第二底端的宽度；在正面的所述第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，目标边缘为靠近第一底端另一端的边缘，形成的石英谐振器晶片在进行折取时，能够沿着浅槽进行折取，使得晶片的边缘整齐，不会有缺损和多余凸出，进而提高了器件性能。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考图形表示相同的部件。在附图中：
图1示出了相关技术中的石英谐振器晶片在进行折取后，存在右缺损和多余凸出的结构示意图；
图2示出了本发明实施例中石英谐振器晶片的制作方法的步骤流程示意图；
图3～图8示出了本发明实施例中形成N个第一凹槽和N个第二凹槽的示意图；
图9～图10示出了本发明实施例中对于一个谐振器晶片来说，形成第一通孔312和第二通孔313的示意图；
图11示出了本发明实施例中形成浅槽的示意图；
图12示出了本发明实施例中形成第三通孔和第四通孔的示意图；
图13示出了本发明实施例中形成第五通孔的示意图；
图14～图16示出了本发明实施例中形成金属电极的示意图；
图17～图20示出了本发明实施例中针对平板结构形成谐振器晶片的示意图；
图21a示出了本发明实施例中具有凸台的石英谐振器晶片的结构示意图；
图21b示出了本发明实施例中平板结构的石英谐振器晶片的结构示意图；
图22示出了本发明实施例中一种实施方式的石英谐振器晶片的结构示意图；
图23示出了本发明实施例中另一种实施方式的石英谐振器晶片的结构示意图；
图24示出了本发明实施例中圆形点状结构的浅槽的示意图；
图25示出了本发明实施例中沿着该圆形点状结构的浅槽折片后的石英谐振器晶片边缘结构。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
实施例一
本发明的实施例提供了一种石英谐振器晶片的制作方法，如图2所示，包括：
S201，提供一石英晶片；
S202，在石英晶片的正面刻蚀形成N个第一凹槽，对石英晶片的背面刻蚀形成N个第二凹槽，该N个第一凹槽和N个第二凹槽分别相对，且每个第一凹槽和每个第二凹槽为上宽下窄的结构，每个第二凹槽的第二底端宽度与相对的第一凹槽的第一底端宽度相等，且第二底端长度大于或等于第一底端长度，第二底端一端与第一底端一端相对，第二底端另一端超出第二底端另一端或者第二底端另一端与第一底端另一端相对，N为正整数；
S203，对每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，从第一底端一端且正对第二底端一端的位置刻蚀至背面，形成第一通孔，第一通孔长度等于第一底端宽度；
S204，从第二底端另一端正对第一底端刻蚀至背面，形成第二通孔，第二通孔长度小于第二底端宽度；
S205，在正面的第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，该目标边缘为朝向第一底端内部的边缘；
S206，将每个石英谐振器晶片分别沿各自的浅槽进行折片，形成N个石英谐振器晶片。
下面，就石英谐振晶片的整个工艺过程为例进行详细描述。
如图3所示，为提供的石英晶片301。
接着，如图4～图8所示，在所述石英晶片301的正面刻蚀形成N个第一凹槽302，在石英晶片301的背面刻蚀形成N个第二凹槽303。
其中，N个第一凹槽302和N个第二凹槽303分别相对，且每个第一凹槽302和每个第二凹槽303均为上宽下窄的结构，每个第二凹槽302的第二底端宽度与相对的第一凹槽303的第一底端宽度相等，且第二底端长度大于第一底端长度，第二底端一端与第一底端一端相对，第二底端另一端超出第二底端另一端，N为正整数。
具体的刻蚀方法如下：
在石英晶片的正面由下至上依次形成第一铬膜层304和第一金膜层305；
在第一金膜层305上形成第一光刻胶层306，并对第一光刻胶层306进行曝光、显影，以形成N个第一刻蚀区域307；
对第一刻蚀区域307进行刻蚀，形成N个第一凹槽302；
同理，对于背面形成N个第二凹槽302也采用同样的方式。
在石英晶片301的背面由下至上依次形成第二铬膜层308和第二金膜层309；
在第二金膜层309上形成第二光刻胶层310，并对第二光刻胶层310进行曝光、显影，以形成N个第二刻蚀区域311；
对N个第二刻蚀区域311进行刻蚀，形成N个第二凹槽303。
其中，第一铬膜层304和第二铬膜层308的厚度均为5～50nm，第一金膜层305和第二金膜层309的厚度均大于100nm。该第一光刻胶306和第二光刻胶310的厚度均为0.5μm。
在对第一刻蚀区域307进行刻蚀，形成N个第一凹槽301，具体包括：
采用刻蚀液对第一刻蚀区域307的第一金膜层305和第一铬膜层304进行刻蚀，形成N个第一凹槽302。
而且，在形成该N个第一凹槽302之后，还包括：
去除第一刻蚀区域307之外的第一光刻胶层306、第一金膜层305以及第一铬膜层304，这里同样是采用刻蚀液进行去除。
对第二刻蚀区域311进行刻蚀，形成N个第二凹槽303，包括：
采用刻蚀液对第二刻蚀区域311的第二光刻胶310、第二金膜层309和第二铬膜308进行刻蚀，形成N个第二凹槽303；
在形成N个第二凹槽303之后，还包括：
去除第二刻蚀区域311之外的第二光刻胶层310、第二金膜层309以及第二铬膜层308。
该刻蚀液包括金刻蚀液、铬刻蚀液以及BOE腐蚀液，金刻蚀液为碘、碘化钾的混合水溶液，用于对第一金膜层305、第二金膜层309进行腐蚀，铬刻蚀液为硝酸和硝酸铈铵的混合水溶液，用于对第一铬膜层304、第二铬膜层308进行腐蚀。BOE腐蚀液为氢氟酸、氟化氢铵、缓蚀剂的混合溶液，用于对石英晶片301进行腐蚀，具体的腐蚀深度为40～190μm，使得腐蚀后的石英晶片区域频率大于60MHz，优选为96MHz。采用该BOE腐蚀液可以实现深腐蚀状态下凹坑区域内粗糙度相对加工前无变化的效果。
对于光刻胶的剥离方式，则可以采用等离子去胶、化学去胶等等。
由此形成的第一凹槽302和相对的第二凹槽303来说，存在两种结构：
第一种，为了形成具有凸台的石英谐振器晶片，这种情况下，第二凹槽303的第二底端长度大于第一凹槽302的第一底端长度。
第二种，为了形成平板结构的石英谐振器晶片，这种情况下，第二凹槽303的第二底端长度等于第一凹槽302的第一底端长度。
在具体的实施方式中，在石英晶片的厚度小于10um时，可形成具有凸台的石英谐振器晶片；在石英晶片的厚度为10～30um时，可形成具有凸台的石英谐振器晶片或者可形成平板结构的石英谐振器晶片；在石英晶片的厚度大于30um时，可形成平板结构的石英谐振器晶片。
下面以第二凹槽303的第二底端长度大于第一凹槽302的第一底端长度为例进行说明，如图9所示，执行S203，从第一底端一端且正对第二底端一端的位置刻蚀至背面，形成第一通孔312，第一通孔312长度等于第一底端宽度.
图10所示，S204，从第二底端另一端正对第二底端刻蚀至背面，形成第二通孔313，该第二通孔313长度小于第二底端宽度；
在形成第一通孔312和第二通孔313的过程中，同样是按照上述形成铬膜层、金膜层以及光刻胶层的方式，再进行曝光显影，从而采用刻蚀液进行刻蚀，在此就不再详细赘述了。S204和S203的顺序可以颠倒。
如图11所示，执行S205，在正面的第二通孔313的目标边缘刻蚀形成浅槽314，该目标边缘为靠近第一底端另一端的边缘。
在S205之前，还可以在第一凹槽301上刻蚀形成镂空结构，如图12、图13所示，该镂空结构能够阻挡该石英谐振器晶片的振荡区域到电极区域的振荡，以提高器件的性能。
具体地，在S205之前，还包括：对于每个第一凹槽302和相对的第二凹槽303来说，在第一底端另一端位置，位于第一底端宽度方向的两端形成第三通孔315和第四通孔316，该第三通孔315和第四通孔316均由第一底端连通至相对的第二底端，如图12所示。
另一种实施方式中，在S205之前，还包括，对于每个第一凹槽302和相对的第二凹槽303来说，在第一底端另一端位置，位于第一底端宽度方向上的中部形成第五通孔317，该第五通孔317由第一底端连通至相对的第二底端，如图13所示。
在形成镂空结构的过程中同样是采用上述的刻蚀方式，在此就不再详细赘述了。
在形成镂空结构之前，还包括形成电极的过程，具体地，S205之后，还包括：在第一凹槽302的第一底端、第二凹槽303的第二底端以及由第一底端延伸至第一底端另一端外侧形成第一金属电极318。
当然，该第一金属电极318也可以在形成镂空结构之后形成，在此并不作限定。
具体地，如图14～图16所示，通过在第一凹槽302内、第二凹槽303内以及由第一底端延伸至第一底端另一端以及第一凹槽外形成第一金属电极318，通过刻蚀，保留振动电极和引脚电极。这里的刻蚀方式也与前述的刻蚀方式相同。
最后，将所形成的N个石英谐振器晶片中每个石英谐振器晶片分别沿各自的浅槽314进行折片，形成N个石英谐振器晶片。由此得到的石英谐振器晶片不会有缺失或者凸出结构，进而提高了器件的性能。
而且正是由于在整张石英晶片上批量处理形成N个石英谐振器晶片的方式，能够提高获取性能较佳的石英谐振器晶片的效率，进而提高了生产效率。
上述是针对具有凸台的石英谐振器晶片的描述，下面对平板结构的石英谐振器晶片进行描述。
具体地，在S202中，在形成第二凹槽303时，该第二凹槽303的第二底端长度等于第一凹槽302的第一底端长度，如图17所示。
接下来在S203中和S204中，形成第一通孔312和第二通孔313时，第一通孔312和第二通孔313均位于第一凹槽302内，如图18所示。
同时，还可以在第一凹槽302内形成第三通孔和第四通孔，或者直接形成第五通孔，即镂空结构。
具体如图19所示，对于每个第一凹槽302和相对的第二凹槽303来说，在第一底端距离第二通孔303预设距离处的第一底端宽度方向上的两端形成第六通孔1901和第七通孔1902，该第六通孔1901和第七通孔1902均由第一底端连通至相对的第二底端。
如图20所示，位于第一底端距离第二通孔303预设距离处的第一底端宽度方向的中部形成第八通孔2001，第八通孔2001由第一底端连通至相对的第二底端。
上述的两种开孔的目的是阻挡该石英谐振器晶片的振荡区域到电极区域的振荡，以提高器件的性能。
接着，在第二底端长度等于第一底端长度时，在第一凹槽302的第一底端、第二凹槽303的第二底端形成第二金属电极，在此不再详细赘述。
最后，沿着浅槽314将石英谐振器晶片进行折片。进而得到完整边缘的石英谐振器晶片，提高了器件的性能。
该浅槽314具体为连续的条状结构，或者不连续的点状结构，其中，不连续的点状结构中的点状具体为圆形、矩形或者菱形。
本发明实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本发明提供了一种石英谐振器晶片的制作方法，包括：提供一石英晶片；在石英晶片的正面刻蚀形成N个第一凹槽，对石英晶片的背面刻蚀形成N个第二凹槽，N个第一凹槽和N个第二凹槽分别相对，且每个第一凹槽和每个第二凹槽均为上宽下窄的结构，每个第二凹槽的第二底端宽度与相对的所述第一凹槽的第一底端宽度相等，且第二底端长度大于或等于第一底端长度，第二底端一端与第一底端一端相对，第二底端另一端超出第二底端另一端或者第二底端长度另一端与第一底端另一端相对，N为正整数；对每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，从第一底端一端且正对第二底端一端的位置刻蚀至所述背面，形成第一通孔，所述第一通孔长度大于或等于所述第一底端宽度；从第二底端另一端正对第二底端另一端刻蚀至所述背面，形成第二通孔，所述第二通孔长度小于所述第二底端的宽度；在正面的所述第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，目标边缘为靠近第一底端另一端的边缘，形成的石英谐振器晶片在进行折取时，能够沿着浅槽进行折取，使得晶片的边缘整齐，不会有缺损和多余凸出，进而提高了器件性能。
实施例二
本发明实施例还提供了一种石英谐振器晶片，如图21a、图21b所示，包括：
沿石英晶片长度方向顺次排布的振荡区域2101、电极区域2102以及框架区域2103；
其中，电极区域2102的厚度小于或等于框架区域2103的厚度；
在电极区域2102的厚度小于框架区域2101的厚度时，电极区域2102的背面与框架区域2103的背面的衔接处通过第一斜坡2105过渡，电极区域2102的正面与框架区域2103的正面共面，且电极区域2102的正面包括第二斜坡2104以及框架区域2103的正面共面的顶部，电极区域2102的背面与振荡区域2101的背面共面；
在电极区域2102的厚度等于框架区域2101的厚度时，电极区域2102的厚度等于振荡区域2101的厚度；
还包括：在框架区域2103的正面与电极区域2102的正面的衔接处具有浅槽314，以及在框架区域2103上以浅槽314为边缘的第二通孔313。
其中，图21a为具有凸台的石英谐振器晶片，即电极区域2102的厚度小于框架区域2103的厚度的情况。
图21b为平板结构的石英谐振器晶片，即电极区域2102的厚度等于框架区域2103的厚度的情况。
在一种可选的实施方式中，在电极区域2102的厚度小于框架区域2103的厚度时，该石英谐振器晶片还包括：位于第二斜坡2104底端的第三通孔315和第四通孔316，该第三通孔315和第四通孔316位于振荡区域1701与第二斜坡2104的交界处，且位于第二斜坡2104坡脚两侧，用于削弱振荡区域1701传递至电极区域2102的振荡频率。该第三通孔315和第四通孔316的作用是削减振荡区域1701传递至电极区域1702的振荡频率，以提高器件性能，如图22所示。
在一种可选的实施方式中，在电极区域2102的厚度小于框架区域2103的厚度时，该石英谐振器晶片还包括：位于第二斜坡2104底端的第五通孔317，该第五通孔317位于振荡区域1701与第二斜坡1704的交界处，且正对第二斜坡2104的中部，用于削弱振荡区域传递至电极区域的振荡频率。该第五通孔317的作用是削减振荡区域2101传递至电极区域2102的振荡频率，以提高器件性能，如图23所示。
当然，该石英谐振器晶片还包括：位于振荡区域2101和电极区域2102上的第一金属电极318，其中位于振荡区域2101上为振荡电极，位于电极区域2102上为引脚电极，在此并不详细赘述。
在一种可选的的实施方式中，如图19、图20所示，在电极区域2102的厚度等于框架区域2103的厚度时，该石英谐振器晶片还包括：
距离第二通孔313预设距离处且沿石英晶片宽度方向上的两端的第六通孔1901和第七通孔1902，该预设距离为电极区域2102的长度；或者
距离第二通孔313预设距离处且沿石英晶片宽度方向上的中部的第八通孔2001。
同样，采用第六通孔1901、第七通孔1902，或者直接采用第八通孔2001的方法，可以削减振荡区域2101传递至电极区域2102的振荡频率，以提高器件性能。
当然，在电极区域2102的厚度等于框架区域2103的厚度时，该石英谐振晶片还包括：位于振荡区域2101和电极区域2102上的第二金属电极，其中振荡区域2101上为振荡电极，位于电极区域2102上为引脚电极。在此就不再详细赘述了。
对于上述两种类型的石英谐振器晶片，所具有的浅槽具体为如下任意一种：
连续的条状结构、不连续的点状结构；
其中，不连续的点状结构中的点状具体为如下任意一种：
圆形、矩形以及菱形。
具体地，如图21b所示中的浅槽314不连续的点状结构，其中以矩形点状为例进行示意。
如图24所示的浅槽314为不连续的点状结构，其中，该点状为圆形结构。在沿着圆形的点状结构的浅槽314折片之后，形成如图25所述的边缘结构。
采用这样的浅槽，能够更加方便折片。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种石英谐振器晶片的制作方法，其特征在于，包括：
提供一石英晶片；
在所述石英晶片的正面刻蚀形成N个第一凹槽，对所述石英晶片的背面刻蚀形成N个第二凹槽，所述N个第一凹槽和所述N个第二凹槽分别相对，且每个第一凹槽和每个第二凹槽均为上宽下窄的结构，每个第二凹槽的第二底端宽度与相对的所述第一凹槽的第一底端宽度相等，且第二底端长度大于或等于第一底端长度，第二底端一端与第一底端一端相对，第二底端另一端超出第一底端另一端或者第二底端另一端与第一底端另一端相对，N为正整数；
对每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，从第一底端一端且正对第二底端一端的位置刻蚀至所述背面，形成第一通孔，所述第一通孔长度等于所述第一底端宽度；
从第二底端另一端正对第一底端刻蚀至所述背面，形成第二通孔，所述第二通孔长度小于所述第二底端宽度；
在所述正面的所述第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，所述目标边缘为朝向第一底端内部的边缘；
将每个石英谐振器晶片分别沿各自的所述浅槽进行折片，形成N个石英谐振器晶片。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述正面的所述第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽之后，还包括：
在第二底端长度大于第一底端长度时，在所述第一凹槽的第一底端、第二凹槽的第二底端以及由第一底端延伸至第一底端另一端以及第一凹槽外侧形成第一金属电极；或者
在第二底端长度等于第一底端长度时，在所述第一凹槽的第一底端、第二凹槽的第二底端形成第二金属电极。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述石英晶片的正面刻蚀形成N个第一凹槽，对所述石英晶片的背面刻蚀形成N个第二凹槽，包括：
在所述石英晶片的正面由下至上依次形成第一铬膜层和第一金膜层；
在所述第一金膜层上形成第一光刻胶层，并对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，以形成N个第一刻蚀区域；
对所述N个第一刻蚀区域进行刻蚀，形成N个第一凹槽；
在所述石英晶片的背面由下至上依次形成第二铬膜层和第二金膜层；
在所述第二金膜层上形成第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行曝光、显影，以形成N个第二刻蚀区域；
对所述N个第二刻蚀区域进行刻蚀，形成N个第二凹槽。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述正面的所述第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，所述目标边缘为朝向第一底端内部的边缘，形成N个石英谐振器晶片之前，还包括：
对于每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，在第二底端长度大于第一底端长度时，在所述第一底端另一端位置，位于所述第一底端宽度方向上的两端形成第三通孔和第四通孔，所述第三通孔和所述第四通孔均由第一底端连通至相对的第二底端；或者
在第二底端长度等于第一底端长度时，位于所述第一底端距离所述第二通孔预设距离处的第一底端宽度方向上的两端形成第六通孔和第七通孔，所述第六通孔和第七通孔均由第一底端连通至相对的第二底端。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述正面的所述第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，所述目标边缘为靠近第一底端另一端的边缘之前，还包括：
对于每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，在第二底端长度大于第一底端长度时，在所述第一底端另一端位置，位于所述第一底端宽度方向上的中部形成第五通孔，所述第五通孔由所述第一底端连通至相对的第二底端；或者
在第二底端长度等于第一底端长度时，位于所述第一底端距离所述第二通孔预设距离处的第一底端宽度方向的中部形成第八通孔，所述第八通孔由第一底端连通至相对的第二底端。
6.一种石英谐振器晶片，其特征在于，包括：
沿石英晶片长度方向顺次排布的振荡区域、电极区域以及框架区域；
其中，所述电极区域的厚度小于或等于所述框架区域的厚度；
在电极区域的厚度小于框架区域的厚度时，所述电极区域的背面与所述框架区域的背面的衔接处通过第一斜坡过渡，所述电极区域的正面与所述框架区域的正面共面，且所述电极区域的正面包括第二斜坡以及与所述框架区域的正面共面的顶部，所述电极区域的背面与所述振荡区域的的背面共面；或者
在电极区域的厚度等于框架区域的厚度时，所述电极区域的厚度等于所述振荡区域的厚度；
还包括：在所述框架区域的正面与所述电极区域的正面的衔接处具有浅槽，以及在所述框架区域上以所述浅槽为边缘的第二通孔。
7.如权利要求6所述的石英谐振器晶片，其特征在于，在电极区域的厚度小于框架区域的厚度时，还包括：
位于所述第一斜坡底端的第三通孔和第四通孔，所述第三通孔和所述第四通孔位于所述振荡区域与所述第二斜坡的交界处，且位于所述第一斜坡坡脚两侧，用于削弱振荡区域传递至电极区域的振荡频率。
8.如权利要求6所述的石英谐振器晶片，其特征在于，在电极区域的厚度小于框架区域的厚度时，还包括：
位于所述第二斜坡底端的第五通孔，所述第五通孔位于所述振荡区域与所述第一斜坡的交界处，且正对所述第一斜坡的中部，用于削弱振荡区域传递至电极区域的振荡频率。
9.如权利要求6所述的石英谐振器晶片，其特征在于，在电极区域的厚度等于框架区域的厚度时，还包括：
距离所述第二通孔预设距离处且沿所述石英晶片宽度方向上的两端的第六通孔和第七通孔，所述预设距离为所述电极区域的长度；或者
距离所述第二通孔预设距离处且沿所述石英晶片宽度方向上的中部的第八通孔。
10.如权利要求6所述的石英谐振器晶片，其特征在于，所述浅槽具体为如下任意一种：
连续的条状结构、不连续的点状结构；
其中，所述不连续的点状结构中的点状具体为如下任意一种：
圆形、矩形以及菱形。
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