CN113261389A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置，通过在基体26上布置多个发光元件组而形成，每个发光元件组包括：第一发光元件10，设置有第一发光区域11R和第一滤色层51R；第二发光元件10G，设置有第二发光区域11G和第二滤色层51G；以及第一发光元件10G，设置有第三发光区域11B和第三滤色层51B。在相邻的发光元件中，由连接滤色层51的面向发光区域11的底表面的边界线和发光区域11的端部的最短线段与基体26的法线形成的角(θ)在每个发光元件中相同，或者可替代地，从滤色层51的底表面的边界线到基体26上的正交投影图像到发光区域11的端部到基体26上的正交投影图像的距离(L)在每个发光元件中相同。

Description

显示装置

技术领域

本公开涉及一种包括多个发光元件的显示装置。

背景技术

近年来，使用有机电致发光(EL)元件作为发光元件的显示装置(有机EL显示器)的开发正在发展。在该显示装置中，例如，在为每个像素隔离形成的第一电极(下部电极，例如阳极电极)上形成第二电极(上部电极，例如阴极电极)和至少包括发光层的有机层。此外，例如，通过组合发射白光或红光的有机层和红色滤色层而获得的红色发光元件、通过组合发射白光或绿光的有机层和绿色滤色层而获得的绿色发光元件、以及通过组合发射白光或蓝光的有机层和蓝色滤色层而获得的蓝色发光元件，每个被布置为子像素，并且这些子像素构成一个像素。来自发光层的光经由第二电极(上部电极)发射到外部。

在这样的显示装置中，通常会不利地发生颜色偏移和颜色混合。此外，例如，从日本专利申请公开第2013-152853号已知解决了这种缺点的显示装置。在本专利公开的显示装置中，规定了构成发光元件的各层的厚度、构成各层的各材料的折射率、滤色层的宽度和厚度等。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开第2013-152853号。

发明内容

本发明要解决的问题

顺便提及，在制造发光元件的实际过程中，滤色层的侧表面通常处于正锥状态或反锥状态。然而，在上述专利公开中，不考虑滤色层的侧表面的这种倾斜。此外，由于滤色层的侧面的倾斜角(锥角)通常在发光元件之间不同，因此除非考虑这些倾斜角，否则不能期望视角特性的改善。具体地，在像素间距非常小的情况下，滤色层的纵横比大，并且侧表面的锥度状态的影响大。

因此，本公开的目的是提供一种包括多个发光元件的显示装置，每个发光元件具有不太可能发生颜色偏移和颜色混合的配置和结构。

解决问题的方案

根据本公开的第一或第二方面的用于实现上述目的的显示装置通过在基体上布置多个发光元件组而形成，每个发光元件组包括：

第一发光元件，包括第一发光区域和布置在所述第一发光区域上方的第一滤色层；

第二发光元件，包括第二发光区域和布置在所述第二发光区域上方的第二滤色层；以及

第三发光元件，包括第三发光区域和布置在所述第三发光区域上方的第三滤色层。

此外，在本公开的第一方面的显示装置中，在相邻的发光元件中，由连接滤色层的面向发光区域的底表面的边界线和发光区域的端部的最短线段与基体的法线形成的角(θ)在发光元件中相同。此外，在本公开的第二方面的显示装置中，在相邻的发光元件中，从滤色层的面向发光区域的底表面的边界线到基体上的正交投影图像到发光区域的端部到基体上的正交投影图像的距离(L)在发光元件中相同。

附图说明

图1是示意性地示出第一实施例的显示装置中的滤色层的布置的示图，以及第一实施例的显示装置的概念性横截面图。

图2是示意性地示出第一实施例的显示装置中的滤色层的布置的示图，以及第一实施例的显示装置的概念性横截面图。

图3是示意性地示出第一实施例的显示装置中的发光区域的布置的示图。

图4是用于说明在第一实施例的显示装置中不太可能发生颜色混合的第一实施例的显示装置的概念性横截面图。

图5是示意性地示出第二实施例的显示装置中的滤色层的布置的示图，以及第二实施例的显示装置的各种概念性横截面图。

图6是示意性地示出第二实施例的显示装置中的滤色层的布置的示图，以及第二实施例的显示装置的各种概念性横截面图。

图7是示意性地示出第二实施例的显示装置中的发光区域的布置的示图。

图8是用于说明在第二实施例的显示装置中不太可能发生颜色混合的第二实施例的显示装置的各种概念性横截面图。

图9是用于说明在第二实施例的显示装置中不太可能发生颜色混合的第二实施例的显示装置的各种概念性横截面图。

图10是用于说明在第二实施例的显示装置中不太可能发生颜色混合的第二实施例的显示装置的各种概念性横截面图。

图11是用于说明在第二实施例的显示装置中不太可能发生颜色混合的第二实施例的显示装置的各种概念性横截面图。

图12A、图12B和图12C是用于说明在第二实施例的显示装置和常规显示装置中发生颜色混合的机制的示图。

图13是示意性地示出第三实施例的显示装置中的滤色层的布置的示图，以及第三实施例的显示装置的各种概念性横截面图。

图14是示意性地示出第三实施例的显示装置中的滤色层的布置的示图，以及第三实施例的显示装置的各种概念性横截面图。

图15是示意性地示出第三实施例的显示装置中的发光区域的布置的示图。

图16是示意性地示出第四实施例的显示装置中的滤色层的布置的示图，以及第三实施例的显示装置的各种概念性横截面图。

图17A、图17B、图17C、图17D、图17E、图17F和图17G是各种滤色层的示意性部分横截面图。

图18是第一实施例的显示装置的部分横截面示意图。

图19是示意性地示出作为第二实施例的显示装置中的修改的发光区域的布置的示图。

图20A和图20B示出了将本公开的显示装置应用于镜头可互换单镜头反射式数字静态相机的示例。图20A示出了数字静态相机的前视图，图20B示出了其后视图。

图21是示出将本公开的显示装置应用于头戴式显示器的示例的头戴式显示器的外部视图。

图22是示意性地示出常规显示装置中的滤色层的布置的示图，以及常规显示装置的各种概念性横截面图。

图23是用于说明在常规显示装置中发生颜色混合的常规显示装置的各种概念性横截面图。

图24A和图24B是分别具有谐振器结构的第一示例和第二示例的发光元件的概念图。

图25A和图25B是分别具有谐振器结构的第三示例和第四示例的发光元件的概念图。

图26A和图26B是分别具有谐振器结构的第五示例和第六示例的发光元件的概念图。

图27A是具有谐振器结构的第七示例的发光元件的概念图，图27B和图27C是具有谐振器结构的第八示例的发光元件的概念图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图基于实施例描述本公开。然而，本公开不限于实施例，并且实施例中的各种数值和材料是说明性的。注意，将按以下顺序进行描述。

1.根据本公开的第一方面和第二方面的显示装置的一般描述

2.第一实施例(根据本公开的第一方面和第二方面的显示装置)

3.第二实施例(第一实施例的修改)

4.第三实施例(第一实施例的另一修改)

5.第四实施例(第一实施例的又一修改)

6.其他

<根据本公开的第一方面和第二方面的显示装置的一般描述>

在根据本公开的第一方面和第二方面的显示装置中，由滤色层顶面(发光表面)和滤色层顶面(发光表面)之间的边界线包围的滤色层顶面区域在基体上的正交投影图像的面积(S_top)在第一发光元件、第二发光元件、和第三发光元件中可以相同。此外，在这种情况下，发光区域的面积(S_EL)在第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件之间可以不同。

可替代地，在根据本公开的第一方面和第二方面的显示装置中，由滤色层顶面(发光表面)和滤色层顶面(发光表面)之间的边界线包围的滤色层顶面区域在基体上的正交投影图像的面积(S_top)在第一发光元件、第二发光元件、和第三发光元件之间可以不同。此外，在这种情况下，发光区域的面积(S_EL)在第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中可以相同。

在根据本公开的第一方面和第二方面的包括上述各种优选模式的显示装置中，第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域可以发射白光。可替代地，第一发光区域可以发射红光，第二发光区域可以发射绿光，第三发光区域可以发射蓝光。然而，本公开不限于此，并且还可以添加发射白光的第四发光元件，或者发射红光、绿光和蓝光以外颜色的光的第四发光元件。

以下可例示为第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件的布置和布置状态。即，

构成多个发光元件组的第一发光元件可以沿第一方向布置，

构成多个发光元件组的第二发光元件可以沿第一方向布置，以及

构成多个发光元件组的第三发光元件可以沿第一方向布置(所谓的条状布置)。可替代地，

发光元件组可以由4个2×2排列的发光元件组成，

第一发光元件可以与两个第三发光元件相邻布置，

第二发光元件可以与两个第三发光元件相邻布置，以及

两个第三发光元件中的每一个可以与第一发光元件和第二发光元件相邻布置(所谓的对角线布置)。在这种情况下，发光元件组占据例如矩形区域。可替代地，

发光元件组可以由一个第一发光元件、一个第二发光元件和一个第三发光元件构成，

第一发光元件可以与第二发光元件和第三发光元件相邻布置，以及

第二发光元件可以与第一发光元件和第三发光元件相邻布置。注意，在这种情况下，发光元件组占据例如矩形区域。可替代地，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件的布置可以是条状布置、三角形布置、矩形布置或像素排列(pentile)布置。

在本公开的第一方面的显示装置中，在相邻的发光元件中，由连接滤色层的面向发光区域的底表面的边界线和发光区域的端部的最短线段与基体(或稍后描述的第一基板或第二基板)的法线形成的角(θ)在发光元件中相同。此外，在本公开的第二方面的显示装置中，在相邻的发光元件中，从滤色层的面向发光区域的底表面的边界线到基体(或稍后描述的第一基板或第二基板)的正交投影图像到发光区域的端部到基体(或稍后描述的第一基板或第二基板)的正交投影图像的距离(L)在发光元件中相同。这里，“相同”的意思如下。即，例如，在包括通过将显示装置划分为第一象限、第二象限、第三象限和第一象限的四个区域而获得的四个象限的包括中心部分的五个区域和原点中，适当地选择一个或多个发光元件组。在所选择的发光元件组中，确定每个发光元件中的角(θ)或距离(L)。此外，确定角(θ)或距离(L)的平均值θ_ave，L_ave和标准差σ_angle，σ_distance。那么，

当σ_angle/θ_ave≤0.015和

满足σ_distance/L_ave≤0.2，

被视为“相同”，以及

当σ_angle/θ_ave＞0.015和

满足σ_distance/L_ave＞0.2，

被视为“不同”。然而，这些要求是说明性的。例如，在θ_ave＝76度并且σ_angle＝1.125度的情况下，当θ_ave的值与设计值改变±5度以上时，被视为“不同”。在相邻滤色层的端部区域重叠在特定滤色层的端部区域上的情况下，特定滤色层的端部被定义为底表面的边界线。

在根据本公开的第一方面和第二方面的显示装置中，包括上述优选模式和配置(以下，这些统称为“本公开的显示装置等”)，在相邻滤色层之间的边界区域中，由透明树脂构成的结构(由透明树脂层构成，例如，参见日本专利申请公开第2014-089804号)可以布置在包括滤色层的底表面的底部。滤色层由添加了包含有所需颜料或染料的着色剂的树脂(例如，光固化树脂)构成。通过选择颜料或染料，执行调整，使得在红、绿、蓝等的目标波长范围内的透光率高，并且在其他波长范围内的透光率低。这种滤色层可以由已知的阻色材料构成。在发出白光的发光元件中，只需要布置透明滤光片。

本公开的显示装置等是从第二基板发光的顶发射型显示装置。例如，在顶发射型显示装置中，仅需要在第一基板上方形成滤色层，但是滤色层可以布置在第一基板的一侧(片上滤色层结构(OCCF结构))，或者可以布置在第二基板的一侧。在另一表达方式中，本公开的显示装置等包括第一基板、第二基板以及夹在第一基板和第二基板之间的图像显示单元。在图像显示单元中，包括上述优选模式和配置的多个发光元件以二维矩阵布置。这里，发光元件形成在第一基板的一侧。

具体地，本公开的显示装置等中的每个发光元件包括第一电极、形成在第一电极上的有机层、形成在有机层上的第二电极、形成在第二电极上的保护层(平坦化层)、以及形成在保护层上的滤色层。此外，来自有机层的光经由第二电极、保护层和滤色层发射到外部。为每个发光元件布置第一电极。为每个发光元件布置有机层，或者在有机层被发光元件共享的同时布置有机层。第二电极在被发光元件共享的同时被布置。即，第二电极是所谓的固体电极。第一基板布置在基体之下，第二基板布置在滤色层的顶面上或上方。发光区域布置在基体上。

在本公开的显示装置等中，第一电极可以与有机层的一部分接触，或者第一电极的一部分可以与有机层接触。在这些情况下，具体地说，第一电极可以小于有机层，第一电极可以具有与有机层相同的尺寸，第一电极可以大于有机层，或者可以在第一电极的边缘和有机层之间形成绝缘层。第一电极与有机层接触的区域是发光区域。

在第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域发射白光的情况下，有机层发射白光。在这种情况下，有机层可以具有由红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层构成的层叠结构。可替代地，有机层可以具有通过将发射蓝光的蓝色发光层和发射黄光的黄色发光层的两层层叠而获得的结构，并作为整体发射白光。可替代地，有机层可以具有通过将发射蓝光的蓝色发光层和发射橙光的橙色发光层的两层层叠而获得的结构，并作为整体发射白光。

如上所述，在本公开的显示装置等中，有机层可以由至少两个发射不同颜色的发光层构成。在这种情况下，从有机层发射的光可以是白光。具体而言，有机层可以具有通过将发射红光(波长：620nm至750nm)的红色发光层、发射绿光(波长：495nm至570nm)的绿色发光层、以及发射蓝光(波长：450nm至495nm)的蓝色发光层的三层层叠而获得的结构，并作为整体发射白光。可替代地，有机层可以具有通过将发射蓝光的蓝色发光层和发射黄光的黄色发光层的两层层叠而获得的结构，并作为整体发射白光。可替代地，有机层可以具有通过将发射蓝光的蓝色发光层和发射橙光的橙色发光层的两层层叠而获得的结构，并作为整体发射白光。此外，这种发出白光的有机层与红色滤色层结合构成红色发光元件。发出白光的有机层与绿色滤色层结合构成绿色发光元件。发出白光的有机层与蓝色滤色层结合构成蓝色发光元件。诸如红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的子像素的组合构成一个像素。在一些情况下，红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件和发射白光的发光元件(或发射互补色光的发光元件)可以构成一个像素。在由发射不同颜色的光的至少两个发光层构成的模式中，实际上存在这样的情况，即发射不同颜色的光的发光层被混合并且没有清楚地分离成层。

可替代地，有机层可以由一个发光层构成。在这种情况下，例如，发光元件可以由具有包括红色发光层的有机层的红色发光元件、具有包括绿色发光层的有机层的绿色发光元件或具有包括蓝色发光层的有机层的蓝色发光元件构成。此外，这三种发光元件(子像素)构成一个像素。

构成保护层(平坦化层)的材料的示例包括丙烯酸树脂、SiN、SiON、SiC、非晶硅(α-Si)、Al₂O₃和TiO₂。保护层可以基于已知方法形成，例如各种CVD法、各种涂覆法、包括溅射法和真空气相沉积法的各种PVD法，或者包括丝网印刷法的各种印刷法。此外，作为形成保护层的方法，也可以采用原子层沉积(ALD)法。保护层可以由多个发光元件共享，或者可以单独地布置在每个发光元件中。保护层和第二基板经由例如树脂层(密封树脂层)彼此粘合。构成树脂层(密封树脂层)的材料的示例包括热固性粘合剂，例如丙烯酸粘合剂、环氧基粘合剂、氨基甲酸乙酯基粘合剂、硅基粘合剂或氰基丙烯酸酯基粘合剂以及紫外光固化粘合剂。

在显示装置中发光的最外表面(具体地，第二基板的外表面)上，可以形成紫外线吸收层、防污染层、硬涂层和抗静电层，或者可以布置保护构件(例如，盖玻璃)。

此外，在本公开的显示装置等中，可以在发光侧布置片上微透镜。通过布置片上微透镜，可以使来自有机层的光以期望的状态发散，结果，可以控制视角特征。例如，片上微透镜可以由诸如丙烯酸树脂的已知透明树脂材料构成，并且可以通过使透明树脂材料熔融流动而获得，或者可以通过回蚀透明树脂材料而获得，可以通过使用灰色色调掩模的光刻技术与蚀刻方法的组合，或者通过基于纳米印刷法将透明树脂材料形成为透镜形状的方法。

在本公开的显示装置等中，基体形成在第一基板上或上方。构成基体的材料的示例包括绝缘材料，例如SiO₂、SiN或SiON。可替代地，仅需要通过具有蚀刻选择性的绝缘材料构成基体，并且在基体上或上方形成绝缘层等。可以通过适合于构成基体的材料的形成方法形成基体，具体地说，例如，基于已知的方法，诸如各种CVD法，各种涂覆法，包括溅射法和真空气相沉积法的各种PVD法，包括丝网印刷法的各种印刷法，镀覆法，电沉积法，浸渍法，或溶胶-凝胶法。

尽管本公开不限于此，发光元件驱动单元被布置在基体的下面或下方。例如，发光元件驱动单元包括形成在构成第一基板的硅半导体基板上的晶体管(具体地说，例如MOSFET)或布置在每个构成第一基板的各种基板上的薄膜晶体管(TFT)。构成发光元件驱动单元的晶体管和TFT可以经由在基体上形成的接触孔(接触插塞)与第一电极连接。发光元件驱动单元可以具有已知的电路配置。第二电极经由形成在显示装置的外周的基体中的接触孔(接触插塞)与发光元件驱动单元连接。发光元件形成在第一基板的一侧。如上所述，第二电极可以是由多个发光元件共享的电极。即，第二电极可以是所谓的固体电极。

第一基板或第二基板可以由以下构成：硅半导体基板、高应变点玻璃基板、钠玻璃(Na₂O·CaO·SiO₂)基板、硼硅酸盐玻璃(Na₂O·B₂O₃·SiO₂)基板、镁橄榄石(2MgO·SiO₂)基板、铅玻璃(Na₂O·PbO·SiO₂)基板、均具有形成在其表面上的绝缘材料层的各种玻璃基板、石英基板、具有形成在其表面上的绝缘材料层的石英基板、或者有机聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、或聚对苯二甲酸乙二酯(PET)(具有聚合物材料的形式，例如由聚合物材料构成并且具有柔性的塑料薄膜、塑料片或塑料基板)。构成第一基板和第二基板的材料可以彼此相同或不同。然而，要求第二基板对从发光元件发射的光是透明的。

在使第一电极起到阳极电极作用的情况下，构成第一电极的材料的示例包括具有高功函数的金属，诸如铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)、钨(W)、镍(Ni)、铜(Cu)、铁(Fe)、钴(Co)、或钽(Ta)、或其合金(例如，含有银作为主要成分并且含有0.3质量％到1质量％的钯(Pd)和0.3质量％到1质量％的铜(Cu)的Ag-Pd-Cu合金、Al-Nd合金或Al-Cu合金)。此外，在使用具有在小功函数值且高光反射率的导电材料如铝(Al)或含铝的合金的情况下，通过改善空穴注入特性，例如通过布置适当的空穴注入层，第一电极可以用作阳极电极。例如，第一电极的厚度可以是0.1μm到1μm。可替代地，在布置有后面描述的光反射层的情况下，构成第一电极的材料的示例包括各种透明导电材料，例如包括以下作为基层的透明导电材料：氧化铟、氧化铟锡(ITO、包括掺杂Sn的In₂O₃、晶体ITO、以及非晶ITO)、氧化铟锌(IZO)、铟镓氧化物(IGO)、掺铟镓锌氧化物(IGZO、In-GaZnO₄)、IFO(掺F的In₂O₃)、ITiO(掺Ti的In₂O₃)、InSn、InSnZnO、氧化锡(SnO₂)、ATO(掺Sb的SnO₂)、FTO(掺F的SnO₂)、氧化锌(ZnO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓的氧化锌(GZO)、B掺杂的ZnO、AlMgZnO(氧化铝和氧化镁掺杂的氧化锌)、氧化锑、氧化钛、NiO、尖晶石型氧化物、具有YbFe₂O₄结构的氧化物、氧化镓、氧化钛、氧化铌、氧化镍等。可替代地，第一电极可以具有通过将具有优良空穴注入特性的透明导电材料(例如铟和锡的氧化物(ITO)或铟和锌的氧化物(IZO))层叠在电介质多层膜或具有高光反射率的反射膜(包括铝(Al)等)上而获得的结构。同时，在使第一电极起到阴极电极的作用的情况下，期望第一电极由具有小功函数值且高光反射率的导电材料构成。然而，通过改善电子注入特性，例如通过在用作阳极电极的具有高光反射率的导电材料中布置适当的电子注入层，第一电极也可以用作阴极电极。

在使第二电极起阴极电极的作用的情况下，期望构成第二电极的材料(半透光材料或透光材料)由具有小功函数值的导电材料构成，以便能够传输发射光并将电子有效地注入到有机层(发光层)。构成第二电极的材料的示例包括具有小功函数的金属及其合金，例如铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、锶(Sr)、碱金属或碱土金属和银(Ag)(例如，镁(Mg)和银(Ag)的合金(Mg-Ag合金))、镁钙合金(Mg-Ca合金)或铝(Al)和锂(Li)的合金(Al-Li合金)。在这些材料中，优选Mg-Ag合金，并且镁和银之间的体积比可以是例如Mg：Ag＝5：1至30：1。可替代地，作为镁和钙之间的体积比可以是例如Mg：Ca＝2：1至10：1。例如，第二电极的厚度可以是4nm到50nm，优选4nm到20nm，更优选6nm到12nm。可替代地，构成第二电极的材料可以是从由Ag-Nd-Cu、Ag-Cu、Au和Al-Cu组成的组中选择的至少一种材料。可替代地，第二电极可以具有层叠结构，该层叠结构由上述有机层侧的材料层和例如包括ITO或IZO的所谓的透明电极(例如，厚度3×10^-8m到1×10^-6m)构成。包括低电阻材料(例如铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、金或金合金)的总线电极(辅助电极)，可布置在第二电极中从而减小第二电极整体的电阻。第二电极的平均透光率为50％至90％，优选为60％至90％。同时，在使第二电极起到阳极电极的作用的情况下，期望第二电极由传输发射光并且具有大功函数值的导电材料构成。

用于形成第一电极或第二电极的方法的示例包括以下项的组合：包括电子束气相沉积法、热丝气相沉积法和真空气相沉积法的气相沉积法、溅射法、化学气相沉积法(CVD方法)、MOCVD法、以及具有蚀刻法的离子镀覆法；各种印刷法，例如丝网印刷法、喷墨印刷法、金属掩模印刷法；镀覆法(电镀法或非电解镀覆法)；剥离法；激光烧蚀法；和溶胶凝胶法。根据各种印刷法和镀覆法，可以直接形成具有期望形状(图案)的第一电极或第二电极。注意，在形成有机层之后形成第二电极的情况下，从防止损坏有机层的角度考虑，第二电极优选地基于成膜粒子能量小的成膜法来具体形成，例如真空气相沉积法，或诸如MOCVD法的成膜法。当有机层被损坏时，由于泄漏电流的产生，可能产生被称为“黑点”的非发光像素(或非发光子像素)。

有机层包括包含有机发光材料的发光层。具体地，例如，有机层可以被构造为空穴传输层、发光层和电子传输层的层叠结构，空穴传输层和兼作电子传输层的发光层的层叠结构，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层等的层叠结构。用于形成有机层的方法的示例包括诸如真空气相沉积法的物理气相沉积法(PVD法)；诸如丝网印刷法或喷墨印刷法的印刷法；激光照射法，其中，通过用激光对激光吸收层与形成在转印基板上的有机层的层叠结构进行激光照射，使激光吸收层上的有机层分离并且进行有机层的转印；以及各种涂覆法。在基于真空气相沉积法形成有机层的情况下，例如，使用所谓的金属掩模，通过沉积已经通过布置在金属掩模中的开口的材料可以获得有机层。

在本公开的显示装置等中，形成绝缘层和层间绝缘层。构成绝缘层和层间绝缘层的绝缘材料的示例包括基于SiO_X的材料(构成基于硅的氧化膜的材料)，诸如SiO₂、非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、PSG、BSG、AsSG、SbSG、PbSG、旋涂玻璃(SOG)、低温氧化物(LTO、低温CVD-SiO₂)、低熔点玻璃或玻璃糊；包括基于SiON的材料的基于SiN的材料；SiOC；SiOF；和SiCN。或者，该材料的示例包括无机绝缘材料，例如氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化镁(MgO)、氧化铬(CrO_x)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铌(Nb₂O₅)、氧化锡(SnO₂)或氧化钒(VO_x)。或者，绝缘材料的示例还包括各种树脂，例如聚酰亚胺基树脂、环氧基树脂和丙烯酸树脂；以及低介电常数绝缘材料，例如SiOCH、有机SOG或氟基树脂(例如，介电常数k(＝ε/ε₀)为3.5以下的材料，例如，其具体示例包括碳氟化合物、环全氟化碳聚合物、苯并环丁烯、环状氟树脂、聚四氟乙烯、无定形四氟乙烯、聚芳基醚、芳基氟化醚、聚酰亚胺氟化物、无定形碳、聚对二甲苯(聚对二甲苯)、和富勒烯氟化物)。绝缘材料的示例还包括Silk(陶氏化学公司(Dow Chemical Co.)的商标，涂覆型低介电常数层间绝缘膜材料)和Flare(霍尼韦尔电子材料公司的商标，聚烯丙基醚(PAE)基材料)。此外，这些材料可以单独使用，也可以适当组合使用。在某些情况下，基体可以由上述材料构成。可以使用以下公知的方法形成绝缘层、层间绝缘层和基体，例如各种CVD法，各种涂覆法，包括溅射法和真空气相沉积法的各种PVD法，诸如丝网印刷法的各种印刷法，镀覆法，电沉积法，浸渍法，或溶胶-凝胶法。

包括上述各种优选模式和配置的本公开的显示装置等可以由有机电致发光显示装置(有机EL显示装置)构成。发光元件可以由有机电致发光元件(有机EL元件)构成。

为了进一步提高光提取效率，有机EL显示装置优选具有谐振器结构。具体地，使从发光层发出的光在由第一电极和有机层之间的界面构成的第一界面(或在层间绝缘层布置在第一电极下、光反射层布置在层间绝缘层下的结构中，由光反射层和层间绝缘层之间的界面构成的第一界面)和由第二电极和有机层之间的界面构成的第二界面之间共振，并且第二电极发射出一部分光。此外，如果从发光层的最大发射位置到第一界面的距离由L₁表示，则其光学距离由OL₁表示，从发光层的最大发射位置到第二界面的距离由L₂表示，则其光学距离由OL₂表示，并且m₁和m₂各表示整数，满足下列公式(1-1)和(1-2)

0.7{-Φ₁/(2π)+m₁}≤2×OL₁/λ≤1.2{-Φ₁/(2π)+m1} (1-1)，

0.7{-Φ₂/(2π)+m2}≤2×OL₂/λ≤1.2{-Φ₂/(2π)+m₂} (1-2)，

这里，

λ：在发光层中产生的光的光谱的最大峰值波长(或在发光层中产生的光的波长中的期望波长)

Φ₁：在第一界面上反射的光的相移量(单位：弧度)，假设满足-2π＜Φ₁≤0。

Φ₂：在第二界面上反射的光的相移量(单位：弧度)，假设满足-2π＜Φ₂≤0。

这里，m₁的值是0以上的值，m₂的值是独立于m₁的值的0以上的值。(m₁，m₂)的示例包括(m₁，m₂)＝(0，0)、(m₁，m₂)＝(0，1)、(m₁，m₂)＝(1，0)和(m₁，m₂)＝(1，1)。

从发光层的最大发射位置到第一界面的距离L₁是指从发光层的最大发射位置到第一界面的实际距离(物理距离)，从发光层的最大发射位置到第二界面的距离L₂是指从发光层的最大发射位置到第二界面的实际距离(物理距离)。此外，该光学距离也被称为光程长度，并且当光线通过折射率为n距离为L的介质时，通常意味着n×L。这同样适用于以下描述。因此，如果平均折射率由n_ave表示，则满足以下关系式，

OL₁＝L₁×n_ave，

OL₂＝L₂×n_ave。

这里，平均折射率n_ave是通过将折射率与构成有机层(或有机层、第一电极和层间绝缘层)的每一层的厚度的乘积相加，并且将所得之和除以有机层(或有机层、第一电极和层间绝缘层)获得。

第一电极或光反射层和第二电极吸收一部分入射光并反射其余的入射光。因此，在反射光中发生相移。相移量Φ₁和Φ₂可以通过测量构成第一电极或光反射层和第二电极的材料的复折射率的实数部分和虚数部分的值来确定，例如，使用椭偏仪，并且基于这些值执行计算(参见例如，“Principles of Optic”，Max Born和Emil Wolf，1974(PERGAMONPRESS))。有机层、层间绝缘层等的折射率也可以用椭偏仪测量来确定。

构成光反射层的材料的示例包括铝、铝合金(例如，Al-Nd或Al-Cu)、Al/Ti层叠结构、Al-Cu/Ti层叠结构、铬(Cr)、银(Ag)和银合金(例如，Ag-Pd-Cu或Ag-Sm-Cu)。例如，光反射层可以通过以下方法形成：包括电子束气相沉积法、热丝气相沉积法和真空气相沉积法的气相沉积法、溅射法、CVD方法、离子镀覆法；镀覆法(电镀法或非电解镀覆法)；剥离法；激光烧蚀法；溶胶凝胶法等。

如上所述，在具有谐振器结构的有机EL显示装置中，实际上，通过将发射白光的有机层与红色滤色层组合而构成的红色发光元件使在发光层中发出的红光谐振，并从第二电极发出红色的光(在红色区域具有光谱峰值的光)。此外，通过将发射白光的有机层与绿色滤色层组合而构成的绿色发光元件使在发光层中发出的绿光谐振，并从第二电极发出绿色的光(在绿色区域具有光谱峰值的光)。此外，通过将发射白光的有机层与蓝色滤色层组合而构成的蓝色发光元件使在发光层中发出的蓝光谐振，并从第二电极发出蓝色的光(在蓝色区域具有光谱峰值的光)。换言之，仅需要通过确定发光元件产生的光的波长中期望波长λ(具体地说，红光、绿光以及蓝光的波长)，并基于式(1-1)和(1-2)确定红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件中的每一者中的诸如OL₁和OL₂的各种参数，来设计每个发光元件。例如，日本专利申请公开号为2012-216495的第[0041]段公开了一种具有使用有机层作为谐振部分的谐振器结构的有机EL元件，并且描述了有机层的膜厚度优选为80nm以上且500nm以下，更优选为150nm以上且350nm以下，因为从发光点(发光表面)到反射表面的距离可以适当地调整。

在有机EL显示装置中，空穴传输层(空穴供应层)的厚度和电子传输层(电子供应层)的厚度期望基本上彼此相等。可替代地，电子传输层(电子供应层)的厚度可以大于空穴传输层(空穴供应层)的厚度。结果，可以以低驱动电压下的高效率以所需的量将电子充分地供给至发光层。换言之，通过在对应于阳极电极的第一电极和发光层之间布置空穴传输层，并且形成具有小于电子传输层的膜厚度的空穴传输层，可以增加空穴的供给。此外，这使得可以获得载流子平衡，而没有空穴和电子的过量或不足，并且载流子供应量足够大。因此，可以获得高的发光效率。此外，由于没有空穴和电子的过量或不足，载流子平衡几乎不会崩溃，驱动劣化被抑制，并且可以延长发射寿命。

例如，显示装置可以用作构成个人计算机的监视设备，或者电视接收器、移动电话、个人数字助理(PDA)或游戏机中内置的监视设备。可替代地，有机EL显示装置可以应用于电子取景器(EVF)或头戴式显示器(HMD)。可替代地，有机EL显示装置可以构成图像显示装置，在电子纸(例如电子书或电子报纸)、公告板(例如招牌、海报或黑板)、替代打印纸的可重写纸、家用电器的显示单元、点卡的卡片显示单元等、电子广告、或者电子POP中构成图像显示装置。本公开的显示装置可以用作发光设备，并且可以构成各种照明设备，包括用于液晶显示装置的背光设备和平面光源设备。头戴式显示器包括：例如，

(a)安装在观察者头部的框架；以及

(b)附接到框架上上的图像显示装置。

图像显示装置包括：

(A)本公开的显示装置；以及

(B)光学装置，入射有从本公开的显示装置发射的光并从光学装置发射光。

光学装置包括：

(B-1)导光板，从本公开的显示装置入射到导光板上的光通过全反射传播，然后从导光板向观察者发射光；

(B-2)第一偏转装置(例如，包括体积全息衍射光栅膜)，其偏转入射到导光板上的光，使得入射到导光板上的光在导光板中全反射；以及

(B-3)第二偏转装置(例如，包括体积全息衍射光栅膜)，其通过全反射多次偏转在导光板中传播的光，以便通过从导光板的全反射发射在导光板中传播的光。

[第一实施例]

第一实施例涉及根据本公开的第一方面和第二方面的显示装置。在图1的(A)和图2的(A)中示意性地示出了第一实施例的显示装置中的滤色层的布置，并且在图1的(B)和图2的(B)中示出了第一实施例的显示装置沿着图1的(A)中的箭头B-B的概念性横截面图。此外，在图3中示意性地示出了第一实施例的显示装置中的发光区域的布置，并且在图4中示出了用于说明在第一实施例的显示装置中不太可能发生颜色混合的第一实施例的显示装置的概念性横截面图。此外，在图18中示出了第一实施例的显示装置的部分横截面示意图。注意，图18通过忽略滤色层和发光区域之间的位置关系来示出显示装置。具体地，第一实施例的显示装置由有机EL显示装置构成，并且发光元件由有机EL元件构成。此外，第一实施例的显示装置是从第二基板发光的顶发射型显示装置，其中滤色层布置在第一基板的一侧。即，滤色层具有片上滤色层结构(OCCF结构)。

根据第一实施例或稍后描述的第二至第四实施例的显示装置通过在基体26上布置多个发光元件组而形成，每个发光元件组包括：

第一发光元件10R，包括第一发光区域11R和布置在第一发光区域11R上方的第一滤色层51R；

第二发光元件10G，包括第二发光区域11G和布置在第二发光区域11G上方的第二滤色层51G；以及

第三发光元件10B，包括第三发光区域11B和布置在第三发光区域11B上方的第三滤色层51B。

此外，为了根据本公开的第一方面的显示装置进行说明，在第一实施例的显示装置中，在相邻的发光元件中，由连接滤色层51的面向发光区域11的底表面的边界线和发光区域11的端部的最短线段(由图1的(B)和图4中的虚线表示)与基体26(或第一基板41或第二基板42)的法线形成的角(θ)，在发光元件10R、10G和10B中相同。此外，为了根据本公开的第二方面的显示装置进行说明，在相邻的发光元件中，从滤色层51的面向发光区域11的底表面的边界线到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像到发光区域11的端部到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像的距离(L)在发光元件10R、10G和10B中相同。注意，在图1的(B)中，这些正交投影图像由交替的长虚线和短虚线表示。

这里，在根据第一实施例或稍后描述的第二和第三实施例的显示装置中，由滤色层顶面(发光表面)和滤色层顶面(发光表面)之间的边界线包围的滤色层51R、51G、51B的顶面区域在基体26(或第一基板41或第二基板42)上的正交投影图像的面积(S_top)在第一发光元件10R、第二发光元件10G、和第三发光元件10B中相同。此外，发光区域11R、11G、11B的面积(S_EL-R,S_ER-G,S_EL-B)在第一发光元件10R、第二发光元件10G和第三发光元件10B之间不同。具体地，如图1的(B)、图5的(B)和(C)以及图13的(B)和(C)示出的，满足S_EL-G<S_EL-R<S_EL-B。

此外，在根据第一实施例或稍后描述的第二至第四实施例的显示装置中，第一发光区域11R、第二发光区域11G和第三发光区域11B发射白光。

一个像素由第一发光元件10R、第二发光元件10G和第三发光元件10B的三个发光元件构成。第一基板41包括滤色层51R、51G和51B。即，发光区域11R、11G、11B发射白光，并且发光元件10R、10G、10B由发射白光的发光区域11R、11G、11B和滤色层51R、51G、51B的组合构成。有机层33整体发射白光。例如，像素的数目是1920×1080。一个发光元件(显示元件)构成一个子像素，并且发光元件(具体地说，有机EL元件)的数量是像素数量的三倍。第一发光元件10R包括红色滤色层51R并发射红光。第二发光元件10G包括绿色滤色层51G并发射绿光。第三发光元件10B包括蓝色滤色层51B并发射蓝光。

此外，在第一实施例的显示装置中，构成多个发光元件组的第一发光元件10R布置在第一方向上，构成多个发光元件组的第二发光元件10G布置在第一方向上，并且构成多个发光元件组的第三发光元件10B布置在第一方向上。即，在第一实施例的显示装置中，发光元件以条状布置的形式布置。即，子像素以条状布置的形式布置。

在根据第一实施例或稍后描述的第二至第四实施例的显示装置中，具体地说，每个发光元件包括：

第一电极31(31R、31G、31B)；

形成在第一电极31上的有机层33；

形成在有机层33上的第二电极32；

形成在第二电极32上的保护层(平坦化层)34；以及

形成在保护层34上的滤色层51(51R、51G、51B)。此外，来自有机层33的光经由第二电极32、保护层34和滤色层51发射到外部。

具体地，发射红光的第一发光元件10R包括：

第一电极31R；

形成在第一电极31R上的有机层33；

形成在有机层33上的第二电极32；

形成在第二电极32上的保护层(平坦化层)34；以及

形成在保护层34上的滤色层51R。此外，发射绿光的第二发光元件10G包括：

第一电极31G；

形成在第一电极31G上的有机层33；

形成在有机层33上的第二电极32；

形成在第二电极32上的保护层(平坦化层)34；以及

形成在保护层34上的滤色层51G。此外，发射蓝光的第三发光元件10B包括：

第一电极31B；

形成在第一电极31B上的有机层33；

形成在有机层33上的第二电极32；

形成在第二电极32上的保护层(平坦化层)34；以及

形成在保护层34上的滤色层51B。

为发光元件10R、10G和10B分别布置第一电极31R、31G和31B。第二电极32在被发光元件10R、10G和10B共享的同时被布置。即，第二电极32是所谓的固体电极。第一基板41布置在由绝缘材料构成的基体26下方，第二基板42布置在滤色层51R、51G、51B的顶面上方。由第一电极31(31R、31G、31B)和形成在第一电极31上的有机层33彼此接触的区域构成的发光区域11(11R、11G、11B)布置在基体26上。更具体地，第一电极31(31R、31G、31B)形成在基体26上。

发光元件驱动单元布置在含有SiON的基体26下方，并且基于CVD法形成。发光元件驱动单元可以具有已知的电路配置。发光元件驱动单元由形成在与第一基板41相对应的硅半导体基板上的晶体管(具体地说，MOSFET)构成。由MOSFET构成的晶体管20包括形成在第一基板41上的栅极绝缘层22、形成在栅极绝缘层22上的栅极电极21、形成在第一基板41上的源极/漏极区域24、形成在源极/漏极区域24之间的沟道形成区域23、以及围绕沟道形成区域23和源极/漏极区域24的元件隔离区域25。晶体管20经由布置在基体26中的接触插塞27电连接到第一电极31。注意，在附图中示出了用于一个发光元件驱动单元的一个晶体管20。

此外，如上所述，对于每个发光元件，第一电极31布置在基体26上。此外，在基体26上形成具有开口29的绝缘层28，在开口29中第一电极31暴露于底部，并且至少在暴露于开口29底部的第一电极31上形成有机层33。具体地，形成有机层33以覆盖从暴露于开口29的底部的第一电极31到绝缘层28的部分，并且形成绝缘层28以覆盖从第一电极31到基体26的部分。有机层33的实际发光部分被绝缘层28包围。即，被绝缘层28包围的有机层33的区域对应于发光区域。绝缘层28和第二电极32被包含SiN的保护层34覆盖。滤色层51和第二基板42通过含有丙烯酸粘合剂的树脂层(密封树脂层)35在整个表面上彼此粘合。

第二电极32经由形成在显示装置的外周的基体26中的接触孔(接触插塞)(未示出)与发光元件驱动单元连接。注意，与第二电极32连接的辅助电极可以布置在显示装置外周中的第二电极32的下方，并且辅助电极可以与发光元件驱动单元连接。

第一电极31用作阳极电极，第二电极32用作阴极电极。第一电极31包括光反射材料，具体地，是Al-Nd合金。第二电极32包括透明导体材料，例如ITO。第一电极31基于真空气相沉积法和蚀刻法的组合而形成。此外，第二电极32的膜通过成膜粒子的能量小的成膜法形成，例如真空气相沉积法。第一基板41由硅半导体基板构成，第二基板42由玻璃基板构成。

顺便提及，在形成滤色层时，滤色层通常由添加了包含所需颜料或染料的着色剂的光固化树脂构成。然后，例如，基于下面描述的方法在保护层34上形成滤色层。目前，对基底的粘附性，按照用于形成蓝色滤色层51B的材料、用于形成红色滤色层51R的材料和用于形成绿色滤色层51G的材料的顺序变高。

因此，首先，在保护层34上形成具有最高粘附性的绿色滤色层51G。具体地，将构成绿色滤色层51G的感光材料施加到整个表面，并且对所得产品进行曝光、烘烤和显影以形成具有所需图案形状的绿色滤色层51G。注意，如图17A所示，在绿色滤色层51G形成期间，通过应用感光材料、曝光、烘烤和显影获得的绿色滤色层51G的横截面具有倒锥形状的侧表面。

随后，将构成红色滤色层51R的感光材料施加到整个表面，并且对所得产品进行曝光、烘烤和显影以形成具有所需图案形状的红色滤色层51R。注意，如图17B所示，在红色滤色层51R形成期间，通过应用感光材料、曝光、烘烤和显影获得的红色滤色层51R的横截面，在红色滤色层51R不与绿色滤色层51G接触的情况下具有倒锥形状的侧表面。此外，如图17C所示，在红色滤色层51R的一侧与绿色滤色层51G接触的情况下，一侧表面具有倒锥形状，而另一侧表面具有正锥形状。此外，如图17G所示，在红色滤色层51R的两侧都与绿色滤色层51G接触的情况下，两侧表面都具有正锥形状。

最后，将构成蓝色滤色层51B的感光材料施加到整个表面，并且对所得产品进行曝光、烘烤和显影以形成具有所需图案形状的蓝色滤色层51B。注意，蓝色滤色层51B形成在没有形成绿色滤色层51G或红色滤色层51R的区域中。如图17D、图17E或图17F所示，在蓝色滤色层51B形成期间，通过应用感光材料、曝光、烘烤和显影获得的蓝色滤色层51B的横截面具有正锥形状的侧面。

在第一实施例的显示装置中，绿色滤色层51G、红色滤色层51R和蓝色滤色层51B的横截面形状是图17F所示的横截面形状(参见图1的(B)和图2的(B))。

这里，如上所述，在相邻的发光元件中，由连接滤色层51R、51G、51B的面向发光区域11R、11G、11B的底表面的边界线(也可参见图4中的附图标记52₁、52₂和52₃)和发光区域11R、11G、11B的端部(也可参见图4中的附图标记11R_R、11R_L、11G_R、11G_L、11B_R和11B_L)的最短线段(也可参见图4中的虚线)与基体26(或第一基板41或第二基板42)的法线形成的角(θ)，在发光元件10R、10G和10B中相同。此外，从滤色层51R、51G、51B的面向发光区域11R、11G、11B的底表面的边界线(也参见图4中的附图标记52₁、52₂和52₃)到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像(也可参见图4中的交替长短虚线)到发光区域11R、11G、11B的端部到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像(也可参见图4中的交替长短虚线)的距离(L)，在发光元件10R、10G和10B中相同。

如图4中示意性地示出的，当从第二发光区域11G的右端11G_R发射的白光相对于绿色滤色层51G和蓝色滤色层51B之间的底表面的边界线52₁进入图4右侧的蓝色滤色层51B时(参见图4中的箭头G₁)，最初显示为绿色的子像素显示为蓝色。类似地，当从第三发光区域11B的右端11B_R发射的白光相对于蓝色滤色层51B和红色滤色层51R之间的底表面的边界线52₂进入图4右侧的红色滤色层51R时(参见图4中的箭头B₁)，最初显示为蓝色的子像素显示为红色。类似地，当从第一发光区域11R的右端11R_R发射的白光相对于红色滤色层51R和绿色滤色层51G之间的底表面的边界线52₃进入图4右侧的绿色滤色层51G时(参见图4中的箭头R₁)，最初显示为红色的子像素显示为绿色。

此外，当从第三发光区域11B的左端11B_L发射的白光相对于边界线52₁进入图4左侧的绿色滤色层51G时(参见图4中的箭头B₂)，最初显示为蓝色的子像素显示为绿色。类似地，当从第一发光区域11R的左端11R_L发射的白光相对于边界线52₂进入图4左侧的蓝色滤色层51B时(参见图4中的箭头R₂)，最初显示为红色的子像素显示为蓝色。类似地，当从第二发光区域11G的左端11G_L发射的白光相对于边界线52₃进入图4左侧的红色滤色层51R时(参见图4中的箭头G₂)，最初显示为绿色的子像素显示为红色。

以这种方式，例如，当从图4中的“A”所示的对角线右上观看某个像素时，发生颜色混合和颜色偏移，但是，开始发生颜色混合和颜色偏移的角Θ在红色发光元件10R、绿色发光元件10G和蓝色发光元件10B中相同。例如，在某个像素显示白色的情况下，开始发生颜色混合和颜色偏移时的角Θ在发光元件中相同。因此，即使当以大于角Θ的斜角观看某个像素时，该像素也被观察为白色显示，因此不发生颜色混合和颜色偏移。

在发光元件之间的角(θ)不同的情况下，例如，在绿色发光元件中的角(θ)小于红色发光元件和蓝色发光元件中的每个的角(θ)的情况下，例如，当某个像素显示白色时，在绿色发光元件中开始发生颜色混合和颜色偏移时的角Θ最小的情况下，当以大于角Θ_G的斜角观看该某个像素时，原本看起来白色的像素被观察为绿色，并且发生颜色混合和颜色偏移。

如上所述，在根据第一实施例或稍后描述的各种实施例的显示装置中，在相邻的发光元件中，由连接滤色层的底表面的边界线和发光区域的端部的最短线段与基体(或稍后描述的第一基板或第二基板)的法线形成的角(θ)在发光元件中相同，并且从滤色层的底表面的边界线在基体(或稍后描述的第一基板或第二基板)的正交投影图像到发光区域的端部在基体(或稍后描述的第一基板或第二基板)的正交投影图像的距离(L)在发光元件中相同。因此，由于能够减少从某个发光区域发射并且进入构成发光元件中的相邻发光元件的滤色层的光的行为差异，因此不太可能发生颜色偏移和颜色混合。

在第一实施例中，有机层33具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的层叠结构。发光层由至少两个发出不同颜色的发光层构成，并且从有机层33发出的光是白色的。具体地，发光层具有发射红光的红色发光层、发射绿光的绿色发光层和发射蓝光的蓝色发光层的三层被层叠的结构。发光层可以具有发射蓝光的蓝色发光层和发射黄光的黄色发光层的两层被层叠的结构，或者发射蓝光的蓝色发光层和发射黄橙光的橙色发光层的两层被层叠的结构。如上所述，用于显示红色的红色发光元件10R包括红色滤色层51R。用于显示绿色的绿色发光元件10G包括绿色滤色层51G。用于显示蓝色的蓝色发光元件10B包括蓝色滤色层51B。除了滤色层51R、51G、51B和发光区域11R、11G、11B之间的位置关系之外，红色发光元件10R、绿色发光元件10G和蓝色发光元件10B具有相同的配置和结构。

空穴注入层提高空穴注入效率，用作防止泄漏的缓冲层，并且具有例如约2nm到10nm的厚度。空穴注入层包括例如由下式(A)或(B)表示的六氮杂苯并苯衍生物。注意，空穴注入层的端面与第二电极的接触成为像素之间亮度发生变化的主要原因，导致显示图像质量的劣化。

这里，R¹至R⁶各自独立地表示选自氢原子、卤素原子、羟基、氨基、氨基(arulaminogroup)、具有20个以下碳原子的取代或未取代的羰基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的羰基酯基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的烷基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的烯基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有30个以下碳原子的取代或未取代的芳基、具有30个以下碳原子的取代或未取代的杂环基、腈基、氰基、硝基或硅烷基，并且相邻的R^m(m＝1至6)可以环状结构彼此结合。此外，X¹至X⁶独立地表示碳原子或氮原子。

空穴传输层是提高空穴向发光层的传输效率的层。当电场施加到发光层时，电子和空穴重新结合以产生光。电子传输层是提高电子向发光层的传输效率的层，并且电子注入层是提高电子向发光层的注入效率的层。

空穴传输层包括例如具有约40nm的厚度的4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或α-萘基苯基二胺(αNPD)。

发光层是通过颜色混合产生白光的发光层，并且例如通过如上所述层叠红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层而形成。

在红色发光层中，通过施加电场，从第一电极31注入的一部分空穴和从第二电极32注入的一部分电子重新结合以产生红光。例如，这种红色发光层包含红色发光材料、空穴传输材料、电子传输材料和双电荷传输材料中的至少一种材料。红色发光材料可以是荧光材料或磷光材料。厚度约为5nm的红色发光层例如通过将30％质量的2,6-双[(4'-甲氧基二苯基氨基)苯乙烯基]-1,5-二氰基萘(BSN)与4,4-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯(DPVBi)混合而形成。

在绿色发光层中，通过施加电场，从第一电极31注入的一部分空穴和从第二电极32注入的一部分电子重新结合以产生绿光。例如，这种绿色发光层包含绿色发光材料、空穴传输材料、电子传输材料和双电荷传输材料中的至少一种材料。绿色发光材料可以是荧光材料或磷光材料。厚度约为10nm的绿色发光层例如通过将5％质量香豆素6与DPVBi混合而形成。

在蓝色发光层中，通过施加电场，从第一电极31注入的一部分空穴和从第二电极32注入的一部分电子重新结合以产生蓝光。例如，这种蓝色发光层包含蓝色发光材料、空穴传输材料、电子传输材料和双电荷传输材料中的至少一种材料。蓝色发光材料可以是荧光材料或磷光材料。厚度约为30nm的蓝色发光层例如通过将2.5％质量的4,4’-双[2-{4-(N，N-二苯氨基)苯基}乙烯基]联苯(DPAVBi)与DPVBi混合而形成。

例如，厚度约为20nm的电子传输层包括8-羟基喹啉铝(Alq3)。厚度约为0.3nm的电子注入层包括例如LiF、Li₂O等。

然而，构成层的材料是说明性的，并且不限于这些材料。此外，例如，发光层可以由蓝色发光层和黄色发光层构成，或者可以由蓝色发光层和橙色发光层构成。

发光元件10R、10G、10B具有使用有机层33作为谐振部分的谐振器结构。注意，为了适当地调节从发光表面到反射表面的距离(具体地，从发光表面到第一电极31和第二电极32中的每一者的距离)，有机层33的厚度优选为8×10^-8m以上且5×10^-7m以下，且更优选为1.5×10^-7m以上且3.5×10^-7m以下。实际上，在具有谐振器结构的有机EL显示装置中，红色发光元件10R使从发光层中发出的红光谐振，并从第二电极32发出红色的光(在红色区域具有光谱峰值的光)。此外，绿色发光元件10G使从发光层中发出的绿光谐振，并从第二电极32发出绿色的光(在绿色区域具有光谱峰值的光)。此外，蓝色发光元件10B使从发光层中发出的蓝光谐振，并从第二电极32发出蓝色的光(在蓝色区域具有光谱峰值的光)。

以下，将描述用于图18所示的第一实施例的发光元件的制造方法的概要。

[步骤-100]

首先，基于已知的MOSFET制造工艺，在硅半导体基板(第一基板41)上形成发光元件驱动单元。

[步骤-110]

随后，基于CVD法在其整个表面上形成基体26。

[步骤-120]

接着，在位于晶体管20的源极/漏极区域之一上方的基体26的部分中，基于光刻技术和蚀刻技术形成连接孔。此后，例如基于溅射法在包括连接孔的基体26上形成金属层。随后，基于光刻技术和蚀刻技术对金属层进行图案化，从而可以在基体26上形成第一电极31。对于每个发光元件，第一电极31被隔离。同时，可以在连接孔中形成用于将第一电极31和晶体管20电连接的接触孔(接触插塞)27。

[步骤-130]

接下来，例如，基于CVD法在整个表面上形成绝缘层28。此后，基于光刻技术和蚀刻技术在第一电极31上的绝缘层28的一部分中形成开口29。第一电极31暴露于开口29的底部。

[步骤-140]

此后，例如，通过诸如真空气相沉积法或溅射法的PVD法，诸如旋涂法或模涂法的涂覆法，在第一电极31和绝缘层28上形成有机层33的膜。随后，例如，基于真空气相沉积法等在整个表面上形成第二电极32。以这种方式，可以在第一电极31上形成有机层33和第二电极32。

[步骤-150]

此后，例如通过CVD法或PVD法在整个表面上形成保护层34。然后，如上所述，在保护层34上形成滤色层51R、51G、51B。最后，第二基板42和滤色层51R、51G、51B经由树脂层(密封树脂层)35彼此粘合。以这种方式，可以获得图18所示的有机EL显示装置。

[第二实施例]

第二实施例是对第一实施例的修改。在图5的(A)和图6的(A)中示意性地示出了第二实施例的显示装置中的滤色层的布置。在图5的(B)和图6的(B)中示出了沿着图5的(A)中的箭头B-B的第二实施例的显示装置的概念性横截面图。在图5的(C)和图6的(C)中示出了沿着图5的(A)中的箭头C-C的第二实施例的显示装置的概念性横截面图。在图5的(D)和图6的(D)中示出了沿着图5的(A)中的箭头D-D的第二实施例的显示装置的概念性横截面图。在图5的(E)和图6的(E)中示出了沿着图5的(A)中的箭头E-E的第二实施例的显示装置的概念性横截面图。在图7中示意性地示出了第二实施例的显示装置中的发光区域的布置。此外，在图8、图9、图10和图11中示出了用于说明在第二实施例的显示装置中不太可能发生颜色混合的第二实施例的显示装置的概念性横截面图。在图12A、图12B和图12C中示出了在第二实施例的显示装置和常规显示装置中发生颜色混合的机制。

在第二实施例的显示装置中，发光元件组由4个2×2排列的发光元件构成，

第一发光元件10R与两个第三发光元件10B相邻布置，

第二发光元件10G与两个第三发光元件10B相邻布置，以及

两个第三发光元件10B中的每一个与第一发光元件10R和第二发光元件10G相邻布置。即，在第二实施例的显示装置中，发光元件以对角线布置的形式布置。即，子像素的布置是对角线布置。发光元件组占据例如矩形区域。

如图5的(B)和(C)以及图8和图9所示，在第二实施例以及第一实施例中，在相邻的发光元件中，由连接滤色层51R、51G、51B的面向发光区域11R、11G、11B的底表面的边界线52₁、52₂和发光区域11R、11G、11B的端部11B_R、11G_L、11B_R、11R_L的最短线段(由图5的(B)以及图8和图9的虚线表示)与基体26(或第一基板41或第二基板42)的法线形成的角(θ)，在发光元件10R、10G和10B中相同。此外，在相邻的发光元件中，从滤色层51R、51G、51B的面向发光区域11R、11G、11B的底表面的边界线52₁、52₂到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像到发光区域11R、11G、11B的端部11B_R、11G_L、11B_R、11R_L到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像的距离(L)在发光元件10R、10G和10B中相同。注意，在图5的(B)以及图8和图9中，这些正交投影图像由交替的长虚线和短虚线表示。

在第二实施例的显示装置中，绿色滤色层51G、红色滤色层51R和蓝色滤色层51B的横截面形状是图17D和图17E所示的横截面形状(参见图5的(B)和(C)、图6的(B)和(C)以及图8和图9)。

除了上述要点之外，第二实施例的显示装置的配置和结构可以类似于第一实施例中描述的显示装置的配置和结构，因此将省略其详细描述。

如图8示意性地示出的，当从第三发光区域11B的右端11B_R发射的白光相对于蓝色滤色层51B和绿色滤色层51G之间的底表面的边界线52₁进入图8右侧的绿色滤色层51G时，最初显示为蓝色的子像素显示为绿色。在图8中，该区域被显示为“通过来自第三发光区域的光发生颜色混合的区域”。注意，当从第三发光区域11B的右端11B_R发射的白光相对于蓝色滤色层51B和绿色滤色层51G之间的顶表面的边界线53₁进入图8右侧的绿色滤色层51G时，来自最初显示为蓝色的子像素的蓝光被绿色滤色层51G吸收，因此不从绿色滤色层51G发射。在图8中，该区域用“区域-A”表示。

此外，当从第二发光区域11G的左端11G_L发射的白光相对于边界线521进入图8左侧的蓝色滤色层51B时，最初显示为绿色的子像素显示为蓝色。在图8中，该区域显示为“通过来自第二发光区域的光发生颜色混合的区域”。

类似地，如图9中示意性地示出的，当从第三发光区域11B的右端11B_R发射的白光相对于蓝色滤色层51B和红色滤色层51R之间的底表面的边界线52₂进入图9右侧的红色滤色层51R时，最初显示为蓝色的子像素显示为红色。在图8中，该区域被显示为“通过来自第三发光区域的光发生颜色混合的区域”。注意，当从第三发光区域11B的右端11B_R发射的白光相对于蓝色滤色层51B和红色滤色层51R之间的顶表面的边界线53₂进入图8右侧的红色滤色层51R时，来自最初显示为蓝色的子像素的蓝光被红色滤色层51R吸收，因此不从红色滤色层51R发射。在图8中，该区域用“区域-B”表示。

此外，当从第一发光区域11R的左端11R_L发射的白光相对于边界线52₁进入图9左侧的蓝色滤色层51B时，最初显示为红色的子像素显示为蓝色。在图9中，该区域被显示为“通过来自第一发光区域的光发生颜色混合的区域”。

以这种方式，例如，当从图8和图9中的“A”所示的对角线左上观看某个像素时，发生颜色混合和颜色偏移，但是，开始发生颜色混合和颜色偏移的角Θ在红色发光元件10R和绿色发光元件10G中相同。例如，在某个像素显示白色的情况下，开始发生颜色混合和颜色偏移时的角Θ在发光元件中相同。因此，即使当以大于角Θ的斜角观看某个像素时，该像素也被观察为白色显示，因此不发生颜色混合和颜色偏移(参见图12A)。此外，可以防止颜色混合。因此，当从像素发射单色光时，颜色纯度增加，并且色度点较深。因此，色域变宽，并且显示装置的颜色表示的范围变宽。

图10示出了当从第三发光区域11B发射的白光和从第二发光区域11G发射的白光分别通过蓝色滤色层51B和绿色滤色层51G时的Z衰减角和Y衰减角。此外，示出了当从第三发光区域11B发射的白光和从第一发光区域11R发射的白光分别通过蓝色滤色层51B和红色滤色层51R时的Z衰减角和X衰减角。此外，在图12B中示意性地示出了视角与X、Y和Z的相对强度之间的关系，但是在第二实施例的显示装置中，X、Y和Z的相对强度的变化彼此相同，并且不会发生颜色混合和颜色偏移。

在图22的(A)中示意性地示出了常规显示装置中的滤色层的布置，并且在图22的(B)中示出了沿着图22的(A)中的箭头B-B的常规显示装置的概念性横截面图。此外，在图23中示出了用于说明在常规显示装置中发生颜色混合的常规显示装置的各种概念性横截面图。在常规显示装置中，由滤色层顶面(发光表面)和滤色层顶面(发光表面)之间的边界线包围的滤色层51R、51G、51B的顶面区域在基体26(或第一基板41或第二基板42)上的正交投影图像的面积(S_top)，在第一发光元件、第二发光元件、和第三发光元件中相同。此外，发光区域111R、111G和111B的面积也彼此相同。因此，不可避免地，由连接滤色层51R、51G、51B的面向发光区域111R、111G、111B的底表面的边界线和发光区域111R、111G、111B的端部的最短线段与基体26(或第一基板41或第二基板42)的法线形成的角(θ_R-1,θ_R-2,θ_G-1,θ_G-2,θ_B-1,θ_B-2)在发光元件之间不同，并且在相邻的发光元件中，从滤色层51R、51G、51B的面向发光区域111R、111G、111B的底表面的边界线到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像到发光区域的端部到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像的距离(L_R-1,L_R-2,L_G-1,L_G-2,L_B-1,L_B-2)在发光元件之间不同。

如图23中示意性地示出的，当从第二发光区域11G的右端11G_R发射的白光相对于绿色滤色层51G和蓝色滤色层51B之间的底表面的边界线52₁进入图23右侧的蓝色滤色层51B时(参见图23中的箭头G₁)，最初显示为绿色的子像素显示为蓝色。类似地，当从第三发光区域11B的右端11B_R发射的白光相对于蓝色滤色层51B和红色滤色层51R之间的底表面的边界线52₂进入图23右侧的红色滤色层51R时(参见图23中的箭头B₁)，最初显示为蓝色的子像素显示为红色。类似地，当从第一发光区域11R的右端11R_R发射的白光相对于红色滤色层51R和绿色滤色层51G之间的底表面的边界线52₃进入图23右侧的绿色滤色层51G时(参见图23中的箭头R₁)，最初显示为红色的子像素显示为绿色。

此外，当从第三发光区域11B的左端11B_L发射的白光相对于边界线52₁进入图23左侧的绿色滤色层51G时(参见图23中的箭头B₂)，最初显示为蓝色的子像素显示为绿色。类似地，当从第一发光区域11R的左端11R_L发射的白光相对于边界线52₂进入图23左侧的蓝色滤色层51B时(参见图23中的箭头R₂)，最初显示为红色的子像素显示为蓝色。类似地，当从第二发光区域11G的左端11G_L发射的白光相对于边界线52₃进入图23左侧的红色滤色层51R时(参见图23中的箭头G₂)，最初显示为绿色的子像素显示为红色。

以这种方式，例如，当从图23中的“A”所示的对角线右上观看某个像素时，发生颜色混合和颜色偏移，但是，开始发生颜色混合和颜色偏移的角Θ在红色发光元件10R、绿色发光元件10G和蓝色发光元件10B之间不同。例如，在某个像素显示白色的情况下，在绿色发光元件10G中，开始发生颜色混合和颜色偏移时的角Θ最小。因此，当以大于角Θ的斜角观看该某个像素时，看起来白色的像素被观察为绿色，并且发生颜色混合和颜色偏移(参见图12A和图12C)。

[第三实施例]

第三实施例是对第一实施例的修改。在图13的(A)和图14的(A)中示意性地示出了第三实施例的显示装置中的滤色层的布置。在图13的(B)和图14的(B)中示出了如图5的(A)中沿箭头B-B的视图中所示的第三实施例的显示装置的概念性横截面图。在图13的(C)和图14的(C)中示出了如图5的(A)中沿箭头C-C的视图中所示的第三实施例的显示装置的概念性横截面图。在图13的(D)和图14的(D)中示出了如图5的(A)中沿箭头D-D的视图中所示的第三实施例的显示装置的概念性横截面图。在图13的(E)和图14的(E)中示出了如图5的(A)中沿箭头E-E的视图中所示的第三实施例的显示装置的概念性横截面图。在图15中示意性地示出了第三实施例的显示装置中的发光区域的布置。

在第三实施例的显示装置中，发光元件组由一个第一发光元件10R、一个第二发光元件10G和一个第三发光元件10B构成，

第一发光元件10R与第二发光元件10G和第三发光元件10B相邻布置，以及

第二发光元件10G与第一发光元件10R和第三发光元件10B相邻布置。注意，发光元件组占据例如矩形区域。

如图13的(B)、(C)和(E)所示，在第三实施例以及第一实施例中，在相邻的发光元件中，由连接滤色层51R、51G、51B的面向发光区域11R、11G、11B的底表面的边界线和发光区域11R、11G、11B的端部的最短线段(由图13的(B)的虚线表示)与基体26(或第一基板41或第二基板42)的法线形成的角(θ)，在发光元件10R、10G和10B中相同。此外，在相邻的发光元件中，从滤色层51R、51G、51B的面向发光区域11R、11G、11B的底表面的边界线到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像到发光区域11R、11G、11B的端部到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像的距离(L)在发光元件10R、10G和10B中相同。注意，在图13的(B)、(C)和(E)中，这些正交投影图像由交替的长虚线和短虚线表示。

在第三实施例的显示装置中，绿色滤色层51G、红色滤色层51R和蓝色滤色层51B的横截面形状是图17D、图17E和图17G所示的横截面形状(参见图13的(B)和(C)以及图14的(B))。

由于第三实施例中关于每个发光元件中的颜色混合和颜色偏移的讨论基本上类似于第二实施例中关于每个发光元件中的颜色混合和颜色偏移的讨论，因此将省略其详细描述。此外，除了上述要点之外，第三实施例的显示装置的配置和结构可以类似于第二实施例中描述的显示装置的配置和结构，因此将省略其详细描述。

[第四实施例]

第四实施例是对第一实施例的修改。在图16的(A)中示意性地示出了第四实施例的显示装置中的滤色层的布置，并且在图16的(B)中示出了沿着图16的(A)中的箭头B-B的第四实施例的显示装置的概念性横截面图。

在第四实施例的显示装置中，由滤色层顶面(发光表面)和滤色层顶面(发光表面)之间的边界线包围的滤色层51R、51G、51B的顶面区域在基体26(或第一基板41或第二基板42)上的正交投影图像的面积(S_top-R,S_top-G,S_top-B)在第一发光元件10R、第二发光元件10G、和第三发光元件10B之间不同。此外，发光区域11R、11G、11B的面积(S_EL-R,S_EL-G,S_EL-B)在第一发光元件10R、第二发光元件10G和第三发光元件10B中相同。

如图16的(B)所示，在第四实施例以及第一实施例中，在相邻的发光元件10R、10G和10B中，由连接滤色层51R、51G、51B的面向发光区域11R、11G、11B的底表面的边界线和发光区域11R、11G、11B的端部最短线段(由图16的(B)的虚线表示)与基体26(或第一基板41或第二基板42)的法线形成的角(θ)在发光元件10R、10G和10B中相同。此外，在相邻的发光元件中，从滤色层51R、51G、51B的面向发光区域11R、11G、11B的底表面的边界线到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像到发光区域11R、11G、11B的端部到基体26(或第一基板41或第二基板42)的正交投影图像的距离(L)在发光元件10R、10G和10B中相同。注意，在图16的(B)中，这些正交投影图像由交替的长虚线和短虚线表示。

此外，在由滤色层的顶面(发光表面)和滤色层的顶面(发光表面)之间的边界线包围的滤色层51R、51G、51B的顶面区域的中心，和发光区域11R、11G、11B的中心，从基体的法线方向观察的情况下，这些中心彼此不重叠。

由于第四实施例中关于每个发光元件中的颜色混合和颜色偏移的讨论基本上类似于第一实施例中关于每个发光元件中的颜色混合和颜色偏移的讨论，因此将省略其详细描述。此外，除了上述要点之外，第四实施例的显示装置的配置和结构可以类似于第一实施例中描述的显示装置的配置和结构，因此将省略其详细描述。注意，毫无疑问，第四实施例的显示装置的配置和结构可以应用于第二和第三实施例中描述的显示装置。

到目前为止，已经基于优选实施例描述了本公开。然而，本公开不限于这些实施例。在实施例中描述的显示装置(有机EL显示装置)和发光元件(有机EL元件)的配置和结构是说明性的，并且可以适当地改变。用于制造显示装置的方法也是说明性的，并且可以适当地改变。在实施例中，一个像素仅由白色发光元件和滤色层的组合形成的三个子像素构成。然而，例如，一个像素可以由通过添加发射白光的发光元件而获得的四个子像素形成。在这种情况下，仅要求除了发出白光的发光元件之外的三个发光元件满足根据本公开的第一和第二方面的显示装置的要求。

可替代地，第一发光区域11R可以发射红光，第二发光区域11G可以发射绿光，第三发光区域11B可以发射蓝光。即，作为发光元件，可以使用有机层产生红色的发光元件、有机层产生绿色的发光元件、和有机层产生蓝色的发光元件，并且可以通过接合这三种发光元件(子像素)来形成一个像素。即使在具有这种配置的显示装置中，为了提高颜色纯度等的目的而设置滤色层，因此可能发生颜色混合和颜色偏移。

如图19示意性地示出作为第二实施例的显示装置中的修改的发光区域11R、11G和11B的布置，第一发光区域11R和第二发光区域11G中的每一者的平面形状也可以是两个角被切断的形状。注意，图19是仅用于示出第一发光区域11R、第二发光区域11G和第三发光区域11B中的切口的示图，并且通过忽略发光区域的尺寸之间的关系来示出发光区域。

滤色层51R、51G、51B可以形成在第二基板42面向第一基板41的表面侧。在这种情况下，滤色层51R、51G和51B的竖直布置与每个实施例中描述的滤色层51R、51G和51B的竖直布置颠倒。例如，在图1所示的第一实施例中，当从第一基板的侧观看时，蓝色滤色层51B具有倒锥形，绿色滤色层51G具有正锥形。即使在这种情况下，显示装置也需要满足根据本公开的第一和第二方面的显示装置中的要求。这同样适用于其他实施例的显示装置。

在相邻滤色层51R、51G和51B之间的边界区域中，由透明树脂构成的结构(透明树脂层)可以布置在包括滤色层的底表面的底部区域中。在这种模式下，滤色层51R、51G、51B的面向发光区域11R、11G、11B的底表面的边界线位于该结构上。

在该实施例中，发光元件驱动单元由MOSFET构成，但也可以由TFT构成。第一电极和第二电极可各自具有单层结构或多层结构。

可以在发光元件和发光元件之间布置遮光层，以防止从某个发光元件发射的光进入与该发光元件相邻的发光元件，从而引起光串扰。换言之，可以在发光元件和发光元件之间形成凹槽，并且可以用遮光材料填充凹槽以形成遮光层。通过以这种方式布置遮光层，可以降低从某个发光元件发射的光进入相邻发光元件的比率，并且抑制发生颜色混合和整个像素的色度从期望色度偏移的现象的发生。构成遮光层的遮光材料的具体示例包括能够遮光的材料，例如钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、铝(Al)或MoSi₂。遮光层可以通过以下方法形成：包括电子束气相沉积法、热丝气相沉积法和真空气相沉积法的气相沉积法、溅射法、CVD方法、离子镀覆法等。

本公开的显示装置可以应用于镜头可互换的单镜头反射式数字静态相机。图20A示出了数字静态相机的前视图，图20B示出了其后视图。这种镜头可互换的单镜头反射式数字静态相机例如在相机主体211的右前侧具有可互换成像镜头单元(可互换镜头)212，并且在其左前侧具有由成像人员握持的握持部分213。此外，监视器214基本上布置在相机主体211的后表面的中心。电子取景器(目镜窗口)215布置在监视器214的上方。通过透过电子取景器215观看，成像人员可以从视觉上确认从成像透镜单元212引导的被摄体的图像并确定构图。在具有这种配置的镜头可互换的单镜头反射式数字静态相机中，本公开的显示装置可以用作电子取景器215。

可替代地，本公开的显示装置可以应用于头戴式显示器。如图21所示的外部示图，头戴式显示器300由具有主体301、臂302和镜头筒303的透射式头戴式显示器构成。主体301连接到臂302和眼镜310。具体地，主体301在长侧方向上的端部连接到臂302。此外，主体301的一个侧面经由连接构件(未示出)连接到眼镜310。注意，主体301可以直接佩戴在人体头部上。主体301具有用于控制头戴式显示器300的操作的控制基板和内置的显示单元。臂302通过将主体301连接到镜头筒303来相对于主体301支撑镜头筒303。具体地，臂302通过接合到主体301的端部和镜头筒303的端部，将镜头筒303固定到主体301。此外，臂302具有用于将与从主体301提供给镜头筒303的图像相关的数据传送到镜头筒303的内置信号线。镜筒303通过眼镜310的透镜311将经由臂302从主体301提供的图像光投射到佩戴头戴式显示器300的用户的眼睛。在具有上述配置的头戴式显示器300中，本公开的显示装置可以用作内置在主体301中的显示单元。

在布置谐振器结构的情况下，可以在第一电极31下方(在第一基板41的一侧上)形成光反射层37。即，在光反射层37布置在基体26上并且第一电极31布置在覆盖光反射层37的层间绝缘层38上的情况下，仅需要由上述材料构成第一电极31、光反射层37、和层间绝缘层38中的每一个。光反射层37可以连接到接触孔(接触插塞)27，或者不必连接到接触孔(接触插塞)27。

在下文中，参考图24A(第一示例)、图24B(第二示例)、图25A(第三示例)、图25B(第四示例)、图26A(第五示例)、图26B(第六示例)、图27A(第七示例)以及图27B和图27C(第八示例)，将基于第一至第八示例来描述谐振器结构。这里，在第一至第四示例和第七示例中，第一电极的厚度在发光部分中相同，并且第二电极的厚度在发光部分中相同。同时，在第五和第六示例中，第一电极的厚度在发光部分中不同，并且第二电极的厚度在发光部分中相同。此外，在第八示例中，第一电极的厚度在发光部分中可以不同，或者在发光部分中相同，并且第二电极的厚度在发光部分中相同。

注意，在下面的描述中，构成第一发光元件10₁、第二发光元件10₂和第三发光元件10₃的发光部分分别由参考标记30₁、30₂、30₃表示，第一电极表示用参考标记31₁、31₂、31₃表示，第二电极用参考标记32₁、32₂、32₃表示，有机层用参考标记33₁、33₂、33₃表示，光反射层用参考标记37₁、37₂、37₃表示，层间绝缘层用参考标记38₁、38₂、38₃、38₁'、38₂'、38₃'表示。在以下描述中，所使用的材料是说明性的，并且可以适当地改变。

在示出的示例中，根据式(1-1)和(1-2)导出的第一发光元件10₁、第二发光元件10₂和第三发光元件10₃的谐振器长度，按照第一发光元件10₁、第二发光元件10₂和第三发光元件10₃的顺序变短。然而，本公开不限于此，并且仅需要通过适当地设置m₁和m₂的值来确定最佳谐振器长度。

图24A示出具有谐振器结构的第一示例的发光元件的概念图，图24B示出具有谐振器结构的第二示例的发光元件的概念图，图25A示出具有谐振器结构的第三示例的发光元件的概念图，以及图25B示出具有谐振器结构的第四示例的发光元件的概念图。在第一至第六和第八示例中的一些示例中，层间绝缘层38、38'形成在发光部分30的第一电极31下方，并且光反射层37形成在层间绝缘层38、38'下方。在第一至第四示例中，在发光部分30₁、30₂和30₃中，层间绝缘层38、38'的厚度不同。另外，通过适当地设置层间绝缘层38₁、38₂、38₃、38₁'、38₂'、38₃'的厚度，可以设置相对于发光部分30的发射波长引起最佳谐振的光学距离。

在第一示例中，在发光部分30₁、30₂和30₃中，第一界面(在图中由虚线表示)处于相同的水平，而在发光部分30₁、30₂和30₃中，第二界面(在图中交替的长虚线和短虚线表示)处于不同的水平。此外，在第二示例中，在发光部分30₁、30₂和30₃之间，第一界面处于不同的水平，而在发光部分30₁、30₂和30₃之间，第二界面处于相同的水平。

第二示例中，层间绝缘层38₁'、38₂'、38₃'由氧化膜构成，其中光反射层37的表面被氧化。由氧化膜构成的层间绝缘层38'取决于构成光反射层37的材料，例如由氧化铝，氧化钽，氧化钛，氧化镁，氧化锆等构成。光反射层37的表面的氧化可以通过例如以下方法进行。即，将其上形成有光反射层37的第一基板41浸入填充在容器中的电解液中。此外，将阴极设置为面向光反射层37。然后，以光反射层37为阳极对光反射层37进行阳极化。通过阳极氧化获得的氧化膜的膜厚度与作为阳极的光反射层37和阴极之间的电势差成比例。因此，在将与发光部分30₁、30₂和30₃相对应的电压分别施加到光反射层37₁、37₂和37₃的状态下，对光反射层37₁、37₂和37₃进行阳极化。这使得能够在光反射层37的表面上共同形成由具有不同厚度的氧化膜构成的层间绝缘层38₁'，38₂'和38₃'。在发光部分30₁、30₂和30₃之间，光反射层37₁、37₂、37₃的厚度以及层间绝缘层38₁'、38₂'、38₃'的厚度不同。

在第三示例中，基膜39布置在光反射层37下方，并且基膜39的厚度在发光部分30₁、30₂和30₃之间不同。即，在图示的示例中，基膜39的厚度按照发光部分30₁、发光部分30₂和发光部分30₃的顺序变厚。

在第四示例中，在发光部分30₁、30₂和30₃中，在成膜时的光反射层37₁、37₂和37₃的厚度不同。在第三和第四示例中，第二界面在发光部分30₁、30₂和30₃中处于相同的水平，而第一界面在发光部分30₁、30₂和30₃之间处于不同的水平。

在第五和第六示例中，在发光部分30₁、30₂和30₃中，第一电极31₁、31₂和31₃的厚度不同。在发光部分30中，光反射层37的厚度相同。

在第五示例中，第一界面在发光部分30₁、30₂和30₃中处于相同水平，而第二界面在发光部分30₁、30₂和30₃之间处于不同水平。

在第六示例中，基膜39布置在光反射层37下方，并且基膜39在发光部分30₁、30₂和30₃中的厚度不同。即，在图示的示例中，基膜39的厚度按照发光部分30₁、发光部分30₂和发光部分30₃顺序变厚。在第六示例中，第二界面在发光部分30₁、30₂和30₃中处于相同的水平，而第一界面在发光部分30₁、30₂和30₃之间处于不同的水平。

在第七示例中，第一电极31₁、31₂、31₃也用作光反射层，并且在发光部分30₁、30₂和30₃之间，构成第一电极31₁、31₂和31₃的材料的光学常数(具体地，相移量)不同。例如，仅需要由铜(Cu)构成发光部分30₁的第一电极31₁，并且仅需要由铝(Al)构成发光部分30₂的第一电极31₂和发光部分30₃的第一电极31₃。

此外，在第八示例中，第一电极31₁、31₂也用作光反射层，并且在发光部分30₁和30₂之间，构成第一电极31₁、31₂的材料的光学常数(具体地，相移量)不同。例如，仅需要由铜(Cu)构成发光部分30₁的第一电极31₁，并且由铝(Al)构成发光部分30₂的第一电极31₂和发光部分30₃的第一电极31₃。在第八示例中，例如，第七示例被应用于发光部分30₁和30₂，并且第一示例被应用于发光部分30₃。第一电极31₁、31₂和31₃的厚度可以彼此不同或相同。

注意，本公开可以具有以下配置。

[A01]<<显示装置：第一方面>>

一种显示装置，通过在基体上布置多个发光元件组形成，每个发光元件组包括：

第一发光元件，包括第一发光区域和布置在第一发光区域上方的第一滤色层；

第二发光元件，包括第二发光区域和布置在第二发光区域上方的第二滤色层；以及

第一发光元件，包括第三发光区域和布置在第三发光区域上方的第三滤色层，其中

在相邻的发光元件中，由连接滤色层的面向发光区域的底表面的边界线和发光区域的端部的最短线段与基体的法线形成的角在发光元件中相同。

[A02]<<显示装置：第二方面>>

一种显示装置，通过在基体上布置多个发光元件组形成，每个发光元件组包括：

第一发光元件，包括第一发光区域和布置在第一发光区域上方的第一滤色层；

第二发光元件，包括第二发光区域和布置在第二发光区域上方的第二滤色层；以及

第一发光元件，包括第三发光区域和布置在第三发光区域上方的第三滤色层，其中

在相邻的发光元件中，从滤色层的面向发光区域的底表面的边界线到基体上的正交投影图像到发光区域的端部到基体上的正交投影图像的距离在发光元件中相同。

[A03]根据[A01]或[A02]的显示装置，其中，由滤色层顶面和滤色层顶面之间的边界线包围的滤色层顶面区域在基体上的正交投影图像的面积在第一发光元件、第二发光元件、和第三发光元件中相同。

[A04]根据[A03]的的显示装置，其中，发光区域的面积在第一发光元件、第二发光元件、和第三发光元件之间不同。

[A05]根据[A01]或[A02]的显示装置，其中，由滤色层顶面和滤色层顶面之间的边界线包围的滤色层顶面区域在基体上的正交投影图像的面积在第一发光元件、第二发光元件、和第三发光元件之间不同。

[A06]根据[A05]的显示装置，其中，发光区域的面积在第一发光元件、第二发光元件、和第三发光元件中相同。

[A07]根据[A01]至[A06]中任一项的显示装置，其中，第一发光区域、第二发光区域、和第三发光区域发射白光。

[A08]根据[A01]至[A06]中任一项的显示装置，其中，第一发光区域发射红光、第二发光区域发射绿光、和第三发光区域发射蓝光。

[A09]根据[A01]至[A08]中任一项的显示装置，其中

构成多个发光元件组的第一发光元件沿第一方向布置，

构成多个发光元件组的第二发光元件沿第一方向布置，以及

构成多个发光元件组的第三发光元件沿第一方向布置。

[A10]根据[A01]至[A08]中任一项的显示装置，其中

发光元件组由4个2×2排列的发光元件组成，

第一发光元件与两个第三发光元件相邻布置，

第二发光元件与两个第三发光元件相邻布置，以及

两个第三发光元件中的每一个与第一发光元件和第二发光元件相邻布置。

[A11]根据[A01]至[A08]中任一项的显示装置，其中

发光元件组由一个第一发光元件、一个第二发光元件和一个第三发光元件构成，

第一发光元件与第二发光元件和第三发光元件相邻布置，以及第二发光元件与第一发光元件和第三发光元件相邻布置。

参考符号列表

10、10R、10G、10B 发光元件

11、11R、11G、11B 发光区域

11R_R、11R_L、11G_R、11G_L、11B_R、11B_L 发光区域的端部

20 晶体管

21 栅极电极

22 栅极绝缘层

23 沟道形成区域

24 源极/漏极区域

25 元件隔离区域

26 基体

28 绝缘层

27 接触插塞

29 开口

31 第一电极

32 第二电极

33 有机层

34 保护膜

35 树脂层(密封树脂层)

37 光反射层

38 层间绝缘层

39 基膜

41 第一基板

42 第二基板

51R、51G、51B 滤色层

52₁、52₂、52₃、53₁、53₂ 滤色层的边界线。

Claims (20)

1.一种显示装置，通过在基体上排列多个发光元件组而形成，每个所述发光元件组包括：

第一发光元件，包括第一发光区域和布置在所述第一发光区域上方的第一滤色层；

第二发光元件，包括第二发光区域和布置在所述第二发光区域上方的第二滤色层；以及

第一发光元件，包括第三发光区域和布置在所述第三发光区域上方的第三滤色层，其中

在相邻的发光元件中，由连接滤色层的面向发光区域的底表面的边界线和所述发光区域的端部的最短线段与所述基体的法线形成的角，在每个所述发光元件中相同。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，由所述滤色层的顶面和所述滤色层的顶面之间的边界线包围的所述滤色层的顶面区域在所述基体上的正交投影图像的面积，在所述第一发光元件、所述第二发光元件、和所述第三发光元件中相同。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述发光区域的面积在所述第一发光元件、所述第二发光元件、和所述第三发光元件之间不同。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，由所述滤色层的顶面和所述滤色层的顶面之间的边界线包围的所述滤色层的顶面区域在所述基体上的正交投影图像的面积，在所述第一发光元件、所述第二发光元件、和所述第三发光元件之间不同。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述发光区域的面积在所述第一发光元件、所述第二发光元件、和所述第三发光元件中相同。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光区域、所述第二发光区域、以及所述第三发光区域发射白光。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光区域发射红光，所述第二发光区域发射绿光，以及所述第三发光区域发射蓝光。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中

构成所述多个发光元件组的所述第一发光元件沿第一方向排列，

构成所述多个发光元件组的所述第二发光元件沿所述第一方向排列，以及

构成所述多个发光元件组的所述第三发光元件沿所述第一方向排列。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中

所述发光元件组由4个以2×2排列的发光元件构成，

所述第一发光元件与两个所述第三发光元件相邻布置，

所述第二发光元件与两个所述第三发光元件相邻布置，以及

两个所述第三发光元件中的每一个与所述第一发光元件和所述第二发光元件相邻布置。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中

所述发光元件组由一个所述第一发光元件、一个所述第二发光元件和一个所述第三发光元件构成，

所述第一发光元件与所述第二发光元件和所述第三发光元件相邻布置，以及

所述第二发光元件与所述第一发光元件和所述第三发光元件相邻布置。

11.一种显示装置，通过在基体上排列多个发光元件组而形成，每个所述发光元件组包括：

第一发光元件，包括第一发光区域和布置在所述第一发光区域上方的第一滤色层；

第二发光元件，包括第二发光区域和布置在所述第二发光区域上方的第二滤色层；以及

第一发光元件，包括第三发光区域和布置在所述第三发光区域上方的第三滤色层，其中

在相邻的发光元件中，从滤色层的面向发光区域的底表面的边界线在所述基体上的正交投影图像到所述发光区域的端部在所述基体上的正交投影图像的距离，在发光元件中相同。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，由所述滤色层的顶面和所述滤色层的顶面之间的边界线包围的所述滤色层的顶面区域在所述基体上的正交投影图像的面积在所述第一发光元件、所述第二发光元件、和所述第三发光元件中相同。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述发光区域的面积在所述第一发光元件、所述第二发光元件、和所述第三发光元件之间不同。

14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，由所述滤色层的顶面和所述滤色层的顶面之间的边界线包围的所述滤色层的顶面区域在所述基体上的正交投影图像的面积在所述第一发光元件、所述第二发光元件、和所述第三发光元件之间不同。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述发光区域的面积在所述第一发光元件、所述第二发光元件、和所述第三发光元件中相同。

16.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一发光区域、所述第二发光区域、以及所述第三发光区域发射白光。

17.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一发光区域发射红光，所述第二发光区域发射绿光，以及所述第三发光区域发射蓝光。

18.根据权利要求11所述的显示装置，其中

构成所述多个发光元件组的所述第一发光元件沿第一方向排列，

构成所述多个发光元件组的所述第二发光元件沿所述第一方向排列，以及

构成所述多个发光元件组的所述第三发光元件沿所述第一方向排列。

19.根据权利要求11所述的显示装置，其中

所述发光元件组由4个以2×2排列的发光元件构成，

所述第一发光元件与两个所述第三发光元件相邻布置，

所述第二发光元件与两个所述第三发光元件相邻布置，以及

两个所述第三发光元件中的每一个与所述第一发光元件和所述第二发光元件相邻布置。

20.根据权利要求11所述的显示装置，其中

所述发光元件组由一个所述第一发光元件、一个所述第二发光元件和一个所述第三发光元件构成，

所述第一发光元件与所述第二发光元件和所述第三发光元件相邻布置，以及

所述第二发光元件与所述第一发光元件和所述第三发光元件相邻布置。

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