CN112712153B - 记忆卡结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种记忆卡结构及其制造方法，其中该记忆卡结构包含基板、控制器、内存及塑封体。基板包含第一表面、第二表面、贯穿孔及金属接点，贯穿孔贯穿于第一及第二表面，金属接点设置于第一表面上；控制器及内存则设置于第一或第二表面，且电性连接金属接点；塑封体覆盖第一表面的一部分、第二表面、贯穿孔、控制器及内存，而金属接点暴露于塑封体之外。借此，使记忆卡结构可具有较佳的结构强度及防水性。

Description

记忆卡结构及其制造方法

技术领域

本发明是关于一种记忆卡，特别是关于一种具有较佳结构强度及防水性的记忆卡结构及其制造方法。

背景技术

记忆卡问世以来已数十年，且已发展成多种规格，以因应不同的电子装置（如智能型手机、数字相机、计算机）；此外，记忆卡的储存容量及传输速度也不断地提升。

相对而言，记忆卡的结构没有大幅度的改变，其基本上是使用一中空的壳体来将基板固定于其中。然而，中空壳体由于结构强度不足，容易因为外力挤压、弯曲或撞击而破损、断裂。此外，中空壳体通常是由两部分组合而成，其之间会有间隙、无法完全地密合，致使水气或沙尘等能进入至壳体内。因此，记忆卡通常不适合在湿气高或沙尘多的场合（例如海滩）使用，容易使壳体内部的控制器、内存等零件损坏。

综上，记忆卡相关的技术领域中，尚有若干问题待改善。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种记忆卡结构及其制造方法，以使记忆卡结构有较佳的结构强度，不易被外力破坏，也使记忆卡结构有较佳的防水及防尘性。

为达成上述目的，本发明所提供的记忆卡结构包含：一基板，该基板包含一第一表面、一第二表面、至少一贯穿孔及数个金属接点，该至少一贯穿孔贯穿于该第一表面及该第二表面，该数个金属接点设置于该第一表面上；一控制器及一内存设置于该第一表面及该第二表面的其中之一上，且电性连接该数个金属接点；以及一塑封体覆盖该第一表面的一部分、该第二表面、该至少一贯穿孔、该控制器及该内存，其中，该数个金属接点暴露出该塑封体之外。

在一实施例中，该记忆卡结构还包含至少一遮蔽层，该至少一遮蔽层设置于该第一表面及该第二表面的其中之一上，且该至少一遮蔽层部分地覆盖该至少一贯穿孔。

在一实施例中，该基板包含数个贯穿孔，该数个贯穿孔的其中一个被该至少一遮蔽层部分地覆盖，而该数个贯穿孔的其中另一个被该至少一遮蔽层完全覆盖。

在一实施例中，该记忆卡结构还包含至少一金属层，该至少一金属层设置于该第一表面及该第二表面的其中之一上，其中，该至少一金属层位于该至少一贯穿孔的一开口的一侧，或是环绕该开口。

在一实施例中，该基板包含数个贯穿孔，该数个贯穿孔的开口面积彼此不同。

在一实施例中，该贯穿孔为圆形孔、椭圆形孔或矩形孔。

为达成上述目的，本发明所提出的记忆卡结构的制造方法包括：提供一基板，其中，该基板包含一第一表面、一第二表面、至少一贯穿孔及数个金属接点，该至少一贯穿孔贯穿于该第一表面及该第二表面，该数个金属接点设置于该第一表面上；设置一控制器及一内存于该第一表面及该第二表面的其中之一上；将该基板放置于一模具中；使一塑料流入至该模具中，以覆盖该第一表面的一部分、该第二表面、该至少一贯穿孔、该控制器及该内存，其中，该塑料经由该至少一贯穿孔从该第一表面及该第二表面的其中之一流动至另一上；以及使该塑料固化，以形成一塑封体，其中，该数个金属接点暴露于该塑封体之外。

在一实施例中，该塑料是流动至该第二表面上，然后经由该至少一贯穿孔流动至该第一表面上。

在一实施例中，该塑料是流动至该第一表面上，然后经由该至少一贯穿孔流动至该第二表面上。

在一实施例中，该塑料是流动至该第一表面及该第二表面上，然后流动至该至少一贯穿孔中。

在一实施例中，该制造方法还包括设置至少一遮蔽层于该第一表面及该第二表面的其中之一上，并使该至少一遮蔽层部分地覆盖该至少一贯穿孔，以减少该塑料于该至少一贯穿孔中的流速。

在一实施例中，该制造方法还包括设置至少一金属层于该第一表面及该第二表面的其中之一上，并使该至少一金属层位于该至少一贯穿孔的一开口的一侧，或环绕该开口，以增加该塑料于该至少一贯穿孔中的流速。

为让上述目的、技术特征及优点能更明显易懂，下文以较佳的实施例配合所附图式进行详细说明。

附图说明

图1A至图1C分别为依据本发明的较佳实施例的记忆卡结构的前视图、后视图及侧视图；

图1D为沿着图1A所示的AA割面线的剖视图；

图2A及图2B分别为图1A所示的记忆卡结构的基板的前视图及后视图；

图3为图1A所示的记忆卡结构的基板、控制器及内存的示意图；

图4A至图5C分别为依据本发明的另一较佳实施例的记忆卡结构的示意图；

图6为依据本发明的又一较佳实施例的记忆卡结构的制造方法的流程图；

图7A至图7D分别为图6所示的记忆卡结构的制造方法的步骤示意图。

附图中的符号说明：

1 记忆卡结构；10 基板；20 内存；30 控制器；40 塑封体；45 塑料；50 遮蔽层；60金属层；70 模具；100 第一表面；150 区域；200 第二表面；300 贯穿孔；300A 大贯穿孔；300B 小贯穿孔；310 圆形孔；320 椭圆形孔；350 开口；400 金属接点；S201～S204 步骤。

具体实施方式

以下将具体地描述根据本发明的具体实施例；但是，在不背离本发明的精神下，本发明尚可以多种不同形式的实施例来实践，不应将本发明尚保护范围解释为限于说明书所陈述的。

除非上下文中清楚地另外指明，否则本文所用的单数形式「一」也包含数个形式，而所述的方位（如前、后、上、下、内、外等）为相对方位，可依据记忆卡结构的使用状态而定义，并非指示或暗示记忆卡结构需有特定方向的构造、操作或制造，也不该理解为本发明的限制。

请参阅图1A至图1D所示，于本发明的较佳实施例中，一记忆卡结构1被提出，该记忆卡结构1能为各种规格的记忆卡，例如micro SD等，且其基本上包括一基板10、一内存20、一控制器30及一塑封体40；各组件的技术内容依序说明如下。

请一并参阅图2A及图2B所示，基板10为印刷电路板等其上或其内具有导电线路或导电结构（图未示）的板体，基板10包含一第一表面100、一第二表面200、至少一贯穿孔300及数个金属接点400，第一表面100与第二表面200为沿着基板10的厚度方向而相对地设置，也可称为基板10的顶面及底面。至少一贯穿孔300则贯穿于第一表面100及第二表面200（沿着基板10的厚度方向），即贯穿孔300的一开口设置于第一表面100上，而另一开口设置于第二表面200上；或可说，贯穿孔300存在于基板10内。另外，本实施例中，基板10是包含数个贯穿孔300，其可沿着基板10的宽度方向排列成至少一排；而若基板10仅包含一个贯穿孔300时（图未示），贯穿孔300可为沿着基板10的宽度方向延伸的贯穿槽。

该些金属接点400设置于第一表面100上，并与基板10的导电线路或结构相连接；当记忆卡结构1插入至一记忆卡插槽（图未示）时，该些金属接点400可与记忆卡插槽的接点（图未示）相接触，以形成电性连接。

接着请参阅图3所示，内存20及控制器30设置于第一表面100及第二表面200的其中之一上，且电性连接该些金属接点400。详言之，在一般情况下，控制器30及内存20皆设置于基板10的第二表面200上，而不是金属接点400所在的第一表面100上，因为第二表面200能提供较多区域，便于控制器30及内存20的设置。于其他实施例中，因应不同电路布局需求，控制器30及内存20的全部或其中之一也可设置于基板10的第一表面100上。

控制器30可为集成电路芯片（IC chip）等，而内存20可为闪存芯片等，控制器30用以控制内存20的数据存取；此外，控制器30及内存20可具有堆叠结构，或者控制器30堆叠于内存20上。控制器30及内存20可通过基板10的导电线路或结构而电性连接至金属接点400。

除了贯穿孔300外，上述的基板10、控制器30及内存20的技术内容及实现应为本领域中具有通常知识者应为知悉的。

请复参阅图1A至图1D所示，记忆卡结构1的塑封体40是覆盖（包覆）基板10的第一表面100的一部分、第二表面200、贯穿孔300、控制器30及内存20，其中，该些金属接点400暴露于塑封体40之外。更详细而言，塑封体40是树脂等塑料固化而成的一体化结构，该树脂可为环氧树脂等热固型树脂。塑封体40是通过射出成型等方式而一体成形且覆盖基板10等组件。

塑封体40覆盖第一表面100的一部分，而非全部，即第一表面100的金属接点400所在的区域150没有被覆盖，金属接点400得以暴露出。塑封体40可覆盖第二表面200的全部，也可覆盖第一表面100与第二表面200之间的基板10的侧面的全部，但不排除部分地覆盖第二表面200或侧面的可行性。塑封体40覆盖贯穿孔300时，是将贯穿孔300填满。控制器30及内存20被塑封体40覆盖而无法直接观察到。此外，塑封体40直接地接触这些组件而覆盖，其之间应没有间隙。

借此，塑封体40是一体成型的实心结构，而非组装的中空结构，故塑封体40能有较佳的结构强度，不易因为外力损坏或变形，进而能妥善地保护基板10、控制器30及内存20。此外，塑封体40覆盖基板10的大部分，更伸入基板10的贯穿孔300，因此塑封体40与基板10之间能有较佳的结合强度，可承受较大的撞击力道而不分离。再者，塑封体40与基板10之间实质上不存在间隙，故水气或沙尘难以侵入、接触控制器30及内存20；因此，记忆卡结构1经测试后，应可达到如IP68的高防水防尘等级。

接着将说明依据本发明的其他较佳实施例的记忆卡结构的制造方法，该制造方法可制造出相同或类似于上述较佳实施例的记忆卡结构1，故制造方法的技术内容与记忆卡结构1的技术内容可相互参考、应用，相同的部分将省略或简化。

请参阅图6所示的流程，记忆卡结构的制造方法基本上可包含四个步骤S201～S204，而该些步骤的示意图分别如图7A至图7B所示。

具体而言，记忆卡结构1制造时，首先如图7A所示，提供一基板10（步骤S201）。该基板10已事先制造好，且控制器30及内存20（如图3所示）已事先设置于第一表面100及第二表面200的其中之一上。换言之，步骤S201并非基板10、控制器30及内存20的制造及组装，而是将制造及组装完成的基板10、控制器30及内存20准备好，以待后续步骤的进行。

接着如图7B所示，将已设置好控制器30及内存20的基板10放置于一模具70中（步骤S202）；该模具70可为射出成型用的模具，包含上模、下模，且上模及下模之间形成有一模穴，该模穴对应于塑封体40的形状及尺寸。基板10放置于模具70内时，其第一表面100的金属接点400所在的区域150可被模具70接触而覆盖。

而后如图7C所示，使一塑料45流入至模具70中，以覆盖第一表面100的一部分、第二表面200、贯穿孔300、控制器30及内存20（如图3所示），其中，塑料45经由贯穿孔300从第一表面100及第二表面200的其中之一流动至另一上（步骤S203）。塑料45为塑封体40的原料，为熔融的液体，故可于模具70中流动。塑料45先流动至第二表面200上，然后经由贯穿孔300流动至第一表面100上。塑料45会持续地注入模具70的模穴中，以充满模穴。由于基板10的第一表面100的区域150被模具70覆盖，故塑料45无法覆盖该区域150及金属接点400。

最后，如图7D所示，使塑料45固化，以形成塑封体40，其中，该些金属接点400暴露于塑封体40之外（步骤S204）。塑料45被填充于模具70中之后，其温度会渐渐地降低而变成固体。然后，待塑料45固化后，即可连同基板10一起取出于模具70外。如此，可获得一体成型且实心的塑封体40，且塑封体40与基板10紧密地结合。

此外，于步骤S202中，塑料45在模具70中的流动顺序可依照模具70的设计或生产需求来做出各种调整。举例而言，模具70的浇口可位于第一表面100的下方，使得塑料45可先流动至第一表面100上，然后经由贯穿孔300流动至第二表面200上；或者，模具70的浇口可位于第二表面200的上方及第一表面100的下方，使塑料45可同时地流动至第一表面100及第二表面200上，然后再流动至贯穿孔300中。

另说明的是，如图7C所示的步骤S203中，若塑料45过快或过多地通过贯穿孔300而流入第一表面100时，可能会导致第一表面100与第二表面200上的塑料45的压力差异过大或不平均，导致基板10变形。基板10变形会导致封装电性不良等缺失。若塑料45过慢或过少地通过贯穿孔300而流入第一表面100时，同样会造成基板10上下侧的塑料45的压力不当。当内存20为堆叠型结构时，塑料45的流动会被阻碍，也可能会导致基板10上下的塑料45的压力不当。

因此，通常可借由适当的模具设置或制程控制，来调整或控制塑料45的流量或流路，以避免基板10或其他组件的损坏。除此之外，依据本发明的其他较佳实施例，记忆卡结构1及其制造方法尚可包含以下技术内容，以帮助调节塑料45于基板10上下两侧的压力。

请先参阅图4A所示，记忆卡结构1还包含至少一遮蔽层50，该至少一遮蔽层50设置于第一表面100及第二表面200的其中之一上，且该至少一遮蔽层50部分地覆盖贯穿孔300。遮蔽层50可为虚设芯片（dummy die）等块状或板状结构，其设置于第一表面100及/或第二表面200上，且可不需与基板10电性连接。而依据欲遮蔽的贯穿孔300的数目，决定遮蔽层50的尺寸、位置及/或数目；例如，遮蔽层50可为三个，尺寸各为不同，且遮蔽层50遮蔽贯穿孔300的数目也不同。此外，有些贯穿孔300可被遮蔽层50部分地覆盖，有些贯穿孔300可被遮蔽层50完全地覆盖。另一方面，有些贯穿孔300可不被遮蔽层50覆盖；又或者，全部的贯穿孔300皆被遮蔽层50部分地遮蔽。

请一并参阅图7A所示，于制造时，遮蔽层50可于基板10被提供后，再设置于基板10上；或者，于基板10被提供之前，遮蔽层50已设置于基板10上。请一并参阅图7C所示，接着于塑料45注入模具70内时，由于遮蔽层50缩减了贯穿孔300的开口350，减缓了塑料45通过贯穿孔300的流速，进而减少基板10下侧的塑料45的压力。另说明的是，若基板10只包含一个贯穿孔300时，遮蔽层50不宜将贯穿孔300完全地覆盖，否则塑料45无法通过贯穿孔300。

请接着参阅图4B所示，记忆卡结构1可还包含至少一金属层60，可设置于第一表面100及第二表面200的其中之一上，且金属层60可位于贯穿孔300的开口350的一侧。金属层60所设置的第一表面100或第二表面200为塑料45先流至的表面，而金属层60所位于的贯穿孔300的开口350的一侧为塑料45先流至的侧向。沿着基板10的长度方向，贯穿孔300可位于金属层60与内存20之间；此外，贯穿孔300与金属层60可相分隔，但金属层60也可接触到开口350，甚至延伸至贯穿孔300内。另一方面，金属层60的数量可对应该些贯穿孔300的数量，而于其他实施例中，金属层60可少于贯穿孔300的数量，也就是，有些贯穿孔300的一侧可不需金属层60设置，或者，一个金属层60对应两个以上的贯穿孔300（该金属层60此时可为横条状）。

请参阅图4C所示，金属层60也可围绕贯穿孔300的开口350，即金属层60为环圈状，可接触开口350，但也可以与开口350相分隔。

请一并参阅图7A所示，于制造时，上述的金属层60可于基板10被提供后，再设置于基板10上，或者，于基板10被提供之前，金属层60已设置于基板10上。请一并参阅图7C所示，塑料45注入模具70内时，由于金属层60具有不易与塑料45粘着的特性，塑料45可快速地流过金属层60，增加塑料45通过贯穿孔300的流速，也可增加塑封效率。

请参阅图5A至图5C所示，记忆卡结构1的基板10所包含的该些贯穿孔300可有不同的开口面积或形状。如图5A所示，有一部分的贯穿孔(大贯穿孔300A)有较大的开口面积，而另一部分的贯穿孔（小贯穿孔300B）具有较小的开口面积。如图5B至图5C所示，该些贯穿孔300可为圆形孔310或椭圆形孔320。另外，基板10所包含的数个贯穿孔300也可同时地包含圆形孔310、椭圆形孔320或矩形孔（如图5A所示），并且，该些圆形孔310、椭圆形孔320或矩形孔的贯穿孔300的开口面积也可彼此不相同。

请一并参阅第7C所示，于制造时，由于贯穿孔300有不同开口面积或形状，塑料45通过贯穿孔300的流量会不同，例如塑料45可较快地通过内存20前方的大贯穿孔300A而流动至第一表面100，故内存20前方不会累积过多的塑料45而造成压力上升。另一方面，塑料45可较慢地通过小贯穿孔300B，也具有控制塑料45流速的功效。

简而言之，贯穿孔300、遮蔽层50及金属层60每一个的数量、尺寸及/或位置等，皆可依照塑料45的流速及流路需求，做出相应的调整，借此得到制造良率高的塑封体40及记忆卡结构1。此外，可借由模流分析等工具，获得所需的贯穿孔300、遮蔽层50、金属层60的数量、尺寸或位置。

综上所述，本发明所提出的记忆卡结构具有较佳的结构强度，不易被外力破坏，也具有较佳的防水及防尘性。

以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行均等替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种记忆卡结构，其特征在于，包含：

一基板，该基板包含一第一表面、一第二表面、至少一贯穿孔及数个金属接点，该至少一贯穿孔贯穿于该第一表面及该第二表面，该数个金属接点设置于该第一表面上；

一控制器及一内存，设置于该第一表面及该第二表面的其中之一上，且电性连接该数个金属接点；

至少一遮蔽层，该至少一遮蔽层设置于该第一表面及该第二表面的其中之一上，且该至少一遮蔽层部分地覆盖该至少一贯穿孔；以及

一塑封体，以一体成形的方式覆盖该第一表面的一部分、该第二表面、该至少一贯穿孔及至少一遮蔽层、该控制器及该内存，其中，该塑封体会将该至少一贯穿孔填满，且该数个金属接点暴露于该塑封体之外。

2.如权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于，该基板包含数个贯穿孔，该数个贯穿孔的其中一个被该至少一遮蔽层部分地覆盖，而该数个贯穿孔的其中另一个被该至少一遮蔽层完全覆盖。

3.如权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于，还包含至少一金属层，该至少一金属层设置于该第一表面及该第二表面的其中之一上，其中，该至少一金属层位于该至少一贯穿孔的一开口的一侧，或是环绕该开口。

4.如权利要求1或3所述的记忆卡结构，其特征在于，该基板包含数个贯穿孔，该数个贯穿孔的开口面积彼此不同。

5.如权利要求1或3所述的记忆卡结构，其特征在于，该贯穿孔为圆形孔、椭圆形孔或矩形孔。

6.一种记忆卡结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板，其中，该基板包含一第一表面、一第二表面、至少一贯穿孔及数个金属接点，该至少一贯穿孔贯穿于该第一表面及该第二表面，该数个金属接点设置于该第一表面上，且一控制器及一内存设置于该第一表面及该第二表面的其中之一上；

将该基板放置于一模具中；

使一塑料流入至该模具中，以覆盖该第一表面的一部分、该第二表面、该至少一贯穿孔、该控制器及该内存，其中，该塑料经由该至少一贯穿孔从该第一表面及该第二表面的其中之一流动至另一上，并填满该至少一贯穿孔；

设置至少一遮蔽层于该第一表面及该第二表面的其中之一上，并使该至少一遮蔽层部分地覆盖该至少一贯穿孔，以减少该塑料于该至少一贯穿孔中的流速；以及

使该塑料固化，以形成一体成形的一塑封体，其中，该数个金属接点暴露于该塑封体之外。

7.如权利要求6所述的记忆卡结构的制造方法，其特征在于，该塑料流动至该第二表面上，然后经由该至少一贯穿孔流动至该第一表面上。

8.如权利要求6所述的记忆卡结构的制造方法，其特征在于，该塑料流动至该第一表面上，然后经由该至少一贯穿孔流动至该第二表面上。

9.如权利要求6所述的记忆卡结构的制造方法，其特征在于，该塑料流动至该第一表面及该第二表面上，然后流动至该至少一贯穿孔中。

10.如权利要求6至9任一项所述的记忆卡结构的制造方法，其特征在于，还包含：设置至少一金属层于该第一表面及该第二表面的其中之一上，并使该至少一金属层位于该至少一贯穿孔的一开口的一侧，或环绕该开口，以增加该塑料于该至少一贯穿孔中的流速。