CN101625728A - 微型安全数字记忆卡及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种微型安全数字记忆卡,包含一基板、一控制单元、一记忆芯片以及至少一被动元件。基板具有一第一表面以及一第二表面,其中第一表面及/或第二表面设有一预定电路以及一凹槽。控制单元以及记忆芯片与预定电路电性连接。被动元件则设置于基板的凹槽中,并与预定电路电性连接。依据上述结构,被动元件的配置位置可不受被动元件的高度所限制而可任意配置。同时亦揭露一种微型安全数字记忆卡的制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种微型安全数字记忆卡及其制造方法,特别是一种可增加基板设计弹性的微型安全数字记忆卡及其制造方法。
背景技术
近年来,可携式电子装置的体积不断缩小,因此外插式记忆卡亦随之缩小,以符合可携式电子装置轻薄短小的需求。请参照图1a,微型安全数字(micro secure digital,microSD)记忆卡1为了让使用者易于施力以取出记忆卡,因此在microSD记忆卡1的施力侧设有一突出的指扣区11。
请参照图1b,现有的microSD记忆卡包含一基板21、一控制单元24、一记忆芯片25以及被动元件27。基板21的表面布设所需的预定电路211,另设置一阻焊层22于基板21的表面,使部份的预定电路211显露出来以作为导电接点。较佳者,可于导电接点的表面形成金属层23以增加导电接点的可焊性及耐磨性等性质。控制单元24、记忆芯片25以及被动元件27则设置于基板21上,并以引线26或焊材28等导电元件与预定电路211电性连接,以实现microSD记忆卡的相关功能。
然而,有些被动元件27的高度较高,因此,此类被动元件27设置于基板21的位置被限制在对应于指扣区11的区域内。如此,不仅限制配置各式元件位置的选择性,亦增加被动元件与控制单元以及记忆芯片间的距离以及基板的面积。
综上所述,如何改善microSD记忆卡的结构,而可任意配置高度较高的被动元件的位置便是目前极需努力的目标。
发明内容
针对上述问题,本发明目的之一是提出一种微型安全数字记忆卡及其制造方法,其是将高度较高的被动元件设置于基板的凹槽,以使被动元件的配置位置不受被动元件的高度所限制而可任意配置。
为达上述目的,本发明一实施例提供一种微型安全数字记忆卡,包含一基板、一控制单元、一记忆芯片以及至少一被动元件。基板具有一第一表面以及一第二表面,其中第一表面及/或第二表面设有一预定电路以及一凹槽。控制单元以及记忆芯片与预定电路电性连接。被动元件则设置于基板的凹槽中,并与预定电路电性连接。
为达上述目的,本发明另一实施例还提供一种微型安全数字记忆卡的制造方法,包含:提供一基板,其具有一第一表面以及一第二表面,其中第一表面及/或第二表面设有一预定电路以及一凹槽;提供一控制单元以及一记忆芯片,并电性连接控制单元以及预定电路;以及设置至少一被动元件于基板的凹槽中,并电性连接被动元件以及预定电路。
以下通过具体实施例配合所附的图式详加说明,当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。
附图说明
图1a为一俯视图,显示一microSD记忆卡的外观;
图1b为一剖面图,显示一现有的microSD记忆卡的结构;
图2为一剖面图,显示本发明一较佳实施例的microSD记忆卡的结构;
图3为一流程图,显示本发明一较佳实施例的microSD记忆卡的制造流程。
图中符号说明
1 微型安全数字记忆卡
11 指扣区
21 基板
211 预定电路
22 阻焊层
23 金属层
24 控制单元
25 记忆芯片
26 引线
27 被动元件
28 焊材
31 基板
311 第一表面
312 第二表面
313 预定电路
314 凹槽
32 阻焊层
33a、33b 金属层
34 控制单元
35 记忆芯片
36 引线
37 被动元件
38 焊材
S31~S34 microSD记忆卡的制造流程
具体实施方式
请参照图2,本发明的一较佳实施例的微型安全数字(microsecure digital,microSD)记忆卡,包含一基板31、一控制单元34、一记忆芯片35、以及至少一被动元件37。基板31具有一第一表面311以及一第二表面312,且第一表面311及/或第二表面312设有一预定电路313。于一实施例中,第一表面311与第二表面312上的预定电路313可经由一通孔(未图标)而彼此电性连接。此外,基板31的第一表面311设有一凹槽314,但不限于此,若有设计上的需求,亦可于基板31的第二表面312,或分别于第一表面311以及第二表面312设置至少一个凹槽314。
接续上述说明,控制单元34以及记忆芯片35设置于基板31上,并以引线36与预定电路313电性连接。被动元件37则设置于基板31的凹槽314中,并以焊材38与预定电路313电性连接。控制单元34、记忆芯片35以及被动元件37经由基板31上的预定电路313彼此电性连接,即可实现microSD记忆卡的相关功能。
请再参照图2,于一较佳实施例中,基板31可设置一阻焊层32以覆盖基板31上的预定电路313,并使部份的预定电路313显露出来,以作为导电接点。此外,亦可于导电接点的表面形成一金属层33a、33b,以增加导电接点的可焊性及/或耐磨性等特性。举例而言,图2中的金属层33a作为内部导电接点,以供控制单元34、记忆芯片35以及被动元件37经由内部导电接点与预定电性313电性连接;图2中金属层33b则作为外部导电接点,以供外部电子装置经由外部导电接点存取microSD记忆卡。
本发明的microSD记忆卡可更包含封装体(未图标),其可包覆基板31、控制单元34、记忆芯片35以及被动元件37,并显露出外部导电接点。
需注意的是,图2所示实施例的控制单元34以及记忆芯片35设置于同一平面,亦即二者皆设置于基板31的第一表面311。然而,本发明所属技术领域中具有通常知识者亦可将控制单元34以及记忆芯片35以堆叠的方式设置于基板31的第一表面311,例如记忆芯片35设置于基板31的第一表面311,控制单元34则堆叠于记忆芯片35的表面;或者二者堆叠的位置互换。
请参照图2以及图3,本发明一较佳实施例的微型安全数字记忆卡的制造方法包含:提供一基板31,其具有一第一表面311以及一第二表面312,其中第一表面311及/或第二表面312设有一预定电路313,且第一表面311及/或第二表面312设有一凹槽314,举例而言,凹槽314是以激光法、机械法或至少二层基板材料压合而形成(步骤S31);提供一控制单元34,并电性连接控制单元34以及预定电路313(步骤S32);提供一记忆芯片37,并电性连接记忆芯片37以及预定电路313(步骤S33);以及设置至少一被动元件37于基板31的凹槽314中,并电性连接被动元件37以及预定电路313(步骤34)。
较佳者,本发明一较佳实施例的微型安全数字记忆卡的制造方法更包含以一封装体(未图标)包覆基板31、控制单元34、记忆芯片35以及被动元件37,并显露出外部导电接点,以供外部电子装置存取microSD记忆卡。
综合上述,本发明的微型安全数字记忆卡及其制造方法,其将高度较高的被动元件设置于基板的凹槽中,使被动元件的配置位置不受被动元件的高度所限制而可任意配置,如此即可增加基板的设计弹性并缩短元件间的距离。
以上所述的实施例仅是为说明本发明的技术思想及特点,其目的在使本领域技术人员能够了解本发明的内容并据以实施,当不能以之限定本发明的保护范围,即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰,仍应涵盖在本发明权利要求书的范围内。
Claims (16)
1.一种微型安全数字记忆卡,其特征在于,包含:
一基板,其具有一第一表面以及一第二表面,该第一表面及/或该第二表面设有一预定电路,且该第一表面及/或该第二表面设有一凹槽;
一控制单元,其与该预定电路电性连接;
一记忆芯片,其与该预定电路电性连接;以及
至少一被动元件,其设置于该凹槽中,并与该预定电路电性连接。
2.如权利要求1所述的微型安全数字记忆卡,其中,更包含:
一阻焊层,其覆盖部份该预定电路,其中未被覆盖的该预定电路作为一内部导电接点以及一外部导电接点。
3.如权利要求2所述的微型安全数字记忆卡,其中,更包含:
一金属层,其设置于该内部导电接点以及该外部导电接点的表面。
4.如权利要求2所述的微型安全数字记忆卡,其中,更包含:
一封装体,其包覆该基板、该控制单元、该记忆芯片以及该被动元件,并显露出该外部导电接点。
5.如权利要求2所述的微型安全数字记忆卡,其中,该控制单元、该记忆芯片以及该被动元件经由该内部导电接点与该预定电路电性连接。
6.如权利要求1所述的微型安全数字记忆卡,其中,该控制单元以及该记忆芯片以堆叠的方式设置于该第一表面。
7.如权利要求1所述的微型安全数字记忆卡,其中,该控制单元以及该记忆芯片设置于该第一表面。
8.如权利要求1所述的微型安全数字记忆卡,其中,该凹槽是以激光法、机械法或至少二层基板材料压合而形成。
9.一种微型安全数字记忆卡的制造方法,其特征在于,包含:
提供一基板,其具有一第一表面以及一第二表面,该第一表面及/或该第二表面设有一预定电路,且该第一表面及/或该第二表面设有一凹槽;
提供一控制单元,并电性连接该控制单元以及该预定电路;
提供一记忆芯片,并电性连接该记忆芯片以及该预定电路;以及
设置至少一被动元件于该凹槽中,并电性连接该被动元件以及该预定电路。
10.如权利要求9所述的微型安全数字记忆卡的制造方法,其中,该基板更包含一阻焊层,其覆盖部份该预定电路,其中未被覆盖的该预定电路作为一内部导电接点以及一外部导电接点。
11.如权利要求10所述的微型安全数字记忆卡的制造方法,其中,该基板更包含一金属层,其设置于该内部导电接点以及该外部导电接点的表面。
12.如权利要求10所述的微型安全数字记忆卡的制造方法,其中,更包含:
以一封装体包覆该基板、该控制单元、该记忆芯片以及该被动元件,并显露出该外部导电接点。
13.如权利要求10所述的微型安全数字记忆卡的制造方法,其中,该控制单元、该记忆芯片以及该被动元件经由该内部导电接点与该预定电路电性连接。
14.如权利要求9所述的微型安全数字记忆卡的制造方法,其中,该控制单元以及该记忆芯片彼此堆叠地设置于该第一表面。
15.如权利要求9所述的微型安全数字记忆卡的制造方法,其中,该控制单元以及该记忆芯片设置于该第一表面。
16.如权利要求9所述的微型安全数字记忆卡的制造方法,其中,该凹槽是以激光法、机械法或至少二层基板材料压合而形成。
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CN200810130475A CN101625728A (zh) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 微型安全数字记忆卡及其制造方法 |
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Cited By (1)
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CN112712153A (zh) * | 2019-10-25 | 2021-04-27 | 京元电子股份有限公司 | 记忆卡结构及其制造方法 |
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2008
- 2008-07-10 CN CN200810130475A patent/CN101625728A/zh active Pending
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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