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CN112068370A - 阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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CN112068370A
CN112068370A CN202010939538.4A CN202010939538A CN112068370A CN 112068370 A CN112068370 A CN 112068370A CN 202010939538 A CN202010939538 A CN 202010939538A CN 112068370 A CN112068370 A CN 112068370A
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Abstract

本揭示公开一种阵列基板及其制造方法。所述阵列基板包含衬底基板、像素单元及间隔子。像素单元设置在衬底基板上，包含主像素电极、从像素电极及设置在主像素电极及从像素电极之间的薄膜晶体管。主像素电极包含主干电极、多个分支电极，以及多个连接线。主干电极包含相交的第一条状电极及第二条状电极。分支电极从主干电极往对角线方向延伸。连接线从分支电极中的多个延伸且电连接至薄膜晶体管。间隔子设置在像素单元上且在主像素电极及从像素电极之间。间隔子与连接线在衬底基板上的投影不重叠，且两投影在平行于第一条状电极的方向上及在平行于第二条状电极的方向上不重叠。

Description

阵列基板及其制造方法
技术领域
本揭示涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制造方法。
背景技术
曲面面板的曲率设计成与人眼的视网膜的曲率实质相同。因此，相较于平面面板，曲面面板不仅具有更大的显示面积，更具有画面临场感，使人有更舒适的观影感觉。
曲面面板的传统制作方法包含：将红/绿/蓝色阻层和间隙子(Photo Spacer，PS)设置在彩膜(Color Filter，CF)基板上；将CF基板和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板相对设置，以形成面板；以及弯曲面板，以形成曲面面板。在面板弯曲时，相对于TFT阵列基板，CF基板的曲率半径较小，因此CF基板上的红/绿/蓝色阻层和间隙子易发生位移，进而容易产生液晶盒厚(Liquid Crystal Cell Gap)不均和颜色混合(color-Mix)不均。因此，现今的方法一般会将红/绿/蓝色阻层和间隙子设置在TFT阵列基板上，即POA(Photo Spacer on Array)技术，以避免液晶盒厚(Liquid Crystal Cell Gap)不均和颜色混合(color-Mix)不均。
再者，为了提升面板的视角及改善色偏，具有8畴3晶体管(3T_8domain)的聚合物稳定垂直配向(polymer sustained vertical alignment，PSVA)像素逐渐应用于大尺寸面板。
请参阅图1，在现今采用POA技术和PSVA像素的阵列基板500的像素中，间隙子501通常会覆盖及/或临近主像素电极510的连接线511的一部份及连接部512的一部份。请参阅图2A，色阻层502容易因为成膜异常而产生裂纹503。请参阅图2B，外力F会通过间隙子501传递到下方的色阻层502，使裂纹503扩展到连接线511的下方，进而使得连接线511剥离并弯曲。请参阅图2C及图3，在外力F的持续作用下，微小裂纹503逐渐扩大，使连接线511断裂，导致信号无法传输到主像素区，进而导致阵列基板500显示不良。
发明内容
为了解决现今的阵列基板中间隙子附近的主像素电极的连接线易因色阻层裂纹而断裂的技术问题，本揭示提供下列解决方案。
本揭示提供一种阵列基板，其包含衬底基板、像素单元及间隔子。所述像素单元设置在所述衬底基板上，包含主像素电极、从像素电极及设置在所述主像素电极及所述从像素电极之间的第一薄膜晶体管。所述主像素电极包含第一主干电极、多个第一分支电极，以及多个第一连接线。所述第一主干电极包含相交的第一条状电极及第二条状电极。所述第一分支电极从所述第一主干电极往对角线方向延伸。每个第一连接线从相对应的第一分支电极延伸且电连接至所述第一薄膜晶体管。所述间隔子设置在所述像素单元上且在主像素电极及从像素电极之间。所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第一连接线在所述衬底基板上的投影不重叠，且所述两投影在平行于所述第一条状电极的方向上及在平行于所述第二条状电极的方向上不重叠。
在一实施例中，所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第一连接线在所述衬底基板上的投影在平行于所述第一条状电极的方向上相距第一距离，以及在平行于所述第二条状电极的方向上相距第二距离。
在一实施例中，所述主像素电极还包含呈U型的第一边框电极。所述第一连接线中的一个从所述第一边框电极的一端延伸且电连接至所述第一薄膜晶体管。
在一实施例中，所述主像素电极还包含第一连接部，连接所述第一连接线。所述第一薄膜晶体管包含第一漏极及从第一漏极延伸的第一漏极延伸部。第一连接部通过第一通孔与第一漏极延伸部电连接，使得所述第一连接线与所述第一薄膜晶体管电连接。
在一实施例中，所述像素单元还包含第二薄膜晶体管，设置在所述主像素电极及所述从像素电极之间。所述从像素电极包含第二主干电极、多个第二分支电极，以及多个第二连接线。所述第二主干电极包含相交的第三条状电极及第四条状电极。所述第三条状电极与所述第一条状电极平行。所述第二分支电极从所述第二主干电极往对角线方向延伸。每个第二连接线从相对应的第二分支电极延伸且电连接至所述第二薄膜晶体管。所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第二连接线在所述衬底基板上的投影不重叠，且所述两投影在平行于所述第三条状电极的方向上及在平行于所述第四条状电极的方向上不重叠。
在一实施例中，所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第二连接线在所述衬底基板上的投影在平行于所述第三条状电极的方向上相距第三距离，以及在平行于所述第四条状电极的方向上相距第四距离。
在一实施例中，所述从像素电极还包含呈U型的第二边框电极。所述第二连接线中的一个从所述第二边框电极的一端延伸且电连接至所述第二薄膜晶体管。
在一实施例中，所述从像素电极还包含第二连接部，连接所述第二连接线。所述第二薄膜晶体管包含第二漏极及从第二漏极延伸的第二漏极延伸部。第二连接部通过第二通孔与第二漏极延伸部电连接，使得所述第二连接线与所述第二薄膜晶体管电连接。
本揭示还提供一种阵列基板的制造方法，其包含提供衬底基板、设置像素单元于所述衬底基板上，以及设置间隔子于像素单元上。所述像素单元包含主像素电极、从像素电极及设置在所述主像素电极及所述从像素电极之间的第一薄膜晶体管。所述主像素电极包含第一主干电极、多个第一分支电极，以及多个第一连接线。所述第一主干电极包含相交的第一条状电极及第二条状电极。所述第一分支电极从所述第一主干电极往对角线方向延伸。其中每个第一连接线从相对应的第一分支电极延伸且电连接至所述第一薄膜晶体管。所述间隔子设置在所述像素单元上且在主像素电极及从像素电极之间。所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第一连接线在所述衬底基板上的投影不重叠，且所述两投影在平行于所述第一条状电极的方向上及在平行于所述第二条状电极的方向上不重叠。
在一实施例中，所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第一连接线在所述衬底基板上的投影在平行于所述第一条状电极的方向上相距第一距离，以及在平行于所述第二条状电极的方向上相距第二距离。
在本揭示所提供的阵列基板及其制造方法中，通过将主像素电极及/或从像素电极的连接线设置在远离间隔子处，使得间隔子与主像素电极及/或从像素电极的连接线在衬底基板上的投影不重叠，亦在平行于第一/第三条状电极的方向上及在平行于第二/第四条状电极的方向上不重叠。较佳地，间隔子在衬底基板上的投影与主像素电极及/或从像素电极的连接线在衬底基板上的投影在平行于第一/第三条状电极的方向上及在平行于第二/第四条状电极的方向上的距离皆大于0μm。藉此，使得外力难以通过间隙子使色阻层裂纹扩展到远离间隙子的连接线的下方，进而避免连接线断裂。再者，通过将主像素电极及/或从像素电极的连接线设计成多个，使得一个或二个连接线断裂时，信号仍可藉由其它未断裂的连接线传输到主像素电极及/或从像素电极。因此，本发明可有效避免阵列基板显示不良。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为先前技术中的阵列基板的局部示意图。
图2A至图2C为图1的阵列基板沿A-A线的剖面示意图，显示在外力的持续作用下，色阻层的裂纹逐渐扩大，使连接线弯曲，进而断裂的过程。
图3为图1的阵列基板沿A-A线的电子显微镜剖面图，显示连接线因色阻层裂纹而断裂。
图4为本揭示实施例的阵列基板的示意图。
图5为图4的阵列基板的局部放大示意图
图6为图5的阵列基板沿E-E线的剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而非全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。
在本揭示的描述中，术语“上”、“下”、“垂直”、“平行”、“内”、“外”、“中心”及“侧边”等所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本揭示和简化描述。再者，“第一”及“第二”等术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。以“第一”及“第二”等术语限定的特征可明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。
请参阅图4，本揭示提供了一种阵列基板100。所述阵列基板100包含衬底基板1、像素单元及间隔子3。所述像素单元设置在所述衬底基板1上，包含主像素电极10、从像素电极20及设置在所述主像素电极10及所述从像素电极20之间的第一薄膜晶体管30。所述主像素电极10包含第一主干电极11、多个第一分支电极12，以及多个第一连接线13。在此实施例中，第一连接线13的数量为4个，但不限于此。第一连接线13的数量至少为二个。所述第一主干电极11包含相交的第一条状电极111及第二条状电极112。在一实施例中，第一条状电极111及第二条状电极112可垂直相交，但不限于此。所述第一分支电极12从所述第一主干电极11往对角线方向延伸。每个第一连接线13从相对应的第一分支电极12延伸且电连接至所述第一薄膜晶体管30。具体地，所述主像素电极10还包含第一连接部15，连接所述第一连接线13。请参阅图5，所述第一薄膜晶体管30包含第一漏极31、从第一漏极31延伸的第一漏极延伸部311，以及第一源极32。第一连接部15通过第一通孔91与第一漏极延伸部311电连接，使得所述第一连接线13与所述第一薄膜晶体管电30连接。所述间隔子3设置在所述像素单元上且在主像素电极10及从像素电极20之间。所述间隔子3在所述衬底基板1上的投影与所述第一连接线13在所述衬底基板1上的投影不重叠，且所述两投影在平行于所述第一条状电极111的方向上及在平行于所述第二条状电极112的方向上不重叠。所述间隔子3是用于在所述阵列基板100与另一基板组成面板后，保持持液晶盒厚(Liquid Crystal Cell Gap)的均一性。
请参阅图4，在一实施例中，所述间隔子3在所述衬底基板上的投影与所述第一连接线13在所述衬底基板1上的投影在平行于所述第一条状电极111的方向上相距第一距离a，以及在平行于所述第二条状电极112的方向上相距第二距离b。第一距离a与第二距离b皆大于0μm。第一距离a与第二距离b可相同或不同。第一距离a与第二距离b可依实际需要进行调整。
请参阅图4，在一实施例中，所述主像素电极10还包含呈U型的第一边框电极14。所述第一边框电极14的U型缺口朝向所述从像素电极20。亦即，所述第一边框电极14的两端朝向所述从像素电极20。所述第一连接线13中的一个从所述第一边框电极14的一端延伸且电连接至所述第一薄膜晶体管30。
请参阅图4及图5，在一实施例中，所述像素单元还包含第二薄膜晶体管40，设置在所述主像素电极10及所述从像素电极20之间。所述从像素电极20包含第二主干电极21、多个第二分支电极22，以及多个第二连接线23。在此实施例中，第二连接线23的数量为2个，但不限于此。在一实施例中，第二连接线23的数量可为3个、4个或5个以上。第二连接线23的数量至少为二个。所述第二主干电极21包含相交的第三条状电极213及第四条状电极214。在一实施例中，第三条状电极213及第四条状电极214可垂直相交，但不限于此。所述第三条状电极213可与所述第一条状电极111平行。所述第四条状电极214可与所述第二条状电极112平行。所述第二分支电极22从所述第二主干电极21往对角线方向延伸。每个第二连接线23从相对应的第二分支电极22延伸且电连接至所述第二薄膜晶体管40。具体地，所述从像素电极20还包含第二连接部25，连接所述第二连接线23。所述第二薄膜晶体管40包含第二漏极41、从第二漏极41延伸的第二漏极延伸部411，以及第二源极42。第二连接部25通过第二通孔92与第二漏极延伸部411电连接，使得所述第二连接线23与所述第二薄膜晶体管40电连接。所述间隔子3在所述衬底基板1上的投影与所述第二连接线23在所述衬底基板1上的投影不重叠，且所述两投影在平行于所述第三条状电极213的方向上及在平行于所述第四条状电极214的方向上不重叠。
请参阅图4，在一实施例中，所述间隔子3在所述衬底基板1上的投影与所述第二连接线23在所述衬底基板1上的投影在平行于所述第三条状电极213的方向上相距第三距离c，以及在平行于所述第四条状电极214的方向上相距第四距离d。第三距离c与第四距离d皆大于0μm。第三距离c与第四距离d可相同或不同。第三距离c与第四距离d可依实际需要进行调整。
请参阅图4，在一实施例中，所述从像素电极20还包含呈U型的第二边框电极24。所述第二边框电极24的U型缺口朝向所述主像素电极10。亦即，所述第二边框电极24的两端朝向所述主像素电极10。所述第二连接线23中的一个从所述第二边框电极24的一端延伸且电连接至所述第二薄膜晶体管40。
请参阅图5，在一实施例中，所述像素单元还包含第三薄膜晶体管50，设置在所述主像素电极10及所述从像素电极20之间。所述第三薄膜晶体管50包含第三漏极51及第三源极52。在一实施例中，第一薄膜晶体管30的第一源极32与第三薄膜晶体管50的第三源极52一体成型。
请参阅图5，在一实施例中，所述像素单元还包含栅极线60，设置在衬底基板1上，且通过所述第一薄膜晶体管30、所述第二薄膜晶体管40及所述第三薄膜晶体管50，以作为所述第一薄膜晶体管30、所述第二薄膜晶体管40及所述第三薄膜晶体管50的栅极。
请参阅图5，所述像素单元还包含第一公共电极71及第二公共电极72。第一公共电极71及第二公共电极72设置在衬底基板1上。第一公共电极71、第二公共电极72及所述栅极线60同层设置，亦即由第一金属层图案化形成。请参阅图6，图案化的第一金属层201包含第一公共电极71、第二公共电极72及所述栅极线60。
在本实施例中，第一公共电极71包含第一电极711及第二电极712。所述第一电极711设计成方框结构。所述第一电极711在所述衬底基板1在的投影围绕所述主像素电极10在所述衬底基板1上的投影。所述第一电极711在所述衬底基板1的投影与所述第一边框电极14在所述衬底基板1上的投影不重叠、部分重叠或完全重叠。所述第二电极712设计成在平行于所述第一条状电极111的方向上连接所述第一电极711的相对两侧。所述第二电极712在所述衬底基板1在的投影与所述第一条状电极111在所述衬底基板1上的投影部分重叠或完全重叠。
在本实施例中，第二公共电极72设计成I型结构，包含第三电极723、第四电极724及第五电极725。所述第三电极723及所述第四电极724平行于所述从像素电极20的第四条状电极214。第五电极725于所述第三电极723及所述第四电极724。第五电极725的两端分别连接所述第三电极723的中心及所述第四电极724的中心。所述第三电极723及所述第四电极724在所述衬底基板1的投影在所述从像素电极20在所述衬底基板1上的投影的两相对侧。所述第五电极725在所述衬底基板1在的投影与所述第三条状电极213在所述衬底基板1上的投影部分重叠或完全重叠。
在一实施例中，第一公共电极71亦可采用前述第二公共电极72的形状设计。在一实施例中，第二公共电极72亦可采用前述第一公共电极71的形状设计。在一实施例中，第一公共电极71及第二公共电极72亦可采用其它的形状设计。
请参阅图5，所述像素单元还包含第一数据线81及第二数据线82。所述第一数据线81、所述第二数据线82、所述第一漏极31、所述第一漏极延伸部311、所述第一源极32、所述第二漏极41、所述第二漏极延伸部411、所述第二源极42、所述第三漏极51及所述第三源极52为同层设置，亦即由第二金属层图案化形成。请参阅图6，图案化的的第二金属层202包含所述第一数据线81、所述第二数据线82、所述第一漏极31、所述第一漏极延伸部311、所述第一源极32、所述第二漏极41、所述第二漏极延伸部411、所述第二源极42、所述第三漏极51及所述第三源极52。所述图案化的第二金属层202在所述图案化的第一金属层201上。所述图案化的第一金属层201与所述图案化的第二金属层202之间设有第一绝缘层301。所述第一源极32及所述第三源极52可一体成形。所述第一数据线81、所述第二数据线82及所述第二源极42可一体成形。所述第二漏极41、所述第二漏极延伸部411及所述第三漏极51可一体成形。所述第一数据线81与所述第一条状电极111平行。所述第一数据线81在所述衬底基板1在的投影与所述第一条状电极111在所述衬底基板1上的投影部分重叠或完全重叠。所述第二数据线82与所述第三条状电极213平行。所述第二数据线82在所述衬底基板1在的投影与所述第三条状电极213在所述衬底基板1上的投影部分重叠或完全重叠。
在一实施例中，所述阵列基板100可为POA型阵列基板(Photo Spacer on Array)。所述像素单元可为具有8畴3晶体管(3T_8domain)的聚合物稳定配向(polymer sustainedvertical alignment，PSVA)像素。主像素电极10与从像素电极20为同层设置，亦即由第三金属层图案化形成。请参阅图6，所述图案化的第三金属层203包含主像素电极10与从像素电极20。所述图案化的第三金属层203设置在所述图案化的第二金属层202上。所述图案化的第二金属层202与所述图案化的第三金属层203之间由下到上依序设有第二绝缘层302、色阻层303及平坦层304。所述色阻层303包含红色、绿色及蓝色色阻。所述间隔子3设置在所述平坦层304上，不覆盖到所述图案化的第三金属层203。
在一实施例中，所述阵列基板100包含有多个前述像素单元，以阵列方式设置在衬底基板1上。每个像素单元皆以前述方式设有一个前述间隔子3。
在一实施例中，所述阵列基板100可应用于曲面面板。
本揭示还提供了一种阵列基板100的制造方法，其包含下列步骤。
步骤1：提供衬底基板1。
步骤2：设置像素单元于所述衬底基板1上。所述像素单元包含主像素电极10、从像素电极20及设置在所述主像素电极10及所述从像素电极20之间的第一薄膜晶体管30。所述主像素电极10包含第一主干电极11、多个第一分支电极12，以及多个第一连接线13。所述第一主干电极11包含相交的第一条状电极111及第二条状电极112。在一实施例中，第一条状电极111及第二条状电极112可垂直相交，但不限于此。所述第一分支电极12从所述第一主干电极11往对角线方向延伸。在此实施例中，第一连接线13的数量为4个，但不限于此。第一连接线13的数量至少为二个。每个第一连接线13从相对应的第一分支电极12延伸且电连接至所述第一薄膜晶体管30。具体地，所述主像素电极10还包含第一连接部15，连接所述第一连接线13。请参阅图5，所述第一薄膜晶体管30包含第一漏极31及从第一漏极31延伸的第一漏极延伸部311。第一连接部15通过第一通孔91与第一漏极延伸部311电连接，使得所述第一连接线13与所述第一薄膜晶体管电30连接。所述间隔子3设置在所述像素单元上且在主像素电极10及从像素电极20之间。
步骤3：设置间隔子3在所述像素单元上且在主像素电极10及从像素电极20之间。所述间隔子3在所述衬底基板1上的投影与所述第一连接线13在所述衬底基板1上的投影不重叠，且所述两投影在平行于所述第一条状电极111的方向上及在平行于所述第二条状电极112的方向上不重叠。
请参阅图4，在一实施例中，所述间隔子3在所述衬底基板上的投影与所述第一连接线13在所述衬底基板1上的投影在平行于所述第一条状电极111的方向上相距第一距离a，以及在平行于所述第二条状电极112的方向上相距第二距离b。第一距离a与第二距离b皆大于0μm。第一距离a与第二距离b可相同或不同。第一距离a与第二距离b可依实际需要进行调整
请参阅图4，在一实施例中，所述主像素电极10还包含呈U型的第一边框电极14。所述第一边框电极14的U型缺口朝向所述从像素电极20。亦即，所述第一边框电极14的两端朝向所述从像素电极20。所述第一连接线13中的一个从所述第一边框电极14的一端延伸且电连接至所述第一薄膜晶体管30。
请参阅图4及图5，在一实施例中，所述像素单元还包含第二薄膜晶体管40，设置在所述主像素电极10及所述从像素电极20之间。所述从像素电极20包含第二主干电极21、多个第二分支电极22，以及多个第二连接线23。所述第二主干电极21包含相交的第三条状电极213及第四条状电极214。在一实施例中，第三条状电极213及第四条状电极214可垂直相交，但不限于此。所述第三条状电极213可与所述第一条状电极111平行。所述第四条状电极214可与所述第二条状电极112平行。所述第二分支电极22从所述第二主干电极21往对角线方向延伸。在此实施例中，第二连接线23的数量为2个，但不限于此。在一实施例中，第二连接线23的数量可为3个、4个或5个以上。第二连接线23的数量至少为二个。每个第二连接线23从相对应的第二分支电极22延伸且电连接至所述第二薄膜晶体管40。具体地，所述从像素电极20还包含第二连接部25，连接所述第二连接线23。所述第二薄膜晶体管40包含第二漏极41及从第二漏极41延伸的第二漏极延伸部411。第二连接部25通过第二通孔92与第二漏极延伸部411电连接，使得所述第二连接线23与所述第二薄膜晶体管40电连接。所述间隔子3在所述衬底基板1上的投影与所述第二连接线23在所述衬底基板1上的投影不重叠，且所述两投影在平行于所述第三条状电极213的方向上及在平行于所述第四条状电极214的方向上不重叠。
请参阅图4，在一实施例中，所述间隔子3在所述衬底基板1上的投影与所述第二连接线23在所述衬底基板1上的投影在平行于所述第三条状电极213的方向上相距第三距离c，以及在平行于所述第四条状电极214的方向上相距第四距离d。第三距离c与第四距离d皆大于0μm。第三距离c与第四距离d可相同或不同。第三距离c与第四距离d可依实际需要进行调整。
请参阅图4，在一实施例中，所述从像素电极20还包含呈U型的第二边框电极24。所述第二边框电极24的U型缺口朝向所述主像素电极10。亦即，所述第二边框电极24的两端朝向所述主像素电极10。所述第二连接线23中的一个从所述第二边框电极24的一端延伸且电连接至所述第二薄膜晶体管40。
请参阅图4，在一实施例中，所述像素单元还包含第三薄膜晶体管50、栅极线60、第一公共电极71、第二公共电极72、第一数据线81及第二数据线82。关于这些元件的细节及阵列基板100的其它细节请参考前面的说明，在此不再赘述。
在一实施例中，所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第一连接线在所述衬底基板上的投影在平行于所述第一条状电极的方向上相距第一距离，以及在平行于所述第二条状电极的方向上相距第二距离。
在本揭示所提供的阵列基板及其制造方法中，通过将主像素电极及/或从像素电极的连接线设置在远离间隔子处，使得间隔子与主像素电极及/或从像素电极的连接线在衬底基板上的投影不重叠，亦在平行于第一/第三条状电极的方向上及在平行于第二/第四条状电极的方向上不重叠。较佳地，间隔子在衬底基板上的投影与主像素电极及/或从像素电极的连接线在衬底基板上的投影在平行于第一/第三条状电极的方向上及在平行于第二/第四条状电极的方向上的距离皆大于0μm。藉此，使得外力难以通过间隙子使色阻层裂纹扩展到远离间隙子的连接线的下方，进而避免连接线断裂。再者，通过将主像素电极及/或从像素电极的连接线设计成多个，使得一个或二个连接线断裂时，信号仍可藉由其它未断裂的连接线传输到主像素电极及/或从像素电极。因此，本发明可有效避免阵列基板显示不良。
虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的保护范围内，均可作各种更动与润饰。例如，上述实施例是以具有八畴结构的像素单元作为例示，然而本领域的普通技术人员可将本发明的概念应用于具有多畴结构的像素单元中。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其包含：
衬底基板；
像素单元，设置在所述衬底基板上，包含主像素电极、从像素电极及设置在所述主像素电极及所述从像素电极之间的第一薄膜晶体管，其中所述主像素电极包含：
第一主干电极，包含相交的第一条状电极及第二条状电极；
多个第一分支电极，从所述第一主干电极往对角线方向延伸；及
多个第一连接线，其中每个第一连接线从相对应的第一分支电极延伸且电连接至所述第一薄膜晶体管；以及
间隔子，设置在所述像素单元上且在主像素电极及从像素电极之间，其中所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第一连接线在所述衬底基板上的投影不重叠，且所述两投影在平行于所述第一条状电极的方向上及在平行于所述第二条状电极的方向上不重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第一连接线在所述衬底基板上的投影在平行于所述第一条状电极的方向上相距第一距离，以及在平行于所述第二条状电极的方向上相距第二距离。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述主像素电极还包含呈U型的第一边框电极，以及所述第一连接线中的一个从所述第一边框电极的一端延伸且电连接至所述第一薄膜晶体管。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：
所述主像素电极还包含第一连接部，连接所述第一连接线；
所述第一薄膜晶体管包含第一漏极及从第一漏极延伸的第一漏极延伸部；以及
第一连接部通过第一通孔与第一漏极延伸部电连接，使得所述第一连接线与所述第一薄膜晶体管电连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：
所述像素单元还包含第二薄膜晶体管，设置在所述主像素电极及所述从像素电极之间；
所述从像素电极包含：
第二主干电极，包含相交的第三条状电极及第四条状电极，其中所述第三条状电极与所述第一条状电极平行；
多个第二分支电极，从所述第二主干电极往对角线方向延伸；及
多个第二连接线，其中每个第二连接线从相对应的第二分支电极延伸且电连接至所述第二薄膜晶体管；以及
所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第二连接线在所述衬底基板上的投影不重叠，且所述两投影在平行于所述第三条状电极的方向上及在平行于所述第四条状电极的方向上不重叠。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第二连接线在所述衬底基板上的投影在平行于所述第三条状电极的方向上相距第三距离，以及在平行于所述第四条状电极的方向上相距第四距离。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：所述从像素电极还包含呈U型的第二边框电极，以及所述第二连接线中的一个从所述第二边框电极的一端延伸且电连接至所述第二薄膜晶体管。
8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：
所述从像素电极还包含第二连接部，连接所述第二连接线；
所述第二薄膜晶体管包含第二漏极及从第二漏极延伸的第二漏极延伸部；以及
第二连接部通过第二通孔与第二漏极延伸部电连接，使得所述第二连接线与所述第二薄膜晶体管电连接。
9.一种阵列基板的制造方法，其包含：
提供衬底基板；
设置像素单元于所述衬底基板上，其中所述像素单元包含主像素电极、从像素电极及设置在所述主像素电极及所述从像素电极之间的第一薄膜晶体管，所述主像素电极包含：
第一主干电极，包含相交的第一条状电极及第二条状电极；
多个第一分支电极，从所述第一主干电极往对角线方向延伸；及
多个第一连接线，其中每个第一连接线从相对应的第一分支电极延伸且电连接至所述第一薄膜晶体管；以及
设置间隔子于所述像素单元上且在主像素电极及从像素电极之间，其中所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第一连接线在所述衬底基板上的投影不重叠，且所述两投影在平行于所述第一条状电极的方向上及在平行于所述第二条状电极的方向上不重叠。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述间隔子在所述衬底基板上的投影与所述第一连接线在所述衬底基板上的投影在平行于所述第一条状电极的方向上相距第一距离，以及在平行于所述第二条状电极的方向上相距第二距离。
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