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CN111624827B - 阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

阵列基板、显示面板和显示装置 Download PDF

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CN111624827B
CN111624827B CN202010598503.9A CN202010598503A CN111624827B CN 111624827 B CN111624827 B CN 111624827B CN 202010598503 A CN202010598503 A CN 202010598503A CN 111624827 B CN111624827 B CN 111624827B
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姜晓婷
杨海鹏
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BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Display Lighting Co Ltd
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Abstract

本公开是关于一种阵列基板、显示面板和显示装置，属于显示器领域。阵列基板包括：衬底基板，具有显示区域和围绕显示区域的外围区域；多根时钟线，位于衬底基板上且在外围区域内，时钟线沿第一方向延伸；多根时钟引线，位于衬底基板上且在外围区域内，时钟引线沿第二方向延伸，第一方向和第二方向交叉；多个移位寄存器单元，位于衬底基板上且在外围区域内，移位寄存器单元和时钟线之间通过时钟引线连接；补偿电容极板，位于衬底基板上且在外围区域内，补偿电容极板和时钟引线连接，且补偿电容极板与时钟引线不同层，补偿电容极板的面积和所连的时钟引线的长度负相关。

Description

阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示器领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
移位寄存器(Gate On Array，GOA)是指在阵列基板上形成的栅极驱动电路，GOA的优点是可以省去单独的栅极驱动芯片，降低成本。
GOA接收驱动集成电路输出的多路控制信号，然后生成栅极驱动信号控制显示面板。GOA包括级联的多个GOA单元，多个GOA单元沿列方向排布。控制信号包括多路时钟(Clock，CLK)信号，多路CLK信号通过多根CLK线传输，CLK线沿着列方向延伸，且多根CLK线沿着行方向依次排布在显示面板的外围区域，然后通过横向的CLK引线分别连接到对应的GOA单元。
发明内容
本公开实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置。
一方面，本公开实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底基板，具有显示区域和围绕所述显示区域的外围区域；
多根时钟线，位于所述衬底基板上且在所述外围区域内，所述时钟线沿第一方向延伸；
多根时钟引线，位于所述衬底基板上且在所述外围区域内，所述时钟引线沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向交叉；
多个移位寄存器单元，位于所述衬底基板上且在所述外围区域内，所述移位寄存器单元和所述时钟线之间通过所述时钟引线连接；
补偿电容极板，位于所述衬底基板上且在所述外围区域内，所述补偿电容极板和所述时钟引线连接，且所述补偿电容极板与所述时钟引线不同层，所述补偿电容极板的面积和所连的所述时钟引线的长度负相关。
可选地，所述时钟引线包括第一时钟引线，所述第一时钟引线所连的所述补偿电容极板的形状为长条形。
可选地，长条形的所述补偿电容极板沿所述第一方向延伸。
可选地，相邻的两根所述第一时钟引线所连的两个所述补偿电容极板的间距大于长条形的所述补偿电容极板的宽度。
可选地，所述时钟引线还包括第二时钟引线，所述第二时钟引线所连的所述补偿电容极板包括沿所述第一方向依次相连的第一段和第二段，在所述第二方向上，所述第一段和第二段的宽度不同，所述第二时钟引线的长度小于所述第一时钟引线的长度。
可选地，所述补偿电容极板在所述衬底基板上的正投影，位于所述补偿电容极板所连的所述时钟线在所述衬底基板上的正投影内。
可选地，所述补偿电容极板在所述衬底基板上的正投影和其他的时钟引线在所述衬底基板上的正投影的最小间距大于第一阈值，所述其他的时钟引线是指不与所述补偿电容极板相连的时钟引线。
可选地，多根所述时钟引线沿所述第一方向排列并分为多个周期，每个所述周期内的所述时钟引线按从短到长的顺序依次排布。
可选地，每个所述周期内最短的两根所述时钟引线所连的所述补偿电容极板包括沿所述第一方向依次相连的第一段和第二段，在所述第二方向上，所述第一段和第二段的宽度不同。
可选地，每根所述时钟引线分别通过多个第一过孔与所述补偿电容极板连接。
可选地，所述阵列基板还包括：
像素电极，位于所述衬底基板上且在所述显示区域内；
所述补偿电容极板与所述像素电极同层。
可选地，所述阵列基板还包括：
其他信号线，位于所述衬底基板上且在所述外围区域内，所述其他信号线沿所述第一方向延伸，所述时钟线位于所述其他信号线和所述移位寄存器单元之间。
可选地，所述阵列基板还包括：
叉指状的连接块，所述时钟引线的一端通过所述连接块与所述补偿电容极板连接；
在所述第一方向上，所述连接块的宽度大于所述时钟引线的宽度。
另一方面，本公开实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
如前所述的阵列基板；
彩膜基板，与所述阵列基板对盒设置。
可选地，所述彩膜基板，包括：金属遮光层；
所述补偿电容极板、所述时钟引线和所述时钟线分别与所述金属遮光层形成电容；
所述补偿电容极板与所述金属遮光层形成的电容、所述补偿电容极板所连的所述时钟引线与所述金属遮光层形成的电容之和在第一电容范围内，所述第一电容范围的上限和下限之差小于第二阈值。
另一方面，本公开实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括如前所述的阵列基板。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
在本公开实施例中，通过设置补偿电容极板来对各个移位寄存器单元对应的时钟引线形成的电容进行补偿，补偿电容的面积和所连的时钟引线的长度负相关，从而使得原本时钟引线形成的电容越小的移位寄存器单元，对应的补偿电容越大，从而保证各个移位寄存器单元对应的时钟引线与金属遮光层形成的电容和补偿电容极板与金属遮光层形成的电容之和相当，使得各个移位寄存器单元对应的时钟引线的负载匹配，从而保证了通过时钟线和时钟引线传输到各个移位寄存器单元的时钟信号的均一性，进而保证了显示面板的显示均一性，提高了显示面板的显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术中的阵列基板的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图3是相关技术中时钟引线的结构示意图；
图4是本公开实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图5是本公开实施例提供的一种外围区域的结构示意图；
图6是本公开实施例提供的一种外围区域的结构示意图；
图7示出了时钟引线及补偿电容极板的位置关系图；
图8是图6所示的结构中S处的放大示意图；
图9是本公开实施例提供的一种外围区域的结构示意图；
图10是本公开实施例提供的一种阵列基板的显示区域的膜层示意图；
图11是本公开实施例提供的一种阵列基板的外围区域的膜层示意图；
图12是本公开实施例提供的另一种阵列基板的外围区域的膜层示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
下面先结合图1对阵列基板的结构进行说明，参见图1，阵列基板包括衬底基板100、栅线G、数据线S和晶体管T。
衬底基板100具有显示区域101和围绕显示区域101的外围区域102。
栅线G和数据线S位于显示区域101中。数据线S沿着第一方向A延伸，栅线G沿着第二方向B延伸，第一方向A和第二方向B交叉。栅线G和数据线S在显示区域101中限制出多个像素区域101A。每个像素区域101内均设置有1个晶体管T，例如薄膜晶体管。栅线G与晶体管T的控制极连接，数据线与晶体管T的第一极连接，晶体管T的第二极连接存储电容Cs。其中，控制极为晶体管T的栅极，第一极和第二极分别为晶体管T的源极和漏极中的一个。
阵列基板还包括时钟线110、时钟引线120和移位寄存器单元130。
时钟(CLK)线110、时钟引线120和移位寄存器单元(GOA)130均位于外围区域102中。时钟线110沿第一方向A延伸，时钟引线120沿第二方向B 延伸。
时钟线110通过时钟引线120连接移位寄存器单元130，每个移位寄存器单元130的输入对应一根时钟引线120和一根时钟线110，每个移位寄存器单元 130的输出对应一根栅线G。
图2是本公开实施例提供的显示面板的结构示意图。参见图2，显示面板包括：阵列基板10和彩膜基板20，阵列基板10和彩膜基板20对盒设置形成液晶盒，液晶盒内注有液晶30。
液晶30设置在显示区域101，显示区域101和外围区域102之间通过封框胶40隔离。
彩膜基板通常包括衬底200和形成在衬底200上金属遮光层210和彩膜层 220。
其中，金属遮光层210，也称黑矩阵(Black Matrix，BM)，金属遮光层210 覆盖衬底基板100的外围区域102，在与显示区域101对应的部分，金属遮光层 210上具有多个透光区域，透光区域被彩膜层220所填充。
前述时钟线110和金属遮光层210之间具有电容，前述时钟引线120和金属遮光层210之间具有电容，连接各个移位寄存器单元的时钟线110长度相等，但连接各个移位寄存器单元的时钟引线120长度不等，导致连接各个移位寄存器单元的时钟引线120的面积存在差异，因而使得连接各个移位寄存器单元的时钟引线120与金属遮光层210的交叠面积不同，造成形成的电容大小不同，导致信号均一性较差，从而影响显示面板的显示均一性。
为了解决因为电容大小不同造成的均一性问题，相关技术中的解决方案如图3所示，通过在时钟引线120中弯折来平衡各个移位寄存器单元的时钟引线 120与金属遮光层210形成的电容大小。
但是对于大尺寸8k显示面板而言，由于像素行数多，尺寸小，每行像素的宽度小，导致没有足够空间进行时钟引线的弯折补偿。但是不补偿电容，又会造成每根时钟线和时钟引线上的负载不同，再加上大尺寸8k产品本身时钟线和时钟引线电阻大的特点，这使得显示面板容易出现因电容差异大而形成的横纹不良，显示品质差。
图4是本公开实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。参见图4，所述阵列基板包括：衬底基板100、多根时钟线110、多根时钟引线120、多个移位寄存器单元130和补偿电容极板140。
其中，衬底基板100具有显示区域101和围绕显示区域的外围区域102；时钟线110位于所述衬底基板100上且在所述外围区域102内，所述时钟线110 沿第一方向延伸；时钟引线120位于所述衬底基板100上且在所述外围区域102 内，所述时钟引线120沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向交叉；移位寄存器单元130位于所述衬底基板100上且在所述外围区域102内，所述移位寄存器单元130和所述时钟线110之间通过所述时钟引线120连接；补偿电容极板140位于所述衬底基板100上且在所述外围区域102内，所述补偿电容极板140和所述时钟引线120连接，且所述补偿电容极板140与所述时钟引线120不同层，所述补偿电容极板140的面积和所连的所述时钟引线120的长度负相关。
这里，负相关是指，补偿电容极板140所连的所述时钟引线120的长度越大，补偿电容极板140的面积越小；补偿电容极板140所连的所述时钟引线120 的长度越小，补偿电容极板140的面积越大。
在本公开实施例中，通过设置补偿电容极板来对各个移位寄存器单元对应的时钟引线形成的电容进行补偿，补偿电容的面积和所连的时钟引线的长度负相关，从而使得原本时钟引线形成的电容越小的移位寄存器单元，对应的补偿电容越大，从而保证各个移位寄存器单元对应的时钟引线与金属遮光层形成的电容和补偿电容极板与金属遮光层形成的电容之和相当，使得各个移位寄存器单元对应的时钟引线的负载匹配，从而保证了通过时钟线和时钟引线传输到各个移位寄存器单元的时钟信号的均一性，进而保证了显示面板的显示均一性，提高了显示面板的显示品质。
另外，所述补偿电容极板140与所述时钟引线120不同层，相比弯折时钟引线120的方式，不占用时钟引线120所在层的面积，补偿电容极板140更好布置，能够保证该补偿电容极板140设计可以应用在大尺寸8k等产品内。
如图4所示，沿着第二方向B，时钟引线120的长度越来越长，相应地，补偿电容极板140的面积越来越小。
图5是本公开实施例提供的一种外围区域的结构示意图。参见图5，多根所述时钟引线120沿所述第一方向A排列并分为多个周期M，每个所述周期M包括多根时钟引线120，每个所述周期M内的所述时钟引线120按从短到长的顺序依次排布。也即前述附图4仅示出了一个周期的时钟引线120，图5示出了3 个周期的时钟引线120。时钟线110可以分时为各个周期的时钟引线120对应的移位寄存器单元130提供时钟信号。
在图5中，每个所述周期M内的所述时钟引线120，从上到下按照从短到长的顺序依次排布。在其他实现方式中，每个所述周期M内的所述时钟引线120，也可以从下到上按照从短到长的顺序依次排布。
如图4和图5所示，在本公开实施例中，补偿电容极板140的形状可以为矩形。采用矩形的补偿电容极板140，方便显示面板的设计和制作。
在其他实施例中，补偿电容极板140的形状也可以为其他规则形状，例如圆形、三角形等，补偿电容极板140的形状也可以为不规则形状。
图6是本公开实施例提供的一种外围区域的结构示意图。参见图6，补偿电容极板140的形状同时存在矩形和不规则形状。其中，矩形可以是图6中所示的长条形。
图7单独示出了时钟引线120及补偿电容极板140的位置关系图。参见图6 和图7，时钟引线120包括第一时钟引线1201，所述第一时钟引线1201所连的所述补偿电容极板140的形状为长条形。
时钟引线120还包括第二时钟引线1202，第二时钟引线1202所连的补偿电容极板140包括沿第一方向排列的第一段141和第二段142，在第二方向上，所述第一段141和第二段142的宽度不同，所述第二时钟引线1202的长度小于所述第一时钟引线1201的长度。
在本公开实施例中，第一段141和第二段142的长度可以不同，例如第一段141的长度大于第二段142的长度，或者第二段142的长度大于第一段141 的长度。
如图6所示，第一时钟引线1201长度较大，对应的补偿电容极板140的尺寸通常较小，此时将补偿电容极板140的形状设计为长条形既方便制作，又方便控制与其它时钟线和时钟引线的距离。第二时钟引线1202长度较小，对应的补偿电容极板140的尺寸通常较大，此时将补偿电容极板140的形状设计为长条形会造成补偿电容极板140长度过大，这样会导致补偿电容极板140与其他时钟引线120发生重叠。为了保证形成的电容均一性，将补偿电容极板140的形状设计为宽度不一的几段，可以减小补偿电容极板的长度，避免补偿电容极板与其他时钟走线交叠，减少干扰。
通常，长条形的所述补偿电容极板140沿所述第一方向A延伸，可以保证与其它时钟线和时钟引线的距离，同时方便设计和制作。
参见图7，相邻的两根所述第一时钟引线1201所连的两个所述补偿电容极板140的间距D大于长条形的所述补偿电容极板140的宽度W。这样设置可以保证相邻的补偿电容极板之间的距离，避免相互干扰影响。
这里，两个所述补偿电容极板140的间距D可以是指两个所述补偿电容极板140的最小距离。
再次参见图6和图7，补偿电容极板140的第一段和第二段均为矩形，在其他实现方式中，第一段和第二段也可以为其他规则或不规则形状。
再次参见图6和图7，所述第二时钟引线1202所连的所述补偿电容极板140 的形状为L型，此时补偿电容极板140包括一个第一段和一个第二段。在其他实现方式中，第二时钟引线1202所连的所述补偿电容极板140的形状也可以为其他形状，例如T形、十字型等。以十字型为例，此时补偿电容极板140包括依次设置的第一段、第二段和第一段，当然第一段和第二段的数量在其他实现方式中也可以更多或更少。
在本公开实施例中，所述补偿电容极板140在所述衬底基板100上的正投影，位于所述补偿电容极板140所连的所述时钟线110在所述衬底基板100上的正投影内。这样设计，可以避免补偿电容极板140与不相连的时钟线110交叠，且能够保持一定距离，减小补偿电容极板140与不相连的时钟线110之间的干扰。
在本公开实施例中，所述补偿电容极板140在所述衬底基板100上的正投影和其他的时钟引线120在所述衬底基板100上的正投影的最小间距C大于第一阈值，所述其他的时钟引线120是指不与所述补偿电容极板140相连的时钟引线120。
图7示出了同一个补偿电容极板140和两个相邻的其他时钟引线120的投影的最小间距C，两个最小间距C都需要大于第一阈值。第一阈值的具体数值，可以根据显示面板的尺寸、电压等参数设定，以避免补偿电容极板与其他的时钟引线120间产生较大干扰。
在图6和图7所示的显示面板中，每个所述周期内最短的两根所述时钟引线120为第二时钟引线，每个所述周期内最短的两根所述时钟引线120所连的所述补偿电容极板140包括沿所述第一方向依次相连的第一段141和第二段 142。
在其他实现方式中，每个所述周期内第二时钟引线的数量也可以为1根或多根。
在本公开实施例中，每根所述时钟引线120分别通过多个第一过孔与所述补偿电容极板140连接，通过多个过孔连接保证电连接的稳定性。
示例性地，时钟引线120的一端通过多个第一过孔与所述补偿电容极板140 连接，另一端与移位寄存器单元130连接。
图8是图6所示的结构中S处的放大示意图。参见图7和图8，每根时钟引线120的一端可以设置有一个连接块121，连接块121通过多个第一过孔(图中未示出)与补偿电容极板140连接，例如图中所示的3个。同样地，连接块121 也可以通过多个过孔与时钟线110连接，例如3个等。
示例性地，连接块121的形状为叉指状，也即连接块121包括连接块本体和连接在连接块本体上的多个凸点122，多个凸点122沿着第一方向A排列，连接块通过多个凸点122与第一过孔连接，从而连接到补偿电容极板140。这样设计方便时钟引线120和补偿电容极板140的连接，且通过多个过孔连接，保证二者的连接强度。
在第一方向A上，连接块121的宽度大于时钟引线120的宽度。一方面，保证连接块121有足够的面积，实现和补偿电容极板140之间通过多个过孔连接，另一方面，设计连接块进行连接，时钟引线120的宽度不用设计得过大，使得该连接方案可以满足大尺寸8k显示面板像素行数多尺寸小的场景。
在图6所示的结构中，多根时钟引线120均匀间隔布置，每根时钟引线120 均连接在补偿电容极板140的中部。图9是本公开实施例提供的一种外围区域的结构示意图。在图9所示的结构中，多根时钟引线120并非均匀间隔布置，此时，部分时钟引线120连接在补偿电容极板140的中部，部分时钟引线120 连接在补偿电容极板140的端部，以保证各个补偿电容极板140与不相连的时钟引线间的距离。
再次参见图6和图9，所述阵列基板还包括：其他信号线150。其他信号线 150位于所述衬底基板100上且在所述外围区域102内，所述其他信号线150沿所述第一方向延伸，所述时钟线110位于所述其他信号线150和所述移位寄存器单元130之间。
示例性地，其他信号线150可以为起始信号线、或者公共电极信号线。
如图6和图9所示，在本公开实施例中，时钟线110可以为网状线，将时钟线110设计成网状线的目的是方便图形化工艺，图形化工艺时，光从阵列基板的底部向上照射，网状时钟线110便于透光。
下面结合图10～图12对阵列基板在显示区域和外围区域的膜层结构进行说明。
图10是本公开实施例提供的一种阵列基板的显示区域的膜层示意图。参见图10，在显示区域，阵列基板包括依次层叠设置的衬底基板100、栅极(Gate) 层111、栅极绝缘(Gate Insulator，GI)层112、有源(Active)层113、源漏极 (Source Drain，SD)层114、绝缘保护层115和像素电极层116。
薄膜晶体管的源极和漏极均位于源漏极层114中，栅极位于栅极层111中，栅极、源极、漏极和有源层构成薄膜晶体管。当然图10所示结构仅为一种示例，在其他实施例中，阵列基板也可以采用其他膜层结构，只要能够实现阵列基板的功能即可。例如图10所示结构对应底栅型薄膜晶体管，在其他实施例中，对应的薄膜晶体管也可以为顶栅型或者双栅型薄膜晶体管。
在本公开实施例中，栅极绝缘层112位于有源层113与栅极层111之间，通过栅极绝缘层112将有源层113与栅极层111隔开，保证有源层113与栅极层 111之间相互隔开能够独立传输信号。
示例性地，衬底基板100可以为透明基板，例如玻璃基板、塑料基板等。栅极层111和源漏极层114可以为金属层或氧化铟锡层。保证栅极层111和源漏极层114的电信号传输的稳定性。栅极层111和源漏极层114的材料可以相同也可以不同。栅极绝缘层112和绝缘保护层115可以为无机绝缘层，例如氮化硅层或者氮氧化硅层，也可以为有机绝缘层，例如环形树脂绝缘层。氮化硅、氮氧化硅和环形树脂的绝缘性好，保证栅极绝缘层112和绝缘保护层115的绝缘性。有源层113可以为多晶硅或单晶硅层。像素电极层116可以为透明导电薄膜层，例如氧化铟锡层。
如图10所示，绝缘保护层115上开设有第二过孔151，像素电极层116中的像素电极160通过第二过孔151与薄膜晶体管的源极连接。
可选地，阵列基板还可以包括位于栅极层111下方的另一透明导电薄膜层，该透明导电薄膜层和栅极层111绝缘设置，该透明导电薄膜层的作用是形成公共(COM)电极。
图11是本公开实施例提供的一种阵列基板的外围区域的膜层示意图，该外围区域膜层示意图对应图8中A-A处的剖面。参见图11，在外围区域，阵列基板包括依次层叠设置的衬底基板100、栅极层111、栅极绝缘层112、源漏极层 114、绝缘保护层115和像素电极层116。
其中，时钟线110位于栅极层111，时钟引线120位于源漏极层112，补偿电容极板140位于所述像素电极层116。
如图11所示，所述时钟引线120和所述时钟线110通过第三过孔131连接，所述补偿电容极板140和所述时钟引线120通过第一过孔123连接。
图12是本公开实施例提供的另一种阵列基板的外围区域的膜层示意图，该外围区域膜层示意图对应图8中A-A处的剖面。图12所示的结构与图11所示的结构不同之处在于，第三过孔131不是连接时钟引线120和时钟线110，而是连接补偿电容极板140和时钟线110。在该实现方式中，第一过孔123和第三过孔131可以在一次构图工艺中形成，相比于图11的结构制作流程更简单。
本公开实施例还提供了一种显示面板，该显示面板为液晶显示面板，如图2 所示，该显示面板包括：阵列基板10和彩膜基板20，阵列基板10与彩膜基板 20对盒设置。
其中，阵列基板10为如图4至12任一幅所示的阵列基板。
在本公开实施例中，所述彩膜基板20包括：金属遮光层210。所述补偿电容极板140、所述时钟引线120和所述时钟线110分别与所述金属遮光层210形成电容；所述补偿电容极板140与所述金属遮光层210 形成的电容、所述补偿电容极板140所连的所述时钟引线120与所述金属遮光层210 形成的电容之和在第一电容范围内，所述第一电容范围的上限和下限之差小于第二阈值。第二阈值的具体数值可以基于显示均一性要求决定，该第二阈值要能够保证显示面板的均一性。
在进行显示面板设计时，通常会按照各个补偿电容极板140与所述金属遮光层210形成的电容，和所连的所述时钟引线120与所述金属遮光层210 形成的电容之和为设定值的方式设计，但由于制作精度等影响，实际制作的显示面板中，不能保证每个补偿电容极板140与所述金属遮光层210 形成的电容，和所连的所述时钟引线120与所述金属遮光层210形成的电容之和都等于设定值，但需要保证都处在一个电容范围内，以满足显示面板的均一性。
由于在本公开实施例中，补偿电容极板140、时钟引线120、时钟线110位于不同层，所以在设计补偿电容极板140时，不能简单计算补偿电容极板140、时钟引线120、时钟线110的面积和，而是通过先计算补偿电容极板140需要补偿的电容，然后计算其面积。原因如下：已知电容公式C＝εS/d，ε为极板间介质的介电常数，S为极板交叠面积，d为极板间的距离。补偿电容极板140和时钟引线120、时钟线110不在同一层，所以补偿电容极板140和金属遮光层210 形成的电容的极板间的距离，与时钟引线120或时钟线110与金属遮光层210 形成的电容不同，因此补偿电容极板140与金属遮光层210 形成的电容大小，与同样面积的时钟引线120或时钟线110与金属遮光层210 形成的电容大小不同。
在本公开实施例中，通过设置补偿电容极板来对各个移位寄存器单元对应的时钟引线形成的电容进行补偿，补偿电容的面积和所连的时钟引线的长度负相关，从而使得原本时钟引线形成的电容越小的移位寄存器单元，对应的补偿电容越大，从而保证各个移位寄存器单元对应的时钟引线与金属遮光层形成的电容和补偿电容极板与金属遮光层形成的电容之和相当，使得各个移位寄存器单元对应的时钟引线的负载匹配，从而保证了通过时钟线和时钟引线传输到各个移位寄存器单元的时钟信号的均一性，进而保证了显示面板的显示均一性，提高了显示面板的显示品质。
本公开实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一项所述的显示面板。
在具体实施时，本公开实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本公开实施例中，通过设置补偿电容极板来对各个移位寄存器单元对应的时钟引线形成的电容进行补偿，补偿电容的面积和所连的时钟引线的长度负相关，从而使得原本时钟引线形成的电容越小的移位寄存器单元，对应的补偿电容越大，从而保证各个移位寄存器单元对应的时钟引线与金属遮光层形成的电容和补偿电容极板与金属遮光层形成的电容之和相当，使得各个移位寄存器单元对应的时钟引线的负载匹配，从而保证了通过时钟线和时钟引线传输到各个移位寄存器单元的时钟信号的均一性，进而保证了显示面板的显示均一性，提高了显示面板的显示品质。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板(100)，具有显示区域(101)和围绕所述显示区域(101)的外围区域(102)；
多根时钟线(110)，位于所述衬底基板(100)上且在所述外围区域(102)内，所述时钟线(110)沿第一方向延伸；
多根时钟引线(120)，位于所述衬底基板(100)上且在所述外围区域(102)内，所述时钟引线(120)沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向交叉；
多个移位寄存器单元(130)，位于所述衬底基板(100)上且在所述外围区域(102)内，所述移位寄存器单元(130)和所述时钟线(110)之间通过所述时钟引线(120)连接；
补偿电容极板(140)，位于所述衬底基板(100)上且在所述外围区域(102)内，所述补偿电容极板(140)和所述时钟引线(120)连接，且所述补偿电容极板(140)与所述时钟引线(120)不同层，所述补偿电容极板(140)的面积和所连的所述时钟引线(120)的长度负相关；
所述时钟引线(120)包括第一时钟引线(1201)和第二时钟引线(1202)，所述第二时钟引线(1202)所连的所述补偿电容极板(140)包括沿所述第一方向依次相连的第一段(141)和第二段(142)，在所述第二方向上，所述第一段(141)的宽度小于第二段(142)的宽度，所述第二时钟引线(1202)的长度小于所述第一时钟引线(1201)的长度；
所述补偿电容极板(140)的第二段(142)的长度和所连的所述第二时钟引线(1202)的长度负相关，所述补偿电容极板(140)的第一段(141)的长度和所连的所述第二时钟引线(1202)的长度正相关。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一时钟引线(1201)所连的所述补偿电容极板(140)的形状为长条形。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，长条形的所述补偿电容极板(140)沿所述第一方向延伸。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，相邻的两根所述第一时钟引线(1201)所连的两个所述补偿电容极板(140)的间距大于长条形的所述补偿电容极板(140)的宽度。
5.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电容极板(140)在所述衬底基板(100)上的正投影，位于所述补偿电容极板(140)所连的所述时钟线(110)在所述衬底基板(100)上的正投影内。
6.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，
所述补偿电容极板(140)在所述衬底基板(100)上的正投影和其他的时钟引线(120)在所述衬底基板(100)上的正投影的最小间距大于第一阈值，所述其他的时钟引线(120)是不与所述补偿电容极板(140)相连的时钟引线(120)。
7.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，
多根所述时钟引线(120)沿所述第一方向排列并分为多个周期，每个所述周期内的所述时钟引线(120)按从短到长的顺序依次排布。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，每个所述周期内最短的两根为所述第二时钟引线(1202)。
9.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，每根所述时钟引线(120)分别通过多个第一过孔与所述补偿电容极板(140)连接。
10.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
像素电极(160)，位于所述衬底基板(100)上且在所述显示区域(101)内；
所述补偿电容极板(140)与所述像素电极(160)同层。
11.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
其他信号线(150)，位于所述衬底基板(100)上且在所述外围区域(102)内，所述其他信号线(150)沿所述第一方向延伸，所述时钟线(110)位于所述其他信号线(150)和所述移位寄存器单元(130)之间。
12.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
叉指状的连接块(121)，所述时钟引线(120)的一端通过所述连接块(121)与所述补偿电容极板(140)连接；
在所述第一方向上，所述连接块(121)的宽度大于所述时钟引线(120)的宽度。
13.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
如权利要求1至12任一项所述的阵列基板(10)；
彩膜基板(20)，与所述阵列基板(10)对盒设置。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板(20)，包括：金属遮光层(210)；
所述补偿电容极板(140)、所述时钟引线(120)和所述时钟线(110)分别与所述金属遮光层(210)形成电容；
所述补偿电容极板(140)与所述金属遮光层(210 )形成的电容、所述补偿电容极板(140)所连的所述时钟引线(120)与所述金属遮光层(210 )形成的电容之和在第一电容范围内，所述第一电容范围的上限和下限之差小于第二阈值。
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求13或14所述的显示面板。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111679520A (zh) * 2020-06-01 2020-09-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111624827B (zh) 2020-06-28 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
US11823640B2 (en) 2020-10-30 2023-11-21 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Display substrate and display device
CN113325637A (zh) 2021-05-31 2021-08-31 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板
CN113917748B (zh) * 2021-10-15 2023-10-13 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示设备
CN114023279A (zh) * 2021-11-15 2022-02-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN114141198B (zh) * 2021-12-07 2023-04-21 合肥京东方卓印科技有限公司 扫描驱动电路及其维修方法、显示装置
EP4339935A4 (en) 2021-12-31 2024-06-12 BOE Technology Group Co., Ltd. Display panel and display device
US11830454B2 (en) * 2022-02-07 2023-11-28 Sharp Display Technology Corporation Active matrix substrate and display device
CN114664270B (zh) * 2022-04-26 2023-08-29 长沙惠科光电有限公司 栅极驱动电路及显示面板
US11909854B2 (en) 2022-06-09 2024-02-20 The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of Homeland Security Third party biometric homomorphic encryption matching for privacy protection
CN114999366A (zh) * 2022-06-30 2022-09-02 惠科股份有限公司 栅极驱动电路及显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105739202A (zh) * 2016-05-10 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
CN111091792A (zh) * 2020-03-22 2020-05-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 栅极驱动电路及显示面板
CN111384066A (zh) * 2020-03-19 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4302535B2 (ja) 2002-04-08 2009-07-29 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド ゲート駆動回路及びこれを有する液晶表示装置
TWI263082B (en) 2005-03-02 2006-10-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display, pixel array substrate and method for preventing flicker in display panel applied thereto
KR20070076791A (ko) 2006-01-20 2007-07-25 삼성전자주식회사 표시 기판
CN101109881A (zh) 2007-07-06 2008-01-23 昆山龙腾光电有限公司 一种液晶显示面板及其制造方法
CN201984789U (zh) 2011-04-19 2011-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板行驱动电路、阵列基板及液晶显示装置
US9583063B2 (en) * 2013-09-12 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN103745707B (zh) 2013-12-31 2015-11-11 深圳市华星光电技术有限公司 补偿栅极驱动电路信号线阻值的方法及应用该方法的液晶显示面板
KR102436255B1 (ko) 2015-12-30 2022-08-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105609074B (zh) 2016-01-25 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 一种移位寄存器电路、阵列基板和显示装置
KR102585124B1 (ko) 2016-04-20 2023-10-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109119039A (zh) * 2018-09-13 2019-01-01 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109523963B (zh) 2018-11-21 2020-10-16 惠科股份有限公司 一种显示装置的驱动电路和显示装置
US11257455B2 (en) * 2020-03-22 2022-02-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Gate drive circuit and display panel
CN111445831B (zh) 2020-04-24 2021-08-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN111624827B (zh) * 2020-06-28 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105739202A (zh) * 2016-05-10 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
CN111384066A (zh) * 2020-03-19 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置
CN111091792A (zh) * 2020-03-22 2020-05-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 栅极驱动电路及显示面板

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