CN111430375B - 阵列基板和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种阵列基板和显示面板。本申请通过将形成起始脉冲信号线的第一金属层作为第一极板,并且将与外围公共电极线连接的第二金属层作为第二极板,以形成电容器,进而大大地提高电荷释放速度,从而达到静电保护的目的。另外,通过将起始脉冲信号线由原先为绕线式的设计改为网格状的设计,从而增加起始脉冲信号线的电流导电通道,以有效地消除累积于起始脉冲信号线内的累积电荷,起到分散电荷作用,进而减少起始脉冲信号线发生静电释放的概率。
Description
技术领域
本申请属于显示面板领域,尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
Gate Driver On Array,简称GOA,即利用现有薄膜晶体管液晶显示器中的Array制程将栅极(Gate)行扫描驱动信号电路制作在Array基板上,实现对Gate逐行扫描的驱动方式。
在GOA驱动电路中,由于信号线众多,且排布密集,再加上即有DC(直流)又有AC(交流)信号,因此,很容易产生并积累电荷。当电荷累积到一定程度,就会产生很大的电位差,使得累积的电荷具有足够的能量离开原先的位置与极性相反的电荷中和,从而产生很大的电流,甚至会出现炸伤风险,使得显示面板出现异常。
而静电积累和释放是半导体领域中造成器件破坏的主要因素之一。ESD(Electro-Static discharge,静电释放)保护电路的作用是有效阻隔或疏导静电,避免器件被静电破坏。而是否能够较好的阻隔或疏导静电,关键是ESD设计方案的合理性。
有鉴于此,如何通过有效的走线设计使得GOA驱动电路中的起始脉冲信号(startvoltage pulse,简称STV)线的具有防静电能力进而使显示面板具有静电释放的防护能力,这是相关开发人员和研究者的重要研究课题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板,通过将形成起始脉冲信号线的第一金属层作为第一极板,并且将与所述外围公共电极线连接的第二金属层作为第二极板,以形成电容器,进而大大地提高电荷释放速度,从而达到静电保护的目的。另外,通过将起始脉冲信号线由原先为绕线式的设计改为网格状的设计,从而增加起始脉冲信号线的电流导电通道,以有效地消除累积于起始脉冲信号线内的累积电荷,起到分散电荷作用,进而减少起始脉冲信号线发生静电释放的概率。
根据本申请的一方面,本申请提供一种阵列基板,所述阵列基板包括显示区以及围绕所述显示区设置的非显示区,所述非显示区包括:GOA驱动电路,与所述GOA驱动电路连接的起始脉冲信号线以及与所述起始脉冲信号线绝缘设置的外围公共电极线,其中,所述非显示区还包括第一金属层,所述第一金属层用于形成所述起始脉冲信号线以及外围公共电极线;以及,与所述外围公共电极线连接的第二金属层,其中,所述起始脉冲信号与所述第二金属层在所述阵列基板上的投影为至少部分重合,以使所述第二金属层和所述起始脉冲信号线之间形成电容器,该电容器用于释放所述GOA驱动电路中所累积的电荷。
在上述技术方案的基础上,可以对本申请的技术内容进行以下改进。
在本申请的一些实施例中,所述起始脉冲信号线为所述电容器的第一极板,所述第二金属层为所述电容器的第二极板,设于所述第一金属层上的栅极绝缘层为所述电容器的介电绝缘层。
在本申请的一些实施例中,在所述第一金属层上依次设有栅极绝缘层、有源层、钝化层和导电层;所述导电层通过设置在所述阵列基板上且贯穿所述钝化层的第一过孔与所述第二金属层相连。
在本申请的一些实施例中,所述导电层通过设置在所述阵列基板上且依次贯穿所述钝化层、所述有源层以及所述栅极绝缘层的第二过孔与形成外围公共电极线的所述第一金属层相连。
在本申请的一些实施例中,所述第一金属层为图形化的金属层,且在俯视视角下呈网格状。
在本申请的一些实施例中,所述网格为等距间隔设置。
在本申请的一些实施例中,所述导电层的材料为氧化铟锡。
在本申请的一些实施例中,在所述有源层和所述第二金属层之间进一步设有掺杂层。
在本申请的一些实施例中,所述阵列基板为非晶硅阵列基板或铟镓锌氧化物阵列基板。
根据本申请的又一方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括上述阵列基板。
本申请的有益效果在于,本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板。所述GOA驱动电路通过将形成起始脉冲信号线的第一金属层作为第一极板,并且将与所述外围公共电极线连接的第二金属层作为第二极板,以形成电容器,进而大大地提高电荷释放速度,从而达到静电保护的目的。另外,通过将起始脉冲信号线由原先为绕线式的设计改为网格状的设计,从而增加起始脉冲信号线的电流导电通道,以有效地消除累积于起始脉冲信号线内的累积电荷,起到分散电荷作用,进而减少起始脉冲信号线发生静电释放的概率。另外,本申请通过合理的走线设计,在不改变原有功能的基础上,可以有效增加起始脉冲信号线的防静电能力。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。
图1是本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
图2是本申请实施例提供的阵列基板中的GOA驱动电路与总线区的关系结构示意图。
图3是现有技术中的GOA驱动电路与总线区的关系结构示意图。
图4是本申请实施例的一种显示面板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书以及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解,这样描述的对象在适当情况下可以互换。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。
在具体实施方式中,下文论述的附图以及用来描述本申请公开的原理的各实施例仅用于说明,而不应解释为限制本申请公开的范围。所属领域的技术人员将理解,本申请的原理可在任何适当布置的系统中实施。将详细说明示例性实施方式,在附图中示出了这些实施方式的实例。此外,将参考附图详细描述根据示例性实施例的终端。附图中的相同附图标号指代相同的元件。
本具体实施方式中使用的术语仅用来描述特定实施方式,而并不意图显示本申请的概念。除非上下文中有明确不同的意义,否则,以单数形式使用的表达涵盖复数形式的表达。在本申请说明书中,应理解,诸如“包括”、“具有”以及“含有”等术语意图说明存在本申请说明书中揭示的特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性,而并不意图排除可存在或可添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性。附图中的相同参考标号指代相同部分。
如图1所示,本申请提供一种阵列基板,该阵列基板可以但不限于为非晶硅阵列基板或铟镓锌氧化物阵列基板,阵列基板包括:玻璃基板101、第一金属层102、栅极绝缘层103、有源层104、掺杂层105、第二金属层106、钝化层107、导电层108、第一过孔1081以及第二过孔1082。
在本实施例中,采用玻璃基板作为衬底基板,当然不限于此,也可以使用其他基板材料,例如可挠性塑料。
第一金属层102设于玻璃基板101上。第一金属层102的材料可以为Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、Ta、Ti、氮化金属或上述任意组合的合金,亦可为具有耐热金属薄膜和低电阻率薄膜的多层结构。在本实施例中,第一金属层102的材料为铜(Cu)。
第一金属层102用于形成栅极走线以及GOA信号走线。进一步,所述第一金属层102还用于形成起始脉冲信号线2022以及外围公共电极线2021,参见图2。
栅极绝缘层103设于第一金属层102上。栅极绝缘层采用氮化硅(SiNx)或氧化硅,但不限于此,还可以采用氮氧化硅、氧化铝及氮化铝中的至少一种。栅极绝缘层103用于防止有源层104与栅极走线接触而短路。
有源层104设于栅极绝缘层103上。在本实施例中,有源层104的材料包括氧化铟镓锌或氧化铟锌。有源层104作为导电沟道。
掺杂层105设于有源层104上。在本实施例中,掺杂层105用于形成欧姆接触,降低接触电阻。
第二金属层106设于掺杂层105上。第二金属层106用于形成数据线。进一步而言,在本申请实施例中,所述第二金属层106与本申请所述的外围公共电极线2021相连,具体连接方式见下文所述。
钝化层107设于所述有源层104上且覆盖所述有源层105及掺杂层106。在本实施例中,第一钝化层107的材料包括氧化硅、氮化硅及氮氧化硅的至少一种。所述钝化层107用于保护金属层,防止腐蚀。
导电层108设于所述钝化层107上。在本申请实施例中,导电层108的材料包括氧化铟锡。导电层108通过第一过孔1081与第二金属层106实现连接,导电层108通过第二过孔1082与第一金属层102连接,从而能够实现第二金属层与位于第一金属层102的外围供电电极线2021相连。其中,第一过孔1081贯穿钝化层107,第二过孔1082依次贯穿钝化层107、有源层104以及栅极绝缘层103。
如图2为图1所示的阵列基板所包括的GOA驱动电路与总线区的关系结构示意图。其中,所述阵列基板包括显示区以及围绕所述显示区设置的非显示区。所述非显示区包括GOA驱动电路201。
GOA驱动电路201与设置在总线区202中的起始脉冲信号线2022相连,起始脉冲信号线2022与外围公共电极线2021绝缘设置。其中,图1为俯视视角下的阵列基板的剖视图。
结合图1和图2,外围公共电极线2021和起始脉冲信号线2022均设置于第一金属层102。
具体的,外围公共电极线2021通过第二过孔1082与导电层108连接。导电层108通过第一过孔1081与第二金属层106连接,从而形成外围公共电极线线2021与第二金属层106相连。
由于所述起始脉冲信号线2022与所述第二金属层106在所述阵列基板上的投影为至少部分重合,因此,能够使得所述第二金属层106和所述起始脉冲信号线2022之间形成电容器,该电容器用于释放所述GOA驱动电路中所累积的电荷。
在本实施例中,所述起始脉冲信号线2022为所述电容器的第一极板(或称下极板),所述第二金属层106为所述电容器的第二极板(或称上极板),设于所述第一金属层102上的栅极绝缘层103为所述电容器的介电绝缘层。
根据电容器的原理可知,俯视视角下所述第二金属层106与所述起始脉冲信号线2022所在的所述第一金属层102在所述阵列基板上的投影,当重合部分越多(即上极板和下极板之间的正对面积越多),则该电容器的电容值越大。同样,当该电容器中的介电绝缘层的厚度越小,即上极板和下极板之间的板间距离越小,则该电容器的电容值越大。
因此,可以通过合理设置作为第二极板的与所述外围公共电极线2021连接的第二金属层106以及作为第一极板的形成起始脉冲信号线2022的第一金属层102的重合部分,以及合理设置第二金属层106与第一金属层102之间的距离,以及合理设置介于第二金属层106与第一金属层102之间的栅极绝缘层103的厚度,以获得满足要求的电容器,从而通过该电容器来提高电荷释放速度,以达到静电保护的目的。
另外,在本实施例中,所述第一金属层102为图形化的金属层,且在俯视视角下呈网格状。优选的,所述网格为等距间隔设置,如图2所示。相较于图3所示的起始脉冲信号线2022为绕线式的设计,在本发明所述实施例中,通过将起始脉冲信号线2022由原先为绕线式的设计改为网格状的设计,从而增加起始脉冲信号线2022的电流导电通道,以有效地消除累积于起始脉冲信号线2022内的累积电荷,起到分散电荷作用,进而减少起始脉冲信号线2022发生静电释放的概率。也就是说,作为电容器的下极板的第一金属层,由原先采用绕线式设计的起始脉冲信号线变为采用网格式设计的起始脉冲信号线,于是电容正对面积变大,进而电容的容值增大,这样更有助于消除静电。
另外,参阅图4所示,本发明还提供一种显示面板400,该显示面板400采用上述的阵列基板100。所述显示面板400可以适用于可用于液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板和显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (8)
1.一种阵列基板,所述阵列基板包括显示区以及围绕所述显示区设置的非显示区,其特征在于,所述非显示区包括:
GOA驱动电路,与所述GOA驱动电路连接的起始脉冲信号线以及与所述起始脉冲信号线绝缘设置的外围公共电极线,其中,所述非显示区还包括第一金属层,所述第一金属层用于形成所述起始脉冲信号线以及外围公共电极线;以及,
与所述外围公共电极线连接的第二金属层,其中,所述起始脉冲信号与所述第二金属层在所述阵列基板上的投影为至少部分重合,以使所述第二金属层和所述起始脉冲信号线之间形成电容器,该电容器用于释放所述GOA驱动电路中所累积的电荷;其中,在所述第一金属层上依次设有栅极绝缘层、有源层、钝化层和导电层;所述导电层通过设置在所述阵列基板上且贯穿所述钝化层的第一过孔与所述第二金属层相连;所述导电层通过设置在所述阵列基板上且依次贯穿所述钝化层、所述有源层以及所述栅极绝缘层的第二过孔与形成外围公共电极线的所述第一金属层相连。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述起始脉冲信号线为所述电容器的第一极板,所述第二金属层为所述电容器的第二极板,设于所述第一金属层上的栅极绝缘层为所述电容器的介电绝缘层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层为图形化的金属层,且在俯视视角下呈网格状。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述网格为等距间隔设置。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层的材料为氧化铟锡。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述有源层和所述第二金属层之间进一步设有掺杂层。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为非晶硅阵列基板或铟镓锌氧化物阵列基板。
8.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1至7任一所述的阵列基板。
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