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CN105807523A - 阵列基板、包含其的显示面板和显示装置 - Google Patents

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CN105807523A
CN105807523A CN201610367624.6A CN201610367624A CN105807523A CN 105807523 A CN105807523 A CN 105807523A CN 201610367624 A CN201610367624 A CN 201610367624A CN 105807523 A CN105807523 A CN 105807523A
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Abstract

本申请公开了阵列基板、包含其的显示面板和显示装置。所述阵列基板的一具体实施方式包括显示区和非显示区，所述非显示区包括衬底基板以及沿垂直于衬底基板方向排列的第一金属层、第二金属层和第三金属层；非显示区内设置有晶体管和金属线；晶体管的栅极位于第一金属层，晶体管的源极和漏极位于第二金属层；金属线位于第三金属层；晶体管向衬底基板的正投影与金属线向衬底基板的正投影至少部分地交叠。该实施方式能够有效减小显示面板边框的宽度，有利于窄边框的设计。

Description

阵列基板、包含其的显示面板和显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及阵列基板、包含其的显示面板和显示装置。
背景技术
显示面板通常包括显示区以及围绕显示区的边框区。边框区可以设有驱动电路、公共电极等结构。驱动电路通常由多个薄膜晶体管和多条信号线组成，还可以包括电容等其他电路元件。目前液晶显示器的边框的发展趋势为越来越窄，而边框区内电路元件和信号线的分布与边框区的尺寸大小具有直接相关的关系。
请参考图1，其示出了现有的一种边框区的走线和晶体管的布局示意图。如图1所示，边框区包括信号线区A1、晶体管区A2以及公共电极线区A3。其中，信号线区A1可以设有多条信号线224、225、226，晶体管区A2可以设有晶体管的栅极、源极和漏极，公共电极线区A3可以设有与公共电极并联的公共电极线。图2示出了包含图1所示边框区结构的阵列基板的剖面示意图。如图2所示，阵列基板包括显示区2A和非显示区2B。显示区2A包括晶体管210、像素电极24以及公共电极26。非显示区2B包括信号线区A1、晶体管区A2以及公共电极线区A3。其中，信号线区A1设有信号线224、225、226，信号线224、225、226可以用作栅极驱动电路或源极驱动电路中的信号线，例如时钟信号线，用于为栅极驱动电路或源极驱动电路中的电路元件传输信号。晶体管区A2设有晶体管220，晶体管220包括栅极211、源极221以及漏极222。可选地，晶体管220还可以包括非晶硅层25。公共电极线区A3设有公共电极线223，公共电极223与公共电极26连接。从图2可以看出，现有的阵列基板设计中，非显示区2B内，晶体管220的源极221和漏极222、公共电极线223、信号线224、225、226与同层设置，信号线区A1、晶体管区A2以及公共电极线区A3并列排布，互不交叉。
显示装置的边框宽度由上述非显示区2B的宽度决定。为了保证阵列基板正常工作，信号线的宽度、信号线间距、公共电极线宽度具有一定的限制，同时考虑制作过程中切割精度，使得包含非显示区2B的显示装置边框宽度难以进一步缩小，故而难以实现窄边框的设计。
发明内容
有鉴于此，期望能够进一步优化非显示区电路元件和走线的布局，从而缩小液晶显示器的边框尺寸。为了解决上述技术问题，本申请提供了阵列基板、包含其的显示面板及显示装置。
一方面，本申请提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括衬底基板以及沿垂直于所述衬底基板方向排列的第一金属层、第二金属层和第三金属层；所述非显示区内设置有晶体管和金属线；所述晶体管的栅极位于所述第一金属层，所述晶体管的源极和漏极位于所述第二金属层；所述金属线位于所述第三金属层；所述晶体管向所述衬底基板的正投影与所述金属线向所述衬底基板的正投影至少部分地交叠。
第二方面，本申请提供了一种显示面板，包括上述阵列基板、与上述阵列基板对置设置的彩膜基板。
第三方面，本申请提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
本申请提供的阵列基板、显示面板和显示装置，通过将非显示区内的金属线设置于与晶体管的栅极和漏极不同层的第三金属层，并使得非显示区的金属线与晶体管向衬底基板的正投影至少部分地交叠，实现了非显示区的走线和晶体管的叠层设计，从而缩小了非显示区内金属线和晶体管所占用的总宽度，有利于窄边框的设计。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是现有的一种边框区的走线和晶体管的布局示意图；
图2是包含图1所示边框区结构的阵列基板的剖面示意图；
图3是本申请提供的阵列基板的一个实施例的剖面结构示意图；
图4是图3所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图；
图5是本申请提供的阵列基板的另一个实施例的剖面结构示意图；
图6是图5所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图；
图7是本申请提供的阵列基板的再一个实施例的剖面结构示意图；
图8是图7所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图；
图9是本申请提供的阵列基板的又一个实施例的剖面结构示意图；
图10是图9所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图；
图11是本申请提供的阵列基板的又一个实施例的剖面结构示意图；
图12是图11所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图；
图13是本申请提供的阵列基板的又一个实施例的剖面结构示意图；
图14是图13所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图。
图15是本申请提供的阵列基板的又一个实施例的剖面结构示意图；
图16是图15所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请参考图3，其示出了本申请提供的阵列基板的一个实施例的剖面结构示意图。如图3所示，阵列基板300包括显示区3A和非显示区3B。非显示区3B包括衬底基板30以及沿垂直于衬底基板方向排列的第一金属层31、第二金属层32和第三金属层33。非显示区内设有晶体管M3以及金属线331、332、333、334。晶体管M3的栅极311位于第一金属层31，晶体管M3的源极321和漏极322位于第二金属层32。金属线331、332、333、334位于第三金属层33。晶体管M3向衬底基板30的正投影310与金属线331、332、333、334向衬底基板30的正投影320至少部分地交叠。进一步地，晶体管M3向衬底基板30的正投影310与金属线331、332、333、334向衬底基板30的正投影320在与金属线331、332、333、334的延伸方向垂直的方向上至少部分地交叠。
在本实施例中，设置于非显示区3B的金属线可以是与非显示区内的电路元件连接的金属线。进一步地，非显示区3B内可以设置有驱动电路，驱动电路包括晶体管M3和信号线，该信号线用于为晶体管M3传输信号。金属线331、332、333、334可以包括驱动电路中信号线。
具体地，信号线可以例如包括用于传输控制晶体管M3导通或截止的信号的时钟信号线或重置信号线、用于向晶体管M3传输电压信号的电压信号线、用于向晶体管M3传输栅极启动信号的输入信号线，用于向晶体管M3传输数据信号的数据信号线等等。
阵列基板300的显示区还可以设有公共电极(图3中未示出)，公共电极可以用于提供显示所需要的公共电压。公共电极可以为由显示区延伸至非显示区的整面式电极，其电阻较大。设置于非显示区3B的金属线还可以包括公共电极线。公共电极线可以用于与公共电极并联连接，以减小公共电极的电阻。
在一些实施例中，晶体管M3为多晶硅薄膜晶体管，则晶体管M3还包括多晶硅层35。多晶硅薄膜晶体管具有较高的迁移率、响应速度快、抗光干扰能力强、分辨率高、尺寸小等优点，适合于窄边框和高分辨率显示面板的设计。
需要说明的是，图3中示意性地示出了一个晶体管M3和金属线331、332、333、334的位置关系示意图，在实际应用中，晶体管M3的数量可以为多个、图3所示晶体管M3向衬底基板30的正投影310可以为非显示区内的多个晶体管向衬底基板30的正投影，金属线的数量可以为任意正整数条，本申请对此不作限定。
从图3可以看出，非显示区3B内金属线331、332、333、334与晶体管M3的源极321和漏极322设置于不同的金属层，且晶体管M3向衬底基板30的正投影310与金属线331、332、333、334向衬底基板的正投影320之间具有交叠，从而缩小了非显示区3B内的晶体管M3和金属线331、332、333、334所占用的总宽度，有利于窄边框的设计。
进一步参考图4，其示出了图3所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图。如图4所示，晶体管M3向衬底基板30的正投影310与金属线331、332、333、334向衬底基板的正投影320至少部分地交叠，晶体管M3和金属线331、332、333、334所占用的边框总宽度小于310和320的宽度之和，相较于现有技术中将晶体管的源极和漏极、信号线以及公共电极线并排设置于同一金属层的方案，有效地利用非显示区垂直于衬底基板平面内的空间，减小了非显示区的晶体管和金属线所占用的边框总宽度。
在一些实施例中，上述驱动电路包括栅极驱动电路。请参考图5，其示出了本申请提供的阵列基板的另一个实施例的剖面结构示意图。如图5所示，阵列基板500包括显示区5A和非显示区5B。非显示区5B包括衬底基板50以及沿垂直与衬底基板方向排列的第一金属层51、第二金属层52和第三金属层53。在本实施例中，非显示区5B内设有晶体管M5和金属线531、532、533。晶体管的M5栅极512位于第一金属层51，晶体管M5的源极521和漏极522位于第二金属层52，金属线531、532、533位于第三金属层53。晶体管M5向衬底基板50的正投影510与金属线531、532、533向衬底基板50的正投影520至少部分地交叠。进一步地，晶体管M5向衬底基板50的正投影510与金属线531、532、533向衬底基板50的正投影520在与金属线531、532、533的延伸方向垂直的方向上至少部分地交叠。可选地，晶体管M5为多晶硅薄膜晶体管，则晶体管M5还包括多晶硅层55。
在本实施例中，非显示区5B内设有驱动电路，该驱动电路包括栅极驱动电路。栅极驱动电路包括晶体管M5和信号线。金属线531、532、533可以为栅极驱动电路中的信号线。进一步地，栅极驱动电路包括第一时钟信号线、第二时钟信号线、第一电压信号线、第二电压信号线、输入信号线以及重置信号线。上述阵列基板500中的金属线531、532、533可以包括以下至少一项：第一时钟信号线、第二时钟信号线、第一电压信号线、第二电压信号线、输入信号线、重置信号线。
栅极驱动电路可以包括多个级联的移位寄存单元，每一级移位寄存单元包括多个晶体管和上述第一时钟信号线、第二时钟信号线、第一电压信号线、第二电压信号线、输入信号线以及重置信号线。其中，第一时钟信号线和第二时钟信号线用于向每一级移位寄存单元传输时钟信号。第一电压信号线和第二电压信号线分别用于向每一级移位寄存单元传输第一电压信号和第二电压信号；第一电压信号和第二电压信号可以为电压值不同的恒定电压信号。输入信号线可以用于向第一级移位寄存单元传输栅极移位启动信号，重置信号线可以用于向每一级移位寄存单元传输重置信号，移位寄存单元输出的信号可以在重置信号的控制下被重置。第一时钟信号线、第二时钟信号线、第一电压信号线、第二电压信号线、输入信号线、重置信号线中的至少一条信号线可以设置于第三金属层53，并且该设置于第三金属层53的信号线向衬底基板50的正投影与栅极驱动电路中的晶体管M5向衬底基板50的正投影至少部分地交叠。
在进一步的实施例中，显示区5A内设置有扫描线511，上述信号线的延伸方向与扫描线的延伸方向相互垂直。扫描线511可以与非显示区的晶体管M5的栅极同层设置。
进一步地，非显示区5B还包括第一绝缘层54，第一绝缘层54位于第二金属层52和第三金属层53之间。第一绝缘层54上设有第一过孔541，栅极驱动电路中的信号线(即金属线531、532、533)可以通过第一过孔541与晶体管M5的源极521或漏极522连接(图5中仅示意性地示出了信号线531通过第一过孔541与晶体管M5的源极521连接)。
在实际应用中，非显示区内的晶体管M5向衬底基板的正投影510可以为非显示区5B中的多个晶体管向衬底基板50的正投影，信号线531、532、533向衬底基板50的正投影520可以为驱动电路中的一条或多条信号线向衬底基板50的正投影。晶体管M5向衬底基板50的正投影510可以覆盖金属线531、532、533向衬底基板50的正投影520。
从图5可以看出，本实施例提供的阵列基板500通过在晶体管M5的源极和漏极所在金属层远离衬底基板的一侧设置第三金属层53，并将栅极驱动电路中的至少一条信号线531、532、533设置于第三金属层，进一步缩小了非显示区内的金属线和晶体管在扫描线方向所占用的长度，从而在不改变电路元件尺寸的情况下减小了显示器的边框宽度。
进一步参考图6，其示出了图5所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图。如图6所示，晶体管M5向衬底基板50的正投影510与金属线531、532、533向衬底基板的正投影520交叠，晶体管M5和金属线531、532、533占用的边框总宽度为晶体管M5的正投影510的宽度，相较于现有技术中将晶体管的源极和漏极、信号线以及公共电极线并排设置于同一金属层的方案，有效减小了非显示区的晶体管和金属线所占用的边框总宽度。
在一些实施例中，阵列基板的显示区内设有数据线，上述驱动电路包括多路选通器。每个多路选通器与多条数据线连接。多路选通器包括晶体管和至少一条第三时钟信号线，用于在至少一条第三时钟信号线输入的信号的控制下逐一向与其连接的多条数据线传输数据信号。
具体地，多路选通器可以包括N个晶体管和N条第三时钟信号线，其中，每个晶体管的栅极分别与一条第三时钟信号线连接，每个晶体管的源极均与多路选通器的输入端连接，每个晶体管的漏极分别与一条数据线连接，其中N为正整数。多路选通器中的N个晶体管依次在N条第三时钟信号线传输的时钟信号的控制下导通，从而依次将多路选通器输入端输入的信号传递至各数据线。
请参考图7，其示出了本申请提供的阵列基板的再一个实施例的剖面结构示意图。如图7所示，阵列基板700包括显示区7A和非显示区7B。非显示区7A包括第一金属层71、第二金属层72和第三金属层73。非显示区7B内设有多路选通器。多路选通器包括晶体管M7和信号线731、732、733、734、735、736。其中，信号线731、732、733、734、735、736可以包括至少一条第三时钟信号线。晶体管M7的栅极711位于第一金属层71，晶体管M7的源极721和漏极722位于第二金属层72。信号线731、732、733、734、735、736位于第三金属层。显示区7A内设有数据线723，数据线723可以与非显示区7B中的晶体管M7的源极721和漏极722同层设置。可选地，晶体管M7为多晶硅薄膜晶体管，则晶体管M7还包括多晶硅层75。
在本实施例中，信号线731、732、733、734、735、736可以包括一个或多个第三时钟信号线组，例如图7中的信号线731、732、733、734、735、736包括两个第三时钟信号线组，第一个第三时钟信号线组包括信号线731、732、733，第二个第三时钟信号线组包括信号线734、735、736。
晶体管M7向衬底基板70的正投影710与第一个第三时钟信号线组731、732、733向衬底基板的正投影720和第二个第三时钟信号线组734、735、736向衬底基板的正投影730至少部分地交叠。进一步地，晶体管M7向衬底基板70的正投影710与第一个第三时钟信号线组731、732、733向衬底基板的正投影720和第二个第三时钟信号线组734、735、736向衬底基板的正投影730在与信号线731、732、733、734、735、736的延伸方向垂直的方向上至少部分地交叠。
非显示区7B还包括第一绝缘层74，第一绝缘层74位于第二金属72层和第三金属层73之间。第一绝缘层74上设有第一过孔741，信号线731、732、733、734、735、736通过第一过孔741与晶体管M7的源极721或漏极722连接(图7仅示意性地示出信号线731通过第一过孔741与晶体管M7的源极721连接)。
与图5所示实施例不同的是，图7所示实施例中将用于向数据线提供信号的多路选通器中的信号线设置于与晶体管的源极和漏极不同的金属层。信号线731、732、733、734、735、736的延伸方向可以与数据线的延伸方向垂直。多路选通器通常位于显示区沿数据线方向的一侧或两侧，通过将多路选通器中的信号线设置于与晶体管的源极和漏极不同的金属层，并使信号线向衬底基板的正投影与晶体管向衬底基板的正投影部分或全部交叠，本申请上述实施例描述的阵列基板700可以有效缩小显示屏在数据线方向上的边框尺寸。
进一步参考图8，其示出了图7所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图。如图8所示，晶体管M7向衬底基板70的正投影710与第一个第三时钟信号线组(包括第三时钟信号线731、732、733)向衬底基板的正投影720交叠，晶体管M7向衬底基板70的正投影710与第二个第三时钟信号线组(包括第三时钟信号线734、735、736)向衬底基板的正投影730交叠。第一个第三时钟信号线组向衬底基板的正投影720和第二个第三时钟信号线组向衬底基板的正投影730可以位于晶体管M7向衬底基板70的正投影710的两个相对的区域。
从图8可以看出，晶体管M7和金属线731、732、733、734、735、736占用的边框总宽度为晶体管M7的正投影710的宽度，相较于现有技术中将晶体管的源极和漏极、信号线以及公共电极线并排设置于同一金属层的方案，有效减小了非显示区的晶体管和金属线所占用的边框宽度。
在上述实施例的基础上，阵列基板的非显示区内还可以设置有公共电极和公共电极线。其中，公共电极通常为块状，其电阻值较大，用于为阵列基板提供显示所需的公共电压，公共电极线与公共电极连接，用于与公共电极并联，以减小公共电极的电阻对显示造成的影响。
请参考图9。其示出了本申请提供的阵列基板的又一个实施例的剖面结构示意图。如图9所示，阵列基板900可以包括显示区9A和非显示区9B。非显示区9B包括衬底基板90以及沿垂直于衬底基板90方向排列的第一金属层91、第二金属层92、第三金属层93和公共电极层96。非显示区9B内设置有栅极驱动电路、公共电极961以及公共电极线923。栅极驱动电路包括晶体管M9和信号线931、932、933。其中信号线931、932、933可以包括以下至少一项：第一时钟信号线、第二时钟信号线、第一电压信号线、第二电压信号线、输入信号线、重置信号线。
晶体管M9的栅极912位于第一金属层91、晶体管M9的源极921和漏极922位于第二金属层92，信号线931、932、933位于第三金属层93。公共电极961位于公共电极层96，公共电极线923位于第二金属层92。可选地，晶体管M9为多晶硅薄膜晶体管，则晶体管M9还包括多晶硅层95。公共电极线923在衬底基板90具有第一正投影910，信号线931、932、933在衬底基板90具有第二正投影920，晶体管M9在衬底基板90具有第三正投影930。第二正投影920与第三正投影930交叠，或者第三正投影930覆盖第二正投影920。
进一步地，非显示区9B还包括第一绝缘层94，第一绝缘层94位于第二金属层92和第三金属层93之间。第一绝缘层94上设有第一过孔941，栅极驱动电路中的信号线931、932、933可以通过第一过孔941与晶体管M9的源极921或漏极922连接(图9中仅示意性地示出了信号线931通过第一过孔941与晶体管M9的源极921连接)。
进一步地，显示区9A可以包括扫描线911，扫描线911可以与非显示区9B的晶体管M9的栅极912同层设置。可选地，公共电极层96和第二金属层92之间具有第二绝缘层97，第二绝缘层97上设有第二过孔971，公共电极961通过第二过孔971与公共电极线923连接。
进一步参考图10，其示出了图9所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图。如图10所示，公共电极线923在衬底基板90具有第一正投影910，信号线931、932、933在衬底基板具有第二投影920，晶体管M9在衬底基板90具有第三正投影930。第三正投影930与第二正投影920交叠。公共电极线923、晶体管M9以及信号线931、932、933占用的边框总宽度为第一正投影910和第三正投影930的总宽度，相较于现有技术中将晶体管的源极和漏极、信号线以及公共电极线并排设置于同一金属层的方案，有效减小了非显示区的晶体管和金属线所占用的边框总宽度。
从图9可以看出，与图5所示实施例不同的是，图9所示实施例中的阵列基板900的非显示区还可以设有公共电极961和公共电极线923。图5所示实施例可以应用于自容式的触控显示面板，在自容式的触控显示面板中，公共电极复用为触控电极，显示区内设有触控电极线，触控电极线可以作为用于与公共电极并联以减小公共电极的电阻的公共电极线。即自容式的触控显示面板中的阵列基板的非显示区无需另外设置公共电极线。而在非触控式的显示面板和互容式的触控显示面板中，非显示区可以设置有公共电极线，即图9所示阵列基板可以应用于非触控式的显示面板和互容式的触控显示面板。
继续参考图11，其示出了本申请提供的阵列基板的又一个实施例的剖面结构示意图。如图11所示，阵列基板1100可以包括显示区11A和非显示区11B。非显示区11B包括衬底基板110以及沿垂直于衬底基板110方向排列的第一金属层111、第二金属层112、第三金属层113和公共电极层116。非显示区11B内设置有栅极驱动电路、公共电极1161以及公共电极线1131。栅极驱动电路包括晶体管M11和信号线1123、1124、1125、1126。
晶体管M11的栅极1112位于第一金属层111、晶体管M11的源极1121和漏极1122位于第二金属层112，信号线1123、1124、1125、1126位于第二金属层112。公共电极1161位于公共电极层116，公共电极线1131位于第三金属层113。可选地，晶体管M11为多晶硅薄膜晶体管，则晶体管M11还包括多晶硅层115。公共电极线1131在衬底基板110具有第一正投影1110，信号线1123、1124、1125、1126在衬底基板110具有第二正投影1120，晶体管M11在衬底基板110具有第三正投影1130。第三正投影1130覆盖第一正投影1110。
进一步地，显示区11A可以包括扫描线1111，扫描线1111可以与非显示区11B的晶体管M11的栅极1112同层设置。可选地，公共电极层116和第三金属层113之间具有第三绝缘层117，第三绝缘层117上设有第三过孔1171，公共电极1161通过第三过孔1171与公共电极线1131连接。
进一步参考图12，其示出了图11所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图。如图12所示，公共电极线1131在衬底基板110具有第一正投影1110，信号线1123、1124、1125、1126在衬底基板具有第二投影1120，晶体管M11在衬底基板110具有第三正投影1130。第三正投影1130覆盖第一正投影1120。公共电极线1131、晶体管M11以及信号线1123、1124、1125、1126占用的边框总宽度为第二正投影1120和第三正投影1130的总宽度，相较于现有技术中将晶体管的源极和漏极、信号线以及公共电极线并排设置于同一金属层的方案，有效减小了非显示区的晶体管和金属线所占用的边框总宽度。
请参考图13，其示出了本申请提供的阵列基板的又一个实施例的剖面结构示意图。如图13所示，阵列基板1300可以包括显示区13A和非显示区13B。非显示区13B包括衬底基板130以及沿垂直于衬底基板130方向排列的第一金属层131、第二金属层132、第三金属层133和公共电极层136。非显示区13B内设置有栅极驱动电路、公共电极1361以及公共电极线1334。栅极驱动电路包括晶体管M13和信号线1331、1332、1333。
晶体管M13的栅极1312位于第一金属层131、晶体管M13的源极1321和漏极1322位于第二金属层132，信号线1331、1332、1333位于第三金属层133。公共电极1361位于公共电极层136，公共电极线1334位于第三金属层133。可选地，晶体管M13为多晶硅薄膜晶体管，则晶体管M13还包括多晶硅层135。公共电极线1334在衬底基板130具有第一正投影1310，信号线1331、1332、1333在衬底基板130具有第二正投影1320，晶体管M13在衬底基板130具有第三正投影1330。第三正投影1330覆盖第二正投影1320。
进一步地，非显示区13B还包括第四绝缘层134，第四绝缘层134位于第二金属层132和第三金属层133之间。第四绝缘层134上设有第四过孔1341，栅极驱动电路中的信号线1331、1332、1333可以通过第四过孔1341与晶体管M13的源极1321或漏极1322连接(图13中仅示意性地示出了信号线1331通过第四过孔1341与晶体管M13的源极1321连接)。
进一步地，显示区13A可以包括扫描线1311，扫描线1311可以与非显示区13B的晶体管M13的栅极1312同层设置。信号线1331、1332、1333以及公共电极线1334的延伸方向与扫描线1311垂直。可选地，公共电极层136和第三金属层133之间具有第五绝缘层137，第五绝缘层137上设有第五过孔1371，公共电极1361通过第五过孔1371与公共电极线1334连接。
进一步参考图14，其示出了图13所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图。如图12所示，公共电极线1334在衬底基板130具有第一正投影1310，信号线1331、1332、1333在衬底基板具有第二投影1320，晶体管M13在衬底基板130具有第三正投影1330。第三正投影1330覆盖第二正投影1320。公共电极线1331、晶体管M13以及信号线1323、1324、1325、1326占用的边框总宽度为第一正投影1310和第三正投影1330的总宽度，相较于现有技术中将晶体管的源极和漏极、信号线以及公共电极线并排设置于同一金属层的方案，有效减小了非显示区的晶体管和金属线所占用的边框总宽度。
继续参考图15，其示出了本申请提供的阵列基板的又一个实施例的剖面结构示意图。如图15所示，阵列基板1500可以包括显示区15A和非显示区15B。非显示区15B包括衬底基板150以及沿垂直于衬底基板150方向排列的第一金属层151、第二金属层152、第三金属层153和公共电极层156。非显示区15B内设置有栅极驱动电路、公共电极1561以及公共电极线1534。栅极驱动电路包括晶体管M15和信号线1531、1532、1533。
晶体管M15的栅极1512位于第一金属层151、晶体管M15的源极1521和漏极1522位于第二金属层152，信号线1531、1532、1533位于第三金属层153。公共电极1561位于公共电极层156，公共电极线1534位于第三金属层153。可选地，晶体管M15为多晶硅薄膜晶体管，则晶体管M15还包括多晶硅层155。公共电极线1534在衬底基板150具有第一正投影1510，信号线1531、1532、1533在衬底基板150具有第二正投影1520，晶体管M15在衬底基板150具有第三正投影1530。第三正投影1530覆盖第一正投影1510和第二正投影1520。
进一步地，非显示区15B还包括第六绝缘层154，第六绝缘层154位于第二金属层152和第三金属层153之间。第六绝缘层154上设有第六过孔1541，栅极驱动电路中的信号线1531、1532、1533可以通过第六过孔1541与晶体管M15的源极1521或漏极1522连接(图15中仅示意性地示出了信号线1533通过第六过孔1541与晶体管M15的源极1521连接)。
进一步地，显示区15A可以包括扫描线1511，扫描线1511可以与非显示区15B的晶体管M15的栅极1512同层设置。信号线1531、1532、1533以及公共电极线1534的延伸方向与扫描线1511垂直。可选地，公共电极层156和第三金属层153之间具有第七绝缘层157，第七绝缘层157上设有过孔1571，公共电极1561通过第七过孔1571与公共电极线1534连接。
进一步参考图16，其示出了图15所示阵列基板的非显示区在衬底基板的正投影的示意图。如图16所示，公共电极线1534在衬底基板150具有第一正投影1510，信号线1531、1532、1533在衬底基板具有第二投影1520，晶体管M15在衬底基板150具有第三正投影1530。第三正投影1530覆盖第一正投影和第二正投影1520。公共电极线1534、晶体管M15以及信号线1531、1532、1533占用的边框总宽度为第三正投影1530的宽度，即晶体管M15所占用的总宽度。由此本实施提供的阵列基板进一步缩小了非显示区内金属线和晶体管所占用的边框面积，可以进一步缩小边框的宽度。
本申请实施例还提供了一种显示面板，包括上述各实施例描述的阵列基板以及与阵列基板对置设置的彩膜基板。可以理解，显示面板还可以包括位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。
本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。在具体的实现中，显示装置还可以包括背光单元、导光板、透光膜等结构。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (18)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括衬底基板以及沿垂直于所述衬底基板方向排列的第一金属层、第二金属层和第三金属层；
所述非显示区内设置有晶体管和金属线；
所述晶体管的栅极位于所述第一金属层，所述晶体管的源极和漏极位于所述第二金属层；
所述金属线位于所述第三金属层；
所述晶体管向所述衬底基板的正投影与所述金属线向所述衬底基板的正投影至少部分地交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区内设置有驱动电路，所述驱动电路包括所述晶体管和信号线，所述信号线用于为所述晶体管传输信号；
所述金属线包括所述信号线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路包括栅极驱动电路；
所述栅极驱动电路包括第一时钟信号线、第二时钟信号线、第一电压信号线、第二电压信号线、输入信号线以及重置信号线。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线包括以下至少一项：第一时钟信号线、第二时钟信号线、第一电压信号线、第二电压信号线、输入信号线、重置信号线。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区内设置有扫描线；
所述信号线的延伸方向与所述扫描线的延伸方向相互垂直。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区内设置有数据线，所述驱动电路包括多路选通器，每个所述多路选通器与多条所述数据线连接；
所述多路选通器包括所述晶体管和至少一条第三时钟信号线，所述多路选通器用于在所述至少一条第三时钟信号线输入的信号的控制下逐一向与所述多路选通器连接的多条数据线传输数据信号。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线包括至少一条所述第三时钟信号线。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线的延伸方向与所述数据线的延伸方向相互垂直。
9.根据权利要求2-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二金属层和所述第三金属层之间；
所述第一绝缘层上设有第一过孔，所述信号线通过所述第一过孔与所述晶体管的源极或漏极连接。
10.根据权利要求2-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区内还设置有公共电极和公共电极线，所述非显示区还包括公共电极层；
所述公共电极位于所述公共电极层，所述公共电极与所述公共电极线连接。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线位于所述第二金属层，
所述公共电极层和所述第二金属层之间具有第二绝缘层；
所述第二绝缘层上设有第二过孔，所述公共电极通过所述第二过孔与所述公共电极线连接。
12.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述金属线包括所述公共电极线。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线在所述衬底基板具有第一正投影，所述信号线在所述衬底基板具有第二正投影，所述晶体管在所述衬底基板具有第三正投影；
所述第一正投影和/或所述第二正投影与所述第三正投影至少部分地交叠。
14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述第三正投影覆盖所述第一正投影；
所述公共电极层和所述第三金属层之间具有第三绝缘层；
所述第三绝缘层上设有第三过孔，所述公共电极通过所述第三过孔与所述公共电极线连接。
15.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述第三正投影覆盖所述第二正投影；
所述第二金属层和所述第三金属层之间具有第四绝缘层；
所述第四绝缘层上设有第四过孔，所述晶体管的源极或漏极通过所述第四过孔与所述信号线连接；
所述公共电极层和所述第三金属层之间具有第五绝缘层；
所述第五绝缘层上设有第五过孔，所述公共电极通过所述第五过孔与所述公共电极线连接。
16.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述第三投影覆盖所述第一正投影和所述第二正投影；
所述第二金属层和所述第三金属层之间具有第六绝缘层；
所述第六绝缘层上设有第六过孔，所述晶体管的源极或漏极通过所述第六过孔与所述信号线连接；
所述公共电极层和所述第三金属层之间具有第七绝缘层；
所述第七绝缘层上设有第七过孔，所述公共电极通过所述第七过孔与所述公共电极线连接。
17.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板对置设置的彩膜基板。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求17所述的显示面板。
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Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106950770A (zh) * 2017-03-28 2017-07-14 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
CN106992147A (zh) * 2017-03-31 2017-07-28 上海天马微电子有限公司 制作显示面板的方法、显示面板及显示装置
CN107145261A (zh) * 2017-06-30 2017-09-08 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN107315505A (zh) * 2017-06-30 2017-11-03 上海天马微电子有限公司 显示面板、触控显示装置及触控压力检测方法
CN107945728A (zh) * 2017-12-15 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示基板的制作方法及显示装置
CN108182921A (zh) * 2018-01-03 2018-06-19 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板、显示面板与显示装置
CN108470758A (zh) * 2018-04-27 2018-08-31 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN108572485A (zh) * 2017-03-09 2018-09-25 中华映管股份有限公司 显示装置
CN108630144A (zh) * 2018-06-19 2018-10-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN108732840A (zh) * 2018-05-31 2018-11-02 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN108761941A (zh) * 2018-05-31 2018-11-06 深圳市华星光电技术有限公司 Coa型液晶显示面板结构及coa型液晶显示面板的制作方法
CN108957814A (zh) * 2018-08-29 2018-12-07 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种液晶显示装置及电路补偿方法
WO2019061885A1 (zh) * 2017-09-26 2019-04-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板和显示装置
CN109935580A (zh) * 2017-12-19 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制作方法、电子装置
US10367010B2 (en) 2017-09-26 2019-07-30 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and display device
CN110518019A (zh) * 2019-08-16 2019-11-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN110737126A (zh) * 2019-10-31 2020-01-31 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110797356A (zh) * 2019-11-28 2020-02-14 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN111124177A (zh) * 2019-12-13 2020-05-08 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控显示面板
US10714509B2 (en) 2017-09-26 2020-07-14 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN111430375A (zh) * 2020-04-01 2020-07-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板
CN111933036A (zh) * 2020-08-31 2020-11-13 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
WO2020258643A1 (zh) * 2019-06-24 2020-12-30 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN112310124A (zh) * 2020-10-28 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN112327551A (zh) * 2020-10-30 2021-02-05 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN112602142A (zh) * 2018-08-30 2021-04-02 株式会社日本显示器 显示装置
CN112614871A (zh) * 2020-11-30 2021-04-06 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN112837618A (zh) * 2021-01-11 2021-05-25 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及显示装置
CN113035891A (zh) * 2021-03-15 2021-06-25 厦门天马微电子有限公司 阵列基板和显示装置
CN113053914A (zh) * 2021-03-08 2021-06-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113325637A (zh) * 2021-05-31 2021-08-31 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板
CN113467144A (zh) * 2021-06-29 2021-10-01 福州京东方光电科技有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN114355686A (zh) * 2022-01-07 2022-04-15 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板和液晶显示面板
WO2022151082A1 (zh) * 2021-01-13 2022-07-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN115064115A (zh) * 2022-07-01 2022-09-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN115483262A (zh) * 2019-05-31 2022-12-16 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN115662330A (zh) * 2022-10-24 2023-01-31 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2023035318A1 (zh) * 2021-09-09 2023-03-16 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及电子装置
WO2023226005A1 (zh) * 2022-05-27 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和显示装置
WO2024000248A1 (zh) * 2022-06-29 2024-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN117970720A (zh) * 2024-01-17 2024-05-03 惠科股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法和电子纸显示面板
WO2024183540A1 (zh) * 2023-03-09 2024-09-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
WO2025010975A1 (zh) * 2023-07-07 2025-01-16 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI656461B (zh) * 2016-07-31 2019-04-11 矽創電子股份有限公司 觸控顯示裝置
CN206074968U (zh) * 2016-10-14 2017-04-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN108336120B (zh) * 2018-03-30 2024-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN110502960B (zh) * 2018-05-17 2022-04-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、指纹识别面板、指纹识别方法及显示装置
US11387314B2 (en) * 2020-03-16 2022-07-12 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel, method of manufacturing the same, and display device
WO2021184158A1 (zh) 2020-03-16 2021-09-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、制作方法和显示装置
CN116312243A (zh) * 2021-09-10 2023-06-23 厦门天马显示科技有限公司 显示面板及显示装置
CN113867062B (zh) * 2021-12-02 2022-04-01 惠科股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示器
KR20230096672A (ko) * 2021-12-23 2023-06-30 엘지디스플레이 주식회사 터치표시장치
US12144112B2 (en) 2021-12-24 2024-11-12 E Ink Holdings Inc. Display panel and manufacturing method thereof
CN116613170B (zh) * 2023-04-28 2024-05-28 惠科股份有限公司 显示面板以及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010109342A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
CN103698954A (zh) * 2013-12-31 2014-04-02 合肥京东方光电科技有限公司 一种液晶面板及液晶显示装置
CN104570515A (zh) * 2015-01-26 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN104793417A (zh) * 2015-04-16 2015-07-22 上海中航光电子有限公司 一种tft阵列基板、显示面板及显示装置
KR20160006299A (ko) * 2014-07-08 2016-01-19 엘지디스플레이 주식회사 네로우 베젤을 갖는 표시장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4634673B2 (ja) 2001-09-26 2011-02-16 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4449953B2 (ja) 2006-07-27 2010-04-14 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置
US9373414B2 (en) * 2009-09-10 2016-06-21 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Shift register unit and gate drive device for liquid crystal display
WO2011036911A1 (ja) 2009-09-25 2011-03-31 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN102646389B (zh) * 2011-09-09 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 Oled面板及oled面板驱动方法
JP6655471B2 (ja) * 2016-05-18 2020-02-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びセンサ装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010109342A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
CN103698954A (zh) * 2013-12-31 2014-04-02 合肥京东方光电科技有限公司 一种液晶面板及液晶显示装置
KR20160006299A (ko) * 2014-07-08 2016-01-19 엘지디스플레이 주식회사 네로우 베젤을 갖는 표시장치
CN104570515A (zh) * 2015-01-26 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN104793417A (zh) * 2015-04-16 2015-07-22 上海中航光电子有限公司 一种tft阵列基板、显示面板及显示装置

Cited By (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108572485A (zh) * 2017-03-09 2018-09-25 中华映管股份有限公司 显示装置
CN106950770A (zh) * 2017-03-28 2017-07-14 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
CN106950770B (zh) * 2017-03-28 2019-08-02 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
CN106992147A (zh) * 2017-03-31 2017-07-28 上海天马微电子有限公司 制作显示面板的方法、显示面板及显示装置
CN106992147B (zh) * 2017-03-31 2019-11-22 上海天马微电子有限公司 制作显示面板的方法、显示面板及显示装置
CN107315505A (zh) * 2017-06-30 2017-11-03 上海天马微电子有限公司 显示面板、触控显示装置及触控压力检测方法
CN107315505B (zh) * 2017-06-30 2020-10-09 上海天马微电子有限公司 显示面板、触控显示装置及触控压力检测方法
CN107145261A (zh) * 2017-06-30 2017-09-08 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
US10714509B2 (en) 2017-09-26 2020-07-14 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
US10367010B2 (en) 2017-09-26 2019-07-30 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and display device
WO2019061885A1 (zh) * 2017-09-26 2019-04-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板和显示装置
CN107945728A (zh) * 2017-12-15 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示基板的制作方法及显示装置
CN109935580A (zh) * 2017-12-19 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制作方法、电子装置
CN108182921A (zh) * 2018-01-03 2018-06-19 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板、显示面板与显示装置
CN108470758B (zh) * 2018-04-27 2021-02-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN108470758A (zh) * 2018-04-27 2018-08-31 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN108761941A (zh) * 2018-05-31 2018-11-06 深圳市华星光电技术有限公司 Coa型液晶显示面板结构及coa型液晶显示面板的制作方法
CN108732840A (zh) * 2018-05-31 2018-11-02 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN108761941B (zh) * 2018-05-31 2021-04-20 Tcl华星光电技术有限公司 Coa型液晶显示面板结构及coa型液晶显示面板的制作方法
CN108630144A (zh) * 2018-06-19 2018-10-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN108957814A (zh) * 2018-08-29 2018-12-07 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种液晶显示装置及电路补偿方法
CN108957814B (zh) * 2018-08-29 2021-08-13 南京京东方显示技术有限公司 一种液晶显示装置及电路补偿方法
CN112602142A (zh) * 2018-08-30 2021-04-02 株式会社日本显示器 显示装置
CN112602142B (zh) * 2018-08-30 2023-01-17 株式会社日本显示器 显示装置
CN115483262A (zh) * 2019-05-31 2022-12-16 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN115483262B (zh) * 2019-05-31 2025-01-28 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2020258643A1 (zh) * 2019-06-24 2020-12-30 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
US11217194B2 (en) 2019-08-16 2022-01-04 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel
CN110518019B (zh) * 2019-08-16 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN110518019A (zh) * 2019-08-16 2019-11-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
WO2021031367A1 (zh) * 2019-08-16 2021-02-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN110737126A (zh) * 2019-10-31 2020-01-31 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110737126B (zh) * 2019-10-31 2022-03-29 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110797356A (zh) * 2019-11-28 2020-02-14 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN110797356B (zh) * 2019-11-28 2022-04-01 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN111124177B (zh) * 2019-12-13 2023-10-31 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控显示面板
CN111124177A (zh) * 2019-12-13 2020-05-08 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控显示面板
CN111430375B (zh) * 2020-04-01 2023-02-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板
CN111430375A (zh) * 2020-04-01 2020-07-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板
CN111933036A (zh) * 2020-08-31 2020-11-13 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112310124B (zh) * 2020-10-28 2024-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN112310124A (zh) * 2020-10-28 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN112327551B (zh) * 2020-10-30 2022-08-23 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN112327551A (zh) * 2020-10-30 2021-02-05 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN112614871A (zh) * 2020-11-30 2021-04-06 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN112837618A (zh) * 2021-01-11 2021-05-25 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及显示装置
CN112837618B (zh) * 2021-01-11 2024-01-30 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及显示装置
WO2022151082A1 (zh) * 2021-01-13 2022-07-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
US12148393B2 (en) 2021-01-13 2024-11-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, and display device
GB2609580A (en) * 2021-01-13 2023-02-08 Boe Technology Group Co Ltd Display substrate and preparation method therefor, and display device
CN113053914B (zh) * 2021-03-08 2023-05-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113053914A (zh) * 2021-03-08 2021-06-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113035891A (zh) * 2021-03-15 2021-06-25 厦门天马微电子有限公司 阵列基板和显示装置
US12032251B2 (en) 2021-05-31 2024-07-09 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel
CN113325637A (zh) * 2021-05-31 2021-08-31 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板
CN113467144A (zh) * 2021-06-29 2021-10-01 福州京东方光电科技有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN113467144B (zh) * 2021-06-29 2024-03-26 福州京东方光电科技有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
US11990482B2 (en) 2021-09-09 2024-05-21 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and electronic device
WO2023035318A1 (zh) * 2021-09-09 2023-03-16 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及电子装置
US12001106B2 (en) 2022-01-07 2024-06-04 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel
CN114355686A (zh) * 2022-01-07 2022-04-15 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板和液晶显示面板
WO2023226005A1 (zh) * 2022-05-27 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和显示装置
WO2024000248A1 (zh) * 2022-06-29 2024-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN115064115A (zh) * 2022-07-01 2022-09-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN115662330A (zh) * 2022-10-24 2023-01-31 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2024183540A1 (zh) * 2023-03-09 2024-09-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
WO2025010975A1 (zh) * 2023-07-07 2025-01-16 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN117970720A (zh) * 2024-01-17 2024-05-03 惠科股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法和电子纸显示面板

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