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CN111240115A - 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示面板 - Google Patents

薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示面板 Download PDF

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CN111240115A CN202010184870.4A CN202010184870A CN111240115A CN 111240115 A CN111240115 A CN 111240115A CN 202010184870 A CN202010184870 A CN 202010184870A CN 111240115 A CN111240115 A CN 111240115A
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Abstract

一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示面板，其中薄膜晶体管阵列基板包括：衬底、栅极、与栅极连接的扫描线、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极、第一绝缘层、公共电极层、第二绝缘层、像素电极层和数据线；公共电极层设有对应于源极和漏极设置的通孔，像素电极层通过第一接触孔与源极电性连接，该第一接触孔贯穿第二绝缘层和第一绝缘层；数据线通过第二接触孔与漏极电性连接，第二接触孔贯穿第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层；本发明中源极、漏极和数据线堆叠设置，进而连接源极和像素电极的第一接触孔、连接数据线和漏极的第二接触孔也与数据线堆叠设置，增大了开口区沿扫描线延伸方向的宽度，增大了开口率。

Description

薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和液晶显示面板。
背景技术
目前，高清显示装置(HD，High Definition)和全高清显示装置(FHD，Full HighDefinition)越来越受到人们的欢迎，高分辨率高穿透率的液晶显示面板(LCD，LiquidCrystal Display)更是一个趋势。
图1是现有技术中一种薄膜晶体管阵列基板的局部平面结构示意图，该薄膜晶体管阵列基板包括多条扫描线101、多条数据线102以及由该多条扫描线101和该多条数据线102交叉限定构成的多个像素单元。像素单元设有与扫描线101连接的栅极、位于栅极上方的有源层103、分别与有源层103接触的源极104和漏极105以及一像素电极106。由于源极104和像素电极106之间夹置有一层或多层绝缘层，需要在绝缘层上刻蚀形成接触孔107以使得像素电极106填入接触孔107中并与源极104电性连接，并且为了像素电极106和源极104之间的连接足够可靠，接触孔107需要占据一定的面积，进而源极104也需要设计得较大与填入接触孔107的像素电极106稳固地电连接，彩膜基板上的黑矩阵也需要相应制作成与源极104面积匹配的大小以将源极104遮挡住，导致最终制作形成的液晶显示面板内像素单元的开口率较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示面板，解决了液晶显示面板内像素单元的开口率较低问题，进而降低产品功耗。
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板包括：
衬底；
位于所述衬底上的第一金属层；所述第一金属层包括栅极和与所述栅极连接的扫描线；
覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层；
位于所述栅极绝缘层上的有源层；
位于所述栅极绝缘层上的第二金属层；所述第二金属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触；
覆盖所述第二金属层的第一绝缘层；
位于所述第一绝缘层上的公共电极层；所述公共电极层设有对应于所述源极和所述漏极设置的通孔，所述通孔暴露出覆盖在所述源极和所述漏极上方的所述第一绝缘层；
覆盖所述公共电极层和所述第一绝缘层的第二绝缘层；
位于所述第二绝缘层上的像素电极层；所述像素电极层通过第一接触孔与所述源极电性连接，所述第一接触孔贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层；
覆盖所述像素电极层和所述第二绝缘层的第三绝缘层；
位于所述第三绝缘层上的第三金属层；所述第三金属层包括数据线，所述数据线通过第二接触孔与所述漏极电性连接，所述第二接触孔贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层。
进一步地，所述第一接触孔和所述第二接触孔在所述数据线的延伸方向上依次设置。
进一步地，所述数据线在所述衬底上的投影覆盖所述第一接触孔。
进一步地，所述数据线在所述衬底上的投影还覆盖所述源极、所述漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道。
进一步地，所述源极和所述漏极在所述数据线的延伸方向上依次设置，位于所述源极和所述漏极之间的沟道呈垂直于所述数据线的直线型。
进一步地，所述数据线设有多个拓宽部和多个连接部，所述多个拓宽部和所述多个连接部在所述数据线的延伸方向上间隔设置；所述拓宽部在所述衬底上的投影覆盖所述源极、所述漏极、位于所述源极和所述漏极之间的沟道、所述第一接触孔以及所述第二接触孔。
进一步地，所述公共电极层呈面状覆盖在所述第一绝缘层上除所述通孔之外的区域。
进一步地，所述像素电极层包括多个像素电极，每个所述像素电极包括外围框和连接在所述外围框内的多个梳条，所述梳条包括垂直于所述数据线延伸的直线部和分别位于所述直线部两侧的两个折线部，所述直线部和所述数据线的近端距离小于5μm。
本发明还提供一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括彩膜基板、薄膜晶体管阵列基板以及位于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层，所述薄膜晶体管阵列基板为上述任一种薄膜晶体管阵列基板。
本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：
在衬底上沉积第一金属薄膜，对所述第一金属薄膜进行图案化制作形成第一金属层，所述第一金属层包括栅极和与所述栅极连接的扫描线；
在所述衬底上沉积覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上沉积有源层薄膜，对所述有源层薄膜进行图案化制作形成有源层；
在所述栅极绝缘层上沉积第二金属薄膜，对所述第二金属薄膜进行图案化制作形成第二金属层，所述第二金属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触；
在所述栅极绝缘层上沉积覆盖所述第二金属层的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上沉积第一透明导电薄膜，对所述第一透明导电薄膜进行图案化制作形成公共电极层，所述公共电极层设有对应于所述源极和所述漏极设置的通孔，所述通孔暴露出覆盖在所述源极和所述漏极上方的所述第一绝缘层；
在所述公共电极层上沉积覆盖所述公共电极层和所述第一绝缘层的第二绝缘层；
对所述第二绝缘层和所述第一绝缘层进行图案化形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一接触孔，所述第一接触孔的底部暴露出所述源极的部分表面；
在所述第二绝缘层上沉积第二透明导电薄膜，对所述第二透明导电薄膜进行图案化形成像素电极层，所述像素电极层填入所述第一接触孔与所述源极电性连接；
在所述第二绝缘层上沉积覆盖所述像素电极层的第三绝缘层；
对所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层进行图案化形成贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第二接触孔，所述第二接触孔的底部暴露出所述漏极的部分表面；
在所述第三绝缘层上沉积第三金属薄膜，对所述第三金属薄膜进行图案化制作形成第三金属层，所述第三金属层包括数据线，所述数据线填入所述第二接触孔与所述漏极电性连接。
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示面板，其中源极、漏极和数据线堆叠设置，进而连接源极和像素电极的第一接触孔、连接数据线和漏极的第二接触孔也与数据线堆叠设置，第一接触孔和与之接触的源极无需额外占据数据线和像素电极之间的布局空间，在同样长度和宽度的像素单元中，像素电极可以在第一方向上占据更大的空间，进而可以增大开口区沿扫描线延伸方向的宽度，增大开口率。
附图说明
图1为现有技术中一种薄膜晶体管阵列基板的局部平面结构示意图。
图2为本发明一实施例的薄膜晶体管阵列基板的局部平面结构示意图。
图3为图2所示薄膜晶体管阵列基板沿A-A剖面线的截面结构示意图。
图4为图2所示薄膜晶体管阵列基板中部分元件的平面结构示意图。
图5a至图5h是图2所示薄膜晶体管阵列基板在制作过程的平面结构示意图。
图6a至图6h是图2所示薄膜晶体管阵列基板在制作过程的截面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本实施例的薄膜晶体管阵列基板包括多条扫描线11和多条数据线18，该多条扫描线11和该多条数据线18相互绝缘交叉限定构成多个像素单元。
图2为本实施例中薄膜晶体管阵列基板的局部平面结构示意图，其示出了完整的一个像素单元和部分周边结构，并省略了多个绝缘层，图3示出了该薄膜晶体管阵列基板沿图2中A-A剖面线的截面结构示意图。如图2和图3所示，该薄膜晶体管阵列基板包括衬底10、位于衬底10上的第一金属层、覆盖第一金属层的栅极绝缘层12、位于栅极绝缘层12上的有源层13、位于栅极绝缘层12上的第二金属层、覆盖第二金属层的第一绝缘层151、位于第一绝缘层151上的公共电极层16、覆盖公共电极层16和第一绝缘层151的第二绝缘层152、位于第二绝缘层152上的像素电极层17、覆盖像素电极层17和第二绝缘层152的第三绝缘层153以及位于第三绝缘层153上的第三金属层。
其中，第一金属层包括栅极111和与栅极111连接的扫描线11，扫描线11沿第一方向X延伸，栅极111连接在扫描线11的上侧或者下侧。
有源层13呈岛状，且间隔栅极绝缘层12位于栅极111上方。
第二金属层包括源极141和漏极142，源极141和漏极142分别与有源层13接触，源极141和漏极142之间构成沟道。需要说明的，本实施例中源极141和漏极14分别指薄膜晶体管的两个通路端，在实际应用中，两者可以互换。
公共电极层16设有对应于源极141和漏极142设置的通孔161，通孔161暴露出覆盖在源极141和漏极142上方的第一绝缘层151。
在源极141上方设有贯穿第二绝缘层152和第一绝缘层151的第一接触孔171，像素电极层17通过第一接触孔171与源极141电性连接。像素电极层17包括多个分立的像素电极170，每个像素电极170位于对应的像素区域内。
在漏极142上方设有贯穿第三绝缘层153、第二绝缘层152和第一绝缘层151的第二接触孔181，数据线18通过第二接触孔181与漏极142电性连接，数据线18沿垂直于第一方向X的第二方向Y延伸。
具体地，衬底10可以是玻璃基板或塑料基板。栅极绝缘层12、第一绝缘层151、第二绝缘层152和第三绝缘层153由无机绝缘材料形成，例如为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)，或者由有机绝缘材料形成。第一金属层、第二金属层和第三金属层例如为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，也可以为多层金属薄膜构成的复合薄膜。有源层13可以为非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、金属氧化物半导体(如IGZO、ITZO)等。公共电极和像素电极170为透明导电材质，例如为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等。
本实施例中，第一接触孔171和第二接触孔181在数据线18的延伸方向上依次设置，源极141和漏极142在数据线18的延伸方向上依次设置，位于源极141和漏极142之间的沟道呈垂直于数据线18的直线型，即源极141和漏极142相对设置于沟道两侧的边缘垂直于数据线18。数据线18在衬底10上的投影覆盖第一接触孔171，相应地数据线18覆盖填入第一接触孔171的部分像素电极层17，还覆盖源极141、漏极142以及位于源极141和漏极142之间的沟道。
如图2和图3所示，源极141、漏极142和数据线18堆叠设置，进而连接源极141和像素电极170的第一接触孔171、连接数据线18和漏极142的第二接触孔181也与数据线18堆叠设置，第一接触孔171和与之接触的源极141无需额外占据数据线18和像素电极170之间的布局空间，在同样长度和宽度的像素单元中，像素电极170可以在第一方向X上占据更大的空间，进而可以增大开口区AA沿扫描线11延伸方向的宽度，增大开口率。
进一步，数据线18设有多个拓宽部181和多个连接部182，多个拓宽部181和多个连接部182在数据线18的延伸方向上间隔设置。拓宽部181在衬底10上的投影覆盖源极141、漏极142、位于源极141和漏极142之间的沟道、第一接触孔171以及第二接触孔181，连接部182与扫描线11绝缘交叉。拓宽部181沿第一方向X的宽度例如为10μm～20μm，连接部182沿第一方向X的宽度例如为3μm～8μm，第一接触孔171和第二接触孔181沿第一方向X的宽度例如为3μm～8μm。拓宽部181的宽度大于连接部182，使得在第二接触孔181处，数据线18和漏极142能够稳固地电连接，并且拓宽部181能对应覆盖源极141、漏极142和第一接触孔171。连接部182的宽度较小，减小了数据线18和扫描线11之间的寄生电容。
进一步地，本实施例以FFS(边缘电场切换型)显示模式为例进行说明，但不以此为限。公共电极层16呈面状覆盖在第一绝缘层151上除通孔161之外的区域。结合图2和图4，图4示出了图2中部分元件的平面结构示意图，其中仅示出了扫描线11、数据线18和像素电极170。像素电极170呈梳条状结构，每个像素电极170包括外围框172和连接在外围框172内的多个梳条173，图4为清晰起见仅示出了一个梳条173的结构，实际应用中为在第二方向Y上依次排布的多个。每个梳条173包括垂直于数据线18延伸的直线部17a和分别位于直线部17a两侧的两个折线部17b，直线部17a和折线部17b之间呈一定夹角，直线部17a和数据线18的近端距离L3小于5μm。
本实施例还公开了一种液晶显示面板，包括彩膜基板、薄膜晶体管阵列基板以及位于彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层，其中薄膜晶体管阵列基板为上述任一种薄膜晶体管阵列基板。液晶显示面板设有与多个像素单元相对应的多个开口区AA，开口区AA位于对应的像素单元内且面积小于该像素单元。彩膜基板包括黑矩阵和彩色滤光层，黑矩阵设有对应于开口区AA的缺口并覆盖彩膜基板除开口区AA以外的区域，彩色滤光层填充在黑矩阵的开口内。黑矩阵需要覆盖扫描线11、数据线18、源极141、漏极142及其周边一定范围内的区域，以避免漏光和金属层反射，保障显示质量。像素电极170中梳条173的折线部17b用于提高液晶层响应速度等功能，折线部17b对应区域的显示效果不佳，因此黑矩阵全部覆盖或至少部分覆盖折线部17b。
以像素单元沿第一方向X的长度为90μm，沿第二方向Y的宽度为30μm为例进行比较。请参图1，现有技术中，像素单元内开口区AA的长度L1为53μm，宽度H1为22μm。请参图2，本实施例中，像素单元内开口区AA的长度L2为64μm，宽度H2为22μm，本实施例通过源极141、漏极142和数据线18堆叠设置，减小了像素电极170的直线部17a和数据线18的近端距离，进而增大了像素电极170沿扫描线11延伸方向的长度，增大了像素单元的开口率。以上均以黑矩阵全部覆盖像素电极170的折线部17b进行比较，可以理解地，即使更改像素单元的面积，或者同步变更黑矩阵覆盖像素电极170的折线部17b的范围，本实施例的薄膜晶体管阵列基板仍具有大于现有技术的开口率。
请参图5a～图5h及图6a～图6h，本实施例还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，图5a～图5h示出了本实施例的薄膜晶体管阵列基板在制作过程的平面结构示意图，图6a～图6h示出了本实施例的薄膜晶体管阵列基板在制作过程的截面结构示意图，该制作方法包括以下步骤：
请参图5a和图6a，在衬底10上沉积第一金属薄膜，对第一金属薄膜进行图案化制作形成第一金属层，第一金属层包括栅极111和与栅极111连接的扫描线11；
在衬底10上沉积覆盖第一金属层的栅极绝缘层12；
请参图5b和图6b，在栅极绝缘层12上沉积有源层薄膜，对有源层薄膜进行图案化制作形成有源层13；有源层13可以为非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、金属氧化物半导体(如IGZO、ITZO)等；
请参图5c和图6c，在栅极绝缘层12上沉积第二金属薄膜，对第二金属薄膜进行图案化制作形成第二金属层，第二金属层包括源极141和漏极142，源极141和漏极142分别与有源层13接触；
在栅极绝缘层12上沉积覆盖第二金属层的第一绝缘层151；
请参图5d和图6d，在第一绝缘层151上沉积第一透明导电薄膜，对第一透明导电薄膜进行图案化制作形成公共电极层16，公共电极层16设有对应于源极141和漏极142设置的通孔161，通孔161暴露出覆盖在源极141和漏极142上方的第一绝缘层151；优选地，公共电极层16呈面状覆盖在第一绝缘层151上除通孔161之外的区域；
请参图5e和图6e，在公共电极层16上沉积覆盖公共电极层16和第一绝缘层151的第二绝缘层152；对第二绝缘层152和第一绝缘层151进行图案化形成贯穿第二绝缘层152和第一绝缘层151的第一接触孔171，第一接触孔171的底部暴露出源极141的部分表面；
请参图5f和图6f，在第二绝缘层152上沉积第二透明导电薄膜，对第二透明导电薄膜进行图案化形成像素电极层17，像素电极层17填入第一接触孔171与源极141电性连接；
请参图5g和图6g，在第二绝缘层152上沉积覆盖像素电极层17的第三绝缘层153；对第三绝缘层153、第二绝缘层152和第一绝缘层151进行图案化形成贯穿第三绝缘层153、第二绝缘层152和第一绝缘层151的第二接触孔181，第二接触孔181的底部暴露出漏极142的部分表面；
请参图5h和图6h，在第三绝缘层153上沉积第三金属薄膜，对第三金属薄膜进行图案化制作形成第三金属层，第三金属层包括数据线18，数据线18填入第二接触孔181与漏极142电性连接。
其中，第一接触孔171和第二接触孔181在数据线18的延伸方向上依次设置，源极141和漏极142在数据线18的延伸方向上依次设置，位于源极141和漏极142之间的沟道呈垂直于数据线18的直线型，即源极141和漏极142相对设置于沟道两侧的边缘垂直于数据线18。数据线18在衬底10上的投影覆盖第一接触孔171，相应地数据线18覆盖填入第一接触孔171的部分像素电极层17，还覆盖源极141、漏极142以及位于源极141和漏极142之间的沟道。
上述图案化步骤例如为干法刻蚀或湿法刻蚀，且不以此为限。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：
衬底(10)；
位于所述衬底(10)上的第一金属层；所述第一金属层包括栅极(111)和与所述栅极(111)连接的扫描线(11)；
覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层(12)；
位于所述栅极绝缘层(12)上的有源层(13)；
位于所述栅极绝缘层(12)上的第二金属层；所述第二金属层包括源极(141)和漏极(142)，所述源极(141)和所述漏极(142)分别与所述有源层(13)接触；
覆盖所述第二金属层的第一绝缘层(151)；
位于所述第一绝缘层(151)上的公共电极层(16)；所述公共电极层(16)设有对应于所述源极(141)和所述漏极(142)设置的通孔(161)，所述通孔(161)暴露出覆盖在所述源极(141)和所述漏极(142)上方的所述第一绝缘层(151)；
覆盖所述公共电极层(16)和所述第一绝缘层(151)的第二绝缘层(152)；
位于所述第二绝缘层(152)上的像素电极层(17)；所述像素电极层(17)通过第一接触孔(171)与所述源极(141)电性连接，所述第一接触孔(171)贯穿所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151)；
覆盖所述像素电极层(17)和所述第二绝缘层(152)的第三绝缘层(153)；
位于所述第三绝缘层(153)上的第三金属层；所述第三金属层包括数据线(18)，所述数据线(18)通过第二接触孔(181)与所述漏极(142)电性连接，所述第二接触孔(181)贯穿所述第三绝缘层(153)、所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151)。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一接触孔(171)和所述第二接触孔(181)在所述数据线(18)的延伸方向上依次设置。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线(18)在所述衬底(10)上的投影覆盖所述第一接触孔(171)。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线(18)在所述衬底(10)上的投影还覆盖所述源极(141)、所述漏极(142)以及位于所述源极(141)和所述漏极(142)之间的沟道。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述源极(141)和所述漏极(142)在所述数据线(18)的延伸方向上依次设置，位于所述源极(141)和所述漏极(142)之间的沟道呈垂直于所述数据线(18)的直线型。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线(18)设有多个拓宽部(181)和多个连接部(182)，所述多个拓宽部(181)和所述多个连接部(182)在所述数据线(18)的延伸方向上间隔设置；所述拓宽部(181)在所述衬底(10)上的投影覆盖所述源极(141)、所述漏极(142)、位于所述源极(141)和所述漏极(142)之间的沟道、所述第一接触孔(171)以及所述第二接触孔(181)。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述公共电极层(16)呈面状覆盖在所述第一绝缘层(151)上除所述通孔(161)之外的区域。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极层(17)包括多个像素电极(170)，每个所述像素电极(170)包括外围框(172)和连接在所述外围框(172)内的多个梳条(173)，所述梳条(173)包括垂直于所述数据线(18)延伸的直线部(17a)和分别位于所述直线部(17a)两侧的两个折线部(17b)，所述直线部(17a)和所述数据线(18)的近端距离(L3)小于5μm。
9.一种液晶显示面板，包括彩膜基板、薄膜晶体管阵列基板以及位于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板为权利要求1～8任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
10.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
在衬底(10)上沉积第一金属薄膜，对所述第一金属薄膜进行图案化制作形成第一金属层，所述第一金属层包括栅极(111)和与所述栅极(111)连接的扫描线(11)；
在所述衬底(10)上沉积覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层(12)；
在所述栅极绝缘层(12)上沉积有源层薄膜，对所述有源层薄膜进行图案化制作形成有源层(13)；
在所述栅极绝缘层(12)上沉积第二金属薄膜，对所述第二金属薄膜进行图案化制作形成第二金属层，所述第二金属层包括源极(141)和漏极(142)，所述源极(141)和所述漏极(142)分别与所述有源层(13)接触；
在所述栅极绝缘层(12)上沉积覆盖所述第二金属层的第一绝缘层(151)；
在所述第一绝缘层(151)上沉积第一透明导电薄膜，对所述第一透明导电薄膜进行图案化制作形成公共电极层(16)，所述公共电极层(16)设有对应于所述源极(141)和所述漏极(142)设置的通孔(161)，所述通孔(161)暴露出覆盖在所述源极(141)和所述漏极(142)上方的所述第一绝缘层(151)；
在所述公共电极层(16)上沉积覆盖所述公共电极层(16)和所述第一绝缘层(151)的第二绝缘层(152)；
对所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151)进行图案化形成贯穿所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151)的第一接触孔(171)，所述第一接触孔(171)的底部暴露出所述源极(141)的部分表面；
在所述第二绝缘层(152)上沉积第二透明导电薄膜，对所述第二透明导电薄膜进行图案化形成像素电极层(17)，所述像素电极层(17)填入所述第一接触孔(171)与所述源极(141)电性连接；
在所述第二绝缘层(152)上沉积覆盖所述像素电极层(17)的第三绝缘层(153)；
对所述第三绝缘层(153)、所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151)进行图案化形成贯穿所述第三绝缘层(153)、所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151)的第二接触孔(181)，所述第二接触孔(181)的底部暴露出所述漏极(142)的部分表面；
在所述第三绝缘层(153)上沉积第三金属薄膜，对所述第三金属薄膜进行图案化制作形成第三金属层，所述第三金属层包括数据线(18)，所述数据线(18)填入所述第二接触孔(181)与所述漏极(142)电性连接。
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