CN110892519B - 输送装置、基板处理系统、输送方法以及基板处理方法 - Google Patents
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Abstract
输送装置保持被薄板化的基板,并且沿着输送所述基板的输送路径移动,其中,该输送装置具有:抓持部,其用于抓持借助带安装有所述基板的框架;引导部,其与所述抓持部一同沿着所述输送路径移动,载置由所述抓持部抓持的所述框架;以及移动机构部,其通过使所述抓持部相对于所述引导部移动,使由所述抓持部抓持的所述框架沿着所述引导部移动。
Description
技术领域
本发明涉及输送装置、基板处理系统、输送方法以及基板处理方法。
背景技术
近年来,为了响应半导体装置的小型化、轻量化的要求,进行这样的操作:在半导体晶圆等基板的第1主表面形成了元件、电路、端子等之后,磨削基板的与第1主表面相反的一侧的第2主表面,使基板薄板化。
专利文献1所记载的磨削装置具有供给侧盒台、回收侧盒台、以及输入/输出机器人。供给侧盒能够装卸地载置于供给侧盒台。另一方面,回收侧盒能够装卸地载置于回收侧盒台。
供给侧盒和回收侧盒是相同结构。在供给侧盒的隔着开口的两侧的侧壁的内表面,在上下的整个范围内设有多组左右一对架板。在左右一对架板载置有工件单元。工件单元是指晶圆借助粘合带支承于框架而成的整体。
输入/输出机器人具有从下方支承工件单元的叉部。叉部形成为板状,从基端部分支为两叉状。工件单元支承于叉部而从供给侧盒内取出。之后,进行晶圆的磨削、清洗、干燥等,工件单元被输入/输出机器人收纳于回收侧盒内。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-135026号公报
发明内容
发明要解决的问题
专利文献1的输入/输出机器人的叉部插入在供给侧盒的内部沿着上下方向排列的多个工件单元之间,将工件单元逐一取出。因此,叉部的上下方向被设定为薄于在供给侧盒的内部沿着上下方向排列的多个工件单元的间隔。因而,叉部的刚度并不充分,有时框架由于重力而挠曲变形,且基板变形。
本发明即是鉴于上述课题而完成的,其主要的目的在于,提供一种能够抑制环状的框架的由重力引起的挠曲变形并能够抑制借助带安装于框架的基板的变形的输送装置。
用于解决问题的方案
为了解决上述课题,根据本发明的一个技术方案,
提供一种输送装置,其保持被薄板化的基板,并且沿着输送所述基板的输送路径移动,其中,
该输送装置具有:
抓持部,其用于抓持借助带安装有所述基板的框架;
引导部,其与所述抓持部一同沿着所述输送路径移动,载置由所述抓持部抓持的所述框架;以及
移动机构部,其通过使所述抓持部相对于所述引导部移动,使由所述抓持部抓持的所述框架沿着所述引导部移动。
发明的效果
根据本发明的一个技术方案,提供一种能够抑制环状的框架的由重力引起的挠曲变形并能够抑制借助带安装于框架的基板的变形的输送装置。
附图说明
图1是表示利用第1实施方式的基板处理系统进行处理之前的基板的立体图。
图2是表示利用第1实施方式的基板处理系统进行处理之后的基板的立体图。
图3是表示第1实施方式的基板处理系统的俯视图。
图4是表示第1实施方式的切割部的图。
图5是表示第1实施方式的薄板化部的粗磨削部的图。
图6是表示第1实施方式的紫外线照射部的图。
图7是表示第1实施方式的安装部的图。
图8是表示第1实施方式的剥离部的图。
图9是表示第1实施方式的ID粘贴部的图。
图10是第1实施方式的基板处理方法的流程图。
图11是表示第1实施方式的输送部所具有的第1保持部、第2保持部以及第3保持部的立体图。
图12是表示第1实施方式的输送部从输入盒取出处理前的基板的动作的俯视图。
图13是表示第1实施方式的输送部使第2保持部相对于清洗部出入的动作的俯视图。
图14是表示第1实施方式的第2保持部的立体图。
图15是分解地表示第1实施方式的第2保持部的立体图。
图16是表示第1实施方式的清洗部的图。
图17是表示第1实施方式的输送部将处理后的基板收纳于输出盒的动作的俯视图。
图18是表示第1实施方式的输送部将处理后的基板收纳于输出盒的动作的剖视图。
图19是表示第1实施方式的第1变形例的第1保持部的立体图。
图20是表示由第1实施方式的第1变形例的第1保持部的第3吸附部吸附的基板和由第1保持部的第1吸附部吸附的第2保持部的立体图。
图21是表示第1实施方式的第1变形例的第1保持部的吸附力供给部的俯视图。
图22是表示第1实施方式的第2变形例的替换部和吸附于替换部的第1保持部的立体图。
图23是表示第1实施方式的第2变形例的替换部的抽吸路径和吸附于替换部的第1保持部的抽吸路径的俯视图。
图24是表示具备第1实施方式的第3变形例的输送部的基板处理系统的俯视图。
图25是表示利用第2实施方式的基板处理系统进行处理之前的基板的立体图。
图26是表示利用第2实施方式的基板处理系统进行处理之后的基板的立体图。
图27是表示第2实施方式的基板处理系统的俯视图。
图28是表示第2实施方式的切割部的图。
图29是表示第2实施方式的薄板化部的粗磨削部的图。
图30是第2实施方式的基板处理方法的流程图。
图31是表示第3实施方式的第3保持部的概略结构的图。
图32是表示利用第3实施方式的第3保持部进行的框架的接受动作的第1阶段和送出动作的第7阶段的图。
图33是表示利用第3实施方式的第3保持部进行的框架的接受动作的第2阶段和送出动作的第6阶段的图。
图34是表示利用第3实施方式的第3保持部进行的框架的接受动作的第3阶段的图。
图35是表示利用第3实施方式的第3保持部进行的框架的接受动作的第4阶段的图。
图36是表示利用第3实施方式的第3保持部进行的框架的接受动作的第5阶段的图。
图37是表示利用第3实施方式的第3保持部进行的框架的接受动作的第6阶段的图。
图38是表示利用第3实施方式的第3保持部进行的框架的接受动作的第7阶段的图。
图39是表示利用第3实施方式的第3保持部进行的框架的送出动作的第1阶段的图。
图40是表示利用第3实施方式的第3保持部进行的框架的送出动作的第2阶段的图。
图41是表示利用第3实施方式的第3保持部进行的框架的送出动作的第3阶段的图。
图42是表示第4实施方式的第2保持部的概略结构的俯视图。
图43是表示利用第4实施方式的第2保持部进行的基板的接受动作的各阶段(a)~(g)的图。
图44是表示利用第4实施方式的第2保持部进行的基板的送出动作的各阶段(a)~(g)的图。
具体实施方式
以下,参照附图说明用于实施本发明的方式。在各附图中,对相同或者对应的结构标注相同或者对应的附图标记并省略说明。在以下的说明中,X方向、Y方向、Z方向是互相垂直的方向,X方向和Y方向是水平方向,Z方向是铅垂方向。也将以铅垂轴线为旋转中心的旋转方向称为θ方向。在本说明书中,下方意味着铅垂方向下方,上方意味着铅垂方向上方。
[第1实施方式]
<利用基板处理系统进行处理之前的基板>
图1是表示利用第1实施方式的基板处理系统进行处理之前的基板的立体图。基板10是例如半导体基板、蓝宝石基板等。基板10的第1主表面11由形成为格子状的多个迹道划分,在划分的各区域预先形成有元件、电路、端子等。通过沿着形成为格子状的多个迹道分割基板10,从而得到芯片13(参照图2)。
在基板10的第1主表面11粘合有保护带14。在进行切割、薄板化等加工的期间,保护带14保护基板10的第1主表面11,保护预先形成于第1主表面11的元件、电路、端子等。
保护带14由片基材和涂敷于片基材的表面的粘合剂构成。可以是,该粘合剂在照射紫外线时固化而降低粘合力。在粘合力下降之后,能够利用剥离操作简单地自基板10剥离保护带14。
<利用基板处理系统进行处理之后的基板>
图2是表示利用第1实施方式的基板处理系统进行处理之后的基板的立体图。基板10在被切割并薄板化之后借助粘合带18安装于框架19。另外,自基板10剥离并除去图1所示的保护带14。
粘合带18由片基材和涂敷于片基材的表面的粘合剂构成。粘合带18以覆盖环状的框架19的开口部的方式安装于框架19,在框架19的开口部与基板10粘合。由此,能够保持框架19来输送基板10,能够提升基板10的处理性。
也可以如图2所示在粘合带18和基板10之间设有DAF(Die Attach Film,芯片粘接膜)15。DAF15是芯片接合用的粘接片。DAF15用于芯片13的层叠等。DAF15可以是导电性、绝缘性中的任一种。
DAF15形成为小于框架19的开口部,设于框架19的内侧。DAF15覆盖基板10的第2主表面12整体。另外,在不进行芯片13的层叠的情况下,不需要DAF15,因此基板10可以仅借助粘合带18安装于框架19。
<基板处理系统>
图3是表示第1实施方式的基板处理系统的俯视图。在图3中,仅图示图11所示的第1保持部60、第2保持部70及第3保持部80中的第1保持部60。此外,在图3中,剖切输入盒35和输出盒45而图示输入盒35的内部和输出盒45的内部。
基板处理系统1进行基板10的切割、基板10的薄板化、对保护带14进行的紫外线照射、基板10的安装、保护带14自基板10的剥离、对框架19进行的ID粘贴等各种处理。
基板处理系统1包括控制部20、输入部30、输出部40、输送路径50、输送部58(输送装置)以及各种处理部。作为处理部,并没有特别的限定,例如设有切割部100、薄板化部200、紫外线照射部400、安装部500、剥离部600以及ID粘贴部700。
控制部20由例如计算机构成,如图3所示具有CPU(Central Processing Unit,中央处理器)21、存储器等存储介质22、输入接口23以及输出接口24。控制部20通过使CPU21执行存储于存储介质22的程序来进行各种控制。此外,控制部20利用输入接口23接收来自外部的信号,并利用输出接口24向外部发送信号。
控制部20的程序存储于信息存储介质,从信息存储介质加载。作为信息存储介质,例如能够列举出硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。另外,程序也可以借助互联网从服务器下载并加载。
向输入部30输入收纳有处理前的基板10的输入盒35。输入盒35在Z方向上空开间隔地收纳例如多个借助粘合带18安装于框架19之前且是薄板化之前的基板10。
输入盒35为了在Z方向上空开间隔地收纳多张基板10,在Z方向上空开间隔地具有多个水平配置的一对收纳板36。如图3所示,一对收纳板36支承基板10的Y方向两端部。
输入部30具备载置输入盒35的载置板31。载置板31在Y方向上呈一列地设有多个。另外,载置板31的个数并不限定于图示的个数。
输出部40输出收纳有处理后的基板10的输出盒45。输出盒45在Z方向上空开间隔地收纳例如多个借助粘合带18安装于框架19之后且是薄板化之后的基板10。
输出盒45为了在Z方向上空开间隔地收纳多张基板10,在Z方向上空开间隔地具有多个水平配置的一对收纳板46。如图3所示,一对收纳板46支承框架19的Y方向两端部。
输出部40具备载置输出盒45的载置板41。载置板41在Y方向上呈一列地设有多个。另外,载置板41的个数并不限定于图示的个数。
输送路径50是输送部58向输入部30、输出部40及多个处理部输送基板10的通路,沿着例如Y方向延伸。在输送路径50设有沿着Y方向延伸的Y轴引导件51,Y轴滑动件52沿着Y轴引导件51移动自如。
输送部58保持基板10并且沿着输送路径50移动,向输入部30、输出部40及多个处理部交接基板10。输送部58包含作为输送基体的Y轴滑动件52等。
输入部30、输出部40及多个处理部与输送路径50相邻地设置。例如,输送路径50沿着Y方向延伸,输入部30以及输出部40与输送路径50相邻地设置于输送路径50的X方向单侧,切割部100、薄板化部200、紫外线照射部400、安装部500及剥离部600与输送路径50相邻地设置于输送路径50的X方向相反侧。此外,ID粘贴部700与输送路径50相邻地设置于输送路径50的Y方向单侧。
根据本实施方式,输入部30以及多个处理部与输送路径50相邻地设置。因此,输送部58能够向输入部30和多个处理部交接基板10。由此,能够使输送部58多功能化而增加输送部58的工作量,能够改善输送部58的运转效率。
此外,根据本实施方式,输出部40也与输送路径50相邻地设置。因此,输送部58能够向输出部40交接基板10。由此,能够进一步使输送部58多功能化而进一步增加输送部58的工作量,能够进一步改善输送部58的运转效率。此外,由于多个处理部以及输出部40与输送路径50相邻地设置,在一个处理部中基板10产生了异常的情况下,能够将产生了异常的基板10迅速地向输出部40输送而不向其他的处理部输送。
另外,处理部的配置、个数并不限定于图3所示的配置、个数,能够任意地选择。此外,也可以是,多个处理部以任意的单位分散或者合并地配置。
以下,对各处理部进行说明。
<切割部>
图4是表示第1实施方式的切割部的图。切割部100进行基板10的切割。在本说明书中,基板10的切割意味着用于将基板10分割成多个芯片13的加工,包含分割基板10、在基板10形成分割的起点。切割部100具有例如切割台110、基板加工部120以及移动机构部130。
切割台110借助保护带14保持基板10。例如,切割台110以使基板10的第2主表面12朝上的方式水平地保持基板10。作为切割台110,使用例如真空吸盘,但也可以使用静电吸盘等。
基板加工部120进行由例如切割台110保持着的基板10的切割。基板加工部120具有例如激光振荡器121和用于向基板10照射来自激光振荡器121的激光光线的光学系统122。光学系统122由使来自激光振荡器121的激光光线朝向基板10聚光的聚光透镜等构成。
移动机构部130使切割台110和基板加工部120相对地移动。移动机构部130由用于使例如切割台110在X方向、Y方向、Z方向以及θ方向上移动的XYZθ台等构成。
控制部20控制基板加工部120和移动机构部130而沿着基板10的迹道进行基板10的切割。既可以如图4所示在基板10的内部形成成为断裂的起点的改性层2,也可以在基板10的激光照射面(例如图4中的上表面)形成激光加工槽。激光加工槽既可以在板厚方向上贯通基板10,也可以不贯通。
在基板10的内部形成改性层2的情况下,使用相对于基板10而言具有透射性的激光光线。改性层2通过使例如基板10的内部局部地熔融、固化而形成。另一方面,在基板10的激光照射面形成激光加工槽的情况下,使用相对于基板10而言具有吸收性的激光光线。
另外,在本实施方式中,基板加工部120具有用于向基板10照射激光光线的激光振荡器121,但既可以具有用于切削基板10的切削刀片,也可以具有用于在基板10的表面形成划痕槽的刷子。
另外,在本实施方式中,切割部100作为基板处理系统1的一部分而设置,但也可以设于基板处理系统1的外部。在该情况下,基板10在被切割之后从外部向输入部30输入,在输入部30中从输入盒35取出,替代切割部100而向薄板化部200输送。
<薄板化部>
薄板化部200(参照图3)通过加工切割后的基板10的与由保护带14保护着的第1主表面11相反的一侧的第2主表面12,从而使基板10薄板化。
在利用切割部100形成分割的起点的情况下,利用薄板化部200对基板10作用加工应力,从而裂纹从分割的起点沿着板厚方向扩展,将基板10分割成多个芯片13。
此外,在利用切割部100在基板10的内部形成改性层2的情况下,利用薄板化部200使基板10薄板化,从而除去改性层2。
例如,如图3所示,薄板化部200具有旋转台201、吸盘台202、粗磨削部210、精磨削部220以及损伤层除去部230。
旋转台201以旋转台201的中心线为中心地旋转。在旋转台201的旋转中心线的周围等间隔地配设有多个(例如在图3中是4个)吸盘台202。
多个吸盘台202与旋转台201一同以旋转台201的中心线为中心地旋转。旋转台201的中心线设为铅垂。每当旋转台201旋转时,与粗磨削部210、精磨削部220及损伤层除去部230相面对的吸盘台202都变更。
各吸盘台202借助保护带14保持基板10。吸盘台202以使基板10的第2主表面12朝上的方式水平地保持基板10。作为吸盘台202,使用例如真空吸盘,但也可以使用静电吸盘等。
图5是表示第1实施方式的薄板化部的粗磨削部的图。粗磨削部210进行基板10的粗磨削。例如,如图5所示,粗磨削部210具有旋转磨石211。旋转磨石211以其中心线为中心地旋转且下降,加工由吸盘台202保持着的基板10的上表面(也就是第2主表面12)。
精磨削部220进行基板10的精磨削。精磨削部220的结构与粗磨削部210的结构大致相同。但是,精磨削部220的旋转磨石的磨粒的平均粒径小于粗磨削部210的旋转磨石的磨粒的平均粒径。
损伤层除去部230除去由于粗磨削、精磨削等磨削而在基板10的第2主表面12形成的损伤层。例如,损伤层除去部230向基板10供给处理液而进行湿蚀刻处理,除去损伤层。另外,损伤层的除去方法并没有特别的限定。
另外,也可以是,薄板化部200具有用于进行基板10的研磨的研磨部。研磨部的结构与粗磨削部210的结构大致相同。作为基板10的研磨,例如能够列举出CMP(ChemicalMechanical Polishing,化学机械抛光)等。此外,也可以是,薄板化部200具有吸杂部,该吸杂部形成用于捕获杂质的吸杂点(例如晶体缺陷、应变)。在图3中,吸盘台202的数量是4个,但与加工的种类的数量相应地适当变更。此外,也可以是,一个加工部(例如损伤层除去部230)进行多种加工(例如损伤层除去和吸杂点形成)。
<紫外线照射部>
图6是表示第1实施方式的紫外线照射部的图。紫外线照射部400向保护带14照射紫外线。通过紫外线的照射能够使保护带14的粘合剂固化,能够降低保护带14的粘合力。在粘合力下降之后,能够利用剥离操作简单地自基板10剥离保护带14。
紫外线照射部400在被输入由保护带14保护的基板10的壳体的内部具有UV灯410。UV灯410从以保护带14为基准的与基板10相反的一侧向保护带14照射紫外线。
<安装部>
图7是表示第1实施方式的安装部的图。在图7中,双点划线表示粘合带18和DAF15的安装后的状态。安装部500借助粘合带18将被切割并薄板化的基板10安装于框架19。粘合带18以覆盖环状的框架19的开口部的方式安装于框架19,在框架19的开口部与基板10粘合。
也可以是,安装部500仅借助粘合带18将被切割并薄板化的基板10安装于框架19,但在图7中是借助预先层叠好的粘合带18和DAF15安装于框架19。DAF15形成为小于框架19的开口部,设于框架19的内侧。DAF15覆盖基板10的第2主表面12整体。
安装部500具有例如用于保持基板10和框架19的安装台510及借助粘合带18将基板10安装于由安装台510保持的框架19的粘合部520。
安装台510将框架19和配置于框架19的开口部的基板10平行地保持。框架19和基板10可以水平地保持。框架19的上表面和基板10的上表面可以具有与DAF15的厚度相同程度的高低差。另外,在不使用DAF15的情况下,框架19的上表面和基板10的上表面可以配置在同一个平面上。
粘合部520由例如层压用辊构成。
粘合带18等以卷取于芯的状态供给,并从芯抽出进行使用。粘合带18在利用张力抱住层压用辊的同时通过层压用辊和基板10之间,层叠于基板10。此外,粘合带18在利用张力抱住层压用辊的同时通过层压用辊和框架19之间,层叠于框架19。
如图7所示,安装部500将粘合带18从框架19的一端侧朝向另一端侧依次与框架19以及基板10粘合。由此,能够抑制空气的进入等。此外,由于在将粘合带18与基板10粘合的期间平坦地保持基板10,因此能够抑制基板10的破损。
<剥离部>
图8是表示第1实施方式的剥离部的图。在图8中,双点划线表示保护带14的剥离前的状态。剥离部600自借助粘合带18安装于框架19的基板10剥离保护带14。能够除去无用的保护带14。剥离部600具有例如剥离台610和剥离用辊620。
保护带14在利用张力抱住剥离用辊620的同时通过剥离用辊620和基板10之间,自基板10剥离。在该期间,剥离台610借助粘合带18等将基板10和框架19保持平坦。自基板10剥离的保护带14卷取于未图示的卷取芯。
如图8所示,剥离部600在使保护带14从基板10的一端侧朝向另一端侧依次变形的同时自基板10剥离。由此,能够顺畅地剥离保护带14和基板10。此外,由于在将保护带14和基板10剥离的期间平坦地保持基板10,因此能够抑制基板10的破损。
另外,也可以是,剥离部600将保护带14和基板10平行地剥离。
<ID粘贴部>
图9是表示第1实施方式的ID粘贴部的图。ID粘贴部700读取预先形成于基板10的识别信息16(参照图2),将读取到的识别信息16打印于标签17(参照图2),将打印好的标签17粘贴于框架19。识别信息16是用于识别基板10的信息,用数字、文字、记号、一维码、二维码等表示。
ID粘贴部700具有例如ID粘贴台710、读取装置720以及标签打印装置730。ID粘贴台710借助粘合带18等保持基板10和框架19。读取装置720读取预先形成于基板10的识别信息16。标签打印装置730将由读取装置720读取到的识别信息16打印于标签17,利用层压机等将打印好的标签17粘贴于框架19。
<基板处理方法>
接着,对利用上述结构的基板处理系统1进行的基板处理方法进行说明。图10是第1实施方式的基板处理方法的流程图。
如图10所示,基板处理方法具有输入工序S101、切割工序S102、薄板化工序S103、紫外线照射工序S104、安装工序S105、剥离工序S106、ID粘贴工序S107以及输出工序S108。在控制部20的控制下实施上述的工序。另外,上述的工序的顺序并不限定于图10所示的顺序。
在输入工序S101中,输送部58从放置于输入部30的输入盒35取出基板10,将取出来的基板10向切割部100输送。
在切割工序S102中,如图4所示,切割部100进行基板10的切割。在进行基板10的切割的期间,基板10的第1主表面11被保护带14保护。在切割部100切割了的基板10被输送部58向薄板化部200输送。
在薄板化工序S103中,如图5所示,通过薄板化部200加工基板10的第2主表面12,从而使基板10薄板化。在进行基板10的薄板化的期间,基板10的第1主表面11被保护带14保护。在薄板化部200薄板化了的基板10被输送部58向紫外线照射部400输送。
在紫外线照射工序S104中,如图6所示,紫外线照射部400向保护带14照射紫外线。通过紫外线的照射能够使保护带14的粘合剂固化,能够降低保护带14的粘合力。在粘合力下降之后,能够利用剥离操作简单地自基板10剥离保护带14。
紫外线照射工序S104也可以在安装工序S105之后进行,但在本实施方式中在安装工序S105之前进行。由此,能够防止在安装工序S105中与基板10粘合的粘合带18的由紫外线照射引起的劣化。带有在紫外线照射部400中照射了紫外线的保护带14的基板10被输送部58向安装部500输送。
在安装工序S105中,如图7所示,安装部500借助粘合带18将被切割并薄板化了的基板10安装于框架19。也可以是,安装部500仅借助粘合带18将被切割并薄板化了的基板10安装于框架19,但在本实施方式中借助预先层叠的粘合带18和DAF15安装于框架19。在安装部500中借助粘合带18安装于框架19的基板10被输送部58向剥离部600输送。
在剥离工序S106中,如图8所示,剥离部600自利用安装部500并借助粘合带18安装于框架19的基板10剥离保护带14。能够除去无用的保护带14。在剥离部600剥离了保护带14的基板10被输送部58向ID粘贴部700输送。
在ID粘贴工序S107中,如图9所示,ID粘贴部700读取预先形成于基板10的识别信息16(参照图2),将读取到的识别信息16打印于标签17(参照图2),将打印好的标签17粘贴于框架19。
在输出工序S108中,输送部58从ID粘贴部700向输出部40输送基板10,在输出部40中将基板10收纳于输出盒45的内部。将输出盒45从输出部40向外部输出。与输出盒45一同输出到外部的基板10按照每个芯片13拾取。这样,制造芯片13。
<输送部>
图11是表示第1实施方式的输送部所具有的第1保持部、第2保持部以及第3保持部的立体图。在图11中,用虚线表示由第1保持部60和第3保持部80保持的基板10的轮廓及由第3保持部保持的框架19的轮廓。
输送部58具有第1保持部60、第2保持部70以及第3保持部80。在从输入部30向一个处理部(例如切割部100)输送基板10时,第1保持部60保持基板10。在从一个处理部(例如切割部100)向另一个处理部(例如薄板化部200)输送基板10时,第2保持部70保持基板10。在从一个处理部(例如ID粘贴部700)向输出部40输送基板10时,第3保持部80保持基板10。
例如,如图11所示,第1保持部60、第2保持部70及第3保持部80在Z方向上空开间隔地设置,并沿着输送路径50在Y方向上同时移动。第1保持部60、第2保持部70及第3保持部80可以在Y方向、Z方向及θ方向上同时移动,可以在X方向上独立地移动。以下,对第1保持部60、第2保持部70及第3保持部80进行说明。
<第1保持部>
首先,参照图11和图12说明第1保持部60。图12是表示第1实施方式的输送部从输入盒取出处理前的基板的动作的俯视图。
如图12所示,输送部58具有沿着输送路径50移动的作为输送基体的Y轴滑动件52和与Y轴滑动件52一同在Y方向上移动的第1保持部60。输送部58使第1保持部60相对于Y轴滑动件52在X方向、Z方向及θ方向上移动。
例如,在Y轴滑动件52固定有Z轴引导件53。在沿着Z轴引导件53移动的Z轴滑动件54设有能够旋转的旋转板55。在旋转板55设有X轴引导件56,第1保持部60能够沿着X轴引导件56移动。
另外,X轴引导件56基本上在X方向上引导第1保持部60,但该X轴引导件56通过与旋转板55一同旋转,也能够在与X方向不同的方向(例如Y方向)上引导第1保持部60。
例如在从放置于输入部30的输入盒35取出基板10并从输入部30向最初的处理部(例如切割部100)输送基板10时,第1保持部60保持基板10。另外,在切割部100设于基板处理系统1的外部、预先切割了的基板10收纳于输入盒35的情况下,最初的处理部也可以是薄板化部200。
第1保持部60具有用于吸附基板10的吸附部63。吸附部63具有例如抽吸孔,该抽吸孔的气体被例如真空泵等抽吸源抽吸。通过使抽吸源工作而使吸附部63产生负压,从而吸附部63真空吸附基板10。另一方面,通过使抽吸源的工作停止而将吸附部63的抽吸孔向大气开放,从而吸附部63解除基板10的真空吸附。在解除真空吸附时,也可以使吸附部63产生正压。在本说明书中,负压是指比大气压低的压力,正压是指比大气压高的压力。
第1保持部60形成为例如从基端部朝向顶端部分支为两叉的板状,在基端部和两个顶端部可以分别具有吸附部63。另外,吸附部63的数量并不限定于三个,也可以是一个、两个、四个以上。
输送部58在从输入盒35取出处理前的基板10时,首先使第1保持部60从图12中双点划线所示的位置移动到图12中实线所示的位置,由第1保持部60保持基板10。之后,输送部58使第1保持部60返回到图12中双点划线所示的位置。
接着,再次参照图12详细地说明从输入盒35取出处理前的基板10时的输送部58的动作。
首先,输送部58在调整了第1保持部60相对于输入盒35的Z方向位置之后,使第1保持部60从图12中双点划线所示的位置在X方向上移动到图12中实线位置所示的位置。由此,第1保持部60插入到在输入盒35的内部沿着Z方向排列的多个基板10之间。
接着,输送部58使插入到输入盒35的内部的第1保持部60向上方移动而向一对收纳板36之间插入,由第1保持部60保持基板10。因此,第1保持部60的宽度Y1设定为窄于一对收纳板36的间隔Y2。由于一对收纳板36的间隔Y2窄于基板10的主表面(例如第2主表面12)的直径,因此第1保持部60的宽度Y1设定为窄于基板10的主表面的直径。
接着,输送部58使第1保持部60从图12中实线所示的位置在X方向上移动到图12中双点划线所示的位置。由此,从输入盒35拔出第1保持部60,从输入盒35取出基板10。从输入盒35取出来的基板10在由第1保持部60保持的同时从输入部30向最初的处理部(例如切割部100)输送。
另外,输入盒35为了抑制保护带14的翘起等变形而以使保护带14朝上的方式将基板10水平地收纳。另一方面,切割部100、薄板化部200为了加工基板10而不是保护带14而以使保护带14朝下的方式将基板10水平地保持。
因此,输送部58具有翻转部65,该翻转部65使由第1保持部60水平地保持着的基板10上下翻转,以使得在从输入部30向一个处理部(例如切割部100或者薄板化部200)输送基板10的期间能够使基板10上下翻转。翻转部65由例如马达66和用于向第1保持部60传递马达66的旋转运动的同步带构成。翻转部65通过例如以沿着X方向延伸的旋转轴线为中心地使第1保持部60旋转180°,从而使由第1保持部60水平地保持着的基板10上下翻转。
第1保持部60可以具有吸附基板10的多个(例如3个)吸附部63,以使得在使基板10上下翻转时能够稳定地保持基板10。另外,在本实施方式中,第1保持部60真空吸附基板10,但也可以静电吸附。
另外,在本实施方式中,第1保持部60仅用于从输入部30向最初的处理部(例如切割部100)输送基板10,但除此之外,也可以应用于从切割部100向薄板化部200输送基板10。这样,第1保持部60也可以应用于从一个处理部向另一个处理部输送基板10。
<第2保持部>
接着,参照图11和图13说明第2保持部70。图13是表示第1实施方式的输送部使第2保持部相对于清洗部出入的动作的俯视图。
如图13所示,输送部58具有沿着输送路径50移动的作为输送基体的Y轴滑动件52和与Y轴滑动件52一同在Y方向上移动的第2保持部70。输送部58使第2保持部70相对于Y轴滑动件52在X方向、Z方向及θ方向上移动。
例如,在Y轴滑动件52固定有Z轴引导件53。在沿着Z轴引导件53移动的Z轴滑动件54设有能够旋转的旋转板55。在旋转板55设有X轴引导件56,第2保持部70能够沿着X轴引导件56相对于第1保持部60独立地移动。
另外,X轴引导件56基本上在X方向上引导第2保持部70,但该X轴引导件56通过与旋转板55一同旋转,从而也能够在与X方向不同的方向(例如Y方向)上引导第2保持部70。
第1保持部60和第2保持部70安装于同一个Y轴滑动件52。由此,能够从第1保持部60和第2保持部70中有选择地使用适合基板10的处理阶段的保持部来保持基板10。
例如在从切割部100经由薄板化部200、紫外线照射部400向安装部500输送基板10时,第2保持部70保持基板10。第2保持部70保持由于切割、薄板化等加工而强度下降了的基板10。
第2保持部70为了抑制基板10的变形、破损而具有比基板10的主表面(例如第1主表面11)大的吸附面71(参照图14)。能够将基板10的第1主表面11整体平坦地保持,能够抑制基板10的变形、破损。
图14是表示第1实施方式的第2保持部的立体图。在图14中,用虚线表示由第2保持部70保持的基板10的轮廓。图15是分解地表示第1实施方式的第2保持部的立体图。
如图14和图15所示,第2保持部70由例如多孔吸盘构成。第2保持部70具有圆盘状的多孔质体72、在与多孔质体72接触的面形成有同心圆状的抽吸槽和放射状的抽吸槽的圆盘73、以及用于收纳多孔质体72和圆盘73的基座74。
基座74具有借助圆盘73的抽吸槽与多孔质体72连通的抽吸孔75,该抽吸孔的气体被例如真空泵等抽吸源抽吸。通过使抽吸源工作而使多孔质体72产生负压,从而多孔质体72真空吸附基板10。另一方面,通过使抽吸源的工作停止而将多孔质体72向大气开放,从而多孔质体72解除基板10的真空吸附。在解除真空吸附时,也可以使多孔质体72产生正压。
另外,在本实施方式中,第2保持部70真空吸附基板10,但也可以静电吸附。
另外,第2保持部70保持在薄板化部200薄板化了的基板10。因此,有时在第2保持部70带有由于基板10的薄板化而产生的加工屑。
基板处理系统1为了在解除了由第2保持部70对基板10进行的保持之后除去第2保持部70所带有的加工屑而具备用于清洗第2保持部70的清洗部800(参照图3和图13)。清洗部800与输送路径50相邻地设置,设在以例如输送路径50为基准的与输入部30、输出部40相同的一侧。
输送部58在利用清洗部800清洗第2保持部70时,使第2保持部70从图13中双点划线所示的位置移动到图13中实线所示的位置,利用清洗部800清洗第2保持部70。之后,输送部58使被清洗部800清洗了的第2保持部70返回图13中双点划线所示的位置。
图16是表示第1实施方式的清洗部的图。清洗部800具有与第2保持部70接触的刷810。刷810在图16中是滚筒刷,但也可以是圆盘刷。
刷810具有用于供给水等清洗液的喷嘴。另外,也可以是,喷嘴相对于刷810独立地设置,向刷810供给清洗液。供给到刷810的清洗液被回收盘820回收。
清洗部800在向刷810供给清洗液的同时如图16中箭头所示使刷810和第2保持部70相对地移动,利用刷810清洗第2保持部70的吸附面71。由此,能够除去吸附面71所带有的加工屑。
<第3保持部>
接着,参照图11和图17说明第3保持部80。图17是表示第1实施方式的输送部将处理后的基板收纳于输出盒的动作的俯视图。
如图17所示,输送部58具有沿着输送路径50移动的作为输送基体的Y轴滑动件52和与Y轴滑动件52一同在Y方向上移动的第3保持部80。输送部58使第3保持部80相对于Y轴滑动件52在X方向、Z方向及θ方向上移动。
例如,在Y轴滑动件52固定有Z轴引导件53。在沿着Z轴引导件53移动的Z轴滑动件54设有能够旋转的旋转板55。在旋转板55设有X轴引导件56,第3保持部80能够沿着X轴引导件56相对于第1保持部60和第2保持部70独立地移动。
另外,X轴引导件56基本上在X方向上引导第3保持部80,但该X轴引导件56通过与旋转板55一同旋转,从而也能够在与X方向不同的方向(例如Y方向)上引导第3保持部80。
也可以是,仅第3保持部80的一部分(后述的抓持部81)能够沿着X轴引导件56移动。第3保持部80的剩余部分(后述的引导部85)既可以能够沿着X轴引导件56移动,也可以不能沿着X轴引导件56移动。
第1保持部60、第2保持部70及第3保持部80安装于同一个Y轴滑动件52。由此,能够从第1保持部60、第2保持部70及第3保持部80中有选择地使用适合基板10的处理阶段的保持部来保持基板10。
例如在从安装部500经由剥离部600、ID粘贴部700向输出部40输送基板10时,第3保持部80保持基板10。第3保持部80保持借助粘合带18安装于框架19的基板10。
第3保持部80通过保持框架19,从而保持在框架19的开口部粘合于在框架19安装的粘合带18的基板10。能够抑制实施了切割、薄板化等加工的基板10的变形、破损。
第3保持部80具有用于抓持借助粘合带18安装有基板10的框架19的抓持部81和载置由抓持部81抓持的框架19的引导部85。引导部85与抓持部81一同沿着输送路径50移动。由于引导部85未被固定,因此在输送路径50的较宽的范围内能够利用引导部85支承框架19,能够抑制框架19的由重力引起的挠曲变形,能够抑制基板10的变形。
抓持部81在例如在Y方向上空开间隔地设置的一对引导部85之间抓持框架19的X方向端部。各引导部85具有字母L形的截面形状,在X方向上引导框架19时,与框架19的Z方向下表面以及框架19的Y方向端面接触。
输送部58具有移动机构部,该移动机构部通过使抓持部81相对于引导部85移动,从而使由抓持部81抓持的框架19沿着引导部85移动。移动机构部由例如X轴引导件56和用于使抓持部81沿着X轴引导件56移动的马达构成。
输送部58在将处理后的基板10收纳于输出盒45时,使抓持部81从图17中双点划线所示的位置移动到图17中实线所示的位置,解除由抓持部81对基板10进行的保持。之后,输送部58使抓持部81返回图17中双点划线所示的位置。
接着,参照图17和图18详细地说明将处理后的基板10收纳于输出盒45时的输送部58的动作。图18是表示第1实施方式的输送部将处理后的基板收纳于输出盒的动作的剖视图。
首先,输送部58在输出盒45的外部调整第3保持部80的Z方向位置,将引导部85的载置框架19的载置面86相对于输出盒45的收纳板46的Z方向上表面配置在大致同一水平面上。框架19可以借助粘合带18载置于引导部85的载置面86。
接着,输送部58通过使抓持部81相对于引导部85从图17中双点划线所示的位置在X方向上移动到图17中实线所示的位置,从而使由抓持部81抓持的框架19沿着引导部85移动。由此,将框架19从引导部85转而载置于收纳板46,将基板10收纳于输出盒45的内部。
接着,输送部58通过解除由抓持部81对框架19进行的保持并且使抓持部81向下方移动,从而使抓持部81自框架19分离。之后,输送部58使抓持部81从图17中实线所示的位置在X方向上移动到图17中双点划线所示的位置。由此,抓持部81返回到原来的位置,结束将处理后的基板10收纳于输出盒45的动作。
另外,在本实施方式中,通过如上所述使抓持部81相对于引导部85移动,从而使由抓持部81抓持的框架19沿着引导部85移动。因此,如图18所示,在将引导部85配置于输出盒45的外部的状态下,能够在输出盒45的内部收纳框架19。这样,由于不将引导部85插入到输出盒45的内部,因此能够与输出盒45的内部构造无关地设计引导部85的Z方向尺寸。因而,能够增大引导部85的刚度,能够抑制引导部85的由重力引起的挠曲变形。其结果,能够抑制框架19的由重力引起的挠曲变形,能够抑制基板10的变形。
抓持部81具有例如基底部82、框架吸附部83以及框架推动部84。基底部82形成为板状,在基底部82的上表面设有框架吸附部83和框架推动部84。
框架吸附部83具有例如抽吸孔,该抽吸孔的气体被例如真空泵等抽吸源抽吸。通过使抽吸源工作而使框架吸附部83产生负压,从而框架吸附部83真空吸附框架19。另一方面,通过使抽吸源的工作停止而使框架吸附部83的抽吸孔向大气开放,从而框架吸附部83解除框架19的真空吸附。在解除真空吸附时,也可以使框架吸附部83产生正压。
另外,在本实施方式中,框架吸附部83真空吸附框架19,但也可以静电吸附。
框架吸附部83可以是橡胶等弹性体。在将框架19从引导部85转而载置于收纳板46时,框架吸附部83能够弹性变形,以容许引导部85和收纳板46之间的高度差。能够缓和最初进行的第3保持部80的Z方向位置的调整过程中的容许误差。
框架推动部84在使框架19相对于引导部85移动时按压框架19的X方向端部。框架推动部84可以在Y方向上空开间隔地设有多个,以能够在X方向上稳定地按压框架19。
另外,在本实施方式中,抓持部81具有框架吸附部83和框架推动部84这两者,但只要具有框架吸附部83和框架推动部84中的至少一者,就能够将框架19从引导部85转而载置于收纳板46。
此外,在本实施方式中,抓持部81从下方抓持框架19,但也可以从上方抓持框架19。在该情况下,抓持部81和引导部85从上下方向夹着框架19来进行保持。
[第1实施方式的第1变形例]
上述实施方式的输送部58始终使第1保持部60和第2保持部70同时沿着输送路径50移动。相对于此,本变形例的输送部仅在利用第1保持部60A吸附着第2保持部70时使第1保持部60A和第2保持部70同时沿着输送路径50移动。第1保持部60A和第2保持部70安装于同一个Y轴滑动件52。以下,主要说明不同点。
图19的(a)是表示第1变形例的第1保持部的表侧的立体图。图19的(b)是表示第1变形例的第1保持部的背侧的立体图。图20的(a)是表示由第1变形例的第1保持部的第3吸附部吸附的基板的立体图。图20的(b)是表示由第1变形例的第1保持部的第1吸附部吸附的第2保持部的立体图。图21是表示第1变形例的第1保持部的吸附力供给部的俯视图。
如图19的(b)所示,第1保持部60A具有用于将第2保持部70(参照图20的(b))以能够分离的方式吸附的第1吸附部61A和用于借助由第1吸附部61A吸附着的第2保持部70吸附基板10的第2吸附部62A。由此,在利用清洗部800清洗第2保持部70的期间,能够使第2保持部70自第1保持部60A分离。因此,不等待第2保持部70的清洗结束就能够使第1保持部60A沿着输送路径50移动,能够从输入部30向一个处理部输送由第1保持部60A保持着的基板10。另外,清洗部800具有交接部,该交接部从第1保持部60A接受第2保持部70、向第1保持部60A交出第2保持部70。
如图21所示,第1保持部60A具有吸附力供给部93A,该吸附力供给部93A用于向第1吸附部61A和第2吸附部62A独立地供给吸附力。由此,在将第2保持部70吸附于第1保持部60A的状态下,能够将基板10吸附于第2保持部70或者解除该吸附。
吸附力供给部93A分别具有例如第1抽吸路径94A和第2抽吸路径95A,该第1抽吸路径94A通过从第1吸附部61A的抽吸孔抽吸气体而使第1吸附部61A产生负压,该第2抽吸路径95A通过从第2吸附部62A的抽吸孔抽吸气体而使第2吸附部62A产生负压。通过第1抽吸路径94A使第1吸附部61A产生负压,从而第1吸附部61A真空吸附第2保持部70。此外,通过第2抽吸路径95A使第2吸附部62A产生负压,从而由第1吸附部61A真空吸附着的第2保持部70真空吸附基板10。
第1抽吸路径94A借助在中途设有第1泄压阀96A等的第1配管与第1抽吸源97A连接。作为第1抽吸源97A,使用真空泵等。通过关闭第1泄压阀96A并且使第1抽吸源97A工作,从而使第1吸附部61A产生负压。另一方面,通过打开第1泄压阀96A并且使第1抽吸源97A的工作停止,从而解除在第1吸附部61A产生的负压。另外,也可以是,使第1抽吸源97A的工作停止,并且使第1吸附部61A产生正压。
第2抽吸路径95A借助在中途设有第2泄压阀98A等的第2配管与第2抽吸源99A连接。作为第2抽吸源99A,使用真空泵等。通过关闭第2泄压阀98A并且使第2抽吸源99A工作,从而在第2吸附部62A产生负压。另一方面,通过打开第2泄压阀98A并且使第2抽吸源99A的工作停止,从而解除在第2吸附部62A产生的负压。另外,也可以是,使第2抽吸源99A的工作停止,并且使第2吸附部62A产生正压。
在第1吸附部61A吸附第2保持部70时,第2吸附部62A的抽吸孔与第2保持部70的抽吸孔75(参照图14)连通。在该状态下,若在第2吸附部62A产生负压,则在第2保持部70的多孔质体72(图14参照)产生负压,基板10被真空吸附于多孔质体72。之后,若解除在第2吸附部62A产生的负压,则解除基板10的真空吸附。
另外,第1保持部60A在从输入部30向一个处理部输送基板10时,也可以利用第1吸附部61A吸附基板10,但在本实施方式中,利用相对于第1吸附部61A另外设置的第3吸附部63A(参照图19的(a))吸附基板10(参照图20的(a))。在该情况下,如图21所示,吸附力供给部93A具有例如通过从第3吸附部63A的抽吸孔抽吸气体而使第3吸附部63A产生负压的第3抽吸路径67A。通过第3抽吸路径67A使第3吸附部63A产生负压,从而第3吸附部63A真空吸附基板10。
第3抽吸路径67A借助在中途设有第3泄压阀68A等的第3配管与第3抽吸源69A连接。作为第3抽吸源69A,使用真空泵等。通过关闭第3泄压阀68A并且使第3抽吸源69A工作,从而使第3吸附部63A产生负压。另一方面,通过打开第3泄压阀68A并且使第3抽吸源69A的工作停止,从而解除在第3吸附部63A产生的负压。另外,也可以是,使第3抽吸源69A的工作停止,并且使第3吸附部63A产生正压。
本变形例的输送部可以与上述实施方式的输送部58同样具有翻转部65(参照图11),该翻转部65使由第1保持部60A水平地保持着的基板10上下翻转,以使得在从输入部30向一个处理部输送基板10的期间能够使基板10上下翻转。也可以是,翻转部65借助第1保持部60A使由第2保持部70水平地保持着的基板10上下翻转。
另外,在本实施方式中,第1吸附部61A真空吸附第2保持部70,但也可以静电吸附。同样,在本实施方式中,第2吸附部62A借助由第1吸附部61A吸附着的第2保持部70真空吸附基板10,但也可以静电吸附。
[第1实施方式的第2变形例]
上述第1变形例的输送部使第2保持部70以能够自与Y轴滑动件52一同移动的第1保持部60A分离的方式吸附于该第1保持部60A。相对于此,本变形例的输送部使第1保持部60B和第2保持部70能够替换地吸附于与Y轴滑动件52一同移动的替换部90B。第1保持部60B和第2保持部70安装于同一个Y轴滑动件52。以下,主要说明不同点。
图22的(a)是表示第2变形例的替换部的立体图。图22的(b)是表示吸附于第2变形例的替换部的第1保持部的立体图。图23的(a)是表示第2变形例的替换部的抽吸路径的俯视图。图23的(b)是表示吸附于第2变形例的替换部的第1保持部的抽吸路径的俯视图。
如图22的(a)所示,替换部90B具有能够更换地吸附第1保持部60B和第2保持部70的第1吸附部91B和借助由第1吸附部91B吸附着的第1保持部60B或者第2保持部70吸附基板10的第2吸附部92B。由此,在利用清洗部800清洗第2保持部70的期间,能够使第2保持部70自替换部90B分离。因此,不等待第2保持部70的清洗结束就能够使吸附于替换部90B的第1保持部60B沿着输送路径50移动,能够将由第1保持部60B保持着的基板10从输入部30向一个处理部输送。此外,在利用清洗部800清洗第1保持部60B的期间,能够使第1保持部60B自替换部90B分离。因此,不等待第1保持部60B的清洗结束就能够使吸附于替换部90B的第2保持部70沿着输送路径50移动,能够将由第2保持部70保持着的基板10从一个处理部向另一个处理部输送。另外,清洗部800具有交接部,该交接部从替换部90B接受第1保持部60B和第2保持部70、向替换部90B交出第1保持部60B和第2保持部70。
替换部90B具有吸附力供给部93B,该吸附力供给部93B用于向第1吸附部91B和第2吸附部92B独立地供给吸附力(参照图23的(a))。由此,在使第1保持部60B吸附于替换部90B的状态下,能够使基板10吸附于第1保持部60B或者解除该吸附。此外,在使第2保持部70吸附于替换部90B的状态下,能够使基板10吸附于第2保持部70或者解除该吸附。
吸附力供给部93B分别具有例如通过从第1吸附部91B的抽吸孔抽吸气体而使第1吸附部91B产生负压的第1抽吸路径94B和通过从第2吸附部92B的抽吸孔抽吸气体而使第2吸附部92B产生负压的第2抽吸路径95B。通过第1抽吸路径94B使第1吸附部91B产生负压,从而第1吸附部91B真空吸附第1保持部60B或者第2保持部70。此外,通过第2抽吸路径95B使第2吸附部92B产生负压,从而由第1吸附部91B真空吸附着的第1保持部60B或者第2保持部70真空吸附基板10。
第1抽吸路径94B借助在中途设有第1泄压阀96B等的第1配管与第1抽吸源97B连接。作为第1抽吸源97B,使用真空泵等。通过关闭第1泄压阀96B并且使第1抽吸源97B工作,从而使第1吸附部91B产生负压。另一方面,通过打开第1泄压阀96B并且使第1抽吸源97B的工作停止,从而解除在第1吸附部91B产生的负压。另外,也可以是,使第1抽吸源97B的工作停止,并且使第1吸附部91B产生正压。
第2抽吸路径95B借助在中途设有第2泄压阀98B等的第2配管与第2抽吸源99B连接。作为第2抽吸源99B,使用真空泵等。通过关闭第2泄压阀98B并且使第2抽吸源99B工作,从而使第2吸附部92B产生负压。另一方面,通过打开第2泄压阀98B并且使第2抽吸源99B的工作停止,从而解除在第2吸附部92B产生的负压。另外,也可以是,使第2抽吸源99B的工作停止,并且使第2吸附部92B产生正压。
在第1吸附部91B吸附着第1保持部60B时,第2吸附部92B的抽吸孔与第1保持部60B的第3吸附部63B(参照图23的(b))的抽吸孔连通。在该状态下,若在第2吸附部92B产生负压,则在第3吸附部63B产生负压,基板10被真空吸附于第3吸附部63B。之后,若解除在第2吸附部92B产生的负压,则解除基板10的真空吸附。
此外,在第1吸附部91B吸附着第2保持部70时,第2吸附部92B的抽吸孔与第2保持部70的抽吸孔75(参照图14)连通。在该状态下,若在第2吸附部92B产生负压,则在第2保持部70的多孔质体72(参照图14)产生负压,基板10被真空吸附于多孔质体72。之后,若解除在第2吸附部92B产生的负压,则解除基板10的真空吸附。
本变形例的输送部可以与上述实施方式的输送部58同样具有翻转部65,该翻转部65使由第1保持部60B水平地保持着的基板10上下翻转(参照图11),以使得在从输入部30向一个处理部输送基板10的期间能够使基板10上下翻转。也可以是,翻转部65使由第2保持部70水平地保持着的基板10上下翻转。
另外,在本实施方式中,第1吸附部91B能够更换地真空吸附第1保持部60B和第2保持部70,但也可以静电吸附。同样,在本实施方式中,第2吸附部92B借助由第1吸附部91B吸附着的第1保持部60B或者第2保持部70真空吸附基板10,但也可以静电吸附。
[第1实施方式的第3变形例]
对于上述实施方式的输送部58,安装第1保持部60和第2保持部70的Y轴滑动件52与安装第3保持部80的Y轴滑动件52相同。在上述第1变形例和上述第2变形例中是同样的。相对于此,对于本变形例的输送部58C,安装第1保持部60和第2保持部70的Y轴滑动件52与安装第3保持部80的Y轴滑动件52不同。以下,主要说明不同点。
图24是表示具备第3变形例的输送部的基板处理系统的俯视图。在图24中,仅图示第1保持部60、第2保持部70以及第3保持部80中的第1保持部60和第3保持部80,省略第2保持部70的图示。
本变形例的输送部58C与上述实施方式的输送部58同样具有第1保持部60、第2保持部70以及第3保持部80。
第1保持部60以及第2保持部70与同一个Y轴滑动件52一同移动。由此,能够从第1保持部60和第2保持部70中有选择地使用适合基板10的处理阶段的保持部来保持基板10。另外,第1保持部60和第2保持部70可以在Y方向、Z方向及θ方向上同时移动,可以在X方向上独立地移动。
另外,第1保持部60以及第2保持部70与同一个Y轴滑动件52一同移动即可。也可以与上述第1变形例同样使第2保持部70以能够自第1保持部60A分离的方式吸附于该第1保持部60A。此外,也可以与上述第2变形例同样使第1保持部60B和第2保持部70能够替换地吸附于替换部90B。
另外,相对于第1保持部60和第2保持部70保持安装于框架19之前的基板10,第3保持部80保持安装于框架19之后的基板10。因此,除了安装部500附近的区域之外,利用第1保持部60和第2保持部70输送基板10的区域和利用第3保持部80输送基板10的区域不相同。
因此,本变形例的输送部58C与上述实施方式的输送部58不同,安装第1保持部60和第2保持部70的Y轴滑动件52与安装第3保持部80的Y轴滑动件52不同。由于能够使第1保持部60以及第2保持部70与第3保持部80在Y方向上独立地移动,因此能够同时输送安装于框架19之前的基板10和安装于框架19之后的基板10。
[第2实施方式]
在上述第1实施方式及其变形例中,借助粘合带18安装于框架19之前且是薄板化之前的基板10收纳于输入盒35。在本实施方式中,借助保护带14安装于框架19之后且是薄板化之前的基板10收纳于输入盒35D。以下,主要说明不同点。
<利用基板处理系统进行处理之前的基板>
图25是表示利用第2实施方式的基板处理系统进行处理之前的基板的立体图。在基板10的第1主表面11粘合有保护带14。在进行切割、薄板化等加工的期间,保护带14保护基板10的第1主表面11,保护预先形成于第1主表面11的元件、电路、端子等。
保护带14以覆盖环状的框架19的开口部的方式安装于框架19,在框架19的开口部与基板10粘合。由此,能够保持框架19并输送基板10,能够提升基板10的处理性。
<利用基板处理系统进行处理之后的基板>
图26是表示利用第2实施方式的基板处理系统进行处理之后的基板的立体图。基板10被切割而薄板化。处理后的基板10被分割成多个芯片13,并借助保护带14安装于框架19。
另外,在本实施方式中,处理后的基板10借助保护带14安装于框架19,但也可以与上述第1实施方式及其变形例同样地借助粘合带18(参照图2)安装于框架19。
粘合带18粘合于薄板化了的基板10的第2主表面12。也可以是,在粘合带18和基板10之间设有DAF15(参照图2)。之后,自基板10的第1主表面11剥离保护带14。
安装粘合带18的框架19和安装保护带14的框架19既可以相同,也可以不同。在前者的情况下,能够减少框架19的使用数量。在前者的情况下,在薄板化之后充分地清洗框架19而除去了加工屑,之后,在框架19安装粘合带18。另一方面,在后者的情况下,能够削减在薄板化之后清洗框架19的劳力和时间。
<基板处理系统>
图27是表示第2实施方式的基板处理系统的俯视图。此外,在图27中,剖切输入盒35D和输出盒45D而图示输入盒35D的内部和输出盒45D的内部。
基板处理系统1D进行基板10的切割、基板10的薄板化等各种处理。基板处理系统1D包括控制部20、输入部30D、输出部40D、输送路径50D、输送部58D以及各种处理部。作为处理部,并没有特别的限定,例如设有切割部100D和薄板化部200D。
向输入部30D输入收纳有处理前的基板10的输入盒35D。输入盒35D在Z方向上空开间隔地收纳多个借助保护带14安装于框架19之后且是薄板化之前的基板10。
由于输入盒35D在Z方向上空开间隔地收纳多张基板10,因此在Z方向上空开间隔地具有多个水平配置的一对收纳板36D。如图27所示,一对收纳板36D支承框架19的Y方向两端部。
输入部30D具备载置输入盒35D的载置板31D。载置板31D在Y方向上呈一列地设有多个。另外,载置板31D的个数并不限定于图示的个数。
输出部40D输出收纳有处理后的基板10的输出盒45D。输出盒45D在Z方向上空开间隔地收纳多个借助保护带14安装于框架19之后且是薄板化之后的基板10。
由于输出盒45D在Z方向上空开间隔地收纳多张基板10,因此在Z方向上空开间隔地具有多个水平配置的一对收纳板46D。如图27所示,一对收纳板46D支承框架19的Y方向两端部。
输出部40D具备载置输出盒45D的载置板41D。载置板41D在Y方向上呈一列地设有多个。另外,载置板41D的个数并不限定于图示的个数。
输送路径50D是输送部58D向输入部30D、输出部40D及多个处理部输送基板10的通路,沿着例如Y方向延伸。在输送路径50D设有沿着Y方向延伸的Y轴引导件51D,Y轴滑动件52D沿着Y轴引导件51D移动自如。
输送部58D保持基板10并且沿着输送路径50D移动,向输入部30D、输出部40D及多个处理部交接基板10。输送部58D包含作为输送基体的Y轴滑动件52D等。
输入部30D、输出部40D及多个处理部与输送路径50D相邻地设置。例如,输送路径50D沿着Y方向延伸,在输送路径50D的X方向单侧设有输入部30D和输出部40D,在输送路径50D的X方向相反侧设有切割部100D和薄板化部200D。
根据本实施方式,输入部30D以及多个处理部与输送路径50D相邻地设置。因此,输送部58D能够向输入部30D和多个处理部交接基板10。由此,能够使输送部58D多功能化而增加输送部58D的工作量,能够改善输送部58D的运转效率。
此外,根据本实施方式,输出部40D也与输送路径50D相邻地设置。因此,输送部58D能够向输出部40D交接基板10。由此,能够进一步使输送部58D多功能化而进一步增加输送部58D的工作量,能够进一步改善输送部58D的运转效率。此外,由于多个处理部以及输出部40D与输送路径50D相邻地设置,在一个处理部中基板10产生了异常的情况下,能够将产生了异常的基板10迅速地向输出部40D输送而不向其他的处理部输送。
另外,处理部的配置、个数并不限定于图27所示的配置、个数,能够任意地选择。此外,也可以是,多个处理部以任意的单位分散或者合并地配置。
以下,对各处理部进行说明。
<切割部>
图28是表示第2实施方式的切割部的图。切割部100D进行基板10的切割。切割部100D除了切割台110D如图28所示借助保护带14保持框架19这一点之外与上述第1实施方式的切割部100同样地构成。
另外,在本实施方式中,切割部100D作为基板处理系统1D的一部分而设置,但也可以设于基板处理系统1D的外部。在该情况下,基板10在被切割之后从外部向输入部30D输入,在输入部30D中从输入盒35D取出,替代切割部100D而向薄板化部200D输送。
<薄板化部>
薄板化部200D(参照图27)通过加工切割后的基板10的与由保护带14保护着的第1主表面11相反的一侧的第2主表面12,从而使基板10薄板化。薄板化部200D除了吸盘台202D如图29所示借助保护带14保持框架19这一点之外与上述第1实施方式的薄板化部200同样地构成。
在从与吸盘台202D的吸附面(例如在图29中是上表面)垂直的方向观察时,框架19的外周配置于比吸盘台202D的吸附面靠外侧的位置。吸盘台202D的吸附面被保护带14覆盖,该保护带14安装于比该吸附面大的框架19。由此,能够抑制加工屑等异物附着于吸盘台202D的吸附面,能够削减冲洗异物的清洗的劳力和时间,能够削减更换基板10时的劳力和时间。
<基板处理方法>
接着,对利用上述结构的基板处理系统1D进行的基板处理方法进行说明。图30是第2实施方式的基板处理方法的流程图。
如图30所示,基板处理方法具有输入工序S201、切割工序S202、薄板化工序S203以及输出工序S204。在控制部20的控制下实施上述的工序。另外,上述的工序的顺序并不限定于图30所示的顺序。
在输入工序S201中,输送部58D从放置于输入部30D的输入盒35D取出基板10,将取出来的基板10向切割部100D输送。
在切割工序S202中,如图28所示,切割部100D进行基板10的切割。在进行基板10的切割的期间,基板10的第1主表面11被保护带14保护。在切割部100D切割了的基板10被输送部58D向薄板化部200D输送。
在薄板化工序S203中,如图29所示,通过薄板化部200D加工基板10的第2主表面12,从而使基板10薄板化。在进行基板10的薄板化的期间,基板10的第1主表面11被保护带14保护。
在输出工序S204中,输送部58D从薄板化部200D向输出部40D输送基板10,在输出部40D中将基板10收纳于输出盒45D的内部。将输出盒45D从输出部40D向外部输出。与输出盒45D一同输出到外部的基板10按照每个芯片13拾取。这样,制造芯片13。
<输送部>
输送部58D除了没有图11等所示的第1保持部60和第2保持部70这一点之外与上述第1实施方式的输送部58同样地构成。输送部58D具有与图11等所示的第3保持部80相同的结构的保持部80。
例如在从输入部30D经由切割部100D和薄板化部200D向输出部40D输送基板10时,保持部80保持基板10。保持部80保持借助保护带14安装于框架19的基板10。
保持部80通过保持框架19,从而保持在框架19的开口部粘合于在框架19安装的保护带14的基板10。能够抑制实施了切割、薄板化等加工的基板10的变形、破损。
保持部80具有用于抓持借助保护带14安装有基板10的框架19的抓持部81和载置由抓持部81抓持的框架19的引导部85。引导部85与抓持部81一同沿着输送路径50D移动。由于引导部85未被固定,因此在输送路径50D的较宽的范围内能够利用引导部85支承框架19,能够抑制框架19的由重力引起的挠曲变形,能够抑制基板10的变形。
输送部58D具有移动机构部,该移动机构部通过使抓持部81相对于引导部85移动,从而能够使由抓持部81抓持的框架19沿着引导部85移动。因此,在将引导部85配置于输入盒35D的外部的状态下,能够从输入盒35D的内部取出框架19。此外,在将引导部85配置于输出盒45D的外部的状态下,能够将框架19收纳于输出盒45D的内部。这样,由于不将引导部85插入到输入盒35D的内部、输出盒45D的内部,因此能够与输入盒35D的内部构造、输出盒45D的内部构造无关地设计引导部85的Z方向尺寸。因而,能够增大引导部85的刚度,能够抑制引导部85的由重力引起的挠曲变形。其结果,能够抑制框架19的由重力引起的挠曲变形,能够抑制基板10的变形。
接着,对从输入盒35D取出处理前的基板10时的输送部58D的动作进行说明。由于将处理后的基板10收纳于输出盒45D时的输送部58D的动作与上述第1实施方式相同,因此省略说明。
首先,输送部58D在输入盒35D的外部调整了保持部80的Z方向位置之后、通过使抓持部81相对于引导部85在X方向上移动,从而将抓持部81向输入盒35D的内部插入。抓持部81插入到在输入盒35D的内部沿着Z方向排列的多个框架19之间。
接着,输送部58D调整保持部80的Z方向位置,将引导部85的载置框架19的载置面86相对于输入盒35D的收纳板36D的Z方向上表面配置在大致同一水平面上。框架19可以借助保护带14载置于引导部85的载置面86。此时,输送部58D利用抓持部81抓持框架19。
接着,输送部58D使抓持部81相对于引导部85在X方向上移动,将抓持部81从输入盒35D的内部拔出。由此,将框架19从收纳板36D转而载置于引导部85,将框架19和基板10从输入盒35D的内部取出。
向输入盒35D、输出盒45D交接基板10的输送部58D的动作与向各处理部交接基板10的输送部58D的动作相同。因此,省略后者的动作的说明。
另外,在本实施方式中,输送部58D仅具有一个保持部80,但也可以具有多个。多个保持部80可以安装于同一个Y轴滑动件52D。在向一个处理部(例如切割部100D)交出基板10的同时,能够从相同的一个处理部(例如切割部100D)接受基板10。
[第3实施方式]
参照图31~图44说明第3实施方式。图31是表示第3实施方式的第3保持部180的概略结构的图。图31的(a)是从上方观察到的俯视图,图31的(b)是从Y方向正侧观察到的侧视图。第3保持部180(抓持保持部)是参照图11、图17说明的第1实施方式的第3保持部80的另一个方式,抓持并保持框架19等基本的动作、功能相同。
如图31所示,第3保持部180具有一对线性引导件181、抓持部182、一对辅助轨道部183(引导部)、以及对准部184。另外,安装上述的要素的第3保持部180的壳体省略了图示。
一对线性引导件181分别沿着X方向延伸,平行地配置。一对线性引导件181连结抓持部182和辅助轨道部183,使上述的抓持部182和辅助轨道部183沿着X方向移动自如。一对线性引导件181固定于例如第1实施方式所示的旋转板55。
抓持部182在一对线性引导件181之间抓持框架19的X方向端部。抓持部182通过沿着一对线性引导件181在X方向上移动,从而能够使抓持的状态的框架19在X方向上移动。
抓持部182具有基部182A、一对滑动部182B、以及夹持部182C。基部182A配置在一对线性引导件181之间。一对滑动部182B设置于基部182A的Y方向两端,分别与一对线性引导件181中的一个线性引导件和另一个线性引导件连结。夹持部182C设置于基部182A的X负方向侧端部且是Y方向的大致中央部。夹持部182C是例如在Z方向上相对配置的一对板材,通过变更一对板材之间的Z方向的间隔,能够切换夹持框架19的状态和解除夹持的状态。
一对辅助轨道部183分别配置于一对线性引导件181的外侧,载置由抓持部182抓持的状态的框架19。此外,辅助轨道部183沿着X方向引导由抓持部182抓持的状态的框架19的移动。
一对辅助轨道部183各自具有沿着X方向延伸的轨道183A和与线性引导件181连结的滑动部183B。轨道183A具有字母L形的截面形状,在X方向上引导框架19时,与框架19的Z方向下表面以及Y方向端面接触。
滑动部183B设于轨道183A的大致中间位置。因此,辅助轨道部183在从Z方向观察时形成为大致字母T形。一对辅助轨道部183借助滑动部183B分别与线性引导件181中的一个线性引导件和另一个线性引导件连结,能够沿着线性引导件181联动地在X方向上移动。辅助轨道部183的滑动部183B在比抓持部182的滑动部182B靠X负方向侧的位置与线性引导件181连结。
一对辅助轨道部183构成为,在第3保持部180利用抓持部182接受框架19时或者第3保持部180利用抓持部182送出框架19时,能够进入接受或者送出框架19的对方侧。
对准部184从与框架19的移动方向(X方向)正交的宽度方向(Y方向)的两侧夹持框架19而进行宽度方向的定位。对准部184具有在Y方向上相对的一对板状构件184A,该板状构件184A能够与框架19的Y方向端部接触。此外,对准部184构成为能够使一对板状构件184A在与框架19的Y方向端部接触的位置(图31所示的位置)和沿着Y方向处于外侧的位置(参照图32)之间移动。能够利用例如缸等驱动部184B联动地进行一对板状构件184A的Y方向的移动。
在辅助轨道部183的轨道183A的X方向中央部(字母T形状的交点附近)形成有向Y方向凹陷的缺口183C,在该部分没有轨道183A的字母L形截面中的向上方竖立设置的部分。对准部184的板状构件184A通过在辅助轨道部183的缺口183C处移动到Y方向的最内侧,从而能够与载置于辅助轨道部183的框架19接触。
此外,通过对准部184的板状构件184A移动到Y方向外侧的位置,从而板状构件184A在X方向上不与辅助轨道部183的轨道183A重叠,因此辅助轨道部183能够在X方向上移动。
此外,第3保持部180在X方向负侧的端部且是一对线性引导件181的中间位置具有用于检测框架19的有无的传感器185。在传感器185的正上方存在框架19时,即框架19正常收纳于第3保持部180的规定位置时,传感器185能够检测框架19的存在。
第3保持部180具有与第1实施方式的输送部58相同的驱动系统,作为抓持部182和辅助轨道部183的X方向的移动的驱动源。
接着,参照图32~图38说明利用第3实施方式的第3保持部180进行的框架19的接受动作。图32~图38是表示利用第3实施方式的第3保持部180进行的框架19的接受动作的第1阶段~第7阶段的各阶段的图。在图32~图38和后述的图39~图41中,除了图31所图示的第3保持部180之外,还图示了第3保持部180接受框架19的对方装置(安装部500、剥离部600)的轨道R和载置于该轨道R的框架19。另外,在各图的(b)中,用虚线表示轨道R。
在图32所示的第3保持部180的初始位置,抓持部182相对于对方的轨道R配置于最里侧,夹持部182C成为打开状态。辅助轨道部183处于滑动部183B与对准部184重叠的位置,对准部184的板状构件184A处于轨道183A的缺口183C的位置,成为向Y方向外侧打开的状态。在图32中,为了使第3保持部180接受载置于对方装置的轨道R的框架19,第3保持部180配置在辅助轨道部183的延伸方向与对方装置的轨道R的延伸方向重叠的位置。
首先,辅助轨道部183向X方向负侧前进,轨道183A的X方向负侧的端部与对方装置的轨道R的X方向正侧的端部相对(图33)。此时,也可以是,轨道183A不与轨道R接触,只要取得框架19能够在两者之间顺畅地移动的程度的间隔即可。
接着,抓持部182向X方向负侧前进,框架19的端部进入打开状态的夹持部182C,之后,夹持部182C成为闭合状态,从而成为夹持部182C夹持框架19的状态(图34)。另外,在该阶段的动作中,也可以是,在框架19的端部进入打开状态的夹持部182C的状态下使夹持部182C上升,使夹持部182C的下侧板材与框架19的下部接触,之后,使夹持部182C成为闭合状态。
接着,抓持部182以抓持着框架19的状态后退到X方向正侧的后端(图35)。由此,框架19也向X方向正侧移动,从轨道R转而载置于辅助轨道部183。之后,辅助轨道部183后退到初始位置(图36)。
接着,抓持部182的夹持部182C切换到打开状态。由此,框架19成为不被夹持部182C夹持而仅载置于夹持部182C和辅助轨道部183的状态。在该状态下,抓持部182向X方向负侧移动规定量(图37)。由此,利用夹持部182C的X方向正侧的端面按压框架19的端部而使其向X方向负侧移动,将框架19定位于X方向的规定的待机位置。此时,由于框架19的X方向负侧的端部存在于传感器185的正上方,因此传感器185能够检测框架19。
然后,对准部184向框架19侧移动而从Y方向两侧夹持框架19,框架19被定位于Y方向的规定的待机位置,夹持部182C成为闭合状态,从而成为夹持部182C夹持框架19的状态(图38),完成接受动作。
接着,参照图39~图41及图32和图33说明由第3实施方式的第3保持部180送出框架19的送出动作。图39~图41是表示由第3实施方式的第3保持部180送出框架19的送出动作的第1阶段~第3阶段的各阶段的图。由于送出动作的第4阶段、第5阶段分别与图33、图32所示的状态相同,因此借用上述的附图进行说明。
从图38所示的第3保持部180将框架19保持于待机位置的状态,对准部184向Y方向的外侧打开,辅助轨道部183向X方向负侧前进,轨道183A的X方向负侧的端部与对方装置的轨道R的X方向正侧的端部相对(图39)。
接着,抓持部182的夹持部182C切换为打开状态,抓持部182向X方向负侧前进(图40)。由此,利用夹持部182C的X方向正侧的端面按压框架19的端部而使其向X方向负侧移动,框架19从辅助轨道部183转而载置于对方装置的轨道R,将框架19定位于轨道R的规定位置。
接着,抓持部182的夹持部182C向下方移动而设为自框架19分开的状态(图41),抓持部182后退到X方向正侧的初始位置(图33)。之后,辅助轨道部183后退到初始位置(图32),完成送出动作。
这样,在第3实施方式中,由于第3保持部180具备对准部184,从框架的宽度方向(Y方向)的两侧夹持利用抓持部182移动到输送时的待机位置的框架19而进行宽度方向的定位,因此能够高精度地进行收纳于第3保持部180的框架19的X方向、Y方向的定位。由此,在通过以下的处理将框架19从第3保持部180送出到对方侧装置时,与对方侧装置之间的对位变容易,能够更可靠地进行框架19的交接。
此外,在第3实施方式中,第3保持部180具备辅助轨道部183,辅助轨道部183构成为,在利用抓持部182接受框架19时或者利用抓持部182送出框架19时,能够进入接受或者送出框架19的对方装置的轨道R侧。利用该结构,除了进行框架19的接受或者送出时之外,能够将辅助轨道部183以不自第3保持部180突出的方式收纳,能够缩小体格,因此能够确保第3保持部180的回旋半径。
另外,在本实施方式中,例示出将用于检测框架19是否配置于规定的待机位置的传感器185设于第3保持部180的X负方向侧的端部且是一对线性引导件181的中间位置的结构,但传感器185的设置位置也可以除此之外例如既可以配置于辅助轨道部183、对准部184的与框架19接触的接触部分,也可以配置于夹持部182C。
[第4实施方式]
参照图42~图44说明第4实施方式。图42是表示第4实施方式的第2保持部170的概略结构的俯视图。图42的(a)是从上方观察到的俯视图,图42的(b)是从下方观察到的俯视图。第2保持部170(吸附保持部)是参照图11、图13说明的第1实施方式的第2保持部70的另一个方式,通过吸附来保持基板10等基本的动作、功能相同。
第2保持部170包括臂171、中间盘172、多孔垫173、对准销174以及悬吊机构175A、175B。
臂171利用输送部58等输送部件使第2保持部170在X、Y、Z方向上移动。
中间盘172与臂171的下方连结。中间盘172是直径比多孔垫173的直径大的圆板状的构件,与多孔垫173以同心圆状配置。中间盘172是例如金属制。
多孔垫173与中间盘172的下方连结。多孔垫173是能够利用下方的吸附面吸附并保持基板10的装置,与第1实施方式的第2保持部70同样地构成为具有圆盘状的多孔质体72、在与多孔质体72接触的面形成有同心圆状的抽吸槽和放射状的抽吸槽的圆盘73、以及收纳多孔质体72和圆盘73的基座74等。
对准销174自中间盘172的下表面向铅垂下方突出地设置。对准销174在比多孔垫173靠外周侧的位置沿着周向大致均等地配置有多个。多个对准销174的Z方向的长度均匀,在第3保持部180不与其他构件接触而处于空中的无负荷状态的情况下,形成为顶端向比多孔垫173的下表面的位置靠下方的位置突出(参照图43的(a)等)。
悬吊机构175A(第1悬吊机构)连结臂171和中间盘172。悬吊机构175A采取利用弹簧等弹性构件从臂171悬吊中间盘172的结构,限制了除Z方向之外的移动。由此,在施加了来自上方或者下方的外力的情况下适当地收缩或者伸长,能够缩小或者增大构件之间的距离。例如,如图42所示,悬吊机构175A在周向上空开等间隔地在沿着径向距圆形的中间盘172的中心大致等距离的位置设有多个。另外,在图42中例示出设置3个的结构,但悬吊机构175A的个数也可以是除3个之外。
悬吊机构175B(第2悬吊机构)连结臂171和多孔垫173(参照图43的(a)等)。悬吊机构175B具有连结臂171和多孔垫173的销175B1及配置于臂171和中间盘172之间的弹性体175B2。
在中间盘172的在从Z方向观察时配置销175B1的位置设有孔,在该孔的内周面形成有树脂制的套筒172A。销175B1在贯通套筒172A的状态下从臂171悬吊多孔垫173。销175B1由例如金属等在Z方向上不弹性变形的材料形成。此外,中间盘172也是例如金属制。通过使销175B1贯通于套筒172A,从而能够防止销175B1和中间盘172直接接触而磨损。
弹性体175B2配置于销175B1的周围。通过设置弹性体175B2,从而能够减少销175B1、多孔垫173相对于臂171进行的摆动、振动。
另外,在图42中例示出在圆形的多孔垫173的中心位置设置一个悬吊机构175B的结构,但悬吊机构175B的配置、个数并不限于此。此外,也可以是不设置树脂制的套筒172A而将悬吊机构175B的销175B1贯通于在金属制的中间盘172设置的孔的结构。此外,也可以是悬吊机构175B不具有弹性体175B2的结构。
悬吊机构175A和悬吊机构175B的弹性体175B2能够应用例如弹簧式的缸、气缸。另外,在本实施方式中,如图43的(a)等所示,悬吊机构175A和悬吊机构175B的弹性体175B2以球状示意地图示,如图43的(c)等所示,通过球形状的变形而体现收缩、伸长。
参照图43说明由第4实施方式的第2保持部170进行的基板10的接受动作。图43是表示由第4实施方式的第2保持部170进行的基板10的接受动作的各阶段(a)~(g)的图。图43的(a)~图43的(g)通过侧视图示图42所示的第4实施方式的第2保持部170,例示出从上方接受在配置于下方的对方装置(切割部100、薄板化部200、紫外线照射部400、安装部500等)的吸附装置C之上载置的基板10的结构。
如图43的(a)所示,载置于吸附装置C之上的基板10被吸附装置C向下方吸附。第2保持部170使多孔垫173工作,在向上方产生吸附力的同时从基板10的上方下降而接近基板10。
首先,最初对准销174抵靠于吸附装置C的上表面(图43的(b)),限制了中间盘172的下降。此时,通过利用悬吊机构175A使对准销174全部抵靠于吸附装置C的上表面,从而中间盘172被调整为与吸附装置C平行。
通过从该状态起臂171进一步向下方移动,从而悬吊机构175A和悬吊机构175B的弹性体175B2收缩。由此,悬吊机构175B的销175B1相对于中间盘172进入下方,多孔垫173下降而与基板10面接触(图43的(c))。
接着,在维持多孔垫173与基板10的接触状态的同时停止利用对方装置的吸附装置C向下方吸附(图43的(d)),开始利用吸附装置C向上方吹扫(图43的(e))。
接着,在使臂171开始上升时,首先,悬吊机构175A和悬吊机构175B的弹性体175B2的收缩复原,多孔垫173以吸附着基板10的状态上升到初始位置(图43的(f))。在臂171进一步上升时,对准销174自吸附装置C的上表面分离(图43的(g)),结束基板10的接受动作。
参照图44说明由第4实施方式的第2保持部170进行基板10的送出动作。图44是表示由第4实施方式的第2保持部170送出基板10的送出动作的各阶段(a)~(g)的图。图44的(a)~图44的(g)通过侧视图示图42所示的第4实施方式的第2保持部170,例示出向配置于下方的对方装置的吸附装置C的上表面送出多孔垫173吸附着的基板10的结构。
如图44的(a)所示,吸附装置C向下方产生吸附力。第2保持部170在由多孔垫173吸附基板10的同时从吸附装置C的上方下降而接近吸附装置C的上表面。
首先,最初对准销174抵靠于吸附装置C的上表面(图44的(b)),限制了中间盘172的下降。此时,通过利用悬吊机构175A使对准销174全部抵靠于吸附装置C的上表面,从而中间盘172被调整为与吸附装置C平行。
通过从该状态起臂171进一步向下方移动,从而悬吊机构175A和悬吊机构175B的弹性体175B2收缩。由此,悬吊机构175B的销175B1相对于中间盘172进入下方,多孔垫173和基板10下降,基板10与吸附装置C的上表面面接触(图44的(c))。
接着,在维持吸附装置C与基板10的接触状态的同时停止利用多孔垫173向上方吸附(图44的(d)),开始利用多孔垫173向下方吹扫(图44的(e))。
接着,在使臂171开始上升时,首先,悬吊机构175A和悬吊机构175B的弹性体175B2的收缩复原,多孔垫173自基板10分离而上升到初始位置(图44的(f))。在臂171进一步上升时,对准销174自吸附装置C的上表面分离(图44的(g)),基板10的送出动作结束。
在第4实施方式中,由于对准销174设置为在无负荷状态时向比多孔垫173的下表面的吸附面靠下方的位置突出,因此在多孔垫173与对方型装置接触之前能够平行调整为吸附面正确地与对方装置相对。此外,通过在臂171和多孔垫173之间存在中间盘172,在各构件之间设置悬吊机构175A、175B,从而能够在使多孔垫173和吸附装置C平行的状态下借助悬吊机构175A、175B将来自臂171的力没有遗漏地传递到多孔垫173的整个面,能够更可靠地进行吸附面的接触。由此,能够更稳定地进行基板10向多孔垫173的吸附和基板10从多孔垫173的送出。
另外,在对准销174与吸附装置C接触(抵靠)之后的臂171的下降距离(长度)与基板10的厚度相应地变化时,能够更稳定地进行基板10向多孔垫173的吸附和基板10从多孔垫173的送出。
[变形、改良]
以上,对输送装置、基板处理系统、输送方法以及基板处理方法的实施方式进行了说明,但本发明并不限定于上述实施方式等,能够在权利要求书所记载的本发明的主旨的范围内进行各种变形、改良。
本国际申请主张基于2017年7月12日提出申请的日本国特许出愿2017-136322号和2018年1月19日提出申请的日本国特许出愿2018-007669号的优先权,在此将2017-136322号和2018-007669号的全部内容引用于本国际申请。
附图标记说明
1、基板处理系统;10、基板;14、保护带;18、粘合带;19、框架;20、控制部;30、输入部;35、输入盒;40、输出部;45、输出盒;50、输送路径;51、Y轴引导件;52、Y轴滑动件(输送基体);58、输送部(输送装置);60、60A、60B、第1保持部;61A、第1吸附部;62A、第2吸附部;63A、63B、第3吸附部;65、翻转部;70、170、第2保持部(吸附保持部);80、180、第3保持部(抓持保持部);81、182、抓持部;85、引导部;90B替换部;91B、第1吸附部;92B、第2吸附部;100、切割部;200、薄板化部;400、紫外线照射部;500、安装部;600、剥离部;700、ID粘贴部;800、清洗部;171、臂;172、中间盘;173、多孔垫;174、对准销;175A、悬吊机构(第1悬吊机构);175B、悬吊机构(第2悬吊机构);183、辅助轨道部(引导部);184、对准部。
Claims (19)
1.一种输送装置,其保持被薄板化的基板,并且沿着输送所述基板的输送路径移动,其中,
该输送装置具有:
抓持部,其用于抓持借助带安装有所述基板的框架;
线性引导件;
引导部,其与所述抓持部一同沿着所述输送路径移动,所述引导部能够沿着所述线性引导件移动,载置由所述抓持部抓持的所述框架,所述引导部沿着所述线性引导件延伸的方向引导由所述抓持部抓持的状态的所述框架的移动;以及
移动机构部,其通过使所述抓持部相对于所述引导部移动,使由所述抓持部抓持的所述框架沿着所述引导部移动,
所述引导部构成为,在利用所述抓持部从对方装置侧接受所述框架时,能够向所述对方装置侧移动并进入所述对方装置侧,或者在利用所述抓持部向所述对方装置侧送出所述框架时,能够向所述对方装置侧移动并进入所述对方装置侧,
在所述引导部向所述对方装置侧移动并进入了所述对方装置侧时,所述移动机构部使所述抓持部与所述引导部独立地沿着所述线性引导件延伸的方向移动。
2.根据权利要求1所述的输送装置,其中,
该输送装置具有输送基体,该输送基体安装多个由所述抓持部和所述引导部构成的保持部,
所述输送基体沿着所述输送路径移动。
3.根据权利要求1所述的输送装置,其中,
该输送装置包括对准部,该对准部从与所述框架的移动方向正交的宽度方向的两侧夹持利用所述抓持部移动到输送时的待机位置的所述框架而进行宽度方向的定位。
4.一种输送装置,其保持被薄板化的基板,并且沿着输送所述基板的输送路径移动,其中,
该输送装置具有:
抓持部,其用于抓持借助带安装有所述基板的框架;
引导部,其与所述抓持部一同沿着所述输送路径移动,载置由所述抓持部抓持的所述框架;以及
移动机构部,其通过使所述抓持部相对于所述引导部移动,使由所述抓持部抓持的所述框架沿着所述引导部移动,
该输送装置包括:
抓持保持部,其具有所述抓持部和所述引导部;以及
吸附保持部,其用于吸附并保持所述基板,
所述吸附保持部具有:
臂,其能够向各方向移动;
中间盘,其与所述臂的下方连结;
多孔垫,其与所述中间盘的下方连结;
对准销,其自所述中间盘向下方突出地设置;
第1悬吊机构,其设于所述臂和所述中间盘之间,利用弹性构件自所述臂悬吊所述中间盘;以及
第2悬吊机构,其连结所述臂和所述多孔垫,
所述对准销设置为在无负荷状态时向比所述多孔垫的下表面的吸附面靠下方的位置突出。
5.一种基板处理系统,其具备权利要求1或4所述的输送装置,其中,
该基板处理系统包括:
输入部,向该输入部输入收纳有借助所述带安装于所述框架之前且是薄板化之前的所述基板的输入盒,
薄板化部,其用于使在所述输入部中从所述输入盒取出来的所述基板薄板化;
安装部,其借助所述带将利用所述薄板化部薄板化了的所述基板安装于所述框架;
输出部,其输出收纳有利用所述安装部并借助所述带安装于所述框架之后且是薄板化之后的所述基板的输出盒;以及
控制部,其用于控制所述输送装置而在放置于所述输出部的所述输出盒的内部收纳借助所述带安装有所述基板的所述框架。
6.根据权利要求5所述的基板处理系统,其中,
所述输入部、所述薄板化部、所述安装部以及所述输出部与所述输送路径相邻地设置,
所述输送装置将所述基板从所述输入部经由所述薄板化部和所述安装部向所述输出部输送。
7.一种基板处理系统,其具备权利要求1或4所述的输送装置,其中,
该基板处理系统包括:
输入部,向该输入部输入收纳有借助所述带安装于所述框架之后且是薄板化之前的所述基板的输入盒;
薄板化部,其用于使在所述输入部中从所述输入盒取出来的所述基板薄板化;以及
控制部,其用于控制所述输送装置而从放置于所述输入部的所述输入盒的内部取出借助所述带安装有所述基板的所述框架。
8.根据权利要求7所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统还包括切割部,该切割部用于切割在所述输入部中从所述输入盒取出来的所述基板。
9.根据权利要求8所述的基板处理系统,其中,
所述输入部、所述切割部以及所述薄板化部与所述输送路径相邻地设置,
所述输送装置将所述基板从所述输入部经由所述切割部向所述薄板化部输送。
10.一种输送方法,其使保持被薄板化的基板的输送装置沿着输送所述基板的输送路径移动,其中,
利用所述输送装置所包含的抓持部抓持借助带安装所述基板的框架,并且在所述输送装置所包含的引导部载置所述框架,所述引导部能够沿着所述输送装置包含的线性引导件移动,所述引导部沿着所述线性引导件延伸的方向引导由所述抓持部抓持的状态的所述框架的移动,
通过使所述抓持部相对于所述引导部移动,从而使由所述抓持部抓持的所述框架沿着所述引导部移动,
在利用所述抓持部从对方装置侧接受所述框架时,使所述引导部向所述对方装置侧移动并进入所述对方装置侧,或者在利用所述抓持部向所述对方装置侧送出所述框架时,使所述引导部向所述对方装置侧移动并进入所述对方装置侧,
在所述引导部向所述对方装置侧移动并进入了所述对方装置侧时,使所述抓持部与所述引导部独立地沿着所述线性引导件延伸的方向移动。
11.根据权利要求10所述的输送方法,其中,
使安装多个由所述抓持部和所述引导部构成的保持部的输送基体沿着所述输送路径移动。
12.根据权利要求10所述的输送方法,其中,
利用所述输送装置所包含的对准部从与所述框架的移动方向正交的宽度方向的两侧夹持利用抓持部移动到输送时的待机位置的所述框架而进行宽度方向的定位。
13.根据权利要求10所述的输送方法,其中,
所述输送装置包括用于吸附并保持所述基板的吸附保持部,
在所述吸附保持部接近所述对方装置侧时,所述吸附保持部所包含的对准销最初抵靠于所述对方装置侧,之后所述吸附保持部所包含的多孔垫与所述对方装置侧接触。
14.一种输送方法,其使保持被薄板化的基板的输送装置沿着输送所述基板的输送路径移动,其中,
利用所述输送装置所包含的抓持部抓持借助带安装所述基板的框架,并且在所述输送装置所包含的引导部载置所述框架,
通过使所述抓持部相对于所述引导部移动,从而使由所述抓持部抓持的所述框架沿着所述引导部移动,
其中,所述输送装置包括:
抓持保持部,其具有所述抓持部和所述引导部;以及
吸附保持部,其用于吸附并保持所述基板,
所述吸附保持部具有:
臂,其能够向各方向移动;
中间盘,其与所述臂的下方连结;
多孔垫,其与所述中间盘的下方连结;
对准销,其自所述中间盘向下方突出地设置;
第1悬吊机构,其设于所述臂和所述中间盘之间,利用弹性构件自所述臂悬吊所述中间盘;以及
第2悬吊机构,其连结所述臂和所述多孔垫,
所述对准销设置为在无负荷状态时向比所述多孔垫的下表面的吸附面靠下方的位置突出。
15.一种基板处理方法,其中,
从放置于输入部的输入盒取出借助带安装于框架之前且是薄板化之前的基板,
利用薄板化部使从所述输入盒取出来的所述基板薄板化,
利用安装部并借助所述带将利用所述薄板化部薄板化了的所述基板安装于所述框架,
将利用所述安装部并借助所述带安装于所述框架之后且是薄板化之后的所述基板收纳于在输出部放置的输出盒,
在将所述基板收纳于所述输出盒时,使用权利要求10或14所述的输送方法。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法,其中,
通过使所述输送装置沿着与所述输入部、所述薄板化部、所述安装部以及所述输出部相邻地设置的所述输送路径移动,从而从所述输入部经由所述薄板化部和所述安装部向所述输出部输送所述基板。
17.一种基板处理方法,其中,
从放置于输入部的输入盒取出借助带安装于框架之后且是薄板化之前的基板,
利用薄板化部使从所述输入盒取出来的所述基板薄板化,
在从所述输入盒取出所述基板时,使用权利要求10或14所述的输送方法。
18.根据权利要求17所述的基板处理方法,其中,
利用切割部切割从所述输入盒取出来的所述基板。
19.根据权利要求18所述的基板处理方法,其中,
通过使所述输送装置沿着与所述输入部、所述切割部以及所述薄板化部相邻地设置的所述输送路径移动,从而从所述输入部经由所述切割部向所述薄板化部输送所述基板。
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7222535B2 (ja) * | 2019-02-25 | 2023-02-15 | アスリートFa株式会社 | ワーク搬送用ハンド及びボール搭載装置 |
JP7343306B2 (ja) * | 2019-05-29 | 2023-09-12 | 株式会社ディスコ | 搬送ロボット |
US11251064B2 (en) * | 2020-03-02 | 2022-02-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer frame sorter and stocker |
KR20230060187A (ko) * | 2021-10-27 | 2023-05-04 | (주)테크윙 | 전자부품 핸들러용 거치기 |
CN115072369B (zh) * | 2022-06-28 | 2024-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 搬运组件及成膜装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235736A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Lintec Corp | 搬送装置及び搬送方法 |
JP2009117584A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ処理装置 |
JP2009253225A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3213748B2 (ja) * | 1994-08-04 | 2001-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
JPH10107128A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-24 | Shinkawa Ltd | ウェーハリングの供給装置 |
JP4030654B2 (ja) * | 1998-06-02 | 2008-01-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板搬送装置 |
JP3526788B2 (ja) * | 1999-07-01 | 2004-05-17 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3607207B2 (ja) * | 2001-02-14 | 2005-01-05 | 株式会社タカトリ | 収納容器からの半導体ウエーハ取り出し方法と装置 |
JP2003282673A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの搬送装置 |
JP4256132B2 (ja) * | 2002-09-27 | 2009-04-22 | 株式会社ディスコ | 板状物の搬送装置 |
KR100484088B1 (ko) | 2002-12-06 | 2005-04-20 | 삼성전자주식회사 | 멀티 칩 패키지용 다이 어태치와 경화 인라인 장치 |
JP4614807B2 (ja) | 2005-03-29 | 2011-01-19 | セントラル硝子株式会社 | 容器溝へのガラス板の挿入方法および装置 |
JP2007214457A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工装置及び方法 |
JP4693696B2 (ja) | 2006-06-05 | 2011-06-01 | 株式会社東京精密 | ワーク処理装置 |
JP5663126B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2015-02-04 | リンテック株式会社 | ワーク搬送方法及びワーク受渡し機構を有する装置 |
JP5303135B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2013-10-02 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工装置 |
JP2011135026A (ja) | 2009-11-27 | 2011-07-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークユニットの保持方法および保持機構 |
JP5543813B2 (ja) | 2010-03-23 | 2014-07-09 | 日東電工株式会社 | ワーク搬送方法およびワーク搬送装置 |
JP2012049164A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光デバイスの製造方法 |
JP5964548B2 (ja) | 2011-02-24 | 2016-08-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハ加工装置 |
JP5695520B2 (ja) | 2011-07-29 | 2015-04-08 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | ウエハリングのアライメント方法 |
JP2015076469A (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハ搬送装置 |
JP6271312B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2018-01-31 | 株式会社ディスコ | 搬送装置 |
JP6283573B2 (ja) * | 2014-06-03 | 2018-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP6716460B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2020-07-01 | 株式会社カネカ | 試料移載システム及び太陽電池の製造方法 |
JP6441737B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2018-12-19 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP6456768B2 (ja) | 2015-05-18 | 2019-01-23 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP6625857B2 (ja) | 2015-10-14 | 2019-12-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハ加工方法 |
-
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Patent Citations (3)
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JP2008235736A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Lintec Corp | 搬送装置及び搬送方法 |
JP2009117584A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ処理装置 |
JP2009253225A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
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