CN109860157A - 半导体结构、发光装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半导体结构、发光装置及其制造方法。发光装置包括一发光二极管及一导电膜。导电膜含有量子点并配置在发光二极管上。

Description

半导体结构、发光装置及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，且特别是有关于一种发光装置及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，许多组件的体积逐渐往小型化发展。举例来说，近几年来更陆续推出各种微显示器(Micro-display)技术。其中，由于发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)制作尺寸上的突破，目前将发光二极管以数组排列制作的微发光二极管(micro-LED)显示器在市场上逐渐受到重视。微发光二极管显示器属于主动式发光组件显示器，其除了在对比度及能耗方面不逊于有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)显示器外，在可靠性及寿命亦占据绝对优势。因此，微发光二极管显示器有极大潜力成为未来行动通信电子与物联网(Internet of Things，IoT)应用穿戴式电子的主流显示器技术。然而，目前微发光二极管巨量转移仍有需要克服改进的问题。

发明内容

本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法。

根据本发明的一实施例，提出了一种半导体结构的制造方法。制造方法包括以下步骤。组件黏着步骤，包括将一半导体组件黏着至一透光衬底的一第一表面上。组件转移步骤，包括在半导体组件完全以一空隙隔离一受体衬底的状况下，对透光衬底的相对于第一表面的一第二表面进行一照光步骤，以在透光衬底与半导体组件之间产生一汽化反应。汽化反应使得半导体组件从透光衬底推离，然后转移穿过空隙而至受体衬底上。

根据本发明的另一实施例，提出了一种半导体结构的制造方法。制造方法包括以下步骤。一组件黏着步骤，其包括将一含量子点的黏着层黏着至一透光衬底的一第一表面上。含量子点的黏着层具有导电性质。一组件转移步骤，其包括对透光衬底的相对于第一表面的一第二表面进行一照光步骤，以在透光衬底与含量子点的黏着层之间产生一汽化反应。汽化反应使得含量子点的黏着层从透光衬底推离而转移至受体衬底上。

根据本发明的又一实施例，提出一种发光装置。发光装置包括一发光二极管及一导电膜。导电膜含有量子点，并配置在发光二极管上，其中导电膜是用作发光二极管的电极层。

附图说明

图1A至图1D示意性示出第一实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图2A与图2B示意性示出第二实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图3示意性示出根据第三实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图4示意性示出根据第四实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图5示意性示出根据第五实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图6示意性示出根据第六实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图7示意性示出根据第七实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图8A与图8B示意性示出根据第八实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图9A与图9B示意性示出第九实施例的概念的半导体结构的制造方法；

符号说明：

102：供体衬底

104、104A、104B：透光衬底

106、106A、106B：半导体组件

107：第一表面

108、208、308、408、508、608、708：可吸光汽化黏着层

109：第二表面

110：第一表面

112：受体衬底

114：空隙

116：第二表面

218、618：黏着层

220、320、520：光吸收层

422：可汽化层

524：屏蔽层

626：量子点

628：导电膜

906：发光二极管

R：照光步骤

S：距离

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。

以下详细叙述本发明内容的实施例。实施例所提出的详细结构及步骤为举例说明而用，并非对本发明内容所要保护的范围做限制。本领域技术人员可依据实际实施状况的需要对该些结构及步骤加以修饰或变化。

第一实施例

图1A至图1D示意性示出第一实施例的概念的半导体结构的制造方法。

请参照图1A，进行组件形成步骤，以分别在供体衬底102、透光衬底104上形成组件。举例来说，半导体组件106配置或形成在供体衬底102的第一表面107上。实施例中，半导体组件106可包括薄膜装置(thin film device)，例如半导体发光组件，包括微发光二极管等等，或其他可利用半导体工艺所形成的组件、装置。在另一实施例中，半导体组件106可包括含量子点的黏着层，或是半导体发光组件与含量子点的黏着层的组合，其中含量子点的黏着层具有导电性质或非导电性质(容后详述)。此外，可吸光汽化黏着层108配置在透光衬底104的第一表面110上。

请参照图1B，进行组件黏着步骤，将供体衬底102的第一表面107与透光衬底104的第一表面110相向设置，以将供体衬底102上的半导体组件106黏着转移至透光衬底104的第一表面110上。举例来说，将半导体组件106接触可吸光汽化黏着层108，并利用可吸光汽化黏着层108的黏着性质，将半导体组件106黏着至可吸光汽化黏着层108。实施例中，在半导体组件106黏着至可吸光汽化黏着层108之后，可将半导体组件106从供体衬底102分离，使可吸光汽化黏着层108黏着半导体组件106与透光衬底104，从而将半导体组件106转移至透光衬底104上。

一实施例中，举例来说，供体衬底102可包括半导体衬底，例如蓝宝石(sapphire)衬底。半导体组件106包括从蓝宝石衬底磊晶形成的半导体材料层，其中与蓝宝石衬底接触的最底层为氮化镓薄膜。此例中，可对供体衬底102的第二表面109进行照光步骤(例如在大于40℃的环境下进行KrF激光照射)以汽化氮化镓薄膜分解产生氮气与镓金属，从而弱化半导体组件106与供体衬底102之间的接合力而彼此分离。其中，供体衬底102的第二表面109与供体衬底102的第一表面107相对应设置。一些实施例中，可对供体衬底102进行局部性照光，意即对供体衬底102的部分第二表面109进行照射，以在供体衬底102上的半导体组件106中的一部分进行分离。留在供体衬底102上未被分离的半导体组件106可视需求在其他工艺中使用。

请参照图1C与图1D，进行组件转移步骤，包括利用照光步骤R诱发汽化反应，透过汽化反应产生的气体将透光衬底104上的组件推离至受体衬底112。实施例中，是在半导体组件106完全以空隙114隔离受体衬底112的状况下，对透光衬底104进行照光步骤R(图1C)，以在透光衬底104与半导体组件106之间产生汽化反应，其中汽化反应使得半导体组件106从透光衬底104推离，然后转移穿过空隙114而到达受体衬底112上。详细来说，在照光步骤R中，光线穿透透光衬底104后射入可吸光汽化黏着层108被吸收并造成汽化反应。汽化反应产生的气体可对黏着在透光衬底104上的半导体组件106产生推离透光衬底104的压力(例如喷射半导体组件106的气源力)，从而将半导体组件106从透光衬底104推离后，穿过空隙114而移转至受体衬底112上(图1D)。

如上所公开的概念，实施例中，可吸光汽化黏着层108的结构设计能使得半导体组件106在接触后能黏着至可吸光汽化黏着层108，并在吸收光能后诱发汽化反应产生用以推离半导体组件106的气体压力。

一实施例中，可吸光汽化黏着层108系由单一层膜构成，此单一层膜可同时提供黏着性质、光吸收性质、以及可汽化性质。亦即，单一层膜即具有可汽化层、光吸收层与黏着层的性质。另一实施例中，可吸光汽化黏着层108是由多层膜构成。举例来说，可吸光汽化黏着层108可包括两层膜，其中一层膜作为光吸收层，可提供光吸收(吸收光能转成热能)的性质(例如金属材料、或聚合物材料)，另一层膜作为例如黏着层，可提供黏着性质，两层膜其中一或全部具有可通过热能发生汽化的性质(亦即光吸收层同时具有可汽化层的性质，和/或黏着层同时具有可汽化层的性质)。或者，可吸光汽化黏着层108可包括三层膜或更多层膜，其中至少一层膜作为光吸收层，可提供光吸收性质，至少另一层膜作为例如黏着层，可提供黏着性质，至少又另一层膜作为可汽化层，具有可汽化的性质。具有黏着性质的黏着层可在最外侧以黏着半导体组件106。可吸光汽化黏着层108的形成方式可包括涂布方法或其他合适的方法。

可汽化的性质的层膜可视可吸光汽化黏着层108中哪个层膜具有较低的汽化温度(即较低的沸点)而定。具有可汽化的性质的层膜可包括金属、聚合物，例如三氮烯(triazene)、碳氢化合物镀膜，例如丙烷(propane)、四甲基硅烷(TMS)，或其他合适的材料。一实施例中，具有黏着性质的层膜可包括涂胶材料，并能透过照光步骤改变性质。举例来说，具有黏着性质的层膜可在黏着半导体组件106之前或之后照射UV、IR光线。举例来说，涂胶材料可在黏着半导体组件106之前先局部性地照射光线，以决定具有黏着性质部分的图案。一实施例中，同时具有光吸收性质与黏着性质的层膜可为具有纳米金属分散在黏着胶体中的层膜，或为具有IR-780碘化物聚合物分散在黏着胶体中的层膜，但不限于此。一些实施例中，在进行组件转移步骤之前，半导体组件106所附着的具有黏着性质的层膜可为呈半固化状态或液体状态的胶体材料，例如包括聚亚酰胺(polyimide)、丙烯酸(acrylic)化合物、环氧树脂(epoxy)化合物、聚二氧乙基噻吩(PEDOT)、碳氢化合物(hydrocarbonpolymer)等。具有黏着性质的层膜可具有导电性质(例如透明导电聚合物)或非导电性质。一些实施例中，具有黏着性质的层膜可视产品需求额外含有量子点或其他半导体微粒物质散布在其中。一些实施例中，具有黏着性质的层膜可透过不同的方式改变其特性。举例来说，具有黏着性质的层膜可藉由预烘烤(pre-baking)步骤产生黏着性质，并然后可通过后烘烤(post-baking)步骤完全固化。

实施例中，照光步骤R可使用激光光源，但不限于此，亦可使用其他可提供足以在可吸光汽化黏着层108中造成汽化的能量的光源。举例来说，激光光源能聚焦为小光点范围，以连续发射或单点发射的方式对期望照光的区域进行照光，因此能精确选择半导体组件106要被转移的部分，也能任意控制半导体组件106转移的顺序。并且，可吸光汽化黏着层108能在激光光源照射的瞬间产生热汽化造成喷射半导体组件106的气体压力。一些实施例中，照光步骤R的光能或造成的热能亦可同时降低可吸光汽化黏着层108(或黏着层)的黏着能力。举例来说，可吸光汽化黏着层108(或黏着层)可包括热敏性的黏着材料。

一实施例中，照光步骤R可在半导体组件106与受体衬底112之间具有10～300μm的空隙距离S(图1C)的情况下进行，但本发明不限于此，可视实际需求任意调整空隙距离S的范围。受体衬底112上可配置具有黏性的组件(未显示)，以黏着固定掉落的半导体组件106。具有黏性的组件可包括但不限于黏胶层、双面胶等等，可视产品需求使用具有导电性质或非导电性质的材料。

一些例子中，半导体组件106系在接触受体衬底112的状况下进行转移(即接触式的组件转移步骤，其中空隙距离S为0)，但发现透光衬底104与受体衬底112因为距离较近而容易发生彼此接触造成互相污染的问题，例如透光衬底104上的可吸光汽化黏着层108沾附到受体衬底112造成产品良率下降的问题，或受体衬底112上的黏着层(未显示)沾附到透光衬底104或沾附到不预期被转移的半导体组件106的损伤(defect)问题。相对地，实施例中，半导体组件106系在以空隙114隔开受体衬底112的状况下转移至受体衬底112(即非接触式的组件转移步骤)，因此组件转移步骤可在透光衬底104与受体衬底112之间具有较大的距离条件下进行，能避免彼此接触造成互相污染的问题，而提高产品良率。实施例的组件转移步骤能透过照光步骤R有效率地快速进行。实施例的制造方法可应用至转移巨量半导体组件。

一些优选例中，半导体组件106与透光衬底104之间并没有配置具有可透过照光步骤R产生汽化反应性质的层膜。在组件转移步骤中，可在半导体组件106以空隙114隔开受体衬底112的状况下，对半导体组件106所贴附的黏着层进行照光步骤R，从而减弱黏着层与半导体组件106之间的黏性或甚至完全失去黏性。然而，发现在优选例中，当半导体组件106尺寸小到一个程度时(例如微发光二极管，组件尺寸为1微米至100微米)，虽然半导体组件106与黏着层之间已不具黏性，但半导体组件106的重力仍不足以克服半导体组件106与黏着层之间的范德瓦尔吸引力，因此无法成功从透光衬底104转移至受体衬底112。相对地，本实施例中，可吸光汽化黏着层108包括可透过照光步骤R产生汽化反应性质的层膜，产生的气体能促使半导体组件106从透光衬底104成功转移至受体衬底112，这对于尺寸微小的半导体组件106亦可达到相同的转移成功效果。

再者，根据实施例的组件转移步骤，半导体组件106可利用照光步骤R直接从透光衬底104转移至受体衬底112上，并不需要额外的转移工具，因此方法简单且成本低。

请参照图1D，组件转移步骤后所形成的半导体装置可包括受体衬底112(衬底，例如半导体衬底、电路板等等)与半导体组件106。半导体组件106配置在受体衬底112上。一实施例中，半导体装置包括发光装置、光源装置(例如背光装置、前光装置等)。举例来说，半导体组件106可包括但不限于发光二极管，例如微发光二极管(micro LED)，亦可为其他的半导体发光单元。

本发明不限于第一实施例所示的将透光衬底104上的所有半导体组件106转移至受体衬底112上。其他实施例中，亦可选择性地对透光衬底104上的半导体组件106进行转移。

第二实施例

图2A与图2B示意性示出第二实施例的概念的半导体结构的制造方法。请参照图2A，组件转移步骤中，可控制透光衬底104A的照光区域来决定半导体组件106A移转的部分。详细来说，仅对透光衬底104A的部分区域进行照光步骤R，以将透光衬底104A上的半导体组件106A中的一部分转移至受体衬底112上。请参照图2B，接着在另一组件转移步骤中，可控制透光衬底104B的照光区域来决定半导体组件106B中的一部分转移至受体衬底112上。

实施例中，被转移的半导体组件106A、106B之间的间距(pitch)可视实际需求任意调变。半导体组件106A、106B之间的间距可为组件宽度的整数倍。一些实施例中，半导体组件106A、106B具有不同尺寸，例如不同色的微发光二极管分别具有不同高度。既有接触式的组件转移步骤容易受限组件的高低差造成接触影响产品良率的问题。相对地，如图2A至图2B所示的制造方法中，透光衬底104B上的半导体组件106B并不会接触到已经被转移至受体衬底112上的半导体组件106A，因此即使不同组件转移步骤所转移的半导体组件106A、106B具有不同高度，仍不会彼此影响，因此能具有良好的产品良率。其他实施例中，亦可进行额外的组件转移步骤，以将其他透光衬底(未显示)的不同结构的半导体组件转移至受体衬底112上，与半导体组件106A、106B形成组件数组。

第三实施例

图3示意性示出根据第三实施例的概念的半导体结构的制造方法，其与第一实施例相类似。但要注意的是，在本实施例中，图3所示的组件转移步骤包括同时将可吸光汽化黏着层108与半导体组件106一起从透光衬底104转移至受体衬底112。一实施例中，举例来说，可吸光汽化黏着层108可能在经过照光步骤R之后部分汽化，而未被汽化的残留部分系随着半导体组件106一起被汽化部分产生的气体推落至受体衬底112。另一实施例中，可吸光汽化黏着层108可能在经过照光步骤R之后失去黏着透光衬底104的性质因而随着半导体组件106一起被汽化反应产生的气体推落至受体衬底112。

第四实施例

图4示意性示出根据第四实施例的概念的半导体结构的制造方法，其与第一实施例相类似。但要注意的是，在本实施例中可吸光汽化黏着层208包括黏着层218与光吸收层220。黏着层218在透光衬底104的第一表面110上。光吸收层220在黏着层218与半导体组件106之间，并与半导体组件106重叠。

第四实施例的组件形成步骤可还包括在参照图1A所述在供体衬底102上形成半导体组件106之后，形成光吸收层220(未示出在图1A中)在半导体组件106上。一实施例中，半导体组件106可为P、N电极分别位在相反侧的发光二极管，光吸收层220可为形成在P电极与N电极其中一者上的金属导电接触垫。此外，黏着层218配置在透光衬底104的第一表面110上，亦即图1A中的可吸光汽化黏着层108以黏着层218取代。

第四实施例的组件黏着步骤包括将供体衬底102(未示出在图4中)上的光吸收层220黏着至透光衬底104上的黏着层218，然后使半导体组件106从供体衬底102分离，从而使半导体组件106及其上的光吸收层220从供体衬底102转移至透光衬底104。

请参照图4，第四实施例的组件转移步骤包括在半导体组件106完全以空隙114隔开受体衬底112的情况下，对透光衬底104进行照光步骤R，使得光吸收层220能在吸收光能之后产生热能，此热能至少汽化黏着层218邻接光吸收层220的部分来产生推离半导体组件106至受体衬底112的气体压力。一实施例中，照光步骤R是由光吸收层220自对准黏着层218要被汽化的部分，因此照光精准度能承受较大的误差。一实施例中，半导体组件106与光吸收层220一起从透光衬底104转移至受体衬底102。

第五实施例

图5示意性示出根据第五实施例的概念的半导体结构的制造方法，其与第四实施例相类似。但要注意的是，在本实施例中可吸光汽化黏着层308包括黏着层218与光吸收层320。光吸收层320对应单个半导体组件106的部分具有互相分开的图案，也就是说，光吸收层320虽在黏着层218与半导体组件106之间，但与半导体组件106仅部分重叠。举例来说，半导体组件106可为P、N电极位在相同侧的发光二极管，光吸收层320可包括分别形成在P电极与N电极上的金属导电接触垫。

第六实施例

图6示意性示出根据第六实施例的概念的半导体结构的制造方法，其与第四实施例相类似。但要注意的是，在本实施例中可吸光汽化黏着层408包括可汽化层422、光吸收层220与黏着层218。可吸光汽化黏着层408在透光衬底104的第一表面110上。光吸收层220在黏着层218与可汽化层422之间，并与半导体组件106重叠。

第六实施例的组件形成步骤可包括在配置黏着层218之前，配置可汽化层422于透光衬底104的第一表面110上。也就是说，在透光衬底104上依序形成可汽化层422、光吸收层220与黏着层218。此例的组件黏着步骤包括将供体衬底102上的半导体组件106黏着至透光衬底104上的黏着层218，然后使半导体组件106从供体衬底102分离，从而使半导体组件106从供体衬底102转移至透光衬底104。

请参照图6，第六实施例的组件转移步骤可包括在半导体组件106完全以空隙114隔开受体衬底112的情况下，对透光衬底104进行照光步骤R，使得光吸收层220能在吸收光能之后产生热能，此热能至少汽化可汽化层422邻接光吸收层220的部分而产生推离半导体组件106的气体压力，从而转移半导体组件106至受体衬底112。一些实施例中，照光步骤R亦可能在光吸收层220中产生汽化反应造成推离半导体组件106的气体压力。一实施例中，举例来说，照光步骤R是由光吸收层220自对准要被汽化的部分，因此照光精准度能承受较大的误差。一些实施例中，与半导体组件106重叠的光吸收层220与部分黏着层218可能与半导体组件106一起从透光衬底104转移至受体衬底112。此外，在一些实施例中，在组件转移步骤之后，可再将半导体组件106上方的黏着层218及光吸收层220移除。

第七实施例

图7示意性示出根据第七实施例的概念的半导体结构的制造方法，其与第四实施例相类似。但要注意的是，在本实施例中可吸光汽化黏着层508包括光吸收层520与黏着层218。光吸收层520在透光衬底104的第一表面110上。黏着层218在光吸收层520与半导体组件106之间。

第七实施例的组件形成步骤可包括在透光衬底104上依序形成光吸收层520与黏着层218。此例的组件黏着步骤包括将供体衬底102(未示出于第7图中)上的半导体组件106黏着至透光衬底104上的黏着层218，然后使半导体组件106从供体衬底102分离，从而使半导体组件106从供体衬底102转移至透光衬底104。

请参照图7，第七实施例中还可包括在组件转移步骤之前先配置一屏蔽层524在透光衬底104的第二表面116上。其中，透光衬底104的第二表面116相对于透光衬底104的第一表面110。屏蔽层524的开口图案对应半导体组件106的配置区域。第七实施例的组件转移步骤可包括在半导体组件106完全以空隙114隔开受体衬底112的情况下，对透光衬底104进行照光步骤R，利用屏蔽层524的开口图案控制照光区域对应半导体组件106重叠的部分，使得光吸收层520对应半导体组件106有被照光的部分能在吸收光能之后产生热能，以至少汽化黏着层218邻接光吸收层520的部分而产生推离半导体组件106的气体压力，从而将半导体组件106从透光衬底104转移至受体衬底112。

第八实施例

图8A与图8B示意性示出根据第八实施例的概念的半导体结构的制造方法，其与第三实施例相类似。但要注意的是，在本实施例中可吸光汽化黏着层608包括含有量子点626的黏着层618。半导体组件106黏着至含有量子点626的黏着层618。实施例中，黏着层618具有导电性质或非导电性质。请参照图8A，第八实施例的组件转移步骤可包括在半导体组件106完全以空隙114隔开受体衬底112的情况下，对透光衬底104进行照光步骤R，使得黏着层618在吸收光能产生热能、或由其他邻近组件吸收光能产生热能之后能发生汽化反应，反应产生的气体压力能将半导体组件106从透光衬底104推离转移至受体衬底112。黏着层618亦可包括具光吸收特性的组成。一实施例中，半导体组件106系与黏着层618一起从透光衬底104转移至受体衬底112。一实施例中，可在组件转移步骤之后，对转移至受体衬底112上的黏着层618进行固化步骤。

请参照图8B，实施例中，第八实施例在组件转移步骤之后所形成的半导体结构包括受体衬底112(衬底，例如半导体衬底、电路板等等)、半导体组件106与含有量子点626的黏着层618。一实施例中，半导体结构可为发光装置，举例来说，半导体组件106可包括发光二极管，例如微发光二极管(micro LED)。一实施例中，黏着层618可具有导电性质，并且，可在组件转移步骤之后，对转移至受体衬底112上的黏着层618进行固化步骤以形成导电膜628。导电膜628具有量子点626分布于其中。具有导电性质的黏着层618包括但不限于导电有机聚合物，例如PEDOT：PSS。实施例中，导电膜628可系用作半导体组件106的电极层，例如包括发光二极管的P电极、N电极、或上述的组合。其他实施例中，黏着层618可具有非导电性质，黏着层618转移至受体衬底112上的部分可实质上与半导体组件106同宽，或宽于半导体组件106，以作为半导体组件106的封装结构。

第九实施例

图9A与图9B示意性示出第九实施例的概念的半导体结构的制造方法。在本实施例中，是以含量子点626的黏着层618作为半导体组件106进行转移。请参照图9A，发光二极管906配置或形成在受体衬底112上。在组件黏着步骤中，将含量子点626的黏着层618黏着至透光衬底104的第一表面110上，其中含量子点626的黏着层618具有导电性质。组件转移步骤中，对透光衬底104进行照光步骤R，以在透光衬底104与含量子点626的黏着层618之间产生汽化反应，使得含量子点626的黏着层618从透光衬底104推离，然后转移穿过空隙114而至位在受体衬底112上的发光二极管906上。

详细来说，可吸光汽化黏着层708可包括光吸收层520与黏着层618。光吸收层520配置在透光衬底104的第一表面110上。黏着层618包含有量子点626，并配置在光吸收层520上，使光吸收层520配置于透光衬底104的第一表面110与黏着层618之间。此外，屏蔽层524配置在透光衬底104的第二表面116上。屏蔽层524的开口图案对应发光二极管906的配置位置。此例的组件转移步骤可包括在发光二极管906完全以空隙114隔开黏着层618的情况下，对透光衬底104进行照光步骤R，透过屏蔽层524的开口图案控制照光区域对应发光二极管906所在位置，使得光吸收层520在吸收光能后诱发汽化反应，产生能将黏着层618从透光衬底104推离的气体压力，从而将黏着层618转移至受体衬底112上的发光二极管906。详细来说，由于屏蔽层524的开口图案的位置仅对应在发光二极管906的两端部，因此黏着层618转移至发光二极管906的区域亦仅在两端部。在其他实施例中，可以藉由屏蔽层524的开口图案的位置，来控制黏着层618转移至发光二极管906的区域。一实施例中，可在组件转移步骤之后，对转移至受体衬底112上的黏着层618进行固化步骤。

请参照图9B，第九实施例在组件转移步骤之后所形成的半导体结构包括受体衬底112、发光二极管906与含有量子点626的黏着层618。黏着层618可具有导电性质，并且，可在组件转移步骤之后，对转移至受体衬底112上的黏着层618进行固化步骤以形成导电膜628。实施例中，导电膜628可系用作半导体组件106的电极层，例如包括发光二极管的P电极、N电极、或上述之组合。其他实施例中，举例来说，黏着层618可具有非导电性质。

根据以上实施例，本发明的技术概念至少具有以下优点。在组件转移步骤中，可对可吸光汽化黏着层进行光照以诱发汽化反应推动转移半导体组件，方法简单、快速且能精准控制半导体组件要被转移的部分。再者，半导体组件可利用照光步骤直接从透光衬底转移至受体衬底上，并不需要额外的转移工具，因此方法简单且成本低。此外，在组件转移步骤中，两衬底上的组件以空隙隔开不会彼此接触，因此能避免接触时可能发生的损伤问题，而提高产品良率。再者，照光步骤透过屏蔽层、或提供自对准作用的光吸收层控制预照光汽化的部分，因此照光精准度能忍受较大的误差。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

一组件黏着步骤，包括将一半导体组件黏着至一透光衬底的一第一表面上；

一组件转移步骤，包括在该半导体组件完全以一空隙隔离一受体衬底的状况下，对该透光衬底进行一照光步骤，以在该透光衬底与该半导体组件的间产生一汽化反应，其中该汽化反应使得该半导体组件从该透光衬底推离，然后转移穿过该空隙而至该受体衬底上。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该半导体组件包括一半导体发光组件、一含量子点的黏着层、或上述两者的组合，其中该含量子点的黏着层具有导电性质或非导电性质。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该半导体组件包括一含量子点的黏着层，该制造方法还包括在该受体衬底上配置一发光二极管，其中该组件转移步骤使得该含量子点的黏着层从该透光衬底推离，然后转移穿过该空隙而至该发光二极管上。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该照光步骤使用一激光光源。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：

一组件形成步骤，包括在一供体衬底上形成该半导体组件，其中该组件黏着步骤包括将该半导体组件从该供体衬底黏着转移至该透光衬底。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该组件黏着步骤包括利用一可吸光汽化黏着层黏着该半导体组件与该透光衬底，且该照光步骤使得该可吸光汽化黏着层发生该汽化反应。

7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其中该组件转移步骤包括同时将该可吸光汽化黏着层与该半导体组件一起从该透光衬底转移至该受体衬底。

8.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其中该可吸光汽化黏着层是单一层膜或多层膜。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中在该组件转移步骤之前，该制造方法包括：

配置一黏着层于该透光衬底的该第一表面上；及

配置一光吸收层在该黏着层与该半导体组件之间，且该光吸收层重叠于该半导体组件。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其中该照光步骤使得该光吸收层产生热能以汽化该黏着层邻接该光吸收层的部分。

11.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，还包括在配置该黏着层之前，配置一可汽化层于该透光衬底的该第一表面上，该照光步骤使得该光吸收层产生热能，并汽化该可汽化层邻接该光吸收层的部分。

12.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该组件转移步骤中，仅对该透光衬底的部分区域进行该照光步骤，以将该透光衬底上的该半导体组件中的一部分转移至该受体衬底上。

13.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括在该照光步骤之前，配置一屏蔽层在该透光衬底相对于该第一表面的一第二表面上。

14.一种半导体结构的制造方法，包括：

一组件黏着步骤，包括将一含量子点的黏着层黏着至一透光衬底的一第一表面上，其中该含量子点的黏着层具有导电性质；

一组件转移步骤，包括对该透光衬底进行一照光步骤，以在该透光衬底与该含量子点的黏着层之间产生一汽化反应，该汽化反应使得该含量子点的黏着层从该透光衬底推离而转移至该受体衬底上。

15.如权利要求14所述的半导体结构的制造方法，还包括于该受体衬底上配置一发光二极管，其中该组件转移步骤使得该含量子点的黏着层从该透光衬底推离而转移至该发光二极管上。

16.如权利要求15所述的半导体结构的制造方法，其中该照光步骤是在该含量子点的黏着层以一空隙完全隔离该发光二极管的情况下进行。

17.如权利要求14所述的半导体结构的制造方法，其中该组件黏着步骤还包括将一发光二极管黏着至该含量子点的黏着层，其中该组件转移步骤包括同时将该含量子点的黏着层与该发光二极管一起从该透光衬底转移至该受体衬底。

18.如权利要求14所述的半导体结构的制造方法，还包括在该组件转移步骤之后，对转移至该受体衬底上的该含量子点的黏着层进行固化步骤。

19.一种发光装置，包括：

一发光二极管；及

一导电膜，含有量子点，并配置在该发光二极管上，其中该导电膜是用作该发光二极管的一电极层。

20.如权利要求19所述的发光装置，其中该量子点系分布在该导电膜中。