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CN108780253A - 用钝化薄膜晶体管组件 - Google Patents

用钝化薄膜晶体管组件 Download PDF

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CN108780253A
CN108780253A CN201680083839.3A CN201680083839A CN108780253A CN 108780253 A CN108780253 A CN 108780253A CN 201680083839 A CN201680083839 A CN 201680083839A CN 108780253 A CN108780253 A CN 108780253A
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CN
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film transistor
thin film
silica particles
display device
transistor assembly
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CN201680083839.3A
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宋小梅
饶袁桥
扈楠
李喆
刘安栋
杨雯
徐建平
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Dow Global Technologies LLC
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Dow Global Technologies LLC
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Abstract

提供一种制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法，其包含：提供薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包含：衬底、至少一个电极、电介质和半导体；提供成膜基质材料；以及，提供平均粒度为5至120nm且根据ASTM E1131测定的吸水率<2％的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒；将所述成膜基质材料与所述多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物；以及，将所述复合物涂覆于所述薄膜晶体管组件以在其上形成阻挡膜，从而提供所述钝化薄膜晶体管组件；其中所述半导体介于所述阻挡膜与所述衬底之间。

Description

用钝化薄膜晶体管组件
本发明涉及用于光学显示器的钝化薄膜晶体管组件领域。确切地说，本发明涉及一种制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法，其包含：提供薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包含：衬底、至少一个电极、电介质和半导体；提供成膜基质材料；以及，提供平均粒度PSavg为5至120nm且根据ASTM E1131测定的吸水率<2％的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒；将成膜基质材料与多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物；以及，将复合物涂覆于薄膜晶体管组件以在其上形成阻挡膜，从而提供钝化薄膜晶体管组件；其中半导体介于阻挡膜与衬底之间。
液晶显示器(Liquid crystal display，LCD)自1968年由RCA首次开发以来，已被越来越多地应用于各种光学装置中。鉴于其不直接发射任何光，将LCD与光源集成以形成光学装置。在最近的装置设计中，将LCD与发光二极管(light emitting diode，LED)或有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)集成作为光源。
LCD的特定变化形式是薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquidcrystal display，TFT LCD)。TFT LCD用于各种光学显示装置，包括计算机显示器、电视机、移动电话显示器、手持式视频游戏、个人数字助理、导航工具、显示投影仪和电子仪器组。
薄膜晶体管(TFT)是用于例如光晶体显示器(light crystal display，LCD)和有机发光二极管(OLED)型装置两者的电子电路的基本构建块。在结构上，TFT通常包含支撑衬底、栅电极、源电极、漏电极、半导体层和介电层。暴露于各种环境因素会对TFT的性能产生负面影响。确切地说，TFT中的半导体层具有由所施加的栅电压决定的瞬态电导率。TFT中并入的半导体层的电荷传输性质通常在使用期间暴露于湿气和氧气时表现出劣化。因此，为了操作稳定性和延长的寿命，需要通过并入保护阻挡层或封装层来保护TFT免受此类所提供的环境因素的影响。
使用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapordeposition，PECVD)处理技术沉积现行TFT钝化材料(例如，SiNx)。此类PECVD技术需要大量的资金投入和多个处理步骤。对LCD和OLED显示器应用两者中的TFT的替代的较低成本钝化材料和溶液处理的薄膜钝化涂层将是期望的，以降低制造成本。
Birau等人在美国专利第7,705,346号中公开一种溶液处理的薄膜钝化涂层方法。Birau等人公开一种包含衬底、栅电极、半导体层和阻挡层的有机薄膜晶体管；其中，栅电极和半导体层位于衬底与阻挡层之间；其中，衬底是晶体管的第一最外层且阻挡层是晶体管的第二最外层；并且其中阻挡层包含聚合物、抗氧化剂和表面改性的无机颗粒材料。
尽管如此，仍然需要用于TFT LCD，特别是并入LED或OLED型光源的TFT LCD的替代阻挡层组合物和制造方法。
本发明提供一种制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法，包含：提供薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包含：衬底、至少一个电极、电介质和半导体；提供成膜基质材料；以及，提供平均粒度PSavg为5至120nm且根据ASTM E1131测定的吸水率<2％的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒，其中多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒通过以下方法制备：提供多个亲水性二氧化硅颗粒；提供水；提供醛糖；将多个亲水性二氧化硅颗粒分散在水中，以形成二氧化硅水分散液；将醛糖溶解在二氧化硅水分散液中以形成组合；浓缩组合以形成粘稠糖浆；将粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭；粉碎焦炭以形成粉末；将粉末在含氧气氛中于>650至900℃下加热1至2小时，以形成多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒；将成膜基质材料与多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物；以及，将复合物涂覆于薄膜晶体管组件以在其上形成阻挡膜，从而提供钝化薄膜晶体管组件；其中半导体介于阻挡膜与衬底之间；其中根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的阻挡膜的水蒸气透过率≤10.0克·密尔/平方米·天。
本发明提供一种制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法，包含：提供薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包含：衬底、至少一个电极、电介质和半导体；提供成膜基质材料；以及，提供根据ISO 22412:2008，通过动态光散射测定的平均粒度PSavg为5至120nm、平均纵横比ARavg≤1.5且多分散指数PdI≤0.275，并且根据ASTM E1131测定的吸水率<2％的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒，其中多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒通过以下方法制备：提供多个亲水性二氧化硅颗粒；提供水；提供醛糖；将多个亲水性二氧化硅颗粒分散在水中，以形成二氧化硅水分散液；将醛糖溶解在二氧化硅水分散液中以形成组合；浓缩组合以形成粘稠糖浆；将粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭；粉碎焦炭以形成粉末；将粉末在含氧气氛中于>650至900℃下加热1至2小时，以形成多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒；将成膜基质材料与多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物；以及，将复合物涂覆于薄膜晶体管组件以在其上形成阻挡膜，从而提供钝化薄膜晶体管组件；其中半导体介于阻挡膜与衬底之间；其中根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的阻挡膜的水蒸气透过率≤10.0克·密尔/平方米·天。
本发明提供一种制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法，包含：提供薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包含：衬底、至少一个电极、电介质和半导体；提供成膜基质材料，其中所提供的成膜基质材料是聚硅氧烷；以及，提供平均粒度PSavg为5至120nm且根据ASTM E1131测定的吸水率<2％的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒，其中多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒通过以下方法制备：提供多个亲水性二氧化硅颗粒；提供水；提供醛糖；将多个亲水性二氧化硅颗粒分散在水中，以形成二氧化硅水分散液；将醛糖溶解在二氧化硅水分散液中以形成组合；浓缩组合以形成粘稠糖浆；将粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭；粉碎焦炭以形成粉末；将粉末在含氧气氛中于>650至900℃下加热1至2小时，以形成多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒；将成膜基质材料与多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物；以及，将复合物涂覆于薄膜晶体管组件以在其上形成阻挡膜，从而提供钝化薄膜晶体管组件；其中半导体介于阻挡膜与衬底之间；其中根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的阻挡膜的水蒸气透过率≤10.0克·密尔/平方米·天。
本发明提供一种制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法，包含：提供薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包含：衬底、至少一个电极、电介质和半导体；提供成膜基质材料，其中所提供的成膜基质材料是聚硅氧烷，其中所提供的聚硅氧烷具有平均组成式：
(R3SiO3/2)a(SiO4/2)b
其中每个R3独立地选自C6-10芳基和C7-20烷基芳基，其中每个R7和R9独立地选自氢原子、C1-10烷基、C7-10芳基烷基、C7-10烷基芳基和C6-10芳基，其中0≤a≤0.5，其中0.5≤b≤1，其中a+b＝1，其中聚硅氧烷包含作为初始组分的：(i)具有式R3Si(OR7)3的T单元，和(ii)具有式Si(OR9)4的Q单元；以及，提供平均粒度PSavg为5至120nm且根据ASTM E1131测定的吸水率<2％的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒，其中多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒通过以下方法制备：提供多个亲水性二氧化硅颗粒；提供水；提供醛糖；将多个亲水性二氧化硅颗粒分散在水中，以形成二氧化硅水分散液；将醛糖溶解在二氧化硅水分散液中以形成组合；浓缩组合以形成粘稠糖浆；将粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭；粉碎焦炭以形成粉末；将粉末在含氧气氛中于>650至900℃下加热1至2小时，以形成多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒；将成膜基质材料与多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物；以及，将复合物涂覆于薄膜晶体管组件以在其上形成阻挡膜，从而提供钝化薄膜晶体管组件；其中半导体介于阻挡膜与衬底之间；其中根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的阻挡膜的水蒸气透过率≤10.0克·密尔/平方米·天。
本发明提供一种制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法，包含：提供薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包含：衬底、至少一个电极、电介质和半导体；提供成膜基质材料；提供有机溶剂；以及，提供平均粒度PSavg为5至120nm且根据ASTM E1131测定的吸水率<2％的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒，其中多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒通过以下方法制备：提供多个亲水性二氧化硅颗粒；提供水；提供醛糖；将多个亲水性二氧化硅颗粒分散在水中，以形成二氧化硅水分散液；将醛糖溶解在二氧化硅水分散液中以形成组合；浓缩组合以形成粘稠糖浆；将粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭；粉碎焦炭以形成粉末；将粉末在含氧气氛中于>650至900℃下加热1至2小时，以形成多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒；将成膜基质材料、有机溶剂与多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒结合以形成复合物；以及，将复合物涂覆于薄膜晶体管组件以在其上形成阻挡膜，从而提供钝化薄膜晶体管组件；其中半导体介于阻挡膜与衬底之间；其中根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的阻挡膜的水蒸气透过率≤10.0克·密尔/平方米·天。
本发明提供一种制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法，包含：提供薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包含：衬底、至少一个电极、电介质和半导体；提供成膜基质材料；提供添加剂；以及，提供平均粒度PSavg为5至120nm且根据ASTM E1131测定的吸水率<2％的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒，其中多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒通过以下方法制备：提供多个亲水性二氧化硅颗粒；提供水；提供醛糖；将多个亲水性二氧化硅颗粒分散在水中，以形成二氧化硅水分散液；将醛糖溶解在二氧化硅水分散液中以形成组合；浓缩组合以形成粘稠糖浆；将粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭；粉碎焦炭以形成粉末；将粉末在含氧气氛中于>650至900℃下加热1至2小时，以形成多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒；将成膜基质材料、添加剂与多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物；以及，将复合物涂覆于薄膜晶体管组件以在其上形成阻挡膜，从而提供钝化薄膜晶体管组件；其中半导体介于阻挡膜与衬底之间；其中根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的阻挡膜的水蒸气透过率≤10.0克·密尔/平方米·天。
本发明提供一种根据本发明的方法制造的用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件。
附图说明
图1是根据本发明的钝化薄膜晶体管组件的描绘侧视图。
图2是根据本发明的钝化薄膜晶体管组件的描绘侧视图。
图3是根据本发明的钝化薄膜晶体管组件的描绘侧视图。
图4是根据本发明的钝化薄膜晶体管组件的描绘侧视图。
具体实施方式
本发明的设计用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件并入阻挡层，其包括由多个亲水性二氧化硅颗粒例如，二氧化硅颗粒)制备的具有低平均纵横比和窄粒度PSavg分布的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒，其中多个亲水性二氧化硅颗粒具有<120nm的粒度、低平均纵横比ARavg和低多分散指数PdI，其在由此形成多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒期间保持。也就是说，本发明的独特工艺使得能够由多个亲水性二氧化硅颗粒形成多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒，同时避免凝聚并同时保持低平均纵横比ARavg和低多分散指数PdI。
优选地，本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法包含：提供薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包含：衬底、至少一个电极、电介质和半导体；提供成膜基质材料；以及，提供平均粒度为5至120nm(优选地，10至110nm；更优选地，20至100nm；最优选地，25至90nm)(其中使用众所周知的低角度激光散射激光衍射测量粒度)且根据ASTME1131测定的吸水率<2％的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒，其中多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒通过以下方法制备：提供多个亲水性二氧化硅颗粒(优选地，其中使用合成法制备所提供的多个亲水性二氧化硅颗粒)；提供水；提供醛糖(优选地，其中所提供的醛糖是己醛糖；更优选地，其中醛糖是选自由D-阿洛糖、D-阿卓糖、D-葡萄糖、D-甘露糖、D-古洛糖、D-艾杜糖、D-半乳糖、D-塔罗糖组成的群组的己醛糖；仍更优选地，其中醛糖是选自D-葡萄糖、D-半乳糖和D-甘露糖的己醛糖；最优选地，其中醛糖是D-葡萄糖)；将多个亲水性二氧化硅颗粒分散在水中，以形成二氧化硅水分散液；将醛糖溶解在二氧化硅水分散液中以形成组合；浓缩组合以形成粘稠糖浆；将粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭；粉碎焦炭以形成粉末(优选地，通过压碎、粉磨和研磨中的至少一种粉碎焦炭以形成粉末)；将粉末在含氧气氛中于>650至900℃下加热1至2小时，以形成多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒；将成膜基质材料与多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物；以及，将复合物涂覆于薄膜晶体管组件以在其上形成阻挡膜(优选地，透明阻挡膜；更优选地，其中阻挡膜是透明阻挡膜，并且其中如根据ASTM D1003-11e1测量的阻挡膜的透过率TTrans≥50％(仍更优选地，TTrans≥80％；最优选地，TTrans≥90％)，从而提供钝化薄膜晶体管组件；其中半导体介于阻挡膜与衬底之间；其中根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的阻挡膜的水蒸气透过率≤10.0克·密尔/平方米·天(优选地，<10克·密尔/平方米·天；更优选地，≤7.5克·密尔/平方米·天；最优选地，≤5.0克·密尔/平方米·天)。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件包含：衬底、至少一个电极、电介质和半导体。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件包含：衬底、源电极、漏电极、电介质和半导体；其中衬底还用作栅电极。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件包含：衬底、源电极、栅电极、漏电极、电介质和半导体。
在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，本领域中的普通技术人员将能够选择适当的材料用作所提供的薄膜晶体管组件的衬底。优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的衬底可以是不透明的或透明的，只要衬底表现出给定的显示应用的必要机械性能即可。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的衬底选自由硅衬底(例如，硅晶片)、玻璃衬底和塑料衬底组成的群组。仍更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的衬底是选自由聚酯衬底、聚碳酸酯衬底和聚酰亚胺衬底组成的群组的塑料衬底。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的衬底可以提供双重功能——充当衬底和栅电极两者。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的衬底选自掺杂氧化硅衬底。优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的衬底是重氮掺杂硅晶片，其用作衬底和栅电极两者。
在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，本领域中的普通技术人员将能够选择适当的材料用作所提供的薄膜晶体管组件的至少一个电极。优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的至少一个电极是导电材料。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的至少一个电极选自由金属、导电聚合物、导电金属合金和导电陶瓷组成的群组。仍更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的至少一个电极选自由以下组成的群组：铝、金、铬、铜、钨、银、氧化铟锡、聚苯乙烯磺酸掺杂的聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)(PSS-PEDOT)、碳纳米管、炭黑、石墨和石墨烯。
在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，本领域中的普通技术人员将能够选择适当的材料用作所提供的薄膜晶体管组件的半导体。优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的半导体选自氧化物(例如，SnO2、ZnO)、硫化物(例如，多晶CdS)、硅(例如，非晶硅、低温多晶硅)和有机半导体。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的半导体是选自由蒽、并四苯、并五苯、二萘嵌苯、富勒烯、酞菁、低聚噻吩、聚噻吩和其衍生物组成的群组的有机半导体。
在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，本领域中的普通技术人员将能够选择适当的材料用作所提供的薄膜晶体管组件的电介质。优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的薄膜晶体管组件的电介质选自无机电介质(例如，氧化硅、氮化硅、氧化铝、钛酸钡、锆酸钡)、有机电介质(例如，聚酯、聚碳酸酯、聚(乙烯基苯酚)、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚(烷基)丙烯酸酯、环氧树脂)和其复合物(例如，含有金属氧化物颗粒填料的聚合物)。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的成膜基质材料选自由石蜡、聚烯烃、聚(烷基)丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酯、聚砜、聚醚酮、聚碳酸酯、聚硅氧烷和其混合物组成的群组。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的成膜基质材料是聚硅氧烷。仍更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的成膜基质材料是由原硅酸四烷基酯和苯基三烷氧基硅烷的组合形成的聚硅氧烷。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的成膜基质材料是由原硅酸四乙酯和苯基三甲氧基硅烷的组合形成的聚硅氧烷。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的成膜基质材料是具有平均组成式的聚硅氧烷：
(R3 xSiO((4-x)/2))a(SiO4/2)b
其中每个R3独立地选自C6-10芳基和C7-20烷基芳基；其中x为1至3；其中0≤a≤0.5(优选地，0.05至0.25；更优选地，0.075至0.2；最优选地，0.09至0.15)；其中0.5≤b≤1(优选地，0.75至0.99；更优选地，0.8至0.975；最优选地，0.85至0.92)；其中a+b＝1。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的成膜基质材料是具有平均组成式的聚硅氧烷：
(R3SiO3/2)a(SiO4/2)b
其中每个R3独立地选自C6-10芳基和C7-20烷基芳基；其中0≤a≤0.5(优选地，0.05至0.25；更优选地，0.075至0.2；最优选地，0.09至0.15)；其中0.5≤b≤1(优选地，0.75-0.99；更优选地，0.8-0.975；最优选地，0.85-0.92)；其中a+b＝1。仍更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的成膜基质材料是具有平均组成式的聚硅氧烷：
(R3SiO3/2)a(SiO4/2)b
其中每个R3独立地选自C6-10芳基和C7-20烷基芳基；其中0≤a≤0.5(优选地，0.05至0.25；更优选地，0.075至0.2；最优选地，0.09至0.15)；其中0.5≤b≤1(优选地，0.75至0.99；更优选地，0.8至0.975；最优选地，0.85至0.92)；其中a+b＝1；其中聚硅氧烷包含作为初始组分的：(i)具有式R3Si(OR7)3的T单元；和(ii)具有式Si(OR9)4的Q单元；其中每个R7和R9独立地选自氢原子、C1-10烷基、C7-10芳基烷基、C7-10烷基芳基和C6-10芳基。仍更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的成膜基质材料是具有平均组成式的聚硅氧烷：
(R3SiO3/2)a(SiO4/2)b
其中每个R3是C6芳基；其中0≤a≤0.5(优选地，0.05至0.25；更优选地，0.075至0.2；最优选地，0.09至0.15)；其中0.5≤b≤1(优选地，0.75至0.99；更优选地，0.8至0.975；最优选地，0.85至0.92)；其中a+b＝1；其中聚硅氧烷包含作为初始组分的：(i)具有式R3Si(OR7)3的T单元；和(ii)具有式Si(OR9)4的Q单元；其中每个R7是C1烷基；并且其中每个R9是C2烷基。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒的平均粒度PSavg为5至120nm(优选地，10至110nm；更优选地，20至100nm；最优选地，25至90nm)(其中使用众所周知的低角度激光散射激光衍射测量粒度)，并且根据ASTM E1131测定的吸水率<2％。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，根据ISO 22412:2008，通过动态光散射测定的所提供的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒的平均粒度为5至120nm(优选地，10至110nm；更优选地，20至100nm；最优选地，25至90nm)且多分散指数PdI≤0.275(优选地，0.05至0.275；更优选地，0.1至0.25；最优选地，0.15至0.2)，并且根据ASTM E1131测定的吸水率<2％。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，根据ISO22412:2008通过动态光散射测定的所提供的多个非晶体疏水性二氧化硅颗粒的平均纵横比ARavg≤1.5。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，根据ISO 22412:2008通过动态光散射测定的所提供的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒的平均纵横比ARavg≤1.25。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，根据ISO 22412:2008通过动态光散射测定的所提供的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒的平均纵横比ARavg≤1.1。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒包含至少两个非结晶疏水二氧化硅颗粒群，其中每个非结晶疏水性二氧化硅颗粒群具有不同的平均粒度。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒包含第一群非结晶疏水性二氧化硅颗粒和第二群非结晶疏水性二氧化硅颗粒；其中第一群非结晶疏水性二氧化硅颗粒由第一多个亲水性二氧化硅颗粒制备，并且其中第二群非结晶疏水性二氧化硅颗粒由第二多个亲水性二氧化硅颗粒制备；其中第一群非结晶疏水性二氧化硅颗粒的平均粒度为PSavg-first；其中第二群非结晶疏水性二氧化硅颗粒的平均粒度为PSavg-second；其中PSavg-first>PSavg-second；并且其中PSavg-second/PSavg-first≤0.4。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，以阻挡膜的总重量计，所述多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒包含5至90重量％(优选地，15至80重量％；更优选地，25至75重量％；最优选地，50至70重量％)的阻挡膜。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，根据ASTM E1131测定的所提供的多个亲水性二氧化硅颗粒的吸水率>2％。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用合成法制备所提供的多个亲水性二氧化硅颗粒。仍更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用合成法制备所提供的多个亲水性二氧化硅颗粒，其中使用氨作为形态学催化剂，经由水性醇溶液(例如，水-乙醇溶液)中的硅酸烷基酯(例如，原硅酸四乙酯)的水解形成二氧化硅颗粒。参见，例如，等人，《微米尺寸范围内单分散二氧化硅球粒的受控生长(Controlled Growth of Monodisperse Silica Spheres in the MicronSize Range)》，《胶体与界面科学杂志(JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE)》，第26卷，第62-69页(1968)。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的水是去离子和蒸馏中的至少一种，以限制偶发性杂质。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的水是去离子和蒸馏的，以限制偶发性杂质。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的醛糖是己醛糖。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的醛糖是己醛糖；其中己醛糖选自由D-阿洛糖、D-阿卓糖、D-葡萄糖、D-甘露糖、D-古洛糖、D-艾杜糖、D-半乳糖、D-塔罗糖和其混合物组成的群组。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的醛糖是己醛糖；其中己醛糖选自由D-葡萄糖、D-半乳糖、D-甘露糖和其混合物组成的群组。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，所提供的醛糖是己醛糖；其中醛糖是D-葡萄糖。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用众所周知的技术将多个亲水性二氧化硅颗粒分散在水中以形成二氧化硅水分散液。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用超声处理将多个亲水性二氧化硅颗粒分散在水中。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用众所周知的技术将所提供的醛糖溶解在二氧化硅水分散液中以形成组合。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用超声处理将醛糖溶解在二氧化硅水分散液中以形成组合。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用众所周知的技术浓缩组合以形成粘稠糖浆。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用倾析和蒸发技术浓缩组合以形成粘稠糖浆。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，通过倾析和旋转蒸发浓缩组合以形成粘稠糖浆。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，将粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，将粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭；其中惰性气氛选自本身选自氮气氛、氩气氛和其混合物的群组。仍更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，将粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭；其中惰性气氛选自本身选自氮气氛和氩气氛的群组。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，将粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭；其中惰性气氛是氮气氛。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用众所周知的技术粉碎焦炭以形成粉末。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，通过压碎、粉磨、磨碎和研磨中的至少一种粉碎焦炭以形成粉末。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，通过压碎粉碎焦炭以形成粉末。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，粉末在含氧气氛中在>650至900℃下1至2小时以形成多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，粉末在含氧气氛中在>650至900℃下1至2小时以形成多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒；其中含氧气氛是空气。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用众所周知的技术将成膜基质材料与多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，通过搅拌和超声处理中的至少一种将成膜基质材料与多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，通过超声处理将成膜基质材料与多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用众所周知的技术将复合物涂覆于薄膜晶体管组件以在其上形成阻挡膜，提供钝化薄膜晶体管组件；其中半导体介于阻挡膜与衬底之间。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用选自由旋涂、浸涂、辊涂、喷涂、层压、刀片法和印刷组成的群组的方法，将复合物涂覆于薄膜晶体管组件以形成阻挡膜。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，使用旋涂将复合物涂覆于薄膜晶体管组件上以形成阻挡膜。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的阻挡膜的水蒸气透过率≤10.0克·密尔/平方米·天。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的阻挡膜的水蒸气透过率<10(更优选地，≤7.5；最优选地，≤5.0)克·密尔/平方米·天。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的阻挡膜的水蒸气透过率≤5克·密尔/平方米·天。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，阻挡膜是透明阻挡膜。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，阻挡膜是透明阻挡膜；其中如根据ASTM D1003-11e1测量的透明阻挡膜的透过率TTrans≥50％(更优选地，TTrans≥80％；最优选地，TTrans≥90％)。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，阻挡膜是透明阻挡膜；其中如根据ASTM D1003-11e1测量的透明阻挡膜的透过率TTrans≥90％。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，阻挡膜是透明阻挡膜；其中如根据ASTM D1003-11e1测量的透明阻挡膜的透过率TTrans≥50％，并且根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的水蒸气透过率≤10.0克·密尔/平方米·天。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，阻挡膜是透明阻挡膜；其中如根据ASTM D1003-11e1测量的透明阻挡膜的透过率TTrans≥80％，并且根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的水蒸气透过率<10克·密尔/平方米·天。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，阻挡膜是透明阻挡膜；其中如根据ASTM D1003-11e1测量的透明阻挡膜的透过率TTrans≥90％，并且根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的水蒸气透过率≤5克·密尔/平方米·天。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，阻挡膜的厚度为10nm至25微米(优选地，75nm至10微米；更优选地，250nm至5微米；最优选地，700nm至2.5微米)。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：提供添加剂；其中添加剂与成膜基质材料和多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：提供添加剂，其中添加剂选自由以下组成的群组：促进剂、抗氧化剂、折射率改进剂(例如，TiO2)、非反应性稀释剂、粘度改进剂(例如，增稠剂)、增强材料、填料、表面活性剂(例如，润湿剂、分散剂)、折射率改进剂、非反应性稀释剂、消光剂、着色剂(例如，颜料、染料)、稳定剂、螯合剂、流平剂、粘度改进剂、热调节剂、光学分散剂(例如，光散射颗粒)和其混合物；其中添加剂与成膜基质材料和多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：提供添加剂，其中添加剂选自由以下组成的群组：促进剂、抗氧化剂(例如，二苯甲酮、三嗪、苯并三唑、亚磷酸酯、其衍生物和混合物)、折射率改进剂(例如，TiO2)、非反应性稀释剂、粘度改进剂(例如，增稠剂)、增强材料、填料、表面活性剂(例如，润湿剂、分散剂)、折射率改进剂、非反应性稀释剂、消光剂、着色剂(例如，颜料、染料)、稳定剂、螯合剂、流平剂、粘度改进剂、热调节剂、光学分散剂(例如，光散射颗粒)和其混合物；其中添加剂与成膜基质材料和多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物；并且，其中以阻挡层的总重量计，添加剂包含0.1至10重量％(更优选地，0.1至5重量％)的阻挡层。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：提供有机溶剂；其中有机溶剂与成膜基质材料和多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：提供有机溶剂，其中有机溶剂选自由以下组成的群组：萜品醇、二丙二醇甲醚乙酸酯、二丙二醇单甲醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚、环己酮、丁基卡必醇、丙二醇单甲醚乙酸酯、二甲苯和其混合物；并且，其中有机溶剂与成膜基质材料和多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物。仍更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：提供有机溶剂，其中有机溶剂选自由萜品醇、二丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯和其混合物组成的群组；并且，其中有机溶剂与成膜基质材料和多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：提供有机溶剂，其中有机溶剂是丙二醇单甲醚乙酸酯；并且，其中有机溶剂与成膜基质材料和多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：在将复合物涂覆于衬底表面之后，烘烤复合物以除去任何残余有机溶剂。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：在将复合物涂覆于衬底表面之后，在升高的温度(例如，70至340℃)下烘烤复合物至少10秒至5分钟以除去任何残余或有机溶剂。
优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：通过任何已知的退火技术例如热退火、热梯度退火和溶剂蒸汽退火对阻挡膜进行退火。更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：通过热退火技术对阻挡膜进行退火。仍更优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：通过200至340℃(更优选地200至300℃；最优选地225至300℃)温度的加热对阻挡膜进行退火达0.5分钟至2天(更优选地0.5分钟至2小时；仍更优选地0.5分钟至0.5小时；最优选地0.5分钟至5分钟)时间。最优选地，在本发明的制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法中，进一步包含：在无氧气氛中(即[O2]<5ppm)对阻挡膜进行退火。
可以以各种配置提供根据本发明的方法所制备的钝化薄膜晶体管组件。参见例如图1-4，其中描绘不同的钝化薄膜晶体管组件(100)配置，包含衬底(10)、栅电极(15)、栅极电介质(20)、半导体(30)、阻挡层(40)、源电极(50)和漏电极(60)。注意，在一些配置中，如图3中所描绘的，单个材料可以用作衬底(10)和栅电极(15)两者。
现在将在以下实例中详细描述本发明的一些实施例。
实例1-5
使用以下程序，在实例1-5的每一个中制备多个亲水性二氧化硅颗粒。以表1中所示量将去离子水和氨水溶液(0.5摩尔)称量到带搅拌棒的250mL烧杯中。在向烧杯中加入原硅酸四乙酯与乙醇溶液(实例1-2)或如表1中所示加入烧杯中之前，允许搅拌烧杯的内容物一分钟。然后用塑料膜密封烧杯，并允许搅拌内容物达表1中所示的反应时间。然后将烧杯的内容物离心。除去上清液，并用实验室勺子打碎固体沉淀物。然后用水三次洗涤产物多个亲水性二氧化硅颗粒，并且然后在烘箱中以150至200℃干燥5小时。然后根据ISO 22412:2008通过动态光散射测定产物多个亲水性二氧化硅颗粒的平均粒度。表1中报告实例1-5的每一个中所制备的产物多个亲水性二氧化硅颗粒的平均粒度
表1
实例6
使用以下程序，由根据实例4所制备的多个亲水性二氧化硅颗粒制备多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒。用超声处理将根据实例4所制备的多个亲水性二氧化硅颗粒(1.8g)的样品分散在100mL去离子水中以形成分散液。然后用超声处理将葡萄糖(28g)加入分散液中以形成组合。然后在旋转式蒸发器中浓缩组合以形成粘稠糖浆。然后将粘稠糖浆在管式炉中以600℃在氮气氛下加热5小时，以提供黑色泡沫状材料。然后用玛瑙研钵研磨黑色泡沫状材料，并且然后在马弗炉(muffle furnace)中在空气下于800℃下加热1.5小时，以产生多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒。多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒的密度为2.63g/cm3、水溶性为1.1重量％且在300℃下达1小时的重量损失为0.04重量％。
实例7
根据以下程序制备聚烷氧基硅氧烷(PAOS)成膜基质材料。在配备有机械搅拌器和与蒸馏桥连接的30cm分馏塔的1L三颈圆底烧瓶中，在氩气氛下，将原硅酸四乙酯(104g，0.5mol)与乙酸酐(51g，0.5mol)和三甲基硅氧基钛(0.3g)混合。在剧烈搅拌下，将混合物加热至135℃。连续蒸馏出由烧瓶内容物反应产生的乙酸乙酯。继续加热直至乙酸乙酯蒸馏停止。之后，将产物聚烷氧基硅氧烷(PAOS)成膜基质材料冷却至室温并在真空中干燥5小时。使用150℃的真空实现完全除去挥发性化合物。提供丙二醇单甲醚乙酸酯有机溶剂。将产物聚烷氧基硅氧烷(PAOS)成膜基质材料加入丙二醇单甲醚乙酸酯中，以得到聚烷氧基硅氧烷在有机溶剂中的20重量％溶液。
实例8
根据以下程序制备由原硅酸四乙酯和苯基三甲氧基硅烷成膜基质材料形成的聚烷氧基硅氧烷共聚物(PAOS-Ph)。在配备有机械搅拌器和与蒸馏桥连接的30cm分馏塔的1L三颈圆底烧瓶中，在氩气氛下，将苯基三甲氧基硅烷(16.34g，0.082mol)和原硅酸四乙酯(153.54g，0.738mol)与乙酸酐(20.91g，0.205mol)和三甲基硅氧基钛(0.15g)混合。在剧烈搅拌下，将混合物加热至135℃。连续蒸馏出由烧瓶内容物反应产生的乙酸乙酯。继续加热直至乙酸乙酯蒸馏停止。之后，将产物聚烷氧基硅氧烷共聚物(PAOS-Ph)冷却至室温并在真空中干燥5小时。使用150℃的真空实现完全除去挥发性化合物。提供丙二醇单甲醚乙酸酯有机溶剂。将产物聚烷氧基硅氧烷共聚物(PAOS-Ph)成膜基质材料加入丙二醇单甲醚乙酸酯中，以得到聚烷氧基硅氧烷共聚物在有机溶剂中的20重量％溶液。
比较实例C1-C2和实例9-10
在聚酰亚胺膜(杜邦(DuPont)聚酰亚胺膜)上形成阻挡膜。将聚酰亚胺膜切成直径为10cm的圆片，然后使用双面胶将其粘附到硅晶片上。然后用洁净室擦拭物和异丙醇清洁暴露的聚酰亚胺膜表面，然后吹干。在比较实例C1-C2的每一个中，通过将多个亲水性二氧化硅颗粒(可购自西格玛奥德里奇有限责任公司(Sigma-Aldrich Co.LLC)的HS-40胶体二氧化硅)分别加入实例7和8的产物中形成复合物，其中所形成的复合物中二氧化硅颗粒的体积分数为60％。在实例9-10的每一个中，通过将根据实例6所制备的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒分别加入实例7和8的产物中形成复合物，其中所形成的复合物中二氧化硅颗粒的体积分数为60％。然后用0.20μm PTFE注射器式过滤器过滤复合物，滴铸并刮刀涂布在暴露的聚酰亚胺膜表面上。然后在电炉上以240℃烘烤阻挡膜涂布的聚酰亚胺膜衬底2小时。然后将阻挡膜涂布的聚酰亚胺膜衬底从硅晶片上剥离，用于进一步测试。通过截面SEM检测阻挡膜的厚度。根据ASTM F1249，用膜康(MOCON)测定通过阻挡膜的水蒸气透过率(water vapor transmission rate，WVTR)。结果报告于表2中。
表2
实例11-12
使用以下程序，由根据实例5所制备的多个亲水性二氧化硅颗粒制备多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒。在实例11-12的每一个中，用超声处理将根据实例5所制备的多个亲水性二氧化硅颗粒(1.8g)的样品分散在100mL去离子水中以形成分散液。然后用超声处理将葡萄糖以表3中所示的量加入分散液中以形成组合。然后在旋转式蒸发器中浓缩组合以形成粘稠糖浆。然后将粘稠糖浆在管式炉中以600℃在氮气氛下加热5小时，以提供泡沫状材料。然后用玛瑙研钵研磨泡沫状材料，并且然后在马弗炉中在空气下于800℃下加热1.5小时，以产生多个非结晶疏水二氧化硅颗粒。
实例13-16
然后将根据实例11-12所形成的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒分散在表3中所标识的有机溶剂中以形成分散液。使用马尔文仪器(Malvern Instruments)Zetasizer，根据ISO 22412.2008，通过动态光散射测量多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒的平均粒度和多分散指数。结果提供于表3中。
表3

Claims (10)

1.一种制造用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件的方法，其包含：
提供薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包含：衬底、至少一个电极、电介质和半导体；
提供成膜基质材料；以及，
提供平均粒度PSavg为5至120nm且根据ASTM E1131测定的吸水率<2％的多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒，其中所述多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒通过以下方法制备：
提供多个亲水性二氧化硅颗粒；
提供水；
提供醛糖；
将所述多个亲水性二氧化硅颗粒分散在所述水中，以形成二氧化硅水分散液；
将所述醛糖溶解在所述二氧化硅水分散液中以形成组合；
浓缩所述组合以形成粘稠糖浆；
将所述粘稠糖浆在惰性气氛中于500至625℃下加热4至6小时以形成焦炭；
粉碎所述焦炭以形成粉末；
将所述粉末在含氧气氛中于>650至900℃下加热1至2小时，以形成所述多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒；
将所述成膜基质材料与所述多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成复合物；以及，
将所述复合物涂覆于所述薄膜晶体管组件以在其上形成阻挡膜，从而提供所述钝化薄膜晶体管组件；其中所述半导体介于所述阻挡膜与所述衬底之间；
其中根据ASTM F1249，在38℃和100％相对湿度下测量的所述阻挡膜的水蒸气透过率≤10.0克·密尔/平方米·天。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所提供的所述成膜基质材料是聚硅氧烷。
3.权利要求2所述的方法，其中所提供的所述聚硅氧烷具有平均组成式：
(R3SiO3/2)a(SiO4/2)b
其中每个R3独立地选自C6-10芳基和C7-20烷基芳基；其中每个R7和R9独立地选自氢原子、C1-10烷基、C7-10芳基烷基、C7-10烷基芳基和C6-10芳基；
其中0≤a≤0.5；
其中0.5≤b≤1；
其中a+b＝1；
其中所述聚硅氧烷包含作为初始组分的：
(i)具有式R3Si(OR7)3的T单元；和，
(ii)具有式Si(OR9)4的Q单元。
4.根据权利要求3所述的方法，其中R3是C6芳基；其中R7是C1烷基；并且其中R9是C2烷基。
5.根据权利要求1所述的方法，其中根据ISO 22412:2008，通过动态光散射测定的所述多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒的平均粒度PSavg为5至120nm、平均纵横比ARavg≤1.5且多分散指数PdI≤0.275。
6.根据权利要求1所述的方法，其中使用合成法制备所提供的所述多个亲水性二氧化硅颗粒。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所提供的所述醛糖是己醛糖。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：
提供有机溶剂；并且，
其中所述有机溶剂与所述成膜基质材料和所述多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成所述复合物。
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：
提供添加剂；
其中所述添加剂与所述成膜基质材料和所述多个非结晶疏水性二氧化硅颗粒组合以形成所述复合物。
10.一种根据权利要求1所述的方法制造的用于显示装置的钝化薄膜晶体管组件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111416039A (zh) * 2019-01-07 2020-07-14 纽多维有限公司 制剂和层

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017166173A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 Dow Global Technologies Llc Method of making hydrophobic silica particles

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1693972A (zh) * 2004-04-29 2005-11-09 Lg.菲利浦Lcd株式会社 多晶硅液晶显示器件的制造方法
CN1783488A (zh) * 2004-12-02 2006-06-07 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机电致发光显示器件及其制造方法
CN1828963A (zh) * 2005-01-15 2006-09-06 三星Sdi株式会社 薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器
CN1877879A (zh) * 2005-06-06 2006-12-13 施乐公司 有机电子器件的阻挡层
US20080121725A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
CN101485007A (zh) * 2006-05-04 2009-07-15 巴斯夫欧洲公司 生产有机场效应晶体管的方法
US20090197426A1 (en) * 2004-12-15 2009-08-06 Hayim Abrevaya Process for Preparing a Dielectric Interlayer Film Containing Silicon Beta Zeolite
CN101767790A (zh) * 2008-12-31 2010-07-07 中国石油化工股份有限公司 一种双孔分布氧化硅的合成方法
US20100237443A1 (en) * 2009-03-23 2010-09-23 Electronics And Telecommunications Research Institute Organic thin film transistors and methods of forming the same
US20100301494A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Matthias Schaller Re-establishing a hydrophobic surface of sensitive low-k dielectrics in microstructure devices
CN102047395A (zh) * 2008-05-29 2011-05-04 瑞萨电子株式会社 制造硅烷化多孔绝缘膜的方法、制造半导体装置的方法和硅烷化材料
WO2013150997A1 (ja) * 2012-04-02 2013-10-10 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルムおよび電子デバイス
CN103928476A (zh) * 2008-10-03 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
CN104427967A (zh) * 2012-06-29 2015-03-18 莱雅公司 用包含疏水性成膜聚合物、至少一种挥发性溶剂和至少一种颜料的组合物在角蛋白纤维上形成有色图案的方法
CN105047831A (zh) * 2015-09-14 2015-11-11 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种封装薄膜、显示器件及其封装方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1149960A (ja) * 1997-08-06 1999-02-23 Toshiba Silicone Co Ltd コンフォーマルコーティング剤
JP2003119409A (ja) * 1998-11-04 2003-04-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd シリカ系被膜形成用溶液及びその製造方法、並びにシリカ系被膜及びその製造方法
DE10138490A1 (de) * 2001-08-04 2003-02-13 Degussa Hydrophobe Fällungskieselsäure mit hohem Weißgrad und extrem niedriger Feuchtigkeitsaufnahme
TW531897B (en) * 2002-04-18 2003-05-11 Ind Tech Res Inst Method of forming thin film transistor on plastic substrate
KR101408725B1 (ko) * 2006-11-30 2014-06-17 도레이 카부시키가이샤 감광성 실록산 조성물, 그것으로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
DE102007055879A1 (de) * 2007-12-19 2009-06-25 Wacker Chemie Ag Hydrophobierung von Kieselsäuren und oxidierenden Bedingungen
JP5243881B2 (ja) * 2008-08-05 2013-07-24 花王株式会社 中空シリカ粒子の製造方法
JP2011100975A (ja) * 2009-10-09 2011-05-19 Jsr Corp 発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子保護層形成用組成物
CN102639642B (zh) * 2009-11-27 2014-06-18 Jsr株式会社 组合物、固化物以及电子装置
US20110162705A1 (en) * 2010-01-06 2011-07-07 Popa Paul J Moisture resistant photovoltaic devices with elastomeric, polysiloxane protection layer
KR20140044866A (ko) * 2011-07-22 2014-04-15 에이치. 비. 풀러, 컴퍼니 전자장치 상에 사용하기 위한 반응성 고온­용융 접착제
US8993383B2 (en) * 2012-06-08 2015-03-31 Panasonic Corporation Thin-film transistor and method for manufacturing thin-film transistor
WO2014053202A1 (en) * 2012-10-04 2014-04-10 Merck Patent Gmbh Passivation layers for organic electronic devices
US9663598B2 (en) * 2013-09-13 2017-05-30 Toagosei Co., Ltd. Organosilicon compound-containing thermosetting composition and cured product thereof
JP6632977B2 (ja) * 2013-12-18 2020-01-22 ロレアル 低量のアルコールを含むピッケリングエマルションの組成物
JP6827270B2 (ja) * 2016-03-28 2021-02-10 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置の作製方法
WO2017166173A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 Dow Global Technologies Llc Method of making hydrophobic silica particles

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1693972A (zh) * 2004-04-29 2005-11-09 Lg.菲利浦Lcd株式会社 多晶硅液晶显示器件的制造方法
CN1783488A (zh) * 2004-12-02 2006-06-07 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机电致发光显示器件及其制造方法
US20090197426A1 (en) * 2004-12-15 2009-08-06 Hayim Abrevaya Process for Preparing a Dielectric Interlayer Film Containing Silicon Beta Zeolite
CN1828963A (zh) * 2005-01-15 2006-09-06 三星Sdi株式会社 薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器
CN1877879A (zh) * 2005-06-06 2006-12-13 施乐公司 有机电子器件的阻挡层
CN101485007A (zh) * 2006-05-04 2009-07-15 巴斯夫欧洲公司 生产有机场效应晶体管的方法
US20080121725A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
CN102047395A (zh) * 2008-05-29 2011-05-04 瑞萨电子株式会社 制造硅烷化多孔绝缘膜的方法、制造半导体装置的方法和硅烷化材料
CN103928476A (zh) * 2008-10-03 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
CN101767790A (zh) * 2008-12-31 2010-07-07 中国石油化工股份有限公司 一种双孔分布氧化硅的合成方法
US20100237443A1 (en) * 2009-03-23 2010-09-23 Electronics And Telecommunications Research Institute Organic thin film transistors and methods of forming the same
US20100301494A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Matthias Schaller Re-establishing a hydrophobic surface of sensitive low-k dielectrics in microstructure devices
WO2013150997A1 (ja) * 2012-04-02 2013-10-10 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルムおよび電子デバイス
CN104427967A (zh) * 2012-06-29 2015-03-18 莱雅公司 用包含疏水性成膜聚合物、至少一种挥发性溶剂和至少一种颜料的组合物在角蛋白纤维上形成有色图案的方法
CN105047831A (zh) * 2015-09-14 2015-11-11 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种封装薄膜、显示器件及其封装方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MILAN ALT等: "Adjustable passivation of SiO2 trap states in OFETs by an ultrathin CVD deposited polymer coating", 《APPLIED PHYSICS A》 *
谷朝芸: "有机薄膜晶体管中杂化绝缘层的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111416039A (zh) * 2019-01-07 2020-07-14 纽多维有限公司 制剂和层

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Publication number Publication date
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