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CN107658328A - 显示装置 - Google Patents

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CN107658328A
CN107658328A CN201710575563.7A CN201710575563A CN107658328A CN 107658328 A CN107658328 A CN 107658328A CN 201710575563 A CN201710575563 A CN 201710575563A CN 107658328 A CN107658328 A CN 107658328A
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emission
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郭源奎
金东煜
申爱
吴相宪
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

公开了一种显示装置。所述显示装置可以包括：基底，具有第一像素区域；第一电极，位于基底上；钝化层，位于基底与第一电极之间；第二电极，位于第一电极上；有机发射层，位于第一电极与第二电极之间。第一像素区域可以包括发射区域和被发射区域围绕的非发射区域。

Description

显示装置
于2016年7月26日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0094799号且发明名称为“显示装置(Display Device)”以及于2017年3月14日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0031945号且发明名称为“显示装置(Display Device)”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种能够防止有机发射层的发射特性劣化的显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器包括两个电极和置于其间的有机发射层。从一个电极注入的电子和从另一电极注入的空穴在有机发射层中复合以生成激子。生成的激子从激发态变为基态，释放能量以发射光。
OLED显示器包括包含作为自发射元件的OLED的多个像素以及形成在每个像素中的用于驱动OLED的多个晶体管和至少一个电容器。所述多个晶体管一般包括开关晶体管和驱动晶体管。
该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因此以上信息可能包含不形成对于本领域普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供了一种基底，所述基底包括：第一像素区域；第一电极，布置在基底上；钝化层，布置在基底与第一电极之间；第二电极，布置在第一电极上；有机发射层，布置在第一电极和第二电极之间，其中，第一像素区域可以包括发射区域和被发射区域围绕的非发射区域。
从第一像素区域的边缘到第一像素区域的非发射区域的距离可以小于等于约50μm。
第一电极和有机发射层可以布置在第一像素区域的发射区域中。
所述基底可以包括第二像素区域和第三像素区域，第二像素区域和第三像素区域中的每个可以包括发射区域和被发射区域围绕的非发射区域，从第二像素区域的边缘到第二像素区域的非发射区域的距离可以小于等于约50μm，从第三像素区域的边缘到第三像素区域的非发射区域的距离可以小于等于约50μm，第一电极和有机发射层可以布置在第二像素区域的发射区域中和第三像素区域的发射区域中。
所述基底还可以包括与第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域邻近的透射区域。
第一电极和有机发射层可以不布置在透射区域中。
第二电极可以布置在第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和透射区域中。
显示装置还可以包括：缓冲层，构造为布置在基底上；薄膜晶体管，布置在缓冲层上且连接到第一电极，其中，第二电极可以在透射区域中与缓冲层接触。
显示装置还可以包括位于第一像素区域的非发射区域中的掩埋图案。
显示装置还可以包括构造为围绕第一像素区域的边缘的像素限定层，其中，掩埋图案可以由与像素限定层相同的材料制成，并且可以与像素限定层布置在同一层中。
第一电极可以形成为多层，所述多层包括由透明导电材料制成的层和由反射式金属制成的层。
第一像素区域的非发射区域与第一像素区域的比例可以大于等于约5％且小于等于约20％。
第一像素区域的非发射区域在平面图中可以形成为具有四边形形状、圆形形状和十字形状中的至少一种。
第一像素区域可以包括多个非发射区域，彼此邻近的多个非发射区域之间的距离小于等于约50μm。
显示装置还可以包括连接到第一电极的薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管可以布置在第一像素区域中。
薄膜晶体管可以与第一像素区域的非发射区域的至少一部分叠置。
钝化层可以包括具有第一高度的第一部分和具有比第一高度高的第二高度的第二部分。
钝化层的第二部分可以布置在第一像素区域的边缘。
第一电极可以包括形成在钝化层的第一部分与第二部分之间的台阶。
显示装置还可以包括槽，所述槽被构造为形成在钝化层中，其中，槽可以布置在第一像素区域的非发射区域中。
槽的宽度可以比非发射区域的宽度窄。
显示装置还可以包括掩埋图案，所述掩埋图案布置在第一像素区域的非发射区域中，其中，掩埋图案可以布置在槽中。
显示装置还可以包括被构造为围绕第一像素区域的边缘的像素限定层，其中，掩埋图案可以由与像素限定层相同的材料制成，并且可以与像素限定层布置在同一层中。
显示装置还可以包括槽，所述槽被构造为形成在钝化层中，其中，槽可以被布置为邻近第一像素区域的边缘。
显示装置还可以包括掩埋图案，所述掩埋图案布置在槽中。
显示装置还可以包括像素限定层，所述像素限定层与掩埋图案成为一体以围绕第一像素区域的边缘，其中，掩埋图案可以由与像素限定层相同的材料制成。
所述基底可以包括第二像素区域、第三像素区域和与第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域邻近的透射区域，第二像素区域和第三像素区域中的每个可以包括发射区域和被发射区域围绕的非发射区域。
第一电极和有机发射层可以不布置在透射区域中，第二电极可以布置在第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和透射区域中。
第二像素区域可以布置在第一像素区域与第三像素区域之间，第一槽可以设置在透射区域的与第二像素区域邻近的第一边缘处。
第二像素区域的宽度可以比第一像素区域和第三像素区域的宽度宽。
第二槽可以设置在透射区域的与第一边缘面对的第二边缘处。
第一像素区域可以是蓝色像素区域，第二像素区域可以是绿色像素区域，第三像素区域可以是红色像素区域。
第一像素区域的一部分的宽度和第二像素区域的宽度可以比第三像素区域的宽度宽。
第一槽可以设置在透射区域的与第一像素区域的一部分和第二像素区域邻近的第一边缘处。
第二槽可以设置在透射区域的与第一边缘面对的第二边缘处。
第一像素区域可以是蓝色像素区域，第二像素区域可以是绿色像素区域，第三像素区域可以是红色像素区域。
第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域可以沿列方向设置，透射区域可以在行方向上与第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域邻近。
透射区域的上边缘到下边缘的长度可以比第一像素区域的上边缘到第三像素区域的下边缘的长度短。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域普通技术人员将变得明显，在附图中：
图1示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。
图2示出了根据示例性实施例的显示装置的第一像素区域的布局图。
图3示出了根据示例性实施例的显示装置的第一像素区域的剖视图。
图4示出了根据示例性实施例的显示装置的第二像素区域的布局图。
图5示出了根据示例性实施例的显示装置的第三像素区域的布局图。
图6示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。
图7示出了根据示例性实施例的显示装置的第一像素区域的布局图。
图8示出了根据示例性实施例的显示装置的第二像素区域的布局图。
图9示出了根据示例性实施例的显示装置的第三像素区域的布局图。
图10示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。
图11示出了根据示例性实施例的显示装置的第一像素区域的布局图。
图12示出了根据示例性实施例的显示装置的第二像素区域的布局图。
图13示出了根据示例性实施例的显示装置的第三像素区域的布局图。
图14示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。
图15示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。
图16示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。
图17示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图18示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图19示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图20示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图21示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。
图22示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。
图23示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。
图24示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。
具体实施方式
现在，将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，这些示例实施例可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为局限于在此阐述的实施例。相反地，提供这些实施例使得本公开将是彻底的且完整的，并将把示例性实施方案充分地传达给本领域技术人员。
为了清楚地描述实施例，省略了与描述无关的部分，贯穿说明书，相同的附图标记代表相同的元件。
此外，为了更好的理解和便于描述，任意地示出了附图中示出的每个组件的尺寸和厚度，但本发明不限于此。在附图中，为清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。为更好地理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上或者也可存在中间元件。相比之下，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……上面”意为放置在目标部分上或在目标部分下，但不必意为基于重力方向放置在目标部分的上侧上。
此外，除非明确地相反地描述，否则词语“包括”及其变型形式将被理解为意味着包含所述元件，但不排除任何其它元件。
短语“在平面上”意为从顶部观察目标部分，短语“在截面上”意为观察从侧面竖直切割目标部分的截面。
现将参照图1至图5来描述根据示例性实施例的显示装置。图1示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图，图2示出了根据示例性实施例的显示装置的第一像素区域的布局图，图3示出了根据示例性实施例的显示装置的第一像素区域的剖视图。图4示出了根据示例性实施例的显示装置的第二像素区域的布局图，图5示出了根据示例性实施例的显示装置的第三像素区域的布局图。
如图1所示，根据示例性实施例的显示装置包括用于显示图像的像素区域PA和通过其透射光的透射区域TA。像素区域PA可以包括第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3。第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3可以显示不同的颜色。例如，第一像素区域PX1可以显示蓝色，第二像素区域PX2可以显示绿色，第三像素区域PX3可以显示红色。然而，实施例不限于此，第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3可以分别显示各种颜色。此外，还可以包括这样的像素区域：所述像素区域可以显示与通过第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3显示的颜色不同的颜色。
第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3可以形成为具有不同的尺寸。在图1中，第一像素区域PX1被示出为最大，第三像素区域PX3被示出为最小，但实施例不限于此。可以对第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3的尺寸进行各种改变。可选地，第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3的尺寸可以基本相同。
根据示例性实施例的显示装置可以用作车辆的显示装置。在用于车辆的显示装置的情况下，显示装置的每个像素区域通常可以形成为比用于TV、监视器或便携式电话的显示装置的像素区域大。
第一像素区域PX1包括第一发射区域EA1和第一非发射区域NA1。第一像素区域PX1和第一非发射区域NA1可以基本上是四边形。第一非发射区域NA1被第一发射区域EA1围绕。第一发射区域EA1围绕第一非发射区域NA1的四个边缘中的三个边缘。例如，在平面图中，第一发射区域EA1可以形成为围绕第一非发射区域NA1的左边缘、顶边缘和右边缘，第一非发射区域NA1的底边缘被暴露。
第二像素区域PX2包括第二发射区域EA2和第二非发射区域NA2。第二像素区域PX2和第二非发射区域NA2可以基本上是四边形。第二非发射区域NA2被第二发射区域EA2围绕。第二发射区域EA2完全地围绕第二非发射区域NA2的四个边缘。
第三像素区域PX3包括第三发射区域EA3和第三非发射区域NA3。第三像素区域PX3和第三非发射区域NA3可以基本上是四边形。第三非发射区域NA3被第三发射区域EA3围绕。第三发射区域EA3围绕第三非发射区域NA3的四个边缘中的三个边缘。例如，在平面图中，第三发射区域EA3可以形成为围绕第三非发射区域NA3的顶边缘、左边缘和底边缘，第三非发射区域NA3的右边缘被暴露。
然而，可以对第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3的形状、第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3的形状以及第一非发射区域NA1、第二非发射区域NA2和第三非发射区域NA3的形状进行各种改变。在图1中，每个区域的平面形状被示出为是多边形的，但实施例不限于此，每个区域可以形成为具有包括诸如圆形、椭圆形等曲线的形状。此外，在第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3中，各发射区域EA1、EA2和EA3以及各非发射区域NA1、NA2和NA3可被不同地设置。
透射区域TA是外部光通过其透射的区域。通过透射区域TA，根据示例性实施例的显示装置可以是透明的显示装置。在图1中，一个透射区域TA被布置为邻近于第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3。然而，实施例不限于此，三个单独的透射区域可被布置为分别邻近于第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3。可选地，一个透射区域可被布置为邻近于三个或更多个像素区域。
透射区域TA与全部像素区域PA(即，第一像素区域至第三像素区域的总和)的比例为大于等于约20％且小于等于约70％。第一非发射区域NA1与第一像素区域PX1的比例大于等于约5％且小于等于约20％。第二非发射区域NA2与第二像素区域PX2的比例大于等于约5％且小于等于约20％。第三非发射区域NA3与第三像素区域PX3的比例大于等于5％且小于等于20％。
如图2中所示，在第一像素区域PX1中，第一发射区域EA1围绕第一非发射区域NA1。在这种情况下，从在第一像素区域PX1的左边缘的下部处的点a1到第一非发射区域NA1的距离可以小于等于约50μm。这里，距离指最短的距离，同样的意思适用于下面的描述。从在第一像素区域PX1的左边缘的中部处的点a2到第一非发射区域NA1的距离可以小于等于约50μm。从在第一像素区域PX1的左边缘与顶边缘相交处的顶点a3到第一非发射区域NA1的距离可以小于等于约50μm。从在第一像素区域PX1的顶边缘的中部处的点a4到第一非发射区域NA1的距离可以小于等于约50μm。从第一像素区域PX1的顶边缘与右边缘相交处的顶点a5到第一非发射区域NA1的距离可以小于等于约50μm。从在第一像素区域PX1的右边缘的中部处的点a6到第一非发射区域NA1的距离可以小于等于约50μm。从在第一像素区域PX1的右边缘的下部处的点a7到第一非发射区域NA1的距离可以小于等于约50μm。即，从第一像素区域PX1的所有边缘到第一非发射区域NA1的距离可以小于等于约50μm。
如图3中所示，根据示例性实施例的显示装置包括：基底110；第一电极191，布置在基底110上；钝化层180，布置在基底110与第一电极191之间；第二电极270，布置在第一电极191上；有机发射层370，布置在第一电极191与第二电极270之间。
基底110可以是由玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的绝缘基底，或者是由不锈钢等制成的金属基底。基底110可以是柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的和/或可卷曲的。由于基底110可以是柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的和/或可卷曲的，所以显示装置也可以是柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的和/或可卷曲的。
基底110包括第一像素区域PX1和透射区域TA。第一像素区域PX1包括第一发射区域EA1和第一非发射区域NA1。
缓冲层120可以布置在基底110上。缓冲层120可以形成为氮化硅(SiNx)的单层或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的双层。缓冲层120用于使基底110的表面平坦，同时防止例如杂质或湿气的不利的材料的渗透。如果必要的话，则可以省略缓冲层120。整个缓冲层120可以位于第一像素区域PX1和透射区域TA中。缓冲层120可以完全地覆盖基底110的顶表面。
半导体135位于缓冲层120上。半导体135可以由多晶半导体材料或氧化物半导体材料制成。此外，半导体135可以包括：沟道区131，其中未掺杂有杂质；接触掺杂区132和133，位于沟道区131的相对侧处，其中掺杂有杂质。接触掺杂区132和133包括源极区132和漏极区133。在这种情况下，掺杂的杂质可以根据薄膜晶体管的种类而变化。
栅极绝缘层140可以位于半导体135上。栅极绝缘层140可以由包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。
栅电极125可以位于栅极绝缘层140上。栅电极125可以在发光方向(例如，第一方向)上与半导体135中的至少一部分(例如，其沟道区131)叠置。
层间绝缘层160可以位于栅电极125和栅极绝缘层140上。层间绝缘层160可以由无机绝缘材料或有机绝缘材料制成。
在第一方向上与半导体135中的至少一部分叠置的接触孔162和164可以形成在栅极绝缘层140和层间绝缘层160中。具体地，接触孔162和164可以分别暴露半导体135的接触掺杂区132和133。
源电极173和漏电极175可以位于层间绝缘层160上。源电极173和漏电极175分别通过接触孔162和164连接到半导体135的源极区132和漏极区133。
这样，半导体135、栅电极125、源电极173和漏电极175形成了一个薄膜晶体管。薄膜晶体管的结构不限于上述示例，并且可被修改为可以被本领域技术人员容易地实现的各种公开的结构。有机发光二极管显示器可以包括开关晶体管和驱动晶体管，上述薄膜晶体管可以是驱动晶体管。尽管未示出，但是可以设置开关薄膜晶体管。
钝化层180可以位于在薄膜晶体管和层间绝缘层160上。钝化层180用于去除和平坦化的步骤，从而增加将要形成在其上的OLED的发光效率。在第一方向上与漏电极175的至少一部分叠置(即，为了暴露漏电极175)的接触孔182可以形成在钝化层180中。钝化层180可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)形成。
第一电极191布置在钝化层180上。第一电极191布置在第一像素区域PX1的第一发射区域EA1中。第一电极191的大部分未被布置在第一像素区域PX1的第一非发射区域NA1中。
第一电极191可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等的透明导电材料制成，或者由诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)等的反射金属制成。第一电极191经由形成在钝化层180中的接触孔182电连接到薄膜晶体管的漏电极175，并且可被用作OLED的阳极。
尽管未示出，但是第一电极191可以包括：第一透明电极和第二透明电极，包含透明导电材料；半透射层，布置在第一透明电极与第二透明电极之间，以与第二电极270一起形成微腔。即，第一电极191可以形成为多层，所述多层包括由透明导电材料制成的层和由反射金属材料制成的层。
像素限定层350可以位于钝化层180上并且位于第一电极191的第一边缘部分上。像素限定层350可围绕第一像素区域PX1的边缘。像素限定层350可以包括例如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的树脂，或者氧化硅基无机材料。
掩埋图案352可以位于钝化层180上并且位于与第一电极191的第一边缘部分相对的第二边缘部分上。掩埋图案352可以位于第一像素区域PX1的第一非发射区域NA1中。掩埋图案352可以由与像素限定层350相同的材料制成，并且可以与像素限定层350处于同一层。由于掩埋图案352覆盖第一电极191的边缘的侧表面，所以掩埋图案352可以防止第一电极191暴露于外部并被腐蚀，从而防止发生黑点(dark spot)。即使第一电极191和有机发射层370布置在第一非发射区域NA1的边缘，光也可以被掩埋图案352阻挡。因此，只要覆盖第一电极191的第二边缘部分的侧边缘，就可以使用在发光方向(例如，第一方向)上的最小叠置。例如，掩埋图案352与第一电极191的叠置宽度可以大于等于约0μm，并且可以小于等于约5μm。例如，掩埋图案352与第一电极191可以彼此叠置约3μm。
有机发射层370可以位于第一电极191上。有机发射层370可以包括发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。有机发射层370可以位于第一像素区域PX1的第一发射区域EA1中。有机发射层370也可以布置在第一像素区域PX1的第一非发射区域NA1中。
有机发射层370可以包括用于发射红光的红色有机发射层、用于发射绿光的绿色有机发射层以及用于发射蓝光的蓝色有机发射层中的一种。例如，蓝色有机发射层可以位于第一像素区域PX1的第一发射区域EA1中，绿色有机发射层可以位于第二像素区域PX2的第二发射区域EA2中，红色有机发射层可以位于第三像素区域PX3的第三发射区域EA3中。红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别布置在不同的像素处，以通过它们的组合实现彩色图像。
可选地，有机发射层370可以具有在其中红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别堆叠在对应的像素上的结构。在这种情况下，可以通过为每个像素形成红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器来实现彩色图像。在另一示例中，通过在每个像素处形成用于发射白光的白色有机发射层，并且通过为每个像素形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，能够实现彩色图像。当通过使用白色有机发射层和滤色器实现彩色图像时，无需用于在每个对应的像素上(即，在红色像素上、在绿色像素上和在蓝色像素上)分别沉积红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层的沉积掩膜。
在另一示例中描述的白色有机发射层可以形成为单个有机发射层，并且可以形成为堆叠的多个有机发射层，从而可以发射白光。例如，可以包括通过将至少一个黄色有机发射层与至少一个蓝色有机发射层结合来发射白色光的结构，通过将至少一个青色有机发射层与至少一个红色有机发射层结合来发射白光的结构以及通过将至少一个品红有机发射层与至少一个绿色有机发射层结合来发射白光的结构。
第二电极270可以位于有机发射层370、像素限定层350和掩埋图案352上。第二电极270可以位于第一像素区域PX1和透射区域TA上，并且可以位于第一像素区域PX1与透射区域TA之间。
第二电极270可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等的透明导电材料制成，或者由诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)等的反射金属制成。第二电极270可以用作OLED的阴极。第一电极191、有机发射层370和第二电极270形成OLED。
上面描述的薄膜晶体管、栅极绝缘层140、层间绝缘层160、钝化层180、第一电极191和有机发射层370位于第一像素区域PX1中，但不在透射区域TA中。缓冲层120可以直接位于基底110的透射区域TA上，第二电极270可以直接位于缓冲层120上。因此，第二电极270可以在透射区域TA中接触(例如，直接接触)缓冲层120。这样，由于除了缓冲层120和第二电极270之外的其它层不在基底110的透射区域TA中，所以可以提高透射区域TA的透射率。然而，实施例不限于此，除了缓冲层120和第二电极270之外的一些层可以位于透射区域TA中。
钝化层180位于基底110与第一电极191之间，有机发射层370位于第一电极191上。钝化层180由有机材料制成，并且在形成钝化层180的工艺期间执行焙烧工艺。在焙烧工艺中，在固化有机材料的同时会产生气体。在气体被完全释放之前，会在钝化层180上形成第一电极191，使得钝化层180被第一电极191遮盖，阻止了气体排出。残留在钝化层180中的气体会移动到第一电极191的边缘以被排出，布置在第一电极191上的有机发射层370会受到气体的影响。由于有机发射层370易受湿气渗入的影响，所以有机发射层370的发射特性会劣化，因此有机发射层370的发射面积会减小。
在本示例性实施例中，第一像素区域PX1包括第一发射区域EA1和第一非发射区域NA1，第一电极191可以不布置在第一非发射区域NA1中。然而，实施例不限于此，有机发射层370可以既位于第一发射区域EA1中又部分地位于第一非发射区域NA1中。如上所述，虽然第一电极191和有机发射层370位于第一非发射区域NA1中，但是由于第一电极191被图案化，从而暴露了钝化层180的一部分且光被掩埋图案352阻挡，所以第一非发射区域NA1不发光。此外，掩埋图案352可以直接接触钝化层180的暴露部分。
通过将从第一像素区域PX1的所有边缘到第一非发射区域NA1的距离设置为小于等于约50μm，第一发射区域EA1中的第一电极191可以不连续地遮盖钝化层180。在本示例性实施例中，通过形成其中第一电极191的大部分未布置在第一像素区域PX1中的第一非发射区域NA1，残留在钝化层180中的气体可以通过第一非发射区域NA1来充分地排出。因此，可以降低或防止有机发射层370的发射特性的劣化。
如图4所示，在第二像素区域PX2中，第二发射区域EA2围绕第二非发射区域NA2。从在第二像素区域PX2的左边缘与顶边缘相交处的顶点b1到第二非发射区域NA2的距离可以小于等于约50μm。从在第二像素区域PX2的顶边缘的中部处的点b2到第二非发射区域NA2的距离可以小于等于约50μm。从在第二像素区域PX2的顶边缘与右边缘相交处的顶点b3到第二非发射区域NA2的距离可以小于等于约50μm。从在第二像素区域PX2的右边缘的中部处的点b4到第二非发射区域NA2的距离可以小于等于约50μm。从在第二像素区域PX2的右边缘与底边缘相交处的顶点b5到第二非发射区域NA2的距离可以小于等于约50μm。从在第二像素区域PX2的底边缘的中部处的点b6到第二非发射区域NA2的距离可以小于等于约50μm。从在第二像素区域PX2的底边缘与左边缘相交处的顶点b7到第二非发射区域NA2的距离可以小于等于约50μm。从在第二像素区域PX2的左边缘的中部处的点b8到第二非发射区域NA2的距离可以小于等于约50μm。即，从第二像素区域PX2的所有边缘到第二非发射区域NA2的距离可以小于等于约50μm。
虽然未示出，但是与第一像素区域PX1类似，第一电极和有机发射层可以布置在第二像素区域PX2的第二发射区域EA2中。第一电极大体上不位于第二非发射区域NA2中，但是可以位于第二非发射区域NA2的边缘处。掩埋图案可以布置在第二非发射区域NA2中。通过将从第二像素区域PX2的所有边缘到第二非发射区域NA2的距离设置为小于等于约50μm，能够防止布置在第二发射区域EA2中的第一电极连续地遮盖钝化层的宽区域。在本示例性实施例中，通过形成其中第一电极大体上未布置在第二像素区域PX2中的第二非发射区域NA2，残留在钝化层中的气体可以通过第二非发射区域NA2来充分地排出。因此，可以降低或防止有机发射层的发射特性的劣化。
如图5中所示，在第三像素区域PX3中，第三发射区域EA3围绕第三非发射区域NA3。从在第三像素区域PX3的顶边缘处的点c1到第三非发射区域NA3的距离可以小于等于约50μm。从在第三像素区域PX3的顶边缘与左边缘相交处的点c2到第三非发射区域NA3的距离可以小于等于约50μm。从在第三像素区域PX3的左边缘的中部处的点c3到第三非发射区域NA3的距离可以小于等于约50μm。从在第三像素区域PX3的左边缘与底边缘相交处的点c4到第三非发射区域NA3的距离可以小于等于约50μm。从在第三像素区域PX3的底边缘处的点c5到第三非发射区域NA3的距离可以小于等于约50μm。即，从第三像素区域PX3的所有边缘到第三非发射区域NA3的距离可以小于等于约50μm。
虽然未示出，但是与第一像素区域PX1类似，第一电极和有机发射层可以布置在第三像素区域PX3的第三发射区域EA3中。第一电极大体上不位于第三非发射区域NA3中，但是可以位于第三非发射区域NA3的边缘处。掩埋图案可以位于第三非发射区域NA3中。通过将从第三像素区域PX3的所有边缘到第三非发射区域NA3的距离设置为小于等于约50μm，第三发射区域EA3中的第一电极可以不连续地遮盖钝化层180的宽区域。具体地说，钝化层180的一部分可被第一电极191暴露，以便排出其中产生的气体。在本示例性实施例中，通过形成其中第一电极大体上不在第三像素区域PX3中的第三非发射区域NA3，残留在钝化层中的气体可以通过第三非发射区域NA3来充分地排出。因此，可以降低或防止有机发射层的发射特性的劣化。
在下文中，将参照图6至图9来描述根据示例性实施例的显示装置。
根据图6至图9中示出的示例性实施例的显示装置包括与根据图1至图5示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，将不重复其描述。在本示例性实施例中，第一像素区域至第三像素区域中的发射区域和非发射区域与前一示例性实施例的发射区域和非发射区域不同，现将对其进行详细描述。
图6示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。图7示出了根据示例性实施例的显示装置的第一像素区域的布局图，图8示出了根据示例性实施例的显示装置的第二像素区域的布局图，图9示出了根据示例性实施例的显示装置的第三像素区域的布局图。
如图6中所示，根据示例性实施例的显示装置包括像素区域PAa和透射区域TA。像素区域PAa可以包括第一像素区域PX1a、第二像素区域PX2a和第三像素区域PX3a。第一像素区域PX1a、第二像素区域PX2a和第三像素区域PX3a可以显示不同的颜色，并且可以形成为具有不同的尺寸。
如图7中所示，第一像素区域PX1a包括第一发射区域EA1a和被第一发射区域EA1a围绕的第一非发射区域NA1a。从布置在第一像素区域PX1a的边缘处的多个点(d1、d2、d3、d4和d5)到第一非发射区域NA1a的距离可以小于等于约50μm。在这种情况下，距离意为最短的距离，同样的意思适用于下面的描述。从第一像素区域PX1a的所有边缘到第一非发射区域NA1a的距离可以小于等于约50μm。
如图8中所示，第二像素区域PX2a包括第二发射区域EA2a和被第二发射区域EA2a围绕的第二非发射区域NA2。从在第二像素区域PX2a的边缘处的多个点(e1、e2、e3、e4、e5、e6、e7和e8)到第二非发射区域NA2a的距离可以小于等于约50μm。在这种情况下，从第二像素区域PX2a的所有边缘到第二非发射区域NA2的距离可以小于等于约50μm。
如图9中所示，第三像素区域PX3a包括第三发射区域EA3a和被第三发射区域EA3a围绕的第三非发射区域NA3a。从在第三像素区PX3a的边缘的多个点(f1、f2、f3、f4和f5)到第三非发射区NA3a的距离可以小于等于约50μm。在这种情况下，从第三像素区PX3a的所有边缘到第三非发射区NA3a的距离可以小于等于约50μm。
现在将参照图10至图13描述根据示例性实施例的显示装置。
根据图10至图13中示出的示例性实施例的显示装置包括与根据图1至图5中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，因此将不重复其描述。在本示例性实施例中，多个非发射区域布置在与前述的示例性实施例不同的单个像素区域中，现将对其进行详细描述。
图10示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。图11示出了根据示例性实施例的显示装置的第一像素区域的布局图，图12示出了根据示例性实施例的显示装置的第二像素区域的布局图，图13示出了根据示例性实施例的显示装置的第三像素区域的布局图。
如图10中所示，根据示例性实施例的显示装置包括像素区域PAb和透射区域TA。像素区域PAb可以包括第一像素区域PX1b、第二像素区域PX2b和第三像素区域PX3b。第一像素区域PX1b、第二像素区域PX2b和第三像素区域PX3b可以显示不同的颜色，并且可以形成为具有不同的尺寸。
如图11中所示，第一像素区域PX1b包括第一发射区域EA1b和被第一发射区域EA1b围绕的多个第一非发射区域NA1b。尽管示出了多个第一非发射区域NA1b分别具有圆形形状，但是实施例不限于此，第一非发射区域NA1b可以进行各种修改且可以彼此不同。
从在第一像素区域PX1b的边缘处的多个点(g1、g2、g3、g4、g5、g6、g7、g8、g9、g10、g11和g12)到与相应的边缘相邻的第一非发射区域NA1b的距离可以小于等于约50μm。从第一像素区域PX1b的所有边缘到与相应的边缘相邻的第一非发射区域NA1b的距离可以小于等于约50μm。
此外，邻近的第一非发射区域NA1b之间的距离可以小于等于约50μm。例如，多个第一非发射区域NAb1可以以矩阵形式来设置，在第一行第一列中的第一非发射区域NA1b与在第一行第二列中的第一非发射区域NA1b之间的距离可以小于等于约50μm。此外，在第一行第一列中的第一非发射区域NA1b与在第二行第一列中的第一非发射区域NA1b之间的距离可以小于等于约50μm。此外，在第一行第一列中的第一非发射区域NA1b与在第二行第二列中的第一非发射区域NA1b之间的距离可以小于等于约50μm。
如图12所示，第二像素区域PX2b包括第二发射区域EA2b和被第二发射区域EA2b围绕的多个第二非发射区域NA2b。布置在第二像素区域PX2b的边缘处的多个点(h1、h2、h3、h4、h5、h6、h7、h8、h9和h10)到多个第二非发射区域NA2b中的与相应的边缘相邻的第二非发射区域NA2b的距离可以小于等于约50μm。从第二像素区域PX2b的所有边缘到多个第二非发射区域NA2b中的与相应的边缘相邻的第二非发射区域NA2b的距离可以小于等于约50μm。此外，邻近的第二非发射区域NA2b之间的距离可以小于等于约50μm。
如图13中所示，第三像素区域PX3b包括第三发射区域EA3b和被第三发射区域EA3b围绕的多个第三非发射区域NA3b。从在第三像素区域PX3b的边缘处的多个点(i1、i2、i3、i4和i5)到多个第三非发射区域NA3b中的距离可以小于等于约50μm。从第三像素区域PX3b的所有边缘到第三非发射区域NA3b的距离可以小于等于约50μm。此外，彼此相邻的邻近的第三非发射区域NA3b之间的距离可以小于等于约50μm。
在下文中，将参照图14描述根据示例性实施例的显示装置。根据图14中示出的示例性实施例的显示装置包括与根据图1至图5中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，因此将不重复其描述。在本示例性实施例中，第一像素区域至第三像素区域中的发射区域和非发射区域的形状与前一示例性实施例的形状不同，现在将对其进行详细描述。
图14示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。如图14中所示，根据示例性实施例的显示装置包括像素区域PAc和透射区域TA。像素区域PAc可以包括第一像素区域PX1c、第二像素区域PX2c和第三像素区域PX3c。第一像素区域PX1c、第二像素区域PX2c和第三像素区域PX3c可以显示不同的颜色，并且可以形成为具有不同的尺寸。
第一像素区域PX1包括第一发射区域EA1c和被第一发射区域EA1c围绕的第一非发射区域NA1c。第一非发射区域NA1c在平面图中形成为具有十字形状。从第一像素区域PX1c的所有边缘到第一非发射区域NA1c的距离可以小于等于约50μm。
第二像素区域PX2c包括第二发射区域EA2c和被第二发射区域EA2围绕的第二非发射区域NA2c。虽然示出了第二非发射区域NA2c在平面图中形成为具有四边形形状，但本示例性实施例不限于此，第二非发射区域NA2c在平面图中可以形成为具有十字形状。从第二像素区域PX2c的所有边缘到第二非发射区域NA2c的距离可以小于等于约50μm。
第三像素区域PX3c包括第三发射区域EA3c和被第三发射区域EA3围绕的第三非发射区域NA3c。虽然示出了第三非发射区域NA3c在平面图中具有四边形形状，但本示例性实施例不限于此，例如，第三非发射区域NA3c在平面图中可以形成为具有十字形状。从第三像素区PX3c的所有边缘到第三非发射区域NA3c的距离可以小于等于约50μm。
在下文中，将参照图15描述根据示例性实施例的显示装置。根据图15中示出的示例性实施例的显示装置包括与根据图14中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，因此将不重复其描述。在本示例性实施例中，第一像素区域中的发射区域和非发射区域的形状与前述的示例性实施例的形状不同，现将对其进行详细描述。
图15示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。如图15中所示，根据示例性实施例的显示装置包括像素区域PAd和透射区域TA。像素区域PAd包括具有第一发射区域EA1d和第一非发射区域NA1d的第一像素区域PX1d，第一非发射区域NA1在平面图中形成为具有十字形。像素区域PAd还包括图14的第二像素区域PX2c和第三像素区域PX3c。
在前一示例性实施例的第一发射区域EA1c中，其底边缘的中部在平面图中未被切断，而在本示例性实施例的第一发射区域EA1d中，其底边缘的中部在平面图中被切断。即，在第一像素区域PX1d的底边缘的中部，第一发射区域EA1d被第一非发射区域NA1d分开。在第一像素区域PX1d的左边缘、顶边缘和右边缘处，第一发射区域EA1d未被分开。
因此，在第一像素区域PX1d中，第一电极191在第一像素区域PX1的左边缘、顶边缘和右边缘处可以不被分开，且在第一像素区域PX1的底边缘的中部处可被分开。
现在将参照图16描述根据示例性实施例的显示装置。根据图16中示出的示例性实施例的显示装置包括与根据图15中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，从而将不重复其描述。在本示例性实施例中，第一像素区域中的发射区域和非发射区域的形状与前一示例性实施例的形状不同，现将对其进行详细描述。
图16示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。如图16中所示，根据示例性实施例的显示装置包括像素区域PAe和透射区域TA。像素区域PAe可以包括第一像素区域PX1e、第二像素区域PX2e和第三像素区域PX3e。
第一像素区域PX1e包括第一发射区域EA1e和第一非发射区域NA1e，第一非发射区域NA1在平面图中形成为具有十字形状。在前一示例性实施例的第一像素区域PX1d的左边缘、顶边缘和右边缘处，第一发射区域EA1d未被分开，而在本示例性实施例的第一像素区域PX1e的左边缘、顶边缘和右边缘处，第一发射区域EA1e被分开。即，在第一像素区域PX1e的左边缘、顶边缘、右边缘和底边缘的中部，第一发射区域EA1e被第一非发射区域NA1e分开。
因此，在第一像素区域PX1e中，第一电极191在第一像素区域PX1e的左边缘、顶边缘、右边缘和底边缘的中部可被分开。在这种情况下，第一电极被分为四个部分，所述四个部分可以通过不同的接触孔连接到漏电极。
以类似的方式，第二发射区域EA2e在第二像素区域PX2e的顶边缘和底边缘处可被分开。即，在第二像素区域PX2e的顶边缘和底边缘的中部，第二发射区域EA2e被第二非发射区域NA2e分开。
此外，第三发射区域EA3e在第三像素区域PX3e的顶边缘和底边缘处被分开。即，在第三像素区域PX3e的顶边缘和底边缘的中部，第三发射区域EA3e被第三非发射区域NA3e分开。
在下文中，将参照图17描述根据示例性实施例的显示装置。根据图17中示出的示例性实施例的显示装置包括与图1至图5中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，将不对它们进行描述。在本示例性实施例中，薄膜晶体管布置在与前面示例性实施例不同的像素区域中，现将对其进行详细描述。
图17示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图。如图17中所示，根据示例性实施例的显示装置包括：基底110；第一电极191，位于基底110上；钝化层180，位于基底110和第一电极191之间；第二电极270，位于第一电极191上；有机发射层370，位于第一电极191与第二电极270之间。
基底110包括第一像素区域PX1和透射区域TA。第一像素区域PX1包括第一发射区域EA1和第一非发射区域NA1。
在前面的示例性实施例中，薄膜晶体管部分地布置在第一像素区域PX1内，且大体上布置在第一像素区域PX1的外部。在本示例性实施例中，薄膜晶体管完全地布置在第一像素区域PX1内。即，半导体135、栅电极125、源电极173和漏电极175的全部布置在第一像素区域PX1内。具体地，薄膜晶体管的一部分可以与第一像素区域PX1的第一非发射区域NA1叠置。掩埋图案352可以位于第一像素区域PX1的第一非发射区域NA1中，并且可以沿着第一方向与薄膜晶体管叠置。
钝化层180位于薄膜晶体管上。钝化层180的布置在薄膜晶体管上的一部分与钝化层180的其它部分相比形成为相对地薄。当钝化层180薄时，气体可以在焙烧工艺中快速地排出。在本示例性实施例中，由于薄膜晶体管布置在第一像素区域PX1内，所以能够薄地形成钝化层180的被第一电极191遮盖的一部分。因此，可减少残留在钝化层180中的气体，因此可减小气体对有机发射层370的影响。
虽然已经描述了第一像素区域PX1，但本示例性实施例可以类似地应用于第二像素区域PX2和第三像素区域PX3。即，薄膜晶体管可以布置在第二像素区域PX2和第三像素区域PX3内。
现在将参照图18描述根据示例性实施例的显示装置。根据图18中示出的示例性实施例的显示装置包括与图17中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，将不对它们进行描述。在本示例性实施例中，从基底到钝化层的顶表面的高度不是恒定的，这与前一示例性实施例不同，现将对其进行详细描述。
图18示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图。如图18中所示，根据示例性实施例的显示装置包括：基底110；第一电极191'，位于基底110上；钝化层180，位于基底110和第一电极191'之间；第二电极270'，位于第一电极191'上，有机发射层370'，位于第一电极191'与第二电极270'之间。
基底110包括第一像素区域PX1和透射区域TA。第一像素区域PX1包括第一发射区域EA1和第一非发射区域NA1。
在前一示例性实施例中，钝化层180的顶表面是平坦的，并且从基底110到钝化层180的顶表面的距离是恒定的。然而，在本示例性实施例中，钝化层180'的顶表面不是平坦的。
钝化层180'包括具有第一高度d1的第一部分180a和具有第二高度d2的第二部分180b。在这种情况下，第一高度d1和第二高度d2中的每个意为从基底110到钝化层180'的顶表面的距离。第二高度d2比第一高度d1高，即，具有第二高度d2的顶表面距基底110较远。第一部分180a位于第一像素区域PX1的中心部分处，第二部分180b位于第一像素区域PX1的边缘处。
第一电极191'位于钝化层180'上，第一电极191'包括位于钝化层180'的第一部分180a与第二部分180b之间的台阶191a。具体地，台阶191a可以沿着第二部分180b的在第一方向上从第一部分180a突出的侧壁延伸并且可以沿第二方向沿着第二部分180b的顶表面的一部分延伸。
通过在第一像素区域PX1的中心部分处薄地形成钝化层180'，可以在钝化层180'的焙烧工艺期间减少排出气体的时间。因此，有机发射层370'受气体影响较小，从而改善发射特性。
通过在第一像素区域PX1的边缘处厚地形成钝化层180'，使得台阶191a布置在第一电极191'处，可以增大在钝化层180中产生的气体必须越过到达有机发射层370'的距离。即，通过将第一电极191'的台阶191a用作阻挡件，可以防止气体到达有机发射层370'。因此，有机发射层370'受气体影响较小，从而改善了发射特性。
现在将参照图19描述根据示例性实施例的显示装置。
根据图19中示出的示例性实施例的显示装置包括与图1至图5中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，将不对它们进行描述。在本示例性实施例中，在钝化层中形成有与前面的示例性实施例不同的槽，现将对其进行详细描述。
图19示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图。如图19中所示，根据示例性实施例的显示装置包括：基底110；第一电极191，位于基底110上；钝化层180，位于基底110和第一电极191之间；第二电极270，位于第一电极191上；有机发射层370，布置在第一电极191与第二电极270之间。
基底110包括第一像素区域PX1和透射区域TA。第一像素区域PX1包括第一发射区域EA1和第一非发射区域NA1。
在本示例性实施例中，槽184形成在钝化层180中。由于槽184增加了气体通过其可以被排出的表面，所以在钝化层180的焙烧工艺中产生的气体可以通过形成有槽184的部分更好地排出。
槽184可以位于第一像素区域PX1的第一非发射区域NA1中。掩埋图案352'可以位于第一非发射区域NA1中，并且也可以布置槽184中，例如，可以填充槽184。
槽184的宽度Wg可以比第一非发射区域NA1的宽度窄。第一电极191大体上不位于第一非发射区域NA1中，即，仅部分地沿第二方向在第一非发射区域NA1中延伸，且大体上位于第一发射区域EA1中。具体地，槽184的宽度Wg可以比在第一非发射区域NA1中不存在第一电极191的部分的宽度窄。在第一非发射区域NA1中，当槽184的宽度Wg比在其中第一电极191不延伸的部分Wn的宽度宽时，第一电极191会形成在槽184中。由于包括在薄膜晶体管中的各电极层被布置在钝化层180的下方，所以当第一电极191形成在槽184中时，其会与各电极层短路。在本示例性实施例中，通过将槽184的宽度Wg形成为比在第一非发射区域NA1中第一电极191不延伸的部分Wn的宽度窄，可以解决该问题。
现在将参照图20描述根据示例性实施例的显示装置。根据图20中示出的示例性实施例的显示装置包括与图19中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，将不对它们进行描述。在本示例性实施例中，在像素区域的边缘中形成槽，这与前一示例性实施例不同，现将对其进行详细描述。
图20示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图。如图20中所示，另一槽186设置在钝化层180中。槽186被布置为与第一像素区域PX1的边缘邻近，例如，邻近半导体135。槽186可以布置在像素限定层350下方。掩埋图案354可以设置在槽186中，并且可以与像素限定层350成为一体。掩埋图案354和像素限定层350可以在同一工艺下使用相同的材料来形成。
与前一示例性实施例类似，槽184可以进一步设置在第一像素区域PX1的第一非发射区域NA1中，且掩埋图案352'可以位于槽184中。
在下文中，将参照图21描述根据示例性实施例的显示装置。根据图21中示出的示例性实施例的显示装置包括与图1至图5中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，将不对它们进行描述。在本示例性实施例中，透射区域的形状与前面的示例性实施例的形状不同，现将对其进行详细描述。
图21示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。如图21中所示，根据示例性实施例的显示装置包括像素区域PA和透射区域TA。像素区域PA可以包括第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3。第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3可以显示不同的颜色，并且可以形成为具有不同的尺寸。例如，第一像素区域PX1可以显示蓝色，第二像素区域PX2可以显示绿色，第三像素区域PX3可以显示红色。
在前面的示例性实施例中，透射区域TA在平面图中形成为具有矩形形状。在本示例性实施例中，透射区域TA在平面图中变形为具有基本上矩形的形状。在本示例性实施例中，通过减小透射区域TA与像素区域PA之间的距离可以增大透射区域TA(例如，可以增大透射区域TA的宽度)。槽GV可以设置在透射区域TA的例如邻近像素区域的一个边缘处。如在此示出的，槽GV可以设置在透射区域TA的与第二像素区域PX2邻近的右边缘处。
可以增大第二像素区域PX2，以补偿由于形成第二非发射区域NA2而引起的发射面积的减小。在这种情况下，由于难以使第二像素区域PX2的与第一像素区域PX1邻近的上边缘变形或使第二像素区域PX2的与第三像素区域PX3邻近的下边缘变形，所以可以通过使第二像素区域PX2的左边缘延伸(例如，延伸第二像素区域PX2的左侧边缘以与第一像素区域PX1和第三像素区域PX3相比更靠近透射区域)来增大第二像素区域PX2。因此，第二像素区域PX2的宽度可以比第一像素区域PX1的宽度宽，并且可以比第三像素区域PX3的宽度宽。此外，透射区域TA可以包括设置在与第二像素区域PX2的左边缘邻近的部分处的槽GV，使得透射区域TA的与第二像素区域PX2邻近的宽度可以比透射区域TA的与第一像素区域PX1和第三像素区域PX3邻近的宽度窄。
可以增大第一像素区域PX1，以补偿由于形成第一非发射区域NA1而引起的发射面积的减小。在这种情况下，由于难以使第一像素区域PX1的与第二像素区域PX2邻近的下边缘变形或使第一像素区域PX1的与透射区域TA邻近的左边缘变形，所以可以通过使第一像素区域PX1的上边缘进一步向上(例如，在透射区域TA的上边缘以上)延伸来扩展第一像素区域PX1。以类似的方式，可以增大第三像素区域PX3，以补偿由于形成第三非发射区域NA3而导致的发射面积的减小。在这种情况下，由于难以使第三像素区域PX3的与第二像素区域PX2邻近的上边缘变形或使第三像素区域PX3的与透射区域TA邻近的左边缘变形，所以可以通过使第三像素区域PX3的下边缘进一步向下(例如，在透射区域TA的下边缘以下)延伸来增大第三像素区域PX3。
像素区域PA的边缘(例如，第一像素区域PX1和第三像素区域PX3的边缘)可以与各种导线叠置而不影响光发射。因此，能够如上所述地增加像素区域PA。然而，当透射区域TA与导线叠置时，由于这样影响透射率，所以不容易扩展透射区域TA。因此，从透射区域TA的上边缘到透射区域TA的下边缘的长度ht1可以比从像素区域PA的上边缘到像素区域PA的下边缘的长度ht2短。
图21的第一非发射区域NA1、第二非发射区域NA2和第三非发射区域NA3的形状被示出为与图1的第一非发射区域NA1、第二非发射区域NA2和第三非发射区域NA3的形状类似，但本示例性实施例不限于此。图21的第一非发射区域NA1、第二非发射区域NA2和第三非发射区域NA3的形状可以与图6、图10、图14、图15和图16中至少一个的第一非发射区域NA1、第二非发射区域NA2和第三非发射区域NA3类似，并且另外被如上描述的增加。
此外，可以对透射区域TA、第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3的形状进行各种修改。
在下文中，将参照图22来描述根据示例性实施例的显示装置。根据图22中示出的示例性实施例的显示装置包括与图21中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，将不对它们进行描述。在本示例性实施例中，透射区域的形状与前一的示例性实施例的形状不同，现将对其进行详细描述。
图22示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。如图22所示，根据示例性实施例的显示装置包括像素区域PA和透射区域TA。
与前一示例性实施例类似，透射区域TA在平面图中变形为具有基本上矩形的形状，并且透射区域TA的与第二像素区域PX2邻近的宽度可以比透射区域TA的与第一像素区域PX1和第三像素区域PX3邻近的宽度窄。
在前一示例性实施例中，槽GV(图21)仅设置在透射区域TA的一个边缘处，而在本示例性实施例中，第一槽GV1和第二槽GV2分别设置在透射区域TA的相对边缘处。第一槽GV1设置在透射区域TA的与第二像素区域PX2邻近的右边缘处，布置在与第一槽GV1的相对侧处的第二槽GV2设置在透射区域TA的左边缘处。第一槽GV1和第二槽GV2可以是对称的。
在前一示例性实施例中，通过延伸第二像素区域PX2的左边缘来增大第二像素区域PX2，而在本示例性实施例中，通过延伸第二像素区域PX2的左边缘和右边缘来增加第二像素区域PX2。
尽管未示出，但是根据示例性实施例的显示装置可以包括多个透射区域和多个像素区域。另一像素区域可以布置在图22中示出的透射区域TA的左侧处，第二槽GV2可以设置在透射区域TA的与所述另一像素区域相邻的左边缘处。
在下文中，将参照图23描述根据示例性实施例的显示装置。根据图23示出的示例性实施例的显示装置包括与图21中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，将不对它们进行描述。在本示例性实施例中，透射区域和第一像素区域的形状与前面的示例性实施例的形状不同，现将对其进行详细描述。
图23示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。与前面的示例性实施例类似，透射区域TA在平面图中变形为具有基本上矩形形状，并且透射区域TA的与第二像素区域PX2邻近的宽度可以比透射区域TA的与第三像素区域PX3邻近的宽度窄。
在本示例性实施例中，透射区域TA的与第一像素区域PX1邻近的一部分的宽度可以比透射区域TA的与第三像素区域PX3邻近的宽度窄，例如，槽GV可以与整个第二像素区域PX2和部分的第一像素区域PX1相邻地延伸。
在本示例性实施例中，通过延伸第一像素区域PX1的左边缘的下部的一部分来增大第一像素区域PX1。因此，透射区域TA的与第一像素区域PX1的下部的一部分和第二像素区域PX2邻近的宽度可以比其它部分的宽度窄。
在下文中，将参照图24描述根据示例性实施例的显示装置。根据图24中示出的示例性实施例的显示装置包括与图23中示出的示例性实施例的显示装置中的部分相同的许多部分，将不对它们进行描述。在本示例性实施例中，透射区域的形状与前一示例性实施例的形状不同，现将对其进行详细描述。
图24示出了根据示例性实施例的显示装置的布局图。与前述的示例性实施例类似，透射区域TA在平面图中变形为具有基本上矩形形状，并且透射区域TA的与第一像素区域PX1的下部的一部分和第二像素区域PX2邻近的宽度可以比与透射区域TA的与第三像素区域PX3邻近的宽度窄。
在前一的示例性实施例中，槽GV(图23)仅设置在透射区域TA的一个边缘处，而在本示例性实施例中，第一槽GV1和第二槽GV2分别设置在透射区域TA的相对边缘处。第一槽GV1设置在透射区域TA的与第一像素区域PX1和第二像素区域PX2邻近的右边缘处，第二槽GV2设置在透射区域TA的与邻近于第一像素区域PX1和第二像素区域PX2的右边缘相对的左边缘处。第一槽GV1和第二槽GV2可以是对称的。
在本示例性实施例中，通过延伸第一像素区域PX1的左边缘和右边缘的下部的一部分来增大第一像素区域PX1。
通过总结和回顾，当由有机材料制成的钝化层位于晶体管和电极之间时，在焙烧有机材料的同时会在其中产生气体。虽然产生的气体移动到钝化层的顶表面，但是气体被钝化层上的电极阻挡，使得气体不会被排出。有机发射层易受湿气渗入的影响，并且会受到从钝化层产生的气体的影响，从而使有机发射层的发射特性劣化。
相反地，根据一个或多个实施例，通过在第一像素区域中形成未布置有大部分电极(即，钝化层被电极暴露)的非发射区域，残留在钝化层中的气体可以通过非发射区域而充分地排出。此外，通过将从像素区域的所有边缘到非发射区域的距离设定为小于等于约50μm，发射区域中的电极可以不连续地遮盖钝化层，以允许气体从其逃脱。因此，可以降低或防止有机发射层的发射特性的劣化。
在这里已经公开了示例实施例，虽然采用了特定的术语，但是仅以一般的和描述性的含义来使用它们并将对它们进行解释，而不是为了限制的目的。在一些情形下，如本领域的普通技术人员将清楚的，自提交本申请之时起，除非另外明确指出，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离权利要求书中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种变化。

Claims (14)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，具有第一像素区域；
第一电极，位于所述基底上；
钝化层，位于所述基底与所述第一电极之间；
第二电极，位于所述第一电极上；
有机发射层，位于所述第一电极和所述第二电极之间，
其中，所述第一像素区域包括发射区域和被所述发射区域围绕的非发射区域。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，从所述第一像素区域的边缘到所述第一像素区域的所述非发射区域的距离小于等于50μm。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述有机发射层位于所述第一像素区域的所述发射区域中，且基本不位于所述第一像素区域的所述非发射区域。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中：
所述基底包括第二像素区域和第三像素区域，
所述第二像素区域和所述第三像素区域中的每个包括发射区域和被所述发射区域围绕的非发射区域，
从所述第二像素区域的边缘到所述第二像素区域的所述非发射区域的距离小于等于50μm，
从所述第三像素区域的边缘到所述第三像素区域的所述非发射区域的距离小于等于50μm，
所述第一电极和所述有机发射层位于所述第二像素区域的所述发射区域中和所述第三像素区域的所述发射区域中，且基本不位于所述第二像素区域和所述第三像素区域的所述非发射区域。
5.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一像素区域的所述非发射区域中的掩埋图案。
6.如权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：
像素限定层，围绕所述第一像素区域的边缘，
其中，所述掩埋图案由与所述像素限定层相同的材料制成，并且与所述像素限定层布置在同一层中。
7.如权利要求5所述的显示装置，其中：
所述第一电极形成为包括透明导电材料层和反射金属层的多层。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一像素区域的所述非发射区域与所述第一像素区域的比例大于等于5％且小于等于20％。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一像素区域的所述非发射区域在平面图中形成为具有四边形形状、圆形形状和十字形状中的至少一种。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一像素区域包括多个非发射区域，
彼此邻近的所述多个非发射区域之间的距离小于等于50μm。
11.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜晶体管，连接到所述第一电极，
其中，所述薄膜晶体管布置在所述第一像素区域中，
其中，所述薄膜晶体管与所述第一像素区域的所述非发射区域的至少一部分叠置。
12.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述钝化层包括具有第一高度的第一部分和具有比所述第一高度高的第二高度的第二部分，
所述钝化层的所述第二部分位于所述第一像素区域的边缘，
所述第一电极包括位于所述钝化层的所述第一部分与所述第二部分之间的台阶。
13.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
槽，位于所述第一像素区域的所述非发射区域中的所述钝化层中，
掩埋图案，位于所述槽中，
像素限定层，围绕所述第一像素区域的边缘，
其中，所述槽的宽度比所述非发射区域的宽度窄，
其中，所述掩埋图案由与所述像素限定层相同的材料制成，并且与所述像素限定层布置在同一层中。
14.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
槽，位于与所述第一像素区域的边缘邻近的所述钝化层中，
掩埋图案，位于所述槽中，
像素限定层，与所述掩埋图案成为一体以围绕所述第一像素区域的边缘，
其中，所述掩埋图案由与所述像素限定层相同的材料制成。
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