CN106597761B - 显示面板及电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种显示面板及电子装置，显示面板包含显示介质层设置于第一与第二基板之间，第一扫描线、第二扫描线、第一数据线和第二数据线设置于第一基板上且交错定义出像素区域，像素区域包含像素电极设置于第一基板上，共用电极设置于像素电极上，共用电极在像素区域内包含邻近第一数据线的第一狭缝与邻近第二数据线的第二狭缝，第一狭缝具有最靠近第一数据线的第一边缘，第二狭缝具有最靠近第二数据线的第二边缘，像素电极具有第三边缘位于第一狭缝内和第四边缘位于第二狭缝内，且第一边缘至第三边缘的距离与第二边缘至第四边缘的距离不相等。

Description

显示面板及电子装置

技术领域

本发明涉及显示面板，特别是涉及广视角液晶显示面板的像素电极与共用电极的配置，以及含有显示面板的电子装置。

背景技术

近年来，液晶显示器因为具有薄型化、轻量化、低功率耗损等优势，已经广泛地应用在各种电子装置，例如笔记型电脑、平板电脑、手机等。另外，对于大尺寸显示器的应用，还需要具备快速应答、高对比、广视角等特性，而平面切换(In-plane Switching，IPS)型液晶显示器或边界电场切换(Fringe Field Switching；FFS)型液晶显示器等就是能够满足上述需求的广视角液晶显示器。

边界电场切换(FFS)型液晶显示器具有透明导电的像素电极和共用电极，像素电极和共用电极之间的距离小于两个基板之间的间隔(cell gap)，由此在像素电极和共用电极之间产生边缘电场效应，以驱动液晶旋转，当光线穿透横向排列液晶分子时，可以达到广视角的显示效果。

然而，一般的边界电场切换(FFS)型液晶显示器很难在每个视角上都可以满足亮态穿透率的要求。

发明内容

本发明提供显示面板的像素电极与共用电极的配置方式，让边界电场切换(FFS)型显示面板在每个视角上都能符合亮态穿透率的要求。本发明的显示面板通过将像素电极的边缘设置在共用电极的狭缝内，以及调整像素电极的边缘、共用电极的狭缝边缘和数据线边缘之间的距离关系，使得显示面板的亮态穿透率、暗态穿透率和视角维持率都可以在需要的设计范围内，由此提升显示面板的显示品质。

在本发明的一些实施例中，提供显示面板，此显示面板包含第一基板与第二基板相对设置，显示介质层设置于第一基板与第二基板之间。第一扫描线和与第一扫描线相邻的第二扫描线，以及第一数据线和与第一数据线相邻的第二数据线都设置于第一基板上，其中第一扫描线、第二扫描线、第一数据线与第二数据线交错定义出像素区域。此像素区域包含像素电极设置于第一基板上，共用电极设置于像素电极上，共用电极对应此像素区域内包含第一狭缝与第二狭缝，其中第一狭缝邻近第一数据线，且第一狭缝具有最靠近第一数据线的第一边缘；第二狭缝邻近第二数据线，且第二狭缝具有最靠近第二数据线的第二边缘；像素电极具有第三边缘位于第一狭缝内，和第四边缘位于第二狭缝内，且第一边缘至第三边缘的第一距离不等于第二边缘至第四边缘的第二距离。

在本发明的一些实施例中，还提供电子装置，此电子装置包含前述的显示面板，以及触控感测结构设置在此显示面板的第二基板的面对第一基板的内侧表面上，或设置在第二基板的与内侧表面相反的外侧表面上。

附图说明

图1为一些实施例，显示面板的局部平面示意图；

图2为一些实施例，沿着图1的剖面线a1-a2，显示面板的局部剖面示意图；

图3为另一些实施例，显示面板的局部平面示意图；

图4为一些实施例，沿着图3的剖面线b1-b2，显示面板的局部剖面示意图；

图5A为一些实施例，图1的显示面板的区域A和图3的显示面板的区域B的平面放大示意图；

图5B为另一些实施例，图1的显示面板的区域A和图3的显示面板的区域B的平面放大示意图；

图6为一些实施例，显示面板的亮态穿透率与第一比值参数和第二比值参数的等高图；

图7为一些实施例，显示面板的视角维持率与第一比值参数和第二比值参数的等高图；

图8为一些实施例，显示面板的亮态穿透率与第一偏移参数和第二偏移参数的等高图；

图9为一些实施例，显示面板的暗态穿透率与第一比值参数和第二比值参数的等高图；

图10A为一些实施例，电子装置的示意图；

图10B为一些实施例，沿着图10A的剖面线B-B，电子装置的剖面示意图；

图10C为另一些实施例，沿着图10A的剖面线B-B，电子装置的剖面示意图。

符号说明

100～显示面板；

101～第一基板；102～第二基板；

102F～外侧表面；102B～内侧表面；

103～显示介质层；

104～间隔物；

105～第一绝缘层；106～第二绝缘层；

107～第三绝缘层；108～第四绝缘层；

109～黑色矩阵；

110～数据线；

110-1～第一数据线；110-2～第二数据线；

111～源极电极；

112～第一配向层；

114～第二配向层；

115、117、119、162、180～接孔；

120～扫描线；

121～栅极电极；

130～共用电极线；

140～像素电极；

150～共用电极；

152、152-3、152-4～狭缝；

152-1～第一狭缝；152-2～第一狭缝；

154～开口；

160～漏极电极；

170～主动层；

S1～第一宽度；S2～第二宽度；

a1～第五距离；a2～第六距离；

b1～第一距离；b2～第二距离；

c1～第三距离；c2～第四距离；

E1～第一边缘；E2～第二边缘；

E3～第三边缘；E4～第四边缘；

E5～第五边缘；E6～第六边缘；

E7～第一数据线的最靠近边缘；

E8～第二数据线的最靠近边缘；

P～像素区域；

B～区域；

300～电子装置；

300A～主动区；300B～周边区；

200～触控感测结构。

具体实施方式

图1为依据本发明的一些实施例，显示面板100的局部平面示意图。显示面板100包含多条数据线110，这些数据线110可为非直线布线形式，例如具有弯折曲线的布线形式，但大致上具有一实质上的延伸方向，例如近似于Y轴的延伸方向，并且这些数据线110大致上互相平行。此外，显示面板100还包含多条扫描线120，这些扫描线120可为直线布线形式或非直线布线形式，但大致上具有一实质上的延伸方向，例如近似于X轴的延伸方向，并且这些扫描线120大致上互相平行。

相邻的两条数据线110与相邻的两条扫描线120交错定义出一个像素区域，显示面板100具有多个像素区域。像素区域内包含像素电极(pixel electrode)140和共用电极(common electrode)150，在一些实施例中，显示面板100为边界电场切换(FFS)型显示面板，其具有的像素电极140在一个像素区域内为覆盖部分像素区域的完整区块电极，且相邻像素的像素电极140是互相隔开且电性分离的；而共用电极150在一个像素区域内则具有多个狭缝152，如图1所示，在一些实施例中，共用电极150在一个像素区域内具有三个狭缝152，并且相邻像素的共用电极150是互相连接在一起。依据本发明的一些实施例，共用电极150设置于像素电极140上方，并且像素电极140的边缘位于共用电极150的两个狭缝152内。

此外，如图1所示，在扫描线120下方还具有共用电极线130，共用电极线130大致上具有一实质上与扫描线120相同的延伸方向，例如近似于X轴的延伸方向，共用电极150经由接孔(contact hole)180与共用电极线130电连接。另外，邻近于扫描线120与数据线110的交错处设置有薄膜晶体管(thin-film transistor；TFT)，薄膜晶体管用以控制像素区域，且为与数据线110电连接的开关元件。

薄膜晶体管包含由扫描线120的一部分所构成的栅极电极(gate electrode)121、由数据线110的一部分所构成的源极电极(source electrode)111、漏极电极(drainelectrode)160以及由半导体材料形成的主动层(active layer)170。如图1所示，像素电极140经由接孔162电连接至漏极电极160。另外，共用电极150还具有开口154对应于薄膜晶体管的位置，以避免共用电极150对薄膜晶体管产生电性干扰。

图2为依据本发明的一些实施例，沿着图1的剖面线a1-a2，显示面板100的局部剖面示意图。如图2所示，扫描线120、由扫描线120的一部分所构成的栅极电极121和共用电极线130形成在第一基板101上。在一些实施例中，扫描线120、栅极电极121和共用电极线130可由同一层导电层，例如金属层，经由沉积、光刻与蚀刻制作工艺而形成。

如图2所示，第一绝缘层105形成在扫描线120、栅极电极121和共用电极线130上，位于栅极电极121上方的第一绝缘层105作为栅极介电层。主动层170形成在第一绝缘层105上，在一些实施例中，主动层170的材料为非晶硅(amorphous silicon)。在图2的实施例中，薄膜晶体管为底部栅极薄膜晶体管(bottom-gate TFT)。薄膜晶体管的源极电极111和漏极电极160形成在主动层170上，在一些实施例中，数据线110、由数据线110的一部分所构成的源极电极111以及漏极电极160是由同一层导电层，例如金属层，经由沉积、光刻与蚀刻制作工艺而形成。

如图2所示，第二绝缘层106形成在源极电极111和漏极电极160上，且位于主动层170和第一绝缘层105上。在一些实施例中，作为平坦层的第三绝缘层107形成在第二绝缘层106上(在另一些实施例中，也可以不形成第三绝缘层107)。在第二绝缘层106和第三绝缘层107中形成有接孔162，像素电极140形成在第三绝缘层107上，并顺应地形成在接孔162内，像素电极140经由接孔162电连接至漏极电极160。

如图2所示，第四绝缘层108形成在像素电极140上，并顺应地形成在接孔162内。此外，在第一绝缘层105、第二绝缘层106、第三绝缘层107和第四绝缘层108内形成有接孔180，共用电极150形成在第四绝缘层108上，并顺应地形成在接孔180内，使得共用电极150经由接孔180与共用电极线130电连接。共用电极150在一个像素区域内具有多个狭缝152，并且还可具有开口154对应至薄膜晶体管的位置，以避开薄膜晶体管通道区的位置。

在一些实施例中，像素电极140和共用电极150由透明导电材料制成，例如为铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)，可采用沉积、光刻与蚀刻制作工艺形成像素电极140或共用电极150。在一些实施例中，第一绝缘层105、第二绝缘层106、第三绝缘层107和第四绝缘层108的材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或前述的组合的无机绝缘材料，并且第一绝缘层105、第二绝缘层106、第三绝缘层107和第四绝缘层108的材料可相同或不相同；此外，第一绝缘层105、第二绝缘层106、第三绝缘层107和第四绝缘层108的材料的浓度比例也可不同，例如可通过调整制作各绝缘层的氮或氧气体的浓度或制作工艺时间，使得各绝缘层的材料的浓度比例不同。在一些实施例中，作为平坦层的第三绝缘层107可由有机材料制成，例如为聚氟烷氧基poly fluoro alkoxy，PFA)或是彩色滤光层(Color Filter)材料。

如图2所示，显示面板100还具有第二基板102与第一基板101相对设置，在一些实施例中，第一基板101与第二基板102例如为玻璃基板、塑胶基板、可挠式基板(flexiblesubstrate)或保护封装层(barrier film)。在第一基板101与第二基板102之间夹设有显示介质层103。在一些实施例中，显示介质层103可以是液晶层，并且第二基板102可以是彩色滤光片(color filter；CF)基板，而第一基板101则是薄膜晶体管阵列(TFT Array)基板。在另一些实施例中，彩色滤光层可设置于第一基板101上，例如第三绝缘层107可采用彩色滤光层材料取代之，或者可在第二绝缘层106和第四绝缘层108之间另加一层彩色滤光层。此外，在第一基板101与第二基板102之间还设置有间隔物104，例如为感光间隔物(photospacer)，间隔物104伸入显示介质层103内，通过间隔物104可支撑并决定第一基板101与第二基板102之间的间隔(cell gap)，间隔物104可设置于第一基板101上，或者可设置于第二基板102上，此外，间隔物104可有不同的高度，端视设计需求而定。在间隔物104与第二基板102之间还设置有黑色矩阵(black matrix，BM)109，并且在共用电极150和第四绝缘层108上顺应地形成第一配向层112；在间隔物104、黑色矩阵109和第二基板102上顺应地形成第二配向层114，显示介质层103介于第一配向层112与第二配向层114之间。另外，显示面板100还可包含图2未绘出的其他元件，例如上下偏光板等。在其他实施例中，黑色矩阵109也可设置于第一基板101上，端视设计需求。

图3为依据本发明的另一些实施例，显示面板100的局部平面示意图。在图3的显示面板100中，薄膜晶体管的主动层170是由低温多晶硅(low-temperature polysilicon；LTPS)制成，并且薄膜晶体管为双栅极的顶部栅极薄膜晶体管(top-gate TFT)。依据本揭示的一些实施例，图3的显示面板100为边界电场切换(FFS)型液晶显示面板，共用电极150设置于像素电极140上方，并且像素电极140的邻近数据线110的边缘位于共用电极150的两个狭缝152内。在图3的显示面板100中，扫描线120下方并未设置共用电极线。

图4为依据本发明的一些实施例，沿着图3的剖面线b1-b2，显示面板100的局部剖面示意图。如图4所示，主动层170形成在第一基板101上，第一绝缘层105形成在主动层170上作为和栅极之间的绝缘介电层，由扫描线120的一部分所构成的双栅极电极形成在第一绝缘层105上，第二绝缘层106形成在双栅极上。如图4所示，由扫描线120的一部分所构成的双栅极与主动层170重叠处所产生的通道区位于主动层170上方，故此薄膜晶体管称为顶部栅极薄膜晶体管(top-gate TFT)。此外，在第一绝缘层105和第二绝缘层106中形成有接孔115和117，由数据线110的一部分所构成的源极电极形成在第二绝缘层106上，且顺应地形成在接孔115内而电连接至主动层170。薄膜晶体管的漏极电极160也形成在第二绝缘层106上，并顺应地形成在接孔117内而电连接至主动层170。

如图4所示，第三绝缘层107形成在第二绝缘层106上，并覆盖薄膜晶体管。在第三绝缘层107内形成有接孔119，暴露出漏极电极160的一部分。像素电极140形成在第三绝缘层107上，且顺应地形成在接孔119内，使得像素电极140经由接孔119电连接至漏极电极160。

如图4所示，第四绝缘层108形成在像素电极140上，且顺应地形成在接孔119内。共用电极150形成在第四绝缘层108上，且顺应地形成在接孔119内。共用电极150在一个像素区域内具有多个狭缝152。此外，显示面板100还具有第二基板102与第一基板101相对设置，在第一基板101与第二基板102之间夹设有显示介质层103，例如为液晶层。间隔物104可设置于第一基板101上，或者可设置于第二基板102上，此外，间隔物104可有不同的高度，端视设计需求而定。在间隔物104与第二基板102之间还设置有黑色矩阵(black matrix，BM)109，并且在共用电极150和第四绝缘层108上顺应地形成第一配向层112；在间隔物104、黑色矩阵109和第二基板102上顺应地形成第二配向层114，显示介质层103介于第一配向层112与第二配向层114之间。另外，显示面板100还可包含图4未绘出的其他元件，例如上下偏光板等。

图5A为依据本发明的一些实施例，图1的显示面板100的区域A和图3的显示面板100的区域B的平面放大示意图，矩形的区域A和区域B以矩形的长边垂直于一个像素区域的两个相邻数据线110的延伸方向的方式取得，因此图5A中的各种距离也是由垂直于数据线110的延伸方向的方式来决定。

参阅图5A，第一数据线110-1与第二数据线110-2之间为像素区域P，在一些实施例中，图1和图3所示的共用电极150对应于一个像素区域P内具有三个狭缝152-1至152-3。在一些其他实施例中，如图5B所示，共用电极150对应于一个像素区域P内可具有四个狭缝152-1至152-4。如图5A和图5B所示，共用电极150对应于一个像素区域P内至少包含邻近第一数据线110-1的第一狭缝152-1和邻近第二数据线110-2的第二狭缝152-2。图5A和图5B所示，第一狭缝152-1具有最靠近第一数据线110-1的第一边缘E1以及远离第一数据线110-1的第五边缘E5，该第一边缘E1与该第五边缘指大约实质上平行于第一狭缝152-1的延伸方向的该区段边缘；第二狭缝152-2具有最靠近第二数据线110-2的第二边缘E2以及远离第一数据线110-1的第六边缘E6，该第二边缘E2与该第六边缘E6指大约实质上平行于第一狭缝152-2的延伸方向的该区段边缘。

依据本发明的实施例，在一个像素区域P中，像素电极140具有第三边缘E3位于第一狭缝152-1内，该第三边缘E3指大约实质上平行于第一狭缝152-1的延伸方向的该区段边缘；且像素电极140具有第四边缘E4位于第二狭缝152-2内，该第四边缘E4指大约实质上平行于第一狭缝152-2的延伸方向的该区段边缘。选择像素电极140的边缘E3位于共用电极150的狭缝内，可以让像素电极140的边缘E3不会与共用电极150的狭缝的两个内外侧边缘E1、E5对齐或完全重叠。这是因为当像素电极140的边缘E3与共用电极150的狭缝的内侧边缘E5对齐或完全重叠时，在像素电极140与共用电极150之间产生的边缘电场无法有效驱动液晶，此时显示面板的亮态穿透率与视角维持率都不佳；当像素电极140的边缘E3与共用电极150的狭缝的外侧边缘E1对齐时，则显示面板的视角维持率较差。像素电极140的边缘E4的设置位置也如同上述情况。

上述视角维持率是由θ夹角为45度且Φ夹角为45度时的显示面板的亮度比上θ夹角为45度且Φ夹角为0度时的显示面板的亮度的比值所定义，其中θ夹角为与垂直于显示面板的基板平面方向的夹角(例如和Z轴方向之间的夹角)；而Φ夹角为与显示面板的扫描线实质延伸方向的夹角(例如和X轴方向之间的夹角)。在此实施例中，当θ夹角为45度且Φ夹角为45度时，视角与显示面板的偏光板吸收轴之间的夹角为45度；当θ夹角为45度且Φ夹角为0度时，视角与显示面板的偏光板吸收轴之间的夹角为0度。显示面板的亮度可使用光强度仪器来测量，例如型号为CA210、CS1000或CS2000的光强度仪器。当视角维持率越高，表示显示面板在各种视角越能较为均匀的维持所需要的亮度，具有良好的显示品质。

参阅图5A和图5B，共用电极150具有较为接近第一数据线110-1的第一狭缝152-1，第一狭缝152-1具有与第一边缘E1相反较为远离第一数据线110-1的第五边缘E5，第五边缘E5至像素电极140的第三边缘E3之间的垂直距离为第五距离a1，且第一狭缝152-1具有第一宽度S1。同样地，共用电极150具有较为接近第二数据线110-2的第二狭缝152-2，第二狭缝152-2具有与第二边缘E2相反较为远离第二数据线110-2的第六边缘E6，第六边缘E6至像素电极140的第四边缘E4之间的垂直距离为第六距离a2，且第二狭缝152-2具有第二宽度S2。

参阅图5A和图5B，第一狭缝152-1的第一边缘E1至第一数据线110-1的最靠近边缘E7之间的垂直距离为第三距离c1。同样地，第二狭缝152-2的第二边缘E2至第二数据线110-2的最靠近边缘E8之间的垂直距离为第四距离c2。

同时，请参阅图6和图7，图6为依据本发明的一些实施例，显示面板100的亮态穿透率与纵轴的第一比值参数和横轴的第二比值参数的等高图。第一比值参数为第五距离a1除以第一宽度S1(a1/S1)的百分比，或者第六距离a2除以第二宽度S2(a2/S2)的百分比，本揭示的实施例并不限制上述两种第一比值参数需同时成立或相等，可依设计需求分别设计两种不同的第一比值参数，亦即上述两种第一比值参数可相同或不同；第二比值参数为第三距离c1除以第一宽度S1(c1/S1)的百分比，或者第四距离c2除以第二宽度S2(c2/S2)的百分比，本发明的实施例并不限制上述两种第二比值参数需同时成立或相等，可依设计需求分别设计不同的两种第二比值参数，亦即上述两种第二比值参数可相同或不同。图7为依据本揭示的一些实施例，显示面板100的视角维持率与纵轴的第一比值参数和横轴的第二比值参数的等高图。上述第一比值参数与第二比值参数可依设计需求分别设计，也可互相搭配设计，于此并不限制。

如图6和图7所示，当第一比值参数(a1/S1或a2/S2)等于0％时，亮态穿透率与视角维持率都较为不佳；当第一比值参数(a1/S1或a2/S2)等于100％时，则视角维持率较为不佳。因此，依据本发明的实施例，选择第一比值参数(a1/S1或a2/S2)不等于0％，也不等于100％，亦即使得a1或a2不为0、a1不等于S1，或a2不等于S2，即像素电极140的第三边缘E3或第四边缘E4分别位于共用电极150的第一狭缝152-1和第二狭缝152-2内而没有与共用电极的第一狭缝152-1和第二狭缝152-2大约实质平行狭缝延伸方向的区段边缘重叠，可以让显示面板100具有较佳的亮态穿透率与视角维持率。

另外，参阅图7，在本发明的一些实施例中，当第三距离c1除以第一宽度S1(c1/S1)的百分比大于10％至100％之间(不等于100％)时，显示面板的视角维持率可大于0.90。在另一实施例中，当第四距离c2除以第二宽度S2(c2/S2)的百分比大于10％至100％之间(不等于100％)时，显示面板的视角维持率可大于0.90。

参阅图7，在本发明的另一些实施例中，当第三距离c1除以第一宽度S1(c1/S1)的百分比大于12.5％至100％之间(不等于100％)时，显示面板的视角维持率可大于0.91。在另一实施例中，当第四距离c2除以第二宽度S2(c2/S2)的百分比大于12.5％至100％之间(不等于100％)时，显示面板的视角维持率可大于0.91。

因此，可依据显示面板的视角维持率的需求，来选择第三距离c1除以第一宽度S1(c1/S1)的百分比，或第四距离c2除以第二宽度S2(c2/S2)的百分比。

参阅图7，在本发明的一些实施例中，第五距离a1除以第一宽度S1(a1/S1)的百分比可介于17.5％至98％之间。同样地，第六距离a2除以第二宽度S2(a2/S2)的百分比可介于17.5％至98％之间。这是因为当a1/S1和a2/S2的百分比介于17.5％至98％之间时，显示面板的视角维持率可大于0.91，达到较佳的显示品质。

参阅图5A和图5B，第一边缘E1至第三边缘E3的垂直距离定义为第一距离b1，第二边缘E2至第四边缘E4的垂直距离定义为第二距离b2，依据本发明的一些实施例，第一距离b1不等于第二距离b2。于另一实施例中，第一距离b1与第二距离b2的差距介于0.5μm至20μm之间。又另一实施例中，第一距离b1与第二距离b2的差距介于0.5μm至10μm之间。又另一实施例中，第一距离b1与第二距离b2的差距介于0.5μm至5μm之间。如此当显示面板的制作工艺产生些微变异，而使得显示面板的元件之间发生偏移时，显示面板的亮态穿透率仍位于稳定的区间不会急遽地变化，可维持显示面板的显示品质。

参阅图5A和图5B，共用电极150的第一狭缝152-1具有第一宽度S1，第一狭缝152-1的第一边缘E1至第一数据线110-1的最靠近边缘E7之间的垂直距离为第三距离c1，第一数据线110-1的边缘E7指大约实质上平行于第一狭缝152-1延伸方向的该区段边缘。第一宽度S1的二分之一减去第三距离c1后除以第一宽度S1定义为第一偏移量(M-shift 1)，亦即第一偏移量(M-shift 1)＝(S1/2-c1)/S1。同样地，共用电极150的第二狭缝152-2具有第二宽度S2，第二狭缝152-2的第二边缘E2至第二数据线110-2的最靠近边缘E8之间的垂直距离为第四距离c2，第二数据线110-2的边缘E8是指大约实质上平行于第一狭缝152-2延伸方向的该区段边缘。第二宽度S2的二分之一减去第四距离c2后除以第二宽度S2定义为第二偏移量(M-shift 2)，亦即第二偏移量(M-shift 2)＝(S2/2-c2)/S2。

参阅图5A和图5B，共用电极150的第一狭缝152-1具有第一宽度S1，第一宽度S1的二分之一减去上述定义的第五距离a1后除以第一宽度S1定义为第三偏移量(P-shift 3)，亦即第三偏移量(P-shift 3)＝(S1/2-a1)/S1。于另一实施例中，共用电极150的第二狭缝152-2具有第二宽度S2，第二宽度S2的二分之一减去上述定义的第六距离a2后除以第二宽度S2定义为第四偏移量(P-shift 4)，亦即第四偏移量(P-shift 4)＝(S2/2-a2)/S2。

请参阅图8，图8为依据本发明的一些实施例，显示面板100的亮态穿透率与纵轴的第一偏移参数和横轴的第二偏移参数的等高图，第一偏移参数为第一偏移量(M-shift 1)＝((S1/2)-c1)/S1或第二偏移量(M-shift 2)＝((S2/2)-c2)/S2的百分比，第二偏移参数为第三偏移量(P-shift 3)＝((S1/2)-a1)/S1或第四偏移量(P-shift 4)＝((S2/2)-a2)/S2的百分比。

如图8所示，当第二偏移参数(P-shift 3或P-shift 4)等于0％时，亦即S1/2等于a1或S2/2等于a2，显示面板的亮态穿透率会位于等高线的峰值，只要显示面板的制作工艺发生些微变异，亮态穿透率就会产生急遽变化，因此选择第二偏移参数(P-shift 3或P-shift 4)不等于0％较佳，也即让像素电极140的第三边缘E3或第四边缘E4分别不要位于共用电极150的第一狭缝152-1和第二狭缝152-2的正中央位置，同时，让图5A和图5B所示的第一距离b1不等于第二距离b2，如此可以让显示面板100达到较佳的生产良率。

依据本发明的一些实施例，第三偏移量(P-shift 3)或第四偏移量(P-shift 4)不等于0％，而且也不等于+50％或不等于-50％(不等于+/-50％)。这是因为当第三偏移量(P-shift 3)或第四偏移量(P-shift 4)等于0％时，亦即像素电极140的边缘位于共用电极150的第一狭缝152-1或第二狭缝152-2内的正中央位置时，只要显示面板的制作工艺产生些微变异造成元件之间发生偏移时，则显示面板的亮态穿透率会产生急遽地变化，因此选择第三偏移量(P-shift 3)或第四偏移量(P-shift 4)不等于0％。

另外，当第三偏移量(P-shift 3)或第四偏移量(P-shift 4)等于+/-50％时，表示像素电极140的边缘与共用电极150的第一狭缝152-1或第二狭缝152-2的内侧或外侧区段边缘对齐，此时显示面板的亮态穿透率与视角维持率都不佳，因此选择第三偏移量(P-shift 3)或第四偏移量(P-shift 4)不等于+/-50％，可使得显示面板具有较佳的显示品质。

参阅图8，在本发明的一些实施例中，选择纵轴的第一偏移量(M-shift 1)在+25％至-25％之间，或第二偏移量(M-shift 2)也在+25％至-25％之间，可以让显示面板的亮态穿透率维持在变异程度小的平坦区，如此当显示面板的制作工艺发生变异时，仍可以让显示面板的亮态穿透率保持在所需数值范围内。这是因为在一个像素区域中，左右数据线的极性通常是不同的，因此左右数据线对整个像素的耦合(coupling)量程度也会不同，容易有串音干扰(cross-talk)现象，而当上述第一偏移量(M-shift 1)或第二偏移量(M-shift2)控制在+25％至-25％之间时，显示面板的亮态穿透率的差异程度比较缓和，可维持显示面板的显示品质，也可视设计需求互相混用搭配上述所有设计数值，于此并不限制。

参阅图9，图9为依据本发明的一些实施例，显示面板100的暗态穿透率与纵轴的第一比值参数(a1/S1或a2/S2)和横轴的第二比值参数(c1/S1或c2/S2)的等高图，暗态穿透率越低越好。如图9所示，当第二比值参数(c1/S1或c2/S2)越接近0％时，亦即共用电极150的第一狭缝152-1或第二狭缝152-2分别越靠近第一数据线110-1或第二数据线110-2时，暗态穿透率会急遽地变化，并且显示面板容易发生漏光现象。显示器的需求希望可以有相对较为稳定的穿透率变化，以降低制作工艺变异的影响，因此，选择第二比值参数(c1/S1或c2/S2)大于25％至100％之间(不等于100％)，可使得显示面板100具有较佳的显示品质。

参阅图9，在本发明的另一些实施例中，当第三距离c1除以第一宽度S1(c1/S1)的百分比大于25％至100％(不等于100％)时，显示面板的暗态穿透率可在0.0至0.1之间。同样地，当第四距离c2除以第二宽度S2(c2/S2)的百分比大于25％至100％(不等于100％)时，显示面板的暗态穿透率可在0.0至0.1之间，如此可使得显示面板具有良好的显示品质，不会发生漏光现象。这是因为当共用电极150的第一狭缝152-1的第一边缘E1越靠近第一数据线110-1，或第二狭缝152-2的第二边缘E2越靠近第二数据线110-2时，c1/S1或c2/S2的百分比越接近0％，此时显示面板的亮度会产生急遽变化，使得相邻像素之间的串音干扰(cross-talk)现象容易看到，导致显示品质不良，因此将c1/S1或c2/S2的百分比控制在大于25％可达到较低的暗态穿透率。

图10A为依据本发明的一些实施例，电子装置300的示意图。在一些实施例中，电子装置300为具有触控与显示功能的电子产品，例如手机、平板电脑、行车电脑、影音设备等。如图10A所示，电子装置300具有主动区300A和位于主动区300A外侧的周边区300B，在主动区300A内可执行触控与显示功能，而电子装置300的外框则位于周边区300B。在一实施例中，周边区300b可尽设至于主动区300A的三外侧而无需围绕主动区300A。

图10B为依据本发明的一些实施例，沿着图10A的剖面线B-B，电子装置300的剖面示意图。如图10B所示，电子装置300包含显示面板100，以及触控感测结构200设置在显示面板100的第二基板102的外侧；在一实施例中，触控感测结构200设置在显示面板100的第二基板102的外侧表面102F上(On-cell touch)，第二基板102的内侧表面102B则朝向显示面板100的显示介质层103。在一实施例中，触控感测结构200还包括一保护层(图未示)设至于第二基板102远离显示介质层103的外侧，触控感测结构200设置于第二基板102与一保护层(图未示)之间。在一实施例中，触控感测结构200可以是外挂式触控面板(Out-cellTouch)，经由粘着方式与显示面板100接合。

图10C为依据本发明的另一些实施例，沿着图10A的剖面线B-B，电子装置300的剖面示意图。如图10C所示，电子装置300包含显示面板100，以及触控感测结构200设置在显示面板100的第二基板102的面对第一基板101的内侧表面102B上，在此实施例中，触控感测结构200为设置在显示面板100内的触控层(In-cell Touch)。于另一实施例中，触控感测结构200也可仅设置在显示面板100的第一基板101上(图未示)，此实施例也为设置在显示面板100内的触控层(In-cell Touch)。在另一实施例中，触控感测结构200可分别同时设置于第二基板及第一基板上，在此实施例中，为混合式触控结构(Hybrid Touch)。

综上所述，依据本发明的一些实施例，让显示面板的像素电极的边缘位于共用电极的狭缝内，并且通过调整像素电极的边缘、共用电极的狭缝边缘与数据线的边缘之间的距离关系，可使得显示面板的亮态穿透率和视角维持率都能够保持在相对较为稳定或是较高数的值范围内，或者也让显示面板的暗态穿透率在相对较为稳定或较低数值范围内，由此可提升显示面板的显示品质。上述该些实施例于不冲突的前提下可以互相搭配使用，并不限制只能设计单一实施例的设计值。

虽然结合以上优选实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，在此技术领域中具有通常知识者当可了解，在不脱离本发明的精神和范围内，可做些许更动与润饰。因此，本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (18)

1.一种显示面板，包括：

第一基板；

第二基板，与该第一基板相对设置；

显示介质层，设置于该第一基板与该第二基板之间；

第一扫描线及与该第一扫描线相邻的第二扫描线，设置于该第一基板上；以及

第一数据线及与该第一数据线相邻的第二数据线，设置于该第一基板上；

其中该第一扫描线、该第二扫描线、该第一数据线与该第二数据线交错定义出一像素区域，该像素区域包括：

像素电极，设置于该第一基板上；

共用电极，设置于该像素电极上，该共用电极对应该像素区域内包含第一狭缝与第二狭缝，

其中该第一狭缝邻近该第一数据线，且该第一狭缝具有一最靠近该第一数据线的第一边缘；该第二狭缝邻近该第二数据线，且该第二狭缝具有一最靠近该第二数据线的第二边缘；该像素电极具有一第三边缘位于该第一狭缝内，该像素电极具有一第四边缘位于该第二狭缝内，且该第一边缘至该第三边缘的一第一距离不等于该第二边缘至该第四边缘的一第二距离，其中该第一距离为该第一边缘至该第三边缘的垂直距离且该第二距离为该第二边缘至该第四边缘的垂直距离；

其中该第一狭缝具有一第一宽度，该第一边缘至该第一数据线的最靠近边缘之间的垂直距离为一第三距离，且该第三距离除以该第一宽度的百分比介于10％到100％之间。

2.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一宽度的二分之一减去该第三距离后除以该第一宽度为一第一偏移量，且该第一偏移量在+25％至-25％之间。

3.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二狭缝具有一第二宽度，该第二狭缝的该第二边缘至该第二数据线的最靠近边缘之间为一第四距离，该第二宽度的二分之一减去该第四距离后除以该第二宽度为一第二偏移量，且该第二偏移量在+25％至-25％之间。

4.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二狭缝具有一第二宽度，该第二狭缝的该第二边缘至该第二数据线的最靠近边缘之间为一第四距离，且该第四距离除以该第二宽度的百分比介于25％到100％之间。

5.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一狭缝具有与该第一边缘相反的一第五边缘，该第五边缘至该像素电极的该第三边缘之间为一第五距离，该第五距离除以该第一宽度的百分比介于17.5％至98％之间。

6.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二狭缝具有与该第二边缘相反的一第六边缘，该第六边缘至该像素电极的该第四边缘之间为一第六距离，该第二狭缝具有一第二宽度，该第六距离除以该第二宽度的百分比介于17.5％至98％之间。

7.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一狭缝具有与该第一边缘相反的一第五边缘，该第五边缘至该像素电极的该第三边缘之间为一第五距离，该第一狭缝具有一第一宽度，该第一宽度的二分之一减去该第五距离后除以该第一宽度为一第三偏移量，且该第三偏移量不等于0％，且不等于+/-50％。

8.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二狭缝具有与该第二边缘相反的一第六边缘，该第六边缘至该像素电极的该第四边缘之间为一第六距离，该第二狭缝具有一第二宽度，该第二宽度的二分之一减去该第六距离后除以该第二宽度为一第四偏移量，且该第四偏移量不等于0％，且不等于+/-50％。

9.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一距离与该第二距离的差距介于0.5μm至20μm之间。

10.一种电子装置，包括：

显示面板，包含：

第一基板；

第二基板，与该第一基板相对设置；

显示介质层，设置于该第一基板与该第二基板之间；

第一扫描线及与该第一扫描线相邻的第二扫描线，设置于该第一基板上；以及

第一数据线及与该第一数据线相邻的第二数据线，设置于该第一基板上；

其中该第一扫描线、该第二扫描线、该第一数据线与该第二数据线交错定义出一像素区域，该像素区域包括：

像素电极，设置于该第一基板上；

共用电极，设置于该像素电极上，该共用电极对应该像素区域内包含第一狭缝与第二狭缝，

其中该第一狭缝邻近该第一数据线，且该第一狭缝具有一最靠近该第一数据线的第一边缘；该第二狭缝邻近该第二数据线，且该第二狭缝具有一最靠近该第二数据线的第二边缘；该像素电极具有一第三边缘位于该第一狭缝内，该像素电极具有一第四边缘位于该第二狭缝内，且该第一边缘至该第三边缘的一第一距离不等于该第二边缘至该第四边缘的一第二距离，其中该第一距离为该第一边缘至该第三边缘的垂直距离且该第二距离为该第二边缘至该第四边缘的垂直距离；以及

触控感测结构，设置在该显示面板的该第二基板上，或设置在该第一基板上，

其中该第一狭缝具有一第一宽度，该第一边缘至该第一数据线的最靠近边缘之间的垂直距离为一第三距离，且该第三距离除以该第一宽度的百分比介于10％到100％之间。

11.如权利要求10所述的电子装置，其中该第一宽度的二分之一减去该第三距离后除以该第一宽度为一第一偏移量，且该第一偏移量在+25％至-25％之间。

12.如权利要求10所述的电子装置，其中该第二狭缝具有一第二宽度，该第二狭缝的该第二边缘至该第二数据线的最靠近边缘之间为一第四距离，该第二宽度的二分之一减去该第四距离后除以该第二宽度为一第二偏移量，且该第二偏移量在+25％至-25％之间。

13.如权利要求10所述的电子装置，其中该第二狭缝具有一第二宽度，该第二狭缝的该第二边缘至该第二数据线的最靠近边缘之间为一第四距离，且该第四距离除以该第二宽度的百分比介于25％到100％之间。

14.如权利要求10所述的电子装置，其中该第一狭缝具有与该第一边缘相反的一第五边缘，该第五边缘至该像素电极的该第三边缘之间为一第五距离，该第五距离除以该第一宽度的百分比介于17.5％至98％之间。

15.如权利要求10所述的电子装置，其中该第二狭缝具有与该第二边缘相反的一第六边缘，该第六边缘至该像素电极的该第四边缘之间为一第六距离，该第二狭缝具有一第二宽度，该第六距离除以该第二宽度的百分比介于17.5％至98％之间。

16.如权利要求10所述的电子装置，其中该第一狭缝具有与该第一边缘相反的一第五边缘，该第五边缘至该像素电极的该第三边缘之间为一第五距离，该第一狭缝具有一第一宽度，该第一宽度的二分之一减去该第五距离后除以该第一宽度为一第三偏移量，且该第三偏移量不等于0％，且不等于+/-50％。

17.如权利要求10所述的电子装置，其中该第二狭缝具有与该第二边缘相反的一第六边缘，该第六边缘至该像素电极的该第四边缘之间为一第六距离，该第二狭缝具有一第二宽度，该第二宽度的二分之一减去该第六距离后除以该第二宽度为一第四偏移量，且该第四偏移量不等于0％，且不等于+/-50％。

18.如权利要求10所述的电子装置，其中该第一距离与该第二距离的差距介于0.5μm至20μm之间。

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