CN106371254A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种阵列基板及显示面板。该阵列基板包括由多条扫描线和多条数据线交叉围成的多个子像素,所述多个子像素呈矩阵排列,所述多个子像素包括用于显示不同颜色的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素均包括开口区和非开口区;每个子像素的长宽比大于2:1;所述第四子像素的开口区小于所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素中任意一个子像素的开口区面积;所述阵列基板还包括:彩色滤光层,具有多种颜色的多个色阻。本公开可以改善显示效果。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着光学技术与半导体技术的发展,液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)以及有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Diode,OLED)等平板显示装置由于具有形体更轻薄、成本和能耗更低、反应速度更快、色纯度和亮度更优以及对比度更高等特点,已经被广泛应用于各类电子产品上。
目前,随着显示装置尺寸以及分辨率的不断提高,显示装置的功耗也越来越高,如何有效的降低显示装置的功耗成为现如今的一大问题。相比于传统的标准RGB(红绿蓝)显示装置,标准WRGB(白红绿蓝)显示装置不但提高了显示装置的亮度,同时还可以有效地降低显示装置的功耗,因此受到越来越多的重视。
如图1所示,具有四色子像素110的阵列基板100通过将白色(W)(或黄色(Y))子像素添加到由红(R)、绿(G)、蓝(B)三色子像素组成的传统RGB像素排列中,再以相应的子像素渲染技术,来进行成像。相比RGB三色子像素的设计,四色子像素的设计可以实现更高的分辨率以及更高的光透过率。这是由于背光能通过白色子像素(W)发光,而不被红色子像素(R)、绿色子像素(G)以及蓝色子像素(B)的紧密排列遮挡,显示面板100的光透过率及亮度得到了增加。
然而现有技术中,阵列基板100的四色子像素110的面积相同,且该四色子像素110的开口区112面积也相同,非开口区111面积也相同,以使得四色子像素110具有相同的开口率。
在具有四色子像素110的阵列基板100的实际应用中,阵列基板100显示时所需的白色子像素(W)的亮度一般仅为其最大亮度的一半左右。因此,阵列基板100会存在亮度过剩的问题。此外,对于具有四色子像素110的阵列基板100,在显示单色画面(例如红色画面、绿色画面或蓝色画面)的情况下,由于有四色子像素110的阵列基板100的单色(R/G/B)开口率仅为具有三色子像素的显示面板的3/4,因此,会存在亮度较低的问题。同时,在子像素的开口区面积较大时,黑矩阵(black matrix,BM)相应的变细,堪盒精度会成为影响开口率的高权重因素。而当堪盒精度较差时,黑矩阵会部分遮挡子像素的开口区,降低了子像素的开口率,从而导致显示面板的光透过率降低。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板及显示面板,用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰,或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一个方面,提供一种阵列基板,包括由多条扫描线和多条数据线交叉围成的多个子像素,所述多个子像素呈矩阵排列,所述多个子像素包括用于显示不同颜色的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素均包括开口区和非开口区;每个子像素的长宽比大于2:1;所述第四子像素的开口区小于所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素中任意一个子像素的开口区面积;所述阵列基板还包括:彩色滤光层,具有多种颜色的多个色阻。
在本公开的一种示例性实施例中,每个子像素的长宽比为3:1。
在本公开的一种示例性实施例中,所述多个子像素组成多个像素组,每个所述像素组包括四个所述子像素,其中每个所述像素组内的四个所述子像素中的一个为所述第四子像素,每个像素组还包括至少一个显示元件,并且所述至少一个显示元件位于所述第四子像素的非开口区。
在本公开的一种示例性实施例中,所述色阻包括红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻,其中所述红色色阻、所述绿色色阻和所述蓝色色阻的厚度不同。
在本公开的一种示例性实施例中,相邻两个相同颜色色阻之间节距是相邻两个子像素之间节距的4倍。
在本公开的一种示例性实施例中,所述多个色阻中的至少两个彼此交叠以形成交叠部分;其中,所述交叠部分至少部分地设置于所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的非开口区上方。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第四子像素的非开口区上方至少部分地设置黑矩阵,并且所述黑矩阵和色阻的所述交叠部分不重叠。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示元件为支撑柱,所述支撑柱环绕所述第四子像素的开口区设置,每个所述第四子像素的非开口区对应设置所述支撑柱。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第四子像素的非开口区上方设置黑矩阵,所述阵列基板还包括:设置于所述支撑柱和所述黑矩阵之间的有机膜绝缘层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述支撑柱为无色透明材料。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的其中之一,并且三者各不相同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第四子像素为白色子像素、黄色子像素或者绿色子像素中的任意一种。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:基板;薄膜晶体管驱动层,位于所述基板和所述彩色滤光层之间,所述薄膜晶体管驱动层包括:第一导电层;第二导电层;半导体层;以及第一绝缘层;其中,所述半导体层至少与所述第一导电层和所述第二导电层其中之一通过所述第一绝缘层保持绝缘,且所述半导体层与所述第一导电层和所述第二导电层至少有部分交叠。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一导电层和所述第二导电层的厚度不同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:液晶驱动层,位于所述彩色滤光层之上,所述液晶驱动层包括:第一透明导电层;第二透明导电层;以及第二绝缘层,所述第二绝缘层设置所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的厚度不同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材质相同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层中的至少一个包括多个条形电极,其中包括所述多个条形电极的导电层中的相邻两个条形电极与所述第一透明导电层和所述第二透明导电层中的另一导电层交叠。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:绝缘保护层,设置于包括所述多个条形电极的透明导电层之上。
根据本公开的一个方面,提供一种显示面板,包括:一根据上述的阵列基板;相对所述阵列基板设置的对置基板;设置于所述阵列基板和所述对置基板之间的液晶层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述对置基板包括第一配向膜和透明基板。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板包括第二配向膜。
与现有技术相比,一方面,本公开实施例通过改变个子像素的长宽比,在相同分辨率的情况下,可以增加阵列基板的子像素的数量,使得显示画面更加细腻,提升显示效果。再一方面,本公开实施例通过使第四子像素的开口区面积小于其他子像素中任一子像素的开口区面积,来减少第四子像素发光时亮度过剩的问题。另一方面,本公开实施例通过将彩色滤光层设置于阵列基板上,解决了堪盒精度较差时,黑矩阵部分遮挡子像素的开口区的问题,从而能够进一步提高显示面板的光透过率,改善显示效果。
在本公开的另一些实施例中,通过将至少一个显示元件设置在第四子像素的非开口区以进一步增大第一至第三子像素的开口区的面积,可以增加显示第一(第二或第三)子像素颜色画面的亮度。
在本公开的另一些实施例中,通过采用不透光的色阻交叠部分取代部分的黑矩阵,能够节省材料。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例性实施例,本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1示出了现有技术的阵列基板的示意图。
图2示出了根据本发明实施例的阵列基板的示意图。
图3示出了根据本发明第一实施例的阵列基板的示意图。
图4示出了根据本发明第二实施例的阵列基板的示意图。
图5A-5F示出了根据本发明实施例的阵列基板中的第四子像素的截面图。
图6示出了根据本发明实施例的阵列基板的截面图。
图7示出了根据本发明实施例的薄膜晶体管驱动层的截面图。
图8示出了根据本发明实施例的液晶驱动层的截面图。
图9A-9E示出了根据本发明实施例的彩色滤光层的俯视图。
图10示出了根据本发明实施例的显示面板的示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例性实施例。然而,示例性实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例性实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中,为了清晰,夸大、变形或简化了形状尺寸。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
此外,所描述的特征、结构或步骤可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、步骤、结构等。
本公开提供了一种阵列基板及显示面板,该阵列基板包括由多条扫描线和多条数据线交叉围成的多个子像素,所述多个子像素呈矩阵排列,所述多个子像素包括用于显示不同颜色的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素均包括开口区和非开口区;每个子像素的长宽比大于2:1;所述第四子像素的开口区小于所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素中任意一个子像素的开口区面积;所述阵列基板还包括:彩色滤光层,具有多种颜色的多个色阻。
下面结合图2描述本发明提供的阵列基板。图2示出根据本发明实施例的一种阵列基板200的示意图。
阵列基板200包括由多条扫描线230和多条数据线220交叉围成的多个子像素210。多个子像素210呈行列矩阵排列。多个子像素210包括用于显示不同颜色的第一子像素P1、第二子像素P2、第三子像素P3和第四子像素P4。每个子像素210的长宽比大于2:1。在一些实施例中,各子像素210的长宽比可为3:1。这里可以定义阵列基板上的扫描线230向右延伸方向(行方向)为各子像素210的宽,数据线220向下延伸方向(列方向)为各子像素210的长。在一些实施例中,第一子像素P1、第二子像素P2、第三子像素P3分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的其中一种,并且三者各不相同。在另一些实施例中,第四子像素P4为白色子像素或者黄色子像素。
在图2所示的实施例中,在呈行列矩阵排列的多个子像素210中,第四子像素P4在矩阵的行方向和列方向上间隔排列。换言之,第四子像素P4在矩阵的行方向和列方向上都不邻接。在行方向和列方向中的任一方向上相邻的两个第四子像素P4之间可以包括一个或多个其他子像素。
在图2所示的实施例中,呈矩阵排列的多个子像素210在矩阵的行方向上,按第一子像素P1、第二子像素P2、第三子像素P3和第四子像素P4的顺序交替循环排列。相邻的两行子像素错位两个子像素210排列(例如,第一行的第一子像素P1与第二行的第三子像素P3对齐)。各行子像素中的各子像素在列方向上隔行对齐(例如,第一行的第一子像素P1与第三行的第一子像素P1对齐)。图2仅仅示出本发明示意性的子像素排列方式,各子像素的数量、行和列的数量及子像素的形状并非以此为限,本领域技术人员还可以实现更多不同的子像素排列方式,在此不予赘述。
在图2所示的实施例中,第一子像素P1、第二子像素P2、第三子像素P3和第四子像素P4均包括开口区212和非开口区211。第四子像素P4的开口区212小于第一子像素P1、第二子像素P2、第三子像素P3中任意一个子像素的开口区212面积。在本实施例中,示出第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的开口区面积相等。换言之,在本实施例中,第四子像素P4的开口区212小于其他子像素的开口区212面积。在一些实施例中,第四子像素P4的开口区面积大于等于第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的平均开口区面积的三分之一,以在成像对各子像素渲染时,能够实现较高的分辨率。
本发明实施例通过使第四子像素P4的开口区212面积小于其他子像素的开口区212面积,进而减少第四子像素P4亮度过剩的问题。
进一步地,多个子像素210组成多个像素组。每个像素组包括四个子像素210。其中,每个像素组内的四个子像素210中的一个为第四子像素P4。在一些实施例中,每个像素组包括一个第一子像素P1、一个第二子像素P2、一个第三子像素P3和一个第四子像素P4。在另一些实施例中,每个像素组包括一个第一子像素P1(或一个第三子像素P3)、两个第二子像素P2及一个第四子像素P4。
在一些实施例中,每个像素组还包括至少一个显示元件。各像素组内的至少一个显示元件位于第四子像素P4的非开口区211。显示元件可以为薄膜晶体管、像素电极过孔、数据线引出孔及支撑柱中任意一种或者多种。像素电极过孔为子像素的像素电极与薄膜晶体管的漏极的电连接结构。薄膜晶体管的源极通过数据线引出孔与一条数据线电连接。下面分别以包括每个像素组包括四个薄膜晶体管或者每个像素组包括一个支撑柱为例进行示意性说明。
本发明实施例通过使像素组内至少一个显示元件位于第四子像素P4的非开口区211,使得其他子像素开口区212的面积相比现有技术有所增大,进而增大了其他子像素的开口率,在阵列基板200显示单色(第一子像素的颜色/第二子像素的颜色/第三子像素的颜色)时,可以缓解亮度较低的显示问题。
下面通过本发明提供的二个实施例来说明显示元件的具体设置。
首先参见图3,图3示出本发明第一实施例的阵列基板300。图3所示的阵列基板300与图2所示的阵列基板200结构类似。具体而言,以一个像素组340为例,进行说明。像素组340包括一个第一子像素P1、一个第二子像素P2、一个第三子像素P3及一个第四子像素P4。每个子像素310包括像素电极。像素组340内,各子像素呈“T”字型排列,第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3分别位于第四子像素P4的周围。在像素组340内包括在第四子像素P4的非开口区311内的四个显示元件313。显示元件313可为薄膜晶体管。各薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极。四个薄膜晶体管313的漏极分别与像素组340的四个子像素310的像素电极电连接。
在图3所示的实施例中,像素组340内的四个薄膜晶体管313的栅极和源极分别连接不同的扫描线和数据线组合,漏极分别与第四子像素P4的像素电极、与第四子像素P4在矩阵的行方向上相邻的两个子像素(例如P3及P1)的像素电极以及与第四子像素P4在矩阵的列方向上相邻的一个子像素(例如P2)的像素电极电连接,以分别与像素组340的四个子像素对应,进而使像素组340内的四个子像素呈“T”字型排列。
为了清楚起见,图3中仅示出像素组340中薄膜晶体管313的电连接。本领域技术人员可以按照像素组340的描述实现其他像素组的子像素排列及薄膜晶体管313的电连接。例如,图3中其他像素组中的四个子像素可以呈“T”字型(或倒“T”字型)排列,四个薄膜晶体管313的电连接与像素组340类似,在此不予赘述。
在另一些实施例中,像素组340内的四个薄膜晶体管313的栅极和源极分别连接不同的扫描线和数据线组合,薄膜晶体管313的漏极分别与第四子像素P4的像素电极、与第四子像素P4在矩阵的列方向上相邻的一个子像素(例如P2)的像素电极、与第四子像素P4在矩阵的行方向上相邻的一个子像素(例如P3)的像素电极以及与上述除第四子像素P4外的两个子像素都相邻的一个子像素(例如P1)的像素电极电连接,以与上述像素组340的四个子像素对应,进而使像素组340内的四个子像素呈“口”字型排列。
图3所示实施例通过使像素组内与四个子像素电连接的四个薄膜晶体管313位于第四子像素P4的非开口区311,使得其他子像素开口区312的面积相比现有技术有所增大,进而增大了其他子像素的开口率。
下面参见图4,图4示出本发明第二实施例的阵列基板400。图4所示的阵列基板400与图2所示的阵列基板200结构类似。具体而言,以一个像素组440为例进行说明。像素组440包括一个第一子像素P1、一个第二子像素P2、一个第三子像素P3及一个第四子像素P4。像素组440内,各子像素呈“口”字型排列。在像素组440内包括在第四子像素P4的非开口区411内的一个显示元件413。显示元件413可为支撑柱。
在示例性实施例中,支撑柱413为无色透明材料。因此,可以放置在第四子像素P4上而不影响光透过率。
在图4所示的实施例中,仅在第四子像素P4具有支撑柱413,而在各第一至第三子像素P1-P3不具有支撑柱,从而可以进一步提高阵列基板400的光透过率。
在图4所示的实施例中,每个第四子像素P4的非开口区411对应设置一个支撑柱413,该一个支撑柱413与其所在的第四子像素P4关联。各第四子像素P4的非开口区411内的一个支撑柱413设置在第四子像素P4的非开口区411内,同时支撑柱413环绕第四子像素P4的开口区412设置。
图4仅示出子像素按“口”字型排列的像素组,本发明并非以此为限。本领域技术人员还可以实现按“T”字型排列,在此不予赘述。
具体而言,图4所示实施例通过使像素组内的一个支撑柱位于第四子像素P4的非开口区411,使得其他子像素开口区412的面积相比现有技术有所增大,进而增大了其他子像素的开口率。
此外,上述图4所示的实施例将支撑柱作为显示元件的实施例相比图3所示的实施例将薄膜晶体管作为显示元件相比,有助于保持子像素内存储电容的一致性。
图5A-5F示出了根据图4所示的阵列基板中的一个第四子像素P4沿A-A线的截面图。
下面参见图5A,第四子像素P4的非开口区411上方设置黑矩阵511。黑矩阵511的下方设置有阵列基板的其他膜层512。黑矩阵511之上设置有支撑柱413。在图5A所示的实施例中,支撑柱413的垂直投影面积小于黑矩阵511的垂直投影面积。
参考图5B所示,其与图5A的不同之处在于,支撑柱413除了设置于黑矩阵511之上,还有一部分黑矩阵511设置于其他膜层512之上。其中支撑柱413的垂直投影面积大于黑矩阵511的垂直投影面积。
参考图5C所示,阵列基板400还包括设置于支撑柱413和黑矩阵511之间的有机膜绝缘层513。其中支撑柱413和黑矩阵511通过有机膜绝缘层513不直接接触。在图5C所示的实施例中,支撑柱413的垂直投影面积小于黑矩阵511的垂直投影面积。
参考图5D所示,其与图5C的不同之处在于,支撑柱413除了设置于黑矩阵511之上,还有一部分设置于有机膜绝缘层513之上。其中支撑柱413的垂直投影面积大于黑矩阵511的垂直投影面积。
参考图5E所示,其与图5D的不同之处在于,黑矩阵511与支撑柱413直接接触。
参考图5F所示,其与图5E的不同之处在于,支撑柱413仅设置于黑矩阵511的上方,而图5E的实施例中,支撑柱413还有一部分设置于有机膜绝缘层513之上。
需要说明的是,本公开并不局限于上述图5A-图5F所绘示的示例实施例。
进一步地,通过图6说明阵列基板600的层叠结构。为了清楚起见,图6仅仅是示意性得说明阵列基板600各层在剖面方向的位置关系,其与图4所示的阵列基板400在阵列基板400所在平面内的位置关系并非一一对应。
如图6所示,阵列基板600包括基板610、位于基板610上的薄膜晶体管驱动层620及位于薄膜晶体管驱动层620上的彩色滤光层630,还包括位于彩色滤光层630上的液晶驱动层640。彩色滤光层630可以包括多种颜色的多个色阻。薄膜晶体管驱动层620可包括栅线、数据线、薄膜晶体管等有源器件所需的基本膜层,其作用是控制各子像素的工作状态。
在示例性实施例中,该彩色滤光层630还包括有机膜或者钝化层。其中,所述有机膜或钝化层位于色阻远离基板610的一侧。
在示例性实施例中,基板610的材料可以为玻璃基板或者石英基板。
本发明实施例通过将薄膜晶体管驱动层620和彩色滤光层630制备在同一基板610上,由于薄膜晶体管与彩色滤光层630之间的对位精度高,使得彩色滤光层630的黑矩阵细化成为可能,从而使得阵列基板600获得更高的开口率。
本公开实施例提供的阵列基板,对其类型不作具体限制。例如,可以为顶栅型阵列基板,也可以为底栅型阵列基板,对此需要根据实际应用进行选取。
下面的实施例中以该阵列基板600为底栅型阵列基板为例进行说明。
图7是本公开示例性实施例中薄膜晶体管驱动层620的截面图。
参考图7所示,该薄膜晶体管驱动层620至少包括第一导电层625、第二导电层623、半导体层627以及第一绝缘层621。
其中半导体层627至少与第一导电层625和第二导电层623其中之一通过第一绝缘层621保持绝缘,且半导体层627与第一导电层625和第二导电层623其中之一至少有部分交叠。
例如,图7所示的实施例中,半导体层627与第二导电层623不直接搭接,而是通过第一绝缘层621与之保持绝缘,并且半导体层627与第一导电层625至少有一部分交叠。
在示例性实施例中,第一导电层625和第二导电层623的厚度不同。不同的厚度可以形成不同的电阻阻值,从而达到节省材料的效果。
在示例性实施例中,第一导电层625和第二导电层623可以是金属。
在示例性实施例中,半导体层627可以是非晶硅、低温多晶硅、金属氧化物或低温多晶氧化物等中的任意一种。半导体层627设置有多个有源区。
在示例性实施例中,第一绝缘层621可以是氮化硅或氧化硅或者其他适合作绝缘层的氮氧化合物。
在示例性实施例中,第一导电层625和第二导电层623所形成的走线不平行。
在示例性实施例中,第一导电层625和第二导电层623所形成的走线,至少有一部分是相互垂直的。
在示例性实施例中,第一导电层625和第二导电层623中有一层包含铝或者铜。
图8是本公开示例性实施例中液晶驱动层640的截面图。
参考图8所示,该液晶驱动层640包括:第一透明导电层641;第二透明导电层645;以及第二绝缘层643。该液晶驱动层640的作用是控制盒内的液晶。
其中第二绝缘层643设置于第一透明导电层641和第二透明导电层645之间。
在示例性实施例中,第一透明导电层641和第二透明导电层645的厚度不同。不同的厚度可以形成不同的电阻阻值,从而达到节省材料的效果。
在示例性实施例中,第二绝缘层643的厚度大于第一透明导电层641和第二透明导电层645的厚度。
在示例性实施例中,第一透明导电层641和第二透明导电层645的材质相同。
在一些实施例中,第一透明导电层641和第二透明导电层645其中之一为公共电极,另一为像素电极。
本发明其它实施例中,公共电极和像素电极可以由透明导电金属氧化物制作而成,例如由铟锡氧化物制作。第二绝缘层643可以由氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等材料制作。上述各层的上下位置可以对应调整,在此不一一赘述。
在示例性实施例中,第一透明导电层641和第二透明导电层645中的至少一个包括多个条形电极;其中包括所述多个条形电极的透明导电层中的相邻两个条形电极与另一透明导电层交叠。
在示例性实施例中,该液晶驱动层640还包括绝缘保护层647,绝缘保护层647设置于包括所述多个条形电极的透明导电层之上。例如,图7中,绝缘保护层647设置于第二透明导电层645之上,具有防止刮伤的作用。
继续参考图8,将该液晶驱动层640沿某一个方向进行切割,从断面上看,第二透明导电层645是间断的,其间断的若干个间隙中,至少有一个间隙(间隙A),是第一透明导电层641相交叠的。
其中这层间断的第二透明导电层645位于第一透明导电层641的远离基板610的一侧。
另外,本公开实施例对其公共电极和像素电极的位置不作限定。
其中,自阵列基板600的透光方向,像素电极位于公共电极上方或者公共电极位于像素电极的上方或者公共电极和像素电极同层设置,且像素电极和公共电极之间相互绝缘。
图9A-9E示出了根据本发明实施例的彩色滤光层的俯视图。其中彩色滤光层的多个色阻中的至少两个彼此交叠以形成交叠部分。即,交叠部分可以是任意两种颜色的色阻彼此交叠形成,或者三种颜色的色阻彼此交叠而形成。其中,所述交叠部分至少部分地设置于第一子像素P1、第二子像素P2、第三子像素P3和第四子像素P4的非开口区上方。
在图9A-9E的实施例中,彩色滤光层的多个色阻可包括红色色阻(R)、绿色色阻(G)、蓝色色阻(B)和白色色阻(W),其中红色色阻(R)、绿色色阻(G)以及蓝色色阻(B)作用是使从背光发出的白光带上红绿蓝颜色。红色色阻的透光部分(非色阻交叠部分)对应设置于第一子像素P1的开口区上方,蓝色色阻的透光部分对应设置于第二子像素P2的开口区上方,蓝色色阻的透光部分对应设置于第三子像素P3的开口区上方,白色色阻的透光部分对应设置于第四子像素P4的开口区上方。这里所说的不同颜色的透光部分分别对应到图9A-9E的白底矩形图案部分。
在一些实施例中,所述色阻可以包括以下四种颜色:红色、绿色、蓝色、黄色。在另一些实施例中,所述色阻包括以下四种颜色:红色、绿色、蓝色、洋红色。在本公开实施例中,对色阻包括的颜色不做进一步的限定,且各个颜色种类彼此之间交叠不做进一步的限定。
在一些实施例中,红色色阻和绿色色阻、绿色色阻和蓝色色阻、蓝色色阻和红色色阻彼此交叠形成交叠部分。由于色阻存在部分交叠,而交叠区域几乎不透光,因此可以用色阻交叠部分取代部分黑矩阵。
在示例性实施例中,所述红色色阻、所述绿色色阻和所述蓝色色阻的厚度不同。由于不同颜色的光透过率不同,通过将红色、绿色和蓝色色阻的厚度设置为不同,可以进一步改善显示效果。
在一些实施例中,第四子像素P4的非开口区上方至少部分地设置黑矩阵。在另一些实施例中,黑矩阵和色阻的交叠部分不重叠。其中,黑矩阵和色阻的交叠部分不重叠,即假设当第四子像素P4的非开口区中的一部分采用黑矩阵遮光,另一部分采用色阻交叠部分遮光,则采用黑矩阵的非开口区上方不包含色阻交叠部分;同样的,采用色阻交叠部分的非开口区上方不包含黑矩阵。
在示例性实施例中,相邻两个相同颜色色阻之间节距是相邻两个子像素区域之间节距(pitch)的4倍。
所述黑矩阵的具体材料可以是有机的,也可以是无机的,例如可以为含铬的无机黑色材料。具体采用的工艺方法可以为染料法,颜料分散法,印刷法或电沉积法。
参考图9A所示,各子像素(P1-P4)沿行方向相邻的非开口区(图中用黑底矩形图案表示)采用色阻交叠部分遮光,而各子像素的沿列方向相邻的非开口区(图中用黑色表示)采用黑矩阵遮光。
参考图9B所示,其与图9A所示的实施例的区别之处在于,各子像素的沿列方向相邻的非开口区(图中用黑底矩形图案表示)也采用色阻交叠部分遮光,仅各第四子像素P4的开口区的上方和下方各有一矩形的黑矩阵(图中用黑色表示)遮光。
参考图9C所示,其与图9A所示的实施例的区别之处在于,各第四子像素P4沿行方向的非开口区以及与其相邻的第一至第三子像素的非开口区部分均采用黑矩阵(图中用黑色表示)遮光。
参考图9D所示,其与图9C所示的实施例的区别之处在于,各子像素的沿列方向相邻的非开口区(图中用黑底矩形图案表示)也采用色阻交叠部分遮光,各第四子像素P4的开口区的上、下、左、右方向各有一矩形的黑矩阵(图中用黑色表示)遮光。
参考图9E所示,其与上述实施例的区别之处在于,各子像素的非开口区全部采用色阻交叠部分遮光,这样完全不需要进行黑矩阵(BM)的制作,节省了BM工序,提高了产能。
需要说明的是,上述图9A-9E绘示的彩色滤光层均为示例性举例说明,实际上色阻交叠部分和黑矩阵共同设置于第一至第四子像素的非开口区上方可以进行任意组合,本公开对此不作限定。
上述各个附图仅仅是示意性地示出本发明提供的阵列基板的示意图及部分组件的示意图。为了清楚起见,省略了部分元件,并简化各膜层。本领域技术人员可以根据本文描述实现更多的变化例。例如,增加部分元件或改变部分元件的形状,在不脱离本发明的主旨的前提下,这些变化方式都在本发明的保护范围内,在此不予赘述。
根据本发明的又一方面,还提供一种包括上述阵列基板的显示面板。如图10所示,显示面板700包括上述的阵列基板710、相对阵列基板710设置的对置基板720;设置于阵列基板710和对置基板720之间的液晶层730。
在示例性实施例中,对置基板720包括第一配向膜721和透明基板722。
在示例性实施例中,阵列基板710包括第二配向膜711。
在一些实施例中,阵列基板710和对置基板720可通过封框胶对位贴合,封框胶可位于阵列基板710和对置基板720的边缘处。在对置基板720的面向阵列基板710的表面上,还设置有支撑柱。支撑柱用来保持由对置基板720、阵列基板710和封框胶围成的容置空间的高度,保证置于其间的液晶层730的厚度,保证显示过程中光程的统一。
可选地,显示面板700集成有处理器,以对显示在显示面板700上的图像进行控制和处理,在此不予赘述。
该显示面板可以适用于液晶显示面板或者,在本公开的其他示例性实施例中,该显示面板也可能是PLED(Polymer Light-Emitting Diode,高分子发光二极管)显示面板、PDP(Plasma Display Panel,等离子显示)显示面板等其他平板显示面板,即本示例实施方式中并不特别局限适用范围。
由于该阵列基板的具体实施方式已经在上述相关示例性实施例中进行了详细的描述,因此此处不再赘述。
本示例性实施例中的阵列基板及显示面板中,一方面,改变子像素的长宽比可以增加子像素的个数,从而提高显示效果的细腻程度;另一方面,另一方面,通过使第四子像素的开口区面积小于其他子像素中任一子像素的开口区面积,来减少第四子像素发光时亮度过剩的问题。再一方面,通过将彩色滤光层结合到阵列基板上集成,来提高显示面板的光透过率,防止黑矩阵部分遮挡开口区。此外,本公开还可以通过将显示元件设置在第四子像素的非开口区以进一步增大第一至第三子像素的开口区的面积,可以增加显示第一(第二或第三)子像素颜色画面的亮度。再者,本公开还可以通过用色阻交叠部分至少部分地取代黑矩阵,能够进一步的提升显示效果。另外,可以通过仅在第四子像素的非开口区设置圈状的无色透明的支撑柱,可以进一步提高光透过率。
本公开已由上述相关实施例加以描述,然而上述实施例仅为实施本公开的范例。必需指出的是,已揭露的实施例并未限制本公开的范围。相反地,在不脱离本公开的精神和范围内所作的更动与润饰,均属本公开的专利保护范围。
Claims (22)
1.一种阵列基板,包括由多条扫描线和多条数据线交叉围成的多个子像素,所述多个子像素呈矩阵排列,所述多个子像素包括用于显示不同颜色的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;其特征在于:
所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素均包括开口区和非开口区;
每个子像素的长宽比大于2:1;
所述第四子像素的开口区小于所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素中任意一个子像素的开口区面积;
所述阵列基板还包括:
彩色滤光层,具有多种颜色的多个色阻。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个子像素的长宽比为3:1。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多个子像素组成多个像素组,每个所述像素组包括四个所述子像素,其中每个所述像素组内的四个所述子像素中的一个为所述第四子像素,每个像素组还包括至少一个显示元件,并且所述至少一个显示元件位于所述第四子像素的非开口区。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述色阻包括红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻,其中所述红色色阻、所述绿色色阻和所述蓝色色阻的厚度不同。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,相邻两个相同颜色色阻之间节距是相邻两个子像素之间节距的4倍。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多个色阻中的至少两个彼此交叠以形成交叠部分;其中,所述交叠部分至少部分地设置于所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的非开口区上方。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第四子像素的非开口区上方至少部分地设置黑矩阵,并且所述黑矩阵和色阻的所述交叠部分不重叠。
8.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述显示元件为支撑柱,所述支撑柱环绕所述第四子像素的开口区设置,每个所述第四子像素的非开口区对应设置所述支撑柱。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第四子像素的非开口区上方设置黑矩阵,所述阵列基板还包括:
设置于所述支撑柱和所述黑矩阵之间的有机膜绝缘层。
10.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述支撑柱为无色透明材料。
11.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的其中之一,并且三者各不相同。
12.根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述第四子像素为白色子像素、黄色子像素或者绿色子像素中的任意一种。
13.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
基板;
薄膜晶体管驱动层,位于所述基板和所述彩色滤光层之间,所述薄膜晶体管驱动层包括:
第一导电层;
第二导电层;
半导体层;以及
第一绝缘层;
其中,所述半导体层至少与所述第一导电层和所述第二导电层其中之一通过所述第一绝缘层保持绝缘,且所述半导体层与所述第一导电层和所述第二导电层至少有部分交叠。
14.根据权利要求13所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层和所述第二导电层的厚度不同。
15.根据权利要求13所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
液晶驱动层,位于所述彩色滤光层之上,所述液晶驱动层包括:
第一透明导电层;
第二透明导电层;以及
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间。
16.根据权利要求15所述的阵列基板,其特征在于,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的厚度不同。
17.根据权利要求15所述的阵列基板,其特征在于,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材质相同。
18.根据权利要求15所述的阵列基板,其特征在于,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层中的至少一个包括多个条形电极,其中包括所述多个条形电极的导电层中的相邻两个条形电极与所述第一透明导电层和所述第二透明导电层中的另一导电层交叠。
19.根据权利要求18所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:绝缘保护层,设置于包括所述多个条形电极的透明导电层之上。
20.一种显示面板,其特征在于,包括:
一根据权利要求1-19任意一项所述的阵列基板;
相对所述阵列基板设置的对置基板;
设置于所述阵列基板和所述对置基板之间的液晶层。
21.根据权利要求20所述的显示面板,其特征在于,所述对置基板包括第一配向膜和透明基板。
22.根据权利要求20所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括第二配向膜。
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