CN1949068A - 半穿透半反射显示器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半穿透半反射显示器包含扫描线、数据线设置在基板上，并且扫描线及数据线形成多个像素区域。该多个像素区域具有多个次像素区域，该多个次像素区域中的至少三个为彩色次像素区域，并且至少一个为第四次像素区域，以及多个开关元件用以分别控制该彩色次像素区域及第四次像素区域。

Description

半穿透半反射显示器

技术领域

本发明涉及一种半穿透半反射显示器，尤其涉及一种像素区域内有至少三个彩色子像素区域以及至少一个第四子像素区域的半穿透半反射显示器。

背景技术

薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)液晶显示器(liquid crystal display，LCD)一般可分为以环境光线作为光源的反射式薄膜晶体管液晶显示器，以及利用背光模块作为光源的穿透式薄膜晶体管液晶显示器，和另一种介于两者之间的半穿透半反射(trans-reflective)薄膜晶体管液晶显示器。

一般而言，在穿透式薄膜晶体管液晶显示器中，背光源所产生的光线仅有少部分真正被应用在显示面板上，其余的光能量均在光经过穿透光学膜层与液晶显示面板的传送过程中被吸收。另外，穿透式薄膜晶体管液晶显示器在阳光下或者是高亮度环境的对比过低，常导致使用者无法清楚看到面板的显示情况。为了解决上述问题，现今的液晶显示器多采用半穿透半反射显示器的设计。

但是，随着液晶显示器分辨率(resolution)的提高，像素(pixel)越做越小，但是，因为像素内的薄膜晶体管仍因工艺限制无法缩小体积，所以薄膜晶体管占像素区域的比例相对变高，这使得液晶显示器的开口率(open ratio)相对下降。因此如何设计出可增加开口率的半穿透半反射显示器对相关领域来说显得相当重要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半穿透半反射显示器以解决上述问题。

本发明公开的一种半穿透半反射显示器包含位于基板上的多条沿第一方向设置的扫描线(scan line)，位于基板上的多条沿第二方向设置的数据线(dataline)，并且扫描线及数据线形成多个像素区域。该多个像素区域具有多个子像素(sub-pixel)区域，该多个子像素区域中至少有三个彩色子像素区域并至少有一个第四子像素区域，以及多个开关组件用以分别控制彩色子像素区域及第四子像素区域。

本发明的另一公开的半穿透半反射显示器包含位于基板上的多条沿第一方向设置的扫描线，位于基板上的多条沿第二方向设置的数据线，并且扫描线及数据线形成多个像素区域。该多个像素区域具有多个子像素区域，该多个子像素区域中至少有三个彩色子像素区域，且相对应于彩色子像素区域的子像素区域中至少有一个第四子像素区域，其中彩色子像素区域为穿透区域，其具有一穿透电极，以及多个开关组件用于分别控制彩色子像素区域的穿透区域及第四子像素区域。

由于本发明将控制彩色、无色子像素区域的薄膜晶体管均设置在反射区域的无色子像素区域中，因此可使穿透区域的彩色子像素区域的开口率得到有效提高。

为了使本发明的目的、特征和优点能够明显易懂，以下将举出优选实施例，并结合附图进行详细说明。

附图说明

图1所示为本发明一优选实施例的半穿透半反射显示器结构示意图；

图2至图6所示为图1的半穿透半反射显示器中突出物、狭缝和感光间隙子的变化型的结构示意图；

图7所示为本发明另一优选实施例的半穿透半反射显示器结构示意图；

图8所示为本发明另一优选实施例的半穿透半反射显示器结构示意图；

图9至图10为本发明另一优选实施例的半穿透半反射显示器结构示意图；

图11至图13为图10的半穿透半反射显示器结构的变化型示意图；

图14至图17为本发明的感光间隙子的结构示意图；

图18至图19为本发明的彩色滤光片的结构示意图；

图20所示为本发明的无色、彩色子像素区域的电压和穿透率关系图；

图21所示为本发明的无色、彩色子像素区域的灰阶和驱动电压关系图。

其中，附图标记：

100、200、300、500、600、900、1000半穿透半反射显示器

102、202、902、1002扫描线

104、204、904、1004数据线

106、206、906、1006像素区域

108、110、112、114、208、210、212、214、302、304、306、308、908、910、912、914、1008、1010、1012、1014子像素区域

116、118、120、216、218、220、916、918、920、1016、1018、1020穿透电极

122、222、922、1022反射电极

108a、110a、112a、114a、208a、210a、212a、908a、910a、912a、914a、1008a、1010a、1012a、1014a薄膜晶体管

108b、110b、112b、114b、908b、910b、912b、914b接触孔

124、224、924、1024共同电极

126、226突出物

130、232狭缝

132、310感光间隙子

230穿透区域

502、602第一基板

504、610彩色滤光片层

506、604公共电极

508、606液晶分子层

510、608像素电极

512、612介电层

514薄膜晶体管

516、614第二基板

518、616反射层

520反射电极

702、802彩色子像素

704、804无色子像素

A、C反射区域

B、D穿透区域

具体实施方式

参照图1，图1所示为本发明的半穿透半反射显示器的结构示意图。半穿透半反射显示器100包含：沿着第一方向设置在基板上的多条扫描线102，沿着第二方向设置在基板上的多条数据线104，扫描线102及数据线104形成多个像素区域106，像素区域106包含有子像素区域108、110、112、114，其中子像素区域108、110、112包括红色、绿色、蓝色或其它色彩(如：黄色、棕色、紫色等不同色彩作搭配)，子像素区域114包含无色像素区域、相同于该多个子像素区域108、110、112的其中之一的色彩或不同于该多个子像素区域108、110、112的色彩，例如：红色、绿色、蓝色外，也可以利用黄色、棕色、紫色等不同色彩进行搭配。本发明的实施例，以子像素区域108、110、112为红色子像素区域、绿色子像素区域、蓝色子像素区域及子像素区域114为无色像素区域为示例。而且，子像素区域108、110、112都为穿透区域，其分别具有穿透电极116、118、120，子像素区域114则为反射区域，其具有反射电极122。子像素区域108、110、112、114分别利用薄膜晶体管108a、110a、112a、114a作为开关组件，并且薄膜晶体管108a、110a、112a、114a都位于子像素区域114中部分反射电极122的下方，而薄膜晶体管108a、110a、112a、114a的结构包括底栅极型(如：背沟道蚀刻型、蚀刻终止型或其它类型)或顶栅极型，且薄膜晶体管108a、110a、112a、114a的掺杂型态包括N型、P型或其组合，另外，薄膜晶体管108a、110a、112a、114a的制造方法包括非晶硅工艺方法、多晶硅工艺方法、单晶硅工艺方法、微晶硅工艺方法或其组合。

以子像素区域108为例，子像素区域108内的穿透电极116跨越数据线104至子像素区域114中，而且穿透电极116与薄膜晶体管108a通过接触孔108b电性连接。而子像素区域110、112的穿透电极118、120也分别跨越扫描线102和数据线104，分别通过子像素区域114中的接触孔110b、112b电性连接在子像素区域114中的薄膜晶体管110a、112a。另外像素区域106具有形成电容的共同电极124，共同电极124和扫描线102平行，并且设置在扫描线102两两之间，共同电极124穿越过子像素区域108和子像素区域114，并且位于子像素区域114的反射电极122下方。在此实施例中，开关组件，如薄膜晶体管等，设置在反射区域的无色子像素区域114中，使得穿透区域的彩色子像素区域108、110、112的开口率可得到提高，而且，在无色子像素区域114的开关组件和电容的共同电极124等，都设置在反射电极122下方，所以也不会浪费反射区域效率。而在该实施例中，每个子像素区域都具有至少一配向控制组件(alignment control device)(未标号)，例如：突出物(protrusion)126(也可称为第一配向控制组件)及狭缝(slit)130(也可称为第二配向控制组件，参照图2)的两者之一，以形成一广域视角型(Multi-domain view angle，MVA)液晶显示器或水平切换(in-plane switch，IPS)显示器。

参照图2至图6，图2至图6为图1的半穿透半反射显示器中配向控制组件和感光间隙子的变化型的结构示意图。在图2至图6中为图1的突出物126被狭缝130及感光间隙子132的两者之一部分或者全部取代的变化型态。参考图2，在图2中突出物126全部换成狭缝130，在此请特别注意，狭缝126形状也可包含X形、条状、W形、鱼骨形、梳状、L形、回力镖状、V形、星形、放射状或其它的形状、或上述组合，并不局限于图2中所示出的狭缝130的形状。在图3中，无色子像素区域114中是以感光间隙子132代替突出物126，这样不仅具有感光间隙子132维持液晶层高度的功能，并且感光间隙子132还可具有突出物126的功能，可提高开口率，并节省空间。在图4中，彩色子像素区域108、112具有突出物126，而彩色子像素区域110则具有狭缝130，而无色子像素区域114则具有感光间隙子132。另外，在图5中，则是图4的变化型态，其彩色子像素区域110内同时具有突出物126和狭缝130。在本发明中不仅只有一个子像素区域能同时具有突出物和狭缝，也可以一个以上或者全部的子像素区域都同时具有突出物和狭缝。

在图6中，彩色子像素区域110、112和无色子像素区域114都具有突出物126，而彩色子像素区域108则具有狭缝130，另外，还具有一感光间隙子132位于无色子像素区域114和相邻的另一子像素区域(未图示)之间，而相邻的另一子像素区域(未图示)的色彩包含无色、相同于该多个子像素区域108、110、112的其中之一的色彩或不同于该多个子像素区域108、110、112的色彩。也就是说，在本发明中彩色子像素区域108、110、112和无色子像素区域114中可全部具有突出物126，或者是全部具有狭缝130，也可以是部分为突出物126、部分为狭缝130，还或者加入感光间隙子132在无色子像素区域114中或位于无色子像素区域114和相邻的另一子像素区域(未图示)之间等变化型态。

参照图7，图7为本发明的一优选实施例中半穿透半反射显示器的结构示意图。图7和图1不同之处为第7图不具有突出物。半穿透半反射显示器900包含：沿着第一方向设置于基板上的多条扫描线902，沿着第二方向设置于基板上的多条数据线904，扫描线902及数据线904形成多个像素区域906，像素区域906包含有子像素区域908、910、912、914，其中子像素区域908、910、912为彩色子像素区域包括红色、绿色、蓝色或其它色彩(如：黄色、棕色、紫色等不同色彩作搭配)，子像素区域914包含无色像素区域、相同于该多个子像素区域908、910、912的其中之一的色彩或不同于该多个子像素区域908、910、912的色彩，例如：红色、绿色、蓝色外，也可以利用黄色、棕色、紫色等不同色彩作搭配。本发明的实施例，以子像素区域908、910、912为红色子像素区域、绿色子像素区域、蓝色子像素区域及子像素区域914为无色像素区域为示例。而且，子像素区域908、910、912都为穿透区域，分别具有穿透电极916、918、920，子像素区域914则为反射区域，具有反射电极922。另外，子像素区域908、910、912、914分别利用薄膜晶体管908a、910a、912a、914a作为开关组件，且薄膜晶体管908a、910a、912a、914a都位于子像素区域914中反射电极922的下方，而薄膜晶体管908a、910a、912a、914a的结构包括底栅极型(如：背沟道蚀刻型、蚀刻终止型或其它类型)或顶栅极型，且薄膜晶体管908a、910a、912a、914a的掺杂型态包括N型、P型或上述的组合，另外，薄膜晶体管908a、910a、912a、914a的工艺方法包括非晶硅工艺方法、多晶硅工艺方法、单晶硅工艺方法、微晶硅工艺方法或上述的组合。

以子像素区域908为例，子像素区域908内的穿透电极916跨越数据线904至子像素区域914中，而且穿透电极916与薄膜晶体管908a通过接触孔908b电性连接。而子像素区域910、912的穿透电极918、920也分别跨越扫描线902和数据线914，分别通过子像素区域914中的接触孔910b、912b电性连接于子像素区域914中的薄膜晶体管910a、912a。并且像素区域906具有形成电容的共同电极924，共同电极924和扫描线902平行，且设置在扫描线902两者之间，共同电极924穿越过子像素区域908和子像素区域914，并且位于子像素区域914的反射电极922下方。在该实施例中，开关组件，如薄膜晶体管等，设置在反射区域的无色子像素区域914中，使得穿透区域的彩色子像素区域908、910、912的开口率可获得提高，而且，在无色子像素区域914的开关组件和电容的共同电极924等，都设置在部分反射电极922下方，所以也不会浪费反射区域效率。

参照图8，图8为本发明另一实施例的半穿透半反射显示器结构示意图。在本实施例中薄膜晶体管利用低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon)的顶栅极(top-gate)结构为示例。半穿透半反射显示器1000沿着第一方向设置于基板上的多条扫描线1002，沿着第二方向设置于基板上的多条数据线1004，扫描线1002及数据线1004形成多个像素区域1006，像素区域1006包含有子像素区域1008、1010、1012、1014，其中子像素区域1008、1010、1012为彩色子像素区域包括红色、绿色、蓝色或其它色彩(如：黄色、棕色、紫色等不同色彩作搭配)，子像素区域1014包含无色像素区域、相同于该多个子像素区域1008、1010、1012的其中之一的色彩或不同于该多个子像素区域1008、1010、1012的色彩，例如：红色、绿色、蓝色外，也可以利用黄色、棕色、紫色等不同色彩作搭配。本发明的实施例，以子像素区域1008、1010、1012为红色子像素区域、绿色子像素区域、蓝色子像素区域及子像素区域1014为无色像素区域为示例。而且，子像素区域1008、1010、1012都为穿透区域，分别具有穿透电极1016、1018、1020，子像素区域1014则为反射区域，具有反射电极1022。另外，子像素区域1008、1010、1012、1014分别利用薄膜晶体管1008a、1010a、1012a、1014a作为开关组件，且薄膜晶体管1008a、1010a、1012a、1014a位于子像素区域1008、1014中。换句话说，在本实施例中，薄膜晶体管1008a、1010a、1012a、1014a可部分位于无色的子像素区域1014中，另一部分位于邻近子像素区域1014的彩色子像素区域1008、1010、1012的其中之一。并且像素区域1006具有形成电容的共同电极1024，共同电极1024和扫描线1002平行，且设置在扫描线1002两两之间，共同电极1024穿越过子像素区域1012和子像素区域1014。

参照图9至图10，图9至图10为本发明另一优选实施例的半穿透半反射显示器结构示意图。半穿透半反射显示器200包含：沿着第一方向设置于基板上的扫描线202，沿着第二方向设置于基板上的数据线204，扫描线202及数据线204形成像素区域206，像素区域206包含有子像素区域208、210、212、214，其中子像素区域208、210、212为彩色子像素区域包括红色、绿色、蓝色或其它色彩(如：黄色、棕色、紫色等不同色彩作搭配)，子像素区域214包含无色像素区域、相同于该多个子像素区域208、210、212的其中之一的色彩或不同于该多个子像素区域208、210、212的色彩，例如：红色、绿色、蓝色外，也可以利用黄色、棕色、紫色等不同色彩作搭配。本发明的实施例，以子像素区域208、210、212为红色子像素区域、绿色子像素区域、蓝色子像素区域及子像素区域214为无色像素区域为示例。而且，子像素区域208、210、212都为穿透区域，分别具有穿透电极216、218、220，子像素区域214则为反射区域，具有反射电极222。另外，子像素区域208、210、212分别由薄膜晶体管208a、210a、212a作为开关组件，并且薄膜晶体管208a、210a、212a都位于子像素区域214中部分反射电极222的下方，而控制子像素区域214的薄膜晶体管(未示出)，也位于反射电极222的下方，而薄膜晶体管208a、210a、212a的结构包括底栅极型(如：背沟道蚀刻型、蚀刻终止型或其它类型)或顶栅极型，并且薄膜晶体管208a、210a、212a的掺杂型态包括N型、P型或上述的组合，另外，薄膜晶体管208a、210a、212a的工艺方法包括非晶硅工艺方法、多晶硅工艺方法、单晶硅工艺方法、微晶硅工艺方法或上述的组合。另外，共同电极224和扫描线202平行，并且共同电极224设置在子像素区域208、210、212和无色的子像素区域214之间，并且位于反射电极222下方。其中，图9和图1主要的不同为图9的无色子像素区域214的位置相对应于彩色子像素区域208、210、212，如图9所示，无色子像素区域214位于彩色子像素区域208、210、212的下方。另外，图10则是图9的变化型态，其彩色子像素区域208、212中具有突出物226，而彩色子像素区域210内则同时具有突出物226和狭缝232。在此优选实施例中不只一个子像素区域能同时具有突出物和狭缝，也可以一个以上或者全部的子像素区域都同时具有突出物和狭缝。

值得注意的是，除本发明的以四个子像素区域组成像素区域的方式作为示例外，也可利用六个或者八个子像素区域组成一个像素区域，但并限于此。并且每个子像素区域的面积也不需要都相同，可以部分相同，或者部分不同。而且，无色子像素区域中除了全部覆盖反射电极作为反射区域的方式外，另外也可以采用部分具有反射电极作为反射区域、剩余部分具有穿透电极作为穿透区域的方式，该变化型式都不背离本发明的精神，都为本发明保护的范围。

参照图11至图13，图11至图13为图10的半穿透半反射显示器结构的变化型示意图。参照图11，一穿透区域230位于反射电极222中，穿透区域230所在位置为人眼对色彩饱合度较差之处(如：蓝色、红色或其它颜色)。而在图12中，多个穿透区域230位于反射电极222中，而且分别位于穿透电极216、218、220的下方，一般来说，在不同的彩色子像素区域下方的穿透区域230的面积会相同，但也可以至少有一个穿透区域230面积不同于其它穿透区域230。在图13中，穿透区域230位于反射电极222中央位置，而且比图11、图12中的穿透区域230面积大，并且跨越至相邻的数据线。在此请特别注意，上述图形的穿透区域230的形状不仅可为长方形，亦可为圆形、三角形、椭圆形、半圆形、回力镖状、菱形、梯形、星形、四边形，或者其它多边形等形状。

参照图14至图17，图14至图17为本发明感光间隙子的结构示意图。如图14所示，半穿透半反射显示器300包含有多个子像素区域302、304、306、308，其中子像素区域302、304、306为穿透区域的彩色子像素区域，而子像素区域308则为反射区域的无色子像素区域。在本发明中，感光间隙子310可位于如图5所示的子像素区域308内，本发明可利用单个感光间隙子310设置于该子像素区域308的中心位置，或者将感光间隙子310设置于如图15所示的子像素区域306和子像素区域308之间，或者将感光间隙子310设置于如图14所示的子像素区域308中并且邻近于子像素区域306的位置。另外，也可在子像素区域308和每个与其相邻的子像素区域之间都设置感光间隙子310，以增加感光间隙子310的效果。另外，感光间隙子310的形状可任意变化为柱状、圆柱状、梯形、圆锥状或其它形状，不仅局限在图14、图15所示出的型态。参照图16、图17，为本发明的图6的实施例并且有应用感光间隙子310的顶视图。在图16中，感光间隙子310位于无色子像素区域914的中心位置。而在图17中，多个感光间隙子310则位于无色子像素区域914和其相邻的子像素区域之间。

值得一提的是，因为本发明的感光间隙子310位于无色的子像素区域308内，或者彩色的子像素区域306和无色的子像素区域308之间，所以不会影响到彩色的子像素区域的显示效果和开口率。因为在一般的技术中，感光间隙子位于任一彩色子像素区域内，假如感光间隙子位于红色的子像素区域内，当面板要显现出白色时，绿色、蓝色的子像素区内都必须遮住一部分等同于感光间隙子大小的透光区域，才能使得R∶G∶B的透光率达到1∶1∶1，进而显现出白色，但是，这样的方式却会使得显示器的开口率下降。然而，本发明中感光间隙子位于无色子像素区域中或者是无色子像素区域和彩色子像素区域之间，所以不会影响彩色的子像素区域显示效果和开口率。

另外，本发明依照彩色滤光片(color filter)的位置也可以有不同的变化型态。参照图18至图19，图18至图19为本发明的图10的实施例并且有应用彩色滤光片的结构示意图。如图18所示，半穿透半反射显示器500，以像素区域206的其中之一子像素区域为示例，包含第一基板502、彩色滤光片层504、公共电极(common electrode)506、液晶分子层508、像素电极(pixelelectrode)510、介电层512、第二基板516，其中像素区域206的其中之一子像素区域划分为反射区域A、穿透区域B，反射区域A包含有一个无色子像素区域，而穿透区域B包含有一个彩色子像素区域。反射区域A具有反射电极520，反射电极520包含有金属材质的反射层518以及透明的像素电极510，而薄膜晶体管514则位于反射电极520的下方。另外，本发明也可应用在彩色滤光片整合薄膜晶体管阵列的基板中，如：彩色滤光片设置于薄膜晶体管阵列上称为COA(color on array)结构或者薄膜晶体管阵列设置于彩色滤光片上称为AOC(array on color)结构等。图19即为本发明的图10的实施例并且应用在COA中的结构示意图，半穿透半反射显示器600，以像素区域206的其中之一子像素区域为例，包含第一基板602、公共电极604、液晶分子层606、多个像素电极608、彩色滤光片层610、介电层612、第二基板614，其中像素区域206的其中之一子像素区域划分为反射区域C、穿透区域D，反射区域C包含有一个无色子像素区域，而穿透区域D包含有一个彩色子像素区域。另外，反射区域C具有金属材料的反射层616作为反射电极的一部分，而薄膜晶体管618则位于反射层616的下方，其中，第一基板502、602及第二基板516、614的材料包含透明、半透明或者是不透明的材料。

参照图20，图20为本发明的无色、彩色子像素区域的电压和穿透率(VT)关系图。本发明的半穿透半反射显示器的无色、彩色子像素区域可由不同电压来驱动，而且无色子像素区域的VT曲线，也不同于彩色子像素区域的VT曲线。如图20所示，本发明的彩色子像素702在电压4.2V时，可以达到最佳的穿透率，而无色子像素704则是在电压为2.9V时，可达到最佳的穿透率。再参照图21，图21为本发明的无色、彩色子像素区域的灰阶和驱动电压关系图。因为无色、彩色子像素区域的VT曲线不同，当灰阶越大时，彩色子像素区域802和无色子像素区域804的驱动电压差值就相差越大。由于本发明的无色、彩色子像素区域可经由不同电压来驱动，所以可以分别控制无色、彩色子像素区域以提高显示效果。

如果半穿透半反射显示器应用于液晶显示器中，则因穿透区域的光线只通过液晶分子层一次，但是，穿过反射区域的光线却是通过两次，所以要同时达到穿透区域和反射区域的最佳穿透率，就必须给予穿透区域和反射区域不同的驱动电压。公知技术利用穿透区域和反射区域具有不同高度的液晶分子间隙(dual gap)，和相同电压来驱动穿透区域和反射区域，以达到较佳的显示效果，可是这种作法工艺复杂、成本偏高、成品率也低。反之，本发明利用不同的电压驱动具有相同液晶分子间隙(single gap)高度的穿透区域和反射区域，从而可有效修正公知技术中反射区域和穿透区域伽玛曲线不匹配的问题，使两者都达到最佳的穿透率，呈现良好的显示效果且工艺简单，但也不限于此。

另外，值得注意的是，本发明的半穿透半反射显示器的设计除了可以应用在液晶显示器外，也可以应用在电致发光显示器包括有机发光显示器(OrganicLight Emitting Display，OLED)、高分子发光二极管(Polymer Light EmittingDiode，PLED)显示器或无机发光显示器等工艺中。而两者的差异，只是在有无液晶分子层及背光源(未示出)，当应用在电致发光显示器时，本发明的半穿透半反射的设计并不需要大的改变，只要将发光层(未示出)设置在该多个像素区域即可。

另外，必需说明的是上述本发明的实施例的感光间隙子及配向控制组件(包括狭缝、突出物或上述的组合)可位于第一基板或第二基板上的其中之一。换句话说，如果配向控制组件为突出物时，可位于第一基板或第二基板上的其中之一，且感光间隙子也可位于第一基板或第二基板上的其中之一。如果配向控制组件同时包含突出物及狭缝时，该突出物及狭缝分别位于第一基板或第二基板，且感光间隙子位于第一基板或第二基板的其中之一。如果配向控制组件为狭缝时，可位于第一基板或第二基板上的其中之一，并且感光间隙子也可位于第一基板或第二基板上的其中之一。

本发明将控制彩色、无色子像素区域的薄膜晶体管设置在反射区域的无色子像素区域，使得穿透区域的彩色子像素区域的开口率可获得提高。另外本发明也可将感光间隙子放在无色子像素区域中，以提高开口率。而且，本发明的穿透区域和反射区域是利用不同的电压驱动，所以两者都可达到最佳的穿透率。因此，本发明可有效提高显示器的开口率，并且呈现良好的显示效果。

本发明描述的优选实施例不能认为是对本发明的限定。显然在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本领域的普通技术人员可以对本发明做出各种改进和变化。因此，本发明意图覆盖所有落入所附权利要求及其等效物的范围之内的改进和变化。

Claims (36)

1.一种半穿透半反射显示器，其特征在于，包含：

多条扫描线，沿着一第一方向设置于一基板上；

多条数据线，沿着一第二方向设置于该基板上，并且该多条扫描线及该多条数据线，形成多个像素区域，该多个像素区域，具有多个子像素区域，该多个子像素区域中的至少三个为彩色子像素区域并且该多个子像素区域中的至少一个为第四子像素区域，其中，该多个彩色子像素区域为一穿透区域，其具有一穿透电极；以及

多个开关组件，用以分别控制该多个彩色子像素区域及该第四子像素区域。

2.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该多个开关组件，设置于该第四子像素区域中。

3.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，部分该多个开关组件，分别设置于该第四子像素区域及其邻近的该多个彩色子像素区域的其中之一。

4.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该第四子像素区域为一反射区域，该反射区域具有一反射电极。

5.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该第四子像素区域为一部分反射区域及一部分穿透区域，具有一反射电极及一穿透电极。

6.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：

多条公共电极，沿着该第二方向设置于该基板上，且平行于该多条扫描线。

7.根据权利要求6所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该多条公共电极中的至少一条公共电极，设置于该多条扫描线中的两两之间，并且经过该多个彩色子像素其中之一以及该第四子像素。

8.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：

至少一感光间隙子，设置于该第四子像素区域内。

9.根据权利要求8所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该感光间隙子，设置于该第四子像素区域的中心位置。

10.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：

至少一感光间隙子，设置于该第四子像素区域与该多个彩色子像素的其中之一之间。

11.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：至少一第一配向控制组件，设置于该多个彩色子像素区域的其中之一。

12.根据权利要求11所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：至少一第二配向控制组件，设置于该多个彩色子像素区域的其中之一。

13.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：至少一第二配向控制组件，设置于该多个彩色子像素区域的其中之一。

14.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：

一彩色滤光片，相对应于该基板，其具有多个区域，各该区域具有多个子区域，该多个子区域中的至少三个为彩色子区域相对应于该基板上的该多个彩色子像素区域，且该多个子区域中的至少一个为第四子区域相对应于该基板上的该第四子像素区域。

15.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：

一彩色滤光片，设置于该基板上，其具有多个区域，各该多个区域具有多个子区域，该多个子区域中的至少三个为彩色子区域相对应于该基板上的该多个彩色子像素区域，且该多个子区域中的至少一个为第四子区域相对应于该基板上的该第四子像素区域。

16.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，当电压施加在该多个子像素区域时，该第四子像素区域的电压不同于该多个彩色子像素区域的电压。

17.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该多根数据线所传递于该第四子像素区域的电压和穿透率关系曲线不同于该多个彩色子像素区域的电压和穿透率关系曲线。

18.根据权利要求1所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，各该多个彩色子像素区域的该穿透电极，分别跨越该多条扫描线的其中之一或该多条数据线的其中之一，并且电性连接相对应的各该开关组件。

19.一种半穿透半反射显示器，其特征在于，包含：

多条扫描线，沿着一第一方向设置于一基板上；

多条数据线，沿着一第二方向设置于该基板上，并且该多条扫描线及该多条数据线，形成多个像素区域，该多个像素区域，具有多个子像素区域，该多个子像素区域中的至少三个为彩色子像素区域，并且相对应于各该多个彩色子像素区域的该多个子像素区域中的至少一个为第四子像素区域，其中，该多个彩色子像素区域为一穿透区域，其具有一穿透电极；以及

多个开关组件，用以分别控制该多个彩色子像素区域的该穿透区域及该第四子像素区域。

20.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该多个开关组件，设置于该第四子像素区域中。

21.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，部分该多个开关组件，分别设置于该第四子像素区域及其邻近的该多个彩色子像素区域的其中之一。

22.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该多个第四子像素区域为一反射区域，该反射区域具有一反射电极。

23.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该第四子像素区域为一部分反射区域及一部分穿透区域，具有一反射电极以及一穿透电极。

24.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：

多条公共电极，沿着该第二方向设置于该基板上，并且平行于该多条扫描线。

25.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该多条公共电极中的至少一条公共电极，设置于该多条扫描线中的两两之间，并且经过相对应于各该多个彩色子像素区域的该第四子像素区域。

26.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：

至少一感光间隙子，设置于该第四子像素区域之内。

27.根据权利要求26所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该感光间隙子，设置于该第四子像素区域的中心位置。

28.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：

至少一感光间隙子，设置于该多个彩色子像素区域的该穿透区域及相对应各该多个彩色子像素区域的该第四子像素区域的其中之一之间。

29.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：至少一第一配向控制组件，设置于该多个彩色子像素区域的其中之一。

30.根据权利要求29所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：至少一第二配向控制组件，设置于该多个彩色子像素区域的其中之一。

31.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：至少一第二配向控制组件，设置于该多个彩色子像素区域的其中之一。

32.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：

一彩色滤光片，相对应于该基板，其具有多个区域，各该多个区域具有多个子区域，该多个子区域中的至少三个为彩色子区域以及至少一个为第四子区域，分别相对应于该基板上的该多个彩色子像素区域及该第四子像素区域。

33.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，还包含：

一彩色滤光片，设置于该基板上，其具有多个区域，各该多个区域具有多个子区域，该多个子区域中的至少三个为彩色子区域及第四子区域，分别相对应于该基板上的该多个彩色子像素区域及该第四子像素区域。

34.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，当电压施加在该多个子像素区域时，该第四子像素区域的电压不同于该多个彩色子像素区域的穿透区域的电压。

35.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，该多条数据线传递在该第四子像素区域的电压和穿透率关系曲线不同于该多个彩色子像素区域的该穿透区域的电压和穿透率关系曲线。

36.根据权利要求19所述的半穿透半反射显示器，其特征在于，各该多个彩色子像素区域的该穿透电极，分别跨越多条扫描线的其中之一或多条数据线的其中之一，并且电性连接相对应的各该开关组件。

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