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CN106170847A - 半导体晶片的制造方法 - Google Patents

半导体晶片的制造方法 Download PDF

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CN106170847A CN201480075646.4A CN201480075646A CN106170847A CN 106170847 A CN106170847 A CN 106170847A CN 201480075646 A CN201480075646 A CN 201480075646A CN 106170847 A CN106170847 A CN 106170847A
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Abstract

对于在正面（12）或者正反两面存在氧化膜（12A）而在倒角部（11）不存在氧化膜的半导体晶片（10）的前述倒角部（11），使用无磨粒研磨液来实施镜面精加工倒角研磨工序。另外，在前述镜面精加工倒角研磨工序之前，对于在前述正面（12）或者前述正反两面以及前述倒角部（11）存在氧化膜（11A、12A）的半导体晶片（10）的前述倒角部（11），使用有磨粒研磨液来实施精加工前镜面倒角研磨工序。

Description

半导体晶片的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体晶片的制造方法。
背景技术
通常，对半导体晶片的正反两面进行的镜面研磨分成多个阶段实施。具体地，大致上分为以半导体晶片的高度平坦化为目的的粗研磨和以降低表面粗糙度为目的的精加工研磨。
另外，不仅对半导体晶片的正反两面实施镜面研磨，而且以防止从倒角部产生的尘埃为目的，对倒角部也实施镜面研磨。
借助两面同时研磨来进行粗研磨，前述两面同时研磨将半导体晶片收纳于载体内，同时地研磨半导体晶片的正反两面。在该两面同时研磨中，由于半导体晶片与载体内周面的接触而在倒角部产生损伤和压痕。因此，倒角部的镜面研磨一般在粗研磨之后实施，兼顾去除产生的损伤和压痕。
以往，倒角部的镜面研磨采用两阶段加工，前述两阶段加工包括利用使用无纺布的研磨垫和有磨粒研磨液来研磨的第一步、利用使用绒面革的研磨垫和有磨粒研磨液来最终精加工的第二步。在第一步中，以将在倒角部产生的损伤和压痕高效率地去除为目的来进行，在第二步中，以使倒角部的微小的表面粗糙度平滑化为目的来进行。
但是，对于使用于倒角部的镜面研磨的研磨垫，使用软质的研磨布，因此存在如下所述的问题：会在该软质的研磨布不仅在倒角部而且一直绕入到晶片正面侧和反面侧的状态下进行研磨（以下也称为过度抛光）。
具体地，如图5A所示，在第一步中，首先，去除存在于半导体晶片100的倒角部101的氧化膜101A。但是，如图5B所示，不仅存在于倒角部101的氧化膜101A，存在于晶片表面102的氧化膜102A的研磨垫的研磨布（无纺布）111绕入到的区域中的氧化膜102B也被去除。进一步地，应力对于边界部分103局部地集中，以该边界部分103的区域为中心进行研磨，前述边界部分103为去除氧化膜102B后露出的晶片表面102与倒角部101的边界部分。
接下来，如图5C所示，在第二步中，连续于第一步，存在于研磨垫的研磨布（绒面革）112绕入到的区域中的晶片表面102的氧化膜102B被进一步地去除。并且，应力对于边界部分103局部地集中，以该边界部分103的区域为中心进一步地进行研磨，前述边界部分103是露出的晶片表面102和倒角部101的边界部分。
若发生这样的过度抛光，则发生半导体晶片外周部的厚度会变薄的不良情况（以下也称边缘滚降（edge roll off））。
作为防止由上述过度抛光引起的边缘滚降的方法，公开有如下所述的方法（例如，参照专利文献1。）：将研磨垫设成粘合了研磨布层和比该研磨布层硬度低的海绵层的至少两层的构造，将研磨布层的硬度设成ASKER C硬度的65以上并且将海绵层的硬度设成ASKERC硬度的40以下。在专利文献1中，通过使用上述结构的研磨垫，能将过度抛光宽度一直抑制到400μｍ以下。
另外，公开有如下所述的半导体晶片的制造方法（例如参照专利文献2。）：在两面研磨工序之后，在半导体晶片的正反两面上形成树脂制的保护膜，进行镜面倒角工序，之后去除树脂制的保护膜。在专利文献2中，借助形成于半导体晶片的正反两面的树脂制的保护膜来抑制镜面倒角工序时的过度抛光，由此防止边缘滚降。
专利文献1：国际公开第2002/005337号。
专利文献2：日本特开2006-237055号公报。
但是，在上述专利文献1中，将与晶片接触的研磨布层的硬度设得高，由此来抑制研磨垫朝向晶片的沉降，因此能抑制过度抛光，另一方面，存在倒角部的微粗糙度会恶化的问题。
在上述专利文献2表示的方法中，分别需要利用树脂的保护膜形成以及用于去除树脂制保护膜的清洗，因此存在关系到提高成本的问题。
另外，若用于形成保护膜的树脂不仅在正反两面甚至一直延伸到倒角部，则倒角部的镜面研磨工序中的研磨会局部地或者整体地被抑制。因此，需要仅在晶片正反两面准确地形成保护膜，使得树脂不会延伸到倒角部，但在技术上较困难。
进一步地，在用于树脂制保护膜的去除的清洗中，存在暂时去除的树脂再一次附着、不能完全地去除树脂制保护膜等问题。
发明内容
本发明的目的在于提供如下所述的半导体晶片的制造方法：在镜面倒角研磨工序中，能将半导体晶片外周部的平坦度的提高和倒角部的粗糙度的平滑化两者并存。
本发明的半导体晶片的制造方法的特征在于，对于在正面或者正反两面存在氧化膜而在倒角部不存在氧化膜的半导体晶片的前述倒角部，使用无磨粒研磨液实施镜面精加工倒角研磨工序。
根据本发明，对于在正面或者正反两面存在氧化膜而在倒角部不存在氧化膜的半导体晶片，使用无磨粒研磨液实施镜面精加工倒角研磨工序。用利用无磨粒研磨液的研磨不能去除氧化膜，因此在氧化膜存在的区域，即，半导体晶片的正面或者正反两面不进行研磨，而仅在不存在氧化膜的倒角部进行研磨。因此，即使在研磨垫不仅在倒角部而且一直绕入到晶片正面侧或者正反两面侧的情况下进行研磨，因为存在于正面或者正反两面的氧化膜作为制动器发挥作用，所以也不会产生过度抛光。结果，能将半导体晶片外周部的平坦度的提高和倒角部的粗糙度平滑化两者并存。
在本发明的半导体晶片的制造方法中，在前述镜面精加工倒角研磨工序前，对于在前述正面或者前述正反两面以及前述倒角部存在氧化膜的半导体晶片的前述倒角部，优选地使用有磨粒研磨液来实施精加工前镜面倒角研磨工序。
根据该发明，在镜面精加工倒角研磨工序之前，作为精加工前镜面倒角研磨工序，实施利用有磨粒研磨液的研磨。借助利用有磨粒研磨液的研磨，能去除氧化膜。因此，对于不仅在正面或者正反两面而且在倒角部也存在氧化膜的半导体晶片的倒角部，实施该精加工前镜面倒角研磨工序，由此去除存在于倒角部的氧化膜。结果，通过实施该精加工前镜面倒角研磨工序，能形成在正面或者正反两面存在氧化膜而在倒角部不存在氧化膜的半导体晶片。另外，利用有磨粒研磨液的研磨与利用无磨粒研磨液的研磨相比，能将在倒角部产生的损伤和压痕有效地去除。因此，通过实施精加工前镜面倒角研磨工序，能提高作为后工序的镜面精加工倒角研磨工序的作业效率。
在本发明的半导体晶片的制造方法中，优选地，对于在前述精加工前镜面倒角研磨工序中使用的研磨垫，使用压缩率为不足7%的无纺布，对于在前述镜面精加工倒角研磨工序中使用的研磨垫，使用压缩率为6%以上的绒面革。
根据本发明，对于精加工前镜面倒角研磨工序的研磨垫，使用压缩率为不足7%的无纺布，对于镜面精加工倒角研磨工序的研磨垫，使用压缩率为6%以上的绒面革。通过将上述各工序的研磨垫的压缩率设成特定的组合，能在精加工前镜面倒角研磨工序中进一步地抑制过度抛光，能在镜面精加工倒角研磨工序中进一步地降低倒角部的粗糙度。
在本发明的半导体晶片的制造方法中，优选地在前述镜面精加工倒角研磨工序中使用的前述无磨粒研磨液中，添加有聚合物。
根据该发明，在镜面精加工倒角研磨工序的无磨粒研磨液中，添加有聚合物。通过在无磨粒研磨液中添加有聚合物，能提高处于镜面精加工倒角研磨工序时的半导体晶片的研磨面的润湿性。
附图说明
图1A是本实施方式的精加工前镜面倒角研磨工序以及镜面精加工倒角研磨工序中的半导体晶片的局部放大剖视图，是表示精加工前镜面倒角研磨工序中的氧化膜去除前的研磨状态的图。
图1B是本实施方式的精加工前镜面倒角研磨工序以及镜面精加工倒角研磨工序中的半导体晶片的局部放大剖视图，是表示精加工前镜面倒角研磨工序中的氧化膜去除后的研磨状态的图。
图1C是本实施方式的精加工前镜面倒角研磨工序以及镜面精加工倒角研磨工序中的半导体晶片的局部放大剖视图，是表示镜面精加工工序中的研磨状态的图。
图2A是表示本实施方式中的倒角研磨装置的概略图，是局部放大概略图。
图2B是表示本实施方式中的倒角研磨装置的概略图，是俯视图。
图3是表示实施例及比较例中的半导体晶片的边缘除外区域1mm的FZDD的图。
图4是表示实施例及比较例中的半导体晶片的倒角部的微粗糙度的图。
图5A是以往的镜面倒角研磨工序中的半导体晶片的局部放大剖视图，是表示第一步骤中的氧化膜去除前的研磨状态的图。
图5B是以往的镜面倒角研磨工序中的半导体晶片的局部放大剖视图，是表示第一步骤中的氧化膜去除后的研磨状态的图。
图5C是以往的镜面倒角研磨工序中的半导体晶片的局部放大剖视图，是表示第二步骤中的研磨状态的图。
具体实施方式
下面，将本发明的实施方式参照附图进行说明。
在本发明的半导体晶片的制造方法中，首先，将根据直拉单晶制造法（CZ法）等拉晶出的单晶锭借助多线切割机等进行切片切断。接下来，为了防止切片后的晶片的缺口和破裂，在晶片的角部等进行倒角。
接下来，为了使倒角后的晶片的表面平坦化，进行研磨和平面磨削。然后，为了去除残留于晶片的在倒角时及研磨时产生的加工变质层，进行利用腐蚀的化学表层去除处理。
接下来，将腐蚀后的晶片的正反两面粗研磨。
粗研磨工序以将晶片一直研磨成所希望的厚度为目的而进行。具体地，进行如下所述的研磨：使用两面研磨装置，使用将聚氨酯树脂等硬化的硬质原材料的研磨布，用研磨速度比较快的条件，使研磨后的晶片的厚度的偏差缩小、平坦化。
接下来，为了去除在粗研磨工序中使用的磨粒和研磨液等的残存物，清洗晶片。
这里的清洗优选为使用含氨水及过氧化氢水的清洗液（SC-1）等。更优选为，例如，将氨水和过氧化氢水以1：1混合，借助利用将其纯水稀释至5~30倍而调制成的加温至50~80℃的SC-1液的湿式蚀刻清洗来进行。
在借助上述SC-1液的清洗后，用纯水冲洗晶片。在完成清洗后的晶片的整面上，不可避免地形成膜厚为约1nm以上、约1.1nm以下（约10Å以上、约11Å以下）的自然氧化膜。
【精加工前镜面倒角研磨工序】
接下来，如图1A所示，对于分别在晶片正面12上形成有氧化膜12A、在倒角部11上形成有氧化膜11A的半导体晶片10（下文也仅称“晶片”。）的倒角部11，实施精加工前镜面倒角研磨工序。
<倒角研磨装置的结构>
关于用于本实施方式的精加工前镜面倒角研磨工序的倒角研磨装置进行说明。图2A是倒角研磨装置的局部放大概略图，图2B是倒角研磨装置的俯视图。
如图2A所示，倒角研磨装置20具备：吸附晶片10 的下表面的晶片吸附部21、将用该晶片吸附部21吸附的晶片10镜面研磨的研磨部22、在研磨部22的上部用于供给研磨液的配管23。
晶片吸附部21具备：通过吸附晶片10的下表面来保持的作为保持机构的吸附台211、使该吸附台211旋转的旋转机构212。
研磨部22具备：将晶片10的倒角部11镜面研磨的研磨轮221以及使研磨轮221旋转、沿上下方向升降、推压于晶片10的驱动机构（省略图示）。研磨轮221包括上方倾斜面研磨垫222、垂直面研磨垫223以及下方倾斜研磨垫224。
此外，在图2A中，为了说明对于晶片10的倒角部11的位置关系，将各研磨垫222、223、224在图的右侧排列来表示。实际上，如图2B所示，形成如下所述的结构：各研磨垫222、223、224分别形成为相同长度的圆弧状，隔着既定间隔地配置于晶片10的周围。
另外，在各研磨垫222、223、224上分别贴上研磨布。作为倒角研磨装置20的各研磨垫而贴设的研磨布优选为，在精加工前镜面倒角研磨工序和后述的镜面倒角研磨工序中，分别使用不同的研磨布。在精加工前镜面倒角研磨工序中使用的研磨垫优选为尽量使用高硬度的研磨垫。具体地，对于在精加工前镜面倒角研磨工序中使用的研磨垫，作为研磨布优选为使用压缩率为不足7%的无纺布。例如，作为无纺布，更优选为使用新田哈斯（NITTAHAAS）公司制的SUBA800或SUBA600等。
作为在精加工前镜面倒角研磨工序中使用的研磨液，优选为使用含有磨粒的碱性水溶液。其中，特别优选地，使用平均粒径50nm的硅胶作为磨粒，使用pH10~11的KOH水溶液作为碱性水溶液。
<利用倒角研磨装置的精加工前镜面倒角研磨工序的作用>
接下来，关于利用前述的倒角研磨装置20的精加工前镜面倒角研磨工序的作用进行说明。
首先，使晶片10的下表面吸附于晶片吸附部21来保持晶片10。并且，将研磨轮221的各研磨垫222、223、224用既定的压力分别推压于倒角部的对应部位，并维持推压状态。
接下来，一边由配管23向研磨垫供给研磨液，一边如图2B所示，使旋转机构212旋转来使晶片10旋转，并且借助驱动机构使研磨轮221旋转从而使各研磨垫222、223、224旋转。
由此，晶片10的倒角部11的上方借助上方倾斜研磨垫222、倒角部11的中央部借助垂直面研磨垫223、倒角部11的下方借助下方倾斜面研磨垫224分别被研磨。
如图1A、图1B所示，在精加工前镜面倒角研磨中，作为研磨垫，使用硬度高的研磨布（无纺布）222A，因此减轻研磨垫在研磨时朝向晶片10的沉降。因此，能够抑制研磨垫的研磨布（无纺布）222A不仅在倒角部11而且一直绕入到晶片正面12侧的情况。结果，在该精加工前倒角研磨中，在不产生过度抛光的情况下，仅去除存在于倒角部11的氧化膜11A。由此，形成在正反两面上存在氧化膜12A而在倒角部11上不存在氧化膜的晶片10。另外，借助该精加工前镜面倒角研磨，在粗研磨工序中产生的损伤和压痕也被去除。
【镜面精加工倒角研磨工序】
连续于精加工前镜面倒角研磨工序，对于在正反两面存在氧化膜而在倒角部11不存在氧化膜的晶片10的倒角部11，实施镜面精加工研磨工序。
<倒角研磨装置的结构>
在本实施方式的镜面精加工倒角研磨工序中，能够使用具有与在前述的精加工前镜面倒角研磨工序中使用的研磨装置同样的结构的倒角研磨装置20。
对于在镜面精加工倒角研磨工序中使用的研磨垫，优选为尽可能地使用低硬度的研磨垫。具体地，对于在镜面精加工倒角研磨工序中使用的研磨垫，作为研磨布优选为使用压缩率为6%以上的绒面革。作为具有上述性质的绒面革，特别优选为使用例如新田哈斯（NITTA HAAS）公司制的SUPREME-RN等。
作为在镜面精加工倒角研磨工序中使用的研磨液，优选为使用不含磨粒的碱性水溶液。作为碱性水溶液，更优选为使用pH10~pH11的KOH水溶液。优选地在镜面倒角研磨工序中使用的无磨粒研磨液中添加有聚合物。
<利用倒角研磨装置的镜面精加工倒角研磨工序的作用>
接下来，关于利用前述的倒角研磨装置20的镜面精加工倒角研磨工序的作用进行说明。关于倒角研磨装置20的驱动，因与上述精加工前镜面倒角研磨相同，所以省略记载。
在该镜面精加工倒角研磨中，使用无磨粒研磨液，因此，如图1C所示，仅进行不存在氧化膜的倒角部11的研磨。即，即使在研磨垫的研磨布（绒面革）222B一直绕入到晶片正面12侧和反面侧的状态下进行研磨，也因为用无磨粒研磨液不能研磨氧化膜，所以在不产生过度抛光的情况下，仅使倒角部11的粗糙度平滑化。
在完成镜面精加工倒角研磨工序之后，利用单面研磨装置，去除在晶片正面12上存在的氧化膜12A，晶片10的正面或者正反两面被镜面研磨。
【实施方式的作用效果】
如上所述，在上述实施方式中，能起到如下的作用效果。
（1）对于在晶片正面12或者正反两面存在氧化膜12A而在倒角部不存在氧化膜的晶片10的倒角部11，使用无磨粒研磨液实施镜面精加工倒角研磨工序。
根据本发明，用利用无磨粒研磨液的研磨不能去除氧化膜，因此，在氧化膜存在的区域，即，晶片正面12或者正反两面不行进研磨，而仅在不存在氧化膜的倒角部11进行研磨。因此，即使在研磨垫的研磨布（绒面革）222B不仅在倒角部11而且一直绕入到晶片正面12侧或者正反两面侧的状态下进行研磨，也由于存在于晶片正面12或者正反两面的氧化膜12A作为制动器发挥作用，而不会发生过度抛光。结果，能将晶片10外周部的平坦度的提高和使倒角部11的粗糙度的平滑化两者并存。
（2）在镜面精加工倒角研磨工序之前，对于在晶片正面12或者正反两面以及倒角部11存在氧化膜11A、12A的晶片10的倒角部11，使用有磨粒研磨液来实施精加工前镜面倒角研磨工序。
根据本发明，用利用有磨粒研磨液的研磨，能去除氧化膜。因此，对于不仅在晶片正面12或者正反两面而且在倒角部11也存在氧化膜11A、12A的晶片10的倒角部11，通过实施该精加工前镜面倒角研磨工序，去除存在于倒角部11的氧化膜11A。结果，通过实施该精加工前镜面倒角研磨工序，能形成在晶片正面12或者正反两面存在氧化膜12A而在倒角部11不存在氧化膜的晶片10。另外，利用有磨粒研磨液的研磨与利用无磨粒的研磨相比，能将在倒角部11产生的损伤和压痕有效地去除。因此，通过实施精加工前镜面倒角研磨工序，能提高作为后工序的镜面倒角研磨工序的作业效率。
（3）对于在精加工前镜面倒角研磨工序中使用的研磨垫，使用压缩率为不满7%的无纺布，对于在镜面精加工倒角研磨工序中使用的研磨垫，使用压缩率为6%以上的绒面革。
根据该法发明，通过将上述各工序的研磨垫的压缩率等设成特定的组合，能在精加工前镜面倒角研磨工序中进一步地抑制过度抛光，能在镜面精加工倒角研磨工序中进一步地降低倒角部的粗糙度。
（4）在镜面精加工倒角研磨工序中使用的无磨粒研磨液中，添加有聚合物。
根据该发明，在无磨粒研磨液中添加有聚合物，由此，能提高处于镜面精加工倒角研磨工序时的半导体晶片的研磨面的润湿性。
【其他实施方式】
此外，本发明不仅限于上述实施方式，在不脱离本发明的要旨的范围内，能进行各种改良及设计变更。
在上述实施方式中，设成在镜面精加工倒角研磨工序的无磨粒研磨液中添加聚合物的方案，在精加工前镜面倒角研磨工序的有磨粒研磨液中也可以添加聚合物。
另外，在本实施方式中，为了形成在倒角部不存在氧化膜的半导体晶片，表示了实施精加工前镜面倒角研磨工序的例子，但不限于此。例如，也可以在罩住（マスク）倒角部的状态下形成氧化膜之后，通过去除罩部，形成在倒角部不存在氧化膜的半导体晶片。另外，例如，也可以借助腐蚀等，仅将整体地形成有氧化膜的半导体晶片的倒角部的氧化膜去除，由此，形成在倒角部不存在氧化膜的半导体晶片。
另外，将在半导体晶片整面上形成的氧化膜作为由在清洗工序中产生的氧化膜，但也可以使用化学溶液来在半导体晶片整面上形成氧化膜。在这种情况下，与自然氧化膜不同，能适宜地调整氧化膜的膜厚。
另外，在精加工前镜面倒角研磨工序中使用的研磨垫也可以尽可能地设成高硬度。将精加工前镜面倒角研磨工序的研磨垫的硬度较高地设定，由此降低研磨垫在处于研磨时朝向晶片的降沉。由此，抑制研磨垫不仅在倒角部而且一直绕入到晶片正面侧或者正反两面侧的状态，因此，结果，能抑制处于精加工前镜面倒角研磨工序时的过度抛光。
另外，本发明的实施时的具体的顺序以及构造等在能实现本发明的目的的范围内，也可以设成其它构造等。
实施例
接下来，将本发明借助实施例及比较例进一步地详细地说明，但本发明丝毫不限于这些例子。
【实施例1】
首先，作为半导体晶片10，准备如下所述的硅晶片：依次进行了切片、倒角、研磨、腐蚀、两面研磨以及清洗的各处理来得到的、直径300mm、晶体定向（100）的、在整面上形成膜厚0.9nm的自然氧化膜的硅晶片。
接下来，使用图2A所示的倒角研磨装置20，镜面倒角研磨清洗后的硅晶片的倒角部。该镜面倒角研磨以第一步（精加工前镜面倒角研磨）以及第二步（镜面精加工倒角研磨）的两阶段进行。
·第一步（精加工前镜面倒角研磨）
研磨垫：作为研磨布使用压缩率为4.1%的无纺布。
研磨液：使用有磨粒研磨液（含有平均粒径50nm的硅胶磨粒的pH10~11的KOH水溶液）。
·第二步（镜面精加工倒角研磨）
研磨垫：作为研磨布使用压缩率为6.7%的绒面革。
研磨液：使用无磨粒研磨液（pH10~11的KOH水溶液）。
【比较例1】
除了将镜面倒角研磨条件如下地变更之外，与实施例1相同地取得硅晶片。
·第一步（精加工前镜面倒角研磨）
研磨垫：作为研磨布使用压缩率为6.9%的无纺布。
研磨液：使用有磨粒研磨液（含有平均粒径50nm的硅胶磨粒的pH10~11的KOH水溶液）。
·第二步（镜面精加工倒角研磨）
研磨垫：作为研磨布使用压缩率为6.7%的绒面革。
研磨液：使用有磨粒研磨液（含有平均粒径50nm的硅胶磨粒的pH10~11的KOH水溶液）。
【比较例2】
除了将镜面倒角研磨条件如下地变更之外，与实施例1相同地取得硅晶片。该比较例2与上述实施例1、比较例1不同，是借助一个阶段进行的镜面倒角研磨。
研磨垫：作为研磨布使用压缩率为6.9%的无纺布。
研磨液：使用有磨粒研磨液（含有平均粒径50nm的硅胶磨粒的pH10~11的KOH水溶液）。
【比较例3】
除了将镜面倒角研磨条件如下地变更之外，与实施例1相同地取得硅晶片。该比较例3与上述实施例2相同，是借助一个阶段进行的镜面倒角研磨。
研磨垫：作为研磨布使用压缩率为4.1%的无纺布。
研磨液：使用有磨粒研磨液（含有平均粒径50nm的硅胶磨粒的pH10~11的KOH水溶液）。
【评价】
准备多张由实施例1及比较例1~3得来的镜面倒角研磨后的硅晶片，关于这些硅晶片，使用平面度测定装置（科磊（KLA TENCOR）公司制的Wafer-Sight2）算出FZDD（Frontside_ZDD）（正面轮廓的2次微分值）。FZDD是表示边缘滚降大小的尺寸。在图3中表示其结果。
另外，关于这些硅晶片，使用激光干涉计装置（查普曼（Chapman）公司制）测定倒角部的微粗糙度。在图4中表示其结果。
由图3的比较例1和比较例2可知，在对于相当于精加工的研磨使用有磨粒研磨液的情况下，会使边缘滚降大幅地恶化。另一方面，由比较例3和实施例1可知，在对于相当于精加工的研磨使用无磨粒研磨液的情况下，不会使边缘滚降恶化。另外，由比较例2和比较例3可知，在使用有磨粒研磨液的情况下，作为用于研磨垫的研磨布，使用压缩率低的高硬度的无纺布更使边缘滚降变小。
由图4的比较例2和比较例3可知，在用一个阶段的镜面倒角研磨、使用有磨粒研磨液、作为研磨垫的研磨布使用无纺布的条件下，微粗糙度变大。另一方面，由比较例1和实施例1可知，实施用两个阶段的镜面倒角研磨，作为用于第二步研磨的研磨垫的研磨布，使用绒面革，在上述情况下，能将在第一步的研磨中很大的倒角部的微粗糙度大幅地缩小。
由上述图3、图4所示的结果可以确认：本发明的实施例1能抑制边缘滚降，另外，能将其与倒角部的粗糙度的平滑化两者并存。
附图标记说明
10半导体晶片；11倒角部；11A氧化膜；12正面；12A氧化膜。

Claims (4)

1.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，
对于在正面或者正反两面存在氧化膜而在倒角部不存在前述氧化膜的半导体晶片的前述倒角部，使用无磨粒研磨液来实施镜面精加工倒角研磨工序。
2.如权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，
在前述镜面精加工倒角研磨工序之前，对于在前述正面或者前述正反两面以及前述倒角部存在前述氧化膜的半导体晶片的前述倒角部，使用有磨粒研磨液来实施精加工前镜面倒角研磨工序。
3.如权利要求2所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，
对于在前述精加工前镜面倒角研磨工序中使用的研磨垫，使用压缩率为不满7%的无纺布，对于在前述镜面精加工倒角研磨工序中使用的研磨垫，使用压缩率为6%以上的绒面革。
4.如权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，
在前述镜面精加工倒角研磨工序中使用的前述无磨粒研磨液中，添加有聚合物。
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