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CN104904030B - Oled微腔结构及其制造方法 - Google Patents

Oled微腔结构及其制造方法 Download PDF

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CN104904030B
CN104904030B CN201380069353.0A CN201380069353A CN104904030B CN 104904030 B CN104904030 B CN 104904030B CN 201380069353 A CN201380069353 A CN 201380069353A CN 104904030 B CN104904030 B CN 104904030B
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Abstract

一种有机发光二极管包括：基板；第一腔电极，其在基板的第一微腔区域中；第一透明电极，具有第一厚度，第一透明电极在第一微腔区域中，第一透明电极叠盖超过第一腔电极的第一侧；第一发射层，其与第一透明电极电连接；以及阴极层，其在第一发射层上。

Description

OLED微腔结构及其制造方法
技术领域
本发明的实施方式涉及有机发光二极管，并且更特别地，涉及有机发光二极管微腔结构及其制造方法。尽管本发明的实施方式适用于大范围的应用，但其特别适用于具有至少三个子像素区的矩阵结构。
背景技术
通常，有机电致发光(EL)器件(还被称为有机发光二极管器件或OLED器件)可以以预定颜色波长发射光。OLED器件包括用于空穴注入的阳极、用于电子注入的阴极、以及夹在阳极和阴极之间以使空穴和电子复合以发射光的有机发射层。OLED器件可以一个堆叠在另一个上面，使得一个发射层发射一种颜色，并且另一个发射层发射另一种颜色，使得这些颜色组合以形成一种或更多种颜色。为了构造诸如电视、计算机监视器、蜂窝电话显示器、或数码相机显示器的像素化彩色显示器件，单独的OLED器件或堆叠的OLED器件都可以被布置成像素的矩阵阵列。
为了使每个像素产生多种颜色，像素被划分成多个子像素区，其中，每个子像素区都具有用于发射预定峰值颜色波长或多个颜色波长的OLED器件。通常，彩色像素显示器由两种像素类型中的一种制成。第一种像素类型是具有红色、绿色和蓝色子像素区的RGB像素类型。第二种像素类型是具有红色、绿色、蓝色和白色子像素区的RGBW像素类型。红色、绿色和蓝色子像素区分别发射红色、绿色和蓝色的预定峰值颜色波长。白色子像素区发射多个颜色波长。除了RGB和RGBW像素类型之外，存在具有利用其它预定峰值颜色波长的子像素区的其它显示像素类型，诸如，具有发射红色、绿色、蓝绿色和品红色的峰值颜色波长的子像素区的RGCM像素类型。
可以使用无源矩阵或有源矩阵驱动方案来电驱动像素的矩阵。在无源矩阵中，OLED子像素区被夹在布置成行和列的两组正交电极之间。在有源矩阵构造中，通过诸如晶体管的开关元件和驱动元件，启动子像素区的每个OLED器件。
存在使用OLED器件结构产生彩色显示的三种基本方法。第一种方法是对像素的子像素中的发射层使用不同有机电致发光材料来发射不同预定峰值颜色波长。第二种方法是对每个子像素区中的每个发射层使用相同有机电致发光材料以及不同滤色器，来发射不同预定峰值颜色波长。第三种方法是对每个子像素区中的发射层使用不同有机电致发光材料以及不同滤色器，来发射不同预定峰值颜色波长。
在使用不同有机电致发光材料而没有滤色器的第一种方法中，可以对OLED器件的像素的子像素区中的每个发射层使用不同有机电致发光材料，来配置每个不同颜色的子像素区。例如，第一有机电致发光材料发射峰值红色波长，第二有机电致发光材料发射峰值绿色波长，以及第三有机电致发光材料发射峰值蓝色波长。通过使用荫罩、源自施主片材的热传递和喷墨打印中的一种在像素的相应子像素区内选择性地设置这三种不同有机电致发光材料。
在对每个子像素区中的每个发射层使用相同有机电致发光材料以及不同滤色器来发射不同预定峰值颜色波长以产生彩色显示的第二种方法中，所有不同颜色的子像素区中的相同有机电致发光材料可以是跨所有子像素区的连续层或分别设置在每个子像素区中的单独层。用于将从每个OLED器件发射的公共颜色波长选择性地转换成子像素区的不同颜色的不同滤色器在顶部发射器件中被设置在发射层上方，并且在底部发射器件中被设置在发射层下方。在所有子像素区的发射层中使用相同有机电致发光材料的情况下，有机电致发光材料通常被配置成产生宽发射光谱的光，也被称为白色发射或白光OLED。
在使用不同有机电致发光材料用于发射层以及不同滤色器的第三种方法中，可以使用不同有机电致发光材料用于像素的子像素区中的OLED器件的每个发射层，来配置每个不同颜色的子像素区。例如，第一有机电致发光材料发射峰值红色波长，第二有机电致发光材料发射峰值绿色波长，第三有机电致发光材料发射峰值蓝色波长，并且第四有机电致发光材料发射宽光谱的波长或白光。在这个示例中，红色滤色器与发射峰值红色波长的第一有机电致发光材料相关联，绿色滤色器与发射峰值绿色波长的第二有机电致发光材料相关联，蓝色滤色器与发射峰值蓝色波长的第三有机电致发光材料相关联。为了改进在以上这三种方法中的OLED器件的亮度输出效率，可以使用微腔效应。在微腔OLED器件中，发射层结构设置在反射器和半透射反射器之间，半透射反射器对于期望波长至少是半透明的。反射器和半透射反射器形成Fabry-Perot微腔，其增强设置在微腔中的发射层结构的发射特性。更具体地，通过阴极增强与腔的谐振波长对应的波长附近的光发射，同时削弱不与谐振波长对应的其它波长。在OLED器件中使用微腔通过配置子像素区的反射电极和阴极之间的微腔的深度或长度，以具有与用于子像素区的期望峰值颜色波长对应的谐振波长，来提高光提取效率或亮度输出。
图1是根据现有技术的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。如图1中所示，在基板101上形成红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B。红色子像素区R包括设置在公共阴极160和用于红色子像素区R的阳极120R之间的红色发射层151。绿色子像素区G包括设置在公共阴极160和用于绿色子像素区G的阳极120G之间的绿色发射层152。蓝色子像素区B包括设置在公共阴极160和用于蓝色子像素区B的阳极120B之间的蓝色发射层153。用于红色子像素区R的阳极120R在腔电极110R上，腔电极110R在基板101上。用于蓝色子像素区B的阳极120B在腔电极110B上，腔电极110B在基板101上。用于绿色子像素区G的阳极120G在腔电极110G上，腔电极110G在基板101上。红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B通过堤状物140分开。
通过控制发射层的厚度，配置现有技术中的子像素区的反射电极和阴极之间的微腔的深度。如图1中所示，公共阴极160和用于红色子像素区R的腔电极110R之间的红色子像素区R中的微腔CDR的深度大于公共阴极160和用于绿色子像素区G的腔电极110G之间的绿色子像素区G中的微腔CDG的深度，这是因为红色子像素区R的红色发射层151比绿色子像素区G的绿色发射层152厚。公共阴极160和用于蓝色子像素区B的腔电极110B之间的蓝色子像素区B中的微腔CDB的深度小于公共阴极160和用于绿色子像素区G的腔电极110G之间的绿色子像素区G中的微腔CDG的深度，这是因为蓝色子像素区B的蓝色发射层153比绿色子像素区G的绿色发射层152薄。
如图1中所示，红色光RCL跨微腔CDR的整个深度在公共阴极160和腔电极110R之间来回反射，使得红色光RCL的亮度通过相长干涉而增加。绿色光GCL跨微腔GDR的整个深度在公共阴极160和腔电极110G之间来回反射，使得绿色光GCL的亮度通过相长干涉而增加。蓝色光BCL跨微腔CDB的整个长度在公共阴极160和腔电极110B之间来回反射，使得蓝色光BCL的亮度通过相长干涉而增加。
通过光学距离(其是波长)限定有效微腔深度。用于红色子像素区R的微腔CDR的深度被配置成比用于蓝色子像素区B的微腔CDB的深度更深，这是因为红色光RCL的波长比蓝色光BCL的波长更长。用于绿色子像素区G的微腔CDG的深度被配置成比用于蓝色子像素区B的微腔CDB的深度更深，这是因为绿色光GCL的波长比蓝色光BCL的波长更长。用于红色子像素区R的微腔CDR的深度被配置成比用于绿色子像素区G的微腔CDG的深度更深，这是因为红色光RCL的波长比绿色光GCL的波长更长。
控制发射层的厚度是困难的。更具体地，现有技术结构要求用于每个子像素区的单独沉积工艺，这是因为每个发射层通常是一系列子层，这些子层的厚度根据用于该子像素区的发射层的整体厚度而改变。此外，不可能使用精细金属掩模蒸镀技术很好地限定发射层。而且，现有技术中的透明阳极电极的图案化可能导致留下残余物，残余物可能导致相邻像素区之间的短路。
发明内容
本发明的实施方式涉及有机发光二极管微腔结构及其制造方法，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题。
本发明的实施方式的目的是提供用于每个子像素区的阳极层，阳极层被配置成具有预定整体厚度，以根据用于每个子像素区的峰值颜色波长，在反射电极和阴极层之间提供预定距离。
本发明的实施方式的另一个目的是防止相邻子像素区之间的短路。
本发明的实施方式的另一个目的是在具有微腔结构的每个子像素区中形成具有相同厚度的发射层。
本发明的实施方式的另一个目的是减少用于在具有微腔结构的子像素区中形成阳极和腔电极的掩模的数量。
本发明的实施方式的额外特征和优点将在以下描述中阐述，并且部分根据描述将显而易见，或者可以通过实现本发明的实施方式而得知。将通过所编写的说明书和其权利要求以及附图中特别指出的结构，来实现和获得本发明的实施方式的目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的实施方式的目的，如具体化和概括描述的，一种有机发光二极管包括：基板；第一腔电极，其在所述基板的第一微腔区域中；具有第一厚度的第一透明电极，其在所述第一微腔区域中，所述第一透明电极叠盖超过(overlap beyond)所述第一腔电极的第一侧；第一发射层，其与所述第一透明电极电连接；阴极层，其在所述第一发射层上。
另一方面，一种基板上的有机发光二极管包括：具有第一宽度的第一反射电极，其在所述基板的第一微腔区域中；第一透明电极，其具有第二宽度并且设置在所述第一反射电极上，其中，所述第二宽度比所述第一宽度大；第一发射层，其与所述第一透明电极电连接；以及阴极层，其在所述第一发射层上。
另一方面，一种基板上的有机发光二极管包括：具有第一宽度的第一腔电极，其在所述基板的第一子像素区中；第一透明电极，其具有第二宽度并且设置在所述第一腔电极上，其中，所述第二宽度大于所述第一宽度；第一发射层，其与所述第一透明电极电连接；以及阴极层，其在所述第一发射层上。
另一方面，一种有机发光二极管包括：基板；在所述基板上的第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；第一腔电极，其在所述基板的所述第一子像素区中；第二腔电极，其在所述基板的所述第二子像素区中；第三腔电极，其在所述基板的所述第三子像素区中；具有第一厚度的第一透明电极，所述第一透明电极在所述第一子像素区中，所述第一透明电极叠盖超过所述第一腔电极的一侧；具有第二厚度的第二透明电极，所述第二透明电极在所述第一子像素区和第二子像素区中，所述第二子像素区中的所述第二透明电极叠盖超过所述第二腔电极的一侧；在所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区中具有第三厚度的第三透明电极，所述第三子像素区中的所述第三透明电极叠盖超过所述第三腔电极的一侧；发射层，其与所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极电连接；以及阴极层，其在所述发射层上。
另一方面，一种基板上的有机发光二极管包括：在所述基板上R子像素区、G子像素区和B子像素区；第一反射电极，其在所述基板的所述R子像素区中；第二反射电极，其在所述基板的所述G子像素区中；第三反射电极，其在所述基板的所述B子像素区中；具有第一厚度的第一透明电极，所述第一透明电极在所述R子像素区中，所述第一透明电极叠盖超过所述第一反射电极的一侧；具有第二厚度的第二透明电极，所述第二透明电极在所述R子像素区域和所述G子像素区域中，所述G子像素区域中的所述第二透明电极叠盖超过所述第二反射电极的一侧；具有第三厚度的第三透明电极，所述第三透明电极在所述R子像素区、所述G子像素区、所述B子像素区中，所述B子像素区中的所述第三透明电极叠盖超过所述第三反射电极的一侧；发射层，其与所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极电连接；以及阴极层，其在所述发射层上。
另一方面，一种在基板上制造有机发光二极管的方法，该方法包括：跨所述基板的第一微腔区域、第二微腔区域和第三微腔区域形成腔电极层；在所述第一微腔区域中形成具有第一厚度的第一透明层；在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域中形成具有第二厚度的第二透明层；在所述第一微腔区域、所述第二微腔区域和所述第三微腔区域中形成具有第三厚度的第三透明层；蚀刻所述腔电极层，使得所述第一微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第一腔电极的第一侧，所述第二微腔区域中的所述第二透明层叠盖超过第二腔电极的第二侧，以及所述第三微腔区域中的所述第三透明层叠盖超过第三腔电极的第三侧；在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域之间形成第一堤状物，并且在所述第二微腔区域和所述第三微腔区域之间形成第二堤状物；形成与所述第一微腔区域的所述第三透明层电连接的第一发射层；形成与所述第二微腔区域的所述第二透明层电连接的第二发射层；形成与所述第三微腔区域的所述第三透明层电连接的第三发射层；以及在所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层上形成阴极层。
又一方面，一种在基板上制造有机发光二极管的方法包括：跨所述基板的第一微腔区域、第二微腔区域和第三微腔区域形成腔电极层；在所述第一微腔区域、所述第二微腔区域和所述第三微腔区域中形成具有第一厚度的第一透明层；在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域中形成具有第二厚度的第二透明层；在所述第一微腔区域中形成具有第三厚度的第三透明层；蚀刻所述腔电极层，使得所述第一微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第一腔电极的第一侧，所述第二微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第二腔电极的第二侧，以及所述第三微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第三腔电极的第三侧；在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域之间形成第一堤状物，并且在所述第二微腔区域和所述第三微腔区域之间形成第二堤状物；形成与所述第一微腔区域的所述第三透明层电连接的第一发射层；形成与所述第二微腔区域的所述第二透明层电连接的第二发射层；形成与所述第三微腔区域的所述第一透明层电连接的第三发射层；以及在所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层上形成阴极层。
将理解，以上总体描述和以下详细描述均是示例性的和说明性的，并且旨在对要求保护的本发明的实施方式提供进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的实施方式的进一步理解并且被结合且构成本说明书的一部分，附图示出本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的实施方式的原理。
图1是根据现有技术的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。
图2是根据本发明的示例性实施方式的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。
图3是根据本发明的示例性实施方式的连接至驱动电路的顶部发射OLED微腔结构的子像素区的视图。
图4是根据本发明的示例性实施方式的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。
图5是根据本发明的示例性实施方式的使用滤色器的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的四个子像素区的视图。
图6是根据本发明的示例性实施方式的每个都具有底部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。
图7是根据本发明的示例性实施方式的使用滤色器的每个都具有底部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。
图8a至图8o示出根据本发明的示例性实施方式的用于制造每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的方法的示例性步骤。
图9a至图9m示出根据本发明的示例性实施方式的制造每个都具有底部发射OLED微腔结构的三个子像素区的方法的示例性步骤。
图10示出当腔电极层上的下透明电极的宽度大于下透明电极上的上透明电极的宽度时的腔电极的蚀刻。
图11示出当腔电极层上的下透明电极的宽度小于下透明电极上的上透明电极的宽度时的腔电极的蚀刻。
图12示出当腔电极层上的下透明电极的宽度小于位于下透明电极上方的两个未对准上透明电极的组合宽度时的腔电极的蚀刻。
具体实施方式
现在，将对本发明的优选实施方式详细地进行参考，在附图中示出这些实施方式的示例。然而，本发明可以以许多不同形式来具体实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式，旨在使得本公开将是彻底的和完全的，并且将把本发明的思想传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，层和区域的厚度被放大。图中的类似参考标号表示类似元件。
还应该理解，当层被称为在另一层或基板“上”时，它可直接在另一层或基板上，或者还可以存在中间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件上时，不存在中间元件。
在整个说明书中，相同参考标号指示相同组件。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
词语“顶部发射类型的有机发光显示器件”在本文中是指将来自有机发光元件的光发射到有机发光显示器件的顶部的有机发光显示器件，并且是指在朝向形成有用于操作有机发光显示器件的薄膜晶体管的基板的相对侧的方向上发射来自有机发光元件的光的有机发光显示器件。
词语“底部发射类型的有机发光显示器件”在本文中用于指将来自有机发光元件的光发射到有机发光显示器件的底部的有机发光显示器件，并且是指在朝向形成有用于操作有机发光显示器件的薄膜晶体管的基板的方向上发射来自有机发光元件的光的有机发光显示器件。
词语“双面发射类型的有机发光显示器件”在本文中用于指将来自有机发光元件的光发射到有机发光显示器件的顶部和底部的有机发光显示器件。顶部发射类型、底部发射类型和双面发射类型的有机发光显示器件中的每个都可以被最佳地布置，使得通过布置薄膜晶体管、阳极和阴极以优化各个发射类型，使薄膜晶体管不干扰有机发光元件的发射方向。
词语“柔性显示器件”在本文中用于指应用柔性的显示器件。该词语可用于与可弯曲显示设备、可卷曲显示设备、不可破显示设备、可折叠显示设备等等效的意义。本文中的柔性有机发光显示器件是各种柔性显示器件的一个方案。
词语“透明显示器件”在本文中用于指观众观看的显示器件的屏幕区域的至少部分是透明的。透明显示器件的透明度在本文中用于指观众可以识别显示器件后面的物体的透明度。例如，在本文中，透明显示设备是指透射率为至少20％的显示器件。
分别地，本发明的各种实施方式的特征可以部分或整体地被组合或结合，并且如本领域技术人员可理解的，可以以不同方式相互作用和操作。每个实施方式都可以彼此独立地被实现，或以关联关系被实现。
图2是根据本发明的示例性实施方式的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。如图2中所示，在基板201上形成红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B。用于红色子像素区R的腔电极210R位于基板201上。第一阳极层221R、第二阳极层225R和第三阳极层227R堆叠在腔电极210R上。用于绿色子像素区G的腔电极210G位于基板201上。第一阳极层225G和第二阳极层227G堆叠在腔电极210G上。用于蓝色子像素区B的腔电极210B位于基板201上。第一阳极层227B位于腔电极210B上。红色子像素区R包括设置在公共阴极260和第三阳极层227R之间的红色发射层251。绿色子像素区G包括设置在公共阴极260和第二阳极层227G之间的绿色发射层252。蓝色子像素区B包括设置在公共阴极260和第一阳极层227B之间的蓝色发射层253。红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B通过堤状物240分开。红色发射层251、绿色发射层252和蓝色发射层253具有相同厚度。
如图2中所示，红色子像素区R中在公共阴极260和用于红色子像素区R的腔电极210R之间的微腔CDR的深度大于绿色子像素区G中在公共阴极260和用于绿色子像素区G的腔电极210G之间的微腔CDG的深度。蓝色子像素区B中在公共阴极260和用于蓝色子像素区B的腔电极210B之间的微腔CDB的深度小于绿色子像素区G中在公共阴极260和用于绿色子像素区G的腔电极210G之间的微腔CDG的深度。红色子像素区R中的微腔CDR的深度大于绿色子像素区G中的微腔CDG的深度，这是因为红色子像素区R中的第一阳极层221R、第二阳极层225R和第三阳极层227R的组合比绿色子像素区G中的第一阳极层225G和第二阳极层227G的组合厚。绿色子像素区G中的微腔CDG的深度大于蓝色子像素区B中的微腔CDB的深度，这是因为绿色子像素区G中的第一阳极层225G和第二阳极层227G的组合比蓝色子像素区B中的第一阳极层227B厚。
如图2中所示，微腔的深度可以改变为与用于子像素的期望光波长相同的光学距离。一个子像素与另一个子像素的相对深度不限于以上实施方式。例如，用于两个相邻子像素的微腔的深度可以相同，同时另一个子像素具有为不同深度的微腔。微腔的深度取决于第一阳极层、第二阳极层和第三阳极层之间的厚度差异、以及第一阳极层、第二阳极层和第三阳极层中的哪个设置在子像素中。
如图2中所示，公共阴极260是反射性的和半透射性的，而腔电极210基本上是反射性的。可选地，公共阴极260可以由第一微腔区域中的第一阴极层、第二微腔区域中的第二阴极层、以及第三微腔区中的第三阴极层形成，其中，第一阴极层、第二阴极层和第三阴极层相互分开。红色光RCL跨微腔CDR的整个深度在公共阴极260和腔电极210R之间来回反射，使得红色光RCL的亮度通过相长干涉(constructive interference)而增加。绿色光GCL跨微腔CDG的整个深度在公共阴极260和腔电极210G之间来回反射，使得绿色光GCL的亮度通过相长干涉而增加。蓝色光BCL跨微腔CDB的整个深度在公共阴极260和腔电极210B之间来回反射，使得蓝色光BCL的亮度通过相长干涉而增加。
图2中示出的用于红色子像素区R的微腔CDR的深度被配置成大于用于蓝色子像素区B的微腔CDB的深度，这是因为红色光RCL的波长比蓝色光BCL的波长更长。图2中示出的用于绿色子像素区G的微腔CDG的深度被配置成大于用于蓝色子像素区B的微腔CDB的深度，这是因为绿色光GCL的波长比蓝色光BCL的波长更长。图2中示出的用于红色子像素区R的微腔CDR的深度被配置成大于用于绿色子像素区G的微腔CDG的深度，这是因为红色光RCL的波长比绿色光GCL的波长更长。
分别在子像素区R、G和B中的第一阳极层221R、225G和227B的宽度WA大于分别在子像素区R、G和B中的腔电极210R、210G和210B的宽度WR。因为第一阳极层221R、225G和227B的宽度WA比腔电极210R、210G和210B的宽度WR更宽，所以第一阳极层221R、225G和227B分别叠盖超过腔电极210R、210G和210B的至少一侧。第一阳极层221R、225G和227B是由例如铟锡氧化物(ITO)制成的透明电极。腔电极210R、210G和210B可以由诸如银或银合金的反射金属制成。图2中的OLED微腔结构是顶部发射器件，这是因为从子像素区R、G和B发出的光从腔电极210R、210G和210B被反射通过公共阴极260。在顶部发射器件中，腔电极优选地基本具有反射性，而公共阴极既是半透射性的又是反射性的。在底部发射器件中，腔电极既是半透射性的又是反射性的，而公共阴极基本上是反射性的。
图3是根据本发明的示例性实施方式的连接到驱动电路的顶部发射OLED微腔结构的子像素区的视图。如图3中所示，红色子像素区R的腔电极210R可以与安装在显示基板271上的驱动器件272接触。用于OLED器件的基板271可以是叠置在驱动器件272上的钝化层273上的平坦化层。
图4是根据本发明的示例性实施方式的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。如图4中所示，在基板301上形成红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B。用于红色子像素区R的腔电极310R位于基板301上。第一阳极层321R、第二阳极层325R和第三阳极层327R堆叠在腔电极310R上。用于绿色子像素区G的腔电极310G位于基板301上。第一阳极层321G和第二阳极层325G堆叠在腔电极310G上。用于蓝色子像素区B的腔电极310B位于基板301上。第一阳极层321B位于腔电极310B上。连续白色发射层351设置在红色子像素区R的第三阳极层327R、绿色子像素区G的第二阳极层325G、蓝色子像素区B的第一阳极层321B和这些子像素区之间的堤状物340上。公共阴极360形成在白色发射层351上。红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B可以具有微腔结构CDR、CDG和CDB，微腔结构CDR、CDG和CDB具有与从子像素区发射的颜色的光学波长对应的相应深度。
如图4中所示，公共阴极360既是反射性的又是半透射性的。红色光RCL跨微腔CDR的整个深度在公共阴极360和腔电极310R之间来回反射，使得红色光RCL的亮度通过相长干涉而增加。绿色光GCL跨微腔CDG的整个深度在公共阴极360和腔电极310G之间来回反射，使得绿色光GCL的亮度通过相长干涉而增加。蓝色光BCL跨微腔CDB的整个深度在公共阴极360和腔电极310B之间来回反射，使得蓝色光BCL的亮度通过相长干涉而增加。
图5是根据本发明的示例性实施方式的使用滤色器的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的四个子像素区的视图。图5中示出的四个子像素区具有与图4中所示相同的公共阴极和阳极层。图5中的四个子像素区均被示出为在器件基板454上具有相应驱动电路453，并且白色发射层455和456在堤状物层440上方被设置用于白色子像素区W、蓝色子像素区B、绿色子像素区G和红色子像素区R中的每个，以及蓝色滤色器471、绿色滤色器472和红色滤色器473分别被设置用于蓝色子像素区B、绿色子像素区G和红色子像素区R。
如图5中所示，用于红色子像素区R的红色滤色器471、用于绿色子像素区G的绿色滤色器472和用于蓝色子像素区B的蓝色滤色器473在公共阴极460上方的黑矩阵层480中。用于白色子像素区W的透明树脂可以在公共阴极460上方的黑矩阵层480中。透明覆盖层490位于黑矩阵480上。连续蓝色发射层455上的连续黄色发射层456二者形成白色发射层455和456。两个或更多个颜色发射层的其它组合可用于形成白色发射层。在另一个可选方案中，该对蓝色发射层上的黄色发射层可以单独形成在每个子像素区中。
红色阳极层411R的整体厚度大于绿色阳极层411G的整体厚度，同时蓝色阳极层411B的整体厚度小于绿色阳极层411G的整体厚度。在来自白色发射层455和456的光的波长在公共阴极460和腔电极410R之间来回反射之后，红色光RCL来自红色滤色器471，使得红色光RCL的亮度通过经过红色滤色器471的被反射光波长的相长干涉而增加。在来自白色发射层455和456的光的波长在公共阴极460和腔电极410G之间来回反射之后，绿色光GCL来自绿色滤色器472，使得绿色光GCL的亮度通过经过绿色滤色器472的被反射光波长的相长干涉而增加。在来自白色发射层455和456的光的波长在公共阴极460和腔电极410B之间来回反射之后，蓝色光BCL来自蓝色滤色器473，使得蓝色光BCL的亮度通过经过蓝色滤色器473的被反射光波长的相长干涉而增加。在来自白色发射层455和456的光的波长在公共阴极460和腔电极410G之间来回反射之后，白色光WCL来自透明覆盖层490。在可选方案中，在来自白色发射层455和456的光的波长在公共阴极460和腔电极410R之间来回反射之后，白色光WCL可以来自透明树脂。白色子像素区W发射宽光谱的波长，并且如果白色阳极层411W的整体厚度与蓝色阳极层411B的整体厚度相同，则针对白色光WCL的蓝色波长，在公共阴极460和腔电极410W之间可以具有内反射。在可选方案中，如果白色阳极层411W的整体厚度与红色阳极层411R的整体厚度相同，则白色子像素区W针对白色光WCL的红色波长，在公共阴极460和腔电极410W之间可以具有内反射。在可选方案中，如果白色阳极层411W的整体厚度与绿色阳极层411G的整体厚度相同，则白色子像素区W针对白色光WCL的绿色波长，在公共阴极460和腔电极410W之间可以具有内反射。
图6是根据本发明的示例性实施方式的每个都具有底部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。如图6中所示，在基板501上形成红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B。用于红色子像素区R的腔电极510R在基板501上。第一阳极层521R、第二阳极层525R和第三阳极层527R堆叠在腔电极510R上。用于绿色子像素区G的腔电极510G在基板501上。第一阳极层525G和第二阳极层527G堆叠在腔电极510G上。用于蓝色子像素区B的腔电极510B在基板501上。第一阳极层527B在腔电极510B上。蓝色发射层555上的黄色发射层556两者形成红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B中的白色发射层555和556。在红色子像素区R中，白色发射层555和556设置在公共阴极560和第三阳极层527R之间。在绿色子像素区G中，白色发射层555和556设置在公共阴极560和第二阳极层527G之间。在蓝色子像素区B中，白色发射层555和556设置在公共阴极560和第一阳极层527B之间。红色子像素区R中的第三阳极层527R、绿色子像素区G中的第二阳极层527G和蓝色子像素区B中的第一阳极层527B通过堤状物540分开。在可选方案中，每个阳极层上的发射层都可以是红色子像素区中的红色发射层、绿色子像素区中的绿色发射层和蓝色子像素区中的蓝色发射层。
如图6中所示，公共阴极560和用于红色子像素区R的腔电极510R之间的红色子像素区R中的微腔CDR的深度大于公共阴极560和用于绿色子像素区G的腔电极510G之间的绿色子像素区G中的微腔CDG的深度。公共阴极560和用于蓝色子像素区B的腔电极510B之间的蓝色子像素区B中的微腔CDB的深度小于公共阴极560和用于绿色子像素区G的腔电极510G之间的绿色子像素区G的微腔CDG的深度。红色子像素区R中的微腔CDR的深度大于绿色子像素区G中的微腔CDG的深度，这是因为红色子像素区R中的第一阳极层521R、第二阳极层525R和第三阳极层527R的组合比绿色子像素区G中的第一阳极层525G和第二阳极层527G的组合厚。绿色子像素区G中的微腔CDG的深度大于蓝色子像素区B中的微腔CDB的深度，这是因为绿色子像素区G中的第一阳极层525G和第二阳极层527G的组合比蓝色子像素区B中的第一阳极层527B厚。
如图6中所示，从基板501发射红色光RCL、绿色光GCL和蓝色光BCL。红色滤色器511对应于红色子像素区R的腔电极510R设置在基板501中。绿色滤色器512对应于绿色子像素区G的腔电极510G位于基板501中。蓝色滤色器513对应于蓝色子像素区B的腔电极510B位于基板501中。
如图6中所示，公共阴极560基本上是反射性的，并且腔电极510R、510G和513B中的每个既是半透射性的又是反射性的。在来自白色发射层555和556的光的波长在公共阴极560和腔电极510R之间来回反射之后，红色光RCL来自红色滤色器511，使得红色光RCL的亮度通过经过红色滤色器511的被反射光波长的相长干涉而增加。在来自白色发射层555和556的光的波长在公共阴极560和腔电极510G之间来回反射之后，绿色光GCL来自绿色滤色器512，使得绿色光GCL的亮度通过经过绿色滤色器572的被反射光波长的相长干涉而增加。在来自白色发射层555和556的光的波长在公共阴极560和腔电极510B之间来回反射之后，蓝色光BCL来自蓝色滤色器513，使得蓝色光BCL的亮度通过经过蓝色滤色器513的被反射光波长的相长干涉而增加。
如图6中所示，红色子像素区R中的腔电极510R、绿色子像素区G中的腔电极510G和蓝色子像素区B中的腔电极510B均既是反射性的又是半透射性的。既是反射性的又是半透射性的腔电极可以是金属(诸如，银)或金属合金(诸如，银和镁)的非常薄的层。在可选方案中，既是反射性的又是半透射性的腔电极可以是一层透明导电材料(诸如，ITO)上的金属或金属合金的非常薄的层。
图7是根据本发明的示例性实施方式的使用滤色器的每个都具有底部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。图7中示出的三个子像素区R、G和B具有与图6中所示相同的公共阴极和阳极层。与图6中的三个子像素区不同的是，图7中的三个子像素区均被示出为在器件基板671上具有相应驱动电路672。
如图7中所示，三个子像素区R、G和B通过堤状物640分开。用于红色子像素区R的红色滤色器673、用于绿色子像素区G的绿色滤色器674和用于蓝色子像素区B的蓝色滤色器675在保护层602中。在红色子像素区R中，红色滤色器673在保护层602中位于半透射性腔电极614R下方。在绿色子像素区G中，绿色滤色器674在保护层602中位于半透射性腔电极614G下方。在蓝色子像素区B中，蓝色滤色器675在保护层602中位于半透射性腔电极614B下方。
红色阳极层615R的整体厚度大于绿色阳极层615G的整体厚度，同时蓝色阳极层615B的整体厚度小于绿色阳极层615G的整体厚度。在来自白色发射层655和656的光的波长在公共阴极660和腔电极614R之间来回反射之后，红色光RCL来自红色滤色器673，使得红色光RCL的亮度通过经过红色滤色器673的被反射光波长的相长干涉而增加。在来自白色发射层655和656的光的波长在公共阴极660和腔电极614G之间来回反射之后，绿色光GCL来自绿色滤色器674，使得绿色光GCL的亮度通过经过绿色滤色器674的被反射光波长的相长干涉而增加。在来自白色发射层655和656的光的波长在公共阴极660和腔电极614B之间来回反射之后，蓝色光BCL来自蓝色滤色器675，使得蓝色光BCL的亮度通过经过蓝色滤色器675的被反射光波长的相长干涉而增加。
图8a至图8o示出根据本发明的示例性实施方式的制造每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的方法的示例性步骤。如图8a中所示，在基板701上开始用于制造每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的方法，基板701可以是设置在用于子像素区的驱动器件上方的平坦化层。如图8b中所示，对于顶部发射器件而言基本上是反射性的腔电极层710可以由银或银合金制成，银或银合金通过在基板701上溅射而被沉积。如图8c中所示，具有第一预定厚度的透明材料(诸如ITO)的第一透明层721被沉积在腔电极层710上。第一曝光过程将第一透明层721上的光致抗蚀剂722图案化。如图8d中所示，在红色子像素区R中，第一图案化光致抗蚀剂722形成在第一透明层721上。使用例如草酸(oxalicaide)湿蚀刻第一透明层721形成红色子像素区R中的第一透明电极721R。在红色子像素区R中形成第一透明电极721R导致在第一透明电极721R周围的一些残余物721'，如图8e中所示。
如图8f中所示，具有第二预定厚度的透明材料(诸如ITO)的第二透明层725被沉积在腔电极层710和红色子像素区R中的第一透明电极721R上。第二曝光过程将第二透明层725上的光致抗蚀剂726图案化。如图8g中所示，第二图案化光致抗蚀剂726形成在红色子像素区R中的第二透明层725上和绿色子像素区G中的第二透明层725上。使用例如草酸湿蚀刻第二透明层725形成红色子像素区R中的第一透明电极721R上的第二透明电极725R和绿色子像素区G中的第一透明电极725G。形成红色子像素区R中的第二透明电极725R和绿色子像素区G中的第一透明电极725G导致在第一透明电极721R和第二透明电极725R周围以及在第一透明电极725G周围的附加残余物725'，如图8h中所示。
如图8i中所示，具有第三预定厚度的透明材料(诸如ITO)的第三透明层727沉积在腔电极层710、红色子像素区R中的第二透明电极725R和绿色子像素区G中的第一透明电极725G上。第三曝光过程将第三透明层727上的光致抗蚀剂728图案化。如图8i中所示，第三图案化光致抗蚀剂728形成在红色子像素区R中的第三透明层727上、绿色子像素区G中的第三透明层727上、以及蓝色子像素区B中的第三透明层727上。使用例如草酸湿蚀刻第三透明层727形成红色子像素区R中的第二透明电极725R上的第三透明电极727R、绿色子像素区G中的第一透明电极725G上的第二透明电极727G、以及蓝色子像素区B中的第一透明电极727B。形成红色子像素区R中的第三透明电极727R、绿色子像素区G中的第二透明电极725G和蓝色子像素区B中的第一透明电极727B导致在第一透明电极721R、第二透明电极725R、第三透明电极727R周围、以及在第一透明电极725G和第二透明电极727G周围、以及在第一透明电极727B周围的更多残余物727'，如图8j中所示。
残余物721'、725'和727'可以从第一透明层721、第二透明层725和第三透明层72的蚀刻累积。残余物721'、725'和727'是导电的并且可能导致相邻子像素之间的短路。如图8j中所示，红色子像素区R和绿色子像素区G具有最多累积，使得如果残余物721'、725'和727'留下，则可能出现红色子像素区R和绿色子像素区G之间的短路。
如图8k中所示，在腔电极层710的湿蚀刻期间，去除残余物721'、725'和727'，以形成红色子像素区R中的腔电极710R、绿色子像素区G中的腔电极710G和蓝色子像素区B中的腔电极710B。例如，用于腔电极层710的湿蚀刻剂由能够对诸如铝、银、银合金的金属材料、其它金属材料或由其它金属材料组成的金属合金进行蚀刻的材料组成。而且，可以在湿蚀刻腔电极层710之前，或者在湿蚀刻腔电极层710之后，去除第三透明层727上的光致抗蚀剂728。这意味着，第三透明层727或光致抗蚀剂728可以是用于湿蚀刻腔电极层710的掩模。在湿蚀刻腔电极层710期间，红色子像素区R中的第一透明电极721R、绿色子像素区G中的第一透明电极725G、蓝色子像素区B中的第一透明电极727B分别用作用于红色子像素区R中的腔电极710R、绿色子像素区G中的腔电极710G和蓝色子像素区B中的腔电极710B的掩模。对腔电极层710进行湿蚀刻在红色子像素区R中的第一透明电极721R、绿色子像素区G中的第一透明电极725G和蓝色子像素区B中的第一透明电极727B下面形成底切(undercut)。因此，红色子像素区R中的腔电极710R、绿色子像素区G中的腔电极710G和蓝色子像素区B中的腔电极710B分别被红色子像素区R中的第一透明电极721R、绿色子像素区G中的第一透明电极725G和蓝色子像素区B中的第一透明电极727B的两侧叠盖超出距离U，如图8l中所示。如图8m中所示，然后在子像素区R、G和B的外围形成绝缘材料的堤状物740，以将子像素区的透明电极和腔电极与另一个子像素区的透明电极和腔电极分开和隔离。如图8n中所示，在红色子像素区R中的第三透明电极727R上沉积红色发射层751，在绿色子像素区G中的第二透明电极727G上沉积绿色发射层752，在蓝色子像素区B中的第一透明电极727B上沉积蓝色发射层753。因为红色发射层751、绿色发射层752和蓝色发射层753都具有相同厚度，所以可以使用利用精细金属掩模的蒸发沉积技术很好地限定各个发射层。可选地，可以跨OLED显示器的子像素沉积连续白色发射层，其中，每个子像素都具有用于该颜色的子像素的滤色器。
如图8o中所示，跨堤状物740和红色发射层751、绿色发射层752和蓝色发射层753沉积公共阴极760。公共阴极760对于顶部发射OLED器件而言既是反射性的又是半透射性的，并且可以由例如银和镁的合金的非常薄的层制成。
红色子像素区R中的微腔CDR的深度是第一阳极层721R、第二阳极层725R、第三阳极层727R和红色发射层751的组合厚度。绿色子像素区G中的微腔CDG的深度是第一阳极层725G和第二阳极层727G和绿色发射层752的组合厚度。蓝色子像素区B中的微腔CDB的深度是蓝色子像素区B中的第一阳极层727B和蓝色发射层753的组合厚度。因为在本发明的示例性实施方式中，每个发射层的厚度是相同的，所以用于子像素的微腔的深度基于子像素中的阳极层的数量。在三个曝光步骤中使用三个掩模，以在每个子像素中提供适当数量的阳极层。
图9a至图9m示出用于根据本发明的示例性实施方式的制造每个都具有底部发射OLED微腔结构的三个子像素区的方法的示例性步骤。如图9a中所示，在基板801上开始制造每个都具有底部发射OLED微腔结构的三个子像素区的方法，基板801可以是设置在用于子像素区的驱动器件上方的平坦化层。红色滤色器811、绿色滤色器812和蓝色滤色器813分别对应于基板801的红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B。对于底部发射器件而言既是半透射性的又是反射性的腔电极层810可以由通过在基板801上溅射被沉积的银或银合金的非常薄的层制成，如图9b中所示。
如图9b中所示，具有第一预定厚度的透明材料(诸如ITO)的第一透明层821沉积在腔电极层810上。第一曝光过程将第一透明层821上的光致抗蚀剂822图案化。如图9c中所示，在红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B中，第一图案化光致抗蚀剂822形成在第一透明层821上。使用例如草酸湿蚀刻第一透明层821形成红色子像素区R中的第一透明电极821R、绿色子像素区G中的第一透明电极821G和蓝色子像素区B中的第一透明电极821B，如图9d中所示。在红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B中形成第一透明电极821R、821G和821B导致在分别在红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B中的第一透明电极821R、821B和821G周围的一些残余物821'，如图9d中所示。
如图9e中所示，具有第二预定厚度的透明材料(诸如ITO)的第二透明层825沉积在腔电极层810和红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B中的第一透明电极821R、821G和821B上方。第二曝光过程将第二透明层825上的光致抗蚀剂826图案化。如图9f中所示，第二图案化光致抗蚀剂826形成在红色子像素区R中的第二透明层825上和绿色子像素区G中的第二透明层825上。使用例如草酸湿蚀刻第二透明层825形成红色子像素区R中的第一透明电极821R上的第二透明电极825R和绿色子像素区G中的第一透明电极821G上的第二透明电极825G，如图9g中所示。形成红色子像素区R中的第二透明电极825R和绿色子像素区G中的第二透明电极825G导致在红色子像素区R中的第一透明电极821R周围以及在绿色子像素区G中的第一透明电极821G周围的附加残余物825'，如图9g中所示。
如图9h中所示，具有第三预定厚度的透明材料(诸如ITO)的第三透明层827沉积在腔电极层810、红色子像素区R中的第二透明电极825R、绿色子像素区G中的第二透明电极825G、和蓝色子像素区B中的第一透明电极821B上方。第三曝光过程将第三透明层827上的光致抗蚀剂828图案化。如图9i中所示，第三图案化光致抗蚀剂828形成在红色子像素区R中的第三透明层827上。使用例如草酸湿蚀刻第三透明层827形成红色子像素区R中的第二透明电极825R上的第三透明电极827R。形成红色子像素区R中的第三透明电极827R导致在红色子像素区R中的第一透明电极821R周围的更多残余物827'，如图9j中所示。
残余物821'、825'和827'可以从第一透明层821、第二透明层825和第三透明层827的蚀刻累积。残余物821'、825'和827'是导电的，并且可能导致相邻子像素之间的短路。如图9j中所示，红色子像素区R和绿色子像素区G具有最多累积，使得如果残余物821'、825'和827'留下，则可能出现红色子像素区R和绿色子像素区G之间的短路。
如图9k中所示，在腔电极层810的湿蚀刻期间，去除残余物821'、825'和827'，以形成红色子像素区R中的腔电极810R、绿色子像素区G中的腔电极810G和蓝色子像素区B中的腔电极810B。例如，用于腔电极层810的湿蚀刻剂由能够对诸如铝、银、银合金的金属材料、其它金属材料或由其它金属材料组成的金属合金进行湿蚀刻的材料组成。而且，可以在湿蚀刻腔电极层810之前，或者在湿蚀刻腔电极层810之后，去除第三透明层827上的光致抗蚀剂828。这意味着，第三透明层827或光致抗蚀剂828可以是用于湿蚀刻腔电极层810的掩模。在湿蚀刻腔电极层810期间，红色子像素区R中的第一透明电极821R、绿色子像素区G中的第一透明电极821G、和蓝色子像素区B中的第一透明电极821B分别用作用于红色子像素区R中的腔电极810R、绿色子像素区G中的腔电极810G和蓝色子像素区B中的腔电极810B的掩模。对腔电极层810进行湿蚀刻在红色子像素区R中的第一透明电极821R、绿色子像素区G中的第一透明电极821G和蓝色子像素区B中的第一透明电极821B下面形成底切。因此，红色子像素区R中的腔电极810R、绿色子像素区G中的腔电极810G和蓝色子像素区B中的腔电极810B分别被红色子像素区R中的第一透明电极821R、绿色子像素区G中的第一透明电极821G和蓝色子像素区B中的第一透明电极821B的两侧叠盖超出，如图9k中所示。
如图9l中所示，然后在子像素区R、G和B的外围形成绝缘材料的堤状物840，以将子像素区的透明电极和腔电极与另一个子像素区的透明电极和腔电极分开和隔离。如图9m中所示，在红色子像素区R中的第三透明电极827R、绿色子像素区G中的第二透明电极825G、蓝色子像素区B中的第一透明电极821B和堤状物840上沉积蓝色发射层855并且然后是黄色发射层856。可选地，可以在堤状物840之间的每个子像素中设置成对黄色和绿色发射层。公共阴极860沉积在黄色发射层856上。公共阴极860基本上是反射性的并且可以由例如银、银合金或一些其它反射性材料制成。
图10示出当腔电极层上的下透明电极的宽度大于该下透明电极上的上透明电极的宽度时的腔电极的蚀刻。如图10中所示，在基板901上的腔电极层910上形成第二透明电极933和第一透明电极931的透明电极叠层，然后发生腔电极层910的湿蚀刻，以形成图案化的腔电极910X。通过湿蚀刻去除因形成第一透明电极931和第二透明电极933带来的残余物934。第一透明电极931的宽度W1确定图案化的腔电极910X的宽度。另外，腔电极910X在第一透明电极931两侧被底切距离U。因为第二透明电极933在第一透明电极931的外周内，所以第二透明电极933对图案化没有影响。存在第二透明电极、第三透明电极或第一透明电极、第二透明电极和第三透明电极的一些组合可能影响设置在第一透明电极下方的腔电极的图案化的情况。腔电极910X可以是反射性的或半透射性的，并且可应用至顶部发射OLED器件或底部发射OLED器件。
图11示出当腔电极层上的下透明电极的宽度小于该下透明电极上的上透明电极的宽度时的腔电极的蚀刻。如图11中所示，在基板1001上的腔电极层1010上形成第二透明电极1033和第一透明电极1031的透明电极叠层，并且然后发生腔电极层1010的湿蚀刻，以形成图案化腔电极1010Y。通过湿蚀刻去除因形成第一透明电极1031和第二透明电极1033带来的残余物1034。第一透明电极1031被无意地图案化成小于第二透明电极1033。第二透明电极1033的宽度W2确定图案化腔电极1010Y的宽度，这是因为由于第二透明电极1033的无意图案化导致第二透明电极1033向下叠盖(overlap down)第一透明电极1031的两侧。另外，腔电极1010Y在第二透明电极1033两侧被底切距离U。尽管所得到的腔电极1010Y比其它子像素的其它腔电极稍微更宽，但是残余物1034被去除并且腔电极1010Y被适当地图案化成第二透明电极1033和第一透明电极1031的透明电极叠层。腔电极1010Y可以是反射性的或半透射性的，并且可应用至顶部发射OLED器件或底部发射OLED器件。
图12示出当腔电极层上的下透明电极的宽度小于位于下透明电极上方的两个未对准上透明电极的组合宽度时的腔电极的蚀刻。如图12中所示，在基板1101上的腔电极层1110上形成第三透明电极1137、第二透明电极1133和第一透明电极1131的透明电极叠层，并且然后发生腔电极层1110的湿蚀刻，以形成图案化的腔电极1110Z。通过湿蚀刻去除因形成第一透明电极1131、第二透明电极1133和第三透明电极1137带来的残余物1138。第三透明电极1137被无意地图案化在第一透明电极1131的一侧上。第二透明电极1133被无意地图案化在第一透明电极1131的另一侧上。第一透明电极1131的一侧上的第二透明电极1133和第一透明电极1131的另一侧上的第三透明电极1137的组合的宽度W3确定图案化的腔电极1110Z的宽度。此外，腔电极1110Z在第二透明电极1133所在的一侧和第三透明电极1137所在的另一侧上被底切距离U。尽管所得到的腔电极1110Z比其它子像素的其它腔电极稍微更宽，但是残余物1134被去除并且腔电极1110Z被适当地图案化成第三透明电极(1137)、第二透明电极1133和第一透明电极1131的透明电极叠层。腔电极1110Z可以是反射性的或半透射性的，并且可应用至顶部发射OLED器件或底部发射OLED器件。
下文中，将描述本发明的有机发光二极管的各种特性。
根据本发明的另一个特性，第一透明电极叠盖超过第一腔电极的与第一侧相对的第二侧。
根据本发明的又一个特性，阴极层是反射性的。
根据本发明的又一个特性，阴极层是半透射性的。
根据本发明的又一个特性，第一腔电极是反射性的。
根据本发明的又一个特性，第一腔电极是半透射性的。
根据本发明的又一个特性，有机发光二极管还包括：基板的第二微腔区域中的第二腔电极；基板的第三微腔区域中的第三腔电极；第二微腔区域中的具有第二厚度的第二透明电极，第二透明层叠盖超过第二腔电极的第三侧；第三微腔区域中的具有第三厚度的第三透明电极，第三透明层叠盖超过第三腔电极的第四侧；与第二微腔区域的第二透明电极电连接的第二发射层；以及与第三微腔区域的第三透明电极电连接的第三发射层，其中，阴极层在第二发射层和第三发射层上。
根据本发明的又一个特性，阴极层包括第一微腔区域中的第一阴极层、第二微腔区域中的第二阴极层、第三微腔区域中的第三阴极层。
根据本发明的又一个特性，第二厚度小于第一厚度。
根据本发明的又一个特性，第三厚度小于第二厚度。
根据本发明的又一个特性，第二腔电极和第三腔电极是反射性的。
根据本发明的又一个特性，第二腔电极和第三腔电极是半透射性的。
根据本发明的又一个特性，第一、第二和第三发射层发射相同颜色。
下文中，将描述本发明的基板上的有机发光二极管的各种特性。
根据本发明的另一个特性，第一透明电极叠盖超过第一腔电极的第一侧和第一腔电极的与第一侧相对的第二侧。
根据本发明的又一个特性，第一腔电极是反射性的。
根据本发明的又一个特性，第一腔电极是半透射性的。
根据本发明的又一个特性，阴极层电极是反射性的。
根据本发明的又一个特性，阴极层电极是半透射性的。
下文中，将描述本发明的有机发光二极管的各种特性。
根据本发明的另一个特性，第一子像素区是红色子像素区，第二子像素区是绿色子像素区，并且第三子像素区是蓝色子像素区。
根据本发明的又一个特性，第一腔电极、第二腔电极和第三腔电极是反射性的。
根据本发明的又一个特性，第一腔电极、第二腔电极和第三腔电极是半透射性的。
根据本发明的又一个特性，发射层上的阴极层是反射性的。
根据本发明的又一个特性，发射层上的阴极层是半透射性的。
根据本发明的又一个特性，有机发光二极管还包括基板上的第四子像素区、基板的第四子像素区中的第四腔电极和第四子像素区中的具有第四厚度的第四透明电极，第四透明电极叠盖超过第四腔电极的一侧，其中，发射层与第四透明电极电连接。
根据本发明的又一个特性，第四子像素区是白色子像素区。
根据本发明的又一个特性，第四厚度与第一厚度、第二厚度和第三厚度中的一个相同。
下文中，将描述本发明的在基板上制造有机发光二极管的方法的各种特性。
根据本发明的另一个特性，针对同一颜色，同时形成第一发射层、第二发射层和第三发射层。
下文中，将描述本发明的在基板上制造有机发光二极管的方法的各种特性。
根据本发明的另一个特性，针对同一颜色，同时形成第一发射层、第二发射层和第三发射层。
本领域技术人员应该清楚，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明的实施方式中进行各种修改和改变。因此，只要本发明的修改和改变在随附权利要求及其等同物的范围内，本发明的实施方式就覆盖本发明的修改和改变。

Claims (30)

1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：
基板；
第一腔电极，所述第一腔电极在所述基板的第一微腔区域中；
具有第一厚度的第一透明电极，所述第一透明电极在所述第一微腔区域中，所述第一透明电极叠盖超过所述第一腔电极的第一侧；
第一发射层，所述第一发射层与所述第一透明电极电连接；以及
阴极层，所述阴极层在所述第一发射层上，
其中，由所述第一腔电极与所述阴极层形成微腔，所述第一透明电极叠盖超过所述第一腔电极的与所述第一侧相对的第二侧，并且所述第一透明电极均不围绕所述第一腔电极的所述第一侧和所述第二侧两者。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述阴极层是反射性的。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述阴极层是半透射性的。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一腔电极是反射性的。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一腔电极是半透射性的。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，所述有机发光二极管还包括：
第二腔电极，所述第二腔电极在所述基板的第二微腔区域中；
第三腔电极，所述第三腔电极在所述基板的第三微腔区域中；
具有第二厚度的第二透明电极，所述第二透明电极在所述第二微腔区域中，所述第二透明电极叠盖超过所述第二腔电极的第三侧；
具有第三厚度的第三透明电极，所述第三透明电极在所述第三微腔区域中，所述第三透明电极叠盖超过第三腔电极的第四侧；
第二发射层，所述第二发射层与所述第二微腔区域的所述第二透明电极电连接；
第三发射层，所述第三发射层与所述第三微腔区域的第三透明电极电连接，其中，所述阴极层在所述第二发射层和所述第三发射层上。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述阴极层包括所述第一微腔区域中的第一阴极层、所述第二微腔区域中的第二阴极层、所述第三微腔区域中的第三阴极层。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中，所述第三厚度小于所述第二厚度。
10.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中，所述第二腔电极和所述第三腔电极是反射性的。
11.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中，所述第二腔电极和所述第三腔电极是半透射性的。
12.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层发射相同颜色。
13.一种基板上的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：
具有第一宽度的第一腔电极，所述第一腔电极在所述基板的第一子像素区中；
第一透明电极，所述第一透明电极具有第二宽度并且设置在所述第一腔电极上，其中，所述第二宽度大于所述第一宽度；
第一发射层，所述第一发射层与所述第一透明电极电连接；以及
阴极层，所述阴极层在所述第一发射层上，
其中，由所述第一腔电极与所述阴极层形成微腔，所述第一透明电极叠盖超过所述第一腔电极的第一侧和所述第一腔电极的与所述第一侧相对的第二侧两者，并且所述第一透明电极均不围绕所述第一腔电极的所述第一侧和所述第二侧两者。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中，所述第一腔电极是反射性的。
15.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中，所述第一腔电极是半透射性的。
16.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中，所述阴极层是反射性的。
17.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中，所述阴极层是半透射性的。
18.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：
基板；
所述基板上的第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；
第一腔电极，所述第一腔电极在所述基板的所述第一子像素区中；
第二腔电极，所述第二腔电极在所述基板的所述第二子像素区中；
第三腔电极，所述第三腔电极在所述基板的所述第三子像素区中；
具有第一厚度的第一透明电极，所述第一透明电极在所述第一子像素区中，所述第一透明电极叠盖超过所述第一腔电极的第一侧和所述第一腔电极的与所述第一侧相对的第二侧两者，并且所述第一透明电极均不围绕所述第一腔电极的所述第一侧和所述第二侧两者；
具有第二厚度的第二透明电极，所述第二透明电极在所述第一子像素区和所述第二子像素区中，所述第二子像素区中的所述第二透明电极叠盖超过所述第二腔电极的一侧；
具有第三厚度的第三透明电极，所述第三透明电极在所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区中，所述第三子像素区中的所述第三透明电极叠盖超过所述第三腔电极的一侧；
发射层，所述发射层与所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极电连接；以及
阴极层，所述阴极层在所述发射层上，
其中，由所述第一腔电极与所述阴极层形成微腔。
19.根据权利要求18所述的有机发光二极管，其中，所述第一子像素区是红色子像素区，所述第二子像素区是绿色子像素区，并且所述第三子像素区是蓝色子像素区。
20.根据权利要求18所述的有机发光二极管，其中，所述第一腔电极、所述第二腔电极和所述第三腔电极是反射性的。
21.根据权利要求18所述的有机发光二极管，其中，所述第一腔电极、所述第二腔电极和所述第三腔电极是半透射性的。
22.根据权利要求18所述的有机发光二极管，其中，所述发射层上的所述阴极层是反射性的。
23.根据权利要求22所述的有机发光二极管，其中，所述发射层上的所述阴极层是半透射性的。
24.根据权利要求18所述的有机发光二极管，所述有机发光二极管还包括：
在所述基板上的第四子像素区；
第四腔电极，所述第四腔电极在所述基板的所述第四子像素区中；以及
具有第四厚度的第四透明电极，所述第四透明电极在所述第四子像素区中，所述第四透明电极叠盖超过第四腔电极的一侧，其中，所述发射层与所述第四透明电极电连接。
25.根据权利要求24所述的有机发光二极管，所述第四子像素区是白色子像素区。
26.根据权利要求24所述的有机发光二极管，所述第四厚度与所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度中的一个相同。
27.一种在基板上制造有机发光二极管的方法，该方法包括：
跨所述基板的第一微腔区域、第二微腔区域和第三微腔区域形成腔电极层；
在所述第一微腔区域中形成具有第一厚度的第一透明层；
在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域中形成具有第二厚度的第二透明层；
在所述第一微腔区域、所述第二微腔区域和所述第三微腔区域中形成具有第三厚度的第三透明层；
蚀刻所述腔电极层，使得所述第一微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第一腔电极的第一侧，所述第二微腔区域中的所述第二透明层叠盖超过第二腔电极的第二侧，并且所述第三微腔区域中的所述第三透明层叠盖超过第三腔电极的第三侧；
在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域之间形成第一堤状物并且在所述第二微腔区域和所述第三微腔区域之间形成第二堤状物；
形成与所述第一微腔区域的所述第三透明层电连接的第一发射层；
形成与所述第二微腔区域的所述第三透明层电连接的第二发射层；
形成与所述第三微腔区域的所述第三透明层电连接的第三发射层；
在所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层上形成阴极层。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，针对同一颜色，同时形成所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层。
29.一种在基板上制造有机发光二极管的方法，所述方法包括：
跨所述基板的第一微腔区域、第二微腔区域和第三微腔区域形成腔电极层；
在所述第一微腔区域、所述第二微腔区域和所述第三微腔区域中形成具有第一厚度的第一透明层；
在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域中形成具有第二厚度的第二透明层；
在所述第一微腔区域中形成具有第三厚度的第三透明层；
蚀刻所述腔电极层，使得所述第一微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第一腔电极的第一侧，所述第二微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第二腔电极的第二侧，所述第三微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第三腔电极的第三侧；
在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域之间形成第一堤状物，并且在所述第二微腔区域和所述第三微腔区域之间形成第二堤状物；
形成与所述第一微腔区域的所述第三透明层电连接的第一发射层；
形成与所述第二微腔区域的所述第二透明层电连接的第二发射层；
形成与所述第三微腔区域的所述第一透明层电连接的第三发射层；以及
在所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层上形成阴极层。
30.根据权利要求29所述的方法，其中，针对同一颜色，同时形成所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层。
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