CN110199402B - 发光二极管及其制造方法、显示基板、显示设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种发光二极管。该发光二极管可包括像素单元，该像素单元可包括第一子像素。第一子像素可包括伪电极层和位于伪电极层上的第一电极层。伪电极层可包括第一反射层。第一电极层可包括第二反射层和位于第二反射层上的第二透明导电层。

Description

发光二极管及其制造方法、显示基板、显示设备

技术领域

本发明涉及显示技术，更具体地，涉及一种发光二极管及其制造方法、显示基板、显示设备。

背景技术

与诸如液晶显示(LCD)设备的其他显示设备相比，有机发光二极管(OLED)显示设备是不需背光的自发光设备。有机发光二极管(OLED)显示设备具有诸如快速响应、宽视角、高亮度、更鲜亮的色彩渲染、更薄和更轻的优点，其已经在显示领域得到广泛应用。

发明内容

本公开涉及一种发光二极管。该发光二极管在子像素中的一个或多个中利用伪层(dummy layer)以促使产生可与子像素的不同颜色相对应的不同长度的微腔。结果，发光二极管的制造工艺得到简化，需要更少的步骤。此外，提高或保持了发光二极管的发光效率。

因此，本公开的一个示例是发光二极管。所述发光二极管可包括像素单元。像素单元可包括第一子像素。第一子像素可包括第一电极层和伪电极层。第一电极层可位于伪电极层上。伪电极层可包括第一反射层，并且第一电极层可包括第二反射层和位于第二反射层上的第二透明导电层。

本公开的另一示例是显示基板。所述显示基板可包括根据本公开的一个实施例的发光二极管。

本公开的另一示例是显示设备。所述显示设备可包括根据本公开的一个实施例的显示基板。

本公开的另一示例是制造发光二极管的方法。所述制造发光二极管的方法可包括形成包括第一电极层和伪电极层的第一子像素。第一电极层可位于伪电极层上。伪电极层可包括第一反射层，并且第一电极层可包括第二反射层和位于第二反射层上的第二透明导电层。

附图说明

说明书所附的权利要求中特别指明并明确声称了被视为本发明的主题。根据结合附图的以下详细描述，本发明的以上和其他目的、特征和优点是显而易见的，在附图中：

图1是示出相关技术中第一种发光二极管的结构的示图。

图2A至图2L是示出图1中的第一种发光二极管的制造工艺的示图。

图3是示出相关技术中第二种发光二极管的结构的示图。

图4是示出根据本公开的一些实施例的发光二极管的结构的示图。

图5是示出根据本发明的一些实施例的发光二极管的结构的示图。

图6A至图6H是示出图4中的发光二极管的制造工艺的示图。

图7是示出发光二极管的发光效率的示图。

图8是示出根据本公开的一些实施例的制造发光二极管的方法的流程图。

图9是示出根据本公开的一些实施例的制造发光二极管的方法的流程图。

具体实施方式

为了向本领域技术人员提供对本公开的技术方案的更好的理解，将参照附图和实施例更加详细地描述本公开。在本公开的描述全文中，参照了图1至图9。当参照附图时，用相似的附图标记表示全文中示出的相似的结构和元件。

图1示出了相关技术中顶发射型有机发光二极管101'。顶发射型有机发光二极管101'包括基板100'、位于基板100'上的反射层200'、位于反射层200'上的阳极层300'、位于阳极层300'上的白色有机发光二极管(WOLED)发光层400'、位于白色有机发光二极管发光层400'上的阴极层500'、位于阴极层500'上的平坦化层600'和位于平坦化层600上的彩膜层700'。有机发光二极管101'包括像素单元，该像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一子像素包括第一电极层102'，第一电极层102'包括第一反射层202'和第一透明导电层302'。第二子像素包括第二电极层104'，第二电极层104'包括第二反射层204'和第二透明导电层304'。第三子像素包括第三电极层106'，第三电极层106'包括第三反射层206'和第三透明导电层306'。彩膜层700'包括第一彩膜702'、第二彩膜704'和第三彩膜706'。阳极层300'用作光学调制层，并且包括分别在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的具有三个不同厚度的三个透明导电层。该光学调制层的存在增加了WOLED发光层400'与反射层200'之间的光学距离，从而增加了WOLED的总腔长度并消除了顶发射型WOLED的微腔效应。

在相关技术中，顶发射型有机发光二极管的制造方法通常至少包括六个沉积处理和六个刻蚀处理。例如，图2A至图2L示出了相关技术中的图1中顶发射型有机发光二极管101'的制造方法。如图2A和图2B所示，该方法包括以下步骤：在基板100'上顺序地沉积反射金属初始层201'(标记为Dep1)和透明导电初始层301'(标记为Dep2)，然后刻蚀透明导电初始层301'以形成如图2C所示的第一透明导电层302'(标记为Etch1)，然后刻蚀反射金属初始层201'以形成如图2D所示的第一反射层202'(标记为Etch2)。如图2E至图2L所示，上述过程重复两次以形成顶发射型有机发光二极管101'。第一重复过程包括分别如图2E至图2H所示的步骤Dep3、Dep4、Etch3和Etch4，第二重复过程包括分别如图2I至图2L所示的步骤Dep5、Dep6、Etch5和Etch6。

如图1所示，由于阳极层300'的不同厚度，阴极层500'和反射层200'可在三个子像素中分别形成三个不同的微腔。在相关技术中，制造三个子像素的上述微腔需要多个构图处理，从而使得制造工艺复杂并且良率低下。因此，制造成本高并且生产效率低。

图3示出了相关技术中第二种顶发射型有机发光二极管103'。第二种顶发射型有机发光二极管103'与第一种顶发射型有机发光二极管101'的一个不同之处在于：在有机发光二极管103'中用作光学调制层的阳极层300'在一些子像素中包括不止一个子层。也就是说，有机发光二极管103'的一些子像素中的阳极层300'不再是单层。例如，第一透明导电层302'是单层。第二透明导电层304'包括两个子层：第二透明导电子层8041'和第三透明导电子层3021'。第三透明导电层306'包括三个子层：第四透明导电子层802'、第五透明导电子层8042'和第六透明导电子层3022'。此处不再重复与第一种顶发射型有机发光二极管101'中的层相同的那些层。

在本公开中，各像素中子像素的顺序不受限制。在一些实施例中，作为示例，从左到右指定第一子像素、第二子像素和第三子像素。如本文所用，术语“子像素”是指像素的可独立寻址以发出特定颜色的任何部分。在一些实施例中，子像素可包括发光层和彩膜。如本文所用，术语“发光层”是指位于两个电极之间的从其产生并发射光的层。在一些实施例中，发光层包括白色有机发光二极管(WOLED)发光层。发光层可具有单层结构或者包括两个或更多个子层的堆叠层结构(例如，堆叠的白色OLED层)。如本文所用，发光层和彩膜可被视为子像素的单独的部件。因此，发光层可发射一种颜色的光，彩膜可将从发光层发射的光(例如，通过滤波)转换为不同颜色。可替换地，从发光层发射的光可被包括量子点(例如，掺有量子点)的彩膜转换为不同颜色。因此，从子像素发射的光可具有与子像素中发光层发射的光的颜色不同的颜色。

图4示出了根据本公开的一些实施例的顶发射型有机发光二极管101。在一些实施例中，有机发光二极管101包括基板100上的具有第一子像素的像素单元。第一子像素包括第一电极层301和伪电极层201。第一电极层301形成在伪电极层201上。在一些实施例中，伪电极层201包括形成在基板100上的第一反射层202和形成在第一反射层202上的第一透明导电层304A。在一些实施例中，第一电极层包括形成在伪电极层201上的第二反射层902和形成在第二反射层902上的第二透明导电层302A。在一些实施例中，如图5所示，伪电极层201包括第一反射层202，而没有第一透明导电层304A。在一些实施例中，基板可为诸如玻璃的透明基板。

在一些实施例中，如图4和图5所示，顶发射型有机发光二极管101还包括形成在第二透明导电层302A之上的第六透明导电层500。第六透明导电层500和第二反射层902形成第一微腔。第一反射层202和第一透明导电层304A不直接参与形成第一微腔。

在一些实施例中，如图4和图5所示，像素单元还包括第二子像素和第三子像素。第二子像素包括第二电极层401，第二电极层401包括第三反射层204和形成在第三反射层204上的第三透明导电层304B。第三子像素包括第三电极层501，第三电极层501包括第四反射层206、形成在第四反射层206上的第四透明导电层304C、以及形成在第四透明导电层304C上的第五透明导电层302C。

在一些实施例中，如图4和图5所示，第六透明导电层500也位于第三透明导电层304B和第五透明导电层302C之上。第三反射层204和第六透明导电层500形成第二微腔。第四反射层206和第六透明导电层500形成第三微腔。第一微腔、第二微腔和第三微腔的长度彼此不同，以调节第一微腔、第二微腔和第三微腔的微腔效应。在这里，微腔的长度是指第六透明导电层与同一子像素中对应的反射层之间的垂直光学距离。在本公开的实施例中，在子像素中的一个或多个中利用了伪层以便于产生可与子像素的不同颜色相对应的不同长度的微腔。伪层不直接参与形成微腔。结果，根据本公开的实施例的发光二极管的制造工艺得到简化，需要更少的步骤。此外，根据本公开的实施例的发光二极管的发光效率得以提高或保持。

在一些实施例中，第一透明导电层304A的厚度不同于第二透明导电层302A的厚度。在一些实施例中，第一透明导电层304A的厚度大于第二透明导电层302A的厚度。在一些实施例中，第一透明导电层304A和第二透明导电层302A由相同的材料制成。在一些实施例中，第一透明导电层304A和第二透明导电层302A由氧化铟锡(ITO)制成。在一些实施例中，第一透明导电层304A和第二透明导电层302A由氧化铟锌(IZO)制成。在一些实施例中，第一透明导电层304A和第二透明导电层302A由IZO和ITO的混合物制成。在一些实施例中，第一透明导电层的厚度在约10nm至150nm的范围内，第二透明导电层的厚度在约10nm至150nm的范围内。

在一些实施例中，第一透明导电层304A的厚度不同于第二透明导电层302A的厚度。第三透明导电层304B的厚度与第一透明导电层304A的厚度基本相同。第四透明导电层304C的厚度与第一透明导电层304A的厚度基本相同。第五透明导电层302C的厚度与第二透明导电层302A的厚度基本相同。在一些实施例中，第一透明导电层304A、第二透明导电层302A、第三透明导电层304B、第四透明导电层304C和第五透明导电层302C由相同的材料制成。在一些实施例中，第一透明导电层304A和第二透明导电层302A由IZO制成。在一些实施例中，第一透明导电层304A和第二透明导电层302A由IZO和ITO的混合物制成。在一些实施例中，第一透明导电层的厚度在约10nm至150nm的范围内，第二透明导电层的厚度在约10nm至150nm的范围内。

在一些实施例中，第一反射层202的厚度与第二反射层902的厚度基本相同。在一些实施例中，第一反射层202的厚度与第三反射层204的厚度基本相同，并且第一反射层202的厚度与第四反射层206的厚度基本相同。第一反射层202的厚度与第二反射层902的厚度基本相同。在一些实施例中，第一反射层202和第二反射层902由相同的材料制成。在一些实施例中，第一反射层202、第二反射层902、第三反射层204和第四反射层206由相同的材料制成。在一些实施例中，第一反射层202和第二反射层902由诸如Ag和Al的金属制成。在一些实施例中，第一反射层202和第二反射层902由诸如AlNd的金属合金制成。在一些实施例中，第一反射层202和第二反射层902由金属和金属合金的混合物制成。在一些实施例中，第一反射层202、第二反射层902、第三反射层204和第四反射层206由诸如Ag和Al的金属制成。在一些实施例中，第一反射层202、第二反射层902、第三反射层204和第四反射层206由诸如AlNd的金属合金制成。在一些实施例中，第一反射层202、第二反射层902、第三反射层204和第四反射层206由金属和金属合金的混合物制成。在一些实施例中，第一反射层202和第二反射层902由诸如Au、Pt等的其他金属材料制成。

在一些实施例中，如图4和图5所示，顶发射型有机发光二极管101还包括位于第一电极层301、第二电极层401和第三电极层501上的白色有机发光二极管发光层400。第六透明导电层500位于白色有机发光二极管发光层400上。在一些实施例中，如图4和图5所示，顶发射型有机发光二极管101还包括形成在第六透明导电层500上的彩膜层700。白色有机发光二极管发光层是发射白光的发光层。该发光层可包括单层或堆叠的多层。该发光层可由从磷光体材料和/或荧光材料中选择的材料制成。

在一些实施例中，顶发射型有机发光二极管101还包括分别位于第一子像素、第二子像素和第三子像素中的发光层，以代替白色有机发光二极管发光层400。在一个实施例中，第一子像素中的发光层可以是红色发光层，第二子像素中的发光层可以是绿色发光层，第三子像素中的发光层可以是蓝色发光层。第一子像素中的微腔的长度可在250nm至600nm的范围内。第二子像素中的微腔的长度可在300nm至500nm的范围内。第三子像素中的微腔的长度可在200nm至500nm的范围内。在一个实施例中，第一子像素中的微腔的长度为约405nm。第二子像素中的微腔的长度为约460nm。第三子像素中的微腔的长度为约490nm。

在另一实施例中，第一子像素中的发光层可以是黄色发光层，第二子像素中的发光层可以是绿色发光层，第三子像素中的发光层可以是蓝色发光层。该发光层可包括单层或堆叠的多层。该发光层可由从磷光体材料和/或荧光材料中选择的材料制成。在一些实施例中，红色发光层、绿色发光层和黄色发光层可以由高效的磷光体材料制成，并且蓝色发光层可以由低效的荧光材料制成。

在一些实施例中，如图4和图5所示，顶发射型有机发光二极管101还包括位于第六透明导电层500与彩膜层700之间的平坦化层600。彩膜层700构造为将从白色有机发光二极管发光层400发射的白光转换为具有不同颜色的光。在一些实施例中，如图4和图5所示，彩膜层700可包括第一彩膜702、第二彩膜704和第三彩膜706。在一些实施例中，第一彩膜702是蓝色彩膜，第二彩膜704是红色彩膜，第三彩膜706是绿色彩膜。

子像素的颜色不限于R、G和B。例如，在实际应用中，子像素的颜色可为青色、洋红色和黄色(C、M和K)，或者可为红色、绿色、蓝色和白色(R、G、B和W)，或者可为青色、洋红色、黄色和黑色(C、M、Y和K)。子像素的各种颜色的变化落入本公开的保护范围，相应的技术方案也落入本公开的保护范围。

在一些实施例中，如图4和图5所示，反射层200包括第一反射层202、第三反射层204和第四反射层206。阳极层300包括第二透明导电层302A、第三透明导电层304B、第四透明导电层304C和第五透明导电层302C。第六透明导电层500用作阴极层。

在一些实施例中，顶发射型有机发光二极管101可包括其他层(未在附图中示出)，例如：位于基板100与反射层200之间的缓冲层；位于第六透明导电层500与白色有机发光二极管发光层400之间的电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)；位于阳极层300与白色有机发光二极管发光层400之间的空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)。

在一个实施例中，第二透明导电层302A的厚度为约50nm，第一透明导电层304A的厚度为约100nm。第一反射层202、第二反射层902、第三反射层204和第四反射层206的厚度基本相同。基板100上的除平坦化层600之外的其他层在三个子像素上具有相同的厚度。在一个实施例中，第一子像素、第二子像素和第三子像素上的白色有机发光二极管发光层400的厚度基本相同；第一子像素、第二子像素和第三子像素上的第六透明导电层500的厚度基本相同。平坦化层600构造为使顶发射型有机发光二极管的表面处于均匀平面中以保持彩膜层700。在一个实施例中，第一彩膜702是蓝色彩膜，第二彩膜704是红色彩膜，第三膜706是绿色彩膜。

图7比较了图4中的实施例的发光效率与图1和图3中的常规顶发射型有机发光二极管的发光效率。如图7所示，蓝色_ITO＝50nm意味着第一子像素中的阳极层的厚度为约50nm，并且由ITO制成。蓝色_ITO＝50nm对应于约430nm至约500nm的波长范围内的第一虚线。第一虚线表示图1中的第一种相关技术的顶发射型有机发光二极管101'中的第一子像素的EL光谱、图3中的第二种相关技术的顶发射型有机发光二极管103中的第一子像素的EL光谱、以及图4中的顶发射型有机发光二极管101中的第一子像素的EL光谱。如图7所示，三个第一子像素的EL光谱彼此重叠。即，三个子像素的发光效率基本相同。

如图7所示，红色_ITO＝100nm意味着第二子像素中的阳极层的厚度为约100nm，并且由ITO制成。红色_ITO＝100nm对应于约580nm至约700nm的波长范围内的第二虚线。第二虚线表示图1中的第一种相关技术的顶发射型有机发光二极管101'中的第二子像素的EL光谱、以及图4中的顶发射型有机发光二极管101中的第二子像素的EL光谱。这两个子像素的发光效率基本相同。此外，红色_ITO＝50nm+50nm意味着在子像素中存在两个子层，每个子层的厚度为50nm，并且阳极层的总厚度为约100nm，并由ITO制成。红色_ITO＝50nm+50nm对应于约580nm至约700nm的波长范围内的第一实线。第一实线表示图3中的第二种相关技术的顶发射型有机发光二极管103'中的第二子像素的EL光谱。如图9所示，第二种相关技术的顶发射型有机发光二极管103'中的第二子像素的发光效率低于第二虚线(其表示图4中的顶发射型有机发光二极管101中的第二子像素的EL光谱)的发光效率。

如图7所示，绿色_ITO＝150nm意味着第三子像素中的阳极层的厚度为约150nm，并且由ITO制成。绿色_ITO＝150nm对应于约490nm至约580nm的波长范围内的第三虚线。第三虚线表示图1中的第一种相关技术的顶发射型有机发光二极管101'中的第三子像素的EL光谱。绿色_ITO＝100nm+50nm意味着在子像素中存在两个子层，一个子层的厚度为100nm，另一个子层的厚度为50nm，并且阳极层的总厚度为约150nm，并由ITO制成。绿色_ITO＝100nm+50nm对应于约490nm至约580nm的波长范围内的第二实线。第二实线表示图4中的顶发射型有机发光二极管101中的第三子像素的EL光谱。第三虚线和第二实线几乎彼此重叠，表明这两个子像素的发光效率基本相同。此外，绿色_ITO＝50nm+50nm+50nm意味着在子像素中存在三个子层，每个子层的厚度为50nm，并且阳极层的总厚度为约150nm，并由ITO制成。绿色_ITO＝50nm+50nm+50nm对应于约490nm至约580nm的波长范围内的第四虚线。第四虚线表示图3中的第二种相关技术的顶发射型有机发光二极管103'中的第三子像素的EL光谱。如图7所示，第四虚线的发光效率低于第三虚线和第二实线的发光效率。

与第一相关技术的顶发射型有机发光二极管101'相比，根据本公开的一些实施例的有机发光二极管的制造工艺得到简化并且需要更低的成本。与第二相关技术的顶发射型有机发光二极管103'相比，根据本公开的一些实施例的有机发光二极管的制造工艺得到简化并且需要更低的成本。

在一些实施例中，顶发射型有机发光二极管可通过调节电极层的厚度来调节OLED单元的微腔效应，以实现每种颜色的光的照明效率的改善和窄的光谱宽度。例如，可调节对应于红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层的阳极层的厚度以控制发射三种颜色的光的光谱宽度，用于实现颜色平衡。

本公开的另一示例提供了一种显示基板。所述显示基板包括根据本公开的上述实施例之一的发光二极管。该显示基板还可包括多个TFT以驱动子像素。

本公开的另一示例提供了一种显示设备。所述显示设备包括根据本公开的一个实施例的上述显示基板。在一些实施例中，显示设备包括上述实施例之一的发光二极管。该显示设备还包括包装层或密封层。该显示设备可以是具有显示功能的任何产品或组件，例如电子纸显示器、移动电话、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框，导航装置等。

本公开的另一示例提供了一种制造发光二极管的方法。在一个实施例中，该方法包括如图6A至图6H和图8所示的以下步骤S201至S204。

步骤S201包括在基板上形成第一子像素中的第一反射层、第二子像素中的第三反射层和第三子像素中的第四反射层。如图6A至图6B所示，步骤S201还包括以下步骤S2012和S2014：

步骤S2012包括形成第一反射初始层209(标记为Dep1)。

步骤S2014包括刻蚀第一反射初始层209以形成第一反射层202、第三反射层204和第四反射层206(标记为Etch1)。

步骤S202包括：在第一反射层202上形成第一透明导电层304A，在第三反射层204上形成第三透明导电层304B，以及在第四反射层206上形成第四透明导电层304C。如图6C和图6D所示，步骤S202还包括以下步骤S2022和S2024：

步骤S2022包括在第一反射层202、第三反射层204和第四反射层206上形成第一透明导电初始层309(标记为Dep2)。

步骤S2024包括刻蚀第一透明导电初始层309以形成第一透明导电层304A、第三透明导电层304B和第四透明导电层304C(标记为Etch2)。

步骤S203包括仅在第一透明导电层304A上形成第二反射层902。如图6E至图6F所示，步骤S203还包括以下步骤S2032和S2034：

步骤S2032包括在第一透明导电层304A、第三透明导电层304B和第四透明导电层304C上形成第二反射初始层909(标记为Dep3)。

步骤S2034包括刻蚀第二反射初始层909以形成第二反射层902(标记为Etch3)。

步骤S204包括在第二反射层902上形成第二透明导电层302A以及在第四透明导电层304C上形成第五透明导电层302C。如图6G至图6H所示，步骤S204还包括以下步骤S2042和S2044：

步骤S2042包括形成覆盖第二反射层902、第三透明导电层304B和第四透明导电层304C的第二透明导电初始层308(标记为Dep4)。

步骤S2044包括刻蚀第二透明导电初始层308以形成第二透明导电层302A和第五透明导电层302C(标记为Etch4)。

在一些实施例中，第一透明导电层304A和第一反射层202构成伪电极层。伪电极层不直接参与形成微腔。

在一些实施例中，该方法还包括以下步骤S205至S207，如图9所示。

步骤S205包括在第二透明导电层302A、第三透明导电层304B和第五透明导电层302C上形成第六透明导电层500。

如图4所示，在形成第六透明导电层之后，第二反射层902和第六透明导电层500可形成第一微腔；第三反射层204和第六透明导电层500可形成第二微腔；并且第四反射层206和第六透明导电层500可形成第三微腔。第一微腔、第二微腔和第三微腔的长度彼此不同，以调节第一微腔、第二微腔和第三微腔的微腔效应。

步骤S206包括：在形成第六透明导电层500的步骤之前，形成白色有机发光二极管发光层400。

步骤S207包括在第六透明导电层500上形成彩膜层700。

彩膜层700可构造为将从白色有机发光二极管发光层400发射的白光转换为具有不同颜色的光。在一些实施例中，如图4所示，彩膜层700包括第一彩膜702、第二彩膜704和第三彩膜706。

根据本公开的实施例的发光二极管的制造工艺仅包括四次沉积和四次刻蚀。该工艺得到大大简化，并且比第一种相关技术的发光二极管具有更低的成本。通过根据本公开的一些实施例的制造工艺制造的发光二极管的发光效率高于第二种相关技术的发光二极管的发光效率。

在说明书中阐述了本公开的原理和实施例。对本公开的实施例的描述仅用于帮助理解本公开的方法及其核心理念。同时，对于本领域普通技术人员而言，本公开涉及本公开的范围，并且技术实施例不限于技术特征的特定组合，在不脱离本发明构思的情况下，还应涵盖通过组合所述技术特征或所述技术特征的等同特征而形成的其他技术实施例。例如，可以通过用相似的特征替换如本公开中公开的上述特征(但不限于此)来获得技术实施例。

Claims (15)

1.一种发光二极管，包括：

包括第一子像素的像素单元；

所述第一子像素包括第一电极层和伪电极层，所述第一电极层位于所述伪电极层上；其中，所述伪电极层包括第一反射层，并且所述第一电极层包括第二反射层和位于所述第二反射层上的第二透明导电层；

还包括：位于所述第二透明导电层上的第六透明导电层；其中，所述第二反射层和所述第六透明导电层形成第一微腔；

所述像素单元还包括第二子像素和第三子像素；

所述第二子像素包括第二电极层，所述第二电极层包括第三反射层和位于所述第三反射层上的第三透明导电层；

所述第三子像素包括第三电极层，所述第三电极层包括第四反射层、位于所述第四反射层上的第四透明导电层、以及位于所述第四透明导电层上的第五透明导电层；

所述第六透明导电层位于所述第三透明导电层和所述第五透明导电层上；

所述第三反射层和所述第六透明导电层形成第二微腔；

所述第四反射层和所述第六透明导电层形成第三微腔；并且所述第一微腔、所述第二微腔和所述第三微腔的长度彼此不同；

所述第三反射层和所述第四反射层位于同一平面上，且与所述第二反射层位于不同的平面上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述伪电极层还包括位于所述第一反射层上的第一透明导电层。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的发光二极管，还包括：

位于所述第一电极层、第二电极层和第三电极层上的白色有机发光二极管发光层；以及

位于第六透明导电层上的彩膜层；其中：

所述第六透明导电层位于所述白色有机发光二极管发光层上；并且

所述彩膜层构造为将从所述白色有机发光二极管发光层发射的白光转换为具有不同颜色的光。

4.根据权利要求2所述的发光二极管，其中：

所述第一透明导电层的厚度不同于所述第二透明导电层的厚度。

5.根据权利要求2所述的发光二极管，其中：

所述第一透明导电层的厚度不同于所述第二透明导电层的厚度；

第三透明导电层的厚度与所述第一透明导电层的厚度相同；

第四透明导电层的厚度与所述第一透明导电层的厚度相同；并且

第五透明导电层的厚度与所述第二透明导电层的厚度相同。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中：

所述第一透明导电层的厚度大于所述第二透明导电层的厚度。

7.根据权利要求2所述的发光二极管，其中：

所述第一透明导电层的材料与所述第二透明导电层的材料相同。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中：

所述第一透明导电层的材料包括ITO和IZO中的至少一种。

9.根据权利要求1至2中任一项所述的发光二极管，其中：

所述第一反射层的厚度与所述第二反射层的厚度相同。

10.根据权利要求1至2中任一项所述的发光二极管，其中：

所述第一反射层的材料与所述第二反射层的材料相同。

11.一种显示基板，包括根据权利要求1至10中任一项所述的发光二极管。

12.一种显示设备，包括根据权利要求11所述的显示基板。

13.一种制造发光二极管的方法，包括：

形成包括第一子像素的像素单元；

形成包括第一电极层和伪电极层的所述第一子像素，所述第一电极层位于所述伪电极层上；其中，所述伪电极层包括第一反射层，并且所述第一电极层包括第二反射层和位于所述第二反射层上的第二透明导电层；

在基板上形成第一子像素中的第一反射层、第二子像素中的第三反射层和第三子像素中的第四反射层；

在所述第一反射层上形成第一透明导电层，在所述第三反射层上形成第三透明导电层，以及在所述第四反射层上形成第四透明导电层；

仅在所述第一透明导电层上形成第二反射层；

在所述第二反射层上形成第二透明导电层以及在所述第四透明导电层上形成第五透明导电层；

在所述第二透明导电层、所述第三透明导电层和所述第五透明导电层上形成第六透明导电层；其中：

所述第二反射层和所述第六透明导电层形成第一微腔；

所述第三反射层和所述第六透明导电层形成第二微腔；

所述第四反射层和所述第六透明导电层形成第三微腔；并且

所述第一微腔、所述第二微腔和所述第三微腔的长度彼此不同；所述第三反射层和所述第四反射层位于同一平面上，且与所述第二反射层位于不同的平面上。

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

在基板上形成第一子像素中的第一反射层、第二子像素中的第三反射层和第三子像素中的第四反射层包括：

形成第一反射初始层；以及

刻蚀所述第一反射初始层以形成所述第一反射层、所述第三反射层和所述第四反射层；

在所述第一反射层上形成第一透明导电层、在所述第三反射层上形成第三透明导电层、以及在所述第四反射层上形成第四透明导电层包括：

在所述第一反射层、所述第三反射层和所述第四反射层上形成第一透明导电初始层；以及

刻蚀所述第一透明导电初始层以形成所述第一透明导电层、所述第三透明导电层和所述第四透明导电层；

仅在所述第一透明导电层上形成第二反射层包括：

在所述第一透明导电层、所述第三透明导电层和所述第四透明导电层上形成第二反射初始层；以及

刻蚀所述第二反射初始层以形成所述第二反射层；并且

在所述第二反射层上形成第二透明导电层以及在所述第四透明导电层上形成第五透明导电层包括：

形成覆盖所述第二反射层、所述第三透明导电层和所述第四透明导电层的第二透明导电初始层；

刻蚀所述第二透明导电初始层以形成所述第二透明导电层和所述第五透明导电层。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中：

所述第一透明导电层和所述第一反射层构成伪电极层。

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