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CN104037179A - 光感应装置及其制作方法 - Google Patents

光感应装置及其制作方法 Download PDF

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CN104037179A
CN104037179A CN201410318955.1A CN201410318955A CN104037179A CN 104037179 A CN104037179 A CN 104037179A CN 201410318955 A CN201410318955 A CN 201410318955A CN 104037179 A CN104037179 A CN 104037179A
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China
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electrode
pattern
light
layer
gate dielectric
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Application number
CN201410318955.1A
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English (en)
Inventor
陈敬文
卓恩宗
张钧傑
章钧
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AUO Corp
Original Assignee
AU Optronics Corp
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Publication date
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Abstract

一种光感应装置及其制作方法，光感应装置包括一基板、一控制元件以及一感光元件。控制元件与感光元件设置于基板上。控制元件包括一栅极电极、一栅极介电层、一氧化物半导体图案、一源极电极以及一漏极电极。栅极介电层设置于栅极电极上，且氧化物半导体图案设置于栅极介电层上。感光元件包括一下电极、一感光二极管以及一上电极。感光二极管设置于下电极上，且上电极设置于感光二极管上。栅极介电层部分覆盖上电极，栅极介电层具有一第一开口部分暴露出下电极，且漏极电极通过第一开口与下电极电性连接。

Description

光感应装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种光感应装置及其制作方法，尤其涉及一种具有氧化物半导体控制元件的光感应装置及其制作方法。
背景技术
在一般的光感应装置中，对于感光元件会设置一控制元件来控制感光元件开关以及信号的读取，而目前业界较常见以薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)来当作控制元件。然而，在制作感光元件时，其工艺状况容易影响到控制元件中的半导体特性，造成控制元件的电性不稳定而影响到整体光感应装置的运作与产品品质。
发明内容
本发明的主要目的的一在于提供一种光感应装置及其制作方法。利用先形成感光元件的后再形成控制元件中的氧化物半导体图案，藉此避免感光元件的工艺影响到氧化物半导体图案的电性，进而达到提升控制元件的元件品质以及提高产品良率的目的。
为达上述目的，本发明的一实施例提供一种光感应装置，包括一基板、一控制元件以及一感光元件。控制元件与感光元件设置于基板上。控制元件包括一栅极电极、一栅极介电层、一氧化物半导体图案、一源极电极以及一漏极电极。栅极介电层设置于栅极电极上，且氧化物半导体图案设置于栅极介电层上。源极电极与漏极电极对应于氧化物半导体图案设置。感光元件包括一下电极、一感光二极管以及一上电极。感光二极管设置于下电极上，且上电极设置于感光二极管上。栅极介电层部分覆盖上电极，栅极介电层具有一第一开口部分暴露出下电极，且漏极电极通过第一开口与下电极电性连接。
为达上述目的，本发明的一实施例提供一种光感应装置的制作方法，包括下列步骤。首先，提供一基板。然后，于基板上形成一栅极电极以及一感光元件。感光元件包括一下电极、一感光二极管以及一上电极。感光二极管位于下电极上，且上电极位于感光二极管上。接着，形成一栅极介电层，覆盖基板、栅极电极以及感光元件。之后，于栅极介电层上形成一氧化物半导体图案，并于栅极介电层中形成一第一开口，且第一开口部分暴露出下电极。于栅极介电层上形成一源极电极与一漏极电极。堆叠的栅极电极、栅极介电层、氧化物半导体图案、源极电极以及漏极电极构成一控制元件，且漏极电极通过第一开口与下电极电性连接。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1至图7绘示了本发明第一实施例的光感应装置的制作方法示意图；
图8与图9绘示了本发明第二实施例的光感应装置的制作方法示意图；
图10绘示了本发明第三实施例的光感应装置的示意图；
图11绘示了本发明第四实施例的光感应装置的示意图；
图12绘示了本发明第五实施例的光感应装置的示意图；
图13绘示了本发明第六实施例的光感应装置的示意图。
其中，附图标记
100 光感应装置
110 基板
120 第一导电层
120A 栅极电极
120B 下电极
130 感光二极管
131 N型半导体层
131N N型半导体图案
132 本质半导体层
132S 本质半导体图案
133 P型半导体层
133P P型半导体图案
139 第一透明导电层
139A 上电极
140 栅极介电层
150 氧化物半导体层
150S 氧化物半导体图案
155 蚀刻阻挡层
160 第二导电层
160D 漏极电极
160S 源极电极
170 保护层
180 第二透明导电层
180P 透明导电图案
190 第三导电层
190P 遮光图案
200 光感应装置
240 绝缘图案
300 光感应装置
400 光感应装置
500 光感应装置
600 光感应装置
S 感光元件
T 控制元件
V1 第一开口
V2 第二开口
V3 第三开口
Z 垂直投影方向
具体实施方式
为使熟习本发明所属技术领域的一般技艺者能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的较佳实施例，并配合所附的附图，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。
请参考图1至图7。图1至图7绘示了本发明第一实施例的光感应装置的制作方法示意图。为了方便说明，本发明的各附图仅为示意以更容易了解本发明，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。本实施例的光感应装置的制作方法包括下列步骤。首先，如图1所示，提供一基板110。基板110可包括硬质基板例如玻璃基板与陶瓷基板或可挠式基板(flexible substrate)例如塑胶基板或其他适合材料所形成的基板。然后，于基板110上形成一第一导电层120，第一导电层120可包括金属材料例如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)的其中至少一者、上述材料的复合层或上述材料的合金，但并不以此为限而可使用其他具有导电性质的材料。接着，对第一导电层120进行图案化工艺，用以形成一栅极电极120A以及一下电极120B，且栅极电极120A与下电极120B互相分离。换句话说，栅极电极120A与下电极120B是对同一层导电层(第一导电层120)进行图案化工艺所形成，但本发明并不以此为限。在本发明的其他实施例中亦可视需要以不同的导电层来分别形成栅极电极120A与下电极120B。
然后，如图2所示，于基板110、栅极电极120A与下电极120B上依序形成一N型半导体层131、一本质半导体层132以及一P型半导体层133。本质半导体层132的材料可包括本质非晶硅，N型半导体层131的材料可包括N型掺杂非晶硅，而P型半导体层133可包括P型掺杂非晶硅，但并不以此为限。因此，N型半导体层131、本质半导体层132以及P型半导体层133可于同一工艺例如化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)工艺中通入不同的所需反应气体而依序形成，但并不以此为限。在本发明的其他实施例中亦可视需要使用其他不同的材料与工艺形成N型半导体层131、本质半导体层132以及P型半导体层133。接着，于P型半导体层133上形成一第一透明导电层139，第一透明导电层139可包括氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、氧化铟锌(indiumzinc oxide,IZO)与氧化铝锌(aluminum zinc oxide,AZO)或其他适合的透明导电材料。然后，图案化第一透明导电层139，以于P型半导体层133上形成一上电极139A。之后，如图3所示，图案化N型半导体层131、本质半导体层132以及P型半导体层133，以形成于一垂直投影方向Z上互相堆叠的一N型半导体图案131N、一本质半导体图案132S以及一P型半导体图案133P，进而形成由N型半导体图案131N、本质半导体图案132S以及P型半导体图案133P所构成的一感光二极管130。垂直投影方向Z大体上垂直于基板110，但并不以此为限。在本实施例中，下电极120B、感光二极管130以及上电极139A形成一感光元件S。也就是说，感光元件S包括下电极120B、感光二极管130以及上电极139A。感光二极管130是位于下电极120B上，且上电极139A位于感光二极管130上。本实施例的上电极139A较佳是于N型半导体图案131N、本质半导体图案132S以及P型半导体图案133P之前形成，藉此可避免对第一透明导电层139进行图案化工艺时影响到本质半导体层132的品质，但并不以此为限。在本发明的其他实施例中亦可视需要调整上电极139A以及感光二极管130的形成顺序。
接着，如图4所示，形成一栅极介电层140，覆盖基板110、栅极电极120A以及感光元件S。栅极介电层140可包括无机材料例如氮化硅(silicon nitride)、氧化硅(silicon oxide)与氮氧化硅(silicon oxynitride)、有机材料例如丙烯酸类树脂(acrylic resin)或其它适合的介电材料。之后，如图5所示，于栅极介电层140上形成一氧化物半导体层150，并对氧化物半导体层150进行图案化工艺以形成氧化物半导体图案150S。氧化物半导体层150的材料可包括II-VI族化合物(例如氧化锌，ZnO)、II-VI族化合物掺杂碱土金属(例如氧化锌镁，ZnMgO)、II-VI族化合物掺杂IIIA族元素(例如氧化铟镓锌，IGZO)、II-VI族化合物掺杂VA族元素(例如氧化锡锑，SnSbO2)、II-VI族化合物掺杂VIA族元素(例如氧化硒化锌，ZnSeO)、II-VI族化合物掺杂过渡金属(例如氧化锌锆，ZnZrO)，或其他的藉由以上提及的元素总类混合搭配形成的具有半导体特性的氧化物。然后，于氧化物半导体图案150S上形成一蚀刻阻挡层155，蚀刻阻挡层155的材料可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其他适合知绝缘材料。值得说明的是，在本发明的其他实施例中，亦可视需要于氧化物半导体层150进行图案化工艺之前先于氧化物半导体层150上形成蚀刻阻挡层155，并于蚀刻阻挡层155形成后再对氧化物半导体层150进行图案化工艺以形成氧化物半导体图案150S。
然后，如图6所示，于栅极介电层140中形成一第一开口V1，并于栅极介电层140上形成一第二导电层160。第二导电层160可包括金属材料例如铝、铜、银、铬、钛、钼的其中至少一者、上述材料的复合层或上述材料的合金，但并不以此为限而可使用其他具有导电性质的材料。之后，对第二导电层160进行一图案化工艺以形成一源极电极160S与一漏极电极160D。堆叠的栅极电极120A、栅极介电层140、氧化物半导体图案150S、蚀刻阻挡层155、源极电极160S以及漏极电极160D构成一控制元件T于基板110上。栅极介电层140的第一开口V1部分暴露出下电极120B，且漏极电极160D通过第一开口V1与下电极120B电性连接。本实施例的源极电极160S与漏极电极160D于氧化物半导体图案150S之后形成，氧化物半导体图案150S是位于栅极介电层140以及源极电极160S与漏极电极160D之间。源极电极160S与漏极电极160D是对应于氧化物半导体图案150S设置。蚀刻阻挡层155是于源极电极160S与漏极电极160D形成之前形成于氧化物半导体图案150S上，且蚀刻阻挡层155是设置于氧化物半导体图案150S以及源极电极160S与漏极电极160D之间，用以保护氧化物半导体图案150S，避免对于第二导电层160进行图案化工艺时对于氧化物半导体图案150S造成伤害。
接着，如图7所示，形成一保护层170，覆盖控制元件T以及感光元件S，并于保护层170与栅极介电层140中形成一第二开口V2，第二开口V2贯穿保护层170与栅极介电层140以至少部分暴露出上电极139A。保护层170可包括无机材料例如氮化硅、氧化硅与氮氧化硅、有机材料例如丙烯酸类树脂或其它适合的绝缘材料。然后，于保护层170上形成一第二透明导电层180覆盖地案开口V2，并对第二透明导电层180进行图案化工艺以形成一透明导电图案180P。透明导电图案180P通过第二开口V2与上电极139A电性连接。藉由上述步骤，即可形成如图7中所示的光感应装置100。此外，本实施例可更包括于透明导电图案180P上形成一遮光图案190P，且遮光图案190P是与控制元件T至少部分重叠，用以避免光线照射到控制元件T中的氧化物半导体图案150S而造成控制元件T在操作时产生异常现象。本实施例的遮光图案190P可藉由于透明导电图案180P上形成一第三导电层190，并对第三导电层190进行图案化工艺而形成，故遮光图案190P与透明导电图案180P电性连接，但本发明并不以此为限。在本发明的其他实施例中亦可视需要使用非导电材料来形成遮光图案190P。
如图7所示，本实施例的光感应装置100，包括基板110、控制元件T、感光元件S、保护层170、透明导电图案180P以及遮光图案190P。控制元件T与感光元件S是设置于基板110上。控制元件T包括栅极电极120A、栅极介电层140、氧化物半导体图案150S、蚀刻阻挡层155、源极电极160S以及漏极电极160D。栅极介电层140设置于栅极电极120A上，且氧化物半导体图案150S是设置于栅极介电层140上。感光元件S包括下电极120B、感光二极管130以及上电极139A。感光二极管130是设置于下电极120B上，且上电极139A是设置于感光二极管130上。栅极介电层140部分覆盖上电极139A与下电极120B，栅极介电层140具有一第一开口V1部分暴露出下电极120B，且漏极电极160D通过第一开口V1与下电极120B电性连接。保护层170覆盖控制元件T与感光元件S，且光感应装置100具有第二开口V2贯穿保护层170与栅极介电层140以至少部分暴露出上电极139A。在本实施例中，栅极介电层140较佳是包覆感光二极管130的侧边，但并不以此为限。透明导电图案180P是设置于保护层170上，且透明导电图案180P通过第二开口V2与上电极139A电性连接。遮光图案190P是设置于透明导电图案180P上且与透明导电图案180P电性连接。遮光图案190P是与控制元件T至少部分重叠，用以避免光线照射到控制元件T。本实施例的感光二极管130可由N型半导体图案131N、本质半导体图案132S以及P型半导体图案133P所构成，但并不以此为限。本质半导体图案132S是设置于N型半导体图案131N上，且P型半导体图案133P是设置于本质半导体图案132S上。当外界光照射到感光二极管130时会产生光电流效应，进而可对此电性变化进行侦测而达到光感应的效果。
更进一步说明，在本实施例的光感应装置100中，可藉由透明导电图案180P将一共电压传递至上电极139A，而当控制元件T开启时可传递一参考电压至下电极120B，控制元件T可于传递完参考电压后关闭，藉此于感光二极管130内形成一电容状况。此时，当光照射感光二极管130时会产生光电流效应而改变其电容状况，而再将控制元件T开启时则可经由控制元件T获得感光二极管130经由光照射所产生的电性变化，进而可计算出对应的光的变化状况。此外，本实施例的光感应装置100可视需要更包括一光转换层(未图示)，用以将非可见光(例如X光)转换成可对感光二极管130产生光电流效应的光线，藉此使得光感应装置100可用以当作X光感测器，但并不以此为限。值得说明的是，由于控制元件T中的氧化物半导体图案150S是于感光元件S形成之后再形成，故可避免于形成感光元件S的制作步骤中对于氧化物半导体图案150S造成伤害，藉此达到提升控制元件T的元件品质以及提高产品良率的目的。此外，本实施例的遮光图案190P较佳是与透明导电图案180P电性连接而具有一固定电位，藉此避免遮光图案190P的电位变化不稳定而影响光感应装置100在操作时的状况。
下文将针对本发明的不同实施例进行说明，且为简化说明，以下说明主要针对各实施例不同之处进行详述，而不再对相同之处作重复赘述。此外，本发明的各实施例中相同的元件是以相同的标号进行标示，以利于各实施例间互相对照。
请参考图8与图9。图8与图9绘示了本发明第二实施例的光感应装置的制作方法示意图。如图8所示，与上述第一实施例不同的地方在于，本实施例的光感应装置的制作方法更包括于栅极介电层140形成之前于感光元件S上形成一绝缘图案240，用以覆盖上电极139A、感光二极管130以及部分的下电极120B。接着，如图9所示，于栅极介电层140以及保护层170形成之后，于绝缘图案240、栅极介电层140以及保护层170中形成第二开口V2以部分暴露出上电极139A，并使透明导电图案180P通过第二开口V2与上电极139A电性连接而形成如图9所示的光感应装置200。换句话说，与上述第一实施例的光感应装置不同的地方在于，本实施例的光感应装置200更包括绝缘图案240，绝缘图案240部分覆盖感光二极管130，且绝缘图案240是设置于感光二极管130与栅极介电层140之间。此外，本实施例的第二开口V2是贯穿保护层170、栅极介电层140以及绝缘图案240以部分暴露出上电极139A。值得说明的是，栅极介电层140的材料与厚度需考量与氧化物半导体图案150S之间的搭配关系而受到限制，而本实施例的绝缘图案240的设置可弥补当栅极介电层140的材料与厚度受到限制时对于感光二极管130的保护性不足的问题。举例来说，当栅极介电层140因为需搭配氧化物半导体图案150S而选择用氧化硅来形成时，绝缘图案240则可选择使用阻水性较强的氮化硅材料来形成，藉此加强对于感光二极管130的保护效果。然而，本实施例的绝缘图案240的材料并不受限于上述的氮化硅材料，在本发明的其他实施例中绝缘图案240亦可包括其他适合的绝缘材料例如氮氧化硅或其他适合的有机绝缘材料、无机绝缘材料或有机-无机复合绝缘材料。此外，在本实施例中，绝缘图案240较佳是包覆感光二极管130的侧边，藉以达到保护效果，但并不以此为限。
请参考图10。图10绘示了本发明第三实施例的光感应装置的示意图。如图10所示，本实施例的光感应装置300与上述第一实施例的不同处在于，本实施例的遮光图案190P是设置于保护层170上，遮光图案190P与控制元件T至少部分重叠，而遮光图案190P是未与透明导电图案180P重叠，且遮光图案190P是与透明导电图案180P电性隔离。
请参考图11。图11绘示了本发明第四实施例的光感应装置的示意图。如图11所示，本实施例的光感应装置400与上述第三实施例的不同处在于，本实施例的保护层170包括一第三开口V3，第三开口V3至少部分暴露出源极电极160S，且遮光图案190P是通过第三开口V3与源极电极160S电性连接而具有一固定电位，藉此避免遮光图案190P的电位变化不稳定而影响光感应装置400在操作时的状况。换句话说，本实施例的光感应装置400的制作方法更包括于保护层170中形成第三开口V3，且第三开口V3至少部分暴露出源极电极160S，用以使后续形成的遮光图案190P可通过第三开口V3与源极电极160S电性连接。
请参考图12。图12绘示了本发明第五实施例的光感应装置的示意图。如图12所示，本实施例的光感应装置500与上述第一实施例的不同处在于，本实施例的控制元件T并不包括上述第一实施例中的蚀刻阻挡层，而可使氧化物半导体图案150S的部分区域直接与保护层170接触。本实施例的控制元件T的结构亦可视需要应用于本发明的其他实施例中。
请参考图13。图13绘示了本发明第六实施例的光感应装置的示意图。如图13所示，本实施例的光感应装置600与上述第一实施例的不同处在于，本实施例的源极电极160S是部分设置于氧化物半导体图案150S与栅极电极120A之间，且漏极电极160D是部分设置于氧化物半导体图案150S与栅极电极120A之间。换句话说，在本实施例的光感应装置600的制作方法，源极电极160S与漏极电极160D是于氧化物半导体图案150S之前形成，而氧化物半导体图案150S是覆盖部分的源极电极160S、部分的漏极电极160D以及源极电极160S与漏极电极160D之间所暴露出的栅极介电层140。本实施例的控制元件T是为一共平面(coplanar)式薄膜晶体管结构，且此结构亦可视需要应用于本发明的其他实施例中。
综合以上所述，本发明的光感应装置及其制作方法是利用先形成感光元件之后再形成控制元件中的氧化物半导体图案，藉此避免感光元件的工艺影响到氧化物半导体图案的电性，进而达到提升控制元件的元件品质以及提高产品良率的目的。此外，本发明更于栅极介电层形成之前先形成一绝缘图案覆盖感光元件，藉此弥补当栅极介电层的材料与厚度受到限制时对于感光二极管的保护性不足的问题。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (18)

1.一种光感应装置，其特征在于，包括：
一基板；
一控制元件，设置于该基板上，该控制元件包括：
一栅极电极；
一栅极介电层，设置于该栅极电极上；
一氧化物半导体图案，设置于该栅极介电层上；及
一源极电极与一漏极电极，其中该源极电极与该漏极电极对应于该氧化物半导体图案设置；以及
一感光元件，设置于该基板上，该感光元件包括：
一下电极；
一感光二极管，设置于该下电极上；及
一上电极，设置于该感光二极管上，其中该栅极介电层部分覆盖该上电极，该栅极介电层具有一第一开口部分暴露出该下电极，且该漏极电极通过该第一开口与该下电极电性连接。
2.根据权利要求1所述的光感应装置，其特征在于，更包括：
一保护层，覆盖该控制元件以及该感光元件；
一第二开口，贯穿该保护层与该栅极介电层以至少部分暴露出该上电极；以及
一透明导电图案，设置于该保护层上，其中该透明导电图案通过该第二开口与该上电极电性连接。
3.根据权利要求2所述的光感应装置，其特征在于，更包括一遮光图案，设置于该保护层上，其中该遮光图案与该控制元件至少部分重叠。
4.根据权利要求3所述的光感应装置，其特征在于，该遮光图案设置于该透明导电图案上且与该透明导电图案电性连接。
5.根据权利要求3所述的光感应装置，其特征在于，该遮光图案未与该透明导电图案重叠，且该遮光图案与该透明导电图案电性隔离。
6.根据权利要求3所述的光感应装置，其特征在于，该保护层包括一第三开口，该第三开口至少部分暴露出该源极电极，且该遮光图案通过该第三开口与该源极电极电性连接。
7.根据权利要求1所述的光感应装置，其特征在于，更包括一绝缘图案，部分覆盖该感光二极管，且该绝缘图案设置于该感光二极管与该栅极介电层之间。
8.根据权利要求1所述的光感应装置，其特征在于，该感光二极管包括：
一N型半导体图案；
一本质半导体图案，设置于该N型半导体图案上；以及
一P型半导体图案，设置于该本质半导体图案上。
9.一种光感应装置的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
于该基板上形成一栅极电极；
于该基板上形成一感光元件，其中该感光元件包括：
一下电极；
一感光二极管，位于该下电极上；及
一上电极，位于该感光二极管上；
形成一栅极介电层，覆盖该基板、该栅极电极以及该感光元件；
于该栅极介电层上形成一氧化物半导体图案；
于该栅极介电层中形成一第一开口，该第一开口部分暴露出该下电极；以及
于该栅极介电层上形成一源极电极与一漏极电极，其中堆叠的该栅极电极、该栅极介电层、该氧化物半导体图案、该源极电极以及该漏极电极构成一控制元件，且该漏极电极通过该第一开口与该下电极电性连接。
10.根据权利要求9所述的光感应装置的制作方法，其特征在于，更包括：
形成一保护层，覆盖该控制元件以及该感光元件；
于该保护层与该栅极介电层中形成一第二开口，该第二开口贯穿该保护层与该栅极介电层以至少部分暴露出该上电极；以及
于该保护层上形成一透明导电图案，其中该透明导电图案通过该第二开口与该上电极电性连接。
11.根据权利要求10所述的光感应装置的制作方法，其特征在于，更包括于该保护层上形成一遮光图案，其中该遮光图案与该控制元件至少部分重叠。
12.根据权利要求11所述的光感应装置的制作方法，其特征在于，该遮光图案未与该透明导电图案重叠，且该遮光图案与该透明导电图案电性隔离。
13.根据权利要求12所述的光感应装置的制作方法，其特征在于，更包括于该保护层中形成一第三开口，该第三开口至少部分暴露出该源极电极，且该遮光图案通过该第三开口与该源极电极电性连接。
14.根据权利要求10所述的光感应装置的制作方法，其特征在于，更包括于该透明导电图案上形成一遮光图案，其中该遮光图案与该控制元件至少部分重叠，且该遮光图案与该透明导电图案电性连接。
15.根据权利要求9所述的光感应装置的制作方法，其特征在于，更包括于该栅极介电层形成之前于该感光元件上形成一绝缘图案。
16.根据权利要求9所述的光感应装置的制作方法，其特征在于，该栅极电极与该下电极藉由同一层导电层图案化所形成。
17.根据权利要求9所述的光感应装置的制作方法，其特征在于，该感光二极管的形成方式包括：
依序形成一N型半导体层、一本质半导体层以及一P型半导体层于该下电极上；以及
图案化该N型半导体层、该本质半导体层以及该P型半导体层，以形成互相堆叠的一N型半导体图案、一本质半导体图案以及一P型半导体图案于该下电极上。
18.根据权利要求9所述的光感应装置的制作方法，其特征在于，该感光二极管与该上电极的形成方式包括：
依序形成一N型半导体层、一本质半导体层以及一P型半导体层于该下电极上；
于该P型半导体层上形成一透明导电层；
图案化该透明导电层，以形成该上电极；以及
图案化该N型半导体层、该本质半导体层以及该P型半导体层，以形成互相堆叠的一N型半导体图案、一本质半导体图案以及一P型半导体图案于该下电极上。
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