CN114565950B - 光学感测装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种光学感测装置,包括:基板、多个感测元件、平坦层以及遮光层。多个感测元件位于基板上,且各感测元件包括第一网状电极、第二网状电极及感测层,其中第一网状电极位于感测层与基板之间,且感测层位于第一网状电极与第二网状电极之间。平坦层位于感测元件及基板上,且具有多个通孔。遮光层位于平坦层上,且包括多个网状遮光图案,其中,多个网状遮光图案分别重叠多个感测元件的第二网状电极,且多个网状遮光图案分别通过多个通孔电连接多个感测元件的第二网状电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种感测装置,且特别涉及一种光学感测装置。
背景技术
为了建构智慧生活的环境,感测技术已广泛应用于各式电子装置中。举例而言,手机及电子锁等装置采用指纹传感器来保护个人数据安全及门禁管制。就实际应用需求而言,指纹传感器需搭配光准直设计,例如,使用遮光层来限制感测元件的收光角度,同时搭配使用有机材料来堆叠足够的厚度,以利微透镜聚焦及光线的准直化,目的是为了得到更清晰的指纹影像。
然而,由于包含金属材料的遮光层几乎布满整个感测装置,其与装置内的其他导电层之间易产生寄生电容或杂散电容,导致感测元件的感测灵敏度降低。
发明内容
本发明提供一种光学感测装置,具有提高的感测灵敏度。
本发明的一个实施例提出一种光学感测装置,包括:基板;多个感测元件,位于基板上,且各感测元件包括第一网状电极、第二网状电极及感测层,其中第一网状电极位于感测层与基板之间,且感测层位于第一网状电极与第二网状电极之间;平坦层,位于感测元件及基板上,且具有多个通孔;以及遮光层,位于平坦层上,且包括多个网状遮光图案,其中,多个网状遮光图案分别重叠多个感测元件的第二网状电极,且多个网状遮光图案分别通过多个通孔电连接多个感测元件的第二网状电极。
在本发明的一实施例中,上述的网状遮光图案部分重叠第一网状电极。
在本发明的一实施例中,上述的感测层包括分离的多个感测图案,各网状遮光图案具有多个开口,且多个开口分别重叠多个感测图案。
在本发明的一实施例中,上述的多个感测图案之间的间距相同。
在本发明的一实施例中,上述的感测图案的形状为多边形或圆形。
在本发明的一实施例中,上述的第一网状电极包括相连的第一感测电极部及第一桥接部,第一感测电极部重叠感测层,且第一桥接部不重叠感测层。
在本发明的一实施例中,上述的第二网状电极包括相连的第二感测电极部及第二桥接部,第二感测电极部重叠感测层,且第二桥接部不重叠感测层。
在本发明的一实施例中,上述的第二桥接部不重叠第一桥接部。
在本发明的一实施例中,上述的遮光层还包括多个导线图案,分别位于多个网状遮光图案之间,且与多个网状遮光图案分离。
在本发明的一实施例中,上述的多个导线图案分别电连接至系统电压或输出感测元件产生的感测信号。
本发明的另一个实施例提出一种光学感测装置,包括:基板;多个感测元件,位于基板上,用于产生感测信号;平坦层,位于感测元件及基板上;以及遮光层,位于平坦层上,且包括分离的多个遮光图案及多个导线图案,其中,多个遮光图案分别重叠多个感测元件,且多个导线图案分别电连接至系统电压或输出感测信号。
在本发明的一实施例中,上述的遮光图案具有网状的轮廓。
在本发明的一实施例中,上述的感测元件包括第一网状电极、第二网状电极以及多个感测图案,且多个感测图案位于第一网状电极与第二网状电极之间。
在本发明的一实施例中,上述的遮光图案通过平坦层的通孔电连接第二网状电极。
在本发明的一实施例中,上述的遮光图案部分重叠第一网状电极。
在本发明的一实施例中,上述的第二网状电极部分重叠第一网状电极。
在本发明的一实施例中,上述的遮光图案具有多个开口,且多个开口分别重叠多个感测图案。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是本发明一实施例的光学感测装置10的局部俯视示意图;
图1B是沿图1A的剖面线A-A’所作的剖面示意图;
图1C是本发明一实施例的光学感测装置10的电路示意图;
图2A是本发明一实施例的光学感测装置20的局部俯视示意图;
图2B是沿图2A的剖面线B-B’所作的剖面示意图;
图3A是本发明一实施例的光学感测装置30的局部俯视示意图;
图3B是沿图3A的剖面线C-C’所作的剖面示意图;
图4A是本发明一实施例的光学感测装置40的局部俯视示意图;
图4B是沿图4A的剖面线D-D’所作的剖面示意图。
符号说明
10、20、30、40:光学感测装置
110:基板
120:感测元件
130、140:遮光层
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’:剖面线
BE1:第一桥接部
BE2:第二桥接部
CH1、CH2:半导体图案
CL1、CL2、CL3:导线图案
CP1、CP2、CP3:连接图案
D1:间距
GE1、GE2:栅极
ML:微透镜结构
NE1:第一网状电极
NE2:第二网状电极
NS:网状遮光图案
OP1、OP2:开口
P:节点
P1、P2、P3、P4:端部
PL、PL1、PL2、PL3:平坦层
RL:信号线
SE1:第一感测电极部
SE2:第二感测电极部
SL:感测层
Sout:感测信号
SR:感测图案
SR_R、SR_W:驱动信号
T1、T2:晶体管
T1a、T2a:第一端
T1b、T2b:第二端
T1c、T2c:控制端
TP1、TP2、TP3:转接图案
V1、V2、V3、V4:通孔
VDD、VSS:系统电压
VL1、VL2:信号线
具体实施方式
在附图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反地,当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,「连接」可以指物理及/或电连接。再者,「电连接」或「耦合」可为二元件间存在其它元件。
应当理解,尽管术语「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分,但是这些元件、部件、区域、层及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,下面讨论的第一「元件」、「部件」、「区域」、「层」或「部分」可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的,而不是限制性的。如本文所使用的,除非内容清楚地指示,否则单数形式「一」、「一个」和「该」旨在包括复数形式,包括「至少一个」或表示「及/或」。如本文所使用的,术语「及/或」包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解,当在本说明书中使用时,术语「包含」及/或「包括」指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件及/或部件的存在,但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
此外,诸如「下」或「底部」和「上」或「顶部」的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系,如图所示。应当理解,相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其他元件的「下」侧的元件将被定向在其他元件的「上」侧。因此,示例性术语「下」可以包括「下」和「上」的取向,取决于附图的特定取向。类似地,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其它元件「下」或「下方」的元件将被定向为在其它元件「上方」。因此,示例性术语「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。
本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此,可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此,本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状,而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如,示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外,所示的锐角可以是圆的。因此,图中所示的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状,并且不是旨在限制权利要求的范围。
图1A是依照本发明一实施例的光学感测装置10的局部俯视示意图。图1B是沿图1A的剖面线A-A’所作的剖面示意图。图1C是依照本发明一实施例的光学感测装置10的电路示意图。为了使附图的表达较为简洁,图1A省略图1B中的平坦层PL1、PL2、PL3、遮光层140以及微透镜结构ML,且图1B省略基板110与感测元件120之间的膜层。
首先,请同时参照图1A至图1B,光学感测装置10包括:基板110;多个感测元件120,位于基板110上,且各感测元件120包括第一网状电极NE1、第二网状电极NE2及感测层SL,其中第一网状电极NE1位于感测层SL与基板110之间,且感测层SL位于第一网状电极NE1与第二网状电极NE2之间;平坦层PL,位于感测元件120及基板110上,且具有多个通孔V1;以及遮光层130,位于平坦层PL上,且包括多个网状遮光图案NS,其中,多个网状遮光图案NS分别重叠多个感测元件120的第二网状电极NE2,且多个网状遮光图案NS分别通过多个通孔V1电连接多个感测元件120的第二网状电极NE2。
在本发明的一实施例的光学感测装置10中,通过网状遮光图案NS电连接感测元件120的第二网状电极NE2,能够消除网状遮光图案NS与第二网状电极NE2之间的寄生电容,从而提升光学感测装置10的感测灵敏度。
以下,配合图1A至图1C,继续说明光学感测装置10的各个元件的实施方式,但本发明不以此为限。
在本实施例中,光学感测装置10的基板110可以是透明基板或不透明基板,其材质可以是陶瓷基板、石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他适合的材质,但不限于此。基板110上可设置用以形成感测元件120、遮光层130、平坦层PL、晶体管、信号线、储存电容等的各种膜层。
光学感测装置10的多个感测元件120可以阵列的方式排列于基板110上,且图1A仅图示出其中一个感测元件120。各感测元件120的第一网状电极NE1可以包括多个第一感测电极部SE1及多个第一桥接部BE1,且第一感测电极部SE1可以具有多边形或圆形的轮廓。举例而言,在本实施例中,第一网状电极NE1可以包括八个第一感测电极部SE1及十个第一桥接部BE1,但第一感测电极部SE1及第一桥接部BE1的数量不限于此。第一感测电极部SE1可以具有近似八边形的轮廓,且呈矩形块状的第一桥接部BE1的两侧分别连接相邻的两个第一感测电极部SE1的一个边,使得第一感测电极部SE1能够通过第一桥接部BE1相互连接,但第一感测电极部SE1及第一桥接部BE1的形状不限于此。第一网状电极NE1的材质可以是钼、铝、钛、铜、金、银或其他导电材料、或上述两种以上的材料的合金、或上述两种以上的材料的组合。
在本实施例中,各感测元件120的感测层SL可以包括分离的多个感测图案SR,例如图1A所示的八个感测图案SR,但不以此为限。在一些实施例中,感测层SL的多个感测图案SR可以相互连接。在一些实施例中,感测图案SR的数量可以更多或更少。在一些实施例中,感测图案SR之间的间距D1可以相同。在一些实施例中,感测图案SR之间的间距D1可以不同。在一些实施例中,感测图案SR的数量与第一感测电极部SE1的数量可以相同或不同。
在一些实施例中,各感测图案SR可以重叠第一网状电极NE1的一个第一感测电极部SE1,但不重叠第一网状电极NE1的第一桥接部BE1。换言之,感测图案SR于基板110的正投影可以重叠第一感测电极部SE1于基板110的正投影,但感测图案SR于基板110的正投影可以在第一桥接部BE1于基板110的正投影之外。在一些实施例中,感测图案SR的形状可以是多边形或圆形,但不限于此。在某些实施例中,感测图案SR的形状可以与第一感测电极部SE1相同。感测层SL的材质可以是富硅氧化物(Silicon-Rich Oxide,SRO)、掺杂锗的富硅氧化物或其他合适的材料。
各感测元件120的第二网状电极NE2可以包括第二感测电极部SE2及第二桥接部BE2,其中第二感测电极部SE2重叠感测图案SR及第一感测电极部SE1,且第二桥接部BE2不重叠感测图案SR。举例而言,第二感测电极部SE2可以具有近似八边形的形状,第二桥接部BE2可以具有X字形的形状,且第二桥接部BE2的四个端部P1、P2、P3、P4可以分别连接相邻的四个第二感测电极部SE2的一个边,使得图1A所示的八个第二感测电极部SE2能够通过三个第二桥接部BE2相互连接,但第二感测电极部SE2及第二桥接部BE2的形状及数量不限于此。在一些实施例中,第二感测电极部SE2及第二桥接部BE2可以具有其他的形状及/或数量。
在本实施例中,第二桥接部BE2不重叠第一桥接部BE1,以避免第一网状电极NE1与第二网状电极NE2之间增生寄生电容。第二网状电极NE2的材质较佳为透明导电材料,例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物或其他合适的氧化物或者是上述至少二者的堆叠层。
平坦层PL位于遮光层130与感测元件120之间,且遮光层130的网状遮光图案NS可以通过平坦层PL中的通孔V1电连接第二网状电极NE2,使得网状遮光图案NS与第二网状电极NE2等电位。如此一来,能够避免网状遮光图案NS与第二网状电极NE2之间形成寄生电容。
在一些实施例中,网状遮光图案NS可以大体上完全重叠第二网状电极NE2,换言之,网状遮光图案NS的轮廓或形状可以与第二网状电极NE2大致相同。如此一来,网状遮光图案NS可以重叠第一网状电极NE1的第一感测电极部SE1,但不重叠第一桥接部BE1。如此一来,还可减少网状遮光图案NS与第一桥接部BE1之间形成的寄生电容。
网状遮光图案NS还可以具有多个开口OP1,且开口OP1分别重叠感测图案SR,以控制感测图案SR的收光范围。在一些实施例中,光学感测装置10还可以包括平坦层PL2以及遮光层140,且平坦层PL2夹置于遮光层140与遮光层130之间。遮光层140可以具有多个开口OP2,且开口OP2分别重叠开口OP1。在一些实施例中,光学感测装置10还可以包括平坦层PL3以及微透镜结构ML,其中,平坦层PL3夹置于微透镜结构ML与遮光层140之间,且微透镜结构ML重叠开口OP1、OP2。如此一来,微透镜结构ML可以搭配开口OP1、OP2调控感测图案SR的收光角度,进而实现光准直设计。
在本实施例中,光学感测装置10还可以包括平坦层PL1,且平坦层PL1位于平坦层PL与基板110之间。平坦层PL、PL1、PL2、PL3的材质可以包括有机材料,例如压克力(acrylic)材料、硅氧烷(siloxane)材料、聚酰亚胺(polyimide)材料、环氧树脂(epoxy)材料或上述材料的叠层,但不限于此。
请同时参照图1A及图1C,在本实施例中,光学感测装置10还可以包括晶体管T1、T2、以及信号线VL1、VL2、RL,其中,信号线VL1、VL2、RL可以与感测元件120的第一网状电极NE1属于相同膜层,且信号线VL1、VL2可以分别电连接至系统电压VSS及系统电压VDD。节点P耦接于感测元件120的第一网状电极NE1、晶体管T1的第二端T1b以及晶体管T2的控制端T2c之间。栅极GE1可以构成晶体管T1的控制端T1c,半导体图案CH1可以构成晶体管T1的沟道。栅极GE2可以构成晶体管T2的控制端T2c,半导体图案CH2可以构成晶体管T2的沟道。晶体管T1的第一端T1a可以接收来自信号线VL1的系统电压VSS,晶体管T1的控制端T1c可以接收驱动信号SR_R,而使节点P回到系统电压VSS电平。感测元件120用以执行感测操作而产生感测信号Sout。晶体管T2的第一端T2a可以接收来自信号线VL2的系统电压VDD。当感测元件120进行感测时,感测元件120开始漏电而使节点P的电压电平下降,此时,施加于第二网状电极NE2的驱动信号SR_W可通过感测元件120的电容效应抬升节点P的电压电平,从而开启晶体管T2,使得感测信号Sout可经由信号线RL被读取。
以下,使用图2A至图4B继续说明本发明的其他实施例,并且,沿用图1A至图1C的实施例的元件标号与相关内容,其中,采用相同的标号来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明,可参考图1A至图1C的实施例,在以下的说明中不再赘述。
图2A是依照本发明一实施例的光学感测装置20的局部俯视示意图。图2B是沿图2A的剖面线B-B’所作的剖面示意图。为了使附图的表达较为简洁,图2B省略基板110与连接图案CP1之间的膜层。
请同时参照图2A至图2B,光学感测装置20包括基板110、多个感测元件120、平坦层PL以及遮光层130。与如图1A至图1C所示的光学感测装置10相比,图2A至图2B所示的光学感测装置20的不同之处在于:光学感测装置20的遮光层130包括网状遮光图案NS以及导线图案CL1,且导线图案CL1可以取代光学感测装置10的信号线VL1。
在本实施例中,导线图案CL1与网状遮光图案NS分离且属于相同膜层,导线图案CL1可以位于相邻的感光元件120上的网状遮光图案NS之间。导线图案CL1可以电连接至系统电压VSS,且导线图案CL1还可以通过平坦层PL中的通孔V2以及转接图案TP1电连接至连接图案CP1,连接图案CP1例如可以构成晶体管T1的第一端T1a。在一些实施例中,转接图案TP1可以与第二网状电极NE2属于相同膜层,且连接图案CP1可以与第一网状电极NE1属于相同膜层。由于导线图案CL1与第一网状电极NE1之间的寄生电容小于信号线VL1与第一网状电极NE1之间的寄生电容,因此能够减少感光元件120与周围导线之间的杂散电容,进而提升光学感测装置20的感测灵敏度。
图3A是依照本发明一实施例的光学感测装置30的局部俯视示意图。图3B是沿图3A的剖面线C-C’所作的剖面示意图。为了使附图的表达较为简洁,图3B省略基板110与连接图案CP2之间的膜层。
请同时参照图3A至图3B,光学感测装置30包括基板110、多个感测元件120、平坦层PL以及遮光层130。与如图1A至图1C所示的光学感测装置10相比,图3A至图3B所示的光学感测装置30的不同之处在于:光学感测装置30的遮光层130包括网状遮光图案NS以及导线图案CL2,且导线图案CL2可以取代光学感测装置10的信号线VL2。
在本实施例中,导线图案CL2与网状遮光图案NS分离且属于相同膜层,导线图案CL2可以位于相邻的感光元件120上的网状遮光图案NS之间。导线图案CL2可以电连接至系统电压VDD,且导线图案CL2还可以通过平坦层PL中的通孔V3以及转接图案TP2电连接至连接图案CP2,连接图案CP2例如可以构成晶体管T2的第一端T2a。在一些实施例中,转接图案TP2可以与第二网状电极NE2属于相同膜层,且连接图案CP2可以与第一网状电极NE1属于相同膜层。由于导线图案CL2与第一网状电极NE1之间的寄生电容小于信号线VL2与第一网状电极NE1之间的寄生电容,因此能够减少感光元件120与周围导线之间的杂散电容,进而提升光学感测装置30的感测灵敏度。
图4A是依照本发明一实施例的光学感测装置40的局部俯视示意图。图4B是沿图4A的剖面线D-D’所作的剖面示意图。为了使附图的表达较为简洁,图4B省略基板110与连接图案CP3之间的膜层。
请同时参照图4A至图4B,光学感测装置40包括基板110、多个感测元件120、平坦层PL以及遮光层130。与如图1A至图1C所示的光学感测装置10相比,图4A至图4B所示的光学感测装置40的不同之处在于:光学感测装置40的遮光层130包括网状遮光图案NS以及导线图案CL3,且导线图案CL3可以取代光学感测装置10的信号线RL。
在本实施例中,导线图案CL3与网状遮光图案NS分离且属于相同膜层,导线图案CL3可以位于相邻的感光元件120上的网状遮光图案NS之间。导线图案CL3可以通过平坦层PL中的通孔V4以及转接图案TP3电连接至连接图案CP3,且连接图案CP3可以构成晶体管T2的第二端T2b,使得导线图案CL3能够用于输出感光元件120的感测信号Sout。在一些实施例中,转接图案TP3可以与第二网状电极NE2属于相同膜层,且连接图案CP3可以与第一网状电极NE1属于相同膜层。由于导线图案CL3与第一网状电极NE1之间的寄生电容小于信号线RL与第一网状电极NE1之间的寄生电容,因此能够减少感光元件120与周围导线之间的杂散电容,进而提升光学感测装置40的感测灵敏度。
综上所述,本发明的光学感测装置通过使网状遮光图案电连接感测元件的第二网状电极,能够消除网状遮光图案与第二网状电极之间的寄生电容。另外,本发明的光学感测装置中的感测元件的第二网状电极的第二桥接部不重叠第一网状电极的第一桥接部,由此减少第一网状电极与第二网状电极之间的寄生电容。此外,本发明的光学感测装置还可将诸如电连接至系统电压或用于输出感测信号的导线图案设置于遮光层,由此减少感测元件与周围导线之间的杂散电容。通过减少感测元件与遮光层及/或周围导线之间的寄生电容以及杂散电容,能够提升光学感测装置的感测灵敏度。
虽然结合以上实施例公开了本发明,然而其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围应当以所附的权利要求所界定的为准。
Claims (17)
1.一种光学感测装置,包括:
基板;
多个感测元件,位于所述基板上,且各所述感测元件包括第一网状电极、第二网状电极及感测层,其中所述第一网状电极位于所述感测层与所述基板之间,且所述感测层位于所述第一网状电极与所述第二网状电极之间;
平坦层,位于所述感测元件及所述基板上,且具有多个通孔;以及
遮光层,位于所述平坦层上,且包括多个网状遮光图案,
其中,所述多个网状遮光图案分别重叠所述多个感测元件的所述第二网状电极,且所述多个网状遮光图案分别通过所述多个通孔电连接所述多个感测元件的所述第二网状电极。
2.如权利要求1所述的光学感测装置,其中所述网状遮光图案部分重叠所述第一网状电极。
3.如权利要求1所述的光学感测装置,其中所述感测层包括分离的多个感测图案,各所述网状遮光图案具有多个开口,且所述多个开口分别重叠所述多个感测图案。
4.如权利要求3所述的光学感测装置,其中所述多个感测图案之间的间距相同。
5.如权利要求3所述的光学感测装置,其中所述感测图案的形状为多边形或圆形。
6.如权利要求1所述的光学感测装置,其中所述第一网状电极包括相连的第一感测电极部及第一桥接部,所述第一感测电极部重叠所述感测层,且所述第一桥接部不重叠所述感测层。
7.如权利要求6所述的光学感测装置,其中所述第二网状电极包括相连的第二感测电极部及第二桥接部,所述第二感测电极部重叠所述感测层,且所述第二桥接部不重叠所述感测层。
8.如权利要求7所述的光学感测装置,其中所述第二桥接部不重叠所述第一桥接部。
9.如权利要求1所述的光学感测装置,其中所述遮光层还包括多个导线图案,分别位于所述多个网状遮光图案之间,且与所述多个网状遮光图案分离。
10.如权利要求9所述的光学感测装置,其中所述多个导线图案分别电连接至系统电压或输出所述感测元件产生的感测信号。
11.一种光学感测装置,包括:
基板;
多个感测元件,位于所述基板上,用于产生感测信号,其中所述感测元件包括第一网状电极、第二网状电极以及多个感测图案,且所述多个感测图案位于所述第一网状电极与所述第二网状电极之间;
平坦层,位于所述感测元件及所述基板上;以及
遮光层,位于所述平坦层上,且包括分离的多个遮光图案及多个导线图案,
其中,所述多个遮光图案分别重叠所述多个感测元件,且所述多个导线图案分别电连接至系统电压或输出所述感测信号。
12.如权利要求11所述的光学感测装置,其中所述遮光图案具有网状的轮廓。
13.如权利要求11所述的光学感测装置,其中所述遮光图案通过所述平坦层的通孔电连接所述第二网状电极。
14.如权利要求11所述的光学感测装置,其中所述遮光图案部分重叠所述第一网状电极。
15.如权利要求11所述的光学感测装置,其中所述第二网状电极部分重叠所述第一网状电极。
16.如权利要求11所述的光学感测装置,其中所述遮光图案具有多个开口,且所述多个开口分别重叠所述多个感测图案。
17.如权利要求11所述的光学感测装置,其中所述感测图案的形状为多边形或圆形。
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US9368541B2 (en) * | 2009-11-06 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI538177B (zh) * | 2014-04-15 | 2016-06-11 | 友達光電股份有限公司 | 光感應裝置及其製作方法 |
KR102184904B1 (ko) * | 2014-08-28 | 2020-12-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 및 표시장치 |
TWI613804B (zh) * | 2017-09-04 | 2018-02-01 | 友達光電股份有限公司 | 光感測裝置 |
CN109545825B (zh) | 2018-11-16 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种顶发光显示面板 |
CN109686770B (zh) | 2018-12-25 | 2021-04-16 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
KR102748276B1 (ko) * | 2019-01-23 | 2025-01-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
CN109887963B (zh) | 2019-02-18 | 2021-07-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板 |
CN109992155B (zh) | 2019-03-25 | 2022-10-14 | 云谷(固安)科技有限公司 | 用于指纹识别的显示面板和显示装置 |
CN110112193B (zh) | 2019-04-29 | 2021-10-15 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
CN110211975B (zh) | 2019-06-27 | 2022-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置 |
KR20210010681A (ko) * | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전계 발광 장치 |
CN113013190B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-07-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
KR20210086907A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2022110105A1 (zh) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 纹路识别模组及其制备方法和显示装置 |
KR20230048177A (ko) * | 2021-10-01 | 2023-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9368541B2 (en) * | 2009-11-06 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
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