CN104009143B - 发光装置、背光模块及照明模块 - Google Patents

Abstract

本发明是有关一种发光装置、背光模块及照明模块。该发光装置包括承载组件、第一发光二极管芯片、热敏电阻及多个金属导线。该承载组件具有多个电极，该第一发光二极管芯片及该热敏电阻皆设置于该承载组件上，且该热敏电阻与该发光二极管芯片电性连接；上述多个金属导线协同上述多个电极、该第一发光二极管芯片及该热敏电阻形成电路；从该发光装置顶面观之，该热敏电阻具有芯片级尺寸。该背光模块包括上述发光装置，而该照明模块包括上述发光装置及驱动器，该驱动器电性连接该发光装置。本发明的热敏电阻可封装于承载组件内，借由发光二极管芯片的固晶打线工艺固定于装置电极并与发光二极管芯片电性连接，使发光装置封装较便利。

Description

发光装置、背光模块及照明模块

技术领域

本发明有关一种发光装置、背光模块(back light module)及照明模块，特别关于一种具有热敏电阻(thermistor)及发光二极管(LED)的发光装置、背光模块及照明模块。

背景技术

在应用发光二极管的发光装置中，有利用红色LED芯片与蓝色LED芯片搭配来产生照明光线，并且红色LED芯片及／或蓝色LED芯片还会进一步与热敏电阻电性连接。该热敏电阻的电阻值会随着环境温度的上升而改变，电阻值的变化可调整通过红色LED芯片或蓝色LED芯片的电流，进而调整红色LED芯片或蓝色LED芯片的发光亮度，弥补LED芯片的光衰特性。

然而，该热敏电阻通常为表面固定技术(Surface Mount Techno1ogy，SMT)型态，其需借由回焊工艺(reflow process)才能固定至电路基板上。此外，SMT型态的热敏电阻需设置于两电极的交界处上，才能使得热敏电阻的阳极端及阴极端分别电性连接到两电极，严重局限基版电路设计。另一方面，SMT型态的热敏电阻具有较大的尺寸(即毫米级)，在今日发光装置微小化至毫米级的情况下，无法将传统的热敏电阻封装于承载组件内，有碍于照明设备的微型化发展。

有鉴于上述现有的发光装置、背光模块及照明模块存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的发光装置、背光模块及照明模块，能够改进一般现有的发光装置、背光模块及照明模块，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的发光装置、背光模块及照明模块存在的缺陷，而提供一种新的发光装置、背光模块及照明模块，所要解决的技术问题是使其热敏电阻具有芯片级(chip leve1)尺寸，即从发光装置顶面观之，其与现有发光二极管芯片面积相当，可封装于承载组件内，且可借由发光二极管芯片的固晶打线工艺固定于装置的电极上并与发光二极管芯片电性连接，使得该发光装置的封装较为便利，非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的发光装置，包括：承载组件，具有多个电极，其中上述多个电极至少包括第一电极及第二电极；第一发光二极管芯片，设置于该承载组件上；热敏电阻，设置于该承载组件上，并与该第一发光二极管芯片电性连接；以及多个金属导线，协同上述多个电极、该第一发光二极管芯片以及该热敏电阻形成电路；其中，从该发光装置的顶面观之，该热敏电阻具有芯片级的尺寸。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的发光装置，其中所述的热敏电阻的尺寸为约0.15mm乘约0.15mm至约1mm乘约1mm。

前述的发光装置，其中所述的热敏电阻具有第一接着区及第二接着区，该第一接着区固定于上述多个电极中。

前述的发光装置，其中所述的多个金属导线包括第一金属导线，该第一金属导线是电性连接该热敏电阻与该第一发光二极管芯片。

前述的发光装置，其中所述的发光装置更包括第二发光二极管芯片，设置于该承载组件上，并与该热敏电阻电性及／或该第一发光二极管芯片连接。

前述的发光装置，其中所述的多个金属导线更包括第二金属导线，该第二金属导线是电性连接该热敏电阻及该第二发光二极管芯片。

前述的发光装置，其中所述的第一发光二极管芯片、该第二发光二极管芯片及该热敏电阻是分别设置于该第一电极或该第二电极上。

前述的发光装置，其中所述的第一发光二极管芯片与该热敏电阻是设置于同一个该电极上。

前述的发光装置，其中所述的多个电极更包括第三电极，该第一发光二极管芯片、该第二发光二极管芯片及该热敏电阻是分别设置于该第一电极、该第二电极或该第三电极上。

前述的发光装置，其中所述的第一发光二极管芯片与该热敏电阻是设置于同一个该电极上。

前述的发光装置，其中所述的芯片级热敏电阻为正温度系数(positive thermalcoefficient)。

前述的发光装置，其中所述的热敏电阻在低于特定温度时具有第一电阻增加率，而在高于该特定温度时具有第二电阻增加率；该第二电阻增加率大于该第一电阻增加率，而该特定温度介于约摄氏60度至约摄氏110度之间。

前述的发光装置，其中所述的特定温度介于摄氏65度至75度之间。

前述的发光装置，其中所述的热敏电阻包括陶瓷材料层、上金属层及下金属层，该陶瓷材料层设置于该上金属层及该下金属层之间。

前述的发光装置，其中所述的陶瓷材料层的制造材料为钛酸钡(BariumTitanate，BaTiO₃)。

前述的发光装置，其中所述的热敏电阻具有不大于约190微米(μm)的厚度。

前述的发光装置，其中所述的第一发光二极管芯片为红光发光二极管芯片。

前述的发光装置，其中所述的第二发光二极管芯片为蓝光发光二极管芯片。

前述的发光装置，其中所述的发光装置更包括封装体(Encapsu1ant)，设置于该承载组件上，并包覆该第一发光二极管芯片、该第二发光二极管芯片及该热敏电阻。

前述的发光装置，其中所述的封装体包括选自以下群组之一或多者：铝酸盐荧光材料、硅酸盐荧光材料、硫化物荧光材料、氮氧化物荧光材料、氮化物荧光材料及前述的任意组合。

前述的发光装置，其中所述的发光装置更包括齐纳二极管(Zener diode)，设置于该承载组件上。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种背光模块，其至少包括上述的发光装置。

本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种照明模块，其至少包括上述的发光装置及驱动器，该驱动器与该发光装置相电性连接。

借由上述技术方案，本发明发光装置、背光模块及照明模块至少具有下列优点及有益效果：

本发明使热敏电阻具有芯片级尺寸，即从发光装置顶面观之，其与现有发光二极管芯片面积相当，可封装于承载组件内，且可借由发光二极管芯片的固晶打线工艺固定于装置的电极上并与发光二极管芯片电性连接，使得该发光装置的封装较为便利，非常适于实用。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1为依据本发明的第一较佳实施例的发光装置的组件布置图(1ayout)。

图2A为图1的热敏电阻的结构示意图。

图2B为图1的热敏电阻的另一结构示意图。

图3为图1的热敏电阻的电阻相对温度的变化图。

图4为依据本发明的第一较佳实施例至第六较佳实施例的发光装置的等效电路图。

图5为依据本发明的第一较佳实施例的发光装置的立体图。

图6为依据本发明的第二较佳实施例的发光装置的组件布置图。

图7为依据本发明的第三较佳实施例的发光装置的组件布置图。

图8为依据本发明的第四较佳实施例的发光装置的组件布置图。

图9为依据本发明的第五较佳实施例的发光装置的组件布置图。

图10为依据本发明的第六较佳实施例的发光装置的组件布置图。

图11为依据本发明的第七较佳实施例的发光装置的组件布置图。

图12为依据本发明的第七较佳实施例至第十较佳实施例的发光装置的一等效电路图。

图13为依据本发明的第八较佳实施例的发光装置的组件布置图。

图14为依据本发明的第九较佳实施例的发光装置的组件布置图。

图15为依据本发明的第十较佳实施例的发光装置的组件布置图。

图16为依据本发明的第十较佳实施例的照明模块的示意图。

【主要元件符号说明】

1A、1B、1C、1D、2A、2B、3A、3B、3C、3D：发光装置

10：承载组件 101：绝缘壳体

11：电极 11A：第一电极

11B：第二电极 11C：第三电极

20：第一发光二极管芯片、第一LED芯片

30：第二发光二极管芯片、第二LED芯片

40：热敏电阻 41：陶瓷材料层

42：上金属层、第二接着区 421：内层(under layer)

422：外电极层 43：下金属层、第一接着区

431：内层 432：外电极层

50：金属导线 51：第一金属导线

52：第二金属导线 53：第三金属导线

60：齐纳二极管 70：封装体

4：驱动器

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的发光装置、背光模块及照明模块其具体实施方式、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。

请参阅图1所示，为依据本发明的第一较佳实施例的发光装置的组件布置图。在本发明的第一实施例中，发光装置1A被提出，该发光装置1A可包括：承载组件10、至少一个第一发光二极管芯片20、至少一个第二发光二极管芯片30、热敏电阻40及多个金属导线50；以下，各组件的技术内容将依序地说明。

该承载组件10用以供其他组件设置于其上，且其可由绝缘壳体101及导线架(1eadframe)所组成。承载组件10还具有多个相分隔的电极11(即导线架的一部分)，而上述多个电极11至少包括第一电极11A及第二电极11B。该第一电极11A及第二电极11B可分别电连接外部电源(图未示)的正极及负极。

在本发明中，第一发光二极管芯片(以下简称为第一LED芯片20)及第二发光二极管芯片(以下简称为第二LED芯片30)所发出的光是无特定限制。较佳地，第一LED芯片20可为红光LED芯片，而第二LED芯片30可为蓝光LED芯片。此外，第一LED芯片20与第二LED芯片30的数目无特定限制。在图1中，第一LED芯片20的数目是以一个为例，而第二LED芯片30的数目是以两个为例。

在本发明中，LED芯片20或30的结构型态无特定限制，可任选为垂直连接式发光二极管芯片(即电性连接点在芯片的顶面及底面)或水平连接式发光二极管芯片(即电性连接点在芯片的顶面)。在本发明的实施例中，第一LED芯片20是例示为垂直连接式的发光二极管芯片，而第二LED芯片30是例示为水平连接式的发光二极管芯片。

第一LED芯片20及第二LED芯片30皆设置于承载组件10上，且第一LED芯片20及第二LED芯片30可分别任选地设置于承载组件10的第一电极11A或第二电极11B上；在本实施例中，第一LED芯片20及第二LED芯片30皆设置于第一电极11A上。第一LED芯片20的其中一个电性连接点会直接接触到第一电极11A，以与第一电极11A形成电性连接。

热敏电阻40是芯片级热敏电阻，也就是，从发光装置1A的顶面观之，热敏电阻40具有芯片级的尺寸(即长度及宽度)，该尺寸较佳可为“约0.15mm乘约0.15mm”至“约1mm乘约1mm”。从发光装置1A的侧面观之，热敏电阻40具有次微米至微米级的厚度，较佳不大于约190微米。

请参阅图2A所示，为图1的热敏电阻的结构示意图。使热敏电阻40具有芯片级尺寸的其中一种方式为如下：热敏电阻40在结构上包括陶瓷材料层41、上金属层42及下金属层43，而陶瓷材料层41设置于上金属层42及下金属层43之间；换言之，上金属层42、陶瓷材料层41及下金属层43为堆栈地设置，以占据较小的空间。

进一步而言，陶瓷材料层41主要是由多晶的陶瓷材料所构成，较佳是钛酸钡，而上金属层42具有内层421及外电极层422，下金属层43也具有内层431及外电极层432；内层421(431)涂布于陶瓷材料层41上，而外电极层422(432)涂布于内层421(431)上；内层421(431)的制造材料可为导电材料，较佳为银；而外电极层422(432)的制造材料可为与焊料接着性较佳的导电材料，较佳为金。陶瓷材料层41的例示厚度可为90微米，而上金属层42的例示厚度可为5微米，下金属层43的例示厚度可为5微米，使得热敏电阻40的整体厚度可约为100微米。然而，在部分实施结构中，下金属层43可仅具有内层431，即无需外电极层432，可减少外电极层的用料量。

需说明的是，在本实施例中，外电极层422可涂布于内层421的全部区域上。然而，在其他实施例中，外电极层422可涂布于内层421的部分区域上(如图2B所示)，该外电极层422在内层421的涂布位置及涂布面积对应于后述的金属导线50的连接方式。

热敏电阻40还具有第一接着区及第二接着区，用以电性连接其他组件。下金属层43可作为该第一接着区，而上金属层42可作为该第二接着区。由于第一接着区43及第二接着区42为垂直地相对，热敏电阻40为垂直连接式热敏电阻。在使用上，可将热敏电阻40中的接着区(举例言之，第一接着区)固定于承载组件10的电极11上并形成电性接触，而热敏电阻40的另一接着区是以打线连接方式与其他组件电性连接，借此形成导通的电路。特定言之，本发明发光装置中是采用芯片级的热敏电阻，可便利地将热敏电阻封装于承载结构中。同时，有别于传统热敏电阻需安置于电极11的交界，本发明中所采用的热敏电阻可随意地选择配置位置(可在电极11的任何位置)，大幅提升电极11的设计自由度及各组件间的空间调配性。此外，亦可省略回焊工艺所需的加热过程，大幅减少工时成本。

在本发明中，第一LED芯片20、第二LED芯片30及热敏电阻40可分别设置于任意电极上，即，如在第一较佳实施例中具有二电极或如在后述的第五较佳实施例中具有三电极时，第一LED芯片20、第二LED芯片30及热敏电阻40可分别设置于任一电极上。较佳地，选用垂直连接式的第一LED芯片20时，较佳是使第一LED芯片20与热敏电阻40固定于同一电极11上，借此使LED芯片20与热敏电阻40再借由金属导线电性连接后即形成并联型态，可减少导线的用料量。此外，固定第一LED芯片20、第二LED芯片30及热敏电阻40的固定材料无特定限制，可采用一般LED业界常用的固晶胶。

在本发明的部分实施结构中，无论第一LED芯片20为垂直连接式或水平连接式，较佳是使第一LED芯片20与热敏电阻40位于同一热传导界质上，使热敏电阻40可准确地感应第一LED芯片20的温度并反应出该温度下的电阻值。

请参阅图3所示，为图1的热敏电阻的电阻相对温度的变化图。该热敏电阻40可为具有正温度系数的热敏电阻，因此热敏电阻40的电阻会随着温度上升而增加。此外，热敏电阻40的电阻与温度的关系非线性；详言之，当热敏电阻40在低于特定温度时，热敏电阻40具有第一电阻增加率，而在高于该特定温度时，热敏电阻40具有第二电阻增加率，而第二电阻增加率明显地大于第一电阻增加率。换言之，热敏电阻40的电阻在到达特定温度时，会开始明显地上升。该特定温度介于约摄氏60度至约摄氏110度之间，而较佳地，该特定温度介于约摄氏65度至约摄氏75度之间，以配合现有电子设备操作时的操作温度而改变电阻。

请再参阅图1所示，热敏电阻40设置于承载组件10上，且设置于承载组件10的其中一个电极11上。在本实施例中，热敏电阻40与第一LED芯片20及第二LED芯片30一样，设置于第一电极11A上，且热敏电阻40的第一接着区43(如图2A所示)直接固定于第一电极11A上，与第一电极11A形成电性连接。

金属导线50可协同承载组件10的上述多个电极11、第一LED芯片20、第二LED芯片30及热敏电阻40形成电路，也就是，第一LED芯片20、第二LED芯片30及热敏电阻40彼此之间可借由电极11与金属导线50达成电性连接，形成具有特定功能电路。

详细而言，使热敏电阻40的第一接着区43与第一LED芯片20的其中一个电性连接点(即位于底面的接点)固定于第一电极11A并形成电性连接；并借由上述多个金属导线50所包括的第一金属导线51相电性连接热敏电阻40的第二接着区42与第一LED芯片20的另一电性连接点(即位于顶面的接点)，也就是，第一金属导线51的一端固定于第二接着区42上，而第一金属导线51的另一端固定于第一LED芯片20的电性连接点上。如此，热敏电阻40与第一LED芯片20为并联连接。

另外，可以上述多个金属导线50所包括的第二金属导线52电性连接热敏电阻40的第二接着区42与第二LED芯片30的其中一个电性连接点，也就是，第二金属导线52的一端固定于第二接着区42上，而第二金属导线52的另一端固定于第二LED芯片30的电性连接点上。第二LED芯片30的另一电性连接点再通过其中一条金属导线50而电性连接至第二电极11B。

整体而言，第一LED芯片20、第二LED芯片30及热敏电阻40所形成的等效电路可如图4所示。

请在参阅图1所示，较佳地，发光装置1A可更包括齐纳二极管60。该齐纳二极管60设置于承载组件10上，并与第一电极11A及第二电极11B电性连接。齐纳二极管60可避免逆向电压施加于第一LED芯片20或第二LED芯片30上。此外，齐纳二极管60的设置位置并无特殊限制，可任选的位于任一电极上。

请参阅图5所示，为依据本发明的第一较佳实施例的发光装置的立体图。较佳地，发光装置1A还可包括封装体70。该封装体70设置于承载组件10上，并包覆第一LED芯片20、第二LED芯片30及热敏电阻40(图1所示)，借此保护该等组件。封装体70较佳包括荧光材料，可包括选自以下群组之一或多者：铝酸盐荧光材料、硅酸盐荧光材料、硫化物荧光材料、氮氧化物荧光材料、氮化物荧光材料及前述的任意组合。借此，可利用第一LED芯片20及／或第二LED芯片30所发射的光吸收荧光材料并发射出不同的释放光，并将未被吸收的发射光与释放光混合形成具有所需颜色的光。

请参阅图6所示，为依据本发明的第二较佳实施例的发光装置的组件布置图。在本发明的第二实施例中，发光装置1B被提出。发光装置1B与第一实施例中的发光装置1A的相异处在于：发光装置1B的第一LED芯片20为水平连接式，其二电性连接点皆设置于第一LED芯片20的顶面。因此，第一LED芯片20的其中电性连接点无法直接与第一电极11A电性接触，需通过第三金属导线53连接至第一电极11A，借此与热敏电阻40形成导通的电路。

请参阅图7及图8所示，分别为依据本发明的第三较佳实施例及第四较佳实施例的发光装置的组件布置图。在本发明的第三实施例中，二发光装置1C及1D被提出。发光装置1C及1D与第一实施例中的发光装置1A的相异处在于：发光装置1C及1D的第一LED芯片20及热敏电阻40设置于第二电极11B，而第二LED芯片30仍设置于第一电极11A上；发光装置1C的第一LED芯片20为垂直连接式者，故第一LED芯片20的其中电性连接点可接触第二电极11B而与第二电极11B达成电性连接；发光装置1D的第一LED芯片20则为水平连接式者，故第一LED芯片20的其中电性连接点可通过第三金属导线53与第二电极11B达成电性连接。

请参阅图9所示，为依据本发明的第五较佳实施例的发光装置的组件布置图。在本发明的第五实施例中，发光装置2A被提出。发光装置2A与前述实施例中的发光装置1A至1D的相异处在于：发光装置2A的上述多个电极11包括第一电极11A、第二电极11B及第三电极11C，而第一LED芯片20、第二LED芯片30及热敏电阻40可分别设置于第一电极11A、第二电极11B或第三电极11C上。

进一步而言，第一LED芯片20、热敏电阻40及其中一个第二LED芯片30设置于第一电极11A上，而另一个第二LED芯片30设置于第二电极11B上；第一LED芯片20的其中一电性连接点及热敏电阻40的第一接着区43(如图2A所示)可直接通过第一电极11A来电性连接，而第一LED芯片20的另一电性连接点及热敏电阻40的第二接着区42的电性连接，则是通过第一金属导线51、第二金属导线52及第三电极11C三者。

详言之，第一LED芯片20的另一电性连接点先借由第一金属导线51与第三电极11C电性连接，第三电极11C再借由第二金属导线52与热敏电阻40的第二接着区42电性连接。类似地，热敏电阻40的第二接着区42与第二LED芯片30的电性连接点的电性连接，则是通过第一金属导线51、第三金属导线53及第三电极11C三者。

请参阅图10所示，为依据本发明的第六较佳实施例的发光装置的组件布置图。于本发明的第六实施例中，发光装置2B被提出。发光装置2B与前述实施例中的发光装置2A的相异处在于：发光装置2B的第一LED芯片20及热敏电阻40设置于第三电极11C上，而上述多个第二LED芯片30分别设置于第一电极11A及第二电极11B上；然后，第一LED芯片20、第二LED芯片30及热敏电阻40再通过上述多个金属导线50及上述多个电极11来达成电性连接及构成电路。

综合上述，上述的发光装置1A、1B、1C、1D、2A及2B虽在组件配置上有差异，但发光装置1A、1B、1C、1D、2A及2B的等效电路仍可为图4所示。发光装置1A至2B至少可有以下共同的特点：

1、热敏电阻40与第一LED芯片20为并联，当第一LED芯片20的温度升高时，热敏电阻40的电阻会上升，使得较多电流通过第一LED芯片20，从而维持第一LED芯片20的发光亮度。

2、由于热敏电阻40为垂直连接形式，且可借由金属导线50与第一LED芯片20电性连接，热敏电阻40在电极11上的位置较不受限；换言之，热敏电阻40不需如现有习知般，设置于电极11的交界处上。

3、热敏电阻40具有芯片级的尺寸，可封装于程载组件10之内，且对于发光装置1A的整体尺寸的缩减有利。

4、热敏电阻40并非SMT型态，故回焊工艺可省略。

5、热敏电阻40的第二接着区42可供多条金属导线50固定。

6、热敏电阻40的厚度不大于190微米，故热敏电阻40不易遮蔽到第一LED芯片20或第二LED芯片30所发射出的光线，且金属导线50与热敏电阻40的连接会较为容易。

请参阅图11、图13、图14至图15所示，分别为依据本发明的第七较佳实施例至第十较佳实施例的发光装置的组件布置图。在本发明的第七实施例至第十实施例中，发光装置3A至3D被提出。发光装置3A至3D可包括：承载组件10、第一LED芯片20、第二LED芯片30、热敏电阻40及多个金属导线50，第一LED芯片20、第二LED芯片30及热敏电阻40设置于承载组件10上，且通过承载组件10的电极11及上述多个金属导线50来形成如图12所示的电路。

另一方面，发光装置3A至3D的热敏电阻40为负温度系数者，也就是，当热敏电阻40的温度上升时，热敏电阻40的电阻值会下降。此外，负温度系数的热敏电阻40与第二LED芯片30串联连接；如此，当温度上升时，热敏电阻40的电阻下降，使得较多电流可通过第二LED芯片30，从而维持第二LED芯片30的发光亮度。

请参阅图16所示，为依据本发明的第十一较佳实施例的照明模块的示意图。在本发明的第十一实施例中，照明模块被提出，该照明模块包括上述任一实施例的发光装置1A至3D以及驱动器4，该驱动器4电性连接该发光装置1A至3D，以控制发光装置1A至3D发射光线。本发明尚有一实施例，是为背光模块，其包括上述任一实施例的发光装置1A至3D。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (9)

1.一种发光装置，其特征在于其包括：

承载组件，具有多个电极，其中上述多个电极至少包括第一电极及第二电极；

第一发光二极管芯片，设置于该承载组件上；

热敏电阻，设置于该承载组件上，并与该第一发光二极管芯片电性连接；以及

多个金属导线，协同上述多个电极、该第一发光二极管芯片以及该热敏电阻形成电路；

其中，从该发光装置的顶面观之，该热敏电阻为垂直连接式热敏电阻且具有芯片级的尺寸,将热敏电阻的第一接着区固定于承载组件的电极上并形成电性接触，实现该热敏电阻封装于该承载组件内，且可固定于电极上的任意位置,其中该热敏电阻在低于一特定温度时，有一第一电阻增加率，而在高于该特定温度时，具有一第二电阻增加率，而第二电阻增加率明显大于第一电阻增加率，所述特定温度介于摄氏60度至摄氏110度；

其中，所述的多个金属导线包括第一金属导线，该第一金属导线是电性连接该热敏电阻与该第一发光二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于其中所述的热敏电阻的尺寸为0.15mm乘0.15mm至1mm乘1mm。

3.根据权利要求1-2任一项所述的发光装置，其特征在于其中所述的发光装置更包括第二发光二极管芯片，设置于该承载组件上，并与该热敏电阻电性及/或该第一发光二极管芯片连接。

4.根据权利要求1-2中任意一项所述的发光装置，其特征在于其中所述的第一发光二极管芯片及该热敏电阻是设置在同一电极上。

5.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于其中所述的第一发光二极管芯片与该热敏电阻电性并联后，再与所述的第二发光二极管芯片串联。

6.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于其中所述的芯片级热敏电阻为正温度系数。

7.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于其中所述的热敏电阻在低于特定温度时具有第一电阻增加率，而在高于该特定温度时具有第二电阻增加率；该第二电阻增加率大于该第一电阻增加率，而该特定温度介于摄氏60度至摄氏110度之间。

8.一种背光模块，其特征在于其包括根据权利要求1所述的发光装置。

9.一种照明模块，其特征在于其包括：驱动器；以及根据权利要求1所述的发光装置，与该驱动器电性连接。