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CN103872086B - 有机电致发光装置以及电子设备 - Google Patents

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CN103872086B CN201310684634.9A CN201310684634A CN103872086B CN 103872086 B CN103872086 B CN 103872086B CN 201310684634 A CN201310684634 A CN 201310684634A CN 103872086 B CN103872086 B CN 103872086B
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Abstract

本发明提供一种有机电致发光装置以及电子设备，有机EL装置具有基板、第1着色层、具有第1像素电极的第1发光元件、反射层、以及不与第1像素电极的第1部分重叠而与第2部分重叠的绝缘层，从第1发光元件发出的光具有：从与第1部分重叠区域发出的第1光和从与第2部分重叠区域发出的第2光，以第1光比第2光多地透过第1着色层的方式设定绝缘层的膜厚或者第1着色层的光学特性。

Description

有机电致发光装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及有机电致发光（EL）装置、以及具备该有机EL装置的电子设备。
背景技术
公知有包含在阴极与阳极之间夹持有机电致发光层的EL元件、和用于控制EL元件的驱动的晶体管和电容的有源矩阵型EL设备。在这种EL设备中，为了使邻接的阳极彼此电绝缘，在阳极上设置有具有开口、且该开口的底端延伸至阳极上的钝化层（专利文献1）。
另外，公知有在透明基板上层叠半透明反射层、透明导电层、由有机薄膜构成的发光层、以及背面电极，并在半透明反射层与背面电极之间构成光谐振器的有机发光元件。在这种有机发光元件中发光光谱的半值宽度较窄，能够使发光特性提高。（专利文献2）。
专利文献1：日本特开平8-241048号公报
专利文献2：日本特开平8-213174号公报
可知在上述专利文献1的EL元件中，不仅阳极上的上述开口部分，即使在阳极被钝化层（绝缘层）覆盖的区域中，从阳极侧注入的空穴与从阴极侧注入的电子在发光层中结合而从发光层发出光。在这样的上述专利文献1的EL元件中设置上述专利文献2的光谐振器结构的情况下，在光谐振器中像素电极（阳极）的中央部分的光学距离与像素电极的周边部（阳极与钝化层重叠的区域）的光学距离不同。因此，通过光谐振器得到的发光的峰值波长在像素电极（阳极）的中央部与周边部不同。尤其从周边部得到的发光的峰值波长与中央部相比上述光学距离变大，所以比原本所希望的峰值波长更靠长波长侧移动。存在如下的课题，即、即使对EL元件设置彩色滤光片，若彩色滤光片使向长波长侧移动的光和原本所希望的峰值波长的光透过，则产生了混杂不同颜色的光的混色，不能用所期望的颜色进行显示。
发明内容
本发明是为了解决上述的课题的至少一部分而完成的发明，能够作为以下的方式或者应用例而实现。
（应用例1）本应用例的有机电致发光装置的特征在于，具有：基板；第1着色层，其被配置在基板的第1面上；第1发光元件，其被配置在基板的第1面与第1着色层之间，并具有层叠有第1像素电极、包含发光层的功能层、以及对置电极的层叠结构；第1反射层，其被配置在第1面与第1像素电极之间，并在与对置电极之间形成第1谐振器结构；以及绝缘层，其隔着第1像素电极被配置在第1面与功能层之间，第1像素电极具有在俯视时不与绝缘层重叠的第1部分、和与绝缘层重叠的第2部分，从第1发光元件发出的光具有：从功能层的与上述第1部分重叠的部分发出并具有第1峰值波长的第1光、和从功能层的与第2部分重叠的部分发出并具有第2峰值波长的第2光，以第1光比第2光多地透过上述第1着色层的方式设定绝缘层的膜厚或者第1着色层的光学特性。
另外，本应用例的有机电致发光装置的特征在于，具有：基板；第1着色层，其被配置在上述基板的第1面上；第1发光元件，其被配置在上述基板的上述第1面与上述第1着色层之间，并具有层叠有第1像素电极、包含发光层的功能层、以及对置电极的层叠结构；第1反射层，其被配置在上述第1面与上述第1像素电极之间，并在与上述对置电极之间形成第1谐振器结构；以及绝缘层，其隔着上述第1像素电极被配置在上述第1面与上述功能层之间，上述第1像素电极具有在俯视时不与上述绝缘层重叠的第1部分、和与上述绝缘层重叠的第2部分，从上述第1发光元件发出的光具有：从上述功能层的与上述第1部分重叠的部分发出并具有第1峰值波长的第1光、和从上述功能层的与上述第2部分重叠的部分发出并具有第2峰值波长的第2光，以上述第1峰值波长中的上述第1着色层的光透过率高于上述第2峰值波长中的上述第1着色层的光透过率的方式设定上述绝缘层的膜厚或者上述第1着色层的光学特性。
根据本应用例，与从第1发光元件的功能层发出、并被第1谐振器结构增强后透过第1着色层的光中、从与第1部分重叠的部分发出的具有第1峰值波长的第1光相比，从与第2部分重叠的部分发出的具有第2峰值波长的第2光较多地被第1着色层吸收。
因此，与不具备本应用例的构成的有机电致发光装置相比较，能够抑制具有与所希望的峰值波长亦即第1峰值波长相比更向长波长侧移动的第2峰值波长的光混杂在来自第1发光元件的发光。由此，能够成为色偏较少、显示品质优异的有机电致发光装置。
（应用例2）在上述应用例所记载的有机电致发光装置中，优选第1着色层中的第2光的透过率是15%以下。
由此，能够成为色偏更少、显示品质优异的有机电致发光装置。
（应用例3）在上述应用例所记载的有机电致发光装置中，优选以第1着色层中的第2光的透过率为15%以下的方式设定绝缘层的膜厚。
根据本应用例，能够通过绝缘层的膜厚调整在功能层的与第1部分重叠的部分中被第1谐振器结构增强的第1光的第1峰值波长和在功能层的与第2部分重叠的部分中被第1谐振器结构增强的第2光的第2峰值波长的差。由此，能够成为能够用更简单的制造工序制造的显示品质优异的有机电致发光装置。
（应用例4）在上述应用例所记载的有机电致发光装置中，优选具有：第2着色层，其与第1着色层同层配置，并具有与第1着色层不同的光透过特性；第2发光元件，其被配置在第1面与第2着色层之间，并具有层叠有第2像素电极、功能层、以及对置电极的层叠结构；以及第2反射层，其被配置在第1面与第2像素电极之间，并在与对置电极之间形成第2谐振器结构，第2像素电极具有不与绝缘层重叠的第3部分和与绝缘层重叠的第4部分，从第2发光元件发出的光具有：从功能层的与第3部分重叠的部分发出且具有第3峰值波长的第3光、和从功能层的与第4部分重叠的部分发出且具有第4峰值波长的第4光，第2着色层将第4光比第3光多地吸收，与第2部分重叠的绝缘层的膜厚和与第4部分重叠的绝缘层的膜厚不同。
根据本应用例，与从第2发光元件的功能层释放出、并被第2谐振器结构增强后透过第2着色层的光中的、从功能层的与第3部分重叠的部分发出的具有第3峰值波长的第3光相比，从功能层的与第4部分重叠的部分发出的具有第4峰值波长的第4光更多地被第2着色层吸收。
因此，与不具备本应用例的构成的有机电致发光装置相比较，能够抑制与所希望的峰值波长亦即第3峰值波长相比更向长波长侧移动的第4峰值波长的光混杂在从第2发光元件的发光中。
并且，根据本应用，因为使绝缘层的膜厚在与第2部分重叠的部分和与第4部分重叠的部分不同，所以能够与第1着色层与第2着色层各自的光透过特性对应地设定绝缘层的膜厚，并能够成为色偏更少、显示品质优异的有机EL装置。
（应用例5）在上述应用例所记载的有机电致发光装置中，优选具有：第3着色层，其与第1着色层同层配置，并具有与第1着色层不同的光透过特性；第3发光元件，其被配置在第1面与第3着色层之间，并具有层叠有第3像素电极、功能层、以及对置电极的层叠结构；以及第3反射层，其被配置在第1面与第3像素电极之间，并在与对置电极之间形成第3谐振器结构，第3像素电极具有不与绝缘层重叠的第5部分和与绝缘层重叠的第6部分，从第3发光元件发出的光具有：从功能层的与第5部分重叠的部分发出且具有第5峰值波长的第5光、和从功能层的与第6部分重叠的部分发出且具有第6峰值波长的第6光，第3着色层使第5光与第6光透过15%以上。
根据本应用例，从第3发光元件的功能层发出并被第3谐振器结构增强后透过第3着色层的光中的、从功能层的与第5部分重叠的部分发出的具有第5峰值波长的第5光、和从功能层的与第6部分重叠的部分发出的具有第6峰值波长的第6光均15%以上透过第3着色层。换言之，与第6部分重叠的绝缘层的膜厚不会成为如第6峰值波长移动到第3着色层的透过率成为20%以下的范围为止的膜厚。
因此，能够使与第6部分重叠的部分的绝缘层的膜厚和与第2部分重叠的部分或者与第4部分重叠的部分的绝缘层的膜厚相同，同与第2部分、第4部分、第6部分重叠的部分的绝缘层的膜厚分别不同的情况相比较，能够用更简便的工序制造有机电致发光（EL）装置。
（应用例6）本应用例的电子设备的特征在于，具备上述应用例中任意一个所记载的有机电致发光装置。
根据本应用例，因为具备上述应用例中任意一个所记载的有机电致发光装置，所以能够提供一种色偏较少、显示品质优异的电子设备。
附图说明
图1是表示实施方式1的有机电致发光装置的基本构成的概略俯视图。
图2是表示实施方式1的有机电致发光装置中的电气构成的等效电路图。
图3是实施方式1的有机电致发光装置中的发光元件的俯视图以及剖视图。
图4（a）～（d）是表示实施方式1的蓝色发光元件的分光特性与彩色滤光片的光透过特性的曲线图。
图5（a）是合成了蓝色发光元件的分光特性和蓝色着色层的透过特性的曲线图，（b）以及（c）是合成了改变绝缘层的膜厚时的第2部分中的蓝色发光元件的分光特性和蓝色着色层的透过特性的曲线图。
图6（a）～（d）是表示实施方式1的绿色发光元件的分光特性和彩色滤光片的光的透过特性的曲线图。
图7（a）是合成了绿色发光元件的分光特性和绿色着色层的透过特性的曲线图，（b）以及（c）是合成了改变绝缘层的膜厚时的第4部分中的绿色发光元件的分光特性和绿色的着色层的透过特性的曲线图。
图8（a）～（d）是表示实施方式1的红色发光元件的分光特性和彩色滤光片的光透过特性的曲线图。
图9（a）是合成了红色发光元件的分光特性和红色着色层的透过特性的曲线图，（b）以及（c）是合成了改变绝缘层的膜厚时的第6部分中的红色发光元件的分光特性和红色着色层的透过特性的曲线图。
图10是表示作为电子设备的头戴式显示器的概略立体图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在以下的各图中，由于使各层或者各部件为能够识别的程度的大小，所以各层或者各部件的尺寸与实际不同。
（实施方式1）
（有机电致发光装置）
图1是表示实施方式1的有机电致发光装置的基本构成的概略俯视图。
首先，对实施方式1的有机电致发光（EL）装置100的概略构成进行说明。
如图1所示，本实施方式的有机EL装置100具有：基板1、以及配置在基板1的第1面上的显示区域E1的多个像素10。在显示区域E1与基板1的周边部之间的非显示区域E2设置有用于使像素10发光的外围电路。作为外围电路的例子，列举有扫描线驱动电路、数据线驱动电路、检查电路等。
多个像素10呈矩阵状地配置于显示区域E1，像素10构成为包含射出不同波长的光的多个子像素11，例如蓝色（B）的子像素11B、绿色（G）的子像素11G、红色（R）的子像素11R。以后，将不同颜色的子像素11排列的方向设为X方向，将相同颜色的子像素11排列的方向设为Y方向进行说明。此外，不同颜色的子像素11的排列并不局限于此。
图2是表示实施方式1的有机电致发光装置中的电气构成的等效电路图。
如图2所示，本实施方式的有机EL装置100具有：多个扫描线21、沿与扫描线21交叉的方向延伸的多个数据线22、以及与数据线22平行地延伸的多个电源线23。多个扫描线21与扫描线驱动电路27连接，多个数据线22与数据线驱动电路28连接。在本实施方式中电源线23是用于向作为阳极的像素电极35赋予电位的阳极用电源线。
与扫描线21和数据线22的交叉对应地设置有子像素11（11R、11G、11B）。多个子像素11分别包含发光元件12、和用于控制发光元件12的驱动的像素电路20（20B、20G、20R）。
发光元件12是包含作为阳极发挥作用的像素电极35、作为阴极发挥作用的对置电极37、以及配置在像素电极35与对置电极37之间的包含有机发光层的功能层36的有机电致发光（EL）元件。
像素电路20（20B、20G、20R）包含开关晶体管24、驱动晶体管25、以及与驱动晶体管25的栅电极连接的保持电容26，并控制发光元件12的驱动。此处所谓发光元件12的驱动的控制，是指基于在写入期间经由数据线22供给的数据信号，在发光期间使发光元件12发光。扫描信号经由扫描线21供给给开关晶体管24的栅电极，在该开关晶体管24处于导通（ON）状态时，从与开关晶体管24的源极或者漏极的任意一方连接的数据线22供给的数据信号被保持电容26保持。
在驱动晶体管25处于导通（ON）状态时，发光元件12的像素电极35与电源线23经由驱动晶体管25电连接，与被保持电容26保持的数据信号的电位对应的量的电流被供给给发光元件12。发光元件12以与供给的电流量对应的亮度发光。
图3是实施方式1的有机电致发光装置中的发光元件的俯视图以及剖视图。详细而言，图3（a）是表示子像素11的平面配置的图，图3（b）是沿着图3（a）的A－A’线的剖视图。
如图3（a）所示，构成像素10的每个子像素11（11B、11G、11R），形成为相对于沿着基板1的第1面1A的第1方向（图3（a）中的X方向）的长度，沿着第1面1A并且与第1方向交叉的第2方向（图3（a）中的Y方向）的长度较长的形状（矩形形状）。
而且，蓝色子像素11B、绿色子像素11G、红色子像素11R沿着X方向配置，在蓝色子像素11B配置有作为第1发光元件的发光元件12B。在绿色子像素11G配置有作为第2发光元件的发光元件12G。在红色子像素11R配置有作为第3发光元件的发光元件12R。
如图3（b）所示，本实施方式中的有机EL装置100构成为包含：基板1、形成在基板1的第1面1A上的像素电路20（20B、20G、20R）、形成在像素电路20（20B、20G、20R）上的平坦化层31、配置在平坦化层31上的反射层32、在反射层32上隔着层间绝缘层33配置的像素电极35、覆盖层间绝缘层33与像素电极35的一部分而形成的绝缘层34、在像素电极35（35B、35G、35R）上形成的包含有机发光层的功能层36、以及形成在功能层36上的对置电极37。
作为第1发光元件的发光元件12B由作为第1像素电极的像素电极35B、功能层36、以及对置电极37构成，作为第2发光元件的发光元件12G由作为第2像素电极的像素电极35G、功能层36、以及对置电极37构成。同样地，作为第3发光元件的发光元件12R由作为第3像素电极的像素电极35R、功能层36、对置电极37构成。
在本实施方式中，有机EL装置100采用从对置电极37侧取出光的顶部发光方式。因此，基板1既可以是由树脂材料、石英玻璃、钠玻璃之类的材料构成的透明基板，也可以是由陶瓷材料、金属材料构成的不透明基板。
如图2所示，像素电路20包含开关晶体管24、驱动晶体管25、以及与驱动晶体管25的栅电极连接的保持电容26，并控制发光元件12的驱动。开关晶体管24以及驱动晶体管25包含形成有源极区域、漏极区域以及沟道区域的半导体区域，和与沟道区域对置地形成的栅电极。另外，构成像素电路20的这些晶体管既可以是薄膜晶体管，也可以是在块硅基板等半导体基板上形成的场效应晶体管（例如MOS晶体管）。
在显示区域E1内的第1面1A与发光元件12之间的层还配置向开关晶体管24的栅电极供给扫描信号的扫描线21、供给被保持电容26保持的数据信号的数据线22、以及向发光元件12供给被供给的电流的电源线23等。此外，在图3（b）中仅示出构成像素电路20的要素的一部分。
在像素电路20上隔着由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等具有绝缘性的材料构成的平坦化层31配置反射层32。反射层32使从有机发光层向反射层32侧发出的光反射到有机发光层侧。另外，反射层32在与对置电极37之间形成谐振器结构。作为使用于反射层32的材料，列举Al及其合金、Ag及其合金等。
在本实施方式中，反射层32按照子像素11B、11G、11R的每一个独立地设置，相当于本发明中的第1反射层、第2反射层、第3反射层，但是并不局限于此，也可以横跨多个子像素11B、11G、11R来形成。该情况下，需要将反射层32与各像素电路20B、20G、20R电绝缘。在各像素电路20B、20G、20R与反射层32重叠的区域设置开口，通过该开口分别连接子像素11B、11G、11R的像素电极35B、35G、35R和像素电路20B、20G、20R即可。
在反射层32上配置有由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等构成的层间绝缘层33。在层间绝缘层33设置有用于使像素电极35与像素电路20连接起来的接触孔33H（参照图3（a）），利用配置在接触孔33H内的连接部使像素电极35与像素电路20电连接。
优选上述接触孔33H设置于连接部成为像素电极35的角部这样的位置。另外，在本实施方式中，如图3（a）所示，接触孔33H在各子像素11B、11G、11R中，分别设置在相同侧的角部附近。
在层间绝缘层33上配置有像素电极35B、35G、35R。在本实施方式中，像素电极35B、35G、35R作为阳极发挥作用，是由ITO（Indium Tin Oxide：铟锡氧化物）、IZO（Indium ZincOxide：铟锌氧化物）等构成的透明电极。另外，在本实施方式中，通过使像素电极35B、35G、35R的膜厚按照子像素11B、11G、11R而不同，从而调整谐振器结构的光路长度。
配置在蓝色子像素11B的像素电极35B的膜厚以蓝色子像素11B的光谐振器增强蓝色光的方式设定，配置在绿色子像素11G的像素电极35G的膜厚以绿色子像素11G的光谐振器增强绿色光的方式设定。配置在红色子像素11R的像素电极35R的膜厚以红色子像素11R的光谐振器增强红色光的方式设定。像素电极35B、35G、35R以外的各层的膜厚在全部的子像素11都相同，但是即使说膜厚相同，也包含制造上所产生的误差。
在本实施方式中，蓝色光是指400nm以上且小于500nm的波长的光，绿色光是指500nm以上且小于600nm的波长的光，红色光是指600nm以上且小于700nm的波长的光。
在本实施方式中，由于按照每个子像素11B、11G、11R而具备光谐振器（第1谐振器、第2谐振器、第3谐振器），所以在蓝、绿、红各自的上述波长范围中得到具有发光亮度被增强的谐振波长（峰值波长）的光。
此外，在各光谐振器（第1谐振器、第2谐振器、第3谐振器）中用于使光谐振产生的反射层32与对置电极37之间的光学距离的调整并不局限于使像素电极35B、35G、35R的膜厚不同的方法。例如，也可以通过使像素电极35B、35G、35R的膜厚相同，使反射层32与像素电极35B、35G、35R之间的层间绝缘层33的膜厚按照每个子像素11B、11G、11R而不同，来调整各光谐振器（第1谐振器、第2谐振器、第3谐振器）的光学距离。
像素电极35B、35G、35R分别具有在俯视时与绝缘层34不重叠的部分和重叠的部分。像素电极35B具有与绝缘层34不重叠的第1部分51和重叠的第2部分52，像素电极35G具有与绝缘层34不重叠的第3部分53和重叠的第4部分54。像素电极35R具有与绝缘层34不重叠的第5部分55和重叠的第6部分56。此外，在本说明书中，所谓俯视是指从基板1的第1面1A的法线方向（第3方向）观察。
如图3（a）以及（b）所示，第1部分51位于像素电极35B的中央部，第2部分52以包围第1部分51的方式位于沿着像素电极35B的周边部50B的区域。第3部分53位于像素电极35G的中央部，第4部分54以包围第3部分53的方式位于沿着像素电极35G的周边部50G的区域。第5部分55位于像素电极35R的中央部，第6部分56以包围第5部分55的方式位于沿着像素电极35R的周边部50R的区域。
第1部分51以及第2部分52在俯视时与配置在蓝色子像素11B的反射层32重叠，第3部分53以及第4部分54在俯视时与配置在绿色子像素11G的反射层32重叠，第5部分55以及第6部分56在俯视时与配置在红色子像素11R的反射层32重叠。
在基板1的第1面1A上配置有覆盖各像素电极35B、35G、35R的周边部50B、50G、50R的绝缘层34。另外，绝缘层34也配置在俯视时与接触孔33H重叠的区域。在绝缘层34设置有使像素电极35的大部分（中央部）露出的开口36H，像素电极35与功能层36通过该开口36H而连接。设置有该开口36H的绝缘层34由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等绝缘性的材料构成。在本说明书中将像素电极35的中央部与功能层36通过开口36H连接的区域也叫作像素开口部。
在绝缘层34上通过蒸镀法等形成包含有机发光层的功能层36。在本实施方式中，功能层36包含空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、以及电子注入层，但是既可以除这些层外叠加设置其他层，也可以不设置空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层中的任意一个层。另外，也可以一体形成这些层中的多个层。
在本实施方式中，功能层36包含若在像素电极35与对置电极37之间流动电流，则发出红色光的红色发光层、发出绿色光的绿色发光层、以及发出蓝色光的蓝色发光层。因此从功能层36发出包含红色光、绿色光以及蓝色光的光，发出整体被视觉确认为白色的光。功能层36在多个发光元件12B、12G、12R共通地形成，以成为100nm～200nm左右的膜厚的方式设计。
此外，功能层36也可以代替红色发光层、绿色发光层、以及蓝色发光层，而包含蓝色的发光层和黄色发光层。通过这样的组合也能够得到虚拟白色光。
在功能层36上形成对置电极37。在本实施方式中，对置电极37作为阴极发挥作用，也是在与上述的反射层32之间形成谐振器结构的半透反射层。对置电极37遍及多个发光元件12（12B、12G、12R）而形成，使从有机发光层发出的光的一部分透过，而将一部分反射至反射层32侧。这样的对置电极37既可以通过薄薄地蒸镀由Ag、Al以及这些的合金（例如MgAg）构成的金属来形成，也可以层叠由不同的材料构成的层。
在对置电极37上设置用于保护功能层36或者对置电极37远离水分或者氧的保护层38。保护层38使用例如硅、Al（铝）等无机材料的氧化物或者氮化物、或者氧氮化物。另外，保护层38也可以为这些无机材料和有机材料（优选气体透过性低的有机材料）的层叠结构。保护层38也作为平坦化层发挥作用，以使对置电极37的表面的凹凸不影响之后与保护层38相接地形成的彩色滤光片40。
彩色滤光片40具有与各子像素11B、11G、11R对应的颜色的着色层41B、41G、41R，这些着色层41B、41G、41R形成在同一层。着色层41B、41G、41R能够通过将包含有作为着色材料的染料或者颜料的感光性树脂材料涂覆在保护层38并利用光刻法来形成。
作为着色材料，优选使用与染料相比耐光性优异的颜料，作为颜料，使用例如金属络化物等金属有机化合物。另外，作为保持这些着色材料的粘合剂，列举出丙烯酸树脂、环氧树脂等。
作为第1着色层的蓝色着色层41B在俯视时与像素电极35B的第1部分51以及第2部分52重叠。作为第2着色层的绿色着色层41G在俯视时与像素电极35G的第3部分53以及第4部分54重叠。作为第3着色层的红色着色层41R在俯视时与像素电极35R的第5部分55以及第6部分56重叠。
蓝色着色层41B使蓝色光的大部分透过，并吸收一部分。因此，从蓝色发光元件12B发出、且通过光谐振器增强的光因通过蓝色着色层41B，由此蓝色的颜色纯度变得更高。绿色着色层41G使绿色光的大部分透过，并吸收一部分。因此，从绿色的发光元件12G发出、且通过光谐振器增强的光因通过绿色着色层41G，由此绿色的颜色纯度变得更高。红色着色层41R使红色的光的大部分透过，并吸收一部分。因此，从红色发光元件12R发出、且通过光谐振器增强的光因通过红色着色层41R，由此红色的颜色纯度变得更高。
然而，功能层36不仅从与子像素11的中央部分（第1部分51、第3部分53、第5部分55）重叠的部分（区域）发出光，也从与子像素11的周边部（第2部分52、第4部分54、第6部分56）重叠的部分（区域）发出光。在像素电极35的周边部中的阶梯部分中，功能层36不能以均匀的厚度成膜，而变得比其他部分（与中央部重叠的部分（区域））更薄。可以考虑是因为从像素电极35与对置电极37注入的载流子（空穴与电子）不仅在功能层36的层叠方向上扩散，也通过功能层36变薄的部分在水平方向上（与基板1的第1面1A大致平行的方向）扩散。
像素电极35的中央部的光谐振器的光学距离D1（第1部分51中的光谐振器的光学距离DB1、第3部分53中的光谐振器的光学距离DG1、第5部分55中的光谐振器的光学距离DR1）以具有所期望的峰值波长λ1（蓝色光的峰值波长λB1、绿色光的峰值波长λG1、红色光的峰值波长λR1）的光被谐振的方式设计。与此相对，像素电极35的周边部中的光学距离D2（第2部分52中的光谐振器的光学距离DB2、第4部分54中的光谐振器的光学距离DG2、第6部分56中的光谐振器的光学距离DR2），仅比光学距离D1大绝缘层34的膜厚和其折射率之积。
因此，从与周边部重叠的部分（区域）取出向仅比λ1长Δλ的波长侧移动的具有发光峰值波长λ2的光。具体而言，在与第2部分52重叠的部分（区域）中，向仅比λB1长Δλ的波长侧移动的具有λB2的峰值波长的光被视觉确认，在与第4部分54重叠的部分（区域）中，向仅比λG1长Δλ的波长侧移动的具有λG2的峰值波长的光被视觉确认，与第6部分56重叠的部分（区域）中，向仅比λR1长Δλ的波长侧移动的具有λR2的峰值波长的光被视觉确认。在本说明书中，也将具有λ2（λB2、λG2、λR2）的峰值波长的光称为异常发光。
若异常发光混合在从发光元件12（12B、12G、12R）发出的光中，则发生色偏，不能够以所期望的色度进行显示。即使设置彩色滤光片40，也因为一般的彩色滤光片40的吸光特性较宽，所以在λ2处于彩色滤光片40的透过波长的范围内的情况下，有可能不能将具有λ2的峰值波长的光充分去掉，并不能消除色偏。
因此，在本实施方式的有机EL装置100中，通过调整绝缘层34的膜厚使从子像素11（像素电极35）的周边部发出的光的峰值波长λ2移动到彩色滤光片40能够吸收的范围。
使用图4～图9，对彩色滤光片40的光透过特性与绝缘层34的膜厚的关系进行说明。
图4是表示实施方式1的蓝色发光元件的分光特性和彩色滤光片的光透过特性的曲线图。详细而言，图4（a）是表示从蓝色发光元件发出的光的分光特性的曲线图，图4（b）是表示蓝色着色层的光透过特性的曲线图，图4（c）以及图4（d）是表示改变绝缘层的膜厚时的从第2部分（周边部）发出的光的分光特性的曲线图。
图5（a）是合成了蓝色发光元件的分光特性和蓝色着色层的透过特性的曲线图，图5（b）以及（c）是合成了改变绝缘层的膜厚时的第2部分（周边部）中的蓝色发光元件的分光特性和蓝色着色层的透过特性的曲线图。
图6是表示实施方式1的绿色发光元件的分光特性和彩色滤光片的光透过特性的曲线图。详细而言，图6（a）是表示从绿色发光元件发出的光的分光特性的曲线图，图6（b）是表示绿色着色层的光透过特性的曲线图，图6（c）以及（d）是表示在改变绝缘层的膜厚时从第4部分（周边部）发出的光的分光特性的曲线图。
图7（a）是合成了绿色发光元件的分光特性和绿色着色层的透过特性的曲线图，图7（b）以及（c）是合成了改变绝缘层的膜厚时的第4部分（周边部）中的绿色发光元件的分光特性和绿色着色层的透过特性的曲线图。
图8是表示实施方式1的红色发光元件的分光特性和彩色滤光片的光透过特性的曲线图。详细而言，图8（a）是表示从红色发光元件发出的光的分光特性的曲线图，图8（b）是表示红色着色层的光透过特性的曲线图，图8（c）以及（d）是表示改变绝缘层的膜厚时的从第6部分（周边部）发出的光的分光特性的曲线图。
图9（a）是合成了红色发光元件的分光特性和红色着色层的透过特性的曲线图，图9（b）以及（c）是合成了改变绝缘层的膜厚时的第6部分（周边部）中的红色发光元件的分光特性和红色着色层的透过特性的图。
在图4～图9中横轴是光的波长。表示发光元件的分光特性的图的纵轴是发光强度，表示着色层41B、41G、41R的光透过特性的图的纵轴是透过率。
在图4（a）中，利用实线表示的曲线图是从与像素电极35B的中央部（第1部分51）重叠的区域（像素开口部）发出的光的分光特性，以被光谐振器增强的光的峰值波长为460nm的方式设计。利用虚线表示的曲线图表示在使用折射率为1.4的SiO2且以100nm的厚度来形成绝缘层34时，从像素电极35B的周边部（第2部分52）发出的光的分光特性。图4（c）所表示的曲线图表示在使用折射率为1.4的SiO2且以40nm的厚度来形成绝缘层34时，从与像素电极35B的周边部（第2部分52）重叠的区域发出的光的分光特性。图4（d）所表示的曲线图表示在使用折射率为1.4的SiO2且以70nm的厚度来形成绝缘层34时，从像素电极35B的周边部（第2部分52）发出的光的分光特性。
图4（b）的曲线图表示蓝色着色层41B的光透过特性，是以1.5μm的膜厚形成含有蓝色着色材料即、Pigment No.Blue.15：6的树脂时的图。
在图6（a）中，利用实线表示的曲线是从与像素电极35G的中央部（第3部分53）重叠的区域（像素开口部）发出的光的分光特性，以被光谐振器增强的光的峰值波长为540nm的方式设计。利用虚线表示的曲线图表示在使用折射率为1.4的SiO2且以100nm的厚度来形成绝缘层34时，从像素电极35G的周边部（第4部分54）发出的光的分光特性。图6（c）所表示的曲线图表示在使用折射率为1.4的SiO2且以40nm的厚度来形成绝缘层34时，从与像素电极35G的周边部（第4部分54）重叠的区域发出的光的分光特性。图6（d）所表示的曲线图表示在使用折射率为1.4的SiO2且以70nm的厚度来形成绝缘层34时，从与像素电极35G的周边部（第4部分54）重叠的区域发出的光的分光特性。
图6（b）的曲线图表示绿色着色层41G的光透过特性，是以1.5μm的膜厚形成含有Pigment No.Green36的树脂时的图。
在图8（a）中，利用实线表示的曲线图是从与像素电极35R的中央部（第5部分55）重叠的区域（像素开口部）发出的光的分光特性，利用虚线表示的曲线图表示在使用折射率为1.4的SiO2且以100nm的厚度来形成绝缘层34时，从像素电极35R的周边部（第6部分56）发出的光的分光特性。以被光谐振器增强的光的峰值波长为610nm的方式设计。图8（c）所示的曲线图表示在使用折射率为1.4的SiO2且以40nm的厚度来形成绝缘层34时，从与像素电极35R的周边部（第6部分56）重叠的区域发出的光的分光特性。图8（d）所示的曲线图表示在使用折射率为1.4的SiO2且以70nm的厚度来形成绝缘层34时，从与像素电极35R的周边部（第6部分56）重叠的区域发出的光的分光特性。
图8（b）的曲线图表示红色着色层41R的光透过特性，是以1.5μm的膜厚形成含有Pigment No.Red254的树脂时的图。
从图4（a）、（b）以及图5（a）可知，对于从与发光元件12B的第1部分51重叠的区域（像素开口部）发出的第1光，其峰值波长λB1处于着色层41B的透过率较高的范围（透过率80%以上），第1光的绝大多数透过着色层41B。
而且，在本发明的有机EL装置100中，对从与第2部分52重叠的区域（周边部）发出的第2光来说以其峰值波长λB2为在着色层41B的透过率低于波长λB1的透过率的范围的方式调整绝缘层34的膜厚。例如在绝缘层34的膜厚以100nm或者70nm的厚度形成的情况下，着色层41B中的第2光的透过率是10%以下（参照图5（a）以及图5（c））。
因此，从功能层36的与第2部分52重叠的区域（周边部）发出，并通过光谐振器结构谐振的第2光以比从功能层36的与第1部分51重叠的区域（像素开口部）发出并通过光谐振器结构谐振的第1光高的比例被蓝色着色层41B吸收。
因此，与绝缘层34的膜厚未被调整的有机EL装置相比较，能够减少混杂在从发光元件12B发出的光中的异常发光的比例，能够成为抑制色偏的、显示品质优异的有机EL装置100。
另一方面，在未以峰值波长λB2在着色层41B的透过率低于波长λB1的透过率的范围的方式调整绝缘层34的膜厚的情况下，例如在以40nm的膜厚形成的情况下，第2光的峰值波长如图4（c）所示，约为530nm。因为峰值波长为530nm的第2光的着色层41B的透过率是15%以上，所以异常发光的大部分透过着色层41B，不能防止色偏（参照图5（b））。
从图6（a）、（b）以及图7（a）可知，对于从与发光元件12G的第3部分53重叠的区域（像素开口部）发出的第3光，其峰值波长λG1处于着色层41G的透过率较高的范围（透过率80%以上），第3光的绝大多数透过着色层41G。
对从与发光元件12G的第4部分54重叠的区域（周边部）发出的第4光来说，以其峰值波长λG2为在着色层41G的透过率低于波长λG1的透过率的范围的方式调整绝缘层34的膜厚。例如在绝缘层34的膜厚以100nm或者70nm的厚度形成的情况下，着色层41G的第4光的透过率是10%以下（参照图7（a）以及图7（c））。
因此，从与发光元件12G的第4部分54重叠的区域（周边部）发出并通过光谐振器结构谐振的第4光以比从与发光元件12G的第3部分53重叠的区域（像素开口部）发出并通过光谐振器结构谐振的第3光高的比例被绿色着色层41G吸收。
因此，与绝缘层34的膜厚未被调整的有机EL装置相比较，能够减少混杂在从发光元件12G发出的光中的异常发光的比例，并能够成为抑制色偏的、显示品质优异的有机EL装置100。
另一方面，在未以峰值波长λG2为在着色层41G的透过率低于波长λG1的透过率的范围的方式调整绝缘层34的膜厚的情况下，例如以40nm的膜厚形成的情况下，第4光的峰值波长如图6（c）所示约为610nm。因为峰值波长为610nm的第4光的着色层41G的透过率是15%以上，所以异常发光的大部分透过着色层41G，不能防止色偏（图7（b））。
从图8（a）、（b）以及图9（a）可知，对于从与发光元件12R的第5部分55重叠的区域（像素开口部）发出的第5光来说，其峰值波长λR1处于着色层41R的透过率较高的范围（透过率80%以上），第5光的绝大多数透过着色层41R。
对从与发光元件12R的第6部分56重叠的区域（周边部）发出的第6光来说，以其峰值波长λR2为在着色层41R的透过率低于波长λR1的透过率的范围的方式调整绝缘层34的膜厚。例如在绝缘层34的膜厚以100nm或者70nm的厚度形成的情况下，着色层41R的第6光的透过率是10%以下（参照图9（a）以及图9（c））。
因此，从与发光元件12R的第6部分56重叠的区域（周边部）发出并通过光谐振器结构谐振的第6光以比从与发光元件12R的第5部分55重叠的区域（像素开口部）发出并通过光谐振器结构谐振的第5光高的比例被红色着色层41R吸收。
因此，与绝缘层34的膜厚未被调整的有机EL装置比较，能够减少混杂在从发光元件12R发出的光中的异常发光的比例，并能够成为抑制色偏的、显示品质优异的有机EL装置100。
另一方面，未以峰值波长λR2为在着色层41R的透过率低于波长λR1的透过率的范围的方式调整绝缘层34的膜厚的情况下，例如在以40nm的膜厚形成的情况下，第6光的峰值波长如图8（c）所示约为450nm以及680nm。因为峰值波长约为450nm以及680nm的第6光的着色层41R的透过率是15%以上，所以异常发光的大部分透过着色层41R，不能防止色偏（参照图9（b））。
如果与蓝色着色层41B使λB1的峰值波长的光透过的比例相比，透过λB2的峰值波长的光的比例较低，则能够得到本发明的效果，但是优选以使λB2移动到蓝色着色层41B的第2光的透过率是15%以下的范围的方式调整绝缘层34的膜厚，进一步优选以使λB2移动到成为10%以下的范围的方式调整绝缘层34的膜厚。由此，能够成为色偏较少、显示品位优异的有机EL装置100。
如果与绿色着色层41G使λG1的峰值波长的光透过的比例相比，透过λG2的峰值波长的光的比例较低，则能够得到本发明的效果，但是优选以使λG2移动到绿色着色层41G的第4光的透过率为15%以下的范围的方式调整绝缘层34的膜厚，进一步优选以使λG2移动到成为10%以下的范围的方式调整绝缘层34的膜厚。由此，能够成为色偏较少、显示品质优异的有机EL装置100。
如果与红色着色层41R使λR1的峰值波长的光透过的比例相比，透过λR2的峰值波长的光的比例较低，则能够得到本发明的效果，但是优选以使λR2移动到红色着色层41R的第6光的透过率为15%以下的范围的方式调整绝缘层34的膜厚，进一步优选以使λR2移动到成为10%以下的范围的方式调整绝缘层34的膜厚。由此，能够成为色偏较少、显示品质优异的有机EL装置100。
在全部的颜色的子像素11B、11G、11R中，如果以具有λ2的峰值波长的光透过对应的着色层41的透过率成为15%以下的范围的方式调整绝缘层34的膜厚，则能够使sRGB覆盖率成为80%以上，能够成为颜色再现性良好的有机EL装置100。
如上述那样，在使绝缘层34成为膜厚70nm的SiO2的情况下，λ2满足该范围，sRGB覆盖率是87%。另外，在使绝缘层34成为膜厚100nm的SiO2的情况下，λ2满足该范围（sRGB覆盖率为80%以上），sRGB覆盖率是90%。
另一方面，在全部颜色的子像素11B、11G、11R中，未以具有λ2的峰值波长的光透过对应的着色层41的透过率成为15%以下的方式调整绝缘层34的膜厚的情况下，例如在具有λ2的峰值波长的光透过对应的着色层41的透过率是20%的情况下，sRGB覆盖率是74%，颜色再现性恶化。
在使绝缘层34成为膜厚40nm的SiO2的情况下，λ2不能满足该范围（sRGB覆盖率为80%以上），sRGB覆盖率是75%。
而且，通过将绝缘层34的膜厚选择为λ2能够移动到着色层41的第2光、第4光、第6光的透过率为15%以下的范围的膜厚中的、在蓝色子像素11B、绿色子像素11G、以及红色子像素11R中共通的膜厚，从而能够以简便的工序制造本实施方式的有机EL装置100。
若绝缘层34的膜厚超过150nm，则在绝缘层34与像素电极35的阶梯上，功能层36或者对置电极37可能断开，所以优选绝缘层34的膜厚小于150nm。
本发明对于像素尺寸小的有机EL装置特别有效。在像素电极35的面积比较大的情况下，例如像素电极35的长边是100μm左右的情况下，即使在与像素电极35的周边部重叠的部分（区域）产生了异常发光，也因为占从发光元件12发出的光整体的比例较小，所以难以确认色偏。然而，若像素电极35的面积变小，例如像素电极35的长边减小至10μm左右，则异常发光占从发光元件12发出的光的比例相对变大，在子像素11的周边部的色偏能够被显著地视觉确认。
例如在长边是100μm、短边是50μm的像素电极35中，绝缘层34覆盖从像素电极35的外缘到0.5μm内侧的范围的情况下，异常发光被视觉确认的面积只不过是像素电极35整体的约3%的范围。另一方面，在长边是10μm，短边是5μm的像素电极35中，绝缘层34覆盖从像素电极35的外缘到0.5μm内侧的范围的情况下，异常发光被视觉确认的面积的比例为28%，长边是5μm、短边是2.5μm的情况还为48%。本发明对于像素电极35的长边是10μm以下的有机EL装置尤其有效，对像素电极35的长边是5μm以下的有机EL装置更有效。
如以上所述，根据本实施方式，能够提供一种色偏较少、显示品质优异的有机EL装置100。
本发明并不局限于上述的实施方式，在不脱离从权利要求书以及说明书全体读取的发明的要旨或者思想的范围下，能够适当地变更，伴随该变更的有机电致发光装置也是包含于本发明的技术范围的装置。除上述实施方式以外，也可考虑各种变形例。以下，列举变形例进行说明。
（变形例1）在上述实施方式1中，分别配置在蓝色子像素11B、绿色子像素11G、红色子像素11R的绝缘层34的膜厚相同，但是配置在各子像素11B、11G、11R的绝缘层34的膜厚可以彼此不同，也可以配置在这些子像素11B、11G、11R中的两个子像素的绝缘层34的膜厚相同，而配置在剩余的一个子像素的绝缘层34的膜厚与配置在其他两个子像素的绝缘层34的膜厚不同。具体而言，可以是配置在蓝色子像素11B与绿色子像素11G的绝缘层34的膜厚相同，也可以是配置在蓝色子像素11B与红色子像素11R的绝缘层34的膜厚相同。也可以是配置在绿色子像素11G与红色子像素11R的绝缘层34的膜厚相同。
由此，能够与着色层41B、41G、41R的透过率对应地将配置于各子像素11B、11G、11R的绝缘层34的膜厚调整为最佳的膜厚。
（变形例2）另外，在上述实施方式1中，虽然为在蓝（B）、绿（G）、红（R）的全部的子像素11中调整绝缘层34的膜厚的结构，但是绝缘层34也可以在一种或者两种子像素11中不调整膜厚。
公知一般绿色光容易被人类的眼睛视觉确认，即使异常发光混杂在从发光元件12G发出的光中，也难以感觉产生了色偏。这样的情况下，即使不调整配置在绿色的子像素11G的绝缘层34的膜厚，也能成为显示品位优异的有机EL装置100。
同样地，既可以构成为在即使异常发光混杂在从蓝色发光元件12B发出的光中也难以视觉确认色偏的情况下，不调整配置在蓝色子像素11B的绝缘层34的膜厚，也可以构成为在即使异常发光混杂在从红色发光元件12R发出的光中也难以视觉确认色偏的情况下，不调整配置在红色子像素11R的绝缘层34的膜厚。
（变形例3）使着色层41中第2光、第4光、第6光的透过率成为15%以下的方法并不局限于调整绝缘层34的膜厚的方法。例如，也可以调整着色层41中的光透过特性。另外，也可以组合绝缘层34的膜厚的调整和着色层41的光透过特性的调整。作为调整着色层41的光透过特性的方法，列举着色材料以及粘合剂的选择和含量的调整、着色层41的膜厚的调整等。
（实施方式2）
（电子设备）
接下来，参照图10对本实施方式的电子设备进行说明。图10表示作为电子设备的头戴式显示器的概略立体图。
如图10所示，作为本实施方式的电子设备的头戴式显示器1000，具有与左右眼对应设置的两个显示部1001。通过观察者将头戴式显示器1000如眼镜那样安装于头部，从而能够看见显示在显示部1001的文字、图像等。例如，如果在左右的显示部1001显示考虑了视差的图像，则也能够看见和享受立体的影像。
在显示部1001安装有上述的有机EL装置100。因此，能够成为色偏较少、显示品质优异的头戴式显示器1000。
头戴式显示器1000并不局限于具有两个显示部1001的装置，也可以构成为具备与左右任意一方对应的一个显示部1001。
此外，安装有上述有机EL装置100的电子设备并不局限于头戴式显示器1000。例如，列举平视显示器、个人计算机或者便携式信息终端、导航仪、阅读器等具有显示部的电子设备。
附图标记说明
1…基板，10…像素，11、11B、11G、11R…子像素，12、12B、12G、12R…发光元件，20、20B、20G，20R…像素电路，31…平坦化层，32…反射层，33…层间绝缘层，34…绝缘层，35、35B、35G、35R…像素电极，36…功能层，37…对置电极，38…保护层，40…彩色滤光片，41B、41G、41R…着色层，50B、50G、50R…像素电极的周边部，51…第1部分，52…第2部分，53…第3部分，54…第4部分，55…第5部分，56…第6部分，100…有机EL装置，1000…作为电子设备的头戴式显示器。

Claims (9)

1.一种有机电致发光装置，其特征在于，具有：
基板；
第1着色层，其被配置在所述基板的第1面上；
第1发光元件，其被配置在所述基板的所述第1面与所述第1着色层之间，并具有层叠有第1像素电极、包含发光层的功能层、以及对置电极的层叠结构；
第1反射层，其被配置在所述第1面与所述第1像素电极之间，并在与所述对置电极之间形成第1谐振器结构；以及
绝缘层，其隔着所述第1像素电极被配置在所述第1面与所述功能层之间，
所述第1像素电极具有在俯视时不与所述绝缘层重叠的第1部分、和与所述绝缘层重叠的第2部分，所述第1部分和所述第2部分在俯视时与所述第1着色层重叠，
从所述第1发光元件发出的光具有：从所述功能层的与所述第1部分重叠的部分发出并具有第1峰值波长的第1光、和从所述功能层的与所述第2部分重叠的部分发出并具有第2峰值波长的第2光，
以所述第2峰值波长的所述第1着色层的光的透过率比所述第1峰值波长的所述第1着色层的光的透过率低的方式设定所述绝缘层的膜厚。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，
所述第1着色层中的所述第2光的透过率是15％以下。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，
以所述第1着色层中的所述第2光的透过率为15％以下的方式设定所述绝缘层的膜厚。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，具有：
第2着色层，其与所述第1着色层同层配置，并具有与所述第1着色层不同的光透过特性；
第2发光元件，其被配置在所述第1面与所述第2着色层之间，并具有层叠有第2像素电极、所述功能层、以及所述对置电极的层叠结构；以及
第2反射层，其被配置在所述第1面与所述第2像素电极之间，并在与所述对置电极之间形成第2谐振器结构，
所述第2像素电极具有不与所述绝缘层重叠的第3部分、和与所述绝缘层重叠的第4部分，
从所述第2发光元件发出的光具有：从所述功能层的与所述第3部分重叠的部分发出并具有第3峰值波长的第3光、和从所述功能层的与所述第4部分重叠的部分发出并具有第4峰值波长的第4光，
所述第2着色层将所述第4光比所述第3光多地吸收，
与所述第2部分重叠的所述绝缘层的膜厚和与所述第4部分重叠的所述绝缘层的膜厚不同。
5.根据权利要求2所述的有机电致发光装置，其特征在于，具有：
第2着色层，其与所述第1着色层同层配置，并具有与所述第1着色层不同的光透过特性；
第2发光元件，其被配置在所述第1面与所述第2着色层之间，并具有层叠有第2像素电极、所述功能层、以及所述对置电极的层叠结构；以及
第2反射层，其被配置在所述第1面与所述第2像素电极之间，并在与所述对置电极之间形成第2谐振器结构，
所述第2像素电极具有不与所述绝缘层重叠的第3部分、和与所述绝缘层重叠的第4部分，
从所述第2发光元件发出的光具有：从所述功能层的与所述第3部分重叠的部分发出并具有第3峰值波长的第3光、和从所述功能层的与所述第4部分重叠的部分发出并具有第4峰值波长的第4光，
所述第2着色层将所述第4光比所述第3光多地吸收，
与所述第2部分重叠的所述绝缘层的膜厚和与所述第4部分重叠的所述绝缘层的膜厚不同。
6.根据权利要求3所述的有机电致发光装置，其特征在于，具有：
第2着色层，其与所述第1着色层同层配置，并具有与所述第1着色层不同的光透过特性；
第2发光元件，其被配置在所述第1面与所述第2着色层之间，并具有层叠有第2像素电极、所述功能层、以及所述对置电极的层叠结构；以及
第2反射层，其被配置在所述第1面与所述第2像素电极之间，并在与所述对置电极之间形成第2谐振器结构，
所述第2像素电极具有不与所述绝缘层重叠的第3部分、和与所述绝缘层重叠的第4部分，
从所述第2发光元件发出的光具有：从所述功能层的与所述第3部分重叠的部分发出并具有第3峰值波长的第3光、和从所述功能层的与所述第4部分重叠的部分发出并具有第4峰值波长的第4光，
所述第2着色层将所述第4光比所述第3光多地吸收，
与所述第2部分重叠的所述绝缘层的膜厚和与所述第4部分重叠的所述绝缘层的膜厚不同。
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，具有：
第3着色层，其与所述第1着色层同层配置，并具有与所述第1着色层不同的光透过特性；
第3发光元件，其被配置在所述第1面与所述第3着色层之间，并具有层叠有第3像素电极、所述功能层、以及所述对置电极的层叠结构；以及
第3反射层，其被配置在所述第1面与所述第3像素电极之间，并在与所述对置电极之间形成第3谐振器结构，
所述第3像素电极具有不与所述绝缘层重叠的第5部分、和与所述绝缘层重叠的第6部分，
从所述第3发光元件发出的光具有：从所述功能层的与所述第5部分重叠的部分发出并具有第5峰值波长的第5光、和从所述功能层的与所述第6部分重叠的部分发出并具有第6峰值波长的第6光，
所述第3着色层使所述第5光和所述第6光透过15％以上。
8.一种有机电致发光装置，其特征在于，具有：
基板；
第1着色层，其被配置在所述基板的第1面上；
第1发光元件，其被配置在所述基板的所述第1面与所述第1着色层之间，并具有层叠有第1像素电极、包含发光层的功能层、以及对置电极的层叠结构；
第1反射层，其被配置在所述第1面与所述第1像素电极之间，并在与所述对置电极之间形成第1谐振器结构；以及
绝缘层，其隔着所述第1像素电极被配置在所述第1面与所述功能层之间，
所述第1像素电极具有在俯视时不与所述绝缘层重叠的第1部分和与所述绝缘层重叠的第2部分，
从所述第1发光元件发出的光具有：从所述功能层的与所述第1部分重叠的部分发出并具有第1峰值波长的第1光、和从所述功能层的与所述第2部分重叠的部分发出并具有第2峰值波长的第2光，
以所述第1峰值波长中的所述第1着色层的光的透过率高于所述第2峰值波长中的所述第1着色层的光的透过率的方式设定所述绝缘层的膜厚或者所述第1着色层的光学特性。
9.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～8中任意一项所述的有机电致发光装置。
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