CN103293803B - 用于ffs模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于FFS模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法。所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板包括复数个像素结构，在像素结构中，一像素，包括一薄膜晶体管和一像素电极，所述薄膜晶体管包括一栅极、栅极绝缘层与源极/漏极；一数据线，所述数据线和所述源极/漏极由数据金属层形成；一扫描线，所述栅极和扫描线由栅极金属层形成；其中，所述栅极绝缘层形成于所述像素电极上，所述数据线形成于所述栅极绝缘层上。在上述阵列基板上，因为数据线和像素电极的被栅极绝缘层间隔开，从而可以根本上杜绝因为数据线和像素电极刻蚀残留而产生的亮点不良。

Description

用于FFS模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种平板显示器，特别涉及一种用于边缘开关（fringefieldswitching，FFS）模式的液晶显示器的像素结构及其制造方法。

背景技术

通常，液晶显示器包括彩膜基板、阵列基板以及填充于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶。彩膜基板上形成有公共电极，阵列基板上形成有像素电极，通过公共电极和像素电极产生的垂直电场可以驱动液晶分子进行旋转，同时利用液晶的光学各向异性和偏振特点，以此显示图像信息。但是，对于垂直电场驱动模式来说，因为液晶分子是在垂直方向上旋转，因此对于观看者来说观看视角较小。为此，提出了各种扩大视角的广视角显示模式，边缘开关（fringefieldswitching，FFS）模式就是一种扩大视角、改善色偏的显示模式。

图1为用于FFS显示液晶显示器的阵列基板的一个像素结构。如图1所示，FFS阵列基板的像素结构100主要包括一像素101、一扫描线102和一数据线103其中，所述像素101由一薄膜晶体管104、像素电极105和多个公共电极线106所构成。薄膜晶体管104主要由一栅极1041、一源极/漏极1042所构成。在薄膜晶体管104中，栅极1041与扫描线102电连接，所述源极/漏极1042与所述数据线103电连接。

图2为图1中沿I-I'的剖面图。如图2所示，源极/漏极1042与所述像素电极105电连接，所述源极/漏极1042与数据线103由同一金属层形成，并与所述像素电极105位于同一层。在图2中的区域A内，所述数据线103与所述像素电极105的位置非常靠近，在制造过程中，经常会因为数据线103与像素电极105的位置接近，像素电极105或者数据线103刻蚀残留，在刻蚀残留位置就会出现亮点不良。

发明内容

本发明提供一种用于FFS模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法，以解决现有技术中的像素电极或者数据线刻蚀残留导致的问题，降低亮点不良的发生率，从而实现降低不良率的目的。

为解决上述技术为题，本发明提供一种用于FFS模式液晶显示器的阵列基板，包括复数个像素结构，所述像素结构包括：

一像素，包括一薄膜晶体管和一像素电极，所述薄膜晶体管包括一栅极、栅极绝缘层与源极/漏极，所述像素电极与所述源极/漏极的一端电连接；

一数据线，与所述源极/漏极的另一端电连接，所述数据线和所述源极/漏极由数据金属层形成；

一扫描线，与所述栅极连接，所述栅极和扫描线由栅极金属层形成；

其中，所述栅极绝缘层形成于所述像素电极上，所述数据线形成于所述栅极绝缘层上。

可选的，所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板还包括复数个扫描端子，所述扫描端子与所述扫描线连接。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板中，所述扫描端子由延伸至像素结构外的所述栅极金属层、栅极绝缘层和数据金属层形成。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板中，所述栅极绝缘层上设有第一通孔和第二通孔；所述第一通孔暴露出部分所述像素电极，所述像素电极通过所述第一通孔与所述源极/漏极的一端电连接；所述第二通孔暴露出部分栅极金属层，所述数据金属层通过所述第二通孔与所述栅极金属层。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板中，所述像素电极由一透明电极层形成，所述栅极金属层形成于所述透明金属层上，所述栅极绝缘层形成于所述栅极金属层上。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板中，所述栅极绝缘层具有第一通孔和第二通孔；所述第一通孔暴露出部分栅极金属层，所述像素电极通过所述栅极金属层以及第一通孔与所述源极/漏极的一端电连接；所述第二通孔暴露出部分栅极金属层，所述数据金属层通过所述第二通孔与所述栅极金属层。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板中，所述薄膜晶体管还包括一形成于所述栅极绝缘层上的半导体有源层，所述源极/漏极搭接于部分所述半导体有源层上。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板中，所述像素结构还包括：

一钝化层，形成于所述薄膜晶体管、数据线和栅极绝缘层上。

一公共电极，形成于所述钝化层上。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板中，所述钝化层还形成于所述扫描端子上。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板中，所述公共电极分裂为多条公共电极线。

相应的，本发明还提供一种用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法，包括：

步骤一：提供一基板；

步骤二：在所述基板上形成第一透明电极层和栅极金属层，所述第一透明电极层的一部分作为所述像素电极，所述栅极金属层的一部分作为所述栅极；

步骤三：在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层；以及

步骤四：在所述栅极绝缘层上形成数据金属层，部分所述数据金属层作为源极/漏极和数据线；

其中，所述像素电极与所述源极/漏极的一端电连接，所述数据线与所述源极/漏极的另一端电连接。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法中，所述图形化的栅极金属层的另一部分作为扫描线，所述扫描线延伸连接一扫描端子，所述扫描端子由延伸至像素结构外的所述栅极金属层、栅极绝缘层和数据金属层形成。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法中，所述步骤二包括：

在所述基板上形成第一透明金属材料层；

对所述第一透明金属材料层进行第一次曝光；

刻蚀部分第一透明金属材料层，形成所述第一透明金属层；

在所述第一透明金属层和基板上形成栅极金属材料层；

对所述栅极金属材料层进行第二次曝光；

刻蚀部分所述栅极金属材料层，形成所述栅极金属层。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法中，所述步骤三包括：

在所述栅极金属层上和基板上形成栅极绝缘层；

对所述栅极绝缘层进行第三次曝光；

刻蚀部分栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成有第一通孔和第二通孔；

其中，所述第一通孔暴露出部分所述像素电极，所述像素电极通过所述第一通孔与所述源极/漏极的一端电连接；所述第二通孔暴露出部分栅极金属层，所述数据金属层通过所述第二通孔与所述栅极金属层。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法中，所述步骤二包括：

依次在所述基板上形成第一透明金属材料层和栅极金属材料层；

采用半掩膜版对所述栅极金属材料层进行曝光；

刻蚀部分所述栅极金属材料层暴露出部分第一透明金属材料层；以及

刻蚀部分第一透明金属材料层，形成所述第一透明金属层和栅极金属层。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法中，所述步骤三包括：

在所述栅极金属层上和基板上形成栅极绝缘层；

对所述栅极绝缘层进行第二次曝光；

刻蚀部分栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成有第一通孔和第二通孔；

其中，所述第一通孔暴露出部分所述像素电极，所述像素电极通过所述栅极金属层以及第一通孔与所述源极/漏极的一端电连接；所述第二通孔暴露出部分栅极金属层，所述数据金属层通过所述第二通孔与所述栅极金属层。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法中，在所述步骤三之后、步骤四之前还包括：在所述栅极绝层上形成半导体有源层，所述源极/漏极搭接于部分所述半导体有源层上。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法中，在所述步骤四之后还包括：

在所述数据金属层和栅极绝缘层上形成钝化层；以及

在所述钝化层上形成公共电极。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法中，所述钝化层还形成于所述扫描端子上。

可选的，在所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法中，所述每个像素结构中的所述公共电极分裂为多条公共电极线。

在用本发明所提供的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板上，所述栅极绝缘层形成于所述像素电极上，所述数据线形成于所述栅极绝缘层上。可见像素电极和数据线之间还存在栅极绝缘层，从而将像素电极和数据线间隔开，因此，在形成数据线或者像素电极的工艺过程中，给刻蚀工艺预留的工艺窗口变大，减少了刻蚀残留的发生。另外，因为数据线和像素电极并不在同一层，即使在刻蚀形成数据线或者像素电极的过程中，发生了刻蚀残留，也不会于产生数据线和像素电极的接触，从而也不会产生亮点不良。

附图说明

图1为现有技术中像素结构的俯视图；

图2为图1中沿I-I'线的剖面图；

图3A至图10A为本发明实施例一用的于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法中各步骤的示意图；

图11至图16为本发明实施例二用的于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法中各步骤的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图来进一步做详细说明。

实施例一

如图3A和图3B所示，在本实施例的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板上，包括复数个像素结构200，所述像素结构200包括：一像素201、一数据线202和一扫描线203。其中，所述像素201包括一薄膜晶体管2011、一像素电极2012和一公共电极2013，所述薄膜晶体管2011包括一栅极20111、栅极绝缘层20112、源极/漏极20113与半导体有源层20114（图3A中未示出半导体有源层）。所述像素电极2012与所述源极/漏极20113的一端电连接，所述数据线202与所述源极/漏极20113的另一端电连接，所述扫描线203与所述栅极20111连接。在所述像素201内，所述公共电极2013分裂为多条公共电极线。

继续参考图3B，所述数据线202和所述源极/漏极20113由数据金属层202a形成。所述栅极20111和扫描线203由栅极金属层203a形成。其中，所述栅极绝缘层20112形成于所述像素电极2012上，所述数据金属层202a形成于所述栅极绝缘层20112上，所述半导体有源层20114形成于所述栅极绝缘层20112上，所述源极/漏极20113搭接于部分所述半导体有源层20114上。所述栅极绝缘层20112上设有第一通孔201121所述第一通孔201121暴露出部分所述像素电极2012，所述像素电极2012通过所述第一通孔201121与所述源极/漏极201113的一端电连接。此外，像素结构200还包括一钝化层2014，所述钝化层2014形成于所述薄膜晶体管2011、数据线202和栅极绝缘层20112上，所述公共电极2013形成所述钝化层2014上。

继续参考图3A和图3B，所述扫描线203还连接一扫描端子300，所述扫描端子300由延伸至像素结构200外的所述栅极金属层203a、栅极绝缘层20112、数据金属层202a和钝化层2014形成。所述栅极绝缘层20112上还设有第二通孔201122，所述第二通孔201122暴露出部分栅极金属层203a，所述数据金属层202a通过所述第二通孔201122与所述栅极金属层203a。所述扫描端子300用于完成扫描线与数据线的换线，以便外围驱动电路的栅极驱动信号经由数据线和扫描端子300传送给栅极线。

下面结合附图3A至附图10A详细说明本实施例的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法。

步骤一：如图4所示，提供一基板400，所述基板400可以为透明玻璃基板。

步骤二：如图5A和图5B所示，在所述基板400上形成第一透明金属层；对所述第一透明金属层进行第一次曝光；然后，刻蚀部分第一透明金属层，形成所述图形化的第一透明金属层，所述图形化的第一透明电极层的一部分作为所述像素电极2012。

步骤三：如图6A和图6B所示，在所述图形化的第一透明金属层和基板400上形成栅极金属材料层；然后，对所述栅极金属层进行第二次曝；然后，刻蚀部分所述栅极金属材料层，形成栅极金属层203a，所述栅极金属层的一部分作为所述栅极20111，所述栅极金属层203a的另一部分作为扫描线203。

步骤四：如图7A和7B所示，在所述图形化的栅极金属层上和基板400上形成栅极绝缘层20112、半导体有源材料层和欧姆材料层；然后对所述半导体有源材料层和欧姆材料层进行第四次曝光；接着，刻蚀部分半导体有源材料层和欧姆材料层，形成半导体有源层20114和欧姆层。

步骤五，如图8A和8B所示，继续对所述栅极绝缘层20112进行第三次曝光；接着，刻蚀部分栅极绝缘层20112，在所述栅极绝缘层20112上形成有第一通孔201121和第二通孔201122，所述第一通孔201121暴露出部分所述像素电极201，所述第二通孔201122暴露出部分栅极金属层203a。为了方便说明，在图8A中并未示出栅极绝缘层。

对于步骤四和步骤五也可以通过采用半掩膜技术，只进行一次曝光，即可以形成第一通孔201121和第二通孔201122、半导体有源层20114和欧姆层20115。

步骤六：如图9A和9B所示，在所述栅极绝缘层20112上、第一通孔201121和第二通孔201122内形成数据金属材料层；接着，对所述数据金属材料层进行第五次曝光，形成数据金属层202a，部分所述数据金属层202a作为源极/漏极201113和数据线202；所述像素电极201通过所述第一通孔201121与所述源极/漏极201113的一端电连接；所述数据金属层202a通过所述第二通孔201122与所述栅极金属层203a。然后，在对所述源极/漏极201113暴露出的欧姆层进行干刻，刻蚀形成沟道，并使所述源极/漏极201113搭接于部分半导体有源层20114和欧姆层上。

步骤七：如图10A所示，在所述数据金属层202a和栅极绝缘层20112上形成钝化层2014。

步骤八：如图3A和3B所示，在所述钝化层2014上形成公共电极层，接着对所述公共电极层进行第六次曝光，形成公共电极2013。

至此，形成了如图3A和图3B所示的像素结构200和扫描端子300。

实施例二

本实施例与实施例一的不同之处在于，采用半掩膜曝光技术可以将实施例一中的步骤二和步骤三中的两次曝光合并为一次曝光，其它步骤与实施例一完全相同。下面详细说明步骤二和步骤三的详细过程，其他步骤请直接参考实施例一。

下面结合附图11至附图16详细说明本实施例的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法。

步骤一：提供一基板400；

步骤二：如图11所示，在所述基板400上形成第一透明金属材料层201b、栅极金属材料层203b和光刻胶401；采用半掩膜版402实施光刻胶401进行第一次曝光，因为半掩膜版402对光刻胶401的曝光程度不同，剥离后的光刻胶401会形成不同的厚度，并且暴露出部分栅极金属材料层203b；

步骤三：如图12所示，刻蚀部分栅极金属材料层203b，暴露出部分第一透明金属材料层201b；

步骤四：如图13所示，刻蚀暴露出的部分第一透明金属材料层201b，并暴露出部分基板400；

步骤五：如图14所示，干刻将厚度较薄部分的光刻胶401去除，暴露出部分栅极金属材料层203b；

步骤六：如图15所示，刻蚀暴露出部分栅极金属材料层203b，形成第一透明金属层201，剥离去除光刻胶，形成栅极金属层203a。

步骤七：形成栅极绝缘层、半导体有源层和欧姆层；

步骤八，在所述栅极绝缘层上形成有第一通孔和第二通孔；

步骤九：形成数据金属层；。

步骤十：在所述数据金属层和栅极绝缘层上形成钝化层和公共电极。

至此，形成了如图16所示的本实施例的像素结构200和扫描端子300。

在本实施例的所述像素结构200包括：一像素、一数据线202和一扫描线203。其中，所述像素包括一薄膜晶体管2011、一像素电极2012、一公共电极2013和一钝化层2014。所述栅极金属层203a形成于所述像素电极2012上，所述栅极绝缘层20112形成于所述栅极金属层203a上，所述数据金属层202a形成于所述栅极绝缘层20112上，所述半导体有源层20114形成于所述栅极绝缘层20112上，所述源极/漏极20113搭接于部分所述半导体有源层20114上。所述栅极金属层形成于所述透明金属层上，所述栅极绝缘层形成于所述栅极金属层上。

所述栅极绝缘层20112上设有第一通孔201121所述第一通孔201121暴露出部分栅极金属层203a，所述像素电极2012通过所述栅极金属层203a以及所述第一通孔201121与所述源极/漏极201113的一端电连接。

在本实施例的扫描端子300，所述扫描端子300由延伸至像素结构200外的所述栅极金属层203a、栅极绝缘层20112、数据金属层202a和钝化层2014形成。所述栅极绝缘层20112上还设有第二通孔201122，所述第二通孔201122暴露出部分栅极金属层203a，所述数据金属层202a通过所述第二通孔201122与所述栅极金属层203a。

在本实施例中，通过采用半掩膜版技术，可以将形成图形化的透明金属层和图形化的栅极金属层的两次曝光合并为一次曝光，进一步降低了生产成本。

综上所述，所述栅极绝缘层形成于所述像素电极上，而所述数据线形成于所述栅极绝缘层上，通过栅极绝缘层将像素电极和数据线间隔开，因此，在形成数据线或者像素电极的工艺过程中，给刻蚀工艺预留的工艺窗口变大，减少了刻蚀残留的发生。

另外，因为数据线和像素电极并不在同一层，即使在刻蚀形成数据线或者像素电极的过程中，发生了刻蚀残留，也不会于产生数据线和像素电极的接触，从而也不会产生亮点不良。

显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。

Claims (17)

1.一种用于FFS模式液晶显示器的阵列基板，包括复数个像素结构，所述像素结构包括：

一像素，包括一薄膜晶体管和一像素电极，所述薄膜晶体管包括一栅极、栅极绝缘层与源极及漏极，所述像素电极与所述源极或漏极的一端电连接；

一数据线，与所述源极或漏极的另一端电连接，所述数据线和所述源极及漏极由数据金属层形成；

一扫描线，与所述栅极连接，所述栅极和扫描线由栅极金属层形成；

其特征在于，所述栅极绝缘层形成于所述像素电极以及栅极金属层上，所述数据线形成于所述栅极绝缘层上；所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板还包括复数个扫描端子，所述扫描端子与所述扫描线连接，所述扫描端子由延伸至像素结构外的所述栅极金属层、栅极绝缘层和数据金属层形成。

2.如权利要求1所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层上设有第一通孔和第二通孔；所述第一通孔暴露出部分所述像素电极，所述像素电极通过所述第一通孔与所述源极或漏极的一端电连接；所述第二通孔暴露出部分栅极金属层，所述数据金属层通过所述第二通孔与所述栅极金属层电连接。

3.如权利要求1所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述像素电极由一透明电极层形成，所述栅极金属层形成于所述透明电极层上，所述栅极绝缘层形成于所述栅极金属层上。

4.如权利要求3所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层具有第一通孔和第二通孔；所述第一通孔暴露出部分栅极金属层，所述像素电极通过所述栅极金属层以及第一通孔与所述源极或漏极的一端电连接；所述第二通孔暴露出部分栅极金属层，所述数据金属层通过所述第二通孔与所述栅极金属层电连接。

5.如权利要求1所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括一形成于所述栅极绝缘层上的半导体有源层，所述源极及漏极搭接于部分所述半导体有源层上。

6.如权利要求1所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述像素结构还包括：

一钝化层，形成于所述薄膜晶体管、数据线和栅极绝缘层上；

一公共电极，形成于所述钝化层上。

7.如权利要求6所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述钝化层还形成于所述扫描端子上。

8.如权利要求6所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述公共电极分裂为多条公共电极线。

9.一种如权利要求1所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法，包括：

步骤一：提供一基板；

步骤二：在所述基板上形成第一透明电极层和栅极金属层，所述第一透明电极层的一部分作为所述像素电极，所述栅极金属层的一部分作为所述栅极；

步骤三：在所述像素电极和栅极金属层上形成栅极绝缘层；以及

步骤四：在所述栅极绝缘层上形成数据金属层，部分所述数据金属层作为源极及漏极和数据线；

其中，所述像素电极与所述源极或漏极的一端电连接，所述数据线与所述源极或漏极的另一端电连接；所述栅极金属层的另一部分作为扫描线，所述扫描线延伸连接一扫描端子，所述扫描端子由延伸至像素结构外的所述栅极金属层、栅极绝缘层和数据金属层形成。

10.如权利要求9所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤二包括：

在所述基板上形成第一透明金属材料层；

对所述第一透明金属材料层进行第一次曝光；

刻蚀部分第一透明金属材料层，形成所述第一透明电极层；

在所述第一透明电极层和基板上形成栅极金属材料层；

对所述栅极金属材料层进行第二次曝光；

刻蚀部分所述栅极金属材料层，形成所述栅极金属层。

11.如权利要求10所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤三包括：

在所述栅极金属层上和基板上形成栅极绝缘层；

对所述栅极绝缘层进行第三次曝光；

刻蚀部分栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成有第一通孔和第二通孔；

其中，所述第一通孔暴露出部分所述像素电极，所述像素电极通过所述第一通孔与所述源极或漏极的一端电连接；所述第二通孔暴露出部分栅极金属层，所述数据金属层通过所述第二通孔与所述栅极金属层电连接。

12.如权利要求9所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤二包括：

依次在所述基板上形成第一透明金属材料层和栅极金属材料层；

采用半掩膜版对所述栅极金属材料层进行曝光；

刻蚀部分所述栅极金属材料层暴露出部分第一透明金属材料层；以及

刻蚀部分第一透明金属材料层，形成所述第一透明电极层和所述栅极金属层。

13.如权利要求12所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤三包括：

在所述栅极金属层上和基板上形成栅极绝缘层；

对所述栅极绝缘层进行第二次曝光；

刻蚀部分栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成有第一通孔和第二通孔；

其中，所述第一通孔暴露出部分所述像素电极，所述像素电极通过所述栅极金属层以及第一通孔与所述源极或漏极的一端电连接；所述第二通孔暴露出部分栅极金属层，所述数据金属层通过所述第二通孔与所述栅极金属层电连接。

14.如权利要求9所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述步骤三之后、步骤四之前还包括：在所述栅极绝缘层上形成半导体有源层，所述源极及漏极搭接于部分所述半导体有源层上。

15.如权利要求9所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述步骤四之后还包括：

在所述数据金属层和栅极绝缘层上形成钝化层；以及

在所述钝化层上形成公共电极。

16.如权利要求15所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述钝化层还形成于所述扫描端子上。

17.如权利要求15所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，每个所述像素结构中的所述公共电极分裂为多条公共电极线。