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CN103201842A - 半导体器件的制造方法及半导体器件 - Google Patents

半导体器件的制造方法及半导体器件 Download PDF

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CN103201842A
CN103201842A CN2011800540678A CN201180054067A CN103201842A CN 103201842 A CN103201842 A CN 103201842A CN 2011800540678 A CN2011800540678 A CN 2011800540678A CN 201180054067 A CN201180054067 A CN 201180054067A CN 103201842 A CN103201842 A CN 103201842A
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CN
China
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aforementioned
silicon layer
fin
shaped silicon
polysilicon gate
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Pending
Application number
CN2011800540678A
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English (en)
Chinese (zh)
Inventor
舛冈富士雄
中村广记
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd
Original Assignee
Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
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    • HELECTRICITY
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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