CN103165777B - 具有梯形结构的n型插入层的led外延片及其生长方法 - Google Patents
具有梯形结构的n型插入层的led外延片及其生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103165777B CN103165777B CN201310099202.1A CN201310099202A CN103165777B CN 103165777 B CN103165777 B CN 103165777B CN 201310099202 A CN201310099202 A CN 201310099202A CN 103165777 B CN103165777 B CN 103165777B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type
- growth
- type algan
- gan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 241000826860 Trapezium Species 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 abstract description 72
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 65
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有梯形结构的N型插入层的LED外延片及其生长方法。所述外延片的结构自下而上依次为衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一N型GaN层、N型AlGaN插入层、第二N型GaN层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层；所述N型AlGaN插入层为梯形结构。具体为，在第一N型GaN层上生长由N型AlGaN层a、b和c组成的N型AlGaN插入层，所述N型AlGaN层a、b、c中Ga的摩尔组分含量保持不变，Al的摩尔组分含量依次为逐渐升高、保持不变、逐渐降低。本发明通过在N型GaN层中插入梯形结构的N型AlGaN层，一方面有效降低量子阱区域的位错密度，另一方面减少因N型AlGaN层的引入而对电子纵向迁移的影响，从而提高氮化镓基LED的发光效率。
Description
技术领域
本发明属于Ⅲ族氮化物材料制备技术领域，特别涉及一种具有梯形结构的N型插入层的LED外延片及其生长方法。
背景技术
发光二极管（LED，LightEmittingDiode）是一种半导体固体发光器件，其利用半导体PN结作为发光材料，可以直接将电转换为光。以氮化镓为代表的Ⅲ族氮化物是直接带隙的宽禁带半导体材料，具有电子飘移饱和速度高，热导率好、强化学键、耐高温以及抗腐蚀等优良性能。其三元合金铟镓氮（InGaN）带隙从0.7eV氮化铟（InN）到3.4eV氮化镓（GaN）连续可调，发光波长覆盖了可见光和近紫外光的整个区域。以InGaN/GaN多量子阱为有源层的发光二极管具有高效、环保、节能、寿命长等显著特点，被认为是最有潜力进入普通照明领域的一种新型固态冷光源。
用于氮化镓基LED外延生长的商品化衬底主要有两种，即蓝宝石（Al2O3）衬底和碳化硅（SiC）衬底，因为SiC的价格昂贵，故全球80%的LED企业采用Al2O3衬底。然而Al2O3与GaN的晶格失配大并且热膨胀系数差异也较大，因此在外延生长过程中，往往引入了大量的晶格缺陷，如常见的线性位错、V型位错等。这些位错往往会沿着晶格通过多量子阱区域延伸到外延片的表面，形成穿透位错。实验证明大量V型位错的存在造成氮化镓基LED的漏电和抗静电等电性参数较差，限制了其进一步进入高端应用市场。研究发现，在N型GaN层中插入N型AlGaN层可以显著减少外延片中位错。此外，N型AlGaN层还具有增强电子在N型GaN层中横向运动的作用，从而有助于载流子注入效率的提高，因此这种外延结构已被广泛使用。
目前N型GaN层与N型AlGaN插入层之间Al组分是突变结构，即切换到生长N型AlGaN时，直接通入定量的Al组分且保持不变。虽然N型AlGaN层与N型GaN层异质界面上由大的极化差会诱导产生高浓度的二维电子气，促进电子的横向运动，但是二维电子气对载流子的纵向限制作用也增强，使得电子聚集于异质界面处，从而导致迁移至量子阱区域的电子数量减少，所以说二维电子气结构是一把双刃剑。因此，N型AlGaN插入层结构的设计对氮化镓基LED的内量子效率和发光效率有很重要的影响。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术存在的缺陷，提供一种具有梯形结构的N型插入层的LED外延片及其生长方法。本发明通过在N型GaN层中插入梯形结构的N型AlGaN层，一方面有效降低量子阱区域的位错密度，另一方面减少因N型AlGaN层的引入而对电子纵向迁移的影响，从而提高氮化镓基LED的发光效率。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
1、一种具有梯形结构的N型插入层的LED外延片，其特征在于，所述外延片的结构自下而上依次为衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一N型GaN层、N型AlGaN插入层、第二N型GaN层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层；所述N型AlGaN插入层为梯形结构。
2、一种根据权利要求1所述的具有梯形结构的N型插入层的LED外延片的生长方法，其特征在于，在第一N型GaN层生长结束后，生长由N型AlGaN层a、b和c组成的N型AlGaN插入层，具体包括如下步骤：
A、在所述第一N型GaN层上生长Al的摩尔组分含量逐渐升高的N型AlGaN层a；
B、所述N型AlGaN层a生长结束后，保持Al的摩尔组分含量不变，生长N型AlGaN层b；
C、所述N型AlGaN层b生长结束后，生长Al的摩尔组分含量逐渐降低的N型AlGaN层c；
所述N型AlGaN层a、b和c中Ga的摩尔组分含量保持不变，Al的最高摩尔组分含量为5%～30%。
3、根据权利要求2所述的具有梯形结构的N型插入层的LED外延片的生长方法，其特征在于，所述N型AlGaN插入层的生长温度在900～1100℃，生长时间为5～15min，压力为50～500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为10～1000。
4、根据权利要求2所述的具有梯形结构的N型插入层的LED外延片的生长方法，其特征在于，所述多量子阱层由InxGa1-xN(0<x<1)势阱层和GaN势垒层依次生长而成，所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为720～820℃、压力为100～500Torr、Ⅴ/Ⅲ比为300～5000、厚度为2～5nm，所述GaN势垒层的生长温度为820～920℃、压力为100～500Torr、Ⅴ/Ⅲ比为300～5000、厚度为8～15nm。
5、根据权利要求2所述的具有梯形结构的N型插入层的LED外延片的生长方法，其特征在于，所述低温GaN缓冲层生长厚度为20～30nm，所述GaN非掺杂层生长厚度为0.5～2μm，所述第一N型GaN层生长厚度为1.2～4.2μm，所述第二N型GaN层6生长厚度为1.2～4.2μm，所述低温P型GaN层生长厚度为10～100nm，所述P型AlGaN层生长厚度为10～200nm，所述高温P型GaN层生长厚度为100～800nm，所述P型接触层生长厚度为5～20nm。
6、根据权利要求2所述的具有梯形结构的N型插入层的LED外延片的生长方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、GaN或碳化硅单晶。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：通过在N型GaN层中插入梯形结构的N型AlGaN层，一方面，N型AlGaN层可以降低量子阱区域的位错密度，提高晶体质量；另一方面，N型AlGaN插入层的梯形结构设计，在促进电子横向运动的同时，避免了对电子纵向迁移的限制，从而提高了载流子的注入效率，进而提高氮化镓基LED的发光效率。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明的LED外延片的结构示意图；
图2为N型AlGaN插入层生长示意图；
其中，1为衬底、2为低温GaN缓冲层、3为GaN非掺杂层、4为第一N型GaN层、5为N型AlGaN插入层、6为第二N型GaN层、7为多量子阱层、8为低温P型GaN层、9为P型AlGaN层、10为高温P型GaN层、11为P型接触层。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1
如图1所示的LED外延片结构，从下向上的顺序依次包括：衬底1、低温GaN缓冲层2、GaN非掺杂层3、第一N型GaN层4、N型AlGaN插入层5、第二N型GaN层6、多量子阱层7、低温P型GaN层8、P型AlGaN层9、高温P型GaN层10、P型接触层11。
本实施例以高纯氢气（H2）或氮气（N2）作为载气，以三甲基镓（TMGa）、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝（TMAl）、三甲基铟（TMIn）和氨气（NH3）分别作为Ga、Al、In和N源，用硅烷（SiH4）和二茂镁（CP2Mg）分别作为N、P型掺杂剂。
本实施例的具有梯形结构的N型插入层的氮化镓基LED外延结构的生长方法，包括以下具体步骤：
步骤一，将衬底1在1000-1200℃氢气气氛里进行高温清洁处理5-20min，然后进行氮化处理，衬底1是适合GaN基半导体外延材料生长的材料，如蓝宝石、GaN和碳化硅（SiC）单晶等；
步骤二，将温度下降到500～650℃之间，生长厚度为20～30nm的低温GaN缓冲层2，生长压力控制在300～760Torr之间，Ⅴ/Ⅲ（第五族元素和第三族元素的摩尔比）比为50～1000；
步骤三，所述低温GaN缓冲层2生长结束后，停止通入三甲基镓（TMGa），衬底温度升高至900～1200℃之间，对所述低温GaN缓冲层2进行原位热退火处理，退火时间在5～30min，退火之后，将温度调节至1000～1200℃之间，外延生长厚度为0.5～2μm的GaN非掺杂层3，生长压力在100～500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为100～3000；
步骤四，所述GaN非掺杂层3生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第一N型GaN层4，厚度为1.2～4.2μm，生长温度在1000～1200℃之间，压力在100～600Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为100～3000；
步骤五，所述第一N型GaN层4生长结束后，生长N型AlGaN插入层5，生长温度在900～1100℃之间，生长时间为5～15min，压力在50～500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为10～1000；所述N型AlGaN插入层5的生长如图2所示（图2中的虚线是为了便于对应比较N型AlGaN层a、b和c的Ga和Al组分的摩尔含量变化情况），分为三步：（1）先生长Al的摩尔组分含量逐渐升高的N型AlGaN层a；（2）N型AlGaN层a生长结束后，保持Al的摩尔组分含量不变，生长N型AlGaN层b；（3）N型AlGaN层b生长结束后，生长Al的摩尔组分含量逐渐降低的N型AlGaN层c。所述N型AlGaN插入层5厚度在10～200nm之间，生长过程中Ga的摩尔组分含量保持不变，Al的最高摩尔组分含量控制在5%～30%之间；
步骤六，所述N型AlGaN插入层5生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第二N型GaN层6，厚度为1.2～4.2μm，生长温度在1000～1200℃之间，压力在100～600Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为100～3000；
步骤七，所述第二N型GaN层6生长结束后，生长多量子阱层7，所述多量子阱层7包括3～15个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN(0<x<1)势阱层和GaN势垒层依次生长而成。所述InxGa1-xN势阱层的生长温度在720～820℃之间，压力在100～500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为300～5000，厚度在2～5nm之间；所述GaN势垒层的生长温度在820～920℃之间，压力在100～500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为300～5000，厚度在8～15nm之间；
步骤八，所述多量子阱层7生长结束后，生长厚度为10～100nm的低温P型GaN层8，生长温度在620～820℃之间，生长时间为5～35min，压力在100～500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为300-5000；
步骤九，所述低温P型GaN层8生长结束后，生长厚度为10～200nm的P型AlGaN层9，生长温度在900～1100℃之间，生长时间为5～15min，压力在50～500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为10～1000，P型AlGaN层8中Al的摩尔组分含量控制在5%～30%之间；
步骤十，所述P型AlGaN层9生长结束后，生长厚度为100～800nm的高温P型GaN层10，生长温度在850～950℃之间，生长时间为5～30min，压力在100～500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为300～5000；
步骤十一，所述高温P型GaN层10生长结束后，生长厚度在5～20nm之间的P型接触层11，生长温度在850～1050℃之间，生长时间为1～10min，压力在100～500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为1000～20000；
步骤十二，外延生长结束后，将反应室的温度降至650～800℃之间，采用纯氮气气氛进行退火处理2～15min，然后降至室温，即得如图1所示的LED外延片结构。
随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀等后续加工工艺制成单颗小尺寸芯片。
本实施例通过在N型GaN层中插入梯形结构的N型AlGaN层，一方面，N型AlGaN层可以降低量子阱区域的位错密度，提高晶体质量；另一方面，N型AlGaN插入层的梯形结构设计，在促进电子横向运动的同时，避免了对电子纵向迁移的限制，从而提高了载流子的注入效率，进而提高氮化镓基LED的发光效率。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。
Claims (1)
1.一种具有梯形结构的N型插入层的LED外延片的生长方法，其特征在于，所述外延片的结构自下而上依次为衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一N型GaN层、N型AlGaN插入层、第二N型GaN层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层；所述N型AlGaN插入层为梯形结构，在第一N型GaN层生长结束后，生长由N型AlGaN层a、b和c组成的N型AlGaN插入层，具体包括如下步骤：
A、在第一N型GaN层上生长Al的摩尔组分含量逐渐升高的N型AlGaN层a；
B、N型AlGaN层a生长结束后，保持Al的摩尔组分含量不变，生长N型AlGaN层b；
C、N型AlGaN层b生长结束后，生长Al的摩尔组分含量逐渐降低的N型AlGaN层c；
N型AlGaN层a、b和c中Ga的摩尔组分含量保持不变，Al的最高摩尔组分含量为5％～30％；
N型AlGaN插入层的生长温度在900～1100℃，生长时间为5～15min，压力为50～500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为10～1000；
所述多量子阱层由InxGa1-xN，0<x<1，势阱层和GaN势垒层依次生长而成，所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为720～820℃、压力为100～500Torr、Ⅴ/Ⅲ比为300～5000、厚度为2～5nm，所述GaN势垒层的生长温度为820～920℃、压力为100～500Torr、Ⅴ/Ⅲ比为300～5000、厚度为8～15nm；
所述低温GaN缓冲层生长厚度为20～30nm，所述GaN非掺杂层生长厚度为0.5～2μm，所述第一N型GaN层生长厚度为1.2～4.2μm，所述第二N型GaN层生长厚度为1.2～4.2μm，所述低温P型GaN层生长厚度为10～100nm，所述P型AlGaN层生长厚度为10～200nm，所述高温P型GaN层生长厚度为100～800nm，所述P型接触层生长厚度为5～20nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310099202.1A CN103165777B (zh) | 2013-03-26 | 2013-03-26 | 具有梯形结构的n型插入层的led外延片及其生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310099202.1A CN103165777B (zh) | 2013-03-26 | 2013-03-26 | 具有梯形结构的n型插入层的led外延片及其生长方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103165777A CN103165777A (zh) | 2013-06-19 |
| CN103165777B true CN103165777B (zh) | 2016-03-30 |
Family
ID=48588698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310099202.1A Active CN103165777B (zh) | 2013-03-26 | 2013-03-26 | 具有梯形结构的n型插入层的led外延片及其生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103165777B (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104900775A (zh) * | 2014-03-06 | 2015-09-09 | 比亚迪股份有限公司 | Led结构及其形成方法 |
| CN103824910A (zh) * | 2014-03-12 | 2014-05-28 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种提高ⅲ－ⅴ族化合物半导体led芯片抗静电能力的外延生长方法 |
| CN103824908B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-09-14 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种提高GaN基LED静电耐受能力的外延生长方法 |
| CN103824916B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-08-17 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法 |
| CN103872204B (zh) * | 2014-03-12 | 2017-01-04 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种具有循环结构的p型插入层及生长方法 |
| CN105140356B (zh) * | 2015-09-01 | 2018-01-12 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种Al组分渐变式N型LED结构及其制备方法 |
| CN107464862B (zh) * | 2017-08-13 | 2018-12-28 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种N型AlGaN的生长方法 |
| CN109616561B (zh) * | 2018-12-13 | 2020-04-28 | 广东工业大学 | 深紫外led芯片、深紫外led外延片及其制备方法 |
| CN113594314B (zh) * | 2021-08-05 | 2023-04-25 | 江西力特康光学有限公司 | 一种深紫外发光二极管的结构及其制备方法 |
| CN118825159B (zh) * | 2024-09-18 | 2024-12-03 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种Micro-LED的外延结构及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102856163A (zh) * | 2012-09-04 | 2013-01-02 | 程凯 | 半导体外延结构及其生长方法 |
| CN102881788A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-01-16 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种改善GaN基LED量子阱结构提高载子复合效率的外延生长方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080111144A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-15 | The Regents Of The University Of California | LIGHT EMITTING DIODE AND LASER DIODE USING N-FACE GaN, InN, AND AlN AND THEIR ALLOYS |
-
2013
- 2013-03-26 CN CN201310099202.1A patent/CN103165777B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102856163A (zh) * | 2012-09-04 | 2013-01-02 | 程凯 | 半导体外延结构及其生长方法 |
| CN102881788A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-01-16 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种改善GaN基LED量子阱结构提高载子复合效率的外延生长方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103165777A (zh) | 2013-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103165777B (zh) | 具有梯形结构的n型插入层的led外延片及其生长方法 | |
| CN102368519B (zh) | 一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法 | |
| CN103730557B (zh) | 一种具有新型的p型电子阻挡层结构的发光二极管的生长方法 | |
| CN103022285B (zh) | 一种提高led亮度的多量子阱层生长方法 | |
| CN103066174A (zh) | 一种提高GaN基LED发光效率的外延结构及生长方法 | |
| CN103824909B (zh) | 一种提高GaN基LED发光亮度的外延方法 | |
| CN102664145B (zh) | 采用金属有机化合物气相外延技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法 | |
| CN103337573B (zh) | 半导体发光二极管的外延片及其制造方法 | |
| CN101771121A (zh) | 一种SiC或Si衬底GaN基晶体的结构及其生长方法 | |
| CN103227251B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法 | |
| CN102881788A (zh) | 一种改善GaN基LED量子阱结构提高载子复合效率的外延生长方法 | |
| CN102931303A (zh) | 外延结构及其生长方法 | |
| CN106159048B (zh) | 一种发光二极管外延片及其生长方法 | |
| CN103515495B (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 | |
| CN103400914B (zh) | 一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构及其生长方法 | |
| CN103346217A (zh) | 一种提高led发光二极管亮度的量子垒设计方法 | |
| CN102842661A (zh) | 氮化镓基发光二极管外延生长方法 | |
| CN106653970A (zh) | 一种发光二极管的外延片及其生长方法 | |
| CN103258927A (zh) | 一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构及其生长方法 | |
| CN102867892A (zh) | 具有In掺杂的低温生长P型GaN外延方法 | |
| CN109473514A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN103247729B (zh) | 一种提高大功率GaN基LED发光效率的外延结构及生长方法 | |
| CN103178178A (zh) | 一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法 | |
| CN203339208U (zh) | 具有多重垒层led外延结构 | |
| CN103441197B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210309 Address after: Room 110-7, building 3, 290 Xingci 1st Road, Hangzhou Bay New District, Ningbo City, Zhejiang Province, 315336 Patentee after: Ningbo anxinmei Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 230012 Hefei City, Anhui, New Station Industrial Park Patentee before: HEFEI IRICO EPILIGHT TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |