CN103050084B - 平板显示器及其驱动电路 - Google Patents

Abstract

平板显示器及其驱动电路。本发明涉及平板显示器，具体地，涉及平板显示器及其驱动电路，该驱动电路设置在所述平板显示器中，并消除了存储与用于驱动显示面板的驱动电压有关的数据的存储器中的数据擦除的问题。所述平板显示器的驱动电路包括：存储器，其在第一序列模式和第二序列模式下操作，当用于选择序列模式的多个控制端子中的至少一个接地时，所述存储器被设置为第二序列模式，并输出与驱动电压对应的数据；控制器，其输出端子连接到所述控制端子，该控制器确定所述存储器的所述序列模式；以及保护器，其电连接到所述输出端子和所述控制端子，并且当异常电压被施加到所述控制端子时防止所述存储器在第一序列模式下出现故障。

Description

平板显示器及其驱动电路

技术领域

本公开涉及平板显示器，具体地，涉及平板显示器及其驱动电路，该驱动电路设置在所述平板显示器中，并消除了存储与用于驱动显示面板的驱动电压有关的数据的存储器中的数据擦除的问题。

背景技术

平板显示器（FPD）是一种替代传统阴极射线管（CRT）显示器的显示装置，主要用于实现小尺寸轻重量的系统，例如，包括笔记本计算机、个人数字助理（PDA）等的便携式计算机、便携式电话终端等以及台式计算机的显示监视器。当前商业上可用的平板显示器包括液晶显示器LCD、等离子体显示面板（PDP）、有机发光二极管（OLED）显示器等。

图1是示出构成以上提到的平板显示器当中的有机发光二极管显示器的单个像素的示例的示图。

如图所示，有机发光二极管显示器包括由提供扫描信号的扫描线SL和提供数据信号的数据线DL划分的区域中的开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT。扫描线SL和数据线DL彼此交叉，有机发光二极管D1设置在扫描线SL和数据线DL的交叉点附近。

开关薄膜晶体管ST的栅极连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管ST的源极连接到驱动薄膜晶体管DT的栅极，开关薄膜晶体管ST的漏极连接到数据线DL，并用作开关元件。

驱动薄膜晶体管DT的栅极连接到开关薄膜晶体管ST的源极和电容器Cst的一端，驱动薄膜晶体管DT的源极连接到驱动电压VDDEL，驱动薄膜晶体管DT的漏极连接到有机发光二极管D1的阳极，并用作用于驱动有机发光二极管D1的驱动元件。

开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT可被形成为PMOS或NMOS晶体管。

电容器Cst的一侧连接到开关薄膜晶体管ST的源极和驱动薄膜晶体管DT的栅极，电容器Cst的另一侧连接到驱动电压VDDEL。

有机发光二极管D1的阳极连接到驱动薄膜晶体管DT的漏极，有机发光二极管D1的阴极连接到接地电压VSS。所述阳极和所述阴极之间设置有机发射层。有机发射层可包括例如空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层。另外，有机发射层可包括例如电子注入层、电子传输层、发射层、空穴传输层和空穴注入层。

提供给具有上面提到的结构的有机发光二极管显示器中的像素的驱动电压VDDEL可根据显示面板而被不同地设置；然而，该驱动电压VDDEL必须无误地在通常8.75V的稳定电压电平处提供。为此，平板显示器包括电源控制单元，并基于预设的数据根据加电序列来产生和提供电压。

具体地，在当前高度集成的IC和驱动的复杂度增加的趋势下，加电序列所需的数据被存储在存储器（即，EEPROM（电可擦除可编程ROM））中。因此，当平板显示器被加电时，读取存储在EEPROM的地址中的数据，并产生显示面板的驱动电压VDDEL。

图2是示出用于传统有机发光二极管显示器的EEPROM的内部结构的示例的等效电路图。

如图所示，传统的EEPROM等同于第一晶体管T1和第二晶体管T2，该第一晶体管T1的源极连接到与外部控制器（未示出）连接的第一输入端子，该第一晶体管T1的栅极连接到第二电阻器R2，该第一晶体管T1的漏极连接到输出端子，该第二晶体管T2的源极连接到与所述外部控制器连接的第二输入端子，该第二晶体管T2的栅极连接到第一电阻器R1，该第二晶体管T2的漏极连接到所述输出端子。

尽管没有示出，上面提到的输出端子连接到EEPROM中的数据存储单元，并通过输出电压对预定数据执行读取、写入和擦除操作。

将解释具有该结构的EEPROM的驱动。当向第二输入端子施加高电平驱动使能信号VPP_HIGH，并且施加了特定序列信号（例如，数据写入信号XWRITEB）时，第一晶体管T1和第二晶体管T2变为导通。因此，通过驱动输出电压EXVPP经由输出端子将数据写入信号XWRITEB提供到EEPROM中的数据单元，从而对数据执行读取、写入和擦除操作。

根据上述操作，系统配置器通过以下操作配置平板显示器：将期望的数据存储在EEPROM中，然后通过通常的SMT工艺将平板显示器的其它驱动IC一起接合在基板上，然后将该基板连接到显示面板。

上面提到的SMT工艺是这样的工艺：向各个驱动IC施加相当大的应力（stress）；甚至向EEPROM的各个针脚施加应力。尤其是，如果向与上面提到的数据写入信号XWRITEB的输入端子对应的针脚施加应力，则在上面提到的第一晶体管T1和所述输出端子之间形成寄生二极管，并且预定的电流流动。因此，即使没有输入对应的序列，EEPOROM也切换至擦除模式，从而可以发生数据擦除。

因此，不是以8.75V的预设电压电平，而是以14V的任意电压电平来输出提供给显示面板的驱动电压VDDEL，从而导致显示面板出现故障。

发明内容

本发明致力于解决上面提到的问题，本发明的目的在于提供一种平板显示器的驱动电路，该驱动电路设置在平板显示器（例如，有机发光二极管显示器）中，并防止由于存储与显示面板的驱动电压有关的数据的存储器中的外部应力所导致的数据擦除。

为了实现以上目的，本发明的优选实施方式提供了一种平板显示器的驱动电路，该驱动电路包括：存储器，该存储器在第一序列模式和第二序列模式下操作，当用于选择序列模式的多个控制端子中的至少一个接地时，所述存储器被设置为第二序列模式，并输出与驱动电压对应的数据；控制器，该控制器的输出端子连接到所述控制端子，该控制器确定所述存储器的所述序列模式；以及保护器，该保护器电连接到所述输出端子和所述控制端子，并且当异常电压被施加到所述控制端子时防止所述存储器在第一序列模式下出现故障。

所述第一序列模式是所述存储器的数据擦除模式。

所述第二序列模式是从由所述存储器的待机模式、数据读取模式和数据写入模式构成的组中选择的一个模式。

所述保护器包括：第一开关元件，其源极连接到所述输出端子，其漏极连接到所述控制端子；第二开关元件，其源极连接到所述第一开关元件，其栅极连接到所述控制器的操作控制信号端子，其漏极接地；第一电阻器，其端部分别连接到所述第一开关元件的所述源极和所述栅极；第二电阻器，其端部分别连接到所述第二开关元件的所述源极和所述栅极；以及下拉电阻器，其连接在所述输出端子和接地端子之间。

所述第一开关元件和所述第二开关元件分别是PMOS晶体管和NMOS晶体管。

所述保护器还包括齐纳二极管，该齐纳二极管与所述第一开关元件并联连接，所述齐纳二极管的击穿电压大于所述异常电压。

所述异常电压是在SMT工艺期间由施加到所述存储器的应力产生的电压。

所述驱动电压对应于用于驱动有机发光二极管的电压。

所述存储器是EEPROM。

为了实现以上目的，本发明的优先实施方式提供了一种平板显示器，该平板显示器包括：显示面板，其包括多个有机发光二极管；驱动控制单元，其控制所述显示面板；以及电源控制单元，其包括存储器和保护器，该存储器存储关于所述有机发光二极管的驱动电压的数据，该保护器在所述驱动控制单元的控制下防止由于所述存储器的故障导致的数据擦除。

因为根据本发明的优选实施方式的平板显示器包括将驱动电压提供给显示面板的电源控制单元中的保护器，所以该平板显示器可增加平板显示器的驱动可靠性，并在正常驱动期间通过向所述存储器提供对应的电压并防止由于施加的应力所引起的异常电压来防止存储器的不期望的序列模式转换。

附图说明

附图示出了示例性实施方式，并与描述一起用于解释本发明的原理，所述附图被包括以提供本发明的进一步理解，并被合并到该说明书中作为该说明书的一部分。

在附图中：

图1是示出构成以上提到的平板显示器中的有机发光二极管显示器的单个像素的示例的示图；

图2是示出用于传统的有机发光二极管显示器的EEPROM的内部结构的示例的等效电路图；

图3是示出根据本发明的实施方式的包括驱动电路的平板显示器的总体结构的示图；

图4是示出根据本发明的实施方式的平板显示器的驱动电路的示图；

图5是图4的存储器和保护器的等效电路图；以及

图6是根据本发明的另一实施方式的平板显示器的驱动电路的等效电路图。

具体实施方式

以下将参照附图描述根据本发明的优选实施方式的平板显示器的驱动电路。

图3是示出根据本发明的实施方式的包括驱动电路的平板显示器的总体结构的示图。

以下将描述的平板显示器是有机发光二极管显示器，其包括显示面板110、用于驱动显示面板110的扫描驱动单元120和数据驱动单元130、用于控制驱动器120和130的驱动控制单元140以及用于向显示面板110提供驱动电压的电源控制单元150。

如图所示，显示面板110包括多个信号线SL和DL以及连接到所述多个信号线SL和DL的多个像素，所述多个像素被限定在根据等效电路图以矩阵形式设置的区域中。

信号线SL和DL包括用于发送扫描信号的多个扫描线和用于发送数据信号的多个数据线DL。扫描线SL形成为行，并彼此平行地设置，数据线DL形成为列，并与扫描线SL垂直且彼此平行地设置。

各个像素具有与传统的有机发光二极管显示器相同的结构，参照图1，各个像素包括在由提供扫描信号的扫描线SL和提供数据信号的数据线DL划分的区域中的开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT。扫描线SL和数据线DL彼此交叉，有机发光二极管D1设置在扫描线SL和数据线DL的交叉点附近。

开关薄膜晶体管ST的栅极连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管ST的源极连接到驱动薄膜晶体管DT的栅极，开关薄膜晶体管ST的漏极连接到数据线DL，并用作开关元件。

驱动薄膜晶体管DT的栅极连接到开关薄膜晶体管ST的源极和电容器Cst的一端，驱动薄膜晶体管DT的源极连接到驱动电压VDDEL，驱动薄膜晶体管DT的漏极连接到有机发光二极管D1的阳极，并用作用于驱动有机发光二极管D1的驱动元件。

现在将描述具有上述结构的像素的操作。开关薄膜晶体管ST通过提供到扫描线SL的扫描信号导通，提供给数据线DL的数据信号在电容器Cst中充电至驱动电压VDDEL和数据信号之间的差分电压。驱动薄膜晶体管DT提供从在电容器Cst中冲电的差分电压导致的驱动电流I_OLED，以使得有机发光二极管D1发光，有机发光二极管D1显示与驱动电流I_OLED成比例的灰度。

再次参照图3，扫描驱动单元120连接到显示面板110的扫描线SL，并施加扫描信号，该扫描信号由从外部提供的扫描启动（ON）电压和扫描停止（OFF）电压的组合形成。可在薄膜晶体管工艺期间在显示面板110上一起形成扫描驱动单元120。

数据驱动单元130连接到显示面板110的数据线DL，并包括多个集成电路，该多个集成电路基于从基准信号生成器（未示出）提供的多个基准电压产生多个灰度信号，选择产生的灰度信号，并将这些灰度信号作为数据信号施加到各个像素。

驱动控制单元140通过如下操作来控制驱动器：产生用于控制扫描驱动单元120、数据驱动单元130等的操作的多个控制信号，并将对应的控制信号提供给扫描驱动单元120和数据驱动单元130。

此外，驱动控制单元140向稍后描述的电源控制单元150提供使能信号EL，并控制电源控制单元150产生显示面板110的驱动电压VDDEL。

电源控制单元150从驱动控制单元140接收使能信号EL，并输出用于驱动各个像素的驱动晶体管（图1的DT）的驱动电压VDDEL。此时，电源控制单元150不管外部改变而输出具有恒定电平的驱动电压VDDEL。将该驱动电压VDDEL施加到设置在显示面板110的各个像素中的驱动晶体管T12，以使得显示面板110的屏幕具有给定的亮度。因此，可以实现具有高质量屏幕的有机发光二极管显示器。

为了产生上面提到的驱动电压VDDEL，需要多个数据（所述多个数据包括开关频率数据、输出电压电平数据、反馈电压控制数据和软启动定时控制数据），并将所述多个数据存储在稍后将描述的存储器中。

尽管没有示出，电源控制单元150可产生用于驱动平板显示器的多个驱动电压和上面提到的驱动电压VDDEL。在示例中，电源控制单元150可被配置为产生扫描启动电压Von和扫描停止电压Voff等。

为此，电源控制单元150包括：存储器，该存储器中设置有关于驱动电压的电平的数据；控制器，其用于确定和控制所述存储器的序列模式；以及保护器，其电连接到数据擦除中涉及的输入端子，并防止这样的现象：因为在从控制器施加到存储器的序列电压当中的由外部施加的应力引起的异常电压被施加时存储器在序列模式下出现故障，所以存储的数据被擦除。

稍后将描述电源控制单元150的结构的更详细的描述。

利用上述结构，将与提供到成品平板显示器的显示面板的驱动电压有关的数据稳定地存储在存储器中，在驱动平板显示器时向显示面板提供恒定的驱动电压，从而增加平板显示器的驱动可靠性。

下面将参照附图更详细地描述电源控制单元的结构，该电源控制单元是根据本发明的实施方式的平板显示器的驱动电路。

图4是示出根据本发明的实施方式的平板显示器的驱动电路的示图。

如图所示，本发明的平板显示器的驱动电路包括电源控制单元150，该电源控制单元150响应于从驱动控制单元140施加的信号向显示面板提供驱动电压。电源控制单元150包括：控制器151，其向存储器施加多个序列电压，以确定存储器的序列模式，并读取、写入和擦除数据；存储器155，其存储与驱动电压有关的数据；以及保护器158，其连接到控制器151的输出端子和附接到该输出端子的存储器155的输入端子，以使得异常驱动电压能够通过，并防止由应力引起的异常电压。

更具体地，控制器151起到响应于从驱动控制单元140施加的信号当中的使能信号EN产生用于控制存储器的序列模式的多个序列信号的作用。

存储器155在控制器151的控制下对存储器155中设置的多个数据单元执行数据读取、写入和擦除功能，并可被实现为通常的EEPROM。

存储器155包括多个输入端子和输出端子。连接到控制器的输出端子以确定序列模式的所述输入端子的示例包括用于选择存储器155的数据单元的XCEB端子、施加有数据读取控制信号的XREADB端子、施加有数据擦除控制信号的XERASEB端子、施加有数据写入控制信号的WRITEB端子、用于指定数据单元的地址的XA端子以及用于接收数据值的XDIN端子，存储器155的输出端子的示例包括EXVPP端子，该EXVPP端子是显示面板的驱动电压数据的输出端子。

因此，根据输入到上面提到的端子的控制信号来确定存储器155的序列模式，下面的表1示出了根据控制信号确定的序列模式的示例。

[表1]

参照上面的表1，根据输入到存储器155的端子中的信号来确定待机模式、数据读取模式、数据写入模式和擦除模式。

尤其是，擦除模式是用于擦除数据单元中存储的数据的模式。当XREADB端子和XWRITEB端子被施加高电平电压时，XREADB端子和XWRITEB端子切换到擦除模式。

因此，当在将数据写入存储器155之后将电源控制单元150安装在基板上时，XWRITEB端子接地（GND），使得将存储器被设置为不切换到擦除模式。

按照典型的SMT方法将电源控制单元150与扫描驱动单元、数据驱动单元和驱动控制单元140一起安装在电连接到显示面板的基板上。这向存储器150施加了应力，从而引起故障。更具体地，按照典型的SMT工艺将上述电源控制单元150安装在电连接到显示面板的预定基板上，该SMT工艺是这样的工艺：将焊浆涂敷在电路基板的顶部上，涉及的电源控制单元150安装在涂敷有焊浆的区域中，然后通过施加压力和热将电源控制单元150和基板电连接在一起。此时，向电源控制单元150中包括的存储器的各个针脚施加应力。

由于这种应力，高电平电压被施加到XWRITEB端子，因此异常电压被施加到EXVPP并且数据单元中存储的数据被擦除。因此，存储器155的输出信号D_out没有被适当地输出，因此输出的不是正常的8.75V而是大约14V的驱动电压VDDEL。

因此，本发明的实施方式的特点在于：保护器158附接到存储器155的XWRITEB端子，以防止由施加到所述端子的应力引起的异常电压，并使得仅正常的电压能够通过。

保护器158电连接在控制器151的输出端子和存储器155的XWRITEB端子之间，在从控制器151接收到正常电平的XWRITEB电压时，将该XWRITEB电压原样施加到存储器155。另外，当接收到异常电压时，保护器158将该异常电压下拉为接地电平的XWRITEB’电压。

下面将参照附图描述根据本发明的实施方式的保护器158的结构。

图5是图4的存储器和保护器的等效电路图。

如图所示，根据本发明的实施方式的存储器155是典型的EEPROM，所述典型的EEPROM等同于第一晶体管T1和第二晶体管T2，该第一晶体管T1的源极连接到与外部控制器（未示出）连接的第一输入端子，该第一晶体管T1的栅极连接到第二电阻器R2，该第一晶体管T1的漏极连接到输出端子，该第二晶体管T2的源极连接到与所述外部控制器连接的第二输入端子，该第二晶体管T2的栅极连接到第一电阻器R1，该第二晶体管T2的漏极连接到所述输出端子。

尽管没有示出，上面提到的输出端子连接到EEPROM中的数据存储单元，并通过输出电压对预定数据执行读取、写入和擦除操作。

将解释具有该结构的EEPROM的驱动。当向第二输入端子施加高电平驱动使能信号VPP_HIGH，并且特定序列信号（例如，数据写入信号XWRITEB）被施加时，第一晶体管T1和第二晶体管T2变为导通。因此，通过驱动输出电压EXVPP经由输出端子将数据写入信号XWRITEB提供到EEPROM中的数据单元，从而对数据执行读取、写入和擦除操作。

本发明的保护器158包括：PMOS晶体管PMOS，其源极连接到XWRITEB信号输入端子，其栅极连接到NMOS晶体管NMOS的漏极，其漏极连接到存储器155的输入端子；以及NMOS晶体管NMOS，其源极连接到上面提到的PMOS晶体管PMOS，其栅极连接到操作控制信号输入端子，其漏极接地。

此外，保护器158包括：第三电阻器R3，其端部分别连接到PMOS晶体管PMOS的源极和栅极；以及第四电阻器R4，其端部分别连接到NMOS晶体管NMOS的源极和栅极。另外，保护器158还包括设置在XWRITEB信号输入端子和接地端子之间的下拉电阻器R_PD。上面提到的下拉电阻器R_PD优选具有近似4Ω的电阻值。

利用上述结构，如果将数据写入存储器155，即，设置显示面板的驱动电压VDDEL，则从控制器（未示出）施加驱动控制信号CTL。因此，NMOS晶体管NMOS和PMOS晶体管PMOS顺序地变为导通。因此，当XWRITEB信号输入到输入端子时，该信号被限定为正常电压，并被施加到存储器155。

当在完成了存储器155的设置之后通过SMT工艺将存储器155安装在基板上时，如果由于SMT工艺导致产生应力并因此异常信号被施加到输入端子，则使得PMOS晶体管PMOS为截止状态。因此，通过附接到相同节点的下拉电阻器R_PD将异常电压下拉至接地电压电平，因此XWRITEB不被施加到存储器155。结果，XWRITEB端子保持为低电平。

利用上述结构，作为根据本发明的实施方式的平板显示器的驱动电路的保护器下拉当由于SMT工艺而施加应力时施加到存储器的异常电压，从而防止存储器出现故障。

除了SMT工艺之外，可从外部施加不期望的电压，因此高电平电压可被施加到存储器的XWRITEB端子，从而引起存储器出现故障。以下，将参照附图描述根据本发明的另一实施方式的平板显示器的驱动电路。

图6是根据本发明的另一实施方式的平板显示器的驱动电路的等效电路图。

图6中示出的存储器255与图5中示出的实施方式的上面描述的存储器相同。然而，保护器258还包括用于去除外部施加的电压的齐纳二极管。

将详细描述保护器258的结构。保护器258包括：第三电阻器R3，其端部分别连接到PMOS晶体管PMOS的源极和栅极；以及第四电阻器R4，其端部分别连接到NMOS晶体管NMOS的源极和栅极。另外，保护器258还包括设置在XWRITEB信号输入端子和接地端子之间的下拉电阻器R_PD。

此外，齐纳二极管ZD连接到PMOS晶体管PMOS的源极和漏极。齐纳二极管ZD用于去除由外部应力引起的可在保护器258和存储器255之间的连接部分产生的异常电压以及大于所述异常电压并小于正常电压的齐纳二极管ZD的击穿电压。

因此，在异常电压的情况下，通过下拉电阻器R_PD将异常电压下拉至接地电压电平，从而防止存储器出现故障。

因为在不脱离本发明的特性的情况下按照多个形式实施了本发明的特征，所以还应该理解，除非特别指出，上述实施方式不受前面描述的任何细节的限制，而应该在所附权利要求限定的范围内广义地解释，因此落入权利要求的范围和边界或者这些范围和边界的等同物内的所有改变和修改旨在被所附权利要求书包含。

Claims (9)

1.一种平板显示器的驱动电路，该驱动电路包括：

存储器，该存储器在第一序列模式和第二序列模式下操作，并且当用于选择序列模式的多个控制端子中的至少一个接地时，所述存储器被设置为所述第二序列模式，并输出与驱动电压对应的数据；

控制器，该控制器的输出端子连接到所述控制端子，并且该控制器确定所述存储器的所述序列模式；以及

保护器，该保护器电连接到所述输出端子和所述控制端子，并且当异常电压被施加到所述控制端子时防止所述存储器在所述第一序列模式下出现故障，

其中，所述保护器包括：

第一开关元件，该第一开关元件的源极连接到所述输出端子，并且该第一开关元件的漏极连接到所述控制端子；

第二开关元件，该第二开关元件的漏极连接到所述第一开关元件，该第二开关元件的栅极连接到所述控制器的操作控制信号端子，并且该第二开关元件的源极接地；

第一电阻器，该第一电阻器的端部分别连接到所述第一开关元件的所述源极和所述栅极；

第二电阻器，该第二电阻器的端部分别连接到所述第二开关元件的所述源极和所述栅极；以及

下拉电阻器，该下拉电阻器连接在所述输出端子和接地端子之间。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，所述第一序列模式是所述存储器的数据擦除模式。

3.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，所述第二序列模式是从由所述存储器的待机模式、数据读取模式和数据写入模式构成的组中选择的一个模式。

4.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，所述第一开关元件和所述第二开关元件分别是PMOS晶体管和NMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，所述保护器还包括齐纳二极管，该齐纳二极管与所述第一开关元件并联连接，并且该齐纳二极管的击穿电压大于所述异常电压。

6.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，所述异常电压是在SMT工艺期间由施加到所述存储器的应力产生的电压。

7.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，所述驱动电压对应于用于驱动有机发光二极管的电压VDDEL。

8.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，所述存储器是EEPROM。

9.一种平板显示器，该平板显示器包括：

显示面板，该显示面板包括多个有机发光二极管；

驱动控制单元，该驱动控制单元控制所述显示面板；

存储器，该存储器在第一序列模式和第二序列模式下操作，并且当用于选择序列模式的多个控制端子中的至少一个接地时，所述存储器被设置为所述第二序列模式，并输出与驱动电压对应的数据；

控制器，该控制器的输出端子连接到所述控制端子，并且该控制器确定所述存储器的所述序列模式；以及

保护器，该保护器电连接到所述输出端子和所述控制端子，并且当异常电压被施加到所述控制端子时防止所述存储器在所述第一序列模式下出现故障，

其中，所述保护器包括：

第一开关元件，该第一开关元件的源极连接到所述输出端子，并且该第一开关元件的漏极连接到所述控制端子；

第二开关元件，该第二开关元件的漏极连接到所述第一开关元件，该第二开关元件的栅极连接到所述控制器的操作控制信号端子，并且该第二开关元件的源极接地；

第一电阻器，该第一电阻器的端部分别连接到所述第一开关元件的所述源极和所述栅极；

第二电阻器，该第二电阻器的端部分别连接到所述第二开关元件的所述源极和所述栅极；以及

下拉电阻器，该下拉电阻器连接在所述输出端子和接地端子之间。