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CN103032684A - 发光设备及其制造方法 - Google Patents

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CN103032684A
CN103032684A CN201210533376XA CN201210533376A CN103032684A CN 103032684 A CN103032684 A CN 103032684A CN 201210533376X A CN201210533376X A CN 201210533376XA CN 201210533376 A CN201210533376 A CN 201210533376A CN 103032684 A CN103032684 A CN 103032684A
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laser
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和田直树
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Toshiba Lighting and Technology Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Lighting and Technology Corp
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Abstract

一种发光设备，包括:壳体；窗口；设置在由壳体和窗口形成的封闭空间中的半导体激光器；和晶体和玻璃中任一种形式的荧光材料，该荧光材料设置在封闭空间中，该荧光材料吸收半导体激光器发射的激光并且发射具有的波长不同于激光波长的二次光，且二次光穿过窗口射出。

Description

发光设备及其制造方法
本申请是专利申请号为201010126067.1、发明名称为“发光设备及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请基于下列现有申请并要求其优先权：2009年3月26日提交的编号为2009-77312的日本专利申请；2009年7月31日提交的编号为2009-179015的日本专利申请；其全部内容在此引入作为参考。
技术领域
本发明的实施例通常涉及一种发光设备及其制造方法。
背景技术
在照明、各类显示、光通信、液晶显示器（LCD）的背后照明等的发光设备包括具有如下结构的那些发光设备，其中例如发光二极管（LED）的发光设备的管芯和荧光体放置在由树脂、陶瓷等制成的封装中（例如，参见JP-A 2009-010360（Kokai））。
白色发光二极管可以形成这样一种发光设备，其中荧光体可以使用发射例如紫外线（UV）到蓝光的发光设备的管芯激发。
然而，使用LED的荧光体的激发生成的每发光设备的发光输出低。因此，发光设备的发光效率很低。另一方面，在为避免这种问题的情形中，高功率输出的半导体激光器安装在封装中以激发荧光，荧光体使用强光照射，从荧光体中产生掺杂气体。这种掺杂气体导致半导体激光器的恶化并且降低了发光设备的可靠性。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种发光设备，包括：壳体；窗口；设置在由壳体和窗口形成的封闭空间中的半导体激光器；和晶体和玻璃中任一种形式的荧光材料，该荧光材料设置在封闭空间中，该荧光材料吸收半导体激光器发射的激光并且发射具有的波长不同于激光波长的二次光，且二次光穿过窗口射出。
根据本发明的另一方面，提供了一种发光设备，包括:壳体；窗口；和设置在由壳体和窗口形成的封闭空间中的半导体激光器，该窗口包括未暴露于封闭空间设置的荧光材料，该荧光材料吸收半导体激光器发射的激光并且发射具有的波长不同于激光波长的二次光，并且二次光穿过窗口射出。
根据本发明的另一个方面，提供了一种发光设备，包括：具有形成于主表面中凹槽部的半导体衬底，该主表面具有第一面取向，该凹槽部具有侧面，且该侧面具有第二面取向；安装在凹槽部中的半导体激光器；晶体和玻璃中任一种形式的荧光材料，该荧光材料固定到半导体衬底的主表面上并将半导体激光器封装在凹槽部中形成的封闭空间内；第一电极在半导体衬底上与主表面相对的主表面上延伸，该第一电极连接至半导体激光器的主电极之一；和在半导体衬底的侧面上延伸的第二电极，该第二电极连接至半导体激光器的主电极中的另一个，荧光材料吸收半导体激光器发射并且由凹槽部的侧面反射的激光并且发射具有的波长不同于激光波长的二次光。
依照本发明的另一个方面，提供了一种用于制造发光设备的方法，包括：在半导体衬底的主表面中形成凹槽部，该主表面具有第一面取向，该凹槽部具有侧面，且该侧面具有第二面取向；将半导体激光器安装在凹槽部的底面上；在半导体衬底的主表面上形成表面电极并且将该表面电极连接至半导体激光器；并且将晶体和玻璃中任一种形式的荧光材料粘合到半导体衬底的主表面上以将半导体激光器封装在凹槽部内。
附图说明
图1是发光设备的主要部分的横截面示意图；
图2是用于解释半导体激光器和荧光材料之间位置关系的主要部分的透视图；
图3是发光设备的主要部分的横截面示意图；
图4是发光设备的主要部分的横截面示意图；
图5是发光设备的主要部分的横截面示意图；
图6是发光设备的主要部分的透视图；
图7A至7C是用于解释制造发光设备的方法的主要部分视图；
图8A和8B是用于解释制造发光设备的方法的主要部分视图；
图9A和9B是用于解释制造发光设备的方法的主要部分视图；并且
图10A和10B是用于解释制造发光设备的方法的主要部分视图。
具体实施方式
下文中将参照附图描述本发明的实施例。
（第一实施例）
图1是发光设备的主要部分的横截面示意图。图2是用于解释半导体激光器和荧光材料之间位置关系的主要部分的透视图。
发光设备1a具有引线10和11的结构，其中引线10和11是电极；杆（衬底）12，它是支撑底座；用于覆盖元件等的封装20；和窗口（光退出部分）30，光通过它射出。杆12和封装20构成壳体。该壳体和窗口30形成封闭空间。在发光设备1a中，半导体激光器40和块形式的荧光材料50A安装在杆12上。
半导体激光器40是例如主要地由复合半导体构成的激光元件，并且通过激光振荡发射具有470纳米或更小波长的光。另外，下安装层41插入半导体激光器40和杆12之间。引线10和11用作从支撑半导体激光器40的杆12延伸的外部接头。
引线10和11彼此绝缘。引线10和11之一电连接至半导体激光器40的下电极，并且引线10和11中的另一个通过金属线40w电连接至半导体激光器40的上电极。
在发光设备1a中，块形式的荧光材料50A安装在杆12上以与半导体激光器40相邻。另外，散热层51插入杆12和荧光材料50A之间。
因为荧光材料50A邻近半导体激光器40设置，所以荧光材料50A可以被由半导体激光器40的侧面40sw发射的激光（附图中的箭头A）激发以发射具有的波长不同于激光波长的光。例如，当紫外光、蓝-紫光、蓝光等从半导体激光器40发射时，该光到达荧光材料50A，并且荧光材料50A被激发。然后，荧光材料50A发射具有的波长不同于激光波长的二次光（例如，可见光等）。
在发光设备1a中，窗口30布置成面向杆12中安装了半导体激光器40等的侧面。窗口30由例如玻璃制成，并且对由发光设备1a发射的光透明。另外，窗口30具有这样的结构，其中透明的底座材料30b的主表面（上和下表面）夹在非反射涂层薄膜30a之间。因为非反射涂层薄膜30a形成在主表面上，所以由半导体激光器40和荧光材料50A发射的二次光可以有效地发射到发光设备1a的外部而不会由窗口30反射。
半导体激光器40和荧光材料50A放置在封装20和窗口30内。由封装20、窗口30和杆12封闭的空间90中充满惰性气体例如稀有气体或氮气。
荧光材料50A主要地由例如（YxGd1-X）（AlYGa1－Y）O12（0≤x≤1，0≤y≤1）组成。荧光材料50A可以由荧光晶体或荧光玻璃制成。然而，当荧光材料50A是单晶体时，可以发射更稳定的二次光。
荧光材料50A掺杂有至少一种从二价铕（Eu）、三价Eu、三价铽（Tb）、三价铈（Ce）和三价镨（Pr）中选取的稀土离子。在这种情形下，当上述激光发射到荧光材料50A上时，对于二价Eu、三价Eu、三价Tb和三价Ce会分别获得蓝、红、绿和黄色二次光线。还可以通过这些光中的一些生成各种颜色的光、具有不同色温度的白光和具有不同颜色再现的白光。
特别是，在其中荧光材料50A是荧光单个晶体的情形中，荧光材料50A由提拉法晶体生长方法或类似工艺制造。另外，在（YxGd1-X）（AlyGa1-Y）O12中的“X”和“Y”可以依照掺杂离子的离子半径适当地调节。
当荧光材料50A掺杂二价Eu时，Eu的化合价不同于母晶体的化合价。因此，为了保持晶体电荷中性，荧光材料50A可以掺杂浓度大约等于Eu浓度的四价碳(C)、硅（Si）、锗（Ge）或锡（Sn）。另外，为了调节离子半径，荧光材料50A也可以掺杂二价钙（Ca）、镁（Mg）、锶（Sr）或钡（Sa）。在这种情形下，四价和二价离子的量调节成大约彼此相等。
在其中激光的强度即使是在荧光材料50A由荧光晶体或荧光玻璃制成而极高时，荧光材料50A被加热至高温，并且其发光效率会降低。当荧光材料50A的温度改变时，其二次光的发射波长会改变。
为了应对这一点，在本实施例中，具有高热耗散的散热层51插入荧光材料50A和杆12之间。
例如，散热层51由金属制成。这种散热层51由真空沉积、等离子CVD、镀覆等形成。散热层51理想地由对于荧光材料50A具有良好粘附力并且可以朝窗口30充分地反射荧光材料50A的光的材料制成。
例如，散热层51由从铂（Pt）、铑（Rh）、钛（Ti）、钽（Ta）、钨（W）、钼（Mo）、铬（Cr）、铌（Nb）、锆（Zr）、铱（Ir）、银（Ag）、金（Au）和铝（Al）中选取的至少一种金属制成，它们具有接近（YxGd1- X）（AlyGa1－Y）O12的线性热膨胀系数的线性热膨胀系数并且具有优选的反射率。
形成在荧光材料50A下面的散热层51使用无铅（无Pb）或低共熔焊料粘合到杆12的表面上。
因为形成了上述散热层51，荧光材料50A的热可以朝杆12有效地辐射，即使是在强激光辐射到荧光材料50A上时也是如此。另外，因为散热层51是由金属涂层制成的，所以激光会由金属涂层的光反射效应捕获在荧光材料50A中。因此，来自荧光材料50A的二次光可以沿有效方向（例如，朝向窗口30的方向）有效地发射。
应当指出，引线10和11由例如铜（Cu）的合金金属制成。
杆12和封装20均由陶瓷例如氧化铝或莫来石陶瓷、玻璃陶瓷、环氧玻璃、环氧纸、酚醛纸、热固树脂、紫外线（UV）固化树脂、热塑性树脂等制成。
应当指出，杆12可以是由与引线10和11相同的材料制成的冲模垫形式的衬底。
设置在半导体激光器40之下的下安装层41由例如提供高热导率、高电绝缘等的氮化铝或类似物制成。因此，半导体激光器40的热也朝杆12有效地发散。
发光设备1a的空间90可以在真空状态下而不是充满惰性气体。
荧光材料50A可以设置在一个以上的位置上。例如，荧光材料50A可以设置在面向半导体激光器40的两个相对侧表面的位置上。
因此，在发光设备1a中，当电压施加到引线10和11上时，半导体激光器40振荡以发射具有例如470纳米或更短波长的激光。然后，激光辐射到与半导体激光器40相邻的荧光材料50A上，并且荧光材料50A发射具有的波长不同于激光波长的二次光。该光穿过窗口30发射到发光设备1a外部。
在发光设备1a中，半导体激光器40用作发光设备的管芯。因此，与其中发光二极管用作发光设备的管芯的情形相比，每一发光设备的光发射（有效的发光输出）得到提高。
掺杂有稀土离子的荧光晶体或荧光玻璃用作荧光材料50A。因此，即使当强激光辐射到荧光材料50A上时，也不会产生上述掺杂气体。这使半导体激光器40更不易于恶化。
特别是，在其中荧光层自身形成到衬底（例如晶体衬底或玻璃衬底）的发光设备中，存在其中荧光层自身包含杂质并且其中荧光层包含许多缺陷的情形。因此，包括荧光层的发光设备比发光设备1a具有更短的寿命和较低的发光效率。另外，因为荧光层具有低热导率，所以当强光例如激光辐射到其上时荧光层自身会生热，并且因此其发光效率会降低。
另一方面，发光设备1a包括上述荧光材料50A。因为上述荧光材料50A是由荧光晶体或荧光玻璃制成的，所以荧光材料50A比荧光层包含较少的缺陷并且具有更高的热导率。因此，发光设备1a具有长的寿命和高的发光效率。
如上所述，作为该实施例的发光设备，制造了具有高发光效率、高可靠性和长寿命的发光设备1a。
（第二实施例）
接下来将描述具有高发光效率和高可靠性的发光设备的另一个实施例。应当指出，在下面的说明中，相同的部件使用相同的参考标记表示，并且省略了已经描述的部件的详细说明。
图3是发光设备的主要部分的横截面示意图。
发光设备1b具有包括引线10和11、杆12和封装20的结构。在发光设备1b中，半导体激光器40设置在杆12上方。另外，窗口30设置在面向半导体激光器40的位置上，其中荧光材料50B形成在透明的底座材料30b的主表面上。
另外，例如由一半导体底座材料制成的镜60插入半导体激光器40和杆12之间。
镜60由例如硅晶体制成。具体地说，硅晶体的{100}面被蚀刻以形成具有{100}面作为底面和{111}面作为侧面的凹槽部60h。半导体激光器40安装在凹槽部60h的底面上。
应当指出，蚀刻是使用氢氧化钾（KOH）溶液等与由形成在硅晶体的{100}面上的氧化硅（SiO2）薄膜制成的蚀刻掩膜执行的。
在凹槽部60h的侧面（{111}面）上形成了全反射薄膜61。通过将全反射薄膜61置于上述凹槽部60h的侧面（{111}面）上，来自半导体激光器40的两个相对端面的激光可以由全反射薄膜61反射，并且反射的激光可以辐射到荧光材料50B上（箭头B）。在发光设备1b中，因为在凹槽部60h的侧面上设置了反射激光的反射镜，所以激光可以有效地辐射到荧光材料50B上而不浪费能量。
另外，下安装层42插入镜60和杆12之间。下安装层42使用无铅或低共融焊料材料固定到杆12上。下安装层42由与下安装层41相同的材料制成。
引线10和11用作从杆12延伸的外部接头。
引线10和11之一电连接至半导体激光器40的下电极，并且引线10和11中的另一个通过金属线40w电连接至半导体激光器40的上电极。
在发光设备1b中，层形式的荧光材料50B形成在透明底座材料30b的主表面（下表面）上以面向半导体激光器40。
荧光材料50B通过向透明底座材料30b涂覆荧光材料形成。在荧光材料50B的表面（暴露于空间90的表面）和侧面上，形成至少一个从氧化硅（SiO2）薄膜、氮化硅（Si3N4）薄膜和金刚石状碳（DLC）薄膜中选取的涂层（表面涂层薄膜）52。涂层52是通过CVD（化学汽相沉积）方法形成的。如上所述，发光设备1b包括包含透明底座材料30b、荧光材料50B和涂层52的窗口30。
当半导体激光器40发射激光时，激光由全反射薄膜61反射，并且反射的激光辐射到荧光材料50B上。当荧光材料50B吸收激光时，荧光材料50B发射具有的波长不同于激光波长的二次光。
因为荧光材料50B涂敷有涂层52，所以涂层52的阻隔性能使荧光材料50B很难将掺杂气体发射到空间90中，即使是在激光辐射到荧光材料50B上时也是如此。因此，发光设备1b中的半导体激光器40更不易于恶化。
应当指出，即使非常少量的掺杂气体发射到空间90中，这种气体也会由杆12上设置的吸气剂材料70除去（吸收）。应当指出，吸气剂材料70可以设置在封装20的内壁上而不是杆12上。空间90可以充满惰性气体例如稀有气体或氮气或者可以处在真空状态下。
如上所述，发光设备1b包括上述荧光材料50B。因为这种荧光材料50B被表面涂层薄膜（涂层52）保护，所以荧光材料50B很难发射掺杂气体，即使是在使用激光照射时也是如此。因此，发光设备1b具有长的寿命和高的发光效率。
如上所述，作为该实施例的发光设备，制造了具有高发光效率、高可靠性和长寿命的发光设备1b。
（第三实施例）
接下来将描述具有高发光效率和高可靠性的发光设备的另外一个实施例。
图4是发光设备的主要部分的横截面示意图。
发光设备1c具有与发光设备1b相同的基本结构。然而，在发光设备1c中，荧光材料50B形成透明底座材料30b的上表面上而不是设置在发光设备1c内部。另外，形成至少一个从氧化硅（SiO2）薄膜、氮化硅（Si3N4）薄膜和金刚石状碳（DLC）薄膜中选取的涂层（表面涂层薄膜）52用于覆盖荧光材料50B。在发光设备1c的空间90一侧，在透明底座材料30b的主表面（下表面）上形成了非反射层31。如上所述，发光设备1c包括包含透明底座材料30b、荧光材料50B、涂层52和非反射层31的窗口30。
在上述发光设备1c中，因为荧光材料50B设置在设备的外部，掺杂气体不会从荧光材料50B发射到空间90中，即使是在激光辐射到荧光材料50B上时也是如此。因此，发光设备1c中的半导体激光器40也更不易于恶化。因为荧光材料50B由涂层52保护，所以荧光材料50B没有直接暴露到外部空气中并且更不易于恶化。另外，因为非反射层31形成在透明底座材料30b的下表面上，所以光可以有效地射出到发光设备1c外部。
因此，发光设备1c也具有高发光效率和高可靠性。
（第四实施例）
接下来将描述具有高发光效率和高可靠性的发光设备的另外一个实施例。
图5是发光设备的主要部分的横截面示意图。
发光设备1d具有与发光设备1b相同的基本结构。然而，在发光设备1d中，窗口50c自身由例如如上所述用于荧光材料50A的材料制成。另外，非反射层31a和3lb分别地形成在窗口50c的上表面和下表面上。因此，发光设备1d包括包含窗口50c和非反射层31a和31b的窗口30。
在上述发光设备1d中，因为窗口50c如荧光材料50A那样是由晶体或玻璃制成的，所以窗口50c很难将掺杂气体发射到空间90中，即使是在激光辐射到窗口50c上时也是如此。因此，发光设备1d中的半导体激光器40也更不易于恶化。另外，因为非反射层31a和31b固定在窗口50c的上表面和下表面上，所以光可以有效地射出到发光设备1d外部。
因此，发光设备1d也具有高发光效率和高可靠性。
（第五实施例）
接下来将描述具有高发光效率和高可靠性的发光设备的另外一个实施例。
图6是发光设备的主要部分的透视图。
发光设备1e包括芯片形式的硅（Si）底座62。在硅底座62中，形成了凹槽部62h和与凹槽部62h相邻的另一个凹槽部62ha。在硅底座62和凹槽部62h与62ha的表面上形成了绝缘薄膜62a。在凹槽部62h中安装了半导体激光器40。形成凹槽部62h和62ha的底面，并且从硅底座62的底面到前表面形成了近似地平行于硅的{100}面的锥形侧面。所述侧面是硅的{111}面。另外，全反射薄膜可以形成在凹槽部62h的侧面上。用于在硅底座62中设置上述凹槽部62h的原因是便于如在上述发光设备1b中那样的激光的向上反射。
在发光设备1e中，从覆盖了绝缘薄膜62a的凹槽部62h的底面通过凹槽部62h的侧面、硅底座62的前表面和与凹槽部62h相邻的凹槽部62ha的侧面到凹槽部62ha的底面形成了表面电极80a。表面电极80a与发光设备1e的侧面上形成的侧电极80w电连续。半导体激光器40的表面电极和表面电极80a通过金属线40w彼此电连接。
在发光设备1e中，板形式的荧光材料（荧光材料板）50C固定到形成在表面例如硅底座62的表面上的绝缘薄膜62a上。因此，半导体激光器40、表面电极80a和金属线40w由荧光材料50C封装起来。换句话说，半导体激光器40等封装在空间90中。另外，荧光材料50C由例如针对荧光材料50A描述的材料制成。
在发光设备1e中，与半导体激光器40的后侧电极电连续的后侧电极80b形成在发光设备1e的背面上。
在发光设备1e中，为了保证侧电极80w和后侧电极80b之间的绝缘，例如绝缘薄膜（未显示）也形成在侧电极80w和硅底座62之间。
发光设备1e的底座可以由除上述硅底座62之外的其它半导体材料制成。
接下来将描述用于制造发光设备1e的方法。
图7A至10B是用于解释制造发光设备的方法的主要部分的视图。应当指出，在下面的说明中用作实例的图7A至7C、9B和10A中的每一个均显示了制造过程的阶段之一中发光设备的主要部分的平面图，并且图8A与8B、9A和10B中的每一个均显示了制造过程的阶段之一中的发光设备的主要部分的剖视图。
首先，如图7A中所示，掩模材料（未显示）例如二氧化硅（SiO2）薄膜等形成在其主表面是{100}面的硅片（Si晶片）91上。然后，多个凹槽部62h通过蚀刻形成在硅片91的主表面中。硅片91在加工（切割）成例如此前所述的硅底座62之前是晶片形式的半导体衬底。蚀刻是如在上述发光设备1b中的情形下那样使用氢氧化钾（KOH）溶液通过湿蚀刻执行的。每个形成的凹槽部62h的底面是硅的{100}面，并且其锥形侧面形成在{111}面中。
接下来，如图7B中所示，绝缘薄膜62a例如氧化硅薄膜通过湿法加工等形成在其中形成了凹槽部62h的硅片91的主表面（前表面和后表面）上。然后，在用于配置发光设备1e的后侧电极80b的区域（未显示）和用于半导体激光器40的元件安装区域40s中，通过光刻除去绝缘薄膜62a以暴露硅表面。此次绝缘薄膜62a的蚀刻是使用例如氢氟酸溶液执行的。另外，在硅片91的后表面上，在其中暴露了硅表面的区域中可选地形成了后侧电极80b。
接下来，为了在绝缘薄膜62a上图形化（pattern）表面电极80a，电阻应用到绝缘薄膜62a的表面以图形化表面电极80a。然后，主要包括例如金（Au）等的金属涂层形成在电阻和绝缘薄膜62a上。金属涂层由例如喷涂法或真空蒸发法形成。随后，电阻等通过升高除去以在绝缘薄膜62a上形成表面电极80a。该状态显示在图7C中。另外，半导体激光器40的后表面使用焊料材料（例如无铅焊料、共晶焊料等）粘合到半导体激光器安装区域40s上。因此，半导体激光器40的表面电极和后侧电极80b彼此电连接。
应当指出，在该阶段，如图7C中所示，没有半导体激光器40安装在A列的凹槽部62ha中，但是半导体激光器40安装在位于A列两侧的B列的凹槽部62h中。具体地说，列的组周期性地形成在硅片91上，其中每组列包括具有其中安装了半导体激光器40的B列、其中没有安装半导体激光器40的A列和其中安装了半导体激光器40的B列。每个表面电极80a均从其上安装了半导体激光器40的凹槽部62h延伸到其上没有安装半导体激光器40的凹槽部62ha。另外，设置在半导体激光器40的前侧上的电极分别地通过例如由金（Au）制成的金属线40w电连接至表面电极80a（参见图7C）。
接下来，之前如此前所述切割成荧光材料50C并且板形式的荧光材料50C粘合到硅片91的预定区域上。
例如，如图8A中所示，作为粘合剂的烧结玻璃53置于绝缘薄膜62a上不同于凹槽部62h与62ha的区域中。之后，在炉子中执行烧结玻璃53的脱气。
接下来，如图8B中所示，板形式的荧光材料50C面向下置于硅片91上且烧结玻璃53置于其间。
随后，板形式的荧光材料50C、硅片91等放入真空室中并且压力降低至接近10-4pa。然后，真空室充满惰性气体。另外，在板形式的荧光材料50C和硅片91彼此对齐之后，板形式的荧光材料50C和硅片91彼此紧密接触以在450℃处以例如1kg/cm2的压力加热一分钟。因此，板形式的荧光材料50C和硅片91彼此粘合。
接下来，如图9A和9B中所示，荧光材料50C、硅片91等由切块机（未显示）沿着虚线所示的切割线切割。切割线包括均将A列分成两部分的线DLA和用于在B列之间切割的线DLB。线DLA和DLB近似地垂直于表面电极80a。最终，板形式的荧光材料50C和硅片91通过沿着近似地垂直于线DLA和DLB的线DLC（与表面电极80a近似地平行并且相邻并且在半导体激光器40之间的线）执行切割被分成小片。然而，在本实施例中在沿着线DLC切割之前（在获得图6中所示的芯片形式的发光设备1e之前）执行下列过程。
如图10A和10B中所示，在沿着线DLA和DLB切割之后，在带形式的每个芯片主体80c的侧面（切割面）上形成侧电极80w。
例如，绝缘薄膜形成于芯片主体80c的侧面80cw上，然后一堆几个芯片主体80c放置成面向金属目标92例如金（Au）。侧电极80w通过真空蒸气法形成于芯片主体80c的侧面80cw上。此时，芯片主体80c放置成堆叠的芯片主体80c的侧面80cw不平行于金属目标92的表面。当形成侧电极80w时，蒸发掩模93用于防止薄膜形成在不同于芯片主体80c的侧面80cw的区域（例如后表面和前表面）中。例如，侧电极80w通过所谓的倾斜沉积形成于芯片主体80c的至少部分侧面80cw上，其中在倾斜沉积中仅仅芯片主体80c的侧面80cw通过如图10B中所示的蒸发掩模93的开口部分94暴露。
通过这种倾斜沉积，侧电极80w形成于芯片主体80c的侧面80cw上，并且同时，表面电极80a的端部80ae也涂敷有金属。因此，表面电极80a和侧电极80w变得彼此电连续。
应当指出，因为绝缘薄膜形成为侧电极80w的底层，所以保证了表面电极80a（或侧电极80w）和后侧电极80b之间的绝缘。
当侧电极80w形成时，不同于芯片主体80c的表面电极80a和侧面80cw的部分可以使用电阻等代替使用上述蒸发掩模93进行屏蔽。
此后，通过沿着线DLC切割每个芯片主体80c，荧光材料50C和带形式的硅片91被分成单个的半导体激光器40。因此，形成了图6中所示的芯片形式的发光设备1e。
在上述发光设备1e中，因为荧光材料50C如同荧光材料50A那样是由晶体或玻璃制成的，所以荧光材料50C很难将掺杂气体发射到空间90中，即使是在激光辐射到荧光材料50C上时也是如此。因此，发光设备1e中的半导体激光器40也更不易于恶化。因此，发光设备1e也具有高发光效率和高可靠性。特别是，因为从半导体激光器40的两个相对侧发射的激光由直接地设置在硅底座62中的凹槽部62h的侧面（{111}）反射，所以激光可以有效地辐射到荧光材料50C上。因此提高了发光效率。
另外，在发光设备1e中，因为半导体激光器40可以安装在直接地设置在硅底座62中的凹槽部62h中，所以半导体激光器40的表面安装变得可行。因此，可以制造薄的（小型化的）发光设备。
此外，通过将板形式的荧光材料50C和硅片91粘合在一起并且同时切割荧光材料50C和硅片91形成了芯片形式的发光设备1e。因此，制造发光设备1e的过程得到简化并且其可制造性得到提高。
已经参照特定实例描述了本发明的实施例。然而，本发明的实施例并不限于这些特定实例。具体地说，由本领域的技术人员对上述特定实例做出适当的设计修改获得的任意发光设备也包括在本发明的范围内，只要修改的发光设备具有本发明的特征即可。例如，每个上述特定实例中的每个部件和部件的位置、材料、条件、形状、尺寸等并不限于实例中所示，而是可以适当地改变。
此外，上述实施例的部件可以在技术上可行时进行组合，并且这些部件的组合也包括在本发明的范围内，只要组合具有本发明的特征即可。
而且，在本发明的原理的范围内，本领域的技术人员可以想到的各种变化和修改也落在本发明的范围内。

Claims (14)

1.一种发光设备，包括：
壳体；
窗口；和
设置在由壳体和窗口形成的封闭空间中的半导体激光器，
该窗口包括没有暴露于封闭空间设置的荧光材料，
该荧光材料吸收从半导体激光器发射的激光并且发射具有的波长不同于激光波长的二次光，并且
二次光穿过窗口射出。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括设置在封闭空间中的半导体底座材料，该半导体底座材料具有底面和侧面，至少部分侧面是反射镜部分，
该半导体激光器安装在半导体底座材料的底面上，并且
从半导体激光器发射并且由反射镜部分反射的激光由荧光材料吸收。
3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，荧光材料为任意一种掺杂有从包括二价铕、三价铕、三价铽、三价铈和三价镨的组中选取的一或多种稀土离子的晶体和玻璃。
4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，荧光材料是（YxGd1-X）（AlYGa1-Y）O12。
5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，封闭空间为惰性气体环境。
6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，激光的波长为470纳米或更小。
7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：
第一电极；
第二电极；以及
所述壳体是具有形成于主表面中凹槽部的半导体衬底，该主表面具有第一面取向，该凹槽部具有侧面，且该侧面具有第二面取向；
所述半导体激光器安装在凹槽部中；
所述窗口包括晶体和玻璃中任一种形式的荧光材料，该荧光材料固定到半导体衬底的主表面上并荧光材料将半导体激光器封装在凹槽部中形成的封闭空间内；
所述第一电极在与主表面相对的半导体衬底的主表面上延伸，该第一电极连接至半导体激光器的主电极之一；和
所述第二电极在半导体衬底的侧面上延伸，该第二电极连接至半导体激光器的主电极中的另一个；
该荧光材料吸收从半导体激光器发射并且由凹槽部的侧面反射的激光并且发射具有的波长不同于激光波长的二次光。
8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，荧光材料为任意一种掺杂有从包括二价铕、三价铕、三价铽、三价铈和三价镨的组中选取的一或多种稀土离子的晶体和玻璃。
9.如权利要求7所述的设备，其特征在于，荧光材料是（YxGd1-X）（AlYGa1-Y）O12。
10.如权利要求7所述的设备，其特征在于，封闭空间为惰性气体环境。
11.如权利要求7所述的设备，其特征在于，激光的波长为470纳米或更小。
12.一种用于制造发光设备的方法，包括：
在半导体衬底的主表面中形成凹槽部，该主表面具有第一面取向，该凹槽部具有侧面，且该侧面具有第二面取向；
将半导体激光器安装在凹槽部的底面上；
在半导体衬底的主表面上形成表面电极并且将该表面电极连接至半导体激光器；以及
并且将晶体和玻璃中任一种形式的荧光材料粘合到半导体衬底的主表面上以将半导体激光器封装在凹槽部内。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：
在封装之后将半导体衬底和荧光材料切割并且分成发光设备的管芯，每个发光设备的管芯包括激光元件和表面电极；
将分开的发光设备的管芯并置，其中每个发光设备的管芯的切割面面向相同方向；
通过在每个并置的发光设备的管芯的切割面上沉积导电材料形成连接至表面电极的侧电极；以及
将并置的发光设备的管芯彼此分开。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，侧电极形成有保持不平行于导电材料的金属目标的表面的切割面。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104214564A (zh) * 2014-08-08 2014-12-17 贵州省冠远照明科技有限责任公司 一种柔光节能灯
CN113175629A (zh) * 2021-04-26 2021-07-27 中国科学院半导体研究所 基于钙钛矿量子点荧光粉的激光照明系统
CN115802973A (zh) * 2020-07-08 2023-03-14 史密夫和内修有限公司 用于光学跟踪的易于制造的可高压灭菌led

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
JP5707618B2 (ja) * 2011-06-30 2015-04-30 シャープ株式会社 発光装置
DE102011084949B4 (de) * 2011-10-21 2016-03-31 Osram Gmbh Konverteranordnung, Verfahren zum Herstellen der Konverteranordnung und Beleuchtungsanordnung
DE102012103257A1 (de) * 2012-04-16 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung
US8897327B2 (en) 2012-04-16 2014-11-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode devices
KR102071424B1 (ko) * 2013-01-08 2020-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
DE102013104728A1 (de) * 2013-05-07 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung
DE102013209919B4 (de) * 2013-05-28 2025-06-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement mit einem Gehäuse mit mehreren Öffnungen
EP3189549B1 (en) * 2014-09-02 2019-06-12 Lumileds Holding B.V. A light emitting device
CN108139066B (zh) * 2015-08-17 2021-01-05 肖特股份有限公司 用于调准光学转换器上产生的光斑的方法、包括光斑的装置及其用途以及使用金属焊料连接的转换器-冷却体组件
US10938182B2 (en) * 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode
US12283790B2 (en) * 2015-08-19 2025-04-22 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-phosphor integrated light source
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
US11437775B2 (en) * 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US10879673B2 (en) 2015-08-19 2020-12-29 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package
US10320147B2 (en) 2015-09-08 2019-06-11 Sharp Kabushiki Kaisha Wavelength conversion member and light emitting device
DE102015219799A1 (de) * 2015-10-13 2017-04-27 Osram Gmbh Konversionsvorrichtung und Fahrzeugscheinwerfer
US10658812B2 (en) 2015-11-20 2020-05-19 Sharp Kabushiki Kaisha Eye-safe light source
JP7024410B2 (ja) * 2016-01-28 2022-02-24 ソニーグループ株式会社 半導体発光装置
JP6399011B2 (ja) 2016-02-09 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 光源装置
US10415794B2 (en) 2016-03-31 2019-09-17 Nichia Corporation Light emitting device
JP6728931B2 (ja) * 2016-04-21 2020-07-22 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
JP6940749B2 (ja) * 2016-04-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6432575B2 (ja) * 2016-08-30 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6776765B2 (ja) * 2016-09-26 2020-10-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6926589B2 (ja) 2017-03-29 2021-08-25 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクター
JP6920609B2 (ja) * 2017-03-29 2021-08-18 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP6919269B2 (ja) 2017-03-29 2021-08-18 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクター
JP6504193B2 (ja) * 2017-03-30 2019-04-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018198247A (ja) * 2017-05-23 2018-12-13 市光工業株式会社 発光装置及び車両用灯具
JP6711333B2 (ja) 2017-08-16 2020-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7323836B2 (ja) * 2017-09-29 2023-08-09 日亜化学工業株式会社 光源装置
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
US12152742B2 (en) 2019-01-18 2024-11-26 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based light guide-coupled wide-spectrum light system
DE102020106594A1 (de) * 2019-03-12 2020-09-17 Nichia Corporation Verfahren zur herstellung eines optischen elements, optisches element, und lichtemittierende vorrichtung
DE102019121896A1 (de) * 2019-08-14 2021-02-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement
CN111490441B (zh) * 2020-05-21 2022-04-05 王志杰 高带宽激光器信号光与背光分离处理结构
JP7277844B2 (ja) * 2020-05-27 2023-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2023036165A (ja) * 2021-09-02 2023-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2025026974A1 (en) * 2023-08-01 2025-02-06 Ams-Osram International Gmbh Method for producing an electronic device and electronic device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000196176A (ja) * 1992-10-22 2000-07-14 Matsushita Electronics Industry Corp パッケ―ジ
CN1731593A (zh) * 2004-08-06 2006-02-08 西铁城电子股份有限公司 发光二极管灯
CN101022148A (zh) * 2007-01-11 2007-08-22 鹤山丽得电子实业有限公司 发光二极管封装结构的制作方法
CN101060159A (zh) * 2006-04-21 2007-10-24 三星电机株式会社 具有多阶梯反射表面结构的发光二极管封装及其制造方法
CN200997404Y (zh) * 2006-12-13 2007-12-26 林原 白光发光二极管装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132613A (ja) * 1992-10-14 1994-05-13 Fujitsu Ltd 半導体レーザ装置
EP1556904B1 (de) * 2002-10-30 2018-12-05 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum herstellen einer leuchtdioden-lichtquelle mit lumineszenz-konversionselement
JP4349001B2 (ja) * 2003-05-28 2009-10-21 住友電気工業株式会社 光送信モジュール
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
JP4085970B2 (ja) * 2003-12-03 2008-05-14 ソニー株式会社 外部共振器型半導体レーザ
JP4401348B2 (ja) * 2004-12-28 2010-01-20 シャープ株式会社 発光デバイスならびにそれを用いた照明機器および表示機器
JP5083205B2 (ja) * 2006-03-10 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4822919B2 (ja) * 2006-04-26 2011-11-24 シャープ株式会社 発光装置および車両用ヘッドランプ
JP5228412B2 (ja) * 2006-11-21 2013-07-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP4264109B2 (ja) * 2007-01-16 2009-05-13 株式会社東芝 発光装置
JP2008235552A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置の製造方法および発光装置
JP2008251685A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Toshiba Corp 発光装置及び発光モジュール
JP4771179B2 (ja) 2007-05-31 2011-09-14 東芝ライテック株式会社 照明装置
DE102007032555A1 (de) * 2007-07-12 2009-01-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
JP4999783B2 (ja) * 2007-07-12 2012-08-15 株式会社小糸製作所 発光装置
EP2015614B1 (en) * 2007-07-12 2010-12-15 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting device
US7810956B2 (en) * 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
JP5228434B2 (ja) * 2007-10-15 2013-07-03 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000196176A (ja) * 1992-10-22 2000-07-14 Matsushita Electronics Industry Corp パッケ―ジ
CN1731593A (zh) * 2004-08-06 2006-02-08 西铁城电子股份有限公司 发光二极管灯
CN101060159A (zh) * 2006-04-21 2007-10-24 三星电机株式会社 具有多阶梯反射表面结构的发光二极管封装及其制造方法
CN200997404Y (zh) * 2006-12-13 2007-12-26 林原 白光发光二极管装置
CN101022148A (zh) * 2007-01-11 2007-08-22 鹤山丽得电子实业有限公司 发光二极管封装结构的制作方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104214564A (zh) * 2014-08-08 2014-12-17 贵州省冠远照明科技有限责任公司 一种柔光节能灯
CN104214564B (zh) * 2014-08-08 2016-06-15 贵州省冠远照明科技有限责任公司 一种柔光节能灯
CN115802973A (zh) * 2020-07-08 2023-03-14 史密夫和内修有限公司 用于光学跟踪的易于制造的可高压灭菌led
CN113175629A (zh) * 2021-04-26 2021-07-27 中国科学院半导体研究所 基于钙钛矿量子点荧光粉的激光照明系统

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Publication number Publication date
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