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CN102782892B - 发光装置的制造方法、发光装置、照明装置、背光灯、液晶面板、显示装置、显示装置的制造方法、显示装置的驱动方法及液晶显示装置 - Google Patents

发光装置的制造方法、发光装置、照明装置、背光灯、液晶面板、显示装置、显示装置的制造方法、显示装置的驱动方法及液晶显示装置 Download PDF

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CN102782892B
CN102782892B CN201180013628.XA CN201180013628A CN102782892B CN 102782892 B CN102782892 B CN 102782892B CN 201180013628 A CN201180013628 A CN 201180013628A CN 102782892 B CN102782892 B CN 102782892B
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CN
China
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light
substrate
rod
emitting element
emitting
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根岸哲
柴田晃秀
小宫健治
吉冈史善
岩田浩
高桥明
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Iro Vision Co Ltd
Original Assignee
Sharp Corp
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Priority claimed from JP2010063449A external-priority patent/JP5616659B2/ja
Priority claimed from JP2010078690A external-priority patent/JP2011211047A/ja
Priority claimed from JP2011019919A external-priority patent/JP2012004535A/ja
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Abstract

在绝缘性基板（720）的直线区域（S）形成金属布线（731），并且与金属布线（731）空开规定的间隔大致平行地形成金属布线（732）。在棒状结构发光元件（710A~710D）的n型半导体核心（701）连接金属布线（731），在p型的半导体层（702）连接金属布线（732）。通过将绝缘性基板（720）分割成多个分割基板，从而形成多个在分割基板上配置有多个棒状结构发光元件（710）的发光装置。在多个发光元件中，将在基板分割工序中即使被切断也不影响所希望的发光量的棒状结构发光元件（710）配置在绝缘性基板（720）的切断区域中，即使由于切断而破损的棒状结构发光元件（710）不发光，也通过没有被切断的其他多个棒状结构发光元件（710）进行发光。

Description

发光装置的制造方法、发光装置、照明装置、背光灯、液晶面板、显示装置、显示装置的制造方法、显示装置的驱动方法及液晶显示装置
技术领域
本发明涉及发光装置的制造方法、发光装置、照明装置、背光灯、液晶面板、显示装置、显示装置的制造方法、显示装置的驱动方法及液晶显示装置。此外，本发明涉及例如具有直下型的背光灯的液晶显示装置。
背景技术
历来，作为发光装置如图109所示，在安装有引线框901的封装基板900安装1个（或数个）LED芯片910，在通过接合线911将LED芯片910的n型电极905和p型电极906分别连接到引线框901之后，在以反射板921包围的LED芯片910上填充包含荧光体的树脂922，进而在该包含荧光体的树脂922上填充透明树脂923（例如参照非专利文献1）。上述LED芯片910在蓝宝石基板902上层叠由GaN构成的半导体层903，在该半导体层903中具有有源层904。
在上述发光装置的制造方法中，在封装基板900上安装1个（或数个）LED芯片910之后的布线工序对1个封装件个别地进行，因此存在成本变高的问题。
此外，在搭载有上述1个（或数个）LED芯片的发光装置中，由于每个LED芯片的明亮度的偏差直接成为发光装置的明亮度的偏差，所以存在发光装置的成品率差的问题。
此外，以往作为发光装置，有在松下电工技报Vol.53,No.1,4~9页（非专利文献2）记载的装置。
图110是表示上述文献的发光装置的立体图。
在图110中，3015是被封装的LED芯片。
如图110所示，在该发光装置中，将各被封装的LED芯片3015配置在规定位置，生成所希望的光。
由于上述发光装置将各被封装的LED芯片3015在规定位置配置多个，所以具有能够获得所希望的光的出射光量的优点。
可是，在现有技术中，在封装工序和安装工序中，均对LED芯片3015和LED封装件1个1个地个别地进行操作来配置在基板上，因此存在封装成本和安装成本变高的问题。
此外，以往作为显示装置，例如有在日本特开2002-353517号公报（专利文献1）中公开的装置。在该显示装置中，将多个LED（发光二极管）芯片配置成2维的矩阵状。更具体地，将出射光为蓝色的LED芯片、出射光为绿色的LED芯片和出射光为红色的LED芯片配置在彼此不同的基板上，使用该3枚基板实现全彩色显示。
此外，上述蓝色的LED芯片经由导线与搭载该蓝色的LED芯片的基板上的电极（接合焊盘）电连接。与此同样地，上述绿色的LED芯片与搭载该绿色的LED芯片的基板上的电极，此外上述红色的LED芯片与搭载该红色的LED芯片的基板上的电极分别经由导线电间接连接。
可是，由于上述现有的显示装置将各LED芯片和基板上的电极经由导线电连接，所以需要形成该导线的引线键合工序。
因此，在上述现有的显示装置中，存在伴随导线的形成，制造成本增加的问题。
此外，历来，液晶显示装置具有液晶面板和照射该液晶面板的背光灯装置。
上述液晶面板具有薄膜晶体管基板和滤色器基板，该两方的基板彼此平行地相向配置，在该两方的基板之间填充有液晶。
上述背光灯装置配置在上述液晶面板的正下方，具有液晶面板的基板之外的基板，和配置在该另外的基板的发光元件（参照日本特开2009-181883号公报：专利文献2）。
可是，在上述现有的液晶显示装置中，背光灯装置的基板使用液晶面板的基板之外的基板，因此存在背光灯装置变厚，液晶显示装置变厚的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-353517号公报；
专利文献2：日本特开2009-181883号公报；
非专利文献
非专利文献1：村上元著、「第１３回 ＬＥＤＬＤ用 半導体パッケージ技術の変遷」、Semiconductor FPD World、プレスジャーナル社、２００９年５月号、ｐ．１１４～１１７(図５)；
非专利文献2：松下電工技報vol.５３,No.１,４～９页。
发明内容
发明要解决的问题
因此，本发明的课题在于提供一种通过对配置在同一基板上的多个发光元件一并进行布线而能够降低制造成本，能够减小特性偏差而使成品率提高的发光装置的制造方法及通过该发光装置的制造方法制造的发光装置。
此外，本发明的另一个课题在于提供一种能够降低制造成本、能够减小特性偏差而使成品率提高的照明装置。
此外，本发明的另一个课题在于提供一种能够降低制造成本、能够减小特性偏差而使成品率提高的背光灯。
此外，本发明的另一个课题在于提供一种能够降低制造成本、能够减小特性偏差而使成品率提高的液晶面板。
此外，本发明的课题在于提供一种能够抑制封装成本和安装成本的发光装置的制造方法。
此外，本发明的课题在于提供一种能够以低成本制造、能进行高精细显示的显示装置。
此外，本发明的课题在于较薄地形成以发光元件构成的背光灯部，提供薄型的液晶显示装置。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题，第1发明的发光装置的制造方法的特征在于，具有：
配置工序，在同一基板上配置多个发光元件；
布线工序，对配置在所述基板上的所述多个发光元件的一部分或全部一并进行布线；以及
基板分割工序，在所述配置工序和所述布线工序之后，通过将所述基板分割成多个分割基板，从而形成多个在所述分割基板上配置有多个发光元件的发光装置。
根据上述结构，在对配置在同一基板上的多个发光元件一并布线之后，将基板分割成多个分割基板，形成多个在分割基板上配置有多个发光元件的发光装置，从而能够使布线工序简化，降低制造成本。此外，在将n个具有X%的明亮度偏差的发光元件集合起来时，因为整体的明亮度的偏差变为Y＝X/√n[％]，所以能够减小特性偏差，使成品率提高。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
在所述配置工序中，在所述同一基板上一并配置所述多个发光元件。
根据上述实施方式，通过在所述配置工序中，在同一基板上一并配置多个发光元件，从而能够实现布线工序的简化并且进一步降低制造成本。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
在所述基板上形成用于对所述多个发光元件进行布线的布线图案，
在所述基板分割工序中的所述基板的切断区域中没有形成所述布线图案。
根据上述实施方式，在基板分割工序中的基板的切断区域中没有形成用于在基板上为了对多个发光元件进行布线而形成的布线图案，由此在切断时不会有导电型的布线残渣的飞散，能够防止导电性的布线残渣导致的短路等的故障。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
在所述基板上形成用于对所述多个发光元件进行布线的布线图案，
在所述基板的切断区域中形成有即使在所述基板分割工序中被切断也不影响电连接的所述布线图案。
根据上述实施方式，通过在基板的切断区域中形成有即使在基板分割工序中被切断也不影响电连接的布线图案，从而能够跨越邻接的分割基板而连续地形成布线图案，布线图案形成变得容易，并且即使在布线图案形成时被切断，电路工作中也不产生问题。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
在所述基板分割工序中的所述基板的切断区域中没有配置所述发光元件。
根据上述实施方式，通过在基板分割工序中的基板的切断区域中不配置发光元件，从而能够消除由于切断而破损的发光元件，能够有效地利用发光元件。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
在所述多个发光元件中，在所述基板的切断区域中配置有即使在所述基板分割工序中被切断也不影响所希望的发光量的发光元件。
根据上述实施方式，通过在上述多个发光元件中，将在基板分割工序中即使被切断也不影响所希望的发光量的发光元件配置在基板的切断区域中，从而即使由于切断而破损的发光元件不发光，也通过没有被切断的其他多个棒状结构发光元件进行发光。因此，不再需要考虑在配置工序中将发光元件不配置在基板的切断区域中，能够使配置工序简略化。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，具有：
荧光体涂覆工序，在所述配置工序和所述布线工序之后且所述基板分割工序之前，在所述基板上涂覆荧光体；以及
保护膜涂覆工序，在所述荧光体涂覆工序之后在所述基板上涂覆保护膜。
根据上述实施方式，通过在上述配置工序和布线工序之后且基板分割工序之前，在配置有多个发光元件的1个基板一次进行在基板上涂覆荧光体的荧光体涂覆工序和在该荧光体涂覆工序之后在上述基板上涂覆保护膜的保护膜涂覆工序，从而与现有的按每个封装件来进行的情况相比能够大幅降低制造成本。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
在所述荧光体涂覆工序中，对配置有所述多个发光元件的区域选择性地涂覆所述荧光体。
根据上述实施方式，通过对配置有多个发光元件的区域选择性地涂覆荧光体，从而能够减少在材料费中占较大比率的荧光体的使用量，削减成本。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
在各个所述分割基板配置有100个以上的所述发光元件。
根据上述实施方式，通过在各个分割基板配置有100个以上的发光元件，从而能够将具有明亮度偏差的多个发光元件集合起来的整体的明亮度的偏差，降低到1个发光元件的明亮度偏差的1/10以下。
通常，每个发光元件的明亮度偏差由于正方向电压（Vf）的偏差而达到50%。历来，通过点亮试验来排除不符合规格的发光元件，或者将同样的明亮度的发光元件分组进行使用。可是，在将n个具有X%的明亮度偏差的发光元件集合起来时，整体的明亮度的偏差变为Y＝X/√n[％]。即，在n=100时，即使各个发光元件具有50%的偏差，整体的明亮度的偏差也变成1/10的5%，能够满足规格。由此，不需要各个发光元件的点亮试验，能够削减成本。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
在所述基板分割工序中，将所述基板分割成至少2种以上的形状不同的所述分割基板。
根据上述实施方式，在基板分割工序中，将基板分割成至少2种以上的形状不同的分割基板，由此能够提供与各种方式对应的发光装置。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
在所述基板上配置所述多个发光元件的配置工序包含：
基板制作工序，制作在安装面具有至少第1电极及第2电极的所述基板；
涂覆工序，在所述基板上涂覆包含所述多个发光元件的溶液；以及
排列工序，对至少所述第1电极和所述第2电极施加电压，使所述多个发光元件排列在由至少所述第1电极及所述第2电极规定的位置。
根据上述实施方式，制作至少在安装面具有第1电极和第2电极的基板，在该基板上涂覆包含多个发光元件的液体。之后，对至少第1电极和第2电极施加电压，使多个发光元件排列在由至少第1电极及第2电极规定的位置。由此，能够将上述多个发光元件容易地排列在基板上的规定的位置。因此，不需要像以往那样将发光二极管1个1个地配置在基板上的规定位置，能够高精度地将许多微细的发光二极管配置在规定的位置。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
至少所述第1电极及所述第2电极作为用于驱动所述多个发光元件的电极而被使用。
根据上述实施方式，通过至少第1电极及第2电极作为用于驱动多个发光元件的电极而被使用，从而能够使布线工序简略化，削减成本。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
所述多个发光元件是棒状，
以所述多个发光元件的长尺寸方向相对于所述基板的安装面成为平行的方式，在所述基板的安装面上配置所述多个发光元件。
根据上述实施方式，通过以多个发光元件的长尺寸方向相对于基板的安装面成为平行的方式，在基板的安装面上配置多个发光元件，从而能够增大轴方向（长尺寸方向）的长度相对于径向的比，因此在发光元件的发光面的面积相同的条件下，与发光面是平坦的正方形时相比，能够高效率地进行向基板侧的横方向的热流出，进一步抑制发光时的温度上升，进一步谋求长寿命化，高效率化。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
所述棒状的发光元件具有呈同心状地包围棒状的核心的筒状的发光面。
根据上述实施方式，通过棒状的发光元件具有呈同心状地包围棒状的核心的筒状的发光面，从而与同一体积的具有平坦的发光面的发光元件相比，平均每1个发光元件的发光面的面积增大，能够削减为了获得规定的明亮度的发光元件数量，能够削减成本。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
所述棒状的发光元件具有：第1导电型的棒状的半导体核心，以及覆盖该半导体核心的外周的第2导电型的筒状的半导体层，
所述棒状的发光元件的所述半导体核心的一端侧露出。
根据上述实施方式，通过棒状的发光元件具有：第1导电型的棒状的半导体核心，以及覆盖该半导体核心的外周的第2导电型的筒状的半导体层，半导体核心的一端侧露出，从而能够在半导体核心的一端侧的露出部分连接一个电极，在半导体核心的另一端侧的半导体层连接电极，能够在两端分离地连接电极，防止连接在半导体层的电极与半导体核心的露出部分短路，能够使布线容易。
此外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，
所述多个发光元件是在外延基板上形成的多个元件，是从所述外延基板上将所述各元件分离后的元件。
根据上述实施方式，通过形成在外延基板上形成的多个元件，使用从该外延基板分离的多个发光元件，从而与按每个发光元件截断基板进行使用相比，能够再利用外延基板，因此能够降低成本。
此外，在第2发明的发光装置中，其特征在于，具备：
从1个基板分割的分割基板；
多个发光二极管，配置在所述分割基板；以及
第1电极和第2电极，在所述分割基板上空开规定的间隔而形成，连接所述多个发光二极管，
所述多个发光二极管是阳极连接于所述第1电极并且阴极连接于所述第2电极的发光二极管，和阴极连接于所述第1电极并且阳极连接于所述第2电极的发光二极管混合存在，
通过交流电源对所述第1电极和所述第2电极之间施加交流电压，驱动所述多个发光二极管。
根据上述结构，不需要使连接于上述第1、第2电极间的多个发光二极管的极性一致地进行排列，在制造时不需要使多个发光二极管的极性（朝向）一致的工序，由此能够使工序简略化。此外，不需要为了识别发光二极管的极性（朝向）而在发光二极管设置标记，不需要为了极性识别而使发光二极管为特别的形状，因此能够使发光二极管的制造工序简略化，也能够抑制制造成本。再有，在发光二极管的尺寸小的情况下、发光二极管的个数多的情况下，与使极性一致来排列发光二极管的情况相比，能够格外使上述配置工序简单化。
此外，在一个实施方式的发光装置中，
所述分割基板安装在散热板上。
根据上述实施方式，通过将分割基板安装在散热板上，从而散热效果进一步提高。 
此外，在第3发明的照明装置中，其特征在于，具备：
所述发光装置。
根据上述结构，通过使用上述发光装置，能够降低制造成本，能够减小特性偏差来提高成品率。
此外，在第4发明的背光灯中，其特征在于，具备：
所述发光装置。
根据上述结构，通过使用上述发光装置，能够降低制造成本，能够减小特性偏差来提高成品率。
此外，在第5发明的液晶面板中，其特征在于，具备：
所述发光装置。
根据上述结构，通过使用上述发光装置，能够降低制造成本，能够减小特性偏差来提高成品率。
此外，在第6发明的液晶面板中，其特征在于，具备：
透明基板；
多个发光元件，配置在所述透明基板的一个面，与形成在所述透明基板的一个面的布线连接；以及
多个薄膜晶体管，形成在所述透明基板的另一个面。
根据上述结构，通过使用使液晶面板基板和背光灯基板为1体的透明基板，从而能够降低部件成本和制造成本，能够获得更薄的液晶面板。
此外，在第7发明的液晶面板中，其特征在于，具备：
透明基板；
多个发光元件，配置在所述透明基板的一个面，与形成在所述透明基板的一个面的布线连接；以及
滤色器，形成在所述透明基板的另一个面。
根据上述结构，通过使用使滤色器和背光灯基板为1体的透明基板，从而能够降低部件成本和制造成本，能够获得更薄的液晶面板。
此外，在本发明的显示装置的制造方法中，其特征在于具备：
基板准备工序，准备具有第1电极和第2电极的第1基板；
元件供给工序，使具有第1液体和位于该第1液体内的多个发光元件的含有元件的液体位于所述第1基板上；以及
元件排列工序，对所述第1电极和所述第2电极施加电压，将2个以上的所述发光元件排列在基于通过所述电压的施加生成的电场而决定的预先决定的位置。
根据本发明，因为不个别地操作1个1个的发光元件，就能够以一次的处理将多个发光元件排列在规定的场所，所以能够削减制造成本。
此外，在一个实施方式中，
在所述元件排列工序中，使所述含有元件的液体相对于所述第1基板相对移动。
根据上述实施方式，发光元件在第1基板的表面附近乘着液体的流动进行移动，所以发光元件能够以更短时间接近以第1电极和第2电极规定的预定的场所。因此，能够缩短发光元件的排列时间。
此外，在一个实施方式中，
具备：第2基板配置工序，与所述第1基板大致平行地配置第2基板，
在所述元件供给工序中，将所述含有元件的液体填充到所述第1基板和所述第2基板之间。
根据上述实施方式，通过相互大致平行地配置的第1基板和第2基板，能够防止液体的蒸发，因此能够高精度且成品率高地将发光元件排列在规定的场所。
此外，在一个实施方式中，
所述第2基板具有：第3电极，与所述第1电极及所述第2电极相向，
在所述元件供给工序及所述元件排列工序中的至少一个工序中，对所述第1电极和所述第3电极之间施加电压。
根据上述实施方式，通过对第1电极和第3电极之间施加非对称的电压，从而能够使发光元件向第1电极方向或第3电极方向移动。因此，能够缩短排列时间，并且能够迅速地回收没有排列的发光元件。
此外，在一个实施方式中，
在所述元件排列工序中，使所述含有元件的液体流动到所述第1基板和所述第2基板之间。
根据上述实施方式，通过第1基板和第2基板能够规定含有元件的液体的流路，能够防止液体的蒸发，能够防止气化导致的冷却而引起对流，因此能够高精度、此外高成品率地将发光元件排列在规定的场所。
此外，根据上述实施方式，由于发光元件在第1基板的表面附近乘着液体的流动进行移动，所以发光元件容易接近以第1电极和第2电极规定的预定的场所，能够缩短排列的时间。
此外，根据上述实施方式，通过不依赖于第1基板上的场所使第1基板和第2基板的缝隙为固定，所以能够与第1基板上的场所无关地使液体的流速为固定，因此能够高成品率地将发光元件排列在规定的场所。
此外，根据上述实施方式，通过对注入到由第1及第2基板规定的流路的液体的量进行调整，从而能够容易地改变液体的流速，因此能够高成品率地将发光元件排列在规定的场所。
此外，在一个实施方式中，
以绝缘膜覆盖所述第1电极的表面及所述第2电极的表面。
根据上述实施方式，由于电流不再流到第1及第2电极，所以能够使电压降非常小，能够使排列的成品率提高。第1基板当变为大规模、排列的发光元件变成许多时，第1及第2电极的布线长度变长，电压降变得显著，有在布线的末端不能进行排列的可能性。 
此外，根据上述实施方式，由于电流不再流到第1及第2电极之间，所以能够防止通过电化学效应使电极溶解，能够防止断线、液体的污染使排列成品率恶化。金属电极在接触于电解液的状态下，当对电极之间施加电压时，有时金属溶出到电解液中。
此外，在一个实施方式中，
所述第1基板的表面由与所述发光元件的表面的材料相同的材料构成。
根据上述实施方式，能够减少固接于第1基板的表面的发光元件，能够提高排列成品率。这是因为，在发光元件和第1基板的表面的材料是相同的情况下，Zeta电位变为相同，相互排斥，能够防止发光元件固接在第1基板的表面。
此外，在一个实施方式中，
所述含有元件的液体包含界面活性剂。
根据上述实施方式，能够防止发光元件彼此凝聚，或者发光元件固接于绝缘膜、基板、电极。
此外，在一个实施方式中，
所述各发光元件中的不同的2点的最长距离是50μm以下。
根据上述实施方式，即使是最大尺寸为50μm以下的发光元件，也能不依赖于发光元件的个数而容易地配置在规定的场所。进一步说，适于排列微细的物体。在通过排列许多微小尺寸的发光元件来降低面照明等的亮度不均的方面是有效的。
此外，在一个实施方式中，
所述多个发光元件分别具有棒状的形状，
根据上述实施方式,由于发光元件为棒状，所以能够将发光元件的一端固定在第1电极，能够将发光元件的另一端固定在第2电极。因此，能够使对准精度优良。
此外，在一个实施方式中，
所述发光元件具有：
圆柱状的第1导电型的第1半导体层；
筒状的量子阱层，以覆盖所述第1半导体层的外周面的方式而配置；以及
第2导电型的第2半导体层，以覆盖所述量子阱层的外周面的方式而配置。
换句话说,发光元件采用在同轴上形成有n型半导体-量子阱-p型半导体的核心-壳-壳结构，或者采用在同轴上形成有p型半导体-量子阱-n型半导体的核心-壳-壳结构。
根据上述实施方式，因为在棒状发光元件的侧面的大致整个面形成发光层，因此能够增大平均每一个棒状发光元件的发光面积。
此外，在一个实施方式中，
所述多个发光元件分别具有棒状的形状，
所述各发光元件的垂直于延伸方向的剖面的直径比500nm大。
根据上述实施方式，能够增大排列的棒状发光元件的强度，能够使排列的棒状发光元件不弯曲。因此，能够减小发光元件内的应力，能够抑制应力导致的发光效率的降低。
此外，在一个实施方式中，
所述发光元件具有：
圆柱状的第1导电型的第1半导体层；
筒状的量子阱层，以覆盖所述第1半导体层的外周面的方式而配置；以及
第2导电型的第2半导体层，以覆盖所述量子阱层的外周面的方式而配置，
所述各发光元件的垂直于延伸方向的剖面的直径比500nm大。
换句话说，各发光元件采用棒状的核心-壳-壳结构，并且各发光元件的直径比500nm大。
根据上述实施方式，因为能够使各发光元件的光的发光量充分，所以即使对1个电极对仅排列1个发光元件，也能够获得充分的发光密度。
此外，在一个实施方式中，
具备：元件排出工序，在所述多个发光元件中将没有排列在所述预先决定的位置的发光元件排出。
根据上述实施方式，能够回收没有排列在规定的场所的发光元件，并且能够排列在其他的第1基板，能够降低发光装置的制造成本。
此外，根据上述实施方式，能够防止没有排列在规定的场所的发光元件在干燥后等凝聚，发生布线不良。
此外，在一个实施方式中，
具备：元件固定工序，在所述元件排列工序之后，对所述第1电极和所述第2电极之间施加比在所述元件排列工序中对所述第1电极和所述第2电极之间施加的电压高的电压，将排列在所述预先决定的位置的所述发光元件固定在该预先决定的位置。
根据上述实施方式，因为能够将发光元件固定在规定的位置，所以能够使对准精度优秀。
此外，根据上述实施方式，即使在液体的流动变快的情况下发光元件也不会移动，此外，在除去液体时发光元件也不会移动，因此能够使对准精度格外优秀。
此外，在一个实施方式中，
具备：基板干燥工序，在所述元件排列工序之后，对所述第1基板的表面进行干燥。
根据上述实施方式，通过基板干燥工序，能够将发光元件固定在电极间。此外，根据上述实施方式，能够通过基板干燥工序在第1基板的表面形成保护膜，能够保护发光元件。
此外，在一个实施方式中，
所述含有元件的液体的表面张力是50mN/m以下。
根据上述实施方式，
当第1基板的表面被表面张力大的液体弄湿的状态下进行干燥时，存在通过在干燥中液体的表面接触发光元件而发光元件活动，发生对准偏离的情况。根据上述实施方式，因为使用表面张力小的液体，所以能够防止对准偏离。
此外，在一个实施方式中，
所述含有元件的液体的表面张力是30mN/m以下。
根据上述实施方式，因为使用表面张力比50mN/m更小的液体，所以能够可靠地防止对准偏离。
此外，在一个实施方式中，
具备：液体更换工序，在所述元件供给工序之后且所述干燥工序之前，将所述第1液体更换成比该第1液体的表面张力小的第2液体。
根据上述实施方式，在发光元件的排列时，能够使用表面张力大的液体（任意的液体），另一方面在干燥时能够使用表面张力小的液体。因此，能够使用在排列时产生大的静电感应效应的液体，能够高效率地进行发光元件的排列，并且能够使用在干燥时表面张力小的液体，能够防止发光元件的对准偏离。
此外，在一个实施方式中，
所述各发光元件在该发光元件的表面具有第1区域和第2区域，并且通过对所述第1区域和所述第2区域施加电压而进行发光，
所述发光装置的制造方法具备：元件连接工序，以导电体连接所述第1区域和所述第1电极，并且以导电体连接所述第2区域和所述第2电极。
根据上述实施方式，因为以导电体连接发光元件和第1电极，并且以导电体连接发光元件和第2电极，所以能够使第1和第2电极与微小的发光元件的电连接良好。因此，在对上述第1电极和第2电极之间施加电压来使发光装置发光时，能够可靠地防止电压没有施加到发光元件的状态（开路）。
此外，在一个实施方式中，
所述发光元件在该发光元件的表面具有第1区域和第2区域，并且通过对所述第1区域和所述第2区域施加电压而进行发光，
所述发光装置的制造方法具备：追加电极形成工序，形成第4电极和第5电极，所述第4电极与排列在所述预先决定的位置的所述2个以上的发光元件的2个以上的所述第1区域连接，所述第5电极与排列在所述预先决定的位置的所述2个以上的发光元件的2个以上的所述第2区域连接。
根据上述实施方式，通过对第4电极和第5电极施加电压，从而能够对发光元件施加电压，能够不使用第1电极和第2电极，对发光元件施加电压。因此，能够在对发光元件施加电压中使用与上述发光元件的排列时的电极结构（第1电极和第2电极）不同结构的布线（第4电极和第5电极），能够增大电压施加的自由度，电压施加变得容易。
此外，在一个实施方式中，
具备：基板截断工序，在所述元件排列工序之后，对所述第1基板进行截断。
根据上述实施方式，因为能够以一次的发光元件的排列来形成在规定的场所排列有多个发光元件的多个基板，因此能够削减制造成本。
此外，在一个实施方式中，
在所述元件排列工序中，在所述第1基板上排列1000个以上的所述发光元件。
根据上述实施方式，不需要用于发光元件的检查的成本，能够削减制造成本。
此外，（1）、本发明的显示装置的特征在于，具备：
基板；
多个第1布线，在所述基板上以在一个方向延伸的方式形成；
多个第2布线，在所述基板上以在另一个方向延伸的方式形成；以及
多个发光元件，在所述基板上呈矩阵状地配置，
所述各发光元件的一个端部直接电连接于所述多个第1布线中的一个，并且所述各发光元件的另一个端部直接电连接于所述多个第2布线中的一个，
所述各发光元件的长度相对于宽度的比是5以上且400以下，且其长度是0.5μm以上200μm以下。
在这里，上述发光元件具有圆形状、椭圆形状 、矩形形状、多角形状等的剖面，可以延伸成一直线状或曲线状，或具有弯曲部。 
此外，上述“宽度”指的是发光元件中的最粗的部分的宽度。
根据上述结构，所述各发光元件的一个端部直接电连接于多个第1布线中的一个，并且各发光元件的另一个端部直接电连接于所述多个第2布线中的一个，因此不需要在上述现有的显示装置中所需要的导线。结果，与上述现有的显示装置相比能够削减材料费和制造工序，能够以低成本进行制造。
此外，伴随着不需要上述导线，也不需要接合焊盘，因此在发光元件彼此之间不配置接合焊盘也可，能够缩窄发光元件彼此的间隔。在此基础上，所述各发光元件的长度相对于宽度的比是5以上且400以下，且其长度是0.5μm以上200μm以下，因此非常小。因此，本发明的显示装置能够使包含发光元件的像素部非常小，能够进行高精细的显示。
此外，因为上述长度相对于宽度的比是5以上且400以下，并且使其长度是200μm以下，因此通过对第1布线和第2布线之间施加电压，能够容易地在第1布线和第2布线之间配置发光元件。
当使上述长度相对于宽度的比不足5，或其比超过400，或其长度超过200μm时，即使进行上述电压的施加，也难以进行发光元件向第1布线和第2布线之间的配置。
此外，因为使上述各发光元件的长度为0.5μm以上，所以能够提高发光强度，获得所希望的发光强度。
当使上述各发光元件的长度为不足0.5μm时，发光强度低，不能获得所希望的发光强度。
在上述现有的显示装置中，由于在LED芯片彼此之间插入有接合焊盘，所以不能使LED芯片彼此的间隔狭窄，在现实上难以实现高精细的显示。
此外，因为上述发光元件的长度相对于宽度的比是5以上，所以发光元件是棒状。由此，能够增大从直接电连接在上述发光元件的一个端部的第1布线的部分，到直接电连接在该发光元件的另一个端部的第2布线的部分的距离。换句话说，能够延长在上述发光元件的一个端部形成的电触头部，与在该发光元件的另一个端部形成的电触头部之间的距离。结果，上述第1布线和第2布线的形成工序变得容易，因此能够降低制造成本。
以下，针对通过使上述长度相对于宽度的比为5以上带来的作用效果，使用图95、图96更详细地进行说明。
首先，假定有图95、图96的发光元件1、2。上述发光元件1的上表面是正方形（W1=L1），厚度是H1，体积是V1=W1×L1×H1=W12×H1。另一方面，上述发光元件2是棒状，厚度H2与发光元件1的厚度H1相等，宽度W2比发光元件1的宽度W1小，长度L2比发光元件1的长度L1大，体积V2与体积V1相等。在该情况下，W2×L2=W1×L1成立。而且，因为上述发光元件1的体积V1与发光元件2的体积V2相等，所以发光元件1的材料（例如昂贵的GaN）与发光元件2的材料的成本相同。
在将上述发光元件1、2电连接于2个布线的情况下，在发光元件1中能够在区域A1、B1形成电触头部，另一方面在发光元件2中能够在区域A2、B2中形成电触头部。在上述区域A1、A2、B1、B2分别形成电触头部时，发光元件1的电触头部间的距离为大约L1，发光元件2的电触头部间的距离为大约L2。由此 ，与关于上述发光元件1的2个布线间的距离相比，关于发光元件2的2个布线间的距离变长。
像这样，因为关于上述发光元件2的2个布线间的距离变长，所以用于布线的例如曝光装置是低规格的即可，能够降低装置成本。此外，如果上述布线间的距离变长的话，由于难以发生布线不良，所以也获得成品率的提高效果。进而，如果使上述布线间的距离为10μm以上的话，能够容易地在布线工艺中使用喷墨法，能够应用利用了卷对卷（roll to roll）的低成本工艺。
因此，通过使上述发光元件的长度相对于发光元件的宽度的比为5以上，从而发光元件变成棒状，因此能够不增加发光元件的材料成本，能够降低装置成本、能够使成品率提高，能够降低总的制造成本。
（2）一个实施方式的显示装置是，
在上述（1）的显示装置中，
所述发光元件具有：
棒状的第1导电型半导体；
第2导电型半导体，呈同轴状地覆盖所述第1导电型半导体的一部分。
在这里，上述“第1导电型”意味着P型或N型。此外，上述“第2导电型”在第1导电型是P型的情况下意味着N型，在是N型的情况下意味着P型。
根据上述实施方式，因为上述第2导电型半导体呈同轴状地覆盖棒状的第1导电型半导体的一部分，所以发光元件的发光面积变大。因此，能够提高上述显示装置的亮度。
（3）一个实施方式的显示装置是，
在上述（1）或（2）的显示装置中，
所述多个发光元件包含：射出红色光的红色发光元件、射出绿色光的绿色发光元件、以及射出蓝色光的蓝色发光元件。
根据上述实施方式，因为所述多个发光元件包含：射出红色光的红色发光元件、射出绿色光的绿色发光元件、以及射出蓝色光的蓝色发光元件，所以不使用荧光体就能够进行全彩色显示。
此外，通过在例如液晶显示装置的背光灯中使用上述实施方式的显示装置，从而能够从液晶显示装置去除滤色器，因此能够降低液晶显示装置的制造成本。
此外，在液晶显示装置的背光灯中使用上述实施方式的显示装置的情况下，能够提高液晶显示装置的颜色纯度、明亮度。
（4）一个实施方式的显示装置是，
在上述（3）的显示装置中，
以在对所述红色发光元件、绿色发光元件及蓝色发光元件流过同一电流时，当将所述红色发光元件的红色光、所述绿色发光元件的绿色光和所述蓝色发光元件的蓝色光混合时获得白色光的方式，调整所述红色发光元件、绿色发光元件及蓝色发光元件各自的发光面积。
根据上述实施方式，当对上述红色发光元件、绿色发光元件及蓝色发光元件流过同一电流，将红色发光元件的红色光、绿色发光元件的绿色光和蓝色发光元件的蓝色光混合时，获得白色光。
如果在对所述红色发光元件、绿色发光元件及蓝色发光元件流过同一电流，将所述红色发光元件的红色光、所述绿色发光元件的绿色光和所述蓝色发光元件的蓝色光混合也不能获得白色光的的情况下，为了在1个像素部获得白色，必须调解对红色发光元件、绿色发光元件及蓝色发光元件分别流过的电流量。结果，产生对所述红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件进行驱动的驱动电路变得复杂的问题。此外，在上述红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件中，必须对发光强度弱的发光元件流过大电流，也存在该发光强度弱的发光元件的寿命变短的问题。
因此，上述实施方式的显示装置中，不调节对红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件分别流过的电流量也可，因此能够以简单的驱动电路获得白色光，并且能够防止红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的寿命的劣化。
（5）一个实施方式的显示装置是，
在上述（1）或（2）的显示装置中，
具备：多个荧光体，被射入所述多个发光元件的出射光，
所述发光元件的出射光是紫外光，
所述多个荧光体包含：以所述紫外光的入射而射出红色光的红色荧光体，以所述紫外光的入射而射出绿色光的绿色荧光体，以所述紫外光的入射而射出蓝色光的蓝色荧光体。
根据上述实施方式，所述多个荧光体包含：以所述紫外光的入射而射出红色光的红色荧光体，以紫外光的入射而射出绿色光的绿色荧光体，以紫外光的入射而射出蓝色光的蓝色荧光体，因此仅以射出紫外光的发光元件就能够进行全彩色显示。
（6）一个实施方式的显示装置是，
在上述（5）的显示装置中，
以在对所述多个发光元件流过同一电流时，当将所述红色荧光体的红色光、所述绿色荧光体的绿色光和所述蓝色荧光体的蓝色光混合时获得白色光的方式，调整所述多个发光元件各自的发光面积。
根据上述实施方式，当对上述多个发光元件流过同一电流，将红色荧光体的红色光、绿色荧光体的绿色光和蓝色荧光体的蓝色光混合时，获得白色光。
如果在对上述多个发光元件流过同一电流，将红色荧光体的红色光、绿色荧光体的绿色光和蓝色荧光体的蓝色光混合也不能获得白色光的情况下，必须调节对各发光元件流过的电流量。结果，产生对所述多个发光元件进行驱动的驱动电路变得复杂的问题。此外，在上述多个发光元件中，必须对发光强度弱的发光元件流过大电流，也存在该发光强度弱的发光元件的寿命变短的问题。
因此，上述实施方式的显示装置中，不调节各发光元件流过的电流量也可，因此能够以简单的驱动电路获得白色光，并且能够防止多个发光元件的寿命的劣化。
（7）一个实施方式的显示装置是，
在上述（1）到（6）的显示装置中，
所述基板是柔性基板。
根据所述实施方式，因为所述基板是柔性基板，所以能够提高基板的配置的自由度。
（8）本发明的显示装置的制造方法中，
其特征在于具备：第1布线形成工序，在基板上形成在一个方向延伸的多个第1布线；
绝缘膜形成工序，以覆盖所述多个第1布线的方式在所述基板上形成绝缘膜；
露出工序，通过除去所述绝缘膜的一部分，从而形成多个开口部，在所述各开口部内使所述第1布线的一部分露出；
第2布线形成工序，在形成有所述多个开口部的绝缘膜上，形成在另一个方向延伸的多个第2布线，在所述各开口部内放入所述第2布线的一部分；
涂覆工序，在所述第1布线及所述第2布线上涂覆包含多个发光元件的液体；以及
排列工序，对所述第1布线及第2布线施加电压，以所述发光元件的一个端部位于所述开口部内的所述第1布线的一部分上，且所述发光元件的另一个端部位于所述开口部内的所述第2布线的一部分上的方式，排列所述多个发光元件。
根据上述结构，在上述第1布线和第2布线上涂覆了包含多个发光元件的液体之后，通过对第1布线和第2布线施加电压，从而能够在各开口部内的第1布线的一部分上配置发光元件的一个端部，并且在各开口部内的第2布线的一部分上配置发光元件的另一个端部，因此不一个一个地配置多个发光元件也可，能够一次进行多个发光元件的配置。
（9）一个实施方式的显示装置的制造方法是，
在上述（8）所述的显示装置的制造方法中，
所述多个发光元件包含：射出红色光的多个红色发光元件、射出绿色光的多个绿色发光元件、以及射出蓝色光的多个蓝色发光元件，
所述多个开口部包含：用于配置所述红色发光元件的多个红色发光元件用开口部、用于配置所述绿色发光元件的多个绿色发光元件用开口部、用于配置所述蓝色发光元件的多个蓝色发光元件用开口部，
所述第1布线的一部分在所述红色发光元件用开口部内、绿色发光元件用开口部内及蓝色发光元件用开口部内露出，
所述第2布线的一部分进入所述红色发光元件用开口部内、绿色发光元件用开口部内及蓝色发光元件用开口部内，
所述涂覆工序具有：
在所述第1布线及所述第2布线上，涂覆包含所述多个红色发光元件的液体的过程；
在所述第1布线及所述第2布线上，涂覆包含所述多个绿色发光元件的液体的过程；以及
在所述第1布线及所述第2布线上，涂覆包含所述多个蓝色发光元件的液体的过程，
所述排列工序具有：
对与所述红色发光元件对应的所述第1布线及第2布线施加电压，以所述红色发光元件的一个端部位于所述红色发光元件用开口部内的所述第1布线的一部分上，且所述红色发光元件的另一个端部位于所述红色发光元件用开口部内的所述第2布线的一部分上的方式，排列所述多个红色发光元件的过程；
对与所述绿色发光元件对应的所述第1布线及第2布线施加电压，以所述绿色发光元件的一个端部位于所述绿色发光元件用开口部内的所述第1布线的一部分上，且所述绿色发光元件的另一个端部位于所述绿色发光元件用开口部内的所述第2布线的一部分上的方式，排列所述多个绿色发光元件的过程；
对与所述蓝色发光元件对应的所述第1布线及第2布线施加电压，以所述蓝色发光元件的一个端部位于所述蓝色发光元件用开口部内的所述第1布线的一部分上，且所述蓝色发光元件的另一个端部位于所述蓝色发光元件用开口部内的所述第2布线的一部分上的方式，排列所述多个蓝色发光元件的过程。
根据上述实施方式，通过对与所述红色发光元件对应的第1布线和第2布线施加电压，能够在各红色发光元件用开口部内的第1布线的一部分上配置红色发光元件的一个端部，并且在各红色发光元件用开口部内的第2布线的一部分上配置红色发光元件的另一个端部，因此不一个一个地配置多个红色发光元件也可，能够一次进行多个发光元件的配置。
此外，通过对与所述绿色发光元件对应的第1布线和第2布线施加电压，能够在各绿色发光元件用开口部内的第1布线的一部分上配置绿色发光元件的一个端部，并且在各绿色发光元件用开口部内的第2布线的一部分上配置绿色发光元件的另一个端部，因此不一个一个地配置多个绿色发光元件也可，能够一次进行多个发光元件的配置。
此外，通过对与所述蓝色发光元件对应的第1布线和第2布线施加电压，能够在各蓝色发光元件用开口部内的第1布线的一部分上配置蓝色发光元件的一个端部，并且在各蓝色发光元件用开口部内的第2布线的一部分上配置蓝色发光元件的另一个端部，因此不一个一个地配置多个蓝色发光元件也可，能够一次进行多个发光元件的配置。
因此，仅进行1次所述多个红色发光元件的排列、1次多个绿色发光元件的排列和1次多个蓝色发光元件的排列，也就是说，仅进行3次排列的过程，就能将多个红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件分别配置在所希望的位置。
（10）一个实施方式的显示装置的制造方法是，
在上述（8）所述的显示装置的制造方法中，
所述发光元件的出射光是紫外光，
所述多个开口部包含：多个红色荧光体用开口部、多个绿色荧光体用开口部、以及多个蓝色荧光体用开口部，
所述第1布线的一部分在所述红色荧光体用开口部内、绿色荧光体用开口部内及蓝色荧光体用开口部内露出，
所述第2布线的一部分进入所述红色荧光体用开口部内、绿色荧光体用开口部内及蓝色荧光体用开口部内，
所述显示装置的制造方法具备：荧光体形成工序，在所述红色荧光体用开口部内形成接受所述紫外光而射出红色光的红色荧光体，在所述绿色荧光体用开口部内形成接受所述紫外光而射出绿色光的绿色荧光体，在所述蓝色荧光体用开口部内形成接受所述紫外光而射出蓝色光的蓝色荧光体。
根据上述实施方式，因为在红色荧光体用开口部内形成接受所述紫外光而射出红色光的红色荧光体，在绿色荧光体用开口部内形成接受紫外光而射出绿色光的绿色荧光体，在蓝色荧光体用开口部内形成接受紫外光而射出蓝色光的蓝色荧光体，因此使用射出紫外光的发光元件能够进行全彩色显示。
此外，上述全彩色显示能够使发光元件的种类为1种，因此能够以低成本来实现。 
此外，一个实施方式的显示装置的制造方法是，
在上述（8）~（10）所述的显示装置的制造方法中，
所述各发光元件的长度相对于宽度的比是5以上且400以下，且其长度是0.5μm以上200μm以下。
（11）本发明的显示装置的驱动方法是，
使上述（1）到（7）的显示装置进行显示，其特征在于，
对所述第1布线及第2布线施加交流电压，使所述发光元件发光。
根据上述结构，因为对上述第1布线和第2布线施加交流电压，使发光元件发光，所以即使连接于第1布线的多个发光元件的一个端部的极性没有统一，也能够使多个发光元件均匀地发光。因此，不需要用于统一连接于上述第1布线的多个发光元件的一个端部的极性的控制，能够防止制造工序变得复杂。
此外，本发明的液晶显示装置的特征在于，具备：
使光透射的第1基板；
使光透射的第2基板；
液晶，填充在所述第1基板和所述第2基板之间；以及
发光元件，配置在所述第1基板的所述液晶侧的相反侧的面。
在这里，在本说明书中，例如所述第1基板是TFT（薄膜晶体管）基板或滤色器基板的一方的基板，所述第2基板是TFT基板或滤色器基板的另一方的基板。在上述TFT基板设置有作为开关元件的薄膜晶体管（TFT）。在上述滤色器基板，设置有遮蔽从发光元件发出的光的黑矩阵，或者在黑矩阵之外，还设置有红色、绿色和蓝色的着色层。
根据本发明的液晶显示装置，因为上述发光元件配置在上述第1基板，所以发光元件直接形成在构成液晶显示装置的2枚基板中的一方的基板。因此，不需要在现有的背光灯装置中所需要的、用于配置发光元件的基板。
因此，能够较薄地形成以发光元件构成的背光灯部，能够实现薄型的液晶显示装置。
此外，在一个实施方式的液晶显示装置中，
所述发光元件具有：
棒状的第1导电型的半导体核心；以及
以覆盖上述半导体核心的方式形成的第2导电型的半导体层，
所述发光元件以所述发光元件的轴与所述第1基板的所述面大致平行的方式配置在所述第1基板。
根据该实施方式的液晶显示装置，因为上述发光元件是棒状结构的发光元件，所以从发光元件发出的光将发光元件的轴作为中心向360度方向照射。因此，在将发光元件配置在第1基板上的工序中，不需要控制将上述轴作为中心的旋转方向。因此，能够容易地进行发光元件的排列。
此外，上述发光元件是棒状结构的发光元件，因此能够增大发光元件的平均每体积的发光面积。因此 ，能够减小用于获得所希望的光量的发光元件的尺寸，能够降低发光元件的材料费。因此，能够降低液晶显示装置的成本。
此外，在一个实施方式的液晶显示装置中，
在所述第1基板或所述第2基板设置有使从所述发光元件发出的光通过的光通过区域，
所述发光元件从与所述第1基板的所述面正交的方向来看，配置在与所述光通过区域重叠的位置，所述发光元件比所述光通过区域小。
根据本实施方式的液晶显示装置，因为在与上述光通过区域重叠的位置配置有比该光通过区域小的上述发光元件，所以能够高效率地利用从发光元件发出的光。即，通过不将发光元件配置在不与光通过区域重叠的位置，从而能够抑制不有助于显示的光的照射，能够谋求低功耗化。
此外，能够对1个光通过区域配置1个发光元件，能够使发光元件和光通过区域的位置关系相同。因此，背光灯的光按每个像素为固定，不产生亮度不均。相对于此，在现有的背光灯装置中，发光元件的数量相对于液晶面板的像素数通常较少。因此，发光元件的位置与像素的位置的关系按每个像素而不同，因此来自发光元件的光强度按每个像素而不同，在背光灯的光中产生亮度不均。
此外，由于在与形成液晶面板的上述第1基板同一基板上形成发光元件，所以配合上述光通过区域能够控制性良好地配置发光元件。即，能够控制良好地进行光通过区域与发光元件的对准。
此外，在一个实施方式的液晶显示装置中，具有：反射膜，使所述发光元件发出的光向所述第1基板侧反射。
根据本实施方式的液晶显示装置，因为具有使所述发光元件发出的光向所述第1基板侧反射的反射膜，所以能够使发光元件对第1基板的液晶侧的相反的朝向照射的光高效率地向液晶反射。因此，能够高效率地利用从发光元件发出的光。
此外，在一个实施方式的液晶显示装置中，所述反射膜层叠在透明的保护膜上，所述透明的保护膜层叠在所述发光元件上。
根据本实施方式的液晶显示装置，因为所述反射膜层叠在透明的保护膜上，所述透明的保护膜层叠在所述发光元件上，所以通过调整保护膜的膜厚和形状，从而能够使光不浪费地照射在设置于第1基板或第2基板的光通过区域。
此外，在一个实施方式的液晶显示装置中，在所述第1基板的所述液晶侧的面设置有作为开关元件的薄膜晶体管。
根据本实施方式的液晶显示装置，因为在上述第1基板的上述液晶侧的面设置有作为开关元件的薄膜晶体管（TFT），所以从发光元件发出的光从形成有TFT的基板侧向液晶入射。
而且，从形成有TFT的基板侧使光入射，这一点与通常的液晶显示装置相同。因此，能够不较大地改变液晶显示装置的结构来实现薄型的液晶显示装置。
此外，在一个实施方式的液晶显示装置中，在所述第2基板的所述液晶侧的面设置有作为开关元件的薄膜晶体管。
根据本实施方式的液晶显示装置，因为在上述第2基板的上述液晶侧的面设置有作为开关元件的薄膜晶体管（TFT），所以从发光元件发出的光从形成有TFT的基板侧的相反的基板侧向液晶入射。
而且，由于在分别不同的基板上形成发光元件和TFT，所以在配置发光元件的工序中，能够防止对TFT造成损伤，或者在形成TFT的工序中，能够防止对发光元件造成损伤。
发明的效果
根据以上很明显，根据本发明的发光装置的制造方法、发光装置、照明装置、背光灯及液晶面板，能够降低制造成本，能够减小特性偏差来使成品率提高。
此外，根据本发明的发光装置的制造方法，因为不个别地操作一个一个的发光元件，就能够以一次的处理将多个发光元件排列在规定的场所，所以能够削减制造成本。
本发明的显示装置通过将发光元件的一个端部直接电连接于第1布线，并且将发光元件的另一个端部直接电连接于第2布线，从而不以导线电连接第1布线和第2布线和发光元件也可，因此能够以低成本来制造。
此外，通过将所述发光元件的一个端部直接电连接于第1布线，并且将发光元件的另一个端部直接电连接于第2布线，从而不需要接合焊盘，因此能够缩窄发光元件彼此的间隔。在此基础上，所述发光元件的长度相对于宽度的比是5以上且400以下，且其长度是0.5μm以上200μm以下，因此非常小。因此，本发明的显示装置能够使各像素部非常小，能够进行高精细的显示。
本发明的显示装置的制造方法中，在上述第1布线和第2布线上涂覆了包含多个发光元件的液体之后，通过对第1布线和第2布线施加电压，从而能够在各开口部内的第1布线的一部分上配置发光元件的一个端部，并且在各开口部内的第2布线的一部分上配置发光元件的另一个端部，因此不一个一个地配置多个发光元件也可，能够一次进行多个发光元件的配置。
本发明的显示装置的驱动方法中，因为对上述第1布线和第2布线施加交流电压，使发光元件发光，所以即使连接于第1布线的多个发光元件的一个端部的极性没有统一，也能够使多个发光元件均匀地发光。因此，不需要用于统一连接于上述第1布线的多个发光元件的一个端部的极性的控制，能够防止制造工序变得复杂。
根据本发明的液晶显示装置，因为上述发光元件配置在上述第1基板，所以能够较薄地形成以发光元件构成的背光灯部，能够实现薄型的液晶显示装置。
附图说明
本发明根据以下的详细说明和附图就能够充分地理解了。附图仅用于说明，而不限制本发明。在附图中，
图1是本发明的第1实施方式的发光装置中使用的第1发光元件的制造方法的工序图。
图2是接着图1的工序图。
图3是接着图2的工序图。
图4是本发明的第1实施方式的发光装置中使用的第2发光元件的制造方法的工序图。
图5是接着图4的工序图。
图6是接着图5的工序图。
图7是接着图6的工序图。
图8是接着图7的工序图。
图9是接着图8的工序图。
图10是接着图9的工序图。
图11是接着图10的工序图。
图12是接着图11的工序图。
图13是接着图12的工序图。
图14是接着图13的工序图。
图15是接着图14的工序图。
图16是接着图15的工序图。
图17是接着图16的工序图。
图18是本发明的第1实施方式的发光装置中使用的绝缘性基板的平面图。
图19是从图18的XIX－XIX线来观察的剖面示意图。
图20是说明排列上述棒状结构发光元件的原理的图。
图21是用于说明在排列上述棒状结构发光元件时对电极赋予的电位的图。
图22是排列了上述棒状结构发光元件的绝缘性基板的平面图。
图23是本发明的第1实施方式的另一个发光装置的制造方法的工序图。
图24是接着图23的工序图。
图25是接着图24的工序图。
图26是本发明的第1实施方式的另一个发光装置的制造方法的工序图。
图27是接着图26的工序图。
图28是接着图27的工序图。
图29是接着图28的工序图。
图30是接着图29的工序图。
图31是用于说明本发明的第1实施方式的发光装置的制造方法的基板分割工序的图。
图32是本发明的第2实施方式的照明装置中使用的发光装置的平面图。
图33是上述发光装置的侧面图。
图34是作为使用上述发光装置的照明装置的一例的LED电灯泡的侧面图。
图35是本发明的第3实施方式的使用发光装置的背光灯的平面图。
图36是本发明的第4实施方式的使用发光装置的背光灯的平面图。
图37是本发明的第5实施方式的使用发光装置的液晶面板的平面图和侧面图。
图38是本发明的其他实施方式的发光装置的制造方法中使用的棒状结构发光元件的侧面图和端面图。
图39是表示上述发光装置的制造方法的将包含棒状结构发光元件的溶液涂覆在绝缘性型基板上的工序的图。
图40是表示对在上述绝缘性基板上涂覆的溶液进行摩擦处理的工序的图。
图41是表示对摩擦处理了的绝缘性基板进行干燥的工序的图。
图42是表示对排列有上述棒状结构发光元件的绝缘性基板的与棒状结构发光元件的长尺寸方向正交的直线区域进行蚀刻，使p型半导体核心的一部分露出的工序的图。
图43是表示在上述绝缘性基板形成金属布线的工序的图。
图44是本发明的其他实施方式的使用发光装置的液晶面板的侧面图。
图45是第6实施方式的发光装置的制造方法中使用的第1基板的平面图。
图46是从图1的XII－XII线来观察的剖面示意图。
图47表示棒状结构发光元件排列在第1、第2电极上的原理的图。
图48是表示电力线不一样的情况的图。
图49是表示能在本发明中使用的宽度0.5μm~10μm的电极的图。
图50是排列了棒状结构发光元件的绝缘性基板的平面图。
图51表示使用排列了棒状结构发光元件的绝缘性基板的显示装置的平面图。
图52是用于说明第7实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图53是用于说明第8实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图54是用于说明第9实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图55是表示在第9实施方式中对第3电极施加的电压的例子的图。
图56是表示在第9实施方式中对第3电极施加的电压的例子的图。
图57是用于说明第10实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图58是用于说明第11实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图59是用于说明第12实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图60是用于说明第15实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图61是说明发光元件不是棒状发光元件的情况下的问题点的示意图。
图62是说明发光元件不是棒状发光元件的情况下的问题点的示意图。
图63是用于说明第16实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图64是用于说明第17实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图65是用于说明第18实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图66是用于说明第18实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图67是用于说明第19实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图68是用于说明第19实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图69是用于说明第20实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图70是用于说明第20实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图71是用于说明第21实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图72是用于说明第21实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图73是用于说明第22实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图74是用于说明第22实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图75是用于说明第23实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图76是用于说明第23实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图77是用于说明第24实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
图78A是表示具有纵积叠结构的棒状发光元件的示意图。
图78B是表示具有核心-壳-壳结构的棒状发光元件的示意图。
图79A是表示棒状发光元件的直径比500nm小的发光装置的一例的示意图。
图79B是表示棒状发光元件的直径比500nm大的发光装置的示意图。
图80是表示在本发明中能够制造的发光装置的结构的图。
图81是用于说明发生棒状发光元件的交叉的机理的图。
图82A是表示棒状发光元件是原因的一个不良结构的示意图。
图82B是表示能够防止图82A所示的不良结构的结构的示意图。
图83A是表示棒状发光元件是原因的一个不良结构的示意图。
图83B是表示能够防止图83A所示的不良结构的结构的示意图。
图84A是表示棒状发光元件是原因的一个不良结构的示意图。
图84B是表示能够防止图84A所示的不良结构的结构的示意图。
图85是表示有效的棒状发光元件的直径和长度的关系的图。
图86是本发明的第25实施方式的显示装置的概略结构图。
图87是本发明的第25实施方式的棒状红色LED元件的概略立体图。
图88是本发明的第25实施方式的棒状绿色LED元件的概略立体图。
图89是本发明的第25实施方式的棒状蓝色LED元件的概略立体图。
图90A是本发明的第25实施方式的棒状蓝色LED元件的制造方法的工序图。
图90B是接着图90A的棒状蓝色LED元件的制造方法的工序图。
图90C是接着图90B的棒状蓝色LED元件的制造方法的工序图。
图90D是接着图90C的棒状蓝色LED元件的制造方法的工序图。
图90E是接着图90D的棒状蓝色LED元件的制造方法的工序图。
图91A是本发明的第25实施方式的显示装置的制造方法的工序图。
图91B是接着图91A的显示装置的制造方法的工序图。
图91C是接着图91B的显示装置的制造方法的工序图。
图91D是接着图91C的显示装置的制造方法的工序图。
图91E是接着图91D的显示装置的制造方法的工序图。
图91F是接着图91D的显示装置的制造方法的工序图。
图91G是接着图91F的显示装置的制造方法的工序图。
图91H是接着图91G的显示装置的制造方法的工序图。
图91I是接着图91H的显示装置的制造方法的工序图。
图91J是接着图91H的显示装置的制造方法的工序图。
图91K是接着图91H的显示装置的制造方法的工序图。
图92是本发明的第26实施方式的显示装置的概略结构图。
图93是本发明的第27实施方式的显示装置的概略结构图。
图94是上述第27实施方式的显示装置的要部的概略剖面图。
图95是用于说明本发明的显示装置的一个作用效果的图。
图96是用于说明本发明的显示装置的一个作用效果的图。
图97是表示本发明的第28实施方式的液晶显示装置的简略剖面图。
图98是发光元件的立体图。
图99A是表示发光元件的制造方法的第1工序的剖面图。
图99B是表示发光元件的制造方法的第2工序的剖面图。
图99C是表示发光元件的制造方法的第3工序的剖面图。
图99D是表示发光元件的制造方法的第4工序的剖面图。
图99E是表示发光元件的制造方法的第5工序的剖面图。
图100是表示液晶显示装置的电极的平面图。
图101是表示将发光元件排列在电极的方法并且从图4的A-A线观察的剖面图。
图102是表示将发光元件排列在电极的状态的平面图。
图103是表示将发光元件排列在电极的状态并且从图6的B-B线观察的剖面图。
图104是表示在发光元件设置有反射膜的状态的剖面图。
图105是表示比较例的剖面图。
图106是表示本发明的第29实施方式的液晶显示装置的简略剖面图。
图107是表示本发明的第30实施方式的液晶显示装置的简略剖面图。
图108是表示将发光元件排列在电极的状态的平面图。
图109是现有的发光装置的剖面图。
图110是表示现有的发光装置的立体图。
具体实施方式
以下，通过图示的实施方式，详细地说明本发明的发光装置的制造方法、发光装置、照明装置、背光灯及液晶面板。在该实施方式中，在发光元件中使用掺杂了Si的n型GaN和掺杂了Mg的p型GaN，但掺杂到GaN的杂质并不限于此。
（第1实施方式）
在本发明的第1实施方式的说明中，首先，作为发光装置的制造方法和在发光装置中使用的发光元件，在以下的（1）中针对第1发光元件的制造方法（图1~图3所示）进行说明，并且在（2）中针对第2发光元件（图4~图17所示）的制造方法进行说明，进而在（3）~（5）中针对发光元件向同一基板上的配置工序、布线工序进行说明之后，在（6）中说明基板分割工序（图31所示）。
（1）第1发光元件的制造方法
图1~图3示出本发明的第1实施方式的发光装置中使用的第1发光元件的制造方法的工序图。以下，参照图1~图3对第1发光元件的制造方法进行说明。
首先，如图1所示，在n型GaN基板20上形成n型GaN层1。使用MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition,金属有机物化学气相沉积）装置，使棒状n型GaN结晶生长。该棒状的n型GaN1能够通过将生长温度设定为700℃~800℃左右，作为生长气体使用三甲基镓（TMG）和氨（NH3），将硅烷（SiH4）用于n型杂质供给，进而作为载气供给氢（H2），从而能够使将Si作为杂质的n型GaN层1生长。另一方面，当在低温（例如600℃或其以下）、高温（例如1000℃或其以上）使GaN生长时，在低温的情况下，形成的GaN进行偏向上方向的生长，成为尖细形状，此外，在高温的情况下，形成的GaN进行偏向侧方的生长，不是棒状而变成薄膜状。
接着，如图2所示，在n型GaN层1上使InGaN量子阱层2生长。量子阱层2能够通过根据发光波长使设定温度为750℃，对载气供给氮（N2），对生长气体供给TMG和NH3、三甲基铟（TMI），从而能够在n型GaN层1上形成由p型InGaN构成的量子阱层2。再有，该量子阱层也可以在InGaN层和p型GaN层之间插入作为电子阻挡层的p型AlGaN层。此外，也可以是将GaN的阻挡层和InGaN的量子阱层交替地层叠的多重量子阱结构。
接着，在InGaN量子阱层2上形成p型GaN层3。该p型GaN层3能够通过使设定温度为800℃，作为生长气体使用TMG和NH3，为了供给p型杂质而使用Cp2Mg，从而形成p型GaN层3。
接着，如图3所示，通过对由n型GaN层1和量子阱层2和p型GaN层3构成的多个棒状结构发光元件10在IPA等的溶液中施加超声波振动，从而使多个棒状结构发光元件10从基板分离。
在上述第1实施方式的发光装置中使用的第1发光元件的制造方法中，通过形成在作为外延基板的n型GaN基板20上形成的多个元件，使用从该n型GaN基板20上分离的多个棒状结构发光元件10，从而与按每个发光元件截断基板进行使用相比，能够再利用n型GaN基板20，因此能够降低成本。
在本实施方式中，作为棒状发光元件使用棒状结构发光元件10，但棒状结构发光元件并不局限于此，例如也可以是在n型GaN基板上使用具有生长孔的生长掩模、金属离子（metal species）等使多个棒状的发光元件生长之后，从基板切掉也可。
在上述第1实施方式中使用棒状的发光元件，但本发明的发光元件并不局限于此，也可以是具有圆形状、椭圆状、正方形状、矩形状、多角形状等的平坦的发光面，以该发光面相对于基板平行的方式配置在安装面上的方式的发光元件。
（2）第2发光元件的制造方法
此外，图4~图17是依次表示本发明的第1实施方式的发光装置中使用的第2发光元件的制造方法的工序图。
在该第2实施方式中，首先，如图4所示，对准备的蓝宝石基板101进行洗净。
接着，如图5所示，在蓝宝石基板101上对n型GaN膜102进行成膜。
接着，如图6所示，在n型GaN膜102上通过沉积形成掩模层103。该掩模层103例如以SiN或SiO2制作。
接着，在上述掩模层103上涂覆抗蚀剂层105，进行曝光和显影（develop），进而进行干法蚀刻，如图7所示，在抗蚀剂层105和掩模层103形成孔105A、103A。通过该孔105A、103A，n型GaN膜102的一部分102A露出。上述掩模层103成为生长掩模，在上述掩模层103形成的孔103A成为生长孔。
接着，在触媒金属形成工序中，如图8所示，在抗蚀剂层105上和孔103A中露出的n型GaN膜102的一部分102A上蒸镀（沉积）触媒金属106。作为该触媒金属106，例如能够采用Ni、Fe等。
接着，通过剥离（lift off），除去抗蚀剂层105和抗蚀剂层105上的触媒金属106，如图9所示，残留n型GaN膜102的一部分102A上的触媒金属106，接着进行洗净。
接着，在半导体核心形成工序中，如图10所示，使用MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：金属有机物化学气相沉积）装置，使n型GaN结晶生长，在触媒金属106的存在下形成剖面大致六角形的棒状的半导体核心107。使该棒状的半导体核心107，例如生长到长度25μm。将生长温度设定为800℃左右，作为生长气体使用三甲基镓（TMG）和氨（NH3），将硅烷（SiH4）用于n型杂质供给，进而作为载气供给氢（H2），由此能够使将Si作为杂质的n型GaN的半导体核心107生长。在这里，n型GaN是六方晶系的结晶生长，将相对于蓝宝石基板101表面的垂直方向作为c轴方向进行生长，由此能够得到六角柱形状的半导体核心。虽然也依赖于生长方向、生长温度等的生长条件，但在生长的半导体核心的直径是从数10nm到数100nm左右的较小的情况下，有剖面容易变为接近圆形的形状的倾向，当直径变大到从0.5μm左右到数μm时，有容易使剖面以大致六角形生长的倾向。
形成多个上述抗蚀剂层105的孔105A、掩模层103的孔103A，在该多个孔105A、103A中露出的多处n型GaN膜102的一部分102A形成触媒金属106，形成多根棒状的半导体核心107。
接着，如图11所示，通过MOCVD，以覆盖由n型GaN构成的半导体核心107和掩模层103的方式，对由p型InGaN构成的量子阱层108进行成膜。该量子阱层108能够通过根据发光波长使设定温度为750℃，对载气供给氮（N2），对生长气体供给TMG和NH3、三甲基铟（TMI），从而在n型GaN半导体核心107上和掩模层103上形成由p型InGaN构成的量子阱层108。再有，该量子阱层也可以在InGaN层和p型GaN层之间插入作为电子阻挡层的p型AlGaN层。此外，也可以是将GaN的阻挡层和InGaN的量子阱层交替地层叠的多重量子阱结构。
接着，在半导体层形成工序中，如图11所示，通过MOCVD，在量子阱层108的整个面形成由p型GaN构成的半导体层110。该半导体层110能够通过使设定温度为900℃，作为生长气体使用TMG和NH3，为了p型杂质供给而使用Cp2Mg，由此能够形成由p型GaN构成的半导体层110。
在上述利用MOCVD的量子阱层108和半导体层110的生长中，因为在附着有触媒金属106的状态下进行成膜，所以与覆盖半导体核心107的侧面107B的部分的生长速度相比，触媒金属106和半导体核心107的顶端面107A之间的部分的生长速度快，例如是10倍~100倍。作为具体的一个例子，相对于附着有触媒金属106之处的GaN的生长速度是50~100μm/小时，没有附着触媒金属之处的GaN的生长速度是1~2μm/小时。由此，在量子阱层108、半导体层110中，其顶端部108A、110A的膜厚与侧面部108B、110B的膜厚相比变厚。
接着，如图12所示，在触媒金属除去工序中，在通过蚀刻除去半导体核心107上的触媒金属106之后进行洗净，通过退火使半导体层110为活性。在这里，因为覆盖上述半导体核心107的顶端面107A的量子阱层108、半导体层110的顶端部108A、110A的厚度，比覆盖半导体核心107的侧面107B的量子阱层108、半导体层110的侧面部108B、110B的厚度厚，所以金属除去面的损伤、缺陷难以对PN结造成坏影响。此外，能够防止在蚀刻时半导体核心107从半导体层110露出。
接着，如图13所示，在由p型GaN构成的半导体层110的整个面形成导电膜111。该导电膜111的材质能够采用多晶硅、ITO（氧化铟锡）等。该导电膜111的膜厚例如设为200nm。然后，在对上述导电膜111成膜后，通过以500℃~600℃进行热处理，能够降低由p型GaN构成的半导体层110和导电膜111的接触电阻。再有，导电膜111不限于此，例如也可以使用厚度5nm的Ag/Ni或Au/Ni的半透明的层叠金属膜等。该层叠金属膜的成膜能够使用蒸镀法或溅射法。进而，为了进一步降低导电层的电阻，也可以在ITO的导电膜上层叠Ag/Ni或Au/Ni的层叠金属膜。
接着，如图14所示，通过干法蚀刻的RIE（反应性离子蚀刻），除去在半导体核心107上和掩模层103上在横方向延伸的部分的导电膜111。此外，通过上述RIE，将覆盖半导体核心107的顶端面107A上的半导体层110的顶端部110A仅除去某种厚度的量。此外，通过上述RIE，除去在掩模层103上越过导电膜111在横方向延伸的区域的半导体层110。此外，通过上述RIE，除去在掩模层103上越过导电膜111在横方向延伸的区域的量子阱层108。
如上所述，在上述RIE之前，量子阱层108的顶端部108A的膜厚与侧面部108B的膜厚相比充分厚，半导体层110的顶端部110A的膜厚与侧面部110B的膜厚相比充分厚，因此在上述RIE之后，半导体核心107不会在顶端部露出。因此，通过上述RIE，覆盖半导体核心107的顶端面的量子阱层108、半导体层110，和覆盖半导体核心107的侧面的量子阱层108、半导体层110、导电膜111残留。
接着，如图15所示，通过蚀刻除去掩模层103（图14所示）。在该掩模层103由氧化硅（SiO2）构成的情况下，通过使用包含氢氟酸（HF）的溶液，能够容易地不对半导体核心107和覆盖半导体核心107的半导体层110、导电膜111的部分造成影响地对掩模层3进行蚀刻。此外，通过使用CF4的干法蚀刻，能够容易地不对半导体核心107和覆盖半导体核心107的半导体层110、导电膜111的部分造成影响地对掩模层103进行蚀刻。由此，在半导体核心107中，蓝宝石基板101侧的露出部分107C的外周面露出。
接着，如图16所示，通过RIE（反应性离子蚀刻），对基底n型GaN膜102进行蚀刻，使蓝宝石基板101表面露出。由此，形成与半导体核心107相连的由n型GaN构成的阶部102B。在这里，因为使顶端面107A上的半导体层110和量子阱层108的厚度与基底n型GaN膜102的厚度相比充分厚，所以通过上述RIE，能够不使半导体核心107的顶端面107A露出。
由此，在蓝宝石基板101上形成棒状结构的发光元件，该棒状结构的发光元件以如下部分构成，由上述n型GaN构成的半导体核心107、由p型InGaN构成的量子阱层108、由p型GaN构成的半导体层110和导电膜111、由n型GaN构成的阶部102B。
接着，在切断工序中，通过将基板浸入异丙醇（IPA）水溶液中，使用超声波（例如数10KHz）使基底基板（蓝宝石基板101）沿着基板平面振动，从而以使在基底基板1上竖立设置的半导体核心107折弯的方式，对被量子阱层108、半导体层110和导电膜111覆盖的半导体核心107施加应力，如图17所示，从基底基板切断被量子阱层108、半导体层110和导电膜111覆盖的半导体核心107。
这样，能够制造从基底基板割断的微细的棒状结构发光元件100。
此外，使用超声波从基板割断上述半导体核心107，但并不局限于此，也可以使用切断工具从基板机械地将半导体核心折弯来割断。在该情况下，能够以简单的方法将在基板上设置的微细的多个棒状结构发光元件在短时间切断。
进而，在上述棒状结构发光元件100中，半导体层110从半导体核心107的外周面起在半径方向向外向结晶生长，径向的生长距离短且向外向避免缺陷，所以能够通过结晶缺陷少的半导体层110覆盖半导体核心107。因此，能够实现特性良好的棒状结构发光元件。
根据本发光元件的制造方法，能够制造从基底基板割断的微细的棒状结构发光元件100。此外，能够再利用上述蓝宝石基板101。此外，上述棒状结构发光元件100能够减少使用的半导体的量，能够实现使用了发光元件的装置的薄型化和轻量化，并且通过从被半导体层110覆盖的半导体核心107的全周放出光，发光区域变宽，因此能够实现发光效率高且省电的发光装置、背光灯、照明装置以及显示装置等。此外，如图16所示，通过RIE（反应性离子蚀刻），对基底n型GaN膜102进行蚀刻形成阶部102B，但也可以省略该基底n型GaN膜102的蚀刻，从没有阶部102B的基底n型GaN膜102割断半导体核心107，制作没有阶部102B的棒状结构发光元件。
在这里，因为将棒状结构发光元件100的直径设为1μm，将长度设为25μm，所以平均每1个棒状结构发光元件100的发光面积即量子阱层108的面积是大约（25×π×（0.5）2μm2-（露出部分107C的外周面积））。
此外，棒状结构发光元件100具有以同心状包围棒状的半导体核心107的筒状的发光面（量子阱层108），从而与同一体积的具有平坦的发光面的发光元件相比，每1个棒状结构发光元件100的发光面的面积增大，能够削减用于获得规定的明亮度的发光元件数，能够削减成本。
此外，棒状结构发光元件100具有p型的棒状的半导体核心107和覆盖该半导体核心107的外周的n型的筒状的半导体层110，半导体核心107的一端侧露出，由此能够在半导体核心107的一端侧的露出部分107C连接一方的电极，在半导体核心107的另一端侧的导电膜111连接电极，能够使电极分离地连接到两端，能够防止连接到导电膜111的电极和半导体核心107的露出部分107C短路，因此布线容易。
再有，上述半导体核心107的露出部分107C和被半导体层110覆盖的包覆部分的各自的剖面不限于是六角形状，也可以是其他的多角形、圆形的剖面形状，此外，半导体核心的露出部分和包覆部分也是不同的剖面形状。
此外，根据该第1实施方式的第2发光元件的制造方法，因为不仅在n型的半导体核心107的顶端面107A，也在侧面107B形成p型的半导体层110，所以能够增大pn结的面积，能够增大发光面积，能够提高发光效率。此外，因为使用上述触媒金属106形成n型的半导体核心107，所以能够加快n型的半导体核心107的生长速度。因此，与现有技术相比能够以短时间增长半导体核心107，能够进一步增大与n型的半导体核心107的长度成比例关系的发光面积。此外，因为上述n型的半导体核心107的顶端面107A和侧面被p型的半导体层110覆盖，所以能够防止用于p型的半导体层110的电极与n型的半导体核心107短路。
此外，根据该第1实施方式的第2发光元件的制造方法，因为在残留了触媒金属106的状态下形成p型的量子阱层108、p型的半导体层110，所以能够在同一制造装置内连续地进行n型的半导体核心107的形成和p型的量子阱层108、p型的半导体层110的形成。由此，能够实现工序削减、制造时间的缩短。此外，因为在形成上述n型的半导体核心107之后，不需要将该半导体核心107取出制造装置外，所以能够不使污染物附着在n型的半导体核心107的表面，能够改善元件特性。此外，因为能够连续地进行上述n型的半导体核心107的形成和p型的量子阱层108、p型的半导体层110的形成，所以能够回避大的温度变化、生长的停止等而改善结晶性，能够改善元件特性。此外，通过在形成上述n型的半导体核心107之后不立刻进行除去触媒金属106的蚀刻，从而能够消除向n型的半导体核心107的表面（即，与p型的半导体层110的界面）的损伤，能够改善元件特性。
此外，在该第1实施方式的第2发光元件的制造方法中，因为在蓝宝石基板101上附着有触媒金属106的状态下依次形成n型的半导体核心107和p型的半导体层110，所以与触媒金属106相接的部分的生长速度与不与触媒金属106相接的部分的生长速度相比，变得格外地（例如10~100倍）快。因此，能够制作尺寸的纵横比高的发光元件。在该第2实施方式中，作为一个例子，将棒状结构发光元件100的直径设为1μm、长度设为25μm。此外，因为在上述触媒金属106下能够连续地层叠n型的半导体核心107和p型的半导体层110，所以能够减少PN结部的缺陷。
此外，根据该第1实施方式的第2发光元件的制造方法，因为除去掩模层103使半导体核心107的蓝宝石基板101侧的露出部分107C露出，所以能够减少半导体层110的蚀刻量。此外，上述棒状结构发光元件100能够通过与半导体核心107相连的由n型GaN构成的阶部102B，对半导体核心107容易地取得接触。此外，上述棒状结构发光元件100能够通过量子阱层108提高发光效率。
此外，在上述第2发光元件的制造方法中，在蓝宝石基板101上对n型GaN膜102进行了成膜，但也可以去除在蓝宝石基板101上对n型GaN膜102进行成膜的工序，而在蓝宝石基板101上直接形成掩模层103。此外，在上述触媒金属除去工序中，通过蚀刻除去了半导体核心107上的触媒金属106，但也可以去除该触媒金属除去工序，在残留了触媒金属106的状态下形成导电膜111。此外，在上述实施方式中，如图14所示，通过RIE对导电膜111、由p型GaN构成的半导体层110、量子阱层108进行了蚀刻，但也可以没有该利用RIE的蚀刻工序，而在接下来的除去掩模层103的工序中，通过各层一起剥离来除去掩模层103。
此外，在上述第2发光元件的制造方法中，使用MOCVD装置使半导体核心107结晶生长，但也可以使用MBE（分子束外延）装置等的其它结晶生长装置来形成半导体核心。此外，使用具有生长孔的生长掩模使半导体核心在基板上结晶生长，但也可以在基板上配置金属离子，从金属离子使半导体核心结晶生长。
此外，在上述第2发光元件的制造方法中，使用超声波从蓝宝石基板101割断被半导体层110覆盖的半导体核心107，但并不局限于此，也可以使用切断工具从基板机械地将半导体核心折弯来割断。在该情况下，能够以简单的方法将在基板上设置的微细的多个棒状结构发光元件在短时间切断。
（3）发光元件的配置工序
图18示出本发明的第1实施方式的发光装置的制造方法中使用的绝缘性基板的平面图。再有，在该发光装置中使用的棒状结构发光元件使用图3所示的棒状结构发光元件10或图17所示的棒状结构发光元件100的任一个，但也可以使用其他的棒状的发光元件。
在该第1实施方式的发光装置中，如图18所示，首先在基板制作工序中，制作在安装面形成有作为第1、第2电极及布线图案的一例的金属电极201、202的绝缘性基板200。绝缘性基板200是在玻璃、陶瓷、氧化铝、树脂那样的绝缘体、或硅那样的半导体表面形成硅氧化膜，表面具有绝缘性的基板。在使用玻璃基板的情况下，优选在表面形成硅氧化膜、硅氮化膜那样的基底绝缘膜。
上述金属电极201、202利用印刷技术形成为所希望的电极形状。再有，也可以同样地层叠金属膜和感光体膜，曝光所希望的电极图案，进行蚀刻而形成。
再有，在图18中虽然省略，但以对金属电极201、202从外部赋予电位的方式，形成有焊盘。
接着，在排列工序中，在金属电极201、202相向的部分（排列区域）中排列棒状结构发光元件。在图18中，为了容易看图，使排列棒状结构发光元件的排列区域为9×3个，但实际上能够采用100个以上的任意个数的排列区域。
上述基板制作工序和涂覆工序和排列工序构成在基板上配置多个发光元件的配置工序。
图19是从图18的XIX－XIX线来观察的剖面示意图。
首先，如图19所示，在涂覆工序中，在绝缘性基板200上，较薄地涂覆包含棒状结构发光元件210的异丙醇（IPA）211。除了IPA211之外，也可以是乙二醇、丙二醇、甲醇、乙醇、丙酮或它们的混合物。或者，IPA211也能够使用其它有机物构成的液体、水等。
但是，当通过液体在金属电极201、202之间流过大的电流时，就不能够在金属电极201、202之间施加所希望的电压差。在这样的情况下，以覆盖金属电极201、202的方式，在绝缘性基板200表面整体，镀敷10nm~30nm左右的绝缘膜即可。
对包含棒状结构发光元件210的IPA211进行涂覆的厚度，是在接下来的排列棒状结构发光元件210的工序中，为了棒状结构发光元件210能够排列，棒状结构发光元件210在液体中能够移动的厚度。因此，涂覆IPA211的厚度是棒状结构发光元件210的粗细度以上，例如是数μm～数mm。当涂覆的厚度太薄时，棒状结构发光元件210难以移动，当太厚时，对液体进行干燥的时间变长。此外，相对于IPA的量，优选棒状结构发光元件210的量是1×104根/cm3～1×107根/cm3。
为了涂覆包含棒状结构发光元件210的IPA211，也可以在使棒状结构发光元件210排列的金属电极的外周围形成框，在该框内将包含棒状结构发光元件210的IPA211填充成所希望的厚度。可是，在包含棒状结构发光元件210的IPA211具有粘性的情况下，不需要框，就能够以所希望的厚度进行涂覆。
IPA、乙二醇、丙二醇、…、或它们的混合物，或者由其它的有机物构成的液体，或水等的液体为了棒状结构发光元件210的排列工序，优选粘性越低越好，此外优选通过加热容易蒸发。
接着，对金属电极201、202之间赋予电位差。在该第1实施方式中，采用1V的的电位差是适合的。金属电极201、202的电位差也能够施加0.1~10V，但在0.1V以下，棒状结构发光元件210的排列变差，在10V以上，金属电极的绝缘开始成为问题。因此，优选1~5V，更优选采用1V左右。
图20表示上述棒状结构发光元件210排列在金属电极201、202上的原理。如图20所示，当对金属电极201施加电位VL，对金属电极202施加电位VR（VL<VR）时，在金属电极201感应负电荷，在金属电极202感应正电荷。因此，当棒状结构发光元件210接近时，在棒状结构发光元件210中，在接近金属电极201的一侧感应正电荷，在接近金属电极202的一侧感应负电荷。该棒状结构发光元件210中感应电荷是静电感应导致的。即，在电场中放置的棒状结构发光元件210在内部的电场变为0为止，在表面感应电荷。结果，静电力引起的引力在各电极和棒状结构发光元件210之间发挥作用，棒状结构发光元件210沿着在金属电极201、202之间产生的电力线，并且因为在各棒状结构发光元件210中感应的电荷大致相等，所以通过电荷的排斥力，大致等间隔地在一定方向有规则地排列。可是，例如在图17所示的棒状结构发光元件100中，被半导体层110覆盖的半导体核心107的露出部分侧的朝向不是固定的，而是随机的。
如上所述，棒状结构发光元件210通过在金属电极201、202之间产生的外部电场，在棒状结构发光元件210中使电荷产生，通过电荷的引力使棒状结构发光元件210吸附到金属电极201、202，因此棒状结构发光元件210的大小，需要是在液体中能够移动的大小。因此，棒状结构发光元件210的大小，根据液体的涂覆量（厚度）而变化。在液体的涂覆量少的情况下，棒状结构发光元件210必须是纳米级别尺寸，但在液体的涂覆量多的情况下，也可以是微米级别尺寸。
在棒状结构发光元件210不是电中性，而是正地或负地带电的情况下，仅对金属电极201、202之间赋予静态电位差（DC），不能够稳定地排列棒状结构发光元件210。例如，在棒状结构发光元件210正地带电的情况下，与感应正电荷的金属电极202的引力相对地变弱。因此，棒状结构发光元件210的排列变为非对称。
在这样的情况下，如图21所示，优选在金属电极201、202之间施加AC电压。在图21中，对金属电极202施加基准电位，对金属电极201施加振幅VPPL/2的AC电压。这样，即使在棒状结构发光元件210带电的情况下，也能够保持排列为对称。再有，优选对这样的情况下的金属电极202赋予的交流电压的频率是10Hz~1MHz，因为50Hz~1kHz时排列最稳定，所以更优选。进而，在金属电极201、202之间施加的AC电压不限于正弦波，只要是矩形波、三角波、锯齿波等周期地变动的AC电压即可。再有，优选VPPL是1V左右。
接着，在金属电极201、202上排列棒状结构发光元件210之后，通过加热绝缘性基板200，使液体蒸发干燥，使棒状结构发光元件210沿着金属电极201、202之间的电力线等间隔地排列并固接。
图22示出配置了上述棒状结构发光元件210的绝缘性基板200的平面图。再有，在图22中，为了容易看图而减少了棒状结构发光元件210的数量，但实际上在同一绝缘性基板200上配置有100个以上的棒状结构发光元件210。
通过将图22所示的配置有棒状结构发光元件210的绝缘性基板200在液晶显示装置等的背光灯中使用，能够实现可薄型化和轻量化且发光效率高、省电的背光灯。此外，通过将该配置了棒状结构发光元件210的绝缘性基板200作为照明装置进行使用，能够实现可薄型化和轻量化且发光效率高、省电的照明装置。
上述棒状结构发光元件210的pn的极性没有统一在一方，而是随机地排列。因此，在驱动时通过交流电压驱动，使不同极性的棒状结构该发光元件210交替发光。
此外，根据上述发光装置的制造方法，制造形成有将分别被赋予了独立的电位的2个金属电极201、202作为单位的排列区域的绝缘性基板200，在该绝缘性基板200上涂覆包含多个棒状结构发光元件210的液体。之后，对2个金属电极201、202分别施加独立的电压，使微细的棒状结构发光元件210排列在通过2个金属电极201、202规定的位置。由此，能够将上述棒状结构发光元件210容易地配置在规定的绝缘性基板200上。
因此，不需要像以往那样将发光二极管1个1个地配置在基板上的规定位置，能够高精度地将许多微细的发光二极管配置在规定的位置。
根据本发光装置的制造方法，通过在抑制发光时的温度上升的同时使发光分散，从而能够制造明亮度的偏差少且可实现长寿命化和高效率化的发光装置。
此外，在上述发光装置的制造方法中，能够减少使用的半导体的量。进而，在上述棒状结构发光元件210中，通过从半导体层覆盖的半导体核心的侧面整体放出光，从而发光区域变宽，因此能够实现发光效率高且省电的发光装置。
此外，在上述发光装置中，通过在绝缘性基板200的安装面上大致均等地分散配置多个发光元件，从而高效率地进行通过发光在发光元件产生的热向横方向的流出，因此进一步抑制发光时的温度上升，进一步谋求长寿命化、高效率化。
此外，通过以多个棒状结构发光元件210的长尺寸方向相对于绝缘基板200的安装面成为平行的方式将棒状结构发光元件210配置在绝缘性基板200的安装面上，从而能够增大轴方向（长尺寸方向）的长度相对于径向的比，因此在发光面的面积相同的条件下与发光面为正方形时相比，高效率地进行向绝缘性基板200的横方向的热流出，进一步抑制发光时的温度上升，进一步谋求长寿命化、高效率化。此外，由于本发光装置的制造方法利用对电极间施加电压而造成的物体的极化，所以适于使棒状结构发光元件的两端极化，对于棒状结构发光元件的适应性好。
此外，上述棒状结构发光元件210中，使作为发光二极管的在金属电极201（第1电极）连接阳极并且在金属电极202（第2电极）连接阴极的发光二极管，和在金属电极201（第1电极）连接阴极并且在金属电极202（第2电极）连接阳极的发光二极管混合配置在绝缘性基板200上。而且，在该发光装置中，通过交流电源对金属电极201（第1电极）和金属电极202（第2电极）之间施加交流电压来驱动多个发光二极管，由此不需要使许多发光二极管的阳极和阴极的朝向一致来进行配置，能够使配置工序简略化。
此外，通过至少将金属电极201（第1电极）和金属电极202（第2电极）作为用于驱动多个棒状结构发光元件210的电极来使用，从而能够使布线工序简化并削减成本。
在图18~图22所示的发光装置的制造方法中，使用棒状结构发光元件，但发光元件并不局限于此，也可以是具有圆形状、椭圆状、正方形状、矩形状、多角形状等的平坦的发光面、以该发光面相对于基板平行的方式配置在安装面上的方式的发光元件。可是，在本发光装置的制造方法中，因为利用对电极间施加电压而造成的物体的极化，因此优选适于极化的棒状的发光元件。
（4）布线工序
图23~图25表示本发明的第1实施方式的其他的发光装置的制造方法的工序图。再有，在该发光装置的制造方法中，在同一基板的安装面上配置100个以上的棒状结构发光元件。在该发光装置的制造方法中使用的棒状结构发光元件，具有第1导电型的棒状的半导体核心，和覆盖该半导体核心的外周的第2导电型的筒状的半导体层，棒状的发光元件的半导体核心的一端侧露出即可。
在该发光装置的制造方法中，如图23所示，首先在基板制作工序中，制作在安装面形成有作为第1、第2电极及布线图案的一例的金属电极301、302的绝缘性基板300。
接着，在配置工序中，在绝缘性基板300上以长尺寸方向相对于绝缘性基板300的安装面平行的方式配置100个以上的棒状结构发光元件310。在该配置工序中，使用与第1实施方式的发光装置的制造方法同样的方法，在金属电极301、302上排列液体中的棒状结构发光元件310之后，通过加热绝缘性基板300，使液体蒸发干燥，使棒状结构发光元件310沿着金属电极301、302之间的电力线等间隔地排列并固接。
上述棒状结构发光元件310，具备：半导体核心311，由棒状的n型GaN构成；以及半导体层312，由p型GaN构成，以不覆盖上述半导体核心311的一端侧的部分而作为露出部分311a的方式，覆盖半导体核心311的露出部分311a以外的包覆部分311b。将上述棒状结构发光元件310的一端侧的露出部分311a连接于金属电极301，并且将棒状结构发光元件310的另一端侧的半导体层312连接于金属电极302。
接着，在布线工序中，如图24所示，在绝缘性基板300上形成层间绝缘膜303，对该层间绝缘膜303进行构图，在金属电极301上和金属电极302上分别形成接触孔303a。
接着，如图25所示，以掩埋2个接触孔303a的方式形成金属布线304、305。
这样，能够将在绝缘性基板300的安装面上配置的100个以上的棒状结构发光元件310一并配置，并且对多个棒状结构发光元件310一并连接金属布线304、305。此外，在图23~图25中，示出了棒状结构发光元件310的中央部从绝缘性基板300浮起的状态，但实际上棒状结构发光元件310在图18~图22所示的棒状结构发光元件的配置方法中的IPA的水溶液的干燥时，通过绝缘性基板300表面和棒状结构发光元件310的缝隙间的液滴由于蒸发而缩小时产生的黏滞（stiction），中央部分弯曲而接于绝缘性基板300上。再有，即使在棒状结构发光元件310不直接接触于绝缘性基板300上的情况下，也经由层间绝缘膜303与绝缘性基板300相接。
此外，在棒状结构发光元件310的中央部分和绝缘性基板300之间，以支承棒状结构发光元件310的方式设置金属部，使棒状结构发光元件310的中央部分经由金属部与绝缘性基板300相接也可。
根据上述发光装置的制造方法，不需要像以往那样将发光二极管1个1个地配置在基板上的规定位置，能够高精度地将许多微细的发光二极管配置在规定的位置，在抑制发光时的温度上升的同时使发光分散，由此能够制造明亮度的偏差少且能够实现长寿命化和高效率化的发光装置。
在上述发光装置中，通过在绝缘性基板300的安装面上大致均等地分散配置多个棒状结构发光元件310，从而高效率地进行通过发光在发光元件产生的热向基板侧的横方向的流出，因此进一步抑制发光时的温度上升，进一步谋求长寿命化、高效率化。
此外，通过以多个棒状结构发光元件310的长尺寸方向相对于绝缘基板300的安装面成为平行的方式将棒状结构发光元件310配置在绝缘性基板300的安装面上，从而能够增大轴方向（长尺寸方向）的长度相对于径向的比，因此在发光面的面积相同的条件下与发光面为正方形时相比，高效率地进行向绝缘性基板300侧的横方向的热流出，进一步抑制发光时的温度上升，进一步谋求长寿命化、高效率化。
此外，上述多个棒状结构发光元件310中，使作为露出部分311a是阳极、包覆部分311b是阴极的发光二极管的、在金属电极301（第1电极）连接阳极并且在金属电极302（第2电极）连接阴极的发光二极管，和在金属电极301（第1电极）连接阴极并且在金属电极302（第2电极）连接阳极的发光二极管混合配置在绝缘性基板300上。而且，在该发光装置中，通过交流电源对金属电极301（第1电极）和金属电极302（第2电极）之间施加交流电压来驱动多个发光二极管，由此不需要使许多发光二极管的阳极和阴极的朝向一致来进行配置，能够使配置工序简略化。
（5）其他的发光装置的制造方法
图26~图30表示本发明的第1实施方式的其他的发光装置的制造方法的工序图。再有，在图26~图30中，仅示出发光装置的一部分，该发光装置的制造方法在同一基板的安装面上配置100个以上的棒状结构发光元件。在该发光装置的制造方法中使用的棒状结构发光元件，具有第1导电型的棒状的半导体核心，和覆盖该半导体核心的外周的第2导电型的筒状的半导体层，棒状的发光元件的半导体核心的一端侧露出即可。
在该发光装置的制造方法中，如图26的剖面图和图27的平面图所示，首先在基板制作工序中，制作在安装面形成有作为第1、第2电极及布线图案的一例的金属电极401、402的绝缘性基板400。
接着，在配置工序中，在绝缘性基板400上以长尺寸方向相对于绝缘性基板400的安装面平行的方式配置多个棒状结构发光元件410。在该配置工序中，使用与图18~图22所示的发光装置的制造方法同样的方法，在金属电极401、402上排列液体中的棒状结构发光元件410之后，通过加热绝缘性基板400，使液体蒸发干燥，使棒状结构发光元件410沿着金属电极401、402之间的电力线等间隔地配置。
上述棒状结构发光元件410，具备：半导体核心411，由棒状的n型GaN构成；以及半导体层412，由p型GaN构成，以不覆盖上述半导体核心411的一端侧的部分而作为露出部分411a的方式，覆盖半导体核心411的露出部分411a以外的包覆部分411b。将上述棒状结构发光元件410的一端侧的露出部分411a通过由导电性粘接剂等的金属油墨构成的粘接部403连接到金属电极401，并且将棒状结构发光元件410的另一端侧的半导体层412通过由导电性粘接剂等的金属油墨构成的粘接部404连接到金属电极402。在这里，金属油墨通过喷墨法等涂覆在绝缘性基板400上的规定处。
接着，如图28的平面图和图29的剖面图所示，在绝缘性基板400上的配置有多个棒状结构发光元件410的区域中选择性地涂覆荧光体420（荧光体涂覆工序）。在这里，荧光体是通过喷墨法等涂覆在绝缘性基板400上的规定的区域。再有，也可以在绝缘性基板400上的配置有多个棒状结构发光元件410的区域中选择性地涂覆包含荧光体的透明树脂。
接着，如图30所示，在荧光体420的涂覆后，在绝缘性基板400上形成由透明树脂构成的保护膜421。
这样，能够在绝缘性基板400的安装面上一并配置多个棒状结构发光元件410，并且对多个棒状结构发光元件410一并连接金属布线。
接着，在配置有多个棒状结构发光元件410的1个绝缘性基板400，一次进行在绝缘性基板400上涂覆荧光体420的荧光体涂覆工序和在该荧光体涂覆工序之后在绝缘性基板400上涂覆保护膜421的保护膜涂覆工序。由此，与现有的按每个封装件进行的情况相比，能够大幅降低制造成本。
（6）基板分割工序
接着，根据图31说明本发明的第1实施方式的发光装置的制造方法的基板分割工序。在该基板分割工序中，使用通过图26~图30所示的工序制作的绝缘性基板400，但也可以使用通过图18~图22所示的工序制作的绝缘性基板200、通过图23~图25所示的工序制作的绝缘性基板300。
如图31的平面图所示，在基板分割工序中，将绝缘性基板400分割成形状不同的多个分割基板430A、430B、430C、430D、430E。在这里，多个分割基板430A、430B、430C、430D、430E分别是本发明的发光装置，以具有100个以上的棒状结构发光元件410的方式被从绝缘性基板400分割。上述分割基板430A形成正方形状，分割基板430B形成比分割基板430A大的正方形状，分割基板430C形成比分割基板430B大的正方形状，分割基板430D形成圆形状，分割基板430E形成直角三角形状。
在上述基板分割工序中，通过将绝缘性基板400分割成形状不同的多个分割基板430A、430B、430C、430D、430E，从而能够容易地提供与各种方式对应的发光装置。
再有，通过在基板分割工序的基板切断区域中不形成用于在绝缘性基板400上对多个棒状结构发光元件410进行布线而形成的布线图案，从而在切断时没有导电性的布线碎屑飞散，能够防止导电性的布线碎屑导致的短路等的故障。
或者，通过在绝缘性基板400的切断区域中形成即使在基板分割工序中被切断也不对电连接造成影响的布线图案，从而能够形成跨越邻接的分割基板而连续的布线图案，布线图案形成变得容易，并且即使在基板分割时被切断，在电路工作中也不产生问题。
此外，通过在基板分割工序的绝缘性基板400的切断区域中不配置棒状结构发光元件410，从而能够消除通过切断而破损的棒状结构发光元件410，能够有效利用棒状结构发光元件410。
在本发光装置的制造方法中，在图26、图29、图30中，示出了棒状结构发光元件410的中央部从绝缘性基板400浮起的状态，但实际上棒状结构发光元件410在第1实施方式的棒状结构发光元件的配置方法中的IPA的水溶液的干燥时，通过在绝缘性基板400表面和棒状结构发光元件410的缝隙间的液滴蒸发而缩小时产生的黏滞，中央部分弯曲而接于绝缘性基板400上。再有，即使在棒状结构发光元件410不直接接触于绝缘性基板400上的情况下，也经由荧光体与绝缘性基板400相接。
再有，在棒状结构发光元件410的中央部分和绝缘性基板400之间，以支承棒状结构发光元件410的方式设置金属部，使棒状结构发光元件410的中央部分经由金属部与绝缘性基板400相接也可。
根据上述结构的发光装置的制造方法，在对配置在同一绝缘性基板400上的多个棒状结构发光元件410一并进行布线之后，将绝缘性基板400分割成多个分割基板430A、430B、430C、430D、430E，形成多个在分割基板430A、430B、430C、430D、430E上配置有多个棒状结构发光元件410的发光装置，由此能够使布线工序简略化，降低制造成本，能够减小特性偏差而使成品率提高。
此外，在上述配置工序中，通过在同一绝缘性基板400上一并配置多个棒状结构发光元件410，从而伴随布线工序的简略化能够进一步降低制造成本。
此外，通过在分割基板430A、430B、430C、430D、430E分别配置100个以上的棒状结构发光元件410，从而能够将具有明亮度偏差的多个发光元件集合起来时的整体的亮度的偏差，降低到1个发光元件的亮度偏差的1/10以下。
此外，上述棒状结构发光元件410中，使作为露出部分411a是阳极、包覆部分411b是阴极的发光二极管的、在金属电极401（第1电极）连接阳极并且在金属电极402（第2电极）连接阴极的发光二极管，和在金属电极401（第1电极）连接阴极并且在金属电极402（第2电极）连接阳极的发光二极管混合配置在绝缘性基板400上。而且，在该发光装置中，通过交流电源对金属电极401（第1电极）和金属电极402（第2电极）之间施加交流电压来驱动多个发光二极管，由此不需要使许多发光二极管的阳极和阴极的朝向一致来进行配置，能够使配置工序简略化。
此外，在上述发光装置的制造方法中，通过在将多个棒状结构发光元件410配置在绝缘性基板400上的配置工序之后，在基板分割工序中将绝缘性基板400分割成分别配置有100个以上的棒状结构发光元件410的多个分割基板430，从而能够减少在各工序中流动的基板数，大幅削减成本。
此外，根据上述发光装置的制造方法，不需要像以往那样将发光元件1个1个地配置在基板上的规定位置，能够高精度地将许多微细的发光元件配置在规定的位置，在抑制发光时的温度上升的同时使发光分散，由此能够制造明亮度的偏差少且能够实现长寿命化和高效率化的发光装置。
在上述发光装置中，通过在绝缘性基板400的安装面上大致均等地分散配置多个棒状结构发光元件410，从而高效率地进行通过发光在棒状结构发光元件410产生的热向基板侧的横方向的流出，因此进一步抑制发光时的温度上升，进一步谋求长寿命化、高效率化。
此外，通过在绝缘性基板400上配置多个棒状结构发光元件410之后，在绝缘性基板400上的配置有多个棒状结构发光元件410的区域中选择性地涂覆荧光体420，从而能够削减在材料费中占较大比率的荧光体的使用量来降低成本。
（第2实施方式）
图32表示本发明的第2实施方式的照明装置中使用的发光装置的平面图，图33表示上述发光装置的侧面图。
在该第2实施方式的照明装置中使用的发光装置500如图32、图33所示，在正方形状的散热板501上安装有配置了100个以上的棒状结构发光元件（未图示）的圆形状的绝缘性基板502。在这里，圆形状的绝缘性基板502是使用第1实施方式的发光装置的制造方法制造的配置有100个以上的棒状结构发光元件的分割基板。
图34示出作为使用了图32、图33所示的发光装置500的照明装置的一例的LED电灯泡510的侧面图。该LED电灯泡510如图34所示，具备：作为用于嵌入外部的插口与商用电源连接的电源连接部的灯口511；一端连接于该灯口511，另一端渐渐地直径扩大的圆锥形状的散热部512；以及覆盖散热部512的另一端侧的透光部513。在上述散热部512内，使绝缘性基板502朝向透光部513侧配置有发光装置500。该发光装置500使用通过上述第1实施方式的发光装置的制造方法而制造的发光装置。
根据上述结构的照明装置，通过使用发光装置500，能够降低制造成本，能够减小特性偏差来使成品率提高。
此外，通过使用图32、图33所示的发光装置500，能够实现明亮度的偏差少且可谋求长寿命化和高效率化的照明装置。
此外，通过将上述配置有多个棒状结构发光元件的绝缘性基板502安装在散热板501上，从而散热效果进一步提高。 
（第3实施方式）
图35示出本发明的第3实施方式的使用发光装置的背光灯的平面图。
该第3实施方式的背光灯600如图35所示，在作为散热板的一例的长方形状的支承基板601上，相互空开规定的间隔呈格子状地安装有多个发光装置602。在这里，发光装置602是使用第1实施方式的发光装置的制造方法制造的配置有100个以上的棒状结构发光元件的分割基板。
根据上述结构的背光灯600，通过使用发光装置602，能够降低制造成本，能够减小特性偏差来使成品率提高。
此外，通过使用发光装置602，能够实现亮度的偏差少且可谋求长寿命化和高效率化的背光灯。
此外，通过将上述发光装置602安装在支承基板601上，从而散热效果进一步提高。
（第4实施方式）
图36示出本发明的第4实施方式的使用发光装置的背光灯的平面图。
该第4实施方式的背光灯610如图36所示，在作为散热板的一例的长方形状的支承基板611上，安装有1个大的发光装置612。该发光装置612使用通过上述第1实施方式的发光装置的制造方法而制造的发光装置。
根据上述结构的背光灯610，通过使用发光装置612，能够降低制造成本，能够减小特性偏差来使成品率提高。
此外，通过将上述发光装置612安装在支承基板611上，从而散热效果进一步提高。
（第5实施方式）
图37示出本发明的第5实施方式的使用发光装置的液晶面板的平面图和侧面图。
在该第5实施方式的液晶面板620中，如图37所示，在作为散热板的一例的长方形状的透明基板622的一个面，形成作为第1、第2电极及布线图案的一例的金属电极（未图示），配置有与该金属电极连接的多个发光元件（未图示）。以由该金属电极和发光元件构成的发光部分621和透镜基板622，形成1个大的发光装置。此外，在透明基板622的另一个面，呈矩阵状地形成有未图示的像素电极和TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）。而且，在透明基板622的另一侧空开规定的间隔配置液晶密封板624，在液晶密封板624和透明基板622之间密封有液晶623。
在通常的液晶面板中，液晶驱动基板和背光灯分离，由于背光灯的光量不均和发热等的问题而使用导光管、散热元件，这导致成本上升，使液晶面板变厚。相对于此，根据上述结构的液晶面板620，相对于以往的由1个发光元件获得的光量，因为以多个发光元件构成，所以没有光亮不均、发热的问题，所以不需要导光管、散热元件。因此，将作为截断成液晶面板大小的分割基板的发光装置配置在具有液晶的面的相反侧，直接作为液晶面板进行使用，由此能够获得低成本且薄型的液晶面板。
像这样，根据上述结构的液晶面板620，通过使用由发光部分621和透明基板622构成的发光装置，能够降低制造成本，能够减小特性偏差来使成品率提高。此外，通过使用使液晶面板基板和背光灯基板为1体的透明基板622，从而能够降低部件成本和制造成本，能够实现更薄型的液晶面板。
再有，也可以在具备透明基板、在该透明基板的一个面配置、与形成在够母基板的一个面的布线连接的多个发光元件、和在上述透明基板的另一个面形成的滤色器的液晶面板中应用本发明。
例如，在图44中示出了这样的结构例的液晶面板820。如图44的侧面图所示，在作为散热板的一例的长方形状的透明基板822的一个面，形成作为第1、第2电极及布线图案的一例的金属电极（未图示），配置有与该金属电极连接的多个发光元件（未图示）。以由该金属电极和发光元件构成的发光部分821和透镜基板822，形成1个大的发光装置。此外，在透明基板822的另一个面形成滤色器823，在滤色器823上形成有保护膜824。而且，在透明基板822的另一侧空开规定的间隔配置玻璃基板827，在玻璃基板827和透明基板822之间密封有液晶825。此外，在上述玻璃基板827的与液晶825相向的面，呈矩阵状地形成有未图示的像素电极和TFT826。
在该液晶面板中，通过使用使滤色器和背光灯基板为1体的透明基板，从而能够降低部件成本和制造成本，能够实现更薄型的液晶面板。
在上述第1~第5实施方式中，说明了将发光二极管作为发光元件进行使用的发光装置、发光装置的制造方法、照明装置、背光灯及液晶面板，但本发明的发光元件并不限于发光二极管，在使用半导体激光器、有机EL（Electro Luminescence，电致发光）、无机EL（本征EL）等的发光元件的发光装置、发光装置的制造方法、照明装置、背光灯及液晶面板中也能够应用本发明。
再有，在上述第1实施方式的第1、第2发光元件的制造方法中，在半导体核心和半导体层使用将GaN作为母材的半导体，但也可以在使用将GaAs、AlGaAs、GaAsP、InGaN、AlGaN、GaP、ZnSe、AlGaInP等作为母材的半导体的发光元件中应用本发明。此外，将半导体核心作为n型，将半导体层作为p型，但在导电型为相反的棒状结构发光元件中也能够应用本发明。
此外，在上述第1实施方式的第2发光元件的制造方法中，针对具有剖面是六角形的棒状的半导体核心的棒状结构发光元件进行了说明，但并不局限于此，是剖面为圆形或椭圆的棒状也可，在具有剖面为其他多角形状的棒状的半导体核心的棒状结构发光元件中也能够应用本发明。
此外，在上述第1实施方式的第2发光元件的制造方法中，采用将棒状结构发光元件的直径设为1μm、将长度设为10μm～30μm的微米级尺寸，但也可以是直径或长度中的至少直径为不足1μm的纳米级尺寸的元件。优选上述棒状结构发光元件的半导体核心的直径为500nm以上且100μm以下，与数10nm~数100nm的棒状结构发光元件相比，能够抑制半导体核心的直径的不均，能降低发光面积、即发光特性的不均，能够提高成品率。
再有，如果规定棒状结构发光元件的发光面积的下限的话，是3.14×10-3μm2（在直径1nm、长度1μm的棒状的半导体核心的外周，筒状地形成有发光面时的面积）。或者，如果发光元件是正方形的板状的话，一边为56nm。在此以下的尺寸难以形成任何形状的发光元件。此外，如果规定配置在同一基板的安装面上的发光元件的个数的话，是1亿个，在此以上难以保证成品率地进行配置。
此外，在上述第1实施方式的第2发光元件的制造方法中，使用MOCVD装置使半导体核心、保护层结晶生长，但也可以使用MBE（分子束外延）装置等的其它结晶生长装置来形成半导体核心、保护层。
此外，在上述第1实施方式的发光装置的制造方法中，利用对电极间施加电压而导致的棒状的发光元件的极化，将棒状的发光元件配置在基板上并连接在电极间，但在同一基板上配置多个发光元件的配置方法，将在基板上配置的多个发光元件的一部分或全部一并进行布线的布线方法并不局限于此，也可以使用其他的方法。
例如，图38表示本发明的其他实施方式的发光装置的制造方法中使用的棒状结构发光元件的侧面图和端面图，图39~图43表示上述发光装置的制造方法中的各工序。再有，在图39~图43中，仅示出发光装置的一部分，该发光装置的制造方法在同一基板的安装面上配置100个以上的棒状结构发光元件。
该棒状结构发光元件710如图38所示，具备：由n型GaN构成的剖面大致圆形的棒状的半导体核心701；以及半导体层702，由覆盖该半导体核心701的外周的圆筒状的p型GaN构成。上述半导体核心701仅有两侧的端面露出。这时，在半导体核心701和半导体层702之间也可以具有量子阱层。
首先，将包含这样的棒状结构发光元件710的溶液以图39所示方式涂覆在绝缘性基板720上。
接着，如图40所示，使用摩擦装置721，对在绝缘性基板720上涂覆的溶液（主要是棒状结构发光元件710）进行对基板侧磨蹭的摩擦处理，由此以棒状结构发光元件710的长尺寸方向朝向同一方向的方式，排列多个棒状结构发光元件710。
接着，如图41所示，对摩擦处理后的绝缘性基板720进行干燥。
接着，如图42所示，对配置有多个棒状结构发光元件710的绝缘性基板720的相对于棒状结构发光元件710的长尺寸方向正交的直线区域S进行蚀刻，使直线区域S重叠的棒状结构发光元件710的半导体核心701的一部分露出。由此，一部分的棒状结构发光元件710具有n型的半导体核心701露出的露出部分710a和被p型的半导体层702包覆的包覆部分710b。
而且，如图43所示，在绝缘性基板720的直线区域S形成金属布线731，并且与金属布线731空开规定的间隔大致平行地形成金属布线732。
由此，金属布线731与多个棒状结构发光元件710中的一部分的n型半导体核心701连接，金属布线732与多个棒状结构发光元件710中的一部分的由p型GaN构成的半导体层702连接。而且，例如在图43中，在4个棒状结构发光元件710A~710D的n型的半导体核心701连接金属布线731，在p型的半导体层702连接有金属布线732。因此，通过以从p型的半导体层702侧向n型的半导体核心701侧流过电流的方式，在金属布线731和金属布线732之间施加电压，从而4个棒状结构发光元件710A~710D发光。
然后，在基板分割工序中，通过将绝缘性基板720分割成多个分割基板，从而形成多个在分割基板上配置有多个棒状结构发光元件710的发光装置。
像这样，在多个发光元件中，将即使在基板分割工序中被切断也不影响所希望的发光量的棒状结构发光元件710配置在绝缘性基板720的切断区域中，即使由于切断而破损的棒状结构发光元件710不发光，也通过没有被切断的其他多个棒状结构发光元件710进行发光，因此在配置工序中不需要考虑在绝缘性基板720的切断区域中不配置棒状结构发光元件710，能够使配置工序简略化。在这里，“所希望的发光量”是对发光装置要求的规格中的1种。
针对本发明的具体实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式，在本发明的范围内能够进行各种变更来实施。
在以下，是实施方式的更详细的说明。再有，在以下的第6~24实施方式及其变形例中，含有元件的液体指的是具有液体和位于该液体内的多个发光元件的物质。此外，规定的位置（场所）是预先决定的位置（场所）。
（第6实施方式）
首先，进行基板准备工序。在该基板准备工序中，准备作为在以下的图45中示出平面图的第1基板的绝缘性基板1050。
如图45所示，绝缘性基板1050在其表面具有金属制的第1电极1051和金属制的第2电极1052。上述绝缘性基板1050是在玻璃、陶瓷、氧化铝、树脂那样的绝缘体、或硅那样的半导体表面形成硅氧化膜，表面具有绝缘性的基板。在这里，在使用玻璃基板的情况下，优选在表面形成硅氧化膜、硅氮化膜那样的基底绝缘膜。
上述第1及第2电极1051、1052利用印刷技术形成为所希望的电极形状。再有，上述第1及第2电极1051、1052例如也可以同样地层叠金属膜和感光体膜，曝光所希望的电极图案，进行蚀刻而形成。
在图45中虽然省略，但对第1及第2电极1051、1052，以能够从外部设定电位的方式形成有焊盘。在该第1及第2电极1051、1052相向的部分（排列区域）中排列有棒状结构发光元件。在图45中，排列有2×2个将棒状结构发光元件的排列的排列区域，但也可以排列任意的个数。
图46是从图45的XII－XII线来观察的剖面示意图。
接着，进行元件供给工序。在元件供给工序中，如图46所示，在绝缘性基板1050上较薄地涂覆含有元件的液体，该含有元件的液体包含作为液体的一例的异丙醇（IPA）1061和位于该IPA1061中的作为发光元件的一例的棒状结构发光元件1060。作为液体，除了IPA1061之外，也可以使用乙二醇、丙二醇、甲醇、乙醇、丙酮或它们的混合物等。或者，作为液体也可以使用由IPA1061以外的其他有机物构成的液体、水等。
但是，当通过液体在第1及第2电极1051、1052之间流过大的电流时，就不能够在第1及第2电极1051、1052之间施加所希望的电压差。在这样的情况下，以覆盖第1及第2电极1051、1052的方式，在绝缘性基板1050表面整体，镀敷10nm~300nm左右的绝缘膜即可。
对包含棒状结构发光元件1060的IPA1061进行涂覆的厚度，是在接下来的排列棒状结构发光元件1060的工序中，为了棒状结构发光元件1060能够排列，棒状结构发光元件1060在液体中能够移动的厚度。因此，涂覆IPA1061的厚度是棒状结构发光元件1060的粗细度以上，例如是数μm～数mm。当涂覆的厚度太薄时，棒状结构发光元件1060难以移动，当太厚时，在进行干燥的情况下对液体进行干燥的时间变长。此外，相对于IPA的量，优选棒状结构发光元件1060的量是1×104根/cm3～1×107根/cm3。
为了涂覆包含棒状结构发光元件1060的IPA1061，也可以在使棒状结构发光元件1060排列的金属电极的外周围形成框，在该框内将包含棒状结构发光元件1060的IPA1061填充成所希望的厚度。可是，在包含棒状结构发光元件1060的IPA1061具有粘性的情况下，不需要框，就能够以所希望的厚度进行涂覆。
接着，进行元件排列工序。在该元件排列工序中，对第1电极51和第2电极52之间施加交流电压。在该第6实施方式中，采用1V、5KHz的交流是适当的。第1、第2电极51、52的交流电压能够施加0.1~10V，但在0.1V以下时棒状结构发光元件1060的排列变差，在10V以上时，元件凝集在第1和第2电极间。因此，优选0.5~5V，更优选采用1V左右。此外，虽然交流频率能够使用1Hz~10MHz，但在1Hz以下排列偏差变大，在10MHz以上难以对电极施加所希望的电压。因此，优选10Hz~1MHz，更优选100Hz~1KHz。进而，在第1、第2电极1051、1052之间施加的AC电压不限于正弦波，只要是矩形波、三角波、锯齿波等周期地变动的AC电压即可。
图47表示上述棒状结构发光元件60排列在第1、第2电极1051、1052上的原理。如图47所示，当对第1电极1051施加电位VL，对第2电极1052施加电位VR（VL<VR）时，在第1电极1051感应负电荷，在第2电极1052感应正电荷。因此，当棒状结构发光元件1060接近时，在棒状结构发光元件1060中，在接近第1电极1051的一侧感应正电荷，在接近第2电极1052的一侧感应负电荷。该棒状结构发光元件1060中感应电荷是静电感应导致的。即，在电场中放置的棒状结构发光元件1060在内部的电场变为0为止，在表面感应电荷。结果，在各电极和棒状结构发光元件1060之间通过静电力而引力起作用，棒状结构发光元件1060沿着在第1、第2电极1051、1052之间产生的电力线。
此外，在如图48那样电力线不一样的情况下，通过介电电泳，棒状发光元件1060被吸引到电极方向。通过静电力和介电电泳的双方的任一方的力，棒状发光元件接近电极。此外，因为在各棒状结构发光元件1060感应的电荷大致相等，所以通过电荷的排斥力，以大致等间隔在固定方向规则正确地排列。再有，在图48中，1070表示微小发光元件，1071表示液体，1072表示不一样的电场，1073表示第2电极，1073表示第1电极，1075表示第1基板。
此外当如图49那样使用0.5μm~10μm的电极时，能够在各电极间各排列1根棒状发光元件。再有，在图49中，a相当于电极的宽度，a收在0.5μm~10μm的范围中。
如上所述，棒状结构发光元件1060通过在第1、第2电极1051、1052之间产生的外部电场，使第1、第2电极1051、1052吸附棒状结构发光元件1060，因此棒状结构发光元件1060的大小，需要是在液体中能够移动的大小。因此，液体的涂覆量（厚度）必须比棒状发光元件的直径大。
图50表示排列了上述棒状结构发光元件1060的绝缘性基板1050的平面图。通过将该排列了棒状结构发光元件1060的绝缘性基板1050在液晶显示装置等的背光灯中使用，能够实现可薄型化和轻量化且发光效率高、省电的背光灯。此外，通过将该排列了棒状结构发光元件1060的绝缘性基板1050作为发光装置进行使用，能够实现可薄型化和轻量化且发光效率高、省电的发光装置。
图51表示使用排列了上述棒状结构发光元件1060的绝缘性基板1050的显示装置的平面图。如图51所示，显示装置1100构成为，在绝缘性基板1110上具备：显示部1101、逻辑电路部1102、逻辑电路部1103、逻辑电路部1104、和逻辑电路部1105。在上述显示部1101中，在配置为矩阵状的像素中排列有棒状结构发光元件1060。
根据上述第6实施方式的发光装置的制造方法，因为不个别地操作一个一个的发光元件，就能够以一次的处理将多个发光元件排列在规定的场所，所以能够削减制造成本。
（第7实施方式）
图52是用于说明第7实施方式的发光装置的制造方法的示意图。再有，在图52中，箭头A表示液体1257的流动。
在第7实施方式中，与第6实施方式的不同之处仅在于，在元件排列工序中，使包含发光元件1260的含有元件的液体相对于第1基板1250相对地流动。
作为使上述包含发光元件1260的含有元件的液体相对于第1基板1250相对地流动的方法，例如有对含有元件的液体施加压力，或使第1基板1250倾斜，或对含有元件的液体吹风等的方法，只要是能够对含有元件的液体赋予速度分量的方法，可以是任何方法。
根据上述第7实施方式的发光装置的制造方法，由于发光元件1260在第1基板1250的表面附近乘着液体的流动进行移动，所以发光元件1260能够以更短时间接近以第1电极1251和第2电极1252规定的预定的场所。因此，能够缩短发光元件1260的排列时间。
（第8实施方式）
图53是用于说明第8实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
在第8实施方式中，与第6实施方式的不同之处在于，在基板准备工序之后，进行与第1基板1350大致平行地配置第2基板1380的第2基板配置工序，在之后的元件供给工序中，将含有发光元件的液体填充到第1基板1350和第2基板1380的缝隙中。
根据上述第8实施方式的发光装置的制造方法，通过相互大致平行地配置的第1基板1350和第2基板1380，能够防止液体的蒸发，因此能够高精度且成品率高地将发光元件1360排列在规定的场所。
（第9实施方式）
图54是用于说明第9实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
在第9实施方式中，与第8实施方式的不同之处在于，第2基板1480具有与第1基板1450的第1及第2电极1451、1452相向的第3电极1453，在元件供给工序及元件排列工序中的至少一方的工序中，对第1电极1451和第2电极1452的至少一方与第3电极1453之间施加电压。
发光元件1460为了排列在规定的场所，需要位于第1基板1450附近。在这里，通常以重力使发光元件1460落下，排列在规定位置。根据第9实施方式，因为能够施加电压，使发光元件1460向第1基板1450侧移动，所以能够迅速地使发光元件1460移动到第1基板1450附近，能够迅速进行发光元件1460的排列。
此外，为了再利用或防止布线不良，需要将没有排列在规定的场所的发光元件1460回收。在这里，通过使这样的在液体中浮游的发光元件1460移动到第1基板1450和第2基板1480的中间附近，从而能够迅速地从第1基板1450上排出。即，通过图54的表述流速的图表，由于第1基板1450和第2基板1480的中间附近的液体的流速高，所以通过对第1电极1451和第3电极1453之间施加交流电压，使没有排列的发光元件1460移动到上述中间位置，从而能够高效率地回收该浮游的发光元件1460。
图55和图56是表示对第3电极1453施加的电压的例子的图。具体地，图55表示第3电极的电压（向下部电极侧移动），具体地是使在液体中浮游的发光元件1460向第1电极1451（下部电极）侧移动时，对第3电极1453施加的电压。此外，图56表示第3电极的电压（向上部电极侧移动），具体地是使在液体中浮游的发光元件1460向第3电极1453（上部电极）侧移动时，对第3电极1453施加的电压。
根据上述第9实施方式的发光装置的制造方法，通过对第1电极（下部电极）1450和第3电极（上部电极）1480之间施加图55、图56所示那样的非对称的电压，从而能够使发光元件1460向第1电极1451方向或第3电极1453方向移动。因此，能够缩短排列时间，并且能够迅速地回收没有排列的发光元件1460。
（第10实施方式）
图57是用于说明第10实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
在第10实施方式中，与第8实施方式的不同之处在于，在元件排列工序中，作为含有发光元件的液体的含有元件的液体以图57中以箭头B所示那样，在第1基板和第2基板之间从第1电极1551侧向第2电极1552侧流动。
根据第10实施方式的发光装置的制造方法，通过第1基板1550和第2基板1580能够规定含有元件的液体的流路，能够防止液体的蒸发，能够防止气化导致的冷却而引起对流，因此能够高精度、此外高成品率地将发光元件1560排列在规定的场所。
此外，根据上述第10实施方式的发光装置的制造方法，由于发光元件1560在第1基板1550的表面附近乘着液体的流动进行移动，所以发光元件1560容易接近以第1电极1551和第2电极1552规定的预定的场所，能够缩短排列的时间。
此外，根据上述第10实施方式的发光装置的制造方法，通过不依赖于第1基板1550上的场所使第1基板1550和第2基板1580的缝隙为固定，所以能够与第1基板1550上的场所无关地使液体的流速为固定，因此能够高成品率地将发光元件1560排列在规定的场所。
此外，根据上述第10实施方式的发光装置的制造方法，通过对注入到由第1及第2基板1550、1580规定的流路的液体的量进行调整，从而能够容易地改变液体的流速，因此能够高成品率地将发光元件排列在规定的场所。
（第11实施方式）
图58是用于说明第11实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
第11实施方式与第6实施方式的不同之处在于，第1及第2电极1651、1652的表面被绝缘膜1677覆盖。
根据第11实施方式的发光装置的制造方法，由于电流不再流到第1及第2电极1651、1652，所以能够使电压降非常小，能够使排列的成品率提高。第1基板1650当变为大规模、排列的发光元件变成许多时，第1及第2电极1651、1652的布线长度变长，电压降变得显著，有在布线的末端不能进行排列的可能性。
此外，根据上述第11实施方式的发光装置的制造方法，由于电流不再流到第1及第2电极之间，所以能够防止通过电化学效应使电极溶解，能够防止断线、液体的污染使排列成品率恶化。金属电极1651、1652在接触于电解液的状态下，当对电极1651、1642之间施加电压时，有时金属溶出到电解液中。
（第12实施方式）
图59是用于说明第12实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
第12实施方式与对第1基板1150的表面的材料没有限制的第6实施方式的不同之处在于，第1基板1750的表面1777与发光元件1760的表面的材料由相同的材料构成。
根据上述第12实施方式的发光装置的制造方法，能够减少固接于第1基板1750的表面1777的发光元件1760，能够提高排列成品率。这是因为，在发光元件1760和第1基板1750的表面1777的材料是相同的情况下，Zeta电位变为相同，相互排斥，能够防止发光元件1760固接在第1基板1750的表面1777。
（第13实施方式）
第13实施方式与第6实施方式的不同之处在于，液体包含界面活性剂。
通过界面活性剂的混入，能够防止发光装置的凝聚。这是因为，在由于污染或其他理由在发光元件的表面附着有与发光元件不同的材料的情况下，各自的Zeta电位降低或正负变化，容易发生凝聚。此外，在发光元件表面和基板、电极表面的材料不同的情况下，存在Zeta电位不同，容易发生凝聚的情况。通过将界面活性剂混入液体中，从而能够抑制凝聚。
因此，根据上述第13实施方式的发光装置的制造方法，能够防止发光元件彼此，或者发光元件和绝缘膜、基板、电极凝聚。
（第14实施方式）
在第14实施方式中，与发光元件的最长部分的尺寸没有限制的第6实施方式的不同之处在于，发光元件的最长部分的尺寸是50μm以下。
在对一个一个发光元件进行操作，进行封装的情况下，当发光元件的大小变为100μm以下时，成本急剧增大。
这是因为在排列微小的部件的情况下，所需要的对准精度提高。此外，这是因为为了获得固定的光量的发光元件的个数（排列的个数）变多。此外，这是因为微细的发光元件强度弱，难以操作。
根据本发明，即使是最大尺寸为50μm以下的发光元件，也能不依赖于发光元件的个数而容易地配置在规定的场所。进一步说，适于排列微细的物体。
在通过排列许多微小尺寸的发光元件来降低面照明等的亮度不均的方面是有效的。 
（第15实施方式）
图60、61、62是用于说明第15实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
在第15实施方式中，与发光元件的形状没有限制的第6实施方式的不同之处在于，发光元件2060具有棒状的形状。
如图60的鸟瞰图所示，在发光元件2060为棒状的情况下，能够将发光元件2060的一端固定在第1电极2051上，能够将发光元件2060的另一端固定在第2电极2052。因此，能够使对准精度优良。在棒状的发光元件2060的情况下，由于在棒状的发光元件2060的两端感应起正电荷与负电荷，所以通过极化而产生高效率地使微细发光体的方向一致的力矩。因此，能够高精度地决定包含方向的排列位置，能够实际精度良好地进行排列。
再有，在正方形的发光元件是薄型发光元件的情况下，如图61的鸟瞰图所示，有在第1电极2071和第2电极2072之间倾斜地排列发光元件2070的情况。此外，如图62的鸟瞰图所示那样，也有在第1电极2081和第2电极2082之间偏离地排列发光元件2080的情况。像这样，在发光元件不是棒状的情况下，存在对准精度变差的情况。
（第16实施方式）
图63是用于说明第16实施方式的发光装置的制造方法的示意图。再有，在图63中，箭头C、D表示发光元件2170的排出方向。
在第16实施方式中，与第6实施方式的不同之处在于，具备将含有元件的液体中的多个发光元件2160中没有排列在规定的场所的发光元件2170排出的元件排出工序。
在第16实施方式中，在元件排列工序中，在第1基板2150中将发光元件2160排列在第1电极2151和第2电极2152相对的场所之后，进行元件排出工序。
然后，在元件排出工序中，流过不含有棒状发光元件的液体，将没有排列在规定的场所的发光元件从第1基板2150上排出。
根据上述第16实施方式的发光装置的制造方法，能够回收没有排列在规定的场所的发光元件2170，并且能够排列在其他的第1基板，能够降低发光装置的制造成本。
此外，根据上述第16实施方式的发光装置的制造方法，能够防止没有排列在规定的场所的发光元件2170在干燥后等凝聚，发生布线不良。
（第17实施方式）
图64是用于说明第17实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
第17实施方式与第6实施方式的不同之处在于，在元件排列工序之后具备元件固定工序。
具体地，在第17实施方式中，在元件排列工序中，将发光元件2260排列在第1基板2250的第1电极2251和第2电极2252相对的场所。
之后，在元件固定工序中，在第1基板2250的第1电极2251和第2电极2252之间，施加比在元件排列工序中施加到第1电极2251和第2电极2252之间的电压高的电压，将排列在预定的位置的发光元件2260固定在该预先决定的位置。
根据上述第17实施方式的发光装置的制造方法，因为能够将发光元件2260固定在规定的位置，所以能够使对准精度优秀。
此外，根据上述第17实施方式的发光装置的制造方法，即使在液体2257的流动变快的情况下发光元件2260也不会移动，此外，在除去液体2257时发光元件2260也不会移动，因此能够使对准精度格外优秀。
（第18实施方式）
图66、图66是用于说明第18实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
在第18实施方式中，与第6实施方式的不同之处在于，在元件排列工序之后具备干燥第1基板的表面的基板干燥工序。
具体地，在第18实施方式中，在元件排列工序中，将发光元件2360排列在第1基板2350的第1电极2351和第2电极2352相对的场所。
之后，在基板干燥工序中，如图65所示，在除去液体之后，如图66所示，在第1基板2350对湿润的表面进行干燥。干燥在常温进行也可，此外在50~200度左右进行也可。
根据上述第18实施方式的发光装置的制造方法，通过基板干燥工序，能够将发光元件1360固定在电极间。
此外，根据上述第18实施方式的发光装置的制造方法，能够通过基板干燥工序在第1基板2250的表面形成保护膜，能够保护发光元件2260。
（第19实施方式）
图67、图68是用于说明第19实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
在第19实施方式中，与不限制含有元件的液体的表面张力的第18实施方式的不同之处在于，含有元件的液体的表面张力是50mN/m以下。
具体地，在第19实施方式中，在元件排列工序中，将发光元件2460排列在第1基板2450的第1电极2451和第2电极2452相对的场所。
之后，在基板干燥工序中，如图67所示，在除去液体之后，如图68所示，在第1基板2450对湿润的表面进行干燥。干燥在常温进行也可，此外在50~200度左右进行也可。
当第1基板2450的表面被表面张力大的液体弄湿的状态下进行干燥时，存在由于干燥中液体的表面接触发光元件而发光元件2460活动，发生对准偏离的情况。通过使用表面张力小的液体（50mN/m以下，更优选是30mN/m以下），能够防止对准偏离。
（第20实施方式）
图69、图70是用于说明第20实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
在第20实施方式中，与第18实施方式的不同之处在于，在元件供给工序之后且基板干燥工序之前，具备将第1液体更换成比该第1液体的表面张力小的第2液体的液体更换工序。
再有，在这里，第1液体是在元件排列工序中排列发光元件2560时，包围发光元件2560的液体。因此，在上述第6~19实施方式中，称为液体的全部是第1液体。
在第20实施方式中，在元件排列工序中，在将发光元件2560排列在第1基板2550的第1电极2551和第2电极2552相对的场所之后，进行液体更换工序。
在该液体更换工序中，通过持续流过第2液体，将第1液体更换成比第1液体的表面张力小的第2液体2588。之后，如图69所示，在除去第2液体2588之后，如图70所示，在基板干燥工序中，对第1基板2550的表面进行干燥，完全除去第2液体2588。
根据上述第20实施方式的发光装置的制造方法，在发光元件2560的排列时，能够使用表面张力大的液体（任意的液体），另一方面在干燥时能够使用表面张力小的液体。因此，能够在排列时使用产生大的静电感应或介电电泳的效应、且发光元件不凝聚的液体，能够高效率地进行发光元件2560的排列，并且在干燥时能够使用表面张力小的液体，能够防止发光元件2560的对准偏离。
（第21实施方式）
图71、图72是用于说明第21实施方式的发光装置的制造方法的示意图。再有，在图71、图72中，2650表示第1基板。
第21实施方式与第6实施方式的不同之处在于，具备元件连接工序。
在第21实施方式中，发光元件2660在其表面具有第1区域2670和第2区域2671，并且通过对第1区域2670和第2区域2671施加电压而进行发光。
此外，如图71的剖面图和图72的鸟瞰图所示，在元件连接工序中以导电体2680连接上述第1区域2670和第1电极2651，并且以导电体2681连接第2区域2671和第2电极2652。
根据上述第21实施方式的发光装置的制造方法，因为以导电体2680连接发光元件2660和第1电极2651，并且以导电体2681连接发光元件2660和第2电极2652，所以能够使第1和第2电极2651、2652与微小的发光元件2660的电连接良好。因此，在对上述第1电极2651和第2电极2652之间施加电压来使发光装置发光时，能够可靠地防止电压没有施加到发光元件2660的状态（开路）。
（第22实施方式）
图73、图74是用于说明第22实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
再有，在图73、图74中不存在第3电极，这是因为在变形例中，有存在与第1基板2750大致平行地配置的第2基板及位于第2基板上的第3电极的情况。此外，在图73中，附图标记2790、2791、2792表示层间膜。此外，为了容易理解，在图74的鸟瞰图中，省略上述层间膜的的图示。
第22实施方式与第6实施方式的不同之处在于，具备追加电极形成工序。
在第22实施方式中，发光元件2760在其表面具有第1区域2770和第2区域2771，通过对第1区域2770和第2区域2771施加电压而进行发光。
如图74的鸟瞰图所示，在本实施方式中，发光元件2760排列成矩阵状。
在追加电极形成工序中，如图73的剖面图和图74的鸟瞰图所示那样，形成与全部棒状发光元件2760的全部第1区域2770电连接的第4电极2780，并且形成与全部棒状发光元件2760的全部第2区域2771电连接的第5电极2781。
根据上述第22实施方式的发光装置的制造方法，通过对第4电极2780和第5电极2781施加电压，从而能够对发光元件2760施加电压，能够不使用第1电极2751和第2电极2752，对发光元件2760施加电压。因此，能够在对发光元件2760施加电压中使用与上述发光元件2760的排列时的电极结构（第1电极2751和第2电极2752）不同结构的布线（第4电极2780和第5电极2781），能够增大电压施加的自由度，电压施加变得容易。
（第23实施方式）
图75、图76是用于说明第23实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
第23实施方式与第6实施方式的不同之处在于，在元件排列工序之后具备基板截断工序。
在第23实施方式中，如图75所示，在元件排列工序中，将许多发光元件（例如棒状发光元件、棒状的微小发光元件）2860呈矩阵状地排列在大的第1基板2850。之后，在基板截断工序中，如图76所示，截断第1基板2850，形成呈矩阵状地排列有多个发光元件2860的多个第1基板2870~2875。再有，基板的截断的数量不限于6，只要是2以上的自然数的话是任何数均可。
根据上述第23实施方式的发光装置的制造方法，因为能够以一次的发光元件2860的排列来形成在规定的场所排列有多个发光元件2860的多个第1基板2870~2875，因此能够削减制造成本。
（第24实施方式）
图77是用于说明第24实施方式的发光装置的制造方法的示意图。
在第24实施方式中，与在元件排列工序中对排列在基板的发光元件的数量没有限制的第6实施方式的不同之处在于，在元件排列工序中，在基板2950上排列1000个以上的发光元件（例如棒状发光元件、棒状的微小发光元件）2960。
一个发光元件2960发光的光的光量比发光装置整体的光量小。根据上述第24实施方式的发光装置的制造方法，因为排列的发光元件2960的数量是1000个以上，所以即使在有损坏的发光元件2960的情况下，发光元件也被判断为良品。因此，即使有不良发光元件，发光装置也是良品，因此不需要发光元件2960的检查，能够削减制造成本。
例如，在有不良率为1%的现有的发光元件，对其进行封装，使用10个封装件来做成发光元件的情况下，以大约在10个发光装置中有1个的比率包含不良发光元件，光量变为良品的90%。当将光量90%设为不良时，发光装置的成品率变成90%，因此需要发光元件的检查。
另一方面，在使用1000个不良率为1%的发光元件的情况下，在发光装置中包含大约10个不良发光元件，但光量是全部的发光元件为良品的情况下的99%，被判断为良品，因此不需要发光元件的检查。因此，不需要用于发光元件的检查的成本，能够削减制造成本。
再有，在上述各实施方式中，省略与其他实施方式相同的作用效果的记载。而且，仅记载各实施方式特有的作用效果。
此外，具有上述说明的第6~24实施方式的发明的结构中的2个以上的结构的实施方式，当然构成本发明的其他实施方式。
此外，如上述那样，作为发光元件能够使用棒状结构发光元件，但棒状发光元件例如能够通过在n型GaN基板上使用具有生长孔的生长掩模、金属离子等使多个棒状的发光元件生长，之后从基板割断来形成。
图78A、B是表示在本发明的发光装置的制造方法中能够使用的棒状发光元件的图，是包含各棒状发光元件的中心轴的示意剖面图。
图78A表示具有纵积叠结构的棒状发光元件。该棒状发光元件具有将棒状的p型半导体层3111、量子阱层3112和棒状的n型半导体层3113纵积叠起来的结构。该棒状发光元件的发光面积3114在将棒状发光元件的端面的半径设为r（参照图78A）时，表示为πr2 。不是2×πr2的原因在于，量子阱层3112在棒状发光元件的延伸方向的厚度非常薄，将量子阱层3112不理解成3维，而理解成是近似的2维的平面是正确的。
另一方面，图78B表示具有核心-壳-壳结构的棒状发光元件。该棒状发光元件具有：具有圆柱状的形状（棒状的形状）的作为第1导电型的n型的第1半导体层3121；以覆盖第1半导体层3121的外周面的方式配置的筒状的量子阱层3122；以覆盖量子阱层3122的外周面的方式配置的筒状的作为第2导电型的p型的第2半导体层3123。
换句话说，该棒状发光元件具有在同轴上形成有n型半导体-量子阱-p型半导体的核心-壳-壳结构。该棒状发光元件的发光面积3124在将量子阱层3122的外周面的直径设为d、将棒状发光元件的长度设为L时，表示为πdL。
因此，作为发光元件，当使用具有图78B所示的核心-壳-壳结构的棒状发光元件时，能够在各棒状发光元件的侧面的大致整个面形成发光层，因此能够增大平均每一个棒状发光元件的发光面积。
再有，在本例中，采用第1导电型是n、另一方面第2导电型是p、棒状发光元件在同轴上形成n型半导体-量子阱-p型半导体的核心-壳-壳结构，但在本发明中，当然也可以采用第1导电型是p、另一方面第2导电型是n、棒状发光元件在同轴上形成p型半导体-量子阱-n型半导体的核心-壳-壳结构。
图79A、B是表示棒状发光元件的直径和棒状发光元件的弯曲的关系的示意图。
具体地，图79A是表示棒状发光元件的直径比500nm小的发光装置的一例的示意图。
该发光装置具有基板3221、在该基板3221上形成的第1电极3222和第2电极3223以及棒状发光元件3224，棒状发光元件3224的一个端部连接于第1电极3222上，另一方面棒状发光元件3224的另一个端部连接于第2电极3223上。在棒状发光元件3224的直径比500nm小的情况下，如图79A所示，棒状发光元件3224非常容易弯曲，产生伴随棒状发光元件3224的弯曲的应力。而且，根据该应力，棒状发光元件3224的发光效率降低。
另一方面，图79B是表示棒状发光元件的直径比500nm大的发光装置的示意图。
该发光装置具有基板3251、在该基板3251上形成的第1电极3252和第2电极3253以及棒状发光元件3254，棒状发光元件3254的一个端部连接于第1电极3252上，棒状发光元件3254的另一个端部连接于第2电极3253上。在棒状发光元件3254的直径比500nm大的情况下，如图79B所示，棒状发光元件3254不会弯曲。因此，不会发生伴随棒状发光元件3254的弯曲的发光量的降低，能够从各棒状发光元件3254取得所希望的发光量。
图80是表示在本发明中能够制造的发光装置的结构的示意图。
本发光装置具有第1电极3322、第2电极3323和棒状发光元件3324。上述棒状发光元件3324采用在同轴上形成有n型半导体-量子阱-p型半导体或者p型半导体-量子阱-n型半导体的核心-壳-壳结构，直径是500nm以上。
上述棒状发光元件3224的一个端部通过在棒状发光元件3324的延伸方向的尺寸为a（在本实施方式中a=1.5μm）的触头3326连接在第1电极3322上，另一方面，棒状发光元件3224的另一个端部通过在棒状发光元件3324的延伸方向的尺寸为1.5μm的触头3327连接在第2电极3323上。再有，接触区域的棒状发光元件的延伸方向的尺寸并不限定于1.5μm，当然比其长也可，比其短也可。
1根核心-壳-壳结构的棒状发光元件3324的发光面积在将棒状发光元件的长度设为L[μm]、直径设为D[μm]、如图80所示在棒状发光元件的两端采用1.5[μm]的触头时，由于触头部不发光，所以将量子阱层的外周面与棒状发光元件的外周面近似地视为相同，通过d≈D，成为
发光面积=(L-3)×πD [μm2]。
此外，优选棒状发光元件在1个电极之间各排列1根。如图81所示，当在一对电极3422、3423之间排列2根以上的棒状发光元件3424、3425时，如图81所示，频繁发生棒状发光元件3424、3425的交叉，成为不良的原因。
图82A是表示棒状发光元件为原因的不良结构的示意图，图82B是表示能够防止该不良结构的结构的示意图。
具体地，图82A是表示棒状发光元件3524没有排列在彼此相向的电极间，棒状发光元件3524的一个端部连接于1个电极，并且该棒状发光元件3524的另一个端部连接于与该一个电极相向的电极在该相向的方向的垂直的方向上邻接的电极的不良结构的示意图。当该不良结构发生时，不再能排列规定数量的棒状发光元件，因此不能够获得规定的光量。
该不良结构通过图82B所述那样，使在与上述相向的方向的垂直的方向上邻接的电极间的间隔b空开0.5×棒状发光元件的长度以上就能够避免。这是因为这样的话，能够通过长度的制约使在上述相向的方向上交叉的电极间的接合变得困难。
图83A是表示棒状发光元件为原因的不良结构的示意图，图83B是表示能够防止该不良结构的结构的示意图。
具体地，图83A是表示棒状发光元件3624的一个端部连接在与预定排列的一对电极的相向方向垂直的方向上邻接的电极间形成的凹部，并且棒状发光元件3624的一个端部连接于在与该凹部在上述相向方向上相向的凹部的不良结构的示意图。此外，虽然没有图示，但作为除此之外的该种不良结构，有棒状发光元件的一个端部连接于凹部，棒状发光元件的另一个端部连接于电极的规定位置的结构。这些不良结构阻碍预定的发光位置的发光，引起发光的亮度不均。
该不良结构通过图83B所述那样，使在与预定排列的一对电极的相向方向垂直的方向上邻接的电极间形成的凹部的底部彼此的距离c为1.5×棒状发光元件的长度以上就能够避免。这是因为这样的话，能够通过长度的制约使棒状发光元件难以连接于凹部。
图84A是表示棒状发光元件为原因的不良结构的示意图，图84B是表示能够防止该不良结构的结构的示意图。
具体地，图84A是表示棒状发光元件3724、3725排列在电极对的不同列之间的不良结构的示意图。当产生该不良结构时，不能实现规定的发光量和规定的光出射密度的均匀性。
该不良结构通过图84B所述那样，使邻接的电极对的不同列之间的距离e为2.5×棒状发光元件的长度以上就能够避免。这是因为将3个以上的棒状发光元件串联地取向是几乎不可能的。
这是因为1个棒状发光元件占领的基板面积S当将棒状发光元件的长度设为L[μm]时，成为
S≈0.5×L(1.5×L+2.5×L)=0.5L×4L[μm2]。
由此，平均每基板面积的发光面积是
(L-3)×πD/(0.5L×4L)[μm2]。
在这里，当平均每1[lm（流明）]的发光使用2.0×105μm2以上的基板面积时成本上升，所以优选以比2.0×105μm2小的基板面积进行1[lm]的发光。此外，棒状发光元件通常平均每1[μm2]的发光面积具有70×10-6[lm]的明亮度，所以下式成立
70×10-6×(L-3)×π×D/(0.5L×4L)
≥1/(2.0×105)
=5.0×10-6式(1)。
图85是表示有效的棒状发光元件的直径和长度的关系的图，是表示70×10-6×(L-3)×π×D/(0.5L×4L)=5.0×10-6在DL2维平面上的轨迹的图。
为了使成本适合生产基准，如上述那样，需要满足上述数式（1），在图85中，需要棒状发光元件的直径比线f大。由此，如图85所示，由于线f具有比0.5[μm]（500[nm]）大的直径D的极小值，所以需要使棒状发光元件的直径为500nm以上。此外，通过使直径D为1[μm]以上，从而能够增大平均每基板面积的发光，能够进一步发挥成本优势。
以上，针对在本发明的发光装置的制造方法中能够使用的棒状发光元件进行了详细的说明。可是，在本发明中，作为发光元件当然也可以使用棒状发光元件以外的发光元件。具体地，在本发明中，也可以使用具有圆形状、椭圆状、正方形状、矩形状、多角形状等的平坦的发光面，以其发光面相对于基板平行的方式配置在安装面上的形态的发光元件。
（第25实施方式）
图86是本发明的第25实施方式的显示装置的概略结构图。
上述显示装置具备：绝缘性柔性基板4001；在绝缘性柔性基板4001上形成的、沿着绝缘性柔性基板4001的横方向延伸的多个行布线4002、4002、...；在绝缘性柔性基板4001上形成的、沿着绝缘性柔性基板1的纵方向延伸的多个列布线4003、4003；连接于多个行布线4002、4002、...的行驱动电路4004；连接于多个列布线4003、4003、...的列驱动电路4005；在绝缘性柔性基板4001上配置成矩阵状的棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C。在图86中，棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C分别仅图示有2个，但实际上是3个以上。再有，上述绝缘性柔性基板4001是基板的一例。此外，上述行布线4002是第1布线的一例，列布线4003是第2布线的一例。而且，上述棒状红色LED元件4006A是红色发光元件的一例，棒状绿色LED元件4006B是绿色发光元件的一例，棒状蓝色LED元件4006C是蓝色发光元件的一例。
作为上述绝缘性柔性基板4001，能够使用例如柔性陶瓷基板、柔性玻璃基板等。此外，也可以代替上述绝缘性柔性基板4001，使用玻璃、陶瓷、氧化铝、树脂那样的绝缘体构成的刚性基板。或者，也可以使用在硅那样的半导体表面形成硅氧化膜，表面具有绝缘性那样的基板。在使用玻璃基板的情况下，优选在表面形成硅氧化膜、硅氮化膜那样的基底绝缘膜。
上述各行布线4002的大部分被绝缘膜4007覆盖，在该绝缘膜4007上形成有各列布线4003的大部分。上述绝缘膜4007具有棒状红色LED元件用开口部4008A、棒状绿色LED元件用开口部4008B以及棒状蓝色LED元件用开口部4008C。在上述棒状红色LED元件用开口部4008A内配置棒状红色LED元件4006A，在上述棒状绿色LED元件用开口部4008B内配置棒状绿色LED元件4006B，在上述棒状蓝色LED元件用开口部4008C内配置棒状蓝色LED元件4006C。也就是说，上述棒状红色LED元件用开口部4008A形成在红色的像素部，上述棒状绿色LED元件用开口部4008B形成在绿色的像素部，上述棒状蓝色LED元件用开口部4008C形成在蓝色的像素部。再有，上述棒状红色LED元件用开口部4008A是红色发光元件用开口部的一例，棒状绿色LED元件用开口部4008B是绿色发光元件用开口部的一例，棒状蓝色LED元件用开口部4008C是蓝色发光元件用开口部的一例。
上述各行布线4002的大部分被绝缘膜4007覆盖，各行布线4002的端子部4002a进入棒状红色LED元件用开口部4008A内、棒状绿色LED元件用开口部4008B内、棒状蓝色LED元件用开口部4008C内。
上述各列布线4003的大部分形成在绝缘膜4007上，各列布线4003的端子部4003a进入棒状红色LED元件用开口部4008A内、棒状绿色LED元件用开口部4008B内、棒状蓝色LED元件用开口部4008C内。
上述行驱动电路4004及列驱动电路4005通过使对应于希望显示的数据的电流流过行布线4002与列布线4003之间，从而驱动与该行布线4002及列布线4003对应的像素部。
上述棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C分别将一个端部与多个行布线4002、4002、...中的一个端子部4002a直接电连接，并且另一个端部与多个列布线4003、4003、...中的一个端子部4003a直接电连接。由此，上述行驱动电路4004及列驱动电路4005经由多个行布线4002、4002、...及列布线4003、4003、...使电流流过棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C。而且，当使电流流过棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C时，棒状红色LED元件4006A射出红色光，棒状绿色LED元件4006B射出绿色光，棒状蓝色LED元件4006C射出蓝色光。再有，虽然在图86中没有图示，但在端子部4002a、4003a上涂覆有导电性粘接剂4010（图91I、图91J、图91K）。
图87是上述棒状红色LED元件4006A的概略立体图。再有，在图87中，表示将上述棒状红色LED元件4006A搭载在绝缘性柔性基板4001上之前的状态。
上述各棒状红色LED元件4006A具备：半导体核心4111A，由剖面大致圆形的棒状的n型GaAs（砷化镓）构成；以及半导体壳4112A，由以同轴状地覆盖半导体核心4111A的一部分外周面的方式形成的p型GaAs构成。而且，上述各棒状红色LED元件4006A的长度L1相对于宽度R1的比是5以上且400以下，且其长度L1是0.5μm以上200μm以下。再有，上述半导体核心4111A是第1导电型半导体的一例，半导体壳4112A是第2导电型半导体的一例。
上述半导体核心4111A的一端侧的外周面及端面被半导体壳4112A覆盖，但半导体核心4111A的另一端侧的外周面及端面露出。
上述半导体壳4112A是有底圆筒形状，半导体壳4112A的中心轴与半导体核心4111A的半导体壳4112A侧的端部的中心轴一致。
图88是上述棒状绿色LED元件4006B的概略立体图。再有，在图88中，表示将上述棒状绿色LED元件4006B搭载在绝缘性柔性基板4001上之前的状态。
上述各棒状绿色LED元件4006B具备：半导体核心4111B，由剖面大致圆形的棒状的n型GaP（磷化镓）构成；以及半导体壳4112B，由以同轴状地覆盖半导体核心4111B的一部分外周面的方式形成的p型GaP构成。而且，上述各棒状绿色LED元件4006B的长度L2相对于宽度R2的比是5以上且400以下，且其长度L2是0.5μm以上200μm以下。再有，上述半导体核心4111B是第1导电型半导体的一例，半导体壳4112B是第2导电型半导体的一例。
上述半导体核心4111B的一端侧的外周面及端面被半导体壳4112B覆盖，但半导体核心4111B的另一端侧的外周面及端面露出。
上述半导体壳4112B是有底圆筒形状，半导体壳4112B的中心轴与半导体核心4111B的半导体壳4112B侧的端部的中心轴一致。
图89是上述棒状蓝色LED元件4006C的概略立体图。再有，在图89中，表示将上述棒状蓝色LED元件4006C搭载在绝缘性柔性基板4001上之前的状态。
上述各棒状蓝色LED元件4006C具备：半导体核心4111C，由剖面大致圆形的棒状的n型GaN（氮化镓）构成；以及半导体壳4112C，由以同轴状地覆盖半导体核心4111C的一部分外周面的方式形成的p型GaN构成。而且，上述各棒状蓝色LED元件4006C的长度L3相对于宽度R3的比是5以上且400以下，且其长度L3是0.5μm以上200μm以下。再有，上述半导体核心4111C是第1导电型半导体的一例，半导体壳4112C是第2导电型半导体的一例。
上述半导体核心4111C的一端侧的外周面及端面被半导体壳4112C覆盖，但半导体核心4111C的另一端侧的外周面及端面露出。
上述半导体壳4112C是有底圆筒形状，半导体壳4112C的中心轴与半导体核心4111C的半导体壳4112C侧的端部的中心轴一致。
根据上述结构的显示装置，棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C分别将一个端部与多个行布线4002、4002、...中的一个端子部4002a直接电连接，并且另一个端部与多个列布线4003、4003、...中的一个端子部4003a直接电连接，因此不需要在上述现有（特开2002-353517号公报）的显示装置中需要的导线。结果，与上述现有的显示装置相比能够削减材料费和制造工序，能够以低成本进行制造。
此外，伴随着不需要上述导线，也不需要接合焊盘（bonding pad），因此能够缩短棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B、棒状蓝色LED元件4006C间的距离。在此基础上，上述棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B、棒状蓝色LED元件4006C的长度L1、L2、L3相对于宽度R1、R2、R3的比是5以上且400以下，并且其长度L1、L2、L3是0.5μm以上200μm以下，因此非常小。因此，能够使上述显示装置的各像素部非常小，能够进行高精细的显示。
此外，因为上述长度L1、L2、L3相对于宽度R1、R2、R3的比是5以上且400以下，并且使其长度L1、L2、L3是200μm以下，因此通过对行布线4002和列布线4003之间施加电压，从而能够容易地将棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B、棒状蓝色4006C配置在行布线4002和列布线4003之间。
当使上述长度L1、L2、L3相对于宽度R1、R2、R3的比不足5，或其比超过400，或其长度超过200μm时，即使进行上述电压的施加，也难以将棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B、棒状蓝色4006C配置在行布线4002和列布线4003之间。
此外，因为使上述棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B、棒状蓝色LED元件4006C的长度L1、L2、L3为0.5μm以上，所以能够提高发光强度，获得所希望的发光强度。
当使上述棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B、棒状蓝色LED元件4006C的长度L1、L2、L3不足0.5μm时，发光强度低，不能获得所希望的发光强度。
此外，通过使上述长度L1、L2、L3相对于宽度R1、R2、R3的比为5以上，从而能够延长行布线4002的端子部4002a与列布线4003的端子部4003a之间的距离，因此用于行布线4002和列布线4003的例如曝光装置是低规格即可，难以发生端子部4002a向端子部4003a的短路。因此，能够不使上述棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B、棒状蓝色LED元件4006C的材料成本增加，能够降低装置成本、能够使成品率提高，能够降低总的制造成本。
此外，因为上述半导体壳4112A、4112B、4112C呈同轴状地覆盖半导体核心4111A、4111B、4111C的一部分，所以棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B、棒状蓝色LED元件4006C的各发光面积变大。因此，能够提高上述LED液晶显示装置的亮度。
此外，因为在上述绝缘性柔性基板4001上配置有棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B、棒状蓝色LED元件4006C，所以能够不使用荧光体来进行全彩色显示。
此外，通过在液晶显示装置等的背光灯中使用本第25实施方式的显示装置，从而能够实现可薄型化和轻量化且发光效率高并省电的背光灯。
此外，在液晶显示装置的背光灯中使用本第25实施方式的显示装置的情况下，能够去除液晶显示装置的滤色器，能够降低制造成本，并且能够提高液晶显示装置的色纯度和明度。
此外，通过将本第25实施方式的显示装置作为照明装置进行使用，从而能够实现可薄型化和轻量化且发光效率高并省电的背光灯。在该情况下，也可以将搭载在上述绝缘性柔性基板4001的发光元件的出射光的颜色一致为同一颜色。
此外，因为在上述显示装置中使用绝缘性柔性基板4001，所以能够提高绝缘性柔性基板4001的配置的自由度。
以下，针对上述棒状蓝色LED元件4006C的制造方法进行说明。
图90A~图90E是表示上述棒状蓝色LED元件4006C的制造方法的工序图。在本第25实施方式中，使用掺杂了Si（硅）的n型GaN和掺杂了Mg（镁）的p型GaN，但掺杂到GaN的杂质并不限于此。
首先，如图90A所示，在n型GaN构成的基板4121上，形成具有多个生长孔4122a（在图90A中仅图示1个）的掩模4122。作为该掩模4122的材料，能够使用氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）等的可对半导体核心4111C和半导体壳4112C选择性地进行蚀刻的材料。在上述生长孔4122a的形成中能够利用在通常的半导体工艺中使用的公知的光刻法和干法蚀刻法。
接着，如图90B所示，在半导体核心4111C形成工序中，在通过掩模4122的生长孔4122a露出的基板4121上，使用MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机物化学气相沉积）装置，使n型GaN结晶生长，形成多根棒状的半导体核心4111C（在图90B中仅图示1根）。这时，将生长温度设定为950℃左右，作为生长气体使用TMG（三甲基镓）和NH3（氨），将SiH4（硅烷）用于n型杂质供给，进而作为载气供给H2（氢），由此能够使将Si作为杂质的n型GaN的半导体核心4111C生长。这时，生长的半导体核心4111C的直径能够通过掩模4122的生长孔4122a的直径来决定。此外，n型GaN是六方晶系的结晶生长，将相对于基板4121表面的垂直方向作为c轴方向进行生长，由此成为六角柱形状的半导体核心4111C。虽然也依赖于生长方向、生长温度等的生长条件，但在生长的半导体核心4111C的直径是从数10nm到数100nm左右的较小的情况下，有剖面容易变为接近于大致圆形的形状的倾向，当直径变大到从0.5μm左右到数μm时，有容易使剖面以大致六角形生长的倾向。
接着，如图90C所示，在半导体层形成工序中，以覆盖棒状的半导体核心4111C的方式在基板4121的整个表面上形成由p型GaN构成的半导体层4112C'。将形成温度设定为960℃左右，作为生长气体使用TMG和NH3，将Cp2Mg（二茂镁）用于p型杂质供给，由此能够使将镁（Mg）作为杂质的p型GaN生长。
接着，在露出工序中，通过剥离将掩模4122和半导体层4122C'的一部分除去，如图90D所示，形成覆盖半导体核心4111C的一部分的半导体壳4112C，使棒状的半导体核心4111C的基板4121侧的端部的外周面露出。在该状态下，上述半导体核心4111C的基板4121侧的相反侧的端面被半导体壳4112C覆盖。在上述掩模4122以SiO2或Si3N4构成的情况下，通过使用包含HF（氢氟酸）的溶液，能够容易地不对半导体核心4111C和覆盖半导体核心4111C的半导体层部分（成为半导体壳4112C的部分）施加影响地对掩模4122进行蚀刻，能够通过剥离除去掩模4122和覆盖半导体核心4111C的基板4121侧的端部的外周面的半导体层4112C'的一部分。在本第25实施方式的露出工序中使用了剥离，但也可以通过蚀刻使半导体核心4111C的基板4121侧的端部的外周面露出。在干法蚀刻的情况下，通过使用CF4、XeF2，能够容易地不对半导体核心4111C和覆盖半导体核心4111C的半导体层部分（成为半导体壳4112C的部分）施加影响地对掩模4122进行蚀刻，能够除去掩模4122和覆盖半导体核心4111C的基板4121侧的端部的外周面的半导体层4112C'的一部分。
接着，在割断工序中，通过将基板4121浸入IPA（异丙醇）溶液中，使用超声波（例如数10KHz）使基板4121沿着基板平面振动，从而以使在基板4121上竖立设置的半导体核心4111C的靠近基板4121侧的根部折弯的方式，对一部分被半导体壳4112C覆盖的半导体核心4111C施加应力，如图90E所示，从基板4121割断一部分被半导体壳4112C覆盖的半导体核心4111C。
这样，能够一次制造多个从上述基板4121割断的微细的棒状蓝色LED元件4006C。
而且，上述棒状红色LED元件4006A和棒状绿色LED元件4006B也能够与棒状蓝色LED元件4006C同样地一次制造多个。
本第25实施方式的显示装置使用以上述方式制造的棒状红色LED元件4006A和棒状绿色LED元件4006B以及棒状蓝色LED元件4006C来进行制造。
以下，对上述显示装置的制造方法进行说明。
首先，如图91A所示，在绝缘性柔性基板4001上，在基板的纵方向空开规定的间隔排列多个行布线4002、4002、...。在这里，上述行布线2利用印刷技术形成为所希望的形状。再有，也可以同样地层叠金属膜和感光体膜，曝光所希望的电极图案，进行蚀刻而形成行布线4002。
接着，如图91B所示，在上述绝缘性柔性基板4001的整个表面上形成绝缘膜7，以绝缘膜4007覆盖多个行布线4002、4002、...的全部。
接着，除去上述绝缘膜4007的一部分，如图91C所示，形成用于配置棒状红色LED元件4006A的棒状红色LED元件用开口部4008A、用于配置棒状绿色LED元件4006B的棒状绿色LED元件用开口部4008B、用于配置棒状蓝色LED元件4006C的棒状蓝色LED元件用开口部4008C。由此，从上述棒状红色LED元件用开口部4008A内、棒状绿色LED元件用开口部4008B内以及棒状蓝色LED元件用开口部4008C内露出行布线4002的端子部4002a。
接着，如图91D所示，在上述绝缘膜4007上，在基板的横方向空开规定的间隔排列多个列布线4003、4003、...，在棒状红色LED元件用开口部4008A内、棒状绿色LED元件用开口部4008B内及棒状蓝色LED元件用开口部4008C内放入列布线4003的端子部4003a。在这里，上述列布线4003利用印刷技术形成为所希望的形状。再有，也可以同样地地层叠金属膜和感光体膜，曝光所希望的电极图案，进行蚀刻而形成列布线4003。
接着，如图91E、91F所示那样，对上述多个行布线4002、4002、...的全部，和端子部4003a进入棒状红色LED元件用开口部4008A内的列布线4003连接交流电源4131。
接着，在涂覆工序中，在绝缘性柔性基板4001上较薄地涂覆包含多个棒状红色LED元件4006A的IPA溶液4132。在上述IPA溶液4132之外，也可以是乙二醇、丙二醇、甲醇、丙酮或它们的混合物。或者，也能够替换IPA溶液4132，使用其它有机物构成的液体、水等。再有，上述IPA溶液4132是液体的一例。
但是，当通过液体对上述行布线4002的端子部4002a和列布线4003的端子部4003a之间流过大的电流时，不再能对行布线4002的端子部4002a与列布线4003的端子部4003a之间施加所希望的电压差。在这样的情况下，以覆盖上述行布线4002和列布线4003的端子部4003a的方式，在绝缘性柔性基板4001的整个表面上，镀敷10nm~30nm左右的绝缘膜即可。
对包含上述多个棒状红色LED元件4006A的IPA溶液4132进行涂覆的厚度，是在接下来排列棒状红色LED元件4006A的工序中，为了棒状红色LED元件4006A能够排列，棒状红色LED元件4006A在液体中能够移动的厚度。因此，上述涂覆IPA溶液4132的厚度是棒状红色LED元件4006A的粗细（宽度R1）以上，例如是数μm～数mm。当涂覆的厚度太薄时，棒状红色LED元件4006A难以移动，当太厚时，对液体进行干燥的时间变长。此外，相对于IPA溶液4132的量，优选棒棒状红色LED元件4006A的量是1×104根/cm3～1×107根/cm3。
为了涂覆包含上述棒状红色LED元件4006A的IPA溶液4132，也可以在使棒状红色LED元件4006A排列的金属电极的外周围形成框，在该框内将包含棒状红色LED元件4006A的IPA溶液4132以成为所希望的厚度的方式填充。可是，在包含棒状红色LED元件4006A的IPA溶液4132具有粘性的情况下，不需要框，就能够以所希望的厚度进行涂覆。
IPA、乙二醇、丙二醇、…、或它们的混合物，或者由其它的有机物构成的液体，或水等的液体为了棒状红色LED元件4006A的排列工序，优选粘性越低越好，此外优选通过加热容易蒸发。
接着，对上述行布线4002的端子部4002a施加基准电位，对列布线4003的端子部4003a施加规定振幅的交流电压。由此，上述棒状红色LED元件4006A进入棒状红色LED元件用开口部4008A内。这时，上述棒状红色LED元件4006A的一个端部配置在行布线4002的端子部4002a上，另一方面，棒状红色LED元件4006A的另一个端部配置在列布线4003的端子部4003a上。
优选上述交流电压的频率是10Hz~1MHz，采用50Hz~1kHz时排列最稳定，所以更优选。进而，上述交流电压不限于正弦波，只要是矩形波、三角波、锯齿波等周期地变动的交流电压即可。再有，优选上述振幅是0.5V左右。此外，也可以替换上述交流电源4131使用直流电源。
接着，如图91G所示那样，对上述多个行布线4002、4002、...的全部，和端子部4003a进入棒状绿色LED元件用开口部4008B内的列布线4003连接交流电源4131。
接着，在涂覆工序中，在绝缘性柔性基板4001上较薄地涂覆包含棒状绿色LED元件4006B的IPA溶液4133。能够替换上述IPA溶液4133来使用的溶液与棒状红色LED元件4006A的情况相同。此外，上述IPA溶液4133的涂覆厚度也与棒状红色LED元件4006A的情况相同。也就是说，包含上述棒状绿色LED元件4006B的IPA溶液4133的涂覆，能够与包含棒状红色LED元件4006A的IPA溶液4132的涂覆同样地进行。再有，上述IPA溶液4133是液体的一例。
接着，与上述棒状红色LED元件4006A的排列时同样地，对行布线4002的端子部4002a施加基准电位，对列布线4003的端子部4003a施加规定振幅的交流电压。由此，上述棒状绿色LED元件4006B进入棒状绿色LED元件用开口部4008B内。这时，上述棒状绿色LED元件4006B的一个端部配置在行布线4002的端子部4002a上，另一方面，棒状绿色LED元件4006B的另一个端部配置在列布线4003的端子部4003a上。
接着，如图91H所示那样，对上述多个行布线4002、4002、...的全部，和端子部3a进入棒状蓝色LED元件用开口部4008C内的列布线4003连接交流电源4131。
接着，在涂覆工序中，在绝缘性柔性基板4001上较薄地涂覆包含棒状蓝色LED元件4006C的IPA溶液4134。能够替换上述IPA溶液4134来使用的溶液与棒状红色LED元件4006A的情况相同。此外，上述IPA溶液4134的涂覆厚度也与棒状红色LED元件4006A的情况相同。也就是说，包含上述棒状蓝色LED元件4006C的IPA溶液4134的涂覆，能够与包含棒状红色LED元件4006A的IPA溶液4132的涂覆同样地进行。再有，上述IPA溶液4134是液体的一例。
接着，与上述棒状红色LED元件4006A的排列时同样地，对行布线4002的端子部4002a施加基准电位，对列布线4003的端子部4003a施加规定振幅的交流电压。由此，上述棒状蓝色LED元件4006C进入棒状蓝色LED元件用开口部4008C内。这时，上述棒状蓝色LED元件4006C的一个端部配置在行布线4002的端子部4002a上，另一方面，棒状蓝色LED元件4006B的另一个端部配置在列布线4003的端子部4003a上。
接着，如图91I~图91K所示，在上述行布线4002、列布线4003的端子部4002a、4003a上例如以喷墨来涂覆导电性粘接剂4010，使导电性粘接剂4010干燥并固化。由此，上述棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B以及棒状蓝色LED元件4006C的一个端部固定在行布线4002的端子部4002a，与行布线4002的端子部4002a成为导通状态。此外，上述棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B以及棒状蓝色LED元件4006C的另一个端部固定在列布线4003的端子部4003a，与列布线4003的端子部4003a成为导通状态。也就是说，在上述行布线4002的端子部4002a物理且电地直接连接棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C的一个端部，并且在列布线4003的端子部4003a物理且电地直接连接棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C的另一个端部。
接着，如图86所示，在上述行驱动电路4004连接多个行布线4002、4002、...，并且在列驱动电路4005连接多个列布线4003、4003、...。
像这样，在较薄地涂覆包含上述多个棒状红色LED元件4006A的IPA溶液4132之后，通过对行布线4002的端子部4002a施加基准电位，对列布线4003的端子部4003a施加规定的振幅的交流电压，从而能够一次进行多个棒状红色LED元件4006A向红色的像素部的排列。因此，不需要1个1个地排列上述多个棒状红色LED元件4006A的作业，此外也不需要引线键合工序，因此能够使制造工序简单，降低制造成本。
此外，上述多个棒状绿色LED元件4006B和棒状蓝色LED元件4006C的排列也与多个棒状红色LED元件4006A的排列同样地进行，因此能够进一步使制造工序简单，进一步降低制造成本。
此外，仅进行3次利用上述交流电源4131的交流电压的施加，就完成多个棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C的排列，因此能够减少制造工序数量。
此外，上述棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C非常小，仅对行布线4002的端子部4002a和列布线4003的端子部4003a之间施加所希望的电压差，就能容易地将棒状红色LED元件4006A放入棒状红色LED元件用开口部4008A内，将棒状绿色LED元件4006B放入棒状绿色LED元件用开口部4008B内，将棒状蓝色LED元件4006C放入棒状蓝色LED元件用开口部4008C内。因此，上述多个棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C的排列容易。
在上述第25实施方式中，以棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件的顺序进行排列，但例如也可以用棒状绿色LED元件4006B、棒状红色LED元件4006A及棒状蓝色LED元件的顺序进行排列，或者也可以用棒状蓝色LED元件、棒状绿色LED元件4006B及棒状红色LED元件4006A的顺序进行排列。
在上述第25实施方式中，在结束棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件的排列之后，在棒状红色LED元件用开口部4008A内、棒状绿色LED元件用开口部4008B内及棒状蓝色LED元件用开口部4008C内涂覆导电性粘接剂4010，但例如也可以用棒状红色LED元件4006A的排列和导电性粘接剂4010向棒状红色LED元件用开口部4008A内的涂覆，棒状绿色LED元件4006B的排列和导电性粘接剂4010向棒状绿色LED元件用开口部4008B内的涂覆、以及棒状蓝色LED元件4006C的排列和导电性粘接剂4010向棒状蓝色LED元件用开口部4008C内的涂覆的顺序来进行。
在上述第25实施方式中，在绝缘性柔性基板4001上搭载有棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B及棒状蓝色LED元件4006C等3种的棒状LED元件，但也可以搭载1种棒状LED元件。例如，也可以在绝缘性柔性基板401上仅排列多个棒状蓝色LED元件4006C，或排列出射红、绿、蓝以外的颜色的光的多个棒状LED元件。
此外，也可以使搭载在上述绝缘性柔性基板4001的棒状LED元件的种类为4种以上。例如，也可以在上述绝缘性柔性基板4001上搭载棒状红色LED元件4006A、棒状绿色LED元件4006B、棒状蓝色LED元件4006C及棒状黄色LED元件的4种棒状LED元件。
（第26实施方式）
图92是本发明的第26实施方式的显示装置的概略结构图。此外，在图92中，对与图86的结构部同一形状且同一名称的结构部赋予与图86的结构部同一附图标记并省略说明。再有，在图92中，与图86同样地，省略端子部4202a、4203a上的导电性粘接剂4010的图示。
上述显示装置具备：形成有多个棒状红色LED元件用开口部4208A、4208A...、棒状绿色LED元件用开口部4208B、4208B、...、以及棒状蓝色LED元件用开口部4208C、4208C、...的绝缘膜4207。
在上述各棒状红色LED元件用开口部4208A内配置棒状红色LED元件4206A，在各棒状绿色LED元件用开口部4208B内配置棒状绿色LED元件4206B，在各棒状蓝色LED元件用开口部4208C内配置棒状蓝色LED元件4206C。上述棒状红色LED元件4206A、棒状绿色LED元件4206B及棒状蓝色LED元件4206C分别将一个端部与多个行布线4202、4202、...中的一个端子部4202a直接电连接，并且另一个端部与多个列布线4203、4203、...中的一个端子部4203a直接电连接。由此，上述行驱动电路4004及列驱动电路4005经由行布线4202及列布线4203使电流流过棒状红色LED元件4206A、棒状绿色LED元件4206B及棒状蓝色LED元件4206C。而且，当使电流流过上述棒状红色LED元件4206A、棒状绿色LED元件4206B及棒状蓝色LED元件4206C时，棒状红色LED元件4206A射出红色光，棒状绿色LED元件4206B射出绿色光，棒状蓝色LED元件4206C射出蓝色光。
此外，与上述第25实施方式同样地，棒状红色LED元件4206A、棒状绿色LED元件4206B及棒状蓝色LED元件4206C各自的长度相对于宽度的比是5以上且400以下，并且其长度是0.5μm以上且200μm以下，但在调整棒状红色LED元件4206A、棒状绿色LED元件4206B及棒状蓝色LED元件4206C的各发光面积这一点与上述第25实施方式不同。
更具体地，在对上述棒状红色LED元件4206A、棒状绿色LED元件4206B及棒状蓝色LED元件4206C流过同一电流的情况下，以当将棒状红色LED元件4206A的红色的出射光、棒状绿色LED元件4206B的绿色的出射光及棒状蓝色LED元件4206C的蓝色的出射光混合时获得白色光的方式，在制造时以生长时间等来调整棒状红色LED元件4206A、棒状绿色LED元件4206B及棒状蓝色LED元件4206C各自的发光面积。在这里，发光强度以上述棒状蓝色LED元件4206C、棒状红色LED元件4206A及棒状绿色LED元件4206B的顺序较大，但也可以以棒状红色LED元件4206A的发光面积比棒状蓝色LED元件4206C的发光面积大的方式、并且以棒状绿色LED元件4206B的发光面积比棒状红色LED元件4206A的发光面积大的方式，制造棒状红色LED元件4206A、棒状绿色LED元件4206B及棒状蓝色LED元件4206C。
再有，上述行布线4202、列布线4203、绝缘膜4207与上述第25实施方式的行布线4002、列布线4003、绝缘膜4007相比，仅是形状不同。
根据上述结构的显示装置，当对棒状红色LED元件4206A、棒状绿色LED元件4206B及棒状蓝色LED元件4206C流过同一电流，将棒状红色LED元件4206A的红色的出射光、棒状绿色LED元件4206B的绿色的出射光及棒状蓝色LED元件4206C的蓝色的出射光混合时，获得白色光。
因此，用于获得上述白色光的控制简单，因此能够使行驱动电路4004及列驱动电路4005的结构简单。
此外，即使不对上述棒状红色LED元件4206A、棒状绿色LED元件4206B及棒状蓝色LED元件4206C中发光强度最小的棒状绿色LED元件4206B流过过剩的电流，也能获得白色光，因此能够防止棒状绿色LED元件4206B的寿命变短。
（第27实施方式）
图93是本发明的第27实施方式的显示装置的概略结构图。此外，在图93中，对与图86的结构部同一形状且同一名称的结构部赋予与图86的结构部同一附图标记并省略说明。再有，在图93中，与图86同样地，省略端子部4002a、4003a上的导电性粘接剂4010的图示。
上述显示装置具备：出射紫外光的多个棒状LED元件4306、4306、...。各棒状LED元件4306分别配置在多个红色荧光体用开口部4308A、4308A、...、绿色荧光体用开口部4308B、4308B、...、蓝色荧光体用开口部4308C、4308C、...中。再有，上述棒状LED元件4306是发光元件的一例。
上述多个棒状LED元件4306、4306、...各自的一个端部与多个行布线4002、4002、...中的一个端子部4002a直接电连接，并且另一个端部与多个列布线4003、4003、...中的一个端子部4003a直接电连接。由此，上述行驱动电路4004及列驱动电路4005经由行布线4002及列布线4003使电流流过棒状LED元件4306。
此外，与上述第25实施方式同样地，各棒状LED元件4306也是长度相对于宽度的比是5以上且400以下，且其长度是0.5μm以上200μm以下。
在上述红色荧光体用开口部4308A内配置有接受来自棒状LED元件4306的紫外光并射出红色光的红色荧光体4309A。该红色荧光体4309A以覆盖红色荧光体用开口部4308A内的棒状LED元件4306的方式而形成。
在上述绿色荧光体用开口部4308B内配置有接受来自棒状LED元件4306的紫外光并射出绿色光的绿色荧光体4309B。该绿色荧光体4309B以覆盖绿色荧光体用开口部4308B内的棒状LED元件4306的方式而形成。
在上述蓝色荧光体用开口部4308C内配置有接受来自棒状LED元件4306的紫外光并射出蓝色光的蓝色荧光体4309C。该蓝色荧光体4309C以覆盖蓝色荧光体用开口部4308C内的棒状LED元件4306的方式而形成。
图94是上述显示装置的要部的示意剖面图。
上述棒状LED元件4306具备：半导体核心4311，由剖面大致圆形的棒状的n型InGaN（氮化铟镓）构成；以及半导体壳4312，由以同轴状地覆盖半导体核心4311的一部分外周面的方式形成的p型InGaN构成。再有，上述半导体核心4311是第1导电型半导体的一例，半导体壳4312是第2导电型半导体的一例。
上述半导体核心4311的一端侧的外周面及端面被半导体壳4312覆盖，但半导体核心4311的另一端侧的外周面及端面露出。
上述半导体壳4312是有底圆筒形状，半导体壳4312的中心轴与半导体核心4311的半导体壳4312侧的端部的中心轴一致。
此外，上述棒状LED元件4306的一个端部以导电性粘接剂4010固定在行布线4002的端子部4002a，另一方面，棒状LED元件4306的另一个端部以导电性粘接剂4010固定在列布线4003的端子部4003a。通过该固定，棒状LED元件4306的半导体核心4311露出一侧的端部的中心轴，比棒状LED元件4306的半导体核心4311没有露出一侧的端部的中心轴靠向绝缘性柔性基板4001侧。
再有，图93的红色荧光体用开口部4308A、绿色荧光体用开口部4308B以及蓝色荧光体用开口部4308C与上述第25实施方式的棒状红色LED元件用开口部4008A、棒状绿色LED元件用开口部4008B、棒状蓝色LED元件用开口部4008C的形状相同，仅是名称不同。
以下，对上述显示装置的制造方法进行说明。
首先，以与上述第25实施方式同样的方法，在绝缘性柔性基板4001上形成多个行布线4002、4002、...、多个列布线4003、4003、...以及绝缘膜4007之后，排列和固定多个棒状LED元件4306。由此，上述各棒状LED元件4306的一个端部直接电连接于行布线4002的端子部4002a，并且各棒状LED元件4306的另一个端部直接电连接于列布线4003的端子部4003a。
接着，利用喷墨法等在上述红色荧光体用开口部4308A内形成红色荧光体4309A，使红色荧光体用开口部4308A内的棒状LED元件4306的紫外光入射到红色荧光体4309A。
接着，利用喷墨法等在上述绿色荧光体用开口部4308B内形成绿色荧光体4309B，使绿色荧光体用开口部4308B内的棒状LED元件4306的紫外光入射到绿色荧光体4309B。
接着，利用喷墨法等在上述蓝色荧光体用开口部4308C内形成蓝色荧光体4309C，使蓝色荧光体用开口部4308C内的棒状LED元件4306的紫外光入射到蓝色荧光体4309C。
像这样，与上述第25实施方式同样地，在较薄地涂覆包含多个棒状LED元件4306的IPA溶液之后，通过对行布线4002的端子部4002a施加基准电位，对列布线4003的端子部4003a施加规定的振幅的交流电压，从而能够一次进行多个棒状LED元件4306的排列。因此，不需要1个1个地排列上述多个棒状LED元件4306的作业，此外也不需要引线键合工序，因此能够使制造工序简单，降低制造成本。
此外，因为形成上述红色荧光体4309A、绿色荧光体4309B及蓝色荧光体4309C，所以能够仅用射出紫外光的发光元件进行全彩色显示。
在上述第27实施方式中，以红色荧光体、绿色荧光体、蓝色荧光体的顺序来形成，但例如也可以以绿色荧光体、红色荧光体、蓝色荧光体的顺序来形成，或者也可以用蓝色荧光体、绿色荧光体、红色荧光体的顺序来形成。也就是说，上述红色荧光体、绿色荧光体、蓝色荧光体的形成顺序不限定于上述第27实施方式。
此外，在上述第27实施方式中，在如第26实施方式那样对多个棒状LED元件流过同一电流的情况下，以当混合红色荧光体的红色的出射光、绿色荧光体的绿色的出射光、蓝色荧光体的蓝色的出射光时获得白色光的方式，调整各棒状LED元件的发光面积也可。
在上述第25~第27实施方式中，对行布线及列布线施加交流电压，使棒状红色LED元件等发光也可。即使半导体核心的露出侧的端部的朝向不一致，也能够使棒状红色LED元件等均匀地发光。
在上述第25~27实施方式中，针对作为发光元件的一例使用LED元件的显示装置及其制造方法进行了说明，但也可以在作为发光元件使用了半导体激光器、有机EL（Electro Luminescence，电致发光）、无机EL（本征EL）等的显示装置及其制造方法中应用本发明。
在上述第25~第27实施方式中，半导体核心和半导体壳使用将GaAs、GaP、GaN、InGaN作为母材的半导体，但也可以使用将AlGaAs、GaAsP、InGaN、AlGaN、ZnSe、AlGaInP等作为母材的半导体。
在上述第25~第27实施方式中，将半导体核心设为n型，将半导体壳设为p型，但也可以将半导体核心设为p型，将半导体壳设为n型。此外，针对具有大致圆柱形状的半导体核心的发光元件进行了说明，但并不局限于此，半导体核心也可以是剖面为椭圆的棒状，也可以是剖面为三角形或六角形等的多角形状的棒状。
在上述第25~第27实施方式中，半导体壳覆盖半导体核心的一个端面，但也可以使半导体壳不覆盖半导体核心的一个端面，即半导体核心的轴方向的两端面露出。
在上述第25~第27实施方式中，在半导体核心的露出侧的端部的周面与半导体壳的周面之间产生阶梯差，但半导体核心的露出侧的端部的周面与半导体壳的周面没有阶梯差而相连也可。也就是说，也可以是半导体核心的露出侧的端部的周面与半导体壳的周面为大致一个面。
在上述第25~第27实施方式中，也可以在半导体核心和半导体壳之间插入量子阱层。
在上述第25~第27实施方式中，以在与行布线延伸的方向正交的方向上延伸的方式形成列布线，但也可以在与行布线延伸的方向交叉成锐角或钝角的方向上延伸的方式形成列布线。
如上所述，针对本发明的上述第25~第27实施方式及其变形例进行了说明，但本发明并不限定于上述第25~第27实施方式及其变形例，能够在本发明的范围内实施各种变更。例如，也可以将上述第25~第27实施方式及其变形例的结构适当地组合，作为本发明的一个实施方式。
（第28实施方式）
图97是本发明的第28实施方式的液晶显示装置的剖面图。如图97所示，该液晶显示装置具有：透射光的第1基板5001和透射光的第2基板5002。第1基板5001和第2基板5002相互平行地相向配置，在该两方的基板5001、5002之间填充有液晶5003。第1基板5001、第2基板5002及液晶5003构成液晶面板。
在上述第1基板5001的液晶5003侧（下侧）的面设置有作为开关元件的薄膜晶体管（以下称为TFT）5004。也就是说，第1基板5001是TFT基板。
上述TFT5004具有从第1基板5001侧起依次配置的栅极电极5041、（由非晶硅等构成）的半导体膜5042、源极电极 5043及漏极电极5044。在栅极电极5041和半导体膜5042之间设置有由氮化硅等构成的栅极绝缘膜5045。源极电极5043和漏极电极5044在栅极电极5041下的半导体膜5042的两侧相互隔离而形成。漏极电极5044经由接触孔连接于像素电极5046。
上述TFT5004根据由栅极电极5041供给的扫描信号电压而被导通/截止控制。此外，通过源极电极5043供给的图像显示信号电压经由漏极电极5044对像素电极5046供给。
上述TFT5004被形成于栅极绝缘膜5045的下侧的绝缘膜5047覆盖。该绝缘膜5047由感光性树脂构成，配置在源极电极5043和像素电极5046之间对两电极间进行绝缘。像素电极5046按每个显示区域形成为矩阵状。像素电极5046例如通过ITO（indium-tin oxide：氧化铟锡）等的透明导电体而形成。在该像素电极5046的下侧形成有未图示的取向膜，液晶5003通过该取向膜被取向限制在规定的方向。
在上述第1基板5001的液晶5003侧的相反侧（上侧）的面，隔着第1偏振膜5017配置有发光元件5010。在发光元件5010上层叠有透明的保护膜5008，在该保护膜5008上层叠有反射膜5009。
上述反射膜5009使发光元件5010发出的光向第1基板5001侧反射。通过该反射膜5009，能够将从发光元件5010向第1基板5001的液晶5003侧的相反朝向照射的光高效率地向液晶5003反射。因此，能够高效率地利用从发光元件5010发出的光。
上述发光元件5010例如是蓝色的LED发光元件，通过在该发光元件5010上以发出黄色的荧光的荧光体5013进行覆盖，从而形成白色的背光灯部。上述保护膜5008例如由树脂等构成，上述反射膜5009例如由铝等构成。
上述发光元件5010是棒状结构的发光元件，以发光元件5010的轴与第1基板5001的上表面大致平行的方式，配置在第1基板5001。
如图98所示，上述发光元件5010具有：棒状的第1导电型的半导体核心5011；以及以覆盖半导体核心5011的方式形成的第2导电型的半导体层5012。半导体核心5011由n型GaN构成，形成为剖面六角形的棒状。半导体层5012由p型GaN构成。在半导体核心5011中，形成有一端侧的外周面露出的露出部分5011a。半导体核心5011的另一端侧的端面被半导体层5012覆盖。
通过在上述半导体核心5011的露出部分5011a连接n侧电极（图103的第2电极5052），在上述半导体层5012连接p侧电极（图103的第1电极5051），以在半导体核心5011的外周面和半导体层5012的内周面的pn结部中发生电子和空穴的再结合的方式，从p侧电极向n侧电极流过电流，由此，从pn结部放出光。在该发光元件5010中，通过从以半导体层5012覆盖的半导体核心5011的全周放出光，从而发光区域变大，因此发光效率高。
在这里，上述发光元件5010，例如是直径1μm、长度10μm～30μm的微米级尺寸、直径或长度中的至少直径是不足1μm的纳米级尺寸的元件。
从上述发光元件5010发出的光将发光元件5010的轴作为中心向360度方向照射。因此，在将发光元件5010配置在第1基板5011上的工序中，不需要控制将上述轴作为中心的旋转方向。因此，能够容易地进行发光元件5010的排列。
此外，上述发光元件5010是棒状结构的发光元件，因此能够增大发光元件5010的平均每体积的发光面积。因此，能够减小用于获得所希望的光量的发光元件5010的尺寸，能够降低发光元件5010的材料费。因此，能够降低液晶显示装置的成本。
在这里，说明上述发光元件5010的制造方法。在本实施方式中，使用掺杂了Si的n型GaN和掺杂了Mg的p型GaN，但掺杂到GaN的杂质并不限于此。
首先，如图99A所示，在由n型GaN构成的基板5021上，形成具有生长孔5022a的掩模5022。在该掩模5022能够使用氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）等的可对半导体核心和半导体层选择地进行蚀刻的材料。在生长孔5022a的形成中能够利用在通常的半导体工艺中使用的公知的光刻法和干法蚀刻法。此时，生长的半导体核心的直径依赖于上述掩模5022的生长孔5022a的尺寸。
之后，如图99B所示，在半导体核心形成工序中，在通过掩模5022的生长孔5022a露出的基板5021上，使用MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机物化学气相沉积）装置，使n型GaN结晶生长，形成棒状的半导体核心5011。将生长温度设定为950℃左右，作为生长气体使用三甲基镓（TMG）和氨（NH3），将硅烷（SiH4）作为n型杂质供给用，进而作为载气供给氢（H2），由此能够使将Si作为杂质的n型GaN的半导体核心生长。在这里，n型GaN是六方晶系的结晶生长，将相对于基板5021表面的垂直方向作为轴方向进行生长，由此能够得到六角柱形状的半导体核心。
之后，如图99C所示，在半导体层形成工序中，以覆盖棒状的半导体核心5011的方式在掩模5022的整个面形成由p型GaN构成的半导体层5012。将形成温度设定为960℃左右，作为生长气体使用三甲基镓（TMG）和氨（NH3），作为p型杂质供给用采用二茂镁（Cp2Mg），由此能够使将镁（Mg）作为杂质的p型GaN生长。
之后，如图99D所示，在露出工序中，通过剥离将除了覆盖半导体核心5011的半导体层5012的部分之外的区域和掩模5022除去，形成在棒状的半导体核心5011的基板5021侧使基板侧的外周面露出的露出部分5011a。在该状态下，上述半导体核心5011的与基板5021相反一侧的端面被半导体层5012覆盖。
在上述掩模5022以氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）构成的情况下，通过使用包含氢氟酸（HF）的溶液，能够容易地不对半导体核心5011和覆盖半导体核心5011的半导体层5012部分施加影响地对掩模5022进行蚀刻，能够通过剥离除去掩模5022和除了覆盖半导体核心5011的半导体层5012的部分之外的区域。在本实施方式的露出工序中使用了剥离，但也可以通过蚀刻使半导体核心5011的一部分露出。在干法蚀刻的情况下，通过使用CF4、XeF2，能够不对半导体核心5011和覆盖半导体核心5011的半导体层5012部分施加影响地容易地对掩模5022进行蚀刻，能够与掩模5022一起除去除了覆盖半导体核心的半导体层5012的部分之外的区域。
之后，在割断工序中，通过将基板浸入异丙醇（IPA）水溶液中，使用超声波（例如数10KHz）使基板5021沿着基板平面振动，从而以使在基板5021上竖立设置的半导体核心5011的靠近基板5021侧的根部折弯的方式，对被半导体层5012覆盖的半导体核心5011施加应力，如图99E所示，从基板5021割断被半导体层5012覆盖的半导体核心5011。
这样，能够制造从基板5021割断的微细的棒状结构发光元件5010。例如，能够制造直径是1μm，长度是10μm的发光元件5010。
如图97所示，在上述第2基板5002的液晶5003侧（上侧）的面，设置有黑矩阵5005和着色层5006。也就是说，第2基板5002是滤色器基板。
上述黑矩阵5005遮蔽由发光元件5010发出的光。通过该黑矩阵5005，第1基板1的形成有TFT5004的区域被遮光。
上述着色层被着色为红色、绿色、蓝色的任一种颜色。按每个像素，形成有红色、绿色、蓝色的任一种颜色的着色层5006。在本实施方式中，在水平方向，红色、绿色、蓝色的着色层5006依次反复排列。
在上述着色层5006形成有各像素共同的对置电极5007。该对置电极5007也通过ITO等的透明导电体形成。此外，在该对置电极5007的上侧形成有未图示的取向膜，液晶5003通过该取向膜被取向限制在规定的方向。在第2基板5002的下侧的面设置有第2偏振膜5027。
在上述第2基板5002设置有使发光元件5010发出的光通过的光通过区域Z。该光通过区域Z相当于除了黑矩阵5005之外的区域、即着色层5006的区域。而且，发光元件5010发出的光经由光通过区域Z从第2偏振膜5027向外部射出。
上述发光元件5010从与第1基板5001的上表面正交的方向来看，配置在与光通过区域Z重叠的位置，发光元件5010比光通过区域Z小。因此，能够高效率地利用从发光元件5010发出的光。即，通过不将发光元件5010配置在不与光通过区域Z重叠的位置，从而能够抑制不有助于显示的光的照射，能够谋求低功耗化。
此外，能够对1个光通过区域Z配置1个发光元件5010或多个发光元件5010，能够使发光元件5010和光通过区域Z的位置关系相同。因此，以发光元件5010构成的背光灯部的光按每个像素为固定，不产生亮度不均。相对于此，在现有的背光灯装置中，发光元件5010的数量相对于液晶面板的像素数通常较少。因此，发光元件5010的位置与像素的位置的关系按每个像素而不同，因此来自发光元件5010的光强度按每个像素而不同，在背光灯的光中产生亮度不均。
此外，由于在与形成液晶面板的上述第1基板1同一基板上形成发光元件5010，所以配合上述光通过区域Z能够控制性良好地配置发光元件。即，能够控制良好地进行光通过区域Z与发光元件5010的对准。
接着，针对上述结构的液晶显示装置的制作方法进行说明。
首先，在第1工序中，例如如本申请的申请人所申请的日本特开2008-304538号公报中所示的那样，以一般熟知的通常的工序来制作液晶面板。再有，关于细节与日本特开2008-304538号公报相同，因此省略。
也就是说，如图97所示，在第1基板5001形成栅极电极5041、栅极绝缘膜5045、半导体膜5042、源极电极5043、漏极电极5044、绝缘膜5047及像素电极5046，形成TFT5004。在第2基板5002形成黑矩阵5005、着色层5006及对置电极5007。而且，粘合第1基板5001和第2基板5002，在第1基板5001和第2基板5002之间注入液晶5003。在第1基板5001的液晶5003侧的相反侧的面形成第1偏振膜5017，在第2基板5002的液晶5003侧的相反侧的面形成第2偏振膜5027。这样，制作液晶面板。
之后，在第2工序中，在上述液晶面板的第1基板5001上形成背光灯部。
也就是说，如图100所示，在第1基板5001上形成的第1偏振膜5017上，形成第1电极5051和第2电极5052。第1电极5051和第2电极5052在与上述液晶面板的光通过区域Z对应的位置，以第1电极5051和第2电极5052之间的距离变短的方式而形成。这样的话，在以下的工序（配置发光元件5010的工序）中，在对第1电极5051和第2电极5052之间施加交流电压时，能够仅在电极间距离短的部分配置发光元件5010。
而且，在本申请申请人所申请的日本特开2008-260073号公报所示的方法中，在电极5051、5052排列发光元件5010。也就是说，如图101所示，在异丙醇5061中包含以图99A~图99E所示的方法制作的发光元件5010，在第1偏振膜5017上较薄地涂覆该包含发光元件5010的异丙醇5061。然后，对第1电极5051和第2电极5052之间施加交流电压，如图102所示，排列发光元件5010。再有，关于细节与日本特开2008-260073号公报相同，因此省略。
之后，如图103所示，将排列的发光元件5010的两端部连接于第1电极5051和第2电极5052。这时，发光元件5010通过导电性粘接剂5071固定在电极5051、5052。
在这里，上述发光元件5010通过对第1电极5051和第2电极5052之间施加交流电压而驱动。因此，即使相对于该电极5051、5052发光元件5010的极性不统一，也能使多个发光元件5010均匀地发光。因此，不需要进行用于统一发光元件5010的极性的控制，能够防止制造工序变得复杂。
之后，如图104所示，通过喷墨方式等在发光元件5010上形成荧光体5013。该荧光体5013的厚度例如是10μm~200μm左右。荧光体5013例如被着色为黄色，与发出蓝色光的发光元件5010一起，形成白色的背光灯部。
之后，如图104所示，形成由树脂等构成的透明的保护膜5008，在该保护膜5008上层叠由铝等构成的反射膜5009。通过调整该保护膜5008的膜厚和形状，从而如箭头的光路所示那样，能够不浪费地将光照射到光通过区域Z。在这里，作为比较例如图105所示，当不将反射膜5009层叠在保护膜5008，而形成为与第1基板5001平行的板状时，如箭头的光路所示，难以将从发光元件5010发出的光会聚到光通过区域Z。也就是说，光也被反射到光通过区域Z以外，因此光的利用效率变差。
像这样，在上述液晶面板上形成由发光元件5010、保护膜5008及反射膜5009构成的背光灯部。
根据上述结构的液晶显示装置，因为上述发光元件5010配置在上述第1基板5001，所以发光元件5010直接形成在构成液晶显示装置的2枚基板中的一方的基板。因此，不需要在现有的背光灯装置中所需要的、用于配置发光元件的基板。因此，能够较薄地形成以发光元件5010构成的背光灯部，能够实现薄型的液晶显示装置。
此外，因为在上述第1基板5001的上述液晶5003侧的面设置有作为开关元件的TFT5004，所以从发光元件5010发出的光从形成有TFT5004的基板5001侧向液晶5003入射。从形成有TFT5004的基板5001侧使光入射，这一点与通常的液晶显示装置相同。因此，能够不较大地改变液晶显示装置的结构来实现薄型的液晶显示装置。
（第29实施方式）
图106表示本发明的第29实施方式的液晶显示装置。说明与上述第28实施方式的不同之处，在本第29实施方式中，第1基板5001是滤色器基板，第2基板5002是TFT基板。再有，在本第29实施方式中，对与上述第28实施方式相同的部分赋予相同的符号并省略详细的说明。
如图106所示，在第1基板5001的液晶5003侧（下侧）的面，设置有黑矩阵5005和着色层5006。该着色5006形成光通过区域Z。像这样，发光元件5010设置在与滤色器基板同一基板上。
另一方面，在第2基板5002的液晶5003侧（上侧）的面设置有作为开关元件的TFT5004。因此，从发光元件5010发出的光从形成有TFT5004的基板5002相反的基板5001侧入射到液晶。而且，由于在分别不同的基板上形成发光元件5010和TFT5004，所以在配置发光元件5010的工序中，能够防止对TFT5004造成损伤，或者在形成TFT5004的工序中，能够防止对发光元件5010造成损伤。
（第30实施方式）
图107表示本发明的第30实施方式的液晶显示装置。说明与上述第28实施方式的不同之处，在本第30实施方式中，存在3种发光元件5010A、5010B、5010C，不存在图97的着色层。再有，在本第30实施方式中，对与上述第28实施方式相同的部分赋予相同的符号并省略详细的说明。
如图107所示，第1发光元件5010A发出红色的光，第2发光元件5010B发出绿色的光，第3发光元件5010C发出蓝色的光。因此，在各发光元件5010A、5010B、5010C的正下方的光通过区域Z中，没有必要设置着色层5006。也就是说，在第2基板5002的液晶5003侧（上侧）的面，仅设置黑矩阵5005，第2基板5002是具有遮光功能的滤波器基板。
而且如图108所示，由于发光元件5010A、5010B、5010C是3种，所以需要4个电极5051A、5052A、5053A、5054A。也就是说，各发光元件5010A、5010B、5010C的一端连接于第1电极5051A，第1发光元件5010A的另一端连接于第2电极5052A，第2发光元件5010B的另一端连接于第3电极5053A，第3发光元件5010C的另一端连接于第4电极5054A。各电极5051A、5052A、5053A、5054A兼作为驱动电极。
再有，在本第30实施方式中，将上述第28实施方式的发光元件设为3种并且省略了着色层，但也可以将上述第29实施方式的发光元件设为3种并省略着色层。
再有，本发明不限定于上述的实施方式。例如，也可以将上述第1到第3实施方式各自的特征进行各种组合。此外，作为发光元件，除了上述实施方式中示出的具有所谓筒状的发光层的发光元件之外，也可以使用具有平面状的发光层的通常的发光元件。
此外，在上述第28到上述第30实施方式中，针对具有半导体核心5011的一端侧的外周面露出的露出部分5011a的发光元件进行了说明，但并不局限于此，具有半导体核心的两端的外周面露出的露出部分也可，具有半导体核心的中央部分的外周面露出的露出部分也可。
再有，在上述第28到第30实施方式中，半导体核心5011和半导体层5012使用将GaN作为母材的半导体，但也可以在使用将GaAs、AlGaAs、GaAsP、InGaN、AlGaN、GaP、ZnSe、AlGaInP等作为母材的半导体的发光元件中应用本发明。此外，将半导体核心设为n型，将半导体层设为p型，但在导电型为相反的发光元件中也能够应用本发明。此外，针对具有六角柱形状的半导体核心的发光元件进行了说明，但并不局限于此，是剖面为圆形或椭圆的棒状也可，在具有剖面为三角形等其他多角形状的棒状的半导体核心的发光元件中也能够应用本发明。
此外，包含上述第1~30实施方式中的2个以上的实施方式的发明，当然构成本发明的其他实施方式。此外，包含上述第1~30实施方式及其变形例中的2个以上的结构的发明，当然构成本发明的另一个实施方式。
附图标记说明
1 n型GaN层；
2 量子阱层；
3 p型GaN层；
20 n型GaN基板；
10 棒状结构发光元件；
100 棒状结构发光元件；
101 蓝宝石基板；
102 n型GaN膜；
103 掩模层；
105 抗蚀剂层；
106 触媒金属；
107 半导体核心；
108 量子阱层；
110 半导体层；
111 导电膜；
200 绝缘性基板；
201、202 金属电极；
210 棒状结构发光元件；
211 IPA；
300 绝缘性基板；
301、302 金属电极；
303 层间绝缘膜；
304、305 金属布线；
310 棒状结构发光元件；
311 半导体核心；
311a 露出部分；
311b 包覆部分；
312 半导体层；
400 绝缘性基板；
410 棒状结构发光元件；
401、402 金属电极；
403、404 粘接部；
411 半导体核心；
411a 露出部分；
411b 包覆部分；
412 半导体层；
420 荧光体；
421 保护膜；
430 发光装置；
500 发光装置；
510 LED电灯泡；
511 灯口；
512 散热部；
513 透光部；
600 背光灯；
601 支承基板；
602 发光装置；
610 背光灯；
611 支承基板；
612 发光装置；
620 液晶面板；
621 发光部分；
622 透明基板；
623 液晶；
624 液晶密封板；
701 半导体核心；
702 半导体层；
710 棒状结构发光元件；
720 绝缘性基板；
721 摩擦装置；
731、732 金属布线；
820 液晶面板；
821 发光部分；
822 透明基板；
823 滤色器；
824 保护膜；
825 液晶；
826 TFT；
827 玻璃基板；
1050 绝缘性基板；
1051 第1电极；
1052 第2电极；
1060 棒状结构发光元件；
1061 异丙醇；
1250、1350、1450、1550、1650、1750、2150、2250、2350、2450、2550、2650、2750、2850、2870、2871、2872、2873、2874、2875、2950 第1基板；
1251、1451、1551、1651、1751、2051、2071、2081、2151、2251、2351、2451、2551、2651、2751 第1电极；
1252、1452、1552、1652、1752、2052、2072、2082、2152、2252、2352、2452、2552、2652、2752 第2电极；
1257、1357、1457、1557、1657、1757、2157、2257 液体；
1260、1360、1460、1560、1660、1760、2060、2070、2080、2160、2260、2360、2460、2560、2660、2760、2860、2960 发光元件；
1380、1480、1580 第2基板；
1453 第3电极；
1677 绝缘膜；
1777 第1基板的表面；
2170 没有排列在规定的场所的发光元件；
2588 第2液体；
2670、2770 发光元件的第1区域；
2671、2771 发光元件的第2区域；
2680、2681 导电体；
2780 第4电极；
2781 第5电极；
4001 绝缘性柔性基板；
4002 行布线；
4003 列布线；
4004 行驱动电路；
4005 列驱动电路；
4006A 棒状红色LED元件；
4006B 棒状绿色LED元件；
4006C 棒状蓝色LED元件；
4007 绝缘膜；
4008A 棒状红色LED元件用开口部；
4008B 棒状绿色LED元件用开口部；
4008C 棒状蓝色LED元件用开口部；
4010 导电性粘接剂；
4111A、4111B、4111C、4311 半导体核心；
4112A、4112B、4112C、4312 半导体壳；
4121 基板；
4122 掩模；
4131 交流电源；
4132、4133、4134 IPA溶液；
4308A 红色荧光体用开口部；
4308B 绿色荧光体用开口部；
4308C 蓝色荧光体用开口部；
4306 棒状LED元件；
4309A 红色荧光体；
4309B 绿色荧光体；
4309C 蓝色荧光体；
5001 第1基板；
5002 第2基板；
5003 液晶；
5004 TFT（薄膜晶体管）；
5005 黑矩阵；
5006 着色层；
5008 保护膜；
5009 反射膜；
5010、5010A、5010B、5010C 发光元件；
5011 半导体核心；
5011a 露出部分；
5012 半导体层；
5013 荧光体；
5051、5052、5051A、5052A、5053A、5054A 电极；
Z 光通过区域。

Claims (15)

1.一种发光装置的制造方法，其特征在于，具有：
配置工序，在同一基板上配置多个发光元件；
布线工序，将金属布线对配置在所述基板上的所述多个发光元件一并进行布线；以及
基板分割工序，在所述配置工序和所述布线工序之后，通过将所述基板分割成多个分割基板，从而形成多个在所述分割基板上配置有多个发光元件的发光装置，
所述金属布线与所述多个发光元件的全部第一区域电连接。
2.一种发光装置的制造方法，其特征在于，具有：
配置工序，在同一基板上配置多个发光元件；
布线工序，将金属布线对配置在所述基板上的所述多个发光元件一并进行布线；以及
基板分割工序，在所述配置工序和所述布线工序之后，通过将所述基板分割成多个分割基板，从而形成多个在所述分割基板上配置有多个发光元件的发光装置，
所述金属布线与3个以上的所述发光元件连接。
3.一种发光装置的制造方法，其特征在于，具有：
配置工序，在同一基板上配置多个发光元件；
布线工序，对配置在所述基板上的所述多个发光元件的一部分或全部一并进行布线；以及
基板分割工序，在所述配置工序和所述布线工序之后，通过将所述基板分割成多个分割基板，从而形成多个在所述分割基板上配置有多个发光元件的发光装置，
所述多个发光元件是棒状，
以所述多个发光元件的长尺寸方向相对于所述基板的安装面成为平行的方式，在所述基板的安装面上配置所述多个发光元件，
所述棒状的发光元件具有呈同心状地包围棒状的核心的筒状的发光面，
所述棒状的发光元件具有：第1导电型的棒状的半导体核心，以及覆盖该半导体核心的外周的第2导电型的筒状的半导体层，
所述棒状的发光元件的所述半导体核心的一端侧露出作为露出部分，
所述半导体层不覆盖所述半导体核心的一端侧的部分，而是覆盖所述半导体核心的所述露出部分以外的包覆部分，
将所述露出部分的外周面连接于电极。
4.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述配置工序中，在所述同一基板上一并配置所述多个发光元件。
5.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述基板上形成用于对所述多个发光元件进行布线的布线图案，
在所述基板分割工序中的所述基板的切断区域中没有形成所述布线图案。
6.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述基板上形成用于对所述多个发光元件进行布线的布线图案，
在所述基板的切断区域中形成有即使在所述基板分割工序中被切断也不影响电连接的所述布线图案。
7.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述基板分割工序中的所述基板的切断区域中没有配置所述发光元件。
8.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述多个发光元件中，在所述基板的切断区域中配置有即使在所述基板分割工序中被切断也不影响所希望的发光量的发光元件。
9.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，具有：
荧光体涂覆工序，在所述配置工序和所述布线工序之后且所述基板分割工序之前，在所述基板上涂覆荧光体；以及
保护膜涂覆工序，在所述荧光体涂覆工序之后在所述基板上涂覆保护膜。
10.根据权利要求9所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述荧光体涂覆工序中，对配置有所述多个发光元件的区域选择性地涂覆所述荧光体。
11.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在各个所述分割基板配置有100个以上的所述发光元件。
12.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述基板分割工序中，将所述基板分割成至少2种以上的形状不同的所述分割基板。
13.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述基板上配置所述多个发光元件的配置工序包含：
基板制作工序，制作在安装面具有至少第1电极及第2电极的所述基板；
涂覆工序，在所述基板上涂覆包含所述多个发光元件的溶液；以及
排列工序，对至少所述第1电极和所述第2电极施加电压，使所述多个发光元件排列在由至少所述第1电极及所述第2电极规定的位置。
14.根据权利要求13所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
至少所述第1电极及所述第2电极作为用于驱动所述多个发光元件的电极而被使用。
15.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述多个发光元件是在外延基板上形成的多个元件，是从所述外延基板上将所述多个发光元件分离后的元件。
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