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CN102681356A - 局部曝光方法以及局部曝光装置 - Google Patents

局部曝光方法以及局部曝光装置 Download PDF

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CN102681356A
CN102681356A CN2012100692910A CN201210069291A CN102681356A CN 102681356 A CN102681356 A CN 102681356A CN 2012100692910 A CN2012100692910 A CN 2012100692910A CN 201210069291 A CN201210069291 A CN 201210069291A CN 102681356 A CN102681356 A CN 102681356A
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illuminance
illuminant
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light
substrate
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田中茂喜
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Abstract

本发明提供一种局部曝光方法以及局部曝光装置，容易地调整在基板面内精确地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。该局部曝光方法具备以下步骤：针对形成于被处理基板(G)的感光膜的规定区域，根据其膜厚来求出要照射的目标照度；确定能够照射到上述规定区域的至少一个发光体；关于所确定的上述一个发光体(GR)，在与该发光体相邻的其它发光体能够照射到上述规定区域内的情况下，从上述目标照度中减去由该其它发光体的发光引起的干涉光的照度，将所算出的该值设为校正后的设定照度；以及根据校正后的上述设定照度来决定驱动电流值，根据该驱动电流值使上述一个发光体发光。

Description

局部曝光方法以及局部曝光装置
技术领域
本发明涉及一种对形成了感光膜的被处理基板进行局部曝光处理的局部曝光方法。
背景技术
例如在FPD(平板显示器)的制造过程中，通过光刻工序来形成电路图案。
在该光刻工序中，如专利文献1中也记载那样，在对玻璃基板等被处理基板形成规定的膜之后，涂敷光致抗蚀剂(以下称为抗蚀剂)，通过使抗蚀剂中的溶剂蒸发的预备干燥处理(减压干燥以及预烘焙处理)而形成抗蚀剂膜(感光膜)。并且，与电路图案对应地使上述抗蚀剂膜曝光，对该抗蚀剂膜进行显影处理并形成图案。
另外，对于这种光刻工序来说，如图19的(a)所示，使抗蚀剂图案R具有不同的膜厚(厚膜部R1和薄膜部R2)，利用该抗蚀剂图案进行多次蚀刻处理，由此能够减少光掩模数以及工序数。此外，能够通过使用半色调掩模的半(半色调)曝光处理来得到这种抗蚀剂图案R，其中，该半色调掩模在一个掩模中具有光的透过率不同的部分。
使用图19的(a)～(e)来具体说明在该半曝光中应用的抗蚀剂图案R的情况下的电路图案形成工序。
例如，在图19的(a)中，在玻璃基板G上将栅电极200、绝缘层201、由a-Si层(非掺杂非晶Si层)202a和n+a-Si层202b(磷掺杂非晶Si层)构成的Si层202以及用于形成电极的金属层203依次层叠。
另外，在金属层203上，同样地形成抗蚀剂膜之后，通过减压干燥以及预烘焙处理使抗蚀剂中的溶剂蒸发，之后，通过上述半曝光处理以及显影处理来形成抗蚀剂图案R。
在形成该抗蚀剂图案R(厚膜部R1和薄膜部R2)之后，如图19的(b)所示那样将该抗蚀剂图案R作为掩模，对金属层203进行蚀刻(第一次蚀刻)。
接着，通过等离子体对抗蚀剂图案R整体实施灰化(ashing)处理。由此，如图19的(c)所示，得到膜厚减少一半左右的抗蚀剂图案R3。
然后，如图19的(d)所示，将该抗蚀剂图案R3利用为掩模，对要曝光的金属层203、Si层202进行蚀刻(第二次蚀刻)，最后，如图19的(e)所示，通过去除抗蚀剂R3来得到电路图案。
然而，存在以下问题：对于使用上述那样形成了厚膜部R1和薄膜部R2的抗蚀剂图案R的半曝光处理来说，在形成抗蚀剂图案R时，在其膜厚在基板面内不均匀的情况下，所形成的图案的线宽、图案之间产生偏差。
即，使用图20的(a)～(e)来具体地说明，图20的(a)是表示抗蚀剂图案R中的薄膜部R2的厚度t2形成为大于图19的(a)示出的厚度t1的情形。
在该情况下，与图19示出的工序同样地，对金属膜203实施蚀刻(图20的(b))，对抗蚀剂图案R整体实施灰化处理(图20的(c))。
在此，如图20的(c)所示，得到膜厚减小到一半左右的抗蚀剂图案R3，但是被去除的抗蚀剂膜的厚度与图19的(c)的情形相同，因此图示的一对抗蚀剂图案R3之间的间距p2比图19的(c)示出的间距p1窄。
因而，根据该状态，经过对金属膜203和Si层202实施蚀刻(图20的(d))以及抗蚀剂图案R3的去除(图20的(e))而得到的电路图案的间距p2比图19的(e)示出的间距p1窄(电路图案的线宽扩大)。
针对上述问题，以往采用以下方法：按照在曝光处理时使光透过的每个掩模图案，通过膜厚测量来确定抗蚀剂图案R中的膜厚形成为大于期望值的规定部位，提高该部位的曝光灵敏度。
即，在曝光处理前对抗蚀剂膜进行加热而使溶剂蒸发的预烘焙处理中，使基板面内的加热量具有差异，使上述规定部位中的曝光灵敏度发生变化，对显影处理后的残留膜厚进行调整(面内均匀化)。
具体地说，将使用于预烘焙处理中的加热器分割为多个区域，将分割后的加热器独立地进行驱动控制，由此按照每个区域进行温度调整。
并且，通过变更支承基板的接近销的高度(变更加热器与基板之间的距离)来进行加热温度的调整。
专利文献1：日本特开2007-158253号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，如上所述，在通过由预烘焙进行的加热处理来进行残留膜厚的调整的情况下，分割后的加热器面积由于硬件的限制而需要确保某种程度的大小，因此存在无法进行细小区域的加热调整这种问题。
另外，对于通过变更接近销的高度进行的加热调整来说，需要变更销高度的作业工时，因此存在生产效率降低这种问题。
本发明是鉴于上述以往技术的问题点而完成的，提供一种以下局部曝光方法以及局部曝光装置：能够容易地调整基板面内精细地设定的每个区域内的曝光量，提高显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性，能够抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，本发明所涉及一种局部曝光方法，在将基板以水平状态进行水平方向输送的基板输送路径的上方，将由在与基板输送方向交叉的方向上线状地排列的多个发光元件中的一个或者多个发光元件构成的发光体作为发光控制单位而选择性地进行发光驱动，通过上述发光体对在上述发光体的下方沿基板输送方向相对于上述发光体移动的上述基板上的感光膜实施曝光处理，该局部曝光方法的特征在于，具备以下步骤：目标照度计算步骤：针对在上述基板上形成的感光膜的规定区域，根据其膜厚来求出要照射的目标照度；发光体确定步骤：确定能够照射到上述规定区域的至少一个发光体；设定照度计算步骤：针对所确定的一个发光体，在与该一个发光体相邻的其它发光体能够照射到上述规定区域内的情况下，从上述目标照度中减去由上述其它发光体的发光引起的干涉光的照度，并将所算出的值设为校正后的设定照度；以及驱动电流值确定步骤：根据校正后的上述设定照度来决定驱动电流值，根据该驱动电流值使上述一个发光体发光。
根据这种结构，将所选择的一个发光体的驱动电流值设定为考虑了来自相邻的其它发光体的干涉照度的值。
因此，能够以预先设定的曝光量(目标照度)对要使膜厚更薄的任意的部位高精度地进行照射，在显影处理之后能够设为期望的膜厚。
因而，例如即使在半曝光处理中使抗蚀剂膜具有不同膜厚(厚膜部与薄膜部)的情况下(即薄膜部那样薄的膜厚)，使显影处理后的抗蚀剂膜厚均匀，能够抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。
另一方面，本发明涉及一种局部曝光装置，其构成为在将基板以水平状态进行水平方向输送的基板输送路径的上方，将由在与基板输送方向交叉的方向上线状地排列的多个发光元件中的一个或者多个发光元件构成的发光体作为发光控制单位而选择性地进行发光驱动，通过上述发光体对在上述发光体的下方沿基板输送方向相对于上述发光体移动的上述基板上的感光膜实施曝光处理，该局部曝光装置的特征在于，具备：目标照度计算单元，其针对在上述基板上形成的感光膜的规定区域，根据其膜厚来求出要照射的目标照度；发光体确定单元，其确定能够照射到上述规定区域的至少一个发光体；设定照度计算单元，其针对所确定的一个发光体，在与该发光体相邻的其它发光体能够照射到上述规定区域内的情况下，从上述目标照度中减去由上述其它发光体的发光引起的干涉光的照度，并将所算出的值设为校正后的设定照度；以及驱动电流值确定单元，其根据校正后的上述设定照度来决定驱动电流值，根据该驱动电流值使上述一个发光体发光。
发明的效果
根据本发明，能够得到一种局部曝光方法，能够容易地调整基板面内精细地设定的每个区域内的曝光量而提高显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性，并能够抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。
附图说明
图1是表示本发明所涉及的一个实施方式的整体概要结构的立体图。
图2是表示本发明所涉及的一个实施方式的整体概要结构的立体图，是表示搬入了被处理基板的状态的图。
图3是图2的A-A箭头方向的截面图。
图4是示意性地示出光刻工序中的局部曝光装置的配置的图。
图5是示出构成光源的发光元件的排列的俯视图。
图6是表示求出图1的局部曝光装置所具有的发光控制程序的设定参数的工序的流程图。
图7是用于说明在图1的局部曝光装置中的发光元件的发光控制的图，是以坐标表示被处理基板上的局部曝光装置的被处理基板的俯视图。
图8是表示在图1的局部曝光装置中执行的发光控制程序的设定参数的例子的表。
图9是表示在图1的局部曝光装置中由构成光源的发光控制组的照度的曲线的图表。
图10是表示算出发光控制组中的发光驱动电流值的工序的流程的流程图。
图11是表示确定各发光控制组中的峰值照射位置的工序的流程的流程图。
图12是用于说明确定各发光控制组中的峰值照射位置的工序的侧视图。
图13是表示求出各发光控制组中的发光驱动电流值与照度之间的关系以及相邻的发光控制组的发光驱动电流值与干涉照度之间的关系的工序的流程的流程图。
图14是用于说明求出各发光控制组中的发光驱动电流值与照度之间的关系以及相邻的发光控制组的发光驱动电流值与干涉照度之间的关系的工序的侧视图。
图15是表示图1的局部曝光装置中的系列动作的流程图。
图16是用于说明图1的局部曝光装置中的局部曝光的动作的俯视图。
图17是用于说明图1的局部曝光装置中的局部曝光的动作的图表。
图18是用于说明本发明所涉及的局部曝光方法的应用例的俯视图。
图19的(a)～(e)是用于说明使用于半曝光处理中的布线图案的形成工序的截面图。
图20的(a)～(e)是表示使用于半曝光处理中的布线图案的形成工序的图，是示意性地示出抗蚀剂膜厚图19的情形厚的情况的截面图。
图21是表示本发明所涉及的其它实施方式的工序的流程的流程图。
附图标记说明
1：局部曝光装置；2：基板输送路径；3：光照射单元；4：光源；9：发光驱动部；20：输送辊；39：基板检测传感器；40：控制部；G：玻璃基板(被处理基板)；L：UV-LED元件(发光元件)；GR：发光控制组(发光体)；T1：制程表。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的局部曝光装置所涉及的一个实施方式。图1是表示实施本发明所涉及的局部曝光方法的局部曝光装置1的整体概要结构的立体图。另外，图2是从与图1不同的角度观察的局部曝光装置1的立体图，是表示搬入了作为被处理基板的玻璃基板G的状态的图。另外，图3是图2的A-A箭头方向的截面图。另外，图4是示意性地示出光刻工序中的局部曝光装置1的配置的图。
图1至图3示出的局部曝光装置1被配置于以下单元内，该单元例如图4的(a)～(c)所示那样一边将被处理基板以水平的状态在X方向上水平输送(以后记载为平流输送)一边进行系列的光刻工序。
即，在光刻工序中，配置有抗蚀剂涂敷装置51(CT)和减压干燥装置52(DP)，该抗蚀剂涂敷装置51(CT)将作为感光膜的抗蚀剂液涂敷到被处理基板，该减压干燥装置52(DP)在减压后的腔室内使基板上的抗蚀剂膜(感光膜)干燥。并且，按依次配置有：预烘焙装置53(PRB)，其进行用于将抗蚀剂膜固着于基板G的加热处理；冷却装置54(COL)，其将该基板G冷却到规定温度；曝光装置55(EXP)，其对抗蚀剂膜进行曝光以形成规定的电路图案；以及显影装置56(DEV)，其对曝光后的抗蚀剂膜进行显影处理。
在此，本发明所涉及的局部曝光装置1(AE)例如被配置于图4的(a)～(c)所示的任一位置。即，被配置于预烘焙装置53(PRB)之后且显影装置56(DEV)之前的规定位置。
对于这样配置的局部曝光装置1(AE)来说，例如，在使用正型抗蚀剂的情况下，在连续地处理多个基板G时，在所有基板G的规定区域内布线图案宽度大于其它区域而图案之间间距比其它区域窄的情况下，对上述规定区域实施(用于减少膜厚的)局部曝光。
此外，在以下实施方式中，举例说明正型抗蚀剂的情况，但是对于本发明所涉及的局部曝光装置来说，还能够应用于负型抗蚀剂的情况，在该情况下，对要将抗蚀剂残留膜更厚地残留的规定区域实施局部曝光。
接着，详细说明局部曝光装置1的结构。如图1～图3所示，局部曝光装置1具备基板输送路径2，该基板输送路径2通过以能够转动的方式铺设于底座100上的多个辊20向X方向输送基板G。基板输送路径2具有多个在Y方向上延伸的圆柱状的辊20，这些多个辊20在X方向上隔着规定的间隔并以能够转动的方式分别配置在底座100上。另外，多个辊20被设置成能够通过皮带(未图示)连动，一个辊20与电动机等辊驱动装置(未图示)相连接。此外，在图1中，为了使该局部曝光装置1的结构的说明更容易，将附图近前侧的辊20局部剖视来表示。
另外，如图所示，在基板输送路径2上方配置有光照射单元3，该光照射单元3用于对基板G进行局部曝光(UV光照射)。
该光照射单元3具备在基板宽度方向(Y方向)上延伸的线状的光源4，基板G在该光源4的下方输送。
上述线状的光源4如下构成：发出规定波长(例如，g线(436nm)、h线(405nm)、i线(364nm)中的任一个附近的波长)的UV光的多个UV-LED元件L排列在电路基板7上。例如，图5的(a)是将电路基板7从下方观察得到的俯视图。如图5的(a)所示，在电路基板7上多个UV-LED元件L排列成三列。
在此，如图5的(a)所示，多个(在附图中九个)UV-LED元件L被作为一个发光控制单位(设为发光控制组GR)，多个发光控制组GR1～GRn(n是正的整数)被排列成一列。这样将多个LED元件L设为发光控制单位，由此能够抑制发光元件之间的发光照度的偏差。
此外，在使用更少的UV-LED元件L来构成光源4的情况下，如图5的(b)所示，期望在基板输送方向(X方向)以及基板宽度方向(Y方向)上以元件L重叠的方式进行交错配置。
另外，如图3所示，在光源4的下方设置有由光漫射板形成的光照射窗6。即，在光源4与作为被照射体的基板G之间配置有光照射窗6。
这样，通过设置由光漫射板形成的光照射窗6，从光源4发射的光经过光照射窗6而适当地扩散，因此相邻的UV-LED元件L的连接为线状地向下方照射。
另外，如图3所示，构成以下结构：在UV-LED元件L的前后，设置有在基板宽度方向(Y方向)上延伸的光反射壁8，由UV-LED元件L发出的光高效率地从光照射窗6向下方发射。
另外，关于构成光源4的各发光控制组GR，分别由发光驱动部9(图1)独立地控制其发光控制。并且，分别能够控制对各发光控制组GR(的UV-LED元件L)提供的顺电流值。即，与发光驱动部9提供的电流相应地，各发光控制组GR的UV-LED元件L发光的发射照度能够改变。
此外，通过由计算机构成的控制部40对上述发光驱动部9的驱动进行控制。
另外，相对于在基板输送路径2上输送的基板G，光照射单元3的光发射位置的高度能够改变。即，如图3所示，关于光照射单元3，设置于其支承框15的长度方向(Y方向)的两端的水平板部15a被一对升降轴11从下方支承，升降轴11通过设置于底座100的例如由气缸构成的升降驱动部12(升降装置)而能够上下移动。
此外，如图2、图3所示，在光照射单元3移动到最下方的位置处，上述支承框15的水平板部15a的下表面与设置于底座100的支承部件16相抵接。
另外，在底座100中，在升降驱动部12的左右两侧分别立设有筒状的向导部件13。另一方面，在上述支承框15的水平板部15a的下表面，在上述升降轴11的左右两侧分别设置有与上述导向部件13卡合的导向轴14。由此，构成以下结构：随着光照射单元3的升降，导向轴14在导向部件13中沿上下方向滑动，高精度地维持光照射单元3的光照射窗6的水平度。
另外，在光照射单元3的下方设置有照度传感器单元30，该照度传感器单元30用于检测从光源4发射并经过光照射窗6的光的照度(发射束)。
该照度传感器单元30具备作为信号的检测部而面向上方的照度传感器31，该照度传感器31被设置于移动板32上，该移动板32能够在基板宽度方向(Y方向)上移动。另外，在光源4的正下方的底座100上铺设有沿着光源4在基板宽度方向上延伸的一对导轨33a、33b。
在上述移动板32的下面侧设置有能够沿着上述一对导轨33a、33b移动的直线电动机34，通过配置于弯曲自如的蛇腹状的线缆罩35内的电源线缆(未图示)对该直线电动机34提供电源。另外，在线缆罩35内配置有用于通过控制部40控制直线电动机40的动作的控制线缆(未图示)。
即，移动板32上的照度传感器31沿导轨33a、33b能够在基板宽度方向上移动，此时照度传感器31中的检测部始终与基板面的高度一致。换言之，照度传感器31能够沿从上述光源4照射到基板G的光照射位置而在基板宽度方向上进退。
另外，在局部曝光装置1中输送基板G时，由控制部40控制照度传感器31，使得照度传感器31不与基板G干涉而退避到导轨33a、33b的一端侧。
使用具有这种结构的照度传感器30是为了，测量各发光控制组GR的发光照度来得到提供给该发光控制组GR(的LED元件L)的电流值与发光照度之间的关系。
另外，关于该局部曝光装置1，如图3所示，在光照射单元3的上游侧设置有用于检测在基板输送路径2中输送的基板G的规定位置(例如前端)的基板检测传感器39，将其检测信号输出到控制部40。基板G以规定速度(例如50mm/sec)在基板输送路径2上被输送，因此控制部40能够根据上述检测信号以及获取该检测信号之后的时间和基板输送速度来获取基板G的输送位置。
另外，控制部40在规定的记录区域内具有发光控制程序P，该发光控制程序P用于在规定的时刻控制构成光源4的各发光控制组GR的亮度、即提供给各发光控制组GR(的UV-LED元件L)的电流值。
预先设定要对基板G的规定位置照射的需要照度(提供给发光控制组GR的驱动电流值)、用于确定对上述基板G的规定位置进行发光控制的发光控制组GR的信息等，作为该发光控制程序P执行时使用的制程程序的参数。
在此，使用图6至图8说明局部曝光装置1中的准备工序。为了按照在曝光处理时使光透过的每个掩模图案决定曝光处理所涉及的参数(称为制程)而实施该准备工序。具体地说，为了填写图8示出的制程表T1中的各参数而实施该准备工序。此外，该制程表T1被保存在控制部40中。
另外，在该准备工序中使用两种采样基板(称为采样对象1、2)中的任一基板。首先，采样对象1是在涂敷抗蚀剂之后实施了半曝光以及显影处理后的被处理基板。另一方面，采样对象2是通过普通的光刻工序(不经过局部曝光装置1的工序)形成了布线图案的被处理基板。
如图6所示，在采样对象1的情况下，对在涂敷抗蚀剂之后实施了半曝光和显影处理的多个被处理基板进行采样(图6的步骤St1)。
接着，测量采样得到的基板G的面内的抗蚀剂残膜厚(图6的步骤St2)，如图7中示意性地示出那样，根据多个二维坐标值(x、y)来确定要减少膜的规定区域AR(图4的步骤St5)。
另一方面，如图6所示，在采样对象2的情况下，通过普通的光刻工序(不经过局部曝光装置1的工序)对形成布线图案的多个被处理基板进行采样(图6的步骤St3)。
接着，测量采样得到的基板G的面内的布线图案的线宽、图案之间的间距(图6的步骤St4)，如图7中示意性地示出那样，根据多个二维坐标值(x、y)来确定要减少膜的规定区域AR(图6的步骤St5)。
当确定规定区域AR时，如图8的制程表T 1所示，控制部40对于规定区域AR中的各坐标值算出需要减少的膜厚(例如，在坐标(x1、y1)的情况下为1000)(图6的步骤St6)。并且，根据该减少膜厚的值以及抗蚀剂种类等多个条件，算出用于减少膜厚而要照射的目标照度(坐标(x1、y1)的情况下为0.2mJ/cm2)(图6的步骤St7)。
另外，如图8的制程表T1所示，控制部40分别确定能够对规定区域AR的各坐标值照射的发光控制组GR(图6的步骤St8)。并且，算出用于使各发光控制组GR的照射区域成为目标照度的发光驱动电流值(图6的步骤St9)。
这样，沿图6的流程求出全部参数来设定图8的制程表T1，从而完成准备工序(图6的步骤St10)。
接着，详细说明上述图6的步骤St9中的发光驱动电流值的算出方法。对于该发光驱动电流值的算出来说，算出考虑了由彼此相邻的发光控制组GR的发光引起的干涉光的照度(称为干涉照度)的电流值。
具体地进行说明，例如，在使相邻的三个发光控制组GRm-1、GRm、GRm+1(m为正的整数，m＜n)分别以照度Q1发光的情况下，如图9的图表所示，各发光控制组GR的照度呈现为分别沿基板宽度方向的抛物线形的照度曲线C1、C2、C3。
这些照度曲线C1、C2、C3其峰值的照度为Q1，但是底摆的部分与相邻的曲线重叠，因此作为整体重叠成为峰值照度为大于Q1的照度Q2的曲线C。
即，在各发光控制组GRm-1、GRm、GRm+1的目标照度为Q1的情况下，即使控制驱动电流使得各发光控制组GR以照度Q1发光，实际上也变得大于照度Q1，因此各发光控制组GR的发光驱动电流需要考虑来自相邻的发光控制组GR的干涉照度。
因此，控制部40使用表示照度Q与驱动电流I之间的关系(线性(linearity))的关系式(1)、来自相邻的一个发光控制组GR的干涉照度Qi-1与驱动电流I之间的关系式(2)以及来自相邻的另一个发光控制组GR的干涉照度Qi+1与驱动电流I之间的关系式(3)，来针对各发光控制组GR算出发光驱动电流。
此外，在式(1)～(3)中，a、ai-1、ai+1为倾斜系数，b、bi-1、bi+1为截距。另外，在这些关系式(1)～(3)中预先设定各发光控制组GR，保存在控制部40的规定的存储区域内。
[式1]
Q＝a·I+b           …(1)
Qi-1＝ai-1·I+bi-1  …(2)
Qi+1＝ai+1·I+bi+1  …(3)
说明使用这些关系式(1)～(3)算出的发光驱动电流。图10是例如相邻的三个发光控制组GRm-1、GRm、GRm+1(m为正的整数)中的、中央的发光控制组GRm(发光体)的发光驱动电流的计算步骤的流程图。
首先，对三个发光控制组GRm-1、GRm、GRm+1分别设定目标照度Qm-1、Qm、Qm+1(图10的步骤Stp1)。
当设定目标照度时，控制部40从与发光控制组GRm相邻的一个发光控制组GRm-1中的关系式(1)中算出电流Im-1，将其值分别代入到关系式(2)、(3)来分别求出干涉照度Qm-1(i-1)、Qm+1(i+1)(图10的步骤Stp2)。
另外，控制部40从与发光控制组GRm相邻的另一个发光控制组GRm+1中的关系式(1)中算出电流Im+1，将其值分别代入到关系式(2)、(3)来分别求出干涉照度Qm+1(i-1)、Qm+1(i+1)(图10的步骤Stp3)。
另外，控制部40使用对于发光控制组GRm的干涉照度Qm-1(i+1)、Qm+1(i-1)，通过以下式(4)算出校正后的设定照度Qrm(图10的步骤Stp4)。
[式2]
Qrm＝Qm-Qm-1(i+1)-Qm+1(i-1)    …(4)
另外，控制部40将上述步骤Stp2～Stp4的处理反复进行规定次数(例如五次)使得包括干涉照度的照度(Qrm+Qm-1(i+1)+Qm+1(i-1))逐渐近似于目标照度Qm(图10的步骤Stp5)。即，反复进行以下工序：重新求出基于在步骤Stp4中求出的校正后的设定照度Qrm(步骤Stp2、3)，通过从目标照度Qm减去该干涉照度来更新校正后的设定照度Qrm。由此逐渐校正干涉照度的值(设定照度Qrm的值)，收敛为规定值。
当这样求出校正后的设定照度Qrm时，控制部40将其值代入到上述关系式(1)，由此算出发光控制组GRm中的驱动电流值(设定到图8的制程表T1的电流值)(图10的步骤Stp6)。
另外，控制部40对需要进行发光控制的各发光控制组GR进行上述步骤Stp1～Stp6的各处理(图10的步骤Stp7)。
另外，在上述关系式(1)～(3)中，预先规定各发光控制组GR，保存在控制部40的规定的存储区域内，但是，具体地说，以下那样进行设定。
在设定关系式(1)～(3)时，需要对各发光控制组GR进行照度测量，因此，首先，对各发光控制组GR确定其发光照射的照度最高(成为峰值)位置。
即，如图9所示，由各发光控制组GR的发光引起的照度曲线形成抛物线形，因此即使在同一组GR的照射区域内，照度也不同。因此，控制部40检测在照射区域内照度成为峰值的位置(在基板宽度方向上照度形成峰值的位置)，确定进行照度测量的位置。
沿图11(流程图)进行说明，首先在光源4(光照射窗6)被设定为规定高度的状态下，根据来自控制部40的控制信号来驱动直线电动机34，如图12的(a)所示，处于待机位置的照度传感器31移动到光照射窗6下方(图11的步骤Sp1)。此外，图12的(a)示出照度传感器31位于处于光源4的最端部(n＝1)的发光控制组GR1正下方的状态。在此，光照射窗6与照度传感器31之间的距离与光照射窗6与基板G上表面之间的距离相同，因此由照度传感器31检测出的照度成为照射到基板G的照度。
接着，仅发光控制组GR1以规定的驱动电流发光(图11的步骤Sp2)，照度传感器31一边进行照度检测一边在发光控制组GR1的照射区域内进行扫描(移动到基板宽度方向)(图11的步骤Sp3)。
然后，通过该步骤Sp3的工序检测出最高照度的位置被确定为发光控制组GR1的峰值照度位置，由控制部40存储照度传感器31在移动轴上的位置(图11的步骤Sp4)。
接着，如图12的(b)所示，照度传感器31移动到发光控制组GR2的正下方，进行上述步骤Sp2～Sp4的工序来确定发光控制组GR2的峰值照度位置。
由此，依次确定全部发光控制组GR1～GRn的峰值照度位置(图11的步骤Sp5)。
如上所述，当确定发光控制组GR的峰值照度位置时，对各发光控制组GR测量用于求出照度Q与驱动电流I之间的关系的照度(称为线性测量)。沿图13的(a)、图13的(b)的流程图来说明该线性测量。
在对发光控制组GRm进行线性测量的情况下，首先，如图14的(a)所示，照度传感器31配置于发光控制组GRm的峰值照度位置(图13的(a)的步骤Se1)。
接着，由照度传感器31进行照度测量(图13的(a)的步骤Se2)。如图13的(b)的流程图所示，在由该照度传感器31进行的照度测量中，发光控制组GRm的发光驱动电流以规定的上升幅度(例如，0.5A，图13的(b)的步骤Sep4)逐步地从最小电流(0A，图13的(b)的步骤Sep1)上升至最大额定电流(I＝5，图13的(b)的步骤Sep3)。
另外，照度传感器31测量以各电流进行照射时的照度Qm(图13的(b)的步骤Sep2)。
然后，控制部40根据表示收集到的发光驱动电流与照度之间的关系的数据列来算出上述关系式(1)中的倾斜系数am以及截距bm(图13的(b)的步骤Sep5)。
接着，如图14的(b)所示，照度传感器31移动到发光控制组GRm+1的峰值照度位置(图13的(a)的步骤Se3)。
接着，在发光控制组GRm中，发光驱动电流以规定的上升幅度(例如，0.5A，图13的(b)的步骤Sep4)逐步地从最小电流(0A，图13的(b)的步骤Sep1)上升至最大额定电流(I＝5，图13的(b)的步骤Sep3)。
另外，照度传感器31在发光控制组GRm+1的峰值照度位置处测量以各电流进行照射时的干涉照度Qi+1(图13的(b)的步骤Sep2)。
然后，控制部40根据表示收集到的发光驱动电流与照度之间的关系的数据列来算出上述关系式(3)中的倾斜数ai+1以及截距bi+1(图13的(b)的步骤Sep5)。
接着，如图14的(c)所示，照度传感器31移动到发光控制组GRm-1的峰值照度位置(图13的(a)的步骤Se5)。
接着，在发光控制组GRm中，发光驱动电流以规定的上升幅度(例如，0.5A，图13的(b)的步骤Sep4)逐步地从最小电流(0A，图13的(b)的步骤Sep1)上升至最大额定电流(I＝5，图13的(b)的步骤Sep3)。
另外，照度传感器31在发光控制组GRm-1的峰值照度位置处测量以各电流进行照射时的干涉照度Qi-1(图13的(b)的步骤Sep2)。
然后，控制部40根据表示收集到的发光驱动电流与照度之间的关系的数据列来算出上述关系式(2)中的倾斜数ai-1以及截距bi-1(图13的(b)的步骤Sep5)。
这样，通过进行图13的(a)的步骤Se1～步骤Se6的处理，规定与一个发光控制组GRm有关的上述式(1)～(3)，对全部发光控制组GR1～GRn执行上述步骤Se1～步骤Se6的处理，由此完成对光源4进行的线性测量(图13的(b)的步骤Sep7)。
此外，图13的(a)的步骤Se1、2、步骤Se3、4以及步骤Se5、6的顺序并不限定于上述顺序，也可以替换测量顺序(例如，首先进行步骤Se5、6，接着进行步骤Se1、2，最后进行步骤Se3、4等)。
接着，使用图15至图17进一步说明由局部曝光装置1进行的局部曝光的系列动作。
在上述工序中的处理结束之后，基板G在基板输送路径2中输送，当由基板检测传感器39进行检测时，其基板检测信号被提供给控制部40(图15的步骤S1)。
控制部40根据上述基板检测信号和基板输送速度来开始获取(检测)基板G的输送位置(图15的步骤S2)。
然后，如图16示意性地示出那样，在要进行局部曝光的规定区域经过光照射单元3的下方的时刻(图15的步骤S3)，控制部40对构成光源4的发光控制组GR1～GRn进行发光控制(图15的步骤S4)。
在此，例如在对基板G的规定区域AR进行发光照射的情况下，对配置于其上方的发光控制组GRn-1、GRn-2进行发光控制。更具体地说，如图17的图表(针对按照每个发光控制组GRn-1、GRn-2的时间经过的发射束(瓦特)的大小)所示，在基板G的规定区域AR经过光源下方的期间，对所提供的驱动电流进行控制使得发射束W的大小发生变化。
这样，不仅是对基板G的规定区域AR进行简单照射，还是对区域AR内的局部进行任意照度的照射。
另外，在基板G中存在其它要进行局部曝光的区域的情况下(图15的步骤S5)，在该区域中对发光控制组GR进行发光控制，在基板G中不存在其它要进行局部曝光的区域的情况下(图15的步骤S5)，结束对该基板G的局部曝光处理。
此外，如图4所示，除了该局部曝光处理(AE)以外，与在其前级或者后级进行的曝光处理(EXP)相配合地，完成对基板G的曝光处理，由显影装置56(DEV)对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影处理。
如上所述，根据本发明所涉及的实施方式，在对形成于基板G的抗蚀剂膜厚的任意部位进行局部曝光的处理中，由在基板宽度方向(Y方向)上线状地配置的多个UV-LED元件L形成多个发光控制组GR，针对在其下方输送的基板G来选择发光控制组GR进行发光控制。
在此，将所选择的发光控制组GR的发光驱动电流设定为考虑了来自相邻的发光控制组GR的干涉照度的值。
因此，能够以预先设定的曝光量(目标照度)对要使膜厚更薄的任意的部位高精度地进行照射，能够在显影处理之后设为期望的膜厚。
因而，例如即使在半曝光处理中使具有不同膜厚(厚膜部与薄膜部)的情况下(即，即使是薄膜部那样薄的膜厚)，也能够使显影处理后的抗蚀剂膜厚均匀，从而能够抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。
此外，在上述实施方式中，示出将进行局部追加曝光的区域设为基板面的有效区域内的例子，但是并不限定于此。
例如，如图18所示，还能够使用于对基板G的边缘部区域(有效区域的周边)E1进行曝光的处理。
另外，在上述实施方式中，示出将由多个UV-LED元件L构成的发光控制组设为发光控制单位的例子，但是并不限定于此，也可以将各UV-LED元件L作为发光控制单位，进行更精细的局部曝光。
另外，在上述实施方式中，以将基板G一边平流输送一边进行曝光处理的情况为例进行了说明，但是，本发明并不限定于该方式，也可以设为以下结构：在静止的状态下腔室内保持被处理基板，对所保持的基板进行曝光处理。
在该情况下，也可以使线状光源相对于被处理基板进行移动(即，线状光源与被处理基板在相反方向上相对移动的结构即可)。
另外，在上述实施方式中，以使半曝光处理后的抗蚀剂残留膜厚均匀的情况为例进行了说明，但是本发明所涉及的局部曝光方法并不限定于半曝光处理，还能够应用于通常的曝光处理。例如，即使在进行通常的曝光处理而不是半曝光处理的情况下，通过应用发明所涉及的局部曝光方法，能够使抗蚀剂残留膜厚设为面内均匀。
另外，并不限定于图6的步骤St6、St7那样根据需要的残留膜厚求出需要的照度的情形，也可以对显影处理后的图案线宽进行测量而求出图案线宽与照度之间的相关数据，根据该相关数据制作制程表。
接着，说明其它实施方式。与上述实施方式相同的部分省略说明。根据图21进行说明，图21是图10的变形例。对m个发光控制组GR1、GR2、......GRm分别设定目标照度Q1、Q2、......Qm(图21的步骤Stp1)。接着，在无视相邻的发光控制组的光的干涉的条件下，分别求出发光控制组GR1、GR2、......GRm的发光驱动电流(图21的步骤Stp2)。
对全部发光控制组GR1、GR2、......GRm进行以上处理(图21的步骤Stp3)。接着，算出由发光控制组GR1产生的发光控制组GR1正下方的照度Q1(1)(图21的步骤Stp4)。接着，算出由发光控制组GR2产生的对发光控制组GR1的干涉照度Q1(2)(图21的步骤Stp5)。从而，发光控制组GR1正下方的照度为Q1(1)+Q1(2)。
接着，算出由发光控制组GR1产生的对发光控制组GR2的干涉照度Q2(1)(图21的步骤Stp6)。接着，算出由发光控制组GR2产生的发光控制组GR2正下方的照度Q2(2)(图21的步骤Stp7)。接着，算出由发光控制组GR3产生的对发光控制组GR2的干涉照度Q2(3)(图21的步骤Stp8)。从而，发光控制组GR2正下方的照度为Q2(1)+Q2(2)+Q2(3)。
同样，算出由发光控制组GRm-2产生的对发光控制组GRm-1的干涉照度Qm-1(m-2)(图21的步骤Stp9)。接着，算出由第(m-1)个发光控制组GRm-1产生的发光控制组GRm-1正下方的照度Qm-1(m-1)(图21的步骤Stp10)。接着，算出由发光控制组GRm产生的对发光控制组GRm-1的干涉照度Qm-1(m)(图21的步骤Stp11)。从而，发光控制组GRm-1正下方的照度为Qm-1(m-2)+Qm-1(m-1)+Qm-1(m)。
接着，算出由第(m-1)个发光控制组GRm-1产生的对发光控制组GRm的干涉照度Qm(m-1)(图21的步骤Stp12)。接着，算出由第m个发光控制组GRm产生的发光控制组GRm正下方的照度Qm(m)(图21的步骤Stp13)。从而，发光控制组GRm正下方的照度为Qm(m-1)+Qm(m)。
接着，发光控制组GR1、GR2、......GRm的校正后的设定照度Qr1、Qr2、......Qrm-1、Qrm分别为
Qr1＝Q1(1)-Q1(2)
Qr2＝Q2(2)-Q2(1)-Q2(3)
…
…
Qrm-1＝Qm-1(m-1)-Qm-1(m-2)-Qm-1(m)
Qrm＝Qm(m)-Qm(m-1)(图21的步骤Stp14)。
接着，根据校正后的设定照度Qr1、Qr2、......Qrm-1、Qrm分别算出发光控制组GR1、GR2、......GRm的驱动电流值(图21的步骤Stp15)。并且，将步骤Stp4～步骤Stp15反复执行规定次数，或者，在GRm的校正后的设定照度Qrm、从GRm-1照入GRm的照度以及从GRm+1照入GRm的照度相加得到的值成为设定照度Qm-ai以上且Qm+ai以下、即Qm-1-ai≤Qm-1+Qm-1(m)+Qm-1(m-2)≤Qm-1+ai之前，将步骤Stp4～步骤Stp15反复执行。也可以根据该顺序分别算出发光控制组GR1、GR2、......GRm的驱动电流值。
另外，在上述实施方式中，设根据需要照度来决定发光驱动电流而进行照度的控制。此时，发光照射单元3的高度是固定的，但是可以适当地调整其高度位置而使变更。
例如，即使发光驱动电流为固定，也担心由于UV-LED元件L的经年劣化而其照度降低。因此，在照度测量的结果是即使对UV-LED元件L施加最大电流的负载也得不到期望的照度的情况下，使光照射单元3接近基板G而再次进行测量，在其结果是得到期望的照度的情况下，其高度位置重新被设定为光照射单元3的高度位置。

Claims (8)

1.一种局部曝光方法，在将基板以水平状态进行水平方向输送的基板输送路径的上方，将由在与基板输送方向交叉的方向上线状地排列的多个发光元件中的一个或者多个发光元件构成的发光体作为发光控制单位而选择性地进行发光驱动，通过上述发光体对在上述发光体的下方沿基板输送方向相对于上述发光体移动的上述基板上的感光膜实施曝光处理，该局部曝光方法的特征在于，具备以下步骤：
目标照度计算步骤：针对在上述基板上形成的感光膜的规定区域，根据其膜厚来求出要照射的目标照度；
发光体确定步骤：确定能够照射到上述规定区域的至少一个发光体；
设定照度计算步骤：针对所确定的一个发光体，在与该一个发光体相邻的其它发光体能够照射到上述规定区域内的情况下，从上述目标照度中减去由上述其它发光体的发光引起的干涉光的照度，并将所算出的值设为校正后的设定照度；以及
驱动电流值确定步骤：根据校正后的上述设定照度来决定驱动电流值，根据该驱动电流值使上述一个发光体发光。
2.根据权利要求1所述的局部曝光方法，其特征在于，
在上述驱动电流值确定步骤中，
将校正后的上述设定照度代入到在仅使上述一个发光体发光的情况下在该一个发光体的照射区域内测量得到的照度与施加到该一个发光体的驱动电流值之间的关系式中，由此算出上述驱动电流值。
3.根据权利要求1或2所述的局部曝光方法，其特征在于，
在上述设定照度计算步骤中，
根据在仅使上述其它发光体发光的情况下在上述一个发光体的照射区域内测量得到的照度与施加到上述其它发光体的驱动电流值之间的关系式来算出由与上述一个发光体相邻的其它发光体的发光产生的干涉光的照度。
4.根据权利要求1或2所述的局部曝光方法，其特征在于，
在上述设定照度计算步骤包括以下步骤：
第一步骤，根据校正后的上述设定照度来算出由上述其它发光体的发光产生的干涉光的照度；
第二步骤，从上述目标照度中减去在上述第一步骤中算出的干涉光的照度，将所算出的该值更新为新校正后的设定照度；以及
反复步骤，将上述第一步骤和上述第二步骤反复进行规定次数。
5.一种局部曝光装置，其构成为在将基板以水平状态进行水平方向输送的基板输送路径的上方，将由在与基板输送方向交叉的方向上线状地排列的多个发光元件中的一个或者多个发光元件构成的发光体作为发光控制单位而选择性地进行发光驱动，通过上述发光体对在上述发光体的下方沿基板输送方向相对于上述发光体移动的上述基板上的感光膜实施曝光处理，该局部曝光装置的特征在于，具备：
目标照度计算单元，其针对在上述基板上形成的感光膜的规定区域，根据其膜厚来求出要照射的目标照度；
发光体确定单元，其确定能够照射到上述规定区域的至少一个发光体；
设定照度计算单元，其针对所确定的一个发光体，在与该发光体相邻的其它发光体能够照射到上述规定区域内的情况下，从上述目标照度中减去由上述其它发光体的发光引起的干涉光的照度，并将所算出的值设为校正后的设定照度；以及
驱动电流值确定单元，其根据校正后的上述设定照度来决定驱动电流值，根据该驱动电流值使上述一个发光体发光。
6.根据权利要求5所述的局部曝光装置，其特征在于，
上述驱动电流值确定单元将校正后的上述设定照度代入到在仅使上述一个发光体发光的情况下在该一个发光体的照射区域内测量得到的照度与施加到该一个发光体的驱动电流值之间的关系式中，由此算出上述驱动电流值。
7.根据权利要求5或6所述的局部曝光装置，其特征在于，
上述设定照度计算单元根据在仅使上述其它发光体发光的情况下在上述一个发光体的照射区域内测量得到的照度与施加到上述其它发光体的驱动电流值之间的关系式来算出由与上述一个发光体相邻的其它发光体的发光产生的干涉光的照度。
8.根据权利要求5或6所述的局部曝光装置，其特征在于，
上述设定照度计算单元具备：
第一部件，其根据校正后的上述设定照度来算出由上述其它发光体的发光产生的干涉光的照度；
第二部件，其从上述目标照度中减去由上述第一部件算出的干涉光的照度，将所算出的该值更新为新校正后的设定照度；以及
反复部件，其将上述第一部件和上述第二部件的动作反复执行规定次数。
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