CN102545825A

CN102545825A - 振动器件、振荡器以及电子设备

Info

Publication number: CN102545825A
Application number: CN2011103994706A
Authority: CN
Inventors: 山中国人
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2010-12-07
Filing date: 2011-12-05
Publication date: 2012-07-04
Also published as: JP2012124677A; US8476984B2; JP5648908B2; US20120139652A1

Abstract

本发明提供振动器件、振荡器以及电子设备。作为课题，提供一种能够使工作温度范围内(-40℃至+85℃)的频率变动量为10ppm以内的压电器件。该压电器件的特征在于，具有：第1谐振器(14)，其具备三次函数温度特性，上述三次函数温度特性中的三次温度系数为-γ₁，且γ₁＞0；以及第2谐振器(16)，其与第1谐振器14连接，具备三次函数温度特性，上述三次函数温度特性中的三次温度系数为γ₂，且γ₂＞0，第1谐振器14与第2谐振器16之间的拐点之差为19℃以下，且满足0＜|γ₁|≤|2.4γ₂|的关系。

Description

振动器件、振荡器以及电子设备

技术领域

本发明涉及振动器件、安装了该振动器件的振荡器以及电子设备，特别涉及频率温度特性良好的振动器件、振荡器以及电子设备。

背景技术

在压电器件中，特别是在表面声波(SAW：surface acoustic wave)器件中，公知的是利用阻带上端模式的谐振来提高频率温度特性。

在专利文献1中公开了如下所述的SAW谐振器：在以特定的切角切出的石英基板上形成能够以阻带上端模式进行激励的IDT时，在IDT的电极指之间设置槽，合理地设定该槽的深度G、电极指的线占有率η。如果根据专利文献1中公开的条件来制造SAW谐振器，能够得到良好的频率温度特性，能够实现耐环境特性以及Q值的提高。

另外，作为改善频率温度特性的技术，公知有将两个SAW谐振器电连接来将两个频率温度特性合成的技术。例如在专利文献2所公开的技术中，对具备二次函数温度特性且顶点温度彼此不同的两个SAW谐振器进行所谓的横向耦合，由此使得耦合状态下得到的频率温度特性曲线平坦。另外，在非专利文献1中公开了为了改善频率温度特性而连续地连接两个单端口SAW谐振器的结构。具体地讲，公开了与各个单端口SAW谐振器并联连接了电感的结构和排除了该电感的结构(有时具备并联电容器)。

【专利文献1】国际公开第2010/098139号

【专利文献2】日本特开平9-298446号公报

【非专利文献1】G.Martin、H.Schmidt B.Wall“IMPROVED TEMPERATURESTABILITY OF ONE-PORT SAW RESONATORS ACHIEVED WITHOUT COILS”、2007 IEEE Ultrasonics Symposium、p925-928

根据如上结构的压电器件，与以往的SAW器件相比，确实能够提高频率温度特性。但是，在专利文献1所公开的SAW器件中，尽管表示出三次温度特性，但是在-40℃到+85℃的范围内，频率变动量为±25ppm以内，在专利文献2、非专利文献1所公开的SAW器件中，频率变动量更大。

发明内容

本发明的目的在于，提供能够在工作温度范围内(例如，-40℃到+85℃)，比以往进一步提高频率温度特性的振动器件、搭载了该振动器件的振荡器以及电子设备。

本发明是为了解决上述问题中的至少一部分而完成的，可作为以下的方式或应用例来实现。

【应用例1】一种振动器件，其特征在于，该振动器件具有：第1振子，其具备三次函数温度特性，所述三次函数温度特性中的三次温度系数为-γ₁，且γ₁＞0；以及第2振子，其与所述第1振子连接，具备三次函数温度特性，所述三次函数温度特性中的三次温度系数为γ₂，且γ₂＞0，所述第1振子与所述第2振子之间的拐点之差为19℃以下，且满足0＜|γ₁|≤|2.4γ₂|的关系。

根据具有这样的特征的振动器件，能够比以往进一步提高工作温度范围内中的频率变动量。

【应用例2】在应用例1所记载的振动器件中，其特征在于，所述第1振子和所述第2振子彼此设置在欧拉角为(

117°≤θ≤142°，42.79°≤|ψ|≤49.75°)的石英基板上，是激励出阻带上端模式的表面声波的表面声波谐振器，在构成激励出所述表面声波的激励电极的电极指之间具有槽，在设所述第1振子中的所述电极指之间的槽深度为G₁、所述第2振子中的所述电极指之间的槽深度为G₂时，满足G₁＜G₂的关系。

根据具有这样的特征的振动器件，能够利用相同切角的基板来制造器件。

【应用例3】在应用例2所记载的振动器件中，其特征在于，所述第1振子和所述第2振子设置在单个压电基板上。

根据具有这样的特征的振动器件，作为一个元件，能够制造出频率变动量非常小的装置。

【应用例4】在应用例3所记载的振动器件中，其特征在于，在所述压电基板上具备台阶，俯视所述压电基板，所述台阶设置在所述第1振子与所述第2振子之间。

根据具有这样的特征的振动器件，可利用台阶部分来抑制在第1振子与第2振子之间传播的无用波。另外，还能够降低第1振子与第2振子之间的不必要的声学耦合。

【应用例5】在应用例1至应用例4中任意一例所记载的振动器件中，其特征在于，所述第1振子与所述第2振子并联地电连接。

【应用例6】在应用例5所记载的振动器件中，其特征在于，与并联地电连接的所述第1振子和所述第2振子并联地电连接了电容器。

根据具有这样的特征的振动器件，可通过电容器的电容来改变第1振子与第2振子之间的耦合度。

【应用例7】在应用例1至应用例4中任意一例所记载的振动器件中，其特征在于，所述第1振子与所述第2振子串联地电连接。

【应用例8】在应用例7所记载的振动器件中，其特征在于，分别与串联地电连接的所述第1振子和所述第2振子并联地电连接了电感。

根据具有这样的特征的振动器件，可通过改变电感的值来改变第1振子与第2振子之间的耦合度。

【应用例9】一种振荡器，其特征在于，该振荡器具有应用例1至应用例8中任意一例所记载的振动器件；以及振荡电路。

根据具有这样的特征的振荡器，能够得到基于上述结构的效果，能够在很广阔的工作温度范围内，实现高精度的振荡，提高可靠性。

【应用例10】一种电子设备，其特征在于，所述电子设备搭载了应用例1至应用例8中任意一例所记载的振动器件。

根据具有这样的特征的电子设备，能够提供在很广阔的工作温度范围内可靠性高的电子设备。

【应用例11】一种振动器件的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：制造第1振子，该第1振子具备三次函数温度特性，所述三次函数温度特性中的三次温度系数为γ1，且γ1＞0；制造第2振子，该第2振子具备三次函数温度特性，所述三次函数温度特性中的三次温度系数为-γ2，且γ2＞0；从制造出的第1振子组和第2振子组中，选定拐点之差为19℃以下且满足0＜|γ₂|≤|2.4γ₁|的关系的第1振子和第2振子的组合；以及将选定的所述第1振子与所述第2振子相连。

根据具有这样的特征的振动器件的制造方法，能够适当地组合频率温度特性良好的第1振子和第2振子。因此，能够减少制造之后的不良，提高成品率。

附图说明

图1是表示实施方式的SAW器件的结构的立体图。

图2是表示实施方式的SAW器件中的第1谐振器和第2谐振器的槽深度G₁、G₂、电极膜厚H₁、H₂、电极指宽度L₁、L₂、槽宽度S₁、S₂以及波长λ的关系的剖面图。

图3是表示电极膜厚H为0.02λ时的槽深度G与三次温度系数γ的关系的曲线图。

图4是表示电极膜厚H为0.03λ时的槽深度G与三次温度系数γ的关系的曲线图。

图5是表示电极膜厚H为0.04λ时的槽深度G与三次温度系数γ的关系的曲线图。

图6是表示线占有率η与拐点Ti的关系的曲线图。

图7是表示特定条件下的第1谐振器的频率温度特性和第2谐振器的频率温度特性的曲线图。

图8是表示使特定条件下的第1谐振器的频率温度特性与第2谐振器的频率温度特性相结合而得到的频率温度特性的曲线图。

图9是表示两个SAW谐振器间的拐点Ti的差分温度与频率变动量的关系的曲线图。

图10是表示两个SAW谐振器之间的三次温度系数γ的比例与频率变动量的关系的曲线图。

图11是表示实施方式的SAW器件的变形例的立体图。

图12是设置电容器作为外置元件时的电路图。

图13是设置电感作为外置元件时的电路图。

图14是表示实施方式的搭载了压电器件的振荡器的结构的俯视图。

符号说明

10：SAW器件；12：石英基板；14：第1谐振器；16：第2谐振器；18：IDT；20：电极指；22：总线；24：反射器；26：导体带；28：IDT；30：电极指；32：总线；34：反射器；36：导体带；38：引出电极；40：输入输出电极。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的振动器件、振荡器以及电子设备的实施方式。另外，在本实施方式中，作为振动器件的一例，以压电器件、特别是表面声波器件(以下，简称为SAW器件)为例进行说明。

如图1所示，本实施方式的表面声波器件(以下，简称为SAW器件10)是以石英基板12、形成在该石英基板12上的两个SAW谐振器(第1谐振器(第1振子)14、第2谐振器(第2振子)16)为基础而构成的。第1谐振器14和第2谐振器16彼此以IDT 18、28、反射器24、34为基础而构成，且经由引出电极38与输入输出电极40连接。

石英基板12采用了由欧拉角(

117°≤θ≤142°，42.79°≤|ψ|≤49.75°)表示的面内旋转ST切石英基板。另外，用欧拉角(0°，0°，0°)表示的基板为具有与Z轴垂直的主面的Z切基板。这里，欧拉角(

θ，ψ)中的

是关于Z切基板的第1旋转的参数，是将Z轴作为旋转轴、将从+X轴向+Y轴侧旋转的方向作为正旋转角度的第1旋转角度。θ是关于Z切基板在第1旋转后进行的第2旋转的参数，是将第1旋转后的X轴(＝X′轴)作为旋转轴、将第1旋转后的从+Y轴(＝+Y′轴)向+Z轴旋转的方向作为正旋转角度的第2旋转角度。压电基板的切面由第1旋转角度

和第2旋转角度θ决定。ψ是关于Z切基板在第2旋转后进行的第3旋转的参数，是将第2旋转后的Z轴(＝Z′轴)作为旋转轴、将从第2旋转后的+X(＝X′轴)轴向第2旋转后的+Y轴(+Y″轴)侧旋转的方向作为正旋转角度的第3旋转角度。SAW的传播方向由相对于第2旋转后的X轴(＝X′轴)的第3旋转角度ψ来表示。

在本实施方式中，IDT 18和IDT 28彼此形成在一个石英基板12上。IDT 18、28各自具有一对梳齿状电极。梳齿状电极是分别用总线22、32连接多个电极指20、30的基端部而构成的。IDT 18、28是通过如下方式构成的：将梳齿状电极中的电极指20、30配置为彼此嵌合，并且以在相邻的电极指20、30间设置规定间隔的方式组合梳齿状电极。在本实施方式中，构成梳齿状电极的电极指20、30从总线22、32起延伸的延伸方向被设置成与相对于作为石英晶轴的X轴具有倾斜度的X′轴垂直。由第1谐振器14、第2谐振器16激励出的SAW是Rayleigh型的SAW，Z′轴和X″轴双方均具有振动位移分量。并且，通过这样地使SAW的传播方向偏离于作为石英晶轴的X轴，能够激励出阻带上端模式的SAW。另外，本申请的发明人确认到：通过这样地将石英基板的切角设为欧拉角(

117°≤θ≤142°，42.79°≤|ψ|≤49.75°)并且使用阻带上端模式，能够在SAW谐振器中得到可用三次函数表示的频率温度特性。

以在SAW的传播方向夹着各IDT 18、28的方式各设有一对反射器24、34。作为具体结构，将与构成IDT 18、28的电极指20、30平行地设置的多个导体带26、36的两端相连。多个导体带26、36各自的连接位置不是必须为两端，也可以是仅在一端连接的方式、或者在一端与另一端之间的任意位置处进行连接的方式等。

另外，在积极利用来自石英基板12的SAW传播方向的端面的反射波的端面反射型SAW谐振器、或设置多对IDT的电极指而由IDT自身激励出SAW驻波的多对IDT型SAW谐振器中，反射器不是必须的。

输入输出电极40是用作输入端口(或者输出端口)和输出端口(或者输入端口)而设置的一对图案电极。

引出电极38是以电气方式将两个IDT 18、28与一对输入输出电极40并联连接的图案电极。在本实施方式中，引出电极38被配置成：使得两个IDT 18、28在经由输入输出电极40施加的电压的作用下激励出的双方的SAW的相位一致或者大致一致。构成这些IDT 18、28、反射器24、34、输入输出电极40以及引出电极38等的图案电极可将铝(Al)或以Al为主体的合金用作构成材料。

本实施方式的SAW器件10在构成IDT 18(具体的讲是梳齿状电极)的多个电极指20之间、以及构成IDT 28的多个电极指30之间设有槽。槽深度G对SAW器件的三次温度系数γ有影响，一般公知的是，三次温度系数的值(绝对值)越小，频率温度特性越好。

图2是图1所示的本实施方式的SAW器件10中的构成IDT 18的电极指20、构成IDT 28的电极指30的局部剖面放大图。图2中λ表示IDT 18及IDT 28中的SAW的波长。另外，L₁表示电极指20的宽度，L₂表示电极指30的宽度，S₁表示相邻的电极指20之间形成的槽的宽度，S₂表示相邻的电极指30之间形成的槽的宽度。此外，G₁表示IDT 18中的槽深度，G₂表示IDT 28中的槽深度，H₁表示IDT 18中的电极膜厚，H₂表示IDT 28中的电极膜厚。另外，以下所示的线占有率η(η₁，η₂)是用电极指之间的节距(pitch)λ/2(＝L₁+S₁或者L₂+S₂)除以电极指的宽度L(L₁，L₂)而得到的值。

三次温度系数γ与槽深度G之间的关系是，关于欧拉角中表示第3旋转角度的ψ，在|42°～45°|的范围内，通过恰当选择使得频率温度特性最良好的角度来实施仿真，从而能够得到图3至图5所示的曲线图。另外，在图3至图5中，横轴表示与表面声波的波长λ对应的槽深度G的比例，纵轴表示三次温度系数γ的值。另外，图3是表示设构成激励电极的电极的膜厚(电极膜厚H)为0.02λ时的例子的曲线图。另外，图4是表示设构成激励电极的电极的膜厚(电极膜厚H)为0.03λ时的例子的曲线图。另外，图5是表示设构成激励电极的电极的膜厚(电极膜厚H)为0.04λ时的例子的曲线图。

根据设电极膜厚H为0.02λ的图3可知，在槽深度G为0.01λ的点附近，三次温度系数的正负发生了反转。

另外，根据设电极膜厚H为0.03λ的图4可知，在槽深度G为0.015λ的点附近，三次温度系数的正负发生了反转。

进而，根据设电极膜厚H为0.04λ的图5可知，在槽深度G为0.013λ的点附近，三次温度系数的正负发生了反转。

另外，根据图3至图5所示的仿真可知，在槽深度G为0.01λ～0.05λ的范围中，三次温度系数γ均处于-0.1(10^-10/℃³)～+0.1(10^-10/℃³)的范围内。而且，根据图3至图5可知，在三次温度系数为负值时，与三次温度系数为正值的情况相比，槽深度G较浅。

另外，用于得到图3至图5所示的曲线图的仿真是以IDT中的电极指对数为210对、反射器的导体带为97个(每一侧)的SAW谐振器为模型来进行的。

另外，把电极指的对数、导体带的个数相同、且电极膜厚为0.02λ、槽深度G为0.05λ的SAW谐振器作为模型，实施了线占有率η与拐点Ti之间的关系的仿真，其结果是，能够得到图6所示的曲线图。根据图6可知，拐点Ti的值随线占有率η的变动而以对数函数的形式变化。而且还可知，在线占有率η小于0.63时，拐点Ti的变动表现出剧烈的变化，而在0.63以上时，拐点Ti的变动表现出平缓的变化。另外，在槽深度G为0.05λ以外时，也可根据线占有率η来改变拐点Ti。

根据这些结果，在第1谐振器14与第2谐振器16之间，通过使构成IDT 18、28的电极指20、30之间的槽深度G不同，能够使三次温度系数的符号彼此相反，使表示频率温度特性的三次曲线反转。

另外，关于根据表示频率温度特性的三次曲线所知的拐点，可通过调整线占有率η来对该拐点进行控制。

由此，如果使第1谐振器14中的频率温度特性与第2谐振器16中的频率温度特性的三次温度系数的符号的正负成为彼此相反的关系并将它们结合，则能够得到平坦的、即频率变动量小的频率温度特性。这里，设第1谐振器14中的三次温度系数为-γ₁、第2谐振器16中的三次温度系数为γ₂，γ₁、γ₂分别满足γ₁＞0且γ₂＞0的条件。从图3至图5所示的曲线图也能看出，在第1谐振器14中的三次温度系数为负值、第2谐振器16中的三次温度系数为正值的情况下，第1谐振器14中的槽深度G₁与第2谐振器16中的槽深度G₂之间的关系满足G₁＜G₂的关系。

图7所示的曲线图表示使用了由欧拉角表示为(0°，123°，43.6°)的切角的石英基板12的SAW器件10中的第1谐振器14和第2谐振器16的频率温度特性。在图7所示的例子的情况下，第1谐振器14中的IDT 18的电极膜厚H₁为0.03λ，槽深度G₁为0.010λ，线占有率η₁为0.69(图中实线)。另一方面，第2谐振器16中的IDT 28的电极膜厚H₂为0.02λ，槽深度G₂为0.045λ，线占有率η₂为0.064(图中虚线)。另外，关于求取槽深度G₁、G₂与电极膜厚H₁、H₂及波长λ的关系、以及线占有率η₁、η₂所需的电极指宽度L₁、L₂以及槽宽度S₁、S₂的关系，如图2所示。

当把图7所示的第1谐振器14的频率温度特性与第2谐振器16的频率温度特性合成时，频率温度特性如图8所示。即、-40℃～+85℃的温度带中的频率变动量仅为2.5ppm左右。由此可以说，本实施方式的SAW器件10与以往的SAW器件相比，能够飞跃性地提高频率温度特性。

但是，在本实施方式的SAW器件10中，是把第1谐振器14的频率温度特性与第2谐振器16的频率温度特性合成，由此得到SAW器件10的频率温度特性。因此，在表示第1谐振器14的频率温度特性和第2谐振器16的频率温度特性的倾斜度、即三次温度系数相等的情况下，当两者的拐点偏离时，频率温度特性也有可能变差。因此，对两个SAW谐振器之间的拐点Ti的差分温度的容许范围进行研究。

图9所示的曲线图示出了：表现出图8(图7)的频率温度特性的第1谐振器14与第2谐振器16中的拐点Ti的偏离量(拐点的差分温度)、和因拐点Ti的偏离产生的频率变动量的大小。根据图9可知，如果拐点Ti的差分温度为19℃以内，则SAW器件的频率温度特性的频率变动量为10ppm以内。也就是说，如果拐点Ti的差分温度为19℃以内，则即使三次温度系数显著变大，也能够解决本申请的课题，即比现有技术进一步提高频率温度特性。

另外，当然，在第1谐振器14的三次温度系数-γ₁与第2谐振器16的三次温度系数γ₂的绝对值不同的情况下，在表现为三次曲线的频率温度特性的合成时的抵消中会产生偏差，从而SAW器件10的频率温度特性变差。因此，对与两个SAW谐振器之间的三次温度系数γ的关系有关的容许范围进行研究。

图10是表示第1谐振器14的三次温度系数-γ₁和第2谐振器16的三次温度系数γ₂之间的比率与频率变动量的关系的曲线图。从图10中首先可知，当γ₁＝γ₂时、即γ₁/γ₂＝1时，频率变动量为0ppm。另外，从图10还可知，如果是γ₁/γ₂＞0且γ₁/γ₂≤2.4的范围、即0＜|γ₁|≤|2.4γ₂|的范围，则合成后的频率温度特性中的频率变动量为10ppm以内。

如果是如上结构的SAW器件10，则能够将-40℃到+85℃的工作温度范围内的频率变动量抑制到10ppm以内，与以往相比，能够飞跃性地提高频率温度特性。

另外，在图1所示的方式中示出了如下情况：在俯视单个石英基板12时，通过在第1谐振器14与第2谐振器16之间设置台阶，从而对第1谐振器14与第2谐振器16之间的槽深度G(G₁、G₂)赋予了差值。在如上所述构成时，可通过台阶部分，抑制在第1谐振器14与第2谐振器16之间传播的无用波。另外，该台阶部分还能起到降低第1谐振器14与第2谐振器16之间不必要的声学耦合的效果。

但是，在石英基板12上设置台阶的结构不是必需的要素，如图11所示，本实施方式的SAW器件10也可以构成为，在使石英基板12平坦的基础上，对电极形成部进行蚀刻来对槽深度G赋予变化。另外，在为这种结构的情况下，两个谐振器之间产生的台阶可以位于引出电极38上。

另外，上述实施方式的SAW器件10构成为在单个石英基板12上形成第1谐振器14和第2谐振器16这两者。但是，本发明的压电器件也可以是如下形式：用不同的基板形成第1谐振器和第2谐振器，并将这些谐振器电连接。在为这种结构的情况下，也能够得到同样的效果。

具体地讲，具有以下步骤：制造设计上的三次温度系数为-γ₁的第1谐振器的步骤、和制造设计上的三次温度系数为γ₂的第2谐振器的步骤。另外，第1谐振器的生产线与第2谐振器的生产线可以是相同的生产线，也可以是不同的生产线。

针对制造出的第1谐振器组和第2谐振器组，分别计测拐点Ti和三次温度系数γ。之后，从进行了拐点Ti和三次温度系数γ的计测后的第1谐振器组和第2谐振器组中，选择如下组合：两个谐振器中的拐点Ti之差为19℃以下，第1谐振器中的三次温度系数-γ₁与第2谐振器中的三次温度系数γ₂之间的关系满足0＜|γ₁|≤|2.4γ₂|的关系。这里，所选择的两个谐振器优选为：拐点Ti之差近似为0，第1谐振器的三次温度系数-γ₁与第2谐振器的三次温度系数γ₂的绝对值成近似的关系。

在选择了第1谐振器和第2谐振器之后，电连接成使得两个谐振器相对于输入输出电极成为并联关系。

如果用如上所述的方法构成压电器件，则与在单个基板上构成两个谐振器的情况相比，能够以使拐点Ti之差及三次温度系数γ的关系最佳的方式进行组合，能够提高成品率。

另外，在上述实施方式中，记载了采用石英基板12作为基板的情况。不过，对于本发明的压电器件而言，只要是能够得到三次温度系数的结构即可，基板的构成材料不是必须为石英。例如，也可以是能够激励出SAW的钽酸锂或铌酸锂等。

另外，在上述实施方式中，将第1振子、第2振子都设为SAW谐振器进行了说明。不过，只要本发明的振动器件是频率温度特性表现出三次曲线的振子、且第1振子中的三次温度系数-γ₁与第2振子中的三次温度系数γ₂满足0＜|γ₁|≤|2.4γ₂|的关系即可，对其形式没有特别限定。例如，第1振子也可以是三次温度系数为-γ₁的AT切振子，第2振子也可以是三次温度系数为γ₂的SAW谐振器。

另外，如图12所示，本发明的振动器件也可以设置电容器。在这样构成的情况下，第1振子14a和第2振子16a以及电容器70可以并联连接到输入(输出)端子和输出(输入)端子上。通过这种结构，能够利用电容器70的电容来改变第1振子14a与第2振子16a的耦合度。

另外，关于上述实施方式的振动器件，均以第1振子(第1谐振器14)与第2振子(第2谐振器16)并联地电连接的例子进行了说明。但是，如图13所示，本发明的振动器件也可以通过串联连接在输入(输出)端子和输出(输入)端子上的方式来配置第1振子14a和第2振子16a。而且在采用了这样的连接方式的情况下，如该图所示，也可以分别与第1振子14a和第2振子16a并联地设置电感72。这是因为，如果连接电感72，则可通过改变电感72的值来改变第1振子14a和第2振子16a的耦合度。

接着，参照图14说明本发明的SAW振荡器。如图14所示，本发明的SAW振荡器具有：上述的SAW器件10；形成在该SAW器件10上的第1谐振器14；向构成第2谐振器16的IDT 18、28施加电压来进行驱动控制的IC(integrated circuit：集成电路)50；以及收纳这些部件的封装56。

在实施方式的SAW振荡器100中，将SAW器件10和IC 50收纳在同一封装56中，通过金属线60将形成在封装56的底板56a上的电极图案54a～54g与形成在SAW器件10上的输入输出电极40及IC 50的焊盘52a～52f相连。并且，通过盖(未图示)来气密地密封收纳了SAW器件10和IC 50的封装56的腔。通过如上所述的结构，能够将IDT 18、28和IC 50及形成在封装56的底面上的未图示的外部安装电极电连接。

另外，本发明的SAW谐振器可用作便携电话、硬盘、服务器以及有线/无线基站中的时钟源，本发明的电子设备是在这些便携电话和硬盘等中搭载了上述SAW谐振器的设备。

在上述实施方式中，作为振动器件，特别以激励出表面声波的压电器件为例，说明了比现有技术提高了频率温度特性的情况。但是，本申请的思想也可以应用于压电方式以外的驱动方式的振动器件。例如，即使对于基于库仑力的静电驱动的振子、使用了硅半导体的MEMS振子等而言，只要是具备三次函数温度特性且三次温度系数的符号相反的两个振子，就能够应用本发明。

Claims

1.一种振动器件，其特征在于，该振动器件具有：

第1振子，其具备三次函数温度特性，所述三次函数温度特性中的三次温度系数为-γ₁，且γ₁＞0；以及

第2振子，其与所述第1振子相连，具备三次函数温度特性，所述三次函数温度特性中的三次温度系数为γ₂，且γ₂＞0，

所述第1振子与所述第2振子之间的拐点之差为19℃以下，且满足0＜|γ₁|≤|2.4γ₂|的关系。

2.根据权利要求1所述的振动器件，其特征在于，

所述第1振子和所述第2振子彼此设置在欧拉角为(

117°≤θ≤142°，42.79°≤|ψ|≤49.75°)的石英基板上，是激励出阻带上端模式的表面声波的表面声波谐振器，

在构成激励出所述表面声波的激励电极的电极指之间具有槽，

在设所述第1振子中的所述电极指之间的槽深度为G₁、所述第2振子中的所述电极指之间的槽深度为G₂时，满足G₁＜G₂的关系。

3.根据权利要求2所述的振动器件，其特征在于，

所述第1振子和所述第2振子设置在单个压电基板上。

4.根据权利要求3所述的振动器件，其特征在于，

在所述压电基板上具备台阶，

俯视所述压电基板，所述台阶设置在所述第1振子与所述第2振子之间。

5.根据权利要求1所述的振动器件，其特征在于，

所述第1振子与所述第2振子并联地电连接。

6.根据权利要求5所述的振动器件，其特征在于，

与并联地电连接的所述第1振子和所述第2振子并联地电连接了电容器。

7.根据权利要求1所述的振动器件，其特征在于，

所述第1振子与所述第2振子串联地电连接。

8.根据权利要求7所述的振动器件，其特征在于，

分别与串联地电连接的所述第1振子和所述第2振子并联地电连接了电感。

9.一种振荡器，其特征在于，该振荡器具有：

权利要求1所述的振动器件；以及

振荡电路。

10.一种电子设备，其特征在于，

该电子设备搭载了权利要求1所述的振动器件。

11.一种振动器件的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：

制造第1振子，该第1振子具备三次函数温度特性，所述三次函数温度特性中的三次温度系数为γ1，且γ1＞0；

制造第2振子，该第2振子具备三次函数温度特性，所述三次函数温度特性中的三次温度系数为-γ2，且γ2＞0；

从制造出的第1振子组和第2振子组中，选定拐点之差为19℃以下且满足0＜|γ₂|≤|2.4γ₁|的关系的第1振子和第2振子的组合；以及

将选定的所述第1振子与所述第2振子相连。