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JPH0590865A - 弾性表面波フイルタの中心周波数調整方法 - Google Patents

弾性表面波フイルタの中心周波数調整方法

Info

Publication number
JPH0590865A
JPH0590865A JP25256091A JP25256091A JPH0590865A JP H0590865 A JPH0590865 A JP H0590865A JP 25256091 A JP25256091 A JP 25256091A JP 25256091 A JP25256091 A JP 25256091A JP H0590865 A JPH0590865 A JP H0590865A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric substrate
acoustic wave
etching
surface acoustic
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP25256091A
Other languages
English (en)
Inventor
Masakatsu Kasagi
昌克 笠置
Hoku Hoa Uu
ウー・ホク・ホア
Nobuyoshi Sakamoto
信義 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP25256091A priority Critical patent/JPH0590865A/ja
Publication of JPH0590865A publication Critical patent/JPH0590865A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 周波数特性を劣化させることなく、中心周波
数の所望の値からのずれを的確に調整する。 【構成】 圧電基板1上に形成されたすだれ状電極2,
3に通電して中心周波数を測定し、該測定値が所望の値
になるまで、該すだれ状電極2,3をマスクにして所定
のエッチング条件下で、圧電基板表面をドライエッチン
グする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板表面を伝搬する表
面弾性波を用いた弾性表面波フイルタの中心周波数調整
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
特願平2−39500号明細書等に記載されるものがあ
った。以下、その構成を図を用いて説明する。
【0003】図2は、前記文献に記載された従来の弾性
表面波フイルタの概略の構成図である。
【0004】この弾性表面波フイルタは、圧電効果を有
する圧電基板1の表面に、電気信号を弾性表面波に変換
する入力側(または出力側)すだれ状電極2と、弾性表
面波を電気信号に変換する出力側(または入力側)すだ
れ状電極3とが対向配置されている。各すだれ状電極
2,3は、それぞれ複数の電極指2a,3aで構成され
ている。なお、図2中のGは高周波信号、Zs は入力抵
抗、ZL は負荷抵抗、sは弾性表面波である。
【0005】この種の弾性表面波フイルタでは、高周波
信号Gを入力抵抗Zs を介してすだれ状電極2へ印加す
ると、該すだれ状電極2で弾性表面波Sを励振する。す
だれ状電極2で励振された弾性表面波Sがその電極指2
aと垂直な方向に伝搬し、すだれ状電極3へ到達する
と、該すだれ状電極3の各電極指3a間に電位差が生
じ、電気信号が誘起される。この電気信号が負荷抵抗Z
L 側へ出力される。
【0006】狭帯域の弾性表面波フイルタの中心周波数
fは、圧電基板1上を伝搬する弾性表面波Sの伝搬速度
v、電極指2a,3aの各ピッチd(=弾性表面波Sの
波長λ)より、f=v/dで決定される。ところが、伝
搬速度vは圧電基板1の種類により決まっているため、
該圧電基板1上に一旦すだれ状電極2,3を形成してし
まうと、その中心周波数fを変えることが非常に困難と
なる。
【0007】そこで、前記文献に記載された従来の中心
周波数調整方法では、圧電基板1上にすだれ状電極2,
3を形成した後、該すだれ状電極2,3の電極指2a,
3aの膜厚を測定し、その膜厚が所望の厚さになるよう
にエッチングすることにより、弾性表面波Sの伝搬速度
vを変化させて調整していた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、次のような課題があった。従来の中心周波数
調整方法では、主としてウエットエッチングにより、す
だれ状電極2,3における電極指2a,3aの膜厚を減
少させて周波数調整を行っていたので、弾性表面波Sの
伝搬速度vを増加させる方向の周波数調整しかできな
い。そのため、中心周波数fが所望の値よりも大きなも
のに対しては調整が可能であるが、該中心周波数fが所
望の値よりも小さいものに対しては周波数調整ができな
いという欠点があった。
【0009】また、主としてウエットエッチングを利用
するため、長時間エッチングを行わなければならない
が、長時間エッチングを行うと、電極指2a,3aの膜
厚だけでなく、その幅も減少してしまうため、周波数特
性が変わってしまう。そのため、中心周波数fからのず
れが大きいものは、調整できないという欠点があり、未
だ技術的に充分満足のゆく中心周波数調整方法を提供す
ることが困難であった。本発明は、前記従来技術が持っ
ていた課題として、中心周波数が所望の値よりも小さい
ものしか調整できない点、及びウエットエッチングによ
って長時間エッチングを行うと、周波数特性が変わって
しまうという点について解決した弾性表面波フイルタの
中心周波数調整方法を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、前記課題
を解決するために、電気信号を弾性表面波に変換した後
にその弾性表面波を再度電気信号に変換するすだれ状電
極パターンを、圧電基板上に形成した狭帯域の弾性表面
波フイルタにおいて、前記すだれ状電極パターンに通電
して中心周波数を測定し、該測定値が所望の値になるま
で、前記すだれ状電極パターンをマスクにして所定のエ
ッチング条件下で前記圧電基板をドライエッチングする
ようにしている。
【0011】第2の発明では、第1の発明において、前
記圧電基板を水晶で形成し、前記すだれ状電極パターン
をアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成してい
る。
【0012】
【作用】第1の発明によれば、以上のように弾性表面波
フイルタの中心周波数調整方法を構成したので、製造さ
れた弾性表面波フイルタのすだれ状電極パターンに通電
し、中心周波数を測定することにより、所望の値との周
波数差が求まる。そこで、周波数の差が0となるよう
に、該すだれ状電極パターンをマスクにしてドライエッ
チングを行えば、圧電基板表面のみがエッチングされ、
弾性表面波の伝搬速度が変わって中心周波数の調整が行
える。
【0013】第2の発明によれば、すだれ状電極パター
ンを形成するアルミニウムまたはアルミニウム合金に比
べ、水晶からなる圧電基板のエッチング速度が大きいの
で、そのすだれ状電極パターンをマスクにして圧電基板
表面のみをドライエッチングで的確にエッチングでき、
弾性表面波の伝搬速度の増減が行える。従って、前記課
題を解決できるのである。
【0014】
【実施例】図1(a),(b)は本発明の実施例を示す
弾性表面波フイルタにおける周波数調整方法の説明図で
あり、同図(a)は周波数調整処理のフローチャート、
同図(b)はドライエッチングによる質量負荷の変化を
示す。
【0015】本実施例の周波数調整方法では、従来の図
2に示すように、例えば水晶を用いて圧電基板1を形成
し、その圧電基板1上に、電極材料としてアルミニウム
あるいはアルミニウム合金を用いてすだれ状電極2,3
を形成し、例えば2.4GHz の狭帯域のタイミング抽
出用弾性表面波フイルタを製造する。
【0016】このようにして製造された弾性表面波フイ
ルタを用い、図1(a)に示すように、周波数測定処理
11において、ネットワークアナライザ等を用いて弾性
表面波フイルタの中心周波数fを測定する。次に、周波
数判定処理12において、弾性表面波フイルタの中心周
波数fが所望の値と一致するか否かの判定を行い、所望
の値と一致すれば、中心周波数調整処理を終了するが、
一致しなければドライエッチング処理13へ進む。
【0017】ドライエッチング処理13では、図1
(b)に示すように、プラズマエッチング等のドライエ
ッチング法を用い、すだれ状電極2,3の電極指2a,
3aをマスクにして所定のエッチング条件下で圧電基板
1の表面1aをエッチングしていく。
【0018】電極指2a,3aのない部分の圧電基板1
の表面1aは削られるが、電極指2a,3aの下の部分
2b,3bは削られずに残る。この部分2a,3bは、
エッチング後の基板表面1bに対して質量負荷となるた
め、その基板表面1bを伝搬する弾性表面波Sの伝搬速
度vを減速させる効果を持つ。しかも、エッチングの進
行に伴い、質量負荷が増大していくので、弾性表面波S
の伝搬速度vも減速していく。従って、圧電基板1の表
面1bを伝搬する弾性表面波Sの周波数、つまり弾性表
面波フイルタの中心周波数fが低下していく。
【0019】このようなドライエッチング処理13を行
った後、図1(a)の周波数測定処理11を行い、中心
周波数fを測定し、周波数判定処理12でその中心周波
数fが所望の値と一致するか否かを判定し、一致しなけ
れば再度ドライエッチング処理13を行い、中心周波数
fが所望の値に一致するまで前記の処理を繰り返す。図
3(a)〜(c)は、図1のドライエッチングによる基
板表面の変化を示す図である。図4は、エッチングガス
CF4 、すだれ状電極2,3の膜厚430Å、ガス流量
178sccm、圧力10Pa、放電パワー100Wの
条件下で、プラズマエッチング法を用いてドライエッチ
ング処理13を30秒、60秒、90秒、120秒、1
35秒行ったときのエッチング時間と中心周波数fのシ
フト量Δf(MHz )との関係を示す図である。
【0020】図3(a)〜(c)において、同図(a)
のエッチング前においては、圧電基板1の表面1aにア
モルファス層1Aが存在し、それがむき出しになってい
る。図3(b)のエッチング初期には、電極指2a,3
aをマスクとしてアモルファス層1Aがドライエッチン
グされるため、圧電基板1の表面1aの結晶格子が単結
晶に近付いて行く。そのため、表面1aを伝搬する弾性
表面波Sにとっては、機械的な抵抗が減少し、逆に伝搬
速度vが増加する。従って、図4に示すように、エッチ
ング初期には中心周波数fが上昇する。
【0021】ところが、図3(c)に示すエッチング後
期では、アモルファス層1Aをエッチングし終わると、
それ以後は基板結晶を削るだけになり、電極指2a,3
aの下の部分2b,3bの膜厚が厚くなって質量負荷
(機械的な抵抗)が増加していく。そのため、図4に示
すように、中心周波数fが低下していく。
【0022】図4のデータを基に、その図4のエッチン
グ条件下で、始め中心周波数fが2.497695GH
z であったタイミング抽出用弾性表面波フイルタに対し
て30秒、90秒、125秒のドライエッチングを行う
と、次のような結果が得られた。中心周波数fはエッチ
ングの進行に伴い2.50182GHz 、2.4992
575Hz と変化し、最終的に所望の周波数である2.
48832GHz に一致した。この際、エッチングの進
行に伴う伝送特性の変化がないことも確認され、本実施
例の方法の有効性が観察できた。
【0023】以上のように、本実施例では圧電基板1上
に形成したすだれ状電極2,3をマスクにして該圧電基
板1をドライエッチングすることにより、中心周波数f
を高い方にも、低い方にもシフトさせることができる。
そのため、従来のすだれ状電極をウエットエッチングす
る方法では調整不可能であった、所望の値より大きい中
心周波数fを持つ弾性表面波フイルタをも良品とするこ
とができる。しかも、すだれ状電極2,3を構成するア
ルミニウムまたはアルミニウム合金に比べ、圧電基板1
を構成する水晶のエッチング速度が著しく大きいので、
エッチング時間を長くしても、電極指2a,3aの幅に
は変化がない。従って、周波数特性の劣化がなく、所望
の中心周波数fを簡単かつ的確に得ることができる。
【0024】なお、発明は上記実施例に限定されず、種
々の変形が可能である。その変形例としては、例えば次
のようなものがある。
【0025】(i) 上記実施例では圧電基板1を水晶
で形成し、すだれ状電極2,3をアルミニウムまたはア
ルミニウム合金で形成したが、すだれ状電極2,3に比
べて圧電基板1のエッチング速度が大きくなる電極材料
及び基板材料であれば、それらを他の材料で形成しても
良い。また、エッチング条件を非エッチング材料に対応
して他の条件に変えたり、さらにドライエッチング法と
してスパッタエッチングやイオンビームエッチング等と
いった他のドライエッチング法を用いても良い。
【0026】(ii) すだれ状電極2,3の表面に、エ
ッチング速度の小さいクロム等の金属膜を予め被着して
おき、ドライエッチング処理13によって圧電基板1の
表面1aをエッチングするようにすれば、電極指2a,
3aの幅の減少を極力抑え、周波数特性の劣化をより的
確に防止することが可能となる。また、弾性表面波フイ
ルタは図2の形状に限定されず、種々の形状及び構造に
変形しても良い。
【0027】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第1の発明
によれば、圧電基板上に形成したすだれ状電極パターン
をマスクにして該圧電基板をドライエッチングすること
により、中心周波数の調整を行うようにしたので、該中
心周波数を高い方にも、低い方にもシフトさせることが
できる。そのため、従来の方法では調整不可能であっ
た、所望の値より大きい中心周波数を持つ弾性表面波フ
イルタをも良品とすることができるようになる。
【0028】しかも、電極材料に比べてエッチング速度
の大きな圧電基板材料を用いる等の最適なエッチング条
件下で、ドライエッチングを行うことにより、ウエット
エッチングに比べて短時間でエッチング処理が行える。
そのため、電極幅に変化がなく、周波数特性の劣化を的
確に防止でき、中心周波数からのずれが大きいものに対
しても、精度良く、周波数の調整が可能となる。
【0029】第2の発明によれば、圧電基板を水晶で形
成し、すだれ状電極パターンをアルミニウムまたはアル
ミニウム合金で形成したので、すだれ状電極パターンに
比べて圧電基板のエッチング速度が大きく、該電極パタ
ーンの幅を減少させることなく、圧電基板表面のみを的
確にエッチングできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す周波数調整方法の説明図
である。
【図2】従来の弾性表面波フイルタの概略の構成図であ
る。
【図3】図1のドライエッチングによる基板表面の変化
を示す図である。
【図4】図1のエッチング時間と中心周波数シフト量の
関係を示す図である。
【符号の説明】
1 圧電基板 2,3 すだれ状電極 2a,3a 電極指 11 周波数測定処理 12 周波数判定処理 13 ドライエッチング処理

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電気信号を弾性表面波に変換した後にそ
    の弾性表面波を再度電気信号に変換するすだれ状電極パ
    ターンを、圧電基板上に形成した狭帯域の弾性表面波フ
    イルタにおいて、 前記すだれ状電極パターンに通電して中心周波数を測定
    し、該測定値が所望の値になるまで、前記すだれ状電極
    パターンをマスクにして所定のエッチング条件下で前記
    圧電基板をドライエッチングすることを特徴とする弾性
    表面波フイルタの中心周波数調整方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の弾性表面波フイルタの中
    心周波数調整方法において、 前記圧電基板を水晶で形成し、前記すだれ状電極パター
    ンをアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成した弾
    性表面波フイルタの中心周波数調整方法。
JP25256091A 1991-09-30 1991-09-30 弾性表面波フイルタの中心周波数調整方法 Withdrawn JPH0590865A (ja)

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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043880A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子の周波数調整方法
JP2010177820A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Epson Toyocom Corp 弾性表面波素子の製造方法
JP2010233203A (ja) * 2009-02-27 2010-10-14 Seiko Epson Corp 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器
JP2011041287A (ja) * 2009-02-27 2011-02-24 Seiko Epson Corp 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器
US8471434B2 (en) 2010-08-26 2013-06-25 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus
US8476984B2 (en) 2010-12-07 2013-07-02 Seiko Epson Corporation Vibration device, oscillator, and electronic apparatus
US8598766B2 (en) 2010-12-03 2013-12-03 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus
US8692439B2 (en) 2010-08-26 2014-04-08 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic device
US8723394B2 (en) 2010-09-09 2014-05-13 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus
US8723393B2 (en) 2010-09-09 2014-05-13 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus
US8723395B2 (en) 2010-09-09 2014-05-13 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus
US8723396B2 (en) 2010-09-09 2014-05-13 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus
US8928432B2 (en) 2010-08-26 2015-01-06 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus
US9048806B2 (en) 2010-09-09 2015-06-02 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus
US9088263B2 (en) 2010-06-17 2015-07-21 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043880A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子の周波数調整方法
JP2010177820A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Epson Toyocom Corp 弾性表面波素子の製造方法
US8933612B2 (en) 2009-02-27 2015-01-13 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument
JP2010233203A (ja) * 2009-02-27 2010-10-14 Seiko Epson Corp 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器
JP2011041287A (ja) * 2009-02-27 2011-02-24 Seiko Epson Corp 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器
JP4645923B2 (ja) * 2009-02-27 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器
US8305162B2 (en) 2009-02-27 2012-11-06 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave oscillator
US9762207B2 (en) 2009-02-27 2017-09-12 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument
US8502625B2 (en) 2009-02-27 2013-08-06 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave oscillator
US8952596B2 (en) 2009-02-27 2015-02-10 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument
US9537464B2 (en) 2010-06-17 2017-01-03 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus
US9088263B2 (en) 2010-06-17 2015-07-21 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus
US8692439B2 (en) 2010-08-26 2014-04-08 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic device
US8928432B2 (en) 2010-08-26 2015-01-06 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus
US8471434B2 (en) 2010-08-26 2013-06-25 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus
US8723395B2 (en) 2010-09-09 2014-05-13 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus
US8723396B2 (en) 2010-09-09 2014-05-13 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus
US8723393B2 (en) 2010-09-09 2014-05-13 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus
US8723394B2 (en) 2010-09-09 2014-05-13 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus
US9048806B2 (en) 2010-09-09 2015-06-02 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus
US8791621B2 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus
US8598766B2 (en) 2010-12-03 2013-12-03 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus
US8476984B2 (en) 2010-12-07 2013-07-02 Seiko Epson Corporation Vibration device, oscillator, and electronic apparatus

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