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CN102479736A - 基板处理系统及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理系统及基板处理方法。其抑制涂敷膜的向输送臂的附着并且适当地处理基板。涂敷显影处理系统(1)包括：用于调节晶圆(W)的中心位置的位置调节装置(42)；用于在晶圆上涂敷聚酰亚胺溶液的涂敷处理装置；用于输送晶圆的晶圆输送装置(80)。晶圆输送装置包括：以比晶圆的半径大的曲率半径沿着晶圆的周缘部弯曲的臂部；自臂部向内侧突出并用于保持晶圆的背面的保持部。位置调节装置包括：保持晶圆的背面的中心部的吸盘；对被保持于吸盘的晶圆的中心位置进行检测的位置检测部；使吸盘移动的移动机构；控制部，其根据位置检测部所检测到的检测结果控制移动机构，以使被保持于吸盘的晶圆的中心位置与臂部的中心位置对齐。

Description

基板处理系统及基板处理方法
技术领域
本发明涉及基板处理系统及基板处理方法。
背景技术
例如在半导体器件的制造工序中，进行例如对半导体晶圆(以下称为“晶圆”。)进行光刻处理、在晶圆上的聚酰亚胺膜上形成导通孔等规定的图案的工序。即，依次进行在晶圆上涂敷聚酰亚胺溶液而形成聚酰亚胺膜的涂敷处理、以规定的图案对该聚酰亚胺膜进行曝光的曝光处理、对被曝光后的聚酰亚胺膜进行显影的显影处理等，从而在晶圆上的聚酰亚胺膜上形成规定的图案。
通常，这些一系列的光刻处理是使用涂敷显影处理系统来进行的，该涂敷显影处理系统搭载有用于处理晶圆的各处理装置、用于输送晶圆的输送装置等(专利文献1)。
不过，对晶圆实施处理时，必须将晶圆精确地配置在处理装置的规定的位置。该晶圆的对位例如是利用用于保持晶圆并将晶圆输送到各处理装置中的夹持件(pincette)(以下称为“输送臂”。)来进行的。在此情况下，在输送臂的基板保持部上设置引导件，接收晶圆时通过使晶圆滑动到基板保持部而进行对位(专利文献2)。
专利文献1：日本特开平8-46010号公报
专利文献2：日本特开2010-258170号公报
但是，聚酰亚胺溶液具有高粘度，因此，在用于进行上述的涂敷处理的涂敷处理装置中，在晶圆上涂敷聚酰亚胺溶液之后，从涂敷处理装置输出晶圆时，聚酰亚胺膜的干燥状态仍然不充分。因此，在利用输送臂输送晶圆的期间，有可能晶圆的周缘部接触到输送臂而聚酰亚胺膜附着于该输送臂。像这样聚酰亚胺膜附着于输送臂时，该附着物飞散到系统内、或者转而附着于其他的晶圆，成为引起微粒污染的主要原因。
因此，发明人试验了以晶圆的周缘部不接触输送臂的状态输送晶圆。但是，在此情况下，输送臂的引导件不起作用，不能进行晶圆的定位。并且，例如，在晶圆被输入到处理装置中之前输送臂的中心位置和晶圆的中心位置错开的情况下，晶圆不能被精确地配置到处理装置的规定的位置。因此，在该处理装置中不能适当地处理晶圆。
发明内容
本发明是鉴于这一点而做成的，其目的在于抑制涂敷膜的向输送臂的附着并且适当地处理基板。
为了达成上述的目的，本发明提供基板处理系统，其包括：多个处理装置，其用于处理基板；位置调节装置，其用于调节基板的中心位置；基板输送装置，其用于向上述处理装置和上述位置调节装置输送基板；控制部，其用于控制上述各装置的动作，其特征在于，上述基板输送装置包括：臂部，其以大于基板的半径的曲率半径沿着基板的周缘部弯曲；保持部，其自上述臂部向内侧突出，用于保持基板的背面，上述位置调节装置具有载置台，该载置台旋转自如及水平移动自如，用于保持基板的背面的中心部，上述控制部进行如下控制：使上述载置台旋转及水平移动，以便被保持于上述载置台的基板的中心位置与上述臂部的中心位置对齐。
采用本发明，首先，在位置调节装置中进行调节，以使被保持于载置台的基板的中心位置与臂部的中心位置对齐。这样，在之后利用基板输送装置从位置调节装置输出基板时，能够将基板从载置台交接到臂部的适当的位置。即，臂部的中心位置与基板的中心位置对齐，臂部不与基板接触。然后，利用基板输送装置将基板输送到处理装置中，在该处理装置中对基板进行处理。此时，基板被保持在臂部的适当的位置，因此，在处理装置内，基板被精确地配置在规定的位置。因此，能够在处理装置中适当地处理基板。然后，利用基板输送装置从处理装置输出基板时，基板也如上述那样被保持在臂部的适当的位置。因此，在基板输送装置中臂部不与基板接触。因而，基板上的涂敷膜不会附着于臂部，不会如以往那样引起微粒污染。如上所述，采用本发明，能够抑制涂敷膜的向输送臂的附着并且能够适当地处理基板。
上述位置调节装置也可以包括：位置检测部，其用于对被保持于上述载置台的基板的中心位置进行检测；移动机构，其用于使上述载置台移动，上述移动机构基于上述位置检测部所检测到的基板的中心位置的检测结果使上述载置台绕铅垂轴线转动、向水平方向的一个方向移动。
上述保持部也可以利用该保持部与基板之间的摩擦力来保持基板。另外，也可以在上述保持部的顶端部形成有与真空泵连接的吸引口、并且上述保持部利用来自上述吸引口的吸引来保持基板。
上述多个处理装置也可以包括涂敷处理装置，该涂敷处理装置用于在中心位置被上述位置调节装置调节后的基板上涂敷涂敷液。
上述涂敷液可以是聚酰亚胺溶液。另外，聚酰亚胺溶液是指使聚酰亚胺前体、例如聚酰胺酸溶解在溶剂中而成的溶液。
上述基板处理系统也可以包括：处理区，其在铅垂方向上多层层叠有包括上述涂敷处理装置在内的处理装置；其他处理区，其在铅垂方向上多层层叠有上述位置调节装置和其他处理装置；其他基板输送装置，其用于向上述其他处理区的上述位置调节装置和上述其他处理装置输送基板，上述其他基板输送装置包括：其他臂部，其以大于基板的半径的曲率半径沿着基板的周缘部弯曲；其他保持部，其自上述其他臂部向内侧突出，用于保持基板的背面。在此情况下，上述其他保持部也可以利用该其他保持部与基板之间的摩擦力来保持基板。另外，也可以在上述其他保持部的顶端部形成有与真空泵连接的吸引口、并且上述其他保持部利用来自上述吸引口的吸引来保持基板。
上述多个处理装置包括：温度调节装置，其用于调节基板的温度；热处理装置，其对被上述涂敷处理装置涂敷了上述涂敷液的基板进行热处理，从而在该基板上形成涂敷膜；周缘部清洗装置，其用于将基板的周缘部上的在上述热处理装置中被形成的上述涂敷膜清洗除去，上述基板输送装置也可以向上述温度调节装置、上述热处理装置及上述周缘部清洗装置输送基板。
第2技术方案的本发明是使用了基板处理系统的基板处理方法，该基板处理系统包括：多个处理装置，其用于处理基板；位置调节装置，其用于调节基板的中心位置；基板输送装置，其用于向上述处理装置和上述位置调节装置输送基板，该基板处理方法的特征在于，上述基板输送装置包括：臂部，其以大于基板的半径的曲率半径沿着基板的周缘部弯曲；保持部，其自上述臂部向内侧突出，用于保持基板的背面，上述位置调节装置具有载置台，该载置台旋转自如及水平移动自如，用于保持基板的背面的中心部，上述基板处理方法包括以下工序：位置调节工序，在上述位置调节装置中使上述载置台旋转及水平移动，以使被保持于上述载置台的基板的中心位置与上述臂部的中心位置对齐；输送工序，其在上述位置调节工序之后，使用上述基板输送装置以基板的周缘部不与上述臂部接触的状态从上述位置调节装置输出基板而进行输送。
上述位置调节装置也可以包括：位置检测部，其用于对被保持于上述载置台的基板的中心位置进行检测；移动机构，其用于使上述载置台移动，上述位置调节工序包括以下工序：利用上述位置检测部来检测基板的中心位置；根据该位置检测结果，利用上述移动机构使上述载置台绕铅垂轴线转动、向水平方向的一个方向移动。
上述多个处理装置也可以包括涂敷处理装置，该涂敷处理装置包括：其他载置台，其用于保持基板的背面的中心部并使基板旋转；涂敷液喷嘴，其用于将上述涂敷液供给到被保持于上述其他载置台的基板上，在上述输送工序之后以被保持于上述臂部的基板的中心位置与上述其他载置台的中心位置对齐的方式在上述臂部和上述其他载置台之间进行基板的交接。
上述涂敷液也可以是聚酰亚胺溶液。
上述保持部也可以利用该保持部与基板之间的摩擦力来保持基板。另外，也可以在上述保持部的顶端部形成有与真空泵连接的吸引口、并且上述保持部利用来自上述吸引口的吸引来保持基板。
上述多个处理装置也可以包括：温度调节装置，其用于调节基板的温度；热处理装置，其对用上述涂敷处理装置涂敷了上述涂敷液的基板进行热处理，从而在该基板上形成涂敷膜；周缘部清洗装置，其用于将基板的周缘部上的用上述热处理装置形成的上述涂敷膜清洗除去，上述基板处理方法包括以下工序：第1温度调节工序，其在上述位置调节工序之前，在上述温度调节装置中，将基板的温度调节成规定的温度；热处理工序，其处于用上述涂敷处理装置在基板上涂敷了上述涂敷液之后，在上述热处理装置中，对基板进行热处理而在该基板上形成涂敷膜；第2温度调节工序，其在上述热处理工序之后，在上述温度调节装置中，将基板的温度调节成规定的温度；其他位置调节工序，其在上述第2温度调节工序之后，在上述位置调节装置中，调节基板的中心位置；周边部清洗工序，其在上述其他位置调节工序之后，在上述周缘部清洗装置中，将基板的周缘部上的上述涂敷膜清洗除去，使用上述基板输送装置以基板的周缘部不与上述臂部接触的状态来进行基板的向上述温度调节装置、上述热处理装置及上述周缘部清洗装置的输送。另外，第1温度调节工序和第2温度调节工序中的规定的温度是指例如常温。
第3技术方案的本发明提供一种程序，该程序为了利用基板处理系统执行上述基板处理方法而在用于控制该基板处理系统的控制部的计算机上进行工作。
第4技术方案的本发明提供一种计算机可读取的存储介质，该存储介质存储有上述程序。
采用本发明，能够抑制涂敷膜的向输送臂的附着并且能够适当地处理基板。
附图说明
图1是表示本实施方式的涂敷显影处理系统的内部结构的概略的俯视图。
图2是表示涂敷显影处理系统的内部结构的概略的侧视图。
图3是表示涂敷显影处理系统的内部结构的概略的侧视图。
图4是表示涂敷处理装置和废液回收装置的结构的概略的纵剖视图。
图5是表示涂敷处理装置的结构的概略的横剖视图。
图6是表示涂敷部的结构的概略的纵剖视图。
图7是表示位置调节装置的结构的概略的横剖视图。
图8是表示输送臂的结构的概略的俯视图。
图9是表示输送臂的保持部的结构的概略的俯视图。
图10是表示输送臂的结构的概略的俯视图。
图11的(a)～(e)是表示在位置调节装置中调节晶圆的中心位置的状态的说明图，图11的(a)表示吸盘在规定的位置待机的状态，图11的(b)表示自输送臂将晶圆交接到吸盘的状态，图11的(c)表示利用位置检测部检测晶圆的中心位置的状态，图11的(d)表示使晶圆绕铅垂轴线转动的状态，图11的(e)表示使晶圆在X方向上移动的状态。
图12是表示在涂敷处理装置中自输送臂将晶圆交接到旋转吸盘的状态的说明图。
图13是表示其他实施方式的涂敷显影处理系统的内部结构的概略的侧视图。
图14是表示其他实施方式的输送臂的保持部的结构的概略的俯视图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。图1是表示作为本发明的基板处理系统的涂敷显影处理系统1的内部结构的概略的俯视图。图2及图3是表示涂敷显影处理系统1的内部结构的概略的侧视图。
如图1所示，涂敷显影处理系统1具有以下的结构，该结构例如成一体地连接有：承载件工位部(cassette station)2，其用于在涂敷显影处理系统1与外部之间输入/输出承载件C，该承载件C收容有多张晶圆W；处理工位部3，其具有在光刻处理过程中单张地实施规定的处理的多个各种处理装置；转接工位部5，其与处理工位部3邻接，用于在处理工位部3和曝光装置4之间进行晶圆W的交接。
在承载件工位部2设有承载件载置台10。在承载件载置台10上设有多个、例如4个承载件载置板11。承载件载置板11被设为在水平方向的X方向(图1中的上下方向)上排列成一列。相对于涂敷显影处理系统1的外部输入/输出承载件C时，能够将承载件C载置于这些承载件载置板11。
如图1所示，在承载件工位部2设有在沿着X方向延伸的输送路径20上移动自如的晶圆输送装置21。晶圆输送装置21在铅垂方向及绕铅垂轴线方向(θ方向)上也移动自如，能够在各承载件载置板11上的承载件C和下述的处理工位部3的第3处理区G3的规定的装置之间输送晶圆W。
在处理工位部3设有具有各种装置的多个、例如4个处理区G1、G2、G3、G4。例如，在处理工位部3的正面侧(图1的X方向负方向侧)设有第1处理区G1，在处理工位部3的背面侧(图1的X方向正方向侧)设有第2处理区G2。另外，在处理工位部3的靠承载件工位部2侧(图1的Y方向负方向侧)设有作为其他处理区的第3处理区G3，在处理工位部3的靠转接工位部5侧(图1的Y方向正方向侧)设有作为其他处理区的第4处理区G4。
如图3所示，例如，在第1处理区G1中，在铅垂方向上层叠有多个液处理装置。例如，从下方开始依次重叠有5层液处理装置：显影处理装置30、31，其用于对晶圆W进行显影处理；废液回收装置32，其用于对被下述的涂敷处理装置33排出的废液进行回收；涂敷处理装置33，其用于在晶圆W上涂敷作为涂敷液的聚酰亚胺溶液而形成作为涂敷膜的聚酰亚胺膜；周缘部清洗装置34，其用于将晶圆W的周缘部上的聚酰亚胺膜清洗除去。另外，聚酰亚胺溶液是使聚酰亚胺前体、例如聚酰胺酸溶解在溶剂中而成的溶液。
显影处理装置30、31在水平方向上具有多个、例如4个用于在处理时收容晶圆W的杯状件F，能够同时对多个晶圆W进行处理。另外，对于废液回收装置32、涂敷处理装置33、周缘部清洗装置34的详细结构见下述。
如图2所示，例如，在第2处理区G2中，在铅垂方向和水平方向上排列设置有：热处理装置40，其用于进行晶圆W的热处理；附着(adhesion)装置41，其用于对晶圆W进行疏水化处理；位置调节装置42，其用于调节晶圆W的中心位置；周边曝光装置43，其用于对晶圆W的外周部进行曝光。另外，能够任意选择热处理装置40、附着装置41、位置调节装置42及周边曝光装置43的数量、配置。在本实施方式中，例如，第2处理区G2在铅垂方向上分为4层而设置。例如，在第2处理区G2中，在与第1处理区G1的显影处理装置30、31相对应的位置的层中配置有热处理装置40。例如，在与第1处理区G1的废液回收装置32相对应的位置的层中配置有热处理装置40和附着装置41。例如，在与第1处理区G1的涂敷处理装置33相对应的位置的层中配置有热处理装置40和位置调节装置42。例如，在与第1处理区G1的周缘部清洗装置34相对应的位置的层中配置有热处理装置40、位置调节装置42及周边曝光装置43。
热处理装置40具有：热板，其用于载置晶圆W并加热晶圆W；冷却板，其用于载置晶圆W并冷却晶圆W，热处理装置40能够进行加热处理和冷却处理这两种处理。对于位置调节装置42的详细的结构见下述。
如图2及图3所示，例如，在第3处理区G3设有用于交接晶圆W的交接装置50、52、54、56和用于调节晶圆W的温度的温度调节装置51、53、55。这些装置50～56从下方开始按照该顺序配置。另外，在第3处理区G3的最下层配置有废液排出装置60，其用于暂时积存废液并将该废液排出到涂敷显影处理系统1的外部，该废液是用废液回收装置32回收到的废液、从周缘部清洗装置34排出的废液。在废液排出装置60中设有用于暂时积存废液的罐(未图示)、用于排出废液的泵(未图示)等。
另外，在第4处理区G4设有用于交接晶圆W的交接装置70、72、74、76和用于调节晶圆W的温度的温度调节装置71、73、75。这些装置70～76从下方开始按照该顺序配置。
如图1所示，在被第1处理区G1～第4处理区G4包围的区域中形成有晶圆输送区域D。在晶圆输送区域D中配置有例如作为基板输送装置的晶圆输送装置80。
晶圆输送装置80具有输送臂81，该输送臂81在例如Y方向、X方向、绕铅垂轴线方向(θ方向)及铅垂方向上移动自如。晶圆输送装置80能够在晶圆输送区域D内移动，能够将晶圆W输送到周围的第1处理区G1、第2处理区G2、第3处理区G3及第4处理区G4内的规定的装置中。
例如，如图2所示，在铅垂方向上配置多台、例如4台晶圆输送装置80，能够将晶圆W输送到例如各处理区G1～G4的相同程度的高度的规定的装置中。另外，在本实施方式中，多个晶圆输送装置80分别被设在与第2处理区G2的被分割而成的4层相对应的位置。
另外，在晶圆输送区域D设有梭式(shuttle)输送装置90，该梭式输送装置90用于在第3处理区G3和第4处理区G4之间直线状地输送晶圆W。
梭式输送装置90在例如Y方向上直线状地移动自如。梭式输送装置90能够在支承有晶圆W的状态下在Y方向上移动，能够在第3处理区G3的交接装置52和第4处理区G4的交接装置72之间输送晶圆W。
如图1所示，在第3处理区G3的X方向正方向侧附近设有作为其他基板输送装置的晶圆输送装置100。晶圆输送装置100具有在例如X方向、绕铅垂轴线方向(θ方向)及铅垂方向上移动自如的输送臂101。晶圆输送装置100能够在支承有晶圆W的状态下在铅垂方向上移动，能够将晶圆W输送到第3处理区G3内的规定的装置中。
另外，第4处理区G4的X方向正方向侧的附近也设有作为其他基板输送装置的晶圆输送装置102。晶圆输送装置102具有在例如X方向、绕铅垂轴线方向(θ方向)及铅垂方向上移动自如的输送臂103。晶圆输送装置102能够在支承有晶圆W的状态下在铅垂方向上移动，能够将晶圆W输送到第4处理区G4内的规定的装置中。另外，晶圆输送装置102在下述的晶圆输送装置110的输送性能较高时能够被省略。
在转接工位部5设有晶圆输送装置110和交接装置111。晶圆输送装置110具有在例如Y方向、绕铅垂轴线方向(θ方向)及铅垂方向上移动自如的输送臂。晶圆输送装置110能够将晶圆W支承于例如输送臂而在第4处理区G4内的规定的装置、交接装置111及曝光装置4这三者之间输送晶圆W。
接着，说明上述的涂敷处理装置33的结构。如图4及图5所示，涂敷处理装置33具有能够使内部密闭的处理容器130。如图5所示，在处理容器130的靠晶圆输送区域D侧的侧面的例如4个部位形成有晶圆W的输入/输出口131。这些输入/输出口131分别被形成在与下述的涂敷部140～143相对应的位置。
在处理容器130的内部例如设有4个用于在晶圆W上涂敷聚酰亚胺溶液的涂敷部140～143。涂敷部140～143从Y方向负方向(图5的左方向)侧朝向Y方向正方向(图5的右方向)侧按照该顺序排列配置。
如图5所示，在涂敷部140～143的X方向负方向(图5的下方向)侧形成有沿着Y方向(图5的左右方向)延伸的导轨150。导轨150被例如从涂敷部140的Y方向负方向(图5的左方向)侧的外侧形成到涂敷部143的Y方向正方向(图5的右方向)侧的外侧。在导轨150上安装有两个臂151、152。在此，将被设在Y方向负方向侧的臂151称为第1臂151，将被设在Y方向正方向侧的臂152称为第2臂152。
如图4及图5所示，在第1臂151上支承有作为用于喷出聚酰亚胺溶液的涂敷液喷嘴的第1聚酰亚胺喷嘴153。第1臂151在图5所示的喷嘴驱动部154的驱动下在导轨150上移动自如。由此，第1聚酰亚胺喷嘴153能够从被设置在涂敷部140的Y方向负方向侧的外侧的待机部155移动到各涂敷部140、141内的晶圆W的中心部上方、并且能够在该晶圆W的表面上沿着晶圆W的径向移动。另外，第1臂151在喷嘴驱动部154的驱动下升降自如，能够调节第1聚酰亚胺喷嘴153的高度。如图6所示，第1聚酰亚胺喷嘴153经由供给管156与用于将聚酰亚胺溶液供给到第1聚酰亚胺喷嘴153的聚酰亚胺供给装置157连接。
另外，在待机部155，在第1聚酰亚胺喷嘴153的待机过程中，该第1聚酰亚胺喷嘴153的顶端部被收容并被清洗。该第1聚酰亚胺喷嘴153的清洗是利用例如聚酰亚胺溶液的冲洗液进行的。另外，因第1聚酰亚胺喷嘴153的清洗而产生的废液从例如与待机部155连接的排液管158被排出，被废液回收装置32回收。
如图4及图5所示，在第2臂152上支承有作为用于喷出聚酰亚胺溶液的涂敷液喷嘴的第2聚酰亚胺喷嘴160。第2臂152在图5所示的喷嘴驱动部161的驱动下在导轨150上移动自如。由此，第2聚酰亚胺喷嘴160能够从被设置在涂敷部143的Y方向正方向侧的外侧的待机部162移动到各涂敷部142、143内的晶圆W的中心部上方、并且能够在该晶圆W的表面上沿着晶圆W的径向移动。另外，第2臂152在喷嘴驱动部161的驱动下升降自如，能够调节第2聚酰亚胺喷嘴160的高度。另外，上述的聚酰亚胺供给装置157也与第2聚酰亚胺喷嘴160连接，并将聚酰亚胺溶液供给到该第2聚酰亚胺喷嘴160。
另外，在待机部162，在第2聚酰亚胺喷嘴160的待机过程中，该第2聚酰亚胺喷嘴160的顶端部被收容并被清洗。该第2聚酰亚胺喷嘴160的清洗是利用例如聚酰亚胺溶液的冲洗液来进行的。另外，因第2聚酰亚胺喷嘴160的清洗而产生的废液从例如与待机部162连接的排液管163被排出，被废液回收装置32回收。
如图6所示，在涂敷部140设有作为保持晶圆W的背面的中心部并使晶圆W旋转的其他载置台的旋转吸盘170。旋转吸盘170具有水平的上表面，在该上表面中设有例如用于吸引晶圆W的吸引口(未图示)。利用来自该吸引口的吸引，能够将晶圆W吸附保持在旋转吸盘170上。
旋转吸盘170被安装于轴171。在旋转吸盘170的下方借助该轴171设有具有例如电动机、缸体等的旋转驱动部172。旋转吸盘170能够在该旋转驱动部172的驱动下绕铅垂轴线以规定的速度旋转，并且能够升降。
在旋转吸盘170的下方侧以包围轴171的方式设有杯底件173。杯底件173能够接住并回收朝向被保持于旋转吸盘170的晶圆W的背面侧落下的液体。杯底件173与用于将回收到的废液排出的排液管174连接。
在旋转吸盘170的下方且在杯底件173上，在例如两个部位设有用于将冲洗液喷射到晶圆W的背面的背面冲洗喷嘴175、175。背面冲洗喷嘴175与冲洗液供给管177连接，该冲洗液供给管177与冲洗液供给源176连通。在冲洗液供给源176中积存有聚酰亚胺溶液的冲洗液。
在杯底件173的外周部设有截面形状为山形、即向上方凸起地突出的形状的导向环178。该导向环178的外周部向下方侧弯曲并延伸。
在旋转吸盘170、被保持于旋转吸盘170的晶圆W及导向环178的侧方以将这些旋转吸盘170、晶圆W及导向环178包围的方式设有杯状件180。杯状件180能够接住并回收从晶圆W飞散或者落下的液体。
杯状件180为了使旋转吸盘170能够升降而在上表面形成有比晶圆W大的开口部，并且，在内周侧面和导向环178的外周缘之间形成有用于构成排出路径的间隙181。
另外，在杯状件180的下部呈环状形成有气液分离部182，该气液分离部182用于将杯状件180内的气氛气体排出、并且、将杯状件180内的废液回收。在气液分离部182中，利用导向环178的外周部和被设在杯状件180的底面上的分隔壁183形成弯曲路径。另外，利用该弯曲路径在气液分离部182使气体和液体分离。即，气液分离部182被分隔壁183划分成用于将杯状件180内的废液排出的外侧区域184和用于将杯状件180内的气氛气体排出的内侧区域185。外侧区域184与用于将杯状件180内的废液排出的排液管186连接。另外，内侧区域185与用于将杯状件180内的气氛气体排出的排气管187连接。
在杯状件180的下方设有废液容器190，该废液容器190用于对回收到杯底件173和杯状件180内的废液进行收集、并且将该废液排出到废液回收装置32中。废液容器190的上表面与用于将回收到杯底件173中的废液排出的排液管174、用于将回收到杯状件180内的废液排出的排液管186连接。另外，废液容器190的下表面与下述的废液回收装置32的铅垂配管202连接。
另外，对于涂敷部141、142、143的结构，因与上述的涂敷部140相同而省略说明。
另外，周缘部清洗装置34具有与上述的涂敷处理装置33的结构大致相同的结构。在周缘部清洗装置34中，代替涂敷处理装置33的聚酰亚胺喷嘴153、160，而具有用于将冲洗液供给到被保持于旋转吸盘170的晶圆W的周缘部的周缘冲洗喷嘴。周缘冲洗喷嘴也可以分别单独地被设于各涂敷部140～143。另外，回收到各涂敷部140～143的废液容器190中的废液直接被排出到废液排出装置60中。周缘部清洗装置34的除此之外的结构与涂敷处理装置33的结构相同，因此省略说明。
接着，说明上述的废液回收装置32的结构。如图4所示，废液回收装置32具有处理容器200。
在处理容器200的内部设有作为用于对来自涂敷处理装置33的废液进行回收的废液回收部的回收罐201。回收罐201经由铅垂配管202及倾斜配管203与上述的废液容器190连接。铅垂配管202被设为从废液容器190朝向铅垂下方延伸。倾斜配管203被设为从铅垂配管202的端部到回收罐201以规定的角度倾斜延伸。该规定的角度是使废液不会在倾斜配管203内堵塞而会顺畅地流动的角度、例如与水平方向成15度以上的角度。另外，回收罐201还与用于将来自涂敷处理装置33的待机部155、162的废液排出的排液管158、163连接。
在处理容器200的内部设有用于使废液从回收罐201排出的泵204。回收罐201与排液管205连接，如图3所示，排液管205与废液排出装置60连通。于是，利用泵204将废液从回收罐201排出到废液排出装置60中，然后，利用废液排出装置60内的泵将废液从该废液排出装置60排出到涂敷显影处理系统1的外部。
另外，也可以在处理容器200的内部设有清洗机构(未图示)、过滤器(未图示)等，该清洗机构用于清洗回收罐201的内部，该过滤器用于将从回收罐201排出的废液中的杂质除去。
接着，说明上述的位置调节装置42的结构。如图7所示，位置调节装置42具有能够使内部密闭的处理容器210。在处理容器210的靠晶圆输送区域D侧的侧面上形成有晶圆W的输入/输出口211。
在处理容器210内设有作为载置台的吸盘220，该吸盘220对晶圆W的背面的中心部进行吸附保持。即，吸盘220不保持晶圆W的周缘部。吸盘220具有水平的上表面，在该上表面设有例如用于吸引晶圆W的吸引口(未图示)。利用来自该吸引口的吸引，能够将晶圆W吸附保持在吸盘220上。
在吸盘220上设有吸盘驱动部221。吸盘驱动部221被安装在导轨222上，该导轨222设在处理容器210内的底面上、并且沿着X方向(图7的左右方向)延伸。吸盘220在该吸盘驱动部221的驱动下沿着导轨222移动自如并且绕铅垂轴线转动自如。另外，在本实施方式中，吸盘驱动部221和导轨222构成了本发明的移动机构。
另外，在处理容器210内设有用于对被保持于吸盘220的晶圆W的中心位置进行检测的位置检测部223。位置检测部223具有用于对例如晶圆W的周缘部进行拍摄的CCD照相机，能够对被保持于吸盘220的晶圆W的中心位置、即晶圆W的中心部自规定的位置的错位量进行检测。另外，基于利用位置检测部223检测到的检测结果，利用下述的控制部300对吸盘驱动部221的驱动进行控制，从而使吸盘220移动规定量。具体而言，使吸盘220移动，使得被保持于吸盘220的晶圆W的中心位置与下述的晶圆W被保持于晶圆输送装置80的臂部230时的中心位置一致。
接着，说明上述的晶圆输送装置80的输送臂81的结构。如图8所示，输送臂81具有构成为大致3/4圆环状的臂部230。臂部230以比晶圆W的半径大的曲率半径沿着晶圆W的周缘部弯曲。在臂部230的多个部位、例如4个部位设有保持部231，该保持部231自该臂部230向内侧突出，用于保持晶圆W的周缘部背面。如图9所示，在保持部231的顶端部设有树脂制的O型环232。该O型环232与晶圆W的周缘部背面接触、保持部231利用该O型环232与晶圆W之间的摩擦力来保持晶圆W的周缘部背面。另外，输送臂81能够将晶圆W水平地保持在该保持部231上。另外，因为臂部230的曲率半径比晶圆W的半径大，所以晶圆W的周缘部不与臂部230接触。另外，保持部231保持晶圆W的周缘部背面，因此，即使在保持部231和晶圆W之间发生微粒，与以往那样保持晶圆的侧面的情况相比，该微粒也难以蔓延到晶圆W的表面侧。因而，能够将晶圆W的表面保持得清洁。
如图8所示，在臂部230的基端部设有支承部233，该支承部233与臂部230形成为一体，并且用于支承臂部230。在支承部233设有臂驱动部(未图示)。输送臂81在该臂驱动部的驱动下在水平方向、铅垂方向及绕铅垂轴线方向(θ方向)上移动自如。
接着，说明上述的晶圆输送装置100、102的输送臂101、103的结构。如图10所示，输送臂101具有被构成为大致C字型的作为其他臂部的臂部240。臂部240以比晶圆W的半径大的曲率半径沿着晶圆W的周缘部弯曲。在臂部240的多个部位、例如3个部位设有保持部241，该保持部241自该臂部240向内侧突出，用于保持晶圆W的周缘部背面。在保持部241的顶端部设有与图9所示的O型环232同样的树脂制的O型环242。该O型环242与晶圆W的周缘部背面接触，保持部241利用该O型环242与晶圆W之间的摩擦力来保持晶圆W的周缘部背面。另外，输送臂101能够将晶圆W水平地保持在该保持部241上。另外，因为臂部240的曲率半径比晶圆W的半径大，所以晶圆W的周缘部不与臂部240接触。并且，保持部241保持晶圆W的周缘部背面，因此，即使在保持部241与晶圆W之间发生微粒，与以往那样保持晶圆的侧面的情况相比，该微粒也难以蔓延到晶圆W的表面侧。因而，能够将晶圆W的表面保持得清洁。另外，保持部241构成了本发明的其他保持部。
如图10所示，在臂部240的基端部设有支承部243，该支承部243与臂部240形成为一体，并且用于支承臂部240。在支承部243上设有臂驱动部(未图示)。输送臂101在该臂驱动部的驱动下在水平方向、铅垂方向及绕铅垂轴线方向(θ方向)上移动自如。
另外，输送臂103的结构与上述的输送臂101的结构相同，因此省略说明。
如图1所示，在以上的涂敷显影处理系统1中设有控制部300。控制部300为例如计算机，具有程序存储部(未图示)。程序存储部存储有用于执行涂敷显影处理系统1中的晶圆处理的程序。另外，上述程序也可以是被存储在例如计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等计算机可读取的存储介质H中的、并且从该存储介质H安装到控制部300中的程序。
接着，对使用如上述那样构成的涂敷显影处理系统1实施的、晶圆W的处理方法进行说明。
首先，收容有多张晶圆W的承载件C被载置于承载件工位部2的规定的承载件载置板11。然后，承载件C内的各晶圆W依次被晶圆输送装置21取出，被输送到处理工位部3的第3处理区G3的例如交接装置54中。
接着，晶圆W被晶圆输送装置100输送到温度调节装置53中，被调节成规定的温度、例如常温。然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到第2处理区G2的附着装置41中，进行附着处理。然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到第3处理区G3的温度调节装置55中，被调节成规定的温度、例如常温。
然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到第2处理区G2的位置调节装置42中。在位置调节装置42中，晶圆W的中心位置被调节。在此，基于图11对被晶圆输送装置80从温度调节装置55输送过来的晶圆W的中心位置自规定的位置错位的情况下的、在位置调节装置42内进行的位置调节进行说明。
如图11的(a)所示，在位置调节装置42中，调节晶圆W的中心位置，以使晶圆W被保持在输送臂81的臂部230的适当的位置、即臂部230的中心位置与晶圆W的中心位置对齐。将被这样进行位置调节之后的晶圆W的中心位置设为在位置调节装置42中的原始位置P。并且，吸盘220以该吸盘220的中心部CC位于原始位置P的方式待机。
如图11的(b)所示，在吸盘220这样进行待机的状态下，从输送臂81将晶圆W交接到吸盘220上。此时，晶圆W的中心部CW自原始位置P(吸盘220的中心位置CC)错位。
然后，利用吸盘驱动部221使晶圆W沿着导轨222移动，如图11的(c)所示，晶圆W被配置在位置检测部223能够对晶圆W的周缘部进行拍摄的位置。然后，一边利用吸盘驱动部221使晶圆W旋转，一边利用位置检测部223对晶圆W的中心位置、即晶圆W的中心部CW的错位量TX、TY进行检测。其中，TX、TY是晶圆W的中心部CW自吸盘220的中心位置CC的错位量，TX为X方向的错位量，TY为Y方向的错位量。
然后，基于位置检测部223的检测结果，利用控制部300来调节晶圆W的中心位置。具体而言，如图11的(d)所示，使晶圆W绕铅垂轴线转动，使得TY为零。
然后，如图11的(e)所示，利用吸盘驱动部221使晶圆W在X方向上移动，使得晶圆W的中心部CW位于原始位置P。这样，晶圆W的中心位置的调节结束。然后，将晶圆W从吸盘220交接到输送臂81上。此时，晶圆W被输送臂81以输送臂81的臂部230的中心位置与晶圆W的中心位置对齐的方式保持。即，晶圆W的周缘部不与臂部230接触。
这样被交接到晶圆输送装置80的输送臂81上的晶圆W接着被输送到涂敷处理装置33中，例如从输送臂81被交接到涂敷部140的旋转吸盘170上。此时，如图12所示，在涂敷处理装置33内，晶圆W被以如下方式从输送臂81交接到旋转吸盘170上，即，以被保持于臂部230的晶圆W的中心位置与旋转吸盘170的中心位置对齐的方式。
然后，使第1聚酰亚胺喷嘴153移动到晶圆W的中心部上方。接着，利用旋转驱动部172使被保持于旋转吸盘170的晶圆W旋转，并且，从第1聚酰亚胺喷嘴153将聚酰亚胺溶液供给到晶圆W的中心部。被供给到晶圆W上的聚酰亚胺溶液在因晶圆W的旋转而产生的离心力的作用下扩散到晶圆W的整个表面，从而聚酰亚胺溶液被涂敷到晶圆W的表面。然后，在使来自第1聚酰亚胺喷嘴153的聚酰亚胺溶液的供给停止之后，使晶圆W继续旋转。从而，对晶圆W上的聚酰亚胺溶液的膜厚进行调整，并且使该聚酰亚胺溶液干燥，从而在晶圆W上形成聚酰亚胺膜。另外，在晶圆W上形成了聚酰亚胺膜之后，也可以从背面冲洗喷嘴175将冲洗液喷射到晶圆W的背面、从而清洗该晶圆W的背面。
另外，从第1聚酰亚胺喷嘴153将聚酰亚胺溶液涂敷到晶圆W上时，从晶圆W飞散的聚酰亚胺溶液被回收到杯状件180内或被杯底件173回收。另外，从背面冲洗喷嘴175将冲洗液涂敷到晶圆W的背面时，产生的废液被杯底件173回收或被回收到杯状件180内。另外，被杯状件180、杯底件173回收的废液经由废液容器190、铅垂配管202及倾斜配管203被排出到回收罐201中。此时，铅垂配管202和倾斜配管203具有规定的倾斜，因此，废液在铅垂配管202和倾斜配管203内不会堵塞而是顺利地流动。
然后，晶圆W被晶圆输送装置80从涂敷处理装置33输出。此时，与图12所示的情况同样，晶圆W被以如下方式从旋转吸盘170交接到输送臂81上，即，以被保持于旋转吸盘170的晶圆W的中心位置与晶圆W被保持于臂部230时的中心位置一致的方式。因而，晶圆W以晶圆W的周缘部不与臂部230接触的状态被保持于输送臂81。
然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到热处理装置40中，进行预烘焙处理。然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到第4处理区G4的温度调节装置75中，被调节成规定的温度、例如常温。
然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到第2处理区G2的位置调节装置42中。在位置调节装置42中，晶圆W的中心位置被调节。在此处进行的晶圆W的中心位置的调节与在图11中说明的晶圆W的中心位置的调节相同，因此省略详细的说明。
然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到周缘部清洗装置34中。此时，在周缘部清洗装置34内，晶圆W被以如下方式从输送臂81交接到旋转吸盘170上，即，以被保持于输送臂81的臂部230的晶圆W的中心位置与晶圆W被保持于旋转吸盘170时的中心位置一致的方式。
然后，使周缘冲洗喷嘴移动到晶圆W的周缘部上方。接着，利用旋转驱动部172使被保持于旋转吸盘170的晶圆W旋转，并且，从周缘冲洗喷嘴将冲洗液供给到晶圆W的周缘部。利用该冲洗液将晶圆W的周缘部上的聚酰亚胺膜除去，从而清洗该晶圆W的周缘部。
然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到周边曝光装置43中，进行周边曝光处理。然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到第3处理区G3的交接装置56中。
接着，晶圆W被晶圆输送装置100输送到交接装置52中，被梭式输送装置90输送到第4处理区G4的交接装置72中。
然后，晶圆W被转接工位部5的晶圆输送装置110输送到曝光装置4中，进行曝光处理。
接着，晶圆W被晶圆输送装置110从曝光装置4输送到第4处理区G4的交接装置70中。然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到第2处理区G2的热处理装置40中，进行曝光后烘焙处理。然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到第1处理区G 1的显影处理装置30中，进行显影。显影结束后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到第2处理区G2的热处理装置40中，进行后烘焙处理。
然后，晶圆W被晶圆输送装置80输送到第3处理区G3的交接装置50中，然后，晶圆W被承载件工位部2的晶圆输送装置21输送到规定的承载件载置板11的承载件C中。这样，在晶圆W上的聚酰亚胺膜上形成规定的图案，结束了一系列的光刻处理。
采用以上的实施方式，在晶圆W的在温度调节装置55中进行的温度调节之后，在位置调节装置42中进行调节，以使被保持于吸盘220的晶圆W的中心位置与晶圆W被保持于输送臂81的臂部230时的中心位置一致。这样，利用晶圆输送装置80从位置调节装置42输出晶圆W时，能够将晶圆W从吸盘220交接到臂部230的适当的位置。即，晶圆W被以臂部230的中心位置与晶圆W的中心位置对齐的方式交接到输送臂81上。在此之后，在利用晶圆输送装置80将晶圆W输送到涂敷处理装置33中时，也能够以被保持于臂部230的晶圆W的中心位置与晶圆W被保持于旋转吸盘170时的中心位置一致的方式将晶圆W从臂部230适当地交接到旋转吸盘170上。因而，能够在被保持于旋转吸盘170的晶圆W上适当地涂敷聚酰亚胺溶液而形成聚酰亚胺膜。
另外，在晶圆W的在温度调节装置75中进行的温度调节之后，也在位置调节装置42中调节晶圆W的中心位置。这样，在利用晶圆输送装置80从位置调节装置42输出晶圆W时，能够将晶圆W从吸盘220交接到输送臂81的臂部230的适当的位置。另外，然后，在利用晶圆输送装置80将晶圆W输送到周缘部清洗装置34中时，也能够将晶圆W从臂部230交接到旋转吸盘170的适当的位置。因而，能够将冲洗液供给到被保持于旋转吸盘170的晶圆W的周缘部上的适当的位置，从而能够适当地清洗该周缘部。
另外，在位置调节装置42中对晶圆W的中心位置进行了调节，因此，随后在利用晶圆输送装置80输送晶圆W的过程中，晶圆W被输送臂81以臂部230的中心位置与晶圆W的中心位置对齐的方式保持。另外，此时，在输送臂81的保持部231与晶圆W之间产生摩擦力，因此，晶圆W不会自保持部231错位地被输送臂81保持。因而，臂部230不会与晶圆W的周缘部接触。即，在晶圆W的从涂敷处理装置33向热处理装置40的输送过程中、晶圆W的从热处理装置40向温度调节装置75的输送过程中、晶圆W的从温度调节装置75向位置调节装置42的输送过程中、晶圆W的从位置调节装置42向周缘部清洗装置34的输送过程中，臂部230不与晶圆W的周缘部接触。因而，晶圆W上的聚酰亚胺膜不会附着于臂部230，不会如以往那样引起微粒污染。特别是在晶圆上涂敷高粘度的涂敷液(例如本实施方式的聚酰亚胺溶液)时，涂敷膜易于附着于输送臂，因此，本实施方式在使用高粘度的涂敷液的情况下尤其有用。
以上的实施方式的涂敷显影处理系统1的位置调节装置42被配置在第2处理区G2中，但是，如图13所示，也可以被配置在作为其他处理区的第3处理区G3及第4处理区G4中。在此情况下，代替晶圆输送装置80，而使用晶圆输送装置100、102来进行晶圆W的从上述的温度调节装置55、75向位置调节装置42的输送。这样，能够省略一部分利用使用率较高的晶圆输送装置80进行的晶圆W的输送。另外，在第2处理区G2中的原来配置位置调节装置42的位置能够另行配置处理时间较长的热处理装置40。因而，能够使晶圆处理整体的生产率提高。
另外，在上述情况下，晶圆输送装置100输送臂101、晶圆输送装置102的输送臂103的臂部240的曲率半径也比晶圆W的半径大，因此，晶圆W的周缘部不与臂部240接触。因而，晶圆W上的聚酰亚胺膜不会附着于臂部240，不会如以往那样引起微粒污染。
在以上的实施方式中，在位置调节装置42中，使被保持于吸盘220的晶圆W绕铅垂轴线转动并且在X方向上移动，但是，也可以使该晶圆W在X方向及Y方向这水平方向的两个方向上移动。即，也可以基于被位置检测部223检测到的晶圆W的中心部CW的错位量TX、TY来使晶圆W在X方向及Y方向上移动。在此情况下，也可以通过例如吸盘驱动部221在Y方向上伸缩而使被保持于吸盘220的晶圆W在Y方向上移动。
另外，也可以在以上的实施方式的周缘部清洗装置34中设有与涂敷处理装置33的聚酰亚胺喷嘴153、160相同的涂敷液喷嘴。在此情况下，作为周缘部清洗装置34的涂敷液喷嘴，设置用于供给例如作为涂敷液的抗蚀剂(resist)液的抗蚀剂液喷嘴。并且，将抗蚀剂液从抗蚀剂液喷嘴供给到晶圆W上，在该晶圆W上形成抗蚀剂膜。
另外，在以上的实施方式的涂敷处理装置33中，也可以与周缘部清洗装置34同样，在晶圆W的周缘部设有用于供给冲洗液的周缘冲洗喷嘴。
在以上的实施方式中，说明了将聚酰亚胺溶液用作涂敷液的情况，但是，本发明不仅能够应用聚酰亚胺溶液，也能够适宜地应用其他涂敷液、在图像传感器等制造中所使用的彩色抗蚀剂(color resist)等高粘度的涂敷液。
在以上的实施方式中，在输送臂81、101中，用于保持晶圆W的保持部231、241分别具有O型环232、242，但是本发明不被限定于此。只要保持部231、241与晶圆W的周缘部背面之间发生摩擦力即可，该保持部231、241可以具有其他吸附盘(pad)等来代替O型环232、242。或者，如图14所示，也可以在保持部231的顶端部形成吸引口310、并且保持部231利用来自吸引口310的吸引来保持晶圆W。在此情况下，吸引口310经由真空配管311与真空泵312连接。另外，保持部241也同样也可以形成用于与真空泵312连接的吸引口310。
另外，如上所述，本发明特别是在使用高粘度的涂敷液时有用，但是，本发明也能够适宜地应用于粘度比较低的涂敷液、例如通常的抗蚀剂、SOD(Spin On Dielectric)膜用处理液、SOG(Spin On Glass)膜用处理液。在此情况下，也能够防止涂敷膜附着于输送臂，从而能够防止微粒污染。
以上，参照附图说明了本发明的优选的实施方式，但是本发明不被限定于上述例。如果是本领域的技术人员，则显然能够在权利要求书所述的思想范畴内想到各种变更例和修改例，这些变更例和修改例当然也被认为属于本发明的保护范围。本发明不限于本例而能够采用各种各样的方式。本发明也能够应用于基板为晶圆以外的FPD(平板显示器)、光掩模用的掩模等其他基板的情况。
附图标记说明
1、涂敷显影处理系统；33、涂敷处理装置；34、周缘部清洗装置；40、热处理装置；42、位置调节装置；51、53、55、71、73、75、温度调节装置；80、晶圆输送装置；81、输送臂；100、晶圆输送装置；101、输送臂；102、晶圆输送装置；103、输送臂；153、第1聚酰亚胺喷嘴；160、第2聚酰亚胺喷嘴；170、旋转吸盘；220、吸盘；221、吸盘驱动部；222、导轨；223、位置检测部；230、臂部；231、保持部；232、O型环；240、臂部；241、保持部；242、O型环；300、控制部；310、吸引口；312、真空泵；G1、第1处理区；G2、第2处理区；G3、第3处理区；G4、第4处理区；W、晶圆。

Claims (17)

1.一种基板处理系统，其包括：多个处理装置，其用于处理基板；位置调节装置，其用于调节基板的中心位置；基板输送装置，其用于向上述处理装置和上述位置调节装置输送基板；控制部，其用于控制上述各装置的动作，其特征在于，
上述基板输送装置包括：臂部，其以大于基板的半径的曲率半径沿着基板的周缘部弯曲；保持部，其自上述臂部向内侧突出，用于保持基板的背面，
上述位置调节装置具有载置台，该载置台旋转自如及水平移动自如，用于保持基板的背面的中心部，
上述控制部进行如下控制：使上述载置台旋转及水平移动，以便被保持于上述载置台的基板的中心位置与上述臂部的中心位置对齐。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
上述位置调节装置包括：位置检测部，其用于对被保持于上述载置台的基板的中心位置进行检测；移动机构，其用于使上述载置台移动，
上述移动机构基于上述位置检测部所检测到的基板的中心位置的检测结果使上述载置台绕铅垂轴线转动、向水平方向的一个方向移动。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，
上述保持部利用该保持部与基板之间的摩擦力来保持基板。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，
在上述保持部的顶端部形成有与真空泵连接的吸引口，并且上述保持部利用来自上述吸引口的吸引来保持基板。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，
上述多个处理装置包括涂敷处理装置，该涂敷处理装置用于在中心位置被上述位置调节装置调节后的基板上涂敷涂敷液。
6.根据权利要求5所述的基板处理系统，其特征在于，
上述涂敷液为聚酰亚胺溶液。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理系统，其特征在于，
该基板处理系统包括：
处理区，其在铅垂方向上多层层叠有包括上述涂敷处理装置在内的处理装置；
其他处理区，其在铅垂方向上多层层叠有上述位置调节装置和其他处理装置；
其他基板输送装置，其用于向上述其他处理区的上述位置调节装置和上述其他处理装置输送基板，
上述其他基板输送装置包括：其他臂部，其以大于基板的半径的曲率半径沿着基板的周缘部弯曲；其他保持部，其自上述其他臂部向内侧突出，用于保持基板的背面。
8.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，
上述其他保持部利用该其他保持部与基板之间的摩擦力来保持基板。
9.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，
在上述其他保持部的顶端部形成有与真空泵连接的吸引口；
上述其他保持部利用来自上述吸引口的吸引来保持基板。
10.根据权利要求5～9中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，
上述多个处理装置包括：
温度调节装置，其用于调节基板的温度；
热处理装置，其对被上述涂敷处理装置涂敷了上述涂敷液的基板进行热处理，从而在该基板上形成涂敷膜；
周缘部清洗装置，其用于将基板的周缘部上的在上述热处理装置中被形成的上述涂敷膜清洗除去，
上述基板输送装置向上述温度调节装置、上述热处理装置及上述周缘部清洗装置输送基板。
11.一种基板处理方法，其是使用了基板处理系统的基板处理方法，该基板处理系统包括：多个处理装置，其用于处理基板；位置调节装置，其用于调节基板的中心位置；基板输送装置，其用于向上述处理装置和上述位置调节装置输送基板，其特征在于，
上述基板输送装置包括：臂部，其以大于基板的半径的曲率半径沿着基板的周缘部弯曲；保持部，其自上述臂部向内侧突出，用于保持基板的背面，
上述位置调节装置具有载置台，该载置台旋转自如及水平移动自如，用于保持基板的背面的中心部，
上述基板处理方法包括以下工序：
位置调节工序，在上述位置调节装置中使上述载置台旋转及水平移动，以使被保持于上述载置台的基板的中心位置与上述臂部的中心位置对齐，
输送工序，其在上述位置调节工序之后，使用上述基板输送装置以基板的周缘部不与上述臂部接触的状态从上述位置调节装置输出基板而进行输送。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
上述位置调节装置包括：位置检测部，其用于对被保持于上述载置台的基板的中心位置进行检测；移动机构，其用于使上述载置台移动，
上述位置调节工序包括以下工序：
利用上述位置检测部来检测基板的中心位置；
根据该位置检测结果，利用上述移动机构使上述载置台绕铅垂轴线转动、向水平方向的一个方向移动。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
上述多个处理装置包括涂敷处理装置，该涂敷处理装置包括：其他载置台，其用于保持基板的背面的中心部并使基板旋转；涂敷液喷嘴，其用于将上述涂敷液供给到被保持于上述其他载置台的基板上，
在上述输送工序之后以被保持于上述臂部的基板的中心位置与上述其他载置台的中心位置对齐的方式在上述臂部和上述其他载置台之间进行基板的交接。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
上述涂敷液为聚酰亚胺溶液。
15.根据权利要求11～14中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
上述保持部利用该保持部与基板之间的摩擦力来保持基板。
16.根据权利要求11～14中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在上述保持部的顶端部形成有与真空泵连接的吸引口；
上述保持部利用来自上述吸引口的吸引来保持基板。
17.根据权利要求13～16中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
上述多个处理装置包括：
温度调节装置，其用于调节基板的温度；
热处理装置，其对被上述涂敷处理装置涂敷了上述涂敷液的基板进行热处理，从而在该基板上形成涂敷膜；
周缘部清洗装置，其用于将基板的周缘部上的用上述热处理装置形成的上述涂敷膜清洗除去，
上述基板处理方法包括以下工序：
第1温度调节工序，其在上述位置调节工序之前，在上述温度调节装置中，将基板的温度调节成规定的温度；
热处理工序，其处于用上述涂敷处理装置在基板上涂敷了上述涂敷液之后，在上述热处理装置中，对基板进行热处理而在该基板上形成涂敷膜；
第2温度调节工序，其在上述热处理工序之后，在上述温度调节装置中，将基板的温度调节成规定的温度；
其他位置调节工序，其在上述第2温度调节工序之后，在上述位置调节装置中，调节基板的中心位置；
周边部清洗工序，其在上述其他位置调节工序之后，在上述周缘部清洗装置中，将基板的周缘部上的上述涂敷膜清洗除去；
使用上述基板输送装置以基板的周缘部不与上述臂部接触的状态来进行基板的向上述温度调节装置、上述热处理装置及上述周缘部清洗装置的输送。
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