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CN102214755B - 发光元件 - Google Patents

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CN102214755B
CN102214755B CN201110084302.8A CN201110084302A CN102214755B CN 102214755 B CN102214755 B CN 102214755B CN 201110084302 A CN201110084302 A CN 201110084302A CN 102214755 B CN102214755 B CN 102214755B
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oxide transparent
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Abstract

本发明公开一种发光元件，其包含：发光叠层，包含第一电性半导体层，第一电性半导体层具有第一部分与第二部分；发光层形成于第一电性半导体叠层之上；及第二电性半导体层形成于发光层之上，第二电性半导体层的上表面为一粗化表面，且具有第一部分与第二部分；第一平坦层形成于第二电性半导体层上表面的第一部分上；第一氧化物透明导电层形成于第一平坦层与第二电性半导体层的上表面的第二部分之上，第一氧化物透明导电层包含接触第一平坦层的第一部分及接触第二电性半导体层的第二部分，第一氧化物透明导电层的第二部分包含第一孔穴群及第一电极形成于第一氧化物透明导电层的第一部分之上。

Description

发光元件
技术领域
本发明涉及一种发光元件，尤其是涉及一种具有高光摘出效率的发光元件。
背景技术
发光二极管的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。目前技术人员重要课题之一为提高发光二极管的亮度。
现有的发光二极管结构中可使半导体层表面形成粗化结构，而增加光摘出效率；但是，粗化结构会降低电流的横向传导及电流扩散而使正向电压升高。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一发光元件，其包含：一发光叠层，包含一第一电性半导体层，其中第一电性半导体层具有一第一部分与一第二部分；一发光层形成于第一电性半导体叠层之上；及一第二电性半导体层形成于发光层之上，其中第二电性半导体层的上表面为一粗化表面，且具有一第一部分与一第二部分；一第一平坦层形成于第二电性半导体层上表面的第一部分上；一第一氧化物透明导电层形成于第一平坦层与第二电性半导体层的上表面的第二部分之上，其中第一氧化物透明导电层包含接触第一平坦层的第一部分及接触第二电性半导体层的第二部分，其中第一氧化物透明导电层的第二部分包含一第一孔穴群，以及一第一电极形成于第一氧化物透明导电层的第一部分之上。
附图说明
图1A至图1F是本发明第一实施例的一种发光元件的制造流程图；
图1G是本发明第一实施例的第二导电型半导体层的上视示意图；
图1H是本发明第一实施例中的发光元件表面的氧化铟锡层的电子显微镜图；
图2A-图2D是本发明中第二实施例中的水平式发光元件实施例的剖面示意图；
图3是本发明第三实施例中发光元件的剖面示意图；
图4是本发明第四实施例中发光元件的剖面示意图；
图5是本发明第五实施例中发光元件的剖面示意图；
图6A-图6B是本发明第一实施例的第二导电型半导体层的上视示意图；
图7A-图7B是本发明第二实施例的第二导电型半导体层的上视示意图。
主要元件符号说明
导电基板10
基板20
发光叠层12、22
第一导电型半导体层124、224
发光层122、222
第二导电型半导体层120、220
第一平坦层13
第二平坦层131、231
第一透明导电氧化物层14、24
第二透明导电氧化物层28
第一电极15、25
第二电极16、26
第一金属反射层17、27
第二金属反射层30
具体实施方式
为了使本发明的叙述更加详尽与完备，请参照下列描述并配合图1A至图7B的图示。图1A至图1F是显示依本发明第一实施例的发光元件的制造流程图：图1A显示一发光元件包含一导电基板10、一发光叠层12形成于导电基板10之上，其中发光叠层12包含一第一导电型半导体层124、一发光层122及一第二导电型半导体层120，依序形成于导电基板10的第一表面101之上。其中第二导电型半导体层120的上表面1201为一粗化表面，形成的方式可包含外延方式、蚀刻或两者混合的方式为之。在本实施例中，发光叠层12的材料包含一种或一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、砷(As)、磷(P)、氮(N)以及硅(Si)所构成群组。常用的材料如磷化铝镓铟(AlGaInP)系列、氮化铝镓铟(AlGaInN)系列等。发光层122的结构如：单异质结构(singleheterostructure；SH)、双异质结构(doubleheterostructure；DH)、双侧双异质结构(double-sidedoubleheterostructure；DDH)、或多层量子阱(multi-quantμmwell；MQW)。再者，调整量子阱的对数也可以改变发光波长。
如图1B所示，一第一平坦层13形成在第二导电型半导体层120的上表面1201上，并覆盖与填满上述的粗化表面。此第一平坦层13可以旋转涂布(SpinCoating)的方式形成。在一实施例中，第一平坦层13采用旋转涂布玻璃(SOG，spinonglasscoating)的方式形成，材料可为SiO2、BCB(Benzocyclobutene)、HSQ(HydrogenSilesquioxane)和MSQ(Methylsequioxane)等聚合物(Polymer)。
如图1C所示，将上述第一平坦层图形化及硬化后并以蚀刻及曝光光刻制作工艺形成一第二平坦层131，以暴露出部分的第二导电型半导体层120的上表面1201。第二平坦层131的位置并不被限定，可形成于第二导电型半导体层120上表面1201的中间或边缘位置。
如图1D所示，一第一透明导电氧化物层14形成并覆盖第二平坦层131及部分的第二导电型半导体层120上表面1201。第一透明导电氧化物层14包含第一部分141与第二部分142，其中第一部分141大致为平坦且与第二平坦层131接触，第二部分142形成于第二导电型半导体层120上表面1201之上，具有一第一多孔穴群1421接触第二导电型半导体层120的上表面1201及一第二多孔穴群1422形成在第二部分142的上表面之上而与第一多孔穴群1421相对。第一多孔穴群1421中各孔穴的形状可为圆锥形或多角锥形(如图1G-图1H所示)。第一多孔穴群1421例如可以外延方式、蚀刻方式或两者共同形成。第二多孔穴群1422中各孔穴的形状可以蚀刻方式形成为圆锥形或多角锥形并向下延伸至第一透明导电氧化物层14的第一多孔穴群1421，其中延伸方向与导电基板的表面大致垂直。
如图1E所示，一第一电极15形成在第一透明导电氧化物层的第一部分141之上；一第二电极16形成在导电基板10的第二表面102之上。上述第一电极15与第二电极16的材料可选自：铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、或银(Ag)等金属材料的单一组成或合金或叠层的组合。
如图1F所示，显示本发明的另一实施例，一第一金属反射层17可形成在第一透明导电氧化物层的第一部分141之上，一第一电极15可形成在第一金属反射层17之上以增进发光效率。在一实施例中，第一金属反射层17投射于基板10上的面积与第一电极15的投射于基板10上的面积大致相等。
如本发明的第一实施例所示，通过形成第二平坦层131在部分的第一透明导电氧化物层14之上，第一电极15及第一金属反射层17可形成在大致平坦的表面之上，减少发光元件中的阻抗及正向电压且增加电流侧向传导、电流分散及效率。
另外，第二导电型半导体层120的上表面1201使第一透明氧化物层14的上表面的第二部分142可依其形状的形成在第二导电型半导体层120之上，并具有一第二多孔穴群1422。第一多孔穴群1421可增加第一金属反射层17及第一透明氧化物层14之间的粘接强度。以根据本发明第一实施例的发光元件及第一透明氧化物层表面不具孔穴结构的传统发光元件结构所进行的剥离测试(peelingtest)显示所有根据本发明第一实施例的发光元件可通过测试，但80％的传统发光元件无法通过测试。显示通过结合平整与粗化的第一透明氧化物层表面设计，可解决低效率与剥离问题。
图2A-图2D是显示本发明第二实施例中的水平式发光元件实施例的剖面示意图。图2A显示一发光元件包含一基板20、一发光叠层22包含一第一导电型半导体层224、一发光层222及一第二导电型半导体层220，依序形成于基板20的第一表面201之上。其中第二导电型半导体层220的上表面2201为一粗化表面，形成的方式可包含外延方式、蚀刻或两者混合的方式为之。接着，蚀刻部分发光叠层22，并暴露出部分的第一导电型半导体层224以形成一水平式发光元件。
在本实施例中，发光叠层22的材料包含一种或一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、砷(As)、磷(P)、氮(N)以及硅(Si)所构成群组。常用的材料如磷化铝镓铟(AlGaInP)系列、氮化铝镓铟(AlGaInN)系列等。发光层222的结构如：单异质结构(singleheterostructure；SH)、双异质结构(doubleheterostructure；DH)、双侧双异质结构(double-sidedoubleheterostructure；DDH)、或多层量子阱(multi-quantμmwell；MQW)。再者，调整量子阱的对数也可以改变发光波长。
接着，以类似本发明第一实施例的制作工艺，形成一第一平坦层(未绘示)在第二导电型半导体层220的上表面2201上，并覆盖与填满上述的粗化表面。此第一平坦层可以旋转涂布(SpinCoating)的方式形成。在本实施例中，第一平坦层采用旋转涂布玻璃的方式形成(SOG，spinonglasscoating)，材料可为SiO2、BCB(Benzocyclobutene)、HSQ(HydrogenSilesquioxane)和MSQ(Methylsequioxane)等聚合物(Polymer)。
接着，将上述第一平坦层图形化及硬化后并以蚀刻及曝光光刻制作工艺形成一第二平坦层231，以暴露出部分的第二导电型半导体层220的上表面2201。第二平坦层231的位置并不被限定，可形成于第二导电型半导体层220上表面2201的中间或边缘位置。
接着，一第一透明导电氧化物层24形成并覆盖第二平坦层231及部分的第二导电型半导体层220上表面2201。第一透明导电氧化物层包含第一部分241与第二部分242，其中第一部分241大致为平坦且与第二平坦层231接触，第二部分242形成于第二导电型半导体层220上表面2201之上，具有一第一多孔穴群2421接触第二导电型半导体层220的上表面2201及一第二多孔穴群2422形成在第二部分242的上表面之上而与第一多孔穴群2421相对。第一多孔穴群2421中各孔穴的形状可为圆锥形或多角锥形。第一多孔穴群2421例如可以外延方式、蚀刻方式或两者共同形成。第二多孔穴群2422中各孔穴的形状可以蚀刻方式形成为圆锥形或多角锥形并向下延伸至第一透明导电氧化物层24的第一多孔穴群2421，其中延伸方向与导电基板的表面大致垂直。
最后，一第一电极25形成在第一透明导电氧化物层的第一部分241之上；一第二电极26形成在暴露出的第一导电型半导体层224之上。上述第一电极25与第二电极26的材料可选自：铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、或银(Ag)等金属材料的单一组成或合金或叠层的组合。显示通过结合平整与粗化的第一透明氧化物层表面设计，可解决低效率与剥离问题。
如图2B所示，是显示本发明的另一实施例，一第一金属反射层27可形成在第一透明导电氧化物层的第一部分241之上，一第一电极25可形成在第一金属反射层27之上以增进发光效率。
另外，第二导电型半导体层220的上表面2201使第一透明氧化物层的上表面的第二部分242可依其形状的形成在第二导电型半导体层220之上，并具有一第二多孔穴群2422。第一多孔穴群2421可增加第一金属反射层27及第一透明氧化物层24之间的粘接强度。以根据本发明第一实施例的发光元件及第一透明氧化物层表面不具孔穴结构的传统发光元件结构所进行的剥离测试(peelingtest)显示所有根据本发明第一实施例的发光元件可通过测试，但80％的传统发光元件无法通过测试。通过结合平整与粗化的第一透明氧化物层表面设计，可解决低效率与剥离问题。
如图2C所示，是显示本发明的另一实施例：图2A与图2C的差异在于第一导电型半导体层224的表面经蚀刻为一粗化表面2241，接着，以类似本发明第一实施例的制作工艺，一第三平坦层(未绘示)形成在第一导电型半导体层224的上表面2241上，并覆盖与填满上述的粗化表面。此第三平坦层可以旋转涂布(SpinCoating)的方式形成。在一实施例中，第三平坦层采用旋转涂布玻璃的方式形成(SOG，spinonglasscoating)，材料可为SiO2、BCB(Benzocyclobutene)、HSQ(HydrogenSilesquioxane)和MSQ(Methylsequioxane)等聚合物(Polymer)。
接着，将上述第三平坦层图形化及硬化后并以蚀刻及曝光光刻制作工艺形成一第四平坦层291，以暴露出部分的第一导电型半导体层224的上表面2241。第四平坦层291的位置并不被限定，可形成于第一导电型半导体层224上表面2241的中间或边缘位置。
接着，一第二透明导电氧化物层形成并覆盖第四平坦层291及部分的第一导电型半导体层224上表面2241。第二透明导电氧化物层28包含第一部分281与第二部分282，其中第一部分281大致为平坦且与第四平坦层291接触，第二部分282形成于第一导电型半导体层224上表面2241之上，具有一第一多孔穴群2821接触第一导电型半导体层224的上表面2241及一第二多孔穴群2822形成在第二部分282的上表面之上而与第一多孔穴群2821相对。第一多孔穴群2821中各孔穴的形状可为圆锥形或多角锥形。第一多孔穴群2821例如可以外延方式、蚀刻方式或两者共同形成。第二多孔穴群2822中各孔穴的形状可以蚀刻方式形成为圆锥形或多角锥形并向下延伸至第一透明导电氧化物层24的第一多孔穴群2821，其中延伸方向与基板20的表面大致垂直。
最后，一第一电极25形成在第一透明导电氧化物层的第一部分241之上；一第二电极26形成在第二透明导电氧化物层的第一部分281之上。上述第一电极25与第二电极26的材料可选自：铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、或银(Ag)等金属材料的单一组成或合金或叠层的组合。通过结合平整与粗化的第一透明氧化物层表面设计，可解决低效率与剥离问题。
如图2D所示，是显示本发明的另一实施例，一第二金属反射层30可形成在第二透明导电氧化物层的第一部分281之上，一第一电极25可形成在第一金属反射层27之上，及一第二电极26可形成在第二金属反射层30之上以增进发光效率。在一实施例中，第一金属反射层27投射于基板20上的面积与第一电极25的投射于基板20上的面积大致相等，及/或第二金属反射层30投射于基板20上的面积与第二电极26的投射于基板20上的面积大致相等。
图3是显示本发明第三实施例中发光元件的剖面示意图，其中本发明的第一实施例与第三实施例中的差异在于形成一布拉格反射层38于导电基板30与第一导电型半导体层324之间。
图4是显示本发明第四实施例中发光元件的剖面示意图，其中本发明的第一实施例与第四实施例中的差异在于形成一金属键合层41、一反射层49及一第二透明导电氧化层48于导电基板40与第一导电型半导体层424之间。
图5是显示本发明第五实施例中发光元件的剖面示意图，显示一发光元件包含一基板50、一第一导电型半导体层524、一发光层522及一第二导电型半导体层520，依序形成于基板50之上。其中第二导电型半导体层520的上表面5201为一粗化表面。
接着，以类似本发明第一实施例的制作工艺，以旋转涂布玻璃的方式形成(SOG，spinonglasscoating)形成一第二平坦层531于部分的第二导电型半导体层520的上表面5201之上。第二平坦层531的位置并不被限定，可形成于第二导电型半导体层520上表面5201的中间或边缘位置。
接着，一第一透明导电氧化物层形成并覆盖第二平坦层531及部分的第二导电型半导体层520上表面5201。第一透明导电氧化物层包含第一部分541与第二部分542，其中第一部分541大致为平坦且与第二平坦层531接触，第二部分542形成于第二导电型半导体层520上表面5201之上，具有一第一多孔穴群5421接触第二导电型半导体层520的上表面5201及一第二多孔穴群5422形成在第二部分542的上表面之上而与第一多孔穴群5421相对。第一多孔穴群5421中各孔穴的形状可为圆锥形或多角锥形。第一多孔穴群5421例如可以外延方式、蚀刻方式或两者共同形成。第二多孔穴群5422中各孔穴的形状可以蚀刻方式形成为圆锥形或多角锥形并向下延伸至第一透明导电氧化物层的第一多孔穴群5421，其中延伸方向与导电基板的表面大致垂直。
最后，形成一第一电极55在第一透明导电氧化物层的第一部分241之上，形成一金属键合层51、一反射层59及一第二透明导电氧化层58于导电基板50与第一导电型半导体层524之间，且第二电极56形成在第二透明导电氧化层58之上。
图6A-图6B是显示本发明第一实施例的第二导电型半导体层的上视示意图；图6A是显示第二导电型半导体层120的上视图，其中第二平坦层(未绘示)可形成在部分的第二导电型半导体层的上表面1201之上。之后可形成一第一氧化物透明导电层在部分的第二平坦层之上，包含大致平坦并完整接触第二平坦层的第一部分141及一具有粗化表面形成在第二导电型半导体层120之上的第二部分142。其中第一氧化物透明导电层第一部分141又可分为一与第一电极15接触的第一分支1411及与第一分支1411大致垂直的第二分支1412；其中第一氧化物透明导电层第二部分142又可分为一与第一氧化物透明导电层第一部分的第一分支1411接触的第一分支1421及与第一分支1421大致垂直的第二分支1422。在此实施例中，上述第一氧化物透明导电层的第二分支1412可向发光元件的边缘延伸以分散电流。
在另一实施例中，如图6B所示，第一电极15包含一第一分支151及与第一分支151大致垂直的手指状(finger-like)结构的第二分支152，并作为延伸电极(finger)向发光元件的边缘延伸以达到更佳的电流分散效果。第一氧化物透明导电层第一部分141又可分为一与第一电极15接触的第一分支1411及与第一分支1411大致垂直的第二分支1412；其中第一氧化物透明导电层第二部分142又可分为一与第一氧化物透明导电层第一部分的第一分支1411接触的第一分支1421及与第一分支1421大致垂直的第二分支1422；且第一氧化物透明导电层的第一部分141更具有一延伸自第二分支1412的第三分支1413，第一氧化物透明导电层的第二部分142更具有一延伸自第二分支1422的第三分支1423，以更增进电流分散效率。在本实施例中，因为第一氧化物透明导电层第一部分141的第二分支1412与第三分支1413及第一氧化物透明导电层第二部分142的第二分支1422与第三分支1423并未被第一电极15的第二分支152所覆盖，且因为第一氧化物透明导电层第一部分141的第二分支1412与第三分支1413及第一氧化物透明导电层第二部分142的第二分支1422与第三分支1423形成在第二平坦层之上，因此具有一大致平坦的表面，而具有更好的电流分散效率。
图7A-图7B是显示本发明第二实施例的第二导电型半导体层的上视示意图；图7A是显示第二导电型半导体层的上视图，其中包含部分裸露出的第一导电型半导体层的上表面2241及第二电极26。第二平坦层(未绘示)可形成在部分的第二导电型半导体层的上表面2201之上。之后可形成一第一氧化物透明导电层在部分的第二平坦层之上，包含大致平坦并完整接触第二平坦层的第一部分241及一具有粗化表面形成在第二导电型半导体层220之上的第二部分242。其中第一氧化物透明导电层第一部分241又可分为一与电极25接触的第一分支2411及与第一分支2411大致垂直的第二分支2412；其中第一氧化物透明导电层第二部分242又可分为一与第一氧化物透明导电层第一部分的第一分支2411接触的第一分支2421及与第一分支2421大致垂直的第二分支2422。在此实施例中，上述第一氧化物透明导电层的第二分支2412可向发光元件的边缘延伸以分散电流。
在另一实施例中，如图7B所示，第一电极25包含一第一分支251及与第一分支251大致垂直的手指状(finger-like)结构的第二分支252，并作为延伸电极(finger)向发光元件的边缘延伸以达到更佳的电流分散效果。第一氧化物透明导电层第一部分241又可分为一与电极25接触的第一分支2411及与第一分支2411大致垂直的第二分支2412；其中第一氧化物透明导电层第二部分242又可分为一与第一氧化物透明导电层第一部分的第一分支2411接触的第一分支2421及与第一分支2421大致垂直的第二分支2422；且第一氧化物透明导电层的第一部分241更具有一延伸自第二分支2412的第三分支2413，第一氧化物透明导电层的第二部分242更具有一延伸自第二分支2422的第三分支2423，以更增进电流分散效率。在本实施例中，因为第一氧化物透明导电层第一部分241的第二分支2412与第三分支2413及第一氧化物透明导电层第二部分242的第二分支2422与第三分支2423并未被第一电极25的第二分支252所覆盖，且因为第一氧化物透明导电层第一部分241的第二分支2412与第三分支2413及第一氧化物透明导电层第二部分242的第二分支2422与第三分支2423形成在第二平坦层之上，因此具有一大致平坦的表面，而具有更好的电流分散效率。
上述实施例中，导电基板10、30或40包含选自SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP及Si所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料取代之。
在上述各实施例中，基板20或50包含选自蓝宝石、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO、MgO、及玻璃所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
在上述各实施例中，第一氧化物透明导电层14、24；第二氧化物透明导电层28包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料或其替代性材料。形成方法包括电子蒸镀(E-beam)、离子溅镀(IonSputter)、热蒸镀或其他方法。以氧化铟锡为例，第一氧化物透明导电层14、24、第二氧化物透明导电层28的厚度可介于50μmto1μm，其中当发光波长介于300-700μm时，透明度会超过50％。
上述各实施例中，金属键合层41、51包含选自于铟(In)、锡(Sn)、及金锡(AuSn)合金所构成材料组群中的至少一种材料或其替代性材料。
布拉格反射层38由两种介电系数不同的材料交替排列组成；反射层49、59包含选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。第一及第二金属反射层17、27及30包含选自Al及Ag所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
以上各附图与说明虽仅分别对应特定实施例，然而，各个实施例中所说明或揭露的元件、实施方式、设计准则、及技术原理除在彼此显相冲突、矛盾、或难以共同实施之外，吾人当可依其所需任意参照、交换、搭配、协调、或合并。
虽然本发明已说明如上，然而其并非用以限制本发明的范围、实施顺序、或使用的材料与制作工艺方法。对于本发明所作的各种修饰与变更，皆不脱本发明的精神与范围。

Claims (17)

1.一发光元件，包含：
发光叠层，包含第一电性半导体层，其中该第一电性半导体层具有第一部分与第二部分；发光层形成于该第一电性半导体层之上；及第二电性半导体层形成于该发光层之上，其中该第二电性半导体层之上表面为一粗化表面，且具有第一部分与第二部分；
第一平坦层，以旋转涂布(SpinCoating)的方式形成于该第二电性半导体层上表面的第一部分上；以及
第一氧化物透明导电层形成于该第一平坦层与该第二电性半导体层的上表面的第二部分之上，其中该第一氧化物透明导电层包含接触该第一平坦层的第一部分及接触该第二电性半导体层的第二部分，其中该第一氧化物透明导电层的第二部分包含第一孔穴群。
2.如权利要求1所述的发光元件，还包含一电极，形成于该第一氧化物透明导电层的该第一部分之上。
3.如权利要求1所述的发光元件，还包含第二孔穴群形成在该第一氧化物透明导电层的第二部分的上表面，并与该第一孔穴群相对。
4.如权利要求2所述的发光元件，还包含一金属反射层，形成在该第一氧化物透明导电层与该电极之间。
5.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一平坦层为平坦的，且材料可为SOG(spinonglass)、SiO2、BCB(Benzocyclobutene)、HSQ(HydrogenSilesquioxane)或MSQ(Methylsequioxane)。
6.如权利要求2所述的发光元件，其中该第一氧化物透明导电层具有至少一第一分支与一第二分支，其中该第二分支自该第一分支延伸，且该电极覆盖该第一氧化物透明导电层的第一分支。
7.如权利要求1所述的发光元件，还包含第二平坦层，形成在该第一电性半导体层的上表面的第一部分之上，及第二氧化物透明导电层，形成于该第二平坦层与该第一电性半导体层的上表面的第二部分之上，其中该第二氧化物透明导电层包含接触该第二平坦层的第一部分及接触该第一电性半导体层的第二部分，其中该第二氧化物透明导电层的第二部分包含第三孔穴群，以及第二电极，形成于该第二氧化物透明导电层的第一部分之上。
8.如权利要求7所述的发光元件，其中该第二平坦层为平坦的，且材料可为SOG(spinonglass)、SiO2、BCB(Benzocyclobutene)、HSQ(HydrogenSilesquioxane)或MSQ(Methylsequioxane)。
9.如权利要求7所述的发光元件，还包含第二金属反射层，形成在该第二氧化物透明导电层与该第二电极之间。
10.一制造一光电元件的方法，包含下列步骤：
提供一第一电性半导体层；形成一活性层及一第二电性半导体层于该第一电性半导体层之上，其中该第二电性半导体层的上表面为一粗化表面；
以旋转涂布(SpinCoating)的方式形成一第一平坦层于该第二电性半导体层上表面的第一部分上；及
形成一第一氧化物透明导电层形成于该第一平坦层与该第二电性半导体层的上表面的第二部分之上，其中该第一氧化物透明导电层包含接触该第一平坦层的第一部分及接触该第二电性半导体层的第二部分，其中该第一氧化物透明导电层的第二部分包含一第一孔穴群。
11.如权利要求10所述的方法，其中还包含形成一电极于该第一氧化物透明导电层的该第一部分之上。
12.如权利要求11所述的方法，其中还包含形成一反射金属层于该第一氧化物透明导电层与该电极之间。
13.如权利要求10所述的方法，其中该第一平坦层的材料可为SOG(spinonglass)、SiO2、BCB(Benzocyclobutene)、HSQ(HydrogenSilesquioxane)或MSQ(Methylsequioxane)。
14.如权利要求11所述的方法，其中该第一氧化物透明导电层具有至少一第一分支与一第二分支，其中该第二分支自该第一分支延伸，且该电极覆盖该第一氧化物透明导电层的第一分支。
15.如权利要求10所述的方法，还包含形成一第二平坦层在该第一电性半导体层的上表面的第一部分之上及形成一第二氧化物透明导电层于该第二平坦层与该第一电性半导体层的上表面的第二部分之上，其中该第二氧化物透明导电层包含接触该第二平坦层的第一部分及接触该第一电性半导体层的第二部分，其中该第二氧化物透明导电层的第二部分包含一第三孔穴群，以及一第二电极形成于该第二氧化物透明导电层的第一部分之上。
16.如权利要求15所述的方法，其中该第二平坦层为平坦的，且材料可为SOG(spinonglass)、SiO2、BCB(Benzocyclobutene)、HSQ(HydrogenSilesquioxane)或MSQ(Methylsequioxane)。
17.如权利要求15所述的方法，还包含一第二金属反射层在该第二氧化物透明导电层与该第二电极之间。
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