[go: up one dir, main page]

CN101889354B - 发光器件封装及其制造方法 - Google Patents

发光器件封装及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101889354B
CN101889354B CN2008801194581A CN200880119458A CN101889354B CN 101889354 B CN101889354 B CN 101889354B CN 2008801194581 A CN2008801194581 A CN 2008801194581A CN 200880119458 A CN200880119458 A CN 200880119458A CN 101889354 B CN101889354 B CN 101889354B
Authority
CN
China
Prior art keywords
type impurity
conduction type
substrate
light emitting
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008801194581A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101889354A (zh
Inventor
金根浩
宋镛先
元裕镐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN101889354A publication Critical patent/CN101889354A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101889354B publication Critical patent/CN101889354B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02371—Disposition of the redistribution layers connecting the bonding area on a surface of the semiconductor or solid-state body with another surface of the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02381—Side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/0557—Disposition the external layer being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

提供了一种发光器件封装及其制造方法。该发光器件封装包括：基板；基板上的发光器件；齐纳二极管，包括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，第一传导类型杂质区被放置在基板中，两个第二传导类型杂质区被分离地放置在第一传导类型杂质区的两个区域中；以及第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到第二传导类型杂质区和发光器件。

Description

发光器件封装及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光器件封装及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)是一种将电流转换成光的半导体发光器件。
从发光二极管发射的光的波长是根据用于制造发光二极管的半导体材料而确定的。这是因为所发射的光的波长对应于半导体材料的带隙，带隙被定义为价带中的电子与导带中的电子之间的能量差。
近来，随着LED的亮度的增加，LED被用作显示设备、交通工具和照明设备的光源。基于具有多种颜色的LED的组合或者磷光体的使用，能够实现具有优良的照明效率的发射白色光的LED。
发明内容
技术问题
实施例提供了一种具有新型结构的发光器件封装及其制造方法。
实施例提供了一种具有改进的电学稳定性的发光器件封装及其制造方法。
技术方案
在实施例中，一种发光器件封装包括：基板；基板上的发光器件；齐纳二极管，包括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，第一传导类型杂质区被放置在基板中，两个第二传导类型杂质区被分离地放置在第一传导类型杂质区的两个区域中；以及第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到第二传导类型杂质区和发光器件。
在实施例中，一种发光器件封装包括：基板；基板上的发光器件；齐纳二极管，包括基板中的第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，两个第二传导类型杂质区被分离地放置在两个区域中；第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到第二传导类型杂质区和发光器件；以及在基板与电极层中的至少一个电极层之间的绝缘层。
在实施例中，一种用于制造发光器件封装的方法包括：形成齐纳二极管，包括：在基板中形成第一传导类型杂质区，以及形成分离地放置在第一传导类型杂质区的两个区域中的两个第二传导类型杂质区；在基板上安装发光器件；以及形成第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到发光器件和齐纳二极管。
有益效果
实施例能够提供一种具有新型结构的发光器件封装及其制造方法。
实施例能够提供一种具有改进的电学稳定性的发光器件封装及其制造方法。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的横截面视图。
图2是示出根据第一实施例的发光器件封装的等效电路视图。
图3至图8是示出用于制造根据第一实施例的发光器件封装的方法的横截面视图。
图9是示出根据第一实施例的发光器件封装中的基板中的多个发光器件的平面视图。
图10是示出在图9的基板底部的多个齐纳二极管的后视图。
图11是示出根据第二实施例的发光器件封装的横截面视图。
图12是示出根据第三实施例的发光器件封装的横截面视图。
图13是示出根据一个实施例的发光器件封装中的齐纳二极管的电压-电流特性的曲线图。
具体实施方式
在下文中，现在将参照附图对根据本发明实施例的发光器件封装及其制造方法进行描述。
对于本领域的技术人员将明显的是，在不偏离本发明的精神或范围的前提下，可以在本发明中进行各种修改和变化。因此，本发明意在涵盖所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的修改和变化。
附图中的相同的附图标记表示相同的元件，并且因此将省略它们的描述。在附图中，为清楚起见放大了层和区的厚度。
在以下描述中，将理解，当层(或膜)被称作在另一层或基板“上”或“下”时，它可以直接在另一层或基板“上”或“下”，或者还可以存在中间层。进一步地，将理解，当诸如表面的组成元件被称作“内部的”时，这意味着该表面比其它组成元件距器件的外侧更远。
将进一步理解，附图中的组成元件的取向不限于此。另外，在提到词“直接地”时，意指不存在中间的组成元件。词“和/或”意指一个或更多个相关组成元件或者其组合是可能的。
图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的横截面视图，而图2是示出根据第一实施例的发光器件封装的等效电路视图。
参照图1，在根据一个实施例的发光器件封装中，在基板10中形成空腔11，并且在基板10的表面上形成绝缘层20。
发光器件30安装在基板10的空腔11中并通过导线40电连接到第一电极层51和第二电极层52。
在基板10的底部放置第一传导类型杂质区61，并且两个第二传导类型杂质区62在第一传导类型杂质区61中彼此分隔。第二传导类型杂质区62分别电连接到第一电极层51和第二电极层52。
第一传导类型杂质区61和第二传导类型杂质区62形成了齐纳二极管60。
因此，如图2中所示，发光器件30和齐纳二极管60并联连接在一起。
更详细地，基板10可以是硅晶片，并且通过利用湿法蚀刻或干法蚀刻方法对硅晶片进行蚀刻，可以形成基板10中的空腔11。
绝缘层20可以是通过硅晶片的氧化而形成的氧化硅层。绝缘层20允许基板10、第一电极层51和/或第二电极层52彼此电分离。
发光器件30可以是发光二极管(LED)。在图1中，示出了作为示例的横向型LED，但也可以使用垂直型LED。
另外，在图1中，发光器件30通过导线40电连接到第一和第二电极层51和52。但是发光器件也可以与电极层直接电接触，或者根据LED类型通过凸起电连接到第一和第二电极层51和52。
第一电极层51和第二电极层52可以由金属层形成。即，它们可以由诸如Al、Ag或Au的具有高反射率的金属中的至少一种金属形成。或者，它们可以通过在包括Cu、Ti、Cr或Ni中至少之一的金属层的表面上涂覆Al、Ag和Au中至少之一而形成。
由于第一电极层51和第二电极层52从基板10的顶表面延伸到底表面，所以当根据一个实施例的发光器件封装被装配在其中形成了电路图案的电路基板上时，可以通过第一和第二电极层51和52向发光器件30供电。
通过将杂质注入到基板10中形成了齐纳二极管60。此外，齐纳二极管60可以被放置在基板10的顶部、底部或侧部。
在本实施例中，齐纳二极管60被放置在基板10的底部。齐纳二极管60可以被放置在基板10中的面对发光器件30的区中。即，齐纳二极管60和发光器件30可以在垂直方向上重叠。
齐纳二极管60的击穿电压被设计成高于施加到发光器件30的电压并且低于发光器件30的耐电压。
因此，当过电压被施加到第一电极层51和第二电极层52时，电流流过齐纳二极管60，从而使齐纳二极管60保护发光器件30抵御过电压。
可以通过注入p型杂质形成第一传导类型杂质区61，并且可以通过注入n型杂质形成第二传导类型杂质区62。在这一点上，可以将n型杂质注入到基板10中。
相反地，可以通过注入n型杂质形成第一传导类型杂质区61，并且可以通过注入p型杂质形成第二传导类型杂质区62。在这一点上，可以将p型杂质注入到基板10中。
图13是示出根据一个实施例的发光器件封装中的齐纳二极管的电压-电流特性的曲线图。
如图13中所示，当施加均匀电压，例如，约+7V或者约-7V的电压时，齐纳二极管60中出现击穿，导致电流急剧增加。因此，可以防止因过电压引起的发光器件30的损坏。
在这一点上，n型和p型杂质的注入浓度可以取决于齐纳二极管60的设计击穿电压。
图3至图8是示出用于制造根据第一实施例的发光器件封装的方法的横截面视图。
参照图3和图4，在基板10上形成第一掩模层12并有选择地将其移除以便于形成第一掩模图案12a。接下来，通过湿法蚀刻或干法蚀刻方法，将第一掩模图案12a用作掩模对基板10进行蚀刻。从而形成空腔11。
在这一点上，对于基板10，可以使用含有第二传导类型杂质的硅晶片，并且第一掩模层12可以由氮化硅或氧化硅形成。
参照图5和图6，在移除第一掩模图案12a之后，在基板10的表面上形成第二掩模层21。随后，有选择地移除第二掩模层21以使基板10的底部暴露，由此形成第二掩模图案21a。
在这一点上，第二掩模层21可以是氮化硅层或氧化硅层。
此后，通过将第二掩模图案21a用作掩模在基板10的底部形成第一传导类型杂质区61。
参照图7，移除第二掩模图案21a并在基板10的表面上形成绝缘层20。随后，有选择地移除放置在第一传导类型杂质区61上的绝缘层20以在两个区域中使第一传导类型杂质区61暴露。
之后，将第二传导类型杂质注入到第一传导类型杂质区61的暴露区域中，由此形成第二传导类型杂质区62。
第一传导类型杂质区61和第二传导类型杂质区62形成了齐纳二极管60。
参照图8，在绝缘层20和基板10上形成金属层并且随后有选择地将其移除以形成第一和第二电极层51和52。
第一和第二电极层51和52彼此分隔并且分别电连接到第二传导类型区62，沿基板10的侧部向空腔11延伸。
此后，发光器件30被放置在空腔11中并且通过导线40电连接到第一和第二电极层51和52。
因此，制造了如图1中所示的发光器件封装。
在根据一个实施例的发光器件封装中，形成了齐纳二极管60，同时第一传导类型杂质区61具有阱结构，并且第二传导类型杂质区62被放置在该阱结构中。
因此，当在发光器件封装中安装多个发光器件30并且因此，形成多个齐纳二极管60时，可以防止相邻的齐纳二极管之间的串扰。
图9和图10是示出根据第一实施例的发光器件封装中的多个发光器件的视图。
图9是示出基板中的多个发光器件的平面视图，而图10是示出在基板底部的多个齐纳二极管的后视图。
参照图9和图10，在基板10中形成空腔11并且在空腔11中放置多个发光器件30。在该实施例中，作为示例放置了四个发光器件30，并且在图9和图10中省略了图1中示出的绝缘层20。
此后，在基板10上形成与发光器件30相对应的第一电极层51和第二电极层52。另外，第一和第二电极层51和52通过导线40电连接到发光器件30。
在基板10的底部形成数量与发光器件30相对应的多个齐纳二极管60。在该实施例中，作为示例形成了四个齐纳二极管60，并且在图9和图10中省略了图1中示出的第一和第二电极层51和52。
第一和第二电极层51和52分别电连接到第一传导类型杂质区61中的第二传导类型杂质区62。第二传导类型杂质区62可以被放置为接近基板10的两个相邻侧部，并且可以沿基板10的侧部形成第一传导类型杂质区61。
图11是示出根据第二实施例的发光器件封装的横截面视图。
在第二实施例的描述中，将省略与第一实施例重复的描述。
参照图11，在基板110的顶部形成多个第一传导类型杂质区161，并且在第一传导类型杂质区161中分别形成第二传导类型杂质区162。
第二传导类型杂质区162在第一传导类型杂质区161的两个区域中彼此分隔，并且第二传导类型杂质区162和第一传导类型杂质区161形成了齐纳二极管160。
在基板110的顶表面上形成绝缘层120并有选择地将其移除以形成第一电极层151和第二电极层152。绝缘层120上的第一和第二电极层151和152分别电连接到第二传导类型杂质区162。
接下来，在第一和第二电极层151和152上安装发光器件。发光器件130通过凸起131电连接到第一和第二电极层151和152。
发光器件130可以是分别发射红色、绿色和蓝色光的发光二极管。
包括第一传导类型杂质区161和第二传导类型杂质区162的齐纳二极管160并联连接到发光器件130。
因此，当过电压被施加到发光器件130时，电流流过齐纳二极管160，从而能够保护发光器件130抵御过电压。
图12是示出根据第三实施例的发光器件封装的横截面视图。
在第三实施例的描述中，将省略与第一实施例重复的描述。
参照图12，在基板210中形成空腔211并在空腔211中安装发光器件230。之后，在基板210的底部形成第一传导类型杂质区261，并且在第一传导类型杂质区261的两个分离区域中形成第二传导类型杂质区262。
第一传导类型杂质区261和第二传导类型杂质区262形成了齐纳二极管260。
在基板210的底表面上形成绝缘层220并有选择地将其移除以形成第一电极层251和第二电极层252。绝缘层220上的第一和第二电极层251和252分别电连接到第二传导类型杂质区262。
第一和第二电极层251和252延伸到基板210的顶表面并穿过基板210。因此，第一和第二电极层251和252通过导线240电连接到空腔211中的发光器件230。
包括第一传导类型杂质区261和第二传导类型杂质区262的齐纳二极管260并联连接到发光器件230。
因此，当过电压被施加到发光器件230时，电流流过齐纳二极管260，从而能够保护发光器件230抵御过电压。
虽然已参照其许多说明性实施例对实施例进行了描述，但是应当理解，本领域的技术人员能够设计许多其它的修改和实施例，这些修改和实施例将会落入本公开内容的原理的精神和范围内。更具体地，在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内，所述组合配置的构成部件和/或配置的各种变化和修改是可能的。除了构成部件和/或配置的变化和修改之外，替选的使用对于本领域的技术人员也将是明显的。
工业实用性
根据本发明实施例的发光器件封装能够被用作照明设备以及多种电学装置的光源。

Claims (15)

1.一种发光器件封装，包括：
基板；
所述基板上的发光器件；
齐纳二极管，包括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，所述第一传导类型杂质区被放置在所述基板中，所述两个第二传导类型杂质区被分离地放置在所述第一传导类型杂质区的两个区域中；以及
第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到所述第二传导类型杂质区和所述发光器件，
其中所述齐纳二极管被放置在所述基板的底部。
2.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述发光器件封装包括多个所述发光器件和多个所述齐纳二极管。
3.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一电极层和所述第二电极层穿过所述基板。
4.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述发光器件和所述齐纳二极管并联连接在一起。
5.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，绝缘层被放置在所述基板、所述第一电极层和所述第二电极层之间。
6.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，空腔在所述基板中形成，以及，所述发光器件被安装在所述空腔中。
7.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述发光器件被放置在所述第一和第二电极层上并且通过凸起与它们电连接。
8.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述发光器件和所述齐纳二极管具有相同的数量。
9.一种发光器件封装，包括：
基板；
所述基板上的发光器件；
齐纳二极管，包括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，所述第一传导类型杂质区被放置在所述基板中，所述两个第二传导类型杂质区被分离地放置在所述第一传导类型杂质区的两个区域中；以及
第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到所述第二传导类型杂质区和所述发光器件，
其中，所述第一电极层和所述第二电极层穿过所述基板。
10.一种发光器件封装，包括：
基板；
所述基板上的发光器件；
齐纳二极管，包括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，所述第一传导类型杂质区被放置在所述基板中，所述两个第二传导类型杂质区被分离地放置在所述第一传导类型杂质区的两个区域中；以及
第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到所述第二传导类型杂质区和所述发光器件，
其中，所述第一传导类型杂质区是沿所述基板的两个相邻侧部形成的，以及，所述第二传导类型杂质区被分别放置为接近所述基板的所述两个相邻侧部。
11.一种发光器件封装，包括：
基板；
所述基板上的发光器件；
齐纳二极管，包括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，所述第一传导类型杂质区被放置在所述基板中，所述两个第二传导类型杂质区被分离地放置在所述第一传导类型杂质区的两个区域中；以及
第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到所述第二传导类型杂质区和所述发光器件，
其中，空腔在所述基板中形成并且所述发光器件被安装在所述空腔中，
其中，所述第一电极层和所述第二电极层在所述空腔之下穿过所述基板并且在所述基板之下电分离。
12.一种发光器件封装，包括：
基板；
所述基板上的发光器件；
齐纳二极管，包括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，所述第一传导类型杂质区被放置在所述基板中，所述两个第二传导类型杂质区被分离地放置在所述第一传导类型杂质区的两个区域中；以及
第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到所述第二传导类型杂质区和所述发光器件，
所述齐纳二极管和所述发光器件在垂直方向上重叠。
13.一种用于制造发光器件封装的方法，所述方法包括：
形成齐纳二极管，包括：在基板中形成第一传导类型杂质区，以及，形成分离地放置在所述第一传导类型杂质区的两个区域中的两个第二传导类型杂质区；
在所述基板上安装发光器件；以及
形成第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到所述发光器件和所述齐纳二极管，
其中所述齐纳二极管被放置在所述基板的底部。
14.如权利要求13所述的方法，包括：在形成所述发光器件、所述第一电极层和所述第二电极层之前在所述基板上形成绝缘层。
15.如权利要求13所述的方法，包括：在形成所述齐纳二极管之前将第二传导类型杂质注入到所述基板中。
CN2008801194581A 2007-11-01 2008-11-03 发光器件封装及其制造方法 Expired - Fee Related CN101889354B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2007-0110865 2007-11-01
KR1020070110865A KR100896282B1 (ko) 2007-11-01 2007-11-01 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
PCT/KR2008/006473 WO2009057983A2 (en) 2007-11-01 2008-11-03 Light emitting device package and method for fabricating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101889354A CN101889354A (zh) 2010-11-17
CN101889354B true CN101889354B (zh) 2013-01-30

Family

ID=40591674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801194581A Expired - Fee Related CN101889354B (zh) 2007-11-01 2008-11-03 发光器件封装及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8217416B2 (zh)
EP (1) EP2210285A4 (zh)
JP (1) JP2011502356A (zh)
KR (1) KR100896282B1 (zh)
CN (1) CN101889354B (zh)
WO (1) WO2009057983A2 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009022966A1 (de) * 2009-05-28 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbarer optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips
KR101081055B1 (ko) * 2009-07-24 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101092097B1 (ko) * 2009-08-31 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR101081069B1 (ko) 2009-12-21 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
KR101039881B1 (ko) * 2009-12-21 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
KR101034130B1 (ko) * 2010-03-15 2011-05-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR101653684B1 (ko) * 2010-05-28 2016-09-02 삼성전자 주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법
KR101124816B1 (ko) 2010-09-24 2012-03-26 서울옵토디바이스주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
CN102054829A (zh) * 2010-11-05 2011-05-11 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管封装构造
DE102010054898A1 (de) * 2010-12-17 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für einen optoelektronischen Halbleiterchip und Halbleiterchip
KR20130011088A (ko) * 2011-07-20 2013-01-30 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8872196B2 (en) * 2011-12-19 2014-10-28 Xintec Inc. Chip package
US9252079B2 (en) 2013-08-29 2016-02-02 Industrial Technology Research Institute Substrate, method of fabricating the same, and application the same
FR3011121A1 (fr) 2013-09-26 2015-03-27 St Microelectronics Sa Assemblage de puces de circuits integres comprenant un composant de protection contre les surtensions
JP6222377B2 (ja) * 2014-10-22 2017-11-01 株式会社村田製作所 実装基板
JP6736260B2 (ja) * 2015-05-13 2020-08-05 ローム株式会社 半導体発光装置
DE102018100946A1 (de) * 2018-01-17 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1684281A (zh) * 2004-04-17 2005-10-19 Lg电子有限公司 发光器件及其制造方法和采用该器件的发光系统

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0245654U (zh) 1988-09-24 1990-03-29
JPH11214747A (ja) * 1998-01-26 1999-08-06 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JP3708319B2 (ja) * 1998-02-03 2005-10-19 松下電器産業株式会社 半導体発光装置
US6008677A (en) * 1998-04-02 1999-12-28 Motorola, Inc. Voltage recovery circuit and method therefor
JP2001015815A (ja) * 1999-04-28 2001-01-19 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP3686569B2 (ja) * 2000-03-02 2005-08-24 シャープ株式会社 半導体発光装置及びそれを用いた表示装置
JP2003060045A (ja) 2001-06-07 2003-02-28 Sony Corp 保護ダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法
JP2003017574A (ja) 2001-06-28 2003-01-17 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置及びこれに用いる保護回路
US7518158B2 (en) * 2003-12-09 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices and submounts
JP2006019666A (ja) 2004-07-05 2006-01-19 Phenitec Semiconductor Corp 発光器及び発光装置
JP2006086469A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法
TW200637033A (en) * 2004-11-22 2006-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
KR101155197B1 (ko) 2005-02-07 2012-06-13 엘지이노텍 주식회사 광 모듈 및 그 제조 방법
JP2006237104A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd サージ保護用半導体素子およびその製造方法
JP2006339591A (ja) 2005-06-06 2006-12-14 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置を用いた電子装置
KR100609970B1 (ko) 2005-07-04 2006-08-08 엘지전자 주식회사 발광 소자 실장용 기판 및 그의 제조 방법, 그를 이용한패키지
KR100646569B1 (ko) 2005-12-15 2006-11-15 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
KR100746783B1 (ko) * 2006-02-28 2007-08-06 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR100845855B1 (ko) * 2006-12-07 2008-07-14 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR20100097434A (ko) * 2009-02-26 2010-09-03 삼성전자주식회사 색 온도를 조절할 수 있는 발광 패키지 및 그 제조 방법, 상기 발광 패키지의 색 온도 조절 방법
KR101673913B1 (ko) * 2009-07-20 2016-11-08 삼성전자 주식회사 발광 패키지 및 그 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1684281A (zh) * 2004-04-17 2005-10-19 Lg电子有限公司 发光器件及其制造方法和采用该器件的发光系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011502356A (ja) 2011-01-20
US20100295089A1 (en) 2010-11-25
WO2009057983A2 (en) 2009-05-07
EP2210285A2 (en) 2010-07-28
US8217416B2 (en) 2012-07-10
KR100896282B1 (ko) 2009-05-08
EP2210285A4 (en) 2011-05-04
WO2009057983A3 (en) 2009-08-06
KR20090044667A (ko) 2009-05-07
CN101889354A (zh) 2010-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101889354B (zh) 发光器件封装及其制造方法
CN102148306B (zh) 发光器件、制造发光器件的方法
CN102412355B (zh) 发光器件
TWI443878B (zh) 半導體發光元件以及其製造方法
CN105280772B (zh) 发光二极管及其制造方法
KR101978968B1 (ko) 반도체 발광소자 및 발광장치
TWI429108B (zh) 半導體發光裝置
CN102347414B (zh) 发光器件
CN104620399A (zh) 晶圆级发光二极管阵列
TWI460850B (zh) 發光裝置及其製造方法
CN102263120A (zh) 半导体发光元件、发光装置、照明装置、显示装置、信号灯器和道路信息装置
CN102891160A (zh) 半导体发光装置和发光设备
US20170133557A1 (en) Flip-chip Light Emitting Device and Fabrication Method
TWI538184B (zh) 發光二極體陣列
TWI583022B (zh) 發光二極體封裝結構、發光二極體晶粒及其製造方法
CN101807569A (zh) 发光器件封装
JP2013012744A (ja) 半導体発光素子パッケージ
CN102169948A (zh) 发光设备和照明系统
JP2013201253A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
KR20120088130A (ko) 파장변환층을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
CN111052409A (zh) 发光二极管装置及制造发光二极管装置的方法
TWI453952B (zh) Light emitting element and manufacturing method thereof
KR20110132161A (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
TW201248957A (en) Semiconductor light-emitting structure
KR101171331B1 (ko) 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130130

Termination date: 20191103

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee