CN101868756A - 有源矩阵基板和液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种提高了有源矩阵基板的特性和提高了黑白显示间的对比度的液晶显示装置。本发明是一种有源矩阵基板，该有源矩阵基板设置有：呈矩阵状配置的像素栅极；源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极双方重叠地配置，且在列方向上延伸；和保持电容配线，其与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，上述像素电极、源极配线和保持电容配线隔着绝缘膜各自形成在不同的层，上述源极配线在行方向上相邻的两个像素电极下分别具有弯曲点，并且该源极配线具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极的间隙的横断部，上述保持电容配线具有在列方向上延伸的延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，上述源极配线实质上仅在其与保持电容配线的交叉点与保持电容配线重叠。

Description

有源矩阵基板和液晶显示装置

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板和液晶显示装置。更详细地说，涉及有源矩阵型的显示方式，进一步地说，涉及适于在极性反转驱动的显示方式中使用的液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置有效地利用薄型、轻量和低电力消耗的优点，近年来在电视机、个人计算机、手机、数码照相机等领域广泛使用。液晶显示是利用随着由施加电压引起的液晶分子排列变化的双折射性、旋光性、二色性、旋光分散等各种光学性质对用于显示的光进行控制的显示方式，根据液晶的驱动控制方法的不同，能够进一步分为各种各样的方式。例如，矩阵型的显示方式是在特定图案上配置电极，并按照每个该电极进行驱动控制的方式，能够进行高精度的显示。

矩阵型的显示方式进一步分类为无源矩阵型和有源矩阵型，如果为有源矩阵型，则以包围配置为矩阵状的电极的方式设置有各自正交的多根配线，进一步，在每一个它们正交的交叉点设置有开关元件，因此各电极通过多根配线被个别地进行驱动控制，即使是大容量也能够进行高品质的液晶显示。

关于这样的有源矩阵型的液晶显示装置，为了提高其显示品质，进行着各种努力，例如，能够列举专利文献1～3中记载的液晶显示装置。

专利文献1中记载的液晶显示装置是有源矩阵型的液晶显示装置，具有隔着液晶层相对配置有像素电极基板和对置电极基板的结构。在像素电极基板中，像素电极以被正交的栅极总线和漏极总线包围的方式配置。此外，将储存电容电极作为遮光膜使用，在这样配置有像素电极和漏极总线的基板上，通过设置对从像素电极和漏极总线的间隙泄露的光进行遮光的遮光膜，能够减少遮光膜的余量(margin)，作为结果，开口率提高。另外，在专利文献1中，信号电压经漏极总线被供给。

专利文献2中记载的液晶显示元件是有源矩阵型的液晶显示元件，在构成液晶显示元件的一个基板上，以包围像素电极的方式呈格子状地配置有扫描电极线和信号电极线。此外，从扫描电极线延伸出的遮光导电体沿着信号电极线向薄膜晶体管直线行进，用于防止像素电极和扫描电极线之间、以及像素电极和信号电极线之间的间隙中的光泄露。由此，能够不依赖于黑矩阵的正确的对位而抑制光泄露，并且能够以减小黑矩阵的面积，与此相应地提高开口率。

专利文献3中记载的液晶显示装置是有源矩阵型的液晶显示装置，像素电极或信号配线具有折曲部，以折曲部为界，相邻的像素电极在宽度方向上被覆盖。通过这样使像素电极或信号配线折曲，即使在对每一条栅极线进行使源极信号的极性反转的点反转驱动的情况下，也能够抑制在像素电极与信号配线(源极配线)之间产生的静电电容由于层间的对准偏移而以每像素变动的情况，并能够抑制伴随着这样的静电电容的变动而产生的、被称为阴影(shadowing)的显示不均。

但是，现状是，近年来液晶显示装置得到快速发展，在上述那样的开口率的提高之外，为了提高显示品质，还强烈地要求提高黑白显示间的对比度，进一步还强烈地要求提高用于液晶显示装置的有源矩阵基板的特性。

专利文献1：日本特开平6-308533号公报

专利文献2：日本特开平8-160451号公报

专利文献3：日本特开2001-281696号公报

发明内容

本发明是鉴于上述现状而完成的，其目的在于提供一种提高了有源矩阵基板的特性和提高了黑白显示间的对比度的液晶显示装置。

本发明的发明者们对提高具备在一部分上具有弯曲点(也称折曲点或折弯点)的源极配线的有源矩阵基板的特性、进一步提高具有该有源矩阵基板的液晶显示装置的显示品质的方法进行了各种研究后，着眼于像素电极和源极配线的配置结构。而且发现存在如下的情况；在通常情况下像素电极各自配置为长方形，作为整体则呈矩阵(格子)状地配置，像素电极的间隙通过被正交的栅极配线和源极配线遮光，但是由于使源极配线弯曲(折曲)地配置，所以尽管能够消除由画面内的对准偏移引起的亮度不均，却露出像素电极的间隙，在黑显示中从该区域发生光泄露，并且他们发现，通过在发生光泄露的区域配置配线或电极，堵塞像素电极的间隙，即使在进行极性反转驱动的情况下，也能够防止像素电极间的光泄露。

此外，本发明的发明者们发现，能够利用有源矩阵基板具有的保持电容配线或栅极配线作为用于遮光的配线或电极，进一步发现，通过以使源极配线与保持电容配线或栅极配线之间不重叠的方式，通过空开一定间隔配置这些配线，能够减小在源极配线与保持电容配线或栅极配线之间形成的寄生电容而防止发生配线延迟。而且发现，通过在液晶显示装置中使用这样的有源矩阵基板，能够防止配线延迟，并且能够防止像素电极间的光泄露而提高对比度，从而想到能够完满地解决上述问题的方式，从而完成了本发明。

即，本发明提供一种有源矩阵基板，该有源矩阵基板具有：呈矩阵状配置的像素电极；源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极双方重叠地配置，并在列方向上延伸；和保持电容配线，其与源极配线交叉地配置，并在行方向上延伸，在该有源矩阵基板(以下，也称为本发明的第一有源矩阵基板)中，上述像素电极、源极配线和保持电容配线隔着绝缘膜各自形成在不同的层，上述源极配线在行方向上相邻的两个像素电极下分别具有弯曲点，并且该源极配线具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极的间隙的横断部，上述保持电容配线具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，并且在列方向上延伸，上述源极配线实质上仅在其与保持电容配线的交叉点与保持电容配线重叠。

以下，对本发明的第一有源矩阵基板进行详细说明。

本发明的第一有源矩阵基板具有：呈矩阵状配置的像素电极；源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极双方重叠地配置，并在列方向上延伸；和保持电容配线，其与源极配线交叉地配置，并在行方向上延伸。在本发明的第一有源矩阵基板上，例如设置有像素电极、源极配线、栅极配线、保持电容配线等与液晶的驱动相关的电极和配线。此外，对于这样设置有电极和配线的基板，在行方向上，即，在保持电容配线延伸的方向上，与源极配线交叉地配置有栅极配线，并且在栅极配线与源极配线的交叉点设置有作为开关元件的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)等。像素电极构成对液晶层施加电压的像素单位，作为驱动液晶的一个像素发挥功能。源极配线是能够对像素电极或TFT供给源极信号的配线。保持电容配线通过隔着绝缘膜与其它的电极或配线形成静电电容，具有在TFT断开(OFF)时保持像素电极的电位的作用。栅极配线是控制对像素电极或TFT施加数据信号的定时的配线。TFT是三端子型的开关元件，是能够控制从栅极配线发送过来的栅极信号和从源极配线发送过来的源极信号的半导体元件。通过这样配置栅极配线、源极配线和TFT，能够对沿着栅极配线的线的每个像素电极依次施加信号电压进行线顺序扫描。

上述像素电极、源极配线和保持电容配线隔着绝缘膜各自形成在不同的层，上述源极配线在行方向上相邻的两个像素电极下分别具有弯曲点，并且源极配线具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极的间隙的横断部。因为在本发明中源极配线隔着绝缘膜设置在与像素电极不同的层中，所以如上述保持电容配线那样，在源极配线与像素电极之间形成一定的静电电容。此外，在本发明中，源极配线虽然如上述那样整体配置在行方向上，但是以弯曲点为界至少在两处弯曲，形成从弯曲点延伸的横断部横穿在行方向上相邻的两个像素电极的间隙的形状。弯曲的朝向，相对于源极配线的长度方向，既可以是正交的方向，也可以是倾斜的方向。由此，源极配线能够与相邻的两个像素电极双方重叠。

对于使源极配线弯曲，并使其与在行方向上相邻的两个像素电极双方重叠地配置的意义，在下面进行详细说明。图15和图16是表示在像素电极和源极配线之间形成的静电电容的关系的平面示意图，图16表示未使源极配线弯曲的现有的方式，图15表示使源极配线弯曲的本发明的方式。此外，图15和图16中，(a)表示未发生对准偏移时的情况，(b)表示发生对准偏移时的情况。另外，图15和图16中的斜线表示源极配线和像素电极重叠的区域。如图16所示，在像素电极(pix1～pix3)形成为矩阵状的情况下，通常源极配线(S1～S3)以与各像素电极的间隙重叠的方式配置。形成像素电极的层与形成源极配线的层是不同的层，该像素电极和该源极配线各自隔着绝缘膜配置。因此，在像素电极和源极配线之间，形成有一定的静电电容。但是，因为形成像素电极的层与形成源极配线的层不同，所以例如如图16(b)的各源极配线所示，源极配线并不一定配置在像素电极间的中心。因为静电电容的大小与源极配线和像素电极重叠的面积成比例，所以如果源极配线和像素电极的重叠面积大幅不同，例如，在使用在相邻像素间极性不同的驱动方式的情况下，可能发生如下所述的问题。

如下面的式(1)所示，在液晶显示装置中，在像素电极中形成的静电电容C_pix由在其与保持电容之间形成的静电电容C_cs、在其与液晶层之间形成的静电电容C_1c、在其与源极配线之间形成的静电电容C_sd、在栅极配线与漏极配线之间形成的C_gd等的和算出。

C_pix＝C_cs+C_cl+C_sd+C_gd……    (1)

令与像素电极pix1的一条边重叠的源极配线为S1，与像素电极pix1的另一条边重叠的源极配线为S2，通过这些源极配线施加的源极电位分别为V_s1、V_s2，在像素电极pix1中形成的静电电容为C_pix1，在源极配线与像素电极之间形成的静电电容分别为C_sd1、C_sd2，像素电极pix1接收来自源极配线S1的信号电位。此外，令像素电极pix1的极性为+，pix2的极性为-。这样，像素电位V_pix1能够用下面的式(2)表示。

V_pix1＝V_s1-((C_sd1/C_pix1×V_s1pp)+(C_sd2/C_pix1×V_s2pp))    (2)

另外，因为相邻的像素彼此极性不同，所以V_s2＝-V_s1。此外，上述“(C_sd1/C_pix1×V_s1pp)+(C_sd2/C_pix1×V_s2pp)”表示源极配线S1、S2的引入电压。此时，因为向像素电极施加的源极电位每一H交替为+与-，所以与引入电压相关的源极电位V_s1pp、V_s2pp分别受到源极电位的两倍的影响，成为V_s1pp＝2×V_s1和V_s2pp＝2×V_s2的关系。

同样，令与像素电极pix2的一条边重叠的源极配线为S2，与像素电极pix2的另一条边重叠的源极配线为S3，令通过这些源极配线施加的源极电位分别为V_s2、V_s3，在像素电极pix2中形成的静电电容为C_pix2，在信号配线与像素电极之间形成的静电电容分别为C_sd2、C_sd3，像素电极pix2接收来自S2的信号电位。此外，令与像素电极pix2相邻的像素电极pix3的极性为+。这样，像素电位V_pix2能够以下面的式(3)表示。

V_pix2＝V_s2-((C_sd2/C_pix2×V_s2pp)+(C_sd3/C_pix2×V_s3pp))    (3)

另外，因为相邻的像素彼此极性不同，所以V_s3＝-V_s2。此外，上述“(C_sd2/C_pix2×V_s2pp)+(C_sd3/C_pix2×V_s3pp)”表示源极配线S2、S3的引入电压。

由此，在这样相邻的两个像素彼此具有不同极性的情况下，如图16(a)所示，如果分别与相邻的两个像素重叠的源极配线的面积相同，则成为C_sd1＝C_sd2＝C_sd3，在各像素中，通过源极配线引入的电压相互抵消，从而相邻的像素彼此成为同电位(包括正负相反的情况)。但是，如图16(b)所示，如果与像素重叠的源极配线的面积变化，则变成C_sd1＞C_sd2或C_sd1＜C_sd2，或者变成C_sd2＞C_sd3或C_sd2＜C_sd3，通过源极配线引入的电压也改变，在相邻的像素间形成彼此不同的电位，因此，结果造成在显示中产生亮度不均。

因此，在本发明中，如图15(a)和(b)所示，通过在源极配线设置弯曲点，并使相邻的两个像素电极各自与源极配线重叠，能够简单地使源极配线的大致整体与像素电极重叠，由此，即使如图15(b)所示那样多少有点对准偏移，也能够抑制在相邻的像素间电位的变化。即，根据本发明的方式，对于上述C_sd1、C_sd2和C_sd3，能够容易地确保大致同等的值。

上述保持电容配线具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，并在列方向上延伸。当设计为使源极配线的一部分弯曲，源极配线整体与像素电极重叠时，在像素电极彼此的间隙中存在没有遮光部件的区域。因此，在该区域中，因为在黑显示中发生光泄露，所以以“白显示的亮度/黑显示的亮度”算出的对比度的值偏低。因此，在本发明中设计为，使保持电容配线的一部分分叉，并进一步延伸与像素电极的间隙重叠，由此能够遮住从像素电极的间隙透出的光，减少黑显示中的光泄露，从而提高对比度。此时，作为遮住光泄露的部件，虽然一般认为使用由有机树脂等构成的黑矩阵，但是因为黑矩阵通常在与源极配线不同的基板上形成，所以存在由于粘贴偏差而不能得到充分的遮光效果的可能性，此外，在黑矩阵上形成有小孔的情况下，可能存在从该部分发生光泄露的情况。另一方面，就保持电容配线而言，因为能够容易地形成在与源极配线相同的基板上，所以对准偏移的影响变小，此外，在遮光性方面，因为金属膜比有机树脂能够更容易地得到大的效果，因此这些配线更适合作为本发明的遮光部件。

上述源极配线实质上仅在其与保持电容配线的交叉点与保持电容配线重叠。在本发明中，为了避免由于在其与保持电容配线之间形成寄生电容而引起的配线延迟等影响，上述源极配线的大部分以不与保持电容配线重叠的方式配置在与保持电容配线分开的位置。在本发明中，因为保持电容配线和源极配线交叉地配置，所以，在设计上，它们至少在一点相交，但是如本发明这样通过使源极配线实质上仅在其与保持电容配线的交叉点与保持电容配线重叠的方式，能够充分地抑制寄生电容的产生，抑制配线延迟的发生。

作为本发明的有源矩阵基板的结构，只要这样的构成要素为必须形成的要素，而对其它的构成要素并无特别限定，既可以包括也可以不包括。

本发明的有源矩阵基板例如能够装载在各种显示装置和各种传感器上。作为显示装置，能够列举液晶显示装置和有机电致发光显示装置等。作为传感器，能够列举光传感器、磁传感器、温度传感器和化学传感器等。

在上述本发明的第一有源矩阵基板，还可以使用栅极配线替代保持电容配线作为延伸部。即，本发明提供一种有源矩阵基板，该有源矩阵基板包括：呈矩阵状配置的像素电极；源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极双方重叠地配置，且在列方向上延伸；和栅极配线，其与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，在该有源矩阵基板(以下，也称为本发明的第二有源矩阵基板)中，上述像素电极、源极配线和栅极配线隔着绝缘膜各自形成在不同的层，上述源极配线在行方向上相邻的两个像素电极下分别具有弯曲点，并且该源极配线具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极的间隙的横断部，上述栅极配线具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，并且在列方向上延伸，上述源极配线实质上仅在其与栅极配线的交叉点处与栅极配线重叠。

与延伸保持电容配线的方式不同，在这样延伸栅极配线的方式中，形成于栅极配线和像素电极之间的静电电容会在瞬间受到1线之前的栅极信号的电压变化的影响，但从遮光和配线延迟的观点出发，能够得到与使用上述保持电容配线的情况一样的效果。

此外，在上述本发明的第一有源矩阵基板上，也可以使用浮置电极(floating electrode)代替保持电容配线。即，此外，本发明提供一种有源矩阵基板，该有源矩阵基板包括：呈矩阵状配置的像素电极；和源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极双方重叠地配置，并且在列方向上延伸，在该有源矩阵基板中，上述像素电极和源极配线隔着绝缘膜各自形成在不同的层，上述源极配线在行方向上相邻的两个像素电极下分别具有弯曲点，并且该源极配线具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极的间隙的横断部，上述有源矩阵基板(以下又称为本发明的第三有源矩阵基板)具有浮置电极，该浮置电极与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，并且在列方向上延伸。由此，对于遮光和配线延迟，能够达到与使用上述保持电容配线或栅极配线的情况一样的效果。

上述浮置电极是指未与保持电容配线、栅极配线等其它配线连接的独立电极。其中，作为浮置电极的材料，也可以使用与保持电容配线或栅极配线中使用的材料相同的材料。由此，能够简化制造工序。另外，在源极配线和浮置电极之间，与在源极配线和保持电容配线或栅极配线之间形成的寄生电容一样，可能成为配线延迟的原因，因此，优选上述源极配线仅在其与浮置电极的交叉点与浮置电极重叠，更优选上述源极配线实质上与浮置电极不发生重叠。

以下详细说明本发明的第一、第二和第三有源矩阵基板的优选方式。

上述在行方向上相邻的两个像素电极优选彼此极性不同。即，本方式为，相邻的两个像素电极中的任一方为+，另一方为-，且上述源极配线通过弯曲点与这两个极性不同的像素电极的各自重叠地配置。作为在相邻的两个像素电极之间极性不同的驱动方式，例如能够列举有点反转驱动方式，此时，像素电极在其纵方向和横方向上的各自的极性按+、-、+、-的顺序交替地配置。在本方式中，相邻的两个像素电极的极性不同即可，因此，例如在行方向和列方向的至少一部分上相邻地配置+、-即可，也可以包括如按+、-、-、+的顺序、-、+、+、-的顺序那样，在一部分上排列相同的极性也可。通过这样使极性不同，能够有效地抑制闪烁的发生。上述本发明通过应用于这样的驱动方式，效果得以特别发挥，即使在使极性不同的情况下，也不受多少存在的对准偏移的影响，而能够抑制在相邻的像素之间电位的变化，从而能够确保显示品质。

下面对延伸保持电容配线的本发明的第一有源矩阵基板的优选方式进行说明。首先说明本发明的第一有源矩阵基板具有栅极配线的情况下的优选方式，其中，该栅极配线与源极配线交叉地配置，并在行方向上延伸。

上述栅极配线优选具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，并在列方向上延伸。即，本方式是使保持电容配线和栅极配线的各自的延伸部在相邻的两个像素电极的行方向的间隙重叠的方式，通过这样将保持电容配线和栅极配线双方用作遮光部件，从而在确保充分的遮光区域的同时，能够形成恰当的保持电容。

上述栅极配线优选配置在与保持电容配线相同的层。如上所述，保持电容配线和栅极配线在它们本来的目的之外，在本发明中还为了遮光目的而配置，其材料也能够使用相同的材料。因此，在将保持电容配线和栅极配线配置在相同的层的方式中，能够一次形成保持电容配线和栅极配线，因此能够简化制造工序。

上述栅极配线优选隔着绝缘膜配置在与保持电容配线不同的层。制造时在同一层上的配线之间容易发生泄漏不良，但是由此能够抑制发生泄漏不良的可能性。进一步，在上述方式中，上述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙优选至少与栅极配线和保持电容配线中的一方重叠。根据此方式，能够部分重叠地配置栅极配线和保持电容配线，并能够使用栅极配线和保持电容配线中的任一方，对在行方向上相邻的两个像素电极的全部间隙进行遮光，因此，能够更可靠地遮挡在像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

上述栅极配线优选与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。根据本方式，不仅对上述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙，而且也能够对在列方向上相邻的两个像素电极的间隙进行遮光，因此，能够更可靠地遮断在像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

上述保持电容配线优选与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。例如，在栅极配线未配置于上述在列方向上相邻的两个像素电极的间隙、即栅极配线与像素电极重叠地配置的情况下，根据本方式，能够更可靠地遮断在列方向上相邻的两个像素电极的间隙中的像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

接着，对本发明的第一有源矩阵基板进一步具有浮置电极的情况下的优选方式进行说明，其中，该浮置电极与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。

上述浮置电极优选配置在与保持电容配线相同的层。通过在相同的层中配置保持电容配线和浮置电极的方式，因为能够一次形成保持电容配线和栅极配线，所以能够简化制造工序。

优选上述浮置电极隔着绝缘膜配置在与保持电容配线不同的层，并且优选在上述行方向上相邻的两个像素电极的间隙至少与浮置电极、保持电容配线和栅极配线中的一方重叠。根据本方式，因为能够使用浮置电极、保持电容配线和栅极配线中的任一方对相邻的两个像素电极的行方向的全部间隙进行遮光，所以由此能够更可靠地遮断在像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

下面对延伸栅极配线的本发明的第二有源矩阵基板的优选方式进行说明。本发明的第二有源矩阵基板的优选方式与本发明的第一有源矩阵基板的优选方式相同，是在本发明的第一有源矩阵基板中使用的保持电容配线和栅极配线替换后的方式。另外，在本发明的第二有源矩阵基板和本发明的第一有源矩阵基板中，使用浮置电极的方式相同。

因此，在本发明的第二有源矩阵基板进一步具有保持电容配线的情况下，优选以下的方式，其中，该保持电容配线与源极配线交叉地配置，并在行方向上延伸。

上述保持电容配线优选具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，并在列方向上延伸。由此，能够将栅极配线和保持电容配线双方作为遮光部件使用，从而在确保充分的遮光区域的同时，能够形成恰当的保持电容。

优选上述保持电容配线配置在与栅极配线相同的层。由此，因为能够一次形成栅极配线和保持电容配线，所以能够简化制造工序。

上述保持电容配线优选隔着绝缘膜配置在与栅极配线不同的层。制造时在同一层上的配线之间容易发生泄漏不良，但是由此能够抑制发生泄漏不良的可能性。进一步，在本方式中，优选上述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙至少与保持电容配线和栅极配线中的一方重叠。由此，能够使用保持电容配线和栅极配线中的任一方对在行方向上相邻的两个像素电极的全部间隙进行遮光，能够更可靠地遮断在像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

上述保持电容配线优选与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。由此，不仅对在行方向上相邻的两个像素电极的间隙，而且也能够对在列方向上相邻的两个像素电极的间隙进行遮光，因此，能够更可靠地遮断在像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

上述栅极配线优选与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。由此，例如在保持电容配线未配置于上述在列方向上相邻的两个像素电极的间隙、即保持电容配线与像素电极重叠地配置的情况下，根据本方式，能够更可靠地遮断在列方向上相邻的两个像素电极的间隙中的像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

此外，在本发明的第二有源矩阵基板进一步具有与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置的浮置电极的情况下，优选以下的方式。

优选上述浮置电极配置在与栅极配线相同的层。由此，因为能够一次形成栅极配线和浮置电极，所以能够简化制造工序。

上述浮置电极优选隔着绝缘膜配置在与栅极配线不同的层。制造时在同一层上的配线之间容易发生泄漏不良，但是由此能够抑制发生漏电不良的可能性。进一步，在上述方式中，优选上述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙至少与浮置电极、栅极配线和保持电容配线的任一方重叠。根据本方式，因为能够使用浮置电极、栅极配线和保持电容配线中的任一方对在行方向上相邻的两个像素电极的全部间隙进行遮光，所以由此能够更可靠地遮断在像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

下面对具有浮置电极的本发明的第三有源矩阵基板的优选方式进行说明。本发明的第三有源矩阵基板的优选方式与本发明的第一有源矩阵基板的优选方式以及本发明的第二有源矩阵基板的优选方式同样，是在本发明的第一有源矩阵基板中使用的保持电容配线、和在本发明的第二有源矩阵基板中使用的栅极配线分别替换为浮置电极的方式。

因此，在本发明的第三有源矩阵基板进一步具有保持电容配线的情况下，优选以下的方式，其中，该保持电容配线与源极配线交叉地配置，并在行方向上延伸。

优选上述保持电容配线具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，并在列方向上延伸。由此，能够将浮置电极和保持电容配线双方作为遮光部件使用，从而在确保充分的遮光区域的同时，能够形成恰当的保持电容。

上述保持电容配线优选配置在与浮置电极相同的层。由此，因为能够一次形成浮置电极和保持电容配线，所以能够简化制造工序。

上述保持电容配线优选隔着绝缘膜配置在与栅极配线不同的层。制造时在同一层上的配线之间容易发生泄漏不良，但是由此能够抑制发生泄漏不良的可能性。进一步，在本方式中，优选上述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙至少与保持电容配线和浮置电极中的一方重叠。由此，能够使用保持电容配线和浮置电极中的任一方对在行方向上相邻的两个像素电极的全部间隙进行遮光，能够更可靠地遮断在像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

上述保持电容配线优选与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。由此，不仅对上述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙，而且也能够对在列方向上相邻的两个像素电极的间隙进行遮光，因此，能够更可靠地遮断在像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

此外，在本发明的第三有源矩阵基板进一步具有栅极配线的情况下，优选以下的方式，其中，该栅极配线与源极配线交叉地配置，并在行方向上延伸。

优选上述栅极配线具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，并在列方向上延伸。由此，能够将浮置电极和栅极配线双方作为遮光部件使用，从而在确保充分的遮光区域的同时，能够形成恰当的保持电容。

上述栅极配线优选配置在与浮置电极相同的层。由此，因为能够一次形成浮置电极和保持电容配线，所以能够简化制造工序。

上述栅极配线优选隔着绝缘膜配置在与浮置电极不同的层。制造时在同一层上的配线之间容易发生泄漏不良，但是由此能够抑制发生泄漏不良的可能性。进一步，在本方式中，优选上述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙至少与栅极配线和浮置电极中的一方重叠。由此，能够使用栅极配线和浮置电极中的任一方对在行方向上相邻的两个像素电极的全部间隙进行遮光，能够更可靠地遮断在像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

上述栅极配线优选与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。由此，不仅对在行方向上相邻的两个像素电极的间隙，而且对在列方向上相邻的两个像素电极的间隙也能够进行遮光，因此，能够更可靠地遮断在像素电极间发生的光泄露，例如在将本方式的有源矩阵基板用于显示装置的情况下，能够得到更高的对比度。

本发明还提供一种液晶显示装置，该液晶显示装置依次叠层有：本发明的第一、第二或第三有源矩阵基板；液晶层；和对置基板，上述对置基板具有与相邻的两个像素电极的间隙重叠的黑矩阵。通过将本发明的第一、第二或第三有源矩阵基板作为显示装置使用，即使在进行极性反转驱动的情况下，也能够得到提高了黑白显示间的对比度的显示装置。特别优选上述显示装置具有黑矩阵的液晶显示装置。

作为对在行方向和/或列方向上相邻的两个像素电极的间隙进行遮光的部件，在使用上述配线之外还可以辅助性地使用黑矩阵。因为即使在如上所述使用各种配线进行遮光的情况下，也存在在设计上不适合使用各种配线作为遮光部件的情况，因此在这样的情况下通过使用黑矩阵替代性地进行遮光，能够进一步提高对比度。

在本发明的液晶显示装置中，液晶层被由有源矩阵基板和对置基板构成的一对基板夹持。对置基板例如能够作为具有彩色滤光片层和黑矩阵的彩色滤光片基板使用。另外，通常在液晶显示装置中使用黑矩阵防止彩色滤光片间的光泄露、混色等，但是，根据本发明，各种配线作为主要的遮光部件使用，因此能够形成比现有的黑矩阵更精细的黑矩阵，能够使开口率得以提高。

发明的效果

根据本发明的有源矩阵基板，即使在源极配线上设置弯曲点的情况下，在相邻的两个像素电极的间隙也延伸有保持电容配线和/或栅极配线，因为能够抑制在相邻的两个像素电极的间隙发生的黑显示的光泄露，所以，例如在用于显示装置的情况下，能够提高该显示装置的对比度。此外，因为这些延伸的保持电容配线或栅极配线设置为除它们的交叉点之外不与源极配线重叠，所以能够防止在这些配线间形成寄生电容，能够减少配线延迟的影响。

附图说明

图1是表示实施方式1的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。

图2是沿图1的A-B线的截面示意图。

图3是表示实施方式1的液晶显示装置的像素电极具有的极性的平面示意图。

图4是表示实施方式2的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。

图5是沿图4的C-D线的截面示意图。

图6是表示实施方式3的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。

图7是沿图6的E-F线的截面示意图。

图8是表示实施方式4的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。

图9是表示实施方式5的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。

图10是表示实施方式6的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。

图11-1是表示实施方式7的液晶显示装置的像素结构的平面示意图，表示浮置电极、CS配线和栅极配线配置在相同的层，并且源极配线配置在不同的层的方式。

图11-2是表示实施方式7的液晶显示装置的像素结构的平面示意图，表示浮置电极和源极配线配置相同的层，栅极配线和CS配线配置在相同的层，并且浮置电极和源极配线、与栅极配线和CS配线分别配置在不同的层的方式。

图11-3是表示实施方式7的液晶显示装置的像素结构的平面示意图，表示CS配线和栅极配线配置在相同的层，并且浮置电极、CS配线和栅极配线、源极配线分别配置在不同的层的方式。

图12是表示实施方式8的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。

图13是表示实施方式9的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。

图14是表示实施方式10的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。

图15是表示在像素电极和源极配线之间形成的静电电容的关系的平面示意图，表示使源极配线弯曲的本发明的方式。此外，(a)表示未发生对准偏移时的情况，(b)表示发生了对准偏移时的情况。

图16是表示在像素电极和源极配线之间形成的静电电容的关系的平面示意图，表示未使源极配线弯曲的现有的方式。此外，(a)表示未发生对准偏移时的情况，(b)表示发生了对准偏移时的情况。

符号的说明

11像素电极

12栅极配线

13源极配线

14TFT

15漏极引出配线

16接触孔

17CS配线

18弯曲点

19CS配线的延伸部

20横断部

21玻璃基板

22第一绝缘膜

23第二绝缘膜

24第三绝缘膜

29栅极配线的延伸部

39浮置电极

S1～S3源极配线

pix1～pix3像素电极

具体实施方式

下面，列举实施方式，参照附图对本发明进行更详细的说明，但本发明并不仅限于这些实施方式。

(实施方式1)

图1是表示实施方式1的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。此外，图2是沿图1的A-B线的截面示意图。实施方式1的液晶显示装置由一对基板和被这一对基板夹持的液晶层构成，该一对基板由具有像素电极的有源矩阵基板和具有彩色滤光片层的彩色滤光片基板构成。在实施方式1的具有液晶显示装置的有源矩阵基板上，呈矩阵状排列有多个像素电极11(粗线)，能够对各像素电极11进行液晶的驱动控制。

在实施方式1的有源矩阵基板上，除配置有像素电极11的层之外，隔着绝缘膜还设置有形成有栅极配线12、源极配线13等各种配线的层。栅极配线12沿着像素电极11的行方向的一个边在行方向上延伸地配置，并与在列方向上相邻的两个像素电极11的间隙重叠。源极配线13在列方向上延伸地配置，并隔着绝缘膜与栅极配线12交叉配置。在栅极配线12和源极配线13的交叉点配置有像素电极驱动用开关元件TFT14。通过TFT14，能够利用从栅极配线12送来的栅极信号控制源极信号的定时，并能够对像素电极11施加从源极配线13送来的源极信号。

具体而言，TFT14与栅极配线12和源极配线13分别连接，从TFT14的一个电极向像素的中央进一步设置有漏极引出配线15。而且，在与漏极引出配线15重叠的绝缘膜上设置有接触孔16，通过该接触孔16，漏极引出配线15和像素电极11电连接。在各像素中设置这样的结构。

在实施方式1中，在栅极配线12的行间，CS配线(保持电容配线)17在行方向上延伸地配置。CS配线17在像素的中央部隔着绝缘膜与TFT14的漏极引出配线15重叠地配置，并能够与TFT14的漏极引出配线15一起形成一定的保持电容。另外，栅极配线12、源极配线13、CS配线17和漏极引出配线15等各种配线能够使用例如铝(Al)、银(Ag)、氮化钽(TaN)、氮化钛(TiN)和氮化钼(MoN)等形成。

如图2所示，在实施方式1中，有源矩阵基板构成为，朝向液晶层依次配置有玻璃基板21、CS配线17、第一绝缘膜22、源极配线13、第二绝缘膜23和像素电极11。另外，实施方式1中的栅极配线12与CS配线17形成在同一层。

在实施方式1中，源极配线13在行方向上相邻的两个像素电极11的下面各自具有弯曲点18，以该弯曲点18为界形成横断部20，该横断部20配置为横穿在行方向上相邻的两个像素电极11的间隙。由此成为一个源极配线13与相邻的两个像素电极11各自重叠地配置的结构。更详细而言，成为源极配线13的横断部20横穿构成像素电极11的外周的边的行方向和列方向各自的形状。此外，因为实施方式1中的源极配线13配置在其面积的大部分与像素电极11重叠的位置，所以即使在发生对准偏移的情况下，像素电极11与源极配线13重叠的面积在相邻的像素电极11之间也大致相等。

在实施方式1中，如图1所示，源极配线13与在行方向上相邻的像素电极11重叠的图案，在列方向上相同。更详细而言，实施方式1中的源极配线13为，在行方向上相邻的一组像素电极11之中，首先，与位于右侧的像素电极11重叠地在像素电极11的列方向上延伸，以弯曲点18为界，向位于左侧的像素电极11延伸，通过在行方向上相邻的像素电极11的间隙，以弯曲点18为界，与位于左侧的像素电极11重叠地在像素电极11的列方向上延伸。此外，这样延伸的源极配线13进一步为，在像素电极11的角落部，以折为直角的弯曲点18为界，向位于右侧的像素电极11延伸，通过在行方向上相邻的像素电极11的间隙，以与位于右侧的像素电极11重叠的弯曲点18为界，在像素电极11的列方向上延伸，通过栅极配线12，向下一行的一组像素电极11延伸。这样，能够使源极配线13与在行方向上相邻的一组像素电极11重叠地形成的图案在各像素中相同，因此能够使TFT14等其它部件的配置也在各像素中相同，例如还能够使对TFT14的沟道进行遮光的黑矩阵的位置在各像素中相同，从而能够使上下的图像元素的开口率相同，并能够抑制亮度不均的产生。

根据实施方式1的配置结构，特别在相邻的像素电极11具有不同的极性的情况下有利。在相邻配置的两个像素电极11的极性彼此不同、并且像素电极11与源极配线13重叠的面积在像素之间大幅不同的情况下，由于源极配线13及其旁边的源极配线，产生像素电极11的引入电压的差。但是，通过这样设置横断部，能够容易地使像素电极11与源极配线13重叠的面积在相邻的像素电极11之间大致相同，因此，能够减小引入电压的差从而抑制产生亮度不均的情况，并能够保持各像素的显示品质。

在实施方式1中，栅极配线12设置为，与像素电极11的行方向的间隙，即在列方向上相邻的像素电极的间隙重叠。另一方面，源极配线13在列方向上延伸地配置，但因为源极配线13设置为与像素电极11重叠，所以在像素电极11的列方向的间隙，即在行方向上相邻的像素电极的间隙，形成有光能够透过的区域。对此，在实施方式1中，设置有从CS配线17分叉的延伸部19，使得延伸部19与像素电极11的列方向，即在行方向上相邻的像素电极的间隙重叠，由此成为能够对像素电极11的列方向的间隙遮光的方式。因此，根据实施方式1的结构，能够得到具有高对比度的液晶显示装置。在这样的栅极配线12与CS配线17的形成中，例如在利用溅射法等在基板全体形成金属膜后，形成抗蚀剂、在掩膜曝光后，经过显影、蚀刻、抗蚀剂剥离等工序，能够使用图案形成的光刻法，延伸部19也能够在CS配线17的图案形成时同时形成。

在实施方式1中，源极配线13与CS配线17原则上配置在从显示面看来相互分开的位置，即相互不重叠，源极配线13与CS配线17实质上仅在这些交叉点重叠。这样，能够抑制由于在源极配线13与CS配线17之间形成寄生电容而引起的配线延迟，从而使显示品质稳定。另外，由于设计上的关系，形成源极配线13与CS配线17一部分区域重叠，但通过如实施方式1那样使这些重叠的区域最小化，能够减小对显示品质的影响。

在实施方式1中，栅极配线12与CS配线17配置在同一层。因为栅极配线12与CS配线17能够使用同一种材料形成，所以能够在同一层一并形成这些配线，从而能够简化制造工序。另外，栅极配线12与CS配线17由于所起的作用不同而不能电连接，因此，在它们之间设置有固定间隔，因为即使这样的方式也形成对除固定间隔的部分以外的其它的区域充分地遮光的结构，所以能够得到提高对比度的效果。

在实施方式1中，还可以在彩色滤光片基板上以与像素电极11的间隙重叠的方式配置黑矩阵。由此，例如即使由于设计上的理由产生不能使用CS配线覆盖像素电极的间隙的部分，对该部分也能够进行辅助性的遮光。具体而言，通过以与CS配线17和栅极配线12之间的间隙重叠的方式部分地配置黑矩阵，能够提高遮光效果，提高对比度。另外，黑矩阵通常以防止彩色滤光片间的混色和光泄露的情况等为目的形成，在实施方式1中，因为各种配线主要作为遮光部使用，所以能够形成比通常的黑矩阵更细的黑矩阵，由此能够提高开口率。

图3是表示实施方式1的液晶显示装置的像素电极所具有的极性的平面示意图。在实施方式1中，像素电极11的驱动方式为点反转驱动方式。点反转驱动是对在行方向和列方向上排列的各像素电极施加相反极性的信号的驱动方式。因此，如图3所示，实施方式1的像素电极配置为，在行方向和列方向的任一方向上均按+、-、+、-的顺序极性不同地配置。而且源极配线13以横穿这些极性不同的像素电极11的间隙的方式弯曲地配置。这样的极性，能够使用与栅极配线12连接的栅极驱动器和与源极配线13连接的源极驱动器进行转换。采用点反转驱动，能够有效地抑制闪烁的发生。此外根据如上所述的实施方式1，即使在相邻的像素电极11具有不同的极性的情况下也能够保持显示品质，因此，结果是能够抑制闪烁的发生，并能够防止由于相邻的像素电极间的亮度不同而引起的亮度不均，此外能够防止在相邻的像素间发生的光泄露而提高对比度，进一步，能够抑制由于发生配线延迟而引起的显示品质的降低从而得到高品质的显示。

(实施方式2)

图4是表示实施方式2的液晶显示装置的像素结构的平面示意图.此外，图5是沿图4的C-D线的截面示意图。如图4所示，在实施方式2的液晶显示装置中，在不使用CS配线17而使用栅极配线12作为对像素电极11的间隙遮光的部件这一方面上与实施方式1不同，其他与实施方式1相同。因此，在实施方式2中，栅极配线12具有延伸部29，该延伸部29为栅极配线12的一部分在像素电极11的列方向上延伸地形成，并且该栅极配线12与像素电极11的列方向的间隙、即在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。由此，能够防止黑显示中的光泄露，提高显示的对比度。另外，在实施方式2中，由于不是CS配线17而是栅极配线12在像素电极11的列方向上延伸的关系，虽然CS配线17的位置不在像素电极11的中央，而在比像素电极11的中央更位于端部一侧的位置在行方向上延伸，但是，CS配线17和漏极引出配线15重叠的位置并不特别限定，例如，也可以为如下的配置方式，即，CS配线17和漏极引出配线15各自延伸，它们在像素电极11的中央附近重叠。

在实施方式2中，源极配线13与栅极配线12的延伸部29原则上配置在从显示面看来相互分开的位置，即，相互不重叠，源极配线13与栅极配线12实质上仅在这些交叉点重叠。这样，能够防止由于在各配线之间形成寄生电容而引起的配线延迟，从而使显示品质稳定。

如图5所示，实施方式2的有源矩阵基板具有如下的结构，即，玻璃基板21、栅极配线12、第一绝缘膜22、源极配线13、第二绝缘膜23和像素电极11以此顺序朝向液晶层配置。

(实施方式3)

图6是表示实施方式3的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。图7是沿图6的E-F线的截面示意图。如图6所示，在实施方式3的液晶显示装置中，在不仅使用CS配线，而且使用CS配线17和栅极配线12双方作为对在行方向上相邻的两个像素电极的间隙遮光的部件这一方面上与实施方式1不同，其他与实施方式1相同。因此，在实施方式3中，CS配线17和栅极配线12中的任一方均在像素电极11的列方向上延伸，并且配置为与像素电极11的列方向的间隙、即在行方向上相邻的两个像素电极11的间隙重叠，由此能够防止黑显示中的光泄露，提高显示的对比度。

在实施方式3中，如图7所示，有源矩阵基板为，CS配线17和栅极配线12隔着第一绝缘膜22配置在不同的层。即，在栅极配线12和CS配线17重叠的区域中，实施方式3的有源矩阵基板具有如下的结构，即，玻璃基板21、CS配线17、第一绝缘膜22、栅极配线12、第二绝缘膜23、源极配线13、第三绝缘膜24和像素电极11以此顺序朝向液晶层配置。由于采用这样的结构，不再存在以CS配线17和栅极配线12不连接的方式空开固定的间隔配置它们的必要，如图7所示，针对包围像素电极11的全部间隙，能够至少与CS配线17和栅极配线12中的一方重叠配置。

在实施方式3中，源极配线13、CS配线17和栅极配线12原则上配置在从显示面看来相互分开的位置，即相互不重叠，并且源极配线13与CS配线17重叠的区域以及源极配线13与栅极配线12重叠的区域实质上仅是这些交点。这样，能够防止由于在各配线之间形成寄生电容而引起的配线延迟，从而使显示品质稳定。

在实施方式3中，为了减低CS配线17的延伸部19和栅极配线12的延伸部29之间寄生电容的形成，原则上以相互不重叠的方式配置它们。但是，为了得到充分的遮光，仅在这些配线的延伸部的顶端彼此有一部分重复，因此，CS配线17的延伸部19和栅极配线12的延伸部29重叠的区域实质上仅在这些延伸部的顶端。这样，能够防止配线延迟，从而使显示品质稳定。

(实施方式4)

图8是表示实施方式4的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。在实施方式4的液晶显示装置中，在源极配线13与在行方向上相邻的像素电极11重叠的图案在列方向上为左右对称这一方面与实施方式1不同，其它与实施方式1相同。更详细而言，在实施方式4中，源极配线13为，在行方向上相邻的一组像素电极之中，首先，与右侧的像素电极11重叠地在像素电极11的列方向上延伸，以弯曲点18为界，向位于左侧的像素电极11延伸，通过在行方向上相邻的像素电极11的间隙，以弯曲点18为界，与左侧的像素电极11重叠地在像素电极11的列方向上延伸。此外，这样延伸的源极配线13保持状态不变地通过栅极配线12，向下一行的一组像素电极11延伸。然后，与位于左侧的像素电极11重叠地在像素电极11的列方向上延伸，以弯曲点18为界，向位于右侧的像素电极11延伸，通过在行方向上相邻的像素电极11的间隙，以弯曲点18为界，与右侧的像素电极11重叠地在像素电极11的列方向上延伸。这样，因为能够减少源极配线的横断部而缩短源极配线的整体长度，所以能够减小配线延迟的影响。另外，实施方式4的方式在上述或下述的实施方式中均能够适用。

(实施方式5)

图9是表示实施方式5的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。如图9所示，在实施方式5的液晶显示装置中，CS配线17、栅极配线12和源极配线13均在不同的层形成。虽然由于延伸CS配线17，使CS配线17和栅极配线12更加接近，如果在CS配线17和栅极配线12之间发生未预料到的泄漏，则CS配线17和栅极配线12就不能发挥各自的功能。因此，如实施方式5的液晶显示装置所示，通过使CS配线17、栅极配线12和源极配线13隔着绝缘膜均形成在不同的层，能够抑制进一步发生泄漏不良的可能性。

(实施方式6)

图10是表示实施方式6的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。如图10所示，在实施方式6的液晶显示装置中，在以横穿像素电极11的中央的方式配置栅极配线12这一方面，以及，在CS配线17与在列方向上相邻的两个像素电极11的间隙重叠这一方面与实施方式1不同，其它与实施方式1相同，并且使用CS配线17的延伸部19作为对在行方向上行相邻的两个像素11的间隙遮光的部件。因此，即使是实施方式6的结构，也能够得到与实施方式1相同的像素电极间的遮光效果和抑制配线延迟的发生的效果。在实施方式6中，为了使CS配线17与在列方向上相邻的两个像素电极11的间隙重叠地配置，使CS配线17向像素电极11的中心方向延伸。由此，能够在经接触孔16与像素电极11连接的漏极引出配线15和CS配线17之间形成保持电容。

(实施方式7)

图11-1～11-3是表示实施方式7的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。图11-1是在相同的层配置浮置电极39、CS配线17和栅极配线12，并且在不同的层配置源极配线13的方式，图11-2是在相同的层配置浮置电极39和源极配线13，在相同的层配置栅极配线12和CS配线17，并且在各自不同的层配置浮置电极39和源极配线13、栅极配线12和CS配线17的方式，图11-3是在相同的层配置CS配线17和栅极配线12，并且在各自不同的层配置浮置电极39、CS配线17和栅极配线12、源极配线13的方式。

如图11-1～11-3所示，在实施方式7的液晶显示装置中，以与在行方向上相邻的两个像素电极11的间隙重叠的形式另行设置浮置电极39，该浮置电极39不与CS配线17和栅极配线12中的任一方连接，在这一方面以及CS配线17不具有延伸部这一方面与实施方式1不同，其它与实施方式1相同。根据实施方式7，即使不使CS配线17和栅极配线12的一部分延伸，也能够对在行方向上相邻的两个像素电极11的间隙遮光。此外，因为浮置电极39与源极配线13不重叠，所以能够防止在浮置电极39和源极配线13之间产生寄生电容，提高可靠性。在图11-1所示的方式中，因为浮置电极39、CS配线17和栅极配线12配置在同一层，所以能够通过使用同一种材料一并形成浮置电极39、CS配线17和栅极配线12，从而能够简化制造工序。此外，因为浮置电极39、CS配线17和栅极配线12、与源极配线13配置在不同的层，所以能够减少发生未预料到的泄漏不良的可能性。在图11-2所示的方式中，因为浮置电极39和源极配线13配置在同一层，所以能够通过使用同一种材料一并形成浮置电极39和源极配线13，从而能够简化制造工序。此外，因为栅极配线12和CS配线17配置在相同的层，所以能够通过使用同一种材料一并形成栅极配线12和CS配线17，从而能够简化制造工序。进一步，因为浮置电极39和源极配线13、CS配线17和栅极配线12隔着绝缘膜配置在不同的层，能够减少发生未预料到的泄漏不良的可能性。在图11-3所示的方式中，因为CS配线17和栅极配线12配置在同一层，所以能够通过使用同一种材料一并形成CS配线17和栅极配线12，从而能够简化制造工序。此外，因为浮置电极39、CS配线17和栅极配线12、源极配线13配置在各自不同的层，所以能够更有效地减少发生未预料到的泄漏不良的可能性。

(实施方式8)

图12是表示实施方式8的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。如图12所示，在实施方式8的液晶显示装置中，在以下三方面与实施方式1不同，其它与实施方式1相同，该三方面为，CS配线17和栅极配线12中的任一方在列方向上延伸，并与在行方向上相邻的两个像素电极11的间隙重叠这一方面、还有浮置电极39也与在行方向上相邻的两个像素电极11的间隙重叠地配置这一方面以及CS配线17和栅极配线12配置在同一层，源极配线13和浮置电极39配置在同一层，并且CS配线17和栅极配线12、源极配线13和浮置电极39配置在各自不同的层这一方面。在实施方式8中，因为栅极配线12与在行方向上相邻的两个像素电极11的间隙重叠地配置，所以与实施方式3一样，能够覆盖相邻的两个像素电极11的行方向和列方向的全部间隙，成为具有高对比度的液晶显示装置。

(实施方式9)

图13是表示实施方式9的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。如图13所示，在实施方式9的液晶显示装置中，在以下两方面与实施方式1不同，其它与实施方式1相同，该两方面为，源极配线13不在像素电极11的中央，而在比像素电极11的中央更接近栅极配线12的一侧具有弯曲点18这一方面和源极配线13在更接近栅极配线12一侧具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极11的间隙的横断部20这一方面。在实施方式9中，也因为源极配线13实质上仅在与CS配线17的交叉点重叠，所以在抑制在源极配线13和CS配线17之间形成静电电容的产生这一方面，能够得到与实施方式1相同的效果。

(实施方式10)

图14是表示实施方式10的液晶显示装置的像素结构的平面示意图。如图14所示，在实施方式10的液晶显示装置中，在以下四方面与实施方式1不同，其它与实施方式1相同，该四方面为，源极配线13与CS配线17的延伸部19、栅极配线12的延伸部29和浮置电极39中的任一个均不重叠这一方面、源极配线13不在像素电极11的中央，而在比像素电极11的中央更接近栅极配线12的一侧具有弯曲点，并在更接近栅极配线12一侧具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极11的间隙的横断部这一方面、与在列方向上相邻的两个像素电极11的间隙重叠的配线不是栅极配线12而是CS配线17这一方面以及CS配线17和栅极配线12双方具有延伸部这一方面。在实施方式10中，也因为源极配线13实质上仅在与CS配线17的交叉点与CS配线17重叠，并且因为源极配线13实质上仅在与栅极配线12的交叉点与栅极配线12重叠，所以在抑制在源极配线13和CS配线17之间形成静电电容的产生以及抑制源极配线13与栅极配线12之间形成的静电电容的产生方面，能够得到与实施方式1相同的效果。

另外，本申请以2008年2月21日提出申请的日本专利申请2008-040101号为基础，并基于巴黎条约和过渡国的法规主张优先权。该申请的内容其全体作为参考编入本申请。

Claims (48)

1.一种有源矩阵基板，其包括：呈矩阵状配置的像素电极；源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极双方重叠地配置，且在列方向上延伸；和保持电容配线，其与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，该有源矩阵基板的特征在于：

该像素电极、源极配线和保持电容配线隔着绝缘膜各自形成在不同的层，

该源极配线在行方向上相邻的两个像素电极下分别具有弯曲点，并且该源极配线具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极的间隙的横断部，

该保持电容配线具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，且在列方向上延伸，

该源极配线实质上仅在该源极配线与保持电容配线的交叉点与保持电容配线重叠。

2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述在行方向上相邻的两个像素电极彼此极性不同。

3.如权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括栅极配线，该栅极配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该栅极配线具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，且在列方向上延伸，

4.如权利要求1～3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括栅极配线，该栅极配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该栅极配线与保持电容配线配置在相同的层。

5.如权利要求1～3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括栅极配线，该栅极配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该栅极配线与保持电容配线隔着绝缘膜配置在不同的层。

6.如权利要求5所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙与栅极配线和保持电容配线中的至少一方重叠。

7.如权利要求3～6中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述栅极配线与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。

8.如权利要求1～6中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述保持电容配线与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。

9.如权利要求1～8中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括浮置电极，该浮置电极与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。

10.如权利要求9所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述浮置电极实质上仅在该浮置电极与保持电容配线的交叉点与保持电容配线重叠。

11.如权利要求9所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述浮置电极实质上与保持电容配线不重叠。

12.如权利要求9或11所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述浮置电极与保持电容配线配置在相同的层。

13.如权利要求9～11中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述浮置电极与保持电容配线隔着绝缘膜配置在不同的层。

14.如权利要求13所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙与浮置电极、保持电容配线和栅极配线中的至少一个重叠。

15.一种液晶显示装置，其依次叠层有：权利要求1～14中任一项所述的有源矩阵基板；液晶层；和对置基板，该液晶显示装置的特征在于：

该对置基板具有与相邻的两个像素电极的间隙重叠的黑矩阵。

16.一种有源矩阵基板，其包括：呈矩阵状配置的像素电极；源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极双方重叠地配置，且在列方向上延伸；和栅极配线，其与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，该有源矩阵基板的特征在于：

该像素电极、源极配线和栅极配线隔着绝缘膜各自形成在不同的层，

该源极配线在行方向上相邻的两个像素电极下分别具有弯曲点，并且该源极配线具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极的间隙的横断部，

该栅极配线具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，且在列方向上延伸，

该源极配线实质上仅在该源极配线与栅极配线的交叉点与栅极配线重叠。

17.如权利要求16所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述在行方向上相邻的两个像素电极彼此极性不同。

18.如权利要求16或17所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括保持电容配线，该保持电容配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该保持电容配线具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，且在列方向上延伸，

19.如权利要求16～18中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括保持电容配线，该保持电容配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该保持电容配线与栅极配线配置在相同的层。

20.如权利要求16～18中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括保持电容配线，该保持电容配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该保持电容配线与栅极配线隔着绝缘膜配置在不同的层。

21.如权利要求20所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙与保持电容配线和栅极配线中的至少一方重叠。

22.如权利要求18～21中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述保持电容配线与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。

23.如权利要求16～21中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述栅极配线与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。

24.如权利要求16～23中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括浮置电极，该浮置电极与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。

25.如权利要求24所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述浮置电极实质上仅在该浮置电极与保持电容配线的交叉点与保持电容配线重叠。

26.如权利要求24所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述浮置电极实质上与保持电容配线不重叠。

27.如权利要求24或26所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述浮置电极与栅极配线配置在相同的层。

28.如权利要求24～26中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述浮置电极与栅极配线隔着绝缘膜配置在不同的层。

29.如权利要求28所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙与浮置电极、栅极配线和保持电容配线中的至少一个重叠。

30.一种液晶显示装置，其依次叠层有：权利要求16～29中任一项所述的有源矩阵基板；液晶层；和对置基板，该液晶显示装置的特征在于：

该对置基板具有与相邻的两个像素电极的间隙重叠的黑矩阵。

31.一种有源矩阵基板，其包括：呈矩阵状配置的像素电极；和源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极双方重叠地配置，且在列方向上延伸，该有源矩阵基板的特征在于：

该像素电极和源极配线隔着绝缘膜各自形成在不同的层，

该源极配线在行方向上相邻的两个像素电极下分别具有弯曲点，并且该源极配线具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极的间隙的横断部，

该有源矩阵基板包括浮置电极，该浮置电极与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，且在列方向上延伸。

32.如权利要求31所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括保持电容配线，该保持电容配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

所述浮置电极实质上仅在该浮置电极与保持电容配线的交叉点与保持电容配线重叠。

33.如权利要求31所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括保持电容配线，该保持电容配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

所述浮置电极实质上与保持电容配线不重叠。

34.如权利要求31～33中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述在行方向上相邻的两个像素电极彼此极性不同。

35.如权利要求31～34中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括保持电容配线，该保持电容配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该保持电容配线具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，且在列方向上延伸，

36.如权利要求31和33～35中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括保持电容配线，该保持电容配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该保持电容配线与浮置电极配置在相同的层。

37.如权利要求31～35中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括保持电容配线，该保持电容配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该保持电容配线与浮置电极隔着绝缘膜配置在不同的层。

38.如权利要求37所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙与保持电容配线和浮置电极中的至少一方重叠。

39.如权利要求31～38中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述保持电容配线与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。

40.如权利要求31所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括栅极配线，该栅极配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

所述浮置电极实质上仅在该浮置电极与栅极配线的交叉点与保持电容配线重叠。

41.如权利要求31所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括保持电容配线，该保持电容配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

所述浮置电极实质上与栅极配线不重叠。

42.如权利要求31、40或41所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述在行方向上相邻的两个像素电极彼此极性不同。

43.如权利要求31和40～42中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括栅极配线，该栅极配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该栅极配线具有延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，且在列方向上延伸，

44.如权利要求31和41～43中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括栅极配线，该栅极配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该栅极配线与浮置电极配置在相同的层。

45.如权利要求31和40～43中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述有源矩阵基板进一步包括栅极配线，该栅极配线与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，

该栅极配线与浮置电极隔着绝缘膜配置在不同的层。

46.如权利要求45所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述在行方向上相邻的两个像素电极的间隙与栅极配线和浮置电极中的至少一方重叠。

47.如权利要求31和40～46中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述栅极配线与在列方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置。

48.一种液晶显示装置，其依次叠层有：有源矩阵基板、液晶层和对置基板，该液晶显示装置的特征在于：

该有源矩阵基板是权利要求31～47中任一项所述的有源矩阵基板，

该对置基板具有与相邻的两个像素电极的间隙重叠的黑矩阵。

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