JP4197016B2 - 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及び該電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、直視型ディスプレイのみならず、例えば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）としても多用されている。特に投射型表示装置の場合、光源からの強い光が液晶ライトバルブに入射されるため、この光によって液晶ライトバルブ内の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）がリーク電流の増大や誤動作等を生じないよう、入射光を遮る遮光手段としての遮光膜が液晶ライトバルブに内蔵されている。このような遮光手段或いは遮光膜について、例えば特許文献１は、ＴＦＴのチャネル領域において、ゲート電極として機能する走査線によって遮光する技術を開示している。特許文献２によれば、チャネル領域上に形成された複数の遮光膜と、内面反射光を吸収する層とを設けることによってＴＦＴのチャネル領域に到達する光を低減している。特許文献３は、ＴＦＴの好適な動作の確保及び走査線の狭小化を可能としつつ、ＴＦＴのチャネル領域に入射する入射光を極力低減する技術を開示している。

他方、この種の電気光学装置では、基板上における遮光膜が形成された領域、即ち基板上において光を透過させない領域に、画素電極に供給される画像信号を一時的に保持することによって画素電極の電位を一定期間保持する保持容量が設けられる。このような保持容量は、当該保持容量の構成要素である電極を遮光膜として兼用し、ＴＦＴを遮光することもできる。

特開２００４−４７２２号公報 特許３７３１４４７号公報 特開２００３−２６２８８８号公報

しかしながら、例えば、チャネル領域とソースドレイン領域との間に形成される、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域等の接合領域に光が照射された場合には、接合領域に光リーク電流が生じてしまうという問題点がある。このような問題点に対し、チャネル領域の両側の各々の接合領域上に遮光手段を設けることが考えられるが、画素において実質的に光が透過する開口領域を狭めることは、表示性能の観点から好ましくない。一方、画素電極に接続されたソースドレイン領域とチャネル領域との間に形成された接合領域に光が照射された場合には、データ線に接続されたソースドレイン領域とチャネル領域との間に形成された接合領域に光が照射された場合と比較して、ＴＦＴにおける光リーク電流が生じやすいと本願発明者は推察している。

本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、アクティブマトリクス方式で駆動される液晶装置等の電気光学装置であって、高い開口率を実現しつつ、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効果的に低減可能な電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及びそのような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、並びに電子機器を提供することを課題とする。

本発明に係る第１の電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して規定され、且つ前記基板上の表示領域を構成する複数の画素の各々に形成された画素電極と、前記複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に設けられており、前記表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域とを有する半導体層を含むトランジスタと、前記半導体層よりも上層側に形成されており、前記第１の接合領域を覆う第１部分と、前記第２の接合領域を覆うと共に前記第１部分より前記一の方向に交わる他の方向の幅が広い第２部分とを有する遮光部とを備える。

本発明に係る第１の電気光学装置用基板によれば、例えば、データ線から画素電極へ画像信号が制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたトランジスタがオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線からトランジスタを介して画素電極に供給される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極であり、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられている。

トランジスタは、チャネル領域、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を有する半導体層を含む。例えば、ゲート電極がチャネル領域に重なるように形成される。トランジスタは、複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に設けられる。ここで、本発明に係る「開口領域」とは、実質的に光が透過する画素内の領域であり、例えば、画素電極が形成される領域であって、透過率の変更に応じて液晶等の電気光学物質を抜けてきた出射光の階調を変化させることが可能となる領域である。換言すれば、「開口領域」とは、画素に集光される光が光を透過させない、或いは光透過率が透明電極に比べて相対的に小さい配線、遮光膜、及び各種素子等の遮光体で遮られることがない領域を意味する。本発明に係る「非開口領域」とは、表示に寄与する光が透過しない領域を意味し、例えば画素内に非透明な配線或いは電極、若しくは各種素子等の遮光体が配設されている領域を意味する。

チャネル領域は、表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有する。本発明に係る「一の方向」とは、例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の行方向、即ち複数のデータ線が配列される配列方向或いは複数の走査線の各々が延びる方向（即ちＸ方向）、又は例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の列方向、即ち複数の走査線が配列される配列方向或いは複数のデータ線の各々が延びる方向（即ちＹ方向）を意味する。

データ線側ソースドレイン領域はデータ線と互いに電気的に接続され、画素電極側ソースドレイン領域は画素電極と互いに電気的に接続される。更に、半導体層のチャネル領域とデータ線側ソースドレイン領域との間には第１の接合領域が形成され、半導体層のチャネル領域と画素電極側ソースドレイン領域との間には第２の接合領域が形成される。第１の接合領域は、チャネル領域とデータ線側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域であり、第２の接合領域は、チャネル領域と画素電極側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域である。即ち、第１及び第２の接合領域は、例えば、トランジスタが例えばＰＮＰ型或いはＮＰＮ型トランジスタ（即ち、Ｎチャネル型或いはＰチャネル型トランジスタ）として形成された場合におけるＰＮ接合領域や、トランジスタがＬＤＤ構造を有する場合におけるＬＤＤ領域（即ち、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層に不純物を打ち込んでなる不純物領域）を意味する。

遮光部は、基板上の積層構造において半導体層よりも上層側に、典型的には、半導体層を覆うように形成される。尚、遮光部は、非開口領域において一の方向に交わる他の方向に沿って延在する延在部を有していてもよい。遮光部は、遮光膜のように遮光性を有する単層或いは複数層からなる膜状の遮光体であってもよいし、遮光性を有する電極を含む各種素子であってもよい。遮光部は、第１の接合領域を覆う第１部分と、第２の接合領域を覆う第２部分とを有する。よって、第１及び第２の接合領域に上層側から入射する光を、第１及び第２部分の各々によって遮光することができる。従って、第１及び第２の接合領域における光リーク電流の発生を低減できる。

本発明では特に、遮光部における、第２の接合領域を覆う第２部分は、第１の接合領域を覆う第１部分よりも一の方向に交わる他の方向の幅が広くなるように構成される。即ち、第２部分は、例えばＹ方向に沿って延びる半導体層に対して、例えばＸ方向の幅が、第１部分よりも広くなるように構成される。言い換えれば、第２部分は、他の方向に沿って、第１部分よりも長く延びる延在部を有する。よって、第２の接合領域に入射する光を、第１の接合領域に入射する光よりも確実に遮光できる。即ち、第２の接合領域に到達する光を遮る遮光性を、第１の接合領域に到達する光を遮る遮光性よりも高める（即ち、強化する）ことができる。ここで、本願発明者は、トランジスタの動作時に、第２の接合領域において、第１の接合領域に比べて光リーク電流が相対的に発生しやすいと推察している。従って、第２部分が第１部分よりも広い幅を有するように形成されることによって、光リーク電流が相対的に生じ易い第２の接合領域に対する遮光性を高めることができ、トランジスタに流れる光リーク電流を効果的に低減できる。逆に言えば、第２の接合領域に比べて光リーク電流が相対的に発生しにくい第１の接合領域を覆う第１部分が、第２部分よりも狭い幅を有するように形成されることによって、開口率の無駄な低下を防止できる。

即ち、第２部分の幅を広く形成することによって、光リーク電流が相対的に発生しやすい第２の接合領域に対する遮光性を向上させつつ、第１部分の幅を狭く形成することによって、開口率の無駄な低下を防止できる。つまり、光リーク電流が発生しやすい第２の接合領域に対する遮光性を、いわばピンポイントで高めることで、開口率の無駄な低下を招くことなく、トランジスタにおける光リーク電流を効果的に低減できる。ここで、「開口率」とは、開口領域及び非開口領域を加えた画素のサイズにおける開口領域の割合を意味し、開口率が大きいほど本発明に係る電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の表示性能が向上する。

以上説明したように、本発明に係る第１の電気光学装置用基板によれば、開口率の無駄な低下を招くことなく、光リーク電流の発生に起因して生じるフリッカ等の表示不良を低減可能な電気光学装置を提供可能である。

本発明に係る第１の電気光学装置用基板の一態様では、前記第２の接合領域は、ＬＤＤ領域である。

この態様によれば、トランジスタは、ＬＤＤ構造を有する。よって、トランジスタの非動作時において、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つトランジスタの動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。

本発明に係る第１の電気光学装置用基板の他の態様では、前記遮光部は、前記トランジスタの直上に配置される。

この態様によれば、基板上の積層構造における遮光部及びトランジスタ間において半導体層に対して斜めに入射する入射光をより低減できる。より具体的には、遮光部及びトランジスタ間に遮光部とは別の他の遮光膜を介在させる場合に比べて、遮光部及びトランジスタの積層方向の距離を近づけることができ、その分半導体層の法線方向に対して大きな角度で当該半導体層に斜めに入射する光を遮光部によって遮ることが可能である。

本発明に係る第１の電気光学装置用基板の他の態様では、前記遮光部は、一対の容量電極及び該一対の容量電極間に挟持された誘電体膜を有する容量素子であり、前記容量素子は、前記データ線を介して前記画素電極に画像信号が供給された際に、前記画素電極の電位を保持する。

この態様によれば、容量素子は、画素電極の電位を一時的に保持する保持容量である。容量素子を遮光部として兼用することによって、別途遮光膜を設ける場合に比べて当該電気光学装置用基板における回路構成及び当該回路を構成する配線等のレイアウトを簡略化できる。

上述した遮光部が容量素子である態様では、前記一対の容量電極の少なくとも一方は、導電性遮光膜を含んでなるようにしてもよい。

この態様によれば、トランジスタ上に例えば層間絶縁膜を介して近接配置可能な容量素子によって、半導層に上層側から入射する光を確実に遮光できる。尚、導電性遮光膜としては、例えば導電性ポリシリコン、やチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いはタングステンシリサイドが挙げられる。

本発明に係る第２の電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して規定され、且つ前記基板上の表示領域を構成する複数の画素の各々に形成された画素電極と、（ｉ）前記複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち前記表示領域内の第１方向に沿って延びる第１領域において前記第１方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域とを有する半導体層、並びに（ｉｉ）前記非開口領域のうち前記第１方向に交わる第２方向に沿って延びる第２領域及び前記第１領域が相互に交差する交差領域において前記チャネル領域に重なるゲート電極を有するトランジスタと、前記半導体層よりも上層側に形成されており、前記第１方向及び前記第２方向の各々に沿って延びる第１部分及び第２部分、並びに前記交差領域において前記第１部分及び前記第２部分が相互に交差する交差部を有する遮光部とを備え、前記第２の接合領域の少なくとも一部は、前記交差領域において前記交差部と重なる。

本発明に係る第２の電気光学装置用基板によれば、上述した本発明に係る第１の電気光学装置用基板と概ね同様に、画像表示が可能となる。

トランジスタは、チャネル領域を含む半導体層と、該チャネル領域に重なるゲート電極とを有する。チャネル領域は、複数の画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち表示領域内の第１方向に沿って延びる第１領域において第１方向に沿ったチャネル長を有する。ここで、本発明に係る「第１領域」とは、互いに隣接する開口領域を相互に隔てるように表示領域に格子状に延びる非開口領域のうち当該表示領域の第１方向に延びる領域である。より具体的には、例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の列方向、即ち複数の走査線が配列される配列方向である。複数の走査線に交差するデータ線は、第１領域に形成されていることになり、走査線は後述する第２領域に形成されている。半導体層は、チャネル領域及びデータ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、チャネル領域及び画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域とを有する。即ち、半導体層は、チャネル領域を基準として、データ線側ソースドレイン領域の側に形成された第１の接合領域と画素電極側ソースドレイン領域の側に形成された第２の接合領域とを有する。

ゲート電極は、非開口領域のうち第１方向に交わる第２方向に延びる第２領域及び第１領域が相互に交差する交差領域においてチャネル領域に重なる。ここで、本発明に係る「第２領域」とは、例えば非開口領域のうちデータ線に交差する走査線が配置された領域である。ゲート電極は、走査線のうちチャネル領域に重なる部分であってもよいし、走査線とは別に設けられた導電膜でもよい。このような導電膜は、コンタクトホール等の接続手段を介して走査線に電気的に接続される。本発明に係る「交差領域」とは、第１領域及び第２領域が交差する領域、より具体的には、非開口領域のうち互いに隣接した４つの画素の各々の開口領域相互の中間に位置する領域である。

遮光部は、基板上の積層構造において半導体層より上層側に形成されており、第１方向及び第２方向の各々に沿って延びる第１部分及び第２部分、並びに交差領域において第１部分及び第２部分が相互に交差してなる交差部を有する。第１部分は、交差領域を基準として第１方向に沿った一方に延びていてもよいし、第１方向に沿って交差領域の両側に向かって延びていてもよい。また、第２部分は、交差領域から第２方向に沿って延びている。第２部分は、第２方向に沿って交差領域の両側の各々に延びていてもよいし、片側に延びていてもよい。要するに、遮光部は、交差領域に位置する交差部を基準として互いに交差する第１方向及び第２方向の各々に延びる部分を有していればよい。第２の接合領域に到達する光を遮る遮光性を高める観点からみれば、第２部分は交差領域の両側の各々に延びているほうが好ましい。

本発明では特に、第２の接合領域の少なくとも一部は、交差領域において交差部と重なる。例えば、半導体層は、第２の接合領域が交差領域において交差部と重なると共に、第１の接合領域が交差部と重ならないように配置してもよい。上述したように、本願発明者は、トランジスタの動作時に、第２の接合領域において、第１の接合領域に比べて光リーク電流が相対的に発生しやすいと推察している。交差部及び第２部分は、第２の接合領域の少なくとも一部が交差部に重なることにより、第２の接合領域が交差部に重ならない場合に比べて当該第２の接合領域に照射される光を低減できる。より具体的には、第１方向において、第１部分の表面に沿うように当該表面の法線方向に対して大きな角度で第２の接合領域に斜めに入射する入射光は、第１部分が第１方向に沿って延びているため、第１部分によって遮光される。他方、第２方向において、第２部分の表面に沿うように当該表面の法線方向に対して大きな角度で第２の接合領域に斜めに入射する入射光は、交差部及び第２方向に沿って延びる第２部分によって遮光される。よって、第２の接合領域を交差部に重ねることによって、第２の接合領域に対する遮光性を高めることができる。従って、光リーク電流が相対的に発生しやすい第２の接合領域に対する遮光性を高めるために、例えば遮光部の第１部分或いは第２部分の幅を広げる必要がない。つまり、本発明によれば、第２の接合領域に対する遮光性を向上させつつも、開口率の低下を殆ど或いは全く招かない。尚、開口率を向上させる観点から遮光部の第１部分及び第２部分の幅は狭くすることが望ましい。即ち、交差部は小さくすることが望ましい。第２の接合領域と比較して、光リーク電流が発生しにくい第１の接合領域は、交差部に重ならなくてもよい。

以上説明したように、本発明に係る第２の電気光学装置用基板によれば、開口率の無駄な低下を招くことなく、光リーク電流の発生に起因して生じるフリッカ等の表示不良を低減可能な電気光学装置を提供可能である。

本発明に係る第２の電気光学装置用基板の一態様では、前記第２の接合領域は、ＬＤＤ領域である。

この態様によれば、トランジスタの非動作時において、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つトランジスタの動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。

本発明に係る第２の電気光学装置用基板の他の態様では、前記ゲート電極は、前記第２領域において前記第２方向に沿って延びる本線部と、前記第１領域において、前記本線部から前記第１方向に沿って前記第１の接合領域の側に突出した凸部を有する。

この態様では、チャネル長は、トランジスタに要求される素子特性に応じて設定されるため、第２の接合領域が交差部に重なるようにチャネル領域の大きさ、或いは当該チャネル長に沿った半導体層の長さを変更することは、本来のトランジスタの素子特性を変更することになる。従って、光リーク電流の発生を低減したとしても、トランジスタに要求されるスイッチング特性等の素子特性自体に変更をきたすこととなり、光リーク電流を低減できる利点が得られる反面、本来の素子特性を得ることができなくなる。特に、チャネル長が、ゲート電極の本線部の幅以上である場合、第２の接合領域の少なくとも一部が交差部に重なることによってチャネル領域が第１方向に沿って本線部からはみ出してしまう。

しかるに本態様によれば、ゲート電極は、本線部から第１方向に沿って第１の接合領域の側に突出した凸部を有するので、第１方向に沿って第１の接合領域の側にずらしてチャネル領域が設けられていても、チャネル領域に重ねてゲート電極を配置することができる。更に、凸部は、第１方向に沿って延びる第１部分に重なるため、非開口領域を増大させることもない。従って、開口率を低下させることなく、チャネル領域にゲート電極を重ねて配置できる。

上述した、ゲート電極が凸部を有する態様では、前記ゲート電極は、前記交差領域において前記本線部が前記第２の接合領域に重ならないように前記本線部が部分的に切り欠かれてなる凹部を有するようにしてもよい。

この態様によれば、ゲート電極が第２の接合領域に重ならないようにしつつ、第２の接合領域を交差部における中央寄りに重ねることができる。

本発明に係る第２の電気光学装置用基板の他の態様では、前記遮光部は、前記トランジスタの直上に配置される。

この態様によれば、遮光部及びトランジスタ間において半導体層に対して斜めに入射する入射光をより低減できる。

本発明に係る第２の電気光学装置用基板の他の態様では、前記遮光部は、一対の容量電極及び前記一対の容量電極間に挟持された誘電体膜を有する容量素子であり、前記容量素子は、前記データ線を介して前記画素電極に画像信号が供給された際に、前記画素電極の電位を保持する。

この態様によれば、容量素子を遮光部として兼用することによって、別途遮光膜を設ける場合に比べて当該電気光学装置用基板における回路構成及び当該回路を構成する配線等のレイアウトを簡略化できる。

上述した、遮光部が容量素子である態様では、前記一対の容量電極の各々は、金属膜から形成されるようにしてもよい。

この態様によれば、容量素子は、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜が積層されてなる、所謂ＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造を有する。このような容量素子によれば、一対の容量電極に供給される各種信号に応じて当該一対の容量電極で消費される消費電力を低減できる。加えて、半導体層に比べて導電率が高いため、当該画像信号の供給に応じて画像信号に応じた電位が即座に画素電極に供給されるため、画質を高めることが可能である。

上述した、遮光部が容量素子である態様では、前記一対の容量電極の一方は、半導体から形成されるようにしてもよい。

この態様によれば、容量素子は、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−半導体膜が積層されてなる、所謂ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造を有する。このような容量素子によれば、例えば一方の容量電極となる半導体層を画素電極に電気的に接続することもできる。

本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明に係る第１又は第２の電気光学装置用基板を備える。

本発明に係る電気光学装置によれば、上述した本発明に係る第１又は第２の電気光学装置用基板を備えているため、表示性能に優れた電気光学装置を提供することができる。

本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなる。

本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
＜第１実施形態＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられる、本発明に係る「表示領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０もＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。

ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。例えば、画素電極９ａはＩＴＯ膜などの透明導電膜からなり、配向膜は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。

対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電膜からなる。配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。

対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、後述する上部容量電極３００として設けられた上側遮光膜と併せ、ＴＦＴアレイ基板１０側からの入射光のチャネル領域１ａ´ないしその周辺への侵入をより確実に阻止することができる。

このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態をとる。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な接続構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ及び本発明に係る「トランジスタ」の一例であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に、本発明に係る「遮光部」の一例である蓄積容量７０ａが電気的に接続されている。蓄積容量７０ａは、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０ａによれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。

次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、相隣接する複数の画素部の平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図４及び図５では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。図５において、ＴＦＴアレイ基板１０から画素電極９ａまでの部分が、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例を構成している。

図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａは、画素電極９ａが夫々設けられた複数の画素によって構成されている。

画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線３ａと交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線３ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０ａ、下側遮光膜１１ａ、中継層９３及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線３ａ、蓄積容量７０ａ、データ線６ａ、下側遮光膜１１ａ、及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。

図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、ゲート電極とされる走査線３ａの一部とを備えている。

半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極線側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。尚、データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、本発明に係る第１の接合領域の一例であり、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、本発明に係る第２の接合領域の一例である。

データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極線側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ´を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ´及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ´及び画素電極線側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極線側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極線側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極線側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

図４及び図５に示すように、ＴＦＴ３０のゲート電極は、走査線３ａの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びる本線部分と共に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´のうち該本線部分が重ならない領域と重なるようにＹ方向に沿って該本線部から両側に延在する部分を有している。このような走査線３ａのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極として機能する。ゲート電極及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２（より具体的には、２層の絶縁膜２ａ及び２ｂ）によって絶縁されている。

ＴＦＴ３０の下側に下地絶縁膜１２を介して格子状に設けられた下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´及びその周辺を遮光する。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。

下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０ａが設けられている。蓄積容量７０ａは、下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３００が誘電体膜７５ａを介して対向配置されることにより形成されている。

上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０の画素電極線側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、上部容量電極３００は、コンタクトホール８４ａを介して中継層９３に電気的に接続されており、中継層９３と共に画素電極線側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。加えて、中継層９３は、中継層９３の一部である凸部９３ａ及び当該凸部９３ａに電気的に接続されたコンタクトホール８５ａを介して画素電極９ａに電気的に接続されている。従って、画素電極９ａ及び上部容量電極３００は、電気的に接続されている。

上部容量電極３００は、例えば金属又は合金を含んでＴＦＴ３０の上側に設けられた非透明な金属膜である。上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（或いは、内蔵遮光膜）としても機能する。上部容量電極３００は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属を含んで形成されている。

尚、上部容量電極３００は、本発明に係る「導電性遮光膜」として、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものから構成されていてもよい。この場合には、上部容量電極３００の上側遮光膜としての機能を一層高めることができる。

下部容量電極７１ｍは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。下部容量電極７１ｍは、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。

下部容量電極７１ｍも、上部容量電極３００と同様に非透明な金属膜である。従って、蓄積容量７０ａは、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ構造を有している。ここで、下部容量電極７１ｍは、複数の画素に亘って延在され、これら複数の画素によって共用される。

本実施形態では特に、下部容量電極７１ｍが金属膜として形成されているので、半導体を用いて下部容量電極７１ｍを構成する場合に比べて液晶装置の駆動時に、当該液晶装置全体で消費される消費電力を低減でき、且つ各画素部における素子の高速動作が可能になる。従って、本実施形態に係る液晶装置は、高品位の画像表示が可能である。

誘電体膜７５ａは、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０ａよりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。

データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、層間絶縁膜４１及び４２並びにゲート絶縁膜２を貫通するコンタクトホール８１ａを介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１ａ内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。

中継層９３は、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。

図５において、画素電極９ａは、データ線６ａよりも層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、上部容量電極３００、コンタクトホール８３ａ、８４ａ及び８５ａ、並びに中継層９３を介して半導体層１ａの画素電極線側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。コンタクトホール８５ａは、層間絶縁層４３に開孔された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。

以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、本実施形態に係る液晶装置では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。

次に、本実施形態に係る液晶装置の遮光部としての蓄積容量を構成する一対の容量電極の平面形状について、図６を参照して詳細に説明する。ここに図６は、本実施形態に係る液晶装置の蓄積容量を構成する一対の容量電極の平面形状を示す平面図である。尚、図６では、図４に示した画素部を構成する構成要素のうち、ＴＦＴ３０、走査線３ａ及び蓄積容量７０ａを拡大して示している。

図６に示すように、蓄積容量７０ａを構成する上部容量電極３００は、データ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１部分３０１と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを覆う第２部分３０２とを有している。よって、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに上層側から入射する光を、第１部分３０１及び第２部分３０２の各々によって遮光することができる。従って、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおける光リーク電流の発生を低減できる。

本実施形態では特に、上部容量電極３００における第２部分３０２は、第１部分３０１よりもＸ方向の幅が広くなるように構成されている。即ち、第２部分３０２のＸ方向の幅Ｗ２は、第１部分３０１のＸ方向の幅Ｗ１よりも広くなっている。よって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに入射する光を、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに入射する光よりも確実に遮光できる。即ち、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに到達する光を遮る遮光性を、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに到達する光を遮る遮光性よりも高める或いは強化することができる。ここで、後に詳述するように、本願発明者は、ＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおいて、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに比べて光リーク電流が相対的に発生しやすいと推察している。即ち、ＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに光が照射された場合には、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに光が照射された場合よりも、ＴＦＴ３０における光リーク電流が発生しやすいと推察している。従って、第２部分３０２が第１部分３０１の幅Ｗ１よりも広い幅Ｗ２を有するように形成されることによって、光リーク電流が相対的に生じ易い画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性を高めることができ、ＴＦＴ３０に流れる光リーク電流を効果的に低減できる。逆に言えば、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに比べて光リーク電流が相対的に発生しにくいデータ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１部分３０１が、第２部分３０２よりも狭い幅Ｗ１を有するように形成されることによって、開口率の無駄な低下を防止できる。

即ち、第２部分３０２の幅Ｗ２を、より広く形成することによって、光リーク電流が相対的に発生しやすい画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性を向上させつつ、第１部分３０１の幅Ｗ１を、より狭く形成することによって、開口率の無駄な低下を防止できる。つまり、光リーク電流が発生しやすい画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性のみを、いわばピンポイントで高めることで、開口率の無駄な低下を招くことなく、トランジスタにおける光リーク電流を効果的に低減できる。

ここで、上述したＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおいて、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに比べて光リーク電流が相対的に発生しやすい理由について、図７から図１２を参照して、詳細に説明する。

先ず、テスト用のＴＦＴに光を照射した場合における、ドレイン電流の大きさを測定した測定結果について、図７を参照して説明する。ここに図７は、テスト用のＴＦＴにおける光照射位置とドレイン電流との関係を示すグラフである。

図７において、データＥ１は、テスト用の単体のＴＦＴ、即ちＴＥＧ（Test Element Group）に対して、光スポット（約２．４ｕｍの可視光レーザ）をドレイン領域側からソース領域側へ順に走査しつつ照射した場合におけるドレイン電流の大きさを測定した結果を示している。ＴＥＧは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域に加え、チャネル領域とソース領域との接合部に形成されたソース側接合領域、及びチャネル領域とドレイン領域との接合部に形成されたドレイン側接合領域を有している。

尚、図７の横軸は、光スポットが照射された光照射位置を示しており、チャネル領域とドレイン側接合領域との境界及びチャネル領域とソース側接合領域との境界、更にチャネル領域をゼロとしている。図７の縦軸は、ドレイン電流の大きさ（但し、所定の値で規格化された相対値）を示しており、ドレイン電流がドレイン領域からソース領域へ向かって流れている場合には、正の値（即ち、プラスの値）を示し、ドレイン電流がソース領域からドレイン領域へ向かって流れている場合には、負の値（即ち、マイナスの値）を示す。

図７において、データＥ１は、いずれの光照射位置でもプラスの値を示している。即ち、ドレイン電流が、ドレイン領域からソース領域へ向かって流れていることを示している。また、データＥ１は、ドレイン側接合領域内において、ソース側接合領域内におけるよりも大きな値を示している。即ち、ドレイン側接合領域内に光スポットが照射された場合には、ソース側接合領域内に光スポットが照射された場合よりも、ドレイン電流が大きくなることを示している。つまり、ドレイン側接合領域内に光スポットが照射された場合には、ソース側接合領域内に光スポットが照射された場合よりも、光リーク電流が大きくなることを示している。尚、ドレイン電流は、暗電流（或いはサブスレッショルドリーク、即ち、光を照射しない状態でも、ＴＥＧのオフ状態においてソース領域及びドレイン領域間に流れる漏れ電流）と光リーク電流（或いは光励起電流、即ち、光が照射されることによる電子の励起に起因して生じる電流、）とから構成されている。

次に、ドレイン側接合領域内に光スポットが照射された場合の方が、ソース側接合領域内に光スポットが照射された場合よりも、光リーク電流が大きくなるメカニズムについて、図８及び図９を参照して説明する。ここに図８は、ドレイン側接合領域において光励起が発生した場合におけるキャリアの振る舞いを示す概念図である。図９は、ソース側接合領域において光励起が発生した場合におけるキャリアの振る舞いを示す概念図である。尚、図８及び図９では、上述したＴＦＴ３０が電気的に接続された画素電極９ａにおける中間階調の表示を想定して、ソース電位（即ち、ソース領域の電位）を４．５Ｖ、ゲート電位（即ち、チャネル領域の電位）を０Ｖ、ドレイン電位（即ち、ドレイン領域の電位）を９．５Ｖとしている。図８及び図９の横軸は、ＴＥＧを構成する半導体層における各領域を示している。図８及び図９の縦軸は、電子のポテンシャル（フェルミレベル）を示している。電子は負の電荷を有するため、各領域における電位が高いほど、電子のポテンシャルは小さくなり、各領域における電位が低いほど、電子のポテンシャルは大きくなる。

図８は、チャネル領域及びドレイン領域間に形成されたドレイン側接合領域に光スポットが照射され、ドレイン側接合領域において光励起が生じる場合におけるキャリアの振舞いを示している。

図８において、光リーク電流は、２つの電流成分からなると推定できる。

即ち、第１の電流成分として、光励起によって生じた電子の移動による電流成分がある。より具体的には、ドレイン側接合領域における光励起によって生じた電子（図中、「ｅ」参照）が、ドレイン側接合領域からポテンシャルのより低いドレイン領域へ移動することにより生じる電流成分（この電流成分は、ドレイン領域からソース領域へ流れる）である。

第２の電流成分として、光励起によって生じたホール（即ち、正孔、図中、「ｈ」参照）の移動による電流成分がある。より具体的には、ドレイン側接合領域における光励起によって生じたホールが、ドレイン側接合領域からポテンシャルのより低い（即ち、電子のポテンシャルとしてはより高い）チャネル領域へ移動することによって発生するバイポーラ効果に起因する電流成分である。つまり、チャネル領域へ移動したホールの正電荷によって、チャネル領域のポテンシャル(即ち、いわゆるベースポテンシャル)がポテンシャルＬｃ１からポテンシャルＬｃ２へと引き下げられるため、ソース領域からドレイン領域へと向かう電子が増大するという効果による電流成分（この電流成分は、ドレイン領域からソース領域へ流れる）である。よって、ドレイン側接合領域において光励起が生じる場合において、第１及び第２の電流成分はいずれもドレイン電流（言い換えれば、コレクタ電流）を増大させる方向（即ち、ドレイン領域からソース領域へ流れる方向）に発生する。

図９は、チャネル領域及びソース領域間に形成されたソース側接合領域に光スポットが照射され、ソース側接合領域において光励起が生じる場合にキャリアの振舞いを示している。

図９において、光リーク電流は、図８を参照して上述したドレイン側接合領域において光励起が生じる場合とは異なり、ホールがソース側接合領域からポテンシャルのより低い（即ち、電子のポテンシャルとしてはより高い）チャネル領域へ移動するバイポーラ効果に起因した第２の電流成分が支配的であると推定できる。即ち、ソース側接合領域における光励起によって生じた電子（図中、「ｅ」参照）が、ソース側接合領域からポテンシャルのより低いソース領域へ移動することにより生じる第１の電流成分（この電流成分は、ソース領域からドレイン領域へ流れる）は、バイポーラ効果に起因した第２の電流成分（この電流成分は、ドレイン領域からソース領域へ流れる）よりも少ないと推定できる。

図９において、バイポーラ効果に起因した第２の電流成分（即ち、チャネル領域へ移動したホールの正電荷によって、ベースポテンシャルがポテンシャルＬｃ１からポテンシャルＬｃ３へと引き下げられるため、ソース領域からドレイン領域へと向かう電子が増大するという効果による電流成分）は、ドレイン領域からソース領域へと流れる。一方、上述した第１の電流成分は、ソース領域からドレイン領域へと流れる。即ち、第１の電流成分と第２の電流成分とは互いに反対方向に流れる。ここで、再び図７において、ソース側接合領域に光スポットを照射した場合には、ドレイン電流（データＥ１参照）は正の値を示している。即ち、この場合には、ドレイン電流はドレイン領域からソース領域へ向かって流れている。よって、第１の電流成分は、暗電流や第２の電流成分であるバイポーラ効果による電流成分を抑制するのみで、ドレイン電流の流れをソース領域からドレイン領域へ向かわせる程度までは大きくないといえる。

更に、チャネル領域及びソース領域間の電位差は、チャネル領域及びドレイン領域間の電位差よりも小さいため、ソース領域側の空乏化領域（即ち、ソース側接合領域）は、ドレイン領域側の空乏化領域（即ち、ドレイン側接合領域）よりも狭い。このため、ソース側接合領域に光スポットを照射した場合には、ドレイン側接合領域に光スポットを照射した場合と比較して、光励起の絶対量が少ない。

以上、図８及び図９を参照して説明したように、ドレイン側接合領域において光励起が生じる場合、第１及び第２の電流成分はいずれもドレイン電流を増大させる方向に発生する。一方、ソース側接合領域において光励起が生じる場合、第１の電流成分が第２の電流成分を抑制する。よって、ドレイン側接合領域内に光スポットが照射された場合の方が、ソース側接合領域内に光スポットが照射された場合よりも、ドレイン電流が大きくなる（即ち、光リーク電流が大きくなる）。

次に、画素電極側ソースドレイン領域がドレイン電位とされると共に画素電極側接合領域内に光スポットが照射された場合の方が、データ線側ソースドレイン領域がドレイン電位とされると共にデータ線側接合領域内に光スポットが照射された場合よりも、光リーク電流が大きくなるメカニズムについて、図１０及び図１１を参照して説明する。ここに図１０は、データ線側ソースドレイン領域がドレイン電位とされる場合において、データ線側接合領域（言い換えれば、ドレイン側接合領域）において光励起が発生したときにおけるキャリアの振る舞いを示す概念図である。図１１は、画素電極側ソースドレイン領域がドレイン電位とされる場合において、画素電極側接合領域（言い換えれば、ドレイン側接合領域）において光励起が発生したときにおけるキャリアの振る舞いを示す概念図である。

以下では、画素スイッチング用のＴＦＴを含む画素部に電荷が保持され、光励起が生じた場合を考える。上述したようなＴＥＧを想定した場合と異なる点は、画素スイッチング用のＴＦＴの画素電極側は、フローティング状態になり得る点である。画素スイッチング用のＴＦＴの画素電極側には、蓄積容量７０ａの如き保持容量が接続される場合もあり、容量値が十分に大きければ、上述したＴＥＧを用いた場合と同様に固定電極に近い状態となるが、容量が十分に大きくなければ、フローティング状態或いはこれに近い状態になる。尚、ここでは、容量値は十分には大きくないものと仮定する。

図１０及び図１１において、液晶装置では、いわゆる焼き付きを防止するために交流駆動が採用される。ここでは、中間階調の表示を想定して、画素電極に、７Ｖを基準電位として、４．５Ｖのマイナスフィールドの電荷と９．５Ｖのプラスフィールドの電荷とが交互に保持される場合を想定する。このため画素スイッチング用のＴＦＴのソース及びドレインは、画素電極側ソースドレイン領域とデータ線側ソースドレイン領域との間で、固定ではなく変化する。即ち、図１０に示すように、画素電極にマイナスフィールドの電荷が保持される場合（即ち、画素電極側ソースドレイン領域の電位がデータ線側ソースドレイン領域の電位よりも低くなる場合）には、画素電極側ソースドレイン領域は、ソースとなるのに対し、図１１に示すように、画素電極にプラスフィールドの電荷が保持される場合（即ち、画素電極側ソースドレイン領域の電位がデータ線側ソースドレイン領域の電位よりも高くなる場合）には、画素電極側ソースドレイン領域は、ドレインとなる。

図１０において、画素電極にマイナスフィールドの電荷が保持される場合には、画素電極側ソースドレイン領域が、ソース（或いはエミッタ）となり、データ線側ソースドレイン領域が、ドレイン（或いはコレクタ）となる。ドレイン側接合領域であるデータ線側接合領域において光励起が生じた場合、上述したように、光励起によって生じた電子の移動による第１の電流成分とバイポーラ効果に起因する第２の電流成分が発生する。ここで、バイポーラ効果に起因する第２の電流成分が生じると（即ち、ベースポテンシャルがポテンシャルＬｃ１からポテンシャルＬｃ２へと引き下げられ、ソースである画素電極側ソースドレイン領域からドレインであるデータ線側ソースドレイン領域へ電子が移動すると）、フローティング状態である画素電極側ソースドレイン領域から電子が抜き取られることになり、エミッタとしての画素電極側ソースドレイン領域のポテンシャルが、ポテンシャルＬｓ１からポテンシャルＬｓ２へと低下する（電位は、上昇する）。即ち、ドレイン側接合領域であるデータ線側接合領域において光励起が生じた場合、ベースポテンシャルが低下すると共にエミッタとしての画素電極側ソースドレイン領域のポテンシャルも低下する。言い換えれば、ドレイン側接合領域であるデータ線側接合領域において光励起が生じた場合、ベース電位の上昇に伴ってエミッタ電位も上昇する。このため、ドレイン電流（即ち、エミッタ電流およびコレクタ電流）が、抑制されることになる。

一方、図１１において、画素電極にプラスフィールドの電荷が保持される場合には、データ電極側ソースドレイン領域が、ソース（或いはエミッタ）となり、画素電極側ソースドレイン領域が、ドレイン（或いはコレクタ）となる。ドレイン側接合領域である画素電極側接合領域において光励起が生じた場合、上述したように、光励起によって生じた電子の移動による第１の電流成分とバイポーラ効果に起因する第２の電流成分が発生する。ここで、ソースとなるデータ線側ソースドレイン領域は、データ線と接続されているため、画素電極とは異なりフローティング状態ではなく、電位に変化は生じない。バイポーラ効果に起因する第２の電流成分が生じると（即ち、ベースポテンシャルがポテンシャルＬｃ１からポテンシャルＬｃ２へと引き下げられ、ソースであるデータ線側ソースドレイン領域からドレインである画素電極ソースドレイン領域へ電子が移動すると）、フローティング状態である画素電極側ソースドレイン領域へ電子が流れ込むことになり、コレクタとしての画素電極側ソースドレイン領域のポテンシャルが、ポテンシャルＬｄ１からポテンシャルＬｄ２へと上昇する（電位は、低下する）。しかし、コレクタとしての画素電極側ソースドレイン領域のポテンシャルの上昇は、上述したソースとしての画素電極側ソースドレイン領域のポテンシャルの低下とは異なり、ドレイン電流を抑制する働きは殆どない。ドレイン電流（即ち、コレクタ電流）は、エミッタ電位に対するベース電位の大きさよって殆ど決まるため、コレクタ電位が低下してもドレイン電流を抑制する働きは殆ど生じない、言い換えれば、バイポーラトランジスタの飽和領域に入った状態である。

以上、図１０及び図１１を参照して説明したように、画素電極にプラスフィールドの電荷が保持される場合（即ち、画素電極側ソースドレイン領域が、ドレインとなる場合）には、バイポーラ効果に起因した第２の電流成分は殆ど抑制されないのに対し、画素電極にマイナスフィールドの電荷が保持される場合（即ち、データ側ソースドレイン領域が、ドレインとなる場合）には、バイポーラ効果に起因した第２の電流成分は、フローティング状態である画素電極側ソースドレイン領域の電位の上昇に起因して抑制される。つまり、画素電極側ソースドレイン領域がドレインとなる場合の方が、データ側ソースドレイン領域がドレインとなる場合よりも、光リーク電流に起因してドレイン電流が増加する。

ここで、図１２は、画素スイッチング用のＴＦＴ全体に、比較的強い光を照射した際の画素電極電位の波形を示している。

図１２において、データＥ２は、画素電極にプラスフィールドの電荷が保持される場合（画素電極電位が電位Ｖ１とされる場合）における画素電極電位の変動Δ１は、画素電極にマイナスフィールドの電荷が保持される場合（画素電極電位が電位Ｖ２とされる場合）における画素電極電位の変動Δ２よりも大きいことを示している。即ち、画素電極において、プラスフィールドの電荷は、マイナスフィールドの電荷よりも保持されにくい（つまり、光リークが発生しやすい）ことを示している。これは、画素電極にプラスフィールドの電荷が保持される場合（即ち、画素電極側ソースドレイン領域が、ドレインとなる場合）の方が、画素電極にマイナスフィールドの電荷が保持される場合（即ち、データ線側ソースドレイン領域が、ドレインとなる場合）よりも光リーク電流が生じやすいという上述したメカニズムと一致している。

以上、図７から図１２を参照して詳細に説明したように、画素スイッチング用のＴＦＴにおけるドレイン側接合領域において光励起が生じる場合にドレイン電流が増加しやすい。更に、画素電極側ソースドレイン領域がドレインとなる場合においてドレイン電流が増加しやすい（逆に言えば、データ線側ソースドレイン領域がドレインとなる場合には、バイポーラ効果に起因した電流成分が抑制されている）。よって、本実施形態に係る液晶装置のように、画素電極側接合領域である画素電極側ＬＤＤ領域に対する遮光性を、データ線側接合領域であるデータ線側ＬＤＤ領域に対する遮光性よりも高めることで、高い開口率を維持しつつ効果的に高い遮光性を得ることができる。

以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置用基板を備えた液晶装置によれば、開口率の無駄な低下を招くことなく、光リーク電流の発生に起因して生じるフリッカ等の表示不良を低減できる。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置について、図１３を参照して説明する。ここに図１３は、第２実施形態における図６と同趣旨の平面図である。尚、図１３において、図６に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

図１３において、第２実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴ３０、走査線３ａ及び蓄積容量７０ｂを備えている。

ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ´を含む半導体層１ａと、走査線３ａのうちチャネル領域１ａ´に重なる部分からなるゲート電極３ｂとを有している。チャネル領域１ａ´は、複数の画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち表示領域内のＹ方向に沿って延びる第１領域Ｄ１においてＹ方向に沿ったチャネル長Ｌ１を有している。半導体層１ａは、チャネル領域１ａ´及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されたデータ線側ＬＤＤ領域１ｂと、チャネル領域１ａ´及び画素電極側ソースドレイン領域１ｃ間に形成された画素電極側ＬＤＤ領域１ｃとを有している。即ち、半導体層１ａは、チャネル領域１ａ´を基準として、データ線側ソースドレイン領域１ｄの側に形成されたデータ線側ＬＤＤ領域１ｂと画素電極側ソースドレイン領域１ｅの側に形成された画素電極側ＬＤＤ領域１ｃとを有している。

走査線３ａは、非開口領域のうちＸ方向に延びる第２領域Ｄ２に、Ｘ方向に沿って形成されている。走査線３ａの一部はゲート電極３ｂとして形成されている。ゲート電極３ｂは、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２が相互に交差する交差領域においてチャネル領域１ａ´に重なっている。

蓄積容量７０ｂは、上部容量電極３００ｂ、下部容量電極７１ｎ及びこれら容量電極間に狭持された誘電体膜を備えている。蓄積容量７０ｂは、上部容量電極３００ｂ及び下部容量電極７１ｎの平面形状が、上述した第１実施形態における蓄積容量７０ａの上部容量電極３００及び下部容量電極７１ｍの平面形状と異なる。他の点については、蓄積容量７０ｂは、蓄積容量７０ａと概ね同様に構成されている。

蓄積容量７０ｂは、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２が相互に交差する交差領域からＹ方向に沿って延びる第１部分Ｐｙと、当該交差領域からＸ方向に沿って延びる第２部分Ｐｘと、第１部分Ｐｙ及び第２部分Ｐｘが交差領域で相互に交差する交差部Ｃｄを有している。

第１部分Ｐｙは、下部容量電極７１ｎのうちＹ方向に沿って延びる下部容量電極Ｙ側延在部７１ｎｙと、上部容量電極３００ｂのうちＹ方向に沿って延びる上部容量電極Ｙ側延在部３００ｂｙと、誘電体膜のうち下部容量電極Ｙ側延在部７１ｍｙ及び上部容量電極Ｙ側延在部３００ｂｙ間に延在する部分とから構成されている。第２部分Ｐｘは、下部容量電極７１ｎのうちＸ方向に沿って延びる下部容量電極Ｘ側延在部７１ｎｘと、上部容量電極３００ｂのうちＸ方向に沿って延びる上部容量電極Ｘ側延在部３００ｂｘと、誘電体膜のうち下部容量電極Ｘ側延在部７１ｎｘ及び上部容量電極Ｘ側延在部３００ｂｘ間に延在する部分とから構成されている。

本実施形態では特に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの少なくとも一部は、交差領域において交差部Ｃｄと、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、互いに重なっている。尚、データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、交差部Ｃｄと重なっていない。図７から図１２を参照して詳細に説明したように、本願発明者は、ＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおいて、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに比べて光リーク電流が相対的に発生しやすいと推察している。交差部Ｃｄ及び第２部分Ｐｘは、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの少なくとも一部が交差部Ｃｄに重なることにより、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃが交差部Ｃｄに重ならない場合に比べて画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに照射される光を低減できる。より具体的には、Ｙ方向において、第１部分Ｐｙの表面に沿うように当該表面の法線方向に対して大きな角度で画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに斜めに入射する入射光は、第１部分ＰｙがＹ方向に沿って延びているため、第１部分Ｐｙによって遮光される。他方、Ｘ方向において、第２部分Ｐｘの表面に沿うように当該表面の法線方向に対して大きな角度で画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに斜めに入射する入射光は、交差部Ｃｄ及びＸ方向に沿って延びる第２部分Ｐｘによって遮光される。よって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを交差部Ｃｄに重ねることによって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性を高めることができる。従って、光リーク電流が相対的に発生しやすい画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性を高めるために、蓄積容量７０ｂの第１部分Ｐｙ或いは第２部分Ｐｘの幅を広げる必要がない。つまり、本実施形態に係る液晶装置によれば、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性を向上させつつも、開口率の低下を殆ど或いは全く招かない。尚、開口率を向上させる観点から蓄積容量７０ｂの第１部分Ｐｙ及び第２部分Ｐｘの幅は狭くすることが望ましい。即ち、交差部Ｃｄは小さくすることが望ましい。

尚、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃと比較して、光リーク電流が発生しにくいデータ線側ＬＤＤ領域１ｂは、交差部Ｃｄに重ならなくてもよい。この場合でも、データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、蓄積容量７０ｂの第１部分Ｐｙと重なることで遮光されており、光リーク電流は実践上殆ど或いは全く発生しない。

更に、本実施形態では特に、ゲート電極３ｂは、第２領域Ｄ２においてＸ方向に沿って延びる本線部３ｂｘと、第１領域Ｄ１において、本線部３ｂｘからＹ方向に沿ってデータ線側ＬＤＤ領域１ｂの側に突出した凸部３ｂｙとを有する。チャネル領域１ａ´のチャネル長Ｌ１は、ＴＦＴ３０に要求される素子特性に応じて設定されるため、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃが交差部Ｃｄに重なるようにチャネル領域１ａ´の大きさ、或いはチャネル長Ｌ１に沿った半導体層１ａの長さを変更することは、本来のＴＦＴ３０の素子特性を変更することになってしまう。従って、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃが交差部Ｃｄに重なることで、光リーク電流の発生を低減したとしても、ＴＦＴ３０に要求されるスイッチング特性等の素子特性自体に変更をきたすこととなり、光リーク電流を低減できる利点が得られる反面、本来の素子特性を得ることができなくなる。特に、本実施形態のように、チャネル長Ｌ１が、ゲート電極３ｂの本線部３ｂｘの幅Ｗ１以上である場合において、仮に何らの対策も施さねば、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの少なくとも一部が交差部Ｃｄに重なることによってチャネル領域１ａ´がＹ方向に沿って本線部３ｂｘからはみ出してしまう。

しかるに本実施形態では特に、上述したように、ゲート電極３ｂは、本線部３ｂｘからＹ方向に沿ってデータ線側ＬＤＤ領域１ｂの側に突出した凸部３ｂｙを有している。よって、Ｙ方向に沿ってデータ線側ＬＤＤ領域１ｂの側にずらしてチャネル領域１ａ´が設けられていても、チャネル領域１ａ´に重ねてゲート電極３ｂを配置することができる。更に、凸部３ｂｙは、Ｙ方向に沿って延びる第１部分Ｐｙに重なるため、非開口領域を増大させることもない。従って、開口率を低下させることなく、チャネル領域１ａ´にゲート電極３ｂを重ねて配置できる。
＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る液晶装置について、図１４から図１６を参照して説明する。ここに図１４は、第３実施形態における図４と同趣旨の平面図である。図１５は、図１４のＢ−Ｂ´線断面図である。図１６は、第３実施形態における図６と同趣旨の平面図である。尚、図１４から図１６において、図１から図６に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

図１４及び図１５に示すように、第３実施形態に係る液晶装置は、図４及び図１５を参照して上述した第１実施形態におけるＴＦＴ３０に代えてＴＦＴ３０ｃを備えている点、蓄積容量７０ａに代えて蓄積容量７０ｃを備えている点、及び走査線３ａに代えて走査線３ｃを備えている点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。

図１４及び図１５に示すように、ＴＦＴ３０ｃは、半導体層１ａと、ゲート電極とされる走査線３ｃの一部とを備えている。半導体層１ａは、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極線側ソースドレイン領域１ｅからなる。データ線側ソースドレイン領域１ｄは、層間絶縁膜４２、絶縁膜６１、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２（具体的には絶縁膜２ａ及び２ｂ）を貫通して開孔されたコンタクトホール８１ｂを介してデータ線６ａと互いに電気的に接続されている。画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２を貫通して開孔されたコンタクトホール８３ｂを介して、後述する下部容量電極７１ｓと互いに電気的に接続されている。

図１４に示すように、本実施形態では、複数のＴＦＴ３０ｃはそれぞれ、Ｙ方向（即ち列方向）に相隣接して配置された一対のＴＦＴ３０ｃにおける、Ｙ方向に対するデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅの向きが相互に逆となるように配置されると共に、該一対のＴＦＴ３０ｃの各々のデータ線側ソースドレイン領域１ｄをデータ線６ａに電気的に接続するコンタクトホール８１ｂが共通化されている。

即ち、図１４において、上下方向を、Ｙ方向とすれば、一対のＴＦＴ３０ｃは、上下反転した或いは上下ミラー反転したＴＦＴということになる。そして、このようにミラー対称に配置された複数のＴＦＴ３０ｃは、Ｙ方向に第ｉ番目のＴＦＴ３０ｃ（ｉ）（但し、ｉは、偶数又は奇数のいずれかをとる）のデータ線側ソースドレイン領域１ｄとデータ線６ａとを接続するコンタクトホール８１ｂと、Ｙ方向に第ｉ＋１番目のＴＦＴ３０ｃ（ｉ＋１）のデータ線側ソースドレイン領域１ｄとデータ線６ａとを接続するコンタクトホール８１ｂとは、共通である。従って、一つのコンタクトホール８１ｂのみによって、一対のＴＦＴ３０ｃ（即ち、ＴＦＴ３０ｃ（ｉ）及びＴＦＴ３０ｃ（ｉ＋１））の両方についてのデータ線側ソースドレイン領域１ｄがデータ線６ａと電気的に接続されている。即ち、通常の如く画素毎に別々にＴＦＴ３０ｃを設け且つＴＦＴ３０ｃ毎に別々にデータ線側ソースドレイン領域１ｄからデータ線６ａへの電気的な接続をとる場合に比べて、コンタクトホールの数を飛躍的に少なくすることができる。これにより、狭ピッチ化が可能となり、液晶装置の小型化・高精細化が実現可能となる。

図１５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０ｃよりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０ｃが設けられている。蓄積容量７０ｃは、下部容量電極７１ｓ及び上部容量電極３００ｃが誘電体膜７５ａを介して対向配置されることにより形成されている。

上部容量電極３００ｃは、固定電位側容量電極であり、下部容量電極７１ｓは、コンタクトホール８３ｂを介してＴＦＴ３０ｃの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続された画素電位側容量電極である。下部容量電極７１ｓは、ポリシリコン等の半導体で形成されている。従って、蓄積容量７０ｃは、所謂ＭＩＳ構造を有している。下部容量電極７１ｓは、層間絶縁膜４２及び絶縁膜６１を貫通して開孔されたコンタクトホール８４ｂを介して中継層９３と電気的に接続されている。尚、下部容量電極７１ｓは、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極３００とＴＦＴ３０ｃとの間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。データ線６ａは、層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１ｂを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。層間絶縁膜４１及び４２間には、部分的に絶縁膜６１が介在している。

図１４において、下部容量電極７１ｓは、画素毎に互いに離間されている。従って、データ線６ａを介して供給される画像信号がＴＦＴ３０ｃのスイッチング動作に応じて画素毎に供給される。上部容量電極３００ｃは、Ｘ方向に沿って複数の画素に亘って延在されているため、複数の画素で共用されることによって電極面積が下部容量電極７１ｓより大きくなっている。しかしながら、上部容量電極３００ｃは、Ａｌ等の金属膜で構成されているため、半導体で上部容量電極３００ｃを形成する場合に比べて電極面積の増大による電気抵抗の増大分を抑制できる。よって、液晶装置の動作時における消費電力の低減、及び各画素における各種素子の高速駆動が可能となり、液晶装置によって画像が表示される際の応答性が低下することを抑制できる利点がある。尚、このような利点は、本実施形態のように上部容量電極３００ｃがＸ方向に沿って互いに隣接する画素に亘って延在するように形成されている場合に限定されず、上部容量電極３００が画像表示領域１０ａにおいてより大きな面積を占めるように複数の画素に渡って形成されている場合により顕著に現れる。

図１４及び図１６において、蓄積容量７０ｃは、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２が相互に交差する交差領域からＹ方向に沿って延びる第１部分Ｐｙと、当該交差領域からＸ方向に沿って延びる第２部分Ｐｘと、第１部分Ｐｙ及び第２部分Ｐｘが交差領域で相互に交差する交差部Ｃｄを有している。

第１部分Ｐｙは、下部容量電極７１ｓのうちＹ方向に沿って延びる下部容量電極Ｙ側延在部７１ｓｙと、上部容量電極３００ｃのうちＹ方向に沿って延びる上部容量電極Ｙ側延在部３００ｃｙと、誘電体膜のうち下部容量電極Ｙ側延在部７１ｓｙ及び上部容量電極Ｙ側延在部３００ｃｙ間に延在する部分とから構成されている。第２部分Ｐｘは、下部容量電極７１ｓのうちＸ方向に沿って延びる下部容量電極Ｘ側延在部７１ｓｘと、上部容量電極３００ｃのうちＸ方向に沿って延びる上部容量電極Ｘ側延在部３００ｃｘと、誘電体膜のうち下部容量電極Ｘ側延在部７１ｓｘ及び上部容量電極Ｘ側延在部３００ｃｘ間に延在する部分とから構成されている。

本実施形態では、上述した第２実施形態に係る液晶装置と同様に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの少なくとも一部は、交差領域において交差部Ｃｄと、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、互いに重なっている。尚、データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、交差部Ｃｄと重なっていない。よって、交差部Ｃｄ及び第２部分Ｐｘは、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの少なくとも一部が交差部Ｃｄに重なることにより、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃが交差部Ｃｄに重ならない場合に比べて画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに照射される光を低減できる。

図１４及び図１６に示すように、本実施形態では特に、ＴＦＴ３０のゲート電極として共用される走査線３ｃは、第２領域Ｄ２においてＸ方向に沿って延びる本線部分３ｃ１と、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２が相互に交差する交差領域において本線部３ｃ１が画素電極側ソースドレイン領域１ｃに重ならないように本線部３ｃ１が部分的に切り欠かれてなる凹部１５０と、本線部３ｃ１からＹ方向に沿ってデータ線側ソースドレイン領域１ｄの側に突出した凸部１６０を有している。よって、走査線３ｃの一部をゲート電極として、画素電極側ソースドレイン領域１ｃに重ならず且つチャネル領域１ａに確実に重なるように設けることができる。

即ち、走査線３ｃが凹部１５０を有することによって、Ｘ方向に沿って走査線３ｃが延在されている場合であっても、Ｘ方向に沿って配列された複数の画素で走査線３ｃを共用しつつ、走査線３ｃの一部をゲート電極として、各画素において画素電極側ソースドレイン領域１ｃに重ならず且つチャネル領域１ａ´に重なるように設けることができる。更に、走査線３ｃが凸部１６０によって、Ｙ方向に沿ってデータ線側ソースドレイン領域１ｄの側にチャネル領域１ａ´がずらされていても、チャネル領域１ａ´に重ねて走査線３ｃの一部をゲート電極として配置できる。尚、ゲート電極は、走査線３ｃの一部と共用されていてもよいし、走査線３ｃとは別に設けられ、且つコンタクトホール等の接続手段によって走査線３ｃに電気的に接続されていてもよい。

尚、図１４において、上述したように、一対のＴＦＴ３０ｃは、コンタクトホール８１ｂが共通化されており、いわば上下ミラー反転したＴＦＴであるので、一対のＴＦＴ３０ｃに対応する一対の走査線３ｃも上下ミラー反転した走査線となる。即ち、Ｙ方向に相隣接して配置された一対のＴＦＴ３０ｃにおける、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの配置が相互に逆になるのに応じて、一対のＴＦＴ３０ｃに対応する一対の走査線３ｃにおける、凹部１５０及び凸部１６０の向きが相互に逆となるように配置される。このように構成されることで、液晶装置の小型化・高精細化を実現すると共に、光リーク電流の発生に起因して生じるフリッカ等の表示不良を低減することができる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１７に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１７を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。 第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の平面図である。 図４のＡ−Ａ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の蓄積容量の平面形状を示す平面図である。 ＴＥＧにおける光照射位置とドレイン電流との関係を示すグラフである。 ドレイン側接合領域において光励起が発生した場合におけるキャリアの振る舞いを示す概念図である。 ソース側接合領域において光励起が発生した場合におけるキャリアの振る舞いを示す概念図である。 データ線側ソースドレイン領域がドレイン電位とされる場合において、データ線側接合領域に光励起が発生したときにおけるキャリアの振る舞いを示す概念図である。 画素電極側ソースドレイン領域がドレイン電位とされる場合において、画素電極側接合領域に光励起が発生したときにおけるキャリアの振る舞いを示す概念図である。 画素スイッチング用のＴＦＴ全体に光を照射した際の画素電極電位の波形を示す波形図である。 第２実施形態における図６と同趣旨の平面図である。 第３実施形態における図４と同趣旨の平面図である。 図１４のＢ−Ｂ´線断面図である。 第３実施形態における図６と同趣旨の平面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

１ａ…半導体層、１ａ´…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、７…サンプリング回路、３ａ、３ｃ…走査線、３ｂ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０ａ、７０ｂ、７０ｃ…蓄積容量、７１ｍ、７１ｎ、７１ｓ…下部容量電極、８１ａ、８３ａ…コンタクトホール、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１５０…凹部、１６０…凹部、３００、３００ｂ、３００ｃ…上部容量電極、３０１…第１部分、３０２…第２部分、交差部…Ｃｄ、Ｄ１…第１領域、Ｄ２…第２領域、Ｐｘ…第１部分、Ｐｙ…第２部分

Claims (7)

1. 基板と、
   前記基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
   前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して規定され、且つ前記基板上の表示領域を構成する複数の画素の各々に形成された画素電極と、
   前記複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に設けられており、前記表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域とを有する半導体層を含むトランジスタと、
   前記半導体層よりも上層側に形成されており、前記一の方向に交わる他の方向に沿って延びると共に前記チャネル領域を覆う本体部分と、前記本体部分から前記一の方向に沿って延びると共に前記第１の接合領域を覆う第１部分と、前記本体部分から前記一の方向に沿って延びると共に前記第２の接合領域を覆い且つ前記第１部分より前記他の方向の幅が広い第２部分とを有する遮光部と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
2. 前記第２の接合領域は、ＬＤＤ領域であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
3. 前記遮光部は、前記トランジスタの直上に配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板。
4. 前記遮光部は、一対の容量電極及び該一対の容量電極間に挟持された誘電体膜を有する容量素子であり、
   前記容量素子は、前記データ線を介して前記画素電極に画像信号が供給された際に、前記画素電極の電位を保持する
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
5. 前記一対の容量電極の少なくとも一方は、導電性遮光膜を含んでなることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置用基板。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置を具備してなる電子機器。

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