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TWI420442B - 光電裝置用基板及光電裝置以及電子機器 - Google Patents

光電裝置用基板及光電裝置以及電子機器 Download PDF

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TWI420442B
TWI420442B TW096126824A TW96126824A TWI420442B TW I420442 B TWI420442 B TW I420442B TW 096126824 A TW096126824 A TW 096126824A TW 96126824 A TW96126824 A TW 96126824A TW I420442 B TWI420442 B TW I420442B
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石井達也
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精工愛普生股份有限公司
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Description

光電裝置用基板及光電裝置以及電子機器
本發明係關於例如液晶裝置等之使用於光電裝置的光電裝置用基板，及具備該光電裝置用基板而成之光電裝置，以及具備該光電裝置之例如液晶投影機等之電子機器的技術領域。
此種光電裝置之一例之液晶裝置，不僅有直視型顯示器，亦常被用於例如投射型顯示裝置之光調變手段(光閥)。特別是在投射型顯示裝置的場合，因為來自光源的強光入射至液晶光閥，所以為了不使此光導致液晶光閥內的薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)產生洩漏電流增大或誤動作等，而於液晶光閥內藏遮光膜作為遮住入射光之遮光手段。針對這樣的遮光手段或遮光膜，例如專利文獻1揭示有在TFT的通道區域，藉由作為閘極電極發揮功能的掃描線來遮光的技術。根據專利文獻2，藉由設置被形成於通道區域上的複數遮光膜，與吸收內面反射光之層而減低到達TFT通道區域的光。專利文獻3，揭示著可以確保TFT之適切的動作以及掃描線的狹小化，同時極力減低入射至TFT之通道區域的入射光之技術。
另一方面，在此種光電裝置，在基板上之被形成遮光膜的區域，亦即於基板上不使光線透過的區域，設有藉由暫時保持被供給至畫素電極的影像訊號而使畫素電極的電位保持一定期間之保持電容。這樣的保持電容，亦將該保持電容的構成要素之電極兼用作為遮光膜，可以遮住TFT。
[專利文獻1]日本專利特開2004－4722號公報[專利文獻2]日本特許第3731447號公報[專利文獻3]日本專利特開2003－262888號公報
然而，例如被形成於通道區域與源極汲極區域之間的例如LDD(Lightly Doped Drain)區域等之接合區域被光照射到的場合，會有在接合區域產生光洩漏電流的問題。對於這樣的問題，雖有人考慮在通道區域的兩側之各個的接合區域上設置遮光手段，但是會使畫素之實質上透光的開口區域變窄，由顯示性能的觀點來看並不理想。另一方面，本案發明人推測在被形成於被接續在畫素電極的源極汲極區域與通道區域之間的接合區域被照射到光的場合，與在被接續於資料線的源極汲極區域與通道區域之間的接合區域被光照射到的場合相比，TFT之光洩漏電流容易產生。
本發明係有鑑於前述問題點等而完成之發明，課題在於提供以主動矩陣方式驅動的液晶裝置等之光電裝置，實現高開口率同時於TFT之光洩漏電流的產生可以有效減低的光電裝置所使用的光電裝置用基板，及具備這樣的光電裝置用基板之光電裝置，以及電子機器。
相關於本發明之第1光電裝置用基板，為了解決前述課題，具備：基板，及在前述基板上相互交叉的複數資料線及複數掃描線，及對應於前述複數資料線及前述複數掃描線之交叉而被規定，且被形成於構成前述基板上的顯示區域之各個複數畫素的畫素電極，及包含：相互隔著前述複數畫素之各個的開口區域被設於非開口區域，具有沿著前述顯示區域之一個方向的通道長之通道區域，及被導電連接於前述資料線的資料線側源極汲極區域，及被導電連接於前述畫素電極的畫素電極側源極汲極區域，及被形成於前述通道區域及前述資料線側汲極源極區域間的第1接合區域，及被形成於前述通道區域及前述畫素電極側汲極源極區域間的第2接合區域等之半導體層的電晶體，及被形成於比前述半導體層更上層側，具有：沿著前述一個方向延伸，同時覆蓋前述第1接合區域的第1部分，及覆蓋前述第2接合區域同時比前述第1部份在相交於前述一個方向的其他方向上的寬幅更寬的第2部分的遮光部。
根據相關於本發明之第1光電裝置用基板，例如從資料線往畫素電極的影像訊號被控制，根據所謂的主動矩陣方式之影像顯示成為可能。又，影像訊號，係藉由被導電接續至資料線及畫素電極間之電晶體被打開關閉，而以特定的計時從資料線透過電晶體對畫素電極供給。畫素電極，係由例如ITO(銦錫氧化物，Indium Tin Oxide)等之透明導電材料所構成的透明電極，對應於資料線及掃描線的交叉，於基板上應成為顯示區域的區域有複數被設為矩陣狀。
電晶體，包含具有通道區域、資料線側源極汲極區域以及畫素電極側源極汲極區域的半導體層。例如，閘極電極以重疊於通道區域的方式被形成。電晶體，被設於複數畫素之相互隔著各個的開口區域之非開口區域。此處，相關於本發明之「開口區域」，係實質上透光的畫素內的區域，例如，係被形成畫素電極的區域，而且是可因應於透過率的變更而改變穿透液晶等光電物質而射出的光的色階之區域。換句話說，所謂「開口區域」，意味著被聚光於畫素的光不會被不使光線透過或者透光率比起透明電極來相對很小的配線、遮光膜以及各種元件等遮光體遮住的區域。相關於本發明之「非開口區域」，意味著參與顯示的光不會透過的區域，例如意味著在畫素內被配設非透明的配線或電極、或者各種元件等之遮光體的區域。
通道區域，具有沿著顯示區域之一方向的通道長。相關於本發明之「一方向」，意味著例如在基板上被規定為矩陣狀的複數畫素之杭方向，亦即複數之資料線被排列的排列方向或者複數之掃描線的各個延伸的方向(亦即X方向)，或者例如在基板上被規定為矩陣狀的複數畫素之列方向，亦即複數之掃描線被排列的排列方向或複數之資料線的各個延伸的方向(亦即Y方向)。
資料線側源極汲極區域與資料線相互導電接續，畫素電極側源極汲極區域與畫素電極相互導電接續。進而，在半導體層之通道區域與資料線側源極汲極區域之間被形成第1接合區域，在半導體層之通道區域與畫素電極側源極汲極區域之間被形成第2接合區域。第1接合區域，係被形成於通道區域與資料線側源極汲極區域之接合部的區域，第2接合區域，係被形成於通道區域與畫素電極側源極汲極區域之接合部的區域。亦即，第1及第2接合區域，意味著例如電晶體被形成為例如PNP型或者NPN型電晶體(亦即N通道型或者P通道型電晶體)的場合之PN接合區域，或者電晶體具有LDD構造的場合之LDD區域(亦即，例如藉由離子佈植法等之不純物植入而在半導體層打入不純物而成之不純物區域)。
遮光部，於基板上之層積構造被形成為比半導體層更上層側，典型的是以覆蓋半導體層的方式被形成。又，遮光部，亦可於非開口區域具有沿著交於一方向的其他方向而延伸的延伸部。遮光部，亦可如遮光膜那樣是具有遮光性的單層或者複數層所構成的膜狀遮光體，亦可為包含具有遮光性的電極之各種元件。遮光部，具有覆蓋第1接合區域的第1部分，與覆蓋第2接合區域的第2部分。因而，由上層側入射至第1及第2接合區域的光，可以藉由第1及第2部分之各個來遮光。也就是說，可以減低第1及第2接合區域之光洩漏電流的發生。
在本發明，遮光部之覆蓋第2接合區域的第2部分，係以使交於一方向之其他方向的寬幅比覆蓋第1接合區域的第1部分更寬廣的方式構成。亦即，第2部分，例如對於沿著Y方向延伸的半導體層，係以例如X方向之寬幅比第1部分更寬廣的方式構成。換句話說，第2部分，沿著其他方向，具有比第1部分更長地延伸之延伸部。藉此，可以使入射至第2接合區域的光，比入射至第1接合區域的光更確實地遮光。亦即，可以使遮住到達第2接合區域的光的遮光性，比遮住到達第1接合區域的光的遮光性還要高(亦即，更為強化)。此處，本案發明人推論出在電晶體動作時，於第2接合區域，比起第1接合區域來說相對容易發生光洩漏電流。亦即，藉由以第2部分具有比第1部分更寬的寬幅的方式形成，可以提高對光洩漏電流相對容易產生的第2接合區域之遮光性，可以有效減低流於電晶體的光洩漏電流。反過來說，藉由使覆蓋住與第2接合區域相比光洩漏電流相對不易發生的第1接合區域的第1部分，形成為具有比第2部分更窄的寬幅，可以防止開口率的無效的降低。
亦即，藉由使第2部分的寬幅形成為寬廣，提高了對光洩漏電流相對容易發生的第2接合區域之遮光性，同時藉由使第1部分的寬幅形成為狹窄，可以防止開口率無用的降低。總之，藉由正確地提高對光洩漏電流容易發生的第2接合區域之遮光性，可以不招致開口率的無用的降低，而可以有效地減低電晶體之光洩漏電流。此處，所謂「開口率」，係指開口區域以及非開口區域總和的畫素尺寸中開口區域所佔的比率，開口率越大，具備相關於本發明的光電裝置用基板之光電裝置的顯示性能就越高。
如以上所說明的，根據相關於本發明的第1光電裝置用基板，可以提供不招致開口率的無用的降低，而可以減低起因於光洩漏電流的發生而產生的閃爍等顯示不良之光電裝置。
在相關於本發明之第1光電裝置用基板之一樣態，前述第2接合區域係LDD區域。
根據此樣態，電晶體具有LDD構造。因而，於電晶體之非動作時，減低流經資料線側源極汲極區域及畫素電極側源極汲極區域的關閉(off)電流，而且可以抑制電晶體動作時所流動的打開(on)電流的降低。
在相關於本發明之第1光電裝置用基板之其他樣態，前述遮光部被配置於前述電晶體的正上方。
根據此樣態，可以更為減低在基板上的層積構造之遮光部以及電晶體間對於半導體層斜向入射的入射光。更具體而言，與在遮光部及電晶體間中介著有與遮光部不同之其他遮光膜的場合相比，可以使遮光部及電晶體之層積方向的距離接近，該接近使得對半導體層的法線方向以大角度斜向對該半導體層入射的光可以藉由遮光部來遮光。
在相關於本發明之第1光電裝置用基板之其他樣態，前述遮光部，係具有一對電容電極及被挾持於該一對電容電極間的介電質膜的電容元件，前述電容元件，在透過前述資料線對前述畫素電極供給影像訊號時，保持前述畫素電極的電位。
根據此樣態，電容元件，係暫時保持畫素電極的電位之保持電容。藉由將電容元件兼用作為遮光部，與另行設置遮光膜的場合相比，可以簡化構成該光電裝置用基板之電路構成以及構成該電路的配線等的配置。
在前述之遮光部為電容元件的樣態，前述一對電容電極之至少一方，亦可含有導電性遮光膜。
根據此樣態，藉由在電晶體上例如介由層間絕緣膜而可接近配置的電容元件，可以確實遮光由上層側入射至半導體層的光。又，作為導電性遮光膜，例如可以舉出導電性多晶矽、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、等高融點金屬之中的至少含有一之金屬單體、合金、金屬矽化物、或層積這些者，或可是矽化鎢。
相關於本發明之第2光電裝置用基板，為了解決前述課題，具備：基板，及在前述基板上相互交叉的複數資料線及複數掃描線，及對應於前述複數資料線及前述複數掃描線之交叉而被規定，且被形成於構成前述基板上的顯示區域之各個複數畫素的畫素電極，及(i)具有：於相互隔著前述複數畫素之各個的開口區域的非開口區域之中沿著前述顯示區域內的第1方向延伸的第1區域內，具有沿著前述第1方向的通道長之通道區域，及被導電連接於前述資料線的資料線側源極汲極區域，及被導電連接於前述畫素電極的畫素電極側源極汲極區域，及被形成於前述通道區域及前述資料線側汲極源極區域間的第1接合區域，及被形成於前述通道區域及前述畫素電極側汲極源極區域間的第2接合區域等之半導體層，以及(ii)於前述非開口區域之中在相交於前述第1方向的第2方向延伸的第2區域及前述第1區域相互交叉的交叉區域具有重疊於前述通道區域的閘極電極之電晶體，及被形成於比前述半導體層更上層側，具有：在沿著前述第1方向及前述第2方向之各個延伸的第1部分及第2部分以及前述交叉區域具有前述第1部份與前述第2部份相互交叉的交叉部之遮光部；前述第2接合區域之至少一部份，於前述交叉區域重疊於前述交叉部。
根據相關於本發明之第2光電裝置用基板，與前述之相關於本發明的第1光電裝置用基板大致同樣，可進行影像顯示。
電晶體，具有包含通道區域的半導體層，與重疊於該通道區域的閘極電極。通道區域，相互隔著複數畫素之分別的開口區域之非開口區域之中，沿著顯示區域內的第1方向延伸的第1區域具有沿著第1方向之通道長。此處，所謂相關於本發明之「第1區域」係指相互隔著互相鄰接的開口區域的方式於顯示區域成格子狀延伸的非開口區域之中延伸於該顯示區域的第1方向之區域。更具體而言，係例如在基板上被規定為矩陣狀的複數畫素之列方向，亦即複數之掃描線被排列之排列方向。交叉於複數掃描線的資料線，成為被形成於第1區域，掃描線被形成於後述之第2區域。半導體層，具有被形成於通道區域與資料線側源極汲極區域間之第1接合區域，及被形成於通道區域與畫素電極側源極汲極區域間之第2接合區域。亦即，半導體層，以通道區域為基準，具有被形成於資料線側源極汲極區域側之第1接合區域，及被形成於畫素電極側源極汲極區域側之第2接合區域。
閘極電極，於延伸在非開口區域之中交於第1方向的第2方向上的第2區域及第1區域相互交叉的交叉區域，重疊於通道區域。此處，所謂相關於本發明的「第2區域」，係例如非開口區域之中交叉於資料線的掃描線被配置之區域。閘極電極，亦可為掃描線之中重疊於通道區域的部分，亦可為掃描線之外另行設置的導電膜。這樣的導電膜，介由接觸孔等接觸手段被導電接續於掃描線。所謂相關於本發明之「交叉區域」，係指第1區域及第2區域交叉的區域，更具體而言，係位於非開口區域之中相互鄰接的4個畫素之各個的開口區域相互之中間的區域。
遮光部，於基板上之層機構造被形成於較半導體層更為上層側，具有分別沿著第1方向及第2方向之各個延伸的第1部分及第2部分，以及於交叉區域第1部分及第2部分相互交叉而成的交叉部。第1部分，亦可以交叉區域為基準延伸於沿著第1方向之一方，亦可沿著第1方向朝向交叉區域的兩側延伸。此外，第2部分，由交叉區域沿著第2方向延伸。第2部分，亦可沿著第2方向而延伸於交叉區域的兩側，亦可延伸於單側。簡言之，遮光部只要以位於交叉區域的交叉部為基準具有延伸於相互交叉的第1方向及第2方向之各個的部分即可。從提高遮住到達第2接合區域的光的遮光性的觀點來看，第2部分以延伸於交叉區域的兩側較佳。
在本發明，特別是第2接合區域的至少一部份，於交叉區域與交叉部重疊。例如，半導體層，亦可以第2接合區域於交叉區域與交叉部重疊，同時第1接合區域不與交叉部重疊的方式配置。如前所述，本案發明人推論出在電晶體動作時，於第2接合區域，比起第1接合區域來說相對容易發生光洩漏電流。交叉部及第2部分，藉由第2接合區域之至少一部份重疊於交叉部，而與第2接合區域不重疊於交叉部的場合相比，可以減低照射於該第2接合區域的光。更具體而言，於第1方向，以沿著第1部分的表面的方式對該表面之法線方向以大角度斜向對第2接合區域入射的入射光，因為第1部分延伸於第1方向，所以藉由第1部分遮光。另一方面，於第2方向，以沿著第2部分的表面的方式對該表面之法線方向以大角度斜向對第2接合區域入射的入射光，藉由延伸於交叉部及第2方向的第2部分而遮光。藉此，藉由使第2接合區域重疊於交叉部可以提高對第2接合區域的遮光性。亦即，為了提高對光洩漏電流相對容易發生的第2接合區域之遮光性，並沒有必要增加例如遮光部的第1部分或第2部分的寬幅。總之，根據本發明，提高對第2接合區域的遮光性，同時幾乎不或完全不招致開口率的降低。又，從提高開口率的觀點來看，遮光部的第1部分及第2部分的寬幅最好縮窄。亦即，交叉部最好縮小。與第2接合區域比較，不易發生光洩漏電流的第1接合區域，不重疊於交叉部亦可。
如以上所說明的，根據相關於本發明的第2光電裝置用基板，可以提供不招致開口率的無用的降低，而可以減低起因於光洩漏電流的發生而產生的閃爍等顯示不良之光電裝置。
在相關於本發明之第2光電裝置用基板之一樣態，前述第2接合區域係LDD區域。
根據此樣態，於電晶體之非動作時，減低流經資料線側源極汲極區域及畫素電極側源極汲極區域的關閉(off)電流，而且可以抑制電晶體動作時所流動的打開(on)電流的降低。
相關於本發明之第2光電裝置用基板之其他樣態，前述閘極電極，具有：於前述第2區域沿著前述第2方向延伸的本線部，及於前述第1區域由前述本線部沿著前述第1方向突出於前述第1接合區域之側的凸部。
在此樣態，通道長，因為因應於電晶體被要求的元件特性而被設定，第2接合區域要以重疊於交叉部的方式變更通道區域的大小，或者是變更沿著該通道長的半導體層的長度，都會改變本來的電晶體的元件特性。亦即，即使減低光洩漏電流的產生，也同時帶來電晶體所要求的開關特性等元件特性自身的變更，使得獲得了可減低光洩漏電流的優點以外，反而無法得到本來的元件特性。特別是通道長比閘極電極的本線部的寬幅還要大的場合，由於第2接合區域之至少一部份重疊於交叉部而使得通道區域沿著第1方向由本線部突伸出。
因而根據本樣態，閘極電極因為具有從本線部沿著第1方向朝第1接合區域之側突出的凸部，所以沿著第1方向挪移至第1接合區域之側而設至通道區域，也可以重疊於通道區域而配置閘極電極。進而，凸部因為重疊於沿著第1方向延伸的第1部分，所以不會使非開口區域增大。亦即，不會減低開口率而可以在通道區域重疊配置閘極電極。
在前述之閘極電極具有凸部之樣態，前述閘極電極亦可於前述交叉區域以前述本線部不重疊於前述第2接合區域的方式，使前述本線部具有部分被切出缺口而成的凹部。
根據此樣態，可以使閘極電極不重疊於第2接合區域，同時使第2接合區域重疊於交叉部之靠近中樣。
在相關於本發明之第2光電裝置用基板之其他樣態，前述遮光部被配置於前述電晶體的正上方。
根據此樣態，可以更為減低在遮光部以及電晶體間對於半導體層斜向入射的入射光。
在相關於本發明之第2光電裝置用基板之其他樣態，前述遮光部，係具有一對電容電極及被挾持於前述一對電容電極間的介電質膜的電容元件，前述電容元件，在透過前述資料線對前述畫素電極供給影像訊號時，保持前述畫素電極的電位。
根據此樣態，藉由將電容元件兼用作為遮光部，與另行設置遮光膜的場合相比，可以簡化構成該光電裝置用基板之電路構成以及構成該電路的配線等的配置。
在前述之遮光部為電容元件的樣態，前述一對電容電極之各個，亦可由金屬膜形成。
根據此樣態，電容元件具有金屬膜一介電質膜(絕緣膜)一金屬膜被層積而成的所謂MIM(Metal－Insulator－Metal)構造。根據這樣的電容元件，可以減低因應於被供給至一對電容電極的各種訊號而在該一對電容電極消耗的耗電量。而且，與半導體層相比導電率很高，所以因應於該影像訊號的供給而因應於影像訊號的電位立刻被供給至畫素電極，所以可提高畫質。
在前述之遮光部為電容元件的樣態，前述一對電容電極之一方，亦可由半導體形成。
根據此樣態，電容元件具有金屬膜一介電質膜(絕緣膜)一半導體膜被層積而成的所謂MIS(Metal－Insulator－Semiconductor)構造。根據這樣的電容元件，可以使例如成為一方之電容電極的半導體層導電接續於畫素電極。
相關於本發明之光電裝置為了解決前述課題，具備前述之相關於本發明之第1或第2光電裝置用基板。
根據相關於本發明之光電裝置，因為具備前述之相關於本發明之第1或第2光電裝置用基板，所以可以提供顯示性能優異的光電裝置。
相關於本發明之電子機器為了解決前述課題，具備前述之相關於本發明之光電裝置。
根據相關於本發明之電子機器，因為具備相關於前述之本發明的光電裝置，所以可實現可進行高品質的顯示之投射型顯示裝置、行動電話、電子手冊、文書處理機、觀景窗型或者螢幕直視型之攝影機、工作站、電視電話、POS終端、觸控面板等各種電子機器。此外，作為相關於本發明之電子機器，也可以實現例如電子紙等電泳裝置等。
本發明之作用以及其他優點可以藉由接著說明的供實施之最佳型態來瞭解。
 [供實施發明之最佳型態]
以下參照圖面，同時說明相關於本發明之光電裝置用基板及光電裝置，以及電子機器之各實施型態。又，在本實施型態，作為光電裝置之一例，舉驅動電路內藏型之TFT主動矩陣驅動方式之液晶裝置為例。
<第1實施形態>
首先，依照圖1及圖2說明相關於本實施型態之液晶裝置的全體構成。此處，圖1係同時由對向基板之側所見的TFT陣列基板以及被形成於其上的各構成要素之液晶裝置的平面圖，圖2為圖1之H－H' 線剖面圖。
於圖1及圖2，在相關於本實施型態之液晶裝置，TFT陣列基板10與對向基板20被對向配置。TFT陣列基板10與對向基板20之間被封入液晶層50。TFT陣列基板10與對向基板20，藉由位於作為被設置複數之畫素部之相關於本發明的「顯示區域」之一例之影像顯示區域10a的周為之密封區域之密封材52而相互被黏接。
密封材52，係供貼合兩基板之用的，例如由紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等所構成，於製造程序被塗布於TFT陣列基板10上之後，藉由紫外線照射、加熱等而使其硬化者。於密封材52中，為了使TFT陣列基板10與對向基板20之間隔(亦即，基板間間隙)成為特定值而混入玻璃纖維或玻璃珠等間隙材。相關於本實施型態之液晶裝置，作為投影機之光閥用，係屬小型而適於進行擴大顯示。
並行於密封材52被配置的密封區域的內側，規定影像顯示區域10a的框線區域之遮光性的框緣遮光膜53被設於對向基板20側。但是，這樣的框緣遮光膜53之一部分或全部，亦可作為內藏遮光膜而設在TFT陣列基板10側。
周邊區域之中，位在被配置密封材52的密封區域的外側之區域，沿著TFT陣列基板10的一邊設有資料線驅動電路101以及外部電路接續端子102。掃描線驅動電路104，沿著鄰接於此一邊的兩邊，而且以覆蓋框緣遮光膜53的方式設置。進而，為了連接如此設於影像顯示區域10a的兩側之兩個掃描線驅動電路104間，沿著TFT陣列基板10之剩下的一邊，而且以覆蓋框緣遮光膜53的方式設置複數配線105。
在對向基板20的四個角落部，被配置有作為兩基板間的上下導通端子而發揮功能的上下導通材106。另一方面，在TFT陣列基板10在對向於這些角落部的區域設有上下導通端子。藉此，可在TFT陣列基板10與對向基板20之間取得電氣導通。
於圖2，於TFT陣列基板10上，在被形成畫素開關用之TFT或掃描線、資料線等配線之後的畫素電極9a上，被形成配向膜。另一方面，於對向基板20上，除對向電極21以外，格子狀或條紋狀的遮光膜23、進而包括最上層部分都被形成配向膜。液晶層50，例如係由混合一種或數種向列型液晶之液晶所構成，在這一對配向膜間，呈現特定的配向狀態。
TFT陣列基板10，例如係石英基板、玻璃基板、矽基板等透明基板。對向基板20也與TFT陣列基板10同樣係透明基板。
於TFT陣列基板10，設有畫素電極9a，於其上側設有被施以摩擦處理等之特定的配向處理的配向膜。例如，畫素電極9a由ITO膜等透明導電膜所構成，配向膜由聚醯亞胺膜等有機膜所構成。
於對向基板20，跨其全面設有對向電極21，於其下側設有被施以摩擦處理等之特定的配向處理的配向膜22。對向電極21，例如係由ITO膜等透明導電膜所構成。配向膜22，係由聚醯亞胺膜等有機膜所構成。
於對向基板20，亦可設置格子狀或條紋狀之遮光膜。藉由採用如此構成，合併於作為後述之上部電容電極300而設的上不遮光膜，可以更為確實地阻止來自TFT陣列基板10側之入射光之往通道區域1a' 至其周邊的侵入。
如此構成，在使畫素電極9a與對向電極21以對面的方式配置之TFT陣列基板10與對向基板20之間，形成液晶層50。液晶層50在來自畫素電極9a的電場未被施加的狀態下藉由配向膜而成特定的配向狀態。
又，於圖1及圖2所示之TFT陣列基板10上，除了這些資料線驅動電路101、掃描線驅動電路104等驅動電路以外，亦可形成採樣影像訊號線上的影像訊號而對資料線供給的採樣電路、先於影像訊號而分別對複數資料線供給特定電壓位準的預充電訊號之預充電電路、供檢查製造途中或者出貨時之該光電裝置的品質、缺陷等之用的檢查電路等。
其次，依照圖3說明相關於本實施型態之液晶裝置的畫素部之電氣的接續構成。此處圖3，係構成相關於本實施型態之液晶裝置的影像顯示區域之被形成為矩陣狀的複數畫素之各種元件、配線等之等價電路圖。
於圖3，於構成影像顯示區域10a之被形成為矩陣狀的複數畫素之各個，被形成畫素電極9a、與相關於本發明之「電晶體」之一例之TFT30。TFT30被導電連接於畫素電極9a，於液晶裝置之動作時開關控制畫素電極9a。被供給影像訊號的資料線6a，被導電連接於TFT30之源極。被寫入資料線6a之影像訊號S1、S2、…、Sn，依此順序線依序地供給亦可，對相鄰接的複數資料線6a彼此，以對各群組供給亦可。
於TFT30之閘極有掃描線3a被導電連接，液晶裝置1，係以特定的計時，對掃描線3a脈衝地將掃描訊號G1、G2、…、Gm以此順序線依序地施加而構成。畫素電極9a，被導電連接於TFT30之汲極，藉由使開關元件之TFT30僅一定期間關閉其開關，而使從資料線6a供給的影像訊號S1、S2、…、Sn以特定的計時寫入。透過畫素電極9a被寫入作為光電物質之一例之液晶的特定位準的影像訊號S1、S2、…、Sn，在與被形成於對向基板之對向電極之間保持一定期間。
構成液晶層50的液晶，藉由根據施加的電壓位準而改變分子集合的配向或秩序，而調變光，可以顯示色階。如果是常白模式，因應於在各畫素單位施加的電壓而減少對入射光之透過率，如果是常黑模式，則因應於在各畫素單位施加的電壓而增加對入射光之透過率，整體而言由液晶裝置射出具有因應於影像訊號的對比之光。此處為了防止被保持的影像訊號洩漏，與被形成於畫素電極9a與對向電極之間的液晶電容並聯地電氣接續相關於本發明之「遮光部」之一例之蓄積電容70a。蓄積電容70a，係作為因應於影像訊號的供給而暫時保持各畫素電極9a的電位之保持電容而發揮功能的電容元件。根據蓄積電容70a，可以提高畫素電極9a之電位保持特性，達成對比提高或減低閃爍等顯示特性的提高。
其次，參照圖4及圖5說明實現前述動作的畫素部的具體構成。此處圖4係相鄰接的複數畫素部之平面圖。圖5為圖4之A－A' 線剖面圖。又，於圖4及圖5，為了使各層或各構件在圖面上標示為可辨識的大小，所以各層或各構件的比例尺不完全相同。在圖4及圖5為了說明上的方便，省略了比畫素電極9a更位於上側的部分之圖示。於圖5，從TFT陣列基板10至畫素電極9a為止的部分，構成相關於本發明之「光電裝置用基板」之一例。
於圖4，TFT陣列基板10上的影像顯示區域10a，係由分別被設置畫素電極9a之複數畫素而構成的。
畫素電極9a，於TFT陣列基板10上被複數設置為矩陣狀。分別沿著畫素電極9a的縱橫之邊界，設有資料線6a以及掃描線3a。掃描線3a係沿著X方向延伸，資料線6a係以與掃描線3a交叉的方式沿著Y方向延伸。在掃描線3a與資料線6a之相互交叉的各個處所設有畫素開關用之TFT30。
掃描線3a、資料線6a、蓄積電容70a、下側遮光板11a、中繼層93以及TFT30，在TFT陣列基板10上平面俯視，被配置於包圍對應於畫素電極9a的各畫素的開口區域(亦即，於各畫素，對顯示實際有貢獻的光被透過或反射的區域)之非開口區域內。亦即，這些掃描線3a、蓄積電容70a、資料線6a、下側遮光板11a、及TFT30，以不妨礙顯示的方式，不配置於各畫素之開口區域，而被配置於非開口區域。
於圖4及圖5，TFT30，具備半導體層1a、及作為閘極電極的掃描線3a之一部份。
半導體層1a，例如由多晶矽所構成，係由具有沿著Y方向之通道長的通道區域1a' 、資料線側LDD區域1b、及畫素電極側LDD區域1c、以及資料線側源極汲極區域1d及畫素電極側源極汲極區域1e所構成。亦即，TFT30具有LDD構造。又，資料線側LDD區域1b，係相關於本發明的第1接合區域之一例，畫素電極側LDD區域1c，係相關於本發明的第2接合區域之一例。
資料線側源極汲極區域1d以及畫素電極側源極汲極區域1e，以通道區域1a' 為基準，沿著Y方向幾乎被形成為鏡像對稱。資料線側LDD區域1b，被形成於通道區域1a' 及資料線側源極汲極區域1d間。畫素電極側LDD區域1c，被形成於通道區域1a' 及畫素電極側源極汲極區域1e間。資料線側LDD區域1b、畫素電極側LDD區域1c、資料線側源極汲極區域1d及畫素電極側源極汲極區域1e，係例如藉由離子佈植法等之不純物植入而對半導體層1a打入不純物而成之不純物區域。資料線側LDD區域1b及畫素電極側LDD區域1c分別被形成為不純物比資料線側源極汲極區域1d以及畫素電極側源極及極區域1e更少的低濃度的不純物區域。根據這樣的不純物區域，於TFT30之非動作時，可以減低流經源極區域及汲極區域的關閉(off)電流，而且可以抑制TFT30動作時所流動的打開(on)電流的降低。又，TFT30，最好具有LDD構造，但是即使是資料線側LDD區域1b、畫素電極側LDD區域1c不進行不純物植入的偏移(offset)構造亦可，亦可為以閘極電極作為遮罩將不純物高濃度地植入而形成資料線側源極汲極區域以及畫素電極側源極汲極區域之自己整合型。
如圖4及圖5所示，TFT30之閘極電極，被形成為掃描線3a之一部分，例如由導電性多晶矽所形成。掃描線3a具有沿著X方向延伸的本線部分，同時具有以TFT30的通道區域1a' 之中與該本線部分不重疊的區域重疊的方式沿著Y方向從該本線部往兩側延伸的部分。這樣的掃描線3a之中與通道區域1a' 重疊的部分發揮閘極電極的功能。閘極電極與半導體層1a間，藉由閘極絕緣膜(更具體而言，係2層之絕緣膜2a以及2b)而絕緣的。
TFT30之下側介由下底絕緣膜12被設為格子狀之下側遮光膜11a，防止從TFT陣列基板10側入射至裝置內之返回光，而遮住TFT30的通道區域1a' 以及其周邊。下側遮光膜11a，係由例如包含Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)、Pd(鈀)等高融點金屬之中的至少一種之金屬單體、合金、金屬矽化物、聚矽化物、層積這些者等所構成。
下底絕緣膜12，除了由下側遮光膜11a使TFT30層間絕緣的功能以外，藉由被形成於TFT陣列基板10之全面，具有防止TFT陣列基板10之表面研磨時之粗糙，或因洗淨後殘留的污漬導致畫素開關用TFT的特性劣化等功能。
於圖5，介由層間絕緣膜41而在比TFT陣列基板10上的TFT30更為上層側，設有蓄積電容70a。蓄積電容70a，係下部電容電極71m以及上部電容電極300介由介電質膜75a而被對向配置而形成的。
上部電容電極300係被導電連接於TFT30的畫素電極線側源極汲極區域1e以及畫素電極9a之畫素電極側電容電極。更具體地說，上部電容電極300，介由接觸孔84a被電氣接續於中繼層93，與中繼層93共同中繼畫素電極線側源極汲極區域1e及畫素電極9a間的電氣接續。而且，中繼層93，介由中繼層93之一部分之凸部93a及被電氣接續於該凸部93a的接觸孔85a而被電氣接續於畫素電極9a。亦即，畫素電極9a及上部電容電極300，被電氣接續。
上部電容電極300，例如係包含金屬或合金而設於TFT30的上側之非透明的金屬膜。上部電容電極300，作為遮住TFT30的上側遮光膜(或者內藏遮光膜)而發揮功能。上部電容電極300，含有Al(鋁)、Ag(銀)等其他金屬而被形成。
又，上部電容電極300，作為相關於本發明之「導電性遮光膜」，亦可由例如包含Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)、Pd(鈀)等高融點金屬之中的至少一種之金屬單體、合金、金屬矽化物、聚矽化物、層積這些者等所構成。在此場合，可以更進一步發揮作為上部電容電極300的上側遮光膜之功能。
下部電容電極71m，由畫素電極9a被配置的影像顯示區域10a延伸設於其周圍。下部電容電極71m，與定電位源導電接續，係被維持於固定電位的固定電位側電容電極。
下部電容電極71m，也與上部電容電極300同樣是非透明的金屬膜。亦即，蓄積電容70a，係具有金屬膜－介電質膜(絕緣膜)－金屬膜之3層構造的所謂MIM構造。此處，下部電容電極71m，跨複數畫素而延伸，由這些複數之畫素所共用。
在本實施型態，特別是下部電容電極71m被形成為金屬膜，所以與使用半導體構成下部電容電極71m的場合相比，在液晶裝置之驅動時，可以減低該液晶裝置全體所消耗的電力，而且各畫素部之元件可以高速動作。亦即，相關於本實施型態的液晶裝置，可以進行高品質的影像顯示。
介電質膜75a，具有例如由高溫氧化物(HTO，High Temperature Oxide)膜、低溫氧化物(LTO，Low Temperature Oxide)膜等氧化矽膜，或者氮化矽膜等所構成的單層構造，或者多層構造。
於圖5，介由層間絕緣膜42而在比TFT陣列基板10上的蓄積電容70a更為上層側，設有資料線6a及中繼層93。
資料線6a，於半導體層1a之資料線側源極汲極區域1d，介由貫通層間絕緣膜41及42以及閘極絕緣膜2的接觸孔81a被導電接續。資料線6a以及接觸孔81a內部，例如由Al－Si－Cu、Al－Cu等之含Al(鋁)材料、或者Al單體、或者Al層與TiN層等多層膜所構成。資料線6a，也具有遮住TFT30的功能。
中繼層93於層間絕緣膜42上被形成於與資料線6a同層。資料線6a以及中繼層93，例如在層間絕緣膜42上使用薄膜形成法先形成以金屬膜等導電材料構成的薄膜，再將該薄膜除去部分，亦即藉由圖案化以相互離間的狀態形成。亦即，因為以同一工程形成資料線6a以及中繼層93，所以裝置的製造過程很簡便。
於圖5，畫素電極9a，介由層間絕緣膜43被形成於較資料線6a更為上層側。畫素電極9a，介由上部電容電極300、接觸孔83a、84a以及85a及中繼層93被導電連接於半導體層1a之畫素電極線側源極汲極區域1e。接觸孔85a，藉由在被開孔於層間絕緣層43的孔部的內壁形成構成ITO等之畫素電極9a的導電材料之膜而被形成。於畫素電極9a之上側表面，設有被施以摩擦處理等之特定的配向處理的配向膜。
以上所說明的畫素部的構成，如圖4所示，於各畫素部共通。於影像顯示區域10a(參照圖1)，相關的畫素部被週期地形成。另一方面，在相關於本實施型態的液晶裝置，在位於影像顯示區域10a的周圍的周邊區域，如參照圖1及圖2所說明的，被形成掃描線驅動電路104及資料線驅動電路101等之驅動電路。
其次，依照圖6詳細說明構成作為相關於本實施型態之液晶裝置的遮光部之蓄積電容的一對電容電極之平面形狀。此處，圖6係顯示構成相關於本實施型態之液晶裝置的蓄積電容的一對電容電極的平面形狀之平面圖。又，在圖6，構成圖4所示的畫素部之構成要素之中，擴大顯示TFT30、掃描線3a以及蓄積電容70a。
如圖6所示，構成蓄積電容70a之上部電容電極300，具有覆蓋資料線側LDD區域1b的第1部分301，與覆蓋畫素電極側LDD區域1c的第2部分302。因而，由上層側入射至資料線側LDD區域1b及畫素電極側LDD區域1c的光，可以藉由第1部分301及第2部分302之各個來遮光。也就是說，可以減低資料線側LDD區域1b及畫素電極側LDD區域1c之光洩漏電流的發生。
在本實施型態，特別是上部電容電極300之第2部分302，係以比第1部分301在X方向之寬幅更寬的方式被構成。亦即，第2部分302之X方向的寬幅W2，比第1部分301的X方向之寬幅X1更寬。藉此，可以使入射至畫素電極側LDD區域1c的光，比入射至資料線側LDD區域1b的光更確實地被遮光。亦即，可以使遮住到達畫素電極側LDD區域1c的光的遮光性，比遮住到達資料線側LDD區域1b的光的遮光性還要高或者更為強化。此處，如稍後所詳述，本案發明人推論出在TFT30動作時，於畫素電極側LDD區域1c，比起資料線側LDD區域1b來說相對容易發生光洩漏電流。亦即，推論出在TFT30動作時，對畫素電極側LDD區域1c照射光的場合，比對資料線側LDD區域1b照射光的場合，更容易在TFT30發生光洩漏電流。亦即，藉由以第2部分302具有比第1部分301的寬幅W1更寬的寬幅W2的方式形成，可以提高對光洩漏電流相對容易產生的畫素電極側LDD區域1c之遮光性，可以有效減低流於TFT30的光洩漏電流。反過來說，藉由使覆蓋住與畫素電極側LDD區域1c相比光洩漏電流相對不易發生的資料線側LDD區域的第1部分301，形成為具有比第2部分302更窄的寬幅W1，可以防止開口率的無效的降低。
亦即，藉由使第2部分302的寬幅W2形成為更寬廣，提高了對光洩漏電流相對容易發生的畫素電極側LDD區域1c之遮光性，同時藉由使第1部分301的寬幅W1形成為狹窄，可以防止開口率無用的降低。總之，僅藉由正確地提高對光洩漏電流容易發生的畫素電極側LDD區域1c之遮光性，可以不招致開口率的無用的降低，而可以有效地減低電晶體之光洩漏電流。
此處，參照圖7至圖12，詳細說明在前述之TFT30動作時，於畫素電極側LDD區域1c，比起資料線側LDD區域1b來說相對容易發生光洩漏電流的理由。
首先，參照圖7說明對測試用之TFT照射光的場合之測定汲極電流的大小之測定結果。此處圖7係顯示測試用的TFT之光照射位置與汲極電流之關係之圖。
圖7之資料E1，係顯示對測試用的單體之TFT，亦即TEG(Test Element Group)將光點(約2.4um之可見光雷射)游擊極區域側往源極區域側依序掃描而照射的場合之汲極電流的大小之結果。TEG除了通道區域、源極區域以及汲極區域以外，還包括被形成於通道區域與源極區域之接合部的源極側接合區域，以及被形成於通道區域與及極區域之接合部的汲極側接合區域。
又，圖7的橫軸顯示被照射光點的光照射位置，以通道區域與汲極側接合區域之邊界以及通道區域與源極側接合區域之邊界進而通道區域為零。圖7之橫軸顯示汲極電流的大小(其中，係以特定之值規格化的相對值)，汲極電流由汲極區域往源極區域流的場合，為＋(亦即正值(plus)之值)，汲極電流由源極區域往汲極區域流的場合為一(亦即負值(minus)之值)。
於圖7，資料E1，無論在任何光照射位置都顯示正的值。亦即，汲極電流，顯示著從汲極區域朝向源極區域流動。此外，資料E1，於汲極側接合區域內，顯示較源極側接合區域內更大之值。亦即，在對汲極側接合區域內被照射光點的場合，比在源極側接合區域內被照射光點的場合，顯示汲極電流變得更大。總之，在對汲極側接合區域內被照射光點的場合，比在源極側接合區域內被照射光點的場合，顯示光洩漏電流變得更大。又，汲極電流，係由暗電流(或者是次閾值洩漏subthreshold－leak，亦即在不照射光的狀態，於TEG之關閉狀態也流晶圓極區域汲極極區域間的洩漏電流)與光洩漏電流(或者說光激發電流，亦即由於光線的照射導致電子的激發引起的電流)所構成。
其次，參照圖8及圖9，說明在對汲極側接合區域內被照射光點的場合，比在源極側接合區域內被照射光點的場合，光洩漏電流變得更大的機制。此處圖8係顯示於汲極側接合區域發生光激發的場合之載子的行動之概念圖。圖9係顯示於源極側接合區域發生光激發的場合之載子的行動之概念圖。又，在圖8及圖9，假設前述之TFT30被電氣接續的畫素電極9a之中間色階的顯示，源極電位(亦即源極區域的電位)為0V，汲極電位(亦即，汲極區域的電位)為9.5V。圖8及圖9之橫軸，顯示構成TEG的半導體層之各區域。圖8及圖9之縱軸，顯示電子的電位(費米位準)。因為電子具有負的電荷，各區域之電位越高，電子的電位變得越小，各區域之電位越低，電子的電位變大。
圖8係對被形成於通道區域及汲極區域間的汲極側接合區域照射光點，於汲極側接合區域產生光激發之載子的行動。
於圖8，光洩漏電流，可以推定由2個電流成分所構成。
亦即，作為第1電流成分，有光激發所產生的電子移動所導致之電流成分。更具體而言，係汲極側接合區域之光激發所產生的電子(參照圖中「e」)，藉由從汲極側接合區域往電位更低的汲極區域移動而產生的電流成分(此電流成分，從汲極區域往源極區域流去)。
作為第2電流成分，有光激發所產生的電洞(亦即正孔，參照圖中的「h」)移動所導致之電流成分。更具體而言，汲極側接合區域之光激發所產生的電洞，藉由從汲極側接合區域往電位更低的(亦即電子的電位更高的)通道區域移動而產生的雙極(bipolar)效果所導致的電流成分。總之，藉由往通道區域移動的電洞的正電荷，通道區域的電位(亦即所謂的基底電位)由電位Lc1往電位Lc2降低，所以有從源極區域朝向汲極區域的電子增大的效果所導致的電流成分(此電流成分由汲極區域往源極區域流)。因而，於汲極側接合區域產生光激發的場合，第1及第2電流成分都發生於使汲極電流(換句話說，集極(collector)電流)增大的方向(亦即，從汲極區域往源極區域流洞的方向)。
圖9係對被形成於通道區域及源極區域間的源極側接合區域照射光點，於源極側接合區域產生光激發之載子的行動。
於圖9，光洩漏電流，參照圖8與前述之汲極側接合區域產生光激發的場合不同，可以推論出電洞從源極側接合區域往電位更低的(亦即作為電子的電位為更高的)通道區域移動的雙極效果所導致的第2電流成分係支配性的。亦即，可以推定源極側接合區域之光激發所產生的電子(參照圖中「e」)，藉由從源極側接合區域往電位更低的源極區域移動而產生的第1電流成分(此電流成分，從源極區域往汲極區域流去)，比起因於雙極效果的第2電流成分(此電流成分從汲極區域往源極區域流)還要少。
於圖9，起因於雙極效果的第2電流成分(亦即藉由往通道區域移動的電洞之正電荷，而使基底電位從電位Lc1往電位Lc3拉下，所以從源極區域朝向汲極區域移動的電子增大的效果所導致的電流成分)，從汲極區域往源極區域流。另一方面，前述之第1電流成分，從源極區域往汲極區域流。亦即，第1電流成分與第2電流成分互往相反的方向流。此處，再度於圖7，在對源極側接合區域照射光的場合，汲極電流(參照資料E1)顯示正的值。亦即，在此場合，汲極電流從汲極區域朝向源極區域流動。因而，第1電流成分，僅僅抑制暗電流或第2電流成分之雙極效果所導致的電流成分，汲極電流的流動從源極區域朝向汲極區域的程度可謂不大。
進而，通道區域以及源極區域間的電位差，比通道區域及汲極區域間的電位差更小，所以源極區域側的空乏化區域(亦即源極側接合區域)，比汲極區域側的空乏化區域(亦即汲極側接合區域)更窄。因此，對源極側接合區域照射光點的場合，與對汲極側接合區域照射光點的場合相比，光激發的絕對量很少。
以上，如參照圖8及圖9所說明的，於汲極側接合區域產生光激發的場合，第1及第2電流成分均產生於使汲極電流增大的方向。另一方面，於源極側接合區域產生光激發的場合，第1電流成分抑制第2電流成分。因而，在對汲極側接合區域內被照射光點的場合，比在源極側接合區域內被照射光點的場合，汲極電流變得更大(亦即光洩漏電流便大)。
其次，在畫素電極側源極汲極區域為汲極電位同時對畫素電極側接合區域內被照射光點的場合，比起在資料線側源極汲極區域為汲極電位同時資料線側接合區域內被照射光點的場合，光洩漏電流變得更大的機制，參照圖10及圖11來說明。此處圖10係顯示於資料線側源極汲極區域被設為汲極電位的場合，於資料線側接合區域(換句話說，汲極側接合區域)發生光激發的場合之載子的行動之概念圖。圖11係顯示於畫素電極側源極汲極區域被設為汲極電位的場合，於畫素電極側接合區域(換句話說，汲極側接合區域)發生光激發的場合之載子的行動之概念圖。
以下，考慮在包含畫素開關用之TFT的畫素部被保持電荷而發生光激發的場合。與如前述假想TEG的場合所不同之處，在於畫素開關用之TFT的畫素電極側，有可能成為浮動(floating)狀態這一點。於畫素開關用之TFT的畫素電極側，如蓄積電容70a亦有被接續保持電容的場合，如果電容值充分地大，與使用前述之TEG的場合同樣成為接近固定電極的狀態，但是電容充分地大的話，則會成為浮動狀態或者接近此狀態。又，在此處假設電容值並不是充分地大。
於圖10以及圖11，在液晶裝置，為了防止所謂燒屏而採用交流驅動。此處，假設中間色階的顯示，假設對畫素電極，以7V為基準電位交互保持4.5V之負電場的電荷與9.5V之正電場的電荷的場合。因此畫素開關用之TFT的源極以及汲極，在畫素電極側源極汲極區域與資料線側源極汲極區域之間，不是固定而會改變。亦即，如圖10所示，對畫素電極保持負電場的電荷的場合(亦即，畫素電極側源極汲極區域的電位比資料線側源極汲極區域的電位更低的場合)，畫素電極側源極汲極區域，成為源極，相對的如圖11所示，對畫素電極被保持正電場的電荷的場合(亦即，畫素電極側源極汲極區域的電位比資料線側源極汲極區域的電位更高的場合)，畫素電極側源極汲極區域成為汲極。
於圖10，在畫素電極被保持負電場的電荷的場合，畫素電極側源極汲極區域，成為源極(或者射極)，資料線側源極汲極區域，成為汲極(或者集極)。汲極側接合區域之資料線側接合區域產生光激發的場合，如前所述，產生藉由光激發產生的電子移動導致的第1電流成分與起因於雙極效果的第2電流成分。此處，產生起因於雙極效果的第2電流成分時(亦即，基底電位由電位Lc1往電位Lc2拉下，而電子從源極之畫素電極側源極汲極區域起往汲極之資料線側源極汲極區域移動時)，從浮動狀態之畫素電極側源極汲極區域取出電子，作為射極的畫素電極側源極汲極區域之電位，從電位Ls1往電位Ls2降低(電位則是上升)。亦即，於汲極側接合區域之資料線側接合區域產生光激發的場合，基底電位(base potential)降低的同時，作為射極的畫素電極側源極汲極區域的電位也降低。換句話說，於汲極側接合區域之資料線側接合區域產生光激發的場合，伴隨著基底電位的上升，射極電位也上升。因此，汲極電流(亦即射極電流以及集極電流)被抑制。
另一方面，於圖11，在畫素電極被保持正電場的電荷的場合，資料電極側源極汲極區域，成為源極(或者射極)，畫素電極側源極汲極區域，成為汲極(或者集極)。於汲極側接合區域之畫素電極側接合區域產生光激發的場合，如前所述，產生藉由光激發產生的電子移動導致的第1電流成分與起因於雙極效果的第2電流成分。此處，成為源極的資料線側源極汲極區域，因為不與資料線相接，所以與畫素電極不同不是在浮動狀態，電位也不產生變化。產生起因於雙極效果的第2電流成分時(亦即，基底電位由電位Lc1往電位Lc2拉下，而電子由源極之資料線側側源極汲極區域起往汲極之畫素電極源極汲極區域移動時)，往浮動狀態之畫素電極側源極汲極區域流入電子，作為集極的畫素電極側源極汲極區域之電位，從電位Ld1往電位Ld2上升(電位則是下降)。但是，作為集極的畫素電極側源極集極區域之電位的上升，與前述之作為源極的畫素電極側源極汲極區域的電位的降低不同，幾乎沒有抑制汲極電流的作用。汲極電流(亦即集極電流)，幾乎藉由對射極電位之基底電位的大小而被決定，集極電位即使降低也幾乎沒有產生抑制汲極電流的作用，換句話說，是進入雙極電晶體的飽和區域的狀態。
以上，如參照圖10及圖11所說明的，在畫素電極被保持於正電場的電荷的場合(亦即，畫素電極側源極汲極區域，成為汲極的場合)，起因於雙極效果的第2電流成分幾乎不被抑制，相對的在畫素電極被保持於負電場的電荷的場合(亦即，資料側源極汲極區域，成為汲極的場合)，起因於雙極效果的第2電流成分起因於浮動狀態之畫素電極側源極汲極區域之電位的上升而被抑制。總之，畫素電極側源極汲極區域成為汲極的場合，比資料側源極汲極區域成為汲極的場合，起因於光洩漏電流的汲極電流會增加。
此處，圖12顯示對畫素開關用TFT全體照射比較強的光時之畫素電極電位的波形。
於圖12，資料E2，顯示在畫素電極被保持正電場的電荷的場合(畫素電極電位為電位V1的場合)之畫素電極電位的變動△1，比在畫素電極被保持負電場的電荷的場合(畫素電極電位為電位V2的場合)之畫素電極電位的變動△2還要大。亦即，於畫素電極，正電場的電荷比負電場的電荷更不易被保持(亦即容易發生光洩漏)。這與在畫素電極被保持正電場的電荷的場合(亦即，畫素電極側源極汲極區域成為汲極的場合，比在畫素電極被保持負電場的電荷的場合(亦即，資料線側源極汲極區域成為汲極的場合，更容易產生光洩漏電流之前述的機制(mechanism)是一致的。
以上，如參照圖7至圖12所詳細說明的，於畫素開關用TFT之汲極側接合區域產生光激發的場合，汲極電流容易增加。進而，於畫素電極側源極汲極區域成為汲極的場合汲極電流容易增加(反言之，在資料線側源極汲極區域成為汲極的場合，起因於雙極效果的電流成分被抑制)。因而，如相關於本實施型態的液晶裝置那樣，藉由把畫素電極側接合區域之畫素電極側LDD區域之遮光性，提高至比對資料線側接合區域之資料線側LDD區域的遮光性還要高，可以維持高的開口率同時得到高效果的遮光性。
如以上所說明的，根據具備相關於本實施型態的光電裝置用基板之液晶裝置，可以不招致開口率的無用的降低，而可以減低起因於光洩漏電流的發生而產生的閃爍等顯示不良。
<第2實施形態>
其次，參照圖13說明相關於第2實施型態之液晶裝置。此處圖13係與第2實施型態之圖6相同要旨之平面圖。又，於圖13，與相關於圖6所示的第1實施型態的構成要素同樣的構成要素被賦予同一參照符號，而適當省略其說明。
於圖13，相關於第2實施型態的液晶裝置，具備TFT30、掃描線3a及蓄積電容70b。
TFT30具有包含通道區域1a' 的半導體層1a，及由掃描線3a之中重疊於通道區域1a' 的部分所構成的閘極電極3b。通道區域1a' ，相互隔著複數畫素之分別的開口區域之非開口區域之中，沿著顯示區域內的Y方向延伸的第1區域D1具有沿著Y方向之通道長L1。半導體層1a，具有被形成於通道區域1a' 及資料線側源極汲極區域1d間的資料線側LDD區域1b，及被形成於通道區域1a' 及畫素電極側源極汲極區域1c間的畫素電極側LDD區域1c。亦即，半導體層1a，以通道區域1a' 為基準，具有被形成於資料線側源極汲極區域1d之側的資料線側LDD區域1b，及被形成於畫素電極側源極汲極區域1e之側的畫素電極側LDD區域1c。
掃描線3a，於非開口區域之中延伸於X方向的第2區域D2，沿著X方向被形成。掃描線3a之一部分，被形成為閘極電極3b。閘極電極3b，於第1區域D1及第2區域D2相互交叉的交叉區域重疊於通道區域1a' 。
蓄積電容70b，具備上部電容電極300b、下部電容電極71n以及被挾持於這些電容電極間的介電質膜。蓄積電容70b，其上部電容電極300b以及下部電容電極71n的平面形狀，與上述之第1實施型態的蓄積電容70a的上部電容電極300以及下部電容電極71m之平面形狀不同。其他方面，蓄積電容70b與蓄積電容70a大致為同樣的構成。
蓄積電容70b，具有由第1區域D1及第2區域D2相互交叉的交叉區域起沿著Y方向延伸的第1部分Py，及由該交叉區域起沿著X方向延伸的第2部分Px，及第1部分Py與第2部分Px在交叉區域相互交叉的交叉部Cd。
第1部分Py，係由下部電容電極71n之中沿著Y方向延伸的下部電容電極Y側延伸部71ny，及上部電容電極300b之中沿著Y方向延伸的上部電容電極Y側延伸部300by，及介電質膜之中延伸於下部電容電極Y側延伸部71my與上部電容電極Y側延伸部300by間的部分所構成。第2部分Px，係由下部電容電極71n之中沿著X方向延伸的下部電容電極X側延伸部71nx，及上部電容電極300b之中沿著X方向延伸的上部電容電極X側延伸部300bx，及介電質膜之中延伸於下部電容電極X側延伸部71nx與上部電容電極X側延伸部300bx間的部分所構成。
在本實施型態，特別是畫素電極側LDD區域1c之至少一部份，與交叉區域之交叉部Cd，在TFT陣列基板10上平面俯視為相互重疊。又，資料線側LDD區域1b，不與交叉部Cd重疊。如參照圖7至圖12所詳細說明的，本案發明人推論出在TFT30動作時，於畫素電極側LDD區域1c，比起資料線側LDD區域1b來說相對容易發生光洩漏電流。交叉部Cd及第2部分Px，藉由畫素電極側LDD區域1c之至少一部份重疊於交叉部Cd，而與畫素電極側LDD區域1c不重疊於交叉部Cd的場合相比，可以減低照射於畫素電極側LDD區域1c的光。更具體而言，於Y方向，以沿著第1部分Py的表面的方式對該表面之法線方向以大角度斜向對畫素電極側LDD區域1c入射的入射光，因為第1部分Py延伸於Y方向，所以藉由第1部分Py遮光。另一方面，於X方向，以沿著第2部分Px的表面的方式對該表面之方向以大角度斜向對畫素電極側LDD區域1c入射的入射光，藉由延伸於交叉部Cd及X方向的第2部分Px而遮光。藉此，藉由使畫素電極側LDD區域1c重疊於交叉部Cd可以提高對畫素電極側LDD區域1c的遮光性。亦即，為了提高對光洩漏電流相對容易發生的畫素電極側LDD區域1c之遮光性，並沒有必要增加蓄積電容70b的第1部分Py或第2部分Px的寬幅。總之，根據本實施型態之液晶裝置，提高對畫素電極側LDD區域1c的遮光性，同時幾乎不或完全不招致開口率的降低。又，從提高開口率的觀點來看，蓄積電容70b的第1部分Py及第2部分Px的寬幅最好縮窄。亦即，交叉部Cd最好縮小。
又，與畫素電極側LDD區域1c比較，不易發生光洩漏電流的資料線側LDD區域1b，不重疊於交叉部Cd亦可。在此場合，資料線側LDD區域1b，藉由與蓄積電容70b之第1部分Py重疊而遮光，光洩漏電流在實踐上幾乎不或完全不發生。
進而，在本實施型態，特別是閘極電極3b，具有在第1區域D2沿著X方向延伸的本線部3bx，與在第1區域D1，從本線部3bx沿著Y方向突出於資料線側LDD區域1b之側的凸部3by。通道區域1a' 之通道長L1，因為因應於TFT30被要求的元件特性而被設定，畫素電極側LDD區域1c要以重疊於交叉部Cd的方式變更通道區域1a' 的大小，或者是變更沿著該通道長L1的半導體層1a的長度，都會改變本來的TFT30的元件特性。亦即，藉由畫素電極側LDD區域1c重疊於交叉部Cd，即使減低光洩漏電流的產生，也同時帶來TFT30所要求的開關特性等元件特性自身的變更，使得獲得了可減低光洩漏電流的優點以外，反而無法得到本來的元件特性。特別是如本實施型態這樣，通道長L1比閘極電極3b的本線部3bx的寬幅W1還要大的場合，假設不施以任何對策，由於畫素電極側LDD區域1c之至少一部份重疊於交叉部Cd而使得通道區域1a' 沿著Y方向從本線部3bx伸出。
在相關的本實施型態，特別如前所述，閘極電極3b，具有從本線部3bx沿著Y方向突出於資料線側LDD區域1b之側的凸部3by。因而，沿著方向挪移至資料線側LDD區域1b之側而設至通道區域1a' ，也可以重疊於通道區域1a' 而配置閘極電極3b。進而，凸部3by因為重疊於沿著Y方向延伸的第1部分Py，所以不會使非開口區域增大。亦即，不會減低開口率而可以在通道區域1a' 重疊配置閘極電極3b。
<第3實施形態>
依照圖14至圖16說明相關於第3實施型態之液晶裝置。此處圖14係與第3實施型態之圖4相同要旨之平面圖。圖15為圖14之B－B' 線剖面圖。圖16係與第3實施型態之圖6相同要旨之平面圖。又，於圖14至圖16，與相關於圖1至圖6所示的第1實施型態的構成要素同樣的構成要素被賦予同一參照符號，而適當省略其說明。
如圖14及圖15所示，相關於第3實施型態的液晶裝置，參照圖4及圖15取代第1實施型態之TFT30而具備TFT30c這一點，以及取代蓄積電容70a而具備蓄積電容70c這一點，以及取代掃描線3a而具備掃描線3c這一點，與相關於前述第1實施型態的液晶裝置相異，其他部分則與前述之第1實施型態相關的液晶裝置大致為相同的構成。
如圖14及圖15所示，TFT30c，具備半導體層1a、及作為閘極電極的掃描線3c之一部份。半導體層1a，係由具有沿著Y方向之通道長的通道區域1a' 、資料線側LDD區域1b、及畫素電極側LDD區域1c、以及資料線側源極汲極區域1d及畫素電極側源極汲極區域1e所構成。資料線側源極汲極區域1d，介由貫通層間絕緣膜42、絕緣膜61、層間絕緣膜41以及閘極絕緣膜2(具體而言為絕緣膜2a及絕緣膜2b)而開孔的接觸孔81b而與資料線6a相互導電連接。畫素電極側源極汲極區域1e，介由貫通層間絕緣膜41以及閘極絕緣膜2而被開孔的接觸孔83b而與後述之下部電容電極71s相互導電連接。
如圖14所示，在本實施型態，複數之TFT30c分別相鄰接於Y方向(亦即列方向)而被配置的一對TFT30c之對Y方向的資料線側源極汲極區域1d以及畫素電極側源極汲極區域1e之朝向互為相反的方式被配置，同時該一對之TFT30c之各個的資料線側源極汲極區域1d導電連接於資料線6a的接觸孔81b被共通化。
亦即，於圖14，以上下方向為Y方向的話，一對之TFT30c成為上下反轉或者上下鏡像反轉之TFT。接著，這樣被配置為鏡像對稱的複數TFT30c，接續Y方向上第i個TFT30c(i)(其中i為偶數或者奇數之任一)之資料線側源極汲極區域1d與資料線6a之接觸孔81b，及接續Y方向上第i＋1個TFT30c(i＋1)之資料線側源極汲極區域1d與資料線6a之接觸孔81b係共通的。亦即，僅藉由一個接觸孔81b，使一對之TFT30c(亦即TFT30c(i)以及TFT30c(i＋1))雙方之資料線側源極及極區域1d與資料線6a導電接續。亦即，與如通常對每個畫素分別設置TFT30c且分別對TFT30c取得由資料線側源極汲極區域1d往資料線6a之電氣接續的場合相比，可以大幅減少接觸孔的數目。藉此，窄間距化成為可能，可以實現液晶裝置的小型化/高精細化。
於圖15，介由層間絕緣膜41而在比TFT陣列基板10上的TFT30c更為上層側，設有蓄積電容70c。蓄積電容70c，係下部電容電極71s以及上部電容電極300c介由介電質膜75a而被對向配置而形成的。
上部電容電極300c，係固定電位側電容電極，下部電容電極71s，係介由接觸孔83b被電氣接續於TFT30c的畫素電極側源極汲極區域1e之畫素電位側電容電極。下部電容電極71s，係以多晶矽等半導體所形成。亦即，蓄積電容70c，具有所謂MIS構造。下部電容電極71s，介由貫通層間絕緣膜42以及絕緣膜61而被開孔的接觸孔84b而與中繼層93電氣導通。又，下部電容電極71s，除了作為畫素電位側電容電極的功能以外，也具有作為上側遮光膜之被配置於上部電容電極300與TFT30c之間的光吸收層或者遮光層的功能。資料線6a，透過貫通層間絕緣膜41、絕緣膜61以及第2層間絕緣膜42的接觸孔81b被導電連接於高濃度源極區域1d。層間絕緣膜41及42之間，部分中介著絕緣膜61。
於圖14，下部電容電極71s，於各畫素相互被隔開。亦即，中介著資料線6a而被供給的影像訊號，因應於TFT30c的開關動作而被供給至各畫素。上部電容電極300c，因為沿著X方向跨複數畫素而延伸，所以藉由在複數畫素被共用而使得電極面積比下部電容電極71s更大。然而，上部電容電極300c，係以鋁等金屬膜所構成，所以與以半導體形成上部電容電極300c的場合相比，可以抑制由於電極面積的增大所導致的電阻增加。因而，液晶裝置動作時之耗電量的降低以及各畫素之各種元件的高速驅動成為可能，具有可以抑制藉由液晶裝置顯示影像時之回應性的降低之優點。又，這樣的優點，如本實施型態所示並不限於以跨上部電容電極300c沿著X方向相互鄰接的畫素而延伸的方式被形成的場合，上部電容電極300於影像顯示區域10a以佔有更大面積的方式跨複數畫素而形成的場合下更為顯著。
於圖14及圖16，蓄積電容70c，具有由第1區域D1及第2區域D2相互交叉的交叉區域起沿著Y方向延伸的第1部分Py，及由該交叉區域起沿著X方向延伸的第2部分Px，及第1部分Py與第2部分Px在交叉區域相互交叉的交叉部Cd。
第1部分Py，係由下部電容電極71s之中沿著Y方向延伸的下部電容電極Y側延伸部71sy，及上部電容電極300c之中沿著Y方向延伸的上部電容電極Y側延伸部300cy，及介電質膜之中延伸於下部電容電極Y側延伸部71sy與上部電容電極Y側延伸部300cy間的部分所構成。第2部分Px，係由下部電容電極71s之中沿著X方向延伸的下部電容電極X側延伸部71sx，及上部電容電極300c之中沿著X方向延伸的上部電容電極X側延伸部300cx，及介電質膜之中延伸於下部電容電極X側延伸部71sx與上部電容電極X側延伸部300cx間的部分所構成。
在本實施型態，與相關於前述之第2實施型態的液晶裝置同樣，畫素電極側LDD區域1c之至少一部份，與交叉區域之交叉部Cd，在TFT陣列基板10上平面俯視為相互重疊。又，資料線側LDD區域1b，不與交叉部Cd重疊。因而，交叉部Cd及第2部分Px，藉由畫素電極側LDD區域1c之至少一部份重疊於交叉部Cd，而與畫素電極側LDD區域1c不重疊於交叉部Cd的場合相比，可以減低照射於畫素電極側LDD區域1c的光。
如圖14及圖16所示，在本實施型態，特別是作為TFT30的閘極電極而共用的掃描線3c，於第2區域D2沿著X方向延伸的本線部3c1，與第1區域D1與第2區域D2相互交叉的交叉區域，具有本線部3c1以不重疊於畫素電極側源極汲極區域1c的方式使本線部3c1被部分切開而成的凹部150，及由本線部3c1沿著Y方向往資料線側源極汲極區域1d之側突出的凸部160。因而，以掃描線3c之一部分作為閘極電極，可以不重疊於畫素電極側源極汲極區域1c而且確實重疊設於通道區域1a。
亦即，藉由掃描線3c具有凹部150，即使沿著X方向有掃描線3c延伸的場合，也可以在沿著X方向排列的複數畫素共用掃描線3c，而且以掃描線3c之一部分作為閘極電極，於各畫素以不重疊於畫素電極側源極汲極區域1c且重疊於通道區域1a' 的方式設置。進而，掃描線3c藉由凸部160使得沿著Y方向使通道區域1a' 挪移至資料線側源極汲極區域1d之側，也可以重疊於通道區域1a' 而將掃描線3c之一部分作為閘極電極配置。又，閘極電極，亦可與掃描線3c之一部分共用，亦可與掃描線3c另行設置，且藉由接觸孔等接觸手段而被導電接續於掃描線3c。
又，於圖14，如前所述，一對之TFT30c其接觸孔81b被共通化，係所謂上下鏡像反轉之TFT，所以對應於一對TFT30c之一對掃描線3c也成為上下鏡像反轉之掃描線。亦即，因應於相鄰接於Y方向而被配置之一對TFT30c之資料線側LDD區域1b以及畫素電極側LDD區域1c之配置相互為逆向，時得對應於一對TFT30c之一對掃描線3c之凹部150以及凸部160之朝向以互逆的方式被配置。藉由如此構成，實現了液晶裝置的小型化．高精細化，同時可以減低起因於光洩漏電流的發生而產生的閃爍等顯示不良。<電子機器>
其次，說明將前述之光電裝置之液晶裝置適用於各種電子機器的場合。此處圖17係顯示投影機的構成例之平面圖。以下，說明將此液晶裝置作為光閥使用之投影機。
如圖17所示，於投影機1100的內部，設有由鹵素燈等白色光源所構成的燈單元1102。由此燈單元1102所射出的投射光，藉由配置在光導1104內的4枚反射鏡1106及2枚二色性反射鏡1108而分離為RGB三原色，射入作為對應於各原色的光閥之液晶面板1110R、1110B、1110G。
液晶面板1110R、1110B及1110G之構成，與前述液晶裝置相同，以從影像訊號處理電路供給的R、G、B之原色訊號分別驅動。接著，藉由這些液晶面板調變的光，由3方向入射至二色性稜鏡1112。於此二色性稜鏡1112，R以及B之光折射90度，另一方面G之光則直進。亦即，各色之影像被合成的結果，透過投射透鏡1114，在螢幕等投影彩色影像。
此處，注意根據各液晶面板1110R、1110B以及1110G之顯示影像的話，根據液晶面板1110G之顯示影像，有必要對根據液晶面板1110R、1110B之顯示影像左右反轉。
又，於液晶面板1110R、1110B以及1110G，藉由二色性反射鏡1108，入射對應於R、G、B各原色之光，所以不需要設置彩色濾光片。
又，除了參照圖17至圖19所說明的電子機器以外，還可以舉出可攜型個人電腦、行動電話、液晶電視、觀景窗型、螢幕直視型之攝影機、汽車導航裝置、呼叫器、電子手冊、計算機、文書處理機、工作站、電視電話、POS終端、具備觸控面板的裝置等。接著，當然也可以適用於這些各種電子機器。
此外本發明，除前述之實施例所說明的液晶裝置以外，也可以適用於在矽基板上形成元件的反射型液晶裝置(LCOS)、電漿顯示器(PDP)、電場放出型顯示器(FED、SED)、有機EL顯示器、數位微反射鏡裝置(DMD)、電泳裝置等。
本發明並不以前述實施型態為限，在可從申請專利範圍及專利說明書全體讀出之不違反發明要旨或思想的範圍內可以適當變更，伴隨著那樣的變更之光電裝置用基板、具備該光電裝置用基板之光電裝置、及具備該光電裝置而構成之電子機器都包含於本發明的技術範圍。
1a．．．半導體層
1a' ．．．通道區域
1b．．．資料線側LDD區域
1c．．．畫素電極側LDD區域
1d．．．資料線側源極汲極區域
1e．．．畫素電極側源極汲極區域
7．．．採樣電路
3a,3c．．．掃描線
3b．．．閘極電極
6a．．．資料線
9a．．．畫素電極
10．．．TFT陣列基板
10a．．．畫素顯示區域
20．．．對向基板
21．．．對向電極
23．．．遮光膜
30．．．TFT
50．．．液晶層
70a,70b,70c．．．蓄積電容
71m,71n,71s．．．下部電容電極
81a,83a．．．接觸孔
101．．．資料線驅動電路
102．．．外部電路接續端子
104．．．掃描線驅動電路
106．．．上下導通端子
150．．．凹部
160．．．凹部
300,300b,300c．．．上部電容電極
301．．．第1部分
302．．．第2部分
Cd．．．交叉部
D1．．．第1區域
D2．．．第2區域
Px．．．第1部分
Py．．．第2部分
圖1係顯示相關於第1實施型態之液晶裝置的全體構成之平面圖。
圖2為圖1之H－H' 線剖面圖。
圖3係相關於第1實施型態之液晶裝置的複數之畫素部之等價電路圖。
圖4係相關於第1實施型態之液晶裝置的複數之畫素部之平面圖。
圖5為圖4之A－A' 線剖面圖。
圖6係顯示相關於第1實施型態之液晶裝置的蓄積電容的平面形狀之平面圖。
圖7係顯示TEG之光照射位置與汲極電流之關係之圖。
圖8係顯示於汲極側接合區域發生光激發的場合之載子的行動之概念圖。
圖9係顯示於源極側接合區域發生光激發的場合之載子的行動之概念圖。
圖10係顯示於資料線側源極汲極區域被設為汲極電位的場合，於資料線側接合區域發生光激發的場合之載子的行動之概念圖。
圖11係顯示於畫素電極側源極汲極區域被設為汲極電位的場合，於畫素電極側接合區域發生光激發的場合之載子的行動之概念圖。
圖12係顯示對畫素開關用TFT全體照射光時之畫素電極電位的波形之波形圖。
圖13係與第2實施型態之圖6相同要旨之平面圖。
圖14係與第3實施型態之圖4相同要旨之平面圖。
圖15為圖14之B－B' 線剖面圖。
圖16係與第3實施型態之圖6相同要旨之平面圖。
圖17係顯示適用光電裝置之電子機器之一例之投影機的構成之平面圖。
1a．．．半導體層
1a'．．．通道區域
1b．．．資料線側LDD區域
1c．．．畫素電極側LDD區域
1d．．．資料線側源極汲極區域
1e．．．畫素電極側源極汲極區域
3a．．．掃描線
70a．．．蓄積電容
71m．．．下部電容電極
300．．．上部電容電極
301．．．第1部分
302．．．第2部分
81a,83a．．．接觸孔
W1、W2．．．寬幅

Claims (14)

  1. 一種光電裝置用基板，其特徵為具備：基板，及在前述基板上相互交叉的複數資料線及複數掃描線，及對應於前述複數資料線及前述複數掃描線之交叉而被規定，且被形成於構成前述基板上的顯示區域之複數畫素之各個的畫素電極，及包含：設於相互隔著前述複數畫素之各個的開口區域之非開口區域內，具有沿著前述顯示區域之一個方向的通道長之通道區域，及被導電連接於前述資料線的資料線側源極汲極區域，及被導電連接於前述畫素電極的畫素電極側源極汲極區域，及被形成於前述通道區域及前述資料線側汲極源極區域間的第1接合區域，及被形成於前述通道區域及前述畫素電極側汲極源極區域間的第2接合區域等之半導體層的電晶體，及被形成於比前述半導體層更上層側，具有：沿著交於前述一個方向的其他方向延伸，同時覆蓋前述通道區域的本體部分，與由前述本體部分沿著前述一個方向延伸，同時覆蓋前述第1接合區域的第1部分，及由前述本體部分沿著前述一個方向延伸同時覆蓋前述第2接合區域且比前述第1部份在前述其他方向上的寬幅更寬的第2部分的遮光部。
  2. 如申請專利範圍第1項之光電裝置用基板，其中 前述第2接合區域，係LDD區域。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光電裝置用基板，其中前述遮光部被配置於前述電晶體的正上方。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之光電裝置用基板，其中前述遮光部，係具有一對電容電極及被挾持於該一對電容電極間的介電質膜的電容元件，前述電容元件，在透過前述資料線對前述畫素電極供給影像訊號時，保持前述畫素電極的電位。
  5. 如申請專利範圍第4項之光電裝置用基板，其中前述一對電容電極之至少一方，包含導電性遮光膜。
  6. 一種光電裝置用基板，其特徵為具備：基板，及在前述基板上相互交叉的複數資料線及複數掃描線，及對應於前述複數資料線及前述複數掃描線之交叉而被規定，且被形成於構成前述基板上的顯示區域之複數畫素之各個的畫素電極，及(i)具有：於相互隔著前述複數畫素之各個的開口區域的非開口區域之中沿著前述顯示區域內的第1方向延伸的第1區域內，具有沿著前述第1方向的通道長之通道區域，及被導電連接於前述資料線的資料線側源極汲極區域，及被導電連接於前述畫素電極的畫素電極側源極汲極區域，及被形成於前述通道區域及前述資料線側汲極源極 區域間的第1接合區域，及被形成於前述通道區域及前述畫素電極側汲極源極區域間的第2接合區域等之半導體層，以及(ii)於前述非開口區域之中在相交於前述第1方向的第2方向延伸的第2區域及前述第1區域相互交叉的交叉區域具有重疊於前述通道區域的閘極電極之電晶體，及被形成於比前述半導體層更上層側，具有：在沿著前述第1方向及前述第2方向之各個延伸的第1部分及第2部分以及前述交叉區域具有前述第1部份與前述第2部份相互交叉的交叉部之遮光部；前述第2接合區域之至少一部份，於前述交叉區域重疊於前述交叉部；前述閘極電極，具有：於前述第2區域沿著前述第2方向延伸的本線部，及於前述第1區域由前述本線部沿著前述第1方向突出於前述第1接合區域之側的凸部。前述閘極電極，於前述交叉區域以前述本線部不重疊於前述第2接合區域的方式具有前述本線部有部分缺口所構成的凹部。
  7. 如申請專利範圍第6項之光電裝置用基板，其中前述第2接合區域，係LDD區域。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之光電裝置用基板，其中前述遮光部被配置於前述電晶體的正上方。
  9. 如申請專利範圍第6或7項之光電裝置用基板，其 中前述遮光部，係具有一對電容電極及被挾持於前述一對電容電極間的介電質膜的電容元件，前述電容元件，在透過前述資料線對前述畫素電極供給影像訊號時，保持前述畫素電極的電位。
  10. 如申請專利範圍第9項之光電裝置用基板，其中前述一對電容電極之各個，係由金屬膜所形成。
  11. 如申請專利範圍第9項之光電裝置用基板，其中前述一對電容電極之一方，係由半導體膜所形成。
  12. 一種光電裝置，其特徵為具備申請專利範圍第1至11項之任一項所記載的光電裝置用基板。
  13. 一種電子機器，其特徵為具備申請範圍第12項之光電裝置。
  14. 一種光電裝置用基板，其特徵為具備：基板，及在前述基板上相互交叉的複數資料線及複數掃描線，及對應於前述複數資料線及前述複數掃描線之交叉而被規定，且被形成於構成前述基板上的顯示區域之各個複數畫素的畫素電極，及包含：具有沿著前述顯示區域之一個方向的通道長之通道區域，及被導電連接於前述資料線的資料線側源極汲極區域，及被導電連接於前述畫素電極的畫素電極側源極汲極區域，及被形成於前述通道區域及前述資料線側汲極 源極區域間的第1接合區域，及被形成於前述通道區域及前述畫素電極側汲極源極區域間的第2接合區域等之半導體層的電晶體，及被形成於比前述半導體層更上層側，具有：沿著交於前述一個方向之其他方向延伸同時覆蓋前述通道區域的本體部分，及由前述本體部分沿著前述一個方向延伸，同時覆蓋前述第1接合區域的第1部分，及由前述本體部分沿著前述一個方向延伸，同時覆蓋前述第2接合區域的第2部分的遮光部，前述第1部分，具有平面俯視夾著前述第1接合區域而位於前述其他方向之一方之側的第3部分與位於另一方之側的第4部分，前述第2部分，具有平面俯視夾著前述第2接合區域而位於前述其他方向之一方之側的第5部分與位於另一方之側的第6部分，前述第5部分之前述其他方向之寬幅被形成為比前述第3部分之前述其他方向之寬幅還要寬，前述第6部分之前述其他方向之寬幅被形成為比前述第4部分之前述其他方向之寬幅還要寬，平面俯視，前述第5部分及第6部分，與分別對應之前述畫素電極重疊。
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