CN101009316B - 平板显示设备及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种显示设备，包括：分割成包含像素的像素区域和除像素区域以外的非像素区域的第一基板，与第一基板上包括像素区域的预定区域相对立的第二基板；以及形成在第一基板和第二基板之间用于封装第一基板和第二基板的熔合密封材料。在第一基板的非像素区域上形成缓冲层。在缓冲层上形成绝缘膜，并且对绝缘层的预定区域进行蚀刻。通过蚀刻使一部分的第一金属膜暴露。形成第二金属膜使之与第一金属膜的暴露部分重叠。在绝缘膜和第二金属膜上形成保护膜。
Description
有关申请的交叉参考
本申请请求2006年1月27日提交的韩国专利申请10-2006-0008807的权益，其全部内容引述在此供参考。
技术领域
本发明涉及显示设备，尤其涉及用熔合料封装显示设备。
背景技术
近来，人们已经提出了诸如液晶显示设备、有机发光显示设备、PDP、FED等各种平板显示设备。这些平板显示设备可以以大面积来实现，因此受到公众的极大关注。通常，这种平板显示设备具有这样一种结构，它在基板上包括多个像素，和用金属帽盖或另一封装玻璃基板覆盖所述基板从而对它进行封装。尤其是，使用有机发光二极管的有机发光显示设备会受氧气、氢气和潮气的影响，因此，人们希望有一种更结实的封装结构以使氧气等不能够渗入其中。
若突然降低施加于玻璃材料的热的温度，则可以形成玻璃粉末状的熔合材料。通常，其使用是通过把氧化物粉末添加到玻璃粉末中来实现的。并且，如果在包括氧化物粉末的熔合料中加入有机物质，则可形成凝胶体状态的膏。此时，如果在预定温度下燃烧熔合料，则有机材料会消失于空气中，并且固化凝胶体状态的膏使之成为固态的熔合料。美国专利6,998,776中揭示了一种通过把熔合料涂敷于玻璃基板上来封装有机发光二极管的结构。
本部分中的讨论提供的是一般的背景信息，并不是对现有技术的陈述。
发明内容
本发明的一个方面提供一种制造显示设备的方法，该方法可以包括：提供第一基板和形成在第一基板上的一种结构，该结构包括第一绝缘层、第二绝缘层以及掩埋在第一、第二绝缘层之间的第一导线，第一导线一般沿第一方向延伸并包括第一部分，第一导线在其第一部分中具有宽度，该宽度是在与第一方向垂直的第二方向上测得的；选择性地蚀刻该结构的一部分以暴露导线的第一部分，结构中经蚀刻的部分具有沿第二方向测得的宽度，其中，经蚀刻部分的宽度大于第一导线在第一部分中的宽度；形成一般沿第一方向延伸的第二导线，它包括与第一导线的第一部分接触的第二部分；在第二导线上和第二绝缘层的未经蚀刻部分上形成保护层；安置第二基板使之与第一基板相对立；在保护层和第二基板之间插入熔合料；并且其中，当从第一基板沿第三方向观看时，熔合料与第二导线的第二部分重叠，其中，第三方向垂直于第一、第二方向。
在上述方法中，保护层可以包括第一部分和第二部分，其中保护层的第一部分插在第二导线的第二部分和熔合料之间，其中，保护层的第二部分插在熔合料和第二绝缘层未经蚀刻的部分之间，其中，保护层的第二部分不插在熔合料和第二导线的第二部分之间，其中，保护层在其第一部分中包括第一表面，第一表面面对第二基板，其中，保护层在其第二部分中包括第二表面，第二表面面对第二基板，其中，在保护层的第一部分中保护层可以具有第一厚度，第一厚度是沿第三方向测得的，并且其中，第一表面和第二表面之间沿第三方向的距离可以约等于或小于第一厚度。该距离可以约等于或小于第一厚度的一半。该距离可以约等于或小于第一厚度的三分之一。插入熔合料可以包括把熔合料放置在第一、第二基板之间使得熔合料接触第一表面和第二表面两者。
仍在上述方法中，保护层可以包括第一部分和第二部分，其中，保护层的第一部分插在熔合料和第二导线的第二部分之间，其中，保护层的第二部分插在熔合料和第二绝缘层未经蚀刻的部分之间而不插在熔合料和第二导线的第二部分之间，其中，保护层在其第一部分中包括第一表面，第一表面面对第二基板，其中，保护层在其第二部分中包括第二表面，第二表面面对第二基板，并且其中，第一表面和第二表面之间沿第三方向的跆二离可以约等于或小于3000
还是在上述方法中，保护层可以包括第一部分和第二部分，其中，保护层的第一部分插在熔合料和第二导线的第二部分之间，其中，保护层的第二部分插在熔合料和第二绝缘层未经蚀刻的部分之间而不插在熔合料和第二导线的第二部分之间，其中，保护层在其第一部分中包括第一表面，第一表面面对第二基板，其中，保护层在其第二部分中包括第二表面，第二表面面对第二基板，其中，第二绝缘层在其未经蚀刻的部分中可以具有第二厚度，该第二厚度是沿第三方向测得的，并且其中，第一表面和第二表面之间沿第三方向的距离可以约等于或小于第二厚度。距离可以约等于或小于第二厚度的一半。该距离可以约等于或小于第二厚度的三分之一。
还是仍在上述方法中，第二绝缘层可以不插在第一导线的第一部分和第二导线的第二部分之间。第二导线在其第二部分中可以具有宽度，并且其中，熔合料大体可以在第二导线的第二部分的整个宽度上与第二导线的第二部分重叠。第二导线的第二部分可以与第一导线的第一部分的整个宽度重叠。熔合料可以包括与第二导线的第二部分重叠的延长段，延长段一般沿第二方向延伸。选择性蚀刻可以包括蚀刻一部分第二绝缘层。选择性蚀刻可以包括蚀刻一部分第一绝缘层。插入熔合料可以包括在第一、第二基板中之一上形成熔合料，并且安置第一、第二基板从而熔合料插在第一、第二基板之间。
本发明的另一个方面提供一种显示设备，该显示设备可以包括：第一基板、与第一基板相对立的第二基板；插在第一基板和第二基板之间的熔合密封材料；一个导线，它一般沿第一方向延伸并包括插在第一基板和熔合密封材料之间的该导线的第一部分，其中该导线在其第一部分中具有沿第二方向测得的宽度，第二方向垂直于第一方向，其中，当从第一基板沿第三方向观看时熔合密封材料与第一部分重叠，第三方向垂直于第一、第二方向，其中，第一部分包括第一层和形成在第一层上的第二层；以及包括第一部分和第二部分的保护层，其中保护层的第一部分插在熔合密封材料和导线的第一部分之间，其中，保护层的第二部分插在熔合密封材料和第一基板之间而不插在熔合密封材料和导线的第一部分之间，其中，保护层在其第一部分中包括第一表面，第一表面面对第二基板，其中，保护层在其第二部分中包括第二表面，第二表面面对第二基板，其中，保护层在其第一部分中具有第一厚度，第一厚度是沿第三方向测得的，并且其中，第一表面和第二表面之间沿第三方向的距离约等于或小于第一厚度。
在上述设备中，该距离可以约等于或小于第一厚度的一半。该距离可以约等于或小于第一厚度的三分之一。该距离可以约等于或小于。在导线的整个第一部分的第一层和第二层之间可能不存在居间层。
本发明的再一个方面提供一种平板显示设备及防止封装平板显示设备时产生的热损伤金属膜和提高熔合料的粘合性的方法。
本发明的又一个方面提供一种平板显示设备，它包括：分割成包含像素的像素区域和与像素区域不同的非像素区域的第一基板；与第一基板上包括像素区域的预定区域相对立的第二基板；以及形成在第一基板和第二基板之间用于封装第一基板和第二基板的熔合料，其中，第一基板的非像素区域包括透明基板，在其上形成有缓冲层，在缓冲层上形成绝缘膜，并且对它的预定区域进行蚀刻，在绝缘膜上的预定区域上形成的第一金属膜及其图案，在第一金属膜上形成的第二金属膜，以及在绝缘膜和第二金属膜上形成的保护膜。
本发明的又一个方面提供一种制造平板显示设备的方法，该设备包括包含像素的像素区域和与像素区域不同的非像素区域以及通过使用像素来显示图像，该方法包括下列步骤：在形成有缓冲层的第一基板上形成第一绝缘膜；在形成有第一绝缘膜的区域中的第一区域上形成第一金属膜和其图案以及在这样生成的产品的上面沉积第二绝缘膜；蚀刻第二绝缘膜的第二区域；在第二区域上形成第二金属膜和其图案；在第二金属膜和第二绝缘膜的上面形成保护膜；以及使用熔合料把第一基板的像素区域和第二基板封装在一起。
附图说明
读者在参照附图，阅读了本发明各实施例的详细描述以后，将会更清楚地了解和理解本发明的各个方面和优点。
图1是截面图，示出平板显示屏中使用熔合料封装第一基板和第二基板的一种状态的横截面。
图2是结构图，示出根据本发明一个实施例的平板显示设备的结构。
图3是平面图，示出在母板上形成的多个像素阵列。
图4是截面图，示出图2和图3所示平板显示设备的横截面。
图5是电路图，示出在根据本发明一种实施例的平板显示设备是有机发光显示设备的情况下的一例像素。
图6A是根据一种实施例的无源矩阵型有机发光显示设备的示意分解图。
图6B是根据一种实施例的有源矩阵型有机发光显示设备的示意分解图。
图6C是根据一种实施例的有机发光显示器的示意俯视图。
图6D是图6C所示有机发光显示器沿线d-d取得的截面图。
图6E是说明根据一种实施例的有机发光设备大批量生产的示意透视图。
具体实施方式
下面参考附图更详细地描述本发明的各个实施例。
有机发光显示器(OLED)是一种包括有机发光二极管阵列的显示设备。有机发光二极管是包括有机材料的固态器件，而且适用于在施加合适的电位时产生并发射光。
一般可以根据所提供的激励电流的配置把OLED分为两个基本类型。图6A示意说明无源矩阵型OLED1000的简化结构的分解图。图6B示意说明有源矩阵型OLED1001的简化结构。在两种配置中，OLED1000、1001包括在基板1002上构造的OLED像素，而OLED像素包括阳极1004、阴极1006和有机层1010。当把合适的电流施加于阳极1004时，电流流过像素，并且从有机层发射可见光。
参见图6A，无源矩阵OLED(PMOLED)设计包括阳极1004的延长带，一般把阳极1004的延长带安排成与阴极1006的延长带垂直，并且在它们之间插入有机层。阴极带1006和阳极带1004的交叉部分限定了在合适地激励相应的阳极带1004和阴极带1006时产生和发射光的各个OLED像素。PMOLED的优点是制造相当简单。
参见图6B，有源矩阵OLED(AMOLED)包括安置在基板1002和OLED像素阵列之间的本地驱动电路1012。在公共阴极1006和与其它阳极电气绝缘的一个阳极1004之间限定AMOLED的各个像素。每个驱动电路1012与OLED像素的一个阳极1004耦合，并且还与数据线1016和扫描线1018耦合。在一些实施例中，扫描线1018提供选择驱动电路行的扫描信号，而数据线1016提供用于特定驱动电路的数据信号。数据信号和扫描信号激励本地驱动电路1012，本地驱动电路1012激励阳极1004，从而从它们相应的像素发光。
在所说明的AMOLED中，使本地驱动电路1012、数据线1016和扫描线1018埋入平面层1014中，而平面层1014插在像素阵列和基板1002之间。平面层1014提供平面的顶部表面，在平面的顶部表面上形成有机发光像素阵列。可以用有机或无机材料来形成平面层1014，虽然所示出的是单层，但是也可以是两层或多层。一般用薄膜晶体管(TFT)来形成本地驱动电路1012，并且按网格或阵列形式安置在OLED像素阵列下。可以至少部分用有机材料来制造本地驱动电路1012，这些有机材料包括有机TFT。AMOLED的优点在于响应时间快，从而提高了它们用于显示数据信号方面的需求。同样，AMOLED具有功耗比无源矩阵OLED小的优点。
参考PMOLED和AMOLED设计的共同特征，基板1002提供OLED像素和电路的结构支撑。在各个实施例中，基板1002可以包括刚性的或柔性的材料以及不透明的或透明的材料，诸如塑料、玻璃和/或箔。如上所述，形成具有阳极1004、阴极1006和插在它们之间的有机层1010的每个OLED像素或二极管。当把合适的电流施加于阳极1004时，阴极1006注射电子，而阳极1004注射空穴。在某些实施例中，阳极1004和阴极1006是反向的；即，在基板1002上形成阴极，而阳极是相反设置的。
插在阴极1006和阳极1004之间的是一层或多层有机层。更具体地说，在阴极1006和阳极1004之间插入至少一层发射层或发光层。发光层可以包括一种或多种发光有机化合物。通常，配置发光层使之发射单色的可见光，如蓝色、绿色、红色或白色。在所说明的实施例中，在阴极1006和阳极1004之间形成一层有机层1010，其用作发光层。可以在阳极1004和阴极1006之间形成的其它层可以包括空穴输送层、空穴注射层、电子输送层和电子注射层。
可以在发光层1010和阳极1004之间插入空穴输送层和/或注射层。可以在阴极1006和发光层1010之间插入电子输送层和/或注射层。通过减少从阴极1006注射电子的功函数，电子注射层促使从阴极1006向发光层1010注射电子。相似地，空穴注射层促使从阳极1004向发光层1010的空穴注射。空穴和电子输送层促使从各个电极注射的载流子向发光层运动。
在一些实施例中，单层可起到电子注射和输送两个作用或空穴注射和输送两个作用。在一些实施例中，缺少这些层中的一层或多层。在一些实施例中，在一层或多层有机层中掺杂了对载流子的注射和/或输送有帮助的一种或多种材料。在阴极和阳极之间只形成一层有机层的一些实施例中，有机层不但可以包括有机发光化合物，还可以包括对该层中的载流子的注射或传输有帮助的某些功能性材料。
人们已经研发了用于包括发光层的这些层的许许多多种材料。同样，人们还在研发用于这些层的许许多多种其它有机材料。在一些实施例中，这些有机材料可以是包括低聚物和聚合物的高分子材料。在一些实施例中，用于这些层的有机材料可以是相当小的分子。在特定的设计中，考虑各个层所要求的功能以及相邻层的材料，熟悉本技术领域的人员能够为这些层中的每一层选择合适的材料。
在操作中，一个电路提供阴极1006和阳极1004之间的合适电位。这使得电流经由所插入的有机层从阳极1004流到阴极1006。在一种实施例中，阴极1006把电子提供给相邻的有机层1010。阳极1004把空穴注入有机层1010。空穴和电子在有机层1010中复合，并且产生称之为“激发子”的能量颗粒。激发子把它们的能量传递到有机层1010中的有机发光材料，并且使用该能量从有机发光材料发射可见光。OLED1000、1001所产生和发射的光的光谱特性取决于有机层中有机分子的特性和成分。熟悉本领域普通技术的人员可以选择一层或多层有机层的成分以适应特定应用的需要。
还可以根据光发射的方向对OLED设备进行分类。在称之为“顶部发射”型的一种类型中，OLED设备通过阴极或顶部电极1006发光并显示图像。在这些实施例中，用相对于可见光为透明的材料或至少部分透明的材料来制造阴极1006。在某些实施例中，为了避免损失可以通过阳极或底部电极1004的任何光，可以用大体上反射可见光的材料来制造阳极。第二类OLED设备通过阳极或底部电极1004发光，并且把它称为“底部发射”型。在底部发射型OLED设备中，用相对于可见光至少部分透明的材料来制造阳极1004。通常，在底部发射型OLED设备中，用大体上反射可见光的材料来制造阴极1006。第三类OLED设备在两个方向上发光，例如，通过阳极1004和阴极1006两者。根据光射的方向，可以用对可见光为透明的、不透明的或反射的材料来形成基板。
在许多实施例中，在基板1002上安置包括多个有机发光像素的OLED像素阵列1021，如图6C所示。在一些实施例中，通过一个驱动电路(未示出)来控制阵列1021中的像素的导通和截止，并且多个像素作为整体在阵列1021上显示信息或图像。在某些实施例中，相对于其它部件(诸如驱动和控制电子线路)来安置OLED像素阵列1021，以限定显示区域和非显示区域。在这些实施例中，显示区域指的是基板1002上形成OLED像素阵列1021的区域。非显示区域指的是基板1002上的其余区域。在一些实施例中，非显示区域可以包含逻辑电路和/或电源电路。可以理解，显示区域中将安置至少部分控制/驱动电路元件。例如，在PMOLED中，导电部件将延伸到显示区域内以把合适的电位提供给阳极和阴极。在AMOLED中，本地驱动电路和与驱动电路耦合的数据/扫描线将延伸到显示区域内以驱动和控制AMOLED的各个像素。
OLED设备设计和制造中的一个考虑在于OLED设备的某些有机材料层在暴露于水、氧气或其它有害气体中时会遭到损伤或质量加速变差。因此，一般可理解，要对OLED设备进行密封或封装，以防止在制造或操作环境中暴露于所存在的潮气和氧气或其它有害气体。图6D示意说明具有图6C所示的外形的、经封装的OLED设备1011沿图6C中线d-d取得的横截面。在该实施例中，通常平面顶板或基板1061与密封材料1071啮合，而密封材料又与底板或基板1002啮合以围住或封装OLED像素阵列1021。在其它实施例中，在顶板1061上或底板1002上形成一层或多层，并且密封材料1071通过这样一层与底部基板或顶部基板1002、1061耦合。在所说明的实施例中，密封材料1071沿OLED像素阵列1021或底部板或顶板1002、1061的外围延伸。
在一些实施例中，密封材料1071是由将在下面进一步讨论的熔合材料制成的。在各个实施例中，顶板和底板1061、1002包括诸如塑料、玻璃和/或金属箔等材料，这些材料可以对氧气和/或水的通路提供屏障，从而保护OLED像素阵列1021不致于暴露于这些物质。在一些实施例中，用大体上透明的材料来形成顶板1061和底板1002中的至少一个。
为了延长OLED设备1011的寿命，一般要求密封料1071和顶板和底板1061、1002提供对于氧气和水蒸气大体为非渗透性密封以及提供与外界大体隔绝的、围住的空间1081。在某些应用中指出，熔合料的密封材料1071结合顶板和底板1061、1002提供了对于氧气每天小于约10-3cc/m2的屏障以及对于水每天小于约10-6g/m2的屏障。假定一些氧气和潮气可以渗透到围住的空间1081中，在一些实施例中，在围住的空间1081中形成可以吸收氧气和/或潮气的材料。
密封材料1071具有宽度W，它是在平行于顶部基板或底部基板1061、1002的表面的方向上的厚度，如在图6D中所示。宽度随实施例的不同而不同，范围从约300μm到约3000μm，也可以从约500μm到约1500μm。同样，该宽度也可以随密封材料1071的位置的不同而不同。在一些实施例中，在密封材料1071接触底部基板和顶部基板1002、1061中之一处或接触在其上形成的层处，密封材料1071的宽度可以最大。在密封材料1071与其它物体接触处，宽度可以最小。密封材料1071的单个横截面中的宽度变化与密封材料1071的横截面形状和其它设计参数有关。
密封材料1071具有高度H，它是在垂直于顶部基板或底部基板1061、1002的表面的方向上的厚度，如在图6D中所示。该高度随实施例的不同而不同，范围从约2μm到约30μm，也可以从约10μm到约15μm。通常，该高度不会随密封材料1071的不同位置而出现显著的变化。然而，在某些实施例中，密封1071的高度会随位置的变化而变化。
在所说明的实施例中，密封材料1071的横截面一般呈矩形。然而，在其它实施例中，密封材料1071可以具有其它各种横截面形状，如一般为正方形的横截面、一般呈梯形的横截面、具有一个或多个圆形边缘的横截面或给定应用所需要的其它形状配置。为了提高密封性，一般要求增加交界面积，在该交界面积处，密封材料1071直接接触底部基板和顶部基板1002、1061或接触形成于其上的层。在一些实施例中，可以设计密封材料的形状从而可以增加交界面积。
可以安置密封材料1071使之紧靠OLED阵列1021，在其它实施例中，密封材料1071与OLED阵列1021隔开一些距离。在某些实施例中，密封材料1071一般包括连接在一起围住OLED阵列1021的线性段。密封材料1071的这种线性段是可以延伸的，在某些实施例中，一般平行于OLED阵列1021的各个边界。在其它实施例中，安置密封材料1071的一个或多个线性段使之与OLED阵列1021的各个边界具有不平行的关系。在其它的实施例中，至少一部分密封材料1071以曲线方式在顶板1061和底板1002之间延伸。
如上所述，在某些实施例中，使用熔合材料或简称为“熔合料”或包括细玻璃颗粒的“玻璃熔合料”来形成密封材料1071。熔合颗粒包括氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化硼(B2O3)、氧化钒(V2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化碲(TeO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氧化铅(PbO)、氧化锡(SnO)、氧化磷(P2O5)，氧化钌(Ru2O)、氧化铷(Rb2O)、氧化铑(Rh2O)、氧化铁(Fe2O3)、氧化铜(CuO)、氧化钛(TiO2)、氧化钨(WO3)、氧化铋(Bi2O3)、氧化锑(Sb2O3)、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃以及硼硅酸盐等中的一种或多种。在一些实施例中，这些颗粒的尺寸范围从约2μm到约30μm，也可以是从约5μm到约10μm，虽然不仅仅局限于此。颗粒可以大到约和顶部基板和底部基板1061、1002之间的距离一样大，或约与在熔合密封材料1071接触的这些基板上形成的任何层之间的距离一样大。
用于形成密封材料1071的熔合材料还可以包括一种或多种填充料或添加剂材料。可以提供填充料或添加剂材料以调节密封材料1071的总热膨胀特性和/或调节密封材料1071对于入射光能量的所选择频率的吸收特性。填充料或添加剂材料还可以包括转化的和/或添加剂填充料，以调节熔合料的热膨胀系数。例如，填充料或添加剂材料可以包括过渡金属，如铬(Cr)、铁(Fe)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)和/或钒。作为填充剂或添加剂的其它材料包括ZnSiO4、PbTiO3、ZrO2、锂霞石。
在一些实施例中，作为干的成分的熔合材料包含约从20到90wt％的玻璃颗粒，其余包括填充料和/或添加剂。在一些实施例中，熔合膏包含约10-30wt％的有机材料和约70-90％的无机材料。在一些实施例中，熔合膏包含约20wt％的有机材料和约80wt％的无机材料。在一些实施例中，有机材料可以包括约0-30wt％的粘结剂和约70-100wt％的溶剂。在一些实施例中，有机材料中约10wt％是粘结剂而约90wt％是溶剂。在一些实施例中，无机材料可以包括约0-10wt％的添加剂、约20-40wt％的填充剂和约50-80wt％的玻璃粉末。在一些实施例中，无机材料中约0-5wt％是添加剂、约25-30wt％是填充剂而约65-75wt％是玻璃粉末。
在形成熔合密封材料时，把液体材料添加到干的熔合材料中以形成熔合膏。可以使用有或没有添加剂的任何有机或无机溶剂作为液体材料。在一些实施例中，溶剂包括一种或多种有机化合物。例如，可以应用的有机化合物为乙基纤维素、硝基纤维素、羟丙基纤维素(hydroxyl propyl cellulose)、二甘醇丁醚醋酸酯(butyl carbitol acetate)、松油醇(terpineol)、乙二醇单丁醚(butylcellusolve)、丙烯酸酯(盐)化合物(acrylate compounds)。然后，可以应用如此形成的熔合料膏以在顶板和底板1061、1002上形成密封材料1071的形状。
在一个示例实施例中，一开始从熔合料膏形成密封材料1071的形状，并且把它插在顶板1061和底板1002之间。在某些实施例中，可以把密封材料1071预先固化或预先烧结在顶板和底板1061、1002中之一上。接着组装有密封材料1071插在中间的顶板1061和底板1002，选择性地对密封材料1071的一些部分加热，从而形成密封材料1071的熔合材料至少部分熔化。随后使密封材料1071再凝固以形成顶板1061和底板1002之间坚固的连结，从而防止所围住的OLED像素阵列1021暴露在氧气或水中。
在一些实施例中，通过诸如激光或定向红外灯等的光辐射来执行对熔合料密封材料的选择性加热。如上所述，形成密封材料1071的熔合材料可以与一种或多种添加剂或填充料组合，如为提高对照射光的吸收来促进熔合材料的加热和熔化以形成密封材料1071而选择的种类的添加剂或填充料。
在一些实施例中，OLED设备1011是大批量生产的。在图6E所示的一个实施例中，在公共底板1101上形成多个分立的OLED阵列1021。在所说明的实施例中，定形的熔合料包围每个OLED阵列1021以形成密封材料1071。在一些实施例中，在公共底板1101上放置公共顶板(未示出)，并且在其上形成一些结构以致使OLED阵列1021和定形的熔合料膏插在公共底板1101和公共顶板之间。对OLED阵列1021进行封装和密封，如通过前述的单个OLED显示设备的封装过程。所产生的产品包括通过公共底板和顶板保持在一起的多个OLED设备。然后，把所产生的产品切割成多个块，每一块构成图6D中的一个OLED设备1011。在某些实施例中，再进一步对各个OLED设备1011进行附加的封装操作，以进一步提高熔合料密封材料1071和顶板和底板1061、1002形成的密封。
图1是横截面图，示出在一个示例平板显示设备中使用熔合料来封装第一基板和第二基板的一种状态。图1示出非发光区的横截面。该基板具有一种结构，即，在透明基板300a的上面覆盖缓冲层301a，在缓冲层301a的上面涂敷第一绝缘膜302a，然后形成第一金属膜302a的图案。以及，在第一金属膜302a的上面涂敷第二绝缘膜304a之后形成接触孔，并且在第二绝缘膜304a的上面的预定区域上形成第二金属膜305a。第二金属膜305a通过接触孔电连接至第一金属膜303a。第一金属膜303a和第二金属膜305a相互电连接的原因是为了当检查母板中的基板时减小用于输入检查信号的线的线电阻；即应用了这一特性：当线的厚度变厚时其线电阻变小，将第一金属膜303a和第二金属膜305a相互电连接起来接收检查信号和把信号传送到各个基板。并且，通过在形成第二金属膜305a的第二绝缘膜304a的上面形成保护膜306a而完成第一基板。然后，通过使用熔合料307a，封装第二基板310a和第一基板。此时，检查熔合料306a的下面，借助于第一金属膜303a和第二金属膜305a在保护膜306a上产生阶梯d2。在第一绝缘膜302a的厚度约为
的情况下，阶梯d2约为
，第一金属膜303a的厚度约为
，第二绝缘膜304a的厚度约为
，第二金属膜305a的厚度约为
，而保护膜306a的厚度约为
因此，当使用熔合料307a封装第二基板301a和第一基板时，由于阶梯d2，固态的熔合料307a只与保护膜306a中高的部分接触。在该情况下，如果对熔合料307a加热使之具有粘性，则把热施加于保护膜306a的高的部分的时间比把热施加于其较低部分的时间要长，导致在用熔合料307a封装第一基板和第二基板310a期间所产生的热可能损伤位于其较低部分下面的第一金属膜303a和第二金属膜305a。
同时，在使用母板来制造多个设备时，在一个大基板上形成多个像素阵列和检查它们之后，通过切割大基板把它们分开，如果其线电阻较大，就不能在输入检查信号的每根导线上顺利地进行检查，导致金属膜14的厚度不可能太薄的问题。
图2是结构图，示出根据本发明的一种实施例的平板显示设备的结构，而图3是平面图，示出在母板上形成的多个阵列。参见图2和图3，从大基板或母板3001形成多个基板300，用相同的工艺向每个基板300提供一个像素。此时，在大基板上形成用于检查每个基板300的导线w，其中，在完成检查之后，切割大基板3001并且分成多个基板300。在多个基板的每一个上形成像素部分1000和扫描驱动器3000，并可以从外部连接数据驱动器2000和电源等。
参考图2，在第一基板上形成像素阵列1000，并且第二基板在预定距离处与第一基板相对立，其中，第一基板具有透明基板300，在基板300上形成有像素1001。把第一基板分割成像素区域和非像素区域，形成第二基板使之比像素区域宽，在第一基板和第二基板之间沿虚线L形成熔合料，从而像素阵列与第一基板和第二基板封装在一起。同样，为第一基板提供了数据线、扫描线和电源线等，因此可以从外部接收数据信号、扫描信号和电源等。
连接到数据线D1、D2、...、Dm的数据驱动器2000产生数据信号，并且经由数据线D1、D2、...、Dm传送数据信号。此时，在第一基板的上面形成数据线D1、D2、...、Dm从而数据线D1、D2、...、Dm通过熔合料的下面。连接到扫描线S1、S2、...、Sn的扫描驱动器3000产生扫描信号，并且经由扫描线传送扫描信号。此时，在第一基板的上面形成扫描线S1、S2、...、Sn从而扫描线S1、S2、...、Sn通过熔合料的下面。电源4000向像素部分1000、数据驱动器2000和扫描驱动器3000等传送驱动电压，以驱动像素部分1000、数据驱动器2000和扫描驱动器3000等。此时，在第一基板的上面形成电源线从而电源线通过熔合料的下面。
图4是截面图，示出图2和图3所示的平板显示设备的横截面。参见图4，在基板上形成一种结构。在透明基板300b的上面形成缓冲层301b，在缓冲层301b的上面形第一绝缘膜302b，然后形成第一金属膜303b。在一种实施例中，第一绝缘膜的厚度约为
而第一金属膜的厚度约为
并且，在第二绝缘膜304b的预定区域上形成厚度约为
的第二绝缘层304b之后进行蚀刻。虽然在蚀刻第二绝缘膜304b过程期间也可以蚀刻第一绝缘膜302b，但是第一绝缘膜302b受到第一金属膜303b或导线303b的保护。然而，可以对第一绝缘膜302b中未受到第一金属膜303b保护的区域进行蚀刻。并且，蚀刻在预定区域上形成的第二金属膜305b。第二金属膜305b的厚度约为
因此，由于蚀刻预定区域中的第二绝缘膜304b，所以整个第二金属膜305b直接接触第一金属膜303b，从而第一金属膜303b和第二金属膜305b的功能如同一个金属膜。当在母板上形成检查阵列时，可以减小接收检查信号的线的线电阻。并且，在形成有第二金属膜305b的第二绝缘膜304b的上面形成厚度约为
的保护膜306b。并且，通过使用熔合料307b来封装第二基板310b和第一基板。
在上述和其它实施例中，由于在形成第二金属膜305b处蚀刻第二绝缘膜304b，所以保护膜306b的表面之间的阶梯或阶跃距离d3变得比图1中所示的要小。即，通过蚀刻第二绝缘膜304b减小了保护膜306b的阶梯，因此变成约2000
通过控制第一金属膜303b和第二金属膜305b的厚度可以进一步减小阶梯d3。
在某些实施例中，阶梯距离d3约为0、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、150、200、250、300、400、500、700、1000、1500、2000、2500、3000或
在一些实施例中，阶梯距离d3可以在由上述距离中的两个距离限定的范围内。在某些实施例中，阶梯距离d3对于保护层的厚度的比值约为0.001、0.002、0.005、0.01、0.02、0.05、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.7或1.0。在一些实施例中，阶梯距离d3对于保护层的厚度的比值可以在由上述数字中的两个限定的范围内。在某些实施例中，阶梯距离d3对于第二绝缘层的厚度的比值约为0.001、0.002、0.005、0.01、0.02、0.05、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.7或1.0。在一些实施例中，阶梯距离d3对于第二绝缘层的厚度的比值可以在由上述数字中的两个限定的范围内。
并且，使熔合料307b位于第二基板310b和第一基板之间的预定位置处，并且对熔合料307b加热使其熔化而具有一定的粘性，然后在熔合料307b与第一基板粘结的状态中使熔合料固化。通过激光或红外线对熔合料307b加热使之具有粘性，其中，施加于熔合料307b的热的范围在约300℃和约500℃之间。
在上述和其它实施例中，由于保护膜没有阶梯或只有小阶梯，熔合料307b可以接触保护膜306b中更大的区域。换言之，如果当熔合料307b处于固态时在保护膜上存在大的阶梯，则熔合料307b只与保护膜的高的部分接触，即，只与形成第一、第二金属膜的部分接触。然而，如果保护膜的上表面是平坦的，则熔合料307b与形成第一、第二金属膜的部分接触，还和其它部分(不同于大阶梯的情况中所接触的部分)接触。因此，由于把熔合料307b产生的热传送到较大的区域，所以大部分的热传送到形成金属膜的部分之外的一些部分。因此，可以保护位于熔合料307b的下面的金属膜不受熔合料307b产生的热的影响。
图5是电路图，示出根据本发明一个实施例的平板显示设备是有机发光显示设备的情况中的一例像素。参考图5，像素包括有机发光器件(Organic LightEmitting Device：OLED)、第一晶体管(薄膜晶体管：M1)、第二晶体管M2和电容器Cst。以及，扫描线Sn、数据线Dm和电源线ELVdd连接到各像素。并且，在行的方向上形成扫描线，而数据线Dm和电源线ELVdd是形成在列的方向上的。第一晶体管M1具有一种结构，在该结构中，源极连接到像素电源线Vdd，漏极连接到OLED，而栅极连接到第一节点N。以及，通过输入到栅极的信号，把用于发光的电流提供给有机发光元件OLED。通过经由第二晶体管M2施加的数据信号来控制从第一晶体管M1的源极流到漏极的电流量。第二晶体管M2具有一种结构，在该结构中，源极连接到数据线Dm，漏极连接到第一节点N而栅极连接到扫描线Sn，从而通过经由扫描线Sn传送的扫描信号执行切换操作，并且把经由数据线Dm传送的数据信号选择地传送到第一节点N。电容器Cst具有一种结构，即，第一电极连接到第一晶体管M1的源极，而第二电极连接到第一节点N，从而通过数据信号使施加于源极和栅极之间的电压保持一定的时间。采用上述结构，当施加于第二晶体管M2的栅极的扫描信号使第二晶体管M2导通时，对应于数据信号的电压对电容器Cst充电，并且把充入电容器Cst的电压施加于第一晶体管M1的栅极从而第一晶体管M1使得电流能够使有机发光元件OLED发光。
采用根据本发明的一些实施例的平板显示设备及其方法，由于形成在保护层表面上的阶梯d3变成0或较小，可以减小热量对于金属层的损伤，防止金属膜上裂缝等的发生。此外，由于大多数熔合料的下表面可以接触保护层，所以可以提高熔合料的粘结性，并且可以提高上基板和下基板之间更安全的密封。
虽然上文种示出并描述了本发明的各个实施例，但是熟悉本领域的技术人员可以理解，可以对这些实施例作出修改而不偏离本发明的原理和精神，该精神和范围由权利要求书及其等效方案来限定。
Claims (16)
1.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
提供第一基板和形成在第一基板上的一种结构，所述结构包括第一绝缘层、第二绝缘层以及掩埋在所述第一、第二绝缘层之间的第一导线，所述第一导线一般沿第一方向延伸并包括第一部分，所述第一导线在其第一部分中具有宽度，所述宽度是在与所述第一方向垂直的第二方向上测得的；
选择性地蚀刻所述结构的一部分以暴露所述导线的第一部分，所述结构中经蚀刻的部分具有沿第二方向上测得的宽度，其中，经蚀刻部分的宽度大于第一导线的第一部分的宽度；
形成一般沿第一方向延伸的第二导线，它包括与所述第一导线的第一部分接触的第二部分；
在所述第二导线上和第二绝缘层的未经蚀刻部分上形成保护层；
安置第二基板使之与所述第一基板相对立；
在所述保护层和第二基板之间插入熔合料；并且
其中，当从第一基板沿第三方向观看时，所述熔合料与所述第二导线的第二部分重叠，其中，所述第三方向垂直于所述第一、第二方向。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括第一部分和第二部分，其中保护层的第一部分插在所述第二导线的第二部分和所述熔合料之间，其中，所述保护层的第二部分插在所述熔合料和所述第二绝缘层未经蚀刻的部分之间而没有插在所述熔合料和所述第二导线的第二部分之间，其中，所述保护层在其第一部分中包括第一表面，所述第一表面面对所述第二基板，其中，所述保护层在其第二部分中包括第二表面，所述第二表面面对所述第二基板，其中，在所述保护层的第一部分中所述保护层具有第一厚度，所述第一厚度是沿第三方向上测得的，并且其中，所述第一表面和所述第二表面之间沿所述第三方向的距离约等于或小于所述第一厚度。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述距离约等于或小于所述第一厚度的一半。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述距离约等于或小于所述第一厚度的三分之一。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，插入所述熔合料包括把所述熔合料放置在所述第一、第二基板之间从而所述熔合料接触所述第一表面和所述第二表面两者。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括第一部分和第二部分，其中，所述保护层的第一部分插在所述熔合料和所述第二导线的第二部分之间，其中，所述保护层的第二部分插在所述熔合料和所述第二绝缘层未经蚀刻的部分之间而没有插在所述熔合料和所述第二导线的第二部分之间，其中，所述保护层在其第一部分中包括第一表面，所述第一表面面对所述第二基板，其中，所述保护层在其第二部分中包括第二表面，所述第二表面面对所述第二基板，其中，所述第一表面和所述第二表面之间沿第三方向的距离约等于或小于
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括第一部分和第二部分，其中，所述保护层的第一部分插在所述熔合料和所述第二导线的第二部分之间，其中，所述保护层的第二部分插在所述熔合料和所述第二绝缘层未经蚀刻的部分之间，其中，所述保护层的第二部分没有插在所述熔合料和所述第二导线的第二部分之间，其中，所述保护层在其第一部分中包括第一表面，所述第一表面面对所述第二基板，其中，所述保护层在其第二部分中包括第二表面，所述第二表面面对第二基板，其中，所述第二绝缘层在其未经蚀刻的部分中具有第二厚度，所述第二厚度是沿第三方向测得的，并且其中，所述第一表面和所述第二表面之间沿第三方向的距离约等于或小于第二厚度。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述距离约等于或小于所述第二厚度的一半。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述距离约等于或小于所述第二厚度的三分之一。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘层没有插在所述第一导线的第一部分和所述第二导线的第二部分之间。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二导线在其第二部分中具有宽度，并且其中，所述熔合料大体上在所述第二导线的第二部分中的整个宽度上与所述第二导线的第二部分重叠。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二导线的第二部分与所述第一导线的第一部分的整个宽度重叠。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔合料包括与所述第二导线的第二部分重叠的延长段，所述延长段一般沿所述第二方向延伸。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性蚀刻包括蚀刻一部分所述第二绝缘层。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，选择性蚀刻包括蚀刻一部分所述第一绝缘层。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，插入所述熔合料包括在所述第一、第二基板中之一上形成熔合料并安置所述第一、第二基板从而所述熔合料插在所述第一、第二基板之间。
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Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100759666B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP5305000B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2013-10-02 | 富士通株式会社 | 構造体及び半導体光装置 |
| KR101603145B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2016-03-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자의 제조방법 |
| KR101450950B1 (ko) * | 2011-10-04 | 2014-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 드라이버 패키지 |
| KR101923176B1 (ko) | 2012-06-11 | 2018-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20140016170A (ko) * | 2012-07-30 | 2014-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 밀봉체 및 유기 전계 발광 장치 |
| CN103296056B (zh) * | 2012-12-30 | 2015-10-07 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| TWI479464B (zh) | 2013-05-09 | 2015-04-01 | Au Optronics Corp | 顯示面板及其封裝方法 |
| KR102099865B1 (ko) | 2013-08-12 | 2020-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102126714B1 (ko) * | 2013-09-03 | 2020-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| KR102447828B1 (ko) * | 2015-12-22 | 2022-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102446821B1 (ko) * | 2016-03-03 | 2022-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR102568631B1 (ko) * | 2016-04-15 | 2023-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN109860207B (zh) * | 2019-02-27 | 2022-07-19 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 |
| TWI765666B (zh) | 2021-04-19 | 2022-05-21 | 友達光電股份有限公司 | X光感測裝置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1503422A2 (en) * | 2003-07-29 | 2005-02-02 | Samsung SDI Co., Ltd. | Flat panel display |
| CN1622715A (zh) * | 2003-11-24 | 2005-06-01 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示器及其制造方法 |
| CN1713786A (zh) * | 2004-06-16 | 2005-12-28 | Lg电子株式会社 | 有机电致发光显示设备及其制造方法 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5953094A (en) * | 1997-04-04 | 1999-09-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP3907804B2 (ja) * | 1997-10-06 | 2007-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US6113450A (en) * | 1998-05-14 | 2000-09-05 | Candescent Technologies Corporation | Seal material frit frame for flat panel displays |
| JP4206518B2 (ja) | 1998-08-03 | 2009-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| KR100434977B1 (ko) * | 1999-02-12 | 2004-06-09 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이 패널, 그 제조방법 및 그 제조장치 |
| US6555025B1 (en) * | 2000-01-31 | 2003-04-29 | Candescent Technologies Corporation | Tuned sealing material for sealing of a flat panel display |
| CN1183497C (zh) * | 2000-03-31 | 2005-01-05 | 松下电器产业株式会社 | 显示板及其制造方法 |
| US6747724B2 (en) | 2000-07-26 | 2004-06-08 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having non-display area with reduced width |
| KR20040002956A (ko) | 2001-05-24 | 2004-01-07 | 오리온전기 주식회사 | 유기전계발광소자의 인캡슐레이션 용기 및 그 제조방법 |
| KR20030030792A (ko) * | 2001-10-12 | 2003-04-18 | 씨엘디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| US6822264B2 (en) * | 2001-11-16 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7038377B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Display device with a narrow frame |
| KR20030080895A (ko) | 2002-04-11 | 2003-10-17 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자의 실링 방법 |
| JP3989763B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
| KR100460304B1 (ko) | 2002-07-26 | 2004-12-04 | 주식회사 선익시스템 | 유기이엘 디스플레이의 박막형성 시스템 |
| JP4299021B2 (ja) * | 2003-02-19 | 2009-07-22 | ヤマト電子株式会社 | 封着加工材及び封着加工用ペースト |
| US6998776B2 (en) | 2003-04-16 | 2006-02-14 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
| KR100496425B1 (ko) * | 2003-05-30 | 2005-06-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP4373161B2 (ja) | 2003-08-29 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光表示装置 |
| JP4683883B2 (ja) | 2003-08-29 | 2011-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US7538488B2 (en) * | 2004-02-14 | 2009-05-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display |
| JP2005242099A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
| JP4849821B2 (ja) | 2004-04-28 | 2012-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、電子機器 |
| US20050248270A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Eastman Kodak Company | Encapsulating OLED devices |
| KR100645533B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그의 제조 방법 |
| JP2007123155A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
| EP1811570B1 (en) | 2006-01-23 | 2020-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
| KR100635514B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US8164257B2 (en) * | 2006-01-25 | 2012-04-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
| KR100759667B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100688791B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법. |
| KR100671643B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR100759666B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그의 제조방법 |
| US7564185B2 (en) * | 2006-02-20 | 2009-07-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof |
-
2006
- 2006-01-27 KR KR1020060008807A patent/KR100688792B1/ko active IP Right Grant
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-
2007
- 2007-01-26 CN CN200710007779XA patent/CN101009316B/zh active Active
- 2007-01-26 DE DE602007005845T patent/DE602007005845D1/de active Active
- 2007-01-26 EP EP07101255A patent/EP1814160B1/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1503422A2 (en) * | 2003-07-29 | 2005-02-02 | Samsung SDI Co., Ltd. | Flat panel display |
| CN1577413A (zh) * | 2003-07-29 | 2005-02-09 | 三星Sdi株式会社 | 平板显示器 |
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