CN101009310B

CN101009310B - 有机发光显示器及其制造方法

Info

Publication number: CN101009310B
Application number: CN200710004069.1A
Authority: CN
Inventors: 崔东洙; 朴镇宇
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2006-01-25
Filing date: 2007-01-23
Publication date: 2014-06-25
Anticipated expiration: 2027-01-23
Also published as: EP1814161A2; TWI341143B; US8026511B2; KR100685854B1; US20070170455A1; CN101009310A; EP1814161A3; TW200730010A; JP2007200890A

Abstract

本发明公开了一种有机发光器件及其制造方法，该器件包括：第一基板，界定像素区和非像素区；有机发光像素阵列，形成在第一基板的像素区；第二基板，设置在第一基板上方，阵列置入在第一和第二基板之间；熔料密封，置入在第一和第二基板之间并将其互联，熔料密封包括多个延长部分，延长部分的组合围绕所述阵列；和至少一条导线，形成在非像素区中并基本平行于熔料密封的多个延长部分中的一个延长，当从第一或第二基板观察时在非像素区中没有导线基本平行于延长部分之一延长并交叠基本与其平行的延长部分。像素区包括具有半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极的薄膜晶体管，熔料密封设置在层间绝缘层上，层间绝缘层由无机层形成。

Description

有机发光显示器及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种有机发光显示器，且更具体而言涉及一种有机发光显示器的封装。

背景技术

根据改善某些显示器例如阴极射线管的缺点的目标，最近平板显示器例如液晶显示器、有机发光显示器、等离子体显示面板(PDP)等受到了关注。

由于液晶显示器是无源器件而不是发射器件，难以具有高亮度和对比度、宽视角和大尺寸屏幕。虽然PDP是发射器件，但与其他显示器相比，其重、耗能高，且需要复杂的制造工艺。

同时，由于有机发光显示器(OLED)是发射器件，其具有宽视角和高对比度。此外，由于其不需要背光，可以制得轻重量、小型和高能效、此外，OLED可以在低DC电压下驱动，具有快速响应速度，并整个由固体材料形成。结果，OLED具有抗外部冲击的能力和宽温度范围，并可以通过简单方法以低成本制造。上述讨论是对有机发光显示器一般领域的简单描述，且不是现有技术的讨论。

发明内容

实施方式提供了有机发光显示器及其制造方法，能够防止元件被激光照射密封基板的玻璃熔料时产生的大量热所破坏。

一个实施方式包括有机发光器件，包括界定像素区和非像素区的第一基板，形成在第一基板的像素区中的有机发光像素阵列，设置在第一基板上方的第二基板，该阵列置入在第一和第二基板之间，置入在第一和第二基板之间并将其互联的熔料密封，其中该熔料密封包括多个延长部分，其组合围绕阵列，以及形成在非像素区中并基本平行于熔料密封的多个延长部分之一延长的至少一条导线，其中当从第一或第二基板观察时，没有导线形成在非像素区中并基本平行于延长部分之一延长从而交叠基本与其平行的延长部分。像素区包括具有半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极的薄膜晶体管，熔料密封设置在层间绝缘层上，层间绝缘层由无机层形成。

再一实施方式包括形成有机发光显示器的方法，该方法包括提供器件，该器件包括界定像素区和非像素区的第一基板，该器件还包括形成在第一基板的像素区中的有机发光阵列，该器件还包括形成在非像素区中的导线，在第一基板上方提供第二基板，该阵列置入在第一和第二基板之间，在第一和第二基板之间置入熔料从而互联第一和第二基板，该熔料包括多个延长部分，且其中多个延长部分设置得组合起来围绕阵列，其中多个延长部分还设置得使得从第一或第二基板观察时在非像素区中没有导线基本平行于延长部分之一延长并交叠基本与其平行的延长部分。像素区包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极。熔料设置在所述层间绝缘层上，且所述层间绝缘层由无机层形成。

再一实施方式包括有机发光显示器，包括基板、设置成阵列的有机发光器件、在第一方向延伸的至少一条第一导线、与所述基板相对设置且发光器件阵列和至少一条第一导线置入在其间的封装基板、和设置在所述基板与封装基板之间从而组合起来形成阵列的封装的玻璃熔料，该玻璃熔料包括多个部分，至少一个部分基本在第一方向延伸，基本在第一方向延伸的至少一个部分与至少第一导线横向分开。

附图说明

将参考附图根据某些示范性实施方式描述本发明的上述和其他特点，在附图中：

图1是典型有机发光显示器的剖面图；

图2到5是根据本发明示范性实施方式的有机发光显示器的剖面图；

图6是根据一个实施方式的无源矩阵型有机发光显示器器件的示意性分解图；

图7是根据一个实施方式的有源矩阵型有机发光显示器器件的示意性分解图；

图8是根据一个实施方式的有机发光显示器的示意性俯视平面图；

图9是图8A的有机发光显示器沿线9-9所取的剖面图；以及

图10是示出根据一个实施方式的有机发光器件的批量生产的示意性透视图。

具体实施方式

将参考附图更充分地描述本发明的各种实施方式，在附图中示出了本发明的实施方式。然而，本发明可以实施为许多不同形式且不应局限于这里给出的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开充分和完整，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范畴。在附图中，为了清楚而夸大了层和区域的显示尺寸，并不应该按比例解释。通篇相同参考标号代表相同元件。

有机发光显示器(OLED)是包括有机发光二极管的阵列。有机发光显示二极管是固态器件，其包括有机材料并在施加适当电势时用于产生和发射光。

根据提供激励电流的设置，OLED一般可以分成两种基本类型。图6示意性地示出了无源矩阵型OLED 1000的简化结构的分解视图。图7示意性地示出了有源矩阵型OLED 1001的简化结构。在两种结构中，OLED 1000、1001都包括置于基板1002上方的OLED像素，并且该OLED像素包括阳极1004、阴极1006和有机层1010。当给阳极1004施与适当的电流时，电流流过该像素，并且从该有机层发射可见光。

参照图6，该无源OLED(PMOLED)设计包括阳极1004长条，设置成总体上与阴极1006长条垂直，有机层设置在其间。阴极1006和阳极1004条的交叉点界定每个OLED像素，在该OLED像素处，在对应的阳极1004和阴极1006的条的适当激发时产生并发射光。PMOLED提供了制造相对简单的优点。

参照图7，该有源OLED(AMOLED)包括设置在基板1002和OLED阵列之间的局部驱动电路1012。每个AMOLED像素界定在公共阴极1006和阳极1004之间，阳极1004与其它阳极电隔离。每个驱动电路1012与该OLED的阳极1004连接，并且进一步与数据线1016和扫描线1018连接。在实施方式中，扫描线1018提供选择该驱动电路的行的扫描信号，并且数据线1016为特定的驱动电路提供数据信号。该数据信号和扫描信号激发局部驱动电路1012，其激发阳极1004以从其对应的像素上发射光。

在该示出的AMOLED中，局部驱动电路1012、数据线1016和扫描线1018都埋设在该像素阵列和基板1002之间的平面化层1014中。平面化层1014提供形成有机发光像素阵列的平面顶面。平面化层1014可以由有机或无机材料形成，尽管展示为单层，但是其可以由两层或多层形成。局部驱动电路1012典型地形成具有薄膜晶体管(TFT)，并且在该OLED像素阵列下方排列成栅格或阵列。局部驱动电路1012可以至少部分由有机材料制成，包括有机TFT。AMOLED具有快速响应时间的优点，改善了其用于显示数据信号的性能需要。同样，AMOLED具有比无源矩阵OLED消耗更少功率的优点。

参照PMOLED和AMOLED设计的共同特征，基板1002为该OLED像素和电路提供结构支撑。在各个实施方式中，基板1002可以包括刚性或柔性材料，以及不透明或透明材料，如塑料、玻璃和/或箔片。如上所述，每个OLED像素或二极管形成有阳极1004、阴极1006和设置在其间的有机层1010。当给阳极1004施与适当的电流时，阴极1006注入电子，而阳极1004注入空穴。在某些实施方式中，阳极1004和阴极1006颠倒。即该阴极形成在基板1002上，而该阳极相对设置。

设置在阴极1006和阳极1004之间的为一层或多层有机层。更具体地，至少一个发射或发光层设置在阴极1006和阳极1004之间。该发光层可以包括一种或多种发光的有机化合物。典型地，该发光层构造成使其发射单色可见光如蓝色、绿色、红色或白色。在该示出的实施方式中，一层有机层1010形成在阴极1006和阳极1004之间，并作为发光层。其它可以形成在阳极1004和阴极1006之间的层可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层。

空穴传输和/或注入层可以设置在该发光层1010和阳极1004之间。电子传输和/或注入层可以设置在阴极1006和该发光层1010之间。通过减少从阴极1006注入电子的功函数，该电子注入层有利于从阴极1006向该发光层1010注入电子。类似地，该空穴注入层有利于从阳极1004向该发光层1010注入空穴。该空穴和电子传输层有利于从各电极向该发光层注入的载流子的移动。

在一些实施方式中，一个单层可以起电子注入和传输的作用，或起空穴注入和传输的作用。在一些实施方式中缺乏这些层的一层或多层。在一些实施方式中，一层或多层有机层中掺杂有一种或多种有助于载流子注入和/或传输的材料。在只有一层有机层形成在阴极和阳极之间的实施方式中，该有机层不仅可以包括有机发光化合物，而且可以包括有助于该层中载流子注入或传输的某些功能材料。

已经开发有多种有机材料用于包括发光层的这些层中。同样，多种用于这些层中的其它有机材料正在开发之中。在一些实施方式中，这些有机层可以是包括低聚物和聚合物的大分子。在一些实施方式中，用于这些层中的该有机材料可以是相对小的分子。在具体设计中，本领域的技术人员将可以根据每层期望的功能为这些层中的每层选择适当的材料，并且为邻近层选择适当的材料。

在操作上，电路在阴极1006和阳极1004之间提供适当的电势。这导致电流经由夹置的有机层从阳极1004流向阴极1006。在一个实施方式中，阴极1006提供电子到该邻近的有机层1010。阳极1004注入空穴到有机层1010中。在有机层1010中的空穴和电子复合并且产生称为“激子”的能量粒子。该激子传输其能量到有机层1010中的有机发光材料上，并且该能量用于从有机发光材料发射可见光。OLED 1000、1001产生并发射的光的光谱特性取决于有机层中有机分子的性质和组成。本领域的技术人员可以选择该一层或多层有机层的组合来满足具体应用的需要。

OLED装置也可以基于光发射的方向分类。在一种称为“顶部发射”型的类型中，OLED装置通过阴极或顶部电极1006发光和显示图像。在这些实施方式中，阴极1006由对于可见光透明或至少部分透明的材料制成。在某些实施方式中，为避免任何可以通过阳极或底电极1004的光的损耗，该阳极可以由基本反射可见光的材料制成。第二种类型的OLED装置通过该阳极或底电极1004发光，其称为“底部发射”型。在该底部发射型OLED装置中，阳极1004由对于可见光至少部分透明的材料制成。通常，在底部发射型OLED装置中，阴极1006由基本反射可见光的材料制成。第三种类型的OLED装置在两个方向发光，例如通过阳极1004和阴极1006。根据光发射的方向，基板可以由透明、不透明或反射可见光的材料形成。

在很多实施方式中，如图8所示，包括多个有机光发射像素的OLED像素阵列1021设置在基板1002上方。在实施方式中，阵列1021中的像素通过驱动电路(未示出)控制其开和关，并且多个像素作为整体在阵列1021上显示信息或图像。在某些实施方式中，OLED像素阵列1021相对于其它部件如驱动和控制电子设备设置，以界定显示区和非显示区。在这些实施方式中，该显示区指形成OLED像素阵列1021的基板1002的区域。该非显示区指基板1002的剩余区域。在实施方式中，该非显示区可以包含逻辑和/或电源电路。应该理解的是，至少有部分控制/驱动电路元件设置在该显示区中。例如，在PMOLED中，导电部件会延伸到该显示区中以为阳极和阴极提供适当的电势。在AMOLED中，局部驱动电路和与该驱动电路连接的数据/扫描线将会延伸到显示区中以驱动和控制该AMOLED的每个像素。

OLED装置的一种设计和制造的考虑因素是，OLED装置的某些有机材料层可以由暴露于水、氧气或其它有害气体中而经受损害或加速恶化。因此，通常可以理解的是，应该密封或封装OLED装置，以防止其暴露于在制造或操作环境中出现的湿气或其它有害气体中。图9示意性地示出了具有图8布局并且沿着图8的9-9线剖取的已封装的OLED装置1011的剖面图。在这个实施方式中，通常是平面的顶板或基板1061与密封1071接合，而密封1071进一步与底板或基板1002接合以密封或封装OLED像素阵列1021。在其它实施方式中，一层或多层形成在顶板1061或底板1002上，并且密封1071通过这样的层与底或顶板1002、1061接合。在该示出的实施方式中，该密封沿着OLED像素阵列1021或底或顶基板1002、1061的外围延伸。

在实施方式中，密封1071由熔料材料制成，下面将进一步讨论。在各种实施方式中，该顶和底板1061、1002包括可以对于氧气和/或水通道提供阻挡的材料，如塑料、玻璃和/或金属箔，从而保护该OLED像素阵列1021不暴露于这些物质中。在实施方式中，至少顶板1061和底板1002其中之一由基本透明的材料形成。

为延长OLED装置1011的寿命，通常希望密封1071和顶和底板1061、1002能提供基本不渗透氧气和水的密封，并且提供基本气密密闭的空间1081。在某些应用中指出，熔料的密封1071接合顶和底板1061、1002可以提供小于约10^-3cc/m²-天的氧气阻挡和小于10^-6g/m²-天的水阻挡。在一些实施方式中，如果一些氧气和湿气可以渗入密闭空间1081中，可以吸收氧气和/或湿气的材料则形成在密闭空间1081中。

如图9所示，密封1071的宽度为W，此为其平行于顶或底板1061、1002的表面方向的厚度。该宽度在实施方式中变化，并且范围从约300μm至约3000μm，优选从约500μm至约1500μm。同样，该宽度在密封1071的不同位置上也会变化。在一些实施方式中，在密封1071接触底和顶板1002、1061之一或形成在其上的层处，密封1071的宽度可以为最大。在密封1071接触其它处，该宽度可以为最小。在密封1071单一截面上的宽度变化与密封1071的截面形状和其它设计参数相关。

如图9所示，密封1071具有高度W，此为其垂直于顶或底板1061、1002的表面的方向的厚度。该高度在实施方式中变化并且范围从约2μm至约30μm，优选从约10μm至约15μm。一般来说，在密封1071的不同位置，该高度不会明显变化。然而，在某些实施方式中，密封1071的高度在其不同位置上可以变化。

在该示出的实施方式中，密封1071具有总体上矩形的截面。然而，在其它实施方式中，密封1071可以具有其它多种截面形状，如总体上方形截面、总体上梯形截面、具有一个或多个圆形边缘的截面或其它根据给定应用需要的形状。为改善密封性，一般希望增加密封1071直接接触底和顶板1002、1061或形成在其上的层的界面面积。在一些实施方式中，可以设计该密封的形状使该界面面积可以增加。

密封1071可以设置成直接邻近OLED阵列1021，并且在其它的实施方式中，密封1071与OLED阵列1021隔开一定距离。在某些实施方式中，密封1071一般包括连接在一起以围绕OLED阵列1021的线性段。在某些实施方式中，密封1071的这样的线性段一般可以平行于OLED阵列1021的各个边界延伸。在其它实施方式中，密封1071的一个或多个线性段设置成不与OLED阵列1021的各个边界平行。在又一个实施方式中，至少部分密封1071以曲线方式在顶板1061和底板1002之间延伸。

如上所述，在某些实施方式中，密封1071用熔料材料或简单的“熔料”或包括精细玻璃颗粒的玻璃熔料形成。该熔料颗粒包括氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锂(Li₂O)、氧化钠(Na₂O)、氧化钾(K₂O)、氧化硼(B₂O₃)、氧化钒(V₂O₅)、氧化锌(ZnO)、氧化碲(TeO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO₂)、氧化铅(PbO)、氧化锡(SnO)、氧化磷(P₂O₅)、氧化钌(Ru₂O)、氧化铷(Rb₂O)、氧化铑(Rh₂O)、氧化铁(Fe₂O₃)、氧化铜(CuO)、氧化钛(TiO₂)、氧化钨(WO₃)、氧化铋(Bi₂O₃)、氧化锑(Sb₂O₃)、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃和硼硅酸盐等中的一种或多种。在实施方式中，这些颗粒的尺寸范围从约2μm至约30μm，优选从约5μm至约10μm，但不限于此。该颗粒可以大到约为顶和底板1061、1002之间的距离或该熔料接触的形成在这些基板上的任何层之间的距离。

用于形成密封1071的该熔料材料也可以包括一种或多种填充物或附加材料。可以提供该填充物或附加材料以调整密封1071的整体热膨胀特性和/或调整密封1071对所选择频率的入射辐射能量的吸收特性。该填充物或附加材料也可以包括反向(inversion)和/或附加填充物以调整熔料的热膨胀系数。例如，该填充物或附加材料可以包括过渡金属，如铬(Cr)、铁(Fe)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)和/或钒。用于填充或添加剂的附加材料包括ZnSiO₄、PbTiO₃、ZrO₂、锂霞石。

在实施方式中，作为干成份(dry composition)的熔料材料包含约20wt％至90wt％的玻璃颗粒，余下的包括填充物和/或添加剂。在一些实施方式中，该熔料膏包含约10-30wt％的有机材料和约70-90wt％的无机材料。在一些实施方式中，该熔料膏包含约20wt％的有机材料和约80wt％的无机材料。在一些实施方式中，该有机材料可包括约0-30wt％的粘结剂和约70-100wt％的溶剂。在一些实施方式中，有机材料中约10wt％是粘结剂，而约90wt％是溶剂。在一些实施方式中，该无机材料可以包括约0-10wt％的添加剂、约20-40wt％的填充物和约50-80wt％的玻璃粉末。在一些实施方式中，无机材料中，约0-5wt％是添加剂，约25-30wt％是填充物，而约65-75wt％是玻璃粉末。

在形成熔料密封时，液体材料加入该干性熔料材料中以形成熔料膏。任何带有或不带有添加剂的有机或无机溶剂都可以用作该液体材料。在实施方式中，该溶剂包括一种或多种有机化合物。例如，可应用的有机化合物是乙基纤维素、硝酸纤维素、羟丙基纤维素(hydroxyl propyl cellulose)、二乙二醇-丁醚乙酸酯(butyl carbitol acetate)、松油醇(terpineol)、乙二醇单丁醚(butyl cellusolve)、丙烯酸酯化合物。然后，这样形成的熔料膏可以应用于在顶和/或底板1061、1002上形成密封1071的形状。

在一个示范性实施方式中，密封1071的形状最初由该熔料膏形成，并且设置在顶板1061和底板1002之间。在某些实施方式中，密封1071可以预固化(pre-cured)或预烧结(pre-sintered)至顶板和底板1061、1002上。在用设置在其间的密封1071组装顶板1061和底板1002之后，选择性地加热部分密封1071使得形成密封1071的该熔料材料至少部分熔化。然后允许密封1071再凝固以在顶板1061和底板1002之间形成牢固的接合，从而防止密封的OLED像素阵列1021暴露于氧或水。

在实施方式中，通过辐射光来实施选择性地加热该熔料密封，如激光或定向红外线灯。如前所述，形成密封1071的该熔料材料可以与一种或多种添加剂或填充物接合，如选择用于改善该辐射光吸收的种类，以便于加热和熔化该熔料材料以形成密封1071。

在一些实施方式中，OLED装置1011是批量生产的。在图10示出的实施方式中，多个独立的OLED阵列1021形成在公共底基板1101上。在该示出的实施方式中，每个OLED阵列1021由成形的熔料围绕以形成密封1071。在实施方式中，公共顶基板(未示出)设置在公共底基板1101和在其上形成的结构上方，使得OLED阵列1021和该成形的熔料膏设置在公共底基板1101和该公共顶基板之间。封装或密封OLED阵列1021，如通过前述的单个OLED显示装置的密封工艺。所得的产品包括通过该公共底和顶基板保持在一起的多个OLED装置。然后，将所得的产品切割成多个片，每个片构成图6D所示的OLED装置1011。在某些实施方式中，每个OLED装置1011然后再进行附加的封装操作，以进一步改善由熔料密封1071和顶和底板1061、1002形成的密封性能。

图1是有机发光显示器的一个实施方式的剖面图。参考图1，有机发光显示器包括设置在具有像素区I和非像素区II的基板100上的半导体层110、栅极绝缘层120、栅极130a、扫描驱动器130b、层间绝缘层140和源极及漏极150。此外，有机发光显示器还包括由源极和漏极互联形成的公共电力线150b和第二电力线150a。

平面化层160设置在基板100的表面上。平面化层160由有机材料例如丙烯酸基树脂或聚酰亚胺基树脂形成。包括反射层170的第一电极171设置在基板100上，且像素界定层180设置在基板100的表面上。

至少包括发射层的有机层190设置在第一电极171上，且第二电极200设置于其上。封装基板210与基板100相对设置，且基板100和封装基板210用玻璃熔料220密封，因此形成有机发光显示器。

然而，有机发光显示器的此实施方式包括设置在玻璃熔料下方用于密封基板的有机平面化层，从而有机平面化层由于例如激光的辐射源照射到玻璃熔料以形成密封时产生的大量热而被破坏。结果，玻璃熔料粘结到有机平面化层的界面处的粘结强度可能降低。

此外，由于导线即公共电力线设置在玻璃熔料下方，当玻璃熔料用激光照射时，大量的热可能传送到导线，且该热可能传送到与该导线相邻的另一导线，因此可能在元件中引起热损伤。因此，优选公共电力线设置在除了玻璃熔料下方之外处，元件变大，且因此难以使得OLED小型化。

图2到5是根据本发明示范性实施方式的有机发光显示器的剖面图。参考图2，提供界定像素区I和非像素区II的基板300。该基板300可以是绝缘玻璃基板、塑料基板或导电基板。

然后，缓冲层310形成在基板300的表面上。缓冲层310可以是氧化硅层、氮化硅层或氧化硅层和氮化硅层的复合层。此外，缓冲层310充当防止杂质从基板300外扩散的钝化层。

接着，半导体层320形成在像素区I中的缓冲层310上。半导体层320可以是非晶硅层或多晶硅层。然后，栅极绝缘层330形成在基板300表面上。栅极绝缘层330可以是氧化硅层、氮化硅层或氧化硅层和氮化硅层的复合层。

然后，栅极340a形成在相应于半导体层320的部分的栅极绝缘层330上。栅极340a可以由Al、Cu或Cr形成。

当栅极340a形成时，第一导线340b形成在非像素区II中。在某些实施方式中第一导线340b充当公共电力线(Vdd)。在某些实施方式中，第一导线在第一方向大致以纵向方式延伸，该第一方向例如是图2到5的页面向外。

第一导线340b从将设置玻璃熔料的区域横向分开。通常，玻璃熔料具有约0.7mm的宽度，该宽度可以根据器件规格而变化。关于第一导线340b和玻璃熔料之间的距离没有要求/限制，只要第一导线340b不在玻璃熔料下方延伸。如果第一导线340b设置在玻璃熔料下方，且玻璃熔料被激光照射从而密封基板，大量热传送到第一导线。然后此热从作为公共电力线的第一导线传送到与第一导线分开并作为第二电极电力线的第二导线，然后通过第二电极到元件，这可能引起对有机层的损坏。因此，在此实施方式中，第一导线340b从玻璃熔料横向分开以防止对有机层的损坏。

接着，层间绝缘层350形成在基板300的表面上。层间绝缘层350可以是氧化硅层、氮化硅层或氧化硅和氮化硅的复合层。像素区I中的层间绝缘层350和栅极绝缘层330被蚀刻以形成用于暴露半导体层320的接触孔351和352。

然后，源极360a和漏极360b形成在像素区I中的层间绝缘层350上。源极360a和漏极360b可以由选自包括Mo、Cr、Al、Ti、Au、Pd和Ag的组中选择的一种或多种。此外，源极360a和漏极360b通过接触孔351和352连接到半导体层320。

当源极360a和漏极360b形成时，第二和第三导线360c和360d同时形成在非像素区II中。第二导线360c可以作为第二电极电力线，且第三导线360d可以作为扫描驱动器。

此时，第二和第三导线360c和360d设置在层间绝缘层350上和第一导线340b上方。此外，第一导线340b可以交叠第二导线360c。

参考图3，平面化层370形成在基板300表面上。平面化层370可以由有机材料例如丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂或苯环丁烯(benzocyclobutene，BCB)形成。

此时，像素区I中的平面化层370被蚀刻以形成用于暴露源极360a和漏极360b之一和非像素区II中的第二导线360c的通孔371a和371b。

此外，非像素区II的将施加玻璃熔料的平面化层370例如通过蚀刻被除去。当基板被玻璃熔料密封时，玻璃熔料例如被激光照射，从而粘附基板。此时，如果由有机材料形成的平面化层存在于玻璃熔料下方，平面化层由于来自激光的大量热可能被损坏。结果，玻璃熔料可能从与平面化层的界面分层，且因此降低其粘附强度。

因此，粘附玻璃熔料的非像素区II中的基板300的边缘的平面化层被除去以防止上述问题。

参考图4，包括反射层375的第一电极380形成像素区I中的平面化层370上。第一电极380设置在通孔371的底表面上，从而与暴露的源极360a和360b之一接触，并延伸到平面化层370。第一电极380可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

然后，像素界定层390在包括第一电极380的基板300上形成足够填充通孔371a的厚度，在通孔371a中设置第一电极380。像素界定层390可以由有机层或无机层形成，优选为有机层。更优选地，像素界定层390由选自包括BCB、丙烯酸基聚合物和聚酰亚胺的组中的一种形成。像素界定层390具有高的流动性，使得像素界定层可以均匀形成在基板表面上。

此时，像素界定层390被蚀刻以形成分别暴露像素区I中的第一电极380和非像素区II中的一部分第二导线360c的开口395a和395b。此外，在非像素区II中将施加玻璃熔料的像素界定层390也通过蚀刻除去。

然后，有机层400形成在通过开口395a暴露的第一电极380上。有机层400包括至少发射层，并还包括空穴注入层、空穴迁移层、电子注入层和电子迁移层之一。

接着，第二电极410形成在基板300的表面上。第二电极410是透射电极，并可以由Mg、Ag、Al、Ca或其合金形成。第二电极410基本透明使得从有机层400发射的光从反射层375反射并能够基本穿过第二电极410。第二电极410也具有低功函数。

此时，非像素区II中将施加玻璃熔料的第二电极410通过蚀刻除去。

参考图5，提供与基板300相对的封装基板420。封装基板420可以由蚀刻的绝缘玻璃或非蚀刻的绝缘玻璃形成。玻璃熔料430施加到与基板300相对的封装基板420的边缘。在一个实施方式中，玻璃熔料430包括多个互联部分，其一起界定玻璃熔料430。在某些实施方式中，这些部分被延长且至少一个部分基本在第一方向延伸。在一个实施方式中，至少一个熔料部分基本平行于第一导线设置，但与其横向分开。

玻璃熔料430可以由选自下面组中的一种材料形成，该组包括氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锂(Li₂O)、氧化纳(Na₂O)、氧化钾(K₂O)、氧化硼(B₂O₃)、氧化钒(V₂O₅)、氧化锌(ZnO)、氧化碲(TeO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、二氧化硅(SiO₂)、氧化铅(PbO)、氧化锡(SnO)、氧化磷(P₂O₅)、氧化钌(Ru₂O)、氧化铷(Rb₂O)、氧化铑(Rh₂O)、氧化铁(Fe₂O₃)、氧化铜(CuO)、氧化钛(TiO₂)、氧化钨(WO₃)、氧化铋(Bi₂O₃)、氧化锑(Sb₂O₃)、铅-硼酸盐玻璃、锡-磷酸盐玻璃、钒酸盐玻璃和硼硅酸盐及其组合。玻璃熔料430可以通过分配(dispensing)法或丝网印刷法施加。

在此实施方式中，虽然玻璃熔料430施加在封装基板420上，但玻璃熔料430可以施加在基板300上。

然后，在将基板300与封装基板420对准之后，它们被彼此粘结。此时，玻璃熔料430与非像素区II中的基板300上作为无机层的层间绝缘层350接触。

接着，玻璃熔料430被激光束照射，从而玻璃熔料430被熔化并固化以粘结基板和封装基板。

如上所述，在某些实施方式中，有机平面化层设置在用于密封基板的玻璃熔料下方，从而有机平面化层可能由于激光照射到玻璃熔料时产生的大量热而被损坏。结果，在玻璃熔料粘结到有机平面化层的界面处的粘结强度可能降低。然而，在此实施方式中，玻璃熔料下面的有机平面化层被除去以防止玻璃熔料的粘结强度降低。

此外，由于在玻璃熔料下面基本没有作为公共电力线的第一导线，当玻璃熔料被激光束照射时，可能防止元件由于传送到第一导线和与其相邻的另一导线的热而被热损坏。

从上述可以看出，在根据本发明的有机发光显示器及其制造方法中，可以防止元件被激光束照射到用于密封基板的玻璃熔料时产生的大量热所损坏。

虽然参考本发明的某些示范性实施方式描述了本发明，但本领域的技术人员将理解，可以对本发明进行各种改进和变化，而不脱离由权利要求及其等同物所界定的本发明的精神和范畴。

本发明要求与2006年1月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2006-0007964的优先权，其公开的全部内容引入于此作为参考。

Claims

1.一种有机发光器件，包括：

第一基板，界定像素区和非像素区；

有机发光像素阵列，形成在所述第一基板的像素区；

第二基板，设置在所述第一基板上方，所述阵列置入在第一和第二基板之间；

熔料密封，置入在所述第一和第二基板之间并将其连接，其中所述熔料密封包括多个延长部分，所述延长部分组合围绕所述阵列；和

至少一条导线，形成在非像素区中并基本平行于所述熔料密封的多个延长部分之一延长，其中当从第一或第二基板观察时在非像素区中没有导线基本平行于所述延长部分之一延长并交叠基本与其平行的延长部分，

其中，所述像素区包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，

其中，所述熔料密封设置在所述层间绝缘层上，且所述层间绝缘层由无机层形成。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述至少一条导线基本贯穿与其基本平行的延长部分的整个长度延伸。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述至少一条导线的第一条与所述延长部分的第一个交叉，而不与所述延长部分的第一个基本平行延伸。

4.根据权利要求3所述的器件，其中在所述至少一条导线的第一条与所述延长部分的第一个交叉处，一层或多层置入在它们之间。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述熔料密封的延长部分之一沿所述第一基板边缘延伸。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述至少一条导线的第一条包括电连接到所述阵列的电力线。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述至少一条导线中的第一条和栅极包括相同材料。

8.根据权利要求7所述的器件，其中所述源极和漏极与第一导线包括相同材料。

9.根据权利要求1所述的器件，还包括设置在所述非像素区中的扫描驱动器，其中所述扫描驱动器包括所述至少一条导线中的第一条。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述熔料密封包括选自下述组的一种或多种材料，该组包括氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化锂、氧化纳、氧化镓、氧化硼、氧化钒、氧化锌、氧化碲、氧化铝、二氧化硅、氧化铅、氧化锡、氧化磷、氧化钌、氧化铷、氧化铑、氧化铁、氧化铜、氧化钛、氧化钨、氧化铋、氧化锑、铅-硼酸盐玻璃、锡-磷酸盐玻璃、钒酸盐玻璃和硼硅酸盐。

11.一种形成有机发光显示器的方法，该方法包括：

提供器件，该器件包括界定像素区和非像素区的第一基板，该器件还包括形成在所述第一基板的像素区中的有机发光像素阵列，该器件还包括形成在所述非显示区中的导线；

在所述第一基板上方提供第二基板，所述阵列置入在所述第一和第二基板之间；

在所述第一和第二基板之间置入熔料，从而互联所述第一和第二基板，所述熔料包括多个延长部分；和

其中所述多个延长部分设置得组合起来围绕所述阵列，其中所述多个延长部分还设置得使得从第一或第二基板观察时在非像素区中没有导线基本平行于延长部分之一延伸并交叠基本与其平行的延长部分，

12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述非像素区中的至少一条导线基本平行于多个延长部分之一，而不与其交叠。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述导线的至少一条基本贯穿与其基本平行的所述延长部分的整个长度延长。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述导线之一与延长部分的第一个交叉，而不平行于所述延长部分的第一个延伸。

15.根据权利要求14所述的方法，其中在所述导线之一与延长部分的第一个交叉处，一层或多层置入在它们之间。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述熔料的延长部分之一沿所述第一基板的边缘延伸。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述导线之一包括连接到所述阵列的电力线。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述导线之一和栅极由相同的材料形成。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述源极和漏极以及导线之一由相同的材料形成。

20.根据权利要求11所述的方法，还包括设置在非像素区中的扫描驱动器，其中所述扫描驱动器包括沿所述多个部分之一延伸的导线之一。

21.根据权利要求11所述的方法，其中所述器件包括多个附加像素区和多个附加非像素区，其中所述器件还包括多个附加阵列，其中所述方法还包括在所述第一和第二基板之间置入多个附加熔料，从而互联第一和第二基板，每个附加熔料围绕多个附加阵列之一。

22.根据权利要求21所述的方法，还包括将所得产物切为片，该片包括包含单个阵列的单个显示器件。