CH179235A - Verfahren zum Anbringen von Kontakten an elektrischen Widerstandskörpern aus gesinterten Halbleiterstoffen. - Google Patents

Description

  Verfahren zum Anbringen von Kontakten an elektrischen     Widerstandskörpern     aus gesinterten     Halbleiterstoffen.       Es war bisher mit grossen     Schwierigkei-          ten    verknüpft, an elektrischen Widerstands  körpern aus gesinterten     Halbleiterstoffen,     wie zum Beispiel aus niederen Oxyden des  Chroms, Mangans und insbesondere Urans,  Kontakte anzubringen, die festhaften und  keine messbaren Übergangswiderstände zei  gen. Die bisher bekannten Verfahren zum  Anbringen von Kontakten an Widerstands  körpern sind für diesen Zweck nicht brauch  bar.

   So zum Beispiel hatte man schon vor  geschlagen, auf Widerstandskörpern aus       Leitern    erster Klasse, wie Kohle, Kontakte  aus Metallkarbid     festzubrennen.    Hierbei bil  dete sich aber eine Legierung mit einem all  mählichen Übergang von dem Kontakt in  den Widerstandskörper. Desgleichen ist es  auch schon bekannt, auf einem     keramischeiL     Widerstandskörper Metall     festzusintern    und  dann Kohlenstoff in den keramischen Kör  per einzuführen und schliesslich den Wider  stand bis zur     Karbidbildung    zwischen dem    Kontaktmetall und dem Kohlenstoff zu er  hitzen. Auch in diesem Falle ist dann ein  allmählicher Übergang vorhanden.

   In ähn  licher Weise ist vorgeschlagen worden, auf  einen Kohlenstoff enthaltenden keramischen  Körper einen keramischen Metalle enthalten  den Überzug als Kontakt     festzusintern.    Die  Verbindung beruht hierbei auf dem Zusam  mensintern der beiden keramischen Körper.  Der Stromübergang ist auch hier durch die       Karbidbildung    bedingt, die anderseits mit  einem allmählichen Übergang von Metall in  den Kohlenstoff verknüpft ist.

   Schliesslich  ist auch schon in Vorschlag .gebracht wor  den, die Kontakte in Form einer     Metallauf-          schlämmung    in einem gesonderten Arbeits  gang     festzubrennen.    Bei allen diesen bekann  ten Verfahren sind Übergangswiderstände  vorhanden, die sich beim Ein- und Ausschal  ten des Stromes infolge der Temperatur  unterschiede ändern und sich im allgemei  nen mit der Zeit vergrössern. Damit     ändern         sich auch die elektrischen Eigenschaften der  Widerstandskörper, was besonders bei sehr  grossen Stromstärken störend wirkt.  



  Gegenstand der Erfindung ist ein Verfah  ren zum     Anbringen    von Kontakten an elek  trischen Widerstandskörpern aus gesinterten  Halbleiterstoffen, bei dem zwischen den  Kontakten und den Widerstandskörpern  keine Übergangswiderstände auftreten. Zu  diesem Zweck     wird    vor dem Sintern auf den       Presskörper    aus Halbleiterstoffen eine das  Kontaktmetall, vorzugsweise in metallischer  Form oder in     einer        zersetzlichen    oder     rAdu-          zierbaren    Verbindung, enthaltende     Auf-          schlämmung    aufgetragen und dann der Kör  per gesintert.

   Hierfür kommen namentlich  Aufschlämmungen     zersetzlicher    oder redu  zierbarer Verbindungen des     Metalles    in  Leim,     Kollodium,    Paraffin oder andern or  ganischen     Bindemitteln        @in    Betracht. Vor  zugsweise wird     aber    einfach eine     Auf-          schlämmung    des     reinen        Metalles    benutzt. Die  einzelnen Körper     dringen    .dabei tief in die  Poren des Halbleiterstoffes ein und geben  beim Sintern eine gute und sichere Verbin  dung, die keine Übergangswiderstände     zeigt.     



  Als besonders zweckmässig hat es sich er  wiesen, die Widerstandskörper erst bei mässi  ger Temperatur     vorzusintern,    bis sie eine ge  wisse Festigkeit erlangt haben, dann die       Kontaktmetallaufschlämmung    aufzutragen  und anschliessend die Körper der eigent  lichen, wesentlich höher liegenden Sinter  temperatur auszusetzen.  



  Die Kontakte können beispielsweise aus  Eisen, Kobalt, Nickel, Kupfer, Silber, Mo  lybdän oder Wolfram bestehen.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCII Verfahren zum Anbringen von Kontak ten an elektrischen Widerstandskörpern aus gesinterten Halbleiterstoffen, dadurch ge kennzeichnet, dass vor dem Sintern auf den Presskörper aus Halbleiterstoffen eine das Kontaktmetall enthaltende Aufschlämmung aufgetragen und der Körper dann gesintert wird. ÜNTERANSPRürCHE 1. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die verwendete Auf- schlämmung das Kontaktmetall in metal lischer Form enthält. 2.

   Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die verwendete Auf- schlämmung eine zersetzliche Verbindung des Kontaktmetalles enthält. 3. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, da.ss die verwendete Auf- schlämmung eine reduzierbare Verbin dung des Kontaktmetalles enthält. 4. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufschlämmung unter Benutzung eines organischen Binde mittels hergestellt wird. 5.

   Verfahren nach Patentanspruch, da1urch gekennzeichnet, dass der Presskörper vor dem Auftragen der Aufschlämmung erst bei einer mässigen Temperatur vorgesin- tert wird.