[go: up one dir, main page]

WO2020138209A1 - 配線基体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 - Google Patents

配線基体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2020138209A1
WO2020138209A1 PCT/JP2019/050927 JP2019050927W WO2020138209A1 WO 2020138209 A1 WO2020138209 A1 WO 2020138209A1 JP 2019050927 W JP2019050927 W JP 2019050927W WO 2020138209 A1 WO2020138209 A1 WO 2020138209A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
recess
wiring substrate
conductor
base
terminal
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/050927
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
茂典 高谷
Original Assignee
京セラ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京セラ株式会社 filed Critical 京セラ株式会社
Priority to CN201980055421.5A priority Critical patent/CN112585743B/zh
Priority to KR1020217003182A priority patent/KR102463392B1/ko
Priority to JP2020563366A priority patent/JP7027578B2/ja
Publication of WO2020138209A1 publication Critical patent/WO2020138209A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane

Definitions

  • the present disclosure relates to a wiring substrate, a package for storing electronic components, and an electronic device.
  • Patent Document 1 describes that an electronic device is composed of a wiring substrate and electronic components such as an LD (Laser Diode) or a PD (Photo Diode).
  • LD Laser Diode
  • PD Photo Diode
  • a wiring substrate includes a substrate and at least one terminal.
  • the base body has a first concave portion that is open on the upper surface.
  • At least one terminal extends from the first end toward the second end and is located in the first recess.
  • the terminal has a first end located inside the first recess and a second end located outside the first recess, and has a diameter-expanded portion inside the first recess.
  • An electronic component storage package includes a wiring base and a frame.
  • the frame portion is located on the lower surface opposite to the upper surface of the base body.
  • An electronic device includes an electronic component and an external board.
  • the electronic component is mounted on the lower surface of the base.
  • the external substrate has a through hole corresponding to the terminal.
  • FIG. 3 is a top perspective view of a wiring substrate according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a top perspective view of a wiring substrate according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a top perspective view of an electronic component storage package according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a top perspective view of an electronic component storage package according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a bottom perspective view of an electronic component storage package according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a side view of the electronic component storage package according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a top perspective view in which a wiring base and an external substrate according to an embodiment of the present disclosure are connected.
  • FIG. 3 is a top perspective view in which an electronic component storing package and an external substrate according to an embodiment of the present disclosure are connected.
  • FIG. 6 is a top perspective view of an external substrate connected to the electronic component storage package according to the embodiment of the present disclosure.
  • the wiring substrate 1 according to an embodiment of the present disclosure will be described below with reference to the drawings.
  • the electronic device 100 includes an electronic component storage package 10.
  • the electronic component storage package 10 includes a wiring substrate 1.
  • the wiring base 1 includes a base 2 and terminals 4.
  • the wiring base 1 is configured by arranging the first recess 21, the first signal conductor 3, the terminal 4, and the like on the upper surface of the base 2.
  • the base body 2 may have, for example, a circular shape when viewed from above.
  • the radius may be 0.5 mm to 5 mm and the height may be 1 mm to 10 mm.
  • the circular shape may include a shape in which a part of a circle is cut off when viewed from above.
  • the base body 2 may have a rectangular shape when viewed from above.
  • the size may be 1 mm ⁇ 1 mm to 10 mm ⁇ 10 mm.
  • the base body 2 may be made of a dielectric material. Also.
  • the base 2 may be formed by stacking dielectric materials. In addition, in this specification, a laminate of dielectric materials may be referred to as an insulating layer.
  • the dielectric material includes, for example, a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, an aluminum nitride sintered body or a silicon nitride sintered body, or a glass ceramic material. Etc. can be used.
  • the first recess 21 is located on the upper surface of the base 2.
  • the first recess 21 is open on the upper surface.
  • the first recess 21 may be formed by forming a recess from the upper surface of the base body 2 toward the lower surface opposite to the upper surface by cutting a molded body or drilling a fired body. Further, when the base body 2 is formed by stacking the dielectric material, even if the first concave portion 21 is formed by cutting out a part of a plurality of dielectrics at the place where the first concave portion 21 is located and stacking them. Good.
  • the shape of the first recess 21 may be, for example, circular when viewed from above.
  • the size of the radius may be 0.1 mm to 1 mm.
  • the first recess 21 may have a rectangular shape or an elliptical shape in which the corners of the rectangular shape are curved when viewed from above.
  • the size may be 0.2 mm ⁇ 1 mm to 2 mm ⁇ 10 mm.
  • the radius of curvature of the curved portion may be 0.1 mm to 1 mm.
  • the first recess 21 may have, for example, a rectangular shape when viewed in a cross section in the direction from the upper surface to the lower surface.
  • the depth of the first recess 21 in the direction from the upper surface to the lower surface may be 0.1 mm to 3 mm.
  • the first recess 21 may have a taper shape, an inverse taper shape, or a step shape when viewed in a cross section in a direction from the upper surface to the lower surface.
  • the terminal 4 has a first end 41 and a second end 42.
  • the terminal 4 extends from the first end 41 toward the second end 42.
  • the terminal 4 may be rod-shaped.
  • the terminal 4 may be located so as to extend in the direction perpendicular to the upper surface of the base 2. Note that the term "vertical" in this specification includes not only the vertical direction but also a case where the vertical direction is slightly inclined due to manufacturing errors. The error may be in the range of -0.1° to +0.1°.
  • the terminal 4 has a first end 41 located inside the first recess 21 and a second end 42 located outside the first recess 21, as shown in FIG. 11 or 12.
  • the terminal 4 has an enlarged diameter portion 43 in the first recess 21.
  • a joining material such as a brazing material applied to the enlarged diameter portion 43 when the terminal 4 is joined in the first concave portion 21. Since the contact area with the wiring substrate 1 increases, the bonding strength between the external substrate 8 such as FPC (Flexible Printed Circuits) and the wiring substrate 1 increases.
  • the external substrate 8 and the wiring substrate 1 are connected, since the enlarged diameter portion 43 does not protrude from the opening of the first recess 21, the external substrate 8 does not float (float) from the wiring substrate 1. Excellent connection reliability.
  • the first recess 21 may be a brazing material reservoir of the brazing material not used for joining. Therefore, it becomes difficult for the brazing material to protrude onto the upper surface of the wiring substrate 1. As a result, it is possible to reduce the floating of the external substrate 8 from the wiring substrate 1 due to the brazing filler metal that has overflowed.
  • the diameter of a portion of the first recess 21 above the opening and close to the opening is used as a reference, and a portion having a diameter larger than that portion is defined as the enlarged diameter portion 43.
  • the expanded diameter portion 43 may extend from the first end 41 toward the opening of the first recess 21.
  • the expanded diameter portion 43 may include the first end 41.
  • the area of the diameter of the expanded diameter portion 43 may be the same as the area of the diameter of the first end 41.
  • the area of the diameter of the expanded diameter portion 43 is the area of the cross section orthogonal to the axis of the terminal 4.
  • the area of the diameter of the first end 41 is the surface area of the first end 41. Since the area of the diameter of the enlarged diameter portion 43 is the same as the area of the diameter of the first end 41, the joint strength with the connecting conductor 5 can be increased.
  • the diameter area of the expanded diameter portion 43 is S1
  • the diameter area of the first end 41 is S2.
  • the expanded diameter portion 43 may extend from between the first end 41 and the second portion 42 toward the opening of the first recess 21.
  • the expanded diameter portion 43 may not include the first end 41.
  • the area of the diameter of the expanded diameter portion 43 may be larger than the area of the diameter of the first end 41.
  • the length of the terminal 4 may be 1 mm to 10 mm.
  • the radius of the expanded diameter portion 43 may be 0.1 mm to 0.8 mm, and the radius other than the expanded diameter portion 43 is 0.05 mm to 0.5 mm. May be
  • the terminal 4 may be a metal including iron, for example.
  • the terminal 4 is electrically connected to an external power source and supplies electricity to the mounted electronic component 101.
  • a plurality of terminals 4 may be provided depending on the design of the wiring substrate 1. When there are a plurality of terminals 4, some terminals 4 may be electrically connected to each other, or each terminal 4 may not be electrically connected to each other.
  • the expanded diameter portion 43 may have a stepped shape when viewed in cross section including the axis of the terminal.
  • the step is located below the opening of the first recess 21 or in the lower surface direction than the opening. In other words, the expanded diameter portion 43 does not project upward from the opening. Since the expanded diameter portion 43 is step-shaped, it becomes easy to connect the external substrate 8 and the expanded diameter portion 43 of the first recess 21 with a brazing material or the like. As a result, the connection between the terminal 4 and the base 2 becomes more stable.
  • a plurality of terminals 4 are located in the first recess 21.
  • a plurality of first recesses 21 may be located on the upper surface of the base body 2, and a plurality of terminals 4 may be located in each of the plurality of first recesses 21.
  • the connecting conductor 5 is located in the first recess 21 and is connected to the first end 41.
  • the connection conductors 5 are located in the first recess 21 by the number of the plurality of terminals 4, and electrically correspond to each of the plurality of terminals 4 in a one-to-one correspondence.
  • An insulating layer may be located in a region where the terminal 4 and the connecting conductor 5 are not located.
  • the connection conductor 5 may be used, for example, to connect the base 2 and the terminal 4 with a bonding material such as a brazing material.
  • the connection conductor 5 may be located so as to surround the outer circumference of the expanded diameter portion 43 when viewed from above.
  • the terminal 4 can be easily joined to the connecting conductor 5, and at the time of joining the terminal 4 and the external substrate 8 with a brazing material, Since the brazing material that has flowed into the recess 21 can be received, it is possible to reduce the occurrence of a short circuit between the terminals 4.
  • the shape of the connecting conductor 5 may be, for example, rectangular or circular when viewed from above.
  • the size may be 0.2 mm ⁇ 0.2 mm to 2 mm ⁇ 2 mm.
  • the size of the radius may be 0.1 mm to 1 mm.
  • the connecting conductor 5 is made of, for example, a metal material such as gold, silver, copper, nickel, tungsten, molybdenum, or manganese, and is co-fired in the form of a metallized layer or a plated layer on the surface of the uppermost insulating layer, or a metal. It may be plated.
  • one terminal 4 is located in the first recess 21.
  • the shape of the connection conductor 5 may correspond to the shape of the first recess 21. Since the shape of the connection conductor 5 corresponds to the shape of the first recess 21, the connection region between the base 2 and the terminal 4 can be widened, and as a result, the bonding strength between the terminal 4 and the connection conductor 5 can be increased. Can be raised.
  • the first signal conductor 3 is located on the upper surface of the base 2 and extends in the first direction.
  • the first signal conductor 3 is separated from the first recess 21 when viewed from above.
  • the shape of the first signal conductor 3 may be, for example, a rectangular shape when viewed from above. When the shape of the first signal conductor 3 in a top view is rectangular, the width may be 0.05 mm to 1 mm and the length may be 0.5 mm to 5 mm.
  • the first signal conductor 3 may include a metal material such as gold, silver, copper, nickel, tungsten, molybdenum, or manganese.
  • the first signal conductor 3 may be co-fired or metal-plated on the upper surface of the substrate 2 in the form of a metallized layer, a plated layer, or the like. Further, the first signal conductor 3 may be located so as to extend in a substantially vertical direction with respect to the upper surface of the base 2. The first signal conductor 3 can be used to transmit a high frequency signal belonging to, for example, the 10 to 60 GHz band.
  • the first signal conductors 3 are a pair of first signal conductors 3 and may be positioned in parallel with each other. Since the pair of first signal conductors 3 are positioned in parallel, it is possible to reduce transmission loss when transmitting a high frequency signal.
  • a pair of first ground conductors 6 extending in the first direction and sandwiching at least a part of the first signal conductor 3 may be further provided.
  • the arrangement of the first signal conductor 3 and the first ground conductor 6 becomes a coplanar structure. Since the first signal conductor 3 and the first ground conductor 6 are arranged in a coplanar structure, a high frequency signal can be smoothly transmitted.
  • the first ground conductor 6 is made of, for example, a metal material such as gold, silver, copper, nickel, tungsten, molybdenum, or manganese, and is co-fired on the surface of the uppermost insulating layer in the form of a metallized layer or a plated layer. Alternatively, it may be metal-plated.
  • the second ground conductor 61 may be located closer to the center of the upper surface than the first signal conductor 3 in a top view.
  • the second ground conductor 61 is connected to the pair of first ground conductors 6.
  • the second ground conductor 61 widens the area of the wiring substrate 1 that functions as a ground. As a result, the transmission of the high frequency signal becomes more stable.
  • the second ground conductor 61 is made of a metal material such as gold, silver, copper, nickel, tungsten, molybdenum, or manganese, and is co-fired on the surface of the uppermost insulating layer in the form of a metallized layer or a plated layer. It may be metal-plated.
  • the first ground conductor 6 does not have to be located on the outer periphery of the base body 2 and beyond the first signal conductor 3 in a top view. Since the first ground conductor 6 is not located on the outer periphery of the base 2 and beyond the first signal conductor 3, the second signal conductor 82 and the first ground are connected when the external substrate 8 and the wiring base 1 are connected. Occurrence of a short circuit due to contact with the conductor 6 can be reduced.
  • the tip of the first signal conductor 3 and the outer periphery of the substrate 2 refer to the area A in FIGS. 1 to 4 of the drawings.
  • the first ground conductor 6 may be electrically connected to the ground conductor located inside the base 2 by the via 22. Since the first ground conductor 6 is connected to the ground conductor located inside the base 2 through the via 22, the region functioning as the ground can be widened.
  • the second ground conductor 61 may be electrically connected to the ground conductor located inside the base 2 by the via 22. By connecting the second ground conductor 61 to the ground conductor located inside the base 2 through the via 22, it is possible to widen the region functioning as the ground.
  • the base 2 may further have a second recess 7 located on the outer periphery of the base and beyond the first ground conductor.
  • the second concave portion 7 is formed from the upper surface to the side surface, and may be continuously opened on the upper surface and the side surface.
  • the base 2 may have a plurality of second recesses 7.
  • the second recess 7 may be formed by cutting the base 2 from the upper surface to the side surface by cutting or the like.
  • the second recess 7 is formed by cutting a part of a plurality of dielectrics at a position where the second recess 7 is located and stacking the dielectrics. It may be formed.
  • the second recess 7 may have, for example, a circular shape, a rectangular shape, or an elliptical shape when viewed from above.
  • the size of the radius may be 0.1 mm to 1 mm.
  • the size may be 0.2 mm ⁇ 0.2 mm to 2 mm ⁇ 10 mm.
  • the third ground conductor 71 may be located on the inner surface of the second recess 7.
  • the third ground conductor 71 may be electrically connected to a ground conductor located inside the base 2, for example. Since the third ground conductor 71 is electrically connected to the ground conductor located inside the base body 2, it is possible to widen the region functioning as the ground. As a result, the ground of the high frequency signal transmitted by the first signal conductor 3 is strengthened, and the high frequency characteristics can be improved.
  • the third ground conductor 71 is made of a metal material such as gold, silver, copper, nickel, tungsten, molybdenum, or manganese, and is co-fired on the surface of the uppermost insulating layer in the form of a metallized layer or a plated layer. Alternatively, it may be metal-plated.
  • the third ground conductor 71 may be electrically connected to the first ground conductor 6 while being connected to the first ground conductor 6. As a result, the region functioning as the ground can be further widened.
  • the base body 2 has, for example, a plurality of insulating layers containing an aluminum oxide sintered body, it is manufactured as follows. First, a slurry is prepared by adding and mixing an appropriate organic binder, a solvent and the like to raw material powders such as aluminum oxide and silicon oxide. Next, the formed slurry is subjected to a forming method such as a doctor blade method and formed into a sheet shape to form a plurality of ceramic green sheets.
  • notches serving as the first recess 21 and the second recess 7 may be provided at predetermined positions of the ceramic green sheet. Then, a plurality of ceramic green sheets are laminated and pressure-bonded. Finally, the laminated ceramic green sheets are fired in a reducing atmosphere at a temperature of about 1600° C., and are cut or punched to have an appropriate shape to produce the base 2 having a desired shape.
  • the first signal conductor 3, the connection conductor 5, the first ground conductor 6, the second ground conductor 61, and the third ground conductor 71 are formed of, for example, a metallized layer containing a high melting point metal such as tungsten, molybdenum, or manganese.
  • a metal paste is prepared by kneading a high melting point metal powder together with an organic solvent and a binder. The metal paste is printed on a predetermined portion of the ceramic green sheet by a method such as screen printing.
  • the ceramic green sheets printed with the metal paste are stacked, pressure-bonded, and fired.
  • the metallized layer is deposited on the base body 2 as the first signal conductor 3, the connection conductor 5, the first ground conductor 6, the second ground conductor 61, and the third ground conductor 71.
  • the surfaces of the first signal conductor 3, the connection conductor 5, the first ground conductor 6, the second ground conductor 61, and the third ground conductor 71 may be nickel-plated or gold-plated.
  • the wettability of a bonding material such as a brazing material on the surface of the metal layer can be improved.
  • the bondability of the external substrate 8 connected to the metal layer can be improved, and the corrosion resistance or weather resistance can be improved.
  • through holes are provided at predetermined positions of a plurality of ceramic green sheets, and the metal paste is filled in the through holes. Then, the ceramic green sheets are laminated, pressed, and fired.
  • the through holes may be provided by, for example, mechanical punching using a metal pin or drilling such as laser light.
  • a means such as vacuum suction may be used together to facilitate the filling of the metal paste.
  • the wiring substrate 1 can be manufactured by passing through the above steps.
  • An electronic component storage package 10 includes a wiring base 1 and a frame 11.
  • the frame 11 may be located on the lower surface of the base 2.
  • the frame portion 11 may surround the mounting area of the electronic component 101 on the lower surface of the base body 2.
  • the shape of the frame portion 11 may be, for example, a circular shape, a rectangular shape, or an elliptical shape when viewed from the bottom. Further, the frame portion 11 may match the shape of the wiring substrate 1 in a top view.
  • the size of the radius may be 1 mm ⁇ 1 mm to 10 mm ⁇ 10 mm.
  • the size When the shape of the frame portion 11 in a bottom view is rectangular, the size may be 1 mm ⁇ 1 mm to 10 mm ⁇ 10 mm.
  • the height of the frame portion 11 may be 0.5 mm to 5 mm.
  • a metal such as iron, copper, nickel, chromium, cobalt, molybdenum, or tungsten can be used.
  • the frame portion 11 can be made of an alloy of the above-mentioned metals, for example, a copper-tungsten alloy, a copper-molybdenum alloy, an iron-nickel-cobalt alloy or the like.
  • An electronic device 100 includes an electronic component storage package 10, an electronic component 101, and an external board 8.
  • the electronic component 101 is mounted in the mounting area on the lower surface of the base 2.
  • the electronic component 101 may be, for example, an LD or PD.
  • the electronic component 101 may be connected to the first pad 23 and the second pad 24 located on the lower surface of the base 2 by wire bonding or the like.
  • the first pad 23 may be electrically connected to the terminal 4.
  • the second pad 24 may be electrically connected to the first signal conductor 3.
  • the first pad 23 may have, for example, a circular shape when viewed from below.
  • the size of the radius may be 0.1 mm to 0.5 mm.
  • the number of the first pads 23 may correspond to the number of the terminals 4.
  • the second pad 24 may have, for example, a rectangular shape when viewed from above. When the second pad 24 has a rectangular shape in a bottom view, the size thereof may be 0.1 ⁇ 0.1 mm to 1 ⁇ 1 mm.
  • the number of second pads 24 may correspond to the number of first signal conductors 3.
  • the first pad 23 and the second pad 24 may include a metal material such as gold, silver, copper, nickel, tungsten, molybdenum, or manganese.
  • the first pad 23 and the second pad 24 may be co-fired or metal-plated on the surface of the insulating layer in the form of a metallized layer or a plated layer.
  • the external substrate 8 has through holes 81 that correspond to the terminals 4 in a one-to-one correspondence, and when the external substrate 8 is connected to the wiring substrate 1, the terminals 4 are inserted into the through holes 81 of the external substrate 8. Is inserted.
  • the external board 8 may have an upper surface and a lower surface.
  • the through hole 81 may penetrate from the upper surface to the lower surface of the external substrate 8.
  • the area of the through hole 81 may be smaller than that of the enlarged diameter portion 43 and may be slightly larger than the size of the cross-sectional area of the second end 42. Since the area of the through hole 81 is smaller than that of the expanded diameter portion 43 and larger than the cross-sectional area of the second end 42, the wiring base 1 and the external substrate 8 can be easily aligned when the terminal 4 is inserted. Therefore, it is possible to reduce the positional deviation of the external substrate 8. As a result, high-frequency signal transmission between the electronic component 101 arranged on the wiring substrate 1 and the external substrate 8 connected to the electronic component 101 can be stably controlled. Further, since the brazing material applied to the expanded diameter portion 43 and the external substrate 8 can be bonded, the bonding strength can be increased.
  • the second signal conductor 82 may be located on the lower surface of the external substrate 8.
  • the second signal conductor 82 may be in a position in contact with the first signal conductor 3 when connected to the wiring substrate 1. This facilitates electrical connection between the second signal conductor 82 and the first signal conductor 3 and enables efficient signal transmission.
  • the external board 8 may be, for example, an FPC.
  • a conductive metal such as a copper foil is attached to the upper and lower surfaces of a thin and soft base film having insulation such as polyimide. Then, by etching the conductive metal into a predetermined shape, the external substrate 8 provided with the second signal conductor 82 having a desired shape can be manufactured.
  • connection between the external substrate 8 and the wiring substrate 1 is performed by inserting the terminal 4 into the through hole 81 of the external substrate 8 and connecting the expanded diameter portion 43 of the terminal 4 and the lower surface of the external substrate 8 via a bonding material such as a brazing material. And the upper surface of the wiring substrate 1 and the lower surface of the external substrate 8 are closely contacted and connected. At this time, the upper surface of the wiring substrate 1 and the lower surface of the external substrate 8 are connected via a brazing material or the like.
  • connection between the external substrate 8 and the wiring substrate 1 may be made by joining not only the lower surface of the external substrate 8 and the expanded diameter portion 43 but also the upper surface of the external substrate 8 and the terminal 4 via a brazing material or the like. As a result, the bonding strength between the wiring substrate 1 and the external substrate 8 can be increased.
  • the second signal conductor 82 and the wiring base 1 may be electrically connected via a brazing material or the like.
  • the lid may be joined to the frame 11.
  • the lid When viewed from the bottom, the lid may have, for example, a circular shape, a rectangular shape, or an elliptical shape. Further, the lid body may match the shape of the base body 2 when viewed from below.
  • the lid may be made of a metal containing iron, copper, nickel, chromium, cobalt, molybdenum, or tungsten, for example.
  • the lid may use an alloy of the above-mentioned metals, for example, a copper-tungsten alloy, a copper-molybdenum alloy, an iron-nickel-cobalt alloy, or the like.
  • the lid can be produced by subjecting an ingot of a metal material to a metal working method such as a rolling working method or a punching working method.
  • wiring base 10 electronic component storage package 11: frame 100: electronic device 101: electronic component 2: base 21: first recess 22: via 23: first pad 24: second pad 3: first signal conductor 4: terminal 41: first end 42: second end 43: expanded portion 5: connection conductor 6: first ground conductor 61: second ground conductor 7: second recess 71: third ground conductor 8: external substrate 81 : Through hole 82: Second signal conductor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

本開示の一実施形態に係る配線基体は、基体と、少なくとも１つの端子と、を備えている。基体は、上面に開口する凹部を有する。端子は、第１端から第２端に向かって延びており、凹部に少なくとも１つ以上位置している。端子は、第１端が凹部内、第２端が凹部外に位置しているとともに、凹部内に拡径部を有している。

Description

配線基体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置
　本開示は、配線基体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置に関する。
　情報技術の発達に伴い、高速かつ長距離の信号伝送を可能とする光通信の利用が進められている。光信号を伝送する電子装置等には、動作を安定化するとともに伝送効率を向上させることが要求されている。電子装置は、配線基体と、ＬＤ（Laser Diode：レーザダイオード）またはＰＤ（Photo Diode：フォトダイオ－ド）等の電子部品と、から構成されることが特許文献１に記載されている。
特開２０１２－２５６６９２号公報
　本開示の一実施形態に係る配線基体は、基体と、少なくとも１つの端子と、を備えている。基体は、上面に開口する第１凹部を有する。端子は、第１端から第２端に向かって延びており、第１凹部に少なくとも１つ以上位置する。端子は、第１端が第１凹部内、第２端が第１凹部外に位置しているとともに、第１凹部内に拡径部を有する。
　本開示の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージは、配線基体と、枠部とを備える。枠部は、基体の上面の反対の下面に位置する。
　本開示の一実施形態に係る電子装置は、電子部品と、外部基板と、を備える。電子部品は、基体における下面に実装される。外部基板は、端子と対応する貫通孔を有する。
本開示の一実施形態に係る配線基体の上面斜視図である。 本開示の一実施形態に係る配線基体の上面斜視図である。 本開示の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージの上面斜視図である。 本開示の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージの上面斜視図である。 本開示の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージの下面斜視図である。 本開示の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージの側面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基体と外部基板とが接続した上面斜視図である。 本開示の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージと外部基板とが接続した上面斜視図である。 本開示の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージと接続する外部基板の上面斜視図である。 本開示の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージと接続する外部基板の下面斜視図である。 図１の配線基体を拡大した上面斜視図である。 図１の配線基体のＸＩＩ－ＸＩＩでの断面視である。 図１の配線基体のＸＩＶ－ＸＩＶでの断面視である。 図２の配線基体のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩでの断面視である。
　以下に、本開示の一実施形態に係る配線基体１について、図面を参照しながら説明する。
　　＜配線基体１の構成＞
　電子装置１００は、電子部品収納用パッケージ１０を備える。電子部品収納用パッケージ１０は、配線基体１を備える。そして、配線基体１は、基体２、および端子４を備えている。なお、配線基体１は、基体２の上面に、第１凹部２１、第１信号導体３、および端子４等が位置することで構成される。
　基体２は、上面視をした場合、例えば円形状であってもよい。基体２が上面視で円形状である場合、半径の大きさは０．５ｍｍ～５ｍｍで、高さは１ｍｍ～１０ｍｍであってもよい。円形状とは、上面視をした場合、円の一部分が切り取られた形状を含んでいてもよい。また、基体２は、上面視をした場合、矩形状であってもよい。基体２が上面視で矩形状である場合、大きさは１ｍｍ×１ｍｍ～１０ｍｍ×１０ｍｍであってもよい。基体２は誘電体材料からなっていてもよい。また。基体２は、誘電体材料の積層によって形成されていてもよい。なお、本明細書では、誘電体材料が積層されたものを絶縁層と表現する場合がある。誘電体材料には、例えば酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、またはガラスセラミック材料等を用いることができる。
　基体２の上面には、第１凹部２１が位置している。第１凹部２１は上面に開口している。第１凹部２１は、基体２の上面から上面と反対の下面に向かう凹みを、成形体への切削加工、または、焼成体へのドリル加工等で形成されてもよい。また、基体２が、誘電体材料の積層によって形成される場合は、第１凹部２１が位置する場所について、複数の誘電体を一部切り取り、重ね合わせることで第１凹部２１を形成してもよい。第１凹部２１の形状は、上面視をした場合、例えば円形状であってもよい。第１凹部２１の形状が上面視で円形状である場合、半径の大きさは０．１ｍｍ～１ｍｍであってもよい。また、第１凹部２１は、上面視をした場合、矩形状あるいは矩形状の角部が曲線となる長円形であってもよい。第１凹部２１が上面視で矩形状である場合、大きさが０．２ｍｍ×１ｍｍ～２ｍｍ×１０ｍｍであってもよい。第１凹部２１が上面視で長円形である場合、曲線部分の曲率半径の大きさは、０．１ｍｍ～１ｍｍであってもよい。第１凹部２１が上面視で円形状あるいは長円形である場合、上面視での形状が矩形状であるときのような角部への応力集中によるクラックが生じない。また、第１凹部２１は、上面から下面に向かう方向の断面視をした場合、例えば矩形状であってもよい。上面から下面に向かう方向での第１凹部２１の深さは０．１ｍｍ～３ｍｍであってもよい。また、第１凹部２１は、上面から下面に向かう方向の断面視をした場合、テーパ状、逆テーパ状あるいは段状であってもよい。
　端子４は、第１端４１と、第２端４２とを有している。端子４は、第１端４１から第２端４２に向かって延びている。端子４の形状は棒状であってもよい。端子４は基体２の上面に対して垂直方向に延びて位置していてもよい。なお、本明細書における垂直とは、垂直方向に加え、製造の誤差により垂直方向に対しやや傾いている場合も含む。誤差は、－０．１°～＋０．１°の範囲であってもよい。
　端子４は、図１１または図１２に示すように、第１端４１が第１凹部２１内に位置しており、第２端４２が第１凹部２１の外に位置している。端子４は、第１凹部２１内に拡径部４３を有している。第１凹部２１内に、このような拡径部４３を有していることにより、第１凹部２１内における端子４の接合の際に、拡径部４３と塗布されるろう材等の接合材との接触面積が増えるため、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）等の外部基板８と配線基体１との接合強度が上がる。また、外部基板８と配線基体１とを接続する際に、拡径部４３が第１凹部２１の開口から突出していないため、配線基体１から外部基板８が浮いた状態（浮き）にならず、接続信頼性に優れる。また、例えば、外部基板８と第１凹部２１の拡径部４３とを、ろう材を用いて接続する際、第１凹部２１は、接合に用いられなかったろう材のろう材溜まりとすることができるため、配線基体１の上面にろう材がはみだしにくくなる。その結果、はみだしたろう材による、配線基体１からの外部基板８の浮きを低減することができる。なお、本明細書では、第１凹部２１の開口より上であり開口に近い部分の径を基準とし、その部分より径が大きい部分を拡径部４３とする。
　図１２あるいは図１４に示すように。拡径部４３は、第１端４１から第１凹部２１の開口に向かって延びていてもよい。言い換えると、拡径部４３が第１端４１を含んでいてもよい。更に言い換えると、拡径部４３の径の面積は、第１端４１の径の面積と同じであってもよい。本明細書において、拡径部４３の径の面積は、端子４の軸に直交する断面の面積である。第１端４１の径の面積は、第１端４１の表面積である。拡径部４３の径の面積が第１端４１の径の面積と同じであることによって、接続導体５との接合強度を高めることができる。なお、本明細書では、拡径部４３の径の面積をＳ１とし、第１端４１の径の面積をＳ２とする。
　また、図１３に示すように、拡径部４３は、第１端４１と第２部４２の間から第１凹部２１の開口に向かって延びていてもよい。言い換えると、拡径部４３が、第１端４１を含んでいなくてもよい。更に言い換えると、拡径部４３の径の面積は、第１端４１の径の面積よりも大きくてもよい。これによって、拡径部４３が第１端４１を含まないことによって、例えば、第１凹部２１が、第１端４１と嵌合する窪みをさらに備えている場合に、端子４と基体２との接続を更に安定させることができる。
　端子４の長さは１ｍｍ～１０ｍｍであってもよい。端子４が軸方向に交わる断面視で円形である場合、拡径部４３の半径は０．１ｍｍ～０．８ｍｍであってもよく、拡径部４３以外の半径は０．０５ｍｍ～０．５ｍｍであってもよい。端子４は、例えば鉄等を含む金属であってもよい。端子４は、外部電源と電気的に接続し、搭載される電子部品１０１に電気を供給する。配線基体１の設計に応じて、端子４を複数設けてもよい。端子４が複数あるとき、それぞれの端子４同士が電気的に接続しているものがあってもよいし、それぞれの端子４同士が電気的に接続していなくてもよい。
　拡径部４３は、端子の軸を含む断面視をした場合、段状であってもよい。拡径部４３が段状であるとき、段は、第１凹部２１の開口以下、もしくは開口よりも下面方向に位置している。言い換えると、拡径部４３は、開口から上部方向に拡径部４３が出っ張らない。拡径部４３が段状であることによって、外部基板８と第１凹部２１の拡径部４３とを、ろう材等を用いて接続しやすくなる。その結果、端子４と基体２との接続が一層安定する。
　図１に示す本開示の一実施形態は、第１凹部２１には端子４が複数位置している。また、基体２の上面には、第１凹部２１が複数位置していてもよく、複数の第１凹部２１のそれぞれに複数の端子４が位置していてもよい。
　接続導体５は、第１凹部２１に位置し、第１端４１に繋がる。図１に示す本開示の一実施形態では、接続導体５は、複数の端子４の数だけ第１凹部２１内に位置しており、複数の端子４のそれぞれと一対一対応して電気的に接続している。なお、端子４および接続導体５が位置していない領域には、絶縁層が位置していてもよい。接続導体５は、例えば基体２と端子４とをろう材等の接合材で接続するために用いてもよい。接続導体５は、上面視をした場合、拡径部４３の外周を囲んで位置していてもよい。接続導体５が拡径部４３の外周を囲んで位置していることによって、端子４を接続導体５に接合しやすくなるとともに、端子４と外部基板８とをろう材によって接合する際、第１凹部２１内に流れ込んだろう材を受け止めることができるので、端子４同士の短絡の発生を低減することができる。
　接続導体５の形状は、上面視をした場合、例えば矩形状あるいは円形状であってもよい。接続導体５が上面視をしたときに矩形状である場合、大きさは０．２ｍｍ×０．２ｍｍ～２ｍｍ×２ｍｍであってもよい。接続導体５が上面視をしたときに円形状である場合、半径の大きさは０．１ｍｍ～１ｍｍであってもよい。接続導体５は、例えば、金、銀、銅、ニッケル、タングステン、モリブデンまたはマンガンなどの金属材料からなり、最上層の絶縁層の表面にメタライズ層あるいはめっき層等の形態で同時焼成されたり、金属めっきされたりするものでもよい。
　図２に示す本開示の一実施形態は、第１凹部２１に端子４が１つ位置している。また、第１凹部２１は複数あってもよく、第１凹部２１のそれぞれに端子４が１つ位置していてもよい。第１凹部２１に端子４が１つ位置していることによって、図１の実施形態に比べて、外部基板８がたわみにくくなる。その結果、第１凹部２１内に外部基板８がたわむことによる、第１凹部２１の開口と基体２の上面との境界での外部基板８の浮きを低減できる。
　また、図２に示す本開示の一実施形態では、接続導体５の形状が、第１凹部２１の形状と対応していてもよい。接続導体５の形状が、第１凹部２１の形状と対応していることで、基体２と端子４との接続領域を広くすることができ、その結果、端子４と接続導体５との接合強度を上げることができる。
　第１信号導体３は、基体２の上面に位置するとともに第１方向に延びている。第１信号導体３は、上面視をした場合、第１凹部２１と離れている。第１信号導体３の形状は、上面視をした場合、例えば矩形状であってもよい。第１信号導体３の上面視での形状が矩形状である場合、幅が０．０５ｍｍ～１ｍｍ、長さが０．５ｍｍ～５ｍｍであってもよい。第１信号導体３は、例えば金、銀、銅、ニッケル、タングステン、モリブデンまたはマンガンなどの金属材料を含んでいてもよい。第１信号導体３は、基体２の上面にメタライズ層あるいはめっき層等の形態で同時焼成されたり、金属めっきされたりするものでもよい。また、第１信号導体３は、基体２の上面に対して、略垂直方向に延びて位置していてもよい。第１信号導体３は、例えば１０～６０ＧＨｚ帯に属する高周波信号を伝送するために用いることができる。
　第１信号導体３は、一対の第１信号導体３であって、互いに並行に位置していてもよい。一対の第１信号導体３が平行に位置していることで、高周波信号を伝送する際の伝送損失を低減することができる。
　第１方向に延び、第１信号導体３の少なくとも一部を挟む一対の第１接地導体６をさらに備えていてもよい。第１接地導体６を備えることで、第１信号導体３が一対の第１信号導体３である場合、第１信号導体３と第１接地導体６の配置がコプレーナ構造となる。第１信号導体３と第１接地導体６の配置がコプレーナ構造となることで、高周波の信号を円滑に伝送することができる。第１接地導体６は、例えば、金、銀、銅、ニッケル、タングステン、モリブデンまたはマンガンなどの金属材料からなり、最上層の絶縁層の表面にメタライズ層あるいはめっき層等の形態で同時焼成されたり、金属めっきされたりするものでもよい。
　また、上面視で第１信号導体３よりも上面の中心の近くに位置する第２接地導体６１を有していてもよい。第２接地導体６１は、一対の第１接地導体６と繋がる。第２接地導体６１によって、配線基体１はグランドとして機能する領域が広くなる。その結果、高周波信号の伝送が一層安定する。第２接地導体６１は、例えば金、銀、銅、ニッケル、タングステン、モリブデンまたはマンガンなどの金属材料からなり、最上層の絶縁層の表面にメタライズ層あるいはめっき層等の形態で同時焼成されたり、金属めっきされたりするものでもよい。
　また、第１接地導体６は、上面視で基体２の外周、かつ、第１信号導体３の先に位置させなくてもよい。第１接地導体６を、基体２の外周、かつ、第１信号導体３の先に位置させないことにより、外部基板８と配線基体１とを接続する際に、第２信号導体８２と第１接地導体６とが接することによる短絡の発生を低減することができる。なお、第１信号導体３の先、かつ、基体２の外周とは、図面の図１～図４のＡの領域を指す。
　第１接地導体６は、ビア２２で、基体２の内部に位置する接地導体と電気的に接続していてもよい。第１接地導体６がビア２２を介して基体２の内部に位置する接地導体と接続されることで、グランドとして機能する領域を広くすることができる。
　第２接地導体６１は、ビア２２で、基体２の内部に位置する接地導体と電気的に接続していてもよい。第２接地導体６１がビア２２を介して基体２の内部に位置する接地導体と接続されることで、グランドとして機能する領域を広くすることができる。
　基体２は、基体の外周、かつ、第１接地導体の先に位置する第２凹部７をさらに有していてもよい。第２凹部７は、上面から側面にかけて形成されており、上面および側面に連続して開口していてもよい。また、基体２は、第２凹部７を複数有していてもよい。第２凹部７は、上面から側面にかけて切削等で基体２を切欠いて形成されてもよい。また、第２凹部７は、基体２が誘電体材料の積層で形成される場合、第２凹部７が位置する場所について、複数の誘電体を一部切り取り、重ね合わせることで第２凹部７を形成してもよい。第２凹部７は上面視をした場合、例えば円形状、矩形状あるいは楕円形状であってもよい。第２凹部７が上面視で円形状である場合、半径の大きさは０．１ｍｍ～１ｍｍであってもよい。第２凹部７が上面視で矩形状である場合、大きさが０．２ｍｍ×０．２ｍｍ～２ｍｍ×１０ｍｍであってもよい。第２凹部７が上面視で円形あるいは楕円形である場合、角部に加わる応力を緩和できるため、その結果、配線基体１はクラックが少ないものとなる。
　第２凹部７の内面には、第３接地導体７１が位置していてもよい。第３接地導体７１は、例えば基体２の内部に位置する接地導体と電気的に接続していてもよい。第３接地導体７１が基体２の内部に位置する接地導体と電気的に接続していることで、グランドとして機能する領域を広くすることができる。その結果、第１信号導体３で伝送される高周波信号のグランド強化につながり、高周波特性を向上させることができる。第３接地導体７１は、例えば、金、銀、銅、ニッケル、タングステン、モリブデンまたはマンガンなどの金属材料からなり、最上層の絶縁層の表面にメタライズ層あるいはめっき層等の形態で同時焼成されたり、金属めっきされたりするものでもよい。
　また、第３接地導体７１は、第１接地導体６と繋がるとともに、電気的に接続していてもよい。これによって、グランドとして機能する領域をさらに広くすることができる。
　　＜配線基体１の製造方法＞
　以下に、配線基体１の製造方法の一例について説明する。まず、配線基体１を構成する基体２の製造方法の一例について説明する。基体２が、例えば複数の絶縁層が酸化アルミニウム質焼結体を含む場合であれば、次のようにして作製する。まず、スラリーを、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合することで作製する。次に、作製したスラリーにドクターブレード法等の成形法を施し、シート状に成形して複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。このとき、セラミックグリーンシートの所定の位置に第１凹部２１、および、第２凹部７となる切欠きを設けてもよい。その後、複数枚のセラミックグリーンシートを積層し、圧着する。最後に、この積層されたセラミックグリーンシートを還元雰囲気中で約１６００℃の温度で焼成するとともに、切断加工あるいは打ち抜き加工により適当な形状とし、所望の形状の基体２を作製する。
　次に、基体２に第１信号導体３、接続導体５、第１接地導体６、第２接地導体６１および第３接地導体７１を形成する過程を説明する。第１信号導体３、接続導体５、第１接地導体６、第２接地導体６１および第３接地導体７１が、例えば、タングステン、モリブデンあるいはマンガン等の高融点の金属を含むメタライズ層で形成される場合、次のようにして形成する。まず、金属ペーストを、高融点の金属の粉末を有機溶剤およびバインダとともによく混ざるように練って作製する。金属ペーストを、セラミックグリーンシートの所定部位にスクリーン印刷等の方法で印刷する。その後、金属ペーストが印刷されたセラミックグリーンシートを積層して圧着し、焼成する。以上の工程によって、基体２にメタライズ層が第１信号導体３、接続導体５、第１接地導体６、第２接地導体６１および第３接地導体７１として被着される。また、第１信号導体３、接続導体５、第１接地導体６、第２接地導体６１および第３接地導体７１は、表面にニッケルめっきあるいは金めっきを設けてもよい。表面にニッケルめっき、あるいは、金めっきを設けることにより、金属層の表面における、ろう材等の接合材の濡れ性を向上することができる。その結果、金属層と接続される外部基板８の接合性を向上することができるとともに、耐腐食性あるいは耐候性を向上することができる。
　基体２にビア２２を形成する場合は、例えば複数のセラミックグリーンシートの所定の位置に貫通孔を設け、貫通孔内に金属ペーストを充填する。そして、セラミックグリーンシートを積層するとともに圧着し、焼成することによって設ける。貫通孔は、例えば金属ピンを用いた機械的な打ち抜き加工、またはレーザ光を用いた加工等の孔あけ加工によって設けてもよい。金属ペーストを貫通孔に充填する際は、真空吸引等の手段を併用して金属ペーストの充填を容易なものとしてもよい。
　上述の工程を経ることによって、配線基体１を作製することができる。
　　＜電子部品収納用パッケージ１０の構成＞
　本開示の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージ１０は、配線基体１と、枠部１１と、を備えている。
　枠部１１は、基体２の下面に位置していてもよい。枠部１１は、基体２の下面のうち電子部品１０１の実装領域を囲っていてもよい。枠部１１の形状は、下面視をした場合、例えば円形状、矩形状あるいは楕円形状であってもよい。また、枠部１１は、配線基体１の上面視における形状と一致していてもよい。枠部１１の下面視での形状が円形状である場合、半径の大きさは１ｍｍ×１ｍｍ～１０ｍｍ×１０ｍｍであってもよい。枠部１１の下面視での形状が矩形状である場合、大きさは１ｍｍ×１ｍｍ～１０ｍｍ×１０ｍｍであってもよい。また、枠部１１の高さは０．５ｍｍ～５ｍｍであってもよい。枠部１１は、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデンまたはタングステンのような金属を用いることができる。また、枠部１１は、上述の金属の合金、例えば、銅－タングステン合金、銅－モリブデン合金、鉄－ニッケル－コバルト合金などを用いることができる。
　　＜電子装置１００の構成＞
　本開示の一実施形態に係る電子装置１００は、電子部品収納用パッケージ１０と、電子部品１０１と、外部基板８と、を備えている。
　電子部品１０１は、基体２の下面の実装領域に実装される。電子部品１０１は、例えば、ＬＤあるいはＰＤ等であってもよい。電子部品１０１は、基体２の下面に位置する第１パッド２３および第２パッド２４とワイヤボンディング等で接続してもよい。
　第１パッド２３は、端子４と電気的に接続していてもよい。第２パッド２４は、第１信号導体３と電気的に接続していてもよい。第１パッド２３は、下面視をした場合、例えば円形状であってもよい。第１パッド２３が下面視で円形状である場合、半径の大きさは０．１ｍｍ～０．５ｍｍであってもよい。
　端子４が複数あり、かつ、それぞれの端子４同士が電気的に接続していない場合、第１パッド２３の数は端子４の数に対応していてもよい。第２パッド２４は、上面視をした場合、例えば矩形状であってもよい。第２パッド２４が下面視で矩形状である場合、その大きさは０．１×０．１ｍｍ～１×１ｍｍであってもよい。第２パッド２４の数は第１信号導体３の数に対応していてもよい。第１パッド２３および第２パッド２４は、例えば金、銀、銅、ニッケル、タングステン、モリブデンまたはマンガンなどの金属材料を含んでいてもよい。第１パッド２３および第２パッド２４は、絶縁層の表面にメタライズ層あるいはめっき層等の形態で同時焼成されたり、金属めっきされたりするものでもよい。
　図９に示すように、外部基板８は、端子４と一対一で対応している貫通孔８１を有し、配線基体１と接続する際に、外部基板８が有する貫通孔８１に端子４が挿入される。
　外部基板８は上面および下面を有していてもよい。貫通孔８１は、外部基板８の上面から下面を貫通していてもよい。貫通孔８１の面積は、拡径部４３よりも小さく、第２端４２の断面積の大きさよりわずかに大きくてもよい。貫通孔８１の面積が、拡径部４３よりも小さく、第２端４２の断面積の大きさより大きくことによって、端子４を挿入した際に、配線基体１と外部基板８との位置合わせが容易となり、外部基板８の位置ずれを低減することができる。その結果、配線基体１に配置される電子部品１０１と電子部品１０１と接続される外部基板８との高周波信号伝送を、安定して制御することができる。また、拡径部４３に塗布したろう材と外部基板８とを接合することができるので、接合強度を高めることができる。
　図１０に示すように、外部基板８の下面には、第２信号導体８２が位置していてもよい。第２信号導体８２は、配線基体１と接続した際に第１信号導体３と接する位置にあってもよい。これによって、第２信号導体８２と第１信号導体３とが電気的に接続することが容易となり、効率よく信号を伝送することができる。
　外部基板８は、例えばＦＰＣであってもよい。外部基板８がＦＰＣである場合、ポリイミド等を含む絶縁性を持った、薄く柔らかいベースフィルムの上下面に銅箔等の導電性金属を貼り合わせる。そして、導電性金属を所定の形状にエッチング加工することにより、所望の形状の第２信号導体８２が設けられた外部基板８を作製できる。
　外部基板８と配線基体１との接続は、外部基板８の貫通孔８１に端子４を挿入し、ろう材等の接合材を介して、端子４の拡径部４３と外部基板８の下面とを接続し、配線基体１の上面と外部基板８の下面とを密着させて接続する。このとき、配線基体１の上面と外部基板８の下面とがろう材等を介して接続されている。
　外部基板８と配線基体１との接続は、外部基板８の下面と拡径部４３だけでなく、外部基板８の上面と端子４とがろう材等を介し接合されていてもよい。これによって、配線基体１と外部基板８との接合強度が上げることができる。
　外部基板８が第２信号導体８２を備えている場合、第２信号導体８２と、配線基体１と、をろう材等を介して電気的に接続してもよい。
　蓋体は、枠部１１と接合されてもよい。蓋体は、下面視をした場合、例えば円形状、矩形状あるいは楕円形状であってもよい。また、蓋体は、下面視をした場合、基体２の形状と一致していてもよい。蓋体は、例えば鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデンまたはタングステンを含む金属を用いてもよい。あるいは蓋体は、上述の金属の合金、例えば銅－タングステン合金、銅－モリブデン合金、鉄－ニッケル－コバルト合金等を用いてもよい。蓋体は、金属材料のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって作製できる。
　以上、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更等が可能である。さらに、特許請求の範囲に属する変更等は全て本開示の範囲内のものである。
１：配線基体
１０：電子部品収納用パッケージ
１１：枠部
１００：電子装置
１０１：電子部品
２：基体
２１：第１凹部
２２：ビア
２３：第１パッド
２４：第２パッド
３：第１信号導体
４：端子
４１：第１端
４２：第２端
４３：拡径部
５：接続導体
６：第１接地導体
６１：第２接地導体
７：第２凹部
７１：第３接地導体
８：外部基板
８１：貫通孔
８２：第２信号導体

Claims (13)

  1. 上面に開口する第１凹部を有する基体と、前記上面で第１方向に延びる第１信号導体と、第１端から第２端に向かって延びる少なくとも１つの端子と、
    前記第１凹部に位置し、前記第１端に繋がる接続導体と、を備え、
    前記端子は、
    前記第１端が前記第１凹部内、前記第２端が前記第１凹部外に位置しているとともに、前記第１凹部内に拡径部を有する、配線基体。
  2. 前記拡径部は、
    前記端子の軸を含む断面視をした場合、段状である、請求項１に記載の配線基体。
  3. 前記拡径部は、
    前記第１端から前記開口に向かって延びている、請求項１または請求項２に記載の配線基体。
  4. 前記拡径部の径の面積Ｓ１は、前記第１端の径の面積Ｓ２よりも大きい、請求項１または請求項２に記載の配線基体。
  5. 前記第１凹部に、複数の前記端子が位置する、請求項１～請求項４のいずれか１つに記載の配線基体。
  6. 前記第１凹部を複数有し、複数の前記第１凹部のそれぞれに、前記端子が１つ位置する、請求項１～請求項４のいずれか１つに記載の配線基体。
  7. 前記接続導体は、
    上面視をした場合、前記拡径部の外周を囲んで位置する、請求項１～請求項６のいずれか１つに記載の配線基体。
  8. 前記第１方向に延び、前記第１信号導体を挟む一対の第１接地導体を有する、請求項１～請求項７のいずれか１つに記載の配線基体。
  9. 前記第１信号導体よりも前記上面の中心の近くに第２接地導体を有し、
    前記第２接地導体は、前記一対の第１接地導体に繋がっている、請求項８に記載の配線基体。
  10. 前記基体は、
    前記基体の外周、かつ、前記第１接地導体の先に位置する第２凹部を有する、請求項８または請求項９に記載の配線基体。
  11. 前記第２凹部に位置する第３接地導体を有し、
    前記第３接地導体は、
    前記第１接地導体に繋がっている、請求項１０に記載の配線基体。
  12. 請求項１～請求項１１のいずれか１つに記載の配線基体と、
    前記上面の反対の下面に位置する枠部と、を備える電子部品収納用パッケージ。
  13. 請求項１２に記載の電子部品収納用パッケージと、
    前記下面に実装された電子部品と、
    前記端子と対応する貫通孔を有する外部基板と、を備え、
    前記端子は、
    前記貫通孔に挿入されて位置する、電子装置。
PCT/JP2019/050927 2018-12-26 2019-12-25 配線基体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 WO2020138209A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201980055421.5A CN112585743B (zh) 2018-12-26 2019-12-25 布线基体、电子部件收纳用封装以及电子装置
KR1020217003182A KR102463392B1 (ko) 2018-12-26 2019-12-25 배선 기체, 전자부품 수납용 패키지 및 전자장치
JP2020563366A JP7027578B2 (ja) 2018-12-26 2019-12-25 配線基体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-242948 2018-12-26
JP2018242948 2018-12-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020138209A1 true WO2020138209A1 (ja) 2020-07-02

Family

ID=71127239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/050927 WO2020138209A1 (ja) 2018-12-26 2019-12-25 配線基体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7027578B2 (ja)
KR (1) KR102463392B1 (ja)
CN (1) CN112585743B (ja)
WO (1) WO2020138209A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022270429A1 (ja) * 2021-06-21 2022-12-29 京セラ株式会社 配線基板、電子部品収納用パッケージ及び電子装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218445A (ja) * 2002-01-25 2003-07-31 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2007053252A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 光半導体素子用パッケージ及びその製造方法
JP2007294601A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Kyocera Corp 配線基板
WO2012073963A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 京セラ株式会社 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
WO2014083992A1 (ja) * 2012-11-29 2014-06-05 京セラ株式会社 電子部品収納用容器および電子装置
JP2014138190A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Schott Ag トランジスタアウトラインハウジング及びその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4823155B2 (ja) * 2006-10-27 2011-11-24 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージならびに電子装置および光半導体装置
JP2012227482A (ja) * 2011-04-22 2012-11-15 Kyocera Corp 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2012256692A (ja) * 2011-06-08 2012-12-27 Mitsubishi Electric Corp 光モジュール
KR101542443B1 (ko) * 2013-06-19 2015-08-06 주식회사 포벨 고속 통신용 to형 광소자 패키지
JP2016189431A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 京セラ株式会社 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
US10136517B2 (en) * 2015-11-27 2018-11-20 Kyocera Corporation Electronic component mounting package and electronic device
US11102880B2 (en) * 2016-03-30 2021-08-24 Kyocera Corporation High-frequency board, high-frequency package, and high-frequency module

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218445A (ja) * 2002-01-25 2003-07-31 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2007053252A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 光半導体素子用パッケージ及びその製造方法
JP2007294601A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Kyocera Corp 配線基板
WO2012073963A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 京セラ株式会社 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
WO2014083992A1 (ja) * 2012-11-29 2014-06-05 京セラ株式会社 電子部品収納用容器および電子装置
JP2014138190A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Schott Ag トランジスタアウトラインハウジング及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022270429A1 (ja) * 2021-06-21 2022-12-29 京セラ株式会社 配線基板、電子部品収納用パッケージ及び電子装置
JP7660676B2 (ja) 2021-06-21 2025-04-11 京セラ株式会社 配線基板、電子部品収納用パッケージ及び電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7027578B2 (ja) 2022-03-01
KR20210027447A (ko) 2021-03-10
CN112585743B (zh) 2023-10-13
JPWO2020138209A1 (ja) 2021-09-09
CN112585743A (zh) 2021-03-30
KR102463392B1 (ko) 2022-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6923431B2 (ja) 高周波基体、高周波パッケージおよび高周波モジュール
CN109863591B (zh) 高频基体、高频封装件以及高频模块
JP6971921B2 (ja) 差動伝送線路、配線基板および半導体用パッケージ
JP7145311B2 (ja) 配線基板、電子部品用パッケージおよび電子装置
JP7021041B2 (ja) 配線基板、電子部品パッケージおよび電子装置
WO2020138209A1 (ja) 配線基体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置
WO2017170389A1 (ja) 高周波基板、高周波パッケージおよび高周波モジュール
JP7432703B2 (ja) 配線基体および電子装置
JP5709427B2 (ja) 素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体装置
JP2017098070A (ja) 電子装置
JP7230251B2 (ja) 配線基板、電子部品パッケージおよび電子装置
US11889618B2 (en) Wiring board, electronic component package, and electronic apparatus
WO2021149491A1 (ja) 配線基体および電子装置
JP7254011B2 (ja) 配線基体、半導体素子収納用パッケージ、および半導体装置
JP2019175939A (ja) 半導体素子用パッケージおよび半導体装置
JP3840160B2 (ja) 高周波素子収納用パッケージ
JP6965060B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP4000093B2 (ja) 入出力端子、入出力端子の製造方法、入出力端子を用いた半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2004088504A (ja) 高周波素子収納用パッケージ
JP2021120985A (ja) 配線基体および電子装置
JP2004055570A (ja) 高周波用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19901635

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020563366

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20217003182

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19901635

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1