[go: up one dir, main page]

WO2015152158A1 - 積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法 - Google Patents

積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015152158A1
WO2015152158A1 PCT/JP2015/059941 JP2015059941W WO2015152158A1 WO 2015152158 A1 WO2015152158 A1 WO 2015152158A1 JP 2015059941 W JP2015059941 W JP 2015059941W WO 2015152158 A1 WO2015152158 A1 WO 2015152158A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
peeling
layer
adhesive
adhesive layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/059941
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
健一 和泉
啓介 下川
慎 赤阪
洋之 阿部
晋平 入江
高寿 齊藤
Original Assignee
株式会社Ｊｏｌｅｄ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｊｏｌｅｄ filed Critical 株式会社Ｊｏｌｅｄ
Priority to JP2016511884A priority Critical patent/JPWO2015152158A1/ja
Publication of WO2015152158A1 publication Critical patent/WO2015152158A1/ja
Priority to US15/272,741 priority patent/US10008670B2/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H10D86/0214—Manufacture or treatment of multiple TFTs using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/411—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present technology relates to, for example, a laminate in which a rigid substrate and a flexible substrate are bonded together, a method for peeling the laminate, and a method for manufacturing a flexible device using the laminate.
  • a flexible display device such as a flexible display is manufactured as follows. First, for example, a flexible substrate (flexible substrate) is fixed to a rigid substrate (support substrate) such as a pair of glass, and a TFT (ThinThFilmorTransistor) layer or display on each flexible substrate. A functional layer such as a layer or a color filter is formed. Subsequently, after these functional layers are bonded to face each other, the support substrate is peeled off from the flexible substrate to complete a flexible display (see, for example, Patent Document 1).
  • a flexible substrate flexible substrate
  • support substrate such as a pair of glass
  • TFT ThinThFilmorTransistor
  • a peeling method between the flexible substrate and the support substrate for example, a method in which a metal layer is provided on the support substrate and the metal layer is irradiated with a laser to peel off (see, for example, Patent Document 2), or a flexible substrate is used.
  • a method is disclosed in which peeling is facilitated by applying an adhesive only to a part (for example, the outer peripheral portion).
  • Patent Document 2 when a laser is used as in Patent Document 2, there are problems that the cost is increased due to the use of the laser and that the functional layer is deteriorated by heat generated by laser irradiation. Further, when only a part of the flexible substrate is fixed, since the fixing is not sufficient, misalignment or the like is likely to occur, and it is difficult to form a high-definition functional layer.
  • a first adhesive layer whose adhesive strength satisfies at least one of the following formulas (1), (2), and (3) is formed on a first substrate. And affixing the second substrate on the first adhesive layer, forming the first functional layer on the second substrate, and peeling the first substrate from the second substrate.
  • a method for manufacturing a flexible device according to an embodiment of the present technology uses a flexible substrate as the second substrate in the laminate peeling method of the present technology.
  • a laminated body includes a first substrate having rigidity, a second substrate having flexibility, a first substrate, a second substrate, and an adhesive force satisfying the following formula (1): And an adhesive layer provided between the two.
  • the adhesive force between the first substrate and the second substrate is expressed by the above formula (1) and formula ( By forming an adhesive layer that satisfies at least one of 2) and (3), the first substrate and the second substrate can be mechanically separated.
  • the above formulas (1) and (2) are provided between the first substrate and the second substrate.
  • the pressure-sensitive adhesive layer satisfying at least one of them is formed, so that the first substrate and the second substrate are mechanically separated. That is, it is possible to peel the first substrate and the second substrate easily and inexpensively without deteriorating the functional layer at the time of peeling.
  • the effects described here are not necessarily limited, and may be any effects described in the present disclosure.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a pixel drive circuit illustrated in FIG. 5.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the display device illustrated in FIG. 4. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 7A. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 7B.
  • FIG. 7C It is sectional drawing showing the process of following FIG. 8A. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 8B.
  • 11 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a display device according to Modification 1.
  • FIG. 9A It is sectional drawing showing the process of following FIG. 9A.
  • FIG. 9B. 11 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a display device according to Modification 2.
  • FIG. 10A FIG. 10B is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 10B.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a display device according to Modification 3.
  • FIG. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 11A.
  • FIG. 11B is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 11B.
  • FIG. 11D is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 11C.
  • 14 is a perspective view illustrating an appearance of Application Example 1 viewed from the front side.
  • FIG. 10 is a perspective view illustrating an appearance of Application Example 1 viewed from the back side.
  • FIG. 12 is a perspective view illustrating an appearance of application example 2.
  • FIG. 11B is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 11B.
  • FIG. 11D is a cross-sectional diagram illustrating a process following
  • Embodiment Example in which an adhesive layer satisfying the formulas (1), (2), and (3) is provided between the support substrate and the flexible device
  • Modification Example Modification 1 Example in which a release layer is provided between the adhesive layer and the flexible device
  • Modification 2 Example in which a release layer is provided between the support substrate and the adhesive layer
  • Modification 3 Example in which a flexible substrate is cut and divided in advance
  • FIG. 1 shows a cross-sectional configuration of a laminated layer (laminated body 1) for explaining a laminated body and a peeling method thereof according to an embodiment of the present technology.
  • the laminate 1 has a flexible device (flexible device 10) between a support substrate 11 and a support substrate 21.
  • the flexible device 10 is a device in which a functional layer 14 is provided between flexible substrates (flexible substrates 13 and 23).
  • This laminated body 1 is formed in the manufacturing process of flexible devices 10, such as a flexible display, for example.
  • the flexible substrates 13 and 23 are respectively fixed (fixed) to the support substrates 11 and 21 via the adhesive layers 12 and 22, respectively.
  • at least the adhesive layers 12 and 22 are included.
  • the support substrate 11 and the support substrate 21 support the flexible substrate 13 and the flexible substrate 23, respectively, to facilitate transportation in the manufacturing process and formation of a functional layer 14 to be described later.
  • the support substrate 11 is preferably made of a rigid material such as glass, quartz, or silicon.
  • the support substrate 11 is preferably a substrate that is thicker than the flexible substrate 12, and may be 0.4 mm to 2 mm, for example, in terms of mechanical strength and handleability. Further, the linear expansion coefficient of the support substrate 11 is preferably 10 ppm / K or less from the relationship with the substrate 13.
  • the adhesive layer 12 and the adhesive layer 22 fix the flexible substrate 13 and the flexible substrate 23 to the support substrate 11 and the support substrate 21, respectively.
  • the adhesive layers 12 and 22 are formed, for example, by applying by a printing method such as spin coating, die coating, or gravure.
  • general-purpose adhesives and adhesive tapes can be used as a material for the adhesive layers 12 and 22, specific examples include acrylic adhesives (adhesives), epoxy adhesives, siloxane adhesives, urethane adhesives, silane coupling agents, natural rubber adhesives, or synthetic rubber adhesives. .
  • one adhesive layer for example, adhesive layer 12
  • the other adhesive layer may use an adhesive tape.
  • an adhesive tape for example, after attaching the adhesive tape to the support substrate 21 to form the adhesive layer 22, the flexible substrate 23 is fixed by a laminator.
  • the flexible substrate 13 and the flexible substrate 23 sandwich the functional layer 14.
  • the material of the flexible substrates 13 and 23 preferably has a thermal shrinkage rate of 0.1% or less in order to suppress substrate warpage due to a difference in thermal shrinkage from the support substrates 11 and 21.
  • the dimensional change and deformation of the flexible substrates 13 and 23 can be suppressed by setting the linear expansion coefficient to about 0 to 15 ppm / K from the relationship with the support substrates 11 and 21.
  • Such materials include polyethylene terephthalate having a thickness of 5 to 200 ⁇ m, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polyetherimide, polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyarylate, polyimide, polyamide, Plastic materials such as polycarbonate, cellulose triacetate, polyolefin, polystyrene, polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, aramid, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, epoxy resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, silicone resin or acrylic resin It is done. It is also possible to use thin glass or thin ceramics as thin as possible to show flexibility.
  • the functional layer 14 includes, for example, an electronic circuit layer (TFT layer 141) on which TFTs and various wirings are formed, a display layer (display layer 142), a sealing layer (protective film 142E), a color filter (color filter layer 142G), and the like.
  • TFT layer 141 electronic circuit layer
  • display layer 142 display layer
  • sealing layer protecting film 142E
  • color filter layer 142G color filter layer
  • a layer having a function for the device is formed (see FIG. 4).
  • the functional layer 14 is represented as a single layer and is collectively provided on the substrate 11 side.
  • the present invention is not limited to this, and the functional layer 14 may have a multilayer structure, for example. In that case, the functional layers 14A and 14B may be separately provided on the flexible substrates 13 and 23, respectively (see, for example, FIG. 7C).
  • the adhesive force here is specifically the adhesion force (surface adhesion force) between the support substrate 11 (or the support substrate 21) and the flexible substrate 13 (or the flexible substrate 23).
  • Formula (1) represents the conditions under which damage does not occur on the substrate (support substrate 11 (or support substrate 21)) that is peeled off at the time of peeling.
  • Expressions (2) and (3) represent conditions under which the substrate (support substrate 11 (or support substrate 21)) to be peeled cannot be held by suction due to insufficient suction force during peeling.
  • a substrate to be peeled such as the support substrate 11 is a peeling substrate A
  • a substrate to be peeled including the flexible substrate 13 and the functional layer 14 is a substrate to be peeled C.
  • An adhesive layer that adheres the release substrate A and the substrate to be peeled C is referred to as an adhesive layer B.
  • the adhesive force of the adhesive layer B satisfies any of these formulas (1) and / or formulas (2) and (3)
  • the release substrate A is easily peeled from the substrate to be peeled B. That is, it becomes possible to peel the support substrate 11 (or the support substrate 21) from the flexible device 10 without damaging the flexible device 10 in the peeling process of the support substrate 11 (or the support substrate 21) described later.
  • Each parameter in Formula (1) and Formula (2), (3) is shown in FIG. 2 and FIG.
  • Equation (1) is derived as follows.
  • Equation (4) is the critical bending stress of the release substrate A
  • ⁇ bend is the tensile stress applied to the release substrate A when the release substrate A is bent
  • ⁇ bond is the adhesive layer B of the release substrate C. This is the tensile stress applied.
  • ⁇ bend can be calculated from the second moment of the release substrate A, and can be expressed by Equation (5).
  • L in Formula (5) is the length of the peeling substrate A in the peeling direction
  • h is the thickness of the peeling substrate A
  • x is the amount of change of the peeling substrate A
  • E is the Young's modulus of the peeling substrate A.
  • ⁇ bend is expressed by Equation (6) by the decomposition of mechanical force.
  • a in Formula (6) is a surface adhesion force between the peeling substrate A and the substrate to be peeled C
  • ⁇ is a bending angle.
  • Equations (2) and (3) are derived as follows.
  • the peeling substrate A has the force shown in FIG. 3 (the peeling substrate A at the peeling starting portion at the time of peeling-the adhesive force (B ') of the substrate C to be peeled, the substrate adsorption to the peeling substrate A at the time of peeling. (Holding) force (C) and the weight ( ⁇ hg) of the release substrate A are applied. From these relationships, the above formula (2) is obtained as a condition for normal peeling at the start of peeling.
  • the substrate adsorption (holding) force that is, the peeling force C in the vertical direction (Z-axis direction) at the time of peeling becomes a small value in the case of holding in a vacuum, and between the peeling substrate A and the peeling substrate C.
  • the length l of the peeling start portion represents a relationship as shown in FIG. In FIG. 3, at least a length of 1 from the substrate end in the drawing must satisfy the formula (2).
  • r is a radius of curvature
  • d is an allowable substrate protrusion and a warp amount
  • z is a distance extending from the end of the release substrate A toward the center of the curvature circle and intersecting with the release substrate A in a warped state.
  • the length 1 required at the start of peeling can be defined by the radius of curvature r, the allowable substrate protrusion, and the warpage amount d.
  • the radius of curvature is determined by the specifications of the apparatus for peeling the release substrate A and the physical properties of the release substrate A.
  • the allowable substrate protrusion and the warpage amount d are also defined by the specifications of the equipment and the physical properties of the release substrate A. That is, the conditions under which the peeling substrate A is normally peeled with a sufficient adsorbing force are defined by the adhesive strength B ′ between the peeling substrate A and the substrate C to be peeled at the peeling start portion and the length l of the peeling start portion. Is done.
  • FIG. 4 illustrates a cross-sectional configuration of a display device (display device 10A) as an example of the flexible device 10 in FIG.
  • the display device 10A is, for example, a flexible ultra-thin organic light emitting color display, and a functional layer 140 (for example, a TFT layer 141 and a display layer 142 between a flexible driving substrate 131 and a counter substrate 231). 8) is provided.
  • the drive substrate 131 is fixed on the support substrate 11, and on the drive substrate 131, the lower electrode 142A, the organic layer 142B, the upper electrode 142C, and the protective layer that constitute the TFT layer 141 and the display layer 142 are provided.
  • a display body made of the film 142D or the like is provided (functional layer 140A).
  • the counter substrate 231 is fixed on the support substrate 21, and a color filter 142G and a sealing film 142E constituting the display layer 142 are provided on the counter substrate 231 (functional layer 140B).
  • the functional layer 140A and the functional layer 140B are opposed to each other, and the color filter layer 142G and the protective film 142D are bonded to each other through the sealing film 142E. Is manufactured.
  • FIG. 4 schematically shows the structure of the display device 10A and may differ from the actual size and shape.
  • FIG. 5 illustrates the overall configuration of the display device 10A.
  • the display device 10A has a display area 310 at the center on the drive substrate 131.
  • a signal line drive circuit 320 and a scanning line drive circuit 330 are provided. Is provided.
  • a plurality of pixels 40R, 40G, and 40B that are two-dimensionally arranged in a matrix and a pixel driving circuit 340 for driving them are formed.
  • a plurality of signal lines 320A are arranged in the column direction, and a plurality of scanning lines 330A are arranged in the row direction.
  • Pixels 40R, 40G, and 40B are provided corresponding to each intersection of each signal line 320A and each scanning line 330A.
  • the pixels 40R, 40G, and 40B are pixels that emit red, green, and blue, respectively.
  • Each signal line 320A is connected to the signal line driving circuit 320
  • each scanning line 330A is connected to the scanning line driving circuit 330.
  • the signal line driving circuit 320 supplies a signal voltage of a video signal corresponding to luminance information supplied from a signal supply source (not shown) to the selected pixels 40R, 40G, and 40B via the signal line 320A. It is. A signal voltage from the signal line driver circuit 320 is applied to the signal line 320A.
  • the scanning line driving circuit 330 includes a shift register or the like that sequentially shifts (transfers) the start pulse in synchronization with the input clock pulse.
  • the scanning line driving circuit 330 scans them in units of rows when writing video signals to the pixels 40R, 40G, and 40B, and sequentially supplies the scanning signals to the respective scanning lines 330A.
  • a scanning signal from the scanning line driving circuit 330 is supplied to the scanning line 330A.
  • the pixel drive circuit 340 is provided in the TFT layer 141. As shown in FIG. 6, the pixel driving circuit 340 is an active driving circuit having a driving transistor Tr1 and a writing transistor Tr2, a storage capacitor 30C therebetween, and an organic light emitting element EL.
  • Each layer of the display device 10A has the following configuration, for example.
  • the driving substrate 131 and the counter substrate 231 are the flexible substrate 13 and the flexible substrate 23, and have the same configuration.
  • the TFT layer 141 is provided with, for example, a TFT composed of a gate electrode 141A, a gate insulating film 141B, a semiconductor layer 141C as a channel layer, and source / drain electrodes 141D (141D1, 141D2). . These are formed through a film forming and etching process by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like.
  • the source / drain electrodes 141D (141D1, 141D2) are covered with a planarization layer 141E made of an insulating resin material such as polyimide.
  • the TFT may be either an inorganic TFT using an inorganic semiconductor layer or an organic TFT using an organic semiconductor layer.
  • the TFT has a function as a switching element for selecting a pixel.
  • the TFT layer 141 is not limited to the TFT, and other electronic devices such as an optical functional layer such as a 3D display optical device, a touch panel, and a moth eye, or a MEMS device may be formed.
  • the display layer 142 includes, from the drive substrate 131 (planarization layer 141E) side, a lower electrode 142A as an anode electrode, an organic layer 142B including a light emitting layer, and an upper electrode 142C as a cathode electrode.
  • the upper electrode 142C is covered with a protective film 142D, and the counter substrate 230 including the color filter 142G is provided on the protective film 142D with the sealing film 142E interposed therebetween.
  • the organic layer 142B has, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in this order from the lower electrode 142A side.
  • This light emitting layer may be provided for each of the pixels 40R, 40G, and 40B, or may be provided in common for each of the pixels 40R, 40G, and 40B. Layers other than the light emitting layer may be provided as necessary.
  • the protective film 142D is for preventing moisture from entering the organic layer 142B, for example, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), or oxynitride It is formed of an insulating material such as silicon (SiON).
  • the pixels 40R, 40G, and 40B are separated by a pixel separation film 142F, and the pixel region P (light emitting region) of the pixels 40R, 40G, and 40B is defined by the pixel separation film 142F.
  • the organic layer 142B may be formed as a solid film on the entire surface of the light emitting region P or the driving substrate 131.
  • the color filter layer 142G has, for example, a color filter corresponding to the pixels 40R, 40G, and 40B and a black matrix between the color filters (not shown).
  • the color filter layer 142G is provided on the counter substrate 231 side as described above, and is bonded to the display layer 142 through the sealing film 142E.
  • the sealing film 142E is made of, for example, a material used for the protective film 142D, an ultraviolet (UV) curable resin, a thermosetting resin, or the like.
  • Such a display device 10A can be manufactured as follows, for example.
  • a pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed by applying a pressure-sensitive adhesive satisfying the above formula (1) and / or formulas (2) and (3) to a support substrate 11 made of glass, for example. Form.
  • a flexible drive substrate 131 is fixed on the adhesive layer 12, and then heat treatment is performed at 120 to 250 ° C. for 10 to 60 minutes, for example. By this heat treatment, thermal contraction of the drive substrate 131 is forcibly induced, and the behavior of the drive substrate 131 in the subsequent process is stabilized.
  • the adhesive force of the adhesive which comprises the adhesion layer 12 is also stabilized.
  • the TFT substrate 141 and a part of the display layer 142 are formed on the driving substrate 131.
  • the functional layer 140A is laminated in this order.
  • the functional layer 140B including the counter substrate 231 and the color filter layer 142G is formed on the support substrate 21 made of, for example, glass via an adhesive, and the functional layer 140A and the functional layer 140B are provided.
  • the support substrate 11 and the support substrate 21 are arranged to face each other.
  • the adhesive which comprises the adhesion layer 22 by the side of the opposing substrate 21 may satisfy
  • the support substrate 11 and the support substrate 21 are bonded to each other with the sealing film 142 ⁇ / b> E and a sealant (not illustrated), and the laminate including the display device 10 ⁇ / b> A that is the flexible device 10.
  • the picking tape A is attached to the peeling start portion, and the support substrate 11 is peeled by pulling in the arrow direction. Or you may peel by rotating the vacuum stage with a curvature. Note that the peeling method is not limited to these, and other methods may be used, and any type of adhesive stage or electrostatic force may be used.
  • the support substrate 21 is peeled in the same manner. Thereby, the display device 10A as shown in FIG. 8C is completed.
  • a scanning signal is supplied from the scanning line driving circuit 330 to the respective pixels 40R, 40G, and 40B via the gate electrode 141A of the writing transistor Tr2, and an image signal is received from the signal line driving circuit 320. It is held in the holding capacitor 30C via the write transistor Tr2. That is, the driving transistor Tr1 is controlled to be turned on / off according to the signal held in the holding capacitor 30C, whereby a driving current is injected into the pixels 40R, 40G, and 40B, and holes and electrons are recombined to emit light. Occur. This light passes through the upper electrode 142C, the protective film 142D, the sealing film 142E, and the counter substrate 230 and is extracted.
  • the driving substrate 131 and the counter substrate 231 that constitute the display device 10A that is the flexible device 10 are used as the supporting substrate 11 and the supporting substrate 21, respectively.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 that adheres to each other at least the pressure-sensitive adhesive layer that peels first (for example, the pressure-sensitive adhesive layer 12) satisfies the above formula (1) and / or formulas (2) and (3). It is formed using a pressure-sensitive adhesive. This makes it possible to peel the support substrate 11 without damaging it and without applying a load to the functional layer 140.
  • a flexible device such as a so-called flexible display in which various devices such as display elements are formed on a flexible substrate is an existing one after fixing the flexible substrate to a rigid substrate such as glass. Since a display device manufacturing line can be used, the display device can be manufactured at low cost. However, it is difficult to peel off a glass substrate from a device sandwiched by a rigid substrate (for example, a glass substrate), such as glass-glass. For example, the glass substrate may be damaged during peeling, and may not be peeled off. It was. Or there existed a problem that it was not able to be made to peel because the adsorption
  • a metal layer is provided on a glass substrate and the metal layer is irradiated with a laser to peel off, for example, a pressure-sensitive adhesive is applied only to the outer peripheral portion of a flexible substrate.
  • fixing methods have been used, there have been problems such as an increase in cost due to the use of a laser, deterioration of a functional layer due to laser irradiation, or misalignment due to insufficient fixing force.
  • the adhesive layer (adhesive layer 12) between the substrates to be peeled first (here, the drive substrate 131 (flexible substrate 13) and the support substrate 11) is the above formula.
  • the support substrate 11 and the drive substrate 131 (flexible substrate 13) are mechanically peeled off by preparing to have an adhesive force satisfying at least one of (1) and formulas (2) and (3). Is possible.
  • an adhesive is provided between the support substrate 11 and the drive substrate 131 (flexible substrate 13).
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 satisfying at least one of the above formulas (1), (2), and (3) was formed.
  • the separation can be performed without performing treatment such as laser irradiation, it is possible to prevent the TFT layer 141, the display layer 142, and the like from deteriorating on the support substrate 11. Furthermore, since the adhesive layer 12 can be applied and fixed to the entire surface of the support substrate 11 and the drive substrate 131, a high-definition display device can be manufactured.
  • Modification> (Modification 1) 9A to 9C show another example (modification example 1) of the method for manufacturing the display device 10A described in the above embodiment.
  • the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer (for example, the pressure-sensitive adhesive layer 12) adjusted so as to satisfy the above formula (1) and / or the formulas (2) and (3) and the flexible substrate 13 is further increased.
  • Weak release layer 15 is formed.
  • the display device 10A is manufactured in the same manner as in the above embodiment.
  • the release layer 15 reduces the adhesive force between the adhesive layer 12 and the flexible substrate 13 and is made of, for example, an inorganic material. Specific examples include silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2 ).
  • the thickness of the release layer 15 is preferably 50 nm or more and 500 nm or less, for example.
  • the release layer 15 may adhere to the flexible substrate 13 side in the peeling step. For example, when the release layer 15 is provided on the flexible substrate side in the light emitting direction, if the film thickness is too thick, the transmittance decreases, and the organic layer A thinner one is preferable because it blocks light emitted from the EL and lowers the light emission efficiency.
  • the display device 10A according to this modification is manufactured as follows.
  • a release layer 15 is formed on the drive substrate 131 by using, for example, a CVD method to form, for example, a SiN film.
  • an adhesive that satisfies the above formula (1) and / or formulas (2) and (3) is applied on the support substrate 11 to form the adhesive layer 12.
  • the adhesive layer 12 and the release layer 15 that are arranged to face each other are bonded together.
  • the counter substrate 231 fixed to the support substrate 21 via the adhesive layer 22 is bonded to the support substrate 21 as shown in FIG. 9C.
  • a laminated body including the display device 10A which is the flexible device 10 is formed.
  • the support substrate 11 and the support substrate 21 are peeled off by using the same method as in the above embodiment, whereby the display device 10A is completed.
  • the adhesive force between the adhesive layer 12 adjusted to satisfy the above formula (1) and / or the formulas (2) and (3) and the drive substrate 131 is weaker.
  • the amount of adhesion between the drive substrate 131 and the adhesive layer 12 is reduced, and the support substrate 11 can be peeled off with a weaker force. That is, at the time of peeling, deterioration of characteristics due to a load on the functional layer 140 such as the display layer 142 is suppressed, and a highly reliable flexible device can be provided.
  • the separation is performed between the drive substrate 131 and the release layer 15, adhesion of the adhesive to the drive substrate 131 side after the separation is reduced. Therefore, the visibility of the display device 10A is improved and adhesion of dust and the like due to the remaining adhesive is prevented.
  • the release layer 15 is provided on the one support substrate 11 side, but may be provided on both the other support substrate 21 side.
  • Modification 2 10A to 10C show another example (Modification 2) of the method for manufacturing the display device 10A described in the above embodiment and Modification 1.
  • FIG. 1 for example, the adhesive force is weaker between the support substrate 11 and the adhesive layer (for example, the adhesive layer 12) adjusted to satisfy the above formula (1) and / or the formulas (2) and (3).
  • a release layer 15 is formed.
  • the display device 10A is manufactured in the same manner as in the above embodiment.
  • the display device 10A according to this modification is manufactured as follows.
  • a release layer 15 and an adhesive layer 12 are formed in this order on a support substrate 11.
  • a CVD method is used to form a release layer 15 by forming, for example, a SiN film on the support substrate 11, and then the above formula (1) and / or on the release layer 15.
  • the pressure-sensitive adhesive satisfying the formulas (2) and (3) is applied to form the pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • the functional layer 140 ⁇ / b> A is formed.
  • a counter substrate 231 that is separately fixed on the support substrate 21 via the adhesive layer 22 is bonded to form a laminate including the display device 10A that is the flexible device 10 as shown in FIG. 10C. .
  • the support substrate 11 and the support substrate 21 are peeled off by using the same method as in the above embodiment, whereby the display device 10A is completed.
  • the adhesive force is weaker between the support substrate 11 and the adhesive layer 12 adjusted to satisfy the above formula (1) and / or the formulas (2) and (3).
  • a release layer 15 was formed.
  • the adhesion amount of the support substrate 11 and the adhesion layer 12 is reduced, and it becomes possible to peel the support substrate 11 with a weaker force. That is, for example, it is possible to suppress damage to the functional layer 14 such as the display layer 142 and to provide a highly reliable flexible device.
  • the release layer 15 is provided on one support substrate side.
  • the release layer 15 may be provided on the other support substrate (here, the support substrate 21), or both.
  • the support substrates 11 and 21 and the adhesive layers 12 and 22 may be provided.
  • the display device 10A may be manufactured by combining the first modification and the second modification.
  • the release layer 15 is provided between the support substrate 11 and the adhesive layer 12 on the support substrate 11 side
  • the release layer 21 is formed between the adhesive layer 22 and the counter substrate 231 on the support substrate 21 side. Or vice versa.
  • the physical properties such as the adhesive strength of the adhesive layer 12 satisfying the above formulas (1) and / or (2) and (3) are controlled by external stimuli (for example, light, heat, electromagnetic force, etc.). Also good.
  • Modification 3 11A to 12B show a part of the manufacturing process of the display device 1 according to the third modification of the above embodiment.
  • this modification for example, a process in which a plurality of flexible devices 10 to be the display device 10A, for example, are formed on a large substrate and the substrates are bonded together and then divided individually will be described.
  • the display device 10A will be described as an example.
  • a functional layer for example, a color filter and a sealing film
  • a flexible substrate for example, a counter substrate
  • a functional substrate is cut into the flexible substrate, and a flexible substrate (for example, a driving substrate on which an organic film including a light-emitting layer is formed) fixed to the other supporting substrate is bonded.
  • the support substrates are respectively peeled off and divided along the cuts, whereby a plurality of flexible devices can be manufactured collectively.
  • the functional layer may be damaged, such as cracks, and the reliability of the device may be reduced.
  • a plurality of flexible devices 10 are collectively manufactured as follows. First, as shown in FIG. 11A, on the large counter substrate 231 fixed on the support substrate 21 via an adhesive layer 22 (not shown here), as the functional layer 14, here the color filter layer 142G. A plurality of are formed. Subsequently, as shown in FIG. 11B, cuts CL are made at the peripheral edge of each color filter 142G. Next, as shown in FIG. 11C, after forming a sealing film 142E on the color filter 142G, as shown in FIG. 12A, the support substrate 11 is provided with an adhesive layer 12 (omitted here).
  • the driving substrate 131 which is fixed and separately formed with the TFT layer 141, the organic film 142B, and the like, is bonded. Finally, as shown in FIG. 12B, the support substrate 11 and the support substrate 21 are peeled off, and the plurality of flexible devices 10 are divided along the cuts CL, whereby a plurality of display devices 10A are manufactured. .
  • FIG. 13 schematically shows a cross-sectional configuration of the flexible device 10 taken along the line II in FIG. 12A.
  • damage to the sealing film 142E is prevented, and the sealing film 142E is formed on the end face of the color filter 142G.
  • the manufacturing process on the counter substrate 231 side has been described as an example, but the present invention can also be applied to the manufacturing process on the drive substrate 131 side. In this case, for example, the upper electrode 142C corresponding to the functional layer is formed, and then a cut is made, and then the protective film 142D is formed.
  • the color filter 142G (or the organic film 142B and the upper electrode 142C) are formed on the counter substrate 231 (or the drive substrate 131) fixed to the support substrate 21 (or the support substrate 11). ), A cut CL is made in the color filter 142G and the counter substrate 231 (or from the upper electrode 142C to the drive substrate 131), and then the seal that protects the color filter 142 (or the organic film 142B or the like). A film 142E (or a protective film 142D) is formed. Thereby, damage to the sealing film 142E (or the protective film 142D) is prevented, and the manufacturing yield is improved.
  • a sealing film 142G (or protective film 142D) made of an inorganic material such as SiN or Al 2 O 3 is formed on the end faces of the color filter 142G and the counter substrate 231 (or the organic film 142B, the TFT layer 141, etc.). Therefore, intrusion of moisture or the like into the layer formed of the organic material is suppressed, and the reliability is improved.
  • the present invention is not limited to this, and the manufacturing method of the present modified example can be applied to a single flexible device 10 from a single substrate. It can also be applied to the manufacture of
  • the display device 10A manufactured using the method of the present embodiment and the first to third modifications is input from the outside, such as a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, or a video camera.
  • the present invention can be applied to display devices of electronic devices in various fields that display the generated video signal or the video signal generated inside as an image or video.
  • the electronic book includes, for example, a display unit 110, a non-display unit 120, and an operation unit 130.
  • the operation unit 130 may be provided on the front surface of the non-display unit 120 as illustrated in FIG. 14A or may be provided on the upper surface as illustrated in FIG. 14B.
  • the display unit 110 is configured by the display device 1.
  • the display device 1 may be mounted on a PDA (Personal Digital Assistants) having the same configuration as the electronic book shown in FIGS. 14A and 14B.
  • PDA Personal Digital Assistants
  • FIG. 15 shows the appearance of a tablet personal computer.
  • the tablet personal computer has, for example, a touch panel unit 310 and a housing 320, and the touch panel unit 310 is configured by the display device 1.
  • the present technology has been described with the embodiment and the first to third modifications, the present technology is not limited to the above-described embodiment and the like, and various modifications can be made.
  • the display device 10A includes the TFT layer 141, that is, the case where the display device is an active matrix display device has been described, but the display device 10A may be a passive matrix type.
  • the materials and thicknesses of the respective parts described in the above embodiments and the application examples thereof and the forming method and forming conditions are not limited, and other materials and thicknesses may be used, or other forming methods and It is good also as formation conditions.
  • the adhesive layers 12 and 22 are formed on the entire surfaces of the support substrates 11 and 21 has been described.
  • the present invention is not limited to this.
  • the pattern may be formed so that no adhesive is present in the part.
  • a display device provided with three types of pixels 2R, 2G, and 2B made of red, green, and blue as an example has been described. Yellow pixels may be combined.
  • the display device 10A is not only a display device including an organic EL element but also a display device including various display elements such as an inorganic EL element, a liquid crystal element, and an electrophoretic display element. Applicable.
  • the display device 10A may include other layers.
  • the inorganic film made of the same material as the release layer 15 on the functional layer 14 side such as the display layer 142 of each of the flexible substrates 13 and 23, the inorganic film functions as a barrier layer. It becomes possible to reduce the intrusion of moisture into the organic film constituting the layer 142. Thereby, reliability can be improved.
  • this technique can also take the following structures. (1) Forming a first adhesive layer having an adhesive force on at least one of the following formula (1) and formulas (2) and (3) on the first substrate; Fixing the second substrate on the first adhesive layer; Forming a first functional layer on the second substrate; Peeling the first substrate from the second substrate.
  • the first adhesive layer is the method for manufacturing a multilayer substrate according to (1), wherein both the formula (1) and the formulas (2) and (3) are satisfied.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

　本開示の積層体の剥離方法は、第１基板上に、粘着力が下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす第１粘着層を形成することと、粘着層上に第２基板を固着することと、第２基板上に第１機能層を形成することと、第１基板を第２基板から剥離することとを含む。

Description

積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法
　本技術は、例えば、剛性を有する基板と可撓性を有する基板とが貼り合わされた積層体および積層体の剥離方法ならびにこれを用いた可撓性デバイスの製造方法に関する。
　フレキシブルディスプレイ等の可撓性を有する表示装置は、例えば以下のように製造される。まず、例えば一対のガラス等の剛性を有する基板（支持基板）にそれぞれ可撓性を有する基板（可撓性基板）を固定し、各可撓性基板上でＴＦＴ（Thin Film Transistor）層や表示層あるいはカラーフィルタ等の機能層を形成する。続いて、これら機能層を対向させて貼り合わしたのち、支持基板を可撓性基板から剥がすことによってフレキシブルディスプレイが完成する（例えば、特許文献１参照）。
　可撓性基板と支持基板との剥離方法としては、例えば支持基板上に金属層を設け、この金属層にレーザを照射して剥離する方法（例えば、特許文献２参照）や、可撓性基板の一部（例えば、外周部）のみに接着剤を塗布することで剥離を容易にする方法が開示されている。
特開２０１２－２１５７３７号公報 特開２０１１－１４２３３２号公報
　しかしながら、特許文献２のようにレーザを用いる場合には、レーザを用いることによるコストの増加やレーザ照射によって発生する熱により機能層が劣化するという問題があった。また、可撓性基板の一部のみを固定する場合には、固定が十分ではないため位置ずれ等が起こりやすく高精細な機能層の形成が困難であった。
　従って、機能層を劣化させることなく、容易且つ安価に剥離することが可能な積層体および積層体の剥離方法ならびにこれを用いた可撓性デバイスの製造方法を提供することが望ましい。
　本技術の一実施の形態に係る積層体の剥離方法は、第１基板上に、粘着力が下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす第１粘着層を形成することと、第１粘着層上に第２基板を固着することと、第２基板上に第１機能層を形成することと、第１基板を第２基板から剥離することとを含むものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
 （Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000009
 （Ｂ’：剥離時における剥離開始部の第１基板と第２基板との粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：第１基板の密度、ｈ：第１基板の厚み、ｇ：重力定数）
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000010
 （ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：第１基板突起および反り量、ｒ：重力定数）
　本技術の一実施の形態に係る可撓性デバイスの製造方法は、上記本技術の積層体の剥離方法における第２基板として可撓性を有する基板を用いるものである。
　本技術の一実施の形態に係る積層体は、剛性を有する第１基板と、可撓性を有する第２基板と、粘着力が下記式（１）を満たす、第１基板と第２基板との間に設けられた粘着層とを備えたものである。
　本技術の一実施の形態に係る積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法では、第１基板と第２基板との間に、粘着力が上記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着層を形成することにより、機械的に第１基板と第２基板とを剥離することが可能となる。
　本技術の一実施の形態に係る積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法によれば、第１基板と第２基板との間に、上記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力の粘着層を形成するようにしたので、機械的に第１基板と第２基板とが剥離される。即ち、剥離時に機能層を劣化させることなく、容易且つ安価に第１基板と第２基板とを剥離することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
本技術の一実施の形態に係る積層体の構成を表す断面図である。 式（１）を説明するための積層体を模式的に表した斜視図である。 式（３）を説明するための剥離開始時の積層体を模式的に表した断面図である。 図１に示した積層体の具体例としての表示装置の構成を表す断面図である。 図４に示した表示装置の全体構成を表す図である。 図５に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図４に示した表示装置の製造方法を表す断面図である。 図７Ａに続く工程を表す断面図である。 図７Ｂに続く工程を表す断面図である。 図７Ｃに続く工程を表す断面図である。 図８Ａに続く工程を表す断面図である。 図８Ｂに続く工程を表す断面図である。 変形例１に係る表示装置の製造方法を表す断面図である。 図９Ａに続く工程を表す断面図である。 図９Ｂに続く工程を表す断面図である。 変形例２に係る表示装置の製造方法を表す断面図である。 図１０Ａに続く工程を表す断面図である。 図１０Ｂに続く工程を表す断面図である。 変形例３に係る表示装置の製造方法を表す断面図である。 図１１Ａに続く工程を表す断面図である。 図１１Ｂに続く工程を表す断面図である。 図１１Ｃに続く工程を表す断面図である。 図１２Ａに続く工程を表す断面図である。 本変形例の表示装置の断面構成を表す模式図である。 適用例１の表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例１の裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例２の外観を表す斜視図である。
　以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
　　１．実施の形態（支持基板と可撓性デバイスとの間に式（１）および式（２），（３）を満たす粘着層を設けた例）
　　２．変形例　　変形例１（粘着層と可撓性デバイスとの間に離型層を設けた例）
　　　　　　　　　変形例２（支持基板と粘着層との間に離型層を設けた例）
　　　　　　　　　変形例３（予め、可撓性基板に切り込みを入れて分割する例）
　　３．適用例
＜１．実施の形態＞
　図１は、本技術の一実施の形態に係る積層体およびその剥離方法を説明するための積層層（積層体１）の断面構成を表したものである。この積層体１は、支持基板１１と支持基板２１との間に可撓性を有するデバイス（可撓性デバイス１０）を有するものである。可撓性デバイス１０は、可撓性を有する基板（可撓性基板１３，２３）の間に機能層１４が設けられたものである。この積層体１は、例えばフレキシブルディスプレイ等の可撓性デバイス１０の製造過程において形成されるものである。可撓性基板１３，２３はそれぞれ支持基板１１，２１に、それぞれ粘着層１２，２２を介して固定（固着）されており、本実施の形態の積層体１では、粘着層１２，２２の少なくとも一方が後述する式（１）を満たす粘着力を有している。また、このような積層体１を剥離する際には、粘着層１２，２２の少なくとも一方がこの式（１）または後述する式（２），（３）のどちらかあるいは両方を満たす粘着力を有するように調製することによって、可撓性デバイス１０から支持基板１１（および／また支持基板２１）を容易且つ安価に剥離することが可能となる。
　支持基板１１および支持基板２１は、それぞれ可撓性基板１３および可撓性基板２３を支持して製造過程における運搬および後述する機能層１４の形成を容易にするものである。支持基板１１は、例えばガラス，石英あるいはシリコン等の剛性材料により構成することが好ましい。支持基板１１は、可撓性基板１２よりも厚い基板を用いることが好ましく、例えば、機械的強度や取り扱い性の点から０．４ｍｍ～２ｍｍであればよい。また、支持基板１１の線膨張係数は、基板１３との関係から１０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。
　粘着層１２および粘着層２２は、可撓性基板１３および可撓性基板２３を支持基板１１および支持基板２１にそれぞれ固定するものであり、支持基板１１（または支持基板２１）と可撓性基板１３（または可撓性基板２３）との、例えば接触面の全面に設けられている。粘着層１２，２２は、例えばスピンコート法，ダイコートまたはグラビア等の印刷法で塗布することにより形成する。粘着層１２，２２の材料としては、汎用的な粘着剤および粘着テープを用いることができる。具体的には、例えばアクリル系接着剤（粘着剤），エポキシ系接着剤，シロキサン系接着剤，ウレタン系接着剤，シランカップリング剤，天然ゴム系接着剤または合成ゴム系接着剤等が挙げられる。
　なお、本実施の形態では、一方の粘着層（例えば、粘着層１２）が後述する式（１）および式（２），（３）のどちらかあるいは両方を満たす粘着力を有するものであれば、他方の粘着層（例えば、粘着層２２）は、粘着テープを用いてもよい。粘着テープを用いる場合には、例えば支持基板２１に粘着テープを添付して粘着層２２を形成したのち、ラミネータで可撓性基板２３を固定する。
　可撓性基板１３および可撓性基板２３は、機能層１４を挟持するものである。可撓性基板１３，２３の材料としては、支持基板１１，２１との熱収縮差による基板反りを抑制するために、熱収縮率が０．１％以下であることが好ましい。また、支持基板１１，２１との関係から線膨張係数を０～１５ｐｐｍ／Ｋ程度とすることで、可撓性基板１３，２３の寸法変化と変形を抑制することができる。このような材料としては、具体的には、例えば厚み５～２００μｍのポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリエーテルスルホン，ポリエーテルイミド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリフェニレンスルフィド，ポリスルホン，ポリアリレート，ポリイミド，ポリアミド，ポリカーボネート，セルローストリアセテート，ポリオレフィン，ポリスチレン，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリメチルメタクリレート，アラミド，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ユリア樹脂，メラミン樹脂，シリコン樹脂またはアクリル樹脂等のプラスチック材料が挙げられる。なお、薄層ガラスあるいは薄層セラミックス等を可撓性を示す程度まで薄くして使用することも可能である。
　機能層１４は、例えばＴＦＴや各種配線等が形成された電子回路層（ＴＦＴ層１４１），表示層（表示層１４２），封止層（保護膜１４２Ｅ）およびカラーフィルタ（カラーフィルタ層１４２Ｇ）等のデバイス用の機能を有する層が形成されたものである（図４参照）。なお、図１では機能層１４を単層で表し、基板１１側に一括して設けたものとして説明したが、これに限らず、例えば機能層１４が多層構造であってもよい。その場合には、可撓性基板１３，２３にそれぞれ機能層１４Ａおよび機能層１４Ｂとして分けて設けてもよい（例えば、図７Ｃ参照）。
　本実施の形態では、粘着層１２および粘着層２２の少なくとも一方は、粘着力が下記式（１）および式（２），（３）のどちらか、あるいは両方を満たすように調製されている。なお、ここでの粘着力とは、具体的には、支持基板１１（または支持基板２１）と可撓性基板１３（または可撓性基板２３）との密着力（面密着力）である。式（１）は剥離時に剥離する基板（支持基板１１（または支持基板２１））に破損が生じない条件を表したものである。式（２），（３）は剥離時に、吸着力不足により剥離する基板（支持基板１１（または支持基板２１））を吸着保持不能にならない条件を表したものである。なお、ここでは、支持基板１１等の剥離する側の基板を剥離基板Ａとし、可撓性基板１３および機能層１４等を含む、剥離される側の基板を被剥離基板Ｃとする。また、剥離基板Ａと被剥離基板Ｃとを固着する粘着層を粘着層Ｂとする。粘着層Ｂの粘着力がこれら式（１）または／および式（２），（３）のどちらかを満たすことによって、剥離基板Ａは被剥離基板Ｂから容易に剥離される。即ち、後述する支持基板１１（または支持基板２１）の剥離工程において可撓性デバイス１０を損傷することなく支持基板１１（または支持基板２１）を可撓性デバイス１０から剥離することが可能となる。式（１）および式（２），（３）における各パラメータは、図２および図３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000011
 （Ｌ：剥離基板Ａの剥離方向の長さ、ｈ：剥離基板Ａの厚み（ｍｍ）、ｘ：剥離基板Ａの許容変形量、Ｅ：剥離基板Ａのヤング率、σmax：剥離基板Ａの限界曲げ応力）
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000012
 （Ｂ’：剥離時における剥離開始部の剥離基板Ａと被剥離基板Ｃとの粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：剥離基板Ａの密度、ｈ：剥離基板Ａの厚み（ｍｍ）、ｇ：重力定数）
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000013
 （ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：剥離基板Ａ突起および反り量、ｒ：重力定数）
　式（１）は以下のように導出される。
　まず、被剥離基板Ｃから剥離基板Ａを剥離する工程を考える。このとき、剥離基板Ａが破損しない条件は式（４）で表わすことができる。ここで、式（４）におけるσmaxは剥離基板Ａの限界曲げ応力、σbendは剥離基板Ａを曲げた時に剥離基板Ａに係る引張り方向の応力、σbondは被剥離基板Ｃの粘着層Ｂからかかる引張り応力である。σbendは剥離基板Ａの二次モーメントから算出することができ、式（５）で表わすことができる。ここで式（５）におけるＬは剥離基板Ａの剥離方向の長さ、ｈは剥離基板Ａの厚み、ｘは剥離基板Ａの変化量、Ｅは剥離基板Ａのヤング率である。σbendは力学的な力の分解により、式（６）で表わされる。特に、本発明のような剥離角が小さい場合には、剥離時の力は面密着力にて近似することができる。ここで、式（６）におけるＡは剥離基板Ａと被剥離基板Ｃとの面密着力、θは曲げ角度である。式（５）および式（６）を式（４）に代入すると、式（７）となる。この式（７）より、剥離基板Ａと被剥離基板Ｃとの面密着力Ａの項に着目し、整理すると式（８）のように表される。曲げ角度θを剥離基板Ａの剥離方向の長さＬと剥離基板Ａの変化量ｘで表わすと、式（９）のように表される。式（９）を式（８）に代入することにより、上記式（１）が導出される。なお、式（１）におけるｘ以外の変数は材料の特性であり、決まった値を有している。また、ｘも限界変形量ｘmaxによって制限されるため、許容される剥離基板Ａと被剥離基板Ｃとの面密着力は自動的に決定される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000014
　式（２）および式（３）は以下のように導出される。
　剥離開始時、剥離基板Ａには図３に示したような力（剥離時の剥離開始部の剥離基板Ａ－被剥離基板Ｃの粘着力（Ｂ’）、剥離時の剥離基板Ａに対する基板吸着（保持）力（Ｃ）、剥離基板Ａの重さ（ρｈｇ））がかかる。これらの関係から、剥離開始時に正常に剥離される条件としては上記式（２）が得られる。ここで、基板吸着（保持）力、即ち、剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力Ｃは真空での保持の場合には小さい値となり、剥離基板Ａ－被剥離基板Ｃ間の粘着力に大幅な制限がなされる。この条件を元に、剥離開始部に必要な条件を計算すると、剥離開始部の長さｌは図３のような関係が表わされる。図３では、図中の基板端からｌの長さにおいては少なくとも式（２）を満たさねばならない。ここで、ｒは曲率半径、ｄは許容基板突起および反り量、ｚは剥離基板Ａの端から曲率円の中心方向に伸ばし、反った状態の剥離基板Ａと交わる距離である。ここで、ｌが何によって決定されるか解析すると、まず、三角形の比として式（１０）が得られ、この式（１０）を整理すると式（１１）が得られる。ここで、三角形の三平方の定理を考えると、図３におけるｒ，ｚ，ｌは式（１２）のように表わされる。この式（１２）をｌについて整理すると共に、ｚに式（１１）を代入すると、上記式（３）が導出される。このように、剥離開始時に必要な長さｌは、曲率半径ｒと許容基板突起および反り量ｄとによって定義することができる。なお、曲率半径は剥離基板Ａを剥離する装置の仕様や剥離基板Ａの物性値によって決定される。また、許容基板突起および反り量ｄも設備の仕様や剥離基板Ａの物性によって規定される。即ち、吸着力が十分な状態で剥離基板Ａが正常に剥離される条件は、剥離開始部の剥離基板Ａ－被剥離基板Ｃとの粘着力Ｂ’と、剥離開始部の長さｌによって規定される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000015
（表示装置）
　図４は、図１における可撓性デバイス１０の一例としての表示装置（表示装置１０Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置１０Ａは、例えばフレキシブルな極薄型の有機発光カラーディスプレイであり、可撓性を有する駆動基板１３１と対向基板２３１との間にＴＦＴ層１４１および表示層１４２からなる機能層１４０（例えば、図８参照）が設けられている。本実施の形態では、駆動基板１３１は支持基板１１上に固定されており、駆動基板１３１上には、ＴＦＴ層１４１と表示層１４２を構成する下部電極１４２Ａ，有機層１４２Ｂ，上部電極１４２Ｃおよび保護膜１４２Ｄ等からなる表示体が設けられる（機能層１４０Ａ）。対向基板２３１は支持基板２１上に固定されており、対向基板２３１上には、表示層１４２を構成するカラーフィルタ１４２Ｇおよび封止膜１４２Ｅが設けられる（機能層１４０Ｂ）。これら機能層１４０Ａと機能層１４０Ｂとを対向させ、封止膜１４２Ｅを介してカラーフィルタ層１４２Ｇと保護膜１４２Ｄとを貼り合わせたのち、支持基板１１および支持基板２１を剥離することによって表示装置１０Ａは製造されている。なお、図４は、表示装置１０Ａの構造を模式的に表わしたものであり、実際の寸法および形状とは異なる場合がある。
（表示装置１０Ａの全体構成）
　図５は、表示装置１０Ａの全体構成を表すものである。表示装置１０Ａは、駆動基板１３１上の中央部に表示領域３１０を有しており、表示領域３１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路３２０および走査線駆動回路３３０が設けられている。
　表示領域３１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂと、それらを駆動するための画素駆動回路３４０とが形成されている。画素駆動回路３４０において、列方向には複数の信号線３２０Ａが配置され、行方向には複数の走査線３３０Ａが配置されている。各信号線３２０Ａと各走査線３３０Ａとの各交差点に、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂが対応して設けられている。画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂはそれぞれ、赤色，緑色，青色を発光する画素である。各信号線３２０Ａは信号線駆動回路３２０に、各走査線３３０Ａは走査線駆動回路３３０にそれぞれ接続されている。
　信号線駆動回路３２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線３２０Ａを介して選択された画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに供給するものである。信号線３２０Ａには信号線駆動回路３２０からの信号電圧が印加される。
　走査線駆動回路３３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成されている。走査線駆動回路３３０は、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線３３０Ａに走査信号を順次供給するものである。走査線３３０Ａには、走査線駆動回路３３０からの走査信号が供給される。
　画素駆動回路３４０は、ＴＦＴ層１４１に設けられている。この画素駆動回路３４０は、図６に示したように、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、その間の保持容量３０Ｃと、有機発光素子ＥＬとを有するアクティブ型の駆動回路である。
　表示装置１０Ａの各層は、例えば以下のような構成をとる。なお、駆動基板１３１および対向基板２３１は上記可撓性基板１３および可撓性基板２３であり、同様の構成を有する。
　ＴＦＴ層１４１には、具体的には、例えばゲート電極１４１Ａ，ゲート絶縁膜１４１Ｂ，チャネル層としての半導体層１４１Ｃおよびソース・ドレイン電極１４１Ｄ（１４１Ｄ１，１４１Ｄ２）により構成されたＴＦＴ等が設けられている。これらはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法等による成膜およびエッチングの工程を経ることにより形成する。ソース・ドレイン電極１４１Ｄ（１４１Ｄ１，１４１Ｄ２）は、例えばポリイミド等の絶縁性樹脂材料からなる平坦化層１４１Ｅに覆われている。ここで、ＴＦＴは無機半導体層を用いた無機ＴＦＴあるいは有機半導体層を用いた有機ＴＦＴのどちらであってもよい。ＴＦＴは画素を選択するためのスイッチング素子としての機能を有する。なお、ＴＦＴ層１４１はＴＦＴに限らず、その他の電子デバイス、例えば３Ｄ表示用光学デバイスやタッチパネル、モスアイ等の光学機能層、あるいはＭＥＭＳデバイスを形成してもよい。
　表示層１４２は、駆動基板１３１（平坦化層１４１Ｅ）の側から、アノード電極としての下部電極１４２Ａ、発光層を含む有機層１４２Ｂおよびカソード電極としての上部電極１４２Ｃを有している。表示層１４２では、この上部電極１４２Ｃを保護膜１４２Ｄが覆い、保護膜１４２Ｄ上に封止膜１４２Ｅを間にして、カラーフィルタ１４２Ｇを有する対向基板２３０が設けられている。有機層１４２Ｂは下部電極１４２Ａ側から例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層をこの順に有している。この発光層は画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ毎に設けられたものでもよく、各画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに共通して設けられていてもよい。発光層以外の層は、必要に応じて設ければよい。保護膜１４２Ｄは、例えば、有機層１４２Ｂへの水分の浸入を防止するためのものであり、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化ケイ素（ＳｉＯ），窒化ケイ素（ＳｉＮ）あるいは、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）等の絶縁材料によって形成されている。なお、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂは、それぞれ画素分離膜１４２Ｆによって分離され、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの画素領域Ｐ（発光領域）は画素分離膜１４２Ｆにより画定されている。また、ここでは、有機層１４２Ｂを画素毎に設けた例を示したが、これに限らず、例えば発光領域Ｐあるいは駆動基板１３１の全面にベタ膜として形成してもよい。
　カラーフィルタ層１４２Ｇは、例えば画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに対応するカラーフィルタおよびカラーフィルタの間のブラックマトリクスを有している（図示せず）。このカラーフィルタ層１４２Ｇは、上記のように対向基板２３１側に設けられており、封止膜１４２Ｅを介して表示層１４２と貼り合わされている。封止膜１４２Ｅは、例えば、上記保護膜１４２Ｄで用いた材料、あるいは、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂等により構成されている。
（表示装置１０Ａの製造方法）
　このような表示装置１０Ａは、例えば次のように製造することができる。
　まず、図７Ａに示したように、例えばガラスからなる支持基板１１に、粘着力が上記式（１）および／または式（２），（３）を満たす粘着剤を塗布して粘着層１２を形成する。続いて図７Ｂに示したように、粘着層１２上に可撓性を有する駆動基板１３１を固定したのち、例えば、１２０～２５０℃，１０～６０分にて加熱処理をする。この加熱処理により、駆動基板１３１の熱収縮を強制的に誘発し、その後の工程における駆動基板１３１の挙動が安定化する。また、粘着層１２を構成する粘着剤の粘着力も安定化する。
　続いて、図７Ｃに示したように、駆動基板１３１上にＴＦＴ層１４１および表示層１４２の一部（下部電極１４２Ａ，有機層１４２Ｂ，上部電極１４２Ｃ，保護膜１４２Ｄおよび画素分離膜１４２Ｆ）からなる機能層１４０Ａをこの順に積層する。また、同様の工程を経て、例えばガラスからなる支持基板２１上に粘着剤を介して対向基板２３１およびカラーフィルタ層１４２Ｇを含む機能層１４０Ｂを形成し、機能層１４０Ａおよび機能層１４０Ｂをそれぞれ備えた支持基板１１および支持基板２１を対向配置する。なお、対向基板２１側の粘着層２２を構成する粘着剤は、上記式（１）および／または式（２），（３）を満たしてもよいし、満たさなくてもよい。
　次いで、図８Ａに示したように、封止膜１４２Ｅおよびシール剤（図示せず）を間に支持基板１１および支持基板２１を貼り合わせ、可撓性デバイス１０である表示装置１０Ａを含む積層体を形成する。続いて、図８Ｂに示したように、例えば、剥離開始部にピッキングテープＡを貼り付け、矢印方向への引くことにより支持基板１１を剥離する。あるいは、曲率のついた真空ステージを回転移動させることによって剥離してもよい。なお、剥離の方法はこれらに限らず他の方法を用いてもよく、さらに粘着ステージや静電気力等の種類を問わない。次いで、同様にして支持基板２１を剥離する。これにより、図８Ｃに示したような表示装置１０Ａが完成する。
　この表示装置１０Ａでは、各々の画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに対して走査線駆動回路３３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極１４１Ａを介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路３２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量３０Ｃに保持される。即ち、この保持容量３０Ｃに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに駆動電流が注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、上部電極１４２Ｃ、保護膜１４２Ｄ、封止膜１４２Ｅおよび対向基板２３０を透過して取り出される。
　このような積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法では、可撓性デバイス１０である表示装置１０Ａを構成する駆動基板１３１および対向基板２３１をそれぞれ支持基板１１および支持基板２１に固着する粘着層１２および粘着層２２のうち、少なくとも、先に剥離する側の粘着層（例えば、粘着層１２）を上記式（１）および／または式（２），（３）を満たす粘着力を有する粘着剤を用いて形成する。これにより支持基板１１を破損することなく、また、機能層１４０に負荷をかけることなく剥離することが可能となる。
　一般的に、可撓性基板上に表示素子等の各種デバイスを形成する、所謂フレキシブルディスプレイ等の可撓性デバイスは、可撓性基板をガラス等の剛性を有する基板に固定したのちは既存の表示装置の製造ラインを用いることができるため低コストで製造することができる。しかしながら、ガラス－ガラスのように、剛性を有する基板（例えば、ガラス基板）によって挟持されたデバイスからガラス基板を剥離することは難しく、例えば剥離途中でガラス基板が破損して剥離できなくなる場合があった。あるいは、剥離開始時におけるガラス基板の吸着力が足りず、剥離させることができないという問題があった。
　このため、前述したように、ガラス基板上に金属層を設け、この金属層にレーザを照射して剥離する方法や、例えば可撓性基板の外周部にのみ粘着剤を塗布してガラス基板に固定する方法がとられてきたが、レーザの使用によるコストの増加や、レーザ照射による機能層の劣化、あるいは固定力不足による位置ずれ等の問題があった。
　これに対して本実施の形態では、例えば先に剥離する側の基板（ここでは、駆動基板１３１（可撓性基板１３）と支持基板１１）間の粘着層（粘着層１２）が、上記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力を有するように調製することにより、機械的に支持基板１１と駆動基板１３１（可撓性基板１３）とを剥離することが可能となる。
　以上のように、本実施の形態における積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法によれば、支持基板１１と駆動基板１３１（可撓性基板１３）との間に、粘着力が上記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着層１２を形成するようにした。これにより、機械的に支持基板１１と駆動基板１３１（可撓性基板１３）を、支持基板１１の破損や、駆動基板１３１側に設けられた機能層１４０に負荷をかけることなく、容易且つ安価に剥離させることが可能となる。
　また、レーザ照射等の処理を行わずに剥離することができるため、支持基板１１上でＴＦＴ層１４１および表示層１４２等が劣化するのを防ぐことができる。更に、支持基板１１と駆動基板１３１との全面に粘着層１２を塗布し固着することができるため、高精細な表示装置を製造することが可能となる。
　以下、上記実施の形態の変形例（変形例１，２）について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
　＜２．変形例＞
（変形例１）
　図９Ａ～図９Ｃは、上記実施の形態で説明した表示装置１０Ａの製造方法の他の例（変形例１）を表したものである。この方法では、例えば上記式（１）および／または式（２），（３）を満たすように調整された粘着層（例えば粘着層１２）と可撓性基板１３との間に、より粘着力の弱い離型層１５が形成される。変形例１ではこの点を除き、上記実施の形態と同様にして表示装置１０Ａを製造する。
　離型層１５は、粘着層１２と可撓性基板１３との粘着力を低減するものであり、例えば無機材料によって構成されている。具体的には、窒化シリコン（ＳｉＮx），酸化シリコン（ＳｉＯ2）等が挙げられる。離型層１５の厚みは、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。離型層１５は、剥離工程において可撓性基板１３側に付着する虞があり、例えば光射出方向の可撓性基板側に設ける場合には膜厚が厚すぎると透過率が低下し、有機ＥＬの発光光を遮ることとなり発光効率が低下するため、薄いほうが好ましい。
　本変形例の表示装置１０Ａは以下のように製造される。
　まず、図９Ａに示したように、駆動基板１３１上に、例えばＣＶＤ法を用いて、例えばＳｉＮ膜を成膜して離型層１５を形成する。また、上記実施の形態と同様に、支持基板１１上に上記式（１）および／または式（２），（３）を満たす粘着剤を塗布して粘着層１２を形成する。続いて、図９Ｂに示したように、対向配置した粘着層１２と離型層１５とを貼り合わせる。以降、実施の形態と同様に、駆動基板１３１上に機能層１４を形成したのち、別途支持基板２１上に粘着層２２を介して固着した対向基板２３１を貼り合わせることにより、図９Ｃに示したように可撓性デバイス１０である表示装置１０Ａを含む積層体を形成する。
　この後、上記実施の形態と同様の方法を用いて、支持基板１１および支持基板２１を剥離することにより、表示装置１０Ａが完成する。
　以上のように、本変形例では、上記式（１）および／または式（２），（３）を満たすように調整された粘着層１２と駆動基板１３１との間に、より粘着力の弱い離型層１５を形成することにより、駆動基板１３１と粘着層１２との粘着量が低減され、より弱い力で支持基板１１を剥離することが可能となる。即ち、剥離時に、例えば表示層１４２等の機能層１４０への負荷による特性の劣化が抑えられ、信頼性の高い可撓性デバイスを提供することが可能となる。
　また、駆動基板１３１と離型層１５との間で剥離されるため、剥離後の駆動基板１３１側への粘着剤の付着が低減される。よって、表示装置１０Ａの視認性が向上すると共に、粘着剤の残存によるゴミ等の付着が防止される。
　なお、本変形例では、離型層１５を一方の支持基板１１側に設けたが、他方の支持基板２１側の両方に設けてもよい。
（変形例２）
　図１０Ａ～図１０Ｃは、上記実施の形態および変形例１で説明した表示装置１０Ａの製造方法の他の例（変形例２）を表したものである。この方法では、例えば支持基板１１と上記式（１）および／または式（２），（３）を満たすように調整された粘着層（例えば粘着層１２）との間に、より粘着力の弱い離型層１５が形成される。変形例２ではこの点を除き、上記実施の形態と同様にして表示装置１０Ａを製造する。
　本変形例の表示装置１０Ａは以下のように製造される。
　まず、図１０Ａに示したように、支持基板１１上に、離型層１５および粘着層１２をこの順に形成する。具体的には、例えばＣＶＤ法を用いて、支持基板１１上に、例えばＳｉＮ膜を成膜して離型層１５を形成したのち、離型層１５上に、上記式（１）および／または式（２），（３）を満たす粘着剤を塗布して粘着層１２を形成する。続いて、図１０Ｂに示したように、粘着層１２上に駆動基板１３１を固着したのち、機能層１４０Ａを形成する。この後、別途支持基板２１上に粘着層２２を介して固着した対向基板２３１を貼り合わせることにより、図１０Ｃに示したように可撓性デバイス１０である表示装置１０Ａを含む積層体を形成する。
　この後、上記実施の形態と同様の方法を用いて、支持基板１１および支持基板２１を剥離することにより、表示装置１０Ａが完成する。
　以上のように、本変形例では、支持基板１１と上記式（１）および／または式（２），（３）を満たすように調整された粘着層１２との間に、より粘着力の弱い離型層１５を形成するようにした。これにより、支持基板１１と粘着層１２との粘着量が低減され、より弱い力で支持基板１１を剥離することが可能となる。即ち、例えば表示層１４２等の機能層１４の損傷を抑え、信頼性の高い可撓性デバイスを提供することが可能となる。
　なお、本変形例では、離型層１５を一方の支持基板側に設けたが、上記変形例１と同様に他方の支持基板（ここでは、支持基板２１）側に設けてもよいし、両方の支持基板１１，２１と粘着層１２，２２との間に設けてもよい。
　また、変形例１と変形例２とを組み合わせて表示装置１０Ａを製造してもよい。例えば、支持基板１１側では、支持基板１１と粘着層１２との間に離型層１５を設け、支持基板２１側では粘着層２２と対向基板２３１との間に離型層２１を形成してもよく、またその逆でもよい。
　更に、上記式（１）および／または式（２），（３）を満たす粘着層１２の粘着力等の物性は、外部からの刺激（例えば、光，熱，電磁気力等）によって制御してもよい。
（変形例３）
　図１１Ａ～図１２Ｂは、上記実施の形態の変形例３に係る表示装置１の製造工程の一部を表したものである。本変形例では、大型基板上に、例えば表示装置１０Ａとなる可撓性デバイス１０を複数形成し、基板を貼り合わせた後に、個々に分割する工程を説明する。なお、ここでは、表示装置１０Ａを例に説明する。
　一般に、複数の可撓性デバイスを大型基板上に一括で製造する場合、一方の支持基板に固着された可撓性基板（例えば、対向基板）上に機能層（例えば、カラーフィルタおよび封止膜）を形成したのち、機能層ごと可撓性基板に切り込みを入れ、他方の支持基板に固着された可撓性基板（例えば、発光層を含む有機膜等が形成された駆動基板）を貼り合わせる。この後、支持基板をそれぞれ剥離すると共に、切り込みに沿って分割することで、複数の可撓性デバイスを一括で製造することができる。
　しかしながら、機能層を形成した後に切り込みを入れると機能層にクラック等の損傷が生じ、デバイスの信頼性が低下する虞がある。
　そこで、本変形例では、複数の可撓性デバイス１０（表示装置１０Ａ）の一括製造を以下のように行う。まず、図１１Ａに示したように、支持基板２１上に粘着層２２（ここでは、省略する）を介して固着された大型の対向基板２３１上に、機能層１４として、ここではカラーフィルタ層１４２Ｇを複数形成する。続いて、図１１Ｂに示したように、各カラーフィルタ１４２Ｇの周縁部に切り込みＣＬを入れる。次に、図１１Ｃに示したように、カラーフィルタ１４２Ｇ上に封止膜１４２Ｅを形成したのち、図１２Ａに示したように、支持基板１１に粘着層１２（ここでは、省略する）を介して固着され、別途ＴＦＴ層１４１や有機膜１４２Ｂ等が形成された駆動基板１３１を貼り合わせる。最後に、図１２Ｂに示したように支持基板１１および支持基板２１をそれぞれ剥離すると共に、複数の可撓性デバイス１０を切り込みＣＬに沿って分割することで、複数の表示装置１０Ａが製造される。
　図１３は、図１２ＡのＩ－Ｉ線における可撓性デバイス１０の断面構成を模式的に表したものである。本変形例の方法を用いることにより、封止膜１４２Ｅへの損傷が防がれると共に、カラーフィルタ１４２Ｇの端面には封止膜１４２Ｅが形成される。なお、ここでは、対向基板２３１側の製造工程を例に説明したが、駆動基板１３１側の製造工程にも適用できる。なお、この場合には、例えば、機能層に相当する上部電極１４２Ｃまた形成したのち切り込みを入れ、その後、保護膜１４２Ｄを形成する。
　以上のように、本変形例では、支持基板２１（あるいは、支持基板１１）に固着された対向基板２３１（あるいは、駆動基板１３１）上にカラーフィルタ１４２Ｇ（あるいは、有機膜１４２Ｂおよび上部電極１４２Ｃ等）を形成したのち、カラーフィルタ１４２Ｇおよび対向基板２３１（あるいは、上部電極１４２Ｃから駆動基板１３１にかけて）に切り込みＣＬを入れ、この後、カラーフィルタ１４２（あるいは、有機膜１４２Ｂ等）を保護する封止膜１４２Ｅ（あるいは、保護膜１４２Ｄ）を形成するようにした。これにより、封止膜１４２Ｅ（あるいは、保護膜１４２Ｄ）への損傷が防がれ、製造歩留まりが向上する。また、カラーフィルタ１４２Ｇおよび対向基板２３１（あるいは、有機膜１４２ＢやＴＦＴ層１４１等）の端面に、例えば、ＳｉＮやＡｌ2Ｏ3等の無機材料からなる封止膜１４２Ｇ（あるいは、保護膜１４２Ｄ）が形成されるため、有機材料によって形成された層への水分等の浸入が抑制され、信頼性が向上する。
　なお、ここでは、複数の可撓性デバイス１０を一括で製造する場合を例に説明したが、これに限らず、本変形例の製造方法は、一枚の基板から１つの可撓性デバイス１０を製造する場合にも適用できる。
＜３．適用例＞
　本実施の形態および変形例１～３の方法を用いて作製された表示装置１０Ａは、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
（適用例１）
　図１４Ａ，１４Ｂは、電子ブックの外観構成を表している。この電子ブックは、例えば、表示部１１０および非表示部１２０と、操作部１３０とを備えている。なお、操作部１３０は、図１４Ａに示したように非表示部１２０の前面に設けられていてもよいし、図１４Ｂに示したように上面に設けられていてもよい。表示部１１０が表示装置１により構成される。なお、表示装置１は、図１４Ａ，１４Ｂに示した電子ブックと同様の構成を有するＰＤＡ（Personal Digital Assistants）等に搭載されてもよい。
（適用例２）
　図１５は、タブレットパーソナルコンピュータの外観を表したものである。このタブレットパーソナルコンピュータは、例えば、タッチパネル部３１０および筐体３２０を有しており、タッチパネル部３１０が上記表示装置１により構成されている。
　以上、実施の形態および変形例１～３を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、表示装置１０ＡがＴＦＴ層１４１を有する場合、即ち、アクティブマトリクス型の表示装置である場合について説明したが、表示装置１０Ａはパッシブマトリクス型であってもよい。
　更に、上記実施の形態等およびその適用例で説明した各部の材料および厚み、または形成方法および形成条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の形成方法および形成条件としてもよい。例えば、上記実施の形態等では、粘着層１２，２２を支持基板１１，２１の全面に形成した例を示したが、これに限らず所定の形状、例えば、表示装置１０Ａの所謂表示部および周辺部に粘着剤が存在しないようにパターン形成してもよい。
　更にまた、上記実施の形態等では、画素として赤色，緑色，青色からなる３種類の画素２Ｒ，画素２Ｇおよび画素２Ｂを設けた表示装置を例に説明したが、これら３色画素に白色画素あるいは黄色画素を組み合わせてもよい。
　また、上記実施の形態等の表示装置１０Ａは、有機ＥＬ素子を備えた表示装置のほか、無機ＥＬ素子，液晶素子，電気泳動型の表示素子等、種々の表示素子を備えた表示装置にも適用可能である。
　更に、上記実施の形態等の表示装置１０Ａは、他の層を含んでいてもよい。例えば、各可撓性基板１３，２３の表示層１４２等の機能層１４側に離型層１５と同様の材料からなる無機膜を形成することにより、この無機膜はバリア層として働き、例えば表示層１４２を構成する有機膜への水分の侵入を低減することが可能となる。これにより、信頼性を向上させることができる。
　なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
　なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
　第１基板上に、下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力を有する第１粘着層を形成することと、
　前記第１粘着層上に第２基板を固着することと、
　前記第２基板上に第１機能層を形成することと、
　前記第１基板を前記第２基板から剥離することと
　を含む積層体の剥離方法。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000016
 （Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000017
 （Ｂ’：剥離時における剥離開始部の第１基板と第２基板との粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：第１基板の密度、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｇ：重力定数）
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000018
 （ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：第１基板突起および反り量、ｒ：重力定数）
（２）
　前記第１粘着層は、前記式（１）および式（２），（３）の両方を満たす、前記（１）に記載の多層膜基板の製造方法。
（３）
　前記第２基板の前記第１粘着層に固着する面に離型層を形成したのち、前記第１粘着層上に前記第２基板を固着する、前記（１）または（２）に記載の多層膜基板の製造方法。
（４）
　前記第１基板上に離型層を形成したのち、前記第１粘着層を形成する、前記（１）または（２）に記載の多層膜基板の製造方法。
（５）
　前記離型層は無機材料により形成されている、前記（３）または（４）に記載の多層膜基板の製造方法。
（６）
　前記粘着層を介して前記第１基板に固着された前記第２基板上に、前記第１機能層を形成すると共に、前記第１機能層の周縁部に切り込みを入れたのち、前記第１機能層上に保護膜を形成する、前記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の積層体の剥離方法。
（７）
　第３基板上に第２粘着層を介して第４基板を固着することと、
　前記第２基板と前記第４基板とを対向配置して貼り合わせることとを含み、
　前記第２基板と前記第４基板とを貼り合わせたのち、前記第１基板および前記第３基板をこの順に剥離する、前記（１）乃至（６）のうちのいずれかに記載の多層膜基板の製造方法。
（８）
　前記第３基板上に前記第４基板を固着させたのち、前記第４基板上に第２機能層を形成する、前記（７）に記載の多層膜基板の製造方法。
（９）
　前記第１機能層および前記第２機能層は半導体層、表示層およびカラーフィルタのうちのいずれかである、前記（８）に記載の多層膜基板の製造方法。
（１０）
　前記第１基板および前記第３基板は剛性を有する、前記（７）乃至（９）のうちのいずれかに記載の多層膜基板の製造方法。
（１１）
　前記第２基板および前記第４基板は可撓性を有する、前記（７）乃至（１０）のうちのいずれかに記載の多層膜基板の製造方法。
（１２）
　前記第２粘着層は前記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力を有する、前記（３）乃至（１１）のうちいずれかに記載の多層膜基板の製造方法。
（１３）
　第１基板上に、粘着力が下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着層を形成することと、
　前記粘着層上に可撓性を有する第２基板を固定することと、
　前記第２基板上に機能層を形成することと、
　前記第１基板を前記第２基板から剥離することと
　を含む可撓性デバイスの製造方法。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000019
 （Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000020
 （Ｂ’：剥離時における剥離開始部の第１基板と第２基板との粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：第１基板の密度、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｇ：重力定数）
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000021
 （ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：第１基板突起および反り量、ｒ：重力定数）
（１３）
　剛性を有する第１基板と、
　可撓性を有する第２基板と、
　粘着力が下記式（１）を満たす、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた粘着層と
　を備えた積層体。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000022
 （Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）

Claims (14)

  1. 　第１基板上に、下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力を有する第１粘着層を形成することと、
    　前記第１粘着層上に第２基板を固着することと、
    　前記第２基板上に第１機能層を形成することと、
    　前記第１基板を前記第２基板から剥離することと
    　を含む積層体の剥離方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
     （Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
     （Ｂ’：剥離時における剥離開始部の第１基板と第２基板との粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：第１基板の密度、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｇ：重力定数）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
     （ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：第１基板突起および反り量、ｒ：重力定数）
  2. 　前記第１粘着層は、前記式（１）および式（２），（３）の両方を満たす、請求項１に記載の積層体の剥離方法。
  3. 　前記第２基板の前記第１粘着層に固着する面に離型層を形成したのち、前記第１粘着層上に前記第２基板を固着する、請求項１に記載の積層体の剥離方法。
  4. 　前記第１基板上に離型層を形成したのち、前記第１粘着層を形成する、請求項１に記載の積層体の剥離方法。
  5. 　前記離型層は無機材料により形成されている、請求項３に記載の積層体の剥離方法。
  6. 　前記粘着層を介して前記第１基板に固着された前記第２基板上に、前記第１機能層を形成すると共に、前記第１機能層の周縁部に切り込みを入れたのち、前記第１機能層上に保護膜を形成する、請求項１に記載の積層体の剥離方法。
  7. 　第３基板上に第２粘着層を介して第４基板を固着することと、
    　前記第２基板と前記第４基板とを対向配置して貼り合わせることとを含み、
    　前記第２基板と前記第４基板とを貼り合わせたのち、前記第１基板および前記第３基板をこの順に剥離する、請求項１に記載の積層体の剥離方法。
  8. 　前記第３基板上に前記第４基板を固着させたのち、前記第４基板上に第２機能層を形成する、請求項７に記載の積層体の剥離方法。
  9. 　前記第１機能層および前記第２機能層は半導体層、表示層およびカラーフィルタのうちのいずれかである、請求項８に記載の積層体の剥離方法。
  10. 　前記第１基板および前記第３基板は剛性を有する、請求項７に記載の積層体の剥離方法。
  11. 　前記第２基板および前記第４基板は可撓性を有する、請求項７に記載の積層体の剥離方法。
  12. 　前記第２粘着層は前記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力を有する、請求項７に記載の積層体の剥離方法。
  13. 　第１基板上に、粘着力が下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着層を形成することと、
    　前記粘着層上に可撓性を有する第２基板を固定することと、
    　前記第２基板上に機能層を形成することと、
    　前記第１基板を前記第２基板から剥離することと
    　を含む可撓性デバイスの製造方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
     （Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
     （Ｂ’：剥離時における剥離開始部の第１基板と第２基板との粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：第１基板の密度、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｇ：重力定数）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
     （ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：第１基板突起および反り量、ｒ：重力定数）
  14. 　剛性を有する第１基板と、
    　可撓性を有する第２基板と、
    　粘着力が下記式（１）を満たす、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた粘着層と
    　を備えた積層体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
     （Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
PCT/JP2015/059941 2014-03-31 2015-03-30 積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法 WO2015152158A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016511884A JPWO2015152158A1 (ja) 2014-03-31 2015-03-30 積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法
US15/272,741 US10008670B2 (en) 2014-03-31 2016-09-22 Laminate, method of peeling laminate, and method of manufacturing flexible device

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014073330 2014-03-31
JP2014-073330 2014-03-31
JP2014212572 2014-10-17
JP2014-212572 2014-10-17

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/272,741 Continuation US10008670B2 (en) 2014-03-31 2016-09-22 Laminate, method of peeling laminate, and method of manufacturing flexible device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015152158A1 true WO2015152158A1 (ja) 2015-10-08

Family

ID=54240481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/059941 WO2015152158A1 (ja) 2014-03-31 2015-03-30 積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10008670B2 (ja)
JP (1) JPWO2015152158A1 (ja)
WO (1) WO2015152158A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107482133A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 株式会社迪恩士先端贴合科技 由载体基板与树脂层构成的工件的分离方法以及分离装置
CN107591090A (zh) * 2016-07-06 2018-01-16 三星显示有限公司 可卷曲显示装置及可卷曲装置
CN109949702A (zh) * 2019-03-25 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置及其制作方法
JP2019522809A (ja) * 2016-05-16 2019-08-15 ダウ シリコーンズ コーポレーション 表示デバイス基板処理のための、シルセスキオキサンポリマー及びシランのうち少なくとも１つを含む接着剥離層

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6331969B2 (ja) * 2014-10-29 2018-05-30 ソニー株式会社 電子デバイス組立体の製造方法
KR102362080B1 (ko) * 2017-05-31 2022-02-10 엘지디스플레이 주식회사 폴더블 표시장치
KR20220086771A (ko) * 2020-12-16 2022-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그의 제조 방법
US11935977B2 (en) * 2021-10-06 2024-03-19 Massachusetts Institute Of Technology Transferable ultra-thin substrates and related techniques

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012131664A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスフィルム積層体
JP2013035159A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Dainippon Printing Co Ltd ガラスフィルム積層体、ガラスフィルム積層体ロール、カラーフィルタ用画素付ガラスフィルム積層体およびガラスフィルム積層体の製造方法
JP2013237159A (ja) * 2012-05-11 2013-11-28 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスフィルム積層体及びその製造方法
JP2014008697A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Dainippon Printing Co Ltd ガラスフィルム積層体
JP2014019597A (ja) * 2012-07-17 2014-02-03 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスフィルムの製造方法及びガラスフィルム積層体

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100278137B1 (ko) * 1997-09-04 2001-01-15 가나이 쓰도무 반도체소자의 탑재방법 및 그 시스템, 반도체소자 분리장치 및ic카드의 제조방법
US6028772A (en) * 1998-08-13 2000-02-22 Lucent Technologies Inc. Electronic assembly having improved resistance to delamination
US6460753B1 (en) * 2000-11-01 2002-10-08 Lucent Technologies Inc. Bi-material assembly adhesively bonded at the ends and fabrication method
US20030116273A1 (en) * 2001-10-01 2003-06-26 Koichiro Nakamura Method of bonding an optical part
KR101169371B1 (ko) 2002-10-30 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
US20040191564A1 (en) * 2002-12-17 2004-09-30 Samsung Sdi Co., Ltd. Donor film for low molecular weight full color organic electroluminescent device using laser induced thermal imaging method and method for fabricating low molecular weight full color organic electroluminescent device using the film
KR100611156B1 (ko) * 2003-11-29 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자
KR100579174B1 (ko) * 2003-12-22 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 필름 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자
US8545962B2 (en) * 2006-08-07 2013-10-01 Paradigm Energy Research Corporation Nano-fiber arrayed surfaces
CN102137906A (zh) * 2008-08-27 2011-07-27 日立化成工业株式会社 两面粘接膜和使用了该两面粘接膜的电子部件模块
GB0904582D0 (en) * 2008-09-24 2009-04-29 Lumina Adhesives Switchable adhesives
CN102598235B (zh) * 2009-09-30 2014-12-03 积水化学工业株式会社 半导体接合用粘接剂、半导体接合用粘接膜、半导体芯片的安装方法及半导体装置
US20120248634A1 (en) * 2009-11-13 2012-10-04 Kazuyuki Mitsukura Method for manufacturing film-like adhesive, adhesive sheet, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP5775826B2 (ja) * 2010-01-13 2015-09-09 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーン系再剥離性粘着剤組成物、該組成物を硬化させてなる再剥離粘着層を有するシート状基材、その保護フィルムまたは固定シートとしての使用
JP5651344B2 (ja) * 2010-02-04 2015-01-14 日東電工株式会社 熱伝導性両面粘着シート
JP4846067B2 (ja) * 2010-03-24 2011-12-28 積水化学工業株式会社 半導体ウエハの処理方法及びｔｓｖウエハの製造方法
US20130041093A1 (en) * 2010-05-19 2013-02-14 Nitto Denko Corporation Thermally conductive adhesive sheet
KR101804195B1 (ko) 2010-07-28 2017-12-04 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 유리 필름 적층체
KR20120104450A (ko) * 2011-03-08 2012-09-21 (주)엘지하우시스 웨이퍼 가공 필름용 점착제 조성물
JP2012215737A (ja) 2011-04-01 2012-11-08 Sony Corp 電子デバイスおよび表示装置の製造方法
CN103608902B (zh) * 2011-06-27 2016-05-11 电化株式会社 粘合片
WO2013047435A1 (ja) * 2011-09-29 2013-04-04 日産化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物
JP6023538B2 (ja) * 2011-10-19 2016-11-09 日東電工株式会社 再剥離用水分散型アクリル系粘着剤組成物及び粘着シート
JP6250265B2 (ja) * 2012-03-16 2017-12-20 リンテック株式会社 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5917215B2 (ja) * 2012-03-16 2016-05-11 リンテック株式会社 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
FR2995441B1 (fr) * 2012-09-07 2015-11-06 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de separation de deux substrats
FR2995445B1 (fr) * 2012-09-07 2016-01-08 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une structure en vue d'une separation ulterieure
FR2995447B1 (fr) * 2012-09-07 2014-09-05 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation d'au moins deux substrats selon une interface choisie
TWI707758B (zh) * 2014-03-07 2020-10-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 脫模膜、其製造方法及半導體封裝件之製造方法
SG10202000399YA (en) * 2014-08-08 2020-03-30 Toray Industries Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, method for manufacturing wafer work piece and semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition
CA2958582A1 (en) * 2014-08-20 2016-02-25 Kuraray Co., Ltd. Acrylic pressure-sensitive adhesive compositions and pressure-sensitive adhesive products
EP3252090B1 (en) * 2015-01-27 2019-08-14 Kuraray Co., Ltd. Acrylic block copolymer and adhesive composition

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012131664A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスフィルム積層体
JP2013035159A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Dainippon Printing Co Ltd ガラスフィルム積層体、ガラスフィルム積層体ロール、カラーフィルタ用画素付ガラスフィルム積層体およびガラスフィルム積層体の製造方法
JP2013237159A (ja) * 2012-05-11 2013-11-28 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスフィルム積層体及びその製造方法
JP2014008697A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Dainippon Printing Co Ltd ガラスフィルム積層体
JP2014019597A (ja) * 2012-07-17 2014-02-03 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスフィルムの製造方法及びガラスフィルム積層体

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019522809A (ja) * 2016-05-16 2019-08-15 ダウ シリコーンズ コーポレーション 表示デバイス基板処理のための、シルセスキオキサンポリマー及びシランのうち少なくとも１つを含む接着剥離層
CN107482133A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 株式会社迪恩士先端贴合科技 由载体基板与树脂层构成的工件的分离方法以及分离装置
CN107591090A (zh) * 2016-07-06 2018-01-16 三星显示有限公司 可卷曲显示装置及可卷曲装置
CN109949702A (zh) * 2019-03-25 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置及其制作方法
CN109949702B (zh) * 2019-03-25 2024-01-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10008670B2 (en) 2018-06-26
JPWO2015152158A1 (ja) 2017-04-13
US20170012202A1 (en) 2017-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015152158A1 (ja) 積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法
US11360517B2 (en) Flexible display apparatus
CN106796769B (zh) 显示装置
KR102400871B1 (ko) 플렉서블 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20240127930A (ko) 전자 기기
KR102762470B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치
US12010887B2 (en) Semiconductor unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP6826881B2 (ja) 保護部材、表示装置および表示装置の製造方法
CN104465700B (zh) 显示装置及其制造方法
KR102348956B1 (ko) 플렉서블 표시패널을 이용한 멀티비젼 표시장치
CN105321978A (zh) 柔性显示装置及其制造方法
KR102670077B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US20130308076A1 (en) Flexible display and method for manufacturing the same
TW201801308A (zh) 可撓式顯示裝置
WO2019049275A1 (ja) 表示装置の製造方法
WO2021022405A1 (zh) 显示装置和显示装置的制造方法
KR101951366B1 (ko) 플렉서블 유기발광다이오드 표시소자 및 연성 회로기판의 본딩방법
KR102213438B1 (ko) 플렉서블 표시장치의 제조방법
CN111741599A (zh) 电路板和制造该电路板的方法
JP2010107935A (ja) 平板表示装置及びその製造方法
US20210202853A1 (en) Display apparatus
JP2012226013A (ja) 電子デバイスおよび表示装置の製造方法
CN217983300U (zh) 用于制造显示装置的设备
CN110097852B (zh) 环形显示面板及其制造方法、环形显示装置
JP2012215737A (ja) 電子デバイスおよび表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15774257

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016511884

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase
122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15774257

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1