JP6331969B2 - 電子デバイス組立体の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、電子デバイス組立体及び保護部材に関する。

可撓性を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）は、模式的な断面図を図６に示すように、可撓性を有する第１樹脂基板２１上に、水分の侵入を防ぐ無機材料から成る第１バリア層２２が形成され、第１バリア層２２上にＴＦＴ層３０が形成され、ＴＦＴ層３０上に発光素子部（有機ＥＬ素子部）４０が形成されている。そして、発光素子部４０は、水分の侵入を防ぐ封止樹脂層２４によって覆われており、封止樹脂層２４上には、無機材料から成る第２バリア層２６が設けられ、第２バリア層２６は、可撓性を有する第２樹脂基板２７によって覆われている。

しかしながら、このような構造では、第１バリア層２２の形成時に欠陥（例えば、ピンホール）が発生し、水分の侵入を防ぐことが困難となる場合があるし、また、外力が加わったとき、第１バリア層２２にクラックが発生するといった問題を有する。

このような問題を解決する構造を有する有機ＥＬ表示装置が、特開２０１１−０９７００７に開示されている。即ち、この特許公開公報に開示された有機ＥＬ表示装置は、
（Ａ）金属箔、金属箔上に形成されたポリイミドを含む平坦化層、及び、平坦化層上に形成された無機化合物を含む密着層を有するフレキシブルデバイス用基板と、
（Ｂ）フレキシブルデバイス用基板の密着層上に形成された背面電極層及び薄膜トランジスタと、
（Ｃ）背面電極層上に形成され、少なくとも有機発光層を含むエレクトロルミネッセンス層と、
（Ｄ）エレクトロルミネッセンス層上に形成された透明電極層、
とを有する。

特開２０１１−０９７００７

この特許公開公報に開示された有機ＥＬ表示装置は、フレキシブルデバイス用基板の密着層上に薄膜トランジスタを形成する。ところで、薄膜トランジスタを形成するプロセスにおいては、フレキシブルデバイス用基板が高温に晒される。その結果、フレキシブルデバイス用基板に伸縮が生じたり、反りが生じ、最終的に得られる有機ＥＬ表示装置の平坦性が損なわれるといった問題があるし、フレキシブルデバイス用基板を構成する材料の選択幅が狭いといった問題もある。尚、このような製造プロセスに起因して平坦性が損なわれるといった問題、材料の選択幅が狭いといった問題は、有機ＥＬ表示装置に特有の問題ではなく、種々の電子デバイス組立体における問題でもある。

従って、本開示の目的は、製造プロセスに起因して平坦性が損なわれることが無く、また、材料の選択幅を広げ得る構成、構造を有する電子デバイス組立体及び保護部材を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の電子デバイス組立体は、
可撓性を有する電子デバイス、及び、
電子デバイスに貼り付けられた保護部材、
から成り、
保護部材は、可撓性を有する支持部材によって支持された金属箔、及び、金属箔上に形成された接着剤層から成り、
保護部材を構成する金属箔は、接着剤層を介して電子デバイスに貼り付けられている。

上記の目的を達成するための本開示の保護部材は、
可撓性を有する支持部材によって支持された金属箔、及び、
金属箔上に形成された接着剤層、
から成る。

本開示の電子デバイス組立体にあっては、接着剤層を介して、保護部材を構成する金属箔が電子デバイスに貼り付けられている。また、本開示の保護部材にあっては、接着剤層を介して保護部材を構成する金属箔を電子デバイスに貼り付けることができる。即ち、電子デバイスを製造した後、保護部材を構成する金属箔を電子デバイスに貼り付けるので、保護部材が高温に晒されることが無い。それ故、保護部材に伸縮が生じたり、反りが生じることが無く、最終的に得られる電子デバイス組立体の平坦性が損なわれるといった問題が生じることが無く、高い信頼性を有する電子デバイス組立体を提供することができる。また、保護部材が高温に晒されることが無いので、保護部材を構成する材料の選択幅を広げることができる。しかも、保護部材を金属箔と支持部材の積層構造とすることで、金属箔に皺が発生することを確実に防止することができるし、電子デバイスへの水分の侵入を確実に防止することができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。

図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、実施例１の電子デバイス組立体の断面を示す概念図、及び、電子デバイスの一部の模式的な一部断面図である。 図２は、実施例１の電子デバイス組立体における電子デバイスの模式的な一部断面図である。 図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃは、実施例１の電子デバイス組立体の製造工程を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図４Ａ及び図４Ｂは、図３Ｃに引き続き、実施例１の電子デバイス組立体の製造工程を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図５は、図４Ｂに引き続き、実施例１の電子デバイス組立体の製造工程を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図６は、可撓性を有する従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面を示す概念図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の電子デバイス組立体及び保護部材、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の電子デバイス組立体及び保護部材）
３．その他

〈本開示の電子デバイス組立体及び保護部材、全般に関する説明〉
本開示の電子デバイス組立体あるいは保護部材において、金属箔は、第２の接着剤層によって支持部材に貼り合わされている形態とすることができる。そして、この場合、第２の接着剤層は、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂及びゴム系樹脂から成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂から成る形態とすることができる。第２の接着剤層の厚さとして、１×１０^-5ｍ乃至１×１０^-3ｍを例示することができる。但し、このような形態に限定するものではなく、金属箔が支持部材上に、直接、形成されている形態（例えば、金属箔が支持部材上にメッキ法やＰＶＤ法、ＣＶＤ法に基づき、直接、形成されている形態）とすることもできる。

上記の好ましい形態を含む本開示の電子デバイス組立体あるいは保護部材において、金属箔は、アルミニウム箔（アルミニウム合金箔を含む）、銅箔（銅合金箔を含む）、ニッケル箔（ニッケル合金箔を含む）、チタン箔（チタン合金箔を含む）、モリブデン箔（モリブデン合金箔を含む）、ステンレス鋼箔、又は、鉄−ニッケル合金箔（４２アロイ箔）から成る形態とすることができる。そして、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の電子デバイス組立体あるいは保護部材において、電子デバイスへの水分の侵入を確実に防ぐために、金属箔にはピンホールが存在しないことが好ましい。更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の電子デバイス組立体あるいは保護部材において、金属箔は１５μｍ以上の厚さを有する形態とすることができ、これによって、金属箔にピンホールが存在しなくなる可能性を高めることができる。金属箔の厚さの上限値として５０μｍを例示することができるが、これに限定するものではない。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の電子デバイス組立体あるいは保護部材において、支持部材は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）フィルム、ポリカーボネート（ＰＣ）フィルム、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム及びフッ素樹脂フィルムから成る群から選択された１種類の樹脂フィルムから成る形態とすることができる。支持部材の厚さとして、５×１０^-5ｍ乃至１×１０^-3ｍを例示することができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の電子デバイス組立体あるいは保護部材において、接着剤層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂及びゴム系樹脂から成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂から成る形態とすることができる。接着剤層の厚さとして、１×１０^-5ｍ乃至１×１０^-3ｍを例示することができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の電子デバイス組立体において、
電子デバイスはＴＦＴ層（薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された層）を備えており、
保護部材は、電子デバイスのＴＦＴ層側に貼り付けられている構成とすることができる。

あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の電子デバイス組立体において、
電子デバイスは、光を出射する第１面、及び、第１面に対向した第２面を有しており、
保護部材は、電子デバイスの第２面に貼り付けられている構成とすることができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の電子デバイス組立体において、電子デバイスは、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から成る構成とすることができ、あるいは又、電子デバイスは、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰにおける画像表示装置、又は、照明装置である構成とすることができる。

電子デバイスを有機ＥＬ表示装置から構成する場合、有機ＥＬ表示装置は、
（Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子部が、複数、形成された第１基板、並びに、
（Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
を具備し、
第１基板上には、第１バリア層が形成され、第１バリア層上にＴＦＴ層が形成され、ＴＦＴ層上に発光素子部が形成されており、
第１基板と対向する第２基板の面には第２バリア層が形成されており、
発光素子部と第２バリア層とは封止樹脂層を介して接着されている構成とすることができる。ここで、各発光素子部からの光は第２基板を介して外部に出射される。

第１バリア層上には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されており、ＴＦＴは層間絶縁層で覆われている。ＴＦＴ及び層間絶縁層の全体をＴＦＴ層と呼ぶ。層間絶縁層上には第１電極及び絶縁層が形成されており、絶縁層には、底部に第１電極が露出した開口部が設けられている。ＴＦＴと第１電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトプラグを介して、電気的に接続されている。また、開口部の底部に露出した第１電極から絶縁層上に亙り、発光部が形成されている。発光部はパターニングしなくともよい。

第１基板を構成する材料として、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有し、以下においても同様である）を挙げることができる。第２基板を構成する材料として、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）に例示される有機ポリマーを挙げることができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、第２基板は、発光素子部が出射する光に対して透明であることが要求される。

光反射電極とも呼ばれる第１電極を構成する材料（光反射材料）として、第１電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３質量％乃至１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｎｄ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。第１電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、第１電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。

半光透過電極とも呼ばれる第２電極を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）との合金［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）］、マグネシウムとカルシウムとの合金（Ｍｇ−Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ−Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１〜３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１〜１０：１を例示することができる。第２電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、第２電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０^-8ｍ乃至１×１０^-6ｍ）との積層構造とすることもできる。積層構造とした場合、上述した材料層の厚さを１ｎｍ乃至４ｎｍと薄くすることもできる。また、透明電極のみで構成することも可能である。あるいは又、第２電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、第２電極全体として低抵抗化を図ってもよい。一方、第２電極をアノード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。

第１電極の平均光反射率は５０％以上、好ましくは８０％以上であり、第２電極の平均光透過率は５０％乃至９０％、好ましくは６０％乃至９０％であることが望ましい。

第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。また、有機層の形成からこれらの電極の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による有機層の劣化を防止するといった観点から好ましい。場合によっては、第２電極はパターニングしなくともよい。

前述したとおり、第１電極は層間絶縁層上に設けられている。層間絶縁層は、第１基板上に形成された発光素子部駆動部を覆っている。発光素子部駆動部は、１又は複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されており、ＴＦＴと第１電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトプラグを介して電気的に接続されている。

層間絶縁層や絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ₂、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド系樹脂やノボラック系樹脂、アクリル系樹脂、ポリベンゾオキサゾール等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。層間絶縁層や絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。

第１バリア層や第２バリア層を構成する材料として、緻密で、水分を透過させない材料を用いることが好ましく、具体的には、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−ＳｉＮ_X）、アモルファス酸化シリコン（α−ＳｉＯ_Y）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）、アモルファス酸化・窒化シリコン（α−ＳｉＯＮ）、Ａｌ₂Ｏ₃を挙げることができる。

封止樹脂層（封止材料層）を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。

封止樹脂層と発光部に間には、例えば、酸化珪素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコーン系ポリマーから成る保護膜を形成してもよい。保護膜は、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、アトミックレイヤーデポジション（ＡＬＤ）法、ＣＶＤ法、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。

保護膜には光吸収層が設けられている構成とすることができる。光吸収層を設けることで有機ＥＬ表示装置のコントラストの向上を図ることができる。光吸収層を構成する材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金から成る薄膜）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、有機樹脂、黒色顔料等を含有するガラスペースト、カーボンブラック等の黒色顔料や黒色染料を含む各種樹脂を挙げることができる。具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。

更には、有機ＥＬ表示装置において、第２基板にはカラーフィルターが備えられている構成とすることができる。表示装置をカラー表示装置とする場合、１つの画素は、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３つの副画素、あるいは、４つ以上の副画素から構成される。このようなカラー表示装置にあっては、赤色発光副画素を赤色光を発光する発光素子部から構成し、緑色発光副画素を緑色光を発光する発光素子部から構成し、青色発光副画素を青色光を発光する発光素子部から構成してもよい。あるいは又、第２基板にはカラーフィルターが備えられている構成とし、発光素子部は白色光を発光する構成とし、各色発光副画素を、白色光を発光する発光素子部とカラーフィルターとの組合せから構成してもよい。第２基板は遮光膜（ブラックマトリクス）を備えている構成としてもよい。

有機ＥＬ表示装置において、１つの発光素子部によって１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、又は、レクタングル配列を挙げることができる。また、複数の発光素子部が集合して１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列を挙げることができる。１つの画素（あるいは副画素）を構成する発光素子部の数として、１乃至１０００を例示することができる。

有機ＥＬ表示装置をカラー表示の有機ＥＬ表示装置としたとき、有機ＥＬ表示装置を構成する発光素子部のそれぞれによって、上述したとおり、副画素が構成される。ここで、１画素は、上述したとおり、例えば、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。従って、この場合、有機ＥＬ表示装置を構成する発光素子部の数をＮ×Ｍ個とした場合、画素数は（Ｎ×Ｍ）／３である。有機ＥＬ表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニター装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニター装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダー（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、本開示における電子デバイスとして、その他、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む照明装置を挙げることができる。

有機層は、発光層（例えば、有機発光材料から成る発光層）を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造等を「タンデムユニット」とする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、接続層、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよく、これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層を得ることができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。

実施例１は、本開示の電子デバイス組立体及び保護部材に関する。実施例１の電子デバイス組立体の断面を示す概念図を図１Ａに示し、電子デバイスの一部の模式的な一部断面図を図１Ｂに示す。

実施例１の電子デバイス組立体１０は、
可撓性を有する電子デバイス２０、及び、
電子デバイス２０に貼り付けられた保護部材５０、
から成り、
保護部材５０は、可撓性を有する支持部材５１によって支持された金属箔５３、及び、金属箔５３上に形成された接着剤層５４から成り、
保護部材５０を構成する金属箔５３は、接着剤層５４を介して電子デバイス２０に貼り付けられている。

また、実施例１の保護部材５０は、
可撓性を有する支持部材５１によって支持された金属箔５３、及び、
金属箔５３上に形成された接着剤層５４、
から成る。

ここで、実施例１の電子デバイス組立体１０あるいは保護部材５０において、金属箔５３は、第２の接着剤層５２によって支持部材５１に貼り合わされている。

第２の接着剤層５２は、例えば、厚さ２５μｍのアクリル系樹脂から成る。また、金属箔５３は、厚さ１５μｍのアルミニウム箔から成る。尚、金属箔５３にはピンホールが存在しない。支持部材５１は、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムから成る。接着剤層５４は、厚さ２５μｍのアクリル系樹脂あるいはエポキシ系樹脂から成る。

そして、実施例１の電子デバイス組立体１０において、電子デバイス２０はＴＦＴ層３０を備えており、保護部材５０は、電子デバイス２０のＴＦＴ層側に貼り付けられている。あるいは又、電子デバイス２０は、光を出射する第１面２０Ａ、及び、第１面２０Ａに対向した第２面２０Ｂを有しており、保護部材５０は、電子デバイス２０の第２面２０Ｂに貼り付けられている。

電子デバイス２０は、具体的には、有機ＥＬ表示装置から成る。ここで、有機ＥＬ表示装置は、電子デバイス２０の第２面側から、ポリイミドフィルムから成る第１基板２１、α−ＳｉＮ_Xから成る第１バリア層２２、ＴＦＴ層３０、発光素子部（有機ＥＬ素子部）４０、ＳｉＮから成る保護膜２３、エポキシ系樹脂から成る封止樹脂層２４、α−ＳｉＮ_Xから成る第２バリア層２６、ＰＥＴフィルムから成る第２基板２７が積層された構造を有する。具体的には、第１基板２１上に形成された第１バリア層２２の上にはＴＦＴ層３０が形成されており、ＴＦＴ層３０上に発光素子部４０が形成されている。第１基板２１と対向する第２基板２７の面には第２バリア層２６が形成されており、発光素子部４０と第２バリア層２６とは、保護膜２３及び封止樹脂層２４を介して、封止樹脂層２４によって接着されている。封止樹脂層２４と対向する第２バリア層２６の上には、カラーフィルター２５が形成されている。発光素子部４０は、２次元マトリクス状に、複数、配列されている。

ここで、実施例１の有機ＥＬ表示装置における各発光素子部（有機ＥＬ素子部）４０は、より具体的には、
（ａ）第１電極４１、
（ｂ）開口部４５を有し、開口部４５の底部に第１電極４１が露出した絶縁層４４、
（ｃ）開口部４５の底部に露出した第１電極４１の部分の上に少なくとも設けられ、例えば有機発光材料から成る発光層４３Ａを備えた有機層４３、及び、
（ｄ）有機層４３上に形成された第２電極４２、
を具備している。有機層４３は、例えば、正孔注入層及び正孔輸送層４３Ｂ、発光層４３Ａ並びに電子輸送層４３Ｃの積層構造から構成されているが、図面では１層で表す場合がある。そして、各発光素子部４０からの光は、上部電極に相当する第２電極４２、第２基板２７を介して、電子デバイスの第１面２０Ａから外部に出射される。尚、図１Ｂ、図２においては、図面の簡素化のために、１層の有機層４３を示しているが、実際には、複数の有機層が積層されており、複数段のタンデム構造を有する。

実施例１の有機ＥＬ表示装置は、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（ＨＭＤ）に適用される、高精細表示装置であり、あるいは又、例えば、テレビジョン受像機といった大型の有機ＥＬ表示装置である。

実施例１の有機ＥＬ表示装置は、発光素子部４０を、複数、有する。具体的には、画素数は、例えば、２０４８×１２３６であり、１つの発光素子部４０は１つの副画素を構成し、発光素子部４０は画素数の３倍である。そして、アクティブマトリックス型のカラー表示の有機ＥＬ表示装置である。

１つの画素は、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、青色を発光する青色発光副画素の３つの副画素から構成されている。また、第２基板２７はカラーフィルター２５を備えており、発光素子部４０は白色光を発光し、各色発光副画素は、白色光を発光する発光素子部４０とカラーフィルター２５との組合せから構成されている。カラーフィルター２５は、通過光が赤色となる領域、緑色となる領域、青色となる領域から構成されている。カラーフィルター２５とカラーフィルター２５との間に、遮光膜（ブラックマトリクス）を備えていてもよい。

実施例１において、各発光素子部は、３つのタンデムユニットが積層された３段のタンデム構造を有しており、各タンデムユニットにおける有機層４３は、具体的には、以下に例示する赤色発光有機層、緑色発光有機層及び青色発光有機層から構成されている。但し、これらに限定するものではない。

具体的には、赤色発光有機層は、第１電極側から、
［正孔注入層］（厚さ１０ｎｍ） ：ＬＧケミカル社製 ＬＧＨＩＬ
［正孔輸送層］（厚さ２６ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＨＴ３２０
［発光層］ （厚さ５０ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＲＨ００１ 及び
東レ株式会社製 Ｄ１２５（０．５％ドープ）
［電子輸送層］（厚さ２２０ｎｍ）：出光興産株式会社製 ＥＴ０８５
から構成されている。

また、緑色発光有機層は、第１電極側から、
［正孔注入層］（厚さ１０ｎｍ） ：ＬＧケミカル社製 ＬＧＨＩＬ
［正孔輸送層］（厚さ３５ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＨＴ３２０
［発光層］ （厚さ３０ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＢＨ２３２ 及び
ＧＤ２０６（１０％ドープ）
［電子輸送層］（厚さ１７５ｎｍ）：出光興産株式会社製 ＥＴＳ０８５
から構成されている。

更には、青色発光有機層は、第１電極側から、
［正孔注入層］（厚さ１０ｎｍ） ：ＬＧケミカル社製 ＬＧＨＩＬ
［正孔輸送層］（厚さ２４ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＨＴ３２０
［発光層］ （厚さ３０ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＢＨ２３２ 及び
ＢＤ２１８（１０％ドープ）
［電子輸送層］（厚さ１４１ｎｍ）：出光興産株式会社製 ＥＴ０８５
から構成されている。

実施例１においては、第１電極４１をアノード電極として用い、第２電極４２をカソード電極として用いる。第１電極４１は、光反射材料、具体的には、Ａｌ−Ｎｄ合金から成り、第２電極４２は、半光透過材料、具体的には、マグネシウム（Ｍｇ）を含む導電材料、より具体的には、厚さ１０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金から成る。第１電極４１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。また、第２電極４２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングはされていない。

実施例１において、発光素子部４０を構成する第１電極４１は、ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯＮから成る層間絶縁層３５（より具体的には、上層層間絶縁層３５Ｂ）上に設けられている。そして、この層間絶縁層３５は、第１基板２１の上方に形成された発光素子部駆動部を覆っている。発光素子部駆動部は、複数のＴＦＴから構成されており、ＴＦＴと第１電極４１とは、層間絶縁層３５に設けられたコンタクトプラグ３８、接続部３７、コンタクトプラグ３７Ａを介して電気的に接続されている。尚、図面においては、１つの発光素子部駆動部につき、１つのＴＦＴを図示した。ＴＦＴは、第１バリア層２２上に形成されたゲート電極３１、第１バリア層２２及びゲート電極３１上に形成されたゲート絶縁膜３２、ゲート絶縁膜３２上に形成された半導体層に設けられたソース／ドレイン領域３３、並びに、ソース／ドレイン領域３３の間であって、ゲート電極３１の上方に位置する半導体層の部分が相当するチャネル形成領域３４から構成されている。尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。ＴＦＴのゲート電極３１は、走査回路（図示せず）に接続されている。ＴＦＴ及び層間絶縁層３５からＴＦＴ層３０が構成されている。

以下、実施例１の有機ＥＬ表示装置の製造方法の概要を、第１基板等の模式的な一部端面図である図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図４Ａ、図４Ｂ及び図５を参照して説明する。尚、これらの図面においては、第１バリア層２２や製造用基板の図示を省略している。

［工程−１００］
先ず、第１基板２１の一方の面上に第１バリア層２２が形成され、第１基板２１の他方の面が製造用基板に貼り合わされた第１基板２１を準備する。そして、第１バリア層２２上に、副画素毎にＴＦＴを周知の方法で作製する。ＴＦＴは、第１バリア層２２上に形成されたゲート電極３１、第１バリア層２２及びゲート電極３１上に形成されたゲート絶縁膜３２、ソース／ドレイン領域３３、並びに、チャネル形成領域３４から構成されている。次に、全面に、ＳｉＯ₂から成る下層層間絶縁層３５ＡをＣＶＤ法にて成膜した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、下層層間絶縁層３５Ａに開口３５’を形成する（図３Ａ参照）。

［工程−１１０］
次いで、下層層間絶縁層３５Ａ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、アルミニウムから成る配線３６、接続部３７を形成する。尚、配線３６は、開口３５’内に設けられたコンタクトプラグ３６Ａを介して、ＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域３３に電気的に接続されている。配線３６は、信号供給回路（図示せず）に接続されている。接続部３７は、開口３５’内に設けられたコンタクトプラグ３７Ａを介して、ＴＦＴの他方のソース／ドレイン領域３３に電気的に接続されている。そして、全面にＳｉＯ₂から成る上層層間絶縁層３５ＢをＣＶＤ法にて成膜する。次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、上層層間絶縁層３５Ｂ上に開口３８’を形成する（図３Ｂ参照）。

［工程−１２０］
その後、上層層間絶縁層３５Ｂ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、Ａｌ−Ｎｄ合金から成る第１電極４１を形成する（図３Ｃ参照）。尚、第１電極４１は、開口３８’内に設けられたコンタクトプラグ３８を介して、接続部３７に接続されている。

［工程−１３０］
次いで、絶縁層４４を形成する。具体的には、全面に、絶縁層４４を形成し、絶縁層４４上にレジスト材料層４４Ａを形成する。次いで、レジスト材料層４４Ａを露光、現像することで、レジスト材料層４４Ａに開口４４Ｂを形成する（図４Ａ参照）。その後、ＲＩＥ法に基づき、レジスト材料層４４Ａ及び絶縁層４４をエッチングすることで、テーパー形状を絶縁層４４に付与し（図４Ｂ参照）、最終的に、開口部４５の斜面が傾斜した絶縁層４４を得ることができる（図５参照）。開口部４５は、切頭円錐形の形状を有する。尚、エッチング条件の制御によってテーパー形状を絶縁層４４に付与することができる。但し、絶縁層４４の形成方法は、このような形成方法に限定されず、例えば、全面に、アクリル系樹脂あるいはポリイミド系樹脂から成る絶縁層を成膜した後、フォトリソグラフィ技術及びウェットエッチング技術に基づき図５に示す絶縁層４４を形成してもよい。

［工程−１４０］
次に、開口部４５の底部に露出した第１電極４１の部分の上を含む絶縁層４４上に（即ち、全面に）、有機層４３を形成する。尚、有機層４３は、例えば、有機材料から成る正孔注入層及び正孔輸送層４３Ｂ、発光層４３Ａ並びに電子輸送層４３Ｃが順次積層されている。有機層４３は、抵抗加熱に基づき、有機材料を真空蒸着することで得ることができる。

［工程−１５０］
その後、表示領域の全面に第２電極４２を形成する。第２電極４２は、Ｎ×Ｍ個の発光素子部４０を構成する有機層４３の全面を覆っている。第２電極４２は、絶縁層４４及び有機層４３によって第１電極４１とは絶縁されている。第２電極４２は、有機層４３に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき形成されている。また、有機層４３を大気に暴露することなく、有機層４３の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して第２電極４２の形成を行うことで、大気中の水分や酸素による有機層４３の劣化を防止することができる。具体的には、Ｍｇ−Ａｇ（体積比１０：１）の共蒸着膜を厚さ１０ｎｍ成膜することで、第２電極４２を得ることができる。

［工程−１６０］
次いで、全面に（具体的には第２電極４２上に）、窒化シリコン（α−ＳｉＮ_X）から成る絶縁性の保護膜２３を真空蒸着法に基づき形成する。

［工程−１７０］
その後、第２バリア層２６及びカラーフィルター２５が形成された第２基板２７と、保護膜２３が形成された第１基板２１とを、封止樹脂層（封止材料層）２４を用いて接着する。そして、製造用基板を剥がし、電子デバイス２０の第２面２０Ｂを露出させ、ロール・ツー・ロール方式に基づき、ローラーを用いて接着剤層５４を介して保護部材５０を電子デバイス２０の第２面２０Ｂに貼り付け（圧着し）、接着剤層５４を熱硬化させる。次に、電子デバイス組立体１０を所望の大きさに切断する。そして、外部回路との接続を行うことで、有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。

以上によって得られた実施例１の電子デバイス組立体を、６０゜Ｃ、相対湿度９０％の環境中に５００時間、放置する保存試験を行った。また、保護部材を貼り付けていないことを除き、実施例１の電子デバイスと同様に方法で作製した電子デバイスを比較例１として、同様の保存試験を行った。その結果、比較例１にあっては、水分の侵入に起因して多数の発光素子部に黒い染みが発生したが、実施例１の電子デバイス組立体にあっては、黒い染みの発生は皆無であった。また、比較例１の電子デバイスの第２面に金属箔を貼り合わせたところ、支持部材が無いため、金属箔に皺が発生した。一方、実施例１の電子デバイス組立体にあっては、金属箔に皺が発生することは無かった。

実施例１の電子デバイス組立体にあっては、接着剤層を介して、保護部材を構成する金属箔が電子デバイスに貼り付けられている。また、実施例１の保護部材にあっては、接着剤層を介して保護部材を構成する金属箔を電子デバイスに貼り付けることができる。即ち、電子デバイスを製造した後、保護部材を構成する金属箔を電子デバイスに貼り付けるので、保護部材が高温に晒されることが無い。それ故、保護部材に伸縮が生じたり、反りが生じることが無く、最終的に得られる電子デバイス組立体の平坦性が損なわれるといった問題が生じることが無く、高い信頼性を有する電子デバイス組立体を提供することができる。また、保護部材が高温に晒されることが無いので、保護部材を構成する材料の選択幅を広げることができる。即ち、例えば、高い耐熱性を有するプラスチック・フィルムから支持部材を構成する必要が無くなる。更には、金属箔が電子デバイスに貼り付けられているので、電子デバイスにおいて発生した熱が均一に拡散し、電子デバイス内の温度分布の均一化を得ることができるし、異物によって電子デバイスに損傷が生じることを保護部材によって防ぐことができる。しかも、バリア層の損傷発生を防止することができるので、電子デバイス組立体の有する可撓性を十分に発揮させることができ、曲面への活用、繰り返しの曲げに耐え得る電子デバイス組立体を提供することができる。また、保護部材は金属箔と支持部材の少なくとも２層構造を有するので、所謂迷路効果によって電子デバイスへの水分の侵入を確実に防止することができるし、金属箔に皺や損傷が発生することを確実に防止することができる。しかも、保護部材は薄い金属箔と薄い支持部材の積層構造を有するので、電子デバイス組立体を所望の大きさに容易に切断することができるし、容易に個別化することができるので生産性が高く、しかも、軽量化を図ることができるし、可撓性が損なわれることもない。

以上、好ましい実施例に基づき本開示を説明したが、本開示はこの実施例に限定されるものではない。実施例における電子デバイスに相当する有機ＥＬ表示装置や発光素子部（有機ＥＬ素子部）、電子デバイス組立体の構成、構造、これらを構成する材料等は例示であり、適宜変更することができる。電子デバイスは、その他、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰにおける画像表示装置、照明装置から構成することもできる。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《電子デバイス組立体》
可撓性を有する電子デバイス、及び、
電子デバイスに貼り付けられた保護部材、
から成る電子デバイス組立体であって、
保護部材は、可撓性を有する支持部材によって支持された金属箔、及び、金属箔上に形成された接着剤層から成り、
保護部材を構成する金属箔は、接着剤層を介して電子デバイスに貼り付けられている電子デバイス組立体。
［Ａ０２］金属箔は、第２の接着剤層によって支持部材に貼り合わされている［Ａ０１］に記載の電子デバイス組立体。
［Ａ０３］第２の接着剤層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂及びゴム系樹脂から成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂から成る［Ａ０２］に記載の電子デバイス組立体。
［Ａ０４］金属箔は、アルミニウム箔、銅箔、ニッケル箔、チタン箔、モリブデン箔、ステンレス鋼箔、又は、鉄−ニッケル合金箔から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体。
［Ａ０５］金属箔にはピンホールが存在しない［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体。
［Ａ０６］金属箔は１５μｍ以上の厚さを有する［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体。
［Ａ０７］支持部材は、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリメタクリル酸メチル樹脂フィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロースフィルム、ポリイミドフィルム及びフッ素樹脂フィルムから成る群から選択された１種類の樹脂フィルムから成る［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体。
［Ａ０８］接着剤層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂及びゴム系樹脂から成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体。
［Ａ０９］電子デバイスはＴＦＴ層を備えており、
保護部材は、電子デバイスのＴＦＴ層側に貼り付けられている［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体。
［Ａ１０］電子デバイスは、光を出射する第１面、及び、第１面に対向した第２面を有しており、
保護部材は、電子デバイスの第２面に貼り付けられている［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体。
［Ａ１１］電子デバイスは、有機エレクトロルミネッセンス表示装置から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体。
［Ｂ０１］《保護部材》
可撓性を有する支持部材によって支持された金属箔、及び、
金属箔上に形成された接着剤層、
から成る保護部材。
［Ｂ０２］金属箔は、第２の接着剤層によって支持部材に貼り合わされている［Ｂ０１］に記載の保護部材。
［Ｂ０３］第２の接着剤層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂及びゴム系樹脂から成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂から成る［Ｂ０２］に記載の保護部材。
［Ｂ０４］金属箔は、アルミニウム箔、銅箔、ニッケル箔、チタン箔、モリブデン箔、ステンレス鋼箔、又は、鉄−ニッケル合金箔から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の保護部材。
［Ｂ０５］金属箔にはピンホールが存在しない［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の保護部材。
［Ｂ０６］金属箔は１５μｍ以上の厚さを有する［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の保護部材。
［Ｂ０７］支持部材は、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリメタクリル酸メチル樹脂フィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロースフィルム、ポリイミドフィルム及びフッ素樹脂フィルムから成る群から選択された１種類の樹脂フィルムから成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ０６］のいずれか１項に記載の保護部材。
［Ｂ０８］接着剤層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂及びゴム系樹脂から成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の保護部材。

１０・・・電子デバイス組立体、２０・・・電子デバイス、２０Ａ・・・電子デバイスの第１面、２０Ｂ・・・電子デバイスの第２面、２１・・・第１基板、２２・・・第１バリア層、２３・・・保護膜、２４・・・封止樹脂層、２５・・・カラーフィルター、２６・・・第２バリア層、２７・・・第２基板、３０・・・ＴＦＴ層、３１・・・ゲート電極、３２・・・ゲート絶縁膜、３３・・・ソース／ドレイン領域、３４・・・チャネル形成領域、３５・・・層間絶縁層、３５Ａ・・・下層層間絶縁層、３５Ｂ・・・上層層間絶縁層、３５’，３８’・・・開口、３６Ａ，３７Ａ，３８・・・コンタクトプラグ、３７・・・接続部、４０・・・発光素子部（有機ＥＬ素子部）、４１・・・第１電極、４２・・・第２電極、４３・・・有機層、４３Ａ・・・発光層４３Ａ、４３Ｂ・・・正孔注入層及び正孔輸送層、４３Ｃ・・・電子輸送層、４４・・・絶縁層、４４Ａ・・・レジスト材料層、４４Ｂ・・・開口、４５・・・開口部、５０・・・保護部材、５１・・・支持部材、５２・・・第２の接着剤層、５３・・・金属箔、５４・・・接着剤層

Claims (10)

1. 光を出射する第１面、及び、第１面に対向した第２面を有し、可撓性を有する電子デバイス組立体の製造方法であって、
   電子デバイスの第２面を構成する部材を製造用基板に貼り合わせ、電子デバイスの第２面を構成する部材上に、第２面を構成する部材を含む電子デバイスを設けた後、製造用基板を剥がし、露出した電子デバイスの第２面に、可撓性を有する支持部材によって支持された金属箔、及び、金属箔上に形成された接着剤層から成る保護部材を、接着剤層を介して貼り付ける電子デバイス組立体の製造方法。
2. 金属箔は、第２の接着剤層によって支持部材に貼り合わされている請求項１に記載の電子デバイス組立体の製造方法。
3. 第２の接着剤層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂及びゴム系樹脂から成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂から成る請求項２に記載の電子デバイス組立体の製造方法。
4. 金属箔は、アルミニウム箔、銅箔、ニッケル箔、チタン箔、モリブデン箔、ステンレス鋼箔、又は、鉄−ニッケル合金箔から成る請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体の製造方法。
5. 金属箔にはピンホールが存在しない請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体の製造方法。
6. 金属箔は１５μｍ以上の厚さを有する請求項５に記載の電子デバイス組立体の製造方法。
7. 支持部材は、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリメタクリル酸メチル樹脂フィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロースフィルム、ポリイミドフィルム及びフッ素樹脂フィルムから成る群から選択された１種類の樹脂フィルムから成る請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体の製造方法。
8. 接着剤層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂及びゴム系樹脂から成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂から成る請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体の製造方法。
9. 電子デバイスはＴＦＴ層を備えており、
   保護部材は、電子デバイスのＴＦＴ層側に貼り付けられている請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体の製造方法。
10. 電子デバイスは、有機エレクトロルミネッセンス表示装置から成る請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の電子デバイス組立体の製造方法。

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