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WO2010035372A1 - 弾性波フィルタ装置 - Google Patents

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Publication number
WO2010035372A1
WO2010035372A1 PCT/JP2009/002912 JP2009002912W WO2010035372A1 WO 2010035372 A1 WO2010035372 A1 WO 2010035372A1 JP 2009002912 W JP2009002912 W JP 2009002912W WO 2010035372 A1 WO2010035372 A1 WO 2010035372A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
narrow pitch
idt
idt electrode
electrode fingers
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/002912
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
高峰裕一
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to JP2009547483A priority Critical patent/JP4525861B2/ja
Priority to DE112009002361.4T priority patent/DE112009002361B4/de
Priority to CN200980137215.5A priority patent/CN102160287B/zh
Publication of WO2010035372A1 publication Critical patent/WO2010035372A1/ja
Priority to US13/045,587 priority patent/US8736402B2/en

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14576—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger
    • H03H9/14582—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger the last fingers having a different pitch
    • H—ELECTRICITY
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    • H03H9/0023—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns, or networks having balanced input and output
    • H03H9/0028—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns, or networks having balanced input and output using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0047—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns, or networks having balanced input and output using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
    • H03H9/0066—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns, or networks having balanced input and output using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically parallel
    • H03H9/0071—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns, or networks having balanced input and output using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically parallel the balanced terminals being on the same side of the tracks
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    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
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    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
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    • H03H9/14529—Distributed tap
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    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave filter device, and more particularly to a 3IDT type longitudinally coupled resonator type elastic wave filter device having first to third IDT electrodes arranged along an elastic wave propagation direction.
  • Patent Document 1 discloses an example of an acoustic wave filter device having a 3IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter section.
  • FIG. 17 is a block diagram of the elastic wave filter device disclosed in Patent Document 1.
  • the acoustic wave filter device 100 includes first and second 3IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 101 and 102 connected in series. Between the connection point 103 between the first 3IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 101 and the second 3IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 102 and the ground potential, there is an acoustic wave resonance. A child 104 is connected.
  • the acoustic wave resonator 104 is configured such that the resonance frequency of the acoustic wave resonator 104 is the pass band and stop band of the first and second 3IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 101 and 102. It is comprised so that it may be located in the transition zone between. This improves the steepness of the filter characteristics.
  • the steepness of the filter characteristic is the acoustic wave resonator. It depends greatly on the Q value of 104. In order to further increase the steepness of the filter characteristics, it is necessary to increase the Q value of the acoustic wave resonator 104.
  • the Q value of the acoustic wave resonator 104 is substantially determined by the piezoelectric substrate and the electrode material, there is a limit to increasing the Q value of the acoustic wave resonator 104. Therefore, it has been difficult to achieve higher steepness of filter characteristics as required in recent years only by providing the acoustic wave resonator 104.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave filter device that solves the above-described drawbacks of the prior art and has high steep filter characteristics.
  • an elastic wave filter device in a wide aspect of the present invention, includes a piezoelectric substrate and a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter section includes first to third IDT electrodes and first and second reflectors.
  • the first to third IDT electrodes are formed on the piezoelectric substrate along the elastic wave propagation direction.
  • Each of the first to third IDT electrodes has a plurality of electrode fingers.
  • the first and second reflectors are formed on both sides of the elastic wave propagation direction in the region where the first to third IDT electrodes are formed on the piezoelectric substrate.
  • Each of the first to third IDT electrodes has a period of the electrode finger smaller than that of the remaining part of the IDT electrode at the end adjacent to the other IDT electrode in the elastic wave propagation direction. It has a narrow pitch part.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion located on the first IDT electrode side of the second IDT electrode and the number of electrode fingers in the narrow pitch portion located on the third IDT electrode side of the second IDT electrode are They are different from each other.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion located on the first IDT electrode side of the second IDT electrode and the narrowness located on the third IDT electrode side of the second IDT electrode is two or more different. According to this configuration, the steepness of the filter characteristics can be further increased.
  • the period of the electrode finger in the narrow pitch part of the first IDT electrode and the period of the electrode finger in the narrow pitch part of the third IDT electrode are different from each other. According to this configuration, it is possible to suppress spike ripples in the passband and to obtain good frequency characteristics.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion located on the first IDT electrode side of the second IDT electrode is located on the third IDT electrode side of the second IDT electrode.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion is smaller than the number of electrode fingers in the narrow pitch portion
  • the cycle of the electrode fingers in the narrow pitch portion of the first IDT electrode is smaller than the cycle of the electrode fingers in the narrow pitch portion of the third IDT electrode.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion positioned on the first IDT electrode side of the second IDT electrode is positioned on the third IDT electrode side of the second IDT electrode.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the first IDT electrode and the cycle of the electrode fingers in the narrow pitch portion of the third IDT electrode are constant.
  • the average value of the period of the electrode fingers in the narrow pitch part of the first IDT electrode is smaller than the average value of the period of the electrode fingers in the narrow pitch part of the third IDT electrode. According to this configuration, it is possible to increase the steepness of the filter characteristics in the transition band between the pass band and the stop band, and to suppress the spike ripple in the pass band.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the first IDT electrode is different from the number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the third IDT electrode.
  • the elastic wave filter device includes a piezoelectric substrate and a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter section includes first to third IDT electrodes and first and second reflectors.
  • the first to third IDT electrodes are formed on the piezoelectric substrate along the elastic wave propagation direction.
  • Each of the first to third IDT electrodes has a plurality of electrode fingers.
  • the first and second reflectors are formed on both sides of the elastic wave propagation direction in the region where the first to third IDT electrodes are formed on the piezoelectric substrate.
  • Each of the first to third IDT electrodes has a period of the electrode finger smaller than that of the remaining part of the IDT electrode at the end adjacent to the other IDT electrode in the elastic wave propagation direction. It has a narrow pitch part. The number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the first IDT electrode is different from the number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the third IDT electrode.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the first IDT electrode is different from two or more by the number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the third IDT electrode. According to this configuration, the steepness of the filter characteristics can be further increased.
  • the period of the electrode fingers in the narrow pitch portion located on the first IDT electrode side of the second IDT electrode and the position on the third IDT electrode side of the second IDT electrode are different from each other. According to this configuration, it is possible to suppress spike ripples in the passband and to obtain good frequency characteristics.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the first IDT electrode is smaller than the number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the third IDT electrode
  • the second IDT The period of the electrode finger in the narrow pitch part located on the first IDT electrode side of the electrode is smaller than the period of the electrode finger in the narrow pitch part located on the third IDT electrode side of the second IDT electrode.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the first IDT electrode is smaller than the number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the third IDT electrode
  • the second IDT At least one of the period of the electrode finger in the narrow pitch part located on the first IDT electrode side of the electrode and the period of the electrode finger in the narrow pitch part located on the third IDT electrode side of the second IDT electrode is Narrow pitch portion where the average value of the period of the electrode fingers in the narrow pitch portion located on the first IDT electrode side of the second IDT electrode is not constant, but is located on the third IDT electrode side of the second IDT electrode It is smaller than the average value of the period of the electrode finger. According to this configuration, it is possible to increase the steepness of the filter characteristics in the transition band between the pass band and the stop band, and to suppress the spike ripple in the pass band.
  • the narrow pitch portions of the first to third IDT electrodes have the frequency of the attenuation pole caused by the primary resonance mode of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portion
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit is configured to be located in a transient band located between the pass band and the stop band.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion located on the first IDT electrode side of the second IDT electrode and the electrode fingers in the narrow pitch portion located on the third IDT electrode side of the second IDT electrode is different from the number of electrode fingers in the narrow pitch portion of the third IDT electrode.
  • a first-order resonance mode is generated in the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter section, and the insertion loss in the transient band located between the pass band and the stop band is increased by the first-order resonance mode.
  • the steepness can be increased, and thus an elastic wave filter device having good filter characteristics can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an acoustic wave filter device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a graph showing the insertion loss of the acoustic wave filter device in each of the first embodiment and the first comparative example.
  • FIG. 5 is a graph showing the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portion in each of the second and third embodiments and the first comparative example.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an acoustic wave filter device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a
  • FIG. 6 is a graph showing the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portion in each of the fourth and fifth embodiments and the second embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing a current distribution in each resonance mode in a 3IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portion in which a narrow pitch portion is not provided.
  • FIG. 7A is a schematic diagram showing the current distribution in the zeroth-order resonance mode.
  • FIG. 7B is a schematic diagram showing the current distribution in the secondary resonance mode.
  • FIG. 7C is a schematic diagram showing the current distribution in the resonance mode between I and I.
  • FIG. 7D is a schematic diagram showing the current distribution in the primary resonance mode.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing a current distribution in each resonance mode in a 3IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portion in which a narrow pitch portion is not provided.
  • FIG. 7A is a schematic diagram showing the
  • FIG. 8 is a diagram in which the electrical characteristics of only the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit are extracted in the acoustic wave filter device of the first comparative example, the characteristic impedance is removed, and the resonance point of the resonance mode is confirmed.
  • FIG. 9 shows the difference between the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 22c and 32c and the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d when the impedance is 1 ⁇ . It is a graph showing the relationship with the magnitude
  • FIG. 10 is a graph showing the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portion in the reference example.
  • FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit according to the second embodiment.
  • FIG. 13 is a graph showing the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter in each of the sixth and seventh examples and the second comparative example.
  • FIG. 14 is a graph showing the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portion in each of the eighth and ninth embodiments and the sixth embodiment.
  • FIG. 15 shows the difference between the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c and the attenuation caused by the primary resonance mode when the impedance is 1 ⁇ . It is a graph showing the relationship with the magnitude
  • FIG. 16 is a graph showing the insertion loss of the acoustic wave filter device in each of the tenth example and the first comparative example.
  • FIG. 17 is a configuration diagram of a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter device disclosed in Patent Document 1. In FIG.
  • the elastic wave filter device 1 is a UMTS-band2 reception filter having a balance-unbalance conversion function.
  • the impedance of the unbalanced signal terminal 2 is 50 ⁇
  • the impedances of the first and second balanced signal terminals 3 and 4 are 100 ⁇ .
  • the transmission frequency band of the reception filter for UMTS-band2 is 1.85 to 1.91 GHz
  • the reception frequency band is 1.93 to 1.99 GHz.
  • the elastic wave filter device 1 of the present embodiment is an elastic wave filter device using an elastic wave such as a surface acoustic wave or a boundary acoustic wave.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration diagram of an elastic wave filter device 1 of the present embodiment.
  • the IDT electrodes and the grating reflectors are simply drawn, and the number of electrode fingers in the drawn IDT electrodes and grating reflectors is smaller than the actual number of electrode fingers.
  • the IDT electrodes and the grating reflectors of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 20 and 30 are schematically drawn by symbols with an “x” symbol in a rectangle. is doing.
  • the elastic wave filter device 1 includes a piezoelectric substrate 9.
  • the piezoelectric substrate 9 is composed of 40 ⁇ 5 ° Y-cut X-propagating LiTaO 3 .
  • the piezoelectric substrate 9 may be made of a piezoelectric substrate material other than LiTaO 3 . Examples of other piezoelectric substrate materials include LiNbO 3 .
  • the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 20 and 30, the first and second series resonators 10 and 15, and the first and second parallel resonances are provided on the piezoelectric substrate 9, the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 20 and 30, the first and second series resonators 10 and 15, and the first and second parallel resonances are provided. Children 40 and 45 are formed.
  • the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 20 and 30, the first and second series resonators 10 and 15, the first and second parallel resonators 40, 45 is formed of an Al electrode.
  • each filter part and resonator may be formed with electrically conductive materials other than Al, such as Au, Ag, and Cu, and may be comprised by the laminated body of the some conductive layer.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 20 is connected between the unbalanced signal terminal 2 and the first balanced signal terminal 3.
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 30 is connected between the unbalanced signal terminal 2 and the second balanced signal terminal 4.
  • a first series resonator 10 is connected between the unbalanced signal terminal 2 and the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 20.
  • the first series resonator 10 includes an IDT electrode 11 having a pair of comb electrodes interleaved with each other, and first and second grating reflectors 12 disposed on both sides of the IDT electrode 11 in the elastic wave propagation direction, 13.
  • a second series resonator 15 is connected between the unbalanced signal terminal 2 and the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 30.
  • the second series resonator 15 includes an IDT electrode 16 having a pair of comb electrodes interleaved with each other, and first and second grating reflectors 17 disposed on both sides of the IDT electrode 16 in the elastic wave propagation direction, 18.
  • the first and second series resonators 10 and 15 are such that the resonance frequencies of the first and second series resonators 10 and 15 pass through the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 20 and 30.
  • the anti-resonance frequency of the first and second series resonators 10 and 15 is located between the pass band and the stop band of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 20 and 30. It is comprised so that it may be located in the transition band of. Thereby, the steepness of the filter characteristic in the transient band is enhanced.
  • a first parallel resonator 40 is connected between a connection point 5 between the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 20 and the first balanced signal terminal 3 and the ground potential.
  • the first parallel resonator 40 includes an IDT electrode 41 having a pair of comb electrodes interleaved with each other, and first and second grating reflectors 42 disposed on both sides of the IDT electrode 41 in the elastic wave propagation direction, 43.
  • a second parallel resonator 45 is connected between the connection point 6 between the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 30 and the second balanced signal terminal 4 and the ground potential.
  • the second parallel resonator 45 includes an IDT electrode 46 having a pair of comb electrodes interleaved with each other, and first and second grating reflectors 47 disposed on both sides of the IDT electrode 46 in the elastic wave propagation direction. 48.
  • the first and second parallel resonators 40 and 45 have antiresonance frequencies of the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter units 20 and 30.
  • the resonance frequency of the first and second parallel resonators 40 and 45 is located within the pass band, and the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter units 20 and 30 are out of the band on the low band side. It is comprised so that it may be located in. Thereby, the steepness of the filter characteristic in the transient band is enhanced.
  • FIG. 2 shows a schematic configuration diagram of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 20
  • FIG. 3 shows a schematic configuration diagram of the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 30.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 20 is formed in this order along the acoustic wave propagation direction D on the piezoelectric substrate 9.
  • IDT electrodes 21 to 23 are provided.
  • First and second grating reflectors 24 and 25 are formed on both sides of the elastic wave propagation direction D in the region where the first to third IDT electrodes 21 to 23 are provided.
  • the first IDT electrode 21 has first and second comb electrodes 21 a and 21 b that are inserted into each other.
  • the first and second comb electrodes 21a and 21b include bus bars 21e and 21g and a plurality of electrode fingers 21f and 21h.
  • a narrow pitch portion 21 c is formed at an end portion of the first IDT electrode 21 adjacent to the second IDT electrode 22 in the elastic wave propagation direction D.
  • the period P1 of the electrode fingers 21f and 21h in the narrow pitch part 21c is set to be smaller than the period P5 of the electrode fingers 21f and 21h in the part other than the narrow pitch part 21c of the first IDT electrode 21.
  • the period of an electrode finger means the center distance along the elastic wave propagation
  • the second IDT electrode 22 has first and second comb electrodes 22a and 22b that are interleaved with each other.
  • the first and second comb electrodes 22a and 22b include bus bars 22e and 22g and a plurality of electrode fingers 22f and 22h.
  • a first IDT electrode side narrow pitch portion 22 c is formed at an end portion of the second IDT electrode 22 adjacent to the first IDT electrode 21 in the elastic wave propagation direction D.
  • a third IDT electrode side narrow pitch portion 22d is formed at an end portion of the second IDT electrode 22 adjacent to the third IDT electrode 23 in the elastic wave propagation direction D.
  • the period P2 of the electrode fingers 22f and 22h in the first IDT electrode side narrow pitch portion 22c is equal to the first IDT electrode side narrow pitch portion 22c and the third IDT electrode side narrow pitch portion 22d of the second IDT electrode 22. It is made smaller than the period P6 of the electrode fingers 22f and 22h in the remaining portions excluding.
  • the period P3 of the electrode fingers 22f and 22h in the third IDT electrode side narrow pitch portion 22d is also equal to the first IDT electrode side narrow pitch portion 22c of the second IDT electrode 22 and the third IDT electrode side narrow pitch. It is made smaller than the period P6 of the electrode fingers 22f and 22h in the remaining portions excluding the portion 22d.
  • the third IDT electrode 23 includes first and second comb electrodes 23a and 23b that are interleaved with each other.
  • the first and second comb electrodes 23a and 23b include bus bars 23e and 23g and a plurality of electrode fingers 23f and 23h.
  • a narrow pitch portion 23 c is formed at an end portion of the third IDT electrode 23 adjacent to the second IDT electrode 22 in the elastic wave propagation direction D.
  • the period P4 of the electrode fingers 23f and 23h in the narrow pitch portion 23c is set to be smaller than the period P7 of the electrode fingers 23f and 23h in the portion other than the narrow pitch portion 23c of the third IDT electrode 23.
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 30 is different from the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 20 except that the phase of the comb electrode on the balanced terminal side of the second IDT electrode is different. It has substantially the same configuration. Specifically, as shown in FIGS. 1 and 3, the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit 30 is formed on the piezoelectric substrate 9 in this order along the elastic wave propagation direction D. First to third IDT electrodes 31 to 33 are provided. First and second grating reflectors 34 and 35 are formed on both sides of the elastic wave propagation direction D in the region where the first to third IDT electrodes 31 to 33 are provided.
  • the first IDT electrode 31 includes first and second comb electrodes 31a and 31b that are interleaved with each other.
  • the first and second comb electrodes 31a and 31b include bus bars 31e and 31g and a plurality of electrode fingers 31f and 31h.
  • a narrow pitch portion 31 c is formed at an end portion of the first IDT electrode 31 adjacent to the second IDT electrode 32 in the elastic wave propagation direction D.
  • the period P11 of the electrode fingers 31f and 31h in the narrow pitch part 31c is made smaller than the period P15 of the electrode fingers 31f and 31h in parts other than the narrow pitch part 31c of the first IDT electrode 31.
  • the second IDT electrode 32 has first and second comb electrodes 32a and 32b that are interleaved with each other.
  • the first and second comb electrodes 32a and 32b include bus bars 32e and 32g and a plurality of electrode fingers 32f and 32h.
  • a first IDT electrode side narrow pitch portion 32 c is formed at an end portion of the second IDT electrode 32 adjacent to the first IDT electrode 31 in the elastic wave propagation direction D.
  • a third IDT electrode side narrow pitch portion 32d is formed at an end portion of the second IDT electrode 32 adjacent to the third IDT electrode 33 in the elastic wave propagation direction D.
  • the period P12 of the electrode fingers 32f and 32h in the first IDT electrode side narrow pitch part 32c is the first IDT electrode side narrow pitch part 32c and the third IDT electrode side narrow pitch part 32d of the second IDT electrode 32. It is made smaller than the period P16 of the electrode fingers 32f and 32h in the remaining portions excluding.
  • the period P13 of the electrode fingers 32f and 32h in the third IDT electrode side narrow pitch portion 32d is also equal to the first IDT electrode side narrow pitch portion 32c of the second IDT electrode 32 and the third IDT electrode side narrow pitch. It is made smaller than the period P16 of the electrode fingers 32f and 32h in the remaining part excluding the part 32d.
  • the third IDT electrode 33 has first and second comb electrodes 33a and 33b that are inserted into each other.
  • Each of the first and second comb electrodes 33a and 33b includes bus bars 33e and 33g and a plurality of electrode fingers 33f and 33h.
  • a narrow pitch portion 33 c is formed at an end portion of the third IDT electrode 33 adjacent to the second IDT electrode 32 in the elastic wave propagation direction D.
  • the period P14 of the electrode fingers 33f and 33h in the narrow pitch part 33c is set to be smaller than the period P17 of the electrode fingers 33f and 33h in the part other than the narrow pitch part 33c of the third IDT electrode 33.
  • the elastic wave filter device 1 of the first embodiment was manufactured based on the following design parameters, and the insertion loss was measured.
  • First and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter sections 20 and 30; Cross width: 30.4 ⁇ ( ⁇ : wavelength determined by the period of the IDT electrode 2.0405 ⁇ m) Number of electrode fingers in the first and third IDT electrodes 21, 23, 31, 33: 39 Number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c, 23c, 31c, 33c: Five Electrode fingers in the narrow pitch portions 21c, 31c Period P1, P11: 1.8885 ⁇ m Periods P4 and P14 of electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c: 1.9785 ⁇ m (0.09 ⁇ m smaller than the cycle of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c) Number of electrode fingers in second IDT electrode 22: 43 Number of electrode fingers in second IDT electrode 32: 43 Number of electrode fingers in first IDT electrode side narrow pitch portion 22c: 3 First IDT Number of electrode fingers in electrode side narrow pitch portion 32c: 3 Number of electrode fingers in third IDT electrode side narrow pitch portion 22d: 7 Number of electrode fingers in third IDT electrode side narrow pitch portion
  • the acoustic wave filter device having the same design parameters as those of the first embodiment is manufactured except that the electrode finger cycle P1 in the narrow pitch portions 21c and 31c is equal to the electrode finger cycle P4 in the narrow pitch portions 23c and 33c. The insertion loss was measured.
  • FIG. 4 shows insertion loss of the acoustic wave filter device in each of the first embodiment and the first comparative example.
  • the solid line indicates the insertion loss of the elastic wave filter device of the first embodiment
  • the alternate long and short dash line indicates the insertion loss of the elastic wave filter device of the first comparative example.
  • the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c is different from the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d.
  • the steepness of the filter characteristics in the low-frequency side transition band was higher than that in the first comparative example. Specifically, in the low-frequency transition band, the interval between the frequency at which the insertion loss is 3.5 dB and the frequency at which the insertion loss is 47 dB is greater in the first embodiment than in the first comparative example. was 2MHz smaller.
  • the filter in the transient band is obtained by making the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c different from the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d. It can be seen that the steepness of the characteristics can be increased.
  • the electrode finger cycle P1 in the narrow pitch portions 21c and 31c is the same as the electrode finger cycle P4 in the narrow pitch portions 23c and 33c, but the same as the first embodiment.
  • An acoustic wave filter device with design parameters was fabricated. Then, the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit in the elastic wave filter device of the second example was measured.
  • FIG. 5 shows insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portion in each of the second and third embodiments and the first comparative example.
  • the solid line indicates the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit in the second embodiment
  • the alternate long and short dash line indicates the first longitudinally coupled resonator type elastic wave in the third embodiment.
  • the insertion loss of the wave filter part is shown, and the two-dot chain line shows the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter part in the first comparative example.
  • the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c is different from the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d.
  • Example 3 an attenuation pole due to the primary resonance mode was confirmed in the vicinity of a frequency of 1.92 GHz.
  • the difference between the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d and the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c is four.
  • the third has a difference between the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d and the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c is two.
  • the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d is different from the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c. Spike ripple was confirmed near the frequency of 1.98 GHz. Further, the difference between the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d and the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c is four in the second embodiment. In the third embodiment, the difference between the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d and the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c is two. A larger spike ripple than the example was confirmed.
  • the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit in each of the elastic wave filter devices of the fourth and fifth examples was measured.
  • the measurement results are shown in FIG.
  • the solid line indicates the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter section in the fourth embodiment
  • the alternate long and short dash line indicates the first longitudinally coupled resonator type in the second embodiment.
  • the insertion loss of the elastic wave filter unit is shown, and the two-dot chain line shows the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit in the fifth embodiment.
  • the electrode finger periods P1 and P11 in the narrow pitch portions 21c and 31c are 0.04 ⁇ m smaller than the electrode finger periods P4 and P14 in the narrow pitch portions 23c and 33c.
  • the spike ripple was smaller than that of the fifth example in which the periods P1 and P11 were 0.02 ⁇ m smaller than the periods P4 and P14. From this result, it is possible to reduce the spike ripple in the passband by increasing the difference between the electrode finger periods P1 and P11 in the narrow pitch portions 21c and 31c and the electrode finger periods P4 and P14 in the narrow pitch portions 23c and 33c. Recognize.
  • the electrode finger cycles P1 and P11 in the narrow pitch portions 21c and 31c are made larger than the electrode finger cycles P4 and P14 in the narrow pitch portions 23c and 33c, and the first embodiment described above.
  • An elastic wave filter device having the same design parameters was produced, and the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter portion in the elastic wave filter device was measured. In this case, a spike ripple larger than that in the second example was confirmed.
  • Fig. 7 shows the current distribution of each resonance mode generated by a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter designed symmetrically.
  • a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter having three IDT electrodes a zero-order resonance mode generated by the current distribution shown in FIG. 7A and a second-order resonance mode generated by the current distribution shown in FIG.
  • II-I resonance mode a resonance mode generated by a current distribution having a peak at a location adjacent to the IDT electrode shown in FIG.
  • FIG. 8 is a diagram in which the electrical characteristics of only the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit in the acoustic wave filter device of the first comparative example are extracted, the characteristic impedance is removed, and the resonance point of the resonance mode is confirmed.
  • a resonance point (frequency about 1.935 GHz) in the zeroth-order resonance mode is indicated by a symbol A.
  • a resonance point (frequency about 1.91 GHz) of the secondary resonance mode is indicated by a symbol C.
  • a resonance point (frequency: about 1.99 GHz) in the II resonance mode is indicated by a symbol B.
  • the design parameters of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter are generally set to be symmetrical. That is, when the design parameters of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter are designed to be asymmetrical, the resonance point is located between the resonance point of the zeroth-order resonance mode and the resonance point of the second-order resonance mode. This is because an attenuation pole is generated when the next resonance mode occurs.
  • the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c, 32c of the second IDT electrodes 22, 32 and the third IDT electrode side of the second IDT electrodes 22, 32 are compared.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 22d and 32d is different from each other.
  • the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c, 32c of the second IDT electrodes 22, 32 is the third IDT of the second IDT electrodes 22, 32. The number is smaller than the number of electrode fingers in the electrode side narrow pitch portions 22d and 32d.
  • the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter sections 20 and 30 in addition to the zeroth-order resonance mode, the second-order resonance mode, and the I-I resonance mode, the first-order resonance mode is present. appear.
  • the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c and the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d have ripples (attenuation poles) due to the primary resonance mode in the first and
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 20 and 30 are configured to be located in the low-frequency side transient band. For this reason, the steepness of the filter characteristics in the transition band on the low frequency side is enhanced.
  • the attenuation pole resulting from the first-order resonance mode is located in the low-frequency side transition band between the zeroth-order resonance mode and the second-order resonance mode. Therefore, the steepness of the filter characteristics in the low-frequency side transition band is enhanced.
  • the manufacturing tolerance with respect to the frequency increases, and the acoustic wave filter device 1 can be easily manufactured.
  • the change of the filter characteristic when the temperature of the elastic wave filter apparatus 1 changes can be made small.
  • the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c and the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d are made different from each other.
  • the steepness of the filter characteristics in the band can be enhanced.
  • the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch sections 22c and 32c and the third IDT electrode side narrow section are narrowed.
  • the period P4 is different from each other. Specifically, the period P1 is smaller than the period P4.
  • the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c, 32c is smaller than the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d, 32d, and the narrow pitch portions 21c, Since the electrode finger period P1 at 31c is smaller than the electrode finger period P4 at the narrow pitch portions 23c and 33c, the steepness of the filter characteristics in the transient band is enhanced and the spike ripple in the passband is suppressed. be able to.
  • the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c and the number of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d is preferable to increase the difference.
  • FIG. 9 shows the results of confirming how many or more the difference between the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 22c and 32c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 22d and 32d is preferable.
  • FIG. 9 shows the difference between the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 22c and 32c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 22d and 32d and the attenuation caused by the first-order resonance mode when the impedance is 1 ⁇ . It is a graph showing the relationship with the magnitude
  • At least the magnitude of the attenuation pole is 5 dB or more.
  • the difference between the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 22c and 32c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 22d and 32d is set to 2 It turns out that it is necessary to make it more than a book. From this result, it can be seen that the difference between the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 22c and 32c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 22d and 32d is preferably two or more.
  • the optimum range of the difference between the period P1 and the period P4 is preferably the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 22c and 32c and the narrow pitch portions 22d and 32d. It depends on the difference from the number of electrode fingers. For this reason, the difference between the period P1 and the period P4, which is preferable for suppressing the magnitude of the spike ripple generated in the passband, cannot be defined unconditionally.
  • the period of the electrode fingers in the narrow pitch portions 22c, 32c, 22d, and 32d is constant.
  • the period of the electrode fingers in the narrow pitch portions 22c, 32c, 22d, and 32d is not necessarily constant.
  • the period of the electrode fingers in the narrow pitch portions 22c, 32c, 22d, and 32d may be gradually changed.
  • a plurality of portions having different electrode finger pitches may be provided in the narrow pitch portions 22c, 32c, 22d, and 32d.
  • the average value of the cycle of the electrode fingers in the narrow pitch portions 22c, 32c, 22d, and 32d is set to the first value.
  • the average value of the periods of the electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c is calculated. By making it smaller than the average value of the period of the electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c, the spike ripple in the pass band can be suppressed as in the first embodiment.
  • the example in which the left / right asymmetry is realized by making the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 22c different from the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 22d has been described.
  • the number of electrode fingers in a portion other than the narrow pitch portion of the first IDT electrode and the portion other than the narrow pitch portion of the third IDT electrode A means for making the number of electrode fingers different from each other is also mentioned.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 22c is the same as the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 22d.
  • the number of electrode fingers other than the narrow pitch portion 21c of the first IDT electrode 21 is reduced by four, and the number of electrode fingers other than the narrow pitch portion 23c of the third IDT electrode 23 is increased by four.
  • An acoustic wave filter device was created and insertion loss was measured.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 22c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 22d are made the same, and the number of electrode fingers in portions other than the narrow pitch portion 21c of the first IDT electrode 21 is also made.
  • the elastic wave filter apparatus which made the number of the electrode fingers of the part other than the narrow pitch part 23c of the 3rd IDT electrode 23 the same was created, and the insertion loss was measured.
  • the result is shown in FIG. In FIG. 10, the insertion loss of the elastic wave filter device according to the reference example is indicated by a solid line, and the insertion loss of the elastic wave filter device according to the comparative example is indicated by a broken line.
  • the number of electrode fingers in a portion other than the narrow pitch portion of the first IDT electrode and the number of electrode fingers in a portion other than the narrow pitch portion of the third IDT electrode are mutually Even when different, a large ripple (attenuation pole) was not observed in the vicinity of 1.92 GHz. That is, no attenuation pole corresponding to the primary resonance mode was observed.
  • the elastic wave filter device used as the UMTS-band2 reception filter has been described in the first embodiment, the elastic wave filter device according to the present invention can also be used as other than the UMTS-band2 reception filter.
  • the elastic wave filter device according to the present invention is also suitably used, for example, as an RF stage or IF stage filter of a mobile communication terminal.
  • the elastic wave filter device according to the present invention may not have a balance-unbalance conversion function.
  • the elastic structure having the same configuration as that of the elastic wave filter device 1 according to the first embodiment except for the configuration of the narrow pitch portions 21c, 31c, 22c, 32c, 22d, 32d, 23c, and 33c.
  • the wave filter device will be described.
  • members having substantially the same functions as those in the first embodiment are referred to by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • FIG. 1 is referred in common.
  • FIG. 11 is a schematic configuration diagram of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 20 according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a schematic configuration diagram of the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 30 of the second embodiment.
  • the number of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c and the third IDT electrode is the same.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c of the first IDT electrodes 21 and 31 and the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c of the third IDT electrodes 23 and 33 are different from each other. It has been. Specifically, the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c is made smaller than the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c.
  • the first-order resonance mode is generated in the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 20 and 30.
  • the attenuation pole (frequency characteristic peak) caused by the primary resonance mode is positioned within the transient band of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 20 and 30.
  • Narrow pitch portions 21c, 31c, 22c, 32c, 22d, 32d, 23c, and 33c are configured. Therefore, similar to the first embodiment, the steepness of the filter characteristics in the transient band is enhanced.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c of the first IDT electrodes 21 and 31 and the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c of the third IDT electrodes 23 and 33 are as follows. Even when the numbers are different from each other, spike ripples due to the occurrence of the primary resonance mode tend to occur in the passband.
  • the electrode finger period P3 is different from each other. Specifically, the period P2 is smaller than the period P3. As a result, it is possible to suppress spike ripples in the passband caused by the occurrence of the primary resonance mode in the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 20 and 30.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c, 31c of the first IDT electrodes 21, 31 is made smaller than the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 23c, 33c of the third IDT electrodes 23, 33,
  • the period P2 is smaller than the period P3
  • the steepness of the filter characteristics in the transient band can be enhanced and the spike ripple in the pass band can be suppressed.
  • the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c of the first IDT electrodes 21 and 31, and the narrow pitch portions 23c of the third IDT electrodes 23 and 33 It is preferable to increase the difference from the number of electrode fingers in 33c.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 20 in the second embodiment was manufactured based on the following design parameters, and the insertion loss was measured.
  • the first longitudinally coupled resonance is based on the same design parameters as in the sixth embodiment except that the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 23c is both five.
  • a child-type elastic wave filter part was produced and insertion loss was measured.
  • FIG. 13 shows the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portion in the sixth and seventh examples and the second comparative example.
  • the solid line indicates the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit in the sixth embodiment
  • the alternate long and short dash line indicates the first longitudinally coupled resonator type elastic wave in the seventh embodiment.
  • the insertion loss of the wave filter part is shown, and the two-dot chain line shows the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter part in the second comparative example.
  • the primary resonance mode is in the vicinity of a frequency of 1.92 GHz. Attenuation poles due to the above were confirmed.
  • the sixth embodiment in which the difference between the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 21c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 23c is four, the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 21c and the narrow pitch portion 23c. A larger attenuation pole was confirmed than in the seventh example in which the difference from the number of electrode fingers at 2 was two.
  • spike ripples were observed near a frequency of 1.98 GHz.
  • the difference between the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 21c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 23c is four, the number of electrode fingers in the narrow pitch portion 21c and the narrow pitch portion 23c.
  • a larger spike ripple was confirmed than in the seventh example in which the difference from the number of electrode fingers at 2 was two.
  • a first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portion having the same design parameters as in the sixth embodiment was produced.
  • the period P2 of the electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portion 22c is 0.04 ⁇ m than the period P3 of the electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portion 22d. I made it smaller.
  • the electrode finger cycle P2 in the first IDT electrode side narrow pitch portion 22c is set to 0.02 ⁇ m smaller than the electrode finger cycle P3 in the third IDT electrode side narrow pitch portion 22d.
  • the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portions of the eighth and ninth examples was measured.
  • the measurement results are shown in FIG.
  • the solid line indicates the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit in the eighth embodiment
  • the alternate long and short dash line indicates the first longitudinally coupled resonator type elastic wave in the ninth embodiment.
  • the insertion loss of the wave filter part is shown, and the two-dot chain line shows the insertion loss of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter part in the sixth embodiment.
  • the period P2 of the electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portion 22c is 0.04 ⁇ m smaller than the period P3 of the electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portion 22d.
  • the spike ripple was smaller than in the ninth example in which the period P2 was 0.02 ⁇ m smaller than the period P3. From this result, the spike ripple in the passband is increased by increasing the difference between the electrode finger period P2 in the first IDT electrode side narrow pitch part 22c and the electrode finger period P3 in the third IDT electrode side narrow pitch part 22d. It can be seen that can be reduced.
  • FIG. 15 shows the result of confirming how many differences between the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c are preferable.
  • FIG. 15 shows the difference between the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c and the attenuation caused by the primary resonance mode when the impedance is 1 ⁇ . It is a graph showing the relationship with the magnitude
  • At least the magnitude of the attenuation pole is 5 dB or more.
  • the difference between the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c is set to 2 It turns out that it is necessary to make it more than a book. From this result, it can be seen that the difference between the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c and the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c is preferably two or more.
  • the optimum range of the difference between the period P2 and the period P3 is preferably the number of electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c and the narrow pitch portions 23c and 33c. It depends on the difference from the number of electrode fingers. For this reason, the difference between the period P2 and the period P3 that is preferable for suppressing the magnitude of the spike ripple generated in the passband cannot be defined unconditionally.
  • the period of the electrode fingers in the narrow pitch portions 21c, 31c, 23c, and 33c is constant.
  • the period of the electrode fingers in the narrow pitch portions 21c, 31c, 23c, and 33c is not necessarily constant.
  • the period of the electrode fingers in the narrow pitch portions 21c, 31c, 23c, and 33c may be gradually changed.
  • the average value of the period of the electrode fingers in the narrow pitch portions 21c, 31c, 23c, and 33c is set to the second value.
  • the average value of the period of the electrode fingers in the narrow pitch portions 21c and 31c is calculated. By making it smaller than the average value of the period of the electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c, the spike ripple in the pass band can be suppressed as in the second embodiment.
  • Periods P4 and P14 of electrode fingers in the narrow pitch portions 23c and 33c 2.0410 ⁇ m
  • Periods P2 and P12 of electrode fingers in the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c 1.7461 ⁇ m (0.087 ⁇ m smaller than the cycle of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d)
  • Periods P3 and P13 of electrode fingers in the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d 1.8331 ⁇ m
  • FIG. 16 shows the insertion loss of the acoustic wave filter device according to the tenth embodiment, together with the insertion loss of the acoustic wave filter device according to the first comparative example.
  • the solid line indicates the insertion loss of the elastic wave filter of the tenth embodiment
  • the dashed line indicates the insertion loss of the elastic wave filter device of the first comparative example.
  • the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c have fewer electrode fingers and the electrode finger cycle is smaller than the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d.
  • the tenth example in which the number of electrode fingers is smaller and the period of the electrode fingers is smaller in the narrow and narrow pitch portions 21c and 31c than in the narrow pitch portions 23c and 33c is the first comparative example.
  • the steepness of the filter characteristics in the low-frequency side transition band was higher. Specifically, in the low-frequency side transition band, the interval between the frequency at which the insertion loss is 3.5 dB and the frequency at which the insertion loss is 47 dB is greater in the tenth embodiment than in the first comparative example. was 3.7MHz smaller. In the tenth example, a large spike ripple was not observed in the passband.
  • the first IDT electrode side narrow pitch portions 22c and 32c have fewer electrode fingers and the electrode finger cycle is smaller than the third IDT electrode side narrow pitch portions 22d and 32d, and
  • the narrow pitch portions 21c and 31c have better frequency characteristics in the pass band and filter characteristics in the transient band when the number of electrode fingers is smaller and the period of the electrode fingers is smaller than the narrow pitch portions 23c and 33c. It can be seen that both high steepness can be achieved.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

　フィルタ特性の急峻性が高い弾性波フィルタ装置を提供する。 　弾性波フィルタ装置１は、縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０を備えている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０は、それぞれ複数本の電極指２１ｆ～２３ｆ、２１ｈ～２３ｈを有する第１～第３のＩＤＴ電極２１～２３と、第１及び第２の反射器２４，２５とを有する。第１～第３のＩＤＴ電極２１～２３のそれぞれは、他のＩＤＴ電極と弾性波伝搬方向に隣接している端部に、該ＩＤＴ電極の残りの部分の電極指の周期よりも電極指の周期が小さい狭ピッチ部２１ｃ、２２ｃ、２２ｄ、２３ｃを有する。第２のＩＤＴ電極２２の第１のＩＤＴ電極２１側に位置する狭ピッチ部２２ｃにおける電極指２２ｆ、２２ｈの本数と、第２のＩＤＴ電極２２の第３のＩＤＴ電極２３側に位置する狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の本数２２ｆ、２２ｈとが相互に異なっている。

Description

弾性波フィルタ装置
　本発明は、弾性波フィルタ装置に関し、特に、弾性波伝搬方向に沿って配列されている第１～第３のＩＤＴ電極を有する３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタ装置に関する。
　縦結合共振子型弾性波フィルタ部を有する弾性波フィルタ装置は、小型・軽量でフィルタ特性が優れているため、近年、携帯通信端末のＲＦ段やＩＦ段のフィルタなどとして多用されている。例えば、下記の特許文献１には、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部を有する弾性波フィルタ装置の一例が開示されている。
　図１７は、特許文献１に開示された弾性波フィルタ装置の構成図である。図１７に示すように、弾性波フィルタ装置１００は、直列に接続された第１及び第２の３ＩＤＴ型縦結合共振子型弾性波フィルタ部１０１，１０２を備えている。第１の３ＩＤＴ型縦結合共振子型弾性波フィルタ部１０１と第２の３ＩＤＴ型縦結合共振子型弾性波フィルタ部１０２との間の接続点１０３とグラウンド電位との間には、弾性波共振子１０４が接続されている。
　弾性波フィルタ装置１００では、弾性波共振子１０４は、弾性波共振子１０４の共振周波数が、第１及び第２の３ＩＤＴ型縦結合共振子型弾性波フィルタ部１０１，１０２の通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域内に位置するように構成されている。これにより、フィルタ特性の急峻性が改善されている。
特開平４－５４０１１号公報
　上記の特許文献１に開示されているように、接続点１０３とグラウンド電位との間に弾性波共振子１０４が接続された弾性波フィルタ装置１００では、フィルタ特性の急峻性は、弾性波共振子１０４のＱ値に大きく依存する。フィルタ特性の急峻性をより高くするためには、弾性波共振子１０４のＱ値をより大きくする必要がある。しかしながら、弾性波共振子１０４のＱ値は、圧電基板や電極材料によりほぼ決定されるため、弾性波共振子１０４のＱ値を大きくすることには限界があった。従って、弾性波共振子１０４を設けることのみによっては、近年求められているようなフィルタ特性のさらに高い急峻性を実現することは困難であった。
　本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解決し、フィルタ特性の急峻性が高い弾性波フィルタ装置を提供することにある。
　本発明のある広域な局面では、弾性波フィルタ装置は、圧電基板と、縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを備えている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、第１～第３のＩＤＴ電極と、第１及び第２の反射器とを有する。第１～第３のＩＤＴ電極は、圧電基板上において弾性波伝搬方向に沿って形成されている。第１～第３のＩＤＴ電極は、それぞれ複数本の電極指を有する。第１及び第２の反射器は、圧電基板上において第１～第３のＩＤＴ電極が形成された領域の弾性波伝搬方向の両側に形成されている。第１～第３のＩＤＴ電極のそれぞれは、他のＩＤＴ電極と弾性波伝搬方向に隣接している端部に、該ＩＤＴ電極の残りの部分の電極指の周期よりも電極指の周期が小さい狭ピッチ部を有する。第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数と、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている。
　本発明のある特定の局面では、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数と、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数とが、２本以上異なっている。この構成によれば、フィルタ特性の急峻性をより高くすることができる。
　本発明の他の特定の局面では、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期とが相互に異なっている。この構成によれば、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができ、良好な周波数特性を得ることができる。
　本発明の別の特定の局面では、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数が、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期が、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期よりも小さい。この構成によれば、通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。
　本発明のさらに他の特定の局面では、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数が、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期と第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期とのうちの少なくとも一方が一定ではなく、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期の平均値が、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期の平均値よりも小さい。この構成によれば、通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。
　本発明のさらに別の特定の局面では、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている。
　本発明の他の特定の広域な局面では、弾性波フィルタ装置は、圧電基板と、縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを備えている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、第１～第３のＩＤＴ電極と、第１及び第２の反射器とを有する。第１～第３のＩＤＴ電極は、圧電基板上において弾性波伝搬方向に沿って形成されている。第１～第３のＩＤＴ電極は、それぞれ複数本の電極指を有する。第１及び第２の反射器は、圧電基板上において第１～第３のＩＤＴ電極が形成された領域の弾性波伝搬方向の両側に形成されている。第１～第３のＩＤＴ電極のそれぞれは、他のＩＤＴ電極と弾性波伝搬方向に隣接している端部に、該ＩＤＴ電極の残りの部分の電極指の周期よりも電極指の周期が小さい狭ピッチ部を有する。第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている。
　本発明のまた他の特定の局面では、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが、２本以上異なっている。この構成によれば、フィルタ特性の急峻性をより高くすることができる。
　本発明のまた別の特定の局面では、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期と、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期とが相互に異なっている。この構成によれば、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができ、良好な周波数特性を得ることができる。
　本発明のさらにまた他の特定の局面では、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数が、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期が、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期よりも小さい。この構成によれば、通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。
　本発明のさらにまた別の特定の局面では、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数が、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期と第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期とのうちの少なくとも一方が一定ではなく、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期の平均値が、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期の平均値よりも小さい。この構成によれば、通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。
　本発明のまたさらに他の特定の局面では、第１～第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部は、縦結合共振子型弾性波フィルタ部の１次の共振モードに起因する減衰極の周波数が、縦結合共振子型弾性波フィルタ部の通過帯域と阻止帯域との間に位置する過渡帯域内に位置するように構成されている。
　本発明では、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数と、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっているか、または第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっているので、縦結合共振子型弾性波フィルタ部において１次の共振モードが発生し、この１次の共振モードにより通過帯域と阻止帯域との間に位置する過渡帯域における挿入損失が増大するため、フィルタ特性の急峻性を高めることができ、よって、良好なフィルタ特性を有する弾性波フィルタ装置を提供することができる。
図１は、第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の模式的構成図である。 図２は、第１の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の模式的構成図である。 図３は、第１の実施形態における第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の模式的構成図である。 図４は、第１の実施例及び第１の比較例のそれぞれにおける弾性波フィルタ装置の挿入損失を表すグラフである。 図５は、第２及び第３の実施例並びに第１の比較例のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を表すグラフである。 図６は、第４及び第５の実施例並びに第２の実施例のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を表すグラフである。 図７は、狭ピッチ部が設けられていない３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部における各共振モードの電流分布を表す模式図である。図７（ａ）は、０次の共振モードの電流分布を表す模式図である。図７（ｂ）は、２次の共振モードの電流分布を表す模式図である。図７（ｃ）は、Ｉ－Ｉ間の共振モードの電流分布を表す模式図である。図７（ｄ）は、１次の共振モードの電流分布を表す模式図である。 図８は、第１の比較例の弾性波フィルタ装置において縦結合共振子型弾性波フィルタ部のみの電気的特性を取り出し、特性インピーダンスを外して共振モードの共振点を確認した図である。 図９は、インピーダンスを１Ωとした場合の、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差と、１次の共振モードに起因する減衰極の大きさとの関係を表すグラフである。 図１０は、参考例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を表すグラフである。 図１１は、第２の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の略図的構成図である。 図１２は、第２の実施形態における第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の略図的構成図である。 図１３は、第６及び第７の実施例並びに第２の比較例のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を表すグラフである。 図１４は、第８及び第９の実施例並びに第６の実施例のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を表すグラフである。 図１５は、インピーダンスを１Ωとした場合の、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差と、１次の共振モードに起因する減衰極の大きさとの関係を表すグラフである。 図１６は、第１０の実施例及び第１の比較例のそれぞれにおける弾性波フィルタ装置の挿入損失を表すグラフである。 図１７は、特許文献１に開示された縦結合共振子型弾性波フィルタ装置の構成図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　（第１の実施形態）
　本実施形態に係る弾性波フィルタ装置１は、平衡－不平衡変換機能を有するＵＭＴＳ－ｂａｎｄ２用受信フィルタである。弾性波フィルタ装置１では、不平衡信号端子２のインピーダンスが５０Ω、第１及び第２の平衡信号端子３，４のインピーダンスが１００Ωである。ＵＭＴＳ－ｂａｎｄ２用受信フィルタの送信周波数帯域は１．８５～１．９１ＧＨｚであり、受信周波数帯域は１．９３～１．９９ＧＨｚである。
　本実施形態の弾性波フィルタ装置１は、例えば弾性表面波や弾性境界波などの弾性波を利用した弾性波フィルタ装置である。図１に本実施形態の弾性波フィルタ装置１の模式的構成図を示す。なお、図１では、ＩＤＴ電極やグレーティング反射器は簡略的に描画されており、描画されているＩＤＴ電極やグレーティング反射器における電極指の本数は実際における電極指の本数よりも少ない。また、図１では、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０のＩＤＴ電極及びグレーティング反射器は、矩形内に「×」記号が付された記号により模式的に描画している。
　図１に示すように、弾性波フィルタ装置１は、圧電基板９を備えている。本実施形態では、圧電基板９は、４０±５°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３により構成されている。もっとも、圧電基板９は、ＬｉＴａＯ３以外の他の圧電基板材料により構成されていてもよい。他の圧電基板材料としては、例えば、ＬｉＮｂＯ３などが挙げられる。
　圧電基板９の上には、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０と、第１及び第２の直列共振子１０，１５と、第１及び第２の並列共振子４０，４５とが形成されている。本実施形態では、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０と、第１及び第２の直列共振子１０，１５と、第１及び第２の並列共振子４０，４５とは、Ａｌ電極により形成されている。もっとも、各フィルタ部及び共振子は、Ａｕ、Ａｇ、ＣｕなどのＡｌ以外の導電材料により形成されていてもよく、また、複数の導電層の積層体により構成されていてもよい。
　第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０は、不平衡信号端子２と、第１の平衡信号端子３との間に接続されている。一方、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０は、不平衡信号端子２と、第２の平衡信号端子４との間に接続されている。
　不平衡信号端子２と第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０との間には、第１の直列共振子１０が接続されている。第１の直列共振子１０は、互いに間挿し合う一対のくし歯電極を有するＩＤＴ電極１１と、ＩＤＴ電極１１の弾性波伝搬方向の両側に配置された第１及び第２のグレーティング反射器１２，１３とを備えている。
　一方、不平衡信号端子２と第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０との間には、第２の直列共振子１５が接続されている。第２の直列共振子１５は、互いに間挿し合う一対のくし歯電極を有するＩＤＴ電極１６と、ＩＤＴ電極１６の弾性波伝搬方向の両側に配置された第１及び第２のグレーティング反射器１７，１８とを備えている。
　第１及び第２の直列共振子１０，１５は、第１及び第２の直列共振子１０，１５の共振周波数が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の通過帯域内に位置し、第１及び第２の直列共振子１０，１５の反共振周波数が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域内に位置するように構成されている。これにより、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められている。
　第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０と第１の平衡信号端子３との間の接続点５とグラウンド電位との間には、第１の並列共振子４０が接続されている。第１の並列共振子４０は、互いに間挿し合う一対のくし歯電極を有するＩＤＴ電極４１と、ＩＤＴ電極４１の弾性波伝搬方向の両側に配置された第１及び第２のグレーティング反射器４２，４３とを備えている。
　一方、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０と第２の平衡信号端子４との間の接続点６とグラウンド電位との間には、第２の並列共振子４５が接続されている。第２の並列共振子４５は、互いに間挿し合う一対のくし歯電極を有するＩＤＴ電極４６と、ＩＤＴ電極４６の弾性波伝搬方向の両側に配置された第１及び第２のグレーティング反射器４７，４８とを備えている。
　第１及び第２の並列共振子４０，４５は、第１及び第２の並列共振子４０，４５の反共振周波数が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の通過帯域内に位置し、第１及び第２の並列共振子４０，４５の共振周波数が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の通過帯域低域側の帯域外に位置するように構成されている。これにより、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められている。
　次に、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の構成について説明する。図２に第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０の模式的構成図を示し、図３に第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０の模式的構成図を示す。
　図１及び図２に示すように、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０は、圧電基板９上において弾性波伝搬方向Ｄに沿ってこの順番で形成されている第１～第３のＩＤＴ電極２１～２３を備えている。第１～第３のＩＤＴ電極２１～２３が設けられた領域の弾性波伝搬方向Ｄの両側には、第１及び第２のグレーティング反射器２４，２５が形成されている。
　図２に示すように、第１のＩＤＴ電極２１は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極２１ａ、２１ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極２１ａ、２１ｂは、バスバー２１ｅ、２１ｇと、複数の電極指２１ｆ、２１ｈとを有する。第１のＩＤＴ電極２１の第２のＩＤＴ電極２２と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、狭ピッチ部２１ｃが形成されている。狭ピッチ部２１ｃにおける電極指２１ｆ、２１ｈの周期Ｐ１は、第１のＩＤＴ電極２１の狭ピッチ部２１ｃ以外の部分の電極指２１ｆ、２１ｈの周期Ｐ５よりも小さくされている。なお、本明細書において、電極指の周期とは、隣接する電極指の弾性波伝搬方向Ｄに沿った中心間距離を意味する。
　第２のＩＤＴ電極２２は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極２２ａ、２２ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極２２ａ、２２ｂは、バスバー２２ｅ、２２ｇと、複数の電極指２２ｆ、２２ｈとを有する。第２のＩＤＴ電極２２の第１のＩＤＴ電極２１と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃが形成されている。また、第２のＩＤＴ電極２２の第３のＩＤＴ電極２３と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄが形成されている。第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指２２ｆ、２２ｈの周期Ｐ２は、第２のＩＤＴ電極２２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃと第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄとを除いた残りの部分の電極指２２ｆ、２２ｈの周期Ｐ６よりも小さくされている。同様に、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指２２ｆ、２２ｈの周期Ｐ３も、第２のＩＤＴ電極２２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃと第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄとを除いた残りの部分の電極指２２ｆ、２２ｈの周期Ｐ６よりも小さくされている。
　第３のＩＤＴ電極２３は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極２３ａ、２３ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極２３ａ、２３ｂは、バスバー２３ｅ、２３ｇと、複数の電極指２３ｆ、２３ｈとを有する。第３のＩＤＴ電極２３の第２のＩＤＴ電極２２と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、狭ピッチ部２３ｃが形成されている。狭ピッチ部２３ｃにおける電極指２３ｆ、２３ｈの周期Ｐ４は、第３のＩＤＴ電極２３の狭ピッチ部２３ｃ以外の部分の電極指２３ｆ、２３ｈの周期Ｐ７よりも小さくされている。
　第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０は、第２のＩＤＴ電極の平衡端子側のくし歯電極の位相が異なること以外は上記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０と実質的に同じ構成を有している。詳細には、図１及び図３に示すように、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０は、圧電基板９上において弾性波伝搬方向Ｄに沿ってこの順番で形成されている第１～第３のＩＤＴ電極３１～３３を備えている。第１～第３のＩＤＴ電極３１～３３が設けられた領域の弾性波伝搬方向Ｄの両側には、第１及び第２のグレーティング反射器３４，３５が形成されている。
　図３に示すように、第１のＩＤＴ電極３１は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極３１ａ、３１ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極３１ａ、３１ｂは、バスバー３１ｅ、３１ｇと、複数の電極指３１ｆ、３１ｈとを有する。第１のＩＤＴ電極３１の第２のＩＤＴ電極３２と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、狭ピッチ部３１ｃが形成されている。狭ピッチ部３１ｃにおける電極指３１ｆ、３１ｈの周期Ｐ１１は、第１のＩＤＴ電極３１の狭ピッチ部３１ｃ以外の部分の電極指３１ｆ、３１ｈの周期Ｐ１５よりも小さくされている。
　第２のＩＤＴ電極３２は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極３２ａ、３２ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極３２ａ、３２ｂは、バスバー３２ｅ、３２ｇと、複数の電極指３２ｆ、３２ｈとを有する。第２のＩＤＴ電極３２の第１のＩＤＴ電極３１と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｃが形成されている。また、第２のＩＤＴ電極３２の第３のＩＤＴ電極３３と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｄが形成されている。第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｃにおける電極指３２ｆ、３２ｈの周期Ｐ１２は、第２のＩＤＴ電極３２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｃと第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｄとを除いた残りの部分の電極指３２ｆ、３２ｈの周期Ｐ１６よりも小さくされている。同様に、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｄにおける電極指３２ｆ、３２ｈの周期Ｐ１３も、第２のＩＤＴ電極３２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｃと第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｄとを除いた残りの部分の電極指３２ｆ、３２ｈの周期Ｐ１６よりも小さくされている。
　第３のＩＤＴ電極３３は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極３３ａ、３３ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極３３ａ、３３ｂのそれぞれは、バスバー３３ｅ、３３ｇと、複数の電極指３３ｆ、３３ｈとを有する。第３のＩＤＴ電極３３の第２のＩＤＴ電極３２と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、狭ピッチ部３３ｃが形成されている。狭ピッチ部３３ｃにおける電極指３３ｆ、３３ｈの周期Ｐ１４は、第３のＩＤＴ電極３３の狭ピッチ部３３ｃ以外の部分の電極指３３ｆ、３３ｈの周期Ｐ１７よりも小さくされている。
　（第１の実施例）
　第１の実施例として、上記の第１の実施形態の弾性波フィルタ装置１を以下の設計パラメータに基づいて作製し、挿入損失を測定した。
　第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０；
　交叉幅：３０．４λ（λ：ＩＤＴ電極の周期により決定される波長＝２．０４０５μｍ）
　第１及び第３のＩＤＴ電極２１，２３，３１，３３における電極指の本数：３９本
　狭ピッチ部２１ｃ、２３ｃ、３１ｃ、３３ｃにおける電極指の本数：５本
　狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１：１．８８８５μｍ
　狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４：１．９７８５μｍ（狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期よりも０．０９μｍ小さい）
　第２のＩＤＴ電極２２における電極指の本数：４３本
　第２のＩＤＴ電極３２における電極指の本数：４３本
　第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の本数：３本
　第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｃにおける電極指の本数：３本
　第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の本数：７本
　第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｄにおける電極指の本数：７本
　第１及び第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期Ｐ２，Ｐ１２，Ｐ３，Ｐ１３：２．０１１８μｍ
　第１及び第２のグレーティング反射器２４，２５，３４，３５における電極指の本数：６５本
　メタライゼーションレシオ：０．６８
　電極膜厚：０．０９１λ
　第１及び第２の直列共振子１０，１５；
　交叉幅：１１．０λ（λ＝１．９５２８μｍ）
　ＩＤＴ電極１１，１６における電極指の本数：７１本
　第１及び第２のグレーティング反射器１２，１３，１７，１８における電極指の本数：１８本
　メタライゼーションレシオ：０．６０
　電極膜厚：０．０９５λ
　第１及び第２の並列共振子４０，４５；
　交叉幅：１５．０λ（λ＝２．０４７６μｍ）
　ＩＤＴ電極４１，４６における電極指の本数：１１１本
　第１及び第２のグレーティング反射器４２，４３，４７，４８における電極指の本数：１８本
　メタライゼーションレシオ：０．６０
　電極膜厚：０．０９１λ
　また、第１の比較例として、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とが共に４本であり、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１が狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４と等しいこと以外は上記第１の実施例と同じ設計パラメータの弾性波フィルタ装置を作製し、挿入損失を測定した。
　図４に第１の実施例及び第１の比較例のそれぞれにおける弾性波フィルタ装置の挿入損失を示す。なお、図４において、実線は第１の実施例の弾性波フィルタ装置の挿入損失を示し、一点鎖線が第１の比較例の弾性波フィルタ装置の挿入損失を示す。
　図４に示すように、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とが異なる第１の実施例の方が、第１の比較例よりも低域側過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高かった。具体的には、低域側過渡帯域において、挿入損失が３．５ｄＢとなる周波数から挿入損失が４７ｄＢとなる周波数までの間の間隔が、第１の実施例の方が第１の比較例よりも２ＭＨｚ小さくなっていた。この結果から、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とを異ならしめることにより過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めることができることがわかる。
　また、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期が狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期よりも０．０９μｍ小さくされている第１の実施例では、通過帯域に大きなスパイクリップルが観察されなかった。この結果から、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数が第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と異なっている場合であっても、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期を狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期よりも小さくすることによって、通過帯域におけるスパイクリップルを抑圧でき、通過帯域における良好な周波数特性と過渡帯域におけるフィルタ特性の高い急峻性とを両立できることがわかる。
　（第２及び第３の実施例）
　第２の実施例として、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１を、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４とを等しくしたこと以外は、上記第１の実施例と同様の設計パラメータの弾性波フィルタ装置を作製した。そして、第２の実施例の弾性波フィルタ装置における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を測定した。
　また、第３の実施例として、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数を５本にしたこと以外は、上記の第２の実施例と同様の設計パラメータの弾性波フィルタ装置を作製した。そして、第３の実施例の弾性波フィルタ装置における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を測定した。
　図５に第２及び第３の実施例並びに第１の比較例のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示す。なお、図５において、実線が第２の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、一点鎖線が第３の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、二点鎖線が第１の比較例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示す。
　図５に示すように、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とが異なる第２及び第３の実施例では、周波数１．９２ＧＨｚ付近に１次の共振モードに起因する減衰極が確認された。また、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数との差が４本である第２の実施例の方が、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数との差が２本である第３の実施例よりも大きな減衰極が確認された。この結果から、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数との差を大きくすることにより、１次の共振モードに起因する減衰極を大きくできるため、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性をより高めることができることがわかる。
　また、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数とが異なる第２及び第３の実施例では、周波数１．９８ＧＨｚ付近にスパイクリップルが確認された。また、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数の差が４本である第２の実施例の方が、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数との差が２本である第３の実施例よりも大きなスパイクリップルが確認された。
　（第４及び第５の実施例）
　第４及び第５の実施例として、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１と狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４との差を変更したこと以外は、上記の第１の実施例と同様の設計パラメータの弾性波フィルタ装置を作製した。具体的には、第４の実施例では、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１を狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４よりも０．０４μｍ小さくした。第５の実施例では、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１を狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４よりも０．０２μｍ小さくした。
　そして、第４及び第５の実施例の弾性波フィルタ装置のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を測定した。測定結果を図６に示す。なお、図６において、実線は第４の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、一点鎖線が上記第２の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、二点鎖線が第５の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示す。
　図６に示すように、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１が狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４よりも０．０４μｍ小さい第４の実施例の方が、周期Ｐ１，Ｐ１１が周期Ｐ４，Ｐ１４よりも０．０２μｍ小さい第５の実施例よりもスパイクリップルが小さかった。この結果から、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１と狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４との差を大きくすることにより通過帯域におけるスパイクリップルを小さくできることがわかる。
　なお、参考例として、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１を狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４よりも大きくしたこと以外は上記の第１の実施例と同様の設計パラメータの弾性波フィルタ装置を作製し、その弾性波フィルタ装置における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を測定した。この場合は、第２の実施例よりも大きなスパイクリップルが確認された。この結果から、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数が第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数よりも少ない場合は、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１を狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４よりも小さくすることにより通過帯域内におけるスパイクリップルを効果的に抑圧できることがわかる。
　図７に左右対称に設計された縦結合共振子型弾性波フィルタで発生する、各共振モードの電流分布を示す。３つのＩＤＴ電極を有する縦結合共振子型弾性波フィルタでは、図７（ａ）に示す電流分布により発生する０次の共振モードと、図７（ｂ）に示す電流分布により発生する２次の共振モードと、図７（ｃ）に示す、ＩＤＴ電極が隣り合う箇所にピークを持つ電流分布により発生する共振モード（以下、「Ｉ－Ｉ間共振モード」とする。）との３つの共振モードにより通過帯域が形成される。
　図８は、上記の第１の比較例の弾性波フィルタ装置において縦結合共振子型弾性波フィルタ部のみの電気的特性を取り出し、特性インピーダンスを外して共振モードの共振点を確認した図である。図８において、０次の共振モードの共振点（周波数約１．９３５ＧＨｚ）を符号Ａで示す。２次の共振モードの共振点（周波数約１．９１ＧＨｚ）を符号Ｃで示す。Ｉ－Ｉ間共振モードの共振点（周波数約１．９９ＧＨｚ）を符号Ｂで示す。
　従来、縦結合共振子型弾性波フィルタの設計パラメータは、左右対称となるように設定されることが一般的であった。それは、縦結合共振子型弾性波フィルタの設計パラメータを左右非対称となるように設計すると、０次の共振モードの共振点と２次の共振モードの共振点との間に共振点が位置する１次の共振モードが生じることにより、減衰極が発生するためである。
　より具体的に説明すると、左右対称な設計パラメータを有する３つのＩＤＴ電極を有する縦結合共振子型弾性波フィルタにおいては、図７（ｄ）から明らかなように、１次の共振モードの電流分布は、中央に位置するＩＤＴ電極のほぼ中央部を境に電流の符号が逆となるので、中央に位置するＩＤＴ電極に電流が流れなくなる。従って、１次の共振モードに相当する減衰極が発生しない。それに対して、何らかの設計パラメータを左右非対称にした場合、１次の共振モードに相当する減衰極が発生する。この１次の共振モードに起因する減衰極は通過帯域内に発生するため、従来は、１次の共振モードが発生しないように、設計パラメータは左右対称に設定されるのが一般的であった。
　それに対して本実施形態では、第２のＩＤＴ電極２２，３２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と第２のＩＤＴ電極２２，３２の第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とが相互に異なっている。具体的には、本実施形態では、第２のＩＤＴ電極２２，３２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数が第２のＩＤＴ電極２２，３２の第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数よりも少なくされている。このため、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０において、０次の共振モード、２次の共振モード及びＩ－Ｉ間共振モードに加えて１次の共振モードが発生する。本実施形態では、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ及び第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄは、この１次の共振モードに起因するリップル（減衰極）が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の低域側の過渡帯域内に位置するように構成されている。このため、低域側の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められている。
　具体的には、本実施形態では、１次の共振モードに起因する減衰極が０次の共振モードと２次の共振モードとの間の低域側過渡帯域内に位置している。従って、低域側過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められている。
　このように、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高くすることによって、周波数に対する製造公差が大きくなり、弾性波フィルタ装置１の製造が容易となる。また、弾性波フィルタ装置１の温度が変化した場合のフィルタ特性の変化を小さくすることができる。
　上述のように、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とを相互に異ならしめることにより、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めることができる。しかしながら、この場合、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０において、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とを相互に異ならしめて左右非対称とすることによりＩ－Ｉ間共振モードの共振点の位置がずれてしまうことに起因して通過帯域にスパイクリップルが生じる傾向にある。
　それに対して本実施形態では、第１のＩＤＴ電極２１，３１の狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１と、第３のＩＤＴ電極２３，３３の狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４とが相互に異ならしめられている。具体的には、周期Ｐ１が周期Ｐ４よりも小さくされている。これにより、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０において左右対称性が崩れることによりＩ－Ｉ間共振モードの共振点の位置がずれてしまうことに起因する通過帯域のスパイクリップルを抑圧することができる。
　すなわち、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数が第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数よりも少なくされており、かつ狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１が狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４よりも小さくされているため、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。
　なお、フィルタ特性の急峻性をより高める観点からは、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差を大きくすることが好ましい。
　狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差を何本以上とすることが好ましいかを確認した結果を図９に示す。図９は、インピーダンスを１Ωとした場合の、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差と、１次の共振モードに起因する減衰極の大きさとの関係を表すグラフである。
　通過帯域低域側の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を改善するためには、少なくとも減衰極の大きさを５ｄＢ以上とすることが好ましい。図９に示すように、減衰極の大きさを５ｄＢ以上とするためには、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差を２本以上とする必要があることがわかる。この結果より、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差を２本以上とすることが好ましいことがわかる。
　通過帯域内に発生するスパイクリップルの大きさを抑制するために好ましい周期Ｐ１と周期Ｐ４との差の最適範囲は、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差によって異なる。このため、通過帯域内に発生するスパイクリップルの大きさを抑制するために好ましい周期Ｐ１と周期Ｐ４との差は、一概には規定できない。
　なお、上記の第１の実施形態では、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期が一定である例について説明した。但し、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期は必ずしも一定でなくてもよい。例えば、特表２００２－５２８９８７号公報に記載のように、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期を徐々に変化させても良い。また、特開２００３－２４３９６５号公報に記載のように、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄに電極指のピッチが相互に異なる部分を複数設けても良い。これらのように、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期が一定ではない場合は、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期の平均値を上記の第１の実施形態と同様に設定することにより、通過帯域に位置するスパイクリップルを抑圧する事ができる。
　具体的には、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数が狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数よりも少ない場合には、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期の平均値を、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期の平均値よりも小さくすることにより、上記の第１の実施形態と同様に、通過帯域のスパイクリップルを抑圧することができる。
　上記の第１の実施形態では、狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の本数とを相互に異ならせる事によって左右非対称性を実現する例について説明した。左右非対称性を実現する手段としては、上記手段以外にも、例えば、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数とを相互に異ならしめる手段も挙げられる。
　そこで、参考例として、上記第１の実施例の第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０において、狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の本数とを同じにし、第１のＩＤＴ電極２１の狭ピッチ部２１ｃ以外の部分の電極指の本数を４本減らし、第３のＩＤＴ電極２３の狭ピッチ部２３ｃ以外の部分の電極指の本数を４本増やした弾性波フィルタ装置を作成し、挿入損失を測定した。また、比較として、狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の本数とを同じにすると共に、第１のＩＤＴ電極２１の狭ピッチ部２１ｃ以外の部分の電極指の本数と第３のＩＤＴ電極２３の狭ピッチ部２３ｃ以外の部分の電極指の本数とも同じにした弾性波フィルタ装置を作成し、挿入損失を測定した。その結果を図１０に示す。なお、図１０では、参考例に係る弾性波フィルタ装置の挿入損失を実線で示し、比較例に係る弾性波フィルタ装置の挿入損失を破線で示している。
　図１０に示す結果からわかるように、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数とを相互に異ならしめた場合であっても、１．９２ＧＨｚ付近には大きなリップル（減衰極）が観察されなかった。すなわち、１次の共振モードに相当する減衰極は観察されなかった。この結果から、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数とを相互に異ならしめることによっては、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めることはできず、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めるためには、狭ピッチ部における電極指の本数を異ならしめることにより左右非対称性を実現することが必要であることがわかる。
　なお、第１の実施形態では、ＵＭＴＳ－ｂａｎｄ２用受信フィルタとして使用される弾性波フィルタ装置について説明したが、本発明に係る弾性波フィルタ装置は、ＵＭＴＳ－ｂａｎｄ２用受信フィルタ以外としても使用できる。本発明に係る弾性波フィルタ装置は、例えば、携帯通信端末のＲＦ段やＩＦ段のフィルタなどとしても好適に用いられる。また、本発明に係る弾性波フィルタ装置は、平衡－不平衡変換機能を有さないものであってもよい。
　（第２の実施形態）
　本実施形態では、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄ、２３ｃ、３３ｃの構成を除いては上記の第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置１と同様の構成を有する弾性波フィルタ装置について説明する。なお、本実施形態の説明において、上記の第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符合で参照し、説明を省略する。また、図１を共通に参照する。
　図１１は、第２の実施形態の第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０の略図的構成図である。図１２は、第２の実施形態の第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０の略図的構成図である。図１１及び図１２に示すように、本実施形態では、上記の第１の実施形態とは異なり、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とは同じとされている。一方、第１のＩＤＴ電極２１，３１の狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極２３，３３の狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数とが相互に異ならしめられている。具体的には、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数は、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数よりも少なくされている。
　この構成においても、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０において１次の共振モードが発生する。本実施形態では、この１次の共振モードに起因する減衰極（周波数特性のピーク）が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の過渡帯域内に位置するように狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄ、２３ｃ、３３ｃが構成されている。従って、上記の第１の実施形態と同様に、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められている。
　なお、本実施形態のように、第１のＩＤＴ電極２１，３１の狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極２３，３３の狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数とが相互に異なる場合においても、１次の共振モードが発生することに起因するスパイクリップルが通過帯域に生じる傾向にある。
　それに対して本実施形態では、第２のＩＤＴ電極２２，３２における第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の周期Ｐ２と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期Ｐ３とが相互に異ならしめられている。具体的には、周期Ｐ２が周期Ｐ３よりも小さくされている。これにより、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０において１次の共振モードが発生することに起因する通過帯域のスパイクリップルを抑圧することができる。
　すなわち、第１のＩＤＴ電極２１，３１の狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数が第３のＩＤＴ電極２３，３３の狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数よりも少なくされており、かつ周期Ｐ２が周期Ｐ３よりも小さくされているため、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。
　なお、フィルタ特性の急峻性をより高める観点からは、第１のＩＤＴ電極２１，３１の狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極２３，３３の狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差を大きくすることが好ましい。
　（第６及び第７の実施例）
　第６の実施例として、上記の第２の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０を以下の設計パラメータに基づいて作製し、挿入損失を測定した。
　交叉幅：３０．４λ（λ：ＩＤＴ電極の周期により決定される波長＝２．０１１８μｍ）
　第１のＩＤＴ電極２１における電極指の本数：３７本
　第３のＩＤＴ電極２３における電極指の本数：４１本
　狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数：３本
　狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数：７本
　狭ピッチ部２１ｃ、２３ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ４：１．９２２０μｍ
　第２のＩＤＴ電極２２における電極指の本数：４３本
　狭ピッチ部２２ｃ、２２ｄにおける電極指の本数：４本
　第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２：１．８２６９μｍ
　第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３：１．８２６９μｍ（第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期と等しい）
　第１及び第２のグレーティング反射器２４，２５，３４，３５における電極指の本数：６５本
　メタライゼーションレシオ：０．６８
　電極膜厚：０．０９１λ
　また、第７の実施例として、上記の第６の実施例とは狭ピッチ部２１ｃ、２３ｃにおける電極指の本数のみが異なる第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０を作製し、挿入損失を測定した。具体的には、第７の実施例では、狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数を４本とし、狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数を６本とした。
　また、第２の比較例として、狭ピッチ部２１ｃ、２３ｃにおける電極指の本数を共に５本としたこと以外は上記の第６の実施例と同様の設計パラメータに基づいて第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部を作製し、挿入損失を測定した。
　第６及び第７の実施例並びに第２の比較例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を図１３に示す。なお、図１３において、実線が第６の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、一点鎖線が第７の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、二点鎖線が第２の比較例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示す。
　図１３に示すように、狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数とが異なる第６及び第７の実施例では、周波数１．９２ＧＨｚ付近に１次の共振モードに起因する減衰極が確認された。狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数との差が４本である第６の実施例の方が、狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数との差が２本である第７の実施例よりも大きな減衰極が確認された。この結果から、狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数との差を大きくすることにより、１次の共振モードに起因する減衰極を大きくできるため、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性をより高めることができることがわかる。
　狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数とが異なる第６及び第７の実施例では、周波数１．９８ＧＨｚ付近にスパイクリップルが確認された。狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数との差が４本である第６の実施例の方が、狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数との差が２本である第７の実施例よりも大きなスパイクリップルが確認された。
　（第８及び第９の実施例）
　第８及び第９の実施例として、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３との差以外は、上記の第６の実施例と同様の設計パラメータの第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部を作製した。具体的には、第８の実施例では、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２を第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３よりも０．０４μｍ小さくした。第９の実施例では、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２を第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３よりも０．０２μｍ小さくした。
　そして、第８及び第９の実施例の第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を測定した。測定結果を図１４に示す。なお、図１４において、実線は第８の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、一点鎖線が第９の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、二点鎖線が第６の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示す。
　図１４に示すように、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２が第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３よりも０．０４μｍ小さい第８の実施例の方が、周期Ｐ２が周期Ｐ３よりも０．０２μｍ小さい第９の実施例よりもスパイクリップルが小さかった。この結果から、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２と第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３との差を大きくすることにより通過帯域におけるスパイクリップルを小さくできることがわかる。
　以下に、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差を何本以上とすることが好ましいかを確認した結果を図１５に示す。図１５は、インピーダンスを１Ωとした場合の、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差と、１次の共振モードに起因する減衰極の大きさとの関係を表すグラフである。
　通過帯域低域側の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を改善するためには、少なくとも減衰極の大きさを５ｄＢ以上とすることが好ましい。図１５に示すように、減衰極の大きさを５ｄＢ以上とするためには、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差を２本以上とする必要があることがわかる。この結果より、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差を２本以上とすることが好ましいことがわかる。
　通過帯域内に発生するスパイクリップルの大きさを抑制するために好ましい周期Ｐ２と周期Ｐ３との差の最適範囲は、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差によって異なる。このため、通過帯域内に発生するスパイクリップルの大きさを抑制するために好ましい周期Ｐ２と周期Ｐ３との差は、一概には規定できない。
　なお、上記の第２の実施形態では、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期が一定である例について説明した。但し、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期は必ずしも一定でなくてもよい。例えば、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期を徐々に変化させても良い。また、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃに電極指のピッチが相互に異なる部分を複数設けても良い。これらのように、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期が一定ではない場合は、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期の平均値を上記の第２の実施形態と同様に設定することにより、通過帯域に位置するスパイクリップルを抑圧する事ができる。
　具体的には、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数が狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数よりも少ない場合には、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期の平均値を、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期の平均値よりも小さくすることにより、上記の第２の実施形態と同様に、通過帯域のスパイクリップルを抑圧することができる。
　（第１０の実施例）
　第１０の実施例として、下記パラメータ以外は、上記第１の実施例と同様の設計パラメータを有する弾性波フィルタ装置を作製し、挿入損失を測定した。
　第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０；
　交叉幅：３２．９λ（λ：ＩＤＴ電極の周期により決定される波長＝２．０４１２μｍ）
　第１のＩＤＴ電極２１，３１における電極指の本数：３８本
　狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数：３本
　第２のＩＤＴ電極２２，３２における電極指の本数：４３本
　第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数：３本
　第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数：７本
　第３のＩＤＴ電極２３，３３における電極指の本数：４２本
　狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数：７本
　狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１：１．９５６０μｍ（狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期よりも０．０８５μｍ小さい）
　狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４：２．０４１０μｍ
　第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の周期Ｐ２，Ｐ１２：１．７４６１μｍ（第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期よりも０．０８７μｍ小さい）
　第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期Ｐ３，Ｐ１３：１．８３３１μｍ
　図１６に第１０の実施例における弾性波フィルタ装置の挿入損失を、上記第１の比較例における弾性波フィルタ装置の挿入損失と共に示す。なお、図１０において、実線は、第１０の実施例の弾性波フィルタの挿入損失を示し、一点破線が第１の比較例の弾性波フィルタ装置の挿入損失を示す。
　図１０に示すように、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃの方が、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄよりも、電極指の本数が少ないと共に電極指の周期が小さく、かつ、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃの方が、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃよりも、電極指の本数が少ないと共に電極指の周期が小さい第１０の実施例の方が、第１の比較例よりも、低域側過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高かった。具体的には、低域側過渡帯域において、挿入損失が３．５ｄＢとなる周波数から挿入損失が４７ｄＢとなる周波数までの間の間隔が、第１０の実施例の方が第１の比較例よりも３．７ＭＨｚ小さくなっていた。また、第１０の実施例では、通過帯域に大きなスパイクリップルが観察されなかった。
　この結果から、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃの方が、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄよりも、電極指の本数が少ないと共に電極指の周期が小さく、かつ、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃの方が、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃよりも、電極指の本数が少ないと共に電極指の周期が小さい場合は、通過帯域における良好な周波数特性と過渡帯域におけるフィルタ特性の高い急峻性とを両立できることがわかる。
１…弾性波フィルタ装置
２…不平衡信号端子
３…第１の平衡信号端子
４…第２の平衡信号端子
５，６…接続点
９…圧電基板
１０…第１の直列共振子
１５…第２の直列共振子
１１，１６…ＩＤＴ電極
１２，１３，１７，１８…グレーティング反射器
２０…第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
３０…第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
２１，３１…第１のＩＤＴ電極
２１ａ、３１ａ…第１のくし歯電極
２１ｂ、３１ｂ…第２のくし歯電極
２１ｃ、３１ｃ…第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部
２１ｅ、２１ｇ、３１ｅ、３１ｇ…バスバー
２１ｆ、２１ｈ、３１ｆ、３１ｈ…電極指
２２，３２…第２のＩＤＴ電極
２２ａ、３２ａ…第１のくし歯電極
２２ｂ、３２ｂ…第２のくし歯電極
２２ｃ、３２ｃ…第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部
２２ｄ、３２ｄ…第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部
２２ｅ、２２ｇ、３２ｅ、３２ｇ…バスバー
２２ｆ、２２ｈ、３２ｆ、３２ｈ…電極指
２３，３３…第３のＩＤＴ電極
２３ａ、３３ａ…第１のくし歯電極
２３ｂ、３３ｂ…第２のくし歯電極
２３ｃ、３３ｃ…第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部
２３ｅ、２３ｇ、３３ｅ、３３ｇ…バスバー
２３ｆ、２３ｈ、３３ｆ、３３ｈ…電極指
２４，３４…第１のグレーティング反射器
２５，３５…第２のグレーティング反射器
４０…第１の並列共振子
４５…第２の並列共振子
４１，４６…ＩＤＴ電極
４２，４３，４７，４８…グレーティング反射器
Ｐ１，Ｐ１１…第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期
Ｐ２，Ｐ１２…第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部における電極指の周期
Ｐ３，Ｐ１３…第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部における電極指の周期
Ｐ４，Ｐ１４…第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期
Ｐ５，Ｐ１５…第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の周期
Ｐ６，Ｐ１６…第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部及び第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部以外の部分における電極指の周期
Ｐ７，Ｐ１７…第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の周期

Claims (12)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上において弾性波伝搬方向に沿って形成されており、それぞれ複数本の電極指を有する第１～第３のＩＤＴ電極と、前記圧電基板上において前記第１～第３のＩＤＴ電極が形成された領域の弾性波伝搬方向の両側に形成された第１及び第２の反射器とを有する縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを備えており、
    　前記第１～第３のＩＤＴ電極のそれぞれは、他のＩＤＴ電極と弾性波伝搬方向に隣接している端部に、該ＩＤＴ電極の残りの部分の電極指の周期よりも電極指の周期が小さい狭ピッチ部を有しており、
    　前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数と、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている、弾性波フィルタ装置。
  2. 　前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数と、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数とが、２本以上異なっている、請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  3. 　前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期と、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期とが相互に異なっている、請求項１または２に記載の弾性波フィルタ装置。
  4. 　前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数が、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期が、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期よりも小さい、請求項３に記載の弾性波フィルタ装置。
  5. 　前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数が、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期と前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期とのうちの少なくとも一方が一定ではなく、前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期の平均値が、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期の平均値よりも小さい、請求項３に記載の弾性波フィルタ。
  6. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上において弾性波伝搬方向に沿って形成されており、それぞれ複数本の電極指を有する第１～第３のＩＤＴ電極と、前記圧電基板上において前記第１～第３のＩＤＴ電極が形成された領域の弾性波伝搬方向の両側に形成された第１及び第２の反射器と有する縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを備えており、
    　前記第１～第３のＩＤＴ電極のそれぞれは、他のＩＤＴ電極と弾性波伝搬方向に隣接している端部に、該ＩＤＴ電極の残りの部分の電極指の周期よりも電極指の周期が小さい狭ピッチ部を有しており、
    　前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている、弾性波フィルタ装置。
  7. 　前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている、請求項１～５のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
  8. 　前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが、２本以上異なっている、請求項６または７に記載の弾性波フィルタ。
  9. 　前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期と、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期とが相互に異なっている、請求項６～８のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
  10. 　前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数が、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期が、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期よりも小さい、請求項９に記載の弾性波フィルタ装置。
  11. 　前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数が、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期と前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期とのうちの少なくとも一方が一定ではなく、前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期の平均値が、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期の平均値よりも小さい、請求項９に記載の弾性波フィルタ。
  12. 　前記第１～第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部は、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部の１次の共振モードに起因する減衰極の周波数が、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部の通過帯域と阻止帯域との間に位置する過渡帯域内に位置するように構成されている、請求項１～１１のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
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