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KR20190016122A - 탄성 표면파 필터, 고주파 모듈 및 멀티플렉서 - Google Patents

탄성 표면파 필터, 고주파 모듈 및 멀티플렉서 Download PDF

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KR20190016122A
KR20190016122A KR1020197003130A KR20197003130A KR20190016122A KR 20190016122 A KR20190016122 A KR 20190016122A KR 1020197003130 A KR1020197003130 A KR 1020197003130A KR 20197003130 A KR20197003130 A KR 20197003130A KR 20190016122 A KR20190016122 A KR 20190016122A
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켄타 마에다
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

탄성 표면파 필터는, 공진자(13, 14, 15)를 구비하고, 공진자(14)는 전극 핑거의 피치가 서로 다른 4개 이상의 영역을 갖고, 4개 이상의 영역 각각에서는 전극 핑거의 피치는 일정하며, 4개 이상의 영역 중, 공진자의 탄성 표면파의 전반 방향의 양단측에 배치된 제1 영역(141, 145)에 있어서의 전극 핑거의 피치보다도, 제1 영역(141, 145) 이외의 영역(142 내지 144))에 있어서의 전극 핑거의 피치는 크고, 제1 영역(141)에 인접하는 제2 영역(142)에 있어서의 전극 핑거의 피치와, 제1 영역(145)에 인접하는 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 피치는, 상이하다.

Description

탄성 표면파 필터, 고주파 모듈 및 멀티플렉서
본 발명은 탄성 표면파 필터 및 탄성 표면파 필터를 사용한 고주파 모듈 등에 관한 것이다.
종래, 이동체 통신 기기의 회로 모듈로서, 탄성 표면파(Surface Acoustic Wave: SAW) 필터가 사용된 고주파 모듈이 개발되어 있다. 근년의 통신 주파수 대역의 광대역화에 수반하여, 고주파 모듈의 수신 감도의 향상을 위하여, 수신 회로모듈에는 저손실 또한 저잡음화의 요구가 높아지고 있다. 그 때문에, 고주파 모듈은, 탄성 표면파 필터의 후단 또는 전단에, 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier: LNA) 등의 다른 부품을 구비하고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일반적으로, 고주파 모듈에 다른 부품이 접속되어 있는 경우에는, 다른 부품에 접속된 측의 탄성 표면파 필터의 출력단에 있어서의 임피던스(출력 임피던스)가 다른 부품의 입력단에 있어서의 임피던스(입력 임피던스)에 정합하도록, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정한다.
탄성 표면파 필터의 출력 임피던스의 조정은, 일반적으로, 탄성 표면파 필터를 구성하는 공진자에 있어서의 IDT(InterDigital Transducer) 전극의 교차폭, 전극 핑거의 피치 또는 대수 등을 변경하여 IDT 전극의 용량을 변화시킴으로써 행하여지고 있다.
일본 특허 공개 제2008-301223호 공보
그러나, IDT(InterDigital Transducer) 전극의 교차폭, 전극 핑거의 피치 또는 대수 등을 변경함으로써, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정하는 경우, 저손실 특성을 유지하면서 통과대역폭을 확대시키는 것은 어렵다는 문제가 발생하고 있었다.
상기 과제를 감안하여, 본 발명은 광대역화, 저손실화를 실현하면서, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정할 수 있는 탄성 표면파 필터 및 고주파 모듈 및 멀티플렉서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 탄성 표면파 필터의 일 형태는, 종결합형의 탄성 표면파 필터이며, 상기 탄성 표면파 필터는, 탄성 표면파의 전반 방향으로 연속하여 배치된 복수의 공진자를 구비하고, 상기 복수의 공진자 각각은, 버스 바 전극과 상기 버스 바 전극에 접속된 서로 평행한 복수의 전극 핑거를 갖는 한 쌍의 빗형 전극을 갖고, 한 쌍의 상기 빗형 전극은, 상기 복수의 전극 핑거가 상기 탄성 표면파 전반 방향으로 교대로 위치하도록 배치되어 있고, 상기 복수의 공진자 중 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 제1 공진자는, 상기 전극 핑거의 피치가 서로 다른 4개 이상의 영역을 갖고, 상기 4개 이상의 영역 각각에서는 상기 전극 핑거의 피치는 일정하며, 상기 4개 이상의 영역 중, 상기 공진자의 탄성 표면파의 전반 방향의 양단측에 배치된 한 쌍의 제1 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치보다도, 상기 한 쌍의 제1 영역 이외의 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치는 크고, 상기 한 쌍의 제1 영역의 한쪽에 인접하는 제2 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치와, 상기 한 쌍의 제1 영역의 다른 쪽에 인접하는 제3 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치는, 상이하다.
이에 의해, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를, 저항, 용량성 및 유도성의 임피던스를 포함하여 조정할 수 있다. 따라서, 스미스 차트에 있어서, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 2 이상의 방향으로 이동시킬 수 있다. 이에 의해, 통과대역폭을 협소화시키지 않고, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
또한, 상기 제3 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치는, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치보다도 커도 된다.
이에 의해, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를, 저항뿐만 아니라 유도성의 임피던스로 이동시킬 수 있다.
또한, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치는, 상기 제3 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치보다도 커도 된다.
이에 의해, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를, 저항뿐만 아니라 용량성의 임피던스로 이동시킬 수 있다.
또한, 상기 4개 이상의 영역이란, 5개의 영역이어도 된다.
이에 의해, 전극 핑거의 피치를 4개의 영역마다 상이한 값으로 하는 경우에 비하여, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 보다 미세하게 조정할 수 있다.
또한, 상기 5개의 영역 중의 중앙에 배치된 제4 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치는, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치 및 상기 제3 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치 중 적어도 어느 것보다도 작아도 된다.
이에 의해, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를, 유도성으로 이동시킬 수 있다.
또한, 상기 한 쌍의 제1 영역 이외의 영역 각각에 있어서의 상기 전극 핑거의 대수는, 동일수여도 된다.
이에 의해, 전극 핑거의 대수가 동일수인 경우에도, 스미스 차트에 있어서, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 2 이상의 방향으로 이동시킬 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 고주파 모듈의 일 형태는, 상술한 특징을 갖는 탄성 표면파 필터와, 상기 탄성 표면파 필터에 접속되고, 상기 탄성 표면파 필터를 통과한 고주파 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기를 구비한다.
이에 의해, 스미스 차트에 있어서, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 2 이상의 방향으로 이동시킴으로써, 고주파 모듈의 통과대역폭을 협소화시키지 않고, 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 멀티플렉서의 일 형태는, 상술한 특징을 갖는 탄성 표면파 필터를 복수 구비하고, 상기 복수의 탄성 표면파 필터 각각은, 공통 단자에 접속되어 있다.
이에 의해, 스미스 차트에 있어서, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 2 이상의 방향으로 이동시킴으로써, 멀티플렉서의 통과대역폭을 협소화시키지 않고, 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
본 발명에 따르면, 통과대역폭을 협소화시키지 않고, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정할 수 있는 탄성 표면파 필터 및 고주파 모듈 및 멀티플렉서를 제공할 수 있다.
도 1은, 실시 형태 1에 따른 고주파 모듈의 구성을 도시하는 개념도이다.
도 2a는, 실시 형태 1에 따른 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2b는, 도 2a에 도시된 탄성 표면파 필터의 구성의 구체예를 도시하는 개략도이다.
도 3은, 일반적인 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이며, (a)는 평면도, (b)는 (a)에 도시된 일점쇄선에 있어서의 화살표 방향으로 본 단면도이다.
도 4는, 실시 형태 1에 따른 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 5는, 실시 형태 1에 따른 탄성 표면파 필터의 하나의 공진자의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 6은, 비교예에 따른 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다.
도 7은, 실시 형태 1에 있어서의 실시예 1에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다.
도 8은, 실시 형태 1에 있어서의 실시예 2에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다.
도 9는, 실시 형태 1에 있어서의 실시예 3에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다.
도 10은, 실시 형태 1에 있어서의 실시예 4에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다.
도 11a는, 실시 형태 1에 따른 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다.
도 11b는, 실시 형태 1에 따른 탄성 표면파 필터의 통과 특성을 도시하는 도면이다.
도 11c는, 실시 형태 1에 따른 탄성 표면파 필터의 통과 특성을 도시하는 도면이다.
도 11d는, 실시 형태 1에 따른 탄성 표면파 필터의 통과 특성을 도시하는 도면이다.
도 12는, 실시 형태 2에 있어서의 실시예 5에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다.
도 13은, 실시 형태 2에 있어서의 실시예 6에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 실시 형태는, 모두 본 발명의 바람직한 일 구체예를 나타내는 것이다. 따라서, 이하의 실시 형태에서 나타나는, 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 위치 및 접속 형태 등은 일례이며 본 발명을 한정하려는 주지는 아니다. 따라서, 이하의 실시 형태에 있어서의 구성 요소 중, 본 발명의 최상위 개념을 나타내는 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는, 임의의 구성 요소로서 설명된다.
또한, 각 도면은 모식도이며, 반드시 엄밀하게 도시된 것은 아니다. 각 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 있고, 중복되는 설명은 생략 또는 간략화한다. 또한, 도시한 전극 구조에서는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서, 공진자 및 반사기에 있어서의 전극 핑거의 개수를 실제의 전극 핑거 개수보다도 적게 도시하고 있다. 또한, 도시한 스미스 차트에서는, 탄성 표면파 필터의 통과대역에 있어서의 출력 임피던스의 부분을 굵은 선으로 나타내고 있다.
(실시 형태 1)
이하, 실시 형태에 대해서, 도 1 내지 도 11d를 사용하여 설명한다.
[1. 탄성 표면파 필터 및 고주파 모듈의 구성]
처음에, 본 실시 형태에 따른 고주파 모듈(1)의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 따른 고주파 모듈(1)의 구성을 도시하는 개념도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 고주파 모듈(1)은 탄성 표면파 필터(10)와 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier: LNA)(20)를 구비하고 있다. 탄성 표면파 필터(10)는 일단이 안테나(도시하지 않음)에 접속되고, 타단부가 저잡음 증폭기(20)에 접속되어 있다. 저잡음 증폭기(20)는 수신 후의 미약한 전파를 가능한 한 잡음을 증가시키지 않고 증폭하는 증폭기이다.
또한, 탄성 표면파 필터(10)에 있어서, 입력 임피던스란, 고주파 모듈(1)의 입력 단자(IN)측에서 탄성 표면파 필터(10)를 보았을 때의 탄성 표면파 필터(10)의 임피던스를 말한다. 즉, 도 1에 화살표로 나타낸 SAW(Surface Acoustic Wave) 입력측 임피던스를 말한다. 또한, 출력 임피던스란, 고주파 신호의 출력처인 저잡음 증폭기(20)가 접속된 단자(도시하지 않음)로부터 탄성 표면파 필터(10)를 보았을 때의 탄성 표면파 필터(10)의 임피던스를 말한다. 즉, 도 1에 화살표로 나타낸 SAW 출력측 임피던스를 말한다.
탄성 표면파 필터(10)는 종결합형의 탄성 표면파 필터이다. 도 2a에 도시하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10)는 입력 단자(11)와 출력 단자(12) 사이에, 공진자(13), 공진자(14) 및 공진자(15)와, 반사기(16) 및 반사기(17)를 구비하고 있다. 공진자(13), 공진자(14) 및 공진자(15)는 반사기(16)측으로부터 반사기(17)측으로, 이 순서대로 배치되어 있다.
도 2b에 도시하는 바와 같이, 공진자(13)는 2개의 IDT 전극(13a 및 13b)이 조합된 구성을 하고 있다. 공진자(13)의 IDT 전극(13a)은 입력 단자(11)에 접속되어 있다. IDT 전극(13b)은 접지에 접속되어 있다. 마찬가지로, 공진자(15)는 2개의 IDT 전극(15a 및 15b)이 조합된 구성을 하고 있다. 공진자(15)의 IDT 전극(15a)은 입력 단자(11)에 접속되어 있다. IDT 전극(15b)은 접지에 접속되어 있다. 또한, 공진자(13)와 공진자(15) 사이에 배치된 공진자(14)는 2개의 IDT 전극(14a 및 14b)이 조합된 구성을 하고 있다. 공진자(14)의 IDT 전극(14a)은 접지에 접속되어 있다. IDT 전극(14b)은 출력 단자(12)에 접속되어 있다.
또한, 반사기(16)는 2개의 버스 바 전극(16a) 및 버스 바 전극(16b)과, 버스 바 전극(16a)과 버스 바 전극(16b) 사이에 복수 설치되고, 버스 바 전극(16a) 및 버스 바 전극(16b)에 각각 양단이 접속된 전극 핑거(16c)를 구비하고 있다. 마찬가지로, 반사기(17)는 2개의 버스 바 전극(17a) 및 버스 바 전극(17b)과, 버스 바 전극(17a)과 버스 바 전극(17b) 사이에 복수 설치되고, 버스 바 전극(17a) 및 버스 바 전극(17b)에 각각 양단이 접속된 전극 핑거(17c)를 구비하고 있다.
여기서, 공진자의 구성에 대해서, 일반적인 공진자(100)를 사용하여 보다 상세하게 설명한다. 도 3은, 일반적인 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이며, (a)는 평면도, (b)는 (a)에 도시된 일점쇄선에 있어서의 화살표 방향으로 본 단면도이다.
도 3의 (a) 및 (b)에 도시하는 바와 같이, 공진자(100)는 압전 기판(123)과, 빗형 형상을 갖는 전극(빗형 전극)인 IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)을 포함하고 있다.
압전 기판(123)은 예를 들어, 소정의 커트각으로 절단된 LiNbO3의 단결정으로 이루어진다. 압전 기판(123)에서는, 소정의 방향으로 탄성 표면파가 전반한다.
도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 압전 기판(123) 상에는, 대향하는 한 쌍의 IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)이 형성되어 있다. IDT 전극(101a)은 서로 평행한 복수의 전극 핑거(110a)와, 복수의 전극 핑거(110a)를 접속하는 버스 바 전극(111a)을 포함하고 있다. 또한, IDT 전극(101b)은 서로 평행한 복수의 전극 핑거(110b)와, 복수의 전극 핑거(110b)를 접속하는 버스 바 전극(111b)을 포함하고 있다. IDT 전극(101a)과 IDT 전극(101b)은, 서로의 복수의 전극 핑거(110a 및 110b)가 탄성 표면파 전반 방향으로 교대로 위치하도록 배치되어 있다. 즉, IDT 전극(101a)과 IDT 전극(101b)은, IDT 전극(101a)의 복수의 전극 핑거(110a)의 각각의 사이에, IDT 전극(101b)의 복수의 전극 핑거(110b) 각각이 배치되는 구성으로 되어 있다.
또한, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)은 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 밀착층(124a)과 주전극층(124b)이 적층된 구조로 되어 있다.
밀착층(124a)은 압전 기판(123)과 주전극층(124b)의 밀착성을 향상시키기 위한 층이며, 재료로서는, 예를 들어, NiCr가 사용된다.
주전극층(124b)은 재료로서, 예를 들어, Pt가 사용된다. 주전극층(124b)은 1개의 층으로 구성된 단층 구조여도 되고, 복수의 층이 적층된 적층 구조여도 된다.
보호층(125)은 IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)을 덮도록 형성되어 있다. 보호층(125)은 주전극층(124b)을 외부 환경으로부터 보호하는, 주파수 온도 특성을 조정하거나, 내습성을 높이거나 하는 것을 목적으로 하는 층이다. 보호층(125)은 예를 들어, 이산화규소를 주성분으로 하는 막이다. 보호층(125)은 단층 구조여도 되고 적층 구조여도 된다.
또한, 밀착층(124a), 주전극층(124b) 및 보호층(125)을 구성하는 재료는, 상술한 재료에 한정되지 않는다. 또한, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)은 상기 적층 구조가 아니어도 된다. IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)은 예를 들어, Ti, Al, Cu, Pt, Au, Ag, Pd 등의 금속 또는 합금을 포함해도 되고, 또한, 상기 금속 또는 합금을 포함하는 층이 복수 적층된 적층 구조를 포함해도 된다. 또한, 보호층(125)은 형성되어 있지 않아도 된다.
여기서, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)의 설계 파라미터에 대하여 설명한다. 도 3의 (b)에 도시하는 λ는, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)을 구성하는 전극 핑거(110a) 및 전극 핑거(110b)의 피치라고 한다. 탄성 표면파 필터에 있어서, 파장은, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)을 구성하는 복수의 전극 핑거(110a) 및 전극 핑거(110b)의 피치 λ로 규정된다. 피치 λ란, 상세하게는, 동일한 버스 바 전극에 접속된 인접하는 전극 핑거에 있어서, 한쪽 전극 핑거의 폭의 중앙으로부터 다른 쪽 전극 핑거의 폭의 중앙까지의 길이를 말한다. 예를 들어, 도 3의 (b)에서는, 버스 바 전극(111a)에 접속된(1)의 전극 핑거(110a)의 폭의 중앙으로부터, 당해 1개의 전극 핑거(110a)가 접속된 버스 바 전극(111a)과 동일한 버스 바 전극(111a)에 접속되고, 1개의 전극 핑거(110a)에 인접하는 다른 전극 핑거(110a)의 폭의 중앙까지의 길이이다.
또한, 도 3의 (b)에 도시하는 W는, 공진자(100)에 있어서의 IDT 전극(101a)의 전극 핑거(110a) 및 IDT 전극(101b)의 전극 핑거(110b)의 폭을 말한다. 또한, 도 3의 (b)에 도시하는 S는, 전극 핑거(110a)와 전극 핑거(110b)의 간격을 말한다. 또한, 도 3의 (a)에 도시하는 L은, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)의 교차폭이라고 하고, IDT 전극(101a)의 전극 핑거(110a)와 IDT 전극(101b)의 전극 핑거(110b)가 중복하는 전극 핑거의 길이를 말한다. 또한, 대수란, 전극 핑거(110a) 또는 전극 핑거(110b)의 개수를 말한다.
또한, 공진자(100)의 구조는, 도 3의 (a) 및 (b)에 기재된 구조에 한정되지 않는다. 또한, 본 실시 형태에 따른 공진자(13), 공진자(14) 및 공진자(15)는 상술한 구성에 한정하지 않는다. 공진자(13), 공진자(14) 및 공진자(15)는 이하에 기재한 바와 같이, 전극 핑거의 피치 및 대수가 각각 상이한 구성이어도 된다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 3개의 공진자(13), 공진자(14) 및 공진자(15) 중, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 단자(12)에 접속된 공진자(14)는 반사기(16)측으로부터 반사기(17)측으로 순서대로, 전극 핑거의 피치가 서로 다른 5개의 영역(141 내지 145)을 갖고 있다.
도 4는, 공진자(14)의 구성을 도시하는 개략도이며, 피치가 상이한 영역마다 영역을 분할하여 구성을 도시한고 있다. 도 5는, 공진자(14)의 구성을 보다 구체적으로 도시하는 개략도이다.
상세하게는, 공진자(14)는 도 4에 도시한 바와 같이, 공진자(14)에 있어서 탄성 표면파의 전반 방향의 양단측에 배치된 제1 영역(141 및 145)과, 제1 영역(141)에 인접하는 제2 영역(142)과, 제1 영역(145)에 인접하는 제3 영역(144)과, 제2 영역(142)과 제3 영역(144) 사이의 영역인 제4 영역(143)을 갖고 있다.
또한, 공진자(14)는 도 5에 도시한 바와 같이, IDT 전극(14a)과 IDT 전극(14b)을 포함하고 있다. IDT 전극(14a) 및 IDT 전극(14b)은 본 발명에 있어서의 빗형 전극에 상당한다. IDT 전극(14a)과 IDT 전극(14b)으로, 한 쌍의 빗형 전극을 이루고 있다.
IDT 전극(14a)은 영역(141 내지 145)에 공통적으로 배치된 버스 바 전극(140a)을 갖고 있다. 또한, IDT 전극(14a)은 영역(141 내지 145) 각각에 있어서 버스 바 전극(140a)에 일단부가 접속된, 복수의 전극 핑거(141a, 142a, 143a, 144a 및 145a)를 갖고 있다.
마찬가지로, IDT 전극(14b)은 영역(141 내지 145)에 공통적으로 배치된 버스 바 전극(140b)을 갖고 있다. 또한, IDT 전극(14b)은 영역(141 내지 145) 각각에 있어서 버스 바 전극(140b)에 일단부가 접속된, 복수의 전극 핑거(141b, 142b, 143b, 144b 및 145b)를 갖고 있다. 전극 핑거의 피치는, 영역(141 내지 145)에서 상이하다.
또한, 제1 영역(141 및 145)은 다른 영역보다도 피치가 좁은, 소위 협소 피치 영역이다. 또한, 협소 피치 영역 이외의 제2 영역, 제3 영역 및 제4 영역은, 전극 핑거의 피치가 협소 피치 영역에 있어서의 전극 핑거의 피치보다도 큰, 소위 메인 피치 영역이다.
여기서, 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 영역(141)에 있어서의 전극 핑거의 피치를 λ1, 제2 영역(142)에 있어서의 전극 핑거의 피치를 λ2, 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치를 λ3, 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 피치를 λ4, 제1 영역(145)에 있어서의 전극 핑거의 피치를 λ5로 한다. 각각의 영역에 있어서의 전극 핑거의 피치의 관계는, 이하와 같다.
제2 영역(142), 제3 영역(144) 및 제4 영역(143) 각각에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4 및 λ3은, 제1 영역(141 및 145)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ1, λ5보다도 크다. 또한, 제2 영역(142)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2와, 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ4는, 상이하다.
예를 들어, 제2 영역(142)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2는, 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ4보다도 작다. 즉, λ2<λ4의 관계를 충족하도록, 제2 영역(142)의 전극 핑거(142a 및 142b)와 제3 영역(144)의 전극 핑거(144a 및 144b)가 형성되어 있다. 일례로서, λ2=5.00㎛, λ4=5.20㎛이다. 또한, 제2 영역(142)에 있어서의 전극 핑거(142a 및 142b)의 대수는 3, 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거(144a 및 144b)의 대수는 5이다.
이에 의해, 나중에 상세하게 설명한 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스는, 유도성측으로 변화한다.
또한, 제2 영역(142)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2와 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ4의 관계는, 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ4가, 제2 영역(142)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2보다도 작은 것으로 해도 된다. 즉, λ4<λ2의 관계를 충족하도록, 제2 영역(142)의 전극 핑거(142a 및 142b)와 제3 영역(144)의 전극 핑거(144a 및 144b)를 형성해도 된다. 일례로서, λ2=5.30㎛, λ4=5.14㎛로 해도 된다. 또한, 제2 영역(142)에 있어서의 전극 핑거(142a 및 142b)의 대수를 3, 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거(144a 및 144b)의 대수를 5로 해도 된다.
이에 의해, 나중에 상세하게 설명한 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스는, 용량성측으로 변화한다.
또한, 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ3은, 제2 영역(142)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2 및 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ4 중 적어도 어느 것보다도 작다. 일례로서, λ3=5.09㎛이다. 또한, 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거(143a 및 143b)의 대수는 2이다.
이에 의해, 나중에 상세하게 설명한 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스는, 용량성측으로 변화한다.
또한, 제1 영역(141)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ1과, 제1 영역(145)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ5는, λ1<λ2 및 λ1<λ4, 그리고, λ5<λ2 및 λ5<λ4의 관계를 만족시키고 있기만 하다면, 동일해도 되고 상이해도 된다. 일례로서, λ1=4.69㎛, λ5=4.77㎛이다. 또한, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수는, 일례로서, 각각 3, 2, 5이다.
또한, 공진자(14)의 각 영역에 있어서의 전극 핑거의 대수는, 상술한 대수에 한정하지 않고, 변경해도 된다.
또한, 공진자(14)에 인접하는 공진자(13)는 반사기(16)측으로부터 반사기(17)측으로 순서대로, 전극 핑거의 피치가 상이한 2개의 영역(131 및 132)을 갖고 있다. 즉, 영역(132)은 탄성 표면파 필터(10)에 있어서의 중앙측, 즉, 공진자(14)에 가까운 위치에 배치되어 있다. 영역(131)은 탄성 표면파 필터(10)에 있어서의 외측, 즉, 반사기(16)에 가까운 측에 배치되어 있다.
영역(132)에 있어서의 전극 핑거의 피치는, 영역(131)에 있어서의 전극 핑거의 피치보다도 작게 형성되어 있다. 영역(132)은 소위 협소 피치 영역이다. 예를 들어, 영역(131)에 있어서의 전극 핑거의 피치는 5.15㎛, 영역(132)에 있어서의 전극 핑거의 피치는 4.61㎛이다. 또한, 영역(131)에 있어서의 전극 핑거의 대수는 22, 영역(132)에 있어서의 전극 핑거의 대수는 3이다.
또한, 공진자(14)에 인접하고, 공진자(14)에 대하여 공진자(13)와 반대측에 배치된 공진자(15)는 반사기(16)측으로부터 반사기(17)측으로 순서대로, 전극 핑거의 피치가 상이한 2개의 영역(151 및 152)을 갖고 있다. 즉, 영역(151)은 탄성 표면파 필터(10)에 있어서의 중앙측, 즉, 공진자(14)에 가까운 위치에 배치되어 있다. 영역(152)은 탄성 표면파 필터(10)에 있어서의 외측, 즉, 반사기(17)에 가까운 측에 배치되어 있다.
영역(151)에 있어서의 전극 핑거의 피치는, 영역(152)에 있어서의 전극 핑거의 피치보다도 작게 형성되어 있다. 영역(151)은 소위 협소 피치 영역이다. 예를 들어, 영역(151)에 있어서의 전극 핑거의 피치는 4.87㎛, 영역(152)에 있어서의 전극 핑거의 피치는 5.12㎛이다. 또한, 영역(151)에 있어서의 전극 핑거의 대수는 5, 영역(152)에 있어서의 전극 핑거의 대수는 20이다.
또한, 영역(132 및 151)에 있어서의 전극 핑거의 피치는, 공진자(14)에 있어서의 제1 영역(141 또는 145)과 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 영역(131) 및 영역(152)에 있어서의 전극 핑거의 피치는, 동일해도 되고 상이해도 된다. 또한, 각 영역에 있어서의 전극 핑거의 대수는, 상술한 대수에 한정하지 않고, 변경해도 된다. 예를 들어, 후술하는 바와 같이, 각 영역에 있어서의 전극 핑거의 대수는, 동일해도 된다.
[2. 탄성 표면파 필터의 임피던스 특성]
이어서, 본 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스 특성에 대하여 설명한다. 이하에서는, 공진자(14)의 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3의 관계를, λ3<λ2<λ4(실시예 1), λ2<λ3<λ4(실시예 2), λ3<λ4<λ2(실시예 3), λ4<λ3<λ2(실시예 4)로 할 때의 출력 임피던스에 대하여 설명한다.
[2-1. 비교예]
처음에, 본 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터에 있어서의 출력 임피던스에 대하여 이해를 용이하게 하기 위해서, 비교예에 따른 탄성 표면파 필터(10)의 임피던스 특성에 대하여 설명한다. 도 6은, 비교예에 따른 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다.
비교예로서, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을 동일하게 하고, 이 동일한 전극 핑거의 피치를 소, 중, 대로 변경한 경우의 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스에 대하여 설명한다.
여기서, 전극 핑거의 피치가 소인 때의 당해 전극 핑거의 피치는, 5.08㎛이다. 전극 핑거의 피치가 중인 때의 당해 전극 핑거의 피치는, 5.02㎛이다. 전극 핑거의 피치가 클 때의 당해 전극 핑거의 피치는, 5.14㎛이다. 또한, 제1 영역(141)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ1은, λ1=4.69㎛, 제1 영역(145)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ5는, 4.77㎛이다. 또한, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수는, 일례로서, 각각 3, 2, 5이다. 또한, 이때의 제1 영역(141 및 145)에 있어서의 전극 핑거의 개수는, 각각 3개 및 8개이다.
또한, 도 6에 있어서, 전극 핑거의 피치를 소, 중, 대인 경우의 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를, 각각 파선, 일점쇄선, 실선으로 나타내고 있다.
공진자(14)의 전극 핑거의 피치를 소, 중, 대로 크게 함에 따라서, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 도 6에 도시하는 스미스 차트에 있어서, 좌측으로부터 우측의 방향으로 이동하고 있다. 즉, 공진자(14)의 전극 핑거의 피치를 소, 중, 대로 크게 함에 따라서, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는 증가하는 것을 알 수 있다. 상세하게는, 출력 임피던스의 실수 성분이 증가하는 것을 알 수 있다.
즉, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을 증가시킴으로써, 4의 저항을 증가시킬 수 있다.
[2-2. 실시예 1]
이어서, 공진자(14)의 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ3<λ2<λ4일 경우의 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스 특성에 대하여 설명한다. 또한, 제1 영역(141 및 145)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ1 및 λ5에 대해서는, 상술한 비교예일 때의 값으로부터 변경하지 않는 것으로 한다. 즉, 전극 핑거의 피치 λ1 및 λ5는, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3보다도 작다.
도 7은, 본 실시예에 따른 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다. 도 7에 있어서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우를 파선, 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우를 일점쇄선, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치가 되도록 변경한 경우를 실선으로 나타내고 있다.
여기서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우란, 비교예에 나타낸 전극 핑거의 피치를 소인 때의 구성으로부터 변경하지 않은 경우이다. 또한, 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우란, 비교예에 나타낸 전극 핑거의 피치가 소인 때로부터 중인 때로 변경한 경우이다. 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우란, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을, 전극 핑거의 피치의 관계가 λ3<λ2<λ4로 되도록 변경한 경우이다. 예를 들어, λ3<λ2<λ4를 만족시키는 전극 핑거의 피치로서, λ2=5.00㎛, λ3=4.80㎛, λ4=5.19㎛로 한다. 또한, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수는, 일례로서, 각각 3, 2, 5이다. 또한, 이때의 제1 영역(141 및 145)에 있어서의 전극 핑거의 개수는, 각각 3개 및 8개이다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 전극 핑거의 피치를 λ3<λ2<λ4의 관계로 되도록 변경한 경우, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우에 비하여, 도 7에 도시된 스미스 차트에 있어서 우측 방향 및 상측 방향으로 이동한다. 즉, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스는, 스미스 차트에 있어서, 전극 핑거의 피치만을 변경한 비교예의 경우와는 달리, 우측 상단의 방향으로 이동한다.
이것은, 공진자(14)의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ3<λ2<λ4로 되도록 전극 핑거의 피치를 변경함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 저항이 커짐과 함께 용량성의 임피던스로 이동하는 것을 나타내고 있다.
따라서, 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3의 관계가 λ3<λ2<λ4로 되도록 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을 변경함으로써, 저항 및 용량성의 임피던스가 커지도록 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
[2-3. 실시예 2]
이어서, 공진자(14)의 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ2<λ3<λ4인 경우의 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스 특성에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시예에 있어서도, 실시예 1과 마찬가지로, 전극 핑거의 피치 λ1 및 λ5는, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3보다도 작다.
도 8은, 본 실시예에 따른 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다. 도 8에 있어서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우를 파선, 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우를 일점쇄선, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우를 실선으로 나타내고 있다.
여기서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우 및 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우에 대해서는, 실시예 1의 경우와 마찬가지이다. 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우란, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을, 전극 핑거의 피치의 관계가 λ2<λ3<λ4로 되도록 변경한 경우이다. 예를 들어, λ2<λ3<λ4를 만족시키는 전극 핑거의 피치로서, λ2=4.90㎛, λ3=5.00㎛, λ4=5.19㎛로 한다. 또한, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수는, 실시예 1과 마찬가지로, 일례로서, 각각 3, 2, 5이다. 또한, 제1 영역(141 및 145)에 있어서의 전극 핑거의 개수는, 각각 3개 및 8개이다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 전극 핑거의 피치를 상술한 바와 같이 변경한 경우, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우에 비하여, 도 8에 도시된 스미스 차트에 있어서 우측 방향으로 이동한다. 이때, 스미스 차트에 있어서의 상측 방향으로의 이동은, 실시예 1의 경우와 비교하여 작다.
이것은, 공진자(14)의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ2<λ3<λ4로 되도록 전극 핑거의 피치를 변경함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 저항이 크게 되어 있는 것을 나타내고 있다. 또한, 용량성으로의 이동도 있지만, 실시예 1의 경우보다도 용량성으로의 이동이 약해져 있는 것을 나타내고 있다.
따라서, 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3의 관계가 λ2<λ3<λ4로 되도록 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을 변경함으로써, 저항이 크고, 또한, 용량성의 임피던스가 약간 커지도록 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
[2-4. 실시예 3]
이어서, 공진자(14)의 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ3<λ4<λ2인 경우의 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스 특성에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시예에 있어서도, 실시예 1과 마찬가지로, 전극 핑거의 피치 λ1 및 λ5는, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3보다도 작다.
도 9는, 본 실시예에 따른 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다. 도 9에 있어서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우를 파선, 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우를 일점쇄선, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우를 실선으로 나타내고 있다.
여기서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우 및 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우에 대해서는, 실시예 1의 경우와 마찬가지이다. 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우란, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을, 전극 핑거의 피치의 관계가 λ3<λ4<λ2로 되도록 변경한 경우이다. 예를 들어, λ3<λ4<λ2를 만족시키는 전극 핑거의 피치로서, λ2=5.29㎛, λ3=5.09㎛, λ4=5.14㎛로 한다. 또한, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수는, 실시예 1과 마찬가지로, 일례로서, 각각 3, 2, 5이다. 또한, 제1 영역(141 및 145)에 있어서의 전극 핑거의 개수는, 각각 3개 및 8개이다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 전극 핑거의 피치를 상술한 바와 같이 변경한 경우, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스는, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우에 비하여, 도 9에 도시된 스미스 차트에 있어서 우측 방향 및 하측 방향으로 이동한다. 즉, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 스미스 차트에 있어서, 전극 핑거의 피치만을 변경한 비교예의 경우와는 달리, 우측 하단의 방향으로 이동한다.
이것은, 공진자(14)의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ3<λ4<λ2로 되도록 전극 핑거의 피치를 변경함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 저항이 커짐과 함께 유도성으로 이동하는 것을 나타내고 있다.
따라서, 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3의 관계가 λ3<λ4<λ2로 되도록 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을 변경함으로써, 저항 및 유도성의 임피던스가 커지도록 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
[2-5. 실시예 4]
이어서, 공진자(14)의 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ4<λ3<λ2인 경우의 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스 특성에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시예에 있어서도, 실시예 1과 마찬가지로, 전극 핑거의 피치 λ1 및 λ5는, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3보다도 작다.
도 10은, 본 실시예에 따른 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다. 도 10에 있어서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우를 파선, 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우를 일점쇄선, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우를 실선으로 나타내고 있다.
여기서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우 및 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우에 대해서는, 실시예 1의 경우와 마찬가지이다. 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우란, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을, 전극 핑거의 피치의 관계가 λ4<λ3<λ2로 되도록 변경한 경우이다. 예를 들어, λ4<λ3<λ2를 만족시키는 전극 핑거의 피치로서, λ2=5.29㎛, λ3=5.16㎛, λ4=5.14㎛로 한다. 또한, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수는, 실시예 1과 마찬가지로, 일례로서, 각각 3, 2, 5이다. 또한, 제1 영역(141 및 145)에 있어서의 전극 핑거의 개수는, 각각 3개 및 8개이다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 전극 핑거의 피치를 상술한 바와 같이 변경한 경우, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스는, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우에 비하여, 도 10에 도시한 스미스 차트에 있어서 우측 방향 및 하측 방향으로 이동한다. 즉, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 스미스 차트에 있어서, 전극 핑거의 피치만을 변경한 비교예의 경우와는 달리, 우측 하단의 방향으로 이동한다. 이때, 스미스 차트에 있어서의 하측 방향으로의 이동은, 실시예 3의 경우와 비교하여 크다.
이것은, 공진자(14)의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ4<λ3<λ2로 되도록 전극 핑거의 피치를 변경함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 저항이 커짐과 함께, 실시예 3의 경우보다도 크게 유도성으로 이동하는 것을 나타내고 있다.
따라서, 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3의 관계가 λ4<λ3<λ2로 되도록 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을 변경함으로써, 저항이 크고, 또한, 용량성의 임피던스가 보다 커지도록 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
[3. 탄성 표면파 필터의 전송 특성]
이어서, 탄성 표면파 필터(10)의 전송 특성에 대하여 설명한다. 이하에서는, 공진자(14)의 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우, 공진자(14)의 교차폭을 변경하는 경우, 및 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경하는 경우에 대하여 설명한다.
도 11a는, 본 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다. 도 11a에 있어서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우를 파선, 전극 핑거의 교차폭을 변경한 경우를 일점쇄선, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우를 실선으로 나타내고 있다.
여기서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우란, 비교예에 나타낸 전극 핑거의 피치를 소인 때의 구성으로부터 변경하지 않은 경우이다. 또한, 전극 핑거의 교차폭을 변경한 경우란, 비교예에 나타낸 전극 핑거의 피치가 소인 때의 구성으로부터 교차폭만을 변경한 경우이다. 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우란, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을, 전극 핑거의 피치의 관계가 λ3<λ4<λ2로 되도록 변경한 경우이다. 예를 들어, λ3<λ4<λ2를 만족시키는 전극 핑거의 피치로서, λ2=5.07㎛, λ3=5.02㎛, λ4=5.06㎛로 한다.
도 11a에 도시하는 바와 같이, 전극 핑거의 교차폭을 변경한 경우에는, 비교예에 나타낸 전극 핑거의 피치를 소로 했을 때에 비하여, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 스미스 차트 상에 있어서 우측 방향으로 이동한다. 또한, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스는, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우에 비하여, 도 11a에 도시된 스미스 차트에 있어서 더욱 우측 방향으로 이동한다.
즉, 전극 핑거의 교차폭을 변경한 경우에도 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우에도, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는 증가한다. 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경하는 경우 쪽이, 전극 핑거의 교차폭을 변경하는 경우보다도, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를 보다 크게 변화시킬 수 있다.
또한, 도 11b 내지 도 11d는, 본 실시 형태 1에 따른 탄성 표면파 필터(10)의 통과 특성을 도시하는 도면이다. 또한, 도 11c는, 대역폭의 변화를 이해하기 쉽게 하기 위해서, 부정합 손실을 제거했을 때의 탄성 표면파 필터(10)의 통과 특성을 나타내고 있다. 도 11b 내지 도 11d에 있어서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우를 파선, 전극 핑거의 교차폭을 변경한 경우를 일점쇄선, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우를 실선으로 나타내고 있다.
도 11b 및 도 11c에 도시하는 바와 같이, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우 및 전극 핑거의 교차폭을 변경한 경우에 비하여, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역폭은 넓어져 있다. 특히, 도 11c를 보면 이해하기 쉬운 바와 같이, 저주파측의 통과대역이 넓어져 있다. 따라서, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경하는 것은, 전극 핑거의 교차폭을 변경하는 것 보다도 광대역화에 유효하다.
이것은, 도 11d에 도시하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10)의 0차의 공진 모드의 공진 주파수 및 2차의 공진 모드의 공진 주파수가 저주파측으로 이동하기 때문이다. 도 11d에 도시하는 바와 같이, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우의 탄성 표면파 필터(10)의 통과 특성은, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우 및 전극 핑거의 교차폭을 변경한 경우의 탄성 표면파 필터의 통과 특성에 비하여, 0차의 공진 모드의 공진 주파수가 저주파측으로 이동한다. 따라서, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역폭은, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우 및 전극 핑거의 교차폭을 변경한 경우의 탄성 표면파 필터의 통과 특성보다도 확대된다.
또한, 0차의 공진 모드의 공진 주파수 및 2차의 공진 모드의 공진 주파수 양쪽이 저주파측으로 이동한다. 이때, 2차의 공진 모드의 공진 주파수 쪽이 0차의 공진 모드의 공진 주파수보다도 저주파수측으로 이동한다. 따라서, 0차의 공진 모드와 2차의 공진 모드의 공진 주파수 간격은 넓어지기 때문에, 이들 공진 모드의 결합은 약해진다.
또한, 0차의 공진 모드와 2차의 공진 모드의 결합은 약해지기 때문에, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우의 탄성 표면파 필터(10)에서는, 통과대역 내에 있어서의 입력 임피던스는, 도 11a에 도시한 바와 같이, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우 및 전극 핑거의 교차폭을 변경한 경우의 탄성 표면파 필터의 입력 임피던스와 비교하여 스미스 차트의 중심으로부터 벗어나게 된다. 즉, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스는, 저항이 증가하는 방향으로 변화한다.
이와 같이, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역폭을 확장하면서, 출력 임피던스를 변경할 수 있다. 즉, 탄성 표면파 필터(10)의 통과 특성을 열화시키지 않고, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를 조정할 수 있다. 또한, 탄성 표면파 필터(10)의 전극 핑거의 교차폭을 변경하는 경우보다도, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경하는 쪽이, 보다 통과 특성을 양호하게 유지하면서 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
[4. 효과 등]
이상, 본 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터(10)에 의하면, 탄성 표면파 필터(10)의 통과 특성을 열화시키지 않고, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
이때, 공진자(14)의 제2 영역(142) 및 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4의 관계를, λ2<λ4로 함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를, 저항뿐만 아니라 유도성의 임피던스로 이동시킬 수 있다. 또한, 전극 핑거의 피치 λ2, λ4의 관계를, λ4<λ2로 함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를, 저항뿐만 아니라 용량성의 임피던스로 이동시킬 수 있다.
또한, 공진자(14)의 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ3을, 제2 영역(142) 및 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4보다도 작게 함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를, 유도성으로 이동시킬 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터(10)에 의하면, 출력 임피던스를 2 이상의 방향으로 이동시킬 수 있다. 즉, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를, 저항, 용량성 및 유도성의 임피던스를 포함하여 조정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 공진자(14)를 전극 핑거 피치가 서로 다른 5개의 영역으로 분할하는 것으로 했지만, 5개의 영역에 한정하지 않고, 4개의 영역이어도 되고, 6개 이상의 영역이어도 된다. 전극 핑거의 피치를 5개의 영역마다 상이한 값으로 함으로써, 4개의 영역으로 하는 경우에 비하여, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를 보다 미세하게 조정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 탄성 표면파 필터(10)는 공진자를 3개 구비하는 구성으로 했지만, 공진자의 수는 이에 한정하지 않고 변경해도 된다. 예를 들어, 탄성 표면파 필터는, 5개의 공진자를 구비해도 된다.
또한, 전극 핑거의 피치 및 전극 핑거의 대수는, 상술한 것에 한정하지 않고 적절히 변경해도 된다. 또한, 제4 영역에 있어서의 전극 핑거의 피치는, 제2 영역 및 제3 영역 중 어느 한쪽에 있어서의 전극 핑거의 피치보다도 작아도 되고, 양쪽 영역에 있어서의 전극 핑거의 피치보다도 작아도 된다.
(실시 형태 2)
이어서, 실시 형태 2에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 따른 고주파 모듈(1)이 실시 형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 상이한 점은, 제1 영역 이외의 영역 각각에 있어서의 전극 핑거의 대수가 동일수인 점이다.
이하, 본 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터(10)에 대해서, 상술한 실시 형태 1의 실시예 1에 있어서의 탄성 표면파 필터(10)와 비교하면서 설명한다. 또한, 실시예 1에서는, 공진자(14)의 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ3<λ2<λ4인 탄성 표면파 필터(10)에 대하여 설명하였다. 실시예 1에 있어서의 탄성 표면파 필터(10)에서는, 전극 핑거의 피치는, λ2=5.00㎛, λ3=4.79㎛, λ4=5.19㎛로 하였다. 또한, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 개수는, 일례로서, 각각 3, 2, 5로 하였다. 또한, 이때의 제1 영역(141 및 145)에 있어서의 전극 핑거의 개수는, 각각 3개 및 8개로 하였다.
이하에서는, 공진자(14)의 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3의 관계를, λ3<λ2<λ4(실시예 5), λ2<λ3<λ4(실시예 6)로 하고, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수를 동일하게 할 때의 출력 임피던스에 대하여 설명한다.
[5. 실시예 5]
먼저, 공진자(14)에 있어서의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ3<λ2<λ4이며, 또한, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수가 동일한 경우의 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스 특성에 대하여 설명한다.
도 12는, 본 실시예에 따른 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다. 도 12에 있어서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우를 파선, 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우를 일점쇄선, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우를 실선으로 나타내고 있다.
여기서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우란, 실시예 1과 마찬가지로, 비교예에 나타낸 전극 핑거의 피치를 소인 때의 구성으로부터 변경하지 않은 경우이다. 또한, 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우란, 비교예에 나타낸 전극 핑거의 피치가 소인 때로부터 중인 때로 변경한 경우이다. 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우란, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을, 전극 핑거의 피치의 관계가 λ3<λ2<λ4로 되도록 변경한 경우이다. 예를 들어, λ3<λ2<λ4를 만족시키는 전극 핑거의 피치로서, λ2=5.00㎛, λ3=4.79㎛, λ4=5.19㎛로 한다. 또한, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 개수는 동일하며, 일례로서, 각각 6개이다. 또한, 이때의 제1 영역(141 및 145)에 있어서의 전극 핑거의 개수는, 각각 3개 및 8개이다.
도 12에 도시하는 바와 같이, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 개수를 동일하게 해서, 전극 핑거의 피치를 λ3<λ2<λ4의 관계로 되도록 변경한 경우, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우에 비하여, 도 12에 도시된 스미스 차트에 있어서 우측 상단의 방향으로 이동한다.
이것은, 공진자(14)의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ3<λ2<λ4로 되도록 전극 핑거의 피치를 변경함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 저항이 커짐과 함께 용량성의 임피던스로 이동하는 것을 나타내고 있다.
또한, 본 실시예에 따른 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 도 7에 도시된 실시예 1에 있어서의 탄성 표면파 필터(10)와 비교하면, 전체적으로 변화가 작지만, 실시예 1에 있어서의 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스보다도, 약간 유도성의 임피던스로 변화되어 있다. 이것은, 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수가 2로부터 3으로 증가되고, 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 대수가 5로부터 3으로 감소된 것에 의해, 스미스 차트에 있어서 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스가 좌측 방향으로 회전하는 변화를 나타냈기 때문이라고 할 수 있다. 또한, 도 12에 있어서, 스미스 차트에 있어서의 출력 임피던스의 와인딩(winding)은 넓어져 있기 때문에, 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스에 변동이 발생하기 쉽다고도 할 수 있다.
이와 같이, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수를 동일수로 함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스를 미세 조정할 수 있다. 이에 의해, 탄성 표면파 필터(10)의 통과 특성을 열화시키지 않고, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
[6. 실시예 6]
이어서, 공진자(14)에 있어서의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ2<λ3<λ4이며, 또한, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수가 동일한 경우의 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스 특성에 대하여 설명한다.
도 13은, 본 실시예에 따른 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스 특성을 도시하는 도면이다. 도 13에 있어서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우를 파선, 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우를 일점쇄선, 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우를 실선으로 나타내고 있다.
여기서, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우란, 실시예 1과 마찬가지로, 비교예에 나타낸 전극 핑거의 피치를 소인 때의 구성으로부터 변경하지 않은 경우이다. 또한, 전극 핑거의 피치만을 변경한 경우란, 비교예에 나타낸 전극 핑거의 피치가 소인 때로부터 중인 때로 변경한 경우이다. 전극 핑거의 피치를 복수의 영역마다 분할하여 서로 다른 피치로 되도록 변경한 경우란, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치 λ2, λ4, λ3을, 전극 핑거의 피치의 관계가 λ2<λ3<λ4로 되도록 변경한 경우이다. 예를 들어, λ2<λ3<λ4를 만족시키는 전극 핑거의 피치로서, λ2=4.89㎛, λ3=5.00㎛, λ4=5.19㎛로 한다. 또한, 실시예 5와 마찬가지로, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 개수는 동일하며, 일례로서, 각각 6개이다. 또한, 이때의 제1 영역(141 및 145)에 있어서의 전극 핑거의 개수는, 각각 3개 및 8개이다.
도 13에 도시하는 바와 같이, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 개수를 동일하게 해서, 전극 핑거의 피치를 λ2<λ3<λ4의 관계로 되도록 변경한 경우, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 전극 핑거의 피치를 변경하지 않는 경우에 비하여, 도 13에 도시된 스미스 차트에 있어서 우측 방향으로 이동한다. 이것은, 공진자(14)의 전극 핑거의 피치의 관계가 λ2<λ3<λ4로 되도록 전극 핑거의 피치를 변경함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스는, 저항이 커지는 것을 나타내고 있다.
또한, 본 실시예에 따른 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스는, 도 8에 도시된 실시예 2에 있어서의 탄성 표면파 필터(10)와 비교하면, 실시예 5의 경우와 마찬가지로, 전체적으로 변화가 작지만, 실시예 2에 있어서의 탄성 표면파 필터(10)의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스보다도 용량성으로의 이동이 크게 되어 있다. 이것은, 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수가 2로부터 3으로 증가되고, 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 대수가 5로부터 3으로 감소된 것에 의해, 스미스 차트에 있어서 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스가 좌측 방향으로 회전하는 변화를 나타냈기 때문이라고 할 수 있다. 즉, 전극 핑거의 대수를 동일수로 함으로써, 제3 영역(144)에 있어서의 전극 핑거의 피치가 나타내는 유도성의 임피던스으로의 변화가 작아진다. 또한, 도 13에 있어서, 스미스 차트에 있어서의 통과대역 내에 있어서의 출력 임피던스의 와인딩은 넓어져 있기 때문에, 출력 임피던스에 변동이 발생하기 쉽다고도 할 수 있다.
이와 같이, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수를 동일수로 함으로써, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를 용량성 및 유도성으로 밸런스 좋게 조정할 수 있다. 즉, 스미스 차트에 있어서, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 2 이상의 방향으로 이동시킬 수 있다.
따라서, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 피치를 변경하는 것뿐만 아니라, 제2 영역(142), 제3 영역(144), 제4 영역(143)에 있어서의 전극 핑거의 대수를 변경함으로써도, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
(기타의 실시 형태)
또한, 본 발명은 상술한 실시 형태에 기재한 구성에 한정되는 것은 아니라, 예를 들어 이하에 나타내는 변형예와 같이, 적절히 변경을 가해도 된다.
예를 들어, 상술한 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터는, 고주파 모듈에 사용되어도 된다. 이때, 도 1에 도시한 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10)는 탄성 표면파 필터(10)를 통과한 고주파 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기(20)에 접속되어 있어도 된다.
또한, 상술한 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터는, 멀티플렉서에 사용되어도 된다. 이 경우, 멀티플렉서는, 복수의 탄성 표면파 필터를 갖고, 복수의 탄성 표면파 필터 각각은, 공통 단자에 접속되어 있는 구성으로 되어 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 공진자를 전극 핑거 피치가 서로 다른 5개의 영역으로 분할하는 것으로 했지만, 5개의 영역에 한정하지 않고, 4개의 영역이어도 되고, 6개 이상의 영역이어도 된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 탄성 표면파 필터(10)는 공진자를 3개 구비하는 구성으로 했지만, 공진자의 수는 이에 한정하지 않고 변경해도 된다. 예를 들어, 탄성 표면파 필터는, 5개의 공진자를 구비해도 된다.
또한, 전극 핑거의 피치 및 전극 핑거의 대수는, 상술한 것에 한정하지 않고 적절히 변경해도 된다. 또한, 제4 영역에 있어서의 전극 핑거의 피치는, 제2 영역 및 제3 영역 중 어느 한쪽에 있어서의 전극 핑거의 피치보다도 작아도 되고, 양쪽 영역에 있어서의 전극 핑거의 피치보다도 작아도 된다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 탄성 표면파 필터에 사용되는 3개의 공진자 중 중앙 부분에 배치된 공진자가, 전극 핑거의 피치가 서로 다른 4개 이상의 영역을 갖는 것으로 하였다. 그러나, 이에 한정하지 않고, 당해 공진자는, 4개의 영역을 가져도 되고, 3개 이상의 영역을 포함하는 구성이라면 더욱 영역수를 많게 해도 된다.
또한, 전극 핑거의 피치가 서로 다른 3개 이상의 영역을 갖는 공진자는 1개로 한정하지 않고, 탄성 표면파 필터에 사용되는 3개의 공진자 중 양단에 배치된 2개의 공진자여도 된다. 이 경우, 2개의 공진자의 대응하는 각 영역에 있어서의 전극 핑거의 피치를 동일하게 해도 되고, 상이하게 해도 된다. 또한, 2개의 공진자의 대응하는 각 영역에 있어서의 전극 핑거의 대수를 동일하게 해도 되고, 상이하게 해도 된다.
또한, 공진자를 구성하는 기판, 전극, 보호층 등의 재료는, 상술한 것에 한정하지 않고, 적절히 변경해도 된다. 또한, 각 공진자의 전극 핑거의 피치 및 대수는, 상술한 조건을 만족시키는 것이기만 하면 변경해도 된다.
기타, 상술한 실시 형태 및 변형예에 대하여 당업자가 생각해 내는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 형태, 또는, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 상술한 실시 형태 및 변형예에 있어서의 구성 요소 및 기능을 임의로 조합함으로써 실현되는 형태도 본 발명에 포함된다.
본 발명은 탄성 표면파 필터를 사용한 고주파 모듈, 듀플렉서, 멀티플렉서, 수신 장치 등에 이용할 수 있다.
1: 고주파 모듈
10: 탄성 표면파 필터
11: 입력 단자
12: 출력 단자
13, 14, 15, 100: 공진자
13a, 13b, 14a, 14b, 15a, 15b, 101a, 101b: IDT 전극
16, 17 반사기
16a, 16b, 17a, 17b, 111a, 111b, 140a, 140b: 버스 바 전극
110a, 110b, 141a, 141b, 142a, 142b, 143a, 143b, 144a, 144b, 145a, 145b: 전극 핑거
123: 압전 기판
124a: 밀착층
124b: 주전극층
125: 보호층
131, 132, 151, 152: 영역
141, 145: 제1 영역
142: 제2 영역
143: 제4 영역
144: 제3 영역

Claims (8)

  1. 종결합형의 탄성 표면파 필터이며,
    상기 탄성 표면파 필터는, 탄성 표면파의 전반 방향으로 연속하여 배치된 복수의 공진자를 구비하고,
    상기 복수의 공진자 각각은, 버스 바 전극과 상기 버스 바 전극에 접속된 서로 평행한 복수의 전극 핑거를 갖는 한 쌍의 빗형 전극을 갖고,
    한 쌍의 상기 빗형 전극은, 서로의 상기 복수의 전극 핑거가 상기 탄성 표면파 전반 방향으로 교대로 위치하도록 배치되어 있고,
    상기 복수의 공진자 중 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 제1 공진자는, 상기 전극 핑거의 피치가 서로 다른 4개 이상의 영역을 갖고, 상기 4개 이상의 영역 각각에서는 상기 전극 핑거의 피치는 일정하며,
    상기 4개 이상의 영역 중, 상기 공진자의 탄성 표면파의 전반 방향의 양단측에 배치된 한 쌍의 제1 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치보다도, 상기 한 쌍의 제1 영역 이외의 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치는 크고,
    상기 한 쌍의 제1 영역의 한쪽에 인접하는 제2 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치와, 상기 한 쌍의 제1 영역의 다른 쪽에 인접하는 제3 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치는, 상이한,
    탄성 표면파 필터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제3 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치는, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치보다도 큰,
    탄성 표면파 필터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치는, 상기 제3 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치보다도 큰,
    탄성 표면파 필터.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 4개 이상의 영역은, 5개의 영역인,
    탄성 표면파 필터.
  5. 제4항에 있어서, 상기 5개의 영역 중의 중앙에 배치된 제4 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치는, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치 및 상기 제3 영역에 있어서의 상기 전극 핑거의 피치 중 적어도 어느 것보다도 작은,
    탄성 표면파 필터.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 한 쌍의 제1 영역 이외의 영역 각각에 있어서의 상기 전극 핑거의 대수는, 동일수인,
    탄성 표면파 필터.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 탄성 표면파 필터와,
    상기 탄성 표면파 필터에 접속되고, 상기 탄성 표면파 필터를 통과한 고주파 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기를 구비하는,
    고주파 모듈.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 탄성 표면파 필터를 복수 구비하고, 상기 복수의 탄성 표면파 필터 각각은, 공통 단자에 접속되어 있는,
    멀티플렉서.
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