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WO2005029566A1 - 半導体装置の製造方法および基板処理装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法および基板処理装置 Download PDF

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Publication number
WO2005029566A1
WO2005029566A1 PCT/JP2004/013678 JP2004013678W WO2005029566A1 WO 2005029566 A1 WO2005029566 A1 WO 2005029566A1 JP 2004013678 W JP2004013678 W JP 2004013678W WO 2005029566 A1 WO2005029566 A1 WO 2005029566A1
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WO
WIPO (PCT)
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furnace
substrate
temperature
semiconductor device
manufacturing
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/013678
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kenichi Suzaki
Jie Wang
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc. filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc.
Priority to JP2005514067A priority Critical patent/JPWO2005029566A1/ja
Priority to CN2004800203975A priority patent/CN1823404B/zh
Priority to US10/572,396 priority patent/US7955991B2/en
Publication of WO2005029566A1 publication Critical patent/WO2005029566A1/ja
Priority to US12/404,915 priority patent/US8636882B2/en
Priority to US13/098,993 priority patent/US8231731B2/en

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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/905—Cleaning of reaction chamber

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus by chemical vapor deposition (CVD) processing, wherein fine particles generated in a manufacturing process are removed.
  • the present invention relates to a semiconductor device manufacturing method and a substrate processing apparatus for the purpose of reduction.
  • a substrate to be processed such as a wafer is subjected to a film forming process by a chemical vapor deposition (CVD) method.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the film forming process is performed, for example, as follows. That is, a predetermined number of wafers are loaded on the boat. The wafer loaded on the boat is loaded into the reactor. The inside of the reaction furnace is evacuated, a reaction gas is introduced into the reaction furnace, and a film is formed on the wafer.
  • the inside of the reaction furnace is returned to the atmospheric pressure, and the boat is unloaded. Cool the boat with the boat completely pulled out of the furnace. At the same time, the temperature inside the reactor is lowered and a gas purge (reduced pressure N2 purge) is performed. As a result, the stress of the deposited film attached to the inner wall of the reactor is increased to cause a crack in the deposited film, and fine particles generated when the crack occurs are discharged by a gas purge (see Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2000-306904). ).
  • a main object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus which are excellent in particle reduction effect and can improve productivity.
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising:
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising:
  • the temperature in the furnace is increased without the substrate in the reaction furnace. Lowering the temperature to a temperature lower than the film temperature, supplying gas into the furnace, and evacuating using a gas exhaust line different from the gas exhaust line used in the film forming process;
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising:
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising:
  • a film forming gas supply line for supplying a film forming gas into the reaction furnace
  • Transfer means for loading and unloading the substrate into and from the reaction furnace; forced cooling means for forcibly cooling the reaction furnace;
  • control means for controlling a forced cooling means so as to forcibly cool the inside of the reaction furnace in a state where the substrate is not present in the reaction furnace.
  • a substrate processing apparatus is provided.
  • FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a view showing a wafer processing flow according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a graph showing a relationship between a temperature drop width and particles during LTP according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a temperature drop rate and particles when performing LTP according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between a cumulative film thickness and particles when performing LTP according to a third embodiment of the present invention.
  • the temperature of the inside of the reaction furnace is reduced by 10 ° C./min or more, preferably 20 ° C./min or more by a heater equipped with a quenching mechanism with the substrate taken out of the reaction furnace.
  • a heater equipped with a quenching mechanism with the substrate taken out of the reaction furnace By rapidly cooling at a rate, cracks are forcibly generated in the deposited film formed in the reactor during the semiconductor manufacturing process, and fine particles generated when the cracks are generated are forcibly discharged by an atmospheric pressure gas purge.
  • the frequency of cleaning the reactor is reduced to improve the productivity.
  • FIGS. 1 and 2 is a hot-type batch processing type vertical semiconductor manufacturing apparatus.
  • FIG. 1 shows a state in which a boat 9 loaded with a wafer 10 is loaded into the reaction furnace 1 and the lower opening of the furnace flange 2 is closed with a furnace seal seal 12.
  • FIG. 2 shows a state where the wafer 10 is loaded. The unloaded boat 9 is unloaded from the reaction furnace 1 to the transfer chamber 11, and the lower opening of the furnace flange 2 is closed by the furnace gate valve 13.
  • the reaction furnace 1 is made of a metal furnace flange 2, a quartz flange tube 3 airtightly mounted on the furnace flange 2, a quartz inner tube 4 concentrically arranged in a quartz radius tube 3, and a stone radius tube.
  • a hot wall type reaction furnace is constituted by a heater 5 and the like provided outside the quartz outer tube 3 so as to surround the quartz outer tube 3.
  • a forced cooling mechanism 40 is provided so as to cover the quartz outer tube 3 and the heater 5.
  • the forced cooling mechanism 40 includes a heat insulating nozzle 41 provided to cover the quartz water tube 3 and the heater 5, a supply line 42 provided in communication with the inner space of the heat insulating cover 41, and a ceiling part of the heat insulating bar 41. Is provided in communication with the internal space of the heat insulating cover 41 through the exhaust hole 44 of Exhaust line 43 provided.
  • the supply line 42 is provided with an introduction blower 45 and a shirt 46.
  • the exhaust line 43 is provided with a shirt 47, a radiator 48, and an exhaust blower 49.
  • gas introduction lines 6, 7 for introducing a reaction gas are connected, and an exhaust line 30 is also connected.
  • the gas introduction lines 6 and 7 are connected to a part of the furnace flange 2 below the lower end of the quartz inner tube 4.
  • the exhaust line 30 is connected to a portion of the furnace flange 2 below the lower end of the quartz outer tube 3 and above the lower end of the quartz inner tube 4.
  • the exhaust line 30 is connected to a main exhaust line 31 communicating with an exhaust device 8 such as a vacuum pump, a high flow vent (HFV: High Flow Vent) line 32 branched from the main exhaust line 31, and a branch from the main exhaust line 31.
  • HV High Flow Vent
  • APC knob as a main knob is provided downstream of the branch point of the main exhaust line 31 with the high flow vent line 32.
  • a slow exhaust line is provided to bypass this APC valve!
  • No-flow vent line 32 communicates with the exhaust system of the facilities accompanying the building.
  • the vent flow line 32 is set so that the exhaust flow rate is larger than that of the main exhaust line 31, the slow exhaust line (not shown), and the over-pressurization prevention line 33. It can flow.
  • the inner diameter of the high flow vent line 32 is smaller than the inner diameter of the main exhaust line 31 and is larger than the inner diameter of the slow exhaust line (not shown) and the overpressurization prevention line 33.
  • the high flow vent line 32 has a valve 35. By switching this valve 35 and the APC valve, the exhaust route can be switched between the main exhaust line 31 and the high flow vent line 32! / ⁇ You.
  • the over-pressurization prevention line 33 includes a valve 36 and a check valve 37.
  • the check valve 37 is opened and the main valve 37 is opened via the check valve 37. Since the atmosphere in the exhaust line 31 is exhausted, it is possible to prevent the inside of the main exhaust line 31, that is, the inside of the reaction furnace 1 from being over-pressurized to the atmospheric pressure or more.
  • a boat elevator 15 is provided as a boat transfer (elevation) means, and the boat 9 is moved up and down to load and unload the boat 9 into the reactor 1. Mr It has become. Wafers 10 as substrates to be processed are loaded into a boat 9 in a horizontal position in multiple stages with a gap therebetween.
  • the boat 9 can be made of, for example, quartz.
  • the control device 20 controls heating by the heater 5, cooling by the forced cooling device 40, gas introduction by the gas introduction lines 6 and 7, selection of an exhaust line by switching valves, exhaust by the exhaust line, and the like.
  • a substrate transfer chamber 11 is provided below the reaction furnace 1, and in a state where the boat 9 is lowered into the substrate transfer chamber 11, the substrate transfer machine 11 (not shown) transfers the substrate 9 to the boat 9 in a predetermined manner.
  • a number of wafers 10 are loaded (Wafer Charge).
  • the atmosphere in the reaction furnace 1 is maintained at the atmospheric pressure, and an inert gas, for example, N is introduced into the reaction furnace 1 in parallel with the loading of the wafer 10 into the boat 9.
  • the temperature inside the reactor 1 was set to 600 ° C.
  • the boat 9 is lifted by the boat elevator 15, and the boat 9 is loaded into the reactor 1 set at a temperature of 600 ° C (Boat Load).
  • the inside of the reactor 1 is gently evacuated by the exhaust device 8 via the slow exhaust line (Slow Pump).
  • the APC valve is opened and the inside of the reactor 1 is evacuated by the exhaust device 8 through the main exhaust line 31 to reach the predetermined pressure.
  • the temperature in the reactor 1 was raised from 600 ° C to 730 ° C-800 ° C, for example, to a film forming temperature of 760 ° C (Ramp Up), and the wafer temperature reached the film forming temperature and was stabilized.
  • the reaction gas is introduced into the reaction furnace 1 from the gas introduction lines 6 and 7, and the film is formed on the wafer 10.
  • a SiN film silicon nitride film, hereinafter referred to as SiN
  • the inside of the reactor 1 is kept at a film forming temperature of 730 ° C. to 800 ° C.
  • the force of reducing the furnace temperature from 760 ° C to 700 ° C before unloading the boat 9 This is to increase the boat unloading speed. That is, when the temperature in the reaction furnace 1 at the time of boat unloading is lower than the film forming temperature (760 ° C) and the temperature (700 ° C) is set, the temperature difference in the wafer surface at the time of boat unloading is reduced. It can be reduced, and the amount of wafer deflection is also reduced. In such a state, the boat can be downed to a certain speed without adversely affecting the wafer. In addition, the temperature is slightly lowered to reduce the thermal effect on peripheral members when the boat is unloaded.
  • the opening of the reactor (boat entrance / exit), that is, the opening of the furnace flange 2 is hermetically closed by the furnace rogate valve 13 (see FIG. 2).
  • the wafer 10 after the film forming process is cooled in the substrate transfer chamber 11 (Wafer Cool).
  • the wafer 10 is discharged from the boat 9 by a substrate transfer machine (not shown) (WZF Discharge).
  • the inside of the hermetically closed reactor 1 is purged with an inert gas at atmospheric pressure using an inert gas. For example, perform N purge.
  • an inert gas For example, perform N purge.
  • the temperature in the reaction furnace 1 is increased by the forced cooling mechanism 40 to a cooling rate higher than the cooling rate during natural air cooling ( ⁇ 3 ° C / min). Descent ) To rapidly change the furnace temperature.
  • the response of the deposited film adhered to the inside of the reactor 1 is increased more than in the case of the natural air cooling, and a thermal stress is actively generated, so that the deposited film is forcibly cracked more than in the natural air cooling.
  • the fine particles scattered due to the cracks are forcibly and efficiently discharged out of the reactor by purging the furnace at atmospheric pressure.
  • the furnace temperature is lowered by the forced cooling mechanism 40, the shirts 46 and 47 are opened, the exhaust gas blower 49 exhausts the high-temperature atmosphere gas in the heat insulating cover 41, and the introduction blower 45 air and N A cooling medium such as is introduced into the heat insulating cover 41.
  • the temperature lowering rate is at least 10 ° CZmin or more, preferably 20 ° CZmin or more.
  • the temperature in the furnace is set so that the temperature in the reactor 1 is reduced to at least about 1Z2 (50%) or less of the film forming temperature. That is, the temperature drop width (amount) is at least about 1Z2 (50%) or more of the film forming temperature. For example, when the film forming temperature is about 730 to 800 ° C, the temperature in the reactor 1 is set to decrease to 800 ° C even to 400 ° C.
  • the temperature in the reaction furnace 1 is once increased to a temperature higher than the film formation temperature, and then increased to a temperature lower than the film formation temperature. You may.
  • the temperature in the reactor 1 is higher than the furnace temperature (700 ° C.) at the time of boat down and higher than the film forming temperature (760 ° C.).
  • the temperature is raised to 40 ° C at a rate of 40 ° CZ min, and then lowered to a temperature of 400 ° C, which is lower than the deposition temperature, at a rate of 20 ° CZmin.
  • the temperature drop temperature difference
  • the heating time can be shortened.
  • the temperature rise before the furnace temperature drop is performed in order to increase the temperature difference (temperature drop width) without lowering the temperature drop end point temperature so much. It can be omitted, but in this case, the temperature difference (temperature drop width) becomes small, and the particle reduction effect decreases.
  • it is necessary to lower the temperature drop end temperature in order to increase the temperature difference (temperature drop width) in order to increase the temperature difference (temperature drop width), but this will increase the temperature rise time after the temperature drop and increase the throughput. becomes worse.
  • Gas purging using an inert gas in the reactor 1 at the same time as forced cooling in the furnace is said to have a greater particle removing effect when performed at atmospheric pressure than when performed under reduced pressure.
  • This can be said to be due to the fact that the energy for transporting a foreign substance containing many molecules and atoms is larger in the atmospheric pressure state than in the depressurized state.
  • N molecules are exhausted under reduced pressure by a vacuum pump such as a turbo molecular pump, the N
  • the gas flow rate is slow, for example, about 10 cmZ, but N molecules are densely present in the gas flow and collide with particles.
  • the generated particles will fall onto the furnace port gate valve 13.
  • the particles that have fallen onto the furnace rogate valve 13 are retracted to the retreat position 14 outside the furnace while being held on the furnace rogate valve 13 when performing the next film formation. That is, at the time of performing the next film formation, the particles can be made not to exist in the furnace, and the next processing is not affected.
  • a groove is provided on the upper surface of the furnace rogate valve 13, and the dropped particle can be stored in the groove so that when the furnace rogate valve 13 is moved to the evacuation position 14, the particle is prevented from falling. can do.
  • a particle removing mechanism may be provided at the retreat position 14 to retreat the furnace port gate valve 13 so that particles on the furnace port gate valve can be removed in the meantime! ,.
  • the wafer 10 is unloaded from the reaction furnace 1 and the temperature in the reaction furnace 1 is kept at least 10 ° CZmin or more, preferably 20 ° CZmin or more in a state where the reaction furnace 1 is airtightly closed.
  • a series of operations for purging an inert gas in the reactor 1 at atmospheric pressure while lowering the film forming temperature by about 1Z2 or more at the temperature lowering rate is performed by the control means 20 by the heater 5, the forced cooling device 40, the gas supply system, This is performed by controlling the exhaust system and the like.
  • the furnace purge performed in this way is called low temperature purge or LTP (Low Temperature Purge).
  • a preferred rate of temperature rise in the LTP before the temperature in the furnace is increased is 3 ° CZmin or more, more preferably 10-100 ° CZmin, and even more preferably 30-100 ° CZmin. Further, a preferable cooling rate when the temperature in the furnace is lowered is 3 ° CZmin or more, more preferably 10-100 ° CZmin, further preferably 20-100 ° CZmin.
  • the wafer 10 of the next batch is a predetermined number loaded into the boat 9 by the substrate transfer machine (Wafer charge) 0 This At the same time, the furnace temperature is raised to a standby temperature, for example, 600 ° C.
  • the boat 10 is loaded with the wafer 10
  • the boat 9 is lifted by the boat elevator 15, the boat 9 is loaded into the reactor 1 (Boat Load), and the processing of the next batch is continued.
  • the temperature in the furnace is raised from 400 ° C to 600 ° C in the next film formation. This is to shorten the furnace heating time after loading the boat and shorten the total film formation time. If the furnace temperature is kept at 400 ° C, the end point temperature of LTP, after the LTP, the boat is loaded at 400 ° C for the next film formation, and then the furnace temperature is increased from 400 ° C to 760 ° C. It is necessary to raise the temperature by 360 ° C, and the temperature rise time becomes longer.
  • furnace temperature is raised to 600 ° C and maintained after LTP, boat loading is performed at 600 ° C for the next film formation, and then the furnace temperature is increased from 600 ° C to 760 ° C by only 160 ° C. If the temperature is raised, the time required to raise the temperature can be shortened. Note that if the furnace temperature during boat loading is too high, there is a problem of wafer bouncing, and the furnace temperature is maintained at 600 ° C. in consideration of such a problem.
  • the furnace temperature is lowered (reduced) by 800 ° C to 400 ° C at a cooling rate of 20 ° CZmin or more by the forced cooling mechanism 40.
  • the stress of the reaction by-product deposited film adhered to the inner surface of the reactor 1 is increased from that of natural air cooling (cooling rate ⁇ 3 ° C / min), and the thermal stress is positively increased.
  • forced cracks in the deposited film beyond natural air cooling. Further, by purging the inside of the reactor 1 with atmospheric pressure gas, fine particles scattered due to the generation of cracks are forcibly and efficiently discharged out of the reactor 1.
  • the temperature in the furnace during film formation is several hundred degrees higher than the temperature-falling end temperature (400 ° C) in LTP.
  • the deposited film that has been once cooled (400 ° C) has been subjected to stress relaxation. New cracks are avoided during the next batch processing of SiN deposition. Further, it is a component that the stress of the deposited film is reduced when the temperature is increased, and the stress of the deposited film is reduced at the time of the film forming process, so that a new crack may be generated at the time of the film forming process. Is even lower.
  • cracks in the deposited film are generated in advance, and fine particles accompanying the cracks are forcibly discharged out of the reaction furnace 1 before the ball loading, so that wafer processing can be performed without fine particles. Done. Further, since particles generated by the cracks in the deposited film can be efficiently removed, the reactor 1 may be cleaned before the deposited film is peeled off. In addition, according to the present invention, the period until the deposited film is separated can be greatly extended. Therefore, the interval between cleaning times of the reactor 1 can be greatly extended (until the thickness of the deposited film becomes 25 m).
  • SiC has a coefficient of thermal expansion close to that of SiN, there is little stress difference between SiC and SiN. Therefore, when the reaction tubes such as the outer tube 3 and the inner tube 4 are made of SiC, the effect of LTP cannot be expected much. In contrast, SiO (quartz) has a coefficient of thermal expansion of SiN
  • the SiN film is formed on a silicon wafer of ⁇ 300mm by the wafer processing method in the above embodiment.
  • FIG. 4 shows the measurement results (relationship between temperature drop width and particles in LTP).
  • the horizontal axis indicates the temperature drop width (° C) in LTP, and the vertical axis indicates the number of particles (Zwafer) of 0.13 / zm or more attached to the wafer.
  • T indicates a TOP (top) wafer
  • B indicates a B OTTOM (bottom) wafer.
  • Fig. 4 when the temperature drop width is 300 ° C, the number of particles is about 60-70, whereas when the temperature drop width is 400 ° C or less, the number of particles is 40 or less. It turns out that it becomes.
  • the particles will be significantly reduced (at least 40 particles or less). be able to.
  • a SiN film is formed on a silicon wafer of ⁇ 300 mm.
  • the temperature drop width was fixed at 400 ° C.
  • the treatment was performed by changing the cooling rate in three ways: 0 ° CZmin, 4 ° C / min, and 20 ° C / min, and the number of particles after the treatment in each case was measured.
  • FIG. 5 shows the measurement results (the relationship between the temperature drop rate and particles in LTP).
  • the horizontal axis shows the temperature drop rate (° CZmin) in LTP, and the vertical axis shows the number of particles (Zwafer) of 0.13 / zm or more attached to the wafer.
  • T indicates a wafer at the top (top)
  • B indicates a wafer at the bottom (bottom).
  • the cooling rate is 0 ° C / min (that is, when the temperature is not lowered)
  • the number of particles is about 460 for TOP and about 60 for BOTTOM.
  • the cooling rate was 4 ° C / min, the number of particles was more than 100 for TOP and about 70 for BOTTOM.
  • the cooling rate was 20 ° CZmin
  • the number of particles was less than 30 for both TOP and BOTTOM. That is, if the temperature drop rate in LTP is set to 20 ° CZmin or more, the number of particles can be significantly reduced (at least 30 or less).
  • the cooling route was set to at least 10 ° CZmin or more, the number of parts could be significantly reduced as compared with the case of natural air cooling.
  • the SiN film was formed on a silicon wafer of ⁇ 300 mm by the wafer processing method in the above embodiment.
  • DCS (SiH CI) and NH were used as the reactive gas, and the deposition temperature was 730 ° C-800 ° C.
  • the temperature drop width at LTP was fixed at 400 ° C and the temperature drop rate was fixed at 20 ° CZmin. Since the wafer cooling time is 15 minutes and the wafer collection time is 15 minutes, LTP was performed in parallel with these events within this total time (30 minutes) so that the throughput would not decrease. In this embodiment, the total time of the LTP was 30 minutes (the heating time before the cooling was 10 minutes, and the cooling time was 20 minutes). Under these conditions, continuous batch processing is performed on the wafer, and each notch After the treatment, the number of particles attached to the wafer was measured.
  • FIG. 6 shows the measurement results (the relationship between the accumulated film thickness and the particles).
  • the horizontal axis indicates the number of continuous batch processing (Run No.)
  • the left vertical axis indicates the number of particles (0.1was or more) that adhered to the wafer (pieces of Zwafer)
  • the right vertical axis indicates the accumulated film thickness (nm). Is shown.
  • TOP indicates the top wafer
  • BOTTOM indicates the bottom wafer.
  • the bar graph shows the number of particles
  • the line graph shows the cumulative film thickness. From Fig. 5, it can be seen that the number of particles is about 50 or less until Run No. 119 (119th batch processing), that is, until the cumulative film thickness becomes 23 m (23000 nm). As a result of further experiments by the present inventors, it was confirmed that the number of particles was 50 or less even when the cumulative film thickness exceeded 25 m (25000 nm).
  • the cumulative (deposited) film thickness exceeds: L m (100 nm)
  • the number of the parts rapidly increases, and the value far exceeds 200.
  • the number of particles is 50 or less even when the cumulative film thickness exceeds 25 m (25000 nm).
  • the film thickness deposited in one batch process is 0.15 m (150 nm), and therefore, the number of continuous batch processes capable of forming a film while suppressing the number of particles to 50 or less.
  • the force is about 167 times by implementing the present invention, which is about 7 times in the conventional example. That is, according to the present invention, the interval of the cleaning (cleaning) time of the reactor can be greatly extended, and the frequency of cleaning the reactor can be greatly reduced.
  • a crack is forcibly generated in a deposited film formed in a reaction furnace before a film forming process, and fine particles accompanying the crack generation are discharged. Therefore, the generation of fine particles can be suppressed during the film forming process, and the high quality film forming process can be performed. And clean the reactor before the deposited film peels off! Therefore, the cleaning time interval becomes longer, the maintainability is improved, the operation rate is improved, and the processing time is not longer than in the past.
  • the present invention can be particularly suitably applied to a method of manufacturing a semiconductor device having a film forming step by a CVD method and a substrate processing apparatus capable of suitably performing the film forming step.

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Description

明 細 書
半導体装置の製造方法および基板処理装置
技術分野
[0001] 本発明は、半導体装置の製造方法および基板処理装置に関し、特に、 CVD (Che mical Vapor Deposition)処理による半導体装置の製造方法及び基板処理装置 であって、製造過程で発生する微細パーティクルの低減を目的とする半導体装置の 製造方法及び基板処理装置に関するものである。
背景技術
[0002] 半導体装置を製造する工程に於いて、ウェハ等の被処理基板に化学気相成長 (C VD)法により成膜処理をすることが行われて 、る。
[0003] この成膜処理は例えば次の様になされる。すなわち、所定枚数のウェハがボートに 装填される。ボートに装填されたウェハは反応炉内に装入 (ロード)される。反応炉内 部が真空排気され、反応炉内に反応ガスが導入され、ウェハに成膜処理がなされる
[0004] 成膜処理完了後、反応炉内を大気圧に復帰させ、ボートをアンロードする。炉内か らボートを完全に引き出した状態でボートを冷却する。それと同時に反応炉内の温度 を降下させ、ガスパージ (減圧 N2パージ)を行う。これにより反応炉内壁に付着した 堆積膜の応力を増大させて堆積膜に亀裂を発生させ、亀裂発生時に生じる微細パ 一ティクルをガスパージにより排出する（日本国公開公報-特開 2000-306904号 参照)。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] この場合、反応炉内力 処理済基板をアンロードした状態で炉内温度を降下させる 際、例えば自然空冷の降温レート（ 3°CZmin)にて炉内温度を成膜温度力 150 °C程度、数十分、例えば 50分程度かけて降下させていた。し力しながら、 3°C/min 程度の降温レートでは、堆積膜に強制的に亀裂 (堆積膜と石英反応管の間の熱膨張 率の相違による熱応力が、許容限界値 (堆積膜の機械的破壊強度)を越えることで 発生する膜亀裂)を発生させることによる、パーティクル排出効果は低ぐ特に φ 300 mmウェハの処理においては、累積膜厚が 1. 2 mを超えたところでパーティクルが 多数発生し、特に φ 300mmウェハの処理ではパーティクル低減効果が極めて低い ことが判明した。また、自然空冷の温度降下（ 3°CZmin)においては 50分程度の 時間が必要となることから基板処理装置（半導体製造装置)の稼働率が低下し、生産 性が悪ィ匕するという問題があった。
[0006] 本発明の主な目的は、パーティクル低減効果に優れ、生産性を向上させることがで きる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
[0007] 本発明の一態様によれば、
基板を反応炉内にロードする工程と、
前記反応炉内で前記基板に成膜を行う工程と、
成膜後の前記基板を前記反応炉よりアンロードする工程と、
前記基板をアンロード後、前記反応炉内に前記基板がない状態で前記反応炉内 を強制冷却する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
[0008] 本発明の他の態様によれば、
基板を反応炉内にロードする工程と、
前記反応炉内で前記基板に成膜を行う工程と、
成膜後の前記基板を前記反応炉よりアンロードする工程と、
前記基板をアンロード後、前記反応炉内に前記基板がない状態で、炉内温度を成 膜温度よりも低い温度まで降下させると共に、前記炉内を大気圧状態でガスパージ する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
[0009] 本発明のさらに他の態様によれば、
基板を反応炉内にロードする工程と、
前記反応炉内で前記基板に成膜を行う工程と、
成膜後の前記基板を前記反応炉よりアンロードする工程と、
前記基板をアンロード後、前記反応炉内に前記基板がない状態で、炉内温度を成 膜温度よりも低い温度まで降下させると共に、前記炉内にガスを供給して前記成膜 工程で用いる排気ラインとは異なる排気ラインを用いて排気する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
[0010] 本発明のさらに他の態様によれば、
基板を反応炉内にロードする工程と、
前記反応炉内で前記基板に成膜を行う工程と、
成膜後の前記基板を反応炉よりアンロードする工程と、
前記基板をアンロード後、前記反応炉内に前記基板がない状態で、炉内温度を一 且成膜温度よりも高い温度まで上昇させ、その後前記成膜温度よりも低い温度まで 降下させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
[0011] 本発明のさらに他の態様によれば、
基板に対して成膜を行う反応炉と、
前記反応炉内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給ラインと、
前記反応炉内にパージガスを供給するパージガス供給ラインと、
前記反応炉内を排気する排気ラインと、
前記反応炉内に対して前記基板をロード Zアンロードする搬送手段と、 前記反応炉内を強制冷却する強制冷却手段と、
前記反応炉より前記基板をアンロードさせた後、前記反応炉内に前記基板がない 状態で、前記反応炉内を強制冷却するよう強制冷却手段を制御する制御手段と、 を有することを特徴とする基板処理装置が提供される。
図面の簡単な説明
[0012] [図 1]本発明の好ましい実施形態に係る基板処理装置を説明するための示す概略縦 断面図である。
[図 2]本発明の好ましい実施形態に係る基板処理装置を説明するための示す概略縦 断面図である。
[図 3]本発明の好ましい実施形態に係るウェハ処理フローを示す図である。
[図 4]本発明の第 1の実施例に係る LTP実施時の温度降下幅とパーティクルとの関 係を示す図である。
[図 5]本発明の第 2の実施例に係る LTP実施時の温度降下レートとパーティクルとの 関係を示す図である。
[図 6]本発明の第 3の実施例に係る LTP実施時の累積膜厚とパーティクルとの関係を 示す図である。
発明を実施するための好ましい形態
[0013] 本発明の好ましい実施形態は、反応炉内より基板を取り出した状態で急冷機構を 具備したヒータにて反応炉内を 10°C/min以上、好ましくは 20°C/min以上の降温 レートにて急速急冷することにより半導体製造過程で反応炉内に形成された堆積膜 に亀裂を強制的に発生させ、亀裂発生時に生じる微細パーティクルを大気圧ガスパ ージにより強制的に排出し、ウェハへの微細パーティクルの付着を低減させることで、 反応炉の洗浄の頻度を少なくして生産性を向上させようとするものである。
[0014] 以下、図面を参照しつつ本発明の好ましい実施の形態を説明する。まず図 1、図 2 を参照して本発明の好ましい実施の形態に係る CVD成膜処理を行う基板処理装置 としての半導体製造装置を説明する。図 1、図 2に示す半導体製造装置はホットゥォ ールタイプのバッチ処理式の縦型半導体製造装置である。
[0015] 図 1は、ウェハ 10を搭載したボート 9を反応炉 1内にロードし、炉ロフランジ 2の下側 開口部を炉ロシールキヤプ 12で閉じた状態を示し、図 2は、ウェハ 10を搭載したボ ート 9を反応炉 1から移載室 11にアンロードし、炉ロフランジ 2の下側開口部を炉ロ ゲートバルブ 13で閉じた状態を示している。
[0016] 反応炉 1は、金属製の炉ロフランジ 2、炉ロフランジ 2に気密に立設された石英ァゥ タチューブ 3、石英ァウタチューブ 3内に同心に立設された石英インナチューブ 4、石 英ァウタチューブ 3の外側に石英ァウタチューブ 3を囲繞する様に設けられたヒータ 5 等によりホットウォールタイプの反応炉として構成されている。
[0017] 石英ァウタチューブ 3およびヒータ 5を覆って強制冷却機構 40が設けられている。
強制冷却機構 40は、石英ァウタチューブ 3およびヒータ 5を覆って設けられた断熱力 ノ ー 41と、断熱カバー 41の内部空間に連通して設けられた供給ライン 42と、断熱力 バー 41の天井部の排気孔 44を介して断熱カバー 41の内部空間に連通して設けら れた排気ライン 43とを備えている。供給ライン 42には導入ブロア 45とシャツタ 46が設 けられている。排気ライン 43にはシャツタ 47とラジェータ 48と排気ブロア 49とが設け られている。
[0018] 反応炉 1の内部には反応ガスを導入するガス導入ライン 6、 7が連通すると共に、排 気ライン 30が連通している。ガス導入ライン 6、 7は炉ロフランジ 2の石英インナチュ ーブ 4下端よりも下方の部分に接続して 、る。排気ライン 30は炉口フランジ 2の石英 アウターチューブ 3下端よりも下方であって石英インナーチューブ 4下端よりも上方の 部分に接続している。排気ライン 30は、真空ポンプ等の排気装置 8に連通するメイン 排気ライン 31、メイン排気ライン 31から分岐して設けられるハイフローベント (HFV: High Flow Vent)ライン 32、メイン排気ライン 31から分岐して設けられるスロー排 気ライン（図示せず)、メイン排気ライン 31から分岐して設けられる過加圧防止ライン 3 3および窒素ガス導入ライン 34を有している。メイン排気ライン 31のハイフローベント ライン 32との分岐点よりも下流側には、メインノ レブとしての APCノ レブが設けられ て 、る。スロー排気ラインはこの APCバルブをバイパスするように設けられて!/、る。
[0019] ノ、ィフローベントライン 32は建屋付帯設備の排気設備に連通している。ノ、ィフロー ベントライン 32は、メイン排気ライン 31、スロー排気ライン（図示せず)、過加圧防止ラ イン 33よりも排気流量が大きくなるよう設定されており、大気圧で大流量のガスを流 すことができる。ハイフローベントライン 32の内径は、メイン排気ライン 31の内径よりも 小さぐスロー排気ライン（図示せず)、過加圧防止ライン 33の内径よりも大きい。ハイ フローベントライン 32はバルブ 35を備えておりこのバルブ 35と APCバルブとを切り 換えることにより排気ルートをメイン排気ライン 31とハイフローベントライン 32とで切り 換えることができるようになって!/ヽる。
[0020] 過加圧防止ライン 33はバルブ 36およびチェックバルブ 37を備え、メイン排気ライン 31内、すなわち反応炉 1内が大気圧以上となると、チェックバルブ 37が開き、チエツ クバルブ 37を介してメイン排気ライン 31内の雰囲気が排気されるので、メイン排気ラ イン 31内、すなわち反応炉 1内が大気圧以上の過加圧となるのを防止する。
[0021] 反応炉 1下方の基板移載室 11にはボート搬送 (昇降）手段としてのボートエレべ一 タ 15が設けられ、ボート 9を昇降させ反応炉 1内にボート 9をロード'アンロードする様 になっている。被処理基板であるウェハ 10はボート 9に水平姿勢で互いに隙間をもつ て多段に装填される。ボート 9は、例えば石英製とすることができる。
[0022] 図 1に示すように、ボート 9を反応炉 1内にロードし、炉ロフランジ 2の下側開口部を 炉ロシールキヤプ 12で閉じた状態の時は、炉ロゲートバルブ 13が待避位置 14に待 避している。図 2に示すように、ボート 9を反応炉 1から移載室 11にアンロードした時 には、炉ロフランジ 2の下側開口部を炉ロゲートバルブ 13で閉じる。
[0023] 制御装置 20によって、ヒータ 5による加熱、強制冷却装置 40による冷却、ガス導入 ライン 6、 7によるガス導入、バルブ切り換えによる排気ラインの選択、排気ラインによ る排気等が制御される。
[0024] 以下、上記装置を用いて半導体装置の製造工程の一工程として半導体シリコンゥ ェハに CVD法により成膜処理を施す方法について図 1乃至 3を参照して説明する。 なお、以下の説明において、本装置を構成する各部の動作は制御装置 20によりコン トロールされる。
[0025] 上述のように反応炉 1の下方には、基板移載室 11が存在し、ボート 9が基板移載室 11内に降下した状態で、図示しない基板移載機によりボート 9に所定枚数のウェハ 1 0が装填される (Wafer Charge)。この状態では、反応炉 1内の雰囲気は大気圧に 保持されており、ボート 9へのウェハ 10の装填と並行して反応炉 1内への不活性ガス 、例えば N導入がなされている。なお、このとき反応炉 1内の温度は 600°Cに設定さ
2
れている。
[0026] 次に、ボートエレベータ 15によりボート 9が上昇され、ボート 9が 600°Cの温度に設 定された反応炉内 1にロードされる（Boat Load)。ボート 9を反応炉 1内にロードした 後、スロー排気ラインを介して排気装置 8により緩やかに反応炉 1の内部が真空排気 される (Slow Pump)。反応炉 1内の圧力が所定の圧力まで低下すると、 APCバル ブを開いてメイン排気ライン 31を介して排気装置 8により反応炉 1の内部が真空排気 され所定の圧力に達する。
反応炉 1内の温度を 600°Cから 730°C— 800°C、例えば、 760°Cの成膜温度まで昇 温させ (Ramp Up)、ウェハ温度が成膜温度に達し安定ィ匕したところ (Pre Heat) で反応ガスがガス導入ライン 6、 7より反応炉 1内に導入され、ウェハ 10に成膜処理が なされる（Depo)。例えば、ウェハ 10上に Si N膜 (窒化シリコン膜、以下、 SiNという
3 4
。）を成膜する場合には、 DCS (ジクロルシラン（SiH C1 ) )、 NH等のガスが用いら
2 2 3
れる。この場合、反応炉 1内は、 730°C— 800°Cの成膜温度に保たれることとなる。
[0027] 成膜処理完了後、反応炉 1内に不活性ガス (例えば N )を導入しつつ排気すること
2
により反応炉 1内をガスパージし、残留ガスを除去する（Purge)。その後、メインバル ブを閉じ、不活性ガスの導入を維持することにより反応炉 1内を大気圧に復帰させる（ Back Fill)。その後、ボートエレベータによりボート 9により支持された成膜後のゥェ ハ 11を反応炉 1内より降下させ基板移載室 11内にアンロードする（Boat Down)。
[0028] なお、ボート 9のアンロード前に炉内温度を 760°Cから 700°Cに降温している力 こ れは、ボートアンロード速度を上げるためである。すなわち、ボートアンロード時にお ける反応炉 1内温度を成膜温度（760°C)よりも低!、温度（700°C)とする方が、ボート アンロード時におけるウェハ面内の温度差を小さくすることができ、ウェハのたわみ量 も小さくなる。そのような状態であれば、ウェハに悪影響を及ぼすことなぐある程度速 くボートダウンできる。また、ボートアンロード時の周辺部材への熱影響を緩和するた めにも温度を若干下げて 、る。
アンロード後、反応炉の開口（ボート出し入れ口）、すなわち炉ロフランジ 2の開口 を、炉ロゲートバルブ 13により気密に閉塞する（図 2参照)。その後、基板移載室 11 内で、成膜処理後のウェハ 10を冷却する（Wafer Cool)。基板移載室 11内でのゥ ェハ 10冷却が完了すると、図示しない基板移載機により、ウェハ 10をボート 9から払 出す（WZF Discharge)。
[0029] このウェハ 10の冷却（Wafer Cool)、払出し (WZF Discharge)と並行して、気 密に閉塞した反応炉 1内を大気圧状態にて不活性ガスを用いてガスパージする。例 えば Nパージを行う。パージを行う際は、ガス導入ライン 6、 7より反応炉 1内に 20L
2
Zmin以上の大流量の Nを供給しつつ、メイン排気ライン 31より分岐して設けられた
2
ハイフローベントライン 32を介して排気するようにするのが好ましい。この場合、ノ レ ブ 35を開け、メインバルブを閉じることとなる。
[0030] この大気圧状態での炉内パージと同時に、反応炉 1内の温度を、強制冷却機構 40 にて、自然空冷時の降温レート ( ^ 3°C/min)よりも大きな降温レートにて降下 (低下 )させ、炉内温度を急激に変動させる。これにより反応炉 1内に付着した堆積膜の応 カを自然空冷時よりも増大させて積極的に熱応力を発生させ、堆積膜に自然空冷時 以上の強制的な亀裂を発生させる。亀裂の発生により飛散した微細パーティクルは 大気圧状態での炉内パージにより強制的に、また効率的に反応炉外に排出されるこ ととなる。強制冷却機構 40にて、炉内温度を降下させる際には、シャツタ 46、 47を開 放し、排気ブロア 49で断熱カバー 41内の高温の雰囲気ガスを排気すると共に、導入 ブロア 45により空気や N等の冷却媒体を断熱カバー 41内に導入する。
2
[0031] 降温レートは少なくとも 10°CZmin以上、好ましくは、 20°CZmin以上とするのがよ い。炉内温度降下については、反応炉 1内の温度を少なくとも成膜温度の 1Z2 (50 %)程度以下の温度まで降下させる設定とする。すなわち、温度降下幅 (量)を、少な くとも成膜温度の 1Z2(50%)程度以上とする。例えば、成膜温度が 730— 800°C程 度である場合、 800°C力も 400°Cまで、反応炉 1内の温度を降下させる設定とする。
[0032] なお、反応炉 1内の温度を降下させる前に、反応炉 1内温度を一旦成膜温度よりも 高 、温度まで上昇させ、その後成膜温度よりも低 、温度まで降下させるようにしても よい。図 3の場合、ボートダウン後、反応炉 1内温度をー且ボートダウン時の炉内温度 (700°C)よりも高ぐまた成膜温度（760°C)よりも高 、温度である 800°Cまで 40°CZ minの昇温レートで上昇させ、その後成膜温度よりも低 、温度である 400°Cまで 20 °CZminの降温レートで降下させるようにしている。このように、炉内温度を降下させ る前に、一旦上昇させるようにすると、降温終点温度をそれ程低くすること無ぐ降下 温度幅 (温度差)を大きくすることができるので、温度降下後の昇温時間を短くするこ とがでさる。
[0033] このように、炉内温度降下前の上昇は、降温終点温度をそれ程低くすることなく温 度差 (降下温度幅)を大きくするために行っている。省略することもできるが、その場 合、温度差 (降下温度幅）が小さくなり、パーティクル低減効果が落ちる。パーテイク ル低減効果を落とさな!/ヽためには温度差 (降下温度幅)を大きくするために降温終点 温度をより低くする必要があるが、そうすると降温後の昇温時間が長くなり、スループ ットが悪くなる。
[0034] なお、炉内温度降下前の上昇時も、炉内温度を急激に変動させていることから、炉 内に付着した堆積膜にはある程度亀裂が発生していると考えられる。ただし、理論計 算によると、炉内温度降下時の方が、石英 (炉壁)と堆積膜との間のストレス差が大き くなり、より亀裂が発生しているものと考えられる。
[0035] なお、強制冷却 (急速急冷)を行うことなく炉内温度を 800°Cからゆっくりと 400°Cま で降下させつつパージする実験を行ったところ、炉内に付着した堆積膜には亀裂は あまり発生せず、効果は不十分だった。すなわち温度差 (降下温度幅)を大きくする だけでは十分な効果は得られないことが分力つた。十分な効果を得るには、（1)温度 差 (降下温度幅）と、（2)温度降下速度の両方を大きくする必要がある。
[0036] 炉内の強制冷却と同時に行う反応炉 1内の不活性ガスを用いてのガスパージは、 減圧状態で行う場合に比べ、大気圧状態で行う場合の方が、パーティクル除去効果 が大きいというメリットがある。これは、減圧状態に比べ、大気圧状態の方が、異物を 運ぶ分子、原子が多ぐ異物を運ぶエネルギーが大きいからと言える。
[0037] また、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプにより減圧下で N分子を排気すると、 N分
2 2 子はガス流中に粗に存在し、 N分子の平均自由行程が大きいため、たとえ Nガスの
2 2 流れを速くしても、パーティクルを分子流として排出することは困難である。熱によりブ ラウン運動しているパーティクルは、 N 2分子に当たらずに、重力落下してしまう確率 が高いからである。
[0038] これに対して、大気圧排気であると、ガス流速は、例えば、 lOcmZ分程度と遅くな るものの、 N分子は緻密にガス流中に存在し、パーティクルと衝突するため、パーテ
2
イタルを排出することは容易である。ちょうど、炉内に導入側力も排気側に向力 Nガ
2 スの風が吹 、て、その風と共にパーティクルが炉外へ吹き飛ばされるようになるから である。
[0039] 実際に炉内のバスパージを減圧状態、大気圧状態で行う比較実験を行ったところ、 大気圧で行う場合の方が、減圧で行う場合よりもパーティクル除去効果は遥かに大き いことが判明した。
[0040] また、減圧パージの場合、パージ後に炉内を大気圧に戻す工程が必要となり時間 のロスとなるが、大気圧パージの場合、その工程が不要となり、時間の短縮が図れる というメリットもある。 [0041] また、減圧パージの場合、排気系やその周辺に付着した副生成物が昇華して炉内 に逆流することもある力 大気圧パージの場合、そのような問題も生じない。
[0042] なお、炉内を強制冷却するだけでパージしな 、場合、発生したパーティクルは炉口 ゲートバルブ 13上に落下することとなる。炉ロゲートバルブ 13上に落下したパーティ クルは、次の成膜を行う際には、炉ロゲートバルブ 13上に保持されたまま炉外の退 避位置 14へ退避することとなる。すなわち次の成膜を行う際には、炉内にはパーティ クルが存在しない状態とすることができ、次の処理に影響を与えることはない。なお、 炉ロゲートバルブ 13の上面には溝（凹部）が設けられており、この溝により落下した パーティクルを収容できるので炉ロゲートバルブ 13を退避位置 14へ移動させる際、 パーティクルの落下を防止することができる。なお、退避位置 14にパーティクル除去 機構 (吸引手段等)を設け、炉口ゲートバルブ 13を退避させて 、る間に炉口ゲートバ ルブ上のパーティクルを除去するようにしてもよ！、。
[0043] 以上のような、反応炉 1からウェハ 10をアンロードさせ、反応炉 1を気密に閉塞した 状態で、反応炉 1内の温度を少なくとも 10°CZmin以上、好ましくは 20°CZmin以上 の降温レートで成膜温度の 1Z2程度以上降下させつつ、反応炉 1内を大気圧状態 にて不活性ガスパージする一連の動作は、制御手段 20により、ヒータ 5や強制冷却 装置 40、ガス供給系、排気系等を制御することにより行う。このようにして行う炉内パ ージを、低温パージまたは LTP (Low Temperature Purge)と呼ぶこととする。
[0044] LTPにおける炉内温度降下前の上昇時における好ましい昇温レートは、 3°CZmi n以上、より好ましくは 10— 100°CZmin、更に好ましくは 30— 100°CZminである。 また、炉内温度降下時の好ましい降温レートは、 3°CZmin以上、より好ましくは 10— 100°CZmin、更に好ましくは 20— 100°CZminである。
[0045] 基板移載室 11内でのウェハ 10のボート 9からの払出しが完了すると、次のバッチの ウェハ 10が、基板移載機によりボート 9に所定枚数装填される (Wafer charge) 0こ れと並行して、炉内温度をスタンバイ温度、例えば 600°Cまで昇温する。ボート 9にゥ ェハ 10が装填されると、ボートエレベータ 15によりボート 9が上昇され、ボート 9が反 応炉 1内にロードされ (Boat Load)、次バッチの処理が続行される。
[0046] LTP後、ボートロード前に炉内温度を 400°Cから 600°Cに昇温するのは、次の成膜 におけるボートロード後の炉内昇温時間を短縮し、トータルでの成膜時間を短縮する ためである。仮に、 LTP後に炉内温度を LTPの降下終点温度である 400°Cに保持し た場合、次の成膜では 400°Cでボートロードし、その後炉内温度を 400°Cから 760°C まで 360°C昇温させる必要があり、昇温時間が長くなる。 LTP後に炉内温度を 600 °Cまで昇温し保持しておけば、次の成膜では 600°Cでボートロードし、その後炉内温 度を 600°Cから 760°Cまで 160°Cだけ昇温させればよぐ昇温時間を短くすることが できる。なお、ボートロード時の炉内温度を高くし過ぎると、ウェハが跳ねる問題があり 、それも考慮し炉内温度を 600°Cに保持している。
[0047] 上記ウェハ処理に於いて、ボートアンロード後反応炉 1を気密に閉塞した状態で（ 反応炉 1内にウェハ 10がない状態で）、反応炉 1内を大気圧 Nパージの状態にて、
2
大気圧排気する。並行して炉内温度を 800°C力も 400°Cまで強制冷却機構 40にて 2 0°CZmin以上の降温レートで降下 (低下）させる。斯カる温度降下処理をすることで 、反応炉 1内面に付着した反応副生成物堆積膜の応力を自然空冷 (降温レート ^ 3 °C/min)時よりも増大させて積極的に熱応力を発生させ、堆積膜に自然空冷時以 上の強制的な亀裂を発生させる。更に、反応炉 1内を大気圧ガスパージすることで、 亀裂発生により飛散した微細パーティクルを強制的に、また効率的に反応炉 1外に 排出させる。
[0048] 成膜時の炉内温度は、 LTPにおける降温終点温度 (400°C)よりも、数百度高ぐ 一度降温処理 (400°C)した堆積膜は、応力緩和がなされているため、次バッチ処理 の SiN成膜時に新たな亀裂が発生することが避けられる。更に又、温度が高くなると 前記堆積膜の応力は減少することが分力つており、成膜処理時には堆積膜の応力が 低減する状態となるので、成膜処理時には新たな亀裂の発生の可能性は更に低くな る。
[0049] 而して、堆積膜の亀裂を事前に発生させ、亀裂発生に伴う、微細パーティクルをボ ートロード前に反応炉 1外へ強制的に排出するので、微細パーティクルのない状態 でウェハ処理が行われる。また、堆積膜亀裂により発生するパーティクルを効率的に 除去することができるので、反応炉 1の洗浄は、堆積膜が剥離する状態前に行えばよ い。また、本発明により堆積膜が剥離する状態となるまでの期間を大幅に延長するこ とができるので、反応炉 1の洗浄時期の間隔を大幅 (堆積膜の膜厚が 25 mとなるま で）に延長することができる。
[0050] なお、 SiCは SiNと熱膨張率が近いので、 SiCと SiNとの間には応力差はあまり生じ ない。よって、アウターチューブ 3やインナーチューブ 4等の反応管を SiC製とした場 合、 LTPの効果はあまり期待できない。これに対して、 SiO (石英）は SiNと熱膨張率
2
の差が大きいので、 SiOと SiNとの間の応力差は大きくなる。すなわち、 LTPは石英
2
製の反応管を用い、 SiN膜の成膜を行う場合に特に有効となる。
実施例 1
[0051] 次に、第 1の実施例として、 LTPにおける降温幅と発生するパーティクルの関係を 究明するために行った実験について説明する。
[0052] 上記実施形態におけるウェハ処理方法により φ 300mmのシリコンウェハに SiN膜
、特に 1回に成膜する膜厚が 1500A以上である Si N膜を生成した。反応ガスとして
3 4
は DCS (SiH CI )、 NHを用い、成膜処理温度は 730°C— 800°Cとした。 LTPにお
2 2 3
ける降温レー卜を 20。C/minに固定した。降温幅を 300。C、 400。C、 800。Cの 3通り に変化させてそれぞれ処理を行 ヽ、それぞれの場合における処理後のパーティクル 数を測定した。
[0053] その測定結果 (LTPにおける降温幅とパーティクルの関係）を図 4に示す。横軸は L TPにおける降温幅 (°C)を示しており、縦軸はウェハに付着した 0. 13 /z m以上のパ 一ティクル数 (個 Zwafer)を示している。図中、 Tとは TOP (頂部）のウェハ、 Bとは B OTTOM (底部）のウェハを示している。図 4より、降温幅を 300°Cとしたときは、パー ティクル数が 60— 70個程度であるのに対し、降温幅を 400°C以下としたときは、パー ティクル数は 40個以下となることが分かる。すなわち、成膜温度 730°C— 800°Cに対 して、降温幅を 400°C (成膜温度の 50%程度）以上とすれば、パーティクルを大幅に (少なくとも 40個以下に)低減することができる。
実施例 2
[0054] 次に、第 2の実施例として、 LTPにおける降温レートと発生するパーティクルの関係 を究明するために行った実験について説明する。
[0055] 上記実施形態におけるウェハ処理方法により φ 300mmのシリコンウェハに SiN膜 、特に 1回に成膜する膜厚が 1500A以上である Si N膜を生成した。反応ガスとして
3 4
は DCS (SiH CI )、 NHを用い、成膜処理温度は 730°C— 800°Cとした。 LTPにお
2 2 3
ける降温幅を 400°Cに固定した。降温レートを 0°CZmin、 4°C/min, 20°C/min の 3通りに変化させてそれぞれ処理を行い、それぞれの場合における処理後のパー ティクル数を測定した。
[0056] その測定結果 (LTPにおける降温レートとパーティクルの関係）を図 5に示す。横軸 は LTPにおける降温レート（°CZmin)を示しており、縦軸はウェハに付着した 0. 13 /z m以上のパーティクル数 (個 Zwafer)を示している。図中、 Tとは TOP (頂部）のゥ エノ、、 Bとは BOTTOM (底部）のウェハを示している。図 5より、降温レートを 0°C/mi nとしたとき（すなわち降温させな力つた場合）は、パーティクル数は TOPで 460個程 度、 BOTTOMで 60個程度となった。降温レートを 4°C/minとしたときは、パーティ クル数は TOPで 100個以上、 BOTTOMで 70個程度となった。これに対して、降温 レートを 20°CZminとしたときは、パーティクル数は TOP、 BOTTOM共に 30個以下 となった。すなわち、 LTPにおける降温レートを 20°CZmin以上とすれば、パーティ クル数を大幅に (少なくとも 30個以下に)低減することができる。なお、別の実験では 、降温ルートを少なくとも 10°CZmin以上とすれば、自然空冷する場合よりもパーテ イタル数を大幅に低減することができることを確認できた。
実施例 3
[0057] 次に、第 3の実施例として、 LTP実施時の累積膜厚とパーティクルの関係を究明す るために行った連続成膜の実験にっ 、て説明する。
[0058] 上記実施形態におけるウェハ処理方法により φ 300mmのシリコンウェハに SiN膜
、特に 1回に成膜する膜厚が 1500A (150nm)以上である Si N膜を生成した。反
3 4
応ガスとしては DCS (SiH CI )、 NHを用い、成膜処理温度は 730°C— 800°Cとし
2 2 3
た。 LTPにおける降温幅を 400°Cに、降温レートを 20°CZminに固定した。ウェハク ール時間は 15分、ウェハ回収時間は 15分であることから、スループットが低下しない よう LTPは、この合計時間（30分）内に、これらのイベントと並行して行うようにした。 本実施例では、 LTPトータル時間 30分（降温前の昇温時間 10分、降温時間 20分） とした。このような条件で、ウェハに対して連続バッチ処理を行い、それぞれのノツチ 処理後にウェハに付着したパーティクル数を測定した。
[0059] その測定結果 (累積膜厚とパーティクルの関係）を図 6示す。横軸は連続バッチ処 理回数 (Run No. )を、左側の縦軸はウェハに付着した 0. 13 m以上のパーティ クル数 (個 Zwafer)を、右側の縦軸は累積膜厚 (nm)を示している。図中、 TOPとは 頂部のウェハ、 BOTTOMとは底部のウェハを示している。また棒グラフはパーテイク ル数を、折れ線グラフは累積膜厚を示している。図 5より、 Run No. 119 (119回目 のバッチ処理）まで、すなわち、累積膜厚が 23 m (23000nm)となる迄、パーティ クル数が約 50個以下となっていることが分かる。なお、本発明者らが更に実験したと ころ、累積膜厚が 25 m (25000nm)を超えた状態でもパーティクル数は 50個以下 となることが確認できた。
[0060] 本発明を実施しない場合、累積 (堆積)膜厚が： L m (lOOOnm)を超えるとパーテ イタルの数は急激に増え、 200個を遥かに超えた値となる。ところが、本発明を実施 すると、累積膜厚が 25 m (25000nm)を越えた状態でもパーティクル数は 50個以 下となる。本実施例の場合、 1回のバッチ処理で堆積する膜厚は 0. 15 m (150nm )であり、従って、パーティクル数を 50個以下に抑えて成膜することが可能な連続バ ツチ処理回数は、従来例では 7回程度であつたの力 本発明を実施することで 167回 程度となる。すなわち本発明により、反応炉の洗浄 (クリーニング)時期の間隔を大幅 に延ばすことができ、反応炉の洗浄の頻度を大幅に少なくすることができる。
[0061] 明細書、特許請求の範囲、図面および要約書を含む 2003年 9月 19日提出の日本 国特許出願 2003— 327358号の開示内容全体は、そのまま引用してここに組み込ま れる。
[0062] 種々の典型的な実施の形態を示しかつ説明してきたが、本発明はそれらの実施の 形態に限定されない。従って、本発明の範囲は、次の請求の範囲によってのみ限定 されるちのである。
産業上の利用可能性
[0063] 以上説明したように、本発明の好ましい実施形態によれば、成膜処理前に反応炉 内の生成堆積膜に強制的に亀裂を発生させ、亀裂発生に伴う微細パーティクルを排 出するので、成膜処理時には微細パーティクルの発生を抑制でき、高品質の成膜処 理が行え、又堆積膜が剥離する前に反応炉の洗浄を実施すればよ！、ので洗浄時期 の間隔が長くなり、保守性が向上すると共に稼働率が向上し、又従来に比較し処理 時間も長くなることはな 、等の優れた効果を発揮する。
その結果、本発明は、 CVD法による成膜工程を有する半導体装置の製造方法お よびその成膜工程を好適に実施できる基板処理装置に特に好適に利用できる。

Claims

請求の範囲
[I] 基板を反応炉内にロードする工程と、
前記反応炉内で前記基板に成膜を行う工程と、
成膜後の前記基板を前記反応炉よりアンロードする工程と、
前記基板をアンロード後、前記反応炉内に前記基板がない状態で前記反応炉内 を強制冷却する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
[2] 前記炉内強制冷却工程では、炉内温度を 3°CZminよりも大きな降温レートで降下 させることを特徴とする請求項 1記載の半導体装置の製造方法。
[3] 前記炉内強制冷却工程では、炉内温度を 10°CZmin以上、 100°CZmin以下の 降温レートで降下させることを特徴とする請求項 1記載の半導体装置の製造方法。
[4] 前記炉内強制冷却工程では、炉内温度を 20°CZmin以上、 100°CZmin以下の 降温レートで降下させることを特徴とする請求項 1記載の半導体装置の製造方法。
[5] 前記炉内強制冷却工程では、炉内温度降下幅を成膜温度の 34%以上とすること を特徴とする請求項 1記載の半導体装置の製造方法。
[6] 前記炉内強制冷却工程では、炉内温度降下幅を成膜温度の 47%以上とすること を特徴とする請求項 1記載の半導体装置の製造方法。
[7] 前記炉内強制冷却工程では、前記炉内をガスパージすることを特徴とする請求項 1 記載の半導体装置の製造方法。
[8] 前記炉内強制冷却工程では、前記炉内を大気圧状態でガスパージすることを特徴 とする請求項 1記載の半導体装置の製造方法。
[9] 前記炉内強制冷却工程では、前記炉内にガスを供給しつつ成膜工程で用いる排 気ラインとは異なる排気ラインを用いて排気することを特徴とする請求項 1記載の半 導体装置の製造方法。
[10] 前記炉内強制冷却工程では、前記炉内に少なくとも lOLZmin以上の流量のパー ジガスを供給して前記炉内をガスパージすることを特徴とする請求項 1記載の半導体 装置の製造方法。
[II] 前記炉内強制冷却工程では、前記炉内に少なくとも 20LZmin以上の流量のパー ジガスを供給して前記炉内をガスパージすることを特徴とする請求項 1記載の半導体 装置の製造方法。
[12] 前記基板アンロード工程後、前記炉内強制冷却工程前に、前記反応炉内に前記 基板がない状態で、炉内温度を一旦成膜温度よりも高い温度まで上昇させる工程を 有することを特徴とする請求項 1記載の半導体装置の製造方法。
[13] 前記炉内をガスクリーニングする工程を更に有することを特徴とする請求項 1記載 の半導体装置の製造方法。
[14] 前記基板ロード工程、前記成膜工程、前記基板アンロード工程は、前記基板を支 持具に支持した状態で行い、前記炉内強制冷却工程は、処理後の前記基板を前記 支持具よりデイスチャージする工程または Zおよび次に処理する基板を前記支持具 にチャージする工程と並行して行うことを特徴とする請求項 1記載の半導体装置の製 造方法。
[15] 前記成膜工程では前記基板上にシリコン窒化膜を形成することを特徴とする請求 項 1記載の半導体装置の製造方法。
[16] 基板を反応炉内にロードする工程と、
前記反応炉内で前記基板に成膜を行う工程と、
成膜後の前記基板を前記反応炉よりアンロードする工程と、
前記基板をアンロード後、前記反応炉内に前記基板がない状態で、炉内温度を成 膜温度よりも低い温度まで降下させると共に、前記炉内を大気圧状態でガスパージ する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
[17] 基板を反応炉内にロードする工程と、
前記反応炉内で前記基板に成膜を行う工程と、
成膜後の前記基板を前記反応炉よりアンロードする工程と、
前記基板をアンロード後、前記反応炉内に前記基板がない状態で、炉内温度を成 膜温度よりも低い温度まで降下させると共に、前記炉内にガスを供給して前記成膜 工程で用いる排気ラインとは異なる排気ラインを用いて排気する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
[18] 基板を反応炉内にロードする工程と、
前記反応炉内で前記基板に成膜を行う工程と、
成膜後の前記基板を反応炉よりアンロードする工程と、
前記基板をアンロード後、前記反応炉内に前記基板がない状態で、炉内温度を一 且成膜温度よりも高い温度まで上昇させ、その後前記成膜温度よりも低い温度まで 降下させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
[19] 前記炉内温度を一旦上昇させて力 降下させるまでの炉内温度降下幅を、前記成 膜温度の 37. 5%以上とすることを特徴とする請求項 18記載の半導体装置の製造方 法。
[20] 前記炉内温度を一旦上昇させて力 降下させるまでの炉内温度降下幅を、前記成 膜温度の 50%以上とすることを特徴とする請求項 18記載の半導体装置の製造方法
[21] 基板に対して成膜を行う反応炉と、
前記反応炉内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給ラインと、
前記反応炉内にパージガスを供給するパージガス供給ラインと、
前記反応炉内を排気する排気ラインと、
前記反応炉内に対して前記基板をロード Zアンロードする搬送手段と、 前記反応炉内を強制冷却する強制冷却手段と、
前記反応炉より前記基板をアンロードさせた後、前記反応炉内に前記基板がない 状態で、前記反応炉内を強制冷却するよう強制冷却手段を制御する制御手段と、 を有することを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007201422A (ja) * 2005-12-28 2007-08-09 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
JP2008010685A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
JP2009272367A (ja) * 2008-05-01 2009-11-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2010093023A (ja) * 2008-10-07 2010-04-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法
JP2011066106A (ja) * 2009-09-16 2011-03-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2013026504A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2013138217A (ja) * 2013-02-01 2013-07-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法、及び異物除去方法
JP2014143421A (ja) * 2014-02-12 2014-08-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法
US9644265B2 (en) 2013-12-27 2017-05-09 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer readable recording medium
US9776202B2 (en) 2013-03-29 2017-10-03 Tokyo Electron Limited Driving method of vertical heat treatment apparatus, storage medium and vertical heat treatment apparatus

Families Citing this family (410)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100943588B1 (ko) * 2003-09-19 2010-02-23 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
US8986456B2 (en) 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
WO2008100917A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Caracal, Inc. Epitaxial growth system for fast heating and cooling
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JP2010140947A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US8115235B2 (en) * 2009-02-20 2012-02-14 Intel Corporation Modulation-doped halo in quantum well field-effect transistors, apparatus made therewith, and methods of using same
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8883270B2 (en) 2009-08-14 2014-11-11 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8877655B2 (en) 2010-05-07 2014-11-04 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
TWI622664B (zh) 2012-05-02 2018-05-01 Ａｓｍ智慧財產控股公司 相穩定薄膜，包括該薄膜之結構及裝置，及其形成方法
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
KR101552496B1 (ko) * 2013-04-19 2015-09-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
CN104296529B (zh) * 2014-06-27 2016-06-15 长沙矿冶研究院有限责任公司 可用于ito靶材烧结的气氛钟罩炉
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
GB201421151D0 (en) * 2014-11-28 2015-01-14 Spts Technologies Ltd Method of degassing
US10375901B2 (en) 2014-12-09 2019-08-13 Mtd Products Inc Blower/vacuum
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
WO2019163295A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR102349037B1 (ko) * 2018-09-17 2022-01-10 주식회사 원익아이피에스 웨이퍼 공정용 리액터의 가스 제어 장치
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
CN110310909B (zh) * 2019-07-15 2021-12-17 北京北方华创微电子装备有限公司 冷却装置及热处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
EP4207244A1 (en) 2019-08-12 2023-07-05 Kurt J. Lesker Company Ultra high purity conditions for atomic scale processing
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN110643961B (zh) * 2019-09-20 2024-02-06 深圳市晶相技术有限公司 一种半导体设备的使用方法
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
KR102719377B1 (ko) 2020-04-03 2024-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배리어층 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
KR102783207B1 (ko) * 2020-04-14 2025-03-19 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TWI874701B (zh) 2020-08-26 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
KR20220041751A (ko) 2020-09-25 2022-04-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 처리 방법
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63181313A (ja) * 1987-01-22 1988-07-26 Mitsubishi Electric Corp 気相結晶成長装置
JPH01243515A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Hitachi Ltd 熱処理装置
JPH0547681A (ja) * 1991-08-14 1993-02-26 Nikko Kyodo Co Ltd 気相成長方法
JPH07263370A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2000306904A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法及びその装置
JP2002212730A (ja) * 2001-01-12 2002-07-31 Shimadzu Corp 成膜装置
JP2002317269A (ja) * 2001-04-18 2002-10-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003158080A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置、半導体製造装置における堆積物除去方法、および半導体装置の製造方法
JP2003203868A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3973762A (en) * 1974-05-17 1976-08-10 Dravo Corporation Sintering process and apparatus
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置
US4706011A (en) 1986-07-07 1987-11-10 Texas Instruments Incorporated High voltage pulse detector with controllable current consumption
US4874464A (en) * 1988-03-14 1989-10-17 Epsilon Limited Partnership Process for epitaxial deposition of silicon
JPH03111552A (ja) * 1989-09-26 1991-05-13 Osaka Oxygen Ind Ltd 金属管酸化処理装置
CH676500A5 (ja) * 1990-05-18 1991-01-31 Werner Kunz
US5275976A (en) * 1990-12-27 1994-01-04 Texas Instruments Incorporated Process chamber purge module for semiconductor processing equipment
KR0155572B1 (ko) * 1991-05-28 1998-12-01 이노우에 아키라 감압처리 시스템 및 감압처리 방법
JP3098093B2 (ja) 1992-02-20 2000-10-10 三菱電機株式会社 化学気相成長装置
KR100251873B1 (ko) * 1993-01-21 2000-04-15 마쓰바 구니유키 종형 열처리 장치
US5637153A (en) * 1993-04-30 1997-06-10 Tokyo Electron Limited Method of cleaning reaction tube and exhaustion piping system in heat processing apparatus
US5484484A (en) * 1993-07-03 1996-01-16 Tokyo Electron Kabushiki Thermal processing method and apparatus therefor
JP3583467B2 (ja) 1994-05-30 2004-11-04 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及び製造方法
US5783046A (en) * 1994-11-28 1998-07-21 Gentech, Inc. Process and apparatus for the destructive distillation of rubber
JPH0982720A (ja) 1995-09-14 1997-03-28 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
US6159300A (en) * 1996-12-17 2000-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device
JP3476638B2 (ja) * 1996-12-20 2003-12-10 東京エレクトロン株式会社 Ｃｖｄ成膜方法
US5872017A (en) * 1997-01-24 1999-02-16 Seh America, Inc. In-situ epitaxial passivation for resistivity measurement
JPH10280153A (ja) * 1997-04-11 1998-10-20 Toshiba Mach Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
US6042654A (en) 1998-01-13 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Method of cleaning CVD cold-wall chamber and exhaust lines
US20030164225A1 (en) * 1998-04-20 2003-09-04 Tadashi Sawayama Processing apparatus, exhaust processing process and plasma processing
US6086362A (en) * 1998-05-20 2000-07-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Multi-function chamber for a substrate processing system
KR20000003915A (ko) * 1998-06-30 2000-01-25 김영환 반도체 소자의 게이트 절연막 형성방법
JP3396431B2 (ja) * 1998-08-10 2003-04-14 東京エレクトロン株式会社 酸化処理方法および酸化処理装置
JP2000138168A (ja) 1998-10-29 2000-05-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハ及び気相成長装置
JP3159187B2 (ja) 1998-11-04 2001-04-23 日本電気株式会社 薄膜成膜方法
KR100480904B1 (ko) 1998-12-24 2005-08-30 주식회사 하이닉스반도체 반응로및이를이용한단결정실리콘층형성방법
US6235651B1 (en) * 1999-09-14 2001-05-22 Infineon Technologies North America Process for improving the thickness uniformity of a thin layer in semiconductor wafer fabrication
JP4437851B2 (ja) 1999-10-28 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US20010005553A1 (en) * 1999-11-10 2001-06-28 Witzman Matthew R. Linear aperture deposition apparatus and coating process
JP2001140054A (ja) * 1999-11-15 2001-05-22 Nec Kagoshima Ltd 真空成膜装置のクリーニング方法及び真空成膜装置
US6547922B2 (en) * 2000-01-31 2003-04-15 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum-processing apparatus using a movable cooling plate during processing
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
JP2001257172A (ja) 2000-03-09 2001-09-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US6884295B2 (en) * 2000-05-29 2005-04-26 Tokyo Electron Limited Method of forming oxynitride film or the like and system for carrying out the same
JP3644880B2 (ja) * 2000-06-20 2005-05-11 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP4079582B2 (ja) 2000-09-28 2008-04-23 株式会社日立国際電気 熱処理装置および熱処理方法
KR100345304B1 (ko) * 2000-10-12 2002-07-25 한국전자통신연구원 수직형 초고진공 화학증착장치
US6413844B1 (en) * 2001-01-10 2002-07-02 Asm International N.V. Safe arsenic gas phase doping
JP4644943B2 (ja) * 2001-01-23 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6844273B2 (en) * 2001-02-07 2005-01-18 Tokyo Electron Limited Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system
CN100552956C (zh) * 2001-03-12 2009-10-21 株式会社日立制作所 半导体集成电路器件和用于制造半导体集成电路器件的方法
JP2002280374A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2002299269A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、および熱処理方法
JP4610771B2 (ja) 2001-04-05 2011-01-12 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置およびその強制空冷方法
JP2002334868A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP3421329B2 (ja) * 2001-06-08 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法
JP4149687B2 (ja) 2001-07-19 2008-09-10 シャープ株式会社 熱処理方法
JP3660897B2 (ja) * 2001-09-03 2005-06-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
KR100431657B1 (ko) * 2001-09-25 2004-05-17 삼성전자주식회사 웨이퍼의 처리 방법 및 처리 장치, 그리고 웨이퍼의 식각방법 및 식각 장치
KR100438946B1 (ko) * 2001-10-12 2004-07-03 주식회사 엘지이아이 플라즈마 증착장비의 가열된 냉각수를 이용한 가스주입관응축방지장치
KR100499211B1 (ko) * 2001-11-13 2005-07-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP2003188115A (ja) * 2001-12-17 2003-07-04 Shin Meiwa Ind Co Ltd 半導体配線形成方法及び装置、半導体デバイス製造方法及び装置、並びにウエハ
JP4086146B2 (ja) * 2002-03-26 2008-05-14 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法および基板処理装置
KR101023364B1 (ko) * 2002-06-27 2011-03-18 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 기판 지지체 및 반도체 장치의 제조 방법
JP4699675B2 (ja) * 2002-10-08 2011-06-15 信越半導体株式会社 アニールウェーハの製造方法
KR100771800B1 (ko) * 2003-01-24 2007-10-30 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 피처리 기판 상에 실리콘 질화막을 형성하는 ｃｖｄ 방법
JP4264084B2 (ja) * 2003-03-03 2009-05-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4315420B2 (ja) * 2003-04-18 2009-08-19 キヤノン株式会社 露光装置及び露光方法
KR100527047B1 (ko) * 2003-07-01 2005-11-09 주식회사 아이피에스 박막증착방법
KR100943588B1 (ko) * 2003-09-19 2010-02-23 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
KR100923263B1 (ko) * 2003-09-25 2009-10-23 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 디바이스의 제조 방법 및 기판의 이동 적재 방법
CN1868042A (zh) * 2003-11-20 2006-11-22 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法和衬底处理装置
JP4371425B2 (ja) * 2004-03-29 2009-11-25 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP4498362B2 (ja) * 2004-11-01 2010-07-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
JP4225998B2 (ja) * 2004-12-09 2009-02-18 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
US8176871B2 (en) * 2006-03-28 2012-05-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
US7910494B2 (en) * 2006-03-29 2011-03-22 Tokyo Electron Limited Thermal processing furnace, gas delivery system therefor, and methods for delivering a process gas thereto
JP4809175B2 (ja) * 2006-09-28 2011-11-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法
JP2008218984A (ja) * 2007-02-06 2008-09-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5047681B2 (ja) 2007-04-27 2012-10-10 シャープ株式会社 液体材料吐出装置のクリーニング装置、及び該クリーニング装置にて実行されるローラー回転制御方法
JP2009123795A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP4531833B2 (ja) * 2007-12-05 2010-08-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びクリーニング方法
JP5697849B2 (ja) * 2009-01-28 2015-04-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63181313A (ja) * 1987-01-22 1988-07-26 Mitsubishi Electric Corp 気相結晶成長装置
JPH01243515A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Hitachi Ltd 熱処理装置
JPH0547681A (ja) * 1991-08-14 1993-02-26 Nikko Kyodo Co Ltd 気相成長方法
JPH07263370A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2000306904A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法及びその装置
JP2002212730A (ja) * 2001-01-12 2002-07-31 Shimadzu Corp 成膜装置
JP2002317269A (ja) * 2001-04-18 2002-10-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003158080A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置、半導体製造装置における堆積物除去方法、および半導体装置の製造方法
JP2003203868A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007201422A (ja) * 2005-12-28 2007-08-09 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
JP2008010685A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
JP2009272367A (ja) * 2008-05-01 2009-11-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2010093023A (ja) * 2008-10-07 2010-04-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法
JP2011066106A (ja) * 2009-09-16 2011-03-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2013026504A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
KR101509858B1 (ko) * 2011-07-22 2015-04-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치
JP2013138217A (ja) * 2013-02-01 2013-07-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法、及び異物除去方法
US9776202B2 (en) 2013-03-29 2017-10-03 Tokyo Electron Limited Driving method of vertical heat treatment apparatus, storage medium and vertical heat treatment apparatus
US9644265B2 (en) 2013-12-27 2017-05-09 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer readable recording medium
JP2014143421A (ja) * 2014-02-12 2014-08-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法

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