WO2000042656A1 - Leistungshalbleitermodul mit deckel - Google Patents
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- H01L2924/181—Encapsulation
Definitions
- the invention relates to a power semiconductor module with a plastic housing according to claim 1.
- a power semiconductor module is provided with a plastic housing designed as a frame, on the inside of which a number n guides for external connecting elements are provided m predetermined distances, with a housing base designed as a ceramic plate and inserting the plastic housing, the ceramic plate in each case has a metallization on its upper and lower side, which is structured on the upper side facing the interior of the housing to form conductor tracks and which is equipped with at least one semiconductor component and connecting elements, with connecting elements which form external connections and form a maximum of nm in the guides which have bond areas at their lower ends and which over the
- Connecting elements with the at least one semiconductor component and / or with the metallization are electrically connected, with a cover that can be connected to the plastic housing.
- connection elements for the external connections are arranged in the plastic housing.
- a generic power semiconductor module is known, in which the connection elements are pressed into the openings of the plastic housing. This improves the reliability of the internal bond connections between the connection elements and the substrate, since there is no longer any danger that the connection elements will become loose in the plastic housing.
- the lead described there The semiconductor module therefore has guide elements along the plastic housing, in some of which connection elements are introduced. The number and the locations at which the connection elements are introduced into the guide elements are dependent on the electrical structure within the power semiconductor module. A cover is then applied to the power semiconductor module.
- connection elements protrude from the cover, that is, the connection elements are inserted through the openings in the cover.
- the openings are arranged so that unused guide elements are closed by the cover.
- the cover consequently has openings at the points at which the connection elements are to be carried out.
- This has the consequence that different covers have to be manufactured for different arrangements of the connection elements in a power semiconductor module. This requires separate tools for creating the cover and for mounting with the respective power semiconductor module. This also requires a high logistical effort.
- the object of the present invention is to provide a generic power semiconductor module with a cover, in which connection elements protrude from the cover, but this is independent of the arrangement of the external connection elements
- the power semiconductor module or the cover should be as simple and inexpensive to manufacture as possible.
- this object is achieved by a power semiconductor module with the features of patent claim 1, that is to say by a generic power semiconductor module which is characterized by connecting elements which project outward openings that can be introduced through the cover.
- a power semiconductor module with the features of patent claim 1, that is to say by a generic power semiconductor module which is characterized by connecting elements which project outward openings that can be introduced through the cover.
- n removable openings are provided in the cover.
- the n openings that can be introduced and the n guides are arranged in such a way that the connection elements protrude orthogonally to the housing floor or cover from the power semiconductor module.
- the n insertable openings and the n guides are arranged one above the other.
- the number n of openings that can be made and the number of guides is therefore the same.
- the placeholder n stands for the number of guide elements present in the power semiconductor module or the openings that can be made in the cover. This procedure means that only one type of cover is required for each power semiconductor module.
- the cover advantageously has predetermined breaking points at the locations of the receptive openings. This makes it easier to pierce the openings that can be introduced by means of the connecting elements.
- the predetermined breaking points can be created by pre-punching at the locations of the openings that can be introduced.
- the lid breaks open at the points of the openings that can be inserted. Flaps are formed which nestle against connection elements. The cover reliably closes all other spaces not occupied by connection elements. The cover is thus positively and positively connected to the plastic housing.
- connection elements have lugs which rest on the inside of the plastic housing and fix the connection elements in their position. These lugs preferably have the shape of barbs, so that the connection elements are guided closely to the guide elements and are secured against being pulled out. It is also conceivable to provide the connection elements with goitles which fix the connection elements in the guide elements.
- the interior of the housing is preferably at least partially filled with a casting compound. This is used for moisture-tight encapsulation. Ideally this is a casting compound
- Soft casting compound and a hard casting compound are provided on the soft casting compound.
- the plastic housing typically consists of a frame, the connection elements being arranged in the frame.
- Figure 2 is a plan view of the power semiconductor module with a view of the interior of the housing;
- 3a shows a plan view of the outside of the cover according to the invention, as it is applied to the plastic housing, and
- FIG. 3b shows a plan view of the inside of the cover according to the invention with the openings made and the predetermined breaking points.
- the power semiconductor module 1 consists of a plastic housing 2, in which a ceramic plate 5 is inserted as the housing base 6. This is provided on the upper side 7 and the lower side 8 with a metalization 11.
- the metallization 11 on the upper side 7 faces the interior 15 of the housing and is structured to form conductor tracks.
- Semiconductor components 9 are applied to this side 7 of the ceramic plate 5. These semiconductor components 9 are, for example, power semiconductor components such as IGBTs, MCTs, power transistors or power diodes. Furthermore, semiconductor components 9 are provided, which assume a control function. Furthermore, there are connecting elements 10, which have the shape of aluminum wires. These connecting elements 10 are applied to the semiconductor components 9 or the metallization 11 by means of bonding methods.
- the plastic housing 2 is formed in the shape of a frame, in which connection elements 4 m guide elements 3 of the plastic frame 2 are provided.
- the connecting elements 4 the guide elements 3 are inserted from the top and are thereby fixed.
- the connection elements 4 have lugs 14 which bear against the inside of the plastic housing 2. As a result, the connection elements are fixed in their position. These lugs 14 have the function of barbs, which secure the connecting elements 4 against unintentional pulling out. As a result, the bond connections between the connection elements 4 and the semiconductor components 9 or the metallization 11 are secured against destruction.
- the connecting elements run in the interior of the housing m approximately parallel to the housing base ⁇ .
- the power semiconductor module 1 also has a cover 12 which closes the module in its end position.
- the connecting elements 4 are inserted through openings 13 m in the cover, which protrude from the final position of the cover.
- the cover closes unused guide elements 3.
- the power semiconductor module has one on the underside
- Heat sink 16 which is connected on the one hand to the plastic housing 2 and on the other hand to the housing base 6.
- FIG. 2 shows a top view of the power semiconductor module 1, the housing base having already been connected to the plastic housing 2. From this perspective it can be seen that the guide elements are arranged at regular intervals of 2 m along the entire circumference of the plastic housing. It is of course not necessary to attach the guide elements at regular intervals and along the entire circumference. Only a few of the guide elements 3 are equipped with connection elements 4. By providing the guide elements 3 along the entire circumference of the plastic housing 2, the power semiconductor module can be flexibly equipped. According to the arrangement of the Semiconductor components can be provided in the most suitable positions, the connection elements 4 m the guide elements 3. As a result, short bond connections between the connection elements and the semiconductor components or the metallization 11 are possible.
- FIG. 3 a shows a top view of the outside of the cover, as it was correctly connected to the plastic housing in FIG. 2.
- the openings 13 which are introduced at the locations of the connecting elements 4 are already visible here.
- the openings 13 are only introduced when the cover 12 and the plastic housing 2 are joined by piercing the connecting elements.
- FIG. 3b shows the inside, that is to say the side of the cover, which faces the interior of the housing.
- the cover has 3 predetermined breaking points 18 at the locations of the guide elements 3 of the plastic housing. These can be produced, for example, by pre-punching. Between two openings 13 that can be inserted, webs 17 are arranged, which have remained through the pre-punching of the predetermined breaking points 18.
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Abstract
Es wird ein Leistungshalbleitermodul (1) vorgeschlagen, bei dem die Anschlusselemente (4) in Öffnungen des Kunststoffgehäuses (2) eingebracht sind. Das Leistungshalbleitermodul weist ferner einen Deckel (12) auf, der dieses verschliesst. Die Anschlusselemente ragen dabei über Öffnungen aus dem Deckel heraus. Die Öffnungen werden erst beim Zusammenfügen des Deckels und des Kunststoffgehäuses durch ein Durchstossen mit den Anschlusselementen eingebracht. Hierdurch sind beliebige Anordnungen der Anschlusselemente im Leistungshalbleitermodul möglich. An den Stellen, an denen keine Anschlusselemente vorgesehen sind, verschliesst der Deckel das Leistungshalbleitermodul.
Description
Beschreibung
Leistungshalbleitermodul mit Deckel
Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem Kunststoffgehause gemäß dem Patentanspruch 1.
Demgemäß ist ein Leistungshalbleitermodul vorgesehen mit einem als Rahmen ausgebildeten Kunststoffgehause, an dessen In- nenseite m vorgegebenen Abstanden eine Anzahl n Fuhrungen für externe Anschlußelemente vorgesehen sind, mit einem als Keramikplatte ausgebildeten Gehauseboden, der m das Kunst- stoffgehause eingesetzt ist, wobei die Keramikplatte jeweils auf ihrer oberen und ihrer unteren Seite eine Metallisierung aufweist, die auf der oberen, dem Gehauseinneren zugewandten Seite zur Bildung von Leiterbahnen strukturiert ist und die mit zumindest einem Halbleiterbauelement und Verbmdungsele- menten bestuckt ist, mit maximal n m den Fuhrungen fixierten, äußere Anschlüsse bildenden Anschlußelementen, die an ihren unteren Enden Bondflachen aufweisen und die über die
Verbindungselemente mit dem zumindest einen Halbleiterbauelement und/oder mit der Metallisierung elektrisch verbunden sind, mit einem mit dem Kunststoffgehause verbindbaren Dek- kel.
Solche Leistungshalbleitermodule sind seit langem bekannt. Bei diesem Leistungshalbleitermodulen sind die Anschlußelemente für die äußeren Anschlüsse m dem Kunststoffgehause angeordnet. Aus der WO 98/52221 ist ein gattungsgemaßes Lei- stungshalbleitermodul bekannt, bei dem die Anschlußelemente m Offnungen des Kunststoffgehauses eingepreßt sind. Hierdurch wird die Zuverlässigkeit der internen Bondverbindungen zwischen den Anschlußelementen und dem Substrat verbessert, da keine Gefahr mehr besteht, daß die Anschlußelemente im Kunststoffgehause sich lockern. Das dort beschriebene Lei-
stungshalbleitermodul weist entlang des Kunststoffgehauses deshalb Fuhrungselemente auf, m denen teilweise Anschlußelemente eingebracht sind. D e Anzahl und die Orte, m welchem die Anschlußelemente in die Fuhrungselemente eingebracht wer- den, sind abhangig vom elektrischen Aufbau innerhalb des Lei- stungshalbleitermodules . Auf das Leistungshalbleitermodul wird anschließend ein Deckel aufgebracht. Dabei ragen die Anschlußelemente aus dem Deckel heraus, das heißt die Anschlußelemente sind m vorgesehene Offnungen m dem Deckel hindurch gesteckt. Die Offnungen sind so angeordnet, daß nicht benutzte Fuhrungselemente durch den Deckel verschlossen sind. Der Deckel hat folglich Offnungen an den Stellen, an denen die Anschlußelemente durchgeführt werden sollen. Dies hat jedoch zur Folge, daß für unterschiedliche Anordnungen der Anschlußelemente bei einem Leistungshalbleitermodul unterschiedliche Deckel gefertigt werden müssen. Dies erfordert separate Werkzeuge zur Erstellung der Deckel und zur Bestuk- kung mit dem jeweiligen Leistungshalbleitermodul. Hierdurch ist auch ein hoher logistischer Aufwand notwendig.
Ausgehend von diesem Stand der Technik besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein gattungsgemaßes Leistungshalbleitermodul mit einem Deckel anzugeben, bei dem Anschlußelemente aus dem Deckel herausragen, wobei jedoch unab- hangig von der Anordnung der externen Anschlußelemente das
Gehauseinnere des Leistungshalbleitermoduls dicht verschlossen sein soll. Ferner sollen das Leistungshalbleitermodul beziehungsweise der Deckel möglichst einfach und kostengünstig herstellbar sein.
Erfmdungsgemaß wird diese Aufgabe durch eine Leistungshalbleitermodul mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelost, also durch ein gattungsgemaßes Leistungshalbleitermodul, das gekennzeichnet ist durch Anschlußelemente, die über m den Deckel einbringbare Offnungen nach außen ragen.
Durch diese Maßnahme brauchen bei der Herstellung des Deckels keine Offnungen an den Stellen, an denen Anschlußelemente vorhanden sind, vorgesehen werden. Die Offnungen werden viel- mehr erst dadurch erzeugt, daß der Deckel auf das Leistungs¬ halbleitermodul aufgesetzt wird und durch die Anschlußelemente die Offnungen an den jeweiligen Stellen in den Deckel eingebracht werden. Hierdurch ist es ausreichend, nur einen einzigen Deckel herzustellen, der für alle denkbaren Anordnungen der Anschlußelemente m den Fuhrungselementen möglich ist.
Der Herstellungsaufwand ist somit vereinfacht und die Kosten sind wesentlich geringer.
In einer Weiterbildung der vorliegenden Erfindung sind n em- bringbare Offnungen m dem Deckel vorgesehen. Vorteilhafter- weise sind die n einbringbaren Offnungen und die n Fuhrungen derart angeordnet, daß die Anschlußelemente orthogonal zum Gehauseboden beziehungsweise Deckel aus dem Leistungshalbleitermodul ragen. Dies bedeutet nichts anderes, als das die n einbringbaren Offnungen und die n Fuhrungen übereinander angeordnet sind. Die Anzahl n der einbringbaren Offnungen und der Fuhrungen ist folglich gleich. Der Platzhalter n steht m der vorliegenden Erfindung für die Anzahl der im Leistungshalbleitermodul vorhandenen Fuhrungselemente beziehungsweise der im Deckel einbringbaren Offnungen. Durch diese Vorgehensweise ist zu jedem Leistungshalbleitermodul nur noch ein einziger Deckeltyp notwendig.
Vorteilhafterweise weist der Deckel an Stellen der embnng- baren Offnungen Sollbruchstellen auf. Hierdurch wird das Durchstoßen der einbringbaren Offnungen mittels des Anschlußelemente erleichtert. Die Sollbruchstellen können durch ein Vorstanzen an den Stellen der einbringbaren Offnungen erzeugt werden.
Bei der Deckelmontage bricht der Deckel punktuell an den Stellen der einbringbaren Offnungen auf. Es bilden sich Klappen die sich an Anschlußelemente anschmiegen. Der Deckel verschließt alle anderen, nicht durch Anschlußelemente beleg- ten Platze weiterhin zuverlässig. Der Deckel ist somit kraft- und formschlussig mit dem Kunststoffgehause verbunden.
In einer Weiterbildung der vorliegenden Erfindung weisen die Anschlußelemente Nasen auf, die an der Innenseite des Kunst- stoffgehause anliegen und die Anschlußelemente m ihrer Lage fixieren. Vorzugsweise haben diese Nasen die Gestalt von Widerhaken, so daß die Anschlußelemente eng m den Fuhrungsele- menten gefuhrt werden und gegen ein Herausziehen gesichert sind. Es ist auch denkbar, die Anschlußelemente mit Kropfun- gen zu versehen, welche die Anschlußelemente m den Fuhrungs- elementen fixieren.
Vorzugsweise ist das Gehauseinnere zumindest teilweise mit einer Vergießmasse gefüllt. Dies dient zur feuchtedichten Kapselung. Idealerweise ist hierzu als Vergießmasse eine
Weichvergießmasse und eine Hartvergießmasse auf der Weichvergießmasse vorgesehen.
Typischerweise besteht das Kunststoffgehause aus einem Rah- men, wobei die Anschlußelemente in dem Rahmen angeordnet sind.
Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den weiteren Unteranspruchen, der Be- Schreibung und den Figuren der Zeichnung.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der nachstehenden Figuren naher erläutert. Es zeigt:
Figur 1 einen Schnitt durch ein Leistungshalbleitermodul mit einem Kunststoffgehause und einem dazugehörigen Deckel;
Figur 2 einen Draufsicht auf das Leistungshalbleitermodul mit Blick m das Gehauseinnere;
Figur 3a eine Draufsicht auf die Außenseite des erfindungs- gemaßen Deckels, so wie dieser auf das Kunststoff- gehause aufgebracht ist und
Figur 3b eine Draufsicht auf die Innenseite des erfindungs- gemaßen Deckels mit eingebrachten Offnungen und den Sollbruchstellen.
Wie aus der Figur 1 zu ersehen ist, besteht das Leistungshalbleitermodul 1 aus einem Kunststoffgehause 2, in das als Gehauseboden 6 eine Keramikplatte 5 eingesetzt ist. Diese ist auf der oberen Seite 7 und der unteren Seite 8 mit einer Me- tallisierung 11 versehen. Die Metallisierung 11 auf der oberen Seite 7 ist dem Gehauseinnere 15 zugewandt und ist zur Bildung von Leiterbahnen strukturiert. Auf dieser Seite 7 der Keramikplatte 5 sind Halbleiterbauelemente 9 aufgebracht. Diese Halbleiterbauelemente 9 sind zum Beispiel Leistungs- halbleiterbauteile wie IGBTs, MCTs, Leistungstransitoren oder Leistungsdioden. Weiterhin sind Halbleiterbauelemente 9 vorgesehen, die eine Steuerfunktion übernehmen. Desweiteren befinden sich dort Verbindungselemente 10, die die Gestalt von Aluminiumdrahten aufweisen. Diese Verbindungselemente 10 wer- den über Bondverfahren auf den Halbleiterbauelementen 9 beziehungsweise der Metallisierung 11 aufgebracht.
Das Kunststoffgehause 2 ist m der Form eines Rahmens ausgebildet, bei dem Anschlußelemente 4 m Fuhrungselementen 3 des Kunststoffrahmens 2 vorgesehen sind. Die Anschlußelemente 4
sind dabei von der Oberseite her m die Fuhrungselemente 3 eingesteckt und werden hierdurch fixiert. Die Anschlußelemente 4 weisen Nasen 14 auf, die an der Innenseite des Kunststoffgehauses 2 anliegen. Dadurch werden die Anschlußelemente m ihrer Lage fixiert. Diese Nasen 14 haben die Funktion von Widerhaken, die die Anschlußelemente 4 gegen unbeabsichtigtes Herausziehen sichern. Dadurch sind die Bondverbmdun- gen zwischen den Anschlußelementen 4 und dem Halbleiterbau- elementen 9 beziehungsweise der Metallisierung 11 gegen Zer- Störung gesichert. Die Anschlußelemente verlaufen im Gehauseinneren m etwa parallel zum Gehauseboden β.
Das Leistungshalbleitermodul 1 weist ferner einen Deckel 12 auf, der das Modul m seiner Endposition verschließt. Dabei sind die Anschlußelemente 4 durch Offnungen 13 m dem Deckel gesteckt, die m der endgültigen Position des Deckels aus diesem herausragen. Der Deckel verschließt dabei nicht benutzte Fuhrungselemente 3.
An der Unterseite weist das Leistungshalbleitermodul einen
Kühlkörper 16 auf, der zum einen mit dem Kunststoffgehause 2, zum anderen mit dem Gehauseboden 6 verbunden ist.
Figur 2 zeigt eine Draufsicht auf das Leistungshalbleitermo- dul 1, wobei der Gehauseboden mit dem Kunststoffgehause 2 bereits verbunden ist. Aus dieser Perspektive wird ersichtlich, daß die Fuhrungselemente entlang des gesamten Umfangs des Kunststoffgehauses 2 m regelmäßigen Abstanden angebracht sind. Es ist selbstverständlich nicht notwendig, die Fuh- rungselemente m regelmäßigen Abstanden sowie entlang des gesamten Umfangs anzubringen. Nur wenige der Fuhrungselemente 3 sind mit Anschlußelementen 4 bestückt. Durch das Vorsehen der Fuhrungselemente 3 entlang des gesamten Umfangs des Kunststoffgehauses 2 kann eine flexible Bestückung des Leistungs- halbleitermodules erfolgen. Entsprechend der Anordnung der
Halbleiterbauelemente können an den geeignetsten Positionen die Anschlußelemente 4 m den Fuhrungselementen 3 vorgesehen werden. Hierdurch sind kurze Bondverbindungen zwischen den Anschlußelementen und den Halbleiterbauelementen beziehungs- weise der Metallisierung 11 möglich.
In Figur 3 a ist eine Draufsicht auf die Außenseite des Dek- kels gezeigt, so wie er korrekt mit dem Kunststoffgehause in Figur 2 verbunden werden wurde. Hierbei sind bereits die Off- nungen 13 sichtbar, die an den Stellen der Anschlußelemente 4 eingebracht sind. Die Offnungen 13 sind dabei erst beim Zusammenfugen des Deckels 12 und des Kunststoffgehauses 2 durch ein Durchstoßen mit den Anschlußelementen eingebracht. In Figur 3b ist die Innenseite, das heißt die Seite des Deckels, die dem Gehauseinneren zugewandt, dargestellt. Hier ist ersichtlich, daß der Deckel an den Stellen der Fuhrungselemente 3 des Kunststoffgehauses 3 Sollbruchstellen 18 aufweist. Diese können beispielsweise durch ein Vorstanzen erzeugt sein. Zwischen zwei einbringbaren Offnungen 13 sind jeweils Stege 17 angeordnet, die durch das Vorstanzen der Sollbruchstellen 18 verblieben sind.
Bezugszeichenliste:
1 Leistungshalbleitermodul
2 Kunststoffgehause
3 Fuhrungselement
4 Anschlußelement 5 Keramikplatte
6 Gehauseboden
7 Obere Seite der Kerami kplatte
8 Untere Seite der Kerami kplatte
9 Halbleiterbauelement 10 Verbmdungselement
Metallisierung
Deckel
Öffnungen
Nasen
Gehäuseinnere
Kühlkörper
Steg
Sollbruchstelle
Claims
1. Leistungshalbleitermodul (1)
- mit einem als Rahmen ausgebildeten Kunststoffgehause (2), an dessen Innenseite m vorgegebenen Abstanden eine Anzahl n Fuhrungen (3) für externe Anschlußelemente (4) vorgesehen sind,
- mit einem als Keramikplatte (5) ausgebildeten Gehauseboden
(6), der m das Kunststoffgehause (2) eingesetzt ist, wobei die Keramikplatte jeweils auf ihrer oberen und ihrer unteren Seite (7,8) eine Metallisierung (11) aufweist, die auf der oberen, dem Gehauseinneren zugewandten Seite (6) zur Bildung von Leiterbahnen strukturiert ist und die mit zumindest einem Halbleiterbauelement (9) und Verbmdungsele- menten (10) bestuckt ist,
- mit maximal n in den Fuhrungen (3) fixierten, äußere Anschlüsse bildenden Anschlußelementen, die an ihren unteren Enden Bondflachen aufweisen und die über die Verbmdungs- elemente (10) mit dem zumindest einen Halbleiterbauelement (9) und/oder mit der Metallisierung (11) elektrisch verbunden sind,
- mit einem mit dem Kunststoffgehause (2) verbindbaren Deckel
(12), d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Anschlußelemente (4) durch über in den Deckel (12) einbringbare Offnungen (13) nach außen ragen.
2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß n einbringbare Offnungen (13) m dem Deckel (12) vorgesehen sind.
3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die n einbringbaren Offnungen (13) und die n F hrungen (3) derart angeordnet sind, daß die Anschlußelemente orthogo- 5 nal zum Gehauseboden (6) beziehungsweise Deckel (12) aus dem Leistungshalbleitermodul (1) ragen.
4. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
10 daß die Offnungen (13) beim Zusammenf gen des Deckels (12) und des Kunststoffgehauses (2) durch Durchstoßen mit den Anschlußelementen (4) eingebracht sind.
__
5. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, 15 d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Deckel (12) an Stellen der einbringbaren Offnungen (13) Sollbruchstellen aufweist.
6. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, 20 d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Deckel (12) kraftschlussig und formschlussig mit dem Kunststoffgehause (2) verbunden ist.
7. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, 25 d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Anschlußelemente (4) Nasen (14) aufweisen, die an der Innenseite des Kunststoffgehauses (2) anliegen und die Anschlußelemente m ihrer Lage fixieren.
30 8. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Gehauseinnere (15) zumindest teilweise mit einer Vergießmasse gefüllt ist.
35 9. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß als Vergießmasse eine Weichgießmasse und eine Hartvergießmasse auf der Weichvergießmasse vorgesehen ist.
10. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Kunststoff gehause (2) als Rahmen ausgeführt ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE29900370.1 | 1999-01-12 | ||
DE29900370U DE29900370U1 (de) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | Leistungshalbleitermodul mit Deckel |
Publications (1)
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---|---|
WO2000042656A1 true WO2000042656A1 (de) | 2000-07-20 |
Family
ID=8067833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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PCT/DE2000/000031 WO2000042656A1 (de) | 1999-01-12 | 2000-01-04 | Leistungshalbleitermodul mit deckel |
Country Status (2)
Country | Link |
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